專利名稱：系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種數(shù)據(jù)檢測方法，且特別有關(guān)于一種系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選的方法。
背景技術(shù)：
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，以下稱DRAM)的存儲單元是由一個金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal Oxide Semiconductor，MOS)晶體管和電容構(gòu)成，藉由電容中電荷的大小可以儲存″0″與′1″的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。在進(jìn)行高集積度(High Density)DRAM的研究時，發(fā)現(xiàn)DRAM封裝材料中微量放射性元素所放射出的α粒子會影響電容中的儲存電荷而改變儲存數(shù)據(jù)。相對于元件因為絕緣層破壞或是導(dǎo)線斷路而造成永久性故障的硬錯誤(HardError)，由于這種因為α粒子撞擊而影響電容電荷的情形并非永久性破壞，因此這種破壞模式稱為軟錯誤(Soft Error)。軟錯誤即在讀取數(shù)據(jù)出現(xiàn)的讀取錯誤，這種錯誤是可以更正的，在幾次重試之后還是能將數(shù)據(jù)讀取出來。軟錯誤經(jīng)過重試之后可以取得正確的數(shù)據(jù)，故通常稱為可更正的讀取錯誤。
對于高容量DRAM而言，由于元件越來越小，電容的儲存電荷量也越來越小，因此軟錯誤的問題將會越來越嚴(yán)重，因此如何改善軟錯誤的問題將是提高DRAM集積度最大的挑戰(zhàn)之一。同理，除了DRAM會產(chǎn)生軟錯誤的問題之外，其它具有電荷儲存功能的存儲器如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)也都有軟錯誤的問題。
實際上，DRAM受到α粒子撞擊之后造成儲存內(nèi)容改變的方式有兩種。第一種如第1A、1B圖所示，當(dāng)α粒子沿著α粒子軌跡140直接撞擊到存儲單元中的電容110時，稱為存儲單元模式錯誤(cell mode error)。如果存儲單元中原本儲存電荷時(″0″)，α粒子撞擊所激發(fā)的電子不會影響存儲單元的儲存狀態(tài)，但是如果原本存儲單元中沒有儲存電荷時(″1″)，激發(fā)的電子有可能流到存儲單元中而將儲存狀態(tài)由″1″改變成″0″。因此存儲單元模式錯誤會造成存儲單元信號由″1″變成″0″的錯誤。另一種如第1C圖所示，與DRAM的感應(yīng)放大器電路210動作有關(guān)稱為位線模式錯誤(bit line erfor)。當(dāng)圖中的字符線250開啟使得電位由電容流向位線230，這時如果位線230受到α粒子撞擊時會造成電位降低，因感應(yīng)放大器電路210動作原理，而使得感應(yīng)放大器電路210讀取信號判斷異常。在這種模式下，會分別產(chǎn)生″1″→″0″的錯誤和″0″→″1″的錯誤。
如上所述，除了硬錯誤和軟錯誤以外，DRAM在執(zhí)行軟錯誤率(Soft ErrorRate，SER)測試的過程中，可能會因為其它問題而發(fā)生錯誤(如DRAM本身內(nèi)部的讀取錯誤)，以致于在生產(chǎn)制造過程中需對DRAM進(jìn)行更多的檢查，導(dǎo)致制造效率變低或制造成本增加。因此，本發(fā)明提出了一種系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選的方法以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
基于上述目的，本發(fā)明實施例揭露了一種系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選的方法，其包括(a)提供存儲設(shè)備，其包括多個存儲單元且每一存儲單元對應(yīng)一地址；(b)依該等地址的順序?qū)γ恳淮鎯卧獔?zhí)行寫入與讀取操作；(c)根據(jù)第一測試條件，若在對目前的存儲單元執(zhí)行該寫入與讀取操作時沒有錯誤發(fā)生，則接著判斷是否對最后存儲單元完成寫入與讀取操作；(d)若尚未對該最后存儲單元完成該寫入與讀取操作，則繼續(xù)對下一存儲單元執(zhí)行寫入與讀取操作；(e)若已對該最后存儲單元完成該寫入與讀取操作，則依該等地址的順序?qū)υ摯鎯υO(shè)備的每一存儲單元執(zhí)行讀取操作；(f)根據(jù)第二測試條件，若在對目前的存儲單元執(zhí)行該讀取操作時沒有功能性的錯誤發(fā)生，則接著判斷是否對最后存儲單元完成讀取操作；(g)若尚未對該最后存儲單元完成該讀取操作，則繼續(xù)對下一存儲單元執(zhí)行寫入與讀取操作；(h)若已對該最后存儲單元完成該讀取操作，則依該等地址的順序?qū)υ摯鎯υO(shè)備的每一存儲單元執(zhí)行讀取操作；(i)根據(jù)第三測試條件，若在對目前的存儲單元執(zhí)行該讀取操作時沒有錯誤發(fā)生，則接著判斷是否對最后存儲單元完成寫入與讀取操作；(j)若尚未對該最后存儲單元完成該寫入與讀取操作，則繼續(xù)對下一存儲單元執(zhí)行讀取操作；(k)若已對該最后存儲單元完成該寫入與讀取操作，則接著判斷上述測試流程所花費的時間是否超過預(yù)設(shè)時間；(1)若上述測試流程所花費的時間超過該預(yù)設(shè)時間，則對下一存儲設(shè)備執(zhí)行上述測試流程；以及(m)若上述測試流程所花費的時間支超過該預(yù)設(shè)時間，則繼續(xù)對下一存儲單元執(zhí)行讀取操作。


第1A、1B圖是顯示DRAM電容所產(chǎn)生的軟錯誤的示意圖。
第1C圖是顯示DRAM的感應(yīng)放大器線路所產(chǎn)生的軟錯誤的示意圖。
第2圖是顯示傳統(tǒng)上系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選方法的步驟流程圖。
第3A、3B圖是顯示本發(fā)明實施例的系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選方法的步驟流程圖。
110～電容120～n+位線130～電子140～α粒子軌跡150～電洞160～充滿位能的位能井170～空的位能井210～感應(yīng)放大器220～α粒子軌跡230～位線240～時鐘用字符線250～字符線260～存儲單元270～多余單元具體實施方式
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。
本發(fā)明實施例揭露了一種系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選的方法。
以下再簡述傳統(tǒng)上檢測軟錯誤率的流程。參考第2圖，首先，將數(shù)據(jù)寫入存儲設(shè)備中(步驟S11)，這里所謂的數(shù)據(jù)，即如上文所述的DRAM的存儲單元中，表示為″0″或″1″的電荷。接著，讀取存儲設(shè)備的存儲單元中儲存的數(shù)據(jù)，并且判斷是否有寫入錯誤發(fā)生(步驟S12)。若是，則執(zhí)行步驟S13，否則執(zhí)行步驟S14。當(dāng)寫入的數(shù)據(jù)為“0.1.0.1.0.1...”而讀出的數(shù)據(jù)為“0.1.1.1.0.1...”時，即表示發(fā)生寫入與讀取錯誤，故將該錯誤狀況記錄下來(步驟S13)，然后執(zhí)行步驟S14。
接下來，若沒有發(fā)生寫入與讀取錯誤，則接著判斷所有數(shù)據(jù)是否皆寫入與讀取完成(步驟S14)。因測試系統(tǒng)與測試板的關(guān)系是以矩陣方式排列，即每一行集成電路(IC)數(shù)據(jù)皆對應(yīng)于該測試系統(tǒng)的一地址。寫入時是依地址順序?qū)?shù)據(jù)寫入，而讀取時也是依地址順序?qū)?shù)據(jù)讀取出來。因此，在本步驟中是判斷是否對每一地址的存儲單元完成執(zhí)行數(shù)據(jù)的寫入與讀取操作。當(dāng)對所有地址的存儲單元完成數(shù)據(jù)的寫入與讀取操作，則接著執(zhí)行步驟S15。否則，當(dāng)對目前地址(非為最后的地址)的存儲單元完成數(shù)據(jù)的寫入與讀取操作，則接著回到步驟S11，繼續(xù)對下一筆地址的存儲單元執(zhí)行數(shù)據(jù)的寫入與讀取操作。步驟S11～步驟S14主要是在檢測所有數(shù)據(jù)是否可以順利寫入存儲單元與自存儲單元讀取，并且將有發(fā)生讀寫錯誤的存儲單元標(biāo)記(mark)起來，然后再對正常的存儲單元執(zhí)行相關(guān)測試操作。
接下來，依照地址順序?qū)φ５拇鎯卧獔?zhí)行讀取操作，并且判斷數(shù)據(jù)是否錯誤(步驟S15)。若是，則執(zhí)行步驟S16，否則跳到步驟S20。當(dāng)讀取存儲單元時發(fā)生錯誤，接著判斷該錯誤為多位元(multi-bit)錯誤或單位元(single-bit)錯誤(步驟S16)。若為多位元錯誤，則將對應(yīng)的存儲單元標(biāo)記起來(步驟S17)。接著再執(zhí)行一次如上文所述的寫入與讀取操作，然后回到步驟S15。若為單位元錯誤，則對該存儲單元再次執(zhí)行邊際(marginal)測試并讀取之，以判斷該錯誤是否為讀取錯誤(步驟S18)。若發(fā)現(xiàn)可正常讀取數(shù)據(jù)，表示該錯誤為暫時性的錯誤，而發(fā)生該暫時性錯誤的原因可能是測試系統(tǒng)本身的問題，或者是存儲單元因為外在噪聲(noise)所導(dǎo)致，表示該錯誤為讀取錯誤。接著再執(zhí)行一次如上文所述的寫入與讀取操作，然后跳到步驟S15。若仍無法正常讀取數(shù)據(jù)，則接著判斷該錯誤為軟錯誤或硬錯誤(步驟S19)。數(shù)據(jù)在寫入到DRAM的存儲單元中時是以″0″或″1″來表示，如上文所述，當(dāng)α粒子直接撞擊到存儲單元中的電容時，可能導(dǎo)致其中表示為″1″的數(shù)據(jù)變?yōu)椤?″。舉例來說，若電荷儲存狀態(tài)為″1″表示其電荷量為2V，當(dāng)α粒子撞擊到電容時，電荷量將會慢慢流失而使得電荷儲存狀態(tài)改變?yōu)椤?″。因此，當(dāng)寫入的數(shù)據(jù)為″0″而讀出的數(shù)據(jù)為″1″時，即表示發(fā)生讀取錯誤。軟錯誤或硬錯誤的成因如前文所述，在此不再予以贅述。完成步驟S19的判斷操作后，接著再執(zhí)行一次如上文所述的寫入與讀取操作，然后跳到步驟S15。
接下來，當(dāng)讀取目前的存儲單元時未發(fā)生錯誤(步驟S15)，則接著判斷是否已讀取完對應(yīng)所有地址的存儲單元中的數(shù)據(jù)(步驟S20)。若是，則執(zhí)行步驟S21，否則回到步驟S15繼續(xù)讀取下一地址的存儲單元。若已讀取完所有地址的存儲單元，則接著判斷上述測試流程所花費的時間是否超過預(yù)設(shè)時間(如1000小時)(步驟S21)。若是，則回到步驟S11，以對下一存儲設(shè)備執(zhí)行與步驟S11～步驟S21相同的測試流程，否則回到步驟S15，繼續(xù)讀取下一地址順序的存儲單元。
根據(jù)上文所述，除了硬錯誤和軟錯誤以外，DRAM在執(zhí)行軟錯誤率測試的過程中，可能會因為其它問題而發(fā)生錯誤(如DRAM本身內(nèi)部的讀取錯誤)，以致于在生產(chǎn)制造過程中需對DRAM進(jìn)行更多的檢查，導(dǎo)致制造效率變低或制造成本增加。因此本發(fā)明實施例在原有的測試流程中加入另一段測試流程，以將存儲設(shè)備中除了軟錯誤以外的其它錯誤先抓取出來，其流程詳述于下文。
第3圖是顯示本發(fā)明實施例的系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選方法的步驟流程圖。步驟S31～步驟S34與步驟S11～步驟S14相同。首先，將數(shù)據(jù)寫入存儲設(shè)備中(步驟S31)，這里所謂的數(shù)據(jù)，即如上文所述的DRAM的存儲單元中，表示為″0″或″1″的電荷。接著，讀取存儲設(shè)備的存儲單元中儲存的數(shù)據(jù)，并且根據(jù)相關(guān)測試條件判斷是否有寫入錯誤發(fā)生(步驟S32)。若是，則執(zhí)行步驟S33，否則執(zhí)行步驟S34。當(dāng)寫入的數(shù)據(jù)為“0.1.0.1.0.1...”而讀出的數(shù)據(jù)為“0.1.1.1.0.1...”時，即表示發(fā)生寫入與讀取錯誤，故將該錯誤狀況記錄下來(步驟S33)，然后執(zhí)行步驟S34。
接下來，若沒有發(fā)生寫入與讀取錯誤，則接著判斷所有數(shù)據(jù)是否皆寫入與讀取完成(步驟S34)。本步驟系判斷是否對每一地址的存儲單元完成執(zhí)行數(shù)據(jù)的寫入與讀取操作。當(dāng)對所有地址的存儲單元完成數(shù)據(jù)的寫入與讀取操作，則接著執(zhí)行步驟S35。否則，當(dāng)對目前地址(非為最后的地址)的存儲單元完成數(shù)據(jù)的寫入與讀取操作，則接著回到步驟S31，繼續(xù)對下一筆地址的存儲單元執(zhí)行數(shù)據(jù)的寫入與讀取操作。步驟S31～步驟S34主要是在檢測對應(yīng)所有地址的存儲單元是否有除了軟錯誤以外的其它類型的錯誤(如硬錯誤或系統(tǒng)錯誤)發(fā)生。在上述測試流程中，使用于測試流程中的測試條件更為嚴(yán)苛，其目的在于確實地將有問題的存儲單元完全抓取出來，以提高在后述檢測軟錯誤流程的效率。接著，將有發(fā)生讀寫錯誤的存儲單元標(biāo)記起來，然后再對正常的存儲單元執(zhí)行相關(guān)測試操作。
接下來，再次對存儲設(shè)備的存儲單元執(zhí)行讀取操作，并且根據(jù)相關(guān)測試條件判斷是否有功能性的錯誤發(fā)生(步驟S35)。若是，則執(zhí)行步驟S36，否則執(zhí)行步驟S37。功能性的錯誤是指存儲設(shè)備內(nèi)部功能異常的問題。例如，將數(shù)據(jù)存入存儲設(shè)備后，經(jīng)過一段時間后該數(shù)據(jù)即揮發(fā)掉?；蛘呤菧y試系統(tǒng)本身的問題或外在噪聲所導(dǎo)致發(fā)生的錯誤。同樣的，將該功能性的錯誤狀況記錄下來(步驟S36)，然后回到步驟S35。若沒有發(fā)生功能性的錯誤，則接著判斷是否對所有地址的存儲單元完成讀取操作(步驟S37)。若是，則執(zhí)行步驟S38，否則回到步驟S35。步驟S37是判斷是否對每一地址的存儲單元完成執(zhí)行數(shù)據(jù)的讀取操作，當(dāng)對所有地址的存儲單元完成數(shù)據(jù)的讀取操作，則接著執(zhí)行步驟S38。
接下來，依照地址順序?qū)φ５拇鎯卧獔?zhí)行讀取操作，并且根據(jù)相關(guān)測試條件判斷數(shù)據(jù)是否錯誤(步驟S38)。若是，則執(zhí)行步驟S39，否則跳到步驟S43。當(dāng)讀取存儲單元時發(fā)生錯誤，接著判斷該錯誤為多位元(multi-bit)錯誤或單位元(single-bit)錯誤(步驟S39)。若為多位元錯誤，則將對應(yīng)的存儲單元標(biāo)記起來(步驟S40)。接著再執(zhí)行一次如上文所述的寫入與讀取操作，然后回到步驟S38。若為單位元錯誤，則對該存儲單元再次執(zhí)行邊際測試并讀取之，以判斷該錯誤是否為讀取錯誤(步驟S41)。若發(fā)現(xiàn)可正常讀取數(shù)據(jù)，表示該錯誤為暫時性的錯誤，而發(fā)生該暫時性錯誤的原因可能是測試系統(tǒng)本身的問題，或者是存儲單元因為外在噪聲所導(dǎo)致，表示該錯誤為讀取錯誤。接著再執(zhí)行一次如上文所述的寫入與讀取操作，然后回到步驟S38。若仍無法正常讀取數(shù)據(jù)，則接著判斷該錯誤為軟錯誤或硬錯誤(步驟S42)。軟錯誤或硬錯誤的成因如前文所述，在此不再予以贅述。完成步驟S42的判斷操作后，接著再執(zhí)行一次如上文所述的寫入與讀取操作，然后回到步驟S38。
接下來，當(dāng)讀取目前的存儲單元時未發(fā)生錯誤(步驟S38)，則接著判斷是否已讀取完對應(yīng)所有地址的存儲單元中的數(shù)據(jù)(步驟S43)。若是，則執(zhí)行步驟S44，否則回到步驟S38繼續(xù)讀取下一地址的存儲單元。若已讀取完所有地址的存儲單元，則接著判斷上述測試流程所花費的時間是否超過預(yù)設(shè)時間(如1000小時)(步驟S44)。若是，則回到步驟S31，以對下一存儲設(shè)備執(zhí)行與步驟S31～步驟S44相同的測試流程，否則回到步驟S38，繼續(xù)讀取下一地址順序的存儲單元。
利用本發(fā)明實施例的系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選的方法可預(yù)先發(fā)現(xiàn)除了軟錯誤以外的其它類型的錯誤(如硬錯誤或系統(tǒng)與設(shè)備錯誤)。如此一來，將可提高制程效率且降低制造成本。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選的方法，其適用于測試流程中，包括下列步驟(a)提供存儲設(shè)備，其包括多個存儲單元且每一存儲單元對應(yīng)一地址；(b)依該等地址的順序?qū)γ恳淮鎯卧獔?zhí)行寫入與讀取操作；(c)根據(jù)第一測試條件，若在對目前的存儲單元執(zhí)行該寫入與讀取操作時沒有錯誤發(fā)生，則接著判斷是否對最后存儲單元完成寫入與讀取操作；(d)若尚未對該最后存儲單元完成該寫入與讀取操作，則繼續(xù)對下一存儲單元執(zhí)行寫入與讀取操作；(e)若已對該最后存儲單元完成該寫入與讀取操作，則依該等地址的順序?qū)υ摯鎯υO(shè)備的每一存儲單元執(zhí)行讀取操作；(f)根據(jù)第二測試條件，若在對目前的存儲單元執(zhí)行該讀取操作時沒有功能性的錯誤發(fā)生，則接著判斷是否對最后存儲單元完成讀取操作；(g)若尚未對該最后存儲單元完成該讀取操作，則繼續(xù)對下一存儲單元執(zhí)行寫入與讀取操作；(h)若已對該最后存儲單元完成該讀取操作，則依該等地址的順序?qū)υ摯鎯υO(shè)備的每一存儲單元執(zhí)行讀取操作；(i)根據(jù)第三測試條件，若在對目前的存儲單元執(zhí)行該讀取操作時沒有錯誤發(fā)生，則接著判斷是否對最后存儲單元完成寫入與讀取操作；(j)若尚未對該最后存儲單元完成該寫入與讀取操作，則繼續(xù)對下一存儲單元執(zhí)行讀取操作；(k)若已對該最后存儲單元完成該寫入與讀取操作，則接著判斷上述測試流程所花費的時間是否超過預(yù)設(shè)時間；(l)若上述測試流程所花費的時間超過該預(yù)設(shè)時間，則對下一存儲設(shè)備執(zhí)行上述(a)～(k)的測試步驟；以及(m)若上述測試流程所花費的時間未超過該預(yù)設(shè)時間，則繼續(xù)對下一存儲單元執(zhí)行讀取操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選的方法，其還包括(c1)根據(jù)該第一測試條件，若在對該目前的存儲單元執(zhí)行該寫入與讀取操作時發(fā)生該錯誤，則將該錯誤狀況記錄起來。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選的方法，其還包括(f1)根據(jù)該第二測試條件，若在對該目前的存儲單元執(zhí)行該讀取操作時發(fā)生該功能性的錯誤，則該功能性的錯誤狀況記錄起來。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選的方法，其還包括下列步驟(i1)根據(jù)該第三測試條件，若在對該目前的存儲單元執(zhí)行該讀取操作時發(fā)生錯誤，則接著判斷該錯誤為多位元錯誤或為單位元錯誤；(i2)若該錯誤為該多位元錯誤，則將該存儲單元標(biāo)記起來；以及(i3)若該錯誤為該單位元錯誤，則對該存儲單元執(zhí)行邊際測試并讀取之，且當(dāng)該錯誤非為讀取錯誤時，判斷該錯誤為軟錯誤或硬錯誤。
5.一種儲存媒體，用以儲存計算機(jī)程序，上述計算機(jī)程序包括多個程序代碼，其用以加載至計算機(jī)系統(tǒng)中并且使得上述計算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行一種系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選的方法，該方法包括下列步驟(a)提供存儲設(shè)備，其包括多個存儲單元且每一存儲單元對應(yīng)一地址；(b)依該等地址的順序?qū)γ恳淮鎯卧獔?zhí)行寫入與讀取操作；(c)根據(jù)第一測試條件，若在對目前的存儲單元執(zhí)行該寫入與讀取操作時沒有錯誤發(fā)生，則接著判斷是否對最后存儲單元完成寫入與讀取操作；(d)若尚未對該最后存儲單元完成該寫入與讀取操作，則繼續(xù)對下一存儲單元執(zhí)行寫入與讀取操作；(e)若已對該最后存儲單元完成該寫入與讀取操作，則依該等地址的順序?qū)υ摯鎯υO(shè)備的每一存儲單元執(zhí)行讀取操作；(f)根據(jù)第二測試條件，若在對目前的存儲單元執(zhí)行該讀取操作時沒有功能性的錯誤發(fā)生，則接著判斷是否對最后存儲單元完成讀取操作；(g)若尚未對該最后存儲單元完成該讀取操作，則繼續(xù)對下一存儲單元執(zhí)行寫入與讀取操作；(h)若已對該最后存儲單元完成該讀取操作，則依該等地址的順序?qū)υ摯鎯υO(shè)備的每一存儲單元執(zhí)行讀取操作；(i)根據(jù)第三測試條件，若在對目前的存儲單元執(zhí)行該讀取操作時沒有錯誤發(fā)生，則接著判斷是否對最后存儲單元完成寫入與讀取操作；(j)若尚未對該最后存儲單元完成該寫入與讀取操作，則繼續(xù)對下一存儲單元執(zhí)行讀取操作；(k)若已對該最后存儲單元完成該寫入與讀取操作，則接著判斷上述測試流程所花費的時間是否超過預(yù)設(shè)時間；(l)若上述測試流程所花費的時間超過該預(yù)設(shè)時間，則對下一存儲設(shè)備執(zhí)行上述(a)～(k)的測試步驟；以及(m)若上述測試流程所花費的時間未超過該預(yù)設(shè)時間，則繼續(xù)對下一存儲單元執(zhí)行讀取操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的儲存媒體，其還包括(c1)根據(jù)該第一測試條件，若在對該目前的存儲單元執(zhí)行該寫入與讀取操作時發(fā)生該錯誤，則將該錯誤狀況記錄起來。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的儲存媒體，其還包括(f1)根據(jù)該第二測試條件，若在對該目前的存儲單元執(zhí)行該讀取操作時發(fā)生該功能性的錯誤，則該功能性的錯誤狀況記錄起來。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的儲存媒體，其還包括下列步驟(i1)根據(jù)該第三測試條件，若在對該目前的存儲單元執(zhí)行該讀取操作時發(fā)生錯誤，則接著判斷該錯誤為多位元錯誤或為單位元錯誤；(i2)若該錯誤為該多位元錯誤，則將該存儲單元標(biāo)記起來；以及(i3)若該錯誤為該單位元錯誤，則對該存儲單元執(zhí)行邊際測試并讀取之，且當(dāng)該錯誤非為讀取錯誤時，判斷該錯誤為軟錯誤或硬錯誤。
全文摘要
一種系統(tǒng)軟錯誤的樣本篩選的方法。首先，根據(jù)第一測試條件對存儲設(shè)備的存儲單元執(zhí)行寫入與讀取的操作，以找出發(fā)生硬錯誤的存儲單元。接著，根據(jù)第二測試條件對該存儲設(shè)備的存儲單元執(zhí)行讀取操作，以找出發(fā)生功能性錯誤的存儲單元。根據(jù)第三測試條件對該存儲設(shè)備的存儲單元執(zhí)行讀取操作，以找出發(fā)生軟錯誤的存儲單元。
文檔編號G11C11/409GK1937088SQ20051010379
公開日2007年3月28日 申請日期2005年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月23日
發(fā)明者郭烜超 申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司