專利名稱：光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光記錄介質(zhì)，具體而言，涉及一種具有至少兩個記錄層的光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
目前，CD-R、CD-RW、MO等各種光記錄介質(zhì)，由于可存儲大容量的信息，并且隨機存取比較容易，所以作為計算機等信息處理裝置中使用的外部存儲裝置廣為人知并日漸普及化。在各種光記錄介質(zhì)中，CD-R、DVD-R、DVD+R等具有含有機色素記錄層的光記錄介質(zhì)比較便宜，并且，由于具有與讀取專用光盤的互換性，所以特別被廣泛使用。例如具有含有機色素記錄層的代表性的CD-R等，在透明磁盤基板上依順序具有含色素記錄層和反射層，具有可覆蓋這些記錄層或反射層的保護層的復(fù)合層構(gòu)造，可通過基板以激光進行記錄·讀取。
為使這些光記錄介質(zhì)的記錄容量更加大容量化，方法之一為在一片媒體上設(shè)置多層，例如兩層(dual layer)記錄層。又，這樣的情況下，從便利性上，要求能將兩層記錄層從一面進行記錄·讀取。為滿足這種要求，本申請人曾提出了關(guān)于在磁盤狀的透明的第1基板上，依次具有含色素的第1記錄層、半透明的第1反射層、中間樹脂層、含色素的第2記錄層、第2反射層、粘結(jié)層及第2基板的光記錄介質(zhì)的專利申請(專利文獻1)。由此，可從具有雙層記錄層型的光記錄介質(zhì)的一面?zhèn)仍诘?記錄層及第2記錄層上記錄信息，在讀取時，也可作為雙層型的光記錄介質(zhì)從一面?zhèn)茸x取信號。
專利文獻1日本特開2003-331463號公報發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的課題但是，要在專利文獻1所記載的具有雙層記錄層的光記錄介質(zhì)上記錄信息時，從第1基板側(cè)入射的光束的功率因半透明的第1反射層的存在等而被一分為二，分為第1記錄層上的記錄與第2記錄層上的記錄。因此，在第2記錄層上，由于信息的記錄是由被衰減的光束的功率來進行的，所以存在著記錄特性易于降低的問題。
本發(fā)明系為解決在對具有雙層記錄層的光記錄介質(zhì)的記錄特性進行研究時所存在的問題而作。
即，本發(fā)明的目的是提供一種可改良第2層記錄層的記錄特性的光記錄介質(zhì)。
解決課題的方法為解決此課題，根據(jù)本發(fā)明，在第2層記錄層上使用了對入射光具有高靈敏度的色素。
即，本發(fā)明提供一種光記錄介質(zhì)，所述光記錄介質(zhì)具有可利用光進行信息的記錄·讀取的第1記錄層和至少一個的第2記錄層，其特征在于，第2記錄層中所含色素的吸光度，大于離光入射側(cè)最近的第1記錄層中所含色素的吸光度。
在本發(fā)明適用的光記錄介質(zhì)中，根據(jù)第2記錄層所含色素的吸光度大于第1記錄層所含色素的吸光度，可將第1記錄層與第2記錄層間所產(chǎn)生的靈敏度差限制在適宜的范圍內(nèi)。
作為第1記錄層與第2記錄層間所產(chǎn)生的這種靈敏度差的適宜范圍，優(yōu)選的是，根據(jù)后述“實驗例”中詳述的測定方法所求得的記錄功率的比((第2記錄層的記錄功率)/(第1記錄層的記錄功率))在0.7以上而小于1.16。將靈敏度差控制在此范圍內(nèi)，在第1記錄層及第2記錄層中，就可以無需對記錄條件進行過度調(diào)整而進行記錄，結(jié)果，關(guān)于這些記錄層可獲得良好抖晃(jitter)特性。
這里，優(yōu)選第2記錄層所含色素的吸光度在0.005以上、0.015以下。由于色素對照射在光記錄介質(zhì)上的光的吸光度在上述范圍內(nèi)，可以充分提高第2記錄層對于激光的靈敏度，還可抑制反射率的降低。
又，優(yōu)選第2記錄層所含色素的吸光度是第1記錄層所含色素吸光度的1.3倍以上。
又，在本發(fā)明適用的光記錄介質(zhì)中，優(yōu)選第2記錄層的厚度是50nm以上、200nm以下。
進而，優(yōu)選設(shè)置在第1記錄層與第2記錄層之間的半透明反射層的厚度為5nm以上、50nm以下。
又，在本發(fā)明適用的光記錄介質(zhì)上記錄信息，為了讀取被記錄的信息，所用的光波長為350nm～900nm。
在本發(fā)明適用的光記錄介質(zhì)中，優(yōu)選第2記錄層所含的色素為選自下述通式(I)及/或通式(II)所示的含金屬偶氮色素，優(yōu)選這種含金屬偶氮色素是因為它們記錄靈敏度優(yōu)異，且耐久性、耐旋光性優(yōu)異。
化學(xué)式1

(但，式中，環(huán)A1及環(huán)A2為各自獨立可具有取代基的含氮芳香族雜環(huán)，環(huán)B1及環(huán)B2為各自獨立，可具有取代基的芳環(huán)，X為可被至少2個氟原子所取代的碳原子數(shù)1～6的烷基)。
進而，優(yōu)選第2記錄層所含色素的折射率為1.0以上，又，優(yōu)選相對于所照射光的消光系數(shù)為0.5以下。
又，根據(jù)本發(fā)明，提供一種光記錄介質(zhì)，所述光記錄介質(zhì)為具有兩個記錄層的光記錄介質(zhì)，其特征在于，第2記錄層含有含鎳偶氮色素，所述含鎳偶氮色素的吸光度大于第1記錄層所含色素對記錄光的吸光度，以使設(shè)置在記錄光入射側(cè)的第1記錄層進行信息記錄的記錄功率(P1)，與在設(shè)置于遠離記錄光入射側(cè)的第2記錄層進行信息記錄的記錄功率(P2)之比值，(P2)/(P1)為不到1.16。
這里，優(yōu)選第2記錄層所含的含鎳偶氮色素的吸光度大于第1記錄層所含色素的吸光度的1.05倍以上。
另外，吸光度(ODOptical Density)為將記錄層所用的色素的氯仿溶液或甲醇溶液(濃度5mg/l)，分別裝入光路長10mm的管中，使用吸光度計，將在波長800nm～波長400nm的范圍中測定的透過光量(I1)，由下述關(guān)系式所求得(吸收光譜)。實際上，通常可在分光光度計中，一邊掃描波長，一邊獲得相對于波長的吸光度的測定值。
OD＝Iabs＝-log(I1/I0)(但，I0為入射光量，I1為透過光量。另外，對數(shù)底為10)。
另外，上述色素的吸光度，在色素的形態(tài)不是結(jié)晶或粉末等的單體(純色素)的場合，可以用下述方法求得。
例如，吸光度為未知的色素，含在由粘結(jié)層貼合的兩層磁盤的各自的記錄層中時，從兩層磁盤端部向粘結(jié)層內(nèi)插入切刀，分離成2片磁盤。接著，將相當于第1記錄層的部分與相當于第2記錄層的部分進一步剝離并分離，用乙醇等分別將各自的記錄層洗凈，使記錄層中所含的色素流出(這里，此操作稱為乙醇洗凈)。接著，將溶解或分散了色素的乙醇洗凈液分別收集于各容器，接著采用蒸餾等方法除去溶液中的乙醇，即可分別獲得成為固體的色素，即，可分別獲得第1記錄層中所含的色素與第2記錄層中所含的色素。為確保足夠量的色素用于吸光度的測定，優(yōu)選由多個兩層磁盤采取色素。
另外，在用于測定吸光度的色素量不足5mg的情況下，為使(色素量)/(溶劑體積)達到5mg/l，可調(diào)整溶劑的量。例如，在色素為1mg的情況，使用溶劑200ml。
又，色素的吸光度，在如上述方法所獲得的吸收光譜中，定義為記錄·讀取光波長處的吸光度。
但，例如第1記錄層中所含色素的吸光度，或第2記錄層中所含色素的吸光度在不足0.003的情況下，由于在吸光度的測定值中含有光源等噪聲的影響，測定準確的吸光度有一定困難。
因此，這種情況下，優(yōu)選按以下方法來求得色素的吸光度。首先，將記錄·讀取光波長中的第1記錄層中所含色素的吸光度與第2記錄層中所含色素的吸光度進行比較，將吸光度更小的色素予以特定。接著，在比記錄·讀取光波長更短的波長中，求出使前述吸光度小的色素的吸光度為0.003時的波長，接著，在此波長處求得另一個色素(吸光度大的色素)的吸光度。即，在此情況下，記錄·讀取光波長中吸光度小的色素其吸光度為0.003，記錄·讀取光波長中吸光度大的別的色素其吸光度比0.003大。
又，測定吸光度時所使用的有機溶劑優(yōu)選氯仿、甲醇等。又，作為有機溶劑，只要是可溶解色素的有機溶劑即可，并無特別限定，但極性溶劑，對金屬絡(luò)合物的配位鍵多有影響，存在無法測定正確吸收光譜的隱患，所以并不理想。
另外，在本文中，將第1記錄層中所含色素的吸光度稱為第1記錄層色素的吸光度，將第2記錄層中所含色素的吸光度稱為第2記錄層色素的吸光度。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可獲得第2層記錄層的記錄特性得到改善的光記錄介質(zhì)。


圖1為可適用本實施方式的光記錄介質(zhì)一個實施例的說明圖。
圖2為可適用本實施方式的光記錄介質(zhì)制造方法的說明圖。
圖3為可適用本實施方式的光記錄介質(zhì)其它實施例的說明圖。
圖4為實施例1、實施例2及比較例中表示第2記錄層的最適記錄功率與(第2記錄層色素的吸光度)/(第1記錄層色素的吸光度)的關(guān)系圖。
圖5為表4所示的、關(guān)于3種光記錄介質(zhì)，顯示的記錄靈敏度比(第2記錄層/第1記錄層)與(第2記錄層色素的吸光度)/(第1記錄層色素的吸光度)的關(guān)系圖。
具體實施例方式
以下，結(jié)合附圖，詳細說明本發(fā)明的最佳實施方式(以下稱實施方式)。但，本發(fā)明并非限定于以下所說明的實施方式，本發(fā)明可在其要點的范圍內(nèi)做各種變更。又，附圖是為了說明實施方式所用，并非表示實際大小。
(光記錄介質(zhì))圖1是說明適用于本實施方式的光記錄介質(zhì)的一例的圖。圖1所示的光記錄介質(zhì)100為順次層合下述材料的結(jié)構(gòu)具有磁(光)盤狀的透光性的第1基板101，位于此第1基板101上、由通過第1基板101所照射的激光110進行信息記錄·讀取的含色素的第1記錄層102，可將來自第1基板101側(cè)入射的激光110的功率分解的半透明的第1反射層103，由透光性材料構(gòu)成的中間層104，含有靈敏度高于第1記錄層102色素的第2記錄層105，將透過第2記錄層105的激光110反射的第2反射層106，粘結(jié)層107，形成最外層的空基板的第2基板108。
如圖1所示，由于從光記錄介質(zhì)100的第1基板101側(cè)所照射的激光110，光信息被記錄于含色素的第1記錄層102上，又，對被記錄的光信息進行讀取。進而，激光110的一部分透過半透明的第1反射層103，通過中間層104照射到含有色素的第2記錄層105，如同第1記錄層102一樣，進行光信息的記錄·讀取。
另外，由第1反射層103所反射的激光110的一部分及由第2反射層106所反射的激光110的一部分，可分別被用于使激光110聚光用的聚焦(圖中未顯示)。又，作為空基板的第2基板108，由粘結(jié)層107層合于第2反射層106上，在形成光記錄介質(zhì)100的最外層的同時，賦予光記錄介質(zhì)100以剛性，確保其形狀的穩(wěn)定性。進而，在第1基板101及中間層104上分別形成凹凸，分別構(gòu)成記錄軌跡。
這里，在適用于本實施方式的光記錄介質(zhì)100中，“透光性(或透明)”是指在含有色素的第1記錄層102及第2記錄層105上，相對于為進行光信息記錄·讀取而照射的光的波長的光透過性，具體而言，是指關(guān)于記錄·讀取用的光波長具有50％以上，優(yōu)選具有60％以上的透過性。
在本實施方式適用的光記錄介質(zhì)100中，在雙層(2個)記錄層中(第1記錄層102，第2記錄層105)，使用了在350nm～900nm左右的可見光～近紅外光區(qū)域具有最大吸收波長λmax、適于藍色～近微波激光記錄的色素化合物。作為第1記錄層102或第2記錄層105所使用的色素，可例舉如大環(huán)狀氮雜輪烯(aza-annulene)色素(酞菁色素，萘酞菁色素，卟啉色素等)，甲撐吡咯色素，聚甲炔色素(花青色素，部花青色素，四角鎓色素等)，蒽醌色素，奧鎓色素，含金屬偶氮色素，含金屬靛苯胺色素等。
在本實施方式適用的光記錄介質(zhì)100中的第2記錄層105上，相對于從第1基板101側(cè)所照射的激光110的記錄波長的吸光度，通常為0.005以上，優(yōu)選0.006以上，進一步優(yōu)選0.0065以上，但通常需要使用吸光度在0.015以下，優(yōu)選0.013以下，進一步優(yōu)選0.012以下的色素。第2記錄層105上所使用的色素吸光度若在此范圍內(nèi)，可充分提高第2記錄層105相對于激光110的靈敏度，又可抑制由于激光110的吸收過多所導(dǎo)致的反射率降低。
又，在本實施方式適用的光記錄介質(zhì)100中，第2記錄層105所使用的色素吸光度比第1記錄層102所使用的色素吸光度更大。具體而言，第2記錄層105所使用的色素的吸光度，通常為第1記錄層102所使用色素吸光度的1.05倍以上，優(yōu)選1.1倍以上，進一步優(yōu)選1.2倍以上，更加優(yōu)選1.3倍以上。優(yōu)選4倍以下，進一步優(yōu)選3.5倍以下，更加優(yōu)選3.2倍以下。第2記錄層105所使用的色素吸光度與第1記錄層102所使用的色素吸光度的關(guān)系若在此范圍內(nèi)，則可將第1記錄層102與第2記錄層105間所產(chǎn)生的靈敏度差控制在適宜的范圍內(nèi)，可進一步抑制反射率的降低。
在第2記錄層105所使用的色素中，含金屬偶氮色素，因其記錄靈敏度優(yōu)異，且耐久性、耐旋光性優(yōu)異而優(yōu)選使用。作為這種含金屬偶氮色素，具體地可例舉由下述通式(I)及/或通式(II)所示的化合物。
化學(xué)式2
(但，式中，環(huán)A1及環(huán)A2為各自獨立、可具有取代基的含氮芳香族雜環(huán)，環(huán)B1及環(huán)B2為各自獨立、可具有取代基的芳香族環(huán)，X為可被至少2個氟原子所取代的碳原子數(shù)1～6的烷基)。
進而，在通式(I)及/或通式(II)所示的化合物的中，特別優(yōu)選通式(II)所示的化合物，作為其具體化合物，可例舉以下化合物。
化學(xué)式3


另外，所使用的色素吸光度，并沒有必要單個的色素達到吸光度要求，可以混合多種色素來達到要求。例如可以將吸光度高的色素與吸光度低的色素混合，調(diào)整其比率使其適應(yīng)本又，第2記錄層105所使用的色素的折射率(相對于記錄光或讀取光的波長的折射率)，通常為1.00以上，優(yōu)選1.50以上，并通常為3.00以下。
再者，第2記錄層105中所使用的色素的消光系數(shù)(相對于記錄光或讀取光的波長的消光系數(shù))通常為0.50以下，優(yōu)選0.30以下，并通常為0.001以上。若消光系數(shù)過大，則第2記錄層105中的記錄光或讀取光的吸收會增大，反射率有降低的傾向，所以不理想。又，若消光系數(shù)過小，則在第2記錄層105中的記錄光或讀取光的吸收會降低，所以不理想。
第2記錄層105的厚度通常為50nm以上，優(yōu)選60nm以上，并通常為200nm以下，優(yōu)選150nm以下，進一步優(yōu)選100nm以下。若第2記錄層105的厚度過大，則因靈敏度降低所以不理想。又，若第2記錄層105的厚度過小，則因無法獲得充分信號波幅所以不理想。這里，第2記錄層105的厚度通常指厚膜部的膜厚。
另外，第1記錄層102的膜厚依記錄方法等的不同，其適合的膜厚也不相同，并無特別限定，但為獲得充分的調(diào)變度(變調(diào)度)，膜厚通常為20nm以上，優(yōu)選30nm以上，進一步優(yōu)選40nm以上。又因必須使光透過，通常為200nm以下，優(yōu)選180nm以下，進一步優(yōu)選150nm以下。
又，在本實施方式中，第1記錄層102所使用的色素，其在從第1基板101側(cè)照射的激光110的記錄波長中的吸光度，由于前述理由，通常為0.003以上，較好的是0.0035以上，優(yōu)選0.004以上，更加優(yōu)選0.0045以上，最佳選擇0.005以上，同時，吸光度通常為0.0115以下，優(yōu)選0.01以下，進一步優(yōu)選0.009以下。
在本實施方式適用的光記錄介質(zhì)100中，在雙層記錄層(第1記錄層102，第2記錄層105)中，為提高記錄層的穩(wěn)定性及耐光性，作為單態(tài)氧驟冷劑，可使用過渡金屬螯合物(例如，乙酰丙酮配位基螯合物，雙苯基二硫醇，水楊醛肟，雙二硫代-α-二酮等)等或，為提高記錄靈敏度則可含有金屬系化合物等的記錄靈敏度提高劑。這里，金屬系化合物是指過渡金屬等的金屬可以原子、離子、群等的形態(tài)含在化合物內(nèi)?？衫e例如乙二胺系絡(luò)合物、甲亞胺系絡(luò)合物、苯基羥胺系絡(luò)合物、菲繞啉系絡(luò)合物、二羥基偶氮苯系絡(luò)合物、二肟系絡(luò)合物、亞硝基氨基苯酚系絡(luò)合物、吡啶基三肟系絡(luò)合物、乙酰丙酮配位基系絡(luò)合物、芳環(huán)烯金屬衍生物系絡(luò)合物、卟啉系絡(luò)合物等的有機金屬化合物。金屬原子方面并無特別限定，但優(yōu)選過渡金屬。
又，在雙層記錄層(第1記錄層102，第2記錄層105)中，可根據(jù)需要并用粘合劑、均化劑，消泡劑等。作為適宜的粘合劑，可例舉聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、硝基纖維素、乙酸纖維素、酮系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、氨基甲酸乙酯系樹脂，聚乙烯丁縮醛，聚碳酸酯，聚烯烴等。
作為第1記錄層102或第2記錄層105的成膜方法，通?？衫e真空蒸鍍法、濺鍍法、刮片法、澆鑄法、旋轉(zhuǎn)涂布法、浸漬法等常規(guī)使用的薄膜形成法。但就批量生產(chǎn)性和成本而言優(yōu)選旋轉(zhuǎn)涂布法等的濕式制膜法。又，從可獲得均一記錄層這一點而言，優(yōu)選真空蒸鍍法。
由旋轉(zhuǎn)涂布法成膜的場合，優(yōu)選轉(zhuǎn)數(shù)為10rpm～15000rpm，在旋轉(zhuǎn)涂布之后，一般進行加熱處理來除去溶劑。采用刮片法、澆鑄法、旋轉(zhuǎn)涂布法、浸漬法等的涂布方法形成記錄層的場合，其涂布溶劑，只要是不致侵蝕基板的溶劑即可，并無特別限定。例如二丙酮醇，3-羥基-3-甲基-2-丁酮等酮醇系溶劑；如甲基溶纖劑，乙基溶纖劑等的溶纖劑系溶劑；如正己烷，正辛烷等的鏈狀烴系溶劑；如環(huán)己烷，甲基環(huán)己烷，乙基環(huán)己烷，二甲基環(huán)己烷，正丁基環(huán)己烷，叔丁基環(huán)己烷，環(huán)辛烷等的環(huán)狀烴系溶劑；如四氟丙醇，八氟戊醇，六氟丁醇等的高(全)氟烷基醇系溶劑；如乳酸甲酯，乳酸乙酯，2-羥基異丁酸甲酯等的羥基羧酸酯系溶劑等。
用于除去這些溶劑的加熱處理，從除去溶劑、且可以用簡單設(shè)備進行的觀點而言，通常宜在比所用溶劑的沸點稍低的溫度下進行，通常在60℃～100℃的范圍進行。又，加熱處理的方法，并無特別限定，可例舉如，為在第1基板101上形成第1記錄層102而將含有色素的溶液予以涂布成膜后，以設(shè)定的溫度保持設(shè)定的時間(通常為5分鐘以上，優(yōu)選10分鐘以上，同時，在30分鐘以內(nèi)，優(yōu)選20分鐘以內(nèi))的方法。又，也可以采用短時間照射紅外線、遠紅外線(例如5秒～5分鐘)，加熱第1基板101的方法。
在真空蒸鍍法的場合，例如可將有機色素及根據(jù)需要的各種添加劑等記錄層成分，放入設(shè)置于真空容器內(nèi)的坩鍋，用適當?shù)恼婵毡脤⒄婵杖萜鲀?nèi)排氣至10-2Pa～10-5Pa左右，然后加熱坩鍋，使記錄層成分蒸發(fā)，在與坩鍋對向放置的基板上進行蒸鍍。
接著，說明構(gòu)成本實施方式適用的光記錄介質(zhì)100的其它層。
(第1基板)第1基板101具有優(yōu)異的透光性、復(fù)折射率小等的光學(xué)特性，又，由射出成形容易等成形性優(yōu)異的材料所構(gòu)成。理想的是，選用吸濕性小者。再者，優(yōu)選光記錄介質(zhì)100具有一定程度的剛性，具備形狀穩(wěn)定性。作為構(gòu)成第1基板101的材料，并無特別限定，可例舉如丙烯酸系樹脂，甲基丙烯酸系樹脂，聚碳酸酯樹脂，聚烯烴系樹脂(尤其是非晶質(zhì)聚烯烴)，聚酯系樹脂，聚苯乙烯樹脂，環(huán)氧樹脂，玻璃等。又，在玻璃等的基體上，也可使用設(shè)置了由光固化性樹脂等的放射線固化樹脂所構(gòu)成的樹脂層的材料。其中，就光學(xué)特性、成形性等的高生產(chǎn)性、成本、低吸濕性、形狀穩(wěn)定性等方面而言，優(yōu)選聚碳酸酯。又，從耐藥品性、低吸濕性等方面而言，優(yōu)選非晶質(zhì)聚烯烴。又，從高速響應(yīng)性等方面而言，優(yōu)選玻璃基板。
第1基板101的厚度通常為2mm以下，優(yōu)選1mm以下。物鏡與記錄層的距離越小，又，基板越薄，則彗形像差有變小的傾向，容易提高記錄密度。但為充分獲得光學(xué)特性、吸濕性、成形性、形狀穩(wěn)定性，通常為10μm以上，優(yōu)選30μm以上。
另外，在第1基板101的表面，可形成具有設(shè)定的寬度及深度的槽。
適用于本實施方式的光記錄介質(zhì)100，以用于DVD(數(shù)字多用途磁盤)的光波長進行記錄·讀取的情況下，此槽寬、槽深，在作為DVD±R公知的范圍內(nèi)形成。具體而言，槽深度以60nm以上為宜，優(yōu)選80nm以上，更加優(yōu)選100nm以上。同時，以300nm以下為宜，優(yōu)選270nm以下，進一步優(yōu)選200nm以下。槽寬通常在0.074μm以上，優(yōu)選0.148μm以上，進一步優(yōu)選0.222μm以上。同時，通常為0.666μm以下，優(yōu)選0.592μm以下，進一步優(yōu)選0.518μm以下。
(第1反射層)第1反射層103的記錄·讀取光的吸收小，透光率為40％以上，并且通常有必要具有30％以上的適度光反射率。例如，將反射率高的金屬作薄層設(shè)計，可使其具有適度透過率。又，理想的是具有一定程度的耐蝕性。進而，理想的是具有使第1記錄層102不受因來自第1反射層103的上層(這里為中間層104)的其它成分的滲出而影響的遮斷性。
為使透光率為40％以上，第1反射層103的厚度通常為50nm以下，優(yōu)選30nm以下，進一步優(yōu)選25nm以下。同時，為使第1記錄層102不受第1反射層103的上層所影響，通常為3nm以上，優(yōu)選5nm以上。
作為構(gòu)成第1反射層103的材料，并無特別限定，優(yōu)選在讀取光的波長中反射率適度高者。例如，可以將Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni，Pt、Ta、Pd、Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi，稀土金屬等的金屬及半金屬單獨使用或制成合金使用。其中Au、Al、Ag反射率高，所以適宜作為第1反射層103的材料。又，尤其是從成本低、反射率高這一點考慮，優(yōu)選含有Ag 50％以上的金屬材料。
第1反射層103如果膜厚薄、膜的結(jié)晶粒大，會成為讀取噪聲的原因，所以優(yōu)選使用結(jié)晶粒小的材料。純銀因具有結(jié)晶粒大的傾向所以優(yōu)選將Ag作為合金使用。其中優(yōu)選以Ag為主成分，含有0.1原子％～15原子％的選自Ti、Zn、Cu、Pd、Au及稀土類金屬的至少一種元素。在Ti、Zn、Cu、Pd、Au及稀土類金屬中含有2種以上的情況下，其各自含量為0.1原子％～15原子％也無妨，但優(yōu)選總計為0.1原子％～15原子％。
特別優(yōu)選的合金組成以Ag為主成分，含有0.1原子％～15原子％選自Ti、Zn、Cu、Pd、Au的至少一種元素，根據(jù)需要，可以含有至少一種的稀土類元素0.1原子％～15原子％。在稀土類金屬中，特別優(yōu)選銣。具體而言，有AgPdCu、AgCuAu、AgCuAuNd、AgCuNd等。
作為第1反射層103，僅以Au所形成的層因結(jié)晶粒小、耐蝕性優(yōu)異，比較適宜。又，作為第1反射層103可使用由Si所形成的層。進而，可以用金屬以外的材料使低折射率薄膜與高折射率薄膜交互重疊形成多層膜，作為反射層使用。
形成第1反射層103的方法可例舉例如濺鍍法、離子電鍍法、化學(xué)蒸鍍法、真空蒸鍍法等。又，在第1基板101與第1記錄層102之間，在第1記錄層102與第1反射層103之間，為提高反射率、改善記錄特性、提高密接性等性能，可設(shè)置由周知的無機系或有機系材料所形成的中間層、粘結(jié)層。
(中間層)構(gòu)成中間層104的樹脂，必須具有透光性、且可由凹凸形成槽或凹坑。又，優(yōu)選粘結(jié)力高、進而固化粘結(jié)時的固化收縮率通常為15％以下、優(yōu)選10％以下。這樣可抑制中間層104形成時翹曲的發(fā)生，從而可提高光記錄介質(zhì)100的形狀穩(wěn)定性。又，有必要使中間層104的膜厚通常為5μm以上，優(yōu)選10μm以上，同時，優(yōu)選100μm以下。又，中間層104，不一定僅形成為1層，也可以形成為多層。
在中間層104上，凹凸被設(shè)置成螺旋狀或同心圓狀，以形成槽及平臺(面)。通常，這種槽及/或平臺作為記錄軌跡，在第2記錄層105記錄·讀取信息。槽寬通常為50nm～500nm左右，槽深為10nm～250nm左右。又，記錄軌跡為螺旋狀的場合，優(yōu)選軌跡間距(軌距)在0.1μm～2.0μm左右。其它因應(yīng)需要可具有平臺預(yù)設(shè)凹坑等的凹凸坑。這種凹凸，就成本的觀點而言，從具有凹凸的樹脂壓件等復(fù)寫于光固化性樹脂等的固化性樹脂，使其固化而制造的2P法(Photo Polymerization法)來進行。
構(gòu)成中間層104的材料可例舉如熱塑性樹脂、熱固化性樹脂、電子束固化性樹脂、紫外線固化性樹脂(含延遲固化型)等。熱塑性樹脂、熱固化性樹脂等溶解于適當溶劑來調(diào)制涂布液、涂布、干燥(加熱)來形成。紫外線固化性樹脂，可原樣或者溶解于適當溶劑來調(diào)制涂布液后將此涂布液涂布，照射紫外光予以固化來形成。這些的材料可單獨或混合使用。進而可制成多層膜使用。
作為涂布方法，可使用旋轉(zhuǎn)涂布法或鑄制法等涂布法，其中優(yōu)選旋轉(zhuǎn)涂布法。高粘度的樹脂也可以網(wǎng)版印刷等來涂布形成。紫外線固化性樹脂，優(yōu)選使用在20℃～40℃時為液態(tài)的物質(zhì)因為由生產(chǎn)性的觀點考慮，可以不使用溶劑涂布。又，優(yōu)選使粘度調(diào)成20mPa·s～1000mPa·s。
中間層104的材料中，優(yōu)選紫外線固化性樹脂，因其透明度高、固化時間短，在制造上有利。紫外線固化性樹脂，可例舉自由基系紫外線固化性樹脂與陽離子系紫外線固化性樹脂，均可使用。自由基系紫外線固化性樹脂，可使用含有紫外線固化性化合物與光聚合引發(fā)劑作為必須成分的組成物。紫外線固化性化合物，可使單官能(甲基)丙烯酸酯及多官能(甲基)丙烯酸酯作為聚合性單體成分使用。這些可分別單獨或2種以上并用。這里，丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯一起稱為(甲基)丙烯酸酯。
作為單官能(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如，其取代基包括甲基，乙基，丙基，丁基，戊基，2-乙基己基，辛基，壬基，十二基，十六基，十八基，環(huán)己基，芐基，甲氧基乙基，丁氧基乙基，苯氧基乙基，壬基苯氧基乙基，四氫糠基，環(huán)氧丙基，2-羥基乙基，2-羥基丙基，3-氯-2-羥基丙基，二甲基氨基乙基，二乙基氨基乙基，壬基苯氧基乙基四氫糠基，己內(nèi)酯變性四氫糠基，異冰片基、二環(huán)戊基、二環(huán)戊烯基、二環(huán)戊烯氧基乙基等基團的(甲基)丙烯酸酯等。
作為多官能(甲基)丙烯酸酯，可例舉例如1，3-丁二醇，1，4-丁烷二醇，1，5-戊烷二醇，3-甲基-1，5-戊烷二醇，1，6-己烷二醇，新戊二醇，1，8-辛烷二醇，1，9-壬二醇，三環(huán)癸烷二甲醇，乙二醇，聚乙二醇，丙二醇，(一縮)二丙二醇，(二縮)三丙二醇，聚丙二醇等二(甲基)丙烯酸酯，三(2-羥乙基)異氰尿酸酯的二(甲基)丙烯酸酯等。
又，可以舉出對1摩爾新戊二醇加成4摩爾以上的環(huán)氧乙烷(氧化乙烯)，或者加成環(huán)氧丙烷所得的二醇的二(甲基)丙烯酸酯，對1摩爾雙酚A加成2摩爾的環(huán)氧乙烷或者加成環(huán)氧丙烷所得二醇的二(甲基)丙烯酸酯，對1摩爾的三羥甲基丙烷加成3摩爾以上的環(huán)氧乙烷或者加成環(huán)氧丙烷所得三醇的二或三(甲基)丙烯酸酯，對1摩爾的雙酚A加成4摩爾以上的環(huán)氧乙烷或者加成環(huán)氧丙烷所得二醇的二(甲基)丙烯酸酯，三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯，新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯，二新戊四醇的聚(甲基)丙烯酸酯，環(huán)氧乙烷改性磷酸(甲基)丙烯酸酯，環(huán)氧乙烷改性烷基化磷酸(甲基)丙烯酸酯等。
又，作為可與這些聚合性單體同時并用的，作為聚合性寡聚物可例舉聚酯(甲基)丙烯酸酯，聚醚(甲基)丙烯酸酯，環(huán)氧基(甲基)丙烯酸酯，氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯等。
進而，在自由基系紫外線固化性樹脂中，通常配合光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，優(yōu)選分子開裂型或去氫型物質(zhì)。作為這種光聚合引發(fā)劑，在分子開裂型方面，可例舉如安息香異丁基醚、2，4-二乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、二苯甲酰(Benzyl)、2，4，6-三甲基苯?；交⒀趸?、2-芐基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉代苯基)-丁烷-1-酮、雙(2，6-二甲氧基苯?；?-2，4，4-三甲基戊基膦氧化物等。
進而，可與1-羥基環(huán)己基苯基酮、安息香乙基醚、芐基二甲基縮酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮及2-甲基-1-(4-甲基硫代苯基)-2-嗎啉代丙烷-1-酮等并用。在去氫型光聚合引發(fā)劑方面、可例舉如二苯甲酮、4-苯基二苯甲酮、異鄰苯二甲苯酮、4-苯?；?4’-甲基-二苯基硫化物等。
又，與這些光聚合引發(fā)劑一起，可并用增敏劑。作為增敏劑，可例舉如三甲胺、甲基二甲醇胺、三乙醇胺、對二乙基氨基乙酰苯、對二甲基氨基苯甲酸乙酯、對二甲基氨基苯甲酸異戊酯、N，N-二甲基芐基胺及4，4’-雙(二乙基氨基)二苯甲酮等。
作為陽離子系紫外線固化性樹脂，可例舉例如含有陽離子聚合型的光聚合引發(fā)劑的環(huán)氧樹脂。在環(huán)氧樹脂方面，可例舉如雙酚A-表氯醇型、脂環(huán)式環(huán)氧基、長鏈脂肪族型、溴化環(huán)氧基樹脂、縮水甘油脂型、縮水甘油醚型、雜環(huán)式系等。環(huán)氧樹脂優(yōu)選含游離的氯及氯離子少的環(huán)氧樹脂。氯的含量優(yōu)選1重量％以下，更加優(yōu)選0.5重量％以下。
作為陽離子聚合型的光引發(fā)劑，可例舉锍鹽、碘鎓鹽、重氮鎓鹽等。碘鎓鹽可例舉例如二苯基碘鎓六氟磷酸鹽、二苯基碘鎓六氟銻酸鹽、二苯基碘鎓四氟硼酸鹽、二苯基碘鎓四個(五氟苯基)硼酸鹽、雙(十二基苯基)碘鎓六氟磷酸酯、雙(十二基苯基)碘鎓六氟銻酸鹽、雙(十二基苯基)碘鎓四氟硼酸鹽、雙(十二基苯基)碘鎓四個(五氟苯基)硼酸鹽等。
還可例舉4-甲基苯基-4-(1-甲基乙基)苯基碘鎓六氟磷酸酯、4-甲基苯基-4-(1-甲基乙基)苯基碘鎓六氟銻酸鹽、4-甲基苯基-4-(1-甲基乙基)苯基碘鎓四氟硼酸鹽，4-甲基苯基-4-(1-甲基乙基)苯基碘鎓四個(五氟苯基)硼酸鹽等。
相對于陽離子型紫外線固化性樹脂每100重量份的陽離子聚合型光引發(fā)劑的比率通常為0.1重量份～20重量份，優(yōu)選0.2重量份～5重量份。此外，為更有效利用紫外線光源的波長區(qū)域的近紫外區(qū)域或可視區(qū)域的波長，可并用公知的光增敏劑。此處的光增敏劑，可例舉例如蒽、吩噻嗪、芐基甲基縮酮、二苯甲酮、乙酰苯等。
又，在紫外線固化性樹脂中，為優(yōu)化各種特性，可根據(jù)需要進而添加其它的添加劑，所述添加劑有熱聚合抑制劑，受阻酚，受阻胺，以磷酸酯等所代表的抗氧化劑，增塑劑及以環(huán)氧基硅烷，氫硫基硅烷，(甲基)丙烯酸硅烷等所代表的硅烷偶合劑等。選擇對紫外線固化性化合物的溶解性優(yōu)異且不致阻礙紫外線透過性者。
(第2反射層)較好的是，第2反射層106為高反射率且高耐久性的。為確保高反射率，第2反射層106的厚度通常為40nm以上，優(yōu)選50nm，更加優(yōu)選60nm以上。但為縮短生產(chǎn)上的間隔時間，降低成本，通常為400nm以下，優(yōu)選300nm以下。
作為構(gòu)成第2反射層106的材料，優(yōu)選讀取光的波長中反射率充分高者，例如可以將Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta及Pd的金屬單獨使用或制成合金使用。這些中以Au、Al、Ag反射率高、適宜用作第2反射層106的材料。又，除了以這些金屬作為主成分外還可含有其它成分。在其它成分的實例方面，可例舉Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Cu、Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn，Bi及稀土類金屬等的金屬及半金屬。
其中優(yōu)選Ag為主成分，優(yōu)選使用Ag合金。作為以Ag為主成分的物質(zhì)，優(yōu)選含有0.1原子％～15原子％的選自Ti、Zn、Cu、Pd，Au及稀土類金屬中的至少一種元素。在Ti、Zn、Cu、Pd，Au及稀土類金屬中含有2種以上的情況，優(yōu)選分別為0.1原子％～15原子％或這些合計為0.1原子％～15原子％。
特別優(yōu)選的合金組成是以Ag為主成分，含有0.1原子％～15原子％的選自Ti、Zn、Cu、Pd，Au的至少一種元素，根據(jù)需要，含有0.1原子％～15原子％的至少1種稀土類元素。在稀土類金屬中，特別優(yōu)選銣。具體而言，有AgPdCu、AgCuAu、AgCuAuNd、AgCuNd等。
又，作為第2反射層106，僅由Au構(gòu)成層時，因其高耐久性(高耐蝕性)所以優(yōu)選?？梢允褂媒饘僖酝獾牟牧?，使低折射率薄膜與高折射率薄膜交互重疊形成多層膜，作為第2反射層106使用。作為形成第2反射層106的方法，可例舉例如濺鍍法、離子電鍍法、化學(xué)蒸鍍法、真空蒸鍍法等。又，在第2反射層106的上下為使反射率提高、記錄特性改善、密接性提高等可設(shè)置周知的無機系或有機系的中間層、粘結(jié)層。
(粘結(jié)層)作為粘結(jié)層107，如粘結(jié)力高，固化粘結(jié)時的收縮率小，則媒體的形狀穩(wěn)定性高，因此優(yōu)先使用。又，理想的是，粘結(jié)層107為不會對第2反射層106帶來損害的材料。但為抑制損害，也可在兩層之間設(shè)置周知的無機系或有機系的保護層。粘結(jié)層107的膜厚通常為2μm以上，優(yōu)選5μm以上。但為使光記錄介質(zhì)盡可能地薄，又在固化需要時間會有生產(chǎn)性降低等問題，通常優(yōu)選100μm以下。粘結(jié)層107的材料除了使用與中間層104的材料同樣者以外，也可使用感壓式兩面膠帶等。將感壓式兩面膠帶夾持于第2反射層106與第2基板108之間予以擠壓，從而形成粘結(jié)層107。
(第2基板)作為空基板的第2基板108，優(yōu)選機械穩(wěn)定性高、剛性大者。
又優(yōu)選與粘結(jié)層107的粘結(jié)性高者。這種材料，除了可與用于第1基板101的材料相同以外，還可以使用例如以Al為主成分的例如Al-Mg合金等的Al合金基板或以Mg為主成分的例如Mg-Zn合金等的Mg合金基板、硅、鈦、陶瓷的任一種所成基板或使這些組合的基板等。
此外，從成形性等的高生產(chǎn)性、成本、低吸濕性、形狀穩(wěn)定性等方面而言優(yōu)選聚碳酸酯。就耐藥品性、低吸濕性等方面而言，優(yōu)選非晶質(zhì)聚烯烴。又，從高速響應(yīng)性等方面而言，優(yōu)選玻璃基板。為使光記錄介質(zhì)100具有充分剛性，優(yōu)選第2基板108具有一定程度的厚度，厚度優(yōu)選0.3mm以上，同時在3mm以下，優(yōu)選1.5mm以下。
(其它層)光記錄介質(zhì)100在上述的層合構(gòu)造中，可以根據(jù)需要以任意其它層夾持，或在媒體最外面設(shè)置任意其它層。具體而言，在第1反射層103與中間層104之間，在中間層104與第2記錄層105之間，在第2反射層106與粘結(jié)層107之間等也可設(shè)置緩沖層。此時，緩沖層的厚度優(yōu)選2nm以上，更加優(yōu)選5nm以上。緩沖層的厚度過薄時，會存在上述緊密混合現(xiàn)象的防止不充分的隱患。同時，優(yōu)選2000nm以下，更加優(yōu)選500nm以下。緩沖層過厚時，不僅混合防止不必要，而且會有使透光率降低的隱患。又，在無機物所成層的情況，成膜需要時間，有或者生產(chǎn)性降低、或者膜應(yīng)力變高的隱患，而優(yōu)選200nm以下，尤其是在金屬的情況下，因透光率會過度降低，故優(yōu)選20nm以下左右。
又，為保護記錄層或反射層可設(shè)置保護層。關(guān)于保護層的材料，只要是保護記錄層或反射層免受外力則并無特別限定。作為有機物質(zhì)的材料，可例舉熱塑性樹脂、熱固化性樹脂、電子束固化性樹脂、紫外線固化性樹脂等。又，作為無機物質(zhì)，可例舉氧化硅、氮化硅、MgF2、SnO2等的電介質(zhì)。
另外，本實施方式如圖1所示，并非限定于光記錄介質(zhì)100，只要是具有利用光可以記錄·讀取信息的多個記錄層的光記錄介質(zhì)，也可適用于其它組成的光記錄介質(zhì)。
圖3是說明適用本實施方式的光記錄介質(zhì)其它實例的圖。
在圖3中表示了透過粘結(jié)層具有記錄層的兩片基板被粘合的粘合型光記錄介質(zhì)300。如圖3所示的光記錄介質(zhì)300具有第1基板301與第2基板307通過粘結(jié)層304(中間層)被粘合的構(gòu)造，其中，第1基板301為具有槽及平臺、預(yù)設(shè)凹坑的磁盤狀透光性的第1基板，第2基板307為同樣地具有槽及平臺、預(yù)設(shè)凹坑的磁盤狀的第2基板。
在第1基板301上，由通過第1基板301所照射的激光310進行信息的記錄·讀取的含色素的第1記錄層302與，將從第1基板301側(cè)入射的激光310的功率予以分配的半透明第1反射層303，順序被層合。又，在第2基板307上，第2反射層306與，含有其靈敏度高于第1記錄層302所含色素靈敏度的色素的第2記錄層305與緩沖層308層合。
如圖3所示，第1基板301與第2基板307，通過粘結(jié)層(中間層)304被粘合，分別使第1記錄層302與第2記錄層305互為對向。
另外，形成于第1基板301的表面及第2基板307的表面、具有特定寬度及深度的槽，在如同前述光記錄介質(zhì)100(第1圖)的范圍內(nèi)形成。
(光記錄介質(zhì)的制造方法)以下，關(guān)于適用于本實施方式的光記錄介質(zhì)的制造方法的一例予以說明。
圖2為可適用本實施方式的光記錄介質(zhì)制造方法的說明圖。首先，如圖2(a)所示，利用使用壓件的射出成形法等來制作在表面形成槽及平臺、預(yù)設(shè)凹坑的第1基板201。接著，使至少讓有機色素溶解在溶劑的涂布液在第1基板201的具有凹凸側(cè)的表面利用旋轉(zhuǎn)涂布法等涂布。為除去涂布液中使用的溶劑，加熱(退火)使第1記錄層202成膜。第1記錄層202成膜后，將Ag合金等利用濺鍍或蒸鍍，在第1記錄層202上，利用濺鍍法等使半透明第1反射層203成膜。
接著，如圖2(b)所示，用旋轉(zhuǎn)涂布等將紫外線固化性樹脂層204a涂布在第1反射層203的表面全體，進而，如圖2(c)所示，將紫外線固化性樹脂層204a用旋轉(zhuǎn)涂布等進行涂布后，載置樹脂壓件210，將凹凸轉(zhuǎn)印至紫外線固化性樹脂層204a。此時，為使紫外線固化性樹脂層204a的膜厚位于規(guī)定的范圍內(nèi)，可持續(xù)進行調(diào)節(jié)。接著，在此狀態(tài)從樹脂壓件210側(cè)進行紫外線照射等操作，以使紫外線固化性樹脂層204a固化，在充分固化后，將樹脂壓件210剝離，來形成在表面具有凹凸的中間層204。
另外，樹脂壓件210優(yōu)選相對于應(yīng)該成為中間層204的樹脂具有充分剝離性、良好的成形性、良好的形狀穩(wěn)定性。從生產(chǎn)性及成本的觀點而言，優(yōu)選樹脂壓件210可以多次轉(zhuǎn)印。又，優(yōu)選使用后可再循環(huán)。又，樹脂壓件210的材料可例舉例如丙烯酸系樹脂，甲基丙烯酸系樹脂，聚碳酸酯樹脂，聚烯烴系樹脂(尤其是非晶質(zhì)聚烯烴)，聚酯系樹脂，聚苯乙烯樹脂，環(huán)氧基樹脂等。這些當中，從成形性等的高生產(chǎn)性、成本、低吸濕性、形狀穩(wěn)定性等方面而言，優(yōu)選非晶質(zhì)聚烯烴。
接著，如圖2(d)所示，將使有機色素溶解于溶劑的涂布液利用旋轉(zhuǎn)涂布等可涂布于中間層204表面，為除去涂布液所用的溶劑，進行加熱(退火)，使第2記錄層205成膜。
接著，如圖2(e)所示，將Ag合金等濺鍍、蒸鍍從而可在第2記錄層205上使第2反射層206成膜。其后，如圖2(f)所示，將作為聚碳酸酯射出成形所得的第2基板208的鏡面基板，透過粘結(jié)層207在第2反射層206進行粘貼可完成光記錄介質(zhì)的制造。
以上，對適用于本實施方式的光記錄介質(zhì)100及其制造方法加以說明，但本實施方式并非限定于上述方式，可作各種變形。例如，光記錄介質(zhì)可具有3層以上的多個記錄層。又，各層間或最外層可根據(jù)需要設(shè)置其它層。不限于基板入射型光磁盤，也可適用于至少具有基板/反射層/第2記錄層/緩沖層/中間層/半透明反射膜/第1記錄層/保護層所構(gòu)成的層合構(gòu)造，從保護層側(cè)(即，膜面?zhèn)?照射激光進行信息的記錄·讀取的膜面入射型光磁盤中。
實施例以下，根據(jù)實施例具體說明本實施方式。另外，本實施的方式，只要不超越其要旨，并不限定于實施例。
(1)光記錄介質(zhì)的調(diào)制使用在表面可形成槽的Ni壓件，利用聚碳酸酯射出成形，而制成間距0.74μm、寬0.33μm、深度140nm的槽所形成的直徑120mm，厚度0.57mm的基板3片。
接著，在通式(II)所示含金屬偶氮色素中，將下述化學(xué)式所示的色素A的八氟戊醇溶液(濃度1.52重量％)在3片基板上分別滴下，旋轉(zhuǎn)涂布后，在100℃進行30分鐘干燥使第1記錄層分別形成。第1記錄層的膜厚3片均為約80nm。
化學(xué)式4
接著，在各自的第1記錄層上，使用Ag-Bi(Bi1.0原子％)構(gòu)成的Ag合金，利用濺鍍法使厚度17nm的半透明第1反射層成膜。接著，在此第1反射層上，涂布紫外線固化性樹脂，將預(yù)先制作的非晶質(zhì)聚烯烴樹脂所構(gòu)成的樹脂壓件的凹凸面朝向第1基板側(cè)載置，接著，從樹脂壓件側(cè)照射紫外線，將紫外線固化性樹脂固化后，使樹脂壓件剝離，與第1基板同樣地，分別在表面形成具有間距0.74μm、寬0.39μm、深度170nm的槽厚度約50μm的中間層。
接著，在通式(II)所示的含金屬偶氮色素的中，將前述色素A、下述化學(xué)式所示的色素C、色素A與色素C的混合物(色素A/色素C＝60/40重量％)的色素B的，3種色素的八氟戊醇溶液(濃度1.9重量％)分別予以調(diào)制。接著，將此3種色素(色素A、色素B、色素C)的八氟戊醇溶液，滴在各基板的中間層之上，予以旋轉(zhuǎn)涂布后，在100℃干燥30分鐘，使第2記錄層所形成的3種磁盤(磁盤1(色素B)、磁盤2(色素C)、磁盤3(色素A))形成。此時，第2記錄層的膜厚，在磁盤1～磁盤3的任一情況，均為約90nm。
化學(xué)式5


接著，分別在3種磁盤的第2記錄層上，使Ag合金構(gòu)成的厚度130nm的第2反射層成膜，接著，在第2反射層上將紫外線固化性樹脂旋轉(zhuǎn)涂布設(shè)置粘結(jié)層，在其粘結(jié)層上載置直徑120mm、厚度0.6mm的聚碳酸酯制第2基板，照射紫外線使其固化粘結(jié)，來調(diào)制具有雙層記錄層的3種光記錄介質(zhì)(光記錄介質(zhì)1～光記錄介質(zhì)3)。用于第1記錄層及第2記錄層的色素種類與光記錄介質(zhì)的種類如表1所示。
表1

(2)吸光度的測定將色素A～色素C的各氯仿溶液(濃度5mg/l)，分別放入光路長10mm的管中，使用光度計(日立公司制U-3300光度計)來測定波長800nm～波長400nm的范圍內(nèi)的透過光量(I1)，從下述關(guān)系式來求得吸光度(Iabs)(OD吸光度Optical Density)。另外，空白對照為在上述管內(nèi)放入氯仿。
Iabs＝-log(I1/I0)(其中，I0為入射光量，I1為透光量。另外，對數(shù)底為10)。
色素A～色素C在波長657nm中吸光度的測定結(jié)果如表2所示。另外，可確認色素A、B、C吸光度的大小關(guān)系，在波長690nm～590nm的范圍中并無改變。
表2


(3)最適記錄功率的測定相對于具有雙層記錄層的光記錄介質(zhì)，利用波長657nm、物鏡開口數(shù)0.65的記錄·讀取評價機(脈沖科技工業(yè)公司制DDU-1000)，從第1基板側(cè)照射激光，在第1記錄層及第2記錄層，一邊改變記錄線速度3.8m/s、基準時鐘周期38.5ns(1/26Mbps)、8-16調(diào)變的EFM+信號的記錄功率，同時予以記錄。讀取線速度與記錄線速度同樣，為3.8m/s，以讀取功率0.7mW測定讀取信號的抖晃，將抖晃為最小值時其附近的記錄功率定為最適記錄功率從而求得最適記錄功率。
這里，讀取信號的抖晃是指將讀取信號通過均衡器與LPF后，利用脈沖限幅器成為2值化信號，將此2值化信號的脈沖波前緣與脫尾緣的相對于PLL時鐘的時間偏移的標準偏差(抖晃)以基準時鐘周期T予以規(guī)格化。
實施例1，實施例2，比較例關(guān)于預(yù)先調(diào)制的具有雙層記錄層的3種光記錄介質(zhì)(光記錄介質(zhì)1～光記錄介質(zhì)3)，來測定最適記錄功率及反射率，測定結(jié)果如表3所示。
表3

由表3所示結(jié)果可知，在具有雙層記錄層的光記錄介質(zhì)中，優(yōu)選使第2記錄層所含色素的吸光度大于第1記錄層所含色素的吸光度。具體而言，將吸光度為0.005以上的色素用于第2記錄層時(實施例1及實施例2)，第2記錄層的最適記錄功率被降低，從而可提高記錄層的靈敏度。
與此相比，將吸光度不足0.005的色素用于第2記錄層的場合(比較例)，第2記錄層的最適記錄功率增大，與第1記錄層的靈敏度相比，第2記錄層的記錄靈敏度顯著降低。
圖4為表示實施例1、實施例2及比較例中第2記錄層的最適記錄功率與(第2記錄層色素的吸光度)/(第1記錄層色素的吸光度)(以下，記為吸光度比)的關(guān)系圖。與DVD的1倍速記錄大致相同，在以3.8m/s進行的記錄中，記錄功率為20.5mW以上時，較高速的記錄會產(chǎn)生困難。關(guān)于其理由，在后述的“實驗例”中詳細說明。
由圖4所示結(jié)果可知，吸光度比優(yōu)選在1.05倍以上，進一步優(yōu)選在1.1倍以上，更加優(yōu)選1.2倍以上。進而，現(xiàn)有的低速對應(yīng)的DVD-R驅(qū)動器，激光功率的上限在磁盤面上為23mW附近，由此，我們可以認為在相當于1倍速的記錄速度中，優(yōu)選在最適記錄功率為20mW以下進行記錄。因此，優(yōu)選吸光度比為1.3倍以上。
又，可以看出，隨著第2記錄層所含色素的吸光度越大，第2記錄層的反射率有降低的傾向。這是由于記錄層所含色素的吸光度過高時，在第2記錄層光被過度吸收而難以確保充分的反射率。另外，一般，為使用市售的DVD驅(qū)動器進行讀取則反射率有必要為16％以上，而為獲得與雙層型DVD-ROM的規(guī)格的完全互換性，有必要使反射率為18％以上。因此，為確保充分的反射率，吸光度的上限值為0.015。
(實驗例)關(guān)于實施例1所使用的光記錄介質(zhì)1、實施例2所使用的光記錄介質(zhì)2與比較例所使用的光記錄介質(zhì)3，在各自的第1記錄層與第2記錄層，使用比實施例1激光照射功率的上限更高的記錄·讀取評價機(脈沖科技工業(yè)公司制ODU，NA＝0.65)，按以下條件進行記錄。記錄脈沖策略如下所示。
<記錄條件>
(1)記錄脈沖策略準照DVD+R version 1.2標準(DVD+R規(guī)格書)T13＝1.88T，Ttop＝1.75T，Tend(cm＝4)＝0.63T，Tend(cm≥5)＝1.00T，dTle＝0T，Tc＝2.0T(2)記錄線速度(1倍速＝1X＝3.84m/s)2.4X＝9.22m/s，4X＝15.36m/s，6X＝23.04m/s(3)讀取速度3.84m/s<測定方法>
在上述的條件使被記錄的信號讀取所得讀取信號波形的不對稱性(asymmetry)成為5％的激光功率作為“記錄功率”。這樣，所得的記錄功率，為可最簡單地評價記錄層靈敏度(記錄靈敏度)的指標。
依照上述條件對3種光記錄介質(zhì)進行記錄，將第2記錄層的記錄功率與第1記錄層的記錄功率的比(以下，記為記錄靈敏度比)與，第2記錄層色素的吸光度(以下，記為第2記錄層吸光度)與第1記錄層色素的吸光度(以下，記為第1記錄層吸光度)的比(以下，記為吸光度比)，如表4所示。
另外，表4中，使記錄功率(mW)成為Asym＝0.05的記錄功率。又，記錄靈敏度比為記錄功率(mW)的第2記錄層與第1記錄層的比。
表4

由表4所示結(jié)果可知，在吸光度比在1.0的場合，根據(jù)上述方法測定的記錄靈敏度比成為1.16(光記錄介質(zhì)3)。此時，在6倍速記錄中，即使以高功率激光的照射功率上限的55mW，記錄功率仍不足，無法進行良好記錄。因此，記錄靈敏度比優(yōu)選低于1.16。
由以上可知，上述測定方法中第2記錄層與第1記錄層的記錄靈敏度比優(yōu)選低于1.16，更加優(yōu)選1.1以下。最佳為1.0，也可以低于1.0。
但，在第1記錄層與第2記錄層之間記錄靈敏度的差過大的情況下，為獲得良好的抖晃值(抖晃的最小值)，則在各自的記錄層中，因為有必要使記錄脈沖策略最適化，所以并不優(yōu)選。因為這種理由，我們認為記錄靈敏度比在0.7以上比較好。
從更實用的觀點而言，即，為獲得良好抖晃值，優(yōu)選上述記錄靈敏度比接近1.0。
圖5為關(guān)于表4所示的3種光記錄介質(zhì)，表示記錄靈敏度比(第2記錄層/第1記錄層)與(第2記錄層色素的吸光度)/(第1記錄層色素的吸光度)之間關(guān)系的圖。
由圖5所示可知，為獲得上述優(yōu)選的記錄靈敏度比，優(yōu)選第2記錄層色素的吸光度第1記錄層色素的吸光度的1.05倍以上，更加優(yōu)選1.1倍以上，進一步優(yōu)選1.3倍以上。
又可知，第2記錄層色素的吸光度為第1記錄層色素的吸光度的1.9倍前后，可使雙層記錄層的記錄靈敏度為大致相等。
上述吸光度比超過4時，由于記錄靈敏度比低于0.7，所以基于和上述同樣的理由，并不優(yōu)選。
產(chǎn)業(yè)上的實用性根據(jù)本發(fā)明，可以改善設(shè)置在透明基板上的具有多個色素記錄層的光記錄介質(zhì)的記錄特性。
雖然已用特定方式詳細說明了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員都明白，可以在不偏離本發(fā)明的意圖與范圍內(nèi)，作各種變更及變形。
另外，本發(fā)明是以2004年4月23日申請的日本申請(特愿2004-128002)及2004年4月28日申請的日本申請(特愿2004-133826)為基礎(chǔ)，其全部內(nèi)容都可以通過引用在這里使用。
主要組件符號說明100，300…光記錄介質(zhì)101，201，301…第1基板102，202，302…第1記錄層103，203，303…第1反射層104，204…中間層204a…紫外線固化性樹脂層105，205，305…第2記錄層106，206，306…第2反射層107，207…粘結(jié)層108，208，307…第2基板110，310…激光210…樹脂壓件
304…粘結(jié)層(中間層)308…緩沖層
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，所述光記錄介質(zhì)具有能夠利用光進行信息的記錄·讀取的第1記錄層和至少一個的第2記錄層，其特征在于，上述第2記錄層所含色素的吸光度大于最接近于上述光入射側(cè)的所述第1記錄層所含色素的吸光度。
2.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第2記錄層所含的上述色素的吸光度在0.005以上、0.015以下。
3.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第2記錄層所含色素的吸光度為上述第1記錄層所含色素的吸光度的1.3倍以上。
4.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第2記錄層的厚度為50nm以上、200nm以下。
5.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第1記錄層與上述第2記錄層之間，具有厚度為5nm以上、50nm以下的半透明反射層。
6.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述光的波長為350nm～900nm。
7.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第2記錄層所含的上述色素，選自下述通式(I)及/或通式(II)所示的含金屬偶氮色素，化學(xué)式1
(但，式中，環(huán)A1及環(huán)A2為各自獨立、可具有取代基的含氮芳香雜環(huán)，環(huán)B1及環(huán)B2為各自獨立、可具有取代基的芳環(huán)，X為至少可被2個氟原子所取代的碳原子數(shù)1～6的烷基)。
8.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第2記錄層所含的上述色素的折射率為1.0以上。
9.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第2記錄層所含的上述色素相對于上述光的消光系數(shù)為0.5以下。
10.一種光記錄介質(zhì)，所述光記錄介質(zhì)為具有兩個記錄層的光記錄介質(zhì)，其特征在于，第2記錄層含有含鎳偶氮色素，所述含鎳偶氮色素的吸光度比第1記錄層所含色素對記錄光的吸光度更大，以使在設(shè)置于所述記錄光入射側(cè)的所述第1記錄層上記錄信息的記錄功率(P1)與，設(shè)置于遠離所述記錄光入射側(cè)那一側(cè)的所述第2記錄層上記錄信息的記錄功率(P2)之比(P2)/(P1)不到1.16。
11.如權(quán)利要求10所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第2記錄層所含的上述含鎳偶氮色素的吸光度，比所述第1記錄層的所述色素吸光度大，為其1.05倍以上。
全文摘要
在具有第1記錄層102及第2記錄層105的2個記錄層的光記錄介質(zhì)100中，第2記錄層105含有下述通式(I)或通式(II)所示的含金屬偶氮色素，其吸光度為第1記錄層102所含色素的吸光度的1.3倍以上，由此，改善第2記錄層105的記錄特性。 式中，環(huán)A1及環(huán)A2為含氮芳香雜環(huán)，環(huán)B1及環(huán)B2為芳香環(huán)，X為至少可被2個氟原子取代的烷基。
文檔編號G11B7/24GK1898733SQ20058000113
公開日2007年1月17日 申請日期2005年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月23日
發(fā)明者野田善宏, 風(fēng)呂本滋行 申請人:三菱化學(xué)媒體株式會社