專利名稱：磁記錄介質(zhì)及其制造方法以及磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁記錄介質(zhì)及其制造方法、以及采用這種磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備。
背景技術(shù)：
垂直磁記錄系統(tǒng)適合于提高表面記錄密度，因?yàn)?，通過使磁記錄層的易磁化軸從迄今為止的在介質(zhì)的面內(nèi)方向轉(zhuǎn)為在該介質(zhì)的垂直方向，能夠減小作為記錄位之間的邊界的磁化過渡區(qū)的鄰近部分的去磁化場，結(jié)果，在記錄密度提高時，能獲得靜磁穩(wěn)定的趨勢和抗熱起伏性增強(qiáng)的趨勢。
當(dāng)由軟磁材料構(gòu)成的襯底插入所述基底和垂直磁記錄膜之間時，最終產(chǎn)物成為所謂的垂直兩層介質(zhì)，并具有高的記錄能力。在這種情況下，所述軟磁性襯層履行將從磁頭來的記錄磁場回流的角色，使得記錄和再現(xiàn)效率提高。
通常，所述垂直磁記錄介質(zhì)的配置為，在一個基底上依次按下面順序堆疊一層軟襯層(軟磁膜)、一層使磁性層的易磁化軸垂直于所述基底表面取向的基膜、一層由Co合金構(gòu)成的垂直磁記錄膜、以及一層保護(hù)膜。使用粒狀結(jié)構(gòu)的含氧化物的材料作為垂直磁記錄膜的一種垂直磁記錄介質(zhì)已經(jīng)被提了出來(參見，例如，JP-A 2003-168207或者JP-A 2003-346334)。
然而，為了在實(shí)踐中運(yùn)用由使用垂直兩層介質(zhì)的垂直磁記錄系統(tǒng)進(jìn)行高密度記錄的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備，完美的可靠性是不可或缺的。使用被廣泛接受的玻璃基底會產(chǎn)生這樣的問題，即所述玻璃基底中的成分會在所述介質(zhì)的表面沉淀。當(dāng)所述垂直磁記錄介質(zhì)在其垂直磁記錄膜中使用一種含氧化物的材料時，這種沉淀尤其顯著。此外，因?yàn)樗龃怪贝庞涗浤ぞ哂辛罱Y(jié)構(gòu)，非所述玻璃基底中的那些元素的沉淀，諸如用于所述軟磁性膜和取向控制膜中的元素的沉淀，是一個嚴(yán)重的問題。
在將記錄密度增大到一個高的水平時，甚至可以提供具有更小直徑的磁記錄介質(zhì)。當(dāng)帶著例如形成DLS(類金剛石碳)保護(hù)膜、從而解決上述問題的目標(biāo)使用小直徑基底時，需要給所述基底施加一個偏壓。當(dāng)所用的所述小直徑基底是一個絕緣玻璃基底時，偏壓的施加就處于嚴(yán)重?fù)p害產(chǎn)率的不利境地。而使用硅基底，可以容易地形成DLC膜，而不損害產(chǎn)率。
垂直磁記錄膜使用含有氧化物的粒狀結(jié)構(gòu)容易因差錯導(dǎo)致腐蝕的發(fā)生。因此，開發(fā)出一種能夠解決問題并容易制造的磁記錄介質(zhì)的愿望得到公認(rèn)。
本發(fā)明是根據(jù)上述的事態(tài)而啟動的。它的目標(biāo)是，提供一種具有增強(qiáng)的可靠性并能以高密度記錄和再現(xiàn)信息的磁記錄介質(zhì)、一種制造該介質(zhì)的方法、以及一種使用該磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，本發(fā)明的第一個方面指向一種磁記錄介質(zhì)，該介質(zhì)包含一個非磁性基底，在其上至少層疊一層軟磁襯層、一層垂直磁記錄膜和一層保護(hù)膜，其中，所述非磁性基底是直徑為48mm或更小的一個硅圓片。
本發(fā)明的第二個方面指向所述第一個方面所涉及的磁記錄介質(zhì)，其中，所述非磁性基底是直徑為20mm或更小的一個硅圓片。
本發(fā)明的第三個方面指向所述第一或第二個方面所涉及的磁記錄介質(zhì)，其中，所述保護(hù)膜由DLC(類金剛石碳)構(gòu)成。
本發(fā)明的第四個方面指向所述第一到第三個方面中的任何一個方面所涉及的磁記錄介質(zhì)，其中，所述垂直磁記錄膜具有粒狀結(jié)構(gòu)，至少包含Co、Pt和一種氧化物。
本發(fā)明的第五個方面指向所述第四個方面所涉及的磁記錄介質(zhì)，其中，所述氧化物是從由SiO2、Cr2O3、TiO、TiO2和Ta2O5構(gòu)成的組中選出來的至少一種。
本發(fā)明的第六方面指向一種制造磁記錄介質(zhì)的方法，該介質(zhì)包含一個硅基底，在其上至少層疊一層軟磁襯層、一層垂直磁記錄膜和一層保護(hù)膜，該方法包括，在形成所述保護(hù)膜時在硅基底上施加一個偏壓。
本發(fā)明的第七方面指向第六方面所述的方法，其中，硅基底沒有被加熱。
本發(fā)明的第八方面指向用所述第六或第七方面所涉及的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法所制造的磁記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的第九方面指向一種磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備，該設(shè)備中設(shè)置有磁記錄介質(zhì)和用來在所述磁記錄介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)信息的磁頭，其中所述磁頭是一個磁單極頭，所述磁記錄介質(zhì)是第一到第五方面和第八方面中的任何一個方面所述的磁記錄介質(zhì)。
在非磁性基底上至少設(shè)有一層軟襯層、一層垂直磁記錄膜和一層保護(hù)膜的垂直磁記錄介質(zhì)中，通過形成這種直徑為48mm或更小的硅圓片的非磁性基底，就可以容易地制造一種可靠性非常優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)，并能提供能夠一種以高密度記錄和再現(xiàn)信息的磁記錄介質(zhì)，一種制造這種介質(zhì)的方法以及一種使用這種磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備。
從下面參考附圖所給出的描述中，上述的及其它的目標(biāo)、特征和優(yōu)點(diǎn)對本技術(shù)技術(shù)人員來說將變得很清楚。
附圖的簡短描述

圖1是一個剖面圖，顯示了本發(fā)明所設(shè)想的磁記錄介質(zhì)的一個例子；圖2是一個示意圖，顯示了本發(fā)明所設(shè)想的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備的一個例子。
實(shí)施本發(fā)明的最佳模式圖1描繪了本發(fā)明中的磁記錄介質(zhì)的第一個實(shí)施方式的一個例子。顯示在該圖中的所述磁記錄介質(zhì)的配置為，在硅基底1上按順序相繼層疊軟磁性膜2，取向控制膜3，垂直磁記錄膜4，保護(hù)膜5以及潤滑膜6。
作為硅基底，可以使用用單晶硅和摻硼硅作為原材料的基底。
使用有導(dǎo)電性的硅基底，可以在形成所述保護(hù)膜期間在基底上穩(wěn)定地施加一個偏壓。
因?yàn)楣杌撞缓欣缭诓ＡЩ字懈綆У摹⒉⒃谑褂貌ＡЩ讜r會遇到問題的堿金屬，所以，硅基底的使用對于回避在介質(zhì)表面上引起堿金屬沉淀的問題是有益的。
所述硅基底優(yōu)選是直徑為48mm或更小(具體說是20mm或更小)的圓形形狀。在使用超過48mm的大尺寸基底制造介質(zhì)時，通過進(jìn)行所謂的重抓(re-grasping，給基底施加偏壓的部分，諸如基底在其輸運(yùn)期間基底與支撐物接觸的部分，在基底上成膜之后發(fā)生了移動)或通過使用用來與基底的成膜部分建立接觸的機(jī)制，可以容易地施加一個偏壓。然而，當(dāng)所述尺寸為48mm或更小(尤其是20mm或更小)時，不容易實(shí)現(xiàn)重抓，于是，由于基底直徑尺寸小，生產(chǎn)率受到嚴(yán)重?fù)p害。通過使用硅基底，可以避免對重抓機(jī)制的需求，并且絕不損害生產(chǎn)率地實(shí)現(xiàn)介質(zhì)制造。
硅基底的平均表面粗糙度Ra適合為1nm或更小，優(yōu)選為0.5nm或更小，更優(yōu)選的是0.3nm或更小，因?yàn)檫@適合于以高記錄密度進(jìn)行記錄，同時將磁頭維持在低飛行高度狀態(tài)。
此外，所述表面的小波紋度(Wa)最好為0.3nm或更小(優(yōu)選為0.25nm或更小)，因?yàn)檫@適合于將磁頭維持在低飛行高度狀態(tài)下進(jìn)行的高記錄密度的記錄。從磁頭的飛行高度穩(wěn)定性角度看，使用所述的硅基底證明是有利的，即其端面的倒角部分和側(cè)面部分中的任一處或兩處的平均表面粗糙度Ra為10nm或更小(優(yōu)選為9.5nm或更小)。通過使用一個表面粗糙度測定儀P-12(KLA-Tencor Corp)，所述小波紋度(Wa)被確定為在80微米測量范圍內(nèi)的平均表面粗糙度。
所述軟磁性膜由一種軟磁材料構(gòu)成。任何包含F(xiàn)e、Ni和Co的材料都可以用作這種材料。使用含有80at％或更多的Co以及從Zr、Nb、Ta、Cr和Mo中選出的至少一個元素的一種Co合金是尤其有利的。
作為上述材料的具體的優(yōu)選例，可以舉出CoZr-、CoZrNb-、CoZrTa-、CoZrCr-和CoZrMo-基合金。
具有微晶結(jié)構(gòu)的材料，諸如都含有60at％或更多的Fe的FeAlO、FeMgO、FeTaN和FeZrN以及其基體中散布有小晶粒的具有粒狀結(jié)構(gòu)的材料也是可用的。
除了上述列舉的那些材料之外，用作軟磁性膜2的材料的具體例子有，F(xiàn)eCo合金(諸如FeCo和FeCoB)、FeNi合金(諸如FeNi、FeNiMo、FeNiCr和FeNiSi)、FeAl合金(諸如FeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu和FeAlO)、FeCr合金(諸如FeCr、FeCrTi和FeCrCu)、FeTa合金(諸如FeTa、FeTaC和FeTaN)、FeMg合金(諸如FeMgO)、FeZr合金(諸如FeZrN)、FeC合金、FeN合金、FeSi合金、FeP合金、FeNb合金、FeHf合金、FeB合金、CoB合金、CoP合金、CoNi合金(諸如CoNi、CoNiB和CoNiP)、以及FeCoNi合金(諸如FeCoNi、FeCoNiP和FeCoNiB)。
所述軟磁性膜適合于由非晶結(jié)構(gòu)和微晶結(jié)構(gòu)構(gòu)成。優(yōu)選非晶結(jié)構(gòu)和微晶結(jié)構(gòu)的原因是，這種結(jié)構(gòu)的表面粗糙度小，因此可避免在其上設(shè)置的垂直磁記錄膜的晶體取向特性的劣化。
所述軟磁性膜的矯頑力Hc適合為20 Oe或更小(優(yōu)選為10 Oe或更小)。順便提及，1 Oe約為79A/m。
所述軟磁性基膜2的飽和磁通密度Bs適合為0.6T或更大(優(yōu)選為1T或更大)。
此外，用在軟磁襯層中的軟磁性膜的飽和磁通密度Bs(T)與軟磁性膜的厚度t(nm)的乘積Bs·t(T·nm)適合為20T·nm或更大(優(yōu)選為40T·nm或更大)。如果所述乘積Bs·T達(dá)不到上述范圍的低限，那么這種不足容易劣化OW特性。
用于軟磁襯層的所述軟磁性膜的厚度t(nm)適合為120nm或更小(優(yōu)選為80nm或更小)。如果所述軟磁性膜的厚度超過了上述范圍的上限，那么這種超過容易引起表面特性的惡化，導(dǎo)致特征的退化和生產(chǎn)率的降低。
作為形成所述軟磁性膜的方法，可以使用濺射方法和電鍍方法。
在所述軟磁性膜的最上層的面(取向控制膜一側(cè)的表面)可以由構(gòu)成所述軟磁性膜的材料的部分或完全氧化而形成。就是說，在軟磁性膜的最上層的表面及其鄰近部分，構(gòu)成該軟磁性膜的材料可以被部分氧化，即，形成上述材料的氧化物并被處理。
所述軟磁性膜2優(yōu)選形成層疊結(jié)構(gòu)。通過在該層疊的軟磁性膜之間插入Ru，能夠使隔著Ru膜垂直相對的軟磁性膜進(jìn)行反鐵磁鍵合。所述Ru膜的厚度優(yōu)選在0.6nm到1nm的范圍內(nèi)。
也允許在所述硅基底和軟磁性膜之間插入一層反鐵磁性膜，諸如MnIr或MnFe。這個插入膜試圖用來在所述反鐵磁性膜和軟磁性膜之間產(chǎn)生切換連接(switched connection)，結(jié)果使磁化指向一個方向。這種磁化適合于在所述基底的徑向產(chǎn)生。通過使所述軟磁性膜和反鐵磁性膜在磁場中形成，所述MnIr-或MnFe-基合金能夠在所述軟磁性膜和反鐵磁性膜之間產(chǎn)生切換連接，又通過使所形成的膜在形成該膜所用的磁場中退火或冷卻，來強(qiáng)化這種切換連接。所述切換連接證明是有益的，因?yàn)樗y(tǒng)一了軟磁性膜中的磁疇，于是提高了磁穩(wěn)定性以抵抗外磁場。
在使用MnIr基合金時，所述反鐵磁性膜的厚度優(yōu)選為大于等于3nm、小于等于10nm，或者在使用MnFe基合金時優(yōu)選為大于等于10nm、小于等于30nm。尤其是，MnIr基合金膜的厚度在4nm到7nm的范圍內(nèi)證明是有利的，因?yàn)樵撃つ苁骨袚Q連接的磁場被充分地增大，并且它自身的厚度也小。
所述軟磁性晶體基膜打算用來增加反鐵磁結(jié)晶度并放大切換連接的磁場。所述軟磁性晶體基膜優(yōu)選由具有fcc或hcp結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成。
所述取向控制膜打算用來控制垂直磁記錄膜的取向和顆粒直徑。作為用于取向控制膜的材料，Ru或Ru合金被證明是有利的。
所述取向控制膜的厚度優(yōu)選大于等于3nm、小于等于30nm(尤其是10到20nm)。取向控制膜的厚度優(yōu)選為上面特定范圍內(nèi)的原因是，這樣記錄和再現(xiàn)特性能夠得以提高，而不犧牲再現(xiàn)信號的分辨率，因?yàn)樗龃怪贝庞涗浤ぞ哂辛己玫娜∠蛱匦砸约按蓬^和軟襯層之間的距離在記錄期間能夠被減小。
所述取向控制膜可以是粒狀結(jié)構(gòu)，由Ru和一種氧化物構(gòu)成。作為這里所述氧化物的具體例子，可以用SiO2、Al2O3、Cr2O3、CoO以及Ta2O5。
所述垂直磁記錄膜的易磁化軸主要垂直指向基底，所述垂直磁記錄膜優(yōu)選具有粒狀結(jié)構(gòu)，其至少由Co、Pt和一種氧化物構(gòu)成。
具體說，所述粒狀結(jié)構(gòu)最好由CoPt加氧化物構(gòu)成，該氧化物例如為SiO2、TiO、TiO2、ZrO2、Cr2O3、CoO以及Ta2O5。具體說，所述粒狀結(jié)構(gòu)的Pt含量最好大于等于10at％、小于等于22at％(優(yōu)選為大于等于13at％、小于等于20at％)。作為制造這種粒狀結(jié)構(gòu)的方法，可以使用一種方法，該方法包括在目標(biāo)中加入氧化物并將這種加入后的產(chǎn)物形成膜，也可使用另一種方法，該方法包括通過濺射技術(shù)在CoPt合金膜的形成期間在CoPt合金中加入氧，并將這種加入后的合成產(chǎn)物形成膜。
“主要垂直指向”這個表述是指一種垂直磁記錄膜，其中在垂直方向的矯頑力Hc(P)與在平面方向的矯頑力Hc(L)滿足下面的關(guān)系，Hc(P)＞Hc(L)。
如果Pt的含量不足上述指定范圍的低限，這一短缺則處于不利的地位，使增強(qiáng)記錄和再現(xiàn)特性的效應(yīng)變得不足，減小剩余磁化強(qiáng)度(Mr)和飽和磁化強(qiáng)度(Ms)的比率，即Mr/Ms比，以及使抗熱起伏性下降。如果Pt含量超過上面指定范圍的上限，這種過盛又會增加噪聲。
所述垂直磁記錄膜可以形成為一種單層結(jié)構(gòu)，由至少包含Co、Pt以及一種氧化物的材料構(gòu)成，也可以形成兩層或多層結(jié)構(gòu)，由組分不同的材料構(gòu)成。
所述垂直磁記錄膜的厚度最好在5到20nm的范圍內(nèi)(優(yōu)選在10到16nm的范圍內(nèi))。當(dāng)所述垂直磁記錄膜的厚度大于等于5nm時，有利于使磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備在高的記錄密度下正常運(yùn)行，因?yàn)樗塬@得一個完全令人滿意的磁通量，并且不會降低再現(xiàn)期間的輸出，或者說不會使輸出波形淹沒在噪聲成分中。當(dāng)所述垂直磁記錄膜的厚度小于等于20nm時，有利于防止垂直磁記錄膜中的磁性顆粒變得粗糙，并避免了導(dǎo)致記錄和再現(xiàn)特性退化的可能，比如噪聲的增加的可能。
所述垂直磁記錄膜的矯頑力最好為4000(Oe)或更大。如果矯頑力不足4000(Oe)，這一短缺會妨礙獲得高記錄密度所需要的分辨率，并有損抗熱起伏特性。
所述垂直磁記錄膜的剩余磁化強(qiáng)度(Mr)和飽和磁化強(qiáng)度(Ms)的比率，即Mr/Ms比，最好為0.95或更大。如果Mr/Ms比不足0.95，這一短缺會有損磁記錄介質(zhì)的抗熱起伏特性。
形成垂直磁記錄膜的磁場(Hn)的反磁疇核最好為1000個或更大。當(dāng)磁記錄介質(zhì)中形成磁場(Hn)的反磁疇核不足1000時，在抗熱起伏性上就會不足。
所述垂直磁記錄介質(zhì)中晶粒的平均顆粒直徑最好大于等于4nm，并小于等于8nm。該平均顆粒直徑可以通過在透射電子顯微鏡(TEM)下觀察所述垂直磁記錄膜中的晶粒樣本，然后將觀察到的圖像進(jìn)行圖像處理來確定。
所述保護(hù)膜打算用來保護(hù)所述垂直磁記錄膜不受腐蝕，并防止磁頭在與介質(zhì)接觸時對介質(zhì)的表面造成損傷，該保護(hù)膜最好由DLC(類金剛石碳)構(gòu)成。從高記錄密度的角度來看，所述保護(hù)膜的厚度最好大于等于1nm且小于等于5nm，因?yàn)檫@個厚度允許磁頭和介質(zhì)之間的距離減小。
所述潤滑膜最好由任何的迄今已知材料來構(gòu)成，諸如全氟聚醚(perfluoropolyether)，氟化醇(fluorinated alcohols)和氟化羧酸(fluorinated carboxylic acids)。
本實(shí)施例中的磁記錄介質(zhì)，即包含軟磁性襯層、垂直磁記錄膜、和保護(hù)膜的垂直磁記錄介質(zhì)自身構(gòu)成了一種具有小直徑和高產(chǎn)率的磁記錄介質(zhì)，因?yàn)樯鲜龇谴判曰资侵睆綖?8mm或更小的硅圓片。該磁記錄介質(zhì)在可靠性上也是非常優(yōu)良的。
圖2描繪了使用上述磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備的一個例子。此圖中所顯示的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備具有磁記錄介質(zhì)10、用于驅(qū)動所述磁記錄介質(zhì)10轉(zhuǎn)動的介質(zhì)驅(qū)動部分11、用于在所述磁記錄介質(zhì)10上記錄和再現(xiàn)信息的磁頭12、磁頭驅(qū)動部分13以及記錄和再現(xiàn)信號處理系統(tǒng)14。所述記錄和再現(xiàn)信號處理系統(tǒng)14用來處理在此輸入的數(shù)據(jù)并輸出記錄信號到磁頭12，以及處理從磁頭12來的再現(xiàn)信號并輸出最終的數(shù)據(jù)。
現(xiàn)在，結(jié)合例子在下面闡明本發(fā)明的操作和效果。但是，應(yīng)該注意，本發(fā)明并不局限于以下例子。
例1將清洗后的硅基底(直徑20mm)置于一個DC磁控管濺射儀(由Anelva Co.制造，出售產(chǎn)品的編碼為C-3010)的成膜腔內(nèi)。所述成膜腔的內(nèi)部被抽真空，直到真空度達(dá)到1×10-5Pa。然后，50nm的89Co-4Zr-7Nb(Co含量89at％，Zr含量4at％，Nb含量7at％)，0.8nm的Ru和50nm的89Co-4Zr-7Nb被形成在這一硅基底上，并加以處理而形成軟磁性膜。隨后，沉積20nm的Ru以形成取向控制膜，沉積12nm的66Co-8Cr-18Pt-8SiO2以形成垂直磁記錄膜。此時，所述基底沒有被加熱。
接著，用CVD方法形成一層4nm的保護(hù)膜(DLC)。
然后，用浸蘸的方法形成一層全氟聚醚潤滑膜，從而完成磁記錄介質(zhì)的制造。
對照例1使用玻璃基底(晶化玻璃)代替硅基底，采用例1中的步驟來制造磁記錄介質(zhì)。
對照例2代之以濺射法來形成保護(hù)膜(非DLC膜)，采用例1中的步驟來制造磁記錄介質(zhì)。
就記錄和再現(xiàn)特性以及可靠性對前面的例子和對照例中所獲得的磁記錄介質(zhì)進(jìn)行鑒定評級。使用一個讀寫分析儀(由美國的GUZIK Corp.制造，售出產(chǎn)品的編碼為RWA1632)和一個旋轉(zhuǎn)臺S1701MP來進(jìn)行所述記錄和再現(xiàn)特性的鑒定評級。
使用一個磁頭，在將信號(TAAo-p)設(shè)置為120 kFCI的線性記錄密度、將噪聲設(shè)置在720 kFCI的線性記錄密度的記錄頻率下，對所述記錄和再現(xiàn)特性進(jìn)行鑒定評級，其中該磁頭用一個單磁極進(jìn)行寫并且用一個GMR元件進(jìn)行再現(xiàn)。所述SNR通過下面的公式來計算。
SNR＝20×log(TAAo-p/噪聲)可靠性由下面的方法來確定。將制造的垂直磁記錄介質(zhì)置于60℃的高溫和80％的高濕度環(huán)境中120小時，然后在30ml的超純水中搖晃30分鐘以提取Co和Li。這樣提取的Co和Li的濃度用ICP發(fā)射譜來確定。結(jié)果顯示在下面的表1。
表1

例1被證明能夠避免Li的洗脫，能大大地提高可靠性，因?yàn)樗挠涗浐驮佻F(xiàn)特性與對照例1相同，只是少量提取了Co，并且使用了硅基底。也證實(shí)了，只是少量萃取了Co，并且大大地提高了可靠性，因?yàn)樗哂信c對照例2相同的記錄和再現(xiàn)特性。
工業(yè)實(shí)用性如上所述，本發(fā)明，在非磁性基底上至少設(shè)有軟磁性襯層、垂直磁記錄膜和保護(hù)膜的垂直磁記錄介質(zhì)中，使用直徑小于等于48mm硅圓片作為所述非磁性基底，能夠允許很容易地制造具有優(yōu)良可靠性的磁記錄介質(zhì)，并提供一種能夠以高密度來記錄和再現(xiàn)信息的磁記錄介質(zhì)，一種用于制造該介質(zhì)的方法，以及一種使用所述磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，包含非磁性基底，在該非磁性基底上至少層疊軟磁性襯層、垂直磁記錄膜和保護(hù)膜，其中，所述非磁性基底為直徑小于等于48mm的硅圓片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述非磁性基底為直徑小于等于20mm的硅圓片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述保護(hù)膜由DLC(類金剛石碳)構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任一個權(quán)利要求所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述垂直磁記錄膜具有粒狀結(jié)構(gòu)，至少包含Co、Pt和一種氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述氧化物為從SiO2、Cr2O3、TiO、TiO2和Ta2O5構(gòu)成的組中所選出的至少一種。
6.用于制造磁記錄介質(zhì)的一種方法，該介質(zhì)包含硅基底，在該硅基底上至少層疊軟磁性襯層、垂直磁記錄膜和保護(hù)膜，該方法包括在形成所述保護(hù)膜時在所述硅基底上施加一個偏壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述硅基底不被加熱。
8.使用權(quán)利要求6或7所述的制造磁記錄介質(zhì)的方法所制造的一種磁記錄介質(zhì)。
9.一種磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備，包含有一種磁記錄介質(zhì)和用于在所述磁記錄介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)信息的磁頭，其中，所述磁頭是磁單極磁頭，并且所述磁記錄介質(zhì)為根據(jù)權(quán)利要求1到5以及權(quán)利要求8中的任何一個權(quán)利要求所述的磁記錄介質(zhì)。
全文摘要
一種磁記錄介質(zhì)，包括在非磁性基底上層疊的至少一層軟襯層、一層垂直磁記錄膜和一層保護(hù)膜。所述非磁性基底為一個直徑小于等于48mm的硅圓片。一種用于制造所述磁記錄介質(zhì)的方法包括在形成保護(hù)膜時在所述硅基底上施加一個偏壓?？梢杂盟龇椒ㄖ圃齑庞涗浗橘|(zhì)?？梢杂盟龃庞涗浗橘|(zhì)和一個用于在所述磁記錄介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)信息的磁頭來制造一種磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備。所述磁頭是一個磁單極磁頭。
文檔編號G11B5/72GK1981327SQ20058002211
公開日2007年6月13日 申請日期2005年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月7日
發(fā)明者清水謙治 申請人:昭和電工株式會社