專(zhuān)利名稱(chēng)：制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法、垂直磁記錄介質(zhì)、以及垂直磁記錄/再現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法、垂直磁記錄介質(zhì)、以及垂直磁記錄/再現(xiàn)裝置。尤其是，本發(fā)明涉及一種具有高矯頑力的高密度記錄介質(zhì)以及包含其的磁記錄/再現(xiàn)裝置。
背景技術(shù)：
最近，磁記錄介質(zhì)的應(yīng)用范圍例如磁盤(pán)設(shè)備、FLOPPY磁盤(pán)裝置、磁帶裝置等等已經(jīng)顯著發(fā)展起來(lái)，其重要性已經(jīng)增加。隨著這些發(fā)展，已經(jīng)開(kāi)始努力增加應(yīng)用于在這些裝置中的磁記錄介質(zhì)的記錄密度。例如，根據(jù)磁記錄介質(zhì)的密度增長(zhǎng)，由于現(xiàn)在將MR磁頭、GMR磁頭和TMR磁頭用作記錄/再現(xiàn)磁頭并且引入PRML(局部響應(yīng)最大相似)技術(shù)作為數(shù)字信號(hào)糾錯(cuò)技術(shù)，因此記錄密度顯著增加。近年來(lái)，記錄密度以每年60％的速度增加。
如上所述，希望進(jìn)一步增加垂直磁記錄介質(zhì)的記錄密度。為此，需要提高磁記錄層的矯頑力和信噪比(S/N比)以及高分辨率。在常規(guī)使用的縱向磁記錄中，當(dāng)記錄密度增加時(shí)，去磁效應(yīng)也增加，所述去磁效應(yīng)即相鄰磁疇相互降低其磁化強(qiáng)度。因此，為了避免這種情況，有必要使得磁記錄層變薄，以增加磁形狀各向異性。
但是，當(dāng)磁記錄層的厚度降低時(shí)，用于保持磁疇的能壘在室溫下達(dá)到熱波動(dòng)能。因此，不可能忽略磁化的衰退(熱波動(dòng)現(xiàn)象)。認(rèn)為這種現(xiàn)象限制了記錄密度。
作為用于提高縱向磁記錄的記錄密度的技術(shù)，最近提出一種AFC(反鐵耦合)介質(zhì)以解決磁化的熱衰退問(wèn)題，這是縱向磁記錄中的一個(gè)問(wèn)題。
作為一種用于實(shí)現(xiàn)較高記錄密度的有用且可選擇的技術(shù)，垂直磁記錄技術(shù)已經(jīng)得到廣泛的關(guān)注。在常規(guī)縱向磁記錄中，以平面內(nèi)方向磁化介質(zhì)。相反，垂直磁記錄的特征在于，沿著相對(duì)于介質(zhì)表面的垂直方向磁化介質(zhì)。該特征抑制了去磁效應(yīng)，這防止了記錄密度沿縱向磁記錄中生長(zhǎng)，而且被認(rèn)為是較適合的用于高密度記錄的技術(shù)。此外，由于可以保持磁性層的厚度用于高密度記錄，因此磁化的熱衰退，即縱向磁記錄中的一個(gè)問(wèn)題，相對(duì)較小。
作為一種制造高密度磁記錄介質(zhì)的磁性層的方法，在日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)，第一次公開(kāi)No.2000-79066中公開(kāi)了一種方法，在該方法中將包含鋯或鉿的氧化層和磁性層層疊為混合層，然后對(duì)該混合層進(jìn)行退火。但是，這種制造方法應(yīng)用于具有使用氧化物的顆粒結(jié)構(gòu)的磁性膜。作為一種制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，提出濺射CoCr合金同時(shí)加熱基底(例如，Tohoku大學(xué)，Kazuhiro Ouchi的博士論文，1984)。
如上所解釋的，盡管垂直磁記錄介質(zhì)具有卓越的特性，但是與縱向磁記錄介質(zhì)的情況類(lèi)似，提高矯頑力仍然是非常重要的。希望能夠進(jìn)一步提高垂直磁記錄介質(zhì)中的矯頑力。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種通過(guò)退火工藝而具有較高矯頑力的垂直磁記錄介質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供以下用于制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，一種垂直磁記錄介質(zhì)，以及一種磁記錄/再現(xiàn)裝置。
(1)一種制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，該垂直磁記錄介質(zhì)包括位于非磁性基底上磁記錄層，在所述磁記錄層中至少相互層疊包含Co的磁性層和擴(kuò)散層，對(duì)所述層疊的層進(jìn)行退火以制成磁記錄層。
(2)如(1)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中所述擴(kuò)散層是純金屬膜或合金膜。
(3)如(1)或(2)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中將所述擴(kuò)散層層疊在所述磁性層之上和/或之下。
(4)如(1)到(3)中任一項(xiàng)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中所述擴(kuò)散層包含這樣的元素，所述元素具有小于等于1.60埃的原子半徑、小于等于2500℃的熔點(diǎn)以及小于等于-40kJ/摩爾的與Co的合金形成焓。
(5)如(1)到(4)中任一項(xiàng)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中所述擴(kuò)散層包含Hf、Zr、Ti、Al、Ta、Nb、Sc、V、以及Y中的至少一種。
(6)如(1)到(5)中任一項(xiàng)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中所述磁性層由CoCrPt、CoCrPtB、CoCrNiPt、CoCr、CoCrTa以及CoCrPtTa中的至少一種合金制成。
(7)如(1)到(6)中任一項(xiàng)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中最大退火溫度小于等于500℃。
(8)如(1)到(7)中任一項(xiàng)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中在小于等于1×10-3Pa的真空條件下進(jìn)行所述退火。
(9)如(1)到(8)中任一項(xiàng)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中所述退火為具有大于等于30℃/秒的升溫速率的快速退火。
(10)一種垂直磁記錄介質(zhì)，通過(guò)如(1)到(9)中任一項(xiàng)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法來(lái)制成。
(11)一種垂直磁記錄介質(zhì)，其包括位于非磁性基底上的磁記錄層，其中所述磁記錄層包括磁性晶粒和相對(duì)于所述磁性晶粒的非磁性基體，所述磁性晶粒包含Co和Cr，所述非磁性基體包含Hf、Zr、Ti、Al、Ta和Nb中的至少一種。
(12)如(11)所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述非磁性基體為通過(guò)與Co反應(yīng)而制成的無(wú)定形材料。
(13)如(11)或(12)所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述磁性晶粒的平均直徑為小于等于10nm。
(14)如(11)到(13)中任一項(xiàng)所述的的垂直磁記錄介質(zhì)，其中在所述無(wú)定形材料的磁性顆粒之間的基體的距離處于1nm到5nm的范圍內(nèi)。
(15)如(11)到(14)中任一項(xiàng)所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中在所述磁性晶粒周?chē)幕w具有富Co組合物。
(16)如(11)到(15)中任一項(xiàng)所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中在所述磁記錄層的厚度為20nm的情況下，垂直矯頑力為大于等于553000A/m(7000Oe)。
(17)一種磁記錄/再現(xiàn)裝置，包括如(10)到(16)中任一項(xiàng)所述的垂直磁記錄介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)在低溫下和/或以較短時(shí)間退火，可以容易地制成一種具有較高矯頑力的垂直磁記錄介質(zhì)。
以下，詳細(xì)解釋本發(fā)明。
本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)包括磁記錄層，其通過(guò)熱處理層疊膜而制成，該層疊膜包括位于基底上的Co基磁性層和擴(kuò)散層。垂直磁記錄介質(zhì)的截面結(jié)構(gòu)如圖1所示。本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)1包括順序沉積在非磁性基底2上的籽晶層3、襯層4、以及Co基磁性層5。此外，在磁性層5上形成擴(kuò)散層6之后，用保護(hù)層7覆蓋擴(kuò)散層6的表面。而且，在圖1中，磁性層5和擴(kuò)散層6分離地存在；然而，在退火之后，這些層變?yōu)榇庞涗泴印?br> 垂直磁記錄介質(zhì)1的基底2由非磁性基體材料制成并且呈圓盤(pán)形狀。非磁性基體材料的實(shí)例包括Al合金(例如含作為主要成分的Al的Al-Mg合金)、鈉玻璃、硅鋁酸鹽基玻璃、結(jié)晶玻璃、硅、鈦、陶瓷、碳等等。本發(fā)明的制造方法包括退火。金屬基底例如Al合金基底和樹(shù)脂基底具有相對(duì)較低的熔點(diǎn)。因此，使用這些基底存在限制。優(yōu)選由具有較高熔點(diǎn)的材料例如玻璃或硅所制成的基底。
非磁性基底2的平均表面粗糙度優(yōu)選為小于等于0.8，更優(yōu)選為小于等于0.5，這是由于這些非磁性基底適于高密度磁記錄，其中磁頭的飛行高度較小。表面波度(Wa)也應(yīng)該較低，優(yōu)選小于等于0.3nm，更優(yōu)選為小于等于0.25nm，原因如上。
磁性層可以由Co基合金的任何磁性材料制成。特別是，Co基合金的磁性材料的實(shí)例包括CoCrPt、CoCrTa、CoNiCr，以及加入諸如Ni、Cr、Pt、Ta、W和B的元素的合金，例如CoCrPtTa、CoCrPtB、以及CoNiCrPtB，以及加入諸如SiO2的化合物的合金。
在本發(fā)明中，優(yōu)選使用由包含Pt和Co的CoCrPt基材料所制成的磁性層，這是由于使用這種材料易于獲得較高的矯頑力。應(yīng)該通過(guò)考慮在退火工藝之后記錄層的最終厚度來(lái)調(diào)節(jié)磁性層的厚度，通常位于5nm到30nm的范圍內(nèi)。此外，提出將包含氧化物例如SiO2、Cr2O3等等的磁性層作為高密度垂直磁記錄介質(zhì)，并且也可以在本發(fā)明中使用這些磁性層。但是，對(duì)于本發(fā)明而言，不一定使用這些氧化物。即，本發(fā)明不總是需要包含非磁性氧化物的磁性層。
使用純金屬膜或合金膜作為擴(kuò)散層。特別是，使用由包含金屬元素的材料所制成的膜，其具有較小的原子半徑、低熔點(diǎn)以及Co合金形成焓的大絕對(duì)值(ΔHCo～X)。這些材料的實(shí)例為鉿(Hf)、鋯(Zr)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鈧(Sc)、釩(V)、釔(Y)。
金屬元素的優(yōu)選特性是在1大氣壓下的熔點(diǎn)為小于等于2,500℃，原子半徑為小于等于1.60埃，并且ΔHCo～X為小于等于-40kJ/摩爾。上述元素滿(mǎn)足這些條件。
在本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)中，擴(kuò)散層優(yōu)選層疊在磁性層之上、之下以及之上和之下，并且優(yōu)選擴(kuò)散層和磁性層直接接觸。
為了形成磁性層和擴(kuò)散層，使用常規(guī)濺射方法例如DC濺射方法、RF濺射方法等等。當(dāng)形成包括磁性層和擴(kuò)散層的層疊層時(shí)，可將基底加熱到特定溫度。為了控制在磁性層中所包含的晶體的晶體結(jié)構(gòu)，經(jīng)常將襯層4和籽晶層3形成在磁性層3之下。這些層由金屬或金屬合金制成，它們用于將包含磁性層的Co基合金的hcp晶體結(jié)構(gòu)的c軸方向排列對(duì)齊到相對(duì)于基底的垂直方向。經(jīng)常使用具有hcp結(jié)構(gòu)的金屬膜例如Ru膜作為襯層4?？梢允褂萌魏文ぷ鳛樽丫?，只要Ru的c軸沿相對(duì)于基底表面的垂直方向設(shè)置，其實(shí)例包括Ti膜。
除了圖1所示的結(jié)構(gòu)以外，軟襯層(SUL)，其是由軟磁性材料制成的層，可以層疊在襯層4或籽晶層3之下。SUL用于提高垂直磁性記錄磁頭的記錄磁場(chǎng)的效率，并且軟磁性材料例如CoZrNb和FeCo廣泛用于SUL。
如果退火溫度較高，則退火時(shí)間較短。相反，如果其溫度較低，則處理時(shí)間較長(zhǎng)。退火的條件可以根據(jù)用于基底和其它層的材料以及期望的處理時(shí)間等等來(lái)選擇。通常，只要介質(zhì)的性能和形狀不受損，則退火時(shí)間優(yōu)選較短。在退火中所使用的加熱器的實(shí)例包括燈加熱器、碳復(fù)合材料加熱器、護(hù)套加熱器等等。此外，可以使用利用電爐的爐退火。為了防止層疊膜的表面氧化，優(yōu)選在較高的真空條件下執(zhí)行退火。
為了防止介質(zhì)的表面在整個(gè)過(guò)程中氧化，優(yōu)選在小于等于1×10-3Pa的氣壓下，更優(yōu)選在小于等于5×10-4Pa的氣壓下執(zhí)行一系列退火。為此，最高溫度優(yōu)選為小于等于500℃。退火的下限為200℃。可以選擇任何升溫速率，但是考慮產(chǎn)率，優(yōu)選較高的速率。特別是，優(yōu)選大于等于3℃/秒的升溫速率。
加熱器的溫度在退火期間不是恒定的。該過(guò)程的重復(fù)將加熱器的溫度從室溫升高到飽和值。當(dāng)幾個(gè)介質(zhì)連續(xù)經(jīng)歷退火時(shí)，即使加熱器關(guān)閉，由于先前退火的影響而使得溫度不會(huì)落到室溫，而是處于相對(duì)較高的溫度。因此，在大規(guī)模生產(chǎn)的情況下，應(yīng)該考慮上述影響來(lái)修改退火溫度和退火時(shí)間。
在本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)中，磁記錄層包括磁性晶粒和相對(duì)于磁性晶粒的非磁性基體。磁性晶粒包含Co和Cr，非磁性基體包含Hf、Zr、Ti、Al、Ta、Nb、Sc、V、以及Y中的至少一種，垂直磁性記錄介質(zhì)具有垂直磁各向異性。特別是，非磁性基體材料優(yōu)選為通過(guò)在Co和該介質(zhì)中的沉淀元素之間的反應(yīng)而制成的無(wú)定形材料。而且，磁性晶粒的平均直徑優(yōu)選為5nm到10nm的范圍。在磁性晶粒之間的距離優(yōu)選從1nm到5nm。此外，在磁性晶粒附近的非磁性基體材料優(yōu)選具有富Co組合物。
已經(jīng)提出所謂的離散磁道磁記錄介質(zhì)，其中記錄磁道物理上分離以抑制磁道之間的磁干擾并且提高記錄密度。本發(fā)明的制造方法可以用作這種離散磁道介質(zhì)的制造方法。
圖6示出了本發(fā)明的磁記錄/再現(xiàn)裝置的一個(gè)實(shí)施例。磁記錄/再現(xiàn)裝置包括具有上述結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)10、用于轉(zhuǎn)動(dòng)磁記錄介質(zhì)10的介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部分11、用于將信息記錄到磁記錄介質(zhì)10并且從磁記錄介質(zhì)10再現(xiàn)信息的磁頭12、磁頭驅(qū)動(dòng)部分13、以及記錄和再現(xiàn)信號(hào)處理部分14。記錄和再現(xiàn)信號(hào)處理部分14處理輸入數(shù)據(jù)并且將記錄信號(hào)傳送到磁頭12，或者從磁頭12處理再現(xiàn)數(shù)據(jù)并且輸出數(shù)據(jù)。


圖1是示出了本發(fā)明的一種垂直磁記錄介質(zhì)的截面圖；圖2示出了實(shí)例1到11中的退火時(shí)間和垂直矯頑力之間的關(guān)系；圖3示出了實(shí)例12到18中的退火時(shí)間和垂直矯頑力之間的關(guān)系；圖4示出了實(shí)例19到32中的退火時(shí)間和垂直矯頑力之間的關(guān)系；圖5示出了實(shí)例33到48中的退火時(shí)間和垂直矯頑力之間的關(guān)系。
圖6示出了本發(fā)明的磁記錄/再現(xiàn)裝置的一個(gè)實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
以下，參考以下實(shí)例和對(duì)比實(shí)例解釋本發(fā)明。
實(shí)例1到48以及對(duì)比實(shí)例1到7將結(jié)晶玻璃基底放置在真空瓶中，該瓶?jī)?nèi)的空氣抽空為1×10-4Pa。按以下順序?qū)盈B以下層。
(1)籽晶層Ti(25nm)
(2)襯層Ru(5nm)(3)磁性層68Co-16Pt-16Cr合金(20nm或10nm)(每種元素的比率表示為“at％”)(4)擴(kuò)散層Hf、Ti、Al中的一個(gè)(5nm)(5)保護(hù)層C在使用DC濺射方法將由Ti制成且厚度為25nm的籽晶層層疊在基底上之后，將該基底加熱到350℃。然后，形成由Ru制成且厚度為5nm的襯層、由68Co-16Pt-16Cr合金制成且厚度為20nm或10nm的磁性層以及由Hf、Ti、Al中的一個(gè)制成且厚度為5nm的擴(kuò)散層。此后，使用恒功率型燈加熱器(2kW)對(duì)這些層退火給定時(shí)間。按照表1和2所示改變退火時(shí)間。緊接于退火完成之后，形成由碳制成的保護(hù)層以制造樣本。在真空條件下執(zhí)行這些工藝。
使用振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)來(lái)測(cè)量在相對(duì)于以此方式所產(chǎn)生的樣本的基底表面的垂直方向上的矯頑力。
下表1和2示出了用于擴(kuò)散層的材料、磁性層的厚度、退火時(shí)間、以及樣本的垂直矯頑力。1Oe約為79A/m。
表1

表2

圖2示出了實(shí)例1到11中的垂直矯頑力和退火時(shí)間之間的關(guān)系。圖3示出了實(shí)例12到18中的它們之間的關(guān)系。圖4示出了實(shí)例19到32中的它們之間的關(guān)系。圖5示出了實(shí)例33到48中的它們之間的關(guān)系。
如表2以及圖4和5所示，當(dāng)退火時(shí)間為大約10秒時(shí)，在實(shí)例19到48中的包括由鈦或鋁制成的擴(kuò)散層的垂直磁記錄介質(zhì)中的垂直矯頑力開(kāi)始快速增加。在包括由鈦制成的擴(kuò)散層的垂直磁記錄介質(zhì)中，當(dāng)磁性層的厚度為20nm時(shí)，最大垂直矯頑力為7800Oe，并且當(dāng)它的厚度為10nm時(shí)，最大垂直矯頑力為7000Oe。在包括由鋁制成的擴(kuò)散層的垂直磁記錄介質(zhì)中，當(dāng)磁性層的厚度為20nm時(shí)，最大垂直矯頑力為7200Oe，并且當(dāng)它的厚度為10nm時(shí)，最大垂直矯頑力為5650Oe。
相比之下，如表1以及圖2和3所示，當(dāng)退火時(shí)間僅為6秒時(shí)，在實(shí)例1到18中的包括由鉿或鋯制成的擴(kuò)散層的垂直磁記錄介質(zhì)中的垂直矯頑力開(kāi)始快速增加。在包括厚度為20nm并且由鉿制成的擴(kuò)散層的垂直磁記錄介質(zhì)中，當(dāng)退火時(shí)間為12秒時(shí)，垂直矯頑力達(dá)到8650Oe。在包括厚度為10nm并且由鉿制成的擴(kuò)散層的垂直磁記錄介質(zhì)中，當(dāng)退火時(shí)間為10秒時(shí)，垂直矯頑力達(dá)到7000Oe。
對(duì)比實(shí)例8到13以與本發(fā)明實(shí)例1相同的方式準(zhǔn)備對(duì)比垂直磁記錄介質(zhì)，不同在于，通過(guò)使用合金靶進(jìn)行濺射同時(shí)加熱該基底來(lái)形成磁記錄層。這種方法是常規(guī)方法。即，通過(guò)分離地形成磁性層和擴(kuò)散層并且熱處理它們來(lái)形成實(shí)例中的垂直磁記錄介質(zhì)的磁記錄層。相比之下，在對(duì)比實(shí)例8到13中，通過(guò)使用具有表3所示的成分的合金靶進(jìn)行濺射來(lái)形成磁記錄層。然后，測(cè)量對(duì)比樣本的垂直矯頑力。在對(duì)比實(shí)例8中的磁性層的材料是在實(shí)例中的磁性層所使用的材料(68Co-16Pt-16Cr)。在對(duì)比實(shí)例9到13中的磁性層的材料是將Hf或Zr(實(shí)例中的擴(kuò)散層的材料)添加入68Co-16Pt-16Cr合金(實(shí)例中的磁性層的材料)的材料。尤其是，使用68Co-16Pt-14Cr-2Hf、68Co-16Pt-14Cr-4Hf、68Co-16Pt-14Cr-2Zr、以及68C0-16Pt-12Cr-4Zr作為對(duì)比實(shí)例9到13中的磁性層的材料。將該基底的溫度調(diào)節(jié)到350℃，在該溫度下實(shí)例中的垂直矯頑力開(kāi)始快速升高。測(cè)量結(jié)果如下表3所示。
表3

如表3所示，與實(shí)例中的垂直磁記錄介質(zhì)的矯頑力相比，其中通過(guò)分離地形成磁性層和擴(kuò)散層并且熱處理它們來(lái)形成磁記錄層，在對(duì)比實(shí)例8到13中的垂直磁記錄介質(zhì)具有相當(dāng)?shù)偷某C頑力，其中通過(guò)濺射同時(shí)加熱基底來(lái)形成磁記錄層。
如上所述，本發(fā)明提供了相對(duì)于垂直磁記錄介質(zhì)制造工藝的現(xiàn)有技術(shù)的許多優(yōu)點(diǎn)。即，使用包括Hf、Zr、Ti、Al的擴(kuò)散層，在較低的退火溫度和/或較短的熱處理時(shí)間下，可以獲得較高的垂直矯頑力。
即，在通過(guò)本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的方法制造的垂直磁記錄介質(zhì)中，其中擴(kuò)散層由鉿、鋯、鈦、或鋁制成，并且對(duì)包括磁性層和擴(kuò)散層的層疊膜進(jìn)行熱處理，易于在較低的溫度下以較短的時(shí)間獲得較高的矯頑力。這些效果對(duì)于垂直磁記錄介質(zhì)是優(yōu)選的。
工業(yè)應(yīng)用性在根據(jù)本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法中，形成擴(kuò)散層和磁性層以制造層疊膜，并對(duì)該層疊膜進(jìn)行熱處理，該方法能夠以相比于常規(guī)條件較低的溫度和較短的時(shí)間獲得具有較高矯頑力的垂直磁記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，該垂直磁記錄介質(zhì)包括位于非磁性基底上磁記錄層，在所述磁記錄層中至少相互層疊包含Co的磁性層和擴(kuò)散層，對(duì)所述層疊的層進(jìn)行退火以制成磁記錄層。
2.如權(quán)利要求1所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中所述擴(kuò)散層是純金屬膜或合金膜。
3.如權(quán)利要求1或2所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中將所述擴(kuò)散層層疊在所述磁性層之上和/或之下。
4.如權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中所述擴(kuò)散層包含這樣的元素，所述元素具有小于等于1.60埃的原子半徑、小于等于2500℃的熔點(diǎn)以及小于等于-40kJ/摩爾的與Co的合金形成焓。
5.如權(quán)利要求1到4中任一項(xiàng)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中所述擴(kuò)散層包含Hf、Zr、Ti、Al、Ta、Nb、Sc、V、以及Y中的至少一種。
6.如權(quán)利要求1到5中任一項(xiàng)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中所述磁性層由CoCrPt、CoCrPtB、CoCrNiPt、CoCr、CoCrTa以及CoCrPtTa中的至少一種合金制成。
7.如權(quán)利要求1到6中任一項(xiàng)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中最大退火溫度小于等于500℃。
8.如權(quán)利要求1到7中任一項(xiàng)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中在小于等于1×10-3Pa的真空條件下進(jìn)行所述退火。
9.如權(quán)利要求1到8中任一項(xiàng)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中所述退火為具有大于等于30℃/秒的升溫速率的快速退火。
10.一種垂直磁記錄介質(zhì)，其通過(guò)如權(quán)利要求1到9中任一項(xiàng)所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法來(lái)制成。
11.一種垂直磁記錄介質(zhì)，其包括位于非磁性基底上的磁記錄層，其中所述磁記錄層包括磁性晶粒和相對(duì)于所述磁性晶粒的非磁性基體，所述磁性晶粒包含Co和Cr，所述非磁性基體包含Hf、Zr、Ti、Al、Ta和Nb中的至少一種。
12.如權(quán)利要求11所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述非磁性基體為通過(guò)與Co反應(yīng)而制成的無(wú)定形材料。
13.如權(quán)利要求11或12所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述磁性晶粒的平均直徑為小于等于10nm。
14.如權(quán)利要求11到13中任一項(xiàng)所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中在所述無(wú)定形材料的磁性顆粒之間的基體的距離處于1nm到5nm的范圍內(nèi)。
15.如權(quán)利要求11到14中任一項(xiàng)所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中在所述磁性晶粒周?chē)幕w具有富Co組合物。
16.如權(quán)利要求11到15中任一項(xiàng)所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中在所述磁記錄層的厚度為20nm的情況下，垂直矯頑力為大于等于553000A/m(7000Oe)。
17.一種磁記錄/再現(xiàn)裝置，其包括如權(quán)利要求10到16中任一項(xiàng)所述的垂直磁記錄介質(zhì)。
全文摘要
一種垂直磁記錄介質(zhì)，其通過(guò)退火具有較高的矯頑力，為了實(shí)現(xiàn)該目的，本發(fā)明提供一種制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，該垂直磁記錄介質(zhì)包括沉積在非磁性基底上的磁記錄層，其中至少相互層疊包含Co的磁性層和擴(kuò)散層，并且對(duì)所層疊的層進(jìn)行退火以制成磁記錄層。
文檔編號(hào)G11B5/851GK101023473SQ20058003123
公開(kāi)日2007年8月22日 申請(qǐng)日期2005年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月17日
發(fā)明者高橋研, 岡正裕, 喜喜津哲 申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社, 株式會(huì)社東芝, 高橋研