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      用于減少粒子的涂層的制作方法

      文檔序號:6736567閱讀:458來源:國知局
      專利名稱:用于減少粒子的涂層的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及高純度裝置,例如硬磁盤驅(qū)動器,更具體地涉及用于在所述裝置中減少粒子的涂層。

      背景技術(shù)
      在磁盤驅(qū)動器和其它高純度應(yīng)用中,粒子污染會引起大量機械故障。在這些應(yīng)用中,非常需要使制造和應(yīng)用過程中存在的粒子最小化。磁盤驅(qū)動器通常包括多個尺寸精確的操作部件,例如襯墊、磁盤夾、e-blocks、蓋板、底板、致動器、音圈、音圈板等。這些組件都可以成為粒子的潛在來源。在驅(qū)動操作過程中,磁頭通常以約100的間距掠過介質(zhì)。隨著面密度的增加該間距減小,使得使產(chǎn)生的粒子減少和防止粒子產(chǎn)生變得更加關(guān)鍵。在磁頭和磁盤界面處的粒子會造成熱不均勻(thermal asperity)、飛高寫入(high fly write)和磁頭碰撞;任何這些情況對于磁盤驅(qū)動器都是有害的。
      美國公開號2003/0223154A1(Yao)公開了通過用“由柔軟且強韌的材料(例如金、鉑、環(huán)氧樹脂等)制成的”涂層封裝而防止粒子產(chǎn)生。美國公開號2002/0093766A1(Wachtler)公開了使用粘合劑背襯的可熱收縮保角膜(conformal films)來防止粒子產(chǎn)生。美國專利號6,671,132(Crane等)公開了使用金屬或聚合物涂層。美國公開號2004/0070885A1(Kikkawa等)公開了使用樹脂涂層。美國專利號6,903,861(Huha等)公開了使用某種聚合物涂層作為微致動裝置組件的封裝材料。
      因此需要抑制在例如磁盤驅(qū)動器的裝置中的粒子的改進涂層。


      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明提供一種用于抑制例如從例如鋁、銅等基底中產(chǎn)生的粒子的改進涂層。本發(fā)明的涂層可以用簡單的技術(shù)施加(例如浸涂和熱固化),其表現(xiàn)出約175℃的熱穩(wěn)定性,可以在復(fù)雜形態(tài)的基底上形成基本均勻的薄層(例如約0.1~約5.0微米)。本發(fā)明的涂層是清潔的(例如低除氣性、低可萃取離子釋放)、對通常的清潔方法(例如用或不用超聲處理的水溶液和溶劑基清潔溶液)具有耐受性、是環(huán)境友好的(即釋放溶劑,例如析出的氫氟代醚或水)、具有良好的安全分布,以及與目前鎳涂層的工藝方法相比提供相對較好的性價比。本發(fā)明的涂層還可以提供腐蝕保護。
      本發(fā)明的涂層包括具有活性懸掛基團的薄聚合物涂層,該活性懸掛基團具有交聯(lián)官能度和卓越的錨定到基底表面的性能以抑制粒子從基底表面脫落。這些粒子可以來自基底材料或在處理和/或不完全清潔中留下的材料。該涂層實際上在基底表面上形成了固定粒子的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),否則所述粒子可從基底上脫落。此處所用的“懸掛基團(pendant)”是指端基和側(cè)基(side group)。
      簡要地說,本發(fā)明的涂層包括如下化合物的反應(yīng)產(chǎn)物,其中所述化合物包括含氟化合物部分和活性懸掛基團,其中所述涂層在基底上至少部分地原位固化。當(dāng)至少部分地原位固化時,發(fā)現(xiàn)這種涂層作為在基底上減少粒子的涂層,提供意料之外的優(yōu)良性能。
      本發(fā)明的涂層可以用于多種高純度應(yīng)用,例如包括這類組件如襯墊、磁盤夾、e-block、蓋板、底板、微致動器、滑板、音圈、音圈板等的硬盤驅(qū)動裝置。這些組件均是在最終硬盤系統(tǒng)中所有潛在的粒子源。本發(fā)明的涂層也可以用于減少MEMS(微電機系統(tǒng))、高純度工藝(用于減少潛在污染的涂覆工藝裝置)以及半導(dǎo)體加工裝置(例如印刷電路板裝置上的表面安裝組件)中的粒子脫落。

      具體實施例方式 簡要地說,本發(fā)明的涂層包括含氟化合物部分(即作為主鏈或側(cè)基)和活性懸掛基團。
      在一些實施方式中,本發(fā)明的涂層包括選自全氟代聚醚和氟代丙烯酸酯共聚物的含氟化合物部分。
      在一些實施方式中,活性懸掛基團部分選自活性硅烷基、活性環(huán)氧基和活性三聚氰胺基。
      例如,我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn),由具有硅烷端基的全氟聚醚制成的涂層能有效減少例如來自例如鋁和銅的粒子脫落。物質(zhì)的通式結(jié)構(gòu)為 (RO)3Si-(CH2)b-NHC(O)CXF-(O(CFR1)a)p(O(CFR1CF2)a)q-OCFXC(O)NH-(CH2)b-Si(OR)3 其中R可以為甲基或乙基,R1為F或CF3,X為F或CF3,a為1~4的整數(shù),b為1~10的整數(shù),p為1~145的整數(shù),q為0~145的整數(shù),該聚合物的數(shù)均分子量可以在約500~約10,000的范圍內(nèi)。下標(biāo)p和q的基團可以在鏈中任意分布。
      在其它的一些實施方式中,物質(zhì)的通式結(jié)構(gòu)為 (RO)3Si-(CH2)b-NHC(O)CXF(OC3F6)yO(CF2)zO(C3F6O)xCFXC(O)NH-(CH2)b-Si(OR)3 其中R可以為甲基或乙基,X為F或CF3,x和y可以相同或不同,各自為0~10的整數(shù),條件是其中至少之一不為0,z為2~10的整數(shù)。
      如果最終涂層的分子量太低,所形成的涂層容易過于易碎。通常優(yōu)選該涂層表現(xiàn)出一定程度的柔性,以使得該涂層保持固定,并避免在裝置的操作過程中隨著涂覆設(shè)備的彎曲、膨脹和或收縮而產(chǎn)生脆性破裂。
      在本發(fā)明其它的一些實施方式中,該涂覆材料的通式結(jié)構(gòu)為 (RO)3Si-(CH2)3-NHC(O)CX1F-(O(CFR1)a)p(O(CFR2CF2)a)q-OCFX2C(O)NH-(CH2)3-Si(OR)3 其中R可以為甲基或乙基,R1和R2可以相同或不同地為F或CF3,X1和X2可以相同或不同地為F或CF3,a為1~4的整數(shù),b為1~10的整數(shù),p為1~145的整數(shù),q為0~145的整數(shù),該聚合物的數(shù)均分子量可以在約500~約10,000的范圍內(nèi)。下標(biāo)p和q的基團可以在鏈中任意分布。
      一種適宜材料的示例性實例如下
      其可作為3MTM Easy Clean Coating ECC-1000獲自3M Company。下標(biāo)x和y的基團可以在鏈中任意分布。在美國專利6,613,860(Dams等)中公開了這些材料,其整體引入此處作為參考。
      優(yōu)選該基底和涂層的選擇使得該涂層可通過共價鍵固定到基底表面上。分子中的活性懸掛基團,即在該例中的硅烷基有助于該所需的鍵合性能。此外,盡管我們不希望被該理論限制,但據(jù)認為由于所述硅烷基與所述基底上的鍵合位發(fā)生反應(yīng),從而該涂層可以提供卓越的防腐蝕性,否則所述基底容易受到腐蝕反應(yīng)的影響。
      所述涂層的厚度可以約為或基本小于固定在基底中的粒子尺寸,例如與約0.1~大于5μm范圍內(nèi)的平均粒徑相比,涂層厚度在0.01~1.0μm范圍內(nèi)。
      在存在水的情況下,OR基將在聚合物上進行反應(yīng)形成硅烷醇基。該硅烷醇基將與其它硅烷醇基反應(yīng),由此使該聚合物交聯(lián),在氧化物表面(例如鋁、銅、硅和陶瓷材料)的情況下,將該聚合物共價鍵合到所述表面上。
      根據(jù)活性基團、基底參數(shù)、所需的加工條件等,可以通過添加有效量的適當(dāng)催化劑而提高涂覆材料的固化速度。例如,對于使用全氟聚醚硅烷制成的涂層,可以使用例如獲自DuPont的KRYTOXTM 157FSL的試劑來催化。
      在其它實施方式中,其中所述聚合物具有活性羥基或羧酸基懸掛基團,并與三聚氰胺進行交聯(lián),可以添加酸催化劑(例如NACURETM2558,一種嵌段酸催化劑)。
      在一些實施方式中,優(yōu)選使用兩段固化方法。在第一段中,該涂覆組合物部分地固化到第一狀態(tài),在該第一狀態(tài)下其不再具有粘性,但在組合物中仍有活性懸掛基團,例如游離硅烷基。在該狀態(tài)下,所述涂覆的制品便于操作。在隨后的制品(例如“原位形成的襯墊”,如可固化的環(huán)氧基組合物)放置之后,將該涂層和制品接觸固化并實現(xiàn)良好的粘合。
      同樣觀察到,如果通過在相對較低的溫度下加熱較長的時間進行固化比在較高的溫度下加熱較短時間進行固化通常會實現(xiàn)更好的效果,例如在120℃而不是150℃。
      本發(fā)明的涂層的另一優(yōu)點在于其在簡短接觸過程中表現(xiàn)出較小的吸收或“獲得(pick up)”有機物質(zhì)的傾向,例如在清潔過程中的污染物和其它試劑,因此本發(fā)明的涂層與很多替代材料相比更不容易除氣。
      通過在即將粘結(jié)前用含氟化合物溶劑擦拭,可以改進本發(fā)明的涂層與制品隨后的粘附。
      實施例 將通過以下的非限制性實施例對本發(fā)明進行說明。用于測試的基底是由指明的材料制成的試樣。從原材料上剪切出試樣,在接近角落處鉆孔,使在測試過程中可以懸掛該試樣。
      清潔方法1 在涂覆之前,通過用3MTM NOVECTM HFE-72DA(可獲自3M Co.,St.Paul,MN)進行蒸汽脫脂而清潔基底。在獲自Branson UltrasonicsCorporation of Danbury,Connecticut的型號為B452R的雙池蒸汽脫脂器中進行清潔,使用以下的操作參數(shù) 30秒初始蒸汽沖洗, 在沖洗池中操作3分鐘(無超聲),和 30秒最后蒸汽沖洗。
      清潔方法2 在涂覆之前通過在丙酮中浸漬10分鐘而清潔基底。然后將基底放平,用2-丙醇(對于20個基底使用約100mL)進行噴射。然后通過擦拭除去剩余的2-丙醇,使基底干燥過夜。
      清潔方法3 在涂覆之前通過用CMOS級2-丙醇(可獲自JT Baker,Phillipsburg,New Jersey)和VWR Spec-Wipe 4擦拭器(可獲自VWR International ofWest Chester,Pennsylvania)擦拭清潔基底。然后將試樣(coupon)浸漬在18.2MΩ的水中,并用40瓦特每加侖電能的68kHz超聲波超聲90秒鐘,所述18.2MΩ的水經(jīng)0.2微米(絕對)過濾器過濾。用VWRSpec-Wipe4擦拭器擦拭使試樣干燥。
      涂覆方法 通過浸漬涂覆施加所有涂層。用于這些研究的拉伸速率范圍為1.7~3.6mm/s(4~8.5in/min)。通過基底上的孔使用紙夾將基底懸掛起來并在浸漬涂覆過程中完全浸漬。固化條件根據(jù)聚合物而改變,下面討論了各聚合物的具體情形。
      化格法粘附(crosshatch adhesion) 利用ASTM D3359-95a、測試方法B使用兩種變體測定化格法粘附或橫切帶(cross-cut tape)粘附。首先,與推薦的11×11切不同,使用4×4切用于使涂層小于2密耳。第二,除目測之外,使用Sharpie標(biāo)記物指示涂層的存在。含氟化合物涂層排斥該標(biāo)記物。如果去除涂層,可以容易地標(biāo)記基底。
      萃取 使用基于IDEMA Microcontamination Standards M9-98的方法進行LPC萃取。將基底完全浸漬在18.3MΩ的水中,并暴露于超聲(40瓦特/加侖,40或68kHz)30秒。用液體粒子計數(shù)器分析水中的粒子水平。
      在1000級凈化室環(huán)境中進行LPC萃取。過濾到0.1微米的18.3MΩ水用于本測試的所有部分。測試裝置由固定在超聲池中的1000ml的KIMAXTM燒杯(獲自VWR International)構(gòu)成。使用28規(guī)格的可軟焊的聚氨酯定子線(獲自MWS Wire Industries of Westlake Village,CA;零件號28 SSPN)將待測試的部分浸漬在燒杯中。使用HIACROYCOTM,Micro Count 100(獲自Hach Ultra Analytics,Grants Pass,OR)測定液體中的粒子水平。
      在各測試取樣之前,運行空白測試來測定燒杯和水的清潔度。用水沖洗燒杯,然后充滿1000ml的水。
      一旦確定了良好的空白,將試樣浸入水中。懸掛試樣使其完全浸沒且不接觸燒杯壁。使用超聲30秒。去除50ml的液體樣品用于LPC分析。如下計算試樣單位表面積的粒子數(shù)
      對各涂覆條件分別測試三個單獨的試樣。其平均結(jié)果示于表中。在大多數(shù)情況中,對各試樣進行多組萃取,通常為三組。
      涂覆材料 用ECC-1000(一種具有硅氧烷端基的全氟聚醚,獲自3M Co.of St.Paul,MN)涂覆實施例1和2,F(xiàn)CI的通式結(jié)構(gòu)為
      該聚合物是從3MTM NOVECTM Hydrofluoroether HFE-7100中獲得的。以總聚合物固體2%添加獲自Dupont of Wilmington,Delaware的全氟聚烷基醚羧酸混合物KRYTOXTM 157 FSL(即在90g HFE-7100中的0.2g的KRYTOXTM 157 FSL和9.8g的ECC-1000)。
      用包含活性含氟化合物共聚物(如下所述合成)、UD350W(獲自King Industries of Norwalk,CT的聚氨基甲酸酯二醇)、RESIMENETM747(獲自Solutia,Inc.of St.Louis,MO的甲基化三聚氰胺)、NACURETM2558(獲自King Industries of Norwalk,CT的嵌段酸催化劑)和SILWETTTM L-77(獲自Helena Chemical Co.of Fresno,CA的硅酮聚醚共聚物)的水溶液涂覆實施例3~5。



      (氨基甲酸酯二醇)UD350W 使用以下組分合成活性含氟共聚物FC II 60gHFPOMA(六氟環(huán)氧丙烷甲基丙烯酸酯) 27gHEMA(甲基丙烯酸羥乙酯) 10gMAA(甲基丙烯酸) 3g ME(丙烯酸甲酯) 300g IPA(2-丙醇) 1g VAZOTM 67(可獲自DuPont的自由基引發(fā)劑) 10.3g DMEA(二甲基氨基乙醇) 233g 去離子水。
      將HFPOMA、HEMA、MAA、ME和IPA加到燒瓶中,然后添加VAZOTM 67。攪拌該材料形成溶液。用氮氣凈化該溶液7分鐘。將該溶液加熱到65℃保持18小時。在此之后,添加DMEA。將形成的溶液攪拌3分鐘,添加去離子水。反應(yīng)混合物變成泡沫狀,在約2分鐘之后形成溶液。在低壓下從溶液中蒸餾出IPA,得到水溶液。
      按照如下方法制備表1中所列的組合物,在攪拌下將UD350W添加到包含去離子水的燒杯中。在UD350W溶解之后,添加RESIMENETM747。在所形成的溶液中添加NACURETM 2558,并在2分鐘后添加活性FC II,然后添加SilwetTM L-77。
      沒有實施例6。
      用帶有硅氧烷端基的六氟環(huán)氧丙烷聚合物涂覆實施例7。
      對于實施例7,如下制備硅烷(C2H5O)3SiC3H6NHCOCF(CF3)[OCF(CF3)CF2O]nC4F8O[CF(CF3)CF2O]mCF(CF3)CONHC3H6Si(OC2H5)3的涂層。
      通過在氟化銫(15.5g)存在下,于-20℃使全氟琥珀酰氟(FCOC2F4COF;24g,51%純度;0.064摩爾)和六氟環(huán)氧丙烷(109g;0.65摩爾)在四乙二醇二甲基醚溶劑(341g;在約40小時內(nèi)添加)中發(fā)生反應(yīng),制備硅烷產(chǎn)物的甲酯前體。在該反應(yīng)完成后,用大量過量的甲醇在環(huán)境溫度下處理形成的二酰基氟混合物,將?;D(zhuǎn)化為下式的標(biāo)稱結(jié)構(gòu)的二甲基酯(m+n約為5~7),將下部的產(chǎn)物相與上部的甲醇/四乙二醇二甲醚相分離,用水洗滌下部的相,得到111g酯產(chǎn)物MeO2CCF(CF3)[OCF(CF3)CF2O]nC4F8O[CF(CF3)CF2O]mCF(CF3)CO2Me(122g)。
      將該酯與以類似方式制備的物質(zhì)相結(jié)合,蒸餾兩次,將范圍為38℃~198℃/0.7mm Hg的蒸餾餾分除去,將剩余的蒸餾余液用于硅烷的合成。通過氣液色譜法得到最終產(chǎn)物中m+n的平均和為7.6。
      用不含溶劑的氨基丙基三乙氧基硅烷(4.5g,0.02摩爾)處理該
      材料(14.9g)。在約24小時之后添加少量硅烷,以將剩余的酯官能團轉(zhuǎn)化為產(chǎn)物硅烷。氨基硅烷的IR波段出現(xiàn)在1709cm-1。
      用含氟氨基甲酸酯硅烷醇,F(xiàn)CIV分散體的水溶液涂覆實施例8。如下制備FCIV
      將30g ODA(丙烯酸辛基癸酯)、30g UMA、20g A-174(獲自O(shè)Si Specialties,Inc.,Danbury CT)、10g KF-2001(巰基硅酮)、10gMPTS(巰基丙基三甲氧基硅烷),以及9.5g甲基異丁基酮(MIBK)和0.5g VAZOTM 67的預(yù)混物(當(dāng)放置在熱帽水浴中為清澈溶液)在具有Teflon襯墊帽的玻璃罐中化合。用氮氣向該混合物噴射,密封,在65℃的耐洗試驗器中翻滾24小時。將所形成的MIBK溶液在60℃下攪拌,同時用聲波處理,在60℃時還添加去離子水/TWEEN 20(總固含量為5%)溶液。將所形成的乳狀液用聲波處理3分鐘。通過減壓蒸餾除去MIBK,得到穩(wěn)定的含水乳狀液。添加SILWETTTM L-77以改善成膜性能。
      用如下通式的含氟丙烯酸酯共聚物涂覆實施例9
      其是從HFE-7200(可獲自3M Company of St.Paul,MN)中得到(delivered)的。通過將47.6g低聚甲基丙烯酸六氟環(huán)氧丙烷氨基乙酯(其通式為C3F7O(CF(CF3)CF2O)nCF(CF3)CONHC2H4OCOC(CH3)=CH2,其中n為3或更大)、0.95g A174(甲基丙烯酸3-三甲氧基硅烷丙酯)、1.4g MPTS(3-巰基丙基三甲氧基硅烷)和220g HFE 7200添加到1升的燒瓶中合成所述共聚物。該燒瓶裝配有機械攪拌器,并在攪拌下置于N2吹掃下10分鐘。在此階段之后,添加2克LUPEROXTM 26M50引發(fā)劑(獲自Arkema,Inc.,of Philadelphia,Pennsylvania)的溶液(含1克固體),將該反應(yīng)混合物加熱到70℃并保持18小時。
      用具有下述通式的含氟丙烯酸酯共聚物涂覆實施例10
      其是從HFE-7200中得到的。通過將40g低聚甲基丙烯酸六氟環(huán)氧丙烷氨基乙酯(其通式為C3F7O(CF(CF3)CF2O)nCF(CF3)CONHC2H4OCOC(CH3)=CH2,其中n為3或更大)、5g甲基丙烯酸3-縮水甘油氧丙酯、5g甲基-3-巰基丙酸酯和230g HFE 7200添加到1升的燒瓶中。該燒瓶裝配有機械攪拌器,在攪拌下置于N2吹掃下10分鐘。在此階段之后,添加2克LUPEROXTM 26M50引發(fā)劑的溶液(含1克固體),并將該反應(yīng)混合物加熱到70℃并保持18小時。從共聚物溶液中過濾出痕量的不溶沉淀。
      實施例1和2 對于實施例1,所有的試樣都用清潔方法1清潔。將四個試樣涂覆,將三個試樣保持未涂覆作為對照樣。使用橫切帶實驗方法測試一個涂覆的試樣。沒有觀察到涂層除去。通過LPC萃取測試剩余三個涂覆和未涂覆的試樣。結(jié)果示于表3。表中的各數(shù)據(jù)均為各條件下三個試樣的平均值。
      對于實施例2,所有的試樣都用清潔方法2清潔。將兩個試樣涂覆,將兩個試樣保持未涂覆作為對照樣。通過LPC萃取測試這些試樣。結(jié)果示于表4。各點均為各條件下兩個試樣的平均值。
      實施例3、4和5 對于實施例3,所有的試樣都用清潔方法1清潔。將四個試樣涂覆,將三個試樣保持未涂覆作為對照樣。使用橫切帶測試方法測試其中一個涂覆的試樣。沒有觀察到涂層除去。用LPC萃取測試剩余三個涂覆和未涂覆的試樣。結(jié)果示于表6。表中的各數(shù)據(jù)均為各條件下的三個試樣的平均值。
      對于實施例4,將三個試樣涂覆,將三個試樣保持未涂覆作為對照樣。使用LPC萃取測試所有涂覆和未涂覆的試樣。結(jié)果示于表7。表中的各數(shù)據(jù)點均為各條件下的三個試樣的平均值。
      對于實施例5,所有的試樣都用清潔方法1清潔。將四個試樣涂覆,將三個試樣保持未涂覆作為對照樣。使用橫切帶測試方法測定一個涂覆的試樣。沒有觀察到涂層除去。用LPC萃取測試剩余三個涂覆和未涂覆的試樣。結(jié)果示于表8。表中的各數(shù)據(jù)均為各條件下的三個試樣的平均值。
      實施例7 對于實施例7,所有的試樣都用清潔方法1清潔。將四個試樣涂覆,將三個試樣保持未涂覆作為對照樣。使用橫切帶測試方法測定一個涂覆的試樣。沒有觀察到涂層除去。用LPC萃取測試剩余三個涂覆和未涂覆的試樣。結(jié)果示于表10。表中的各數(shù)據(jù)點均為各條件下的三個試樣的平均值。
      實施例8 對于實施例8,所有的試樣都用清潔方法1清潔。將四個試樣涂覆,將三個試樣保持未涂覆作為對照樣。使用橫切帶測試方法測定一個涂覆的試樣。沒有觀察到涂層除去。用LPC萃取測試剩余三個涂覆和未涂覆的試樣。結(jié)果示于表12。表中的各數(shù)據(jù)點均為各條件下的三個試樣的平均值。
      實施例9 對于實施例9,所有的試樣都用清潔方法3清潔。將四個試樣涂覆,將三個試樣保持未涂覆作為對照樣。使用橫切粘附測試方法測定一個涂覆的試樣。沒有觀察到涂層除去。用LPC萃取測試剩余三個涂覆和未涂覆的試樣。結(jié)果示于表14。表中的各數(shù)據(jù)點均為各條件下的三個試樣的平均值。
      實施例10 對于實施例10,所有的試樣都用清潔方法3清潔。將四個試樣涂覆,將三個試樣保持未涂覆作為對照樣。使用橫切粘附測試方法測定一個涂覆的試樣。沒有觀察到涂層除去。用LPC萃取測試剩余三個涂覆和未涂覆的試樣。結(jié)果示于表16。表中的各數(shù)據(jù)點均為各條件下的三個試樣的平均值。

      權(quán)利要求
      1.一種基底,包括在所述基底的至少一部分上的涂層,其中所述涂層包括含有含氟化合物部分和活性懸掛基團的物質(zhì)的反應(yīng)產(chǎn)物。
      2.如權(quán)利要求1所述的基底,其中所述涂層包括具有如下通式結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的反應(yīng)產(chǎn)物
      (RO)3Si-(CH2)b-NHC(O)CX1F-(O(CFR1)a)p(O(CFR2CF2)a)q-OCFX2C(O)NH-(CH2)b-Si(OR)3
      其中R為甲基或乙基,R1和R2可以相同或不同,為F或CF3,X1和X2可以相同或不同,為F或CF3,其中a為1~4的整數(shù),b為1~10的整數(shù),p為1~145的整數(shù),q為0~145的整數(shù),其數(shù)均分子量為約500~約10,000。
      3.如權(quán)利要求1所述的基底,其中所述涂層包括具有如下通式結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的反應(yīng)產(chǎn)物
      其中x為0~150的整數(shù),y為0~85的整數(shù),條件是x和y不都為0。
      4.如權(quán)利要求1所述的基底,其中所述涂層包括具有如下通式結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的反應(yīng)產(chǎn)物
      (RO)3Si-(CH2)b-NHC(O)CXF(OC3F6)yO(CF2)zO(C3F6O)xCFXC(O)NH-(CH2)b-Si(OR)3
      其中R可以為甲基或乙基,X為F或CF3,x和y可以相同或不同,各自為0~10的整數(shù),條件是其中至少一個不為0,z為2~10的整數(shù)。
      5.如權(quán)利要求1所述的基底,其中所述涂層包括選自具有如下通式結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的反應(yīng)產(chǎn)物

      6.如權(quán)利要求1所述的基底,其中所述活性懸掛基團選自活性硅烷、活性環(huán)氧化物、活性羧酸和活性羥基。
      7.如權(quán)利要求1所述的基底,其中所述基底為硬盤驅(qū)動器組件,其包括至少一個用于在所述盤上磁存儲計算機數(shù)據(jù)的、與盤表面相連的磁頭。
      全文摘要
      本發(fā)明提供了用于抑制粒子的涂層。這種涂層包括含氟化合物部分和活性懸掛基團。
      文檔編號G11B5/62GK101133099SQ200580048847
      公開日2008年2月27日 申請日期2005年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月30日
      發(fā)明者賈森·M·克倫, 格利高里·D·克拉克, 邁克爾·A·洛基特, 理查德·M·弗林 申請人:3M創(chuàng)新有限公司
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