專利名稱：光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在記錄介質(zhì)中記錄信息的信息記錄方法，該記錄介質(zhì)有一個(gè)記錄層，通過(guò)用光源發(fā)射的多脈沖激光串照射該記錄層，該記錄層可以可逆地實(shí)現(xiàn)晶相狀態(tài)和非晶狀態(tài)，并涉及使用該信息記錄方法的光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
隨著多媒體的普及，只重放的光記錄介質(zhì)(以后有時(shí)稱為介質(zhì))例如音頻CD和CD-ROM，和信息重現(xiàn)設(shè)備已被研制和實(shí)際應(yīng)用。最近，不僅使用著色介質(zhì)的可記錄光盤(pán)和使用磁光介質(zhì)的可重寫(xiě)磁光盤(pán)(MO)，而且相變型介質(zhì)也引起人們的注意。
這種相變型介質(zhì)包括一種材料，它具有可逆地實(shí)現(xiàn)晶相和非晶狀態(tài)的相變性質(zhì)，就利用這種性質(zhì)將信息記錄在它里面。信息可以記錄在相變型介質(zhì)中，僅利用激光二極管發(fā)射的激光，就可使所記錄的信息被重現(xiàn)(即，不使用外部磁場(chǎng))，而這是MO中的記錄信息所必需的。另外，可以進(jìn)行改寫(xiě)，在改寫(xiě)中，信息可以被記錄，但另一方面，可同時(shí)用激光擦去以前記錄的信息。
用于在相變記錄介質(zhì)中記錄信息的記錄激光脈沖的典型波形是由激光二極管發(fā)射的單脈沖激光的波形，如圖17中所示，它是根據(jù)8-14調(diào)制代碼(即，EFM)產(chǎn)生的。從圖17所示的波形可以理解，記錄功率PWA被設(shè)定得高于讀出功率PR。當(dāng)具有這樣一個(gè)波形的脈沖被加到相變記錄介質(zhì)的時(shí)候，出現(xiàn)的問(wèn)題是，所得到的記錄標(biāo)記象淚滴一樣變形，因而不能獲得對(duì)于激光低反射率的標(biāo)記，這是由于記錄標(biāo)記低的冷卻速度使記錄層的非晶部分達(dá)到不完全非晶狀態(tài)。
為了解決這個(gè)問(wèn)題，提出了一種圖18所示的在相變記錄介質(zhì)中記錄信息的信息記錄方法。在圖18中所示的方法中，通過(guò)用激光照射記錄介質(zhì)，一個(gè)標(biāo)記形成在相變記錄介質(zhì)上，該激光具有多脈沖發(fā)射波和多級(jí)記錄功率，它由EFM代碼產(chǎn)生。
當(dāng)利用多脈沖激光串將標(biāo)記記錄在相變記錄介質(zhì)中的時(shí)候，多脈沖激光的對(duì)應(yīng)部分構(gòu)成如下第一加熱脈沖A，通過(guò)它，記錄介質(zhì)的記錄層被預(yù)熱到不低于熔點(diǎn)的溫度，多個(gè)加熱脈沖B，它們跟隨第一加熱脈沖A，通過(guò)它們，記錄層被進(jìn)一步加熱，多個(gè)冷卻脈沖，它們被安排在第一加熱脈沖A和加熱脈沖B的頂部之間以及多個(gè)加熱脈沖B之間，和末尾的冷卻脈沖C。用這種方法，下面的關(guān)系式被滿足PWB≥PWA≥PWCPR其中，PWB表示加熱脈沖B的發(fā)射功率，PWA表示第一加熱脈沖A的發(fā)射功率，PWC表示冷卻脈沖C的發(fā)射功率，和PR表示讀出功率。
當(dāng)擦去使用多脈沖激光串預(yù)先形成在相變記錄介質(zhì)中的標(biāo)記時(shí)，多脈沖激光串的對(duì)應(yīng)部分是由擦去脈沖D構(gòu)成。擦除脈沖D的發(fā)射功率PED調(diào)定得滿足下面關(guān)系式PWC＜PED＜PWA當(dāng)使用這個(gè)記錄方法時(shí)，由于加熱區(qū)被迅速冷卻，記錄層的標(biāo)記區(qū)到達(dá)非晶狀態(tài)，而由于空白區(qū)被加熱，然后逐漸冷卻而不是強(qiáng)制冷卻，所以空白區(qū)達(dá)到晶態(tài)，因此，在標(biāo)記(即非晶態(tài)中的區(qū)域)和空白(即晶態(tài)中的區(qū)域)之間有一個(gè)大的反射率差。
在光記錄介質(zhì)中記錄信息的方法分成標(biāo)記位置記錄方法(即，脈沖位置調(diào)制(Pulse Postion Modulation)PPM))和標(biāo)記邊緣記錄方法(即，脈沖寬度調(diào)制(Pulse Width Modulation)PWM)。最近，標(biāo)記邊緣記錄方法普遍被使用，因?yàn)樗苡糜诟呙芏扔涗?。?dāng)信息通過(guò)標(biāo)記邊緣記錄方法被記錄在相變記錄媒介中的時(shí)候，加熱脈沖一般具有的脈寬是0.5T，冷卻脈沖也具有0.5T的脈寬，其中T代表記錄信道時(shí)鐘周期。
即，使用具有多脈沖發(fā)射波形的激光將信息記錄在相變記錄介質(zhì)中，每當(dāng)記錄數(shù)據(jù)的標(biāo)記長(zhǎng)度(即，標(biāo)記數(shù)據(jù)長(zhǎng)度)增加T1的時(shí)候，就加進(jìn)一對(duì)加熱脈沖和冷卻脈沖。圖19是記錄波形的典型的例子。當(dāng)使用這種方法高速記錄的時(shí)候，記錄信道時(shí)鐘(T)以和線性記錄速度一樣的速度非常頻繁地出現(xiàn)，例如是兩倍或4倍的速度，而不改變記錄波形。
不過(guò)，隨著記錄速度增加，加熱脈沖和冷卻脈沖的寬度嚴(yán)重減小，因此不可能將記錄層加熱到加熱溫度(即，非晶溫度)和冷卻溫度(即，晶體溫度)，在這種情況下，記錄層可能改變相位，結(jié)果形成不完全標(biāo)記。因此，可能發(fā)生標(biāo)記不具有預(yù)定標(biāo)記長(zhǎng)度的問(wèn)題。
為了解決這個(gè)問(wèn)題，待審日本專利申請(qǐng)(以后稱為JP-A)9-134525號(hào)公開(kāi)了一種信息記錄方法，其中，具有所希望標(biāo)記長(zhǎng)度的記錄標(biāo)記通過(guò)在足以充分加熱和冷卻記錄層的時(shí)間內(nèi)，以高速加熱和冷卻記錄層而被記錄在一個(gè)記錄層中，而不是以高速驅(qū)動(dòng)一個(gè)光源驅(qū)動(dòng)器。具體地講，該記錄方法是，光源通過(guò)被多個(gè)后面的加熱脈沖跟隨的第一加熱脈沖，多個(gè)后面的冷卻脈沖，和最后一個(gè)冷卻脈沖來(lái)照射相變記錄層以便將標(biāo)記記錄其中，多個(gè)后面的冷卻脈沖是在第一加熱脈沖和后面的加熱脈沖的最前面的一個(gè)之間以及在多個(gè)后面的加熱脈沖之間發(fā)射的脈沖，其中，當(dāng)記錄具有標(biāo)記長(zhǎng)度nT的數(shù)據(jù)(n是奇數(shù)或偶數(shù)，T表示記錄信道時(shí)鐘周期)時(shí)，后面的加熱脈沖和后面的冷卻脈沖的脈沖寬度完全與記錄信道時(shí)鐘周期相同。
再者，具有GeSbTe記錄層的，其中信息通過(guò)公開(kāi)在JP-A 9-134525中的信息記錄方法，以4.8倍的DVD記錄速度被記錄在記錄層中的光記錄介質(zhì)被公開(kāi)在Optical Data Storage(ODS)2000 Technical Digest(pp.135-143)中。
不過(guò)，當(dāng)使用JP-A 9-134525中公開(kāi)的信息記錄方法，以4.8倍的DVD速度(即，以16.8m/s的速度)按照熔-擦方式將信息反復(fù)記錄在ODS 2000Technical Digest中公開(kāi)的光記錄介質(zhì)中的時(shí)候，記錄介質(zhì)的空白區(qū)不能很好地達(dá)到晶化狀態(tài)(即，空白區(qū)的一部分保持非晶狀態(tài))，這是因?yàn)橛涗浗橘|(zhì)的晶化速度不夠快，不足以和記錄速度匹配，即記錄介質(zhì)具有差的重復(fù)記錄特性。
為了解決這個(gè)問(wèn)題(即，避免空白區(qū)的非晶態(tài))，ODS 2000 TechnicalDigest公開(kāi)了一種反復(fù)進(jìn)行記錄的方法，其中擦去功率Pe被減少到記錄層不被熔化的功率。不過(guò)，使用該方法記錄的信息的記錄特性與按熔-擦方式記錄的信息的特性相比是劣質(zhì)的。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種光記錄介質(zhì)，信息可以以4到5倍的DVD-ROM重放速度(即，以14到17.5m/s的速度)和以等于或高于DVD-ROM記錄密度的記錄密度，以熔-擦方式反復(fù)地被記錄在它里面。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種信息記錄方法，用此方法，信息可以以高速被記錄在光記錄介質(zhì)中，并且所記錄的信息具有良好的記錄特性。
為了達(dá)到這個(gè)目的，本發(fā)明提供的信息記錄方法包括用具有記錄功率Pw的多脈沖激光串或具有擦除功率Pe的，能使相變記錄層可逆地達(dá)到晶態(tài)和非晶態(tài)的激光，照射光記錄介質(zhì)的相變記錄層，從而在記錄層中記錄一個(gè)具有長(zhǎng)度nT的標(biāo)記，其中n是一個(gè)3到14的整數(shù)，T表示時(shí)鐘周期。
其中多脈沖串的結(jié)構(gòu)是加熱脈沖和冷卻脈沖交替出現(xiàn)，當(dāng)n增加2的時(shí)候，加熱脈沖和冷卻脈沖的數(shù)目每一個(gè)都增加1，其中當(dāng)n是從6到14時(shí)，最后的加熱脈沖具有的脈沖寬度是從0.5T到0.9T，最后一個(gè)冷卻脈沖的脈沖寬度是0.7T到1.5T。
最好是，第一加熱脈沖的脈沖寬度是0.7T到1.3T，后面的加熱脈沖，即安排在第一加熱脈沖和最后一個(gè)加熱脈沖之間的脈沖的寬度是0.8T到1.4T。
當(dāng)n是3的時(shí)候，最好是第一加熱脈沖的寬度是從0.8T到1.4T，最后的冷卻脈沖的寬度是從1.1T到1.9T。
當(dāng)n是4時(shí)，最好是，第一加熱脈沖的寬度是0.6T到1.4T，最后的加熱脈沖寬度是從0.1T到0.8T，最后的冷卻脈沖的寬度是0.8T到1.7T。
當(dāng)n是5的時(shí)候，最好是第一加熱脈沖的寬度是從0.5T到1.6T，最后一個(gè)加熱脈沖的寬度是0.6T到1.2T，最后一個(gè)冷卻脈沖的寬度是0.7T到1.6T。
擦去功率(Pe)與記錄功率(Pw)的比(Pe/Pw)最好是0.4到0.7。
此外，最好是記錄層具有GeαGaβSbγTe100-α-β-γ的配方，其中α是原子百分?jǐn)?shù)單位中從1到5的一個(gè)數(shù)，β是原子百分?jǐn)?shù)單位中從1到5的一個(gè)數(shù)，γ是原子百分?jǐn)?shù)從70到81中的一個(gè)數(shù)。
進(jìn)一步，最好是，再晶化線速度的上限是從14m/s到20m/s，低于這個(gè)上限，用Pe功率的激光加熱的記錄層再晶化。
再者，最好是記錄層具有這樣的晶化特性，即當(dāng)以10℃/分鐘的加熱速度加熱的時(shí)候，在從160到210℃的溫度上晶化的特性。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種光記錄介質(zhì)，它包括一個(gè)襯底；一個(gè)與襯底疊置安排的記錄層，其中記錄層的配方是GeαGaβSbγTe100-α-β-γ，其中α是原子百分比單位中從1到5的一個(gè)數(shù)，β是原子百分比單位中從1到5的一個(gè)數(shù)，γ是原子百分比單位中從70到81中的一個(gè)數(shù)；反射層與記錄層疊置安排。
本發(fā)明的其它目的，特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的最佳實(shí)施例的描述將變得更明顯。
圖1是利用本發(fā)明的信息記錄方法的信息記錄/重放設(shè)備的第一實(shí)施例的方塊圖；圖2是信息記錄/重放設(shè)備的第一實(shí)施例中的多脈沖激光串的信道時(shí)鐘和波形的時(shí)序圖；圖3是圖表，表示將要被記錄的記錄標(biāo)記的標(biāo)記長(zhǎng)度和多脈沖激光串的第一加熱脈沖A，后面的冷卻脈沖C1-C6，后面的加熱脈沖B1-B5，最后的加熱脈沖Br，和最后的冷卻脈沖Cr；圖4是曲線圖，表示當(dāng)例1中具有一個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度6T到14T的記錄標(biāo)記被記錄時(shí)，最后的加熱脈沖Br的脈沖寬度(0.4到1.0T)和抖動(dòng)特性(σ/Tw)之間的關(guān)系曲線；圖5是曲線圖，表示當(dāng)例1中具有一個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度6T到14T的記錄標(biāo)記被記錄時(shí)，最后的冷卻脈沖Cr的脈沖寬度(0.6到1.4T)和抖動(dòng)特性(σ/Tw)之間的關(guān)系曲線；圖6是曲線圖，表示當(dāng)例1中具有標(biāo)記長(zhǎng)度6T到14T的記錄標(biāo)記被記錄的時(shí)候，后面的加熱脈沖B1-B5的脈沖寬度(0.7到1.5T)和抖動(dòng)特性(σ/Tw)之間的關(guān)系曲線；圖7是曲線圖，表示當(dāng)例1中具有一個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度6T到14T的記錄標(biāo)記被記錄的時(shí)候，第一加熱脈沖A的脈寬(0.6至1.4T)和抖動(dòng)特性(σ/Tw)之間的關(guān)系曲線；圖8是曲線圖，表示當(dāng)例1中具有一個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度3T的記錄標(biāo)記被記錄的時(shí)候，第一加熱脈沖A的脈沖寬度(0.7至1.5T)和抖動(dòng)特性(σ/Tw)之間的關(guān)系曲線；圖9是曲線圖，表示當(dāng)例1中具有一個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度3T的記錄標(biāo)記被記錄的時(shí)候，最后的冷卻脈沖Cr的脈寬(1.0至2.0T)和抖動(dòng)特性(σ/Tw)之間的關(guān)系；圖10是曲線圖，表示當(dāng)在例1中，具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的記錄標(biāo)記被記錄時(shí)，第一加熱脈沖A的脈沖寬度(0.5至1.5T)和抖動(dòng)特性(σ/Tw)之間的關(guān)系；圖11是一個(gè)曲線圖，表示當(dāng)例1中，具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的記錄標(biāo)記被記錄時(shí)，最后的加熱脈沖Br的脈寬(0.1至0.9T)和抖動(dòng)特性(σ/Tw)之間的關(guān)系；圖12是一個(gè)曲線圖，表示在例1中，具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的記錄標(biāo)記被記錄時(shí)，最后的冷卻脈沖Cr的脈沖寬度(0.7至1.8T)和抖動(dòng)特性(σ/Tw)之間的關(guān)系曲線；圖13是曲線圖，表示當(dāng)例1中具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的記錄標(biāo)記被記錄時(shí)，第一加熱脈沖A的脈沖寬度(0.4至1.7T)和抖動(dòng)特性(σ/Tw)之間的關(guān)系；圖14是曲線圖，表示當(dāng)例1中，具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的記錄標(biāo)記被記錄時(shí)，最后的冷卻脈沖Br的脈沖寬度(0.5至1.3T)和抖動(dòng)特性(σ/Tw)之間的關(guān)系；圖15是曲線圖，表示當(dāng)例1中具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的記錄標(biāo)記被記錄的時(shí)候，最后的冷卻脈沖Cr的脈沖寬度(0.6至1.7T)和抖動(dòng)特性(σ/Tw)之間的關(guān)系；圖16是曲線圖，表示當(dāng)記錄重復(fù)進(jìn)行時(shí)，擦去功率(Pe)對(duì)記錄功率(Pw)的比Pe/Pw和抖動(dòng)特性之間的關(guān)系；圖17是圖解，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的標(biāo)記被記錄在相變記錄介質(zhì)中的時(shí)候，在傳統(tǒng)的單脈沖光記錄中使用的脈沖的典型波形；圖18是圖解，表示當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的標(biāo)記被形成在相變記錄介質(zhì)上的時(shí)候，傳統(tǒng)的多脈沖記錄中使用的多脈沖激光串的典型波形，其中激光具有多級(jí)記錄功率，并根據(jù)EFM代碼產(chǎn)生；和圖19是圖解，它是多脈沖激光串的波形的典型例子，每當(dāng)記錄數(shù)據(jù)的標(biāo)記長(zhǎng)度增加1T，就有一對(duì)加熱脈沖和冷卻脈沖被加入到該多脈沖激光串中。
具體實(shí)施例方式
圖1是利用本發(fā)明的信息記錄方法的信息記錄/重放設(shè)備的第一實(shí)施例的方塊圖。圖2是在信息記錄/重放設(shè)備的第一實(shí)施例中的多脈沖激光串的信道時(shí)鐘和波形的時(shí)序圖。這個(gè)信息記錄/重放設(shè)備在相變記錄介質(zhì)中記錄(即，重寫(xiě))信息并重放所記錄的信息。該設(shè)備利用EFM代碼執(zhí)行標(biāo)記邊緣記錄(即，PWM)。
該信息記錄/重放設(shè)備包括數(shù)字電路(未示出)，它用作光強(qiáng)度控制設(shè)備；激光二極管驅(qū)動(dòng)電路；激光二極管LD，用作光度頭(optical head)的光源；主軸電動(dòng)機(jī)，用于旋轉(zhuǎn)相變記錄介質(zhì)；光度頭；和光學(xué)系統(tǒng)。
當(dāng)進(jìn)行記錄時(shí)，數(shù)字電路根據(jù)EFM數(shù)據(jù)產(chǎn)生脈沖控制信號(hào)。激光二極管驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)脈沖控制信號(hào)產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流以驅(qū)動(dòng)激光二極管LD。因此，將發(fā)射具有圖2所示波形的多脈沖激光。光度頭用光學(xué)系統(tǒng)激光二極管LD發(fā)射的多脈沖激光串照射被主軸電動(dòng)機(jī)旋轉(zhuǎn)的相變記錄介質(zhì)。因此，記錄標(biāo)記形成在相變記錄介質(zhì)的記錄層中，結(jié)果在光記錄介質(zhì)中記錄了信息。
激光二極管LD發(fā)射的多脈沖激光構(gòu)成如下第一加熱脈沖A，跟隨它的是一個(gè)或多個(gè)后面的加熱脈沖B(B1，B2，......和B5，按照從最前面一個(gè)到最后一個(gè)的次序)；一個(gè)跟隨后面的加熱脈沖B的最后的加熱脈沖Br；一個(gè)或多個(gè)后面的冷卻脈沖C(C1，C2，......和C6，按照從最前面一個(gè)到最后一個(gè)的次序)，它們被安排在第一加熱脈沖A和后面的加熱脈沖B的最前面一個(gè)之間，安排在多個(gè)后面的加熱脈沖B之間，和安排在多個(gè)后面的加熱脈沖B的最后一個(gè)和最后的加熱脈沖Br之間；和最后的冷卻脈沖Cr。
當(dāng)記錄被執(zhí)行的時(shí)候(即，具有不同標(biāo)記長(zhǎng)度的記錄標(biāo)記被記錄)，由激光二極管LD發(fā)射的多脈沖激光如下所述。
如圖2所示，具有最短標(biāo)記長(zhǎng)度3T(T是記錄信道時(shí)鐘的周期)的標(biāo)記長(zhǎng)度的記錄標(biāo)記通過(guò)多脈沖激光照射而被記錄，該多脈沖激光是由第一加熱脈沖A和最后冷卻脈沖Cr構(gòu)成的。具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T或5T的記錄標(biāo)記通過(guò)多脈沖激光的照射而被記錄，該多脈沖激光是由第一加熱脈沖A，一個(gè)后面的冷卻脈沖C1，一個(gè)最后加熱脈沖Br和一個(gè)最后冷卻脈沖Cr按上述順序構(gòu)成的。
一個(gè)具有標(biāo)記長(zhǎng)度6T或7T的記錄標(biāo)記通過(guò)多脈沖激光照射而被記錄，該多脈沖激光是由第一加熱脈沖A，一個(gè)后面的冷卻脈沖C1，一個(gè)后面的加熱脈沖B1，一個(gè)后面的冷卻脈沖C2，一個(gè)最后加熱脈沖Br和一個(gè)最后冷卻脈沖Cr，按上述順序構(gòu)成的。
一個(gè)具有標(biāo)記長(zhǎng)度8T或9T的記錄標(biāo)記通過(guò)多脈沖激光照射而被記錄，該多脈沖激光是由第一加熱脈沖A，一個(gè)后面的冷卻脈沖C1，一個(gè)后面的加熱脈沖B1，一個(gè)后面的冷卻脈沖C2，一個(gè)后面的加熱脈沖B2，一個(gè)后面的冷卻脈沖C3，一個(gè)最后加熱脈沖Br和一個(gè)最后冷卻脈沖Cr，按上述順序構(gòu)成的。
一個(gè)具有標(biāo)記長(zhǎng)度10T或11T的記錄標(biāo)記通過(guò)多脈沖激光照射而被記錄，該多脈沖激光是由第一加熱脈沖A，一個(gè)后面的冷卻脈沖C1，一個(gè)后面的加熱脈沖B1，一個(gè)后面的冷卻脈沖C2，一個(gè)后面的加熱脈沖B2，一個(gè)后面的冷卻脈沖C3，一個(gè)后面的加熱脈沖B3，一個(gè)后面的冷卻脈沖C4，一個(gè)最后的加熱脈沖Br和一個(gè)最后的冷卻脈沖Cr，按如上順序構(gòu)成的。
一個(gè)具有標(biāo)記長(zhǎng)度14T的記錄標(biāo)記通過(guò)多脈沖激光照射而被記錄，該多脈沖激光是由第一加熱脈沖A，一個(gè)后面的冷卻脈沖C1，一個(gè)后面的加熱脈沖B1，一個(gè)后面的冷卻脈沖C2，一個(gè)后面的加熱脈沖B2，一個(gè)后面的冷卻脈沖C3，一個(gè)后面的加熱脈沖B3，一個(gè)后面的冷卻脈沖C4，一個(gè)后面的加熱脈沖B4，一個(gè)后面的冷卻脈沖C5，一個(gè)后面的加熱脈沖B5，一個(gè)后面的冷卻脈沖C6，一個(gè)最后加熱脈沖Br和一個(gè)最后的冷卻脈沖Cr，按如上順序構(gòu)成的。
因此，當(dāng)標(biāo)記長(zhǎng)度增加2T的時(shí)候，一個(gè)加熱脈沖和一個(gè)冷卻脈沖被增加。再者，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度6T到14T的記錄標(biāo)記被記錄的時(shí)候，最后的加熱脈沖Br最好具有脈寬0.5T到0.9T，最后的冷卻脈沖Cr的脈寬最好是0.7T到1.3T。
如圖1所示，將對(duì)應(yīng)于第一加熱脈沖A和后面的加熱脈沖B的發(fā)射功率的恒定電流從激光二極管驅(qū)動(dòng)電路中的電流產(chǎn)生器PW1應(yīng)用到到極光二極管LD上的。類似地，電流產(chǎn)生器PW2和PW3分別把對(duì)應(yīng)于冷卻脈沖C和擦去脈沖D的發(fā)射功率的恒定電流加到激光二極管LD。
光強(qiáng)度控制器(未示出)根據(jù)EFM數(shù)據(jù)產(chǎn)生A和B脈沖控制信號(hào)，C脈沖控制信號(hào)，和D脈沖控制信號(hào)。開(kāi)關(guān)元件11，12和13根據(jù)光強(qiáng)度控制器產(chǎn)生的A和B脈沖控制信號(hào)，C脈沖控制信號(hào)和B脈沖控制信號(hào)接通或關(guān)斷電流產(chǎn)生器PW1，PW2和PW3，從而激光二極管LD發(fā)射如圖2所示的多脈沖激光。
當(dāng)所記錄的信息被重放的時(shí)候，激光二極管驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)施加一個(gè)重放功率(即，讀出功率)使激光二極管LD發(fā)射激光。光度頭通過(guò)光學(xué)系統(tǒng)利用激光二極管發(fā)射的激光照射相變記錄介質(zhì)，同時(shí)將激光聚焦，以重放所記錄的信息。從相變記錄介質(zhì)反射的反射光通過(guò)光學(xué)系統(tǒng)由光接收元件接收，所接收的光經(jīng)光電處理，形成重放信號(hào)。
第一實(shí)施例的信息記錄/重放設(shè)備中使用的光記錄介質(zhì)具有這樣的結(jié)構(gòu)一個(gè)第一介電層，一個(gè)記錄層，一個(gè)第二介電層，一個(gè)第三介電層，一個(gè)反射/熱-釋放層(以后稱之為反射層)按如上的次序形成在一個(gè)襯底上。
用作襯底的材料的具體例子包括玻璃，陶瓷和樹(shù)脂。由于可塑性和成本低，在這些材料中，樹(shù)脂襯底最好。使用樹(shù)脂作襯底的具體例子有，聚碳酸酯樹(shù)脂，丙烯酸樹(shù)脂，環(huán)氧樹(shù)脂，聚苯乙烯樹(shù)脂，硅樹(shù)脂，含氟樹(shù)脂，ABS樹(shù)脂，尿烷樹(shù)脂，等等。在這些樹(shù)脂中，聚碳酸酯樹(shù)脂最好，因?yàn)樗哂辛己玫募庸ば阅芎凸鈱W(xué)特性。襯底的形狀，不限于盤(pán)狀，卡狀和片狀襯底也可以被使用。
例如，相變光記錄介質(zhì)的第一介電層通過(guò)濺射(ZnS)80(SiO2)20而被形成。第一介電層起耐熱保護(hù)層和光干涉層的作用。為了最大限度地實(shí)現(xiàn)這些作用，第一介電層最好具有20nm到250nm的厚度。當(dāng)?shù)谝唤殡妼犹〉臅r(shí)候，抗-熱保護(hù)層的作用難于實(shí)現(xiàn)。相反，如果第一介電層太厚，這一層就易于從襯底或相鄰層剝脫。
光記錄介質(zhì)的記錄層可以通過(guò)濺射一個(gè)合成的靶材料而形成，從而具有預(yù)定的配方。記錄層最好是厚10到30nm。如果記錄層太薄，光吸收能力差，從而記錄層的功能很難實(shí)現(xiàn)。相反，如果記錄層太厚，干涉作用變差，因?yàn)閭魉偷墓獾牧繙p少了。
相變光記錄介質(zhì)的第二介電層，例如，可以通過(guò)濺射(ZnS)80(SiO2)20形成。第二介電層最好具有10nm到40nm的厚度。如果第二介電層太薄，記錄敏感性和耐熱性變壞。相反，如果第二介電層太厚，熱便不容易放射(即，熱存儲(chǔ)在記錄介質(zhì)中)。
相變光記錄介質(zhì)的第三介電層，例如，可以通過(guò)濺射SiC形成。第三介電層最好具有一個(gè)2nm到20nm的厚度。如果第三介電層太薄，記錄介質(zhì)的保存特性變壞，因?yàn)楫?dāng)Ag用在反射層中時(shí)，Ag2S易于產(chǎn)生。相反，如果第三介電層太厚，記錄特性變壞。
反射層，例如，通過(guò)濺射銀合金形成。反射層最好具有30nm到250nm的厚度。當(dāng)反射層太厚，記錄敏感性變壞，因?yàn)榉瓷鋵泳哂袠O好的熱釋放效率。相反，如果反射層太薄，雖然記錄敏感性是好的，可是重寫(xiě)特性變壞。
現(xiàn)在解釋利用本發(fā)明信息記錄方法的信息記錄/重現(xiàn)設(shè)備的第一實(shí)施例。
在第一實(shí)施例中，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度6T到14T的記錄標(biāo)記被記錄的時(shí)候，最后的加熱脈沖Br的脈沖寬度是0.5T到0.9T，最后的冷卻脈沖的脈沖寬度是0.7T到1.3T。通過(guò)控制脈沖寬度，即使進(jìn)行高速記錄的時(shí)候，所得到的記錄標(biāo)記也具有一個(gè)清晰的后沿，結(jié)果就減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
然后，解釋信息記錄/重放設(shè)備的第二實(shí)施例。在第二實(shí)施例中，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度6T到14T的記錄標(biāo)記被記錄的時(shí)候，在上述第一實(shí)施例中所述的脈沖條件下，后面的加熱脈沖B的脈沖寬度是0.8T到1.4T，第一加熱脈沖A的脈沖寬度是0.7T到1.3T。
因?yàn)榫哂袠?biāo)記長(zhǎng)度6T到14T的標(biāo)記是通過(guò)具有上述脈寬的后面的加熱脈沖B照射而形成的，所得到的記錄標(biāo)記就具有清楚的形狀而不變窄。這是因?yàn)?，即使在進(jìn)行高速記錄的時(shí)候，具有這樣一個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度的記錄標(biāo)記的中心部分是使用具有寬的脈沖寬度的后面的加熱脈沖來(lái)記錄的。
再者，由于第一加熱脈沖A具有如上所述的脈沖寬度，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度6T到14T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，即使是高速記錄情況下，合成的記錄標(biāo)記也具有一個(gè)清楚的前沿，結(jié)果就減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
現(xiàn)在解釋第三個(gè)實(shí)施例。在第三實(shí)施例中，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度3T的記錄標(biāo)記被記錄的時(shí)候，在第一和第二實(shí)施例中所述脈沖條件下，第一加熱脈沖A的脈沖寬度是從0.8T到1.4T，最后的冷卻脈沖Cr的脈沖寬度是1.1T到1.9T。
因?yàn)楫?dāng)具有3T的標(biāo)記長(zhǎng)度的標(biāo)記被形成的時(shí)候第一加熱脈沖A具有如上所述的脈沖寬度，即使在高速記錄中所得到的記錄標(biāo)記也具有一個(gè)清楚的前沿，結(jié)果就減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
再者，因?yàn)楫?dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度3T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，最后的冷卻脈沖Cr具有如上所述的一個(gè)脈沖寬度，即使在高速記錄中所得到的記錄標(biāo)記也具有一個(gè)清楚的后沿，結(jié)果就減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
現(xiàn)在解釋第4實(shí)施例。在第4實(shí)施例中，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的記錄標(biāo)記被記錄的時(shí)候，在第一，第二和第三實(shí)施例所述脈沖條件下，第一加熱脈沖A的脈沖寬度是0.6T到1.4T，最后的加熱脈沖Br的脈沖寬度是從0.1T到0.8T，最后的冷卻脈沖Cr的脈沖寬度是從0.8T到1.7T。
因?yàn)?，即使?dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的標(biāo)記被形成的時(shí)候第一加熱脈沖A具有如上所述的脈沖寬度，即使在高速記錄中所得到的記錄標(biāo)記也具有清楚的前沿，結(jié)果就減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
再者，因?yàn)楫?dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，最后的加熱脈沖Br具有如上所述的脈沖寬度，即使在高速記錄中所得到的記錄標(biāo)記也具有一個(gè)清楚的后沿，結(jié)果就減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
再者，因?yàn)楫?dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的標(biāo)記被記錄時(shí)最后的冷卻脈沖Cr具有如上所述的脈沖寬度，即使在高速記錄中所得到的記錄標(biāo)記也具有清楚的后沿，結(jié)果就減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
現(xiàn)在解釋第五實(shí)施例。在第五實(shí)施例中，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的記錄標(biāo)記被記錄的時(shí)候，在第一，第二，第三和第四實(shí)施例所述脈沖條件下，第一加熱脈沖A的脈沖寬度是從0.5T到1.6T，最后的加熱脈沖Br的脈沖寬度是從0.6T到1.2T，最后的冷卻脈沖Cr的脈沖寬度是從0.7T到1.6T。
因?yàn)楫?dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的標(biāo)記被形成時(shí)，第一加熱脈沖A具有如上所述的脈沖寬度，即使在高速記錄中所得到的記錄標(biāo)記也具有一個(gè)清楚的前沿，結(jié)果就減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
再者，因?yàn)楫?dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的標(biāo)記被記錄時(shí)，最后的加熱脈沖Br具有如上所述的脈沖寬度，即使在高速記錄中所得到的記錄標(biāo)記也具有一個(gè)清楚的后沿，結(jié)果就減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
再者，因?yàn)楫?dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的標(biāo)記被記錄時(shí)最后的冷卻脈沖Cr具有如上所述的脈沖寬度，即使在高速記錄中所得到的記錄標(biāo)記也具有一個(gè)清楚的后沿，結(jié)果就減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
現(xiàn)在解釋第六實(shí)施例。在第六實(shí)施例中，除去上述在第一至第五實(shí)施例中的記錄條件以外，擦去功率(Pe)與記錄功率(Pw)的比(Pe/Pw)被設(shè)定為0.4到0.7。
因?yàn)橛涗?擦去被執(zhí)行而設(shè)定擦去功率和記錄功率滿足上述的比值，即使當(dāng)記錄反復(fù)被執(zhí)行的時(shí)候所得到的標(biāo)記也具有清楚的邊緣，結(jié)果就減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
現(xiàn)在解釋第七實(shí)施例。在第七實(shí)施例中，除在第六實(shí)施例中所述的記錄條件以外，光記錄介質(zhì)的記錄層具有GeαGaβSbγTe100-α-β-γ的配方，其中α是原子百分比單位中從1到5的一個(gè)數(shù)，β是原子百分比單位中從1到5的一個(gè)數(shù)，γ是原子百分比單位中從70到81中的一個(gè)數(shù)。
因?yàn)橛涗泴泳哂猩鲜鲞@樣的配方，即使在從14到17.5m/s的高速記錄中，信息也能夠以熔-擦方式被反復(fù)記錄。在這種情況下，重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)被減少了。
現(xiàn)在解釋第八實(shí)施例。在第八實(shí)施例中，上限再結(jié)晶線速度是從14m/s到20m/s，在這個(gè)速度以下，被具有擦去功率Pe的激光加熱的記錄層再結(jié)晶。
因?yàn)橛涗泴泳哂羞@種特性，即使在從14到17.5m/s的高記錄速度中，即在4到5倍的DVD-ROM的重現(xiàn)速度中，信息也可以被很好地記錄。
現(xiàn)在解釋第九實(shí)施例。在第九實(shí)施例中，光記錄介質(zhì)的記錄層具有這樣的特性，即當(dāng)其在按10℃/m的加熱速度被加熱的時(shí)候，在從160到210℃的溫度的晶化特性。
因?yàn)橛涗泴泳哂羞@樣的特性，即使在高記錄速度14-17.5m/s，即，在4到5倍的DVD-ROM的重放速度上，信息也可以被很好地記錄。
現(xiàn)在解釋本發(fā)明的第十實(shí)施例。在第十實(shí)施例中，第一介電層的厚度是20nm到250nm。記錄層的厚度是從10nm到30nm；第二介電層的厚度是從10nm到40nm，第三介電層的厚度是從2nm到20nm；反射層的厚度是從30nm到250nm。
當(dāng)每一層具有如上所述的這樣一個(gè)厚度的時(shí)候，即使在高速情況下，信息也可以被很好地記錄。
已經(jīng)一般性地描述了本發(fā)明，進(jìn)一步地理解可以參考某些具體的例子，提供這些例子的目的僅僅是為了解釋而不是限制本發(fā)明。
舉例例1在信息記錄/重現(xiàn)設(shè)備的第一實(shí)施例中，通過(guò)使用如圖2和圖3所示波形的激光，記錄數(shù)據(jù)被記錄在相變記錄介質(zhì)中。即使當(dāng)記錄信道時(shí)鐘是高頻的時(shí)候，所得到的標(biāo)記也具有一個(gè)預(yù)定的標(biāo)記長(zhǎng)度。
當(dāng)具有最短的標(biāo)記長(zhǎng)度3T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，由一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的第一加熱脈沖和一個(gè)具有脈沖寬度1.4T的最后冷卻脈沖Cr構(gòu)成的多脈沖激光照射光記錄介質(zhì)。
當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，由一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的第一加熱脈沖A，一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的后面的冷卻脈沖C1，一個(gè)具有脈沖寬度0.5T的最后的加熱脈沖Br和一個(gè)具有脈沖寬度1.3T的最后冷卻脈沖Cr構(gòu)成的多脈沖激光照射光記錄介質(zhì)。
當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，由一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的第一加熱脈沖A，一個(gè)具有脈沖寬度1.5T的后面的冷卻脈沖C1，一個(gè)具有脈沖寬度0.9T的最后加熱脈沖Br和一個(gè)具有脈沖寬度1.1T的最后冷卻脈沖Cr構(gòu)成的多脈沖激光照射光記錄介質(zhì)。
當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度6T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，由一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的第一加熱脈沖A，具有脈沖寬度1.0T的后面的冷卻脈沖C1和C2，具有脈沖寬度1.0T的后面的加熱脈沖B1，具有脈沖寬度0.7T的最后的加熱脈沖Br和具有脈沖寬度1.0T的最后的冷卻脈沖Cr構(gòu)成的多脈沖激光照射光記錄介質(zhì)。
當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度7T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，由一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的第一加熱脈沖，一個(gè)具有脈沖寬度1.5T的后面的冷卻脈沖C1，一個(gè)具有脈沖寬度1.3T的后面的冷卻脈沖C2，一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的后面的加熱脈沖B1，一個(gè)具有脈沖寬度0.7T的最后加熱脈沖Br，和一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的最后冷卻脈沖Cr構(gòu)成的多脈沖激光照射光記錄介質(zhì)。
當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度8T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，一個(gè)由具有脈沖寬度1.0T的第一加熱脈沖A，具有脈沖寬度1.0T的后面的冷卻脈沖C1，C2和C3，每個(gè)都具有脈沖寬度1.0T的后面的加熱脈沖B1和B2，一個(gè)具有脈沖寬度0.7T的最后的加熱脈沖Br和一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的最后冷卻脈沖Cr構(gòu)成的多脈沖激光照射光記錄介質(zhì)。
當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度9T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，由一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的第一加熱脈沖，一個(gè)具有脈沖寬度1.5T的后面的冷卻脈沖C1，一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的后面的冷卻脈沖C2，一個(gè)具有脈沖寬度1.3T的后面的冷卻脈沖C3，每個(gè)都具有脈沖寬度1.0T的后面的加熱脈沖B1和B2，一個(gè)具有脈沖寬度0.7T的最后加熱脈沖Br，和一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的最后的冷卻脈沖Cr構(gòu)成的多脈沖激光照射光記錄介質(zhì)。
當(dāng)一個(gè)具有標(biāo)記長(zhǎng)度10T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，由一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的第一加熱脈沖A，具有脈沖寬度1.0T的后面的冷卻脈沖C1，C2，C3和C4，具有脈沖寬度1.0T的后面的加熱脈沖B1，B2和B3，一個(gè)具有脈沖寬度0.7T的最后加熱脈沖Br，和一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的最后的冷卻脈沖Cr構(gòu)成的多脈沖激光照射光記錄介質(zhì)。
當(dāng)一個(gè)具有標(biāo)記長(zhǎng)度11T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，由具有脈沖寬度1.0T的第一加熱脈沖A，一個(gè)具有脈沖寬度1.5T的后面的冷卻脈沖C1，每個(gè)都具有脈沖寬度1.0T的后面的冷卻脈沖C2和C3，一個(gè)具有脈沖寬度1.3T的后面的冷卻脈沖C4，每個(gè)都具有脈沖寬度1.0T的后面的加熱脈沖B1，B2和B3，一個(gè)具有脈沖寬度0.7T的最后的加熱脈沖Br，和一個(gè)具有脈沖寬度1.0T的最后冷卻脈沖Cr構(gòu)成的多脈沖激光照射光記錄介質(zhì)。
當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度14T的一個(gè)標(biāo)記被記錄的時(shí)候，由具有脈沖寬度1.0T的第一加熱脈沖A，每個(gè)都具有脈沖寬度1.0T的后面的冷卻脈沖C1，C2，C3，C4，C5和C6，每個(gè)都具有脈沖寬度1.0T的后面的加熱脈沖B1，B2，B3，B4和B5，具有脈沖寬度0.7T的最后加熱脈沖Br，和具有脈沖寬度1.0T的最后冷卻脈沖Cr構(gòu)成的多脈沖激光照射光記錄介質(zhì)。
在例1中使用的光記錄介質(zhì)具有這樣的結(jié)構(gòu)，即通過(guò)DVD-ROM的信息重現(xiàn)方法，在記錄介質(zhì)中記錄的信息也可被重現(xiàn)。
現(xiàn)在解釋制造光記錄介質(zhì)的方法。直徑12cm，厚0.6mm的聚碳酸酯盤(pán)襯底用作襯底。再者，一個(gè)深度0.74μm的槽預(yù)先形成在襯底上。聚碳酸酯襯底經(jīng)受高溫干燥處理。通過(guò)濺射一個(gè)第一介電層，一個(gè)記錄層，一個(gè)第二介電層，第三介電層和一個(gè)反射層按如上順序疊置在襯底上。
當(dāng)?shù)谝唤殡妼颖恍纬傻臅r(shí)候，材料ZnS-SiO2被用作靶。所得到的第一介電層的厚度是180nm。
當(dāng)合金Ge3Ga5Sb75Te17(原子百分比)被用作靶的時(shí)候，記錄層被形成。在氬氣壓力3×10-3Torr和RF功率300mW的條件下進(jìn)行濺射。記錄層的厚度是20nm。
當(dāng)材料ZnS-SiO2被用作靶子的時(shí)候，第二介電材料被形成，第二介電層的厚度是20nm。
當(dāng)材料SiC用作靶的時(shí)候，第三介電層被形成。第三介電層的厚度是6nm。
當(dāng)銀合金用作靶的時(shí)候反射層被形成。反射層的厚度是120nm。
再者，通過(guò)用旋涂器涂覆紫外線-交聯(lián)丙烯酸樹(shù)脂，有機(jī)保護(hù)層形成在反射層上面，從而具有5到10μm的厚度。丙烯酸樹(shù)脂通過(guò)紫外線被交聯(lián)。
再者，另一個(gè)具有直徑12cm，厚0.6mm的聚碳酸酯盤(pán)使用粘合劑片被粘合。這樣，所制造的光記錄介質(zhì)的記錄層就暴露于激光，開(kāi)始被晶化。
在例1中，一個(gè)發(fā)射具有波長(zhǎng)660nm和0.65NA(透鏡的數(shù)字孔徑)的激光的拾波器被用于重現(xiàn)所記錄的信息。使用脈沖調(diào)制方法進(jìn)行記錄。所使用的調(diào)制方法是EFM方法(即，8-16調(diào)制)。擦去功率(Pe)對(duì)記錄功率(Pw)的比(Pe/Pw)是0.5。擦去功率是0.7mW。記錄和重寫(xiě)以線密度0.267μm/bit執(zhí)行。抖動(dòng)σ由測(cè)量“時(shí)鐘數(shù)據(jù)”確定。即，抖動(dòng)是通過(guò)測(cè)量重現(xiàn)信號(hào)(即，數(shù)據(jù))與標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘周期T(即，時(shí)鐘)的偏差而被確定。記錄速度和重現(xiàn)速度分別是17.5m/s和3.5m/s。
結(jié)果，一個(gè)好的結(jié)果被獲得σ/Tw值，即通過(guò)窗口寬度Tw標(biāo)準(zhǔn)化的數(shù)據(jù)對(duì)時(shí)鐘抖動(dòng)σ具有10％的串?dāng)_(例如，當(dāng)信號(hào)在一個(gè)軌道上被估值時(shí)，在其鄰近軌道已經(jīng)被記錄)。再者，重現(xiàn)信號(hào)的調(diào)制率和光記錄介質(zhì)的反射率是65％和18.5％。調(diào)制率被確定為信號(hào)寬度(I14)與最長(zhǎng)標(biāo)記14T的最前面的信號(hào)強(qiáng)度(I14top)的比(I14/I14top)。進(jìn)而，即使在重寫(xiě)進(jìn)行1000次以后，標(biāo)準(zhǔn)化的抖動(dòng)(σ/Tw)還是11％，即抖動(dòng)的增加可以被防止。
再者，當(dāng)記錄以低于17.5m/s的速度進(jìn)行時(shí)，可以獲得好的結(jié)果。
比較例1利用信息記錄/重現(xiàn)設(shè)備以17.5m/s的速度來(lái)記錄信息，該設(shè)備應(yīng)用如圖19中所示的多脈沖激光，當(dāng)標(biāo)記長(zhǎng)度增加1T(以后稱為1T策略)的時(shí)候，一對(duì)加熱脈沖和冷卻脈沖被加入其中。
結(jié)果，初始抖動(dòng)σ/Tw和調(diào)制率分別是15％和30％。此外，重寫(xiě)不被執(zhí)行。
目前，在光記錄介質(zhì)的表面測(cè)得的功率的上限是15mW，在這個(gè)功率上，激光二極管可穩(wěn)定地發(fā)射波長(zhǎng)660nm的光。當(dāng)在光記錄介質(zhì)上以17.5m/s的高速，使用660nm激光和1T策略進(jìn)行記錄的時(shí)候，光記錄介質(zhì)不能充分被加熱或冷卻(即，功率不夠)。因此，調(diào)制率減少和抖動(dòng)變壞。
相反，即使當(dāng)660nm的激光二極管被使用，使用例1中的方法，其中具有如圖2中所示的波長(zhǎng)的激光進(jìn)行照射，對(duì)應(yīng)于標(biāo)記的前沿和后沿的激光脈沖的波長(zhǎng)較寬，從而使重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)被減少，調(diào)制率可以被增加。
例2除了當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度從6T到14T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候最后的加熱脈沖Br的波長(zhǎng)從0.4T變到1.0T，例1中的記錄和重現(xiàn)過(guò)程被重復(fù)。結(jié)果(σ/Tw)如圖4中所示。從圖4可以理解，當(dāng)最后的加熱脈沖Br的脈沖寬度是從0.5T到0.9T時(shí)，抖動(dòng)(σ/Tw)不大于14％。相反，當(dāng)最后的加熱脈沖Br小于0.5T或大于0.9T的時(shí)候，所得到的標(biāo)記的后沿變得不清楚，結(jié)果抖動(dòng)變壞。
因此，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度6T到14T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，最后的加熱脈沖Br的脈沖寬度被設(shè)定為0.5T到0.9T，以便形成具有清楚后沿的標(biāo)記，結(jié)果，重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)減少了。
例3除了當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度6T到14T的標(biāo)記被記錄時(shí)最后的冷卻脈沖Cr的波長(zhǎng)從0.6T變到1.4T外，重復(fù)例1中的記錄和重現(xiàn)過(guò)程。結(jié)果(σ/Tw)示于圖5中。從圖5可以理解，當(dāng)最后的冷卻脈沖Cr的脈沖寬度是從0.7T到1.3T時(shí)候，抖動(dòng)(σ/Tw)不大于14％。相反，當(dāng)最后的冷卻脈沖Cr小于0.7T或大于1.3T時(shí)，所得標(biāo)記的后沿變得不清楚，結(jié)果是，抖動(dòng)變壞。
因此，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度從6T到14T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，最后冷卻脈沖Cr的脈沖寬度被設(shè)定到0.7T到1.3T，以便形成具有清楚后沿的標(biāo)記，結(jié)果重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)減少。
例4除了當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度從6T到14T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候后面的加熱脈沖B1到B5的波長(zhǎng)從0.7T變到1.5T，例1中的記錄和重現(xiàn)過(guò)程被重復(fù)。結(jié)果(σ/Tw)示于圖6中。從圖6可以理解，當(dāng)后面的加熱脈沖B1到B5的脈沖寬度是從0.8T到1.4T的時(shí)候，抖動(dòng)(σ/Tw)不大于14％。相反，當(dāng)后面的加熱脈沖B1到B5的脈沖寬度小于0.8T的時(shí)候，由于功率不足，所得到的標(biāo)記變窄，結(jié)果是，抖動(dòng)變壞。
相反，當(dāng)后面的加熱脈沖B1到B5的脈沖寬度大于1.4T的時(shí)候，由于冷卻時(shí)間不足所得到的標(biāo)記變窄，結(jié)果是，抖動(dòng)變壞。
因此，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度從6T到14T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，后面的加熱脈沖B1到B5的脈沖寬度被設(shè)定為0.8T到1.4T，以防止記錄標(biāo)記變窄，結(jié)果是，重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)減少。
例5除了當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度從6T到14T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候第一加熱脈沖A的波長(zhǎng)從0.6T變到1.4T外，重復(fù)在例1中的記錄和重現(xiàn)的過(guò)程。結(jié)果(σ/Tw)被示于圖7中。從圖7可以知道，當(dāng)?shù)谝患訜崦}沖A的脈沖寬度是從0.7T到1.3T時(shí)候，抖動(dòng)(σ/Tw)不大于14％。相反，當(dāng)?shù)谝患訜崦}沖A的脈沖寬度小于0.7T時(shí)，由于功率不足，所得到的標(biāo)記的前沿變窄，結(jié)果是抖動(dòng)變壞，當(dāng)?shù)谝患訜崦}沖A的脈沖寬度大于1.3T的時(shí)候，由于冷卻時(shí)間不夠，所得到的標(biāo)記的前沿變窄，抖動(dòng)變壞。
因此，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度從6T到14T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，第一加熱脈沖A的脈沖寬度被設(shè)定為0.7T到1.3T，以防止標(biāo)記的前沿變窄，結(jié)果是，重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)減少。
例6除了當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度3T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候第一加熱脈沖A的波長(zhǎng)從0.7T變到1.5T外，重復(fù)在例1中的記錄和重現(xiàn)過(guò)程。結(jié)果(σ/Tw)示于圖8中。從圖8可以知道，當(dāng)?shù)谝患訜崦}沖A的脈沖寬度是從0.8T到1.4T的時(shí)候，抖動(dòng)(σ/Tw)不大于14％。相反，當(dāng)?shù)谝患訜崦}沖A的脈沖寬度小于0.8T，由于功率不足，所得到的標(biāo)記的前沿變窄，結(jié)果是抖動(dòng)變壞，當(dāng)?shù)谝患訜崦}沖A的脈沖寬度大于1.5T的時(shí)候，由于冷卻時(shí)間不足所得到的標(biāo)記的前沿變窄，結(jié)果是，抖動(dòng)變壞。
因此，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度3T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，第一加熱脈沖A的脈沖寬度被設(shè)定為0.8T到1.4T，以防止標(biāo)記的前沿變窄，結(jié)果是重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)減少。
例7除了當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度3T的標(biāo)記被記錄時(shí)最后的冷卻脈沖Cr的波長(zhǎng)從1.0T變到2.0T外，重復(fù)在例1中的記錄和重現(xiàn)過(guò)程。結(jié)果(σ/Tw)示于圖9。從圖9可以知道，當(dāng)最后冷卻脈沖Cr的脈沖寬度是從1.1T到1.9T的時(shí)候，抖動(dòng)(σ/Tw)不大于14％。相反，當(dāng)最后的冷卻脈沖Cr的脈沖寬度小于1.1T或大于1.9T的時(shí)候，所得到的標(biāo)記具有不清楚的后沿，結(jié)果是抖動(dòng)變壞。
因此，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度3T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，最后的冷卻脈沖Cr的脈沖寬度被設(shè)定為從1.1T到1.9T，以便形成具有清楚后沿的標(biāo)記，結(jié)果就減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
例8除了當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候第一加熱脈沖A的波長(zhǎng)從0.5T變到1.5T外，重復(fù)在例1中記錄和重現(xiàn)過(guò)程。結(jié)果(σ/Tw)示于圖10中。從圖10可以知道，當(dāng)?shù)谝患訜崦}沖A的脈沖寬度是從0.6T到1.4T，抖動(dòng)(σ/Tw)不大于14％。相反，當(dāng)?shù)谝患訜崦}沖A的脈沖寬度小于0.6T，由于功率不足，所得標(biāo)記的前沿變窄，結(jié)果是抖動(dòng)變壞。當(dāng)?shù)谝患訜崦}沖A的脈沖寬度大于1.4T的時(shí)候，由于冷卻時(shí)間不足所得到的標(biāo)記的前沿變窄，結(jié)果是抖動(dòng)變壞。
因此，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，第一加熱脈沖A的脈沖寬度被設(shè)定為0.6T到1.4T，以防止標(biāo)記的前沿變窄，結(jié)果是，重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)減少了。
例9除了當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候最后的加熱脈沖的波長(zhǎng)從0.1T變到0.9T外，重復(fù)在例1中記錄和重現(xiàn)的過(guò)程。結(jié)果(σ/Tw)示于圖11中。從圖11可以知道，當(dāng)最后的加熱脈沖Br的脈沖寬度是從0.1T到0.8T的時(shí)候，抖動(dòng)(σ/Tw)不大于14％。相反，當(dāng)最后加熱脈沖Br的脈沖寬度小于0.1T或大于0.9T的時(shí)候，所得到的標(biāo)記具有不清楚的后沿，抖動(dòng)變壞。
因此，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，最后加熱脈沖Br的脈沖寬度被調(diào)到0.1T到0.8T，以形成具有清楚后沿的標(biāo)記，結(jié)果是重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)減少了。
例10除了當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候最后冷卻脈沖Cr的波長(zhǎng)從0.7T變到1.8T外，重復(fù)在例1中的記錄和重現(xiàn)的過(guò)程。結(jié)果(σ/Tw)示于圖12中。從圖12可以知道，當(dāng)最后的冷卻脈沖Cr的脈沖寬度從0.8T到1.7T的時(shí)候，抖動(dòng)(σ/Tw)不大于14％。相反，當(dāng)最后冷卻脈沖Cr的脈沖寬度小于0.8T或大于1.7T的時(shí)候，所得到的標(biāo)記具有不清楚的后沿，結(jié)果是抖動(dòng)變壞。
因此，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，最后的冷卻脈沖Cr的脈沖寬度被設(shè)定為從0.8T到1.7T，以形成具有清楚后沿的標(biāo)記，結(jié)果重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)減少了。
例11除了當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候第一加熱脈沖A的波形從0.4T變到1.7T外，重復(fù)在第一例子中的記錄和重現(xiàn)過(guò)程。結(jié)果(σ/Tw)示于圖13中。從圖13可以知道，當(dāng)?shù)谝患訜崦}沖A的脈沖寬度是從0.5T到1.6T，抖動(dòng)(σ/Tw)不大于14％。相反，當(dāng)?shù)谝患訜崦}沖A的脈沖寬度小于0.5T，由于功率不足所得到的標(biāo)記的前沿變窄，結(jié)果是抖動(dòng)變壞。當(dāng)?shù)谝患訜崦}沖A的脈沖寬度大于1.6T的時(shí)候，由于冷卻時(shí)間不足，所得到的標(biāo)記的前沿變窄，結(jié)果是抖動(dòng)變壞。
因此，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，第一加熱脈沖A的脈寬被設(shè)定為0.5T到1.6T，以防止標(biāo)記的前沿變窄，從而減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
例12除了當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候最后加熱脈沖Br的波長(zhǎng)從0.5T到1.3T外，重復(fù)在例1中記錄和重現(xiàn)的過(guò)程。結(jié)果(σ/Tw)示于圖14中。從圖14可以知道，當(dāng)最后的加熱脈沖Br的脈沖寬度是從0.6T到1.2T的時(shí)候，抖動(dòng)(σ/Tw)不大于14％。相反，當(dāng)最后加熱脈沖Br的脈沖寬度小于0.6T或大于1.2T的時(shí)候，所得到的標(biāo)記具有不清楚的后沿，結(jié)果抖動(dòng)變壞。
因此，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，最后加熱脈沖Br的脈沖寬度被設(shè)定到從0.6T到1.2T，以便形成具有清楚后沿的標(biāo)記，結(jié)果是減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
例13除了當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候最后的冷卻脈沖Cr的波長(zhǎng)從0.6T變到1.7T外，重復(fù)在例1中的記錄和重現(xiàn)過(guò)程。結(jié)果(σ/Tw)示于圖15。從圖15可以知道，當(dāng)最后的冷卻脈沖Cr的脈沖寬度是從0.7T到1.6T的時(shí)候，抖動(dòng)(σ/Tw)不大于14％。相反，當(dāng)最后的冷卻脈沖Cr的脈沖寬度小于0.7T或大于1.6T的時(shí)候，所得到的標(biāo)記具有不清楚的后沿，結(jié)果是抖動(dòng)變壞。
因此，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，最后冷卻脈沖Cr的脈沖寬度被設(shè)定為從0.7T到1.6T，以便形成具有清楚的后沿的標(biāo)記，結(jié)果是減少了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)。
例14除去擦去功率(Pe)與記錄功率(Pw)的比(Pe/Pw)變?yōu)?.3，0.4，0.5，0.6和0.7以外，重復(fù)在例1中的記錄和重現(xiàn)過(guò)程。在重復(fù)記錄以后的抖動(dòng)示于圖16中。從圖16可以知道，當(dāng)比(Pe/Pw)是0.4至0.7時(shí)，即使在記錄被重復(fù)1000次以后，抖動(dòng)(σ/Tw)也不大于10％。當(dāng)比率(Pe/Pw)是0.3的時(shí)候，抖動(dòng)，特別是初始抖動(dòng)劣于當(dāng)比率是0.4至0.7時(shí)的抖動(dòng)。特別是，當(dāng)記錄重復(fù)兩次的時(shí)候，抖動(dòng)嚴(yán)重增加，相反，如果比率(Pe/Pw)不小于0.8，則由于擦去功率太大，記錄層達(dá)到非晶態(tài)。
對(duì)下述的原因加以考慮，當(dāng)比率從0.4至0.7的時(shí)候，記錄層被熔化，然后再結(jié)晶(即，記錄按熔-擦方式進(jìn)行)，但是當(dāng)比率是0.3的時(shí)候，由于低的擦去功率記錄層不熔化，由此記錄層結(jié)晶而保持固態(tài)。即，在兩種情況下結(jié)晶方式是不同的，因此抖動(dòng)也是不同的。
因此，通過(guò)設(shè)定比(Pe/Pw)為0.4至0.7，即使在高速記錄中也可以形成具有清楚邊沿的標(biāo)記，結(jié)果是，即使在重復(fù)使用以后也減少了抖動(dòng)。
例15至22和比較例2至5除了記錄層的配方的變化如表1所示，重復(fù)例1中的光記錄介質(zhì)的制造過(guò)程。在下述條件下將信息反復(fù)記錄在所得到的記錄介質(zhì)中。
記錄線速度17.5m/s記錄功率Pw15mW(也就是，0.015W)擦去功率Pe8mW信息-記錄光記錄介質(zhì)的評(píng)估如下在溫度80℃和相對(duì)濕度85％的條件下每個(gè)信息-記錄的光記錄介質(zhì)安排在加熱室中300小時(shí)，以確定在保存試驗(yàn)以前和以后的抖動(dòng)(即，抖動(dòng)增加速率；所謂歸檔增加速率)。此外，測(cè)量每個(gè)記錄層的薄膜的結(jié)晶溫度和熔化點(diǎn)在溫度上升速度10℃/m上。
再者，估計(jì)可重復(fù)性(即，在抖動(dòng)不大于14％的情況下信息可以被記錄多少次)。結(jié)果示于表2中。
表1
表2
在例15到22和比較例2到5中，例1中的光記錄介質(zhì)的記錄層的配方被改變，當(dāng)在溫度上升速度10℃/m上進(jìn)行測(cè)量的時(shí)候記錄層的晶化溫度是170到230℃。
從表1和表2可以知道，光記錄介質(zhì)具有不低于5000次的好的可重復(fù)性，和好的抖動(dòng)特性(不大于1.3％的低抖動(dòng)增加速度，即，即使在保存實(shí)驗(yàn)以后抖動(dòng)幾乎不增加)。再者，記錄層的再晶化速度不低于14m/s。
再者，即使在低于17.5m/s的低速情況下，信息可以被很好地被記錄在例15到22的光記錄介質(zhì)中。
可是，由于Sb以原子百分比85的高含量包含在比較例2的光記錄介質(zhì)的記錄層中，光記錄介質(zhì)就具有較差的保存特性，和較差的可重復(fù)性。
由于Ga以原子百分比9的高含量被包含在比較例3的光記錄介質(zhì)的記錄層中，光記錄介質(zhì)的記錄層具有高晶化溫度230℃，由此，初始晶化不能在記錄層上執(zhí)行。
由于Ge以原子百分比10的高含量被包含在比較例4的光記錄介質(zhì)的記錄層中，晶化速度是低的，特別是，記錄層具有一個(gè)低的再-晶化速度12m/s。因此，當(dāng)以17.5m/s的速度進(jìn)行擦去的時(shí)候，一個(gè)非晶區(qū)保留在記錄層中，結(jié)果重復(fù)記錄特性變壞。
由于Ge不被包含在比較例5的光記錄介質(zhì)的記錄層中，記錄介質(zhì)具有差的可保存性。
因此，因?yàn)楫?dāng)以溫度上升速度10℃/m進(jìn)行測(cè)量的時(shí)候例15到22的光記錄介質(zhì)的晶化溫度是從160℃到210℃，容易進(jìn)行初始化，并且所得到的光記錄介質(zhì)具有好的保存特性。
本發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的信息記錄方法，通過(guò)控制最后的加熱脈沖和最后的冷卻脈沖的每一個(gè)的脈沖寬度使之進(jìn)入具體的范圍，即使在高的記錄速度下，具有清楚后沿的標(biāo)記可以被記錄，從而防止了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)的增加。
再者，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度從6T到14T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，通過(guò)控制最后的加熱脈沖和第一個(gè)加熱脈沖的每一個(gè)的脈沖寬度使之在特定的范圍之內(nèi)，具有標(biāo)記長(zhǎng)度6T到14T的記錄標(biāo)記的中心部分變窄的問(wèn)題可以被防止，并且標(biāo)記的前沿即使在高速記錄時(shí)也是清楚的，因此防止了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)的增加。
當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度3T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，通過(guò)進(jìn)一步控制第一加熱脈沖和最后的冷卻脈沖的每一個(gè)的脈沖寬度，使之在特定的范圍之內(nèi)，即使在高速記錄的時(shí)候，所得到的具有標(biāo)記長(zhǎng)度3T的標(biāo)記也具有清楚的前沿和清楚的后沿，從而防止重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)的增加。
當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，通過(guò)進(jìn)一步控制第一加熱脈沖，最后加熱脈沖，和最后的冷卻脈沖的每一個(gè)的脈沖寬度使之在特定的范圍之內(nèi)，即使在高的記錄速度下，所得到的具有標(biāo)記長(zhǎng)度4T的標(biāo)記也具有清楚的前沿和清楚的后沿。
再者，當(dāng)具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的標(biāo)記被記錄的時(shí)候，通過(guò)進(jìn)一步控制第一加熱脈沖，最后的加熱脈沖和最后的冷卻脈沖的每一個(gè)的脈沖寬度使之在特定的范圍之內(nèi)，即使在高記錄速度下，所得到的具有標(biāo)記長(zhǎng)度5T的標(biāo)記也具有清楚的前沿和清楚的后沿，從而防止了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)的增加。
再者，當(dāng)擦去功率(Pe)對(duì)記錄功率(Pw)的比(Pe/Pw)是從0.4到0.7的時(shí)候，所得標(biāo)記具有清楚的邊沿，由此，即使在重復(fù)使用以后防止了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)的增加。
當(dāng)所用的光記錄介質(zhì)的記錄層具有特定配方的時(shí)候，即使在高記錄速度下，也可以熔-擦方式反復(fù)記錄信息，從而防止了重現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)的增加。
再者，當(dāng)記錄層的再晶化線速度的上限是在一個(gè)特定范圍之中的時(shí)候，即使在14到17.5m/s的高記錄速度，即4到5倍的DVD-ROM的重現(xiàn)速度下，信息也可被很好地記錄。
當(dāng)記錄層具有一個(gè)特定的晶化溫度的時(shí)候，記錄介質(zhì)容易被初始化，并具有好的保存穩(wěn)定性。
本文件要求日本專利申請(qǐng)2002-021361號(hào)、申請(qǐng)日是2002年1月30日的申請(qǐng)文件的優(yōu)先權(quán)，并且本申請(qǐng)的主題和該申請(qǐng)相關(guān)。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，包括一個(gè)襯底；一個(gè)疊置在襯底上的記錄層，記錄層具有GeαGaβSbγTe100-α-β-γ的配方，其中α是原子百分比從1到5的一個(gè)數(shù)，β是原子百分比單位中從1到5的一個(gè)數(shù)，γ是原子百分比單位中從70到80的一個(gè)數(shù)；以及一個(gè)疊置在記錄層上的反射層。
2.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中，記錄層具有上限再晶化線速度14m/s到20m/s。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光記錄介質(zhì)，其中，當(dāng)按加熱速度10℃/分鐘加熱時(shí)，記錄層具有的晶化溫度是160到210℃。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種光記錄介質(zhì)，包括一個(gè)襯底；一個(gè)疊置在襯底上的記錄層，記錄層具有Ge
文檔編號(hào)G11B20/14GK1822151SQ200610004988
公開(kāi)日2006年8月23日 申請(qǐng)日期2003年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月30日
發(fā)明者大倉(cāng)浩子, 影山喜之, 針谷真人, 讓原肇, 日比野榮子, 三浦裕司, 水谷未來(lái) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社理光