專(zhuān)利名稱(chēng)：垂直磁頭制造期間控制尾屏蔽件間隙的方法及形成的磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及磁存儲(chǔ)系統(tǒng)，更具體地，涉及用于在垂直磁頭制造期間控制尾屏蔽件(trailing shield)間隙的形成的一種方法以及由此形成的磁頭。
背景技術(shù)：
磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器被用作現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)中主要的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。普通的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè)或者更多剛性可磁化存儲(chǔ)磁盤(pán)，其被心軸馬達(dá)高速旋轉(zhuǎn)。讀/寫(xiě)磁頭的陣列在磁盤(pán)的道和主機(jī)之間傳遞數(shù)據(jù)。磁頭被安裝到致動(dòng)器組件，該致動(dòng)器組件被定位從而將特定磁頭置于與所需道相鄰。
信息通過(guò)安裝于致動(dòng)器臂上的換能器組件以多個(gè)同心道被寫(xiě)到每個(gè)磁盤(pán)上。通常，換能器組件在滑塊組件中從致動(dòng)器臂懸于磁盤(pán)之上，該滑塊組件包括構(gòu)造來(lái)與磁盤(pán)的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的薄層移動(dòng)空氣相互作用的氣墊面。磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)換能器組件據(jù)稱(chēng)“飛翔”在磁盤(pán)表面之上。為了訪(fǎng)問(wèn)磁盤(pán)上的道，致動(dòng)器臂弧形移動(dòng)越過(guò)磁盤(pán)。兩個(gè)相鄰道的標(biāo)稱(chēng)中心之間的物理距離稱(chēng)為“道間距”。道間距和線(xiàn)性道密度定義磁盤(pán)的存儲(chǔ)容量。
每個(gè)磁盤(pán)涂覆以可磁化媒質(zhì)，其中數(shù)據(jù)被保持為一系列選定取向的磁疇(magnetic domain)。數(shù)據(jù)通過(guò)對(duì)應(yīng)的磁頭的寫(xiě)元件被寫(xiě)入到數(shù)據(jù)磁盤(pán)。這樣存儲(chǔ)到磁盤(pán)的數(shù)據(jù)然后通過(guò)磁頭的讀元件被檢測(cè)。盡管歷史上已經(jīng)利用了多種磁頭結(jié)構(gòu)，但是在當(dāng)代磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中通常使用磁致電阻(MR)磁頭。MR磁頭寫(xiě)頭使用布置在具有寫(xiě)間隙的鐵磁芯周?chē)谋∧じ袘?yīng)線(xiàn)圈。當(dāng)寫(xiě)電流經(jīng)過(guò)線(xiàn)圈時(shí)，寫(xiě)磁場(chǎng)被建立，從所述芯發(fā)出磁通線(xiàn)且彌散跨過(guò)寫(xiě)間隙。磁通線(xiàn)延伸到可磁化媒質(zhì)中從而在數(shù)據(jù)磁盤(pán)上沿著道以選定方向確立磁化矢量，或者極性。磁通轉(zhuǎn)變形成(magnetic flux transition)在相反極性的相鄰磁化矢量之間的邊界處。
為了將計(jì)算機(jī)文件寫(xiě)入磁盤(pán)，磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器接收輸入數(shù)據(jù)形式的來(lái)自主機(jī)的文件，該輸入數(shù)據(jù)通過(guò)接口電路被緩沖。寫(xiě)通道(write channel)編碼且序列化該數(shù)據(jù)從而產(chǎn)生可以表示為方波型信號(hào)的數(shù)據(jù)輸入流，所述方波型信號(hào)有上升和下降信號(hào)轉(zhuǎn)變之間的各種長(zhǎng)度。
寫(xiě)驅(qū)動(dòng)電路利用數(shù)據(jù)輸入流從而產(chǎn)生寫(xiě)電流，該寫(xiě)電流應(yīng)用到寫(xiě)頭，產(chǎn)生將編碼的數(shù)據(jù)寫(xiě)到選定磁盤(pán)的可磁化媒質(zhì)的寫(xiě)磁場(chǎng)。寫(xiě)電流既反轉(zhuǎn)寫(xiě)磁場(chǎng)的極性，產(chǎn)生磁通轉(zhuǎn)變，又維持連續(xù)磁通轉(zhuǎn)變之間的給定極性。
寫(xiě)頭通常采用能夠載有磁通信號(hào)的兩個(gè)鐵磁極(ferromagnetic pole)，所述磁通信號(hào)用于將磁印(magnetic impression)寫(xiě)入到磁盤(pán)或磁帶的道中。該磁極制造在滑塊上，磁極尖位于氣墊面。處理電路給寫(xiě)線(xiàn)圈數(shù)字式加電，該寫(xiě)線(xiàn)圈感應(yīng)磁通信號(hào)到所述磁極中。磁通信號(hào)在氣墊面跨過(guò)寫(xiě)間隙，從而將磁信息寫(xiě)入到旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)的道中。寫(xiě)間隙層的厚度越薄，寫(xiě)頭能夠?qū)懭氲降乐械奈坏臄?shù)目越大。
寫(xiě)頭通常由其面密度來(lái)評(píng)估，該面密度是其線(xiàn)性位密度與其道寬密度的乘積。線(xiàn)性位密度是沿著旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)的道每線(xiàn)性英寸能寫(xiě)的位的數(shù)目，道寬密度是沿著旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)的半徑每英寸能寫(xiě)的道的數(shù)目。該線(xiàn)性位密度量化為每英寸的位(bits per inch，BPI)，道寬密度被量化為每英寸的道(tracks per inch，TPI)。如上面論述的，線(xiàn)性位密度取決于寫(xiě)間隙層的厚度。道寬密度直接取決于在ABS處第二磁極尖的寬度。為了增加寫(xiě)頭的面密度的數(shù)年的努力已經(jīng)導(dǎo)致計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)容量從千字節(jié)增加到兆字節(jié)增加到十億字節(jié)。
過(guò)去的40年，縱向記錄已經(jīng)用于在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器上記錄信息。在縱向記錄中，磁盤(pán)上位中的磁化在平行和反平行于磁頭相對(duì)于磁盤(pán)移動(dòng)的方向之間翻轉(zhuǎn)。在縱向記錄中，磁盤(pán)上的磁媒質(zhì)平行于磁盤(pán)表面被磁化。
在常規(guī)縱向磁記錄系統(tǒng)中，隨著面密度逐漸增大，愈加難以滿(mǎn)足熱穩(wěn)定性(由于熱波動(dòng)而導(dǎo)致寫(xiě)入信息的衰退)、SNR(信噪比)和可寫(xiě)性要求。垂直記錄被認(rèn)為是超過(guò)常規(guī)縱向記錄實(shí)現(xiàn)超高面密度的一種可能。在垂直記錄中，媒質(zhì)垂直于磁盤(pán)表面被磁化。根據(jù)垂直磁記錄，從磁頭的主磁極產(chǎn)生的記錄(寫(xiě))磁場(chǎng)形成磁通路，其中磁場(chǎng)被誘導(dǎo)至置于記錄磁層的背后的襯層(underlayer)，且從輔助磁極返回到記錄頭。通過(guò)轉(zhuǎn)換記錄磁場(chǎng)的方向，記錄磁層被磁化在與記錄信息編碼對(duì)應(yīng)的朝向媒質(zhì)厚度的兩個(gè)方向上，從而存儲(chǔ)信息。在這樣的記錄中，強(qiáng)且陡峭的垂直記錄(寫(xiě))磁場(chǎng)可以應(yīng)用到記錄磁層，使得可以實(shí)現(xiàn)高分辨率信息存儲(chǔ)。
垂直磁頭上的尾屏蔽件間隙通常是薄的，因此間隙形成的精確并可靠的控制是難以控制的。離位沉積(ex-situ deposition)的常規(guī)方法遇到兩方面的可控性問(wèn)題。第一，寫(xiě)磁極材料厚度被移位沉積方法所影響。例如，間隙的沉積期間，用于附著的預(yù)濺射材料和清潔表面的工藝除去下面的寫(xiě)磁極材料。因此，所得間隙層的厚度會(huì)是不均勻的或者不可重復(fù)的。
第二，間隙本身會(huì)被用于覆蓋尾屏蔽件的種子層所影響。在種子層沉積期間，預(yù)濺射材料會(huì)影響間隙，導(dǎo)致厚度和均勻性控制問(wèn)題。
可看出，需要一種在垂直磁頭制造期間用于控制尾屏蔽件間隙形成的方法以及由此形成的磁頭。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述局限，且為了克服閱讀和理解本說(shuō)明書(shū)之后將變明顯的其它局限，本發(fā)明公開(kāi)一種在垂直磁頭制造期間用于控制尾屏蔽件間隙形成的方法以及由此形成的磁頭。
本發(fā)明通過(guò)利用原位(in-situ)尾屏蔽件間隙沉積工藝解決上述問(wèn)題。該原位尾屏蔽件間隙沉積工藝取消可損害寫(xiě)磁極材料的預(yù)濺射工藝。此外，種子預(yù)備層(seed pre-layer)形成在尾屏蔽件間隙頂上從而消減尾屏蔽件間隙的任何不均勻且控制由源自尾屏蔽件種子沉積的預(yù)濺射工藝導(dǎo)致的問(wèn)題。
根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的原理的一種用于在垂直磁頭制造期間控制尾屏蔽件間隙的形成的方法包括形成疊層寫(xiě)磁極；形成尾間隙層，其包括與疊層寫(xiě)磁極原位的非磁金屬材料；修整尾屏蔽件間隙層和疊層寫(xiě)磁極；在修整的尾屏蔽件間隙層和疊層寫(xiě)磁極的側(cè)部形成填充物材料；在該填充物、尾屏蔽件間隙層和疊層寫(xiě)磁極之上形成種子預(yù)備層；以及在該種子預(yù)備層之上形成尾屏蔽件。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，提供一種垂直寫(xiě)頭。該垂直寫(xiě)頭包括寫(xiě)磁極；形成在該寫(xiě)磁極之上的尾屏蔽件間隙層，所述尾屏蔽件間隙層與該寫(xiě)磁極原位地形成，所述寫(xiě)磁極和尾屏蔽件間隙被修整為預(yù)定形狀；沉積在該修整的寫(xiě)磁極和尾屏蔽件間隙側(cè)部的填充物層；沉積在該填充物層和該尾屏蔽件間隙上的種子層；以及形成在該種子層上的尾屏蔽件。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，提供一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)在其上的可轉(zhuǎn)動(dòng)記錄媒質(zhì)；用于轉(zhuǎn)動(dòng)該記錄媒質(zhì)的馬達(dá)；接近該記錄媒質(zhì)設(shè)置用于讀和寫(xiě)該記錄媒質(zhì)上的數(shù)據(jù)的換能器；以及與該換能器連接用于相對(duì)于該記錄媒質(zhì)移動(dòng)該換能器的致動(dòng)器，其中該換能器包括垂直寫(xiě)頭，該垂直寫(xiě)頭還包括寫(xiě)磁極；形成在該寫(xiě)磁極之上的尾屏蔽件間隙層，所述尾屏蔽件間隙層與該寫(xiě)磁極原位地形成，所述寫(xiě)磁極和尾屏蔽件間隙被修整為預(yù)定形狀；設(shè)置在該修整的寫(xiě)磁極和尾屏蔽件間隙側(cè)部的填充物層；設(shè)置在該填充物層和該尾屏蔽件間隙之上的種子層；以及形成在該種子層之上的尾屏蔽件。
本發(fā)明的新型特征的這些和各種其它優(yōu)點(diǎn)和特征在權(quán)利要求中特別指出。然而，為了更好地理解本發(fā)明、其優(yōu)點(diǎn)、以及使用本發(fā)明達(dá)到的目的，應(yīng)參照附圖和所附的描述性?xún)?nèi)容，其中顯示和描述了根據(jù)本發(fā)明的裝置的特定示例。


現(xiàn)在參照附圖，全部附圖中相似的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件圖1示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)；圖2示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)；圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例以用于垂直記錄的磁盤(pán)來(lái)記錄的過(guò)程中磁通的流動(dòng)的示意圖；圖4示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的尾屏蔽件的垂直記錄磁頭；圖5示出顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例形成的尾屏蔽件間隙和疊層寫(xiě)磁極的圖；圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的修整后的寫(xiě)磁極610和尾屏蔽件間隙層的圖；圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的已經(jīng)實(shí)施填充之后的寫(xiě)磁極/尾屏蔽件結(jié)構(gòu)的圖；圖8示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的尾屏蔽件的覆蓋；以及圖9是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于在垂直磁頭制造期間控制尾屏蔽件間隙的形成的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
在下面的實(shí)施例說(shuō)明中，參照了附圖，附圖中以示例性方式顯示了其中可實(shí)踐本發(fā)明的特定實(shí)施例。將理解，可以利用其它實(shí)施例，因?yàn)樵诓黄x本發(fā)明的范圍的情況下，可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)上的變化。
本發(fā)明提供一種用于在垂直磁頭制造期間控制尾屏蔽件間隙的形成的方法以及由此形成的磁頭。本發(fā)明提供原位尾屏蔽件間隙沉積工藝，其取消了預(yù)濺射工藝，預(yù)濺射工藝可損壞寫(xiě)磁極材料。此外，種子預(yù)備層形成在尾屏蔽件間隙頂上從而消減尾屏蔽件間隙的任何不均勻且控制由源自尾屏蔽件種子沉積的預(yù)濺射工藝導(dǎo)致的問(wèn)題。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的示例性存儲(chǔ)系統(tǒng)100。換能器110在致動(dòng)器120的控制之下，藉此致動(dòng)器120控制換能器110的位置。換能器110在磁媒質(zhì)130上寫(xiě)和讀數(shù)據(jù)。讀/寫(xiě)信號(hào)傳到數(shù)據(jù)通道140。信號(hào)處理器150控制致動(dòng)器120且處理數(shù)據(jù)通道140的信號(hào)用于與外部輸入/輸出(I/O)170的數(shù)據(jù)交換。I/O 170可以例如利用存儲(chǔ)系統(tǒng)100為桌面計(jì)算應(yīng)用提供數(shù)據(jù)和控制管道。另外，媒質(zhì)轉(zhuǎn)動(dòng)器160由信號(hào)處理器150控制從而使磁媒質(zhì)130相對(duì)于換能器110移動(dòng)。本發(fā)明不局限于存儲(chǔ)系統(tǒng)100的特定類(lèi)型或者存儲(chǔ)系統(tǒng)100中使用的媒質(zhì)130的類(lèi)型。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的多磁盤(pán)存儲(chǔ)系統(tǒng)200的一個(gè)特定實(shí)施例。在圖2中，示出硬磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器存儲(chǔ)系統(tǒng)200。系統(tǒng)200包括心軸210，其支持且旋轉(zhuǎn)多個(gè)磁盤(pán)220。心軸210被馬達(dá)280所旋轉(zhuǎn)，馬達(dá)280由馬達(dá)控制器230所控制。結(jié)合的讀和寫(xiě)磁頭270安裝在滑塊240上，滑塊260由懸臂250和致動(dòng)器臂240所支承。處理電路與讀/寫(xiě)磁頭270交換表示信息的信號(hào)，提供用于旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)220的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，且提供用于將滑塊260移動(dòng)到各個(gè)道的控制信號(hào)。盡管示出了多磁盤(pán)存儲(chǔ)系統(tǒng)，但是根據(jù)本發(fā)明單磁盤(pán)存儲(chǔ)系統(tǒng)同樣可行。
懸臂250和致動(dòng)器臂240定位滑塊260，使得讀/寫(xiě)磁頭270與磁盤(pán)220的表面是換能關(guān)系(transducing relationship)。當(dāng)磁盤(pán)220被馬達(dá)280旋轉(zhuǎn)時(shí)，滑塊240被支承在盤(pán)220的表面與ABS 290之間的薄氣墊(air bearing空氣軸承)上。然后讀/寫(xiě)磁頭270可被用于寫(xiě)信息到磁盤(pán)220的表面上的多個(gè)環(huán)形道，以及用于從其讀信息。
圖3是顯示垂直記錄過(guò)程中磁頭和媒質(zhì)之間的磁通的流動(dòng)的示意圖300。由主磁極331、輔助磁極332和線(xiàn)圈333構(gòu)成的記錄(寫(xiě))磁頭面對(duì)具有記錄層334和軟磁襯層335的垂直記錄媒質(zhì)。當(dāng)施加電流從而使線(xiàn)圈333勵(lì)磁時(shí)，磁場(chǎng)垂直產(chǎn)生在主磁極的尖和軟磁襯層335之間，使得記錄在垂直記錄媒質(zhì)的記錄層334中進(jìn)行。已經(jīng)到達(dá)軟磁襯層335的磁通返回到輔助磁極332，構(gòu)成磁回路(magnetic circuit)。記錄磁場(chǎng)分布取決于主磁極的形狀。從圖可理解，寫(xiě)通過(guò)主磁極的末端進(jìn)行，所述末端在媒質(zhì)移動(dòng)方向336的尾側(cè)。另一方面，讀通過(guò)位于輔助磁極332與底屏蔽件337之間的磁致電阻效應(yīng)元件338進(jìn)行。
那么如圖3可見(jiàn)，對(duì)于常規(guī)單磁極寫(xiě)頭300，磁通路徑是從寫(xiě)磁極331的尾緣到媒質(zhì)的軟磁襯層335且回到返回磁極332。磁通路徑選取最小阻抗(reluctance)的路徑且在該情況下是返回磁極332。然而，如上所述，通過(guò)使縱向磁頭向后飛行，由于寫(xiě)磁場(chǎng)梯度的改善，可發(fā)現(xiàn)優(yōu)點(diǎn)。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有尾屏蔽件400的垂直記錄磁頭。磁極尖413接近尾屏蔽件430設(shè)置。尾屏蔽件間隙420形成在尾磁極413處。然而，尾屏蔽件間隙420通常是薄的，從而精確且可靠地控制間隙的形成是難以控制的。
圖5示出顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例形成的尾屏蔽件間隙510和疊層寫(xiě)磁極520的圖500。在圖5中，形成疊層寫(xiě)磁極520。尾屏蔽件間隙510形成在寫(xiě)磁極520上。通常，尾屏蔽件間隙510的形成包括首先清潔寫(xiě)磁極520的表面。然而，用于清潔寫(xiě)磁極520的研磨工藝除去一些寫(xiě)磁極材料。然后，濺射用于尾屏蔽件間隙的附著層。因?yàn)檫@些步驟與所需尺寸不成比例縮放，即，沉積工藝導(dǎo)致具有不均勻且不可重復(fù)的厚度的尾屏蔽件間隙層510。此外，尾屏蔽件間隙510會(huì)被用于覆蓋尾屏蔽件的種子層所影響。在種子層沉積期間，預(yù)濺射材料會(huì)影響尾屏蔽件間隙510，導(dǎo)致厚度和均勻性控制問(wèn)題。
在圖5中，尾屏蔽件間隙510被包括作為疊層520的沉積的一部分，其中形成疊層520且然后原位形成尾屏蔽件間隙510，使得不需要附著層的預(yù)濺射。代替使用氧化鋁作為間隙材料，使用包括非磁金屬材料的尾屏蔽件間隙層510。例如，鉭層511可首先形成在疊層上。鉭層511可具有約10nm的厚度。NiCr層512可形成在鉭層511上。NiCr層512可具有約20-40nm范圍的厚度。第二鉭層513可形成在NiCr層512上。此外，第二鉭層513可具有約10nm的厚度。然后，NiFe預(yù)備層514的層可形成在第二鉭層513上。NiFe預(yù)備層513可具有高達(dá)約10nm的厚度。本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，本發(fā)明不局限于此處所給的尺寸。圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的修整之后的寫(xiě)磁極610和尾屏蔽件間隙層620。
圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的填充物720已經(jīng)實(shí)施之后的寫(xiě)磁極/尾屏蔽件結(jié)構(gòu)710的圖700。在圖7中，氧化鋁720沉積在寫(xiě)磁極/尾屏蔽件結(jié)構(gòu)710的側(cè)部。
圖8示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的尾屏蔽件800的覆蓋。在圖8中，沉積與氧化鋁填充物820保形的種子層810。種子預(yù)備層810還形成在尾屏蔽件間隙830頂上。種子預(yù)備層810消減不均勻性。種子預(yù)備層810還控制由尾屏蔽件種子沉積包括的預(yù)濺射工藝引起的問(wèn)題。然后尾屏蔽件840形成在種子預(yù)備層810上。
圖9是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于在垂直磁頭制造期間控制尾屏蔽件間隙的形成的方法的流程圖。在圖9中，910形成疊層寫(xiě)磁極。920與該疊層原位地形成包括非磁金屬材料的尾間隙層。930修整該尾屏蔽件間隙層和疊層寫(xiě)磁極。940在尾屏蔽件間隙層和疊層寫(xiě)磁極的側(cè)部形成填充物材料。950在該填充物和該尾屏蔽件間隙層之上形成種子預(yù)備層。960在種子預(yù)備層上形成尾屏蔽件。
因此，原位尾屏蔽件間隙沉積被用來(lái)取消會(huì)損壞寫(xiě)磁極材料的預(yù)濺射工藝。其次，該工藝在尾屏蔽件間隙上引入種子預(yù)備層，其消減了尾屏蔽件間隙的任何不均勻性且控制由源自尾屏蔽件種子沉積的預(yù)濺射工藝引起的問(wèn)題。
以示例和說(shuō)明為目的，已經(jīng)給出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例的上述說(shuō)明。其不用于窮舉或限制本發(fā)明于所公開(kāi)的精確形式。根據(jù)上述教導(dǎo)，許多修改和變化是可行的。本發(fā)明的范圍不限于本詳細(xì)說(shuō)明，而是由權(quán)利要求所定義。
權(quán)利要求
1.一種用于在垂直磁頭制造期間控制尾屏蔽件間隙的形成的方法，包括形成疊層寫(xiě)磁極；與所述疊層寫(xiě)磁極原位地形成包括非磁金屬材料的尾間隙層；修整所述尾屏蔽件間隙層和疊層寫(xiě)磁極；在所述修整的尾屏蔽件間隙層和疊層寫(xiě)磁極的側(cè)部形成填充物材料；在該填充物、該尾屏蔽件間隙層和該疊層寫(xiě)磁極之上形成種子預(yù)備層；以及在該種子預(yù)備層之上形成尾屏蔽件。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述與所述疊層寫(xiě)磁極原位地形成包括非磁金屬材料的尾間隙層還包括在該疊層上沉積第一鉭層；在該第一鉭層之上形成NiCr層；在該NiCr層上形成第二鉭層；以及在該第二鉭層之上形成NiFe層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述形成該第一鉭層還包括形成具有約10nm的厚度的第一鉭層。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述形成該NiCr層還包括形成具有在約20-40nm范圍內(nèi)的厚度的NiCr層。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述形成該第二鉭層還包括形成具有約10nm的厚度的第二鉭層。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述形成該NiFe層還包括形成具有高達(dá)約10nm的厚度的NiFe層。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述在該修整的尾屏蔽件間隙層和疊層寫(xiě)磁極的側(cè)部形成填充物材料還包括在該修整的尾屏蔽件間隙層和疊層寫(xiě)磁極的側(cè)部形成氧化鋁層。
8.一種垂直寫(xiě)磁頭，包括寫(xiě)磁極；形成在該寫(xiě)磁極上的尾屏蔽件間隙層，所述尾屏蔽件間隙層與該寫(xiě)磁極原位地形成，該寫(xiě)磁極和該尾屏蔽件間隙被修整為預(yù)定形狀；設(shè)置在該修整的寫(xiě)磁極和尾屏蔽件間隙的側(cè)部的填充物層；設(shè)置在該填充物層和該尾屏蔽件間隙之上的種子層；以及形成在該種子層之上的尾屏蔽件。
9.如權(quán)利要求8所述的垂直寫(xiě)磁頭，其中所述尾間隙層還包括形成在該寫(xiě)磁極上的第一鉭層；形成在該第一鉭層之上的NiCr層；形成在該NiCr層上的第二鉭層；以及形成在該第二鉭層之上的NiFe層。
10.如權(quán)利要求9所述的垂直寫(xiě)磁頭，其中所述第一鉭層包括約10nm的厚度。
11.如權(quán)利要求9所述的垂直寫(xiě)磁頭，其中所述NiCr層包括在約20-40nm范圍內(nèi)的厚度。
12.如權(quán)利要求9所述的垂直寫(xiě)磁頭，其中所述第二鉭層包括約10nm的厚度。
13.如權(quán)利要求9所述的垂直寫(xiě)磁頭，其中所述NiFe層包括高達(dá)約10nm的厚度。
14.如權(quán)利要求8所述的垂直寫(xiě)磁頭，其中所述填充物材料包括氧化鋁層。
15.一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括用于在其上存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的可轉(zhuǎn)動(dòng)記錄媒質(zhì)；用于轉(zhuǎn)動(dòng)該記錄媒質(zhì)的馬達(dá)；用于在該記錄媒質(zhì)上讀和寫(xiě)數(shù)據(jù)的接近該記錄媒質(zhì)設(shè)置的換能器；以及連接到該換能器用于相對(duì)于該記錄媒質(zhì)移動(dòng)該換能器的致動(dòng)器；且其中該換能器包括垂直寫(xiě)磁頭，該垂直寫(xiě)磁頭還包括寫(xiě)磁極；形成在該寫(xiě)磁極之上的尾屏蔽件間隙層，所述尾屏蔽件間隙層與該寫(xiě)磁極原位地形成，該寫(xiě)磁極和該尾屏蔽件間隙被修整為預(yù)定形狀；設(shè)置在該修整的寫(xiě)磁極和尾屏蔽件間隙的側(cè)部的填充物層；設(shè)置在該填充物層和該尾屏蔽件間隙之上的種子層；以及形成在該種子層之上的尾屏蔽件。
16.如權(quán)利要求15所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述尾間隙層還包括形成在該寫(xiě)磁極上的第一鉭層；形成在該第一鉭層之上的NiCr層；形成在該NiCr層上的第二鉭層；以及形成在該第二鉭層之上的NiFe層。
17.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述第一鉭層包括約10nm的厚度。
18.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述NiCr層包括在約20-40nm范圍內(nèi)的厚度。
19.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述第二鉭層包括約10nm的厚度。
20.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述NiFe層包括高達(dá)約10nm的厚度。
21.如權(quán)利要求15所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述填充物材料包括氧化鋁層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種用于在垂直磁頭制造期間控制尾屏蔽件間隙的形成的方法以及由此形成的磁頭。該原位尾屏蔽件沉積工藝取消會(huì)損壞該寫(xiě)磁極材料的預(yù)濺射工藝。此外，種子預(yù)備層形成在該尾屏蔽件間隙上從而消減尾屏蔽件間隙的任何不均勻性且控制由源自該尾屏蔽件種子沉積的預(yù)濺射工藝所引起的問(wèn)題。
文檔編號(hào)G11B5/235GK1822098SQ20061000572
公開(kāi)日2006年8月23日 申請(qǐng)日期2006年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月31日
發(fā)明者陳重元, 劉音詩(shī) 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司