專利名稱：磁記錄介質(zhì)、磁記錄再生裝置以及磁記錄介質(zhì)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種記錄層以規(guī)定的凹凸圖案形成，并將記錄要素作為凹凸圖案的凸部形成的磁記錄介質(zhì)、具有該磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置以及磁記錄介質(zhì)的制造方法。
背景技術(shù)：
到目前為止，硬盤等的磁記錄介質(zhì)為了從與磁頭的接觸等中保護(hù)記錄層，而在記錄層上形成保護(hù)層。保護(hù)層要求有耐磨損性、耐腐蝕性。作為滿足這樣的要求的具體的保護(hù)層的材料，公知的有例如被稱為類金剛石碳這樣的硬質(zhì)碳膜，作為將這樣的硬質(zhì)碳膜形成在記錄層上的方法，公知的有例如CVD(Chemical Vapor Deposition化學(xué)氣相沉積)法、IBD(Ion Beam Deposition離子束沉積)法、偏壓濺射法這樣的，對基板施加偏壓電壓的同時(shí)，在表面成膜碳的方法(例如參照J(rèn)P特公平6-60404號公報(bào))。
另一方面，磁記錄介質(zhì)，通過對構(gòu)成記錄層的磁性粒子的微細(xì)化、材料的變更、磁頭加工的微細(xì)化等的改良，試圖實(shí)現(xiàn)面記錄密度的顯著提高，今后也進(jìn)一步希望提高面記錄密度，但由于磁頭的加工極限、磁頭的記錄磁場的擴(kuò)散，向與記錄對象的磁道相鄰的其他磁道錯(cuò)誤地進(jìn)行信息的記錄或再生時(shí)的串?dāng)_等問題變得明顯，從而根據(jù)以往的改良方法的面記錄密度的提高已快到了極限，因此作為可以實(shí)現(xiàn)面記錄密度的更進(jìn)一步提高的磁記錄介質(zhì)的候補(bǔ)，提出了以下介質(zhì)一種以規(guī)定的凹凸圖案形成記錄層，并將記錄要素作為凹凸圖案的凸部形成的離散軌道介質(zhì)或晶格介質(zhì)。
在硬盤等磁記錄介質(zhì)，為了使磁頭的懸浮特性穩(wěn)定，而非常重視表面的平坦性，在面記錄密度高、磁性空間小的離散軌道介質(zhì)或晶格介質(zhì)的情況，表面的平坦特別重要，因此提議用填充要素填充記錄要素之間的凹部。填充要素最好是硬度高且耐腐蝕性強(qiáng)，作為具體的填充要素的材料可以利用SiO2等的氧化物或氮化物、碳化物等。
此外，作為用填充要素填充凹部的方法，能夠利用以下方法在凹凸圖案的記錄層上用濺射法等將填充物進(jìn)行成膜而填充凹部之后，將記錄層上的剩余的填充物用CMP(Chemical Mechanical Polishing化學(xué)機(jī)械拋光)法或離子束蝕刻等的干蝕刻的方法除去并進(jìn)行平坦化。
對于離散軌道介質(zhì)或晶格介質(zhì)，也提出有在記錄要素以及填充要素上形成硬質(zhì)碳膜的保護(hù)層的方案(例如，參照J(rèn)P特開2000-195042號公報(bào))。
這樣用填充要素填充記錄要素之間的凹部，使他們的上面平坦化，進(jìn)而，希望通過將他們的上面用保護(hù)層覆蓋，而得到與在連續(xù)的記錄層上形成保護(hù)層的磁記錄介質(zhì)同樣的良好的磁頭的懸浮特性。
但實(shí)際上，離散軌道介質(zhì)或晶格介質(zhì)，與具有連續(xù)的記錄層的磁記錄介質(zhì)相比，即使表面粗糙程度相同，有時(shí)也不能得到同樣的良好的磁頭懸浮特性，可靠性有問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題而成，目的在于提供一種具有以凹凸圖案形成，將記錄要素作為該凹凸圖案的凸部形成的記錄層，且得到磁頭的良好的懸浮特性的可靠性高的磁記錄介質(zhì)、具有該磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置以及這種磁記錄介質(zhì)的制造方法。
本發(fā)明通過包含電阻率低于填充要素，并在記錄要素以及填充要素之中，至少在填充要素上形成的導(dǎo)電膜，以及覆蓋記錄要素以及填充要素，且與導(dǎo)電膜的表面接觸而形成的保護(hù)層的磁記錄介質(zhì)，來達(dá)成上述目的。
發(fā)明人在想到本發(fā)明的過程中，對離散軌道介質(zhì)或晶格介質(zhì)的情況，與具有連續(xù)記錄層的磁記錄介質(zhì)相比較，即使表面粗糙為相同程度，有時(shí)也不能得到同等的良好的磁頭的懸浮特性的理由進(jìn)行了努力研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，若在記錄要素以及填充要素上形成硬質(zhì)碳膜的保護(hù)層，則有時(shí)在保護(hù)層的一部分形成分子結(jié)構(gòu)為聚合物狀且硬度低，致密性也低的無定形碳，通過該部分與磁頭間歇接觸產(chǎn)生影響磁頭的懸浮特性的損傷或變形的情況。
這樣，雖然在保護(hù)層的一部分形成聚合物狀的無定形碳的理由不是非常明確，但概括認(rèn)為如下。硬質(zhì)碳膜的保護(hù)層是對基板施加偏壓電壓而進(jìn)行成膜?？紤]到相對于記錄要素為金屬且電阻率低，填充要素為氧化物、氮化物、碳化物等的絕緣物且電阻率高于記錄要素，因此在填充要素和記錄要素上偏壓電壓產(chǎn)生差異。這樣根據(jù)部位偏壓電壓產(chǎn)生偏差，與最佳值的差異部分變大，所以推測為保護(hù)層的一部分形成分子結(jié)構(gòu)為聚合物狀的無定形碳。
對此，將電阻率低于填充要素的導(dǎo)電膜至少形成在填充要素上，并與該導(dǎo)電膜接觸地形成保護(hù)層，從而在填充要素和記錄要素上均勻地施加偏壓電壓，而抑制聚合物狀的無定形碳的形成。
另外，可推測出，用填充要素填充了記錄要素之間的凹部的磁記錄介質(zhì)，由于填充要素的電阻率高，所以容易產(chǎn)生靜電，僅此塵埃等的異物易附著在該表面。這樣的異物也是影響磁頭的懸浮特性的一個(gè)原因。
對此，考慮到通過將電阻率低于填充要素的導(dǎo)電膜形成在填充要素上，從而抑制靜電的產(chǎn)生，抑制塵埃等的異物導(dǎo)致的磁頭的懸浮特性的惡化。
此外，如果為將由單一材料組成的連續(xù)的導(dǎo)電膜形成在記錄要素以及填充要素的雙方上的結(jié)構(gòu)，則可以顯著提高抑制形成保護(hù)層時(shí)的偏壓電壓的偏差的效果。這時(shí)，即使導(dǎo)電膜的電阻率大于等于填充要素的電阻率，也能期待抑制聚合物狀的無定形碳的形成的效果。
即，通過如下的本發(fā)明，可以達(dá)成上述目的。
(1)一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具有在基板上以規(guī)定的凹凸圖案形成的，將記錄要素作為該凹凸圖案的凸部形成的記錄層；填充在上述記錄要素之間的凹部的填充要素；電阻率低于該填充要素，且在上述記錄要素以及上述填充要素之中，至少在上述填充要素上形成的導(dǎo)電膜；覆蓋上述記錄要素以及上述填充要素，且與上述導(dǎo)電膜的上面接觸地形成的保護(hù)層。
(2)如(1)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述保護(hù)層是通過在上述基板施加偏壓電壓的成膜法形成的硬質(zhì)碳膜。
(3)如(1)或(2)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述導(dǎo)電膜形成在上述記錄要素以及上述填充要素的雙方的上面。
(4)如(3)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述導(dǎo)電膜是由單一的材料構(gòu)成的連續(xù)的膜。
(5)如(1)或(2)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述導(dǎo)電膜是在上述記錄要素以及上述填充要素之中，僅在上述填充要素上形成，且上述記錄要素的上面與上述保護(hù)層接觸。
(6)如(1)～(5)中任意項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述導(dǎo)電膜也形成在上述記錄要素的側(cè)面和上述填充要素的側(cè)面之間。
(7)一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具有在基板上以規(guī)定的凹凸圖案形成，將記錄要素作為該凹凸圖案的凸部形成的記錄層；在上述記錄要素之間的凹部填充的填充要素；導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜是由與該填充要素不同的單一的材料組成的連續(xù)的膜，且形成在上述記錄要素以及上述填充要素上；覆蓋上述記錄要素以及上述填充要素，且與上述導(dǎo)電膜的上面接觸地形成的保護(hù)層。
(8)如(7)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述保護(hù)層是通過在上述基板施加偏壓電壓的成膜法形成的硬質(zhì)碳膜。
(9)如(1)～(8)中任意項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述導(dǎo)電膜的電阻率低于上述保護(hù)層。
(10)一種磁記錄再生裝置，其特征在于，具有(1)～(9)中任意項(xiàng)所記載的磁記錄介質(zhì)，以及為了對該磁記錄介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄/再生而以與該磁記錄介質(zhì)的表面接近且可懸浮的方式設(shè)置的磁頭。
(11)一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，具有制作包含在基板上以規(guī)定的凹凸圖案形成，形成記錄要素作為該凹凸圖案的凸部的記錄層、在上述記錄要素之間的凹部填充的填充要素、電阻率低于該填充要素，在上述記錄要素以及上述填充要素之中，至少在上述填充要素上形成的導(dǎo)電膜的制造工序中的中間體的中間體制作工序；對上述基板施加偏壓電壓，同時(shí)使硬質(zhì)碳膜的保護(hù)層與上述導(dǎo)電膜的上面接觸地形成的覆蓋上述記錄要素以及上述填充要素的保護(hù)層形成工序。
另外，在本申請中，所謂“在基板上以規(guī)定的圖案形成，且將記錄要素作為該凹凸圖案的凸部形成的記錄層”的意思是，連續(xù)記錄層以規(guī)定的圖案分割成多個(gè)記錄要素的記錄層之外，連續(xù)記錄層以規(guī)定的圖案部分分割，一部分由連續(xù)的記錄要素構(gòu)成的記錄層，另外還包括，如螺旋狀的漩渦形狀的記錄層，在基板上的一部分連續(xù)形成的記錄層、形成了凸部以及凹部雙方的連續(xù)的記錄層。
另外，在本申請中，所謂的“導(dǎo)電膜的上面”的意思是導(dǎo)電膜中與基板相反側(cè)的面?！坝涗浺氐纳厦妗薄ⅰ疤畛湟氐纳厦妗币彩峭瑯拥囊馑?。
還有，本發(fā)明中“磁記錄介質(zhì)”的術(shù)語的意思是不限定對信息的記錄、讀取僅使用磁的磁盤、FreeBSD(フロツピ一)(注冊商標(biāo))磁盤、磁帶等，也包含磁和光并用的MO(Magneto Optical磁光)等的光磁記錄介質(zhì)、將磁與熱并用的熱輔助型的記錄介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明，可以實(shí)現(xiàn)，具有以凹凸圖案形成，并將記錄要素作為該凹凸圖案的凸部形成的記錄層，并可以得到磁頭的良好的懸浮特性的可靠性高的磁記錄介質(zhì)以及具有該磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置。


圖1是示意表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的磁記錄再生裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖2是示意表示同一磁記錄再生裝置的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。
圖3是將同一磁記錄介質(zhì)的記錄要素以及填充要素的周邊結(jié)構(gòu)放大示意表示的側(cè)剖面圖。
圖4是表示同一磁記錄介質(zhì)的制造工序的概要的流程圖。
圖5是示意表示同一磁記錄介質(zhì)的制造工序中的中間體的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。
圖6是將本發(fā)明的第二實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的記錄要素以及填充要素的周邊結(jié)構(gòu)放大示意表示的側(cè)剖面圖。
圖7是將本發(fā)明的第三實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的記錄要素以及填充要素的周邊結(jié)構(gòu)放大示意表示的側(cè)剖面8是將本發(fā)明的第四實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的記錄要素以及填充要素的周邊結(jié)構(gòu)放大示意表示的側(cè)剖面圖。
圖9是將本發(fā)明的第五實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的記錄要素以及填充要素的周邊結(jié)構(gòu)放大示意表示的側(cè)剖面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的最佳實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。
如圖1所示，本發(fā)明的第一實(shí)施方式的磁記錄再生裝置10具有磁記錄介質(zhì)12、為了對磁記錄介質(zhì)12進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄/再生而與磁記錄介質(zhì)12的表面接近且以可懸浮的方式設(shè)置的磁頭14，磁記錄介質(zhì)12的結(jié)構(gòu)有特征。對于其他的結(jié)構(gòu)，對理解本實(shí)施方式?jīng)]有特別的必要，因此適當(dāng)?shù)氖÷哉f明。
另外，將磁記錄介質(zhì)12固定在卡盤16，并可以與該卡盤16一同自由旋轉(zhuǎn)。此外，磁頭14安裝在支架18的頂端附近，支架18可自由旋轉(zhuǎn)地安裝在基座20。由此，磁頭14在沿著磁記錄介質(zhì)12的徑向的圓弧軌道在磁記錄介質(zhì)12的表面上懸浮移動(dòng)。
磁記錄介質(zhì)12是圓板形狀的垂直記錄型的離散軌道介質(zhì)，如圖2以及圖3所示，具有在基板22上以規(guī)定的凹凸圖案形成，將記錄要素24A作為該凹凸圖案的凸部形成的記錄層24；在記錄要素24A之間的凹部26進(jìn)行填充的填充要素28；電阻率低于填充要素28，在記錄要素24A以及填充要素28的雙方上形成的導(dǎo)電膜30；覆蓋記錄要素24A以及填充要素28，且與上述導(dǎo)電膜30的上面接觸地形成的保護(hù)層32。
作為基板22的材料，可以使用由玻璃、NiP覆蓋的Al合金、Si、Al2O3等的非磁性材料。
記錄層24的厚度為5～30nm。作為記錄層24的材料，可以使用在CoCrPt合金等的CoCr系合金、FePt系合金、他們的層疊體、SiO2等的氧化物系材料之中矩陣狀的包含CoPt等的強(qiáng)磁性粒子的材料等。記錄要素24A是在數(shù)據(jù)區(qū)域中沿徑向以微細(xì)的間隔的同心圓狀的磁道形狀形成，圖2和圖3是表示這些的圖。還有，記錄要素24A在伺服區(qū)域中以規(guī)定的伺服信息的圖案形成(省略圖示)。
作為填充要素28的材料，可以使用SiO2、Al2O3、TiO2、鐵氧體等的氧化物、AlN等的氮化物、SiC等的碳化物等的非磁性材料。
導(dǎo)電膜30的厚度為1～5nm，由形成在記錄要素24A上的第一導(dǎo)電膜34和形成在填充要素28上的第二導(dǎo)電膜36構(gòu)成。另外，第一導(dǎo)電膜34、第二導(dǎo)電膜36的電阻率都低于填充要素28，且電阻率低于保護(hù)層32。
第一導(dǎo)電膜34也形成在記錄要素24A的側(cè)面和填充要素28的側(cè)面之間。進(jìn)而，第一導(dǎo)電膜34也形成在凹部26的底面上。作為第一導(dǎo)電膜34的材料，可以使用W(鎢)、Ni(鎳)、Ta(鉭)、Al(鋁)等的金屬、他們的合金或TaSi。
第二導(dǎo)電膜36僅形成在填充要素28上。作為第二導(dǎo)電膜36的材料，可以使用與第一導(dǎo)電膜34的材料相同的金屬、合金、TaSi等。此外，第二導(dǎo)電膜36的材料，可以是與第一導(dǎo)電膜34的材料相同的材料，也可以是不同的材料。
保護(hù)層32的厚度為1～5nm。保護(hù)層32的材料是通過在基板22上施加偏壓電壓的CVD法等的成膜法而形成的，例如被稱為類金剛石碳的硬質(zhì)碳膜。此外，在本申請中所說的“類金剛石碳(以下，稱為“DLC”)”術(shù)語，是以碳為主成分的無定形結(jié)構(gòu)，維式硬度測定中顯示2×109～8×1010Pa左右的硬度的材料的意義上使用。
在保護(hù)層32上面形成有潤滑層38。潤滑層38的厚度為1～2nm。作為潤滑層38的材料，可以使用PFPE(全氟聚醚)等。
此外，在基板22以及記錄層24之間從基板22側(cè)開始按順序形成有基底層40、反磁鐵性層42、軟磁性層44、用于在記錄層24給與厚度方向(與表面垂直的方向)的磁各向異性的定向?qū)?6?；讓?0的厚度為2～40nm。作為基底層40的材料可以使用Ta等。反磁鐵性層42的厚度為5～50nm。作為反磁鐵性層42的材料，可以使用PtMn合金、RuMn合金等。軟磁性層44的厚度為50～300nm。作為軟磁性層44的材料，可以使用Fe(鐵)合金、Co(鈷)不定形合金、鐵氧體等。此外，軟磁性層44也可以是具有軟磁性的層和非磁性層的層疊結(jié)構(gòu)。定向?qū)?6的厚度為2～40nm。作為定向?qū)?6的具體的材料，可以使用非磁性的CoCr合金、Ti、Ru、Ru和Ta的層疊體、MgO等。
下面，對磁記錄介質(zhì)12的作用進(jìn)行說明。
由于在基板22上施加偏壓電壓而形成的硬質(zhì)碳膜的保護(hù)層32覆蓋著記錄要素24A以及填充要素28，所以磁記錄介質(zhì)12的耐磨損性、耐腐蝕性優(yōu)秀，從而可以得到磁頭14的良好的懸浮特性。
特別是磁記錄介質(zhì)12，將電阻率低于填充要素28的導(dǎo)電膜30形成在記錄要素24A以及填充要素28上，與該導(dǎo)電膜30接觸地形成保護(hù)層32，因此形成保護(hù)層32時(shí)，在記錄要素24A和填充要素28上能夠均勻地施加偏壓電壓，而抑制聚合物狀的無定形碳的形成。因此，保護(hù)層32在整個(gè)面具有充分的硬度以及致密性，即使磁頭14間歇接觸，也難產(chǎn)生損傷或變形，而可以保持磁頭14的良好的懸浮特性。
此外，磁記錄介質(zhì)12，將電阻率低于填充要素28的導(dǎo)電膜30形成在記錄要素24A以及填充要素28上，僅此就難產(chǎn)生靜電，因此可以抑制塵埃等的異物導(dǎo)致的磁頭的懸浮特性的惡化。進(jìn)而，由于導(dǎo)電膜30比保護(hù)層32電阻率低，所以僅此就能提高抑制靜電的產(chǎn)生的效果。
另外，由于磁記錄介質(zhì)12的第一導(dǎo)電膜34也形成在記錄要素24A和填充要素28之間，所以抑制填充要素28所包含的氧等導(dǎo)致的記錄要素24A的腐蝕，而可以保持良好的記錄/再生特性。
此外，由于記錄要素24A由金屬構(gòu)成，電阻率低，所以即使省略第一導(dǎo)電膜34，也能得到抑制聚合物狀的無定形碳的形成和抑制靜電產(chǎn)生的效果，但記錄要素24A的材料是在SiO2等的氧化物系材料之中矩陣狀包含CoPt等的強(qiáng)磁性粒子的材料時(shí)，與僅由金屬構(gòu)成的材料相比電阻率變高。對此，通過在記錄要素24A上成膜第一導(dǎo)電膜34，從而確實(shí)得到抑制聚合物狀的無定形碳的形成和抑制靜電產(chǎn)生的效果。
此外，磁記錄介質(zhì)12的記錄要素24A在數(shù)據(jù)區(qū)域中，以磁道的形狀形成，因此即使面記錄密度很高也很難產(chǎn)生向與記錄對象的磁道相鄰的其他磁道的進(jìn)行錯(cuò)誤的信息的記錄和再生時(shí)的串?dāng)_等問題。
進(jìn)而，磁記錄介質(zhì)12的記錄要素24A彼此分割，記錄要素24A間的凹部26上不存在記錄層24，所以從凹部26不會(huì)產(chǎn)生噪聲，就連這點(diǎn)也能得到良好的記錄/再生特性。
下面，對于磁記錄介質(zhì)12的制造方法沿如圖4所示的流程圖進(jìn)行說明。
首先，在基板22上，通過濺射法依次形成基底層40、反磁鐵性層42、軟磁性層44、定向?qū)?6，連續(xù)記錄層(未加工的記錄層24)、第一掩模層、第二掩模層，進(jìn)而用旋涂法涂敷抗蝕層。此外，作為第一掩模層的材料，可以使用例如Ta。作為第二掩模層的材料，可以使用例如Ni。作為抗蝕層的材料，可以使用例如正型抗蝕劑(PFM-300A9，住友化學(xué)工業(yè)有限公司制)。
使用復(fù)制裝置(省略圖示)，通過納米刻印法在該抗蝕層上復(fù)制相當(dāng)于伺服區(qū)域的伺服圖案以及數(shù)據(jù)區(qū)域的磁道圖案的凹凸圖案，通過使用了O2氣的反應(yīng)性離子束蝕刻，除去凹部底部的抗蝕層。然后，通過使用了Ar氣的離子束蝕刻，除去凹部底部的第二掩模層，進(jìn)一步，通過將CF4氣體作為反應(yīng)氣體的反應(yīng)性離子蝕刻，除去凹部底部的第一掩模層之后，通過將CO氣體以及NH3氣體作為反應(yīng)氣體的反應(yīng)性離子蝕刻，除去凹部底部的連續(xù)記錄層，將連續(xù)記錄層分割為多個(gè)記錄要素24A，而形成凹凸圖案的記錄層24。然后，通過將CF4氣體作為反應(yīng)氣體的反應(yīng)性離子蝕刻，將殘存在記錄要素24A上的第一掩模層完全除去。還有，也可以通過離子束蝕刻，將連續(xù)記錄層分割為多個(gè)記錄要素24A，而形成凹凸圖案的記錄層24。
下面，通過濺射法，在被加工體的表面成膜第一導(dǎo)電膜34。第一導(dǎo)電膜34形成在記錄要素24A上的同時(shí)，也形成在記錄要素24A的側(cè)面、凹部26的底面。
下面，通過偏壓濺射法在被加工體的表面上使填充物(填充要素28的材料)成膜成比凹部26的深度稍薄。填充物按照記錄層24的凹凸圖案，以用某種程度抑制表面的凹凸的形狀覆蓋記錄要素24A的方式在被加工體上成膜，凹部26用填充要素28填充到比記錄要素24A上的第一導(dǎo)電膜34的上面稍低的位置。還有，這時(shí)，調(diào)整施加在基板22的偏壓電壓，在記錄要素24A上的第一導(dǎo)電膜34的端部以填充物不附著的方式使填充物成膜。
下面，通過濺射法，在填充物上成膜第二導(dǎo)電膜36。第二導(dǎo)電膜36形成在凹部26內(nèi)的填充要素28上。此外，第二導(dǎo)電膜36還在記錄要素24A上的剩余的填充物上成膜。
下面，通過CMP法除去比記錄要素24A上的第一導(dǎo)電膜34的上面更上側(cè)的剩余的填充物以及第二導(dǎo)電膜36，并進(jìn)行平坦化。這時(shí)，以第一導(dǎo)電膜34殘存在記錄要素24A上，且第二導(dǎo)電膜36殘存在填充要素28上的方式調(diào)整加工量。此外，也可以通過離子束蝕刻，將記錄要素24A上的第一導(dǎo)電膜34的上面更上側(cè)的剩余的填充物以及第二導(dǎo)電膜36除去，并進(jìn)行平坦化。這時(shí)，作為第一導(dǎo)電膜34的材料，對離子束蝕刻的蝕刻速率比填充物的低，如果使用例如W等的材料，則可以利用第一導(dǎo)電膜34作為用于保護(hù)記錄要素24A免遭蝕刻的停止膜。
由此，得到如圖5所示的制造工序中的中間體50(S102)，該中間體50包括在基板22上以規(guī)定的凹凸圖案形成，將記錄要素24A作為該凹凸圖案的凸部形成的記錄層24；被填充在記錄要素24A之間的凹部26的非磁性的填充要素28；比填充要素28的電阻率低，在記錄要素24A以及填充要素28的雙方上形成的導(dǎo)電膜30。
下面，通過CVD法，在基板22上施加偏壓電壓的同時(shí)，使硬質(zhì)碳膜的保護(hù)層32與導(dǎo)電膜30的上面接觸地形成，并覆蓋記錄要素24A以及填充要素28(S104)。具體的說，若將CH4(甲烷)等的碳?xì)浠衔锏臍怏w源(ソ一スガス)供給到容器內(nèi)，則在容器內(nèi)的被加工體的表面，氣體源離子分解成碳和氫，在導(dǎo)電膜30上形成硬質(zhì)碳膜。在填充要素28上形成電阻率低于填要素素28的第二導(dǎo)電膜36，與該第二導(dǎo)電膜36接觸地形成保護(hù)層32。這樣電阻率低于填充要素28的導(dǎo)電膜30形成在記錄要素24A以及填充要素28上，與該導(dǎo)電膜30接觸地形成保護(hù)層32，因此在記錄要素24A上和填充要素28上均勻施加偏壓電壓，而抑制聚合物狀的無定形碳的形成。
然后，通過浸漬法在保護(hù)層32上涂敷潤滑層38(S106)。由此，得到磁記錄介質(zhì)12。
下面，對本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。
本第二實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)60的特征在于如圖6所示，在填充要素28中的與記錄要素24A的邊緣鄰近的上面形成溝部，第二導(dǎo)電膜36在填充要素28上面中僅形成在除去溝部的部分。對于其他的結(jié)構(gòu)，由于與上述第一實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)12相同所以省略說明。
除去剩余的填充物以及第二導(dǎo)電膜36，并進(jìn)行平坦化的工序中利用離子束蝕刻等的干蝕刻時(shí)，根據(jù)蝕刻條件，這樣的在填充要素28中的與記錄要素24A的邊緣鄰近的上面形成溝部，有時(shí)沒有將第二導(dǎo)電膜36形成在填充要素28上面的一部分。
即使是這樣的情況，也通過第二導(dǎo)電膜36存在于填充要素28上而抑制靜電的產(chǎn)生，可以期待保存良好的磁頭懸浮特性，對提高可靠性起作用。
此外，保護(hù)層32中，由于形成在填充要素28上面的溝部的部分沒有與第二導(dǎo)電膜36接觸所以能夠成為聚合物狀的無定形碳，但保護(hù)層32是按照溝部形成的，能夠成為聚合物狀的無定形碳的部分比起其他部分更向基板22側(cè)凹陷的形狀形成。因此，即使萬一在溝部上形成聚合物狀的無定形碳，該部分與磁頭間歇接觸而對磁頭的懸浮特性帶來影響的這樣的損傷和變形產(chǎn)生的可能性也很低，可以保持良好的磁頭懸浮特性。
下面，對本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。
本第三實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)70的特征在于如圖7所示，相對于上述第一實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)12，第一導(dǎo)電膜34不僅在記錄要素24A上形成，還形成在記錄要素24A的側(cè)面以及凹部26的底面，將第一導(dǎo)電膜34僅形成在記錄要素24A上。對于其他的結(jié)構(gòu)，由于與磁記錄介質(zhì)12相同所以省略說明。
磁記錄介質(zhì)70也與磁記錄介質(zhì)12相同，將電阻率低于填充要素28的導(dǎo)電膜30形成在記錄要素24A以及填充要素28上，與該導(dǎo)電膜30接觸地形成保護(hù)層32，因此形成保護(hù)層32時(shí)，在記錄要素24A上和填充要素28上均勻施加偏壓電壓，而可以抑制聚合物狀的無定形碳的形成。
進(jìn)而，磁記錄介質(zhì)70也將電阻率低于填充要素28的導(dǎo)電膜30形成在記錄要素24A以及填充要素28上，因此可以抑制靜電的產(chǎn)生。
在這里，對磁記錄介質(zhì)70的制造方法進(jìn)行簡單的說明。
相對于在制造上述磁記錄介質(zhì)12時(shí)，加工連續(xù)記錄層而形成凹凸圖案的記錄層24后，形成第一導(dǎo)電膜34，而制造磁記錄介質(zhì)70時(shí)，預(yù)先在連續(xù)記錄層和第一掩模層之間形成第一導(dǎo)電層34，將連續(xù)記錄層與第一導(dǎo)電膜34一起進(jìn)行加工分割，對于其他的工序，由于與制造磁記錄介質(zhì)12的情況一樣所以省略說明。由此，得到第一導(dǎo)電膜34僅在記錄要素24A上形成，在記錄要素24A的側(cè)面和凹部26的底面不形成第一導(dǎo)電膜34的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)70。
下面，對本發(fā)明的第四實(shí)施方式進(jìn)行說明。
本第四實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)80的特征在于如圖8所示，相對于上述第一實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)12的導(dǎo)電膜30由形成在記錄要素24A上的第一導(dǎo)電膜34與形成在填充要素28上的第二導(dǎo)電膜36構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，在記錄要素24A以及填充要素28上形成的導(dǎo)電膜82是由單一的材料構(gòu)成的連續(xù)的膜。對于其他的結(jié)構(gòu)，由于與磁記錄介質(zhì)12相同所以省略說明。另外，作為導(dǎo)電膜82的材料，可以使用與第一導(dǎo)電膜34、第二導(dǎo)電膜36的材料相同的金屬、合金、TaSi等。
磁記錄介質(zhì)80也與磁記錄介質(zhì)12相同的，將電阻率低于填充要素28的導(dǎo)電膜82在記錄要素24A以及填充要素28上形成，與該導(dǎo)電膜82接觸地形成保護(hù)層32，因此形成保護(hù)層32時(shí)，在記錄要素24A上與填充要素28上均勻地施加偏壓電壓，而可以抑制聚合物狀的無定形碳的形成。
尤其由于導(dǎo)電膜82是由單一的材料構(gòu)成的連續(xù)的膜，所以使在記錄要素24A上與填充要素28上所施加的偏壓電壓變均勻的效果顯著提高，而可以進(jìn)一步提高抑制聚合物狀的無定形碳的形成的效果。還有，由于作為保護(hù)層32的基底層的導(dǎo)電膜82是由單一的材料構(gòu)成的連續(xù)的膜，所以易受基底層的影響的保護(hù)層32的粒徑和結(jié)構(gòu)從初期成長階段就變得統(tǒng)一。即，可以得到使保護(hù)層32的膜質(zhì)更均勻的效果。
還有，由于磁記錄介質(zhì)80也將電阻率低于填充要素28的導(dǎo)電膜82形成在記錄要素24A以及填充要素28上，所以可以抑制靜電的產(chǎn)生。
在這里，針對磁記錄介質(zhì)80的制造方法進(jìn)行簡單的說明。
相對于制造上述磁記錄介質(zhì)12時(shí)，在凹凸圖案的記錄層24上，按順序成膜第一導(dǎo)電膜34、填充物、第二導(dǎo)電膜36之后，使表面平坦化，在制造磁記錄介質(zhì)80時(shí)，在凹凸圖案記錄層24上成膜填充物，使表面平坦化之后，使導(dǎo)電膜82成膜。對于其他的工序，由于與制造磁記錄介質(zhì)12的情況一樣所以省略說明。由此，得到將由單一的材料組成的連續(xù)的導(dǎo)電膜82形成在記錄要素24A以及填充要素28的雙方上的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)80。
另外，為了在凹部26填充填充要素28，成膜填充物并進(jìn)行平坦化之后，即使萬一填充物殘留在記錄要素24A上，通過在其上形成導(dǎo)電膜82，也可確實(shí)得到抑制聚合物狀的無定形碳的形成的效果以及抑制靜電產(chǎn)生的效果。
下面，對本發(fā)明的第五實(shí)施方式進(jìn)行說明。
本第五實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)90的特征在于如圖9所示，是相對于上述第一實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)12，省略了第一導(dǎo)電膜34的結(jié)構(gòu)，記錄要素24A的上面與保護(hù)層32接觸。另外，記錄要素24A的上面的高度與第二導(dǎo)電膜36的上面的高度一致。對于其他的結(jié)構(gòu)，由于與磁記錄介質(zhì)12相同所以省略說明。
由于磁記錄介質(zhì)90也與磁記錄介質(zhì)12同樣，將電阻率低于填充要素28的第二導(dǎo)電膜36形成在填充要素28上，與包括第二導(dǎo)電膜36以及金屬且具有導(dǎo)電性的記錄要素24A接觸地形成保護(hù)層32，所以可以抑制聚合物狀的無定形碳的形成。
此外，由于磁記錄介質(zhì)90也將電阻率低于填充要素28的導(dǎo)電膜30形成在填充要素28上，所以可以抑制靜電的產(chǎn)生。
進(jìn)而，磁記錄介質(zhì)90，由于記錄要素24A的上面與保護(hù)層32接觸，所以記錄要素24A與磁頭14的磁性空間很小，僅此記錄/再生特性良好。
在這里，針對磁記錄介質(zhì)90的制造方法進(jìn)行簡單的說明。
相對于制造上述磁記錄介質(zhì)12時(shí)，在凹凸圖案的記錄層24上，將第一導(dǎo)電膜34、填充物、第二導(dǎo)電膜36依次進(jìn)行成膜，使表面平坦化，而制造磁記錄介質(zhì)90時(shí)，省略第一導(dǎo)電膜34。對于其他的工序，由于與制造磁記錄介質(zhì)12的情況相同所以省略其說明。由此，得到第二導(dǎo)電膜36在記錄要素24A以及填充要素28中僅在填充要素28上形成，記錄要素24A的上面與保護(hù)層32接觸的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)90。
另外，上述第一～第五實(shí)施方式中，保護(hù)層32是通過在基板22施加偏壓電壓的CVD法形成，但若是在基板施加偏壓電壓而形成硬質(zhì)碳膜的成膜法，則對于具有以其他成膜法形成的保護(hù)層的磁記錄介質(zhì)，本發(fā)明也可適用。
另外，在上述第一～第五實(shí)施方式中，作為填充要素28的材料，例舉SiO2、Al2O3、TiO2、鐵氧體等的氧化物、AlN等的氮化物、SiC等的碳化物等的絕緣性的材料，但作為填充要素28的材料在使用具有一定的導(dǎo)電性的材料時(shí)，也通過將電阻率低于此的導(dǎo)電膜形成在填充要素28上，可以得到抑制聚合物狀的無定形碳的形成、靜電的產(chǎn)生的效果。
另外，作為填充要素28的材料使用具有一定的導(dǎo)電性的材料，如上述第四實(shí)施方式這樣的，由單一的材料構(gòu)成的連續(xù)的膜狀的導(dǎo)電膜形成在記錄要素以及填充要素雙方上時(shí)，也可以將電阻率高于填充要素的導(dǎo)電膜形成在記錄要素以及填充要素上。這時(shí)，也由于在記錄要素上和填充要素上均勻地施加偏壓電壓，所以可以得到抑制聚合物狀的無定形碳的形成的效果。還有，易受(保護(hù)層32的)基底層的影響的保護(hù)層32的粒徑或結(jié)構(gòu)從初期成長的階段變得均勻，所以可以得到使保護(hù)層32的膜質(zhì)更均勻的效果。
另外，在上述第一～第五實(shí)施方式中，作為填充要素28的材料，例舉SiO2、Al2O3、TiO2、鐵氧體等的氧化物、AlN等的氮化物、SiC等的碳化物等的非磁性的材料，但根據(jù)所要求的磁性特性，作為填充要素28的材料，也可以使用如軟磁性材料等的磁性材料。
另外，在上述第一～第五實(shí)施方式中，在基板22與記錄層24之間，形成基底層40、反磁鐵性層42、軟磁性層44、定向?qū)?6，但基板22與記錄層24之間的層的結(jié)構(gòu)按照磁記錄介質(zhì)的種類和需要能夠適當(dāng)變更。另外，也可以省略基底層40、反磁鐵性層42、軟磁性層44、定向?qū)?6，而將記錄層24直接形成在基板22上。
另外，在上述第一～第五實(shí)施方式中，磁記錄介質(zhì)12是垂直記錄型的磁盤，但對于面內(nèi)記錄型的磁盤本發(fā)明也可以適用。
還有，在上述第一～第五實(shí)施方式中，在磁記錄介質(zhì)12的基板22的單面上形成記錄層24等，但在基板的兩面形成記錄層等的兩面記錄式的磁記錄介質(zhì)，本發(fā)明也可以適用。
在上述第一～第五實(shí)施方式中，磁記錄介質(zhì)12是在數(shù)據(jù)區(qū)域中，將記錄要素24A沿磁道的徑向以微細(xì)的間隔并列設(shè)置的離散軌道介質(zhì)，但對于將記錄要素24A沿磁道的徑向以及圓周方向的兩個(gè)方向以微細(xì)的間隔并列設(shè)置的晶格介質(zhì)的情況，也可適用本發(fā)明。進(jìn)而，例如，對于磁道成螺旋形狀的磁盤本發(fā)明當(dāng)然也可以適用。還有，對于MO等的光磁盤、磁和熱并用的熱輔助型的磁盤，進(jìn)而，具有磁帶等磁盤形狀以外的凹凸圖案的記錄層的其他的磁記錄介質(zhì)本發(fā)明也可適用。
按照上述第一實(shí)施方式，制作了磁記錄介質(zhì)12。制作的磁記錄介質(zhì)12的主要部分的結(jié)構(gòu)如下所示。
基板22的直徑為約65mm，材料為玻璃。記錄層24的厚度為約18nm，材料為CoCrPt合金。在數(shù)據(jù)區(qū)域中的記錄要素24A的徑向的寬度為100nm，凹部26的徑向的寬度也為100nm。還有，凹部26的深度為18nm。
第一導(dǎo)電膜34的厚度為約1nm，材料為W。填充要素28的材料是SiO2。第二導(dǎo)電膜36的厚度約為2nm，材料為Ta。
保護(hù)層32的厚度約為3nm，材料為DLC。潤滑層38的厚度約1.5nm，材料為PFPE。
針對第一導(dǎo)電膜34、填充物、第二導(dǎo)電膜36、保護(hù)層32的具體的成膜方法進(jìn)行簡單的說明。
首先，在凹凸圖案的記錄層24上，通過濺射法，以約3nm的厚度成膜第一導(dǎo)電膜34。這時(shí)，將成膜功率(對目標(biāo)施加的功率)設(shè)定為約500W，將Ar氣流量設(shè)定為約50sccm，將真空室內(nèi)壓力設(shè)定為約0.5Pa。此外，在基板22上沒有施加偏壓電壓。
下面，在第一導(dǎo)電膜34上，通過偏壓濺射法，將填充物成膜成約17nm的厚度。這時(shí)，將成膜功率(對目標(biāo)施加的功率)設(shè)定為約500W，將偏壓功率(對基板22施加的功率)設(shè)定為約250W，將Ar氣流量設(shè)定為50sccm，將真空室內(nèi)壓力設(shè)定為約0.3Pa。
然后，在填充物上，通過濺射法，將第二導(dǎo)電膜36以約4nm的厚度成膜。這時(shí)，將成膜功率(對目標(biāo)施加的功率)設(shè)定為約500W，將Ar氣流量設(shè)定為約50sccm，將真空室內(nèi)壓力設(shè)定為約0.5Pa。還有，在基板22上沒有施加偏壓電壓。
下面，通過CMP法，除去比記錄要素24A上的第一導(dǎo)電膜34的上面更上側(cè)的剩余的填充物以及第二導(dǎo)電膜36，進(jìn)行平坦化。還有，第一導(dǎo)電膜34也沿厚度方向部分除去。泥漿是使用SS25(CABOT公司制)，襯墊是使用IC1000/Suba400的2層襯墊。襯墊的荷重設(shè)定為133g/cm2，平板的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定為30rpm，被加工體的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定為30rpm。以第一導(dǎo)電膜34在記錄要素24A上殘存約1nm的厚度，第二導(dǎo)電膜36在凹部26內(nèi)的填充要素28上殘存約2nm的厚度的方式調(diào)整加工時(shí)間。
下面，通過CVD法，與第一導(dǎo)電膜34以及第二導(dǎo)電膜36的上面接觸地形成保護(hù)層32。氣體源使用CH4(甲烷)，其流量為200sccm，室內(nèi)的壓力設(shè)定為1Pa。還有，投入功率設(shè)定成500W，偏壓電壓(在基板22上施加的電壓)設(shè)定成200V。
進(jìn)而，通過浸漬法在保護(hù)層32上涂敷潤滑層38，而得到磁記錄介質(zhì)12。
當(dāng)該磁記錄介質(zhì)12的保護(hù)層32的狀態(tài)通過拉曼光譜分析時(shí)，Id/Ig的值為1.0～1.2，表示作為DLC的特性。還有，當(dāng)驗(yàn)證該磁記錄介質(zhì)12中的磁頭14的舉動(dòng)時(shí)，可以確認(rèn)保持良好的懸浮特性。
按照上述第四實(shí)施方式制作磁記錄介質(zhì)80?；?2、記錄層24、填充要素28、保護(hù)層32、潤滑層38的結(jié)構(gòu)，與實(shí)施例1相同。
導(dǎo)電膜82的厚度約1nm，材料為Ta。
針對填充物、導(dǎo)電膜82的具體的成膜方法進(jìn)行簡單的說明。
首先，在凹凸圖案的記錄層24上，通過偏壓濺射法將填充物形成約80nm的厚度的膜。這時(shí)，成膜功率(對目標(biāo)施加的功率)設(shè)定為約500W，偏壓功率(對基板22施加的功率)設(shè)定為約250W，Ar氣流量設(shè)定為約50sccm，真空室內(nèi)壓力設(shè)定為約0.3Pa。
下面，通過離子束蝕刻法，除去比記錄要素24A的上面更上側(cè)的剩余的填充物，進(jìn)行平坦化。這時(shí)，Ar氣流量設(shè)定為約11sccm，真空室內(nèi)壓力設(shè)定為約0.05Pa，電子束電壓設(shè)定為約500V，電子束電流設(shè)定為約500mA，抑制柵(suppressor)電壓設(shè)定為約400V。
下面，在記錄要素24A以及填充要素28上，通過濺射法，將導(dǎo)電膜82以1nm的厚度成膜。這時(shí)，成膜功率(對目標(biāo)施加的功率)設(shè)定為約500W，Ar氣體流量設(shè)定為約50sccm，室內(nèi)壓力設(shè)定為約0.5Pa。此外，在基板22沒有施加偏壓電壓。
下面，與實(shí)施例1相同的通過CVD法，與導(dǎo)電膜82的上面接觸地形成保護(hù)層32，進(jìn)而，通過浸漬法在保護(hù)層32上涂敷潤滑層38，從而得到磁記錄介質(zhì)80。
當(dāng)該磁記錄介質(zhì)80的保護(hù)層32的狀態(tài)通過拉曼光譜分析時(shí)，Id/Ig的值為1.0～1.1，表示作為DLC的特性。還有，當(dāng)驗(yàn)證該磁記錄介質(zhì)80中的磁頭14的舉動(dòng)時(shí)，可以確認(rèn)保持良好的懸浮特性。
按照上述第五實(shí)施方式，制作了磁記錄介質(zhì)90?；?2、記錄層24、填充要素28、第二導(dǎo)電膜36、保護(hù)層32、潤滑層38的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同。
對填充物、第二導(dǎo)電膜36的具體的成膜方法進(jìn)行簡單的說明。
首先，在凹凸圖案的記錄層24上，通過偏壓濺射法，將填充物以16nm的厚度成膜。這時(shí)，成膜功率(對目標(biāo)施加的功率)設(shè)定為約500W，偏壓功率(施加在基板22的功率)設(shè)定為約250W，Ar氣流量設(shè)定為約50sccm，室內(nèi)壓力設(shè)定為約為0.3Pa。
下面，在填充物上，通過濺射法，將第二導(dǎo)電膜36以4nm的厚度成膜。這時(shí)，成膜功率(對目標(biāo)施加的功率)設(shè)定為約500W，Ar氣流量設(shè)定為約50sccm，室內(nèi)壓力設(shè)定為約為0.5Pa。此外，沒有在基板22上施加偏壓電壓。
然后，通過CMP法，除去比記錄要素24A的上面更上側(cè)的剩余的填充物以及第二導(dǎo)電膜36，進(jìn)行平坦化。另外，CMP的條件與實(shí)施例1相同，以第二導(dǎo)電膜36在凹部26內(nèi)的填充要素28上殘存約2nm的厚度的方式調(diào)整加工時(shí)間。
下面，與實(shí)施例1相同的通過CVD法，與第二導(dǎo)電膜36的上面接觸形地成保護(hù)層32，進(jìn)而，通過浸漬法在保護(hù)層32上涂敷潤滑層38，從而得到磁記錄介質(zhì)90。
當(dāng)將該磁記錄介質(zhì)90的保護(hù)層32的狀態(tài)通過拉曼光譜進(jìn)行分析時(shí)，Id/Ig的值為1.1～1.3，表示了作為DLC的特性。還有，當(dāng)驗(yàn)證該磁記錄介質(zhì)90中的磁頭14的舉動(dòng)時(shí)，得到良好的懸浮特性。
制作相對于上述實(shí)施例2，省略導(dǎo)電膜82，與記錄要素24A以及填充要素28的上面接觸地形成保護(hù)層32的結(jié)構(gòu)的多個(gè)磁記錄介質(zhì)。此外，基板22、記錄層24、填充要素28、保護(hù)層32、潤滑層38的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例2相同。
另外，成膜填充物的偏壓濺射的條件、除去剩余的填充物的離子束蝕刻的條件、成膜保護(hù)層32的CVD的條件也與實(shí)施例2相同。
對于這些的磁記錄介質(zhì)之中的一部分，形成保護(hù)層32時(shí)，確認(rèn)有部分異常放電，在表面形成發(fā)黑的部分。
另外，當(dāng)將其他的磁記錄介質(zhì)的保護(hù)層32的狀態(tài)通過拉曼光譜分析時(shí)，Id/Ig的值約為2.0，不能表示作為DLC的充分的特性。
進(jìn)而，當(dāng)驗(yàn)證這些的磁記錄介質(zhì)中的磁頭14的舉動(dòng)時(shí)，在磁頭14能夠確認(rèn)與磁記錄介質(zhì)的碰撞帶來的損傷。
考慮到磁記錄介質(zhì)和磁頭斷續(xù)的間歇接觸，認(rèn)為在比較例的情況，通過硬度不充分的保護(hù)層與磁頭間歇接觸，產(chǎn)生損傷和污染，磁頭的懸浮特性惡化。對此，在實(shí)施例1～3的情況認(rèn)為，由于保護(hù)層整體具有充分的硬度，所以即使磁頭間歇接觸，也不會(huì)產(chǎn)生損傷和污染，保持磁頭的良好的懸浮特性。
產(chǎn)業(yè)上利用可能性本發(fā)明可以利用于具有例如離散軌道介質(zhì)或晶格介質(zhì)等的，以規(guī)定的凹凸圖案形成的記錄層的磁記錄介質(zhì)以及具有該磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具有在基板上以規(guī)定的凹凸圖案形成的，且將記錄要素作為該凹凸圖案的凸部形成的記錄層；填充在上述記錄要素之間的凹部的填充要素；電阻率低于該填充要素，且形成在上述記錄要素以及上述填充要素中的至少上述填充要素上的導(dǎo)電膜；覆蓋上述記錄要素以及上述填充要素，且與上述導(dǎo)電膜的上面接觸而形成的保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述保護(hù)層是通過在上述基板施加偏壓電壓的成膜法形成的硬質(zhì)碳膜。
3.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述導(dǎo)電膜形成在上述記錄要素以及上述填充要素的雙方的上面。
4.如權(quán)利要求3所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述導(dǎo)電膜是由單一材料構(gòu)成的連續(xù)的膜。
5.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述導(dǎo)電膜僅形成在上述記錄要素以及上述填充要素之中的上述填充要素上，上述記錄要素的上面與上述保護(hù)層接觸。
6.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述導(dǎo)電膜也形成在上述記錄要素的側(cè)面和上述填充要素的側(cè)面之間。
7.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具有在基板上以規(guī)定的凹凸圖案形成的，且將記錄要素作為該凹凸圖案的凸部形成的記錄層；在上述記錄要素之間的凹部填充的填充要素；形成在上述記錄要素以及上述填充要素上的導(dǎo)電膜，且該導(dǎo)電膜是由與該填充要素不同的單一材料構(gòu)成的連續(xù)的膜；覆蓋上述記錄要素以及上述填充要素，且與上述導(dǎo)電膜的上面接觸而形成的保護(hù)層。
8.如權(quán)利要求7所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述保護(hù)層是通過在上述基板施加偏壓電壓的成膜法形成的硬質(zhì)碳膜。
9.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述導(dǎo)電膜的電阻率低于上述保護(hù)層。
10.一種磁記錄再生裝置，其特征在于，具有權(quán)利要求1～9中任意一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)和磁頭，該磁頭為了對該磁記錄介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄/再生，以與該磁記錄介質(zhì)的表面接近且能夠懸浮的方式設(shè)置。
11.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，具有中間體制作工序，該中間體制作工序制作在制造工序中的中間體，該中間體具有在基板上以規(guī)定的凹凸圖案形成的，且將記錄要素作為該凹凸圖案的凸部形成的記錄層；填充在上述記錄要素之間的凹部的填充要素；電阻率低于該填充要素，且形成在上述記錄要素以及上述填充要素之中的至少上述填充要素上的導(dǎo)電膜；保護(hù)層形成工序，該保護(hù)層形成工序?qū)ι鲜龌迨┘悠珘弘妷?，同時(shí)使硬質(zhì)碳膜的保護(hù)層與上述導(dǎo)電膜的上面接觸而形成，并覆蓋上述記錄要素以及上述填充要素。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有以凹凸圖案形成，將記錄要素作為該凹凸圖案的凸部形成的記錄層，且得到磁頭的良好的懸浮特性的可靠性高的磁記錄介質(zhì)，具有該磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置以及這樣的磁記錄介質(zhì)的制造方法。磁記錄介質(zhì)(12)，具有在基板上以規(guī)定的凹凸圖案形成，將記錄要素(24A)作為該凹凸圖案的凸部形成的記錄層(24)；在記錄要素(24A)之間的凹部(26)填充的填充要素(28)；電阻率低于填充要素(28)且在填充要素(28)上形成的導(dǎo)電膜(30)；覆蓋記錄要素(24A)以及填充要素(28)，且與導(dǎo)電膜(30)的上面接觸地形成的保護(hù)膜(32)。
文檔編號G11B5/72GK1822112SQ20061000921
公開日2006年8月23日 申請日期2006年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月15日
發(fā)明者服部一博, 諏訪孝裕 申請人:Tdk股份有限公司