專利名稱：盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及盤裝置，更具體地說(shuō)，涉及使用采用垂直磁記錄方法的記錄介質(zhì)的盤裝置。
背景技術(shù)：
盤裝置，例如磁盤裝置，包括矩形盒形的外殼，在該外殼中，存放作為磁記錄介質(zhì)的磁盤、用于支撐和旋轉(zhuǎn)磁盤的作為驅(qū)動(dòng)裝置的主軸電動(dòng)機(jī)、用于向磁盤寫入和從磁盤讀取信息的多個(gè)磁頭、用于相對(duì)于磁盤可移動(dòng)地支撐磁頭的磁頭致動(dòng)器、用于旋轉(zhuǎn)和定位磁頭致動(dòng)器的音圈電動(dòng)機(jī)、具有IC磁頭等的基片單元等。
如例如日本專利申請(qǐng)公開2003-22634最近所公開的，提供了以薄卡片形狀形成的磁盤裝置，從而使其可以插入例如個(gè)人計(jì)算機(jī)的卡片槽。由于卡片形磁盤裝置必須形成為薄于且小于常規(guī)磁盤裝置，因此，在板狀基底上安裝各種元件，并且將板狀頂蓋附接到基底。此外，在基底的背表面上提供印刷電路板，以及通過(guò)設(shè)置在支撐框架上的專用固定部件定位并保持印刷電路板上的I/F(接口)連接器。
此外，最近，為增大記錄密度，垂直磁記錄方法正處于發(fā)展中。應(yīng)用垂直磁記錄方法的磁盤裝置通常包括磁頭磁盤組件，其具有單個(gè)磁極磁頭和兩層盤形記錄介質(zhì)。該磁盤裝置易于受到外部磁場(chǎng)的干擾，以及由于磁場(chǎng)干擾而刪除在盤形記錄介質(zhì)上記錄的數(shù)據(jù)的現(xiàn)象的影響。因此，與使用常規(guī)平面內(nèi)磁記錄方法的磁盤裝置相比，要求使用垂直磁記錄方法的磁盤裝置進(jìn)一步提高對(duì)外部磁場(chǎng)的屏蔽作用。為滿足該要求，在日本專利申請(qǐng)公開2003-77266中公開的盤裝置中，通過(guò)在外殼的上表面、下表面以及側(cè)表面周圍，尤其在面對(duì)磁頭移動(dòng)范圍的區(qū)域中纏繞帶形或箔狀磁屏蔽部件，來(lái)提高屏蔽作用。
然而，當(dāng)在要求減小厚度和尺寸的卡片形磁盤裝置的外殼的外表面周圍纏繞帶形或箔狀磁屏蔽部件時(shí)，裝置的厚度整體增大，阻礙了裝置厚度的減小。此外，當(dāng)纏繞磁屏蔽部件時(shí)，部件數(shù)量增多，并且制造和組裝裝置變得困難，并且其成本增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明根據(jù)這些情況設(shè)計(jì)，其目的是提供這樣的盤裝置，其磁屏蔽性能優(yōu)良，且其厚度可得到降低。
為了達(dá)到以上目的，根據(jù)本發(fā)明的一方面的盤裝置的特征在于包括外殼，其具有板狀基底和板狀頂蓋，其中所述板狀基底具有由軟磁性材料形成的開口上表面，所述板狀頂蓋具有由軟磁性材料形成的開口上表面并被附接到所述基底；盤形記錄介質(zhì)，其包括基片、在所述基片上形成的軟磁性底層、以及磁記錄層，所述磁記錄層通過(guò)在所述軟磁性底層上覆蓋形成，并具有垂直磁各向異性，所述記錄介質(zhì)被設(shè)置在所述外殼中；以及機(jī)械單元，其包括對(duì)所述記錄介質(zhì)進(jìn)行信息處理的磁頭、支撐所述磁頭的磁頭致動(dòng)器、以及支撐和旋轉(zhuǎn)所述記錄介質(zhì)的驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)，所述機(jī)械單元被設(shè)置在所述基底上，其中將所述基底的厚度形成為大于等于0.5mm，并且將所述頂蓋的厚度形成為大于等于0.25mm，以及所述基底和所述頂蓋的相對(duì)磁導(dǎo)率大于等于700，并且其飽和通量密度大于等于1.4(T)。
根據(jù)本發(fā)明的該方面，可提供一種磁盤裝置，其磁屏蔽性能優(yōu)良，且其厚度可得到降低。
本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中給出，其中的部分通過(guò)描述變得明顯、或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而得以理解。通過(guò)下文具體指出的方法及組合將實(shí)現(xiàn)并獲得本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)。


被結(jié)合的并構(gòu)成部分說(shuō)明書的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并與上面給出的總體描述以及下面給出的對(duì)實(shí)施例的詳細(xì)描述一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的硬盤驅(qū)動(dòng)器(下文稱為HDD)的上表面的透視圖；圖2是從中去除了頂蓋的HDD的平面圖；圖3是HDD的分解透視圖；圖4是示出HDD的基底與頂蓋的鄰接部分的截面圖；圖5示意示出HDD的磁盤和磁頭；圖6示出相對(duì)磁導(dǎo)率與外殼的泄漏磁場(chǎng)之間的關(guān)系；圖7示出飽和通量密度與外殼的泄漏磁場(chǎng)之間的關(guān)系；以及圖8示出采用平面內(nèi)記錄方法的1.8英寸磁盤裝置的泄漏磁場(chǎng)強(qiáng)度與根據(jù)本實(shí)施例的HDD的泄漏磁場(chǎng)強(qiáng)度的比較。
具體實(shí)施例方式
將參考附圖詳細(xì)說(shuō)明應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例。
如圖1至3所示，HDD以卡片形狀形成，并根據(jù)例如PC卡片類型標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置。更具體地說(shuō)，HDD具有矩形板狀基底10，板狀基底10具有其中除其周緣部分都被安裝如下文所述的各個(gè)部件的凹入部分、以及開口上表面。HDD具有用于封閉基底10的上表面的板狀頂蓋12、在基底10的背表面上提供的印刷電路板14，以及覆蓋印刷電路板14和基底10的背表面的底蓋15，并且該HDD通過(guò)層疊這些零件整體以卡片形狀形成。基底10、頂蓋12以及底蓋15構(gòu)成扁平的矩形外殼11。
如圖2和3所示，將用作信息記錄介質(zhì)的1.8英寸磁盤16和機(jī)械單元設(shè)置在基底10的凹入部分中。機(jī)械單元包括作為驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)的主軸電動(dòng)機(jī)18，其用于支撐和旋轉(zhuǎn)磁盤；多個(gè)磁頭40，其向磁盤寫入和從磁盤讀取信息；磁頭致動(dòng)器22，其用于相對(duì)于磁盤16可移動(dòng)地支撐磁頭40；音圈電動(dòng)機(jī)(下文中稱為VCM)24，其用于旋轉(zhuǎn)和定位磁頭致動(dòng)器22；斜坡加載機(jī)構(gòu)25，其用于當(dāng)磁頭40移動(dòng)到磁盤16的最外周時(shí)，將磁頭40保持在離開磁盤16的位置；以及慣性制動(dòng)機(jī)構(gòu)27，其用于在退出位置保持磁頭致動(dòng)器22。將具有磁頭IC等的基片單元21和堆疊狀(pack-shaped)空氣過(guò)濾器28設(shè)置在基底10上。
通過(guò)壓鑄軟磁性材料，例如，如冷軋?zhí)间摪?SPCC)的鐵材料，形成基底10，并且在基底10的周緣周圍形成近似扁平的鄰接部分13。在基底10的鄰接部分13中形成多個(gè)螺紋孔82，在其中將要旋入用于固定頂蓋12的螺釘，以及多個(gè)定位孔83，其定位下文將要描述的墊圈60。
如圖2和3所示，將主軸電動(dòng)機(jī)18安裝在基底10的凹入部分中。將磁盤16安裝在主軸電動(dòng)機(jī)18的輪轂(未示出)上，并通過(guò)夾持器17固定到輪轂上。在該設(shè)置下，通過(guò)主軸電動(dòng)機(jī)18以預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)磁盤16。
磁頭致動(dòng)器22包括固定到基底10的軸承組件26；從軸承組件26伸出的兩個(gè)臂32；從兩個(gè)臂32的末端伸出的磁頭組件36；以及支撐框架44，其以相對(duì)臂32的方向從軸承組件26伸出并支撐音圈45。磁頭組件36包括細(xì)長(zhǎng)的板狀懸架和通過(guò)未示出的萬(wàn)向接頭(gimbal)部分固定到懸架的末端的磁頭40。
當(dāng)將設(shè)置在實(shí)際數(shù)據(jù)側(cè)的磁頭致動(dòng)器22組裝到基底10時(shí)，將磁盤16插入兩個(gè)臂32之間。一對(duì)磁頭40面對(duì)磁盤16的上表面和下表面。通過(guò)懸架的彈簧彈力朝向磁盤的表面對(duì)磁頭40施加預(yù)定磁頭加載。
用于旋轉(zhuǎn)磁頭致動(dòng)器22的VCM 24包括音圈45，其固定到磁頭致動(dòng)器22的支撐框架44；上磁軛48，其被設(shè)置在基底10上，以面對(duì)音圈45；以及磁體49，其被固定在上磁軛48的內(nèi)表面，并與音圈45相對(duì)。由軟磁性材料構(gòu)成的基底10也用作VCM 24的下磁軛。
音圈45的激勵(lì)使磁頭致動(dòng)器22在圖2的實(shí)線所示的撤出位置與在磁盤16上的致動(dòng)位置之間轉(zhuǎn)動(dòng)，并在致動(dòng)位置將磁頭40定位在磁盤16的希望磁道上。通過(guò)在基底10上豎立的制動(dòng)銷50，防止磁頭致動(dòng)器22過(guò)度旋轉(zhuǎn)超出撤出位置。
磁頭40通過(guò)柔性電纜52電連接到基片單元21。基片單元21由柔性印刷電路板構(gòu)成，并具有在其底部安裝的連接器53，以將基片單元21連接到印刷電路板14?；瑔卧?1通過(guò)螺釘固定到基底10上，以及連接器53面對(duì)形成到基底10上的矩形信號(hào)線插入口54。將震動(dòng)傳感器84安裝在基片單元21的上表面上，以檢測(cè)作用于HDD的震動(dòng)。
如圖5所示，磁盤16具有具有這樣的結(jié)構(gòu)，被稱為軟磁下層的軟磁性底層72和具有垂直磁各向異性的磁化記錄層73順序?qū)盈B在基片70的每個(gè)表面上，然后在其上形成保護(hù)層74，其中所述基片70由盤形非磁性部件構(gòu)成。
將磁頭40設(shè)置為單磁極磁頭，其包括用于對(duì)磁盤16施加記錄磁場(chǎng)的主磁極75和用作通量返回通路的返回磁軛76。在主磁極75周圍纏繞記錄線圈77，以當(dāng)對(duì)磁盤16寫入信號(hào)時(shí)激勵(lì)主磁極75。將讀取磁頭再現(xiàn)單元78設(shè)置為鄰近返回磁軛，以從磁盤16讀出信號(hào)。
如圖3所示，在基底10的背表面上設(shè)置的印刷電路板14以稍小于基底10的矩形形狀形成。將連接器56安裝在印刷電路板14上，并通過(guò)基底10的信號(hào)線插入口54連接到在基底10中的基片單元21上設(shè)置的連接器53。
I/F連接器57在長(zhǎng)度方向上連接到印刷電路板14的一端，以將HDD連接到外部設(shè)備。I/F連接器57具有扁平矩形主體57a，其在長(zhǎng)度方向上沿著印刷電路板的邊緣設(shè)置，并且與其平行地從印刷電路板14突出。將從主體57a伸出的多根引線焊接到印刷電路板14。當(dāng)將印刷電路板14設(shè)置在基底10的背表面上時(shí)，將I/F連接器57設(shè)置為與基底10隔開。
在其上安裝各種元件的基底10的上表面通過(guò)由螺釘固定到基底10的頂蓋12封閉。如圖1和2所示，頂蓋12以矩形形狀形成，該矩形的尺寸對(duì)應(yīng)于基底10。通過(guò)壓鑄軟磁性材料，例如，如冷軋?zhí)间摪宓蔫F材料等，形成頂蓋12，并且在頂蓋12的周緣周圍形成近似扁平的鄰接部分19。如圖3和4所示，在頂蓋12的鄰接部分19形成多個(gè)突出23。將突出23設(shè)置為與基底10的螺紋孔82相對(duì)，并且向基底側(cè)突出。在突出23的末端形成通孔23a。
通過(guò)穿過(guò)通孔23a將螺釘12b旋入基底10的螺紋孔82，將頂蓋12固定到基底10。在這種狀態(tài)下，基底10的鄰接部分13面對(duì)頂蓋12的鄰接部分19，并且突出23緊靠基底10的鄰接部分13。如下文所述，當(dāng)將墊圈60夾在基底10與頂蓋12之間時(shí)，將突出23的突出高度設(shè)定為小于等于1mm。此外，當(dāng)不使用墊圈時(shí)，將突出23的突出高度設(shè)定為0mm，從而使基底10的鄰接部分13與頂蓋12的鄰接部分19在其整個(gè)區(qū)域緊密接觸，以使其相互電和磁導(dǎo)通。此外，為改善氣密性，將基底10和頂蓋12的鄰接部分13、19的寬度形成為大于基底10和頂蓋12的厚度。
在該實(shí)施例中，將墊圈60夾在基底10的鄰接部分13與頂蓋12的鄰接部分19之間，以保持基底10中的氣密性。如圖3所示，以對(duì)應(yīng)于基底10的鄰接部分13的矩形框架形狀形成墊圈60。通過(guò)將薄金屬或樹脂板從其上面和下面夾在由例如橡膠等構(gòu)成的墊圈部件之間，形成墊圈60。在多個(gè)位置與墊圈60整體地形成朝向基底10側(cè)突出的多個(gè)定位突出66。將墊圈60設(shè)置為，通過(guò)接合定位突出66與在基底10的鄰接部分13上形成的多個(gè)定位孔83，使墊圈60位于相對(duì)于鄰接部分13的預(yù)定位置。當(dāng)通過(guò)螺釘將頂蓋12固定到基底10時(shí)，墊圈60被夾在基底10的鄰接部分13與頂蓋12的鄰接部分19之間，并在鄰接部分之間氣密性地密封。
如圖3所示，通過(guò)壓鑄軟磁性材料，例如，如冷軋?zhí)间摪?SPCC)的鐵材料等，形成覆蓋基底10和印刷電路板14的背表面的底蓋15，并且該底蓋15具有對(duì)應(yīng)于基底10的近似矩形的形狀。當(dāng)用底蓋15覆蓋基底10和印刷電路板14的背表面時(shí)，底蓋15的一端在長(zhǎng)度方向從基底10突出，并構(gòu)成連接器支撐部分15a。連接器支撐部分15a面對(duì)I/F連接器57的背表面，并且以與I/F連接器57的主體57a近似相同的尺寸形成。
除了其連接器支撐部分15a外，與底蓋15的長(zhǎng)邊整體形成側(cè)壁94。側(cè)壁94相對(duì)于底蓋15垂直伸出，并且各側(cè)壁94的伸出的端部94a與側(cè)壁94的其它部分成直角。
將如上所述設(shè)置的底蓋15設(shè)置在印刷電路板14的背表面上，以覆蓋印刷電路板14，并通過(guò)如圖1所示接合側(cè)壁94的伸出端部94a與頂蓋12的鄰接部分19的上表面，將其附接到基底10和頂蓋12。如上所述，將底蓋15的兩個(gè)側(cè)壁94都形成為，使其截面近似為U形，并通過(guò)側(cè)壁94從外側(cè)同時(shí)將基底10和頂蓋12的鄰接部分13、19夾在中間，并使其相互接合。結(jié)果，可整體提高裝置的強(qiáng)度，并且可固定底蓋15而不使用螺釘和專用支撐部件。同時(shí)，通過(guò)用底蓋15的側(cè)壁94覆蓋HDD的整個(gè)側(cè)壁，可降低由外部磁噪音和電場(chǎng)產(chǎn)生的影響。
在如上所述設(shè)置的HDD中，由于受到HDD的厚度、在HDD中容納的零件的高度、作為在磁頭40與磁盤16之間的間隙的G高度等的限制，將頂蓋12的厚度設(shè)定為小于等于0.5mm，將基底10的厚度設(shè)定為小于等于1.0mm。由于強(qiáng)度的限制，優(yōu)選將頂蓋12的厚度設(shè)定為大于等于0.25mm，基底10的厚度設(shè)定為大于等于0.5mm。
當(dāng)將頂蓋12的厚度設(shè)定為0.25mm，基底10的厚度設(shè)定為0.5mm時(shí)，磁屏蔽效果最弱。在這種情況下，當(dāng)由SUS 430形成的頂蓋12與由SPCC形成的基底10結(jié)合時(shí)，存在這樣的可能，即在磁盤16上記錄的數(shù)據(jù)可能被外部磁場(chǎng)刪除。
根據(jù)本實(shí)施例，可通過(guò)采用各自由SPCC形成的頂蓋12與基底10的結(jié)合，防止發(fā)生通過(guò)外部磁場(chǎng)的影響刪除在磁盤16上記錄的數(shù)據(jù)的事件。
圖6示出了通過(guò)用于確定頂蓋12的相對(duì)磁導(dǎo)率μ的模擬進(jìn)行的計(jì)算的結(jié)果。在這種情況下，利用Helmholtz線圈等作為外部磁場(chǎng)，通過(guò)施加250(Oe)的均勻外部磁場(chǎng)作為外部磁場(chǎng)，計(jì)算在磁盤16中的泄漏磁場(chǎng)強(qiáng)度。具體地說(shuō)，使用頂蓋12的磁導(dǎo)率μ作為參數(shù)，計(jì)算泄漏磁場(chǎng)。
通過(guò)其中磁屏蔽效果最弱的被設(shè)定為0.25mm的頂蓋12的厚度、和被設(shè)定為0.5mm的基底10的厚度，確定外殼11的厚度?；?0由SPCC形成，其飽和通量密度Bs為1.6(T)，以及相對(duì)磁導(dǎo)率μ為800。這些值是假定未附接底蓋15計(jì)算而得。
根據(jù)計(jì)算結(jié)果，磁頭40對(duì)磁場(chǎng)的抗性極值為150(Oe)。然而，如圖6的A1所示，由于采用平面內(nèi)記錄方法的1.8英寸磁盤裝置中使用的相對(duì)磁導(dǎo)率為500的SUS 430具有160(Oe)的泄漏磁場(chǎng)強(qiáng)度，存在這樣的可能，即在磁盤16上記錄的數(shù)據(jù)可能被刪除。
相比之下，當(dāng)如在本實(shí)施例中使用都由相對(duì)磁導(dǎo)率為800的SPCC形成的基底10和頂蓋12時(shí)，如圖6的B1所示，泄漏磁場(chǎng)強(qiáng)度為130(Oe)，從而，可防止發(fā)生由于外部磁場(chǎng)的影響而刪除在磁盤16上記錄的數(shù)據(jù)的事件。注意到，圖6的C1示出了相對(duì)磁導(dǎo)率為700，在這種情況下，泄漏磁場(chǎng)強(qiáng)度為130(Oe)。因此，優(yōu)選基底10和頂蓋12的相對(duì)磁導(dǎo)率大于等于700。
圖7示出了通過(guò)用于確定頂蓋12的飽和通量密度Bs的模擬進(jìn)行的計(jì)算的結(jié)果。在這種情況下，利用Helmholtz線圈等作為外部磁場(chǎng)，通過(guò)對(duì)HDD施加均勻的250(Oe)的外部磁場(chǎng)，計(jì)算在HDD中的泄漏磁場(chǎng)強(qiáng)度。具體地說(shuō)，使用頂蓋12的飽和通量密度Bs作為參數(shù)，計(jì)算泄漏磁場(chǎng)。
通過(guò)其中磁屏蔽效果最弱的被設(shè)定為0.25mm的頂蓋12的厚度、以及被設(shè)定為0.5mm的基底10的厚度，確定外殼11的厚度。基底10由SPCC形成，其飽和通量密度Bs為1.6(T)，并且相對(duì)磁導(dǎo)率μ為800。這些值是假定未附接底蓋15計(jì)算而得。
根據(jù)計(jì)算結(jié)果，磁頭40對(duì)磁場(chǎng)的抗性極值為150(Oe)。然而，當(dāng)使用飽和通量密度為1.2(T)的SUS 430形成外殼時(shí)，其泄漏磁場(chǎng)強(qiáng)度為160(Oe)，所述SUS 430用于采用平面內(nèi)記錄方法的1.8英寸磁盤裝置中。從而存在這樣的可能，即在磁盤16上記錄的數(shù)據(jù)可能被刪除。
然而，根據(jù)本實(shí)施例，當(dāng)基底10和頂蓋12由飽和通量密度為1.6的SPCC形成時(shí)，如圖7的B2所示，泄漏磁場(chǎng)強(qiáng)度為117(Oe)，從而，可以預(yù)先防止發(fā)生通過(guò)外部磁場(chǎng)的影響刪除在磁盤16上記錄的數(shù)據(jù)的事件。注意到，圖7的C2示出了由飽和通量密度為1.4(T)的材料形成的外殼11，在這種情況下，泄漏磁場(chǎng)強(qiáng)度為139(Oe)。因此，優(yōu)選基底10和頂蓋12的飽和通量密度大于等于1.4(T)。
圖8示出了基于上述檢驗(yàn)結(jié)果，在采用平面內(nèi)記錄方法的1.8英寸磁盤裝置的泄漏磁場(chǎng)強(qiáng)度A3與根據(jù)本實(shí)施例的HDD的泄漏磁場(chǎng)強(qiáng)度B3之間的比較。根據(jù)檢驗(yàn)結(jié)果，可以確定，通過(guò)由SPCC形成基底10和頂蓋12，將泄漏磁場(chǎng)強(qiáng)度改善了約60(Oe)。在這種設(shè)置下，可以預(yù)先防止發(fā)生通過(guò)外部磁場(chǎng)的影響刪除在磁盤16上記錄的數(shù)據(jù)的事件。
相比之下，根據(jù)本實(shí)施例，將在磁盤16的軸向方向上的磁盤16的表面與基底10之間的間隙設(shè)定為大于等于0.35mm，且將其在磁盤16的表面方向上的間隙設(shè)定為大于等于0.5mm。此外，將在磁盤16的軸向方向上的磁盤16的表面與頂蓋12之間的間隙設(shè)定為大于等于0.4mm，且將其沿磁盤16的表面方向的間隙設(shè)定為大于等于0.3mm。
在這種設(shè)置下，可以預(yù)先防止發(fā)生通過(guò)外部磁場(chǎng)的影響干擾構(gòu)成磁盤16的軟磁性底層的磁疇結(jié)構(gòu)、并刪除在磁盤16上記錄的數(shù)據(jù)的現(xiàn)象。
根據(jù)本實(shí)施例，底蓋15由軟磁性材料形成，并且其厚度大于等于0.1mm。在這種設(shè)置下，可進(jìn)一步改善HDD的磁屏蔽性能。
根據(jù)如上所述設(shè)置的HDD，通過(guò)由具有基底10和頂蓋12的外殼11屏蔽外部磁場(chǎng)，可防止發(fā)生在磁盤16上記錄的數(shù)據(jù)被刪除的現(xiàn)象。由于通過(guò)改善對(duì)外部磁場(chǎng)的抗性，改善了HDD的寫入性能，從而可以提供一種采用垂直磁記錄方法的高度可靠的高記錄密度磁盤裝置。此外，由于不必在外殼11的外表面纏繞磁屏蔽部件等，可減少零件的數(shù)量，并且可以提高組裝性能，以及可以進(jìn)一步降低裝置整體的厚度。
由于可通過(guò)底蓋15的兩個(gè)側(cè)壁同時(shí)夾住的基底10和頂蓋12可以相互接合，從而可以不使用螺釘和專用支撐部件而固定底蓋15。通過(guò)用底蓋15覆蓋整個(gè)背表面和整個(gè)側(cè)壁，可降低外部磁噪音和電場(chǎng)的影響。
應(yīng)注意，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例，并且可通過(guò)在不脫離本發(fā)明要旨的范圍內(nèi)修改元件得以實(shí)施。此外，可通過(guò)適當(dāng)結(jié)合在該實(shí)施例中公開的多個(gè)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)各種發(fā)明。例如，可從實(shí)施例中示出的所有元件省略幾個(gè)元件。此外，可適當(dāng)結(jié)合不同實(shí)施例的元件。
例如，磁盤數(shù)不限于一片，而可以在需要時(shí)增加。此外，基底、頂蓋以及底蓋的材料不限于冷軋?zhí)间摚梢允褂闷渌洿判圆牧稀?br> 權(quán)利要求
1.一種盤裝置，其特征在于包括外殼，其具有板狀基底和板狀頂蓋，其中所述板狀基底具有由軟磁性材料形成的開口上表面，所述板狀頂蓋具有由軟磁性材料形成的開口上表面、并被附接到所述基底；盤形記錄介質(zhì)，其包括基片、在所述基片上形成的軟磁性底層、以及磁記錄層，所述磁記錄層通過(guò)被覆蓋在所述軟磁性底層上形成，并具有垂直磁各向異性，所述記錄介質(zhì)被設(shè)置在所述外殼中；以及機(jī)械單元，其包括對(duì)所述記錄介質(zhì)進(jìn)行信息處理的磁頭、支撐所述磁頭的磁頭致動(dòng)器、以及支撐和旋轉(zhuǎn)所述記錄介質(zhì)的驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)，所述機(jī)械單元被設(shè)置在所述基底上，所述基底的厚度大于等于0.5mm，并且所述頂蓋的厚度大于等于0.25mm，以及所述基底和所述頂蓋的相對(duì)磁導(dǎo)率大于等于700，并且其飽和通量密度大于等于1.4(T)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的盤裝置，其特征在于，在所述記錄介質(zhì)的軸向方向上的所述記錄介質(zhì)的表面與所述基底之間的間隙被設(shè)定為大于等于0.35mm，并且在所述記錄介質(zhì)的表面方向上的它們之間的間隙被設(shè)定為大于等于0.5mm，以及在所述記錄介質(zhì)的軸向方向上的所述記錄介質(zhì)的表面與所述頂蓋之間的間隙被設(shè)定為大于等于0.4mm，并且在所述記錄介質(zhì)的表面方向上的它們之間的間隙被設(shè)定為大于等于0.3mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的盤裝置，其特征在于，所述基底和所述頂蓋包括周緣，所述周緣分別具有相互鄰接的鄰接部分，并且所述基底和所述頂蓋的所述鄰接部分的寬度被形成為大于所述基底和所述頂蓋的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的盤裝置，其特征在于，所述基底具有多個(gè)被形成在所述鄰接部分中的螺紋孔，所述頂蓋具有多個(gè)被形成在所述鄰接部分以與所述螺紋孔相對(duì)的突出，所述突出向所述基底側(cè)突出，并與所述基底的所述鄰接部分鄰接，以及所述各突出的突出高度被設(shè)定為小于等于1mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的盤裝置，其特征在于還包括被相對(duì)于所述頂蓋定位的板狀底蓋，所述底蓋覆蓋所述基底的背表面，并由軟磁性材料形成，以及所述基底具有一對(duì)相互平行地伸出的側(cè)邊緣，所述頂蓋具有一對(duì)側(cè)邊緣，其覆蓋所述基底的所述側(cè)邊緣，并相互平行地伸出，以及所述底蓋具有一對(duì)側(cè)壁，其通過(guò)從外側(cè)夾住所述基底的所述側(cè)邊緣與所述頂蓋的所述側(cè)邊緣而使其接合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的盤裝置，其特征在于還包括印刷電路板，其被設(shè)置為在所述頂蓋的相對(duì)側(cè)上面對(duì)所述基底；以及連接器，其被安裝在所述印刷電路板上，其中所述底蓋被設(shè)置為覆蓋所述印刷電路板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的盤裝置，其特征在于所述磁頭包括主磁極，其對(duì)所述記錄介質(zhì)施加記錄磁場(chǎng)；返回磁軛，到其的通量返回通路被形成；以及再現(xiàn)單元，其從所述記錄介質(zhì)讀出信號(hào)。
全文摘要
磁盤裝置的外殼具有板狀基底(10)和板狀頂蓋(12)，其中所述板狀基底具有由軟磁性材料形成的開口上表面，所述板狀頂蓋具有由軟磁性材料形成的開口上表面并被附接到所述基底。被設(shè)置在所述外殼中的盤形記錄介質(zhì)(16)包括基片、在所述基片上形成的軟磁性底層、以及磁記錄層，所述磁記錄層通過(guò)被覆蓋在所述軟磁性底層上形成，并具有垂直磁各向異性。形成的所述基底的厚度大于等于0.5mm，并且形成的所述頂蓋的厚度大于等于0.25mm。所述基底和所述頂蓋的相對(duì)磁導(dǎo)率大于等于700，并且其飽和通量密度大于等于1.4(T)。
文檔編號(hào)G11B5/17GK1841501SQ20061006509
公開日2006年10月4日 申請(qǐng)日期2006年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月31日
發(fā)明者勝俁悟, 高岸雅幸, 田中陽(yáng)一郎 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝