專利名稱：具有連接位線的半導(dǎo)體存儲設(shè)備及其數(shù)據(jù)移位方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲設(shè)備，并且，更具體地，涉及一種能夠通過連接位線而移位數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體設(shè)備、及其移位數(shù)據(jù)的方法。
背景技術(shù)：
需要執(zhí)行功能的數(shù)據(jù)容量正在增長。大量數(shù)據(jù)中具有高相關(guān)度的數(shù)據(jù)被存儲在半導(dǎo)體設(shè)備中的相鄰地址。
在此情況中，如果任意行地址上的數(shù)據(jù)能夠被移位到不同的地址，就可以獲得各種優(yōu)點(diǎn)。
圖1是解釋了將任意行地址上的數(shù)據(jù)移位到不同的行地址的傳統(tǒng)操作的視圖。
參考圖1，在與字線WL1連接的存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)，被移位到與字線WL2連接的存儲單元。這樣的數(shù)據(jù)移位有利于在圖形存儲器等之中對大量數(shù)據(jù)的位置移位。并且，在數(shù)據(jù)被存儲在存儲設(shè)備的相鄰地址之后，數(shù)據(jù)移位可以用于僅在期望數(shù)據(jù)被存儲的區(qū)域內(nèi)選擇性地刷新。
此外，如果任意行地址上的數(shù)據(jù)可以被移位到不同的行地址，則由于存儲設(shè)備的操作而可獲得各種優(yōu)點(diǎn)。
圖2A是示出了傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲設(shè)備的存儲單元模塊和讀出放大器模塊的視圖。
圖2A示出了在讀出放大器模塊SAB1、SAB2和SAB3之間配置的存儲單元模塊MCB1和MCB2。每個讀出放大器模塊SAB1、SAB2和SAB3都包括多個讀出放大器電路(未示出)。
存儲單元模塊MCB1的位線BL連接于讀出放大器模塊SAB2的讀出放大器電路(未示出)。存儲單元模塊MCB1的反轉(zhuǎn)位線/BL連接于讀出放大器模塊SAB1的讀出放大器電路(未示出)。
存儲單元模塊MCB2的位線BL連接于讀出放大器模塊SAB3的讀出放大器電路(未示出)。存儲單元模塊MCB2的反轉(zhuǎn)位線/BL連接于讀出放大器模塊SAB2的讀出放大器電路(未示出)。
圖2B是一個示意圖，圖釋了在讀出放大器模塊中包括的讀出放大器電路與圖2A的位線之間的連接關(guān)系。
在下文中，將會參考圖2B更詳細(xì)地描述位線BL、反轉(zhuǎn)位線/BL以及讀出放大器電路SA1、SA2、SA3和SA4之間的連接關(guān)系。
在圖2B中，假設(shè)讀出放大器電路SA1配置在讀出放大器模塊SAB1中，讀出放大器電路SA2配置在讀出放大器模塊SAB2中，讀出放大器電路SA3配置在讀出放大器模塊SAB3中，以及讀出放大器電路SA4配置在其他的讀出放大器電路中(未示出)。
同一個存儲單元模塊的位線和反轉(zhuǎn)位線分別連接于不同的讀出放大器電路。即，第一存儲單元模塊的位線和第二存儲單元模塊的反轉(zhuǎn)位線被連接到同一個讀出放大器電路。
參照圖2B，存儲單元模塊MCB1的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL分別與讀出放大器電路SA2和讀出放大器電路SA1連接。即，存儲單元模塊MCB1的位線BL和存儲單元模塊MCB2的反轉(zhuǎn)位線/BL被連接到同一個讀出放大器電路SA2。
同樣，存儲單元模塊MCB2的位線BL和存儲單元模塊MCB3的反轉(zhuǎn)位線/BL均與讀出放大器電路SA3連接。上文描述的這種配置被稱為“開放型”讀出放大器電路。
圖3A是示出了傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲設(shè)備的存儲單元模塊以及讀出放大器模塊的視圖。
圖3A圖示了在讀出放大器模塊SAB1、SAB2和SAB3之間配置的存儲單元模塊MCB1和MCB2。每一個讀出放大器模塊SAB1、SAB2和SAB3包括多個讀出放大器電路(未示出)。
存儲單元模塊MCB1的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL交替成對地連接于讀出放大器模塊SAB2的讀出放大器電路(未示出)和讀出放大器模塊SAB1的讀出放大器電路(未示出)。同樣，存儲單元模塊MCB2的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL交替成對地連接于讀出放大器模塊SAB2的讀出放大器電路(未示出)和讀出放大器模塊SAB3的讀出放大器電路(未示出)。
圖3B是一個示意圖，圖釋了在讀出放大器模塊中包括的讀出放大器電路與圖3A的位線之間的連接關(guān)系。在下文中，將會參考圖3B更詳細(xì)描述位線BL、反轉(zhuǎn)位線/BL和讀出放大器電路SA1的連接關(guān)系。
在圖3B中，假設(shè)讀出放大器電路SA1配置在讀出放大器模塊SAB2中。同一個存儲單元模塊的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL(位線對)連接于同一個讀出放大器電路SA1。更具體地，存儲單元模塊MCB1的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL連接于讀出放大器電路SA1。同樣，存儲單元模塊MCB2的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL連接于讀出放大器電路SA1。
當(dāng)存儲單元模塊MCB1的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL被連接到讀出放大器電路SA1時，響應(yīng)于控制信號S1而導(dǎo)通隔離晶體管ITR1和ITR2，響應(yīng)于另一個控制信號S2而關(guān)斷隔離晶體管ITR3和ITR4。因此，當(dāng)讀出放大器電路SA1操作時，由隔離晶體管ITR1和ITR2將位于讀出放大器電路SA1一側(cè)的存儲單元模塊MCB1的位線對連接于讀出放大器電路SA1。并且由隔離晶體管ITR3和ITR4將位于讀出放大器電路SA1另一側(cè)的存儲單元模塊MCB2的位線對與讀出放大器電路SA1斷開。
上文描述的這種連接配置被稱為“折疊型”讀出放大器電路。
通常，如圖2A和圖3A中所示，存儲單元模塊的位線對隔離于與存儲單元模塊相鄰的不同存儲單元模塊的位線對。然而，如果相鄰存儲單元模塊的位線對彼此連接，則能夠容易地將任意行地址上的數(shù)據(jù)移位到不同的行地址。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其能夠容易地將任意行地址上的數(shù)據(jù)移位到不同的行地址。
本發(fā)明還提供了一種數(shù)據(jù)移位方法，其通過一種能夠容易地將任意行地址上的數(shù)據(jù)移位到不同行地址的半導(dǎo)體存儲設(shè)備來執(zhí)行。
根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，一種半導(dǎo)體存儲設(shè)備包括多個存儲單元模塊、多個讀出放大器模塊以及多個開關(guān)。這里，多個存儲單元模塊中每一個均包括多個位線和多個字線。多個讀出放大器模塊可以分別配置于存儲單元模塊之間，其中每個讀出放大器模塊包括與位線相對應(yīng)的多個讀出放大器電路。同樣，響應(yīng)于移位信號，多個開關(guān)可以連接位線，該位線不共用之間配置有讀出放大器模塊的相鄰存儲單元模塊的位線中的讀出放大器模塊。


通過參考附圖來詳細(xì)描述其示例實(shí)施例，本發(fā)明的上述以及其它的特征和優(yōu)點(diǎn)將會更明顯，附圖中圖1是解釋了將任意行地址上的數(shù)據(jù)移位到不同的行地址的傳統(tǒng)操作的視圖；圖2A是示出了一種傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲設(shè)備的存儲單元模塊和讀出放大器模塊的視圖；圖2B是一個示意圖，圖釋了在讀出放大器模塊中包括的讀出放大器電路與圖2A的位線之間的連接關(guān)系；圖3A是示出了傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲設(shè)備的存儲單元模塊以及讀出放大器模塊的視圖。
圖3B是一個示意圖，圖釋了在讀出放大器模塊中包括的讀出放大器電路與圖3A的位線之間的連接關(guān)系；圖4是解釋了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲設(shè)備的視圖；圖5是一個流程圖，圖釋了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的、由圖4中所示的半導(dǎo)體存儲設(shè)備執(zhí)行的數(shù)據(jù)移位方法；圖6是解釋了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲設(shè)備的視圖；以及圖7是一個流程圖，圖釋了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的、由圖6中所示的半導(dǎo)體存儲設(shè)備執(zhí)行的數(shù)據(jù)移位方法。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考其中示出了本發(fā)明實(shí)施例的附圖來更完整地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來具體實(shí)施，并且不限于這里闡述的實(shí)施例；更正確地，提供這些實(shí)施例以使得這種公開是徹底和完整的，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全轉(zhuǎn)達(dá)本發(fā)明的概念。附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元素，并且因此不再重復(fù)對它們的描述。
圖4是解釋了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲設(shè)備400的視圖。
圖5是一個流程圖，圖釋了由圖4中所示的半導(dǎo)體存儲設(shè)備400執(zhí)行的數(shù)據(jù)移位方法。
參考圖4，半導(dǎo)體設(shè)備400包括多個存儲單元模塊MCB1、MCB2、MCB3和MCB4，其每一個均包括多個位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL和多個字線WL；多個讀出放大器模塊SAB1、SAB2和SAB3，其分別配置在存儲單元模塊MCB1、MCB2、MCB3和MCB4之間，其中讀出放大器模塊SAB1、SAB2和SAB3中的每一個均包括多個分別與位線BL相對應(yīng)的讀出放大器電路(未示出)；以及多個開關(guān)SW1和SW2。
響應(yīng)于移位信號SFT1和SFT2，開關(guān)SW1和SW2連接位線，該位線不共用之間配置有讀出放大器模塊的相鄰存儲單元模塊的位線中的讀出放大器模塊。
在本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例中，在讀出放大器模塊SAB1、SAB2和SAB3中包括的每個讀出放大器電路(未示出)均為開放型讀出放大器電路，其連接于第一存儲單元模塊的位線BL和與第一存儲單元模塊相鄰的第二存儲單元模塊的反轉(zhuǎn)位線/BL。即，相同存儲單元模塊的位線和反轉(zhuǎn)位線分別連接于不同的讀出放大器電路。
例如，存儲單元模塊MCB2的位線BL和存儲單元模塊MCB1的反轉(zhuǎn)位線/BL被連接到讀出放大器模塊SAB1的讀出放大器電路(未示出)。即，存儲單元模塊MCB2的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL分別連接于讀出放大器模塊SAB1和讀出放大器模塊SAB2。
在相鄰存儲單元模塊MCB1和MCB2中，存儲單元模塊MCB1的位線BL隔離于存儲單元模塊MCB2的位線BL。同樣，存儲單元模塊MCB1的反轉(zhuǎn)位線/BL隔離于存儲單元模塊MCB2的反轉(zhuǎn)位線/BL。
同樣地，在相鄰存儲存儲單元模塊MCB2和MCB3中，存儲單元模塊MCB2的位線BL隔離于存儲單元模塊MCB3的位線BL。同樣，存儲單元模塊MCB2的反轉(zhuǎn)位線/BL隔離于存儲單元模塊MCB3的反轉(zhuǎn)位線/BL。
在圖4所示的半導(dǎo)體存儲設(shè)備400中，利用開關(guān)SW1和SW2，隔離的位線BL相互連接，同時隔離的反轉(zhuǎn)位線/BL彼此相互連接。
詳細(xì)地，開關(guān)SW1將與讀出放大器模塊SAB1連接的存儲單元模塊MCB1的反轉(zhuǎn)位線/BL，連接到?jīng)]有與讀出放大器模塊SAB1連接的存儲單元模塊MCB2的反轉(zhuǎn)位線/BL。
同樣，開關(guān)SW1將與讀出放大器模塊SAB2連接的存儲單元模塊MCB3的位線BL，連接到?jīng)]有與讀出放大器模塊SAB2連接的存儲單元模塊MCB2的位線BL。
開關(guān)SW2將與讀出放大器模塊SAB2連接的存儲單元模塊MCB2的反轉(zhuǎn)位線/BL，連接到?jīng)]有與讀出放大器模塊SAB2連接的存儲單元模塊MCB3的反轉(zhuǎn)位線/BL。
同樣，開關(guān)SW2將與讀出放大器模塊SAB3連接的存儲單元模塊MCB3的位線BL，連接到?jīng)]有與讀出放大器模塊SAB3連接的存儲單元模塊MCB4的位線BL。
以這種方式，在相鄰的存儲單元模塊之間，開關(guān)SW1和SW2使隔離的位線BL彼此連接，同樣也使隔離的反轉(zhuǎn)位線/BL彼此連接。
開關(guān)SW1和SW2可以是NMOS晶體管或者PMOS晶體管，其柵極接收移位信號SFT1和SFT2。在圖4中，開關(guān)SW1和SW2為NMOS晶體管。
另一方面，開關(guān)SW1和SW2可以是響應(yīng)于移位信號SFT1和SFT2而導(dǎo)通或關(guān)斷的傳輸柵極。激活移位信號SFT1和SFT2，以便將任意字線WL1的數(shù)據(jù)移位到與另一個任意字線WL2連接的存儲單元。該移位信號SFT1和SFT2可以由模式寄存器設(shè)置(MRS)生成。
在下文中，將參照圖4和5詳細(xì)描述半導(dǎo)體存儲設(shè)備400及其數(shù)據(jù)移位方法500。
參照圖4和5，啟動任意第一存儲單元模塊MCB1的預(yù)定字線WL1(操作510)。在與字線WL1連接的存儲單元(未示出)中存儲的數(shù)據(jù)是將要被移位的數(shù)據(jù)。接著，將與字線WL1連接的位線連接到與第一存儲單元模塊MCB1相鄰的第二到第n存儲單元模塊的相應(yīng)的位線(操作520)。這里，n表示將與字線WL1連接的數(shù)據(jù)移位到的目標(biāo)存儲單元模塊。圖4中，n為3，因?yàn)榕c字線WL1連接的數(shù)據(jù)被移位到第三存儲模塊MCB3。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解本發(fā)明并不僅限于n為3的情況。
通過響應(yīng)于移位信號SFT1和SFT2而導(dǎo)通或關(guān)斷的開關(guān)SW1和SW2，位線之間彼此連接。為了將與第一存儲單元模塊MCB1的字線WL1連接的數(shù)據(jù)移位到第三存儲單元模塊MCB3的字線WL2，在第一存儲單元模塊MCB1和第三存儲單元模塊MCB3之間配置的開關(guān)SW1和SW2被導(dǎo)通。
然后，分別配置于第一和第二存儲單元模塊MCB1和MCB2之間以及配置于第二和第三存儲單元模塊MCB2和MCB3之間的讀出放大器模塊SAB1和SAB2的讀出放大器電路(未示出)被激活，以便將與字線WL1連接的存儲單元的數(shù)據(jù)移位到第三存儲單元模塊MCB3的位線(操作530)。
如果讀出放大器模塊SAB1的讀出放大器電路(未示出)被激活，則通過位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL，將數(shù)據(jù)移位到讀出放大器模塊SAB1的讀出放大器電路。接著，依次地，激活相鄰的讀出放大器模塊SAB2的讀出放大器電路。
在圖4中，通過連接于字線WL1的反轉(zhuǎn)位線/BL，將連接于字線WL的數(shù)據(jù)移位到讀出放大器模塊SAB1的讀出放大器電路。同樣，一旦連接于讀出放大器模塊SAB1的開關(guān)SW1被導(dǎo)通，就通過連接于開關(guān)SW1的第二存儲單元模塊MCB2的反轉(zhuǎn)位線/BL，將讀出放大器模塊SAB1內(nèi)的數(shù)據(jù)移位到讀出放大器模塊SAB2。
一旦連接于讀出放大器模塊SAB2的開關(guān)SW2被導(dǎo)通，就將讀出放大器模塊SAB2內(nèi)的數(shù)據(jù)移位到與開關(guān)SW2連接的第三存儲單元模塊MCB3的反轉(zhuǎn)位線/BL。
接著，啟動第三存儲單元模塊MCB3的字線WL2，從而將移位的數(shù)據(jù)存儲到與第三存儲單元模塊MCB3連接的字線WL2的存儲單元中(操作540)。即，當(dāng)啟動字線WL2時，被移位到第三存儲單元模塊MCB3的反轉(zhuǎn)位線/BL的數(shù)據(jù)被存儲在與字線WL2連接的存儲單元中。
圖4所示的包括開放型讀出放大器電路的半導(dǎo)體存儲設(shè)備400可以利用以上描述的數(shù)據(jù)移位方法，很容易地將在與任意字線WL1連接的存儲單元內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)移位到與期望的字線WL2連接的存儲單元。在本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例中，圖4所示的存儲單元模塊MCB1到MCB4可以被配置在相同的存儲體中。
圖6是解釋了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲設(shè)備600的視圖。
圖7是一個流程圖，圖釋了由圖6中所示的半導(dǎo)體存儲設(shè)備600執(zhí)行的數(shù)據(jù)移位方法。
參考圖6，半導(dǎo)體存儲設(shè)備600包括多個存儲單元模塊MCB1、MCB2、MCB3和MCB4，其每一個均包括多個位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL和多個字線WL；多個讀出放大器模塊SAB1、SAB2和SAB3，其分別配置在存儲單元模塊MCB1、MCB2、MCB3和MCB4之間，其中讀出放大器模塊SAB1、SAB2和SAB3中的每一個均包括與位線BL相對應(yīng)的讀出放大器電路(未示出)；開關(guān)SW1和SW2；以及隔離晶體管ITR11和/ITR11、ITR12和/ITR12、......、ITR43和/ITR43。
響應(yīng)于移位信號SFT1和SFT2，開關(guān)SW1和SW2連接位線，該位線不共用之間配置有讀出放大器模塊的相鄰存儲單元模塊的位線中的讀出放大器模塊。不共用讀出放大器模塊能夠表示不與讀出放大器模塊連接的位線。
隔離晶體管ITR11和/ITR11、ITR12和/ITR12、......、ITR43和/ITR43將讀出放大器電路SA11、SA12、SA21、SA31和SA32與相應(yīng)的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL相連接或斷開。
在讀出放大器模塊SAB1、SAB2和SAB3中包括的讀出放大器電路SA11、SA12、SA21、SA31和SA32是折疊型讀出放大器電路。即，相同存儲單元模塊的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL連接于相同讀出放大器模塊的讀出放大器電路。被連接的位線BL和被連接的反轉(zhuǎn)位線/BL位于不同的相鄰存儲單元模塊MCB1、MCB2、MCB3和MCB4的一個上。
例如，存儲單元模塊MCB1的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL通過隔離晶體管ITR11和/ITR11與折疊型讀出放大器電路SA11連接。
同樣，存儲單元模塊MCB2的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL通過隔離晶體管ITR21和/ITR21與讀出放大器模塊SAB1的讀出放大器電路SA11連接。
相同地，存儲單元模塊MCB3的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL通過隔離晶體管ITR33和/ITR33與折疊型讀出放大器電路SA32連接。
同樣，存儲單元模塊MCB4的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL通過隔離晶體管ITR43和/ITR43與讀出放大器模塊SAB3的讀出放大器電路SA32連接。
如果存儲單元模塊MCB1的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL通過隔離晶體管ITR11和/ITR11與讀出放大器模塊SAB1的讀出放大器電路SA11連接，則存儲單元模塊MCB2的隔離晶體管ITR21和/ITR21被關(guān)斷，導(dǎo)致存儲單元模塊MCB2的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL與讀出放大器電路SA11斷開。
即，當(dāng)半導(dǎo)體存儲設(shè)備600正常操作時，如果位于讀出放大器電路第一側(cè)的位線和反轉(zhuǎn)位線被連接到讀出放大器電路的第一側(cè)，則位于讀出放大器電路的第二側(cè)的位線和反轉(zhuǎn)位線就通過隔離晶體管從讀出放大器電路斷開。
將連接于讀出放大器電路SA11的存儲單元模塊MCB2的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL從連接于讀出放大器電路SA31的存儲單元模塊MCB3的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL斷開。
同樣，將連接于讀出放大器電路SA21的存儲單元模塊MCB2的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL從連接于讀出放大器電路SA32的存儲單元模塊MCB3的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL斷開。
相同地，將連接于讀出放大器電路SA21的存儲單元模塊MCB2的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL從存儲單元模塊MCB1的相應(yīng)位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL斷開。
在圖6所示的半導(dǎo)體存儲設(shè)備600中，利用開關(guān)SW1和SW2，將隔離位線BL彼此相互連接，同時也將隔離反轉(zhuǎn)位線/BL彼此相互連接。
例如，響應(yīng)于移位信號SFT1，開關(guān)SW1分別將與讀出放大器電路SA11相連的存儲單元模塊MCB2的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL，連接到與讀出放大器電路SA31相連的存儲單元模塊MCB3的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL。
同樣，響應(yīng)于移位信號SFT1，開關(guān)SW1分別將與讀出放大器電路SA12相連的存儲單元模塊MCB2的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL，連接到與讀出放大器電路SA32相連的存儲單元模塊MCB3的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL。
相同地，開關(guān)SW1分別將與讀出放大器電路SA21相連的存儲單元模塊MCB2的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL，連接到存儲單元模塊MCB1的相應(yīng)位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL。
開關(guān)SW2分別將與讀出放大器電路SA21相連的存儲單元模塊MCB3的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL，連接到存儲單元模塊MCB4的相應(yīng)位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL。
以這種方式，在相鄰存儲單元模塊之間，開關(guān)SW1和SW2分別將隔離的位線BL彼此相互連接，并且分別將隔離的反轉(zhuǎn)位線/BL彼此相互連接。
開關(guān)SW1和SW2可以是NMOS晶體管或PMOS晶體管，其柵極接收移位信號SFT1和SFT2。在圖6中，開關(guān)SW1和SW2是NMOS晶體管。
另一方面，開關(guān)SW1和SW2可以是響應(yīng)于移位信號SFT1和SFT2而導(dǎo)通或關(guān)斷的傳輸柵極。激活移位信號SFT1和SFT2，以便將與任意字線WL1連接的數(shù)據(jù)移位到與另一個任意字線WL2連接的存儲單元。該移位信號SFT1和SFT2可以由MRS生成。
在下文中，將參考圖6和7詳細(xì)描述半導(dǎo)體存儲設(shè)備600及其數(shù)據(jù)移位方法700。
參照圖6和7，啟動任意第一存儲單元模塊MCB1的預(yù)定字線WL1(操作710)。與字線WL1相連的存儲單元(未示出)中存儲的數(shù)據(jù)是將被移位的數(shù)據(jù)。
接著，導(dǎo)通隔離晶體管，從而將讀出放大器電路分別連接到相應(yīng)的位線(操作720)。當(dāng)半導(dǎo)體存儲設(shè)備600正常操作時，僅導(dǎo)通位于讀出放大器電路一側(cè)的隔離晶體管。然而，當(dāng)執(zhí)行任意字線WL1的移位數(shù)據(jù)的操作時，則將連接在讀出放大器電路兩側(cè)的隔離晶體管全部導(dǎo)通。
即，響應(yīng)于控制信號S1和S2，分別導(dǎo)通位于讀出放大器電路SA11兩側(cè)的隔離晶體管ITR11和/ITR11以及ITR21和/ITR21。同樣，響應(yīng)于控制信號S1和S2，分別導(dǎo)通位于讀出放大器電路SA12兩側(cè)的隔離晶體管ITR13和/ITR13以及ITR23和/ITR23。
同樣，響應(yīng)于控制信號S3和S4，分別導(dǎo)通分別位于讀出放大器電路SA21、SA31和SA32兩側(cè)的隔離晶體管ITR22和/ITR22、ITR32和/ITR32、ITR31和/ITR31、ITR33和/ITR33、ITR41和/ITR41以及ITR43和/ITR43。
與字線WL1連接的位線被連接到與第一存儲單元模塊MCB1相鄰的第二到第n個存儲單元模塊的相應(yīng)的位線(操作730)。這里，n表示將連接于字線WL1的數(shù)據(jù)移位到的目標(biāo)存儲單元模塊。在圖6中，n為4，因?yàn)檫B接字線WL1的數(shù)據(jù)被移位到第四存儲模塊MCB4。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解本發(fā)明并不僅限于n為4的情況。
通過響應(yīng)于移位信號SFT1和SFT2而導(dǎo)通或關(guān)斷的開關(guān)SW1和SW2，位線彼此相互連接。為了將與第一存儲單元模塊MCB1的字線WL1連接的數(shù)據(jù)移位到第四存儲單元模塊MCB4的字線WL2，在第一存儲單元模塊MCB1和第四存儲單元模塊MCB4之間配置的開關(guān)SW1和SW2被導(dǎo)通。
激活分別配置在第一至第四存儲單元模塊MCB1至MCB4之間的讀出放大器模塊SAB1、SAB2和SAB3的讀出放大器電路SA11、SA12、SA21、SA31和SA32，以將在與字線WL1連接的存儲單元內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)移位到第四存儲單元模塊MCB4的位線(操作740)。
首先，如果讀出放大器模塊SAB1的讀出放大器電路SA11和SA12被激活，則通過位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL，將數(shù)據(jù)移位到讀出放大器電路SA11和SA12。然后，依次地，激活讀出放大器模塊SAB2和SAB3的讀出放大器電路SA21、SA31和SA32。
接著，一旦連接到讀出放大器電路SA11和SA12的隔離晶體管ITR21、/ITR21、ITR23和/ITR23以及在讀出放大器SAB1中配置的開關(guān)SW1被導(dǎo)通，則通過讀出放大器模塊SAB2和讀出放大器電路SA21的開關(guān)SW1，將數(shù)據(jù)移位到第四存儲單元模塊MCB4的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL。
接著，啟動第四存儲單元模塊MCB4的字線WL2，以將數(shù)據(jù)存儲在與第四存儲單元模塊MCB4的字線WL2相連的存儲單元中(操作750)。即，當(dāng)字線WL2被啟動時，被傳送到第四存儲單元模塊MCB4的位線BL和反轉(zhuǎn)位線/BL的數(shù)據(jù)被存儲到與字線WL2連接的存儲單元中。
利用上面描述的數(shù)據(jù)移位方法，圖6所示的包括折疊型讀出放大器電路的半導(dǎo)體存儲設(shè)備600能夠容易地將在與任意字線WL1相連的存儲單元內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)，移位到與期望字線WL2相連的存儲單元中。在本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例中，圖6所示的存儲單元模塊MCB1到MCB4被配置在相同的存儲體中。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲設(shè)備及其數(shù)據(jù)移位方法中，有可能容易地將在連接于任意字線的存儲單元內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)移位到連接于另一個任意字線的存儲單元。
雖然本發(fā)明已經(jīng)參考示例實(shí)施例進(jìn)行了特別示出和描述，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員容易理解在不脫離如所附的權(quán)利要求中規(guī)定的本發(fā)明精神和范圍的情況下，可以作出各種不同形式和細(xì)節(jié)上的改變。
相關(guān)專利申請的交叉引用本申請要求于2005年7月15日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提出的韓國專利申請No.10-2005-0064064下的權(quán)益，其公開在此結(jié)合以供參考。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲設(shè)備，包括多個存儲單元模塊，其每一個包括多個位線和多個字線；多個讀出放大器模塊，分別配置在存儲單元模塊之間，其中每個讀出放大器模塊包括與位線相對應(yīng)的多個讀出放大器電路；以及開關(guān)，響應(yīng)于移位信號而連接位線，該位線不共用之間配置有讀出放大器模塊的相鄰存儲單元模塊的位線中的讀出放大器模塊。
2.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中開關(guān)是NMOS晶體管或PMOS晶體管，其柵極接收移位信號。
3.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中開關(guān)是傳輸柵極，其響應(yīng)于移位信號而被導(dǎo)通或關(guān)斷。
4.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中移位信號由模式寄存器設(shè)置(MRS)生成。
5.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中讀出放大器電路是開放型讀出放大器電路，其連接到第一存儲單元模塊的位線和與第一存儲單元模塊相鄰的第二存儲單元模塊的反轉(zhuǎn)位線。
6.一種由半導(dǎo)體存儲設(shè)備執(zhí)行的數(shù)據(jù)移位方法，該半導(dǎo)體存儲設(shè)備包括每一個都包括多個位線和多個字線的多個存儲單元模塊、以及分別配置在存儲單元模塊之間的多個讀出放大器模塊，其中每個讀出放大器模塊包括與位線相對應(yīng)的多個讀出放大器電路，該方法包括啟動第一存儲單元模塊的字線；將與字線相連的位線連接到與第一存儲單元模塊相鄰的第二到第n存儲單元模塊的相應(yīng)位線；激活分別配置在第一到第n存儲單元模塊之間的讀出放大器模塊的讀出放大器電路，并將在與字線連接的存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)移位到第n存儲單元模塊的位線；并且啟動第n存儲單元模塊的字線，并將數(shù)據(jù)存儲在第n存儲單元模塊的存儲單元中。
7.權(quán)利要求6的數(shù)據(jù)移位方法，其中讀出放大器電路是開放型讀出放大器電路，其與第一存儲單元模塊的位線以及與第一存儲單元模塊相鄰的第二存儲單元模塊的反轉(zhuǎn)位線相連接。
8.權(quán)利要求6的數(shù)據(jù)移位方法，其中連接位線包括通過NMOS晶體管或PMOS晶體管而使位線彼此相互連接，其中所述晶體管的柵極接收預(yù)定移位信號。
9.權(quán)利要求8的數(shù)據(jù)移位方法，其中連接位線包括通過傳輸柵極使位線彼此相互連接，其中所述傳輸柵極響應(yīng)于移位信號而被導(dǎo)通或關(guān)斷。
10.權(quán)利要求9的數(shù)據(jù)移位方法，其中移位信號由模式寄存器設(shè)置(MRS)生成。
11.一種半導(dǎo)體存儲設(shè)備包括多個存儲單元模塊，其每一個包括多個位線和多個字線；多個讀出放大器模塊，分別配置在存儲單元模塊之間，其中每個讀出放大器模塊包括與位線相對應(yīng)的多個讀出放大器電路；開關(guān)，其響應(yīng)于移位信號而連接位線，該位線不共用之間配置有讀出放大器模塊的相鄰存儲單元模塊的位線中的讀出放大器模塊；以及隔離晶體管，連接到或斷開于相應(yīng)的讀出放大器電路。
12.權(quán)利要求11的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中開關(guān)是NMOS晶體管或PMOS晶體管，其柵極接收移位信號。
13.權(quán)利要求11的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中開關(guān)是傳輸柵極，其響應(yīng)于移位信號而被導(dǎo)通或關(guān)斷。
14.權(quán)利要求11的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中移位信號由模式寄存器設(shè)置(MRS)生成。
15.權(quán)利要求11的半導(dǎo)體存儲設(shè)備，其中讀出放大器電路是折疊型讀出放大器電路，其中通過隔離晶體管與相同的讀出放大器電路連接的位線和反轉(zhuǎn)位線，被配置于與包括相同讀出放大器電路的存儲單元模塊相鄰的存儲單元模塊之一上。
16.一種由半導(dǎo)體存儲設(shè)備執(zhí)行的數(shù)據(jù)移位方法，該半導(dǎo)體存儲設(shè)備包括每一個都具有多個位線和多個字線的多個存儲單元模塊；分別配置在存儲單元模塊之間的多個讀出放大器模塊，其中每個讀出放大器模塊包括對應(yīng)于位線的多個讀出放大器電路；以及隔離晶體管，其連接到或斷開于相應(yīng)的讀出放大器電路，該方法包括啟動第一存儲單元模塊的字線；導(dǎo)通隔離晶體管，并將位線連接到相應(yīng)的讀出放大器電路；將與字線相連的位線連接到與第一存儲單元模塊相鄰的第二到第n存儲模塊的相應(yīng)位線；激活分別配置在第一到第n存儲單元模塊之間的讀出放大器模塊的讀出放大器電路，并將在連接于字線的存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)移位到第n存儲單元模塊的位線；以及啟動第n存儲單元模塊的字線，并將數(shù)據(jù)存儲在第n存儲單元模塊的存儲單元中。
17.權(quán)利要求16的數(shù)據(jù)移位方法，其中讀出放大器電路是折疊型讀出放大器電路，其中通過隔離晶體管與相同讀出放大器電路連接的位線和反轉(zhuǎn)位線，被配置在與包括相同讀出放大器電路的存儲單元模塊相鄰的存儲單元模塊之一上。
18.權(quán)利要求16的數(shù)據(jù)移位方法，其中連接位線包括通過NMOS晶體管或PMOS晶體管而將位線彼此相互連接，其中所述晶體管的柵極接收預(yù)定移位信號。
19.權(quán)利要求18的數(shù)據(jù)移位方法，其中連接位線包括通過傳輸柵極而使位線彼此相互連接，其中所述傳輸柵極響應(yīng)于移位信號而被導(dǎo)通或關(guān)斷。
20.權(quán)利要求19的數(shù)據(jù)移位方法，其中移位信號由模式寄存器設(shè)置(MRS)生成。
21.一種在半導(dǎo)體存儲設(shè)備內(nèi)的第一存儲模塊和第二存儲模塊之間移位數(shù)據(jù)的方法，該方法包括啟動第一存儲模塊的字線；激活在隔離的位線之間配置的開關(guān)，以連接第一存儲模塊和第二存儲模塊之間的位線；激活在第一和第二存儲模塊之間配置的讀出放大器模塊的讀出放大器電路，以沿著相連的位線將在第一存儲模塊中的存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)移位到第二存儲模塊；以及啟動第二存儲模塊的字線，以將移位的數(shù)據(jù)存儲在第二存儲模塊的存儲單元中。
22.權(quán)利要求21的方法，其中激活開關(guān)包括響應(yīng)于移位信號而啟動NMOS或PMOS晶體管。
23.權(quán)利要求21的方法，其中激活開關(guān)包括響應(yīng)于移位信號而導(dǎo)通或關(guān)斷傳輸柵極。
24.權(quán)利要求22的方法，其中該移位信號由模式寄存器設(shè)置生成。
25.權(quán)利要求21的方法，還包括導(dǎo)通第一和第二存儲模塊之間的隔離晶體管，以連接對應(yīng)于相鄰讀出放大器電路的位線。
全文摘要
提供一種具有連接位線的半導(dǎo)體存儲設(shè)備及其數(shù)據(jù)移位方法。該半導(dǎo)體存儲設(shè)備的實(shí)施例包括多個存儲單元模塊，每一個具有多個位線和多個字線；多個讀出放大器模塊，分別配置在存儲單元模塊之間，其中每個讀出放大器模塊包括對應(yīng)于位線的多個讀出放大器電路；以及多個開關(guān)。開關(guān)響應(yīng)于移位信號，連接不共用之間配置有讀出放大器模塊的相鄰存儲單元模塊的位線中的讀出放大器模塊的位線。因此，在該半導(dǎo)體存儲設(shè)備及其數(shù)據(jù)移位方法中，有可能容易地將在連接于任意字線的存儲單元內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)移位到與另一個任意字線連接的存儲單元中。
文檔編號G11C7/00GK1901083SQ20061012850
公開日2007年1月24日 申請日期2006年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月15日
發(fā)明者李東奕 申請人:三星電子株式會社