專利名稱：半導(dǎo)體存儲器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器件，特別涉及共享的讀出放大器電路或部分。
背景技術(shù)：
近來，半導(dǎo)體存儲器件越來越向著更大容量和更高集成度的方向改進(jìn)。在動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)中，開發(fā)了1Gbit存儲容量的產(chǎn)品。通過增加存儲容量，半導(dǎo)體存儲器件小型化。為了增加存儲容量，提出了各種方案。
在具有大容量的DRAM中，使用共享的讀出放大器部分。向讀出放大器部分提供從讀出放大器部分的相對兩側(cè)上的存儲單元選擇的數(shù)據(jù)，并且讀出放大器部分進(jìn)行讀出操作。另外，控制存儲單元的字線不直接從行解碼器向存儲單元輸入，但是使用除法解碼系統(tǒng)。隨著半導(dǎo)體存儲器件的操作速度的增加，在讀出時(shí)，利用臨時(shí)斷開存儲單元部分和讀出放大器部分的定時(shí)方法，以便增加讀速度。在此方法中，通過提供斷開存儲單元部分和讀出放大器部分的傳輸門進(jìn)行定時(shí)。位線對(D/DB)的整個(gè)電容不充電和放電，而是以高速僅放大讀出放大器部分的一部分。
作為防止在位線之間噪音的措施，將位線在存儲單元陣列中絞合(twist)以減小在相鄰位線之間的耦合噪音，避免由于噪音的操作錯(cuò)誤。因此，提出共享的讀出放大器部分，利用傳輸門的定時(shí)方法以及噪音的防止措施并投入實(shí)際應(yīng)用。然而，在當(dāng)前狀態(tài)，隨著規(guī)格的增大和小型化后，圍繞從存儲單元接收和向其供給數(shù)據(jù)的讀出放大器部出現(xiàn)幾個(gè)問題。
參見

圖1-4，下面解釋在當(dāng)前狀態(tài)中的這些問題。見圖1，現(xiàn)有的讀出放大器部分SA經(jīng)由位線對D/DB連接至左右傳輸門TG-L/R，和左右存儲單元陣列MA-L/R。讀出放大器部分SA是共享型的。存儲單元排列在位線和字線的交點(diǎn)上。作為例子，將說明選擇左存儲單元陣列MA-L的字線之一的操作情況。激活左傳輸門TG-L，在位線對D/DB中產(chǎn)生電位差。右存儲單元陣列MA-R的字線和傳輸門TG-R未被激活。右存儲單元陣列MA-R的位線對D/DB與讀出放大器部分SA斷開。
一旦在位線對D/DB中獲得電位差，讀出放大器部分SA能夠進(jìn)行信號放大。因此，當(dāng)在讀出放大器部分中獲得位線對D/DB中的電位差時(shí)，通過左傳輸門TG-L再次將左存儲單元陣列MA-L斷開。以上述方式通過僅放大讀出放大器部分SA的一部分，能夠增加讀速度。讀出放大器部分SA放大和讀出的數(shù)據(jù)通過主放大器，從輸入/輸出電路輸出。同時(shí)，再次激活左傳輸門TG-L，進(jìn)行向存儲單元的重寫。在數(shù)據(jù)讀操作和向存儲單元重寫操作完成時(shí)，左傳輸門TG-L斷開。然后開始下一次的循環(huán)。
在共享的讀出放大器部分中，通過傳輸門TG-L/R斷開存儲單元MA-L/R和讀出放大器部分SA。為了增加讀速度，在讀出時(shí)位線對D/DB的整個(gè)電容不充電或放電。而是，利用臨時(shí)斷開存儲單元陣列MA-L/R和讀出放大器部分SA的定時(shí)方法，并且僅放大讀出放大器部分SA的一部分。在通過讀出放大器部分SA放大后，存儲單元陣列MA-L/R和讀出放大器部分SA再次通過傳輸門TG連接。因此，利用傳輸門TG，進(jìn)行定時(shí)切換連接/斷開/連接。這樣，能夠以高速進(jìn)行讀操作。
見圖2，兩組讀出放大器和傳輸門彼此相鄰。從存儲單元來的位線經(jīng)由傳輸門TG-L/R連接至讀出放大器部分SA。在讀出放大器中的兩組位線D/DB在圖中用A/B和D/E表示。在CMOS電路的情況，每個(gè)讀出放大器包括兩個(gè)CMOS反相器電路，其每個(gè)環(huán)路連接。CMOS反相器電路包括設(shè)有負(fù)載MOS晶體管的PMOS區(qū)和設(shè)有驅(qū)動器MOS晶體管的NMOS區(qū)。當(dāng)電源供電時(shí)，加上高電源電壓SAP和低電源電壓SAN。讀出放大器部分SA的每個(gè)讀出放大器放大從選擇的存儲單元來的數(shù)據(jù)。
見圖3，下面說明圖2中的圍繞讀出放大器的布圖。這里，僅示出兩組位線對A/B和D/E。通過重復(fù)這個(gè)布圖，形成陣列。在圖3中，通過直溝道實(shí)現(xiàn)形成讀出放大器的每個(gè)PMOS晶體管和NMOS晶體管。例如，在NMOS區(qū)，在左側(cè)的晶體管使用位線A和E作為漏，用C作為源，位線B和D為柵。位線A和E通過位接觸連接漏。共享源C。通過柵多晶硅接觸(gate poly contact)柵連接位線B和D。在右側(cè)的晶體管用位線B和D作為漏，用C為源，位線A和E為柵。源C由相鄰的讀出放大器共享。
見圖4，下面說明第二現(xiàn)有的讀出放大器部分的布圖。在圖4中，讀出放大器的晶體管由環(huán)形溝道實(shí)現(xiàn)。環(huán)形的溝道避免紐結(jié)(Kink)效應(yīng)，因此，有效降低不平衡。在圖的左側(cè)的晶體管用位線A和D作為漏，用C作為源，和用位線B和E作為柵。在右側(cè)的晶體管用位線B和E作為漏，用C作為源，用位線A和D作為柵。共享源C。該布圖既適用于讀出放大器的驅(qū)動側(cè)NMOS，也適用于負(fù)載側(cè)PMOS晶體管。
作為上述讀出放大器部分的操作，利用傳輸門TG進(jìn)行定時(shí)，使得激活時(shí)連接到讀出放大器的位線的電容相對較小。這適合于高速操作。但是，如圖3和4所示，在讀出放大器部分中的整個(gè)區(qū)域中位線B和D彼此相鄰。因此，由于來自相鄰位線的噪音降低讀出速度。在最壞的情況，引起發(fā)生判斷錯(cuò)誤。
在利用傳輸門TG進(jìn)行定時(shí)的半導(dǎo)體存儲器件中，在讀出放大器部分中的相鄰的耦合噪音盡管過去被忽視了，但是它是不可忽視的。在現(xiàn)有的讀出放大器部分中，在讀出放大器部分的整個(gè)區(qū)域中特定的位線彼此相鄰，使得讀出速度隨著來自相鄰位線的噪音降低，并且在最壞的情況，引起判斷錯(cuò)誤。第一問題發(fā)生的原因是近來小型化的進(jìn)展，并且在讀出放大器部分中的相鄰耦合噪音的影響增加。
在下面的專利文獻(xiàn)中公開了防止在位線之間的噪音的措施和在讀出放大器的面積減小。在日本未審查專利申請公開(JP-A)No.S63-148489中，在存儲單元陣列內(nèi)設(shè)置交點(diǎn)，在該交點(diǎn)上絞合位線。通過絞合位線，抑制在相鄰位線之間的耦合的噪音，和避免由于噪音的錯(cuò)誤。但是，需要交點(diǎn)絞合位線使得布圖的面積增加。在日本未審查專利申請公開(JP-A)No.2000-123574中，形成讀出放大器的位線和主位線，在讀出放大器位線和主位線之間的連接點(diǎn)(選擇器開關(guān)YSW)上彼此相交。在日本未審查專利申請公開(JP-A)No.H2-166690中，共享讀出放大器的擴(kuò)散層以減小面積。但是，上述任何專利文獻(xiàn)沒有提出關(guān)于在讀出放大器的連線之間的噪音產(chǎn)生的問題，并且沒有說明對付該問題的措施。
如上所述，上述專利文獻(xiàn)涉及對付在存儲單元陣列上設(shè)置的位線之間噪音的辦法，而因?yàn)椴涣私鉀]有說明對付在讀出放大器部分中連線之間產(chǎn)生噪音的問題的辦法。但是，在小型化的進(jìn)展和利用定時(shí)方法后，在讀出放大器部分中的位線緊密彼此相鄰。結(jié)果，相鄰耦合噪音的影響加大變得不可忽視。然而，與全部位線的電容相比，影響是小的。因此在現(xiàn)有的讀出放大器部分的布圖中，沒有考慮絞合讀出放大器部分中的位線。
原因如下，在讀出放大器部分中絞合位線時(shí)，必須經(jīng)由接觸使用另一連線層，使得布圖的面積增加。在常規(guī)的技術(shù)中，不存在伴隨著布圖面積增加的絞合讀出放大器部分中位線的任何想法。因此關(guān)于在讀出放大器部分內(nèi)連線之間產(chǎn)生噪音的問題未得到解決。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種讀出放大器部分，它的面積小，并且能夠降低在讀出放大器部分中相鄰位線之間的噪音。
本發(fā)明的另一目的是提供具有上述讀出放大器部分的半導(dǎo)體存儲器件。
根據(jù)本發(fā)明的讀出放大器部分的特征在于在讀出放大器部分內(nèi)絞合位線。通過絞合在小面積內(nèi)讀出放大器部分內(nèi)的位線，能夠降低讀出放大器部分中相鄰耦合噪音的影響。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明基本采用下面的技術(shù)。容易理解的是，本發(fā)明包括在本發(fā)明范圍內(nèi)以各種方式改型的各種應(yīng)用的技術(shù)。
即，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲器件和讀出放大器部分如下(1)半導(dǎo)體存儲器件包括共享的讀出放大器部分在共享的讀出放大器部分的相對側(cè)設(shè)置的存儲單元部分對；在共享的讀出放大器部分的相對側(cè)上、在存儲單元部分對和共享的讀出放大器部分之間設(shè)置傳輸門對；構(gòu)成多個(gè)位線對的位線，所述位線通過傳輸門對將共享的讀出放大器部分和存儲單元部分對彼此連接；在相對側(cè)的傳輸門對之間的基本中心處絞合多個(gè)位線對之中的位線對的位線。
(2)根據(jù)上述結(jié)構(gòu)(1)的半導(dǎo)體存儲器件，其中每個(gè)傳輸門對進(jìn)行定時(shí)以臨時(shí)斷開每個(gè)存儲單元部分對和共享的讀出放大器部分，并從而放大共享的讀出放大器部分的內(nèi)部部分。
(3)根據(jù)上述結(jié)構(gòu)(1)的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述共享的讀出放大器部分包括第一共享的讀出放大器，其具有絞合的多個(gè)位線對的位線對中的位線；和第二共享的讀出放大器，其具有未絞合的多個(gè)位線對的不同位線對中的位線，所述第一和第二共享的讀出放大器交替排列。
(4)根據(jù)上述結(jié)構(gòu)(1)的半導(dǎo)體存儲器件，其中由在所述共享的讀出放大器部分中的晶體管的環(huán)形柵極絞合所述位線對中的位線。
(5)根據(jù)上述結(jié)構(gòu)(4)的半導(dǎo)體存儲器件，其中將柵極的部分用作連線。
(6)根據(jù)上述結(jié)構(gòu)(1)的半導(dǎo)體存儲器件，其中由在所述共享讀出放大器部分的阱隔離區(qū)中形成的連線層絞合所述位線對中的位線。
(7)在半導(dǎo)體存儲器件中用的共享的讀出放大器部分，所述半導(dǎo)體存儲器件包括存儲單元部分對，其設(shè)置在所述讀出放大器部分的相對側(cè)上；傳輸門對，其設(shè)置在所述共享讀出放大器部分的相對側(cè)、在存儲單元部分對和所述共享的讀出放大器部分之間；和位線，其構(gòu)成多個(gè)位線對，并且通過傳輸門對將共享讀出放大器部分和存儲單元部分對彼此連接，在與所述相對側(cè)傳輸門對之間的基本中心處相應(yīng)的位置絞合多個(gè)位線對中的位線對的位線。
(8)根據(jù)述說結(jié)構(gòu)(7)的共享的讀出放大器部分，其中由晶體管的環(huán)形柵極絞合在所述位線對中的位線；
(9)根據(jù)上述結(jié)構(gòu)(8)的共享的讀出放大器部分，其中柵極的一部分用作連線。
(10)根據(jù)上述結(jié)構(gòu)(7)的共享的讀出放大器部分，其中由在阱隔離區(qū)中形成的連線層絞合在位線對中的位線。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲器件的讀出放大器是定時(shí)系統(tǒng)的共享讀出放大器，其中設(shè)置所述傳輸門在讀出時(shí)斷開存儲單元部分和讀出放大器部分，從而僅放大在所述讀出放大器部分中的一部分。在所述左右傳輸門之間基本中心處的讀出放大器中，絞合所述位線對中的位線。通過絞合交替位線對中的位線，消除了相鄰的耦合噪音。因此，提供的讀出放大器能夠進(jìn)行高速穩(wěn)定的操作而不增加布圖面積，也不受相鄰耦合噪音的影響。也提供了具有上述讀出放大器的半導(dǎo)體存儲器件。
附圖簡要說明圖1是圍繞現(xiàn)有讀出放大器部分的框圖；圖2是圍繞在圖1中所示的讀出放大器部分的電路圖；圖3示出圍繞圖2示出的讀出放大器部分的布圖；圖4示出第二現(xiàn)有讀出放大器部分的晶體管布圖；圖5是圍繞根據(jù)本發(fā)明讀出放大器部分的框圖；圖6是圍繞在圖5所述的讀出放大器部分的電路圖；圖7示出圍繞圖6所示的讀出放大器部分的布圖；圖8示出第一實(shí)施例的交點(diǎn)部分的布圖；圖9示出圖8的交點(diǎn)部分的改型的布圖；和圖10示出在第二實(shí)施例中的交點(diǎn)部分的布圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
第一實(shí)施例參見圖5-9，說明第一實(shí)施例。
見圖5，讀出放大器部分SA設(shè)有經(jīng)由位線對D/DB連接排列在其左右的傳輸門TG-L/R，和存儲單元陣列MA-L/R。讀出放大器部分SA是共享型的。存儲單元設(shè)置在位線和字線的交點(diǎn)處。例如，下面說明在選擇左存儲單元陣列MA-L的字線之一的操作。激活左傳輸門TG-L和在位線對D/DB中產(chǎn)生來自存儲單元的電位的電位差。右存儲單元陣列MA-R的字線和傳輸門TG-R不被激活。右存儲單元陣列MA-R的位線對D/DB與讀出放大器部分SA斷開。
一旦獲得位線對D/DB中的電位差讀出放大器部分SA能夠進(jìn)行信號放大。因此，當(dāng)在讀出放大器部分中獲得位線對D/DB中的電位差時(shí)，通過左傳輸門TG-L再次將左存儲單元陣列MA-L斷開。以上述方式通過僅放大讀出放大器部分SA的部分，能夠增加讀出速度。通過讀出放大器部分SA放大并讀出的數(shù)據(jù)通過主放大器從輸入/輸出電路輸出。同時(shí)，再次激活左傳輸門，進(jìn)行向存儲單元的重寫。在完成數(shù)據(jù)讀出和向存儲單元重寫的操作時(shí)，斷開左傳輸門TG-L。然后，開始下一循環(huán)。
在共享的讀出放大器部分中，存儲單元陣列MA-L/R和讀出放大器部分SA通過傳輸門TG-L/R斷開。為了增加讀出速度，讀出時(shí)位線對的整個(gè)電容不充電或放電。而是，利用定時(shí)方法，即，臨時(shí)斷開存儲單元陣列MA-L/R和讀出放大器部分SA和僅放大讀出放大器部分一部分。在通過讀出放大器部分SA放大后，傳輸門TG再次將存儲單元陣列MA-L/R和讀出放大器部分SA連接。因此，通過利用傳輸門TG，進(jìn)行定時(shí)，以切換連接/斷開/連接。這樣，能夠以高速進(jìn)行讀操作。
如果在讀出放大器部分SA的整個(gè)面積特定的位線彼此相鄰，則隨著來自相鄰位線的噪音會降低讀出速度。另外，會引起判斷錯(cuò)誤的發(fā)生。鑒于上述，在讀出放大器部分SA內(nèi)的中心絞合每兩個(gè)彼此相鄰的讀出放大器中的一個(gè)的位線中的位線。通過絞合位線，消除相鄰耦合噪音。例如，絞合圖5中從上面數(shù)第二和第四讀出放大器每個(gè)中的位線。假設(shè)在每個(gè)位線對中位線D和位線DB分別改變成高電平和低電平。在第一位線對中的位線DB變成低電平。但是，在中心絞合的第二位線對中高電平的位線D和低電平的位線DB的后半部位置顛倒。因此，消除相鄰噪音。
利用讀出放大器部分SA的布圖絞合位線使得布圖面積不增加。參見圖6，在讀出放大器部分周圍的結(jié)構(gòu)包括左位線預(yù)充電電路Pre-L，左傳輸門TG-L，讀出放大器部分SA，選擇連接IO路徑(I/OT，I/OB)的選擇連接開關(guān)YSW，右傳輸門TG-R，右位線預(yù)充電電路Pre-R。當(dāng)左位線預(yù)充電電路Pre-L/R在未被接入時(shí)，被供以預(yù)充電信號PRE和預(yù)充電位HVC并且預(yù)充電位線。選擇連接開關(guān)YSW向I/O路徑(I/OT，I/OB)傳輸通過列選擇信號選擇的位線對上的數(shù)據(jù)。
見圖7，在讀出放大器部分的NMOS晶體管部分絞合在位線對中位線A和B。圖7示出與圖6電路圖相應(yīng)的布圖。該布圖包括左位線預(yù)充電電路Pre-L，左傳輸門TG-L，讀出放大器部分SA，選擇連接IO路徑(I/OT，I/OB)的選擇連接開關(guān)YSW，右傳輸門TG-R，右位線預(yù)充電電路Pre-R。在圖7中，由于傳輸門TG斷開讀出放大器部分，在讀出放大器部分中的位線用在豎直方向中的上位線對A/B和下一個(gè)位線對D/E代表。在此，在位線對中的位線A和B在NMOS晶體管一側(cè)相交。另外，在位線對中的位線A和B也可以在PMOS晶體管一側(cè)側(cè)相交。
見圖8，詳細(xì)示出在位線絞合的相交部分。在圖8中，示出兩對位線A/B和D/E和共用的節(jié)點(diǎn)C。通過環(huán)形溝道實(shí)現(xiàn)讀出放大器部分的驅(qū)動器晶體管。環(huán)形溝道避免紐結(jié)效應(yīng)，因此有效減少不平衡。近來，降低操作電壓，必須如上所述降低讀出放大器部分的不平衡。本發(fā)明的目的(消除在相鄰位線之間的耦合噪音)是降低不平衡的方法之一種。因此，與環(huán)柵結(jié)合，可期待疊加的效果。
從左側(cè)連線的位線通過位接觸連接漏并且通過柵多晶硅接觸連接右相鄰晶體管的柵。晶體管的柵極部分用作連線。環(huán)形柵極的一側(cè)用作連線，位線A從其另一端抽出。在另一方面，從左側(cè)連線的位線B連接?xùn)艠O，也從環(huán)形柵極周圍的半路位置抽出。在此，環(huán)形柵極的兩側(cè)用于連線，位線B從對角的角部抽出。位線B通過位接觸連接漏。在第二位線對中的位線E和D不相交，但是被在直向連線。
在圖8中，與第二位線對的位線E相鄰的位線分別是在左側(cè)和右側(cè)的的B和A。如果位線A和B互補(bǔ)地操作，消除相鄰的耦合噪音。為了消除該噪音，帶有絞合位線的晶體管(圖8左上晶體管)最好是設(shè)置在讀出放大器中心的周圍。例如，如圖7所示，在讀出放大器部分SA和I/O路徑選擇連接開關(guān)YSW的布圖中，中心部分是讀出放大器的NMOS晶體管部分。但是，相交的部分不限于NMOS晶體管部分。重要的是，相交部分是由左右傳輸門斷開的部分的大致中心。在此，該大致中心必須是使得在相鄰位線之間的噪音基本消除的中心。
見圖9，該圖示出圖8的改型。在圖8中，通過在溝道上的接觸連接?xùn)哦嗑Ч韬臀痪€。但是如果在工藝過程中受到限制，也可以除掉在接觸下的擴(kuò)散層。另外替代地，從溝道抽出柵多晶硅到場(絕緣區(qū))上的位置，在所述場上形成柵多晶硅接觸，如圖9所示。
在此實(shí)施例中，形成讀出放大器的晶體管的柵極用于連線，并且絞合位線。在與左右傳輸門之間大致中心相應(yīng)的讀出放大器的晶體管區(qū)，絞合位線對中的位線。通過絞合在交替的位線對中的位線，消除相鄰耦合噪音。因此，通過絞合位線對中的位線獲得能夠進(jìn)行高速穩(wěn)定操作的讀出放大器，而不增加布圖面積，使得消除讀出放大器中相鄰耦合噪音的影響。也獲得具有上述讀出放大器的半導(dǎo)體存儲器件。
第二實(shí)施例見圖10，說明本發(fā)明第二實(shí)施例。在此實(shí)施例中，在讀出放大器部分的PN阱隔離區(qū)形成相交部分。
參見圖10，讀出放大器部分包括作為負(fù)載晶體管的PMOS，其用于將位線提升到電源電位，和作為驅(qū)動晶體管的NMOS，其用于向接地電位GND放電。在N阱區(qū)和P阱區(qū)中形成不同雜質(zhì)類型的晶體管PMOS和NMOS。為了隔離P阱和N阱區(qū)，需要預(yù)定區(qū)。利用預(yù)定區(qū)，絞合位線。
在兩對位線A，B和D，E中，在位線對中的位線A和B經(jīng)由附加的連線層K絞合。例如，位線經(jīng)由接觸1和2連線為附加的連線層K在附加的連線層K上絞合位線A。為了絞合位線，經(jīng)由接觸使用附加的連線層。但是，利用阱隔離區(qū)，面積未增加。位線對中的位線D和E在排列次序中未交換。在圖10中，與位線D相鄰的位線分別是在左側(cè)和右側(cè)上的A和B。如果位線A和B互補(bǔ)地操作，則消除了相鄰耦合噪音。為了消除該噪音，絞合位線的位置最好在讀出放大器部分中心周圍。
在該實(shí)施例中，絞合位線的相交的部分排列在讀出放大器的PN阱隔離區(qū)。在左右傳輸門之間大致中心處的讀出放大器的PN阱隔離區(qū)中，絞合位線對的位線。通過絞合交替對的位線，消除相鄰耦合噪音。因此通過絞合位線對中的位線獲得能夠進(jìn)行高速穩(wěn)定操作的讀出放大器，而不增加布圖面積，使得消除了在讀出放大器部分中相鄰耦合噪音的影響。也獲得具有上述讀出放大器部分的半導(dǎo)體存儲器件。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲器件采用共享的讀出放大器。而且，半導(dǎo)體存儲器件包括在讀時(shí)斷開存儲單元部分和讀出放大器部分的傳輸門，以進(jìn)行定時(shí)，從而僅放大讀出放大器部分的一部分。在左右傳輸門之間大致中心處的讀出放大器中，絞合位線對中的位線。通過絞合交替位線對的位線，消除相鄰耦合噪音。因此，通過絞合位線對中的位線獲得能夠在不增加布圖面積之下，進(jìn)行高速穩(wěn)定操作的讀出放大器，使得消除了在讀出放大器部分中相鄰耦合噪音的影響。也獲得具有上述讀出放大器部分的半導(dǎo)體存儲器件。
盡管結(jié)合幾個(gè)優(yōu)選實(shí)施例說明了本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，而是在權(quán)利要求范圍內(nèi)可以各種方式修改。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲器件包括共享的讀出放大器部分在共享的讀出放大器部分的相對側(cè)設(shè)置的存儲單元部分對；在共享的讀出放大器部分的相對側(cè)上、在存儲單元部分對和共享的讀出放大器部分之間設(shè)置的傳輸門對；構(gòu)成多個(gè)位線對的位線，所述位線通過傳輸門對將共享的讀出放大器部分和存儲單元部分對彼此連接；在相對側(cè)的傳輸門對之間的基本中心處，絞合在多個(gè)位線對之中的位線對的位線。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中每個(gè)傳輸門對進(jìn)行定時(shí)，以臨時(shí)斷開每個(gè)存儲單元部分對和共享的讀出放大器部分，并從而放大共享的讀出放大器部分的內(nèi)部部分。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述共享的讀出放大器部分包括第一共享的讀出放大器，其連接有絞合的多個(gè)位線對的位線對中的位線；和第二共享的讀出放大器，其連接有未絞合的多個(gè)位線對的不同位線對中的位線，所述第一和第二共享的讀出放大器交替排列。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中由在所述共享的讀出放大器部分中的晶體管的環(huán)形柵極絞合所述位線對中的位線。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中將柵極的一部分用作連線。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中由在所述共享讀出放大器部分的阱隔離區(qū)中形成的連線層絞合所述位線對中的位線。
7.一種在半導(dǎo)體存儲器件中用的共享的讀出放大器部分，所述半導(dǎo)體存儲器件包括存儲單元部分對，其設(shè)置在所述讀出放大器部分的相對側(cè)上；傳輸門對，其設(shè)置在所述共享讀出放大器部分的相對側(cè)、在存儲單元部分對和所述共享的讀出放大器部分之間；和位線，其構(gòu)成多個(gè)位線對，并且通過傳輸門對將共享讀出放大器部分和存儲單元部分對彼此連接，其中在與所述相對側(cè)傳輸門對之間的基本中心處相應(yīng)的位置處絞合所述多個(gè)位線對中的位線對的位線。
8.如權(quán)利要求7所述的共享的讀出放大器部分，其中由晶體管的環(huán)形柵極絞合在所述位線對中的位線。
9.如權(quán)利要求8所述的共享的讀出放大器部分，其中柵極的一部分用作連線。
10.如權(quán)利要求7所述的共享的讀出放大器部分，其中由在阱隔離區(qū)中形成的連線層絞合在所述位線對中的位線。
全文摘要
在半導(dǎo)體存儲器件中，所述半導(dǎo)體存儲器件包括共享的讀出放大器部分；在共享的讀出放大器部分相對側(cè)設(shè)置的存儲單元部分對；在存儲單元部分對和共享的讀出放大器部分之間的傳輸門對；和構(gòu)成多個(gè)位線對的位線，所述位線通過傳輸門對將共享的讀出放大器部分和存儲器單元部分對彼此連接，在相對側(cè)的傳輸門對之間的大致中心處絞合所述多個(gè)位線對中的位線對的位線。
文檔編號G11C11/409GK1959837SQ20061014292
公開日2007年5月9日 申請日期2006年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月31日
發(fā)明者延時(shí)知子, 太田賢 申請人:爾必達(dá)存儲器株式會社