專(zhuān)利名稱(chēng)：用于再生存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)中的信息的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于再生存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)中的信息的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置和存儲(chǔ)介質(zhì)再生方法。
背景技術(shù)：
近來(lái)，廣泛地已知一種諸如閃速存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中根據(jù)保持的電荷量存儲(chǔ)信息。還開(kāi)發(fā)出了一種多值存儲(chǔ)技術(shù)，其中通過(guò)設(shè)置電荷量的多個(gè)閾值來(lái)存儲(chǔ)關(guān)于至少兩位的信息。
在電荷累積型存儲(chǔ)器件中，隨著時(shí)間的推移，并利用每次讀出操作，由于存儲(chǔ)器件的寄生電阻和感測(cè)放大器的輸入電阻而進(jìn)行放電。由于甚至在讀出和寫(xiě)入操作還沒(méi)有執(zhí)行很長(zhǎng)時(shí)間時(shí)，由自然放電引起的電荷累積量的減少就產(chǎn)生了，所以尤其在非易失型存儲(chǔ)器很長(zhǎng)時(shí)間沒(méi)有接通的時(shí)候，很容易產(chǎn)生禁止信息讀出的狀態(tài)。在多值存儲(chǔ)器中，放電對(duì)存儲(chǔ)器件輸出的下降影響很大，這使得讀出次數(shù)受到限制。
因此，例如，在美國(guó)專(zhuān)利號(hào)5909449中公開(kāi)的技術(shù)中，在禁止信息讀出的狀態(tài)之前檢測(cè)存儲(chǔ)器件的輸出電壓，并保持輸出電壓，使得通過(guò)執(zhí)行其中當(dāng)輸出電壓降低時(shí)重新啟動(dòng)信息存儲(chǔ)設(shè)備的刷新操作正確地讀取信息。
但是，在美國(guó)專(zhuān)利號(hào)5909449中公開(kāi)的方法中，當(dāng)在寫(xiě)入后過(guò)去很長(zhǎng)時(shí)間之后存儲(chǔ)器件的輸出電壓大幅降低時(shí)，出現(xiàn)一個(gè)問(wèn)題，即在刷新操作中寫(xiě)入的正常信息不能從存儲(chǔ)器件組中讀出。因此，不能對(duì)在寫(xiě)入之后經(jīng)過(guò)了很長(zhǎng)時(shí)間的存儲(chǔ)器件執(zhí)行刷新操作，這引起這樣一個(gè)問(wèn)題，即不能正常讀取信息。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種用于再生信息的裝置，包括存儲(chǔ)部件，存儲(chǔ)電荷；讀取部件，獲得存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部件中的電荷量，并通過(guò)確定基于電荷量與第一閾值的比較的值來(lái)讀取信息；誤差檢測(cè)部件，確定所讀取的信息是否有誤差；閾值產(chǎn)生部件，當(dāng)誤差檢測(cè)部件確定信息有誤差時(shí)，產(chǎn)生第二閾值，第二閾值的值與用于讀取所述信息的第一閾值的值不同，其中在誤差檢測(cè)部件確定出信息具有誤差后，讀取部件進(jìn)一步通過(guò)確定基于電荷量與第二閾值的比較的值來(lái)讀取信息。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種用于再生信息的方法，包括獲得存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的電荷量；通過(guò)確定基于電荷量與第一閾值的比較的值來(lái)讀取信息；確定所讀取的信息是否有誤差；當(dāng)確定出信息具有誤差時(shí)，產(chǎn)生第二閾值，第二閾值的值與用于讀取所述信息的第一閾值的值不同；在確定出信息具有誤差后，通過(guò)確定基于電荷量與第二閾值的比較的值來(lái)讀取信息。


圖1是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置的配置的框圖；圖2是示出了構(gòu)成存儲(chǔ)部件的存儲(chǔ)器件的等價(jià)電路的實(shí)例的示意圖；圖3是示出了存儲(chǔ)器件的電荷量分布實(shí)例的示意圖；圖4是示出了閾值產(chǎn)生部件的詳細(xì)配置的框圖；圖5是示出了在ROM中存儲(chǔ)的閾值電壓組的存儲(chǔ)實(shí)例的示意圖；圖6是示出了第一實(shí)施例中信息讀出處理的整個(gè)流程的流程圖；圖7是示出了根據(jù)第二實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置的配置的框圖；圖8是示出了第二實(shí)施例中信息讀出處理的整個(gè)流程的流程圖；圖9是示出了第二實(shí)施例中信息讀出處理的另一實(shí)例的流程圖；
圖10是示出了根據(jù)第三實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置的配置的框圖；圖11是示出了第三實(shí)施例中信息讀出處理的整個(gè)流程的流程圖；圖12是示出了刷新處理的整個(gè)流程的流程圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置和存儲(chǔ)介質(zhì)再生方法的示例性實(shí)施例將在下面參考附圖詳細(xì)描述。
在根據(jù)第一實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置中，檢測(cè)讀出信息的誤差，當(dāng)檢測(cè)出誤差時(shí)，改變用于確定存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器件中的代碼的閾值，以再次讀取信息。
圖1是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置100的配置的框圖。如圖1所示，存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置100包括存儲(chǔ)部件110、誤差檢測(cè)代碼產(chǎn)生部件101、誤差校正代碼產(chǎn)生部件102、寫(xiě)控制部件103a-103c、比較部件104a-104c、誤差校正部件105、誤差檢測(cè)部件106和閾值產(chǎn)生部件107。
存儲(chǔ)部件110是其中信息根據(jù)相對(duì)于電荷量的預(yù)定閾值的電荷量存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器件。存儲(chǔ)部件110可以由諸如閃速存儲(chǔ)器和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的通用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器形成。存儲(chǔ)部件110可以由二進(jìn)制存儲(chǔ)器件形成。該二進(jìn)制存儲(chǔ)器件具有一個(gè)閾值，且“0”或“1”的二進(jìn)制值存儲(chǔ)在二進(jìn)制存儲(chǔ)器件中。存儲(chǔ)部件110也可由具有多個(gè)閾值的多值存儲(chǔ)器件形成。下面將描述存儲(chǔ)部件110由具有三個(gè)閾值的四值存儲(chǔ)器件形成的實(shí)例。
存儲(chǔ)部件110包括信息存儲(chǔ)部件110a、誤差檢測(cè)代碼存儲(chǔ)部件110b和誤差校正代碼存儲(chǔ)部件110c。信息存儲(chǔ)部件110a是具有作為四值存儲(chǔ)器件的多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)部件，且將在存儲(chǔ)部件110中存儲(chǔ)的信息存儲(chǔ)到信息存儲(chǔ)部件110a中。
與信息存儲(chǔ)部件110a類(lèi)似，誤差檢測(cè)代碼存儲(chǔ)部件110b是具有作為四值存儲(chǔ)器件的多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)部件。相應(yīng)于存儲(chǔ)的信息的誤差檢測(cè)代碼被存儲(chǔ)在誤差檢測(cè)代碼存儲(chǔ)部件110b中。
與信息存儲(chǔ)部件110a類(lèi)似，誤差校正代碼存儲(chǔ)部件110c是具有作為四值存儲(chǔ)器件的多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)部件。相應(yīng)于存儲(chǔ)的信息的誤差校正代碼被存儲(chǔ)在誤差校正代碼存儲(chǔ)部件110c中。
圖2是示出了構(gòu)成存儲(chǔ)部件110的存儲(chǔ)器件的等價(jià)電路的實(shí)例的示意圖。圖2A示出了四值存儲(chǔ)器件的等價(jià)電路，而圖2B示出了八值存儲(chǔ)器件的等價(jià)電路。
圖2右側(cè)的電路示出了后面所述的比較部件104a-104c的等價(jià)電路。圖2左側(cè)的電路示出了電荷累積的存儲(chǔ)器件的等價(jià)電路。雖然在圖2中僅示出了一個(gè)存儲(chǔ)器件，但實(shí)際上存儲(chǔ)部件110包括多個(gè)并行的存儲(chǔ)器件。即，多個(gè)存儲(chǔ)器件的一部分相應(yīng)于信息存儲(chǔ)部件110a，而其它部分相應(yīng)于誤差檢測(cè)代碼存儲(chǔ)部件110b和誤差校正代碼存儲(chǔ)部件110c，多個(gè)存儲(chǔ)器件整體構(gòu)成存儲(chǔ)部件110。
在四值存儲(chǔ)器件的情況下，通用利用比較器比較累積的電荷量與三個(gè)閾值，可以輸出位B0和B1的兩位信息，該比較器使得能夠存儲(chǔ)四值信息(01，00，10，和11)。
可由圖2的等價(jià)電路顯示的存儲(chǔ)器件的實(shí)例包括EEP-ROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)、閃速存儲(chǔ)器和DRAM。在這些存儲(chǔ)器件中，信息由圖2的電容器Cm中累積的電荷量表示。電阻Rd具有較低的電阻值。電阻RG是由于器件配置而產(chǎn)生的寄生電阻，且電阻RG具有高電阻值。
當(dāng)開(kāi)關(guān)SWd接通時(shí)，電容器Cm中累積的電荷可通過(guò)電阻Rd在很短時(shí)間內(nèi)放電。例如，在擦除EEP-ROM或閃速存儲(chǔ)器的過(guò)程中執(zhí)行放電操作。當(dāng)放電結(jié)束時(shí)，開(kāi)關(guān)SWc釋放。
在向存儲(chǔ)器件存儲(chǔ)信息的過(guò)程中，在執(zhí)行一次擦除操作之后，通過(guò)接通開(kāi)關(guān)SWc，在電容器Cm中充上具有指定量的電荷。例如，當(dāng)存儲(chǔ)四個(gè)值(兩位)時(shí)，基于充滿電的電容器Cm的兩端之間的電壓指定電荷量，使得代碼“11”為0％，代碼“10”為33％，代碼“00”為67％，代碼“01”為“100％。通過(guò)根據(jù)存儲(chǔ)的代碼調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)SWc接通的時(shí)間，控制累積的電荷量，并存儲(chǔ)信息。
在每個(gè)節(jié)點(diǎn)分配的電荷量不限于上例中所示的比率，而是電荷量可以配置成根據(jù)存儲(chǔ)器件的特性增加或減少。調(diào)節(jié)電荷量的方法不限于上例，而是可以采用任何方法，只要能進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而存儲(chǔ)預(yù)定的指定的電荷量。
在讀出時(shí)，通過(guò)接通開(kāi)關(guān)SWr以將每個(gè)代碼與預(yù)定閾值電壓(Eth0、Eth1和Eth2)進(jìn)行比較而確定每個(gè)代碼。當(dāng)確定結(jié)束時(shí)，開(kāi)關(guān)SWr斷開(kāi)。
在第一實(shí)施例中，平行于許多存儲(chǔ)器件地存儲(chǔ)和再生信息。當(dāng)信息被存儲(chǔ)到許多存儲(chǔ)器件中時(shí)，由于制造原因，在存儲(chǔ)器件之間會(huì)產(chǎn)生特性上的變化。
圖3是示出了存儲(chǔ)器件的電荷量分布實(shí)例的示意圖。圖3的左側(cè)示出了剛剛寫(xiě)后的電荷量分布，圖3的中心示出了時(shí)間推移后的電荷量分布。圖3的右側(cè)示出了時(shí)間進(jìn)一步推移后的電荷量分布。符號(hào)Eth0-Eth2指明電荷量的閾值。
如圖3所示，剛剛在信息存儲(chǔ)后，每個(gè)存儲(chǔ)器件的電荷量在具有某段帶寬區(qū)間的范圍中分布，可以考慮該分布確定用于分離代碼的閾值電壓。但是，伴隨著時(shí)間的推移或信息讀出，由電阻RG和RL將電容器Cm的電荷逐漸放電，且在某些存儲(chǔ)器件中，輸出電壓變得接近于閾值電壓，如圖3的中心所示。當(dāng)輸出電壓低于該閾值時(shí)，就會(huì)錯(cuò)誤地確定存儲(chǔ)器件的代碼值。
在第一實(shí)施例中，當(dāng)產(chǎn)生信息讀出的誤差時(shí)，改變閾值電壓的值以再次讀取信息，并重復(fù)該操作，直到正常讀取信息。因此，即使由于時(shí)間的推移而產(chǎn)生放電，仍能正常地讀取信息。
誤差檢測(cè)代碼產(chǎn)生部件101在信息寫(xiě)處理中產(chǎn)生信息的誤差檢測(cè)代碼。只要產(chǎn)生能夠檢測(cè)所存儲(chǔ)的信息是否錯(cuò)誤的檢測(cè)代碼，任何諸如CRC(循環(huán)冗余校驗(yàn))代碼(CRC16、CRC32等)和校驗(yàn)和的傳統(tǒng)方法可以應(yīng)用到產(chǎn)生誤差檢測(cè)代碼的方法。
在信息寫(xiě)處理中，誤差校正代碼產(chǎn)生部件102從組合了所存儲(chǔ)的信息和由誤差檢測(cè)代碼產(chǎn)生部件101產(chǎn)生的誤差檢測(cè)代碼的信息中產(chǎn)生誤差校正代碼。只要能夠即時(shí)執(zhí)行誤差校正，任何諸如BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)代碼和RS(Reed-Solomon)代碼的傳統(tǒng)方法可以應(yīng)用到產(chǎn)生誤差校正代碼的方法。
可以配置存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置100為只有當(dāng)不執(zhí)行誤差校正時(shí)才執(zhí)行誤差檢測(cè)。在這種情況下，就不需要誤差校正代碼產(chǎn)生部件102、誤差校正代碼存儲(chǔ)部件110c和下文描述的誤差校正部件105。
由誤差檢測(cè)代碼產(chǎn)生部件101和誤差校正代碼產(chǎn)生部件102分別產(chǎn)生的誤差檢測(cè)代碼和誤差校正代碼與存儲(chǔ)信息一起存儲(chǔ)在構(gòu)成存儲(chǔ)部件110的存儲(chǔ)器件組中。例如，當(dāng)使用BCH代碼執(zhí)行包括校正代碼最多四位的誤差校正，且使用CRC16用于誤差檢測(cè)時(shí)，對(duì)誤差檢測(cè)和誤差校正來(lái)說(shuō)，16位和48位分別是必需的。即，誤差檢測(cè)代碼存儲(chǔ)部件110b必需的存儲(chǔ)容量是16位，并且誤差校正代碼存儲(chǔ)部件110c必需的存儲(chǔ)容量是48位。
當(dāng)2048位的信息存儲(chǔ)在信息存儲(chǔ)部件110a中時(shí)，在構(gòu)成存儲(chǔ)部件110的存儲(chǔ)器件組中，存儲(chǔ)的信息、誤差檢測(cè)代碼和誤差校正代碼需要2112位(＝2048+16+48)的存儲(chǔ)容量。
并行地布置存儲(chǔ)部件110，且除了存儲(chǔ)部件110之外的組件是普遍地使用的，這使大容量存儲(chǔ)器件能夠?qū)崿F(xiàn)。即，以存儲(chǔ)的信息、誤差檢測(cè)代碼和誤差校正代碼為一個(gè)單位(例如，2112位)形成存儲(chǔ)器件組，且并行地布置多個(gè)存儲(chǔ)器件組。在寫(xiě)處理和讀出處理中，通過(guò)從一個(gè)組轉(zhuǎn)換到另一個(gè)組，寫(xiě)控制部件103a-103c和比較部件104a-104c連接到多個(gè)存儲(chǔ)器件組中的每一個(gè)。
寫(xiě)控制部件103a-103c控制到存儲(chǔ)部件110的信息寫(xiě)處理、誤差檢測(cè)代碼寫(xiě)處理和誤差校正代碼寫(xiě)處理。寫(xiě)控制部件103a、103b和103c分別執(zhí)行到信息存儲(chǔ)部件110a、誤差檢測(cè)代碼存儲(chǔ)部件110b和誤差校正代碼存儲(chǔ)部件110c的寫(xiě)處理。
比較部件104a-104c通過(guò)比較閾值電壓和存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部件110中的電荷量從存儲(chǔ)部件110中讀取信息。使用在寫(xiě)信息后能立即正常確定代碼的值作為閾值電壓的初始值。
比較部件104a、104b和104c分別從信息存儲(chǔ)部件110a、誤差檢測(cè)代碼存儲(chǔ)部件110b和誤差校正代碼存儲(chǔ)部件110c中讀取信息。
當(dāng)由下文描述的誤差檢測(cè)部件106讀取的信息存在誤差時(shí)，比較部件104a-104c通過(guò)重新比較存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元110中的電荷量和由下文描述的閾值產(chǎn)生部件107產(chǎn)生的新的閾值電壓讀取信息。
誤差校正部件105使用由比較部件104c讀取的誤差校正代碼執(zhí)行誤差校正處理。對(duì)組合了從信息存儲(chǔ)部件110a讀取的信息和從誤差檢測(cè)代碼存儲(chǔ)部件110b讀取的誤差檢測(cè)代碼的信息執(zhí)行誤差校正處理。諸如BCH代碼和RS代碼的任何傳統(tǒng)的誤差校正技術(shù)可以應(yīng)用到第一實(shí)施例中的誤差校正。
誤差檢測(cè)部件106使用由比較部件104b讀取的并由誤差校正部件105校正的誤差檢測(cè)代碼，確定由比較部件104a讀取的并由誤差校正部件105校正的信息中是否包含誤差。任何諸如CRC代碼和校驗(yàn)和的傳統(tǒng)誤差檢測(cè)技術(shù)可以應(yīng)用到第一實(shí)施例中的誤差檢測(cè)。在不執(zhí)行誤差校正的配置的情況下，誤差檢測(cè)部件106確定由比較部件104a讀取的信息中是否包含誤差。
當(dāng)誤差檢測(cè)部件106檢測(cè)到在讀出信息中存在誤差時(shí)，閾值產(chǎn)生部件107產(chǎn)生閾值電壓，其具有與在比較時(shí)使用的閾值電壓的值不同的值。在初始讀出中，閾值產(chǎn)生部件107產(chǎn)生在寫(xiě)后能立即正常地確定代碼的閾值電壓的初始值。
圖4是示出了閾值產(chǎn)生部件107的詳細(xì)配置的框圖。如圖4所示，閾值產(chǎn)生部件107包括閾值產(chǎn)生控制部件401、寄存器402、ROM(只讀存儲(chǔ)器)403和D/A(數(shù)字/模擬)轉(zhuǎn)換器404。
閾值產(chǎn)生控制部件401是控制閾值產(chǎn)生處理的控制部件。寄存器402是存儲(chǔ)當(dāng)前使用的閾值電壓的值的存儲(chǔ)部件。ROM403是存儲(chǔ)多個(gè)閾值電壓的預(yù)定組的存儲(chǔ)部件。可以配置成在閾值產(chǎn)生部件107之外設(shè)置存儲(chǔ)多個(gè)閾值電壓組的存儲(chǔ)部件。
圖5是示出了在ROM403中存儲(chǔ)的閾值電壓組的存儲(chǔ)實(shí)例的示意圖。如圖5所示，在ROM403中相互對(duì)應(yīng)地存儲(chǔ)用于唯一識(shí)別閾值電壓組的設(shè)置ID和閾值電壓(Eth2、Eth1和Eth0)。
在閾值電壓組中，指定在寫(xiě)后能立即沒(méi)有誤差地確定代碼的閾值電壓組為閾值電壓的初始值。在圖5所示的例子中，指定設(shè)置ID＝1的組作為初始值。在設(shè)置ID＝1的組中，設(shè)置閾值Eth2在0.83，設(shè)置閾值Eth1在0.50，和設(shè)置閾值Eth0在0.17。即，在存儲(chǔ)器件的輸出值中，假設(shè)1.00(V)為代碼“01”(完全充電)的輸出，0.67(V)為代碼“00”的輸出，0.33(V)為代碼“10”的輸出，0.00(V)為代碼“11”的輸出。
期望能根據(jù)存儲(chǔ)器件的放電特性能調(diào)整存儲(chǔ)在ROM403中的閾值電壓值，以便減少確定誤差。圖5示出了根據(jù)放電特性調(diào)整的4組閾值電壓。
D/A轉(zhuǎn)換器404將存儲(chǔ)在ROM403中的閾值電壓值為模擬信號(hào)以輸出此模擬信號(hào)，以便比較部件104a-104c能使用閾值電壓值用于比較。
當(dāng)檢測(cè)到誤差時(shí)，閾值產(chǎn)生控制部件401參考存儲(chǔ)在寄存器402中的當(dāng)前閾值電壓的設(shè)置值，并且閾值產(chǎn)生控制部件401選擇與當(dāng)前設(shè)置值不同的設(shè)置值以存儲(chǔ)這個(gè)設(shè)置值到寄存器402中。選擇方法是任意的，例如，配置閾值產(chǎn)生控制部件401隨機(jī)地選擇設(shè)置值。
由于應(yīng)用了誤差檢測(cè)和誤差校正，包含在存儲(chǔ)器件組中的存儲(chǔ)器件的讀出數(shù)量是相互類(lèi)似的。因此，可以認(rèn)為存儲(chǔ)器件組中的存儲(chǔ)器件的積累的電荷的放電量基本上是相互類(lèi)似的，因此同一組存儲(chǔ)器件中包含的存儲(chǔ)器件使用相同的閾值電壓。
由具有上述配置的第一實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置100執(zhí)行的信息讀出處理將在下面描述。圖6是示出了第一實(shí)施例中信息讀出處理的整個(gè)流程的流程圖。
閾值產(chǎn)生部件107參考ROM403以產(chǎn)生用于由比較部件104a-104c比較的閾值電壓(步驟S601)。在初始比較處理中，響應(yīng)讀出命令，閾值產(chǎn)生部件107從ROM403獲得閾值電壓的初始值來(lái)產(chǎn)生閾值電壓。
閾值產(chǎn)生部件107確定是否能產(chǎn)生閾值電壓(步驟S602)。當(dāng)不能產(chǎn)生閾值電壓時(shí)(步驟S602中的否)，比較部件104a-104c輸出誤差產(chǎn)生(步驟S603)，并且結(jié)束信息讀出處理。
如這里所使用的，不能產(chǎn)生閾值電壓將意味著存儲(chǔ)在ROM403中的所有閾值電壓的候選值都使用完了。這對(duì)應(yīng)于下面的情況，即，由于即使利用某個(gè)閾值電壓讀取了信息，放電也一直在進(jìn)行，因此不能正常地讀取信息。
當(dāng)能產(chǎn)生閾值電壓時(shí)(在步驟S602中的是)，比較部件104a-104c比較該閾值電壓和由閾值產(chǎn)生部件107產(chǎn)生的閾值電壓，其中閾值產(chǎn)生部件107從存儲(chǔ)部件110讀取代碼(步驟S604)。
誤差校正部件105使用由比較部件104c讀取的誤差校正代碼執(zhí)行誤差校正處理(步驟S605)。誤差校正部件105對(duì)組合了由比較部件104a從信息存儲(chǔ)部件110a讀取的信息和由比較部件104b從誤差檢測(cè)代碼產(chǎn)生部件110b讀取的誤差檢測(cè)代碼的信息執(zhí)行誤差校正。
誤差檢測(cè)部件106確定由誤差校正部件105執(zhí)行的誤差校正處理的結(jié)果中是否存在誤差(步驟S606)。具體而言，誤差檢測(cè)部件106通過(guò)把由比較部件104b讀取并由誤差校正部件105校正的誤差檢測(cè)代碼應(yīng)用到由比較部件104a讀取并由誤差校正部件105校正的信息確定是否存在誤差。
當(dāng)存在誤差時(shí)(在步驟S606中的是)，閾值產(chǎn)生部件107從ROM403獲得具有與當(dāng)前閾值電壓值不同的值的閾值電壓，且閾值產(chǎn)生部件107新產(chǎn)生閾值電壓(步驟S601)，并且重復(fù)信息讀出處理。
閾值產(chǎn)生部件107從ROM403中隨機(jī)地選取新產(chǎn)生的閾值電壓的值。即使是隨機(jī)地執(zhí)行選擇，閾值電壓值的數(shù)量也是有限的，以便能用簡(jiǎn)單的電路配置高速產(chǎn)生正確的閾值電壓值。
可以配置閾值產(chǎn)生部件107選擇新產(chǎn)生的閾值電壓值，以便減少閾值電壓。由于除非重新設(shè)置存儲(chǔ)，存儲(chǔ)器件中積累的電荷總只是放電，所以這樣可以處理輸出電壓的單調(diào)的下降。
例如，假設(shè)圖5中示出的閾值電壓設(shè)置存儲(chǔ)在ROM403中，在當(dāng)前使用的是設(shè)置ID＝1的閾值電壓時(shí)，產(chǎn)生設(shè)置ID＝2的閾值電壓作為新的閾值電壓值，這樣就使得能夠更高速地產(chǎn)生正確的閾值電壓。
在步驟S606，當(dāng)閾值產(chǎn)生部件107確定不存在誤差時(shí)(在步驟S606中的否)，由于正常地讀取了信息，因此結(jié)束信息讀出處理。
這樣，在本發(fā)明的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置中，檢測(cè)讀出信息的誤差，并且通過(guò)當(dāng)檢測(cè)到誤差時(shí)，改變用于確定存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器件中的代碼的閾值，能再次讀取信息。即使在放電一直進(jìn)行的存儲(chǔ)器件中，也能正常讀取信息。因此，可以正常讀取信息的周期和讀出次數(shù)都會(huì)增加。
在根據(jù)第二實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置中，當(dāng)在讀出信息中沒(méi)有檢測(cè)到誤差時(shí)存儲(chǔ)閾值，并且通過(guò)在后面的讀出中參考閾值實(shí)現(xiàn)信息讀出處理的加速。
圖7是示出了根據(jù)第二實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置700的配置的框圖。如圖7所示，存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置700包括存儲(chǔ)部件110、讀出閾值存儲(chǔ)部件711、誤差檢測(cè)代碼產(chǎn)生部件101、誤差校正代碼產(chǎn)生部件102、寫(xiě)控制部件103a-103c、比較部件104a-104c、誤差校正部件105、誤差檢測(cè)部件106和閾值產(chǎn)生部件707。
除了讀出閾值存儲(chǔ)部件711和閾值產(chǎn)生部件707的功能外，第二實(shí)施例與第一實(shí)施例不同。其它配置和功能與圖1框圖中的配置和功能類(lèi)似，其中圖1示出了第一實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置100的配置。因此，相同的標(biāo)號(hào)指示相同的部件，并且不再重復(fù)描述。
讀出閾值存儲(chǔ)部件711是當(dāng)正常地讀取信息時(shí)存儲(chǔ)閾值電壓值的存儲(chǔ)部件。
當(dāng)正常地讀取信息時(shí)，閾值產(chǎn)生部件707存儲(chǔ)在那個(gè)時(shí)間使用的閾值電壓值到閾值存儲(chǔ)部件711中。當(dāng)下一次讀取信息時(shí)，閾值產(chǎn)生部件707產(chǎn)生與在讀出閾值存儲(chǔ)部件711中存儲(chǔ)的值對(duì)應(yīng)的閾值電壓。
因此，可以縮短正常讀取信息之前的持續(xù)時(shí)間來(lái)加快讀出處理的速度。假定當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)器件組執(zhí)行寫(xiě)時(shí)，讀出閾值存儲(chǔ)部件711將閾值電壓返回為初始值。
由具有上述配置的第二實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置700執(zhí)行的信息讀出處理將在下文描述。圖8是示出了第二實(shí)施例中信息讀出處理的整個(gè)流程的流程圖。
閾值產(chǎn)生部件707讀取上一次從讀出閾值存儲(chǔ)部件711中讀取的閾值(在下文中稱(chēng)為讀出閾值)(步驟S801)。閾值產(chǎn)生部件707參考讀出閾值或ROM403以產(chǎn)生閾值電壓(步驟S802)。
具體而言，閾值產(chǎn)生部件707在從讀出閾值存儲(chǔ)部件711中讀取讀出閾值之后立即產(chǎn)生與該讀出閾值對(duì)應(yīng)的閾值電壓。當(dāng)由于不能以與讀出閾值相應(yīng)的閾值電壓正常地讀取信息而再次執(zhí)行步驟S802時(shí)，閾值產(chǎn)生部件707參考ROM403以產(chǎn)生具有不同值的閾值電壓。
在第二實(shí)施例中，從步驟S803到步驟S807的閾值電壓產(chǎn)生確定處理、比較處理、誤差校正處理和誤差檢測(cè)處理與第一實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置100中從步驟S602到步驟S606的處理類(lèi)似。因此，將不再重復(fù)這些處理的描述。
在步驟S807中，當(dāng)誤差檢測(cè)部件106確定在誤差校正處理的結(jié)果中不存在誤差時(shí)(在步驟S807中的否)，閾值產(chǎn)生部件707存儲(chǔ)此時(shí)使用的閾值電壓到讀出閾值存儲(chǔ)部件711(步驟S808)。然后，結(jié)束信息讀出處理。
在上述處理中，不管誤差校正中校正的次數(shù)是多少，當(dāng)能正常地讀取信息且沒(méi)有檢測(cè)到誤差時(shí)，結(jié)束閾值改變。但是，當(dāng)誤差校正的次數(shù)增加時(shí)，很有可能由于在下一次讀出中產(chǎn)生誤差而需要改變閾值。
可選地，即使正常讀取信息，也再次改變閾值以重復(fù)地讀取信息，確定和在讀出閾值存儲(chǔ)部件711中存儲(chǔ)使誤差校正的次數(shù)最小化的閾值，并在后續(xù)讀出中使用該閾值。
上述可選配置中的信息讀出處理將在下面描述。圖9是示出了第二實(shí)施例中信息讀出處理的另一實(shí)例的流程圖。
從步驟S901到步驟S907的閾值電壓產(chǎn)生處理、閾值電壓產(chǎn)生確定處理、比較處理、誤差校正處理和誤差檢測(cè)處理與圖8的例子中從步驟S801到步驟S807的處理類(lèi)似。因此，不再重復(fù)這些處理的描述。
在步驟S907中，當(dāng)誤差檢測(cè)部件106確定在誤差校正處理的結(jié)果中不存在誤差時(shí)(在步驟S907中的否)，閾值產(chǎn)生部件707參考ROM403以產(chǎn)生與當(dāng)前使用的閾值電壓不同的閾值電壓(步驟S908)。具體而言，閾值產(chǎn)生部件707獲得其值小于當(dāng)前使用的閾值電壓值的閾值電壓，并且閾值產(chǎn)生部件707用獲得的值產(chǎn)生閾值電壓。
閾值產(chǎn)生部件707確定是否能產(chǎn)生閾值電壓(步驟S909)。當(dāng)不能產(chǎn)生閾值電壓時(shí)(在步驟S909中的否)，閾值產(chǎn)生部件707存儲(chǔ)閾值電壓的值到讀出閾值存儲(chǔ)部件711中(步驟S914)。然后，結(jié)束信息讀出處理。
當(dāng)能產(chǎn)生閾值電壓時(shí)(在步驟S909中的是)，執(zhí)行步驟S910和步驟S911中的比較處理和誤差校正處理。步驟S910和步驟S911中的比較處理和誤差校正處理與圖9的步驟S905和步驟S906中的處理類(lèi)似，因此不再重復(fù)描述。
在誤差校正部件105在步驟S911執(zhí)行誤差校正處理之后，誤差檢測(cè)部件106確定校正的誤差數(shù)量是否增加了(步驟S912)。具體而言，誤差檢測(cè)部件106通過(guò)比較當(dāng)前執(zhí)行的誤差校正處理中校正的誤差數(shù)量和在步驟S906中執(zhí)行的誤差校正處理中校正的誤差數(shù)量或上次執(zhí)行的誤差校正處理中校正的誤差數(shù)量確定校正的誤差數(shù)量是否增加。
當(dāng)誤差檢測(cè)部件106確定校正的誤差數(shù)量沒(méi)有增加時(shí)(在步驟S912中的否)，閾值產(chǎn)生部件707獲得其值不同于ROM403中當(dāng)前閾值電壓的值的閾值電壓，并且閾值產(chǎn)生部件707新產(chǎn)生閾值電壓(步驟S908)，且重復(fù)信息讀出處理。
當(dāng)誤差檢測(cè)部件106確定校正的誤差數(shù)量增加時(shí)(在步驟S912中的是)，閾值產(chǎn)生部件707設(shè)置閾值電壓為上一次的值(步驟S913)，且閾值產(chǎn)生部件707存儲(chǔ)閾值電壓到讀出閾值存儲(chǔ)部件711中(步驟S914)。然后結(jié)束讀出處理。
這是因?yàn)閺恼`差數(shù)量的增加能確定閾值電壓的大幅下降。這樣，就能確定使誤差校正的次數(shù)最小化的閾值。在后續(xù)的讀出中使用使誤差校正的次數(shù)最小化的閾值，這使得達(dá)到最優(yōu)的閾值電壓的嘗試次數(shù)的數(shù)目能夠進(jìn)一步減少。
這樣，在第二實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置中，在存儲(chǔ)部件中存儲(chǔ)當(dāng)在讀出的信息中沒(méi)有檢測(cè)到誤差時(shí)的閾值，并且在后續(xù)讀出中參考此閾值。因此，對(duì)正常讀取的閾值來(lái)說(shuō)，能實(shí)現(xiàn)確定處理和信息讀出處理的加速。
在根據(jù)第三實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置中，當(dāng)閾值小于在正常讀取信息時(shí)預(yù)定的參考值時(shí)，執(zhí)行保持電荷量在正常值的刷新操作。
圖10是示出了根據(jù)第三實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置1000的配置的框圖。如圖10所示，存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置1000包括存儲(chǔ)部件110、誤差檢測(cè)代碼產(chǎn)生部件101、誤差校正代碼產(chǎn)生部件102、寫(xiě)控制部件103a-103c、比較部件104a-104c、誤差校正部件105、誤差檢測(cè)部件106和閾值產(chǎn)生部件107和刷新控制部件1008。
第三實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于增加了刷新控制部件1008。其它配置和功能與圖1框圖的配置和功能類(lèi)似，其中圖1示出了第一實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置100的配置。因此，相同標(biāo)號(hào)指示相同的部件，且不再重復(fù)描述。
刷新控制部件1008當(dāng)閾值小于正常讀取信息時(shí)預(yù)定的參考值時(shí)，執(zhí)行保持存儲(chǔ)部件110的電荷量在正常的值的刷新操作。即使當(dāng)能正常地讀取信息時(shí)，當(dāng)閾值低時(shí)，估計(jì)用于能分離代碼的余量也減少了。因此，有必要在讀出中避免誤差產(chǎn)生。
由具有上述配置的第三實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置1000執(zhí)行的信息讀出處理將在下面描述。圖11是示出了第三實(shí)施例中信息讀出處理的整個(gè)流程的流程圖。
從步驟S1101到步驟S1106的閾值電壓產(chǎn)生處理、閾值電壓產(chǎn)生確定處理、比較處理、誤差校正處理和誤差檢測(cè)處理與第一實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置100中從步驟S601到步驟S606的處理類(lèi)似。因此，不再重復(fù)這些處理的描述。
第三實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于在信息讀出處理的結(jié)束時(shí)，如果需要?jiǎng)t執(zhí)行刷新處理(步驟S1107)。
將詳細(xì)描述在步驟S1107中示出的刷新處理。圖12是示出了刷新處理的整個(gè)流程的流程圖。
刷新控制部件1008確定在讀取信息時(shí)使用的閾值電壓是否小于預(yù)定的參考值(步驟S1201)。當(dāng)閾值電壓不小于參考值時(shí)(在步驟S1201中的否)，由于不需要刷新操作，因此結(jié)束刷新處理。
當(dāng)閾值電壓小于參考值時(shí)(在步驟S1201中的是)，刷新控制部件1008確定校正的誤差數(shù)量是否大于另一個(gè)預(yù)定的參考值(步驟S1202)。
在使用能校正許多誤差的誤差校正代碼的情況下，當(dāng)刷新操作僅僅由閾值確定時(shí)，有可能過(guò)量地執(zhí)行刷新操作。因此，在步驟S1202，當(dāng)校正的誤差數(shù)量很少時(shí)，就確定不執(zhí)行刷新操作。
當(dāng)刷新控制部件1008確定校正的誤差數(shù)量不大于參考值時(shí)(在步驟S1202中的否)，由于不需要刷新操作，因此結(jié)束刷新處理。
可以配置第三實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置1000為僅通過(guò)閾值電壓而不用確定校正的誤差數(shù)量來(lái)確定是否需要刷新操作。
在步驟S1202，當(dāng)刷新控制部件1008確定校正的誤差數(shù)量大于參考值時(shí)(在步驟S1202中的是)，刷新控制部件1008擦除存儲(chǔ)部件110的信息(步驟S1203)。在某種在寫(xiě)之前一定不得擦除信息的存儲(chǔ)器件中，可以省略步驟S1203。
寫(xiě)控制部件103a-103c寫(xiě)對(duì)其進(jìn)行誤差校正的信息到存儲(chǔ)部件110中(步驟S1204)。然后，結(jié)束刷新處理。
這樣，在第三實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置中，當(dāng)閾值小于在正常讀取信息時(shí)預(yù)定的參考值時(shí)，能執(zhí)行保持電荷量在正常值的刷新操作。是否執(zhí)行刷新操作可以通過(guò)考慮誤差校正的數(shù)量是否大于預(yù)定的參考值來(lái)確定。因此，可以正確地保持電荷量，并且可以正常讀取信息的周期和讀出次數(shù)會(huì)增加。
提供了當(dāng)預(yù)先并入到ROM等存儲(chǔ)器件中時(shí)由根據(jù)第一到第三實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置塊執(zhí)行的存儲(chǔ)介質(zhì)再生程序。
由根據(jù)第一到第三實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置塊執(zhí)行的存儲(chǔ)介質(zhì)再生程序可以配置為當(dāng)在諸如CD-ROM(光盤(pán)只讀存儲(chǔ)器)、軟盤(pán)(FD)、CD-R(可記錄光盤(pán))和DVD(數(shù)字多用途光盤(pán))的記錄介質(zhì)中記錄時(shí)被提供，可以使用計(jì)算機(jī)以可安裝形式或可執(zhí)行形式的文件對(duì)其讀取。
由根據(jù)第一到第三實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置塊執(zhí)行的存儲(chǔ)介質(zhì)再生程序可以配置為通過(guò)將存儲(chǔ)介質(zhì)再生程序存儲(chǔ)到連接到諸如因特網(wǎng)的網(wǎng)絡(luò)的計(jì)算機(jī)中并通過(guò)從網(wǎng)絡(luò)下載存儲(chǔ)介質(zhì)再生程序而被提供。由根據(jù)第一到第三實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置塊執(zhí)行的存儲(chǔ)介質(zhì)再生程序可以配置為通過(guò)諸如因特網(wǎng)的網(wǎng)絡(luò)提供或發(fā)布。
由根據(jù)第一到第三實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)再生裝置塊執(zhí)行的存儲(chǔ)介質(zhì)再生程序由包括上述部件(誤差檢測(cè)代碼產(chǎn)生部件、誤差校正代碼產(chǎn)生部件、寫(xiě)控制部件、比較部件、誤差校正部件、誤差檢測(cè)部件、閾值產(chǎn)生部件和刷新控制部件)的模塊配置組成。在實(shí)際的硬件中，CPU(中央處理器)從ROM讀取存儲(chǔ)介質(zhì)再生程序以執(zhí)行存儲(chǔ)介質(zhì)再生程序，由此，加載上述部件到主存儲(chǔ)器件，以便在主存儲(chǔ)器件上產(chǎn)生部件。
對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其它的優(yōu)點(diǎn)和修改很容易想到。因此，本發(fā)明在其更廣泛的方面不限于這里所示出和描述的特定的細(xì)節(jié)和有代表性的實(shí)施例。相應(yīng)地，在不背離由所附權(quán)利要求及其等價(jià)物定義的本發(fā)明總體構(gòu)思的主旨或范圍的情況下，可以進(jìn)行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種用于再生信息的裝置，包括存儲(chǔ)部件，用于存儲(chǔ)電荷；讀取部件，用于獲得存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部件中的電荷量，并且通過(guò)確定基于電荷量與第一閾值的比較的值來(lái)讀取信息；誤差檢測(cè)部件，用于確定讀取的信息是否有誤差；和閾值產(chǎn)生部件，用于當(dāng)誤差檢測(cè)部件確定出所述信息有誤差時(shí)，產(chǎn)生第二閾值，第二閾值具有與在讀取信息時(shí)使用的第一閾值的值不同的值，其中讀取部件在誤差檢測(cè)部件確定出所述信息有誤差后，進(jìn)一步通過(guò)確定基于電荷量與第二閾值的比較的值來(lái)讀取信息。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括存儲(chǔ)多個(gè)預(yù)定閾值的閾值候選存儲(chǔ)部件，其中閾值產(chǎn)生部件當(dāng)誤差檢測(cè)部件確定出所述信息有誤差時(shí)，獲得存儲(chǔ)在閾值候選存儲(chǔ)部件中的預(yù)定閾值之一，并且產(chǎn)生所述預(yù)定閾值之一作為第二閾值。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中閾值產(chǎn)生部件當(dāng)誤差檢測(cè)部件確定出所述信息有誤差時(shí)，從閾值候選存儲(chǔ)部件獲得閾值，此閾值小于在讀取信息時(shí)使用的第一閾值，并且閾值產(chǎn)生部件產(chǎn)生此閾值作為第二閾值。
4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中閾值候選存儲(chǔ)部件存儲(chǔ)當(dāng)存儲(chǔ)部件中積累的電荷沒(méi)有放電時(shí)使用的初始閾值和以前根據(jù)電荷的放電特性確定的且每個(gè)都小于初始閾值的多個(gè)閾值，以及閾值產(chǎn)生部件當(dāng)誤差檢測(cè)部件確定出所述信息有誤差時(shí)，從閾值候選存儲(chǔ)部件中獲得小于讀取信息時(shí)使用的第一閾值的閾值，并且產(chǎn)生該閾值作為第二閾值。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括對(duì)讀取的信息執(zhí)行誤差校正的誤差校正部件，其中誤差檢測(cè)部件確定校正后的信息是否有誤差。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括存儲(chǔ)在讀取信息時(shí)使用的第一閾值的讀出閾值存儲(chǔ)部件，其中當(dāng)誤差檢測(cè)部件確定出所述信息沒(méi)有誤差時(shí)，閾值產(chǎn)生部件將在讀取信息時(shí)使用的第一閾值存儲(chǔ)到讀出閾值存儲(chǔ)部件中，且讀取部件讀取在讀出閾值存儲(chǔ)部件中存儲(chǔ)的第一閾值，并且比較第一閾值和存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部件中的電荷量。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其中閾值產(chǎn)生部件當(dāng)誤差檢測(cè)部件確定出所述信息有誤差時(shí)，從閾值候選存儲(chǔ)部件獲得小于在讀取信息時(shí)使用的第一閾值的閾值，并且產(chǎn)生該閾值作為第二閾值。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其中閾值候選存儲(chǔ)部件存儲(chǔ)當(dāng)存儲(chǔ)部件中積累的電荷沒(méi)有放電時(shí)使用的初始閾值和以前根據(jù)電荷的放電特性確定的每個(gè)都小于初始閾值的多個(gè)閾值，閾值產(chǎn)生部件當(dāng)誤差檢測(cè)部件確定出所述信息有誤差時(shí)，從候選閾值存儲(chǔ)部件中獲得小于讀取信息時(shí)使用的第一閾值的閾值，并且產(chǎn)生該閾值作為第二閾值。
9.如權(quán)利要求6所述的裝置，進(jìn)一步包括對(duì)讀取信息執(zhí)行誤差校正的誤差校正部件，其中誤差檢測(cè)部件確定與對(duì)由誤差校正部件使用第一閾值讀取的信息校正的誤差數(shù)量比較，對(duì)由誤差校正部件使用第二閾值讀取的信息校正的誤差數(shù)量是否增加了，當(dāng)誤差檢測(cè)部件確定誤差的數(shù)量增加時(shí)，閾值產(chǎn)生部件將第一閾值存儲(chǔ)到讀出閾值存儲(chǔ)部件中，并且當(dāng)誤差檢測(cè)部件確定誤差的數(shù)量沒(méi)有增加時(shí)，產(chǎn)生與第二閾值不同的第三閾值，及當(dāng)誤差檢測(cè)部件確定誤差的數(shù)量沒(méi)有增加時(shí)，讀取部件將第三閾值設(shè)置為第一閾值，從存儲(chǔ)部件中讀取信息。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括刷新控制部件，其當(dāng)誤差檢測(cè)部件確定出所述信息沒(méi)有誤差時(shí)比較第一閾值和第一參考值，并且當(dāng)?shù)谝婚撝敌∮诘谝粎⒖贾禃r(shí)，執(zhí)行保持存儲(chǔ)部件的電荷量在正常值的刷新操作。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，進(jìn)一步包括對(duì)由讀取部件讀取的信息執(zhí)行誤差校正的誤差校正部件，其中當(dāng)刷新控制部件確定第一閾值小于第一參考值時(shí)，刷新控制部件比較校正的誤差數(shù)量和第二參考值，并且當(dāng)校正的誤差數(shù)量大于第二參考值時(shí)執(zhí)行刷新操作。
12.一種再生信息的方法，包括獲得存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的電荷量；通過(guò)確定基于電荷量和第一閾值的比較的值來(lái)讀取信息；確定讀取的信息是否有誤差；當(dāng)確定出所述信息有誤差時(shí)，產(chǎn)生第二閾值，第二閾值具有與在讀取信息時(shí)使用的第一閾值的值不同的值；及在確定出所述信息有誤差的情況下，通過(guò)確定基于電荷量和第二閾值的比較的值來(lái)讀取信息。
全文摘要
一種信息再生裝置，包括存儲(chǔ)部件，存儲(chǔ)電荷；讀取部件，獲得存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部件中的電荷量，并通過(guò)確定基于電荷量和第一閾值的比較的值來(lái)讀取信息；誤差檢測(cè)部件，確定所讀取的信息是否有誤差；閾值產(chǎn)生部件，當(dāng)誤差檢測(cè)部件確定出所述信息具有誤差時(shí)，產(chǎn)生第二閾值，第二閾值的值與用于讀取所述信息的第一閾值的值不同。在誤差檢測(cè)部件確定所述信息有誤差后，讀取部件進(jìn)一步通過(guò)確定基于電荷量和第二閾值的比較的值來(lái)讀取信息。
文檔編號(hào)G11C16/02GK1959843SQ200610142990
公開(kāi)日2007年5月9日 申請(qǐng)日期2006年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月1日
發(fā)明者菅野伸一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝