專利名稱：光記錄方法、光記錄裝置及光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及通過照射光(例如激光)來記錄、擦除、再現(xiàn)信息的光記錄方法、光記錄裝置及光記錄介質(zhì)。本發(fā)明特別提供一種光記錄方法、光記錄裝置及光記錄介質(zhì)，在光盤、光卡等可改寫的相變型記錄介質(zhì)上以高線速度(高倍速)來進行光記錄時能得到良好的重寫特性。
此外，提供一種光記錄方法、光記錄裝置及光記錄介質(zhì)，在相變型記錄介質(zhì)上，以從低線速度(低倍速)到高線速度(高倍速)的多個線速度中選擇出的線速度來進行光記錄時，在多個線速度中的任一個線速度上都能得到良好的重寫特性。
背景技術(shù)：
所謂相變型光記錄介質(zhì)，例如是近年出現(xiàn)的CD-RW、DVD-RW或DVD-RAM，是能夠改寫信息的介質(zhì)。尤其是DVD-RW或DVD-RAM主要用于記錄、改寫影像信息這樣的信息量大的信息。對相變型光記錄介質(zhì)，除了要求優(yōu)良的記錄特性以外，還要求優(yōu)良的重寫特性。
現(xiàn)有的可改寫的相變型光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)及記錄方法如下所述。
相變型光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)是，在以具有記錄/再現(xiàn)或擦除用的各功率的激光被照射到的面為底面的基板上，至少依次層疊了介質(zhì)層、記錄層、介質(zhì)層、反射層。在這樣構(gòu)成的相變型光記錄介質(zhì)上，通過在記錄時用記錄功率的激光將記錄脈沖施加(照射)到記錄層上來熔融、急冷記錄層，從而形成非結(jié)晶的記錄標記。該記錄標記的反射率低于結(jié)晶狀態(tài)的記錄層的反射率，所以能夠以光學方式讀取該記錄標記作為記錄信息。在擦除該記錄標記的情況下，通過照射比記錄功率小的功率(擦除功率)的激光，使記錄層達到結(jié)晶溫度以上、熔點以下的溫度，從非結(jié)晶狀態(tài)變?yōu)榻Y(jié)晶狀態(tài)，來擦除記錄標記，使得能夠重寫。
在日本特開2002-237089號公報和特開2003-200665號公報中，以高速記錄時的優(yōu)良的抖動特性和重寫特性為目的，提出了一種使未記錄部的反射率低于記錄部的反射率的光記錄方法和光記錄介質(zhì)。然而，本發(fā)明人通過研究判明，只用所提出的光記錄方法和光記錄介質(zhì)在高線速度(例如DVD4倍速以上)上不能得到足夠的重寫特性(特別是第1次重寫的特性)。
近年來，出現(xiàn)了支持DVD 1倍速的多倍(例如4倍速)的光記錄介質(zhì)，能夠以從多個線速度中選擇出的線速度來記錄記錄信息。為了支持這種多速化，在日本特開2000-155945號公報中，提出了一種記錄方法，使低線速度記錄時的記錄功率Pwl和擦除功率Pel之間的功率比(Pel/Pwl)小于高線速度記錄時的記錄功率Pwh和擦除功率Peh之間的功率比(Peh/Pwh)。但是本發(fā)明人通過研究得知，在該方法中，在高線速度記錄時，擦除功率Peh高，所以應成為結(jié)晶部的部分非晶化，記錄特性比初次記錄時惡化。此外，即使為了防止該非晶化而進行了加快記錄膜組分的結(jié)晶速度等調(diào)整，擦除功率Peh也高，所以容易發(fā)生記錄膜的偏析，在1千次以上的重復記錄時反射率降低，記錄特性惡化，對重寫來說不理想。
在日本特開2002-92889號公報中，提出了一種記錄方法，使擦除功率Pe與記錄線速度或記錄功率無關而保持恒定。但是，本發(fā)明人通過研究得知，在以低線速度、中線速度及高線速度進行記錄時，各個線速度有最佳擦除功率值，所以不能在很寬(低～高)的線速度上得到良好的記錄特性。
在日本特開2001-297481號公報中，提出了一種關系，在低線速度上的功率比(Pe/Pw)L、中線速度上的功率比(Pe/Pw)ref以及高線速度上的功率比(Pe/Pw)H中，(Pe/Pw)ref＞(Pe/Pw)H＞(Pe/Pw)L。但是，本發(fā)明人通過研究得知，在該方法中，特別是在低線速度上擦除功率小，所以少次數(shù)的重寫特性不好。
專利文獻1日本特開2002-237089號公報專利文獻2日本特開2003-200665號公報專利文獻3日本特開2000-155945號公報專利文獻4日本特開2002-92889號公報專利文獻5日本特開2001-297481號公報如上所述，使未記錄部的反射率低于記錄后/擦除后的反射率的現(xiàn)有的光記錄方法、或預先降低初始化后的未記錄部的反射率的現(xiàn)有的光記錄介質(zhì)在高速記錄時重寫后的抖動特性不夠，難以充分確保重寫特性。
此外，支持光記錄介質(zhì)的多速化的現(xiàn)有的記錄方法是下述方法，記錄線速度越高則越增大功率比，或者使功率比在中線速度上最大、在低線速度上最小，或者使擦除功率在任一個線速度上都保持恒定。但是在這些方法中，由于高記錄線速度上的擦除功率Peh大，所以難以充分確保初次記錄特性或重寫特性；或者由于低記錄線速度上的擦除功率PeL低，所以難以充分確保重寫特性。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明就是為了解決上述問題而提出的，其目的在于提供一種光記錄方法、光記錄裝置及光記錄介質(zhì)，即使加快記錄速度(例如DVD 4倍速(線速度14m/s)以上的高線速度記錄)也能得到良好的記錄特性，還能夠良好地維持1次或多次的重寫記錄特性。
此外，其目的在于提供一種光記錄方法、光記錄裝置及光記錄介質(zhì)，通過在以多個速度下進行記錄時規(guī)定各記錄線速度上的記錄條件，在從低記錄線速度到高記錄線速度(例如從DVD 1倍速的低線速度到DVD 4倍速(線速度14.0m/s)以上的高線速度的記錄)上都能得到良好的記錄特性，還能夠良好地維持1次或多次的重寫特性。
為了解決上述課題，本發(fā)明提供下面的(a)～(s)的光記錄方法、光記錄裝置及光記錄介質(zhì)。
(a)一種光記錄方法，將記錄信息記錄在相變型光記錄介質(zhì)A的記錄層3上，其包括調(diào)制步驟，調(diào)制上述記錄信息來生成調(diào)制數(shù)據(jù)；標記長度生成步驟，根據(jù)上述調(diào)制數(shù)據(jù)來生成期望的標記長度；以及記錄步驟，根據(jù)上述標記長度生成記錄脈沖圖案，并按照上述記錄脈沖圖案向上述記錄層照射記錄光來記錄表示上述記錄信息的記錄標記，其中，該記錄脈沖圖案包括從擦除功率Pe上升、且在比上述擦除功率大的記錄功率Pw和比上述擦除功率小的最低功率Pb之間形成的記錄脈沖Ttop、Tmp，以及從上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脈沖Tcl；在向上述記錄層上的一次也未記錄記錄信息的未記錄部上照射再現(xiàn)光時上述未記錄部的反射率設為R0、向上述未記錄部上照射了1次具有上述擦除功率的光后照射上述再現(xiàn)光時上述未記錄部的反射率設為R1的情況下，上述記錄步驟采用使下述(1)式1.000＜R1/R0＜1.030 …(1)成立的最佳擦除功率作為上述擦除功率。
(b)如(a)所述的光記錄方法，設上述記錄功率為Pw、上述擦除功率為Pe，上述擦除功率Pe與上述記錄功率Pw的功率比ε(ε＝Pe/Pw)是0.20≤ε≤0.40。
(c)一種光記錄裝置，將記錄信息記錄在相變型光記錄介質(zhì)A的記錄層3上，其包括編碼器42，調(diào)制上述記錄信息來生成調(diào)制數(shù)據(jù)；標記長度生成部41，根據(jù)上述調(diào)制數(shù)據(jù)來生成期望的標記長度；以及記錄部400，根據(jù)上述標記長度生成記錄脈沖圖案，并按照上述記錄脈沖圖案向上述記錄層照射記錄光來記錄表示上述記錄信息的記錄標記，其中，該記錄脈沖圖案包括從擦除功率Pe上升、且在比上述擦除功率大的記錄功率Pw和比上述擦除功率小的最低功率Pb之間形成的記錄脈沖Ttop、Tmp，以及從上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脈沖Tcl；在向上述記錄層上的一次也未記錄記錄信息的未記錄部上照射再現(xiàn)光時上述未記錄部的反射率設為R0、向上述未記錄部上照射了1次具有上述擦除功率的光后照射上述再現(xiàn)光時上述未記錄部的反射率設為R1的情況下，上述記錄部采用使下述(1)式1.000＜R1/R0＜1.030…(1)成立的最佳擦除功率作為上述擦除功率。
(d)如(c)所述的光記錄裝置，其具有保存部451，保存表示上述最佳擦除功率的識別信息；上述記錄部根據(jù)上述保存部中保存的上述識別信息來決定上述最佳擦除功率。
(e)如(c)所述的光記錄裝置，其具有讀取部34，讀取在上述光記錄介質(zhì)的規(guī)定區(qū)域?qū)懭氲谋硎旧鲜鲎罴巡脸β实淖R別信息；上述記錄部根據(jù)上述讀取部讀取的上述識別信息來決定上述最佳擦除功率。
(f)如(c)所述的光記錄裝置，其具有反射率檢測部46，求出上述R0和與多個上述擦除功率對應的多個上述R1，從上述R0和多個上述R1的組合中，選擇使上述(1)式成立的組合；上述記錄部根據(jù)上述反射率檢測部選擇出的組合來決定上述最佳擦除功率。
(g)如(c)至(f)中任一項所述的光記錄裝置，設上述記錄功率為Pw、上述擦除功率為Pe，上述擦除功率Pe與上述記錄功率Pw的功率比ε(ε＝Pe/Pw)是0.20≤ε≤0.40。
(h)一種光記錄介質(zhì)，是相變型光記錄介質(zhì)A，其包括記錄層3，通過按照記錄脈沖圖案照射記錄光來記錄表示記錄信息的記錄標記，該記錄脈沖圖案包括從擦除功率Pe上升、且在比上述擦除功率大的記錄功率Pw和比上述擦除功率小的最低功率Pb之間形成的記錄脈沖Ttop、Tmp，以及從上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脈沖Tcl；在向上述記錄層上的一次也未記錄信息的未記錄部上照射再現(xiàn)光時上述未記錄部的反射率設為R0、向上述未記錄部上照射了1次具有上述擦除功率的光后照射上述再現(xiàn)光時上述未記錄部的反射率設為R1、向上述未記錄部上照射了10次具有上述擦除功率的光后照射上述再現(xiàn)光時上述未記錄部的反射率設為R10的情況下，上述記錄層由初始化激光進行初始化，使得作為上述擦除功率，下述(1)、(2)式1.000＜R1/R0＜1.030 …(1)0.030＜R10/R0-R1/R0＜0.150…(2)成立。
(i)如(h)所述的光記錄介質(zhì)，在設上述記錄功率為Pw、上述擦除功率為Pe，設上述擦除功率Pe與上述記錄功率Pw的功率比為ε(ε＝Pe/Pw)時，向規(guī)定區(qū)域上寫入了用于滿足0.20≤ε≤0.40的信息。
(j)如(h)或(i)所述的光記錄介質(zhì)，將上述初始化激光的功率除以上述初始化激光的照射面積、再除以上述初始化激光的掃描速度所得的值設為初始化激光功率密度Di時，上述記錄層以1.20≤Di≤1.55
的條件被初始化。
(k)一種光記錄方法，將記錄信息記錄在相變型光記錄介質(zhì)A的記錄層3上，其包括調(diào)制步驟，調(diào)制上述記錄信息來生成調(diào)制數(shù)據(jù)；標記長度生成步驟，根據(jù)上述調(diào)制數(shù)據(jù)來生成期望的標記長度；以及記錄步驟，根據(jù)上述標記長度生成記錄脈沖圖案，并按照上述記錄脈沖圖案向上述記錄層照射記錄光來記錄表示上述記錄信息的記錄標記，其中，該記錄脈沖圖案包括從擦除功率Pe上升、且在比上述擦除功率大的記錄功率Pw和比上述擦除功率小的最低功率Pb之間形成的記錄脈沖Ttop、Tmp，以及從上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脈沖Tcl；上述記錄步驟以從第1記錄線速度Vl、第2記錄線速度Vm以及第3記錄線速度Vh中選擇的對上述記錄層的記錄線速度來進行記錄，其中，Vl＜Vm＜Vh；上述記錄步驟中的以上述第1記錄線速度Vl進行的記錄、以上述第2記錄線速度Vm進行的記錄以及以上述第3記錄線速度Vh進行的記錄中，上述第1記錄線速度Vl上的第1擦除功率Pel除以第1記錄功率Pwl所得的第1功率比εl、上述第2記錄線速度Vm上的第2擦除功率Pem除以第2記錄功率Pwm所得的第2功率比εm、以及上述第3記錄線速度Vh上的第3擦除功率Peh除以第3記錄功率Pwh所得的第3功率比εh滿足下述(1)式的關系εh＜εm＜εl …(1)。
(l)如(k)所述的光記錄方法，在設上述第3功率比εh和上述第1功率比εl之比εh/εl為α時，上述記錄步驟中的以上述第1記錄線速度Vl進行的記錄和以上述第3記錄線速度Vh進行的記錄滿足下述(2)式的關系0.45＜α＜0.80 …(2)。
(m)如(k)或(l)所述的光記錄方法，其特征在于，上述記錄步驟中的以上述第1記錄線速度Vl進行的記錄、以上述第2記錄線速度Vm進行的記錄以及以上述第3記錄線速度Vh進行的記錄滿足下述(3)式的關系Pwl＜Pwm＜Pwh …(3)。
(n)一種光記錄裝置，將記錄信息記錄在相變型光記錄介質(zhì)A的記錄層3上，其包括編碼器42，調(diào)制上述記錄信息來生成調(diào)制數(shù)據(jù)；標記長度生成部41，根據(jù)上述調(diào)制數(shù)據(jù)來生成期望的標記長度；以及記錄部400，根據(jù)上述標記長度生成記錄脈沖圖案，并按照上述記錄脈沖圖案向上述記錄層照射記錄光來記錄表示上述記錄信息的記錄標記，其中，該記錄脈沖圖案包括從擦除功率Pe上升、且在比上述擦除功率大的記錄功率Pw和比上述擦除功率小的最低功率Pb之間形成的記錄脈沖Ttop、Tmp，以及從上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脈沖Tcl；上述記錄部以從第1記錄線速度Vl、第2記錄線速度Vm以及第3記錄線速度Vh中選擇的對上述記錄層的記錄線速度來進行記錄，其中，Vl＜Vm＜Vh；上述記錄部中的以上述第1記錄線速度Vl進行的記錄、以上述第2記錄線速度Vm進行的記錄以及以上述第3記錄線速度Vh進行的記錄中，上述第1記錄線速度Vl上的第1擦除功率Pel除以第1記錄功率Pwl所得的第1功率比εl、上述第2記錄線速度Vm上的第2擦除功率Pem除以第2記錄功率Pwm所得的第2功率比εm、以及上述第3記錄線速度Vh上的第3擦除功率Peh除以第3記錄功率Pwh所得的第3功率比εh滿足下述(1)式的關系εh＜εm＜εl…(1)。
(o)如(n)所述的光記錄裝置，在設上述第3功率比εh和上述第1功率比εl之比εh/εl為α時，上述記錄部中的以上述第1記錄線速度Vl進行的記錄和以上述第3記錄線速度Vh進行的記錄滿足下述(2)式的關系0.45＜α＜0.80 …(2)。
(p)如(n)或(o)所述的光記錄裝置，其特征在于，上述記錄部中的以上述第1記錄線速度Vl進行的記錄、以上述第2記錄線速度Vm進行的記錄以及以上述第3記錄線速度Vh進行的記錄滿足下述(3)式的關系Pwl＜Pwm＜Pwh …(3)。
(q)一種光記錄介質(zhì)，是相變型光記錄介質(zhì)(A)，其包括記錄層3，通過按照記錄脈沖圖案照射記錄光來記錄表示記錄信息的記錄標記，該記錄脈沖圖案包括從擦除功率Pe上升、且在比上述擦除功率大的記錄功率Pw和比上述擦除功率小的最低功率Pb之間形成的記錄脈沖Ttop、Tmp，以及從上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脈沖Tcl；在上述記錄層的規(guī)定區(qū)域記錄著表示第1記錄線速度Vl、第2記錄線速度Vm以及第3記錄線速度Vh上的各記錄功率和擦除功率的識別信息，其中Vl＜Vm＜Vh，上述識別信息、和上述第1記錄線速度Vl上的第1擦除功率Pel除以第1記錄功率Pwl所得的第1功率比εl、上述第2記錄線速度Vm上的第2擦除功率Pem除以第2記錄功率Pwm所得的第2功率比εm、上述第3記錄線速度Vh上的第3擦除功率Peh除以第3記錄功率Pwh所得的第3功率比εh滿足下述(1)式的關系εh＜εm＜εl…(1)。
(r)如(q)所述的光記錄介質(zhì)，在設上述第3功率比εh和上述第1功率比εl之比εh/εl為α時，上述識別信息滿足下述(2)式的關系0.45＜α＜0.80 …(2)。
(s)如權(quán)利要求(q)或(r)所述的光記錄介質(zhì)，上述識別信息滿足下述(3)式的關系Pwl＜Pwm＜Pwh …(3)。
發(fā)明效果即使加快記錄速度，也能得到良好的記錄特性，再者，即使進行1次或多次重寫也能夠良好地維持記錄特性。
此外，即使在記錄線速度的多速度化中也能得到良好的記錄特性，再者，即使進行1次或多次重寫也能夠良好地維持其特性。


圖1是表示相變型光記錄介質(zhì)的制造設備300或用制造設備300進行的制造/初始化工序的圖。
圖2是本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一實施方式的放大剖面圖。
圖3是本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一實施方式的俯視圖。
圖4是表示記錄脈沖圖案的第一例的圖。
圖5是表示記錄脈沖圖案的第二例的圖。
圖6是表示本發(fā)明的光記錄裝置的一實施方式的方框圖。
圖7是表示初始化激光功率密度Di、和初始化后的光記錄介質(zhì)A的R0之間關系的圖。
圖8是表示圖7所示的反射率區(qū)域B～D上的DOW次數(shù)和抖動之間的關系的DOW抖動特性圖。
圖9是表示DOW1上的抖動和功率比ε之間的關系的圖。
圖10是表示抖動與DOW次數(shù)的關系的DOW抖動特性圖。
圖11是表示實施例D-1及各比較例D的各記錄線速度上的DOW9抖動的關系的圖。
圖12是表示實施例E-1及各比較例E的各記錄線速度上的DOW9抖動的關系的圖。
圖13是表示各實施例F及各比較例F中的DOW1抖動和系數(shù)A之間的關系的圖。
圖14是表示各實施例G及各比較例G中的DOW1抖動和系數(shù)A之間的關系的圖。
圖15是表示信號強度的圖。
圖16是表示本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的另一實施方式的放大剖面圖。
具體實施例方式
圖1是表示用于制造相變型光記錄介質(zhì)的制造設備300或用制造設備300進行的制造/初始化工序的圖。在制造裝置100(制造工序)中制造相變型光記錄介質(zhì)，在初始化裝置200(初始化工序)中對相變型光記錄介質(zhì)進行初始化。經(jīng)過初始化工序的相變型光記錄介質(zhì)作為光記錄介質(zhì)A而出廠。
作為相變型光記錄介質(zhì)，有DVD-RW等相變型光盤、光卡等可反復重寫信息的介質(zhì)。其中，在以下的說明中，作為相變型光記錄介質(zhì)的一實施方式，使用相變型光盤(光記錄介質(zhì)A)，當然對此外的光卡等具有同樣結(jié)構(gòu)的相變型光記錄介質(zhì)也能夠應用本發(fā)明。
<光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)>
圖2是本發(fā)明一實施方式的光記錄介質(zhì)A的放大剖面圖。光記錄介質(zhì)A的基本結(jié)構(gòu)是，在以記錄/再現(xiàn)或擦除用激光入射的入射面1a為底面的基板1上，依次層疊了第1保護層2、記錄層3、第2保護層4、反射層5、第3保護層6。
作為基板1的材料，可以使用各種透明的合成樹脂、透明玻璃等。為了避免塵埃的附著或基板1的劃傷等的影響，使用透明的基板1，用會聚的激光從基板1的入射面1a側(cè)向記錄層3上記錄信息。作為這種基板1的材料，例如有玻璃、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烴樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂等。特別是聚碳酸酯由于光學雙折射及吸濕性小、容易成形，所以較理想。
基板1的厚度沒有特別的限制，但是考慮到與DVD兼容，0.01mm～0.6mm較理想，尤其是0.6mm最理想(DVD的總厚度為1.2mm)。這是因為，如果基板1的厚度低于0.01mm，則即使在從基板1的入射面1a側(cè)用聚焦的激光來進行記錄的情況下，也容易受污物的影響。此外，如果對光記錄介質(zhì)的總厚度沒有限制，則在實用上處于0.01mm～5mm的范圍內(nèi)即可。這是因為，如果在5mm以上，則難以增大物鏡的數(shù)值孔徑，照射激光的光點尺寸大，所以難以提高記錄密度。
基板1可以是柔性的，也可以是剛性的。柔性的基板1可用于帶狀、片狀、卡狀的光記錄介質(zhì)。剛性的基板1可用于卡狀、或盤狀的光記錄介質(zhì)。
第1保護層2及第2保護層4具有保護基板1、記錄層3不受熱的效果，例如防止在記錄時基板1、記錄層3等受熱變形而使記錄特性惡化等，或者起通過光學干涉效應來改善再現(xiàn)時的信號對比度的效果。
第1保護層2及第2保護層4對于記錄/再現(xiàn)或擦除用的激光分別是透明的，折射率n處于1.9≤n≤2.3的范圍內(nèi)較理想。再者，從熱特性方面來看，第1保護層2及第2保護層4的材料為SiO2、SiO、ZnO、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、MgO等氧化物、ZnS、In2S3、TaS4等硫化物、SiC、TaC、WC、TiC等碳化物的單質(zhì)及混合物較理想。尤其是ZnS和SiO2的混合膜，由于即使重復記錄、擦除，記錄靈敏度、C/N、擦除率等也不容易惡化，所以特別理想。
此外，第1保護層2及第2保護層4可以不是同一材料、組成，由不同材料構(gòu)成也無妨。
第1保護層2的厚度大致處于5nm～500nm的范圍內(nèi)。再者，為了難以從基板1或記錄層3剝離，難以產(chǎn)生裂紋等缺陷，第1保護層2的厚度處于20nm～300nm的范圍內(nèi)較理想。如果比20nm薄，則難以確保盤的光學特性；如果比300nm厚，則生產(chǎn)率低。其中，更理想的是30nm～80nm的范圍。
為了使C/N、擦除率等記錄特性好，能夠穩(wěn)定地改寫多次，第2保護層4的厚度處于5nm～40nm的范圍內(nèi)較理想。如果比5nm薄，則記錄層3難以保溫，所以最佳記錄功率上升；如果比40nm厚，則導致重寫特性惡化。更理想的是8nm～20nm的范圍。
記錄層3是在Ag-In-Sb-Te合金、Ge-In-Sb-Te合金、或Ge-In-Sb-Te合金中含有Ag或Si、Al、Ti、Bi、Ga中至少一種的合金層。此外，記錄層3的層厚為10nm～25nm較理想。如果層厚比10nm薄，則結(jié)晶速度降低，高速記錄特性差；如果比25nm厚，則在記錄時需要大的激光功率。
可以設置與記錄層3的單面、或雙面相接的界面層。作為界面層的材料，不含硫很重要。如果將含硫的材料用作界面層，則由于反復重寫，界面層中包含的硫有時會擴散到記錄層3中，記錄特性惡化，所以不理想。此外，從擦除特性欠佳這一點來看也不理想。
作為界面層的材料，包含氮化物、氧化物、碳化物中的至少1種的材料較理想，具體地說，包含氮化鍺、氮化硅、氮化鋁、氧化鋁、氧化鋯、氧化鉻、碳化硅、碳中的至少1種的材料較理想。此外，也可以使這些材料含有氧、氮、氫等。上述的氮化物、氧化物、碳化物也可以不是化學計量成分，也可以氮、氧、碳過?；虿蛔恪Ｓ纱?，界面層的特性有時會提高，例如界面層難以剝離，耐保存性等提高等。
作為反射層5的材料，有具有光反射性的Al、Au、Ag等金屬，以這些金屬為主成分、包含由1種以上的金屬或半導體組成的添加元素的合金，以及向這些金屬中混合了Al、Si等金屬氮化物、金屬氧化物、金屬硫族化物等金屬化合物而成的材料等。
尤其是Al、Au、Ag等金屬、及以這些金屬為主成分的合金光反射性高，而且能夠提高導熱系數(shù)，所以較理想。作為合金的例子，一般有向Al中混合了Si、Mg、Cu、Pd、Ti、Cr、Hf、Ta、Nb、Mn、Zr等中的至少1種元素而成的合金，或者向Au或Ag中混合了Cr、Ag、Cu、Pd、Pt、Ni、Nd、In、Ca等中的至少1種元素而成的合金。但是在考慮到高線速度記錄的情況下，從記錄特性方面來看，以導熱系數(shù)較高的Ag為主成分的金屬或合金較理想。
其中，在反射層5采用了純銀或銀合金的情況下，為了抑制AgS化合物的生成，與反射層5相接的層采用不含S的材料較理想。
反射層5的厚度根據(jù)形成反射層5的材料的導熱系數(shù)的大小而變化，但是50nm～300nm較理想。如果反射層5的厚度在50nm以上，則反射層5在光學上不變化，不影響反射率的值；如果反射層5的厚度增加，則對冷卻速度影響很大。此外，形成超過300nm的厚度在制造上需要時間。因此，通過采用導熱系數(shù)高的材料，將反射層5的層厚盡量控制在最佳范圍內(nèi)。
這里，在第2保護層4采用ZnS和SiOX2的化合物、反射層5采用Ag或Ag合金的情況下，在第2保護層4和反射層5之間插入擴散防止層(未圖示)較理想。這是為了抑制由于第2保護層4中的S和反射層5中的Ag之間的化學反應而生成的AgS化合物造成的反射率降低。
作為擴散防止層的材料，與上述界面層同樣，是不含硫的材料很重要，具體材料與界面層的材料相同。
<光記錄介質(zhì)的制造方法>
接著，描述制造裝置100中制造光記錄介質(zhì)的方法。
作為將第1保護層2、記錄層3、第2保護層4、反射層5等層疊在基板1上的方法，有公知的真空中的薄膜形成法。例如是真空蒸鍍法(電阻加熱型或電子束型)、離子鍍法、濺射法(直流或交流濺射、反應濺射)，特別是濺射法容易控制組成、層厚，所以較理想。
此外，使用在真空箱內(nèi)對多個基板1同時成膜的分批法、或逐片處理基板1的片葉式成膜裝置較理想。形成的第1保護層2、記錄層3、第2保護層4、反射層5等的層厚控制能通過控制濺射電源的接通功率和時間、或者用石英振蕩型膜厚計監(jiān)視沉積狀態(tài)來容易地進行。
此外，第1保護層2、記錄層3、第2保護層4、反射層5等的形成，可以在固定或移動、旋轉(zhuǎn)基板1的任一種狀態(tài)下進行。由于層厚在面內(nèi)的均勻性優(yōu)良，所以使基板1自轉(zhuǎn)較理想，與公轉(zhuǎn)組合更理想。如果在必要時冷卻基板1，則能夠減少基板1的翹度。
此外，在不顯著損害本發(fā)明效果的范圍內(nèi)，也可以在形成了反射層5等之后，為了防止已經(jīng)形成的各層變形等，在必要時設置采用ZnS、SiO2等的介質(zhì)層或采用紫外線固化樹脂等的樹脂保護層作為第3保護層6。
此后，也可以再準備1片同樣形成了各層的基板1，將2片基板1用粘接劑等粘合，做成雙面光記錄介質(zhì)。
接著，描述初始化裝置200對光記錄介質(zhì)進行初始化的方法。如上所述，在本實施方式中，光記錄介質(zhì)A經(jīng)初始化裝置200的初始化工序后出廠。初始化是向記錄層3照射激光、氙閃光燈等的光來加熱，使記錄層3的構(gòu)成材料結(jié)晶。由于再現(xiàn)噪聲少，所以用激光來進行初始化較理想。
在本實施方式中，用于得到光記錄介質(zhì)A的初始化條件(初始化激光的掃描線速度及功率)有一個特征。后面將對此進行描述。
圖3示出光記錄介質(zhì)A的俯視圖。光記錄介質(zhì)A具有中心孔、和其外周的夾持區(qū)52。在夾持區(qū)52的外周的同心圓上設有信息區(qū)(導入?yún)^(qū))53，其更外周的區(qū)域為用于記錄影像信息或聲音信息等實際數(shù)據(jù)的記錄區(qū)54。這里，導入?yún)^(qū)53可以是ROM狀態(tài)或RAM狀態(tài)中的任一種。此外，也有通過在用于得到跟蹤信號的激光引導槽中形成高頻擺動或凹坑來保存再現(xiàn)專用的記錄信息的方法。
在導入?yún)^(qū)53中，記錄著用于使光記錄介質(zhì)A得到良好特性的記錄條件作為識別信息。識別信息例如是后述的形成記錄標記時所用的激光的激光強度、或后述表示(4)式、(5)式、(6)式那樣的關系的記錄條件。
<光記錄介質(zhì)的記錄方法>
圖4示出向光記錄介質(zhì)A上記錄信息時使用的記錄脈沖圖案。根據(jù)記錄脈沖圖案用三值(記錄功率Pw、擦除功率Pe、最低功率Pb)激光強度對激光進行調(diào)制，對應于記錄信號的標記長度來增減脈沖數(shù)，將期望的標記長度的記錄標記形成在記錄層3上。在激光強度中，記錄功率Pw最大，擦除功率Pe次之，最低功率Pb最小。
記錄脈沖圖案如圖4所示，由下述脈沖組成先頭脈沖Ttop，從擦除功率Pe上升，最初以記錄功率Pw向記錄層3施加激光；多脈沖Tmp，接著先頭脈沖Ttop，交替施加記錄功率Pw和最低功率Pb；以及擦除脈沖Tcl，位于末端，使激光從最低功率Pb上升來施加擦除功率Pe。先頭脈沖Ttop和多脈沖Tmp是用于在記錄層3上形成記錄標記的記錄脈沖。其中，有時也沒有多脈沖Tmp，只用先頭脈沖Ttop來形成記錄脈沖。
例如在DVD-RW中，標記長度有3T、4T、5T、6T、7T、8T、9T、10T、11T、14T這10種。在標記長度為nT的情況下，多脈沖Tmp的數(shù)目一般是(n-1)或(n-2)。在圖4中示出了(n-2)的情況。這里，所謂T，是單位時鐘，在DVD-RW中，在DVD 1倍速時(記錄線速度3.5m/s)1T＝38.2ns，在DVD 4倍速時(記錄線速度14.0m/s)1T＝9.6ns。
此外，隨著近年的高速化記錄，單位時鐘T縮短至數(shù)ns量級，考慮到激光脈沖的上升/下降響應限度，也可以采用圖5所示的以2T為基準的記錄脈沖圖案。在圖5中示出用于形成記錄脈沖A具有3T的標記長度、記錄脈沖B具有11T的標記長度、記錄脈沖C具有14T的標記長度的記錄標記的記錄脈沖圖案。
<光記錄裝置>
圖6示出用于將具有期望的記錄脈沖圖案的激光照射到光記錄介質(zhì)A上的本發(fā)明一實施方式的光記錄裝置。
首先，主軸電機31使光記錄介質(zhì)A旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)控制部32進行控制，使得主軸電機31的轉(zhuǎn)速為與目的記錄速度對應的記錄線速度。此外，光記錄介質(zhì)A的記錄/再現(xiàn)或擦除所用的半導體激光器(LD)33、包括會聚照射LD 33的激光的物鏡(未圖示)及例如四分割感光元件(未圖示)的光頭34，被設置成在光記錄介質(zhì)A的半徑方向上可移動自如。
其中，作為本實施方式的光記錄裝置所用的記錄用的光源，激光、閃光燈光那樣高強度的光源較理想。尤其是半導體激光的光源能夠小型化，功耗小，容易調(diào)制，所以較理想。
光頭34的四分割感光元件接收從LD 33照射到光記錄介質(zhì)A上的激光的反射光。四分割感光元件根據(jù)接收到的光來生成推挽信號，輸出到擺動檢測部36。此外，四分割感光元件根據(jù)接收到的光，將聚焦誤差信號及跟蹤誤差信號輸出到驅(qū)動控制器44。再者，四分割感光元件的合成信號即再現(xiàn)信號被輸出到反射率檢測部46。
驅(qū)動控制器44根據(jù)被供給的聚焦誤差信號及跟蹤誤差信號來控制致動器控制部35。致動器控制部35控制光頭34對光記錄介質(zhì)A的聚焦及跟蹤。
反射率檢測部46根據(jù)被供給的再現(xiàn)信號來檢測反射率，將檢測結(jié)果輸出到系統(tǒng)控制器45。在存儲器451中未存儲有表示最佳擦除功率Pe的識別信息的情況下，系統(tǒng)控制器45如后所述地根據(jù)反射率來控制Pe驅(qū)動電流源431e。
擺動檢測部36包括可編程帶通濾波器(BPF)361，將檢測出的擺動信號輸出到地址解調(diào)電路37。地址解調(diào)電路37根據(jù)檢測出的擺動信號對地址進行解調(diào)并輸出。輸入了解調(diào)出的地址的記錄時鐘生成部38具有PLL合成器電路381，生成記錄通道時鐘并輸出到記錄脈沖生成部39及脈沖數(shù)控制部40。
記錄時鐘生成部38由驅(qū)動控制器44來控制。驅(qū)動控制器44也控制旋轉(zhuǎn)控制部32、致動器控制部35、擺動檢測部36、地址解調(diào)電路37及系統(tǒng)控制器45。
驅(qū)動控制器44將從擺動檢測部36供給的擺動信號輸出到記錄時鐘生成部38。此外，將從地址解調(diào)電路37供給的地址信息輸出到系統(tǒng)控制器45。
系統(tǒng)控制器45具有存儲器451，控制EFM+編碼器42、標記長度計數(shù)器41、脈沖數(shù)控制部40及LD驅(qū)動部43。EFM+編碼器42對輸入的記錄信息進行8-16調(diào)制作為調(diào)制數(shù)據(jù)，輸出到記錄脈沖生成部39和標記長度計數(shù)器41。標記長度計數(shù)器41作為根據(jù)調(diào)制數(shù)據(jù)對規(guī)定的標記長度進行計數(shù)的標記長度生成部來工作，將其計數(shù)值輸出到記錄脈沖生成部39和脈沖數(shù)控制部40。脈沖數(shù)控制部40根據(jù)被供給的計數(shù)值和記錄通道時鐘來控制記錄脈沖生成部39，使得記錄脈沖成為規(guī)定的脈沖。
記錄脈沖生成部39包括先頭脈沖控制信號生成部39t、多脈沖控制信號生成部39m以及擦除脈沖控制信號生成部39c。先頭脈沖控制信號生成部39t生成先頭脈沖控制信號，多脈沖控制信號生成部39m生成多脈沖控制信號，擦除脈沖控制信號生成部39c生成擦除脈沖控制信號。各個控制信號被供給到LD驅(qū)動部43，開關部431通過根據(jù)被供給的控制信號來開關記錄功率Pw的驅(qū)動電流源431w、擦除功率Pe的驅(qū)動電流源431e、最低功率Pb的驅(qū)動電流源431b，從而生成記錄脈沖圖案。
Pw驅(qū)動電流源431w、Pe驅(qū)動電流源431e及Pb驅(qū)動電流源431b根據(jù)在系統(tǒng)控制器45的存儲器451中存儲的記錄功率Pw、擦除功率Pe及最低功率Pb，向光頭34供給電流。這三值是用于使光記錄介質(zhì)A的記錄特性保持良好的最佳值，表示該最佳值的識別信息被預先保存在存儲器451中，或者通過更新來保存，或者也可以利用反射率檢測部46求出并保存。其中，存儲器451例如是ROM(Read OnlyMemory，只讀存儲器)或可記錄的RAM(Ramdom Access Memory，隨機存取存儲器)。
本實施方式的光記錄裝置能夠?qū)庥涗浗橘|(zhì)的高線速度(高倍速1化來設定從多個記錄線速度中選擇出的記錄線速度。系統(tǒng)控制器45被輸入了用于選擇記錄線速度(倍速模式)的指示信號后，根據(jù)存儲器451中存儲的所指示的記錄線速度的識別信息，與上述同樣來控制Pw驅(qū)動電流源431w、Pe驅(qū)動電流源431e及Pb驅(qū)動電流源431b。在存儲器451中如上所述地保存著多個記錄線速度的識別信息。
其中，如后述的(4)式、(5)式、(6)式所示的識別信息也被保存在存儲器451中。
生成的記錄脈沖圖案被輸入到光頭34中。光頭34通過進行控制，使得LD 33輸出期望的記錄脈沖圖案及功率比ε(Pw/Pw)的LD發(fā)光波形，將記錄信息記錄到光記錄介質(zhì)A上。
記錄脈沖生成部39、LD驅(qū)動部43以及光頭34根據(jù)標記長度計數(shù)器41生成的標記長度，來生成由從擦除功率Pe上升的、且在比擦除功率Pe大的記錄功率Pw和比擦除功率Pe小的最低功率Pb之間形成的記錄脈沖、和從最低功率Pb向擦除功率Pe上升的擦除脈沖組成的記錄脈沖圖案，作為按照記錄脈沖圖案從LD 33向記錄層3照射記錄光來記錄表示記錄信息的記錄標記的記錄部400來工作。
<最佳擦除功率的討論>
本發(fā)明人估計擦除功率Pe可能會影響光記錄介質(zhì)的記錄及重寫特性，根據(jù)下述實施例A-1～A-3及比較例A-4～A-6發(fā)現(xiàn)，該估計是正確的，有使記錄及重寫特性達到最好的最佳擦除功率。
在以下的各實施例及各比較例中，用搭載了波長為658nm的激光二極管、NA＝0.60的光學透鏡的PulseTech公司(普斯特電器有限責任公司)制造的光盤驅(qū)動器測試儀(DDU1000)進行了記錄(單光束重寫)和再現(xiàn)。
記錄信號用8-16(EFM+)調(diào)制隨機圖案進行了記錄再現(xiàn)評價。比特長度是0.267μm/比特，進行與DVD-ROM同密度的記錄，容量相當于4.7G字節(jié)。記錄是在包含相鄰光道在內(nèi)進行了10次重寫后，以其再現(xiàn)信號的振幅的中心進行限幅，測定時鐘對數(shù)據(jù)抖動(クロツク·トウ一·デ一タ·ジツタ)。其中，再現(xiàn)光的激光功率Pr是0.7mW，保持恒定。
此外，記錄策略采用圖4所示的符合DVD-RW Version1.1的規(guī)定的分割脈沖序列。
(實施例A-1)在直徑為120mm、板厚為0.6mm的聚碳酸酯樹脂制造的基板1上，形成了后述各層。在基板1上以信道間距0.74μm形成了空槽。該槽深度是25mm，槽寬和岸(land)寬之比大約是40∶60。其中，槽從記錄/再現(xiàn)或擦除用激光的入射方向來看為凸狀。
首先，將真空容器內(nèi)排氣到3×10-4pa后，在2×10-1Pa的氬氣氣氛中用添加了20mol％的SiO2的ZnS靶通過高頻磁控管濺射法，在基板1上形成了層厚為70nm的第1保護層2。
接著，依次用Ge-In-Sb-Te的四元素單一合金靶層疊了層厚為16nm的記錄層3，接著用與第1保護層2相同的材料層疊了層厚為16nm的第2保護層4，用Ag-Pd-Cu靶層疊了層厚為120nm的反射層5。
將基板1從真空容器內(nèi)取出后，在該反射層5上旋涂丙烯類紫外線固化樹脂(SonyChemical(索尼化學)公司制造的SK5110)，通過紫外線照射使其固化來形成3μm的第3保護層6，得到圖2所示的光記錄介質(zhì)A。
記錄層3的初始化用初始化裝置200(日立計算機設備公司制造的POP120)、用徑向激光寬度為250μm、掃描方向激光寬度為1.0μm的激光在掃描線速度為4.5m/s、激光功率為1600mW、進給間距為220μm的初始化條件下進行。
接著，設從LD 33向光記錄介質(zhì)A的記錄區(qū)54上的、一次也未記錄信息的未記錄部上照射具有激光功率Pr的再現(xiàn)光(0.7mW)時未記錄部的反射率為R0，向該未記錄部上照射了1次具有擦除功率Pe的激光后、從LD 33照射再現(xiàn)用的激光時未記錄部的反射率為R1，求出R0及R1。
接著，從基板1的入射面1a側(cè)向光記錄介質(zhì)A的記錄層3的槽中進行記錄。
記錄的條件即記錄脈沖圖案為，在線速度14m/s(DVD 4倍速)時，Ttop＝0.6[T]，Tmp＝0.5[T]，Tcl＝0.0[T]。此外，激光的激光強度采用記錄功率Pw＝17.0[mW]、擦除功率Pe＝4.6[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW]這三值。
本實施例A-1中所用的光記錄介質(zhì)A的R0是17.4，照射1次擦除功率Pe＝4.6[mW]的激光后的R1是17.7(R1/R0＝1.017)。將本實施例A-1中測定出的值歸納示于表1(實施例A-1)。
初始特性及重寫記錄特性如表1所示，初次記錄(DOW0)抖動是6.5％，重寫1次(DOW1)抖動是8.0％，重寫9次(DOW9)抖動是7.5％。再者，雖然未記載，約1萬次重寫(DOW10000)時的抖動為8.5％，即使重寫，特性也始終穩(wěn)定，記錄特性良好。
這里所述的重寫是單光束重寫，是指用1次激光掃描來擦除以前形成的記錄標記，重新形成記錄標記。而DOW0(Direct Over Write重寫)是在初始化過的光記錄介質(zhì)A的未記錄部上形成記錄標記的初次記錄，DOW1是再在那里形成記錄標記的第1次重寫。此外，抖動將對差錯率的不良影響少的10％以下的值作為良好，將從DOW0到DOW10000(從初次記錄到重寫1萬次)都能穩(wěn)定地得到10％以下的抖動定義為良好的DOW抖動特性。
表1

(實施例A-2)用與實施例A-1相同的光記錄介質(zhì)A，在除了將擦除功率Pe變更為3.8[mW]以外、其它與實施例A-1相同的條件下進行了記錄、評價。R0是17.4，照射了1次擦除功率Pe＝3.8[mW]的激光后的R1是17.5(R1/R0＝1.006)。
初始特性及重寫記錄特性如表1所示，DOW0的抖動是6.8％，DOW1的抖動是8.6％，DOW9的抖動是7.9％。再者，雖然未記載，DOW10000抖動為9.2％，即使重寫，特性也始終穩(wěn)定，記錄特性與實施例A-1同樣良好。
(實施例A-3)用與實施例A-1相同的光記錄介質(zhì)A，在除了將擦除功率Pe變更為5.6[mW]以外、其它與實施例A-1相同的條件下進行了記錄、評價。R0是17.4，照射了1次擦除功率Pe＝5.6[mW]的激光后的R1是17.9(R1/R0＝1.029)。
初始特性及重寫記錄特性如表1所示，DOW0抖動是7.0％，DOW1抖動是8.7％，DOW9抖動是8.4％。再者，雖然未記載，DOW10000抖動為9.5％，即使重寫，特性也始終穩(wěn)定，記錄特性與實施例A-1同樣良好。
(比較例A-4)用與實施例A-1相同的光記錄介質(zhì)A，在除了將擦除功率Pe變更為6.0[mW]以外、其它與實施例A-1相同的條件下進行了記錄、評價。R0是17.4，照射了1次擦除功率Pe＝6.0[mW]的激光后的R1是18.0(R1/R0＝1.034)。
初始特性及重寫記錄特性如表1所示，DOW0抖動是8.8％，DOW1抖動是10.8％，DOW9的抖動是9.0％。再者，雖然未記載，DOW10000抖動是12.2％，在DOW1和DOW10000中抖動超過了影響差錯率的10％，記錄特性惡化。
(比較例A-5)用與實施例A-1相同的光記錄介質(zhì)A，在除了將擦除功率Pe變更為3.2[mW]以外、其它與實施例A-1相同的條件下進行了記錄、評價。R0是17.4，照射了1次擦除功率Pe＝3.2[mW]的激光后的R1是17.4(R1/R0＝1.000)。
初始特性及重寫記錄特性如表1所示，DOW0抖動為9.8％，DOW1抖動為11.1％，DOW9的抖動為10.8％，在DOW1和DOW9中抖動超過了10％，記錄特性惡化。
(比較例A-6)用與實施例A-1相同的光記錄介質(zhì)A，在除了將擦除功率Pe變更為6.8[mW]以外、其它與實施例A-1同樣地進行了記錄、評價。R0是17.4，照射了1次擦除功率Pe＝6.8[mW]的激光后的R1是18.2(R1/R0＝1.046)。
初始特性及重寫記錄特性如表1所示，DOW0抖動是8.8％，DOW1抖動是12.3％，DOW9的抖動是9.8％，再者，雖然未記載，DOW10000抖動為14.4％，在DOW1和DOW10000中抖動超過了影響差錯率的10％，記錄特性惡化。
根據(jù)以上判明，在設從LD 33向記錄區(qū)54上的一次也未記錄信息的未記錄部上照射再現(xiàn)用的激光時、未記錄部的反射率為R0，向未記錄部照射了1次具有擦除功率Pe的激光后從LD 33照射再現(xiàn)用的激光時、未記錄部的反射率為R1，如果采用使下述(1)式的關系成立的最佳擦除功率Pel作為擦除功率Pe來進行光記錄，則抖動在10％以下，較理想。
1.000＜(R1/R0)＜1.030 …(1)再者也判明，如果擦除功率Pe大于滿足(1)式的最佳擦除功率Pel則DOW10000抖動惡化，如果小于則DOW1抖動惡化。這是因為，在擦除功率Pe大的情況下，層構(gòu)造進行可逆變化的相變型光記錄介質(zhì)中的記錄層上的負荷過大，容易發(fā)生記錄層的組成的偏析；而在擦除功率Pe小的情況下，不能完全擦除以前形成的標記。
如上所述，與重寫特性的關系決定了擦除功率Pe的上下限。一般有下述傾向越增大擦除功率Pe，則反射率R1越大。即，處于下述比例關系越增大擦除功率Pe，則R1/R0越大。本發(fā)明人根據(jù)該關系和表1所示的實驗結(jié)果發(fā)現(xiàn)，需要使R1/R0滿足上述(1)式。
這里，說明在圖6所示的光記錄裝置的存儲器451中未保存上述最佳的3值的情況下、利用反射率檢測部46來求三值的方法。
最初，從光頭34向光記錄介質(zhì)A照射激光功率為Pr的再現(xiàn)光，用反射率檢測部46根據(jù)從光頭34的未圖示的四分割感光元件供給的再現(xiàn)信號來檢測R0。接著，照射規(guī)定的擦除功率Pe的激光，同樣檢測R1。R0、R1的細節(jié)如上所述。這里，存儲器451預先具有規(guī)定的三值，但是它們不是光記錄介質(zhì)固有的最佳的三值。反射率檢測部46根據(jù)檢測出的R0、R1來求R1/R0。
作為檢測反射率的方法的一例，用反射率檢測部46通過電壓值等來檢測反射率R0及R1，設R0的電壓值換算為V0，R1的電壓值換算為V1，用反射率檢測部46來計算V1/V0、即R1/R0。
在反射率檢測部46算出的R1/R0值大于(1)式的情況下，系統(tǒng)控制器45控制Pe驅(qū)動電流源431e，以便減小擦除功率Pe。在小于(1)式的情況下，系統(tǒng)控制器45控制Pe驅(qū)動電流源431e，以便增大擦除功率Pe。
這樣，反射率檢測部46求與多個擦除功率Pe對應的多個R1及各個R1的R1/R0，選擇滿足(1)式的R1和R0的組合。然后將實現(xiàn)選擇出的R1和R0的組合的擦除功率Pe作為最佳擦除功率Pel存儲到存儲器451中。其中，將這樣求最佳擦除功率Pel稱為自優(yōu)化。
<最佳初始化條件的討論>
接著，本發(fā)明人估計初始化裝置200中的初始化條件可能會影響光記錄介質(zhì)的記錄及重寫特性，根據(jù)下述實施例B-1～B-5及比較例B-6～B-8發(fā)現(xiàn)，該估計是正確的，有使記錄及重寫特性達到最好的初始化條件。
初始化激光功率密度Di、和初始化后的光記錄介質(zhì)A的R0之間的關系如圖7所示。所謂初始化激光功率密度Di，是初始化中使用的激光的激光功率除以初始化激光的照射面積、再除以初始化激光的掃描速度所得的值。反射率R0為記錄信道1周的平均反射率。
區(qū)域A的初始化激光功率密度Di低，濺射后殘留非晶部(As-depo)，所以DOW0的抖動特性非常差，不理想。
如果比區(qū)域A提高初始化激光功率密度Di，則非晶部消失，成為反射率變化比較少的區(qū)域B。如果進一步提高初始化激光功率密度Di，則變化為反射率變化大的區(qū)域C、反射率變化少的區(qū)域D、乃至光盤壞區(qū)。在光盤壞區(qū)上，初始化時接通的激光功率過大，所以在以記錄層為中心的層上發(fā)生熱造成的物理破壞。
(實施例B-1)制作了與實施例A-1相同的光記錄介質(zhì)A。與實施例A-1同樣，在掃描線速度為4.5m/s、激光功率為1600mW、進給間距為220μm的初始化條件下進行了記錄層3的初始化功率密度Di＝1.42[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率區(qū)域＝BH)。
除了如上所述定義的R0、R1以外，在向未記錄部照射了10次具有擦除功率Pe的激光后從LD 33照射再現(xiàn)用的激光時、未記錄部的反射率設為R10的情況下，反射率比之差(R10/R0)-(R1/R0)是0.092。各個反射率的值如表2所示。其中，檢測反射率R10的方法也可以是與上述同樣的方法。
與實施例A-1同樣進行了測定，初始特性及重寫記錄特性如表2所示，DOW0抖動是6.5％，DOW1抖動是8.0％，DOW9抖動是7.5％。再者，雖然未記載，DOW10000抖動為8.5％，即使重寫，特性也始終穩(wěn)定，記錄特性良好。
表2(實施例B-2)使用與實施例B-1相同的光記錄介質(zhì)A，除了將初始化條件變更為激光功率為1700mW以外，其它與實施例B-1同樣地進行了記錄層3的初始化(初始化功率密度Di＝1.51[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率區(qū)域＝BH)。反射率比之差是0.043。
進行了與實施例B-1同樣的測定，如表2所示，記錄特性良好。
(實施例B-3)使用與實施例B-1相同的光記錄介質(zhì)A，除了將初始化條件變更為激光功率為1730mW以外，其它與實施例B-1同樣地進行了記錄層3的初始化(初始化功率密度Di＝1.54[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率區(qū)域＝BH)。反射率比之差是0.038。
進行了與實施例B-1同樣的測定，如表2所示，記錄特性良好。
(實施例B-4)使用與實施例B-1相同的光記錄介質(zhì)A，除了將初始化條件變更為激光功率為1400mW以外，其它與實施例B-1同樣地進行了記錄層3的初始化(初始化功率密度Di＝1.24[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率區(qū)域＝BH)。反射率比之差是0.124。
進行了與實施例B-1同樣的測定，如表2所示，記錄特性良好。
(實施例B-5)使用與實施例B-1相同的光記錄介質(zhì)A，除了將初始化條件變更為激光功率為1360mW以外，其它與實施例B-1同樣地進行了記錄層3的初始化(初始化功率密度Di＝1.21[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率區(qū)域＝BH)。反射率比之差是0.144。
進行了與實施例B-1同樣的測定，如表2所示，記錄特性良好。
(比較例B-6)
使用與實施例B-1相同的光記錄介質(zhì)A，除了將初始化條件變更為激光功率為1300mW以外，其它與實施例B-1同樣地進行了記錄層3的初始化(初始化功率密度Di＝1.16[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率區(qū)域＝BL)。反射率比之差是0.160。
進行了與實施例B-1同樣的測定，如表2所示，DOW1抖動是11.1％，較少次數(shù)的重寫特性不好。
(比較例B-7)使用與實施例B-1相同的光記錄介質(zhì)A，除了將初始化條件變更為掃描線速度為4.0m/s、激光功率為1600mW以外，其它與實施例B-1同樣地進行了記錄層3的初始化(初始化功率密度Di＝1.60[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率區(qū)域＝C)。反射率比之差是0.037。
進行了與實施例B-1同樣的測定，如表2所示，DOW0抖動為12.8％，DOW1抖動為10.8％，較少次數(shù)的重寫特性不好。
(比較例B-8)使用與實施例B-1相同的光記錄介質(zhì)A，除了將初始化條件變更為掃描線速度為4.0m/s、激光功率為1800mW以外，其它與實施例B-1同樣地進行了記錄層3的初始化(初始化功率密度Di＝1.80[mW·s/(μm2·m)]，初始化后反射率區(qū)域＝C)。反射率比之差是0.010。
進行了與實施例B-1同樣的測定，如表2所示，DOW1抖動為16.3％，較少次數(shù)的重寫特性不好。
根據(jù)以上判明，檢測如上所述地定義的R0、R1及R10，用根據(jù)它算出的反射率比之差(R10/R0)-(R1/R0)滿足(2)式的關系的初始化激光功率密度Di(初始化條件)對光記錄介質(zhì)進行初始化較理想。這樣，即使進行從較少次數(shù)到多次數(shù)的重寫，也能夠保持良好的特性。
0.030＜(R10/R0)-(R1/R0)＜0.150 …(2)
更理想的是，0.038≤(R10/R0)-(R1/R0)≤0.144 …(3)。
滿足上述(2)式的初始化激光功率密度Di根據(jù)表2處于1.20≤Di≤1.55的范圍內(nèi)較理想，如果在該初始化條件下進行初始化，則反射率R0收斂在圖7所示的區(qū)域BH內(nèi)。
再者，在比較例B-6～B-8那樣反射率比之差低于0.030、或者高于0.150的初始化條件下，初始化后的反射率區(qū)域為BL或C、D。在此情況下，初始化激光功率密度Di不在1.20≤Di≤1.55的范圍，較少次數(shù)的重寫特性也惡化了。此外，在比較例B-7那樣反射率區(qū)域為C的情況下，初始化后同時存在BH和D的區(qū)域，所以DOW0的特性也惡化。
圖8是表示反射率區(qū)域B～D上的重寫次數(shù)(OverwriteDOW)和抖動值之間的關系的DOW抖動特性圖。
在基于區(qū)域D(◆)的初始化激光功率密度、即初始化激光的激光功率和掃描速度的初始化條件下，DOW0的抖動好，DOW1抖動非常差，所以不理想。在區(qū)域D上，反射率比之差低于0.030，不滿足(2)式。
在區(qū)域C(●)的初始化條件下，區(qū)域D和區(qū)域BH這兩者混雜，所以初始特性不穩(wěn)定，如圖8所示，DOW0的抖動不好。如果以較少次數(shù)反復重寫，則抖動好，但是在DOW9(重寫第9次)時不能得到良好的抖動，所以不理想。在區(qū)域C中，也與區(qū)域D同樣，反射率比之差低于0.030，不滿足(2)式。
如圖7所示，在區(qū)域B上，隨著初始化激光功率密度Di的增加，反射率R0平穩(wěn)增加。這里，進一步劃分為低反射率側(cè)的區(qū)域BL、高反射率側(cè)的區(qū)域BH來進行說明。在圖8中，區(qū)域BL(□)上的DOW抖動特性是DOW0的抖動好，但是DOW1抖動非常差，所以不理想。在區(qū)域BL上，反射率比之差超過0.150，不滿足(2)式。
另一方面，在區(qū)域BH(△)上能夠得到圖8所示的良好的DOW抖動特性，所以是最理想的初始化條件。再者，在區(qū)域BH上，滿足(2)式的關系。
該特性良好的原因被認為是，在記錄時通過施加最佳擦除功率Pel而形成的結(jié)晶狀態(tài)，與初始化裝置200形成的區(qū)域BH的初始化狀態(tài)大致相同。
如果Di小于滿足區(qū)域BH的初始化條件的初始化激光功率密度Di，則不能照射記錄層的結(jié)晶所需的足夠的激光功率，殘留有非晶部，反射率成為圖7中的區(qū)域A或BL，DOW特性惡化。再者，在區(qū)域A上反射率比之差超過0.300，不滿足(2)式。另一方面，即使Di大，非晶部也過少，所以成為區(qū)域C、D，或者在高初始化激光功率密度Di時成為光盤壞區(qū)，DOW特性如上所述惡化，不理想。
根據(jù)以上，為了滿足區(qū)域BH的初始化條件，初始化激光功率密度Di是1.20≤Di≤1.55較理想。
從表2可知，通過將初始化條件設為區(qū)域BH，也滿足前述(1)式。這是因為，如上所述，在記錄時通過施加最佳擦除功率Pel而形成的結(jié)晶狀態(tài)，與初始化裝置200形成的區(qū)域BH的初始化狀態(tài)大致相同。
其中，對于以滿足上述(1)、(2)式的條件的優(yōu)選的一例、即初始化激光功率密度Di(1.20≤Di≤1.55)進行了初始化的光記錄介質(zhì)，采用使上述(1)式成立的最佳擦除功率更理想。
<最佳功率比ε的討論>
根據(jù)實施例C-1～C-3及比較例C-4、C-5來進一步討論記錄光記錄介質(zhì)A時的最佳記錄條件。
光記錄介質(zhì)的DOW抖動特性根據(jù)記錄功率Pw和擦除功率Pe的功率比ε＝(Pe/Pw)來變化。圖9示出DOW1時的抖動和功率比ε之間的關系。抖動最低、良好的是ε＝0.30附近，以0.30附近為底，不管功率比ε小還是大，抖動都上升。其中，根據(jù)圖9，呈現(xiàn)被認為對差錯率的不良影響少的10％以下的抖動的是ε＝0.20～0.40，所以理想的功率比ε的范圍是0.20≤ε≤0.40。
在ε＜0.20的情況下，記錄功率Pw小于擦除功率Pe，所以難以形成足夠大的記錄標記，其結(jié)果是不能得到足夠的信號強度。在ε＞0.40的情況下，記錄功率Pw過度大于擦除功率Pe，所以有交叉擦除，從而信號特性惡化，不理想。
(實施例C-1～實施例C-3)制作了與實施例A-1相同的光記錄介質(zhì)A。初始化條件與實施例A-1相同(掃描線速度為4.5m/s，激光功率為1600mW，進給間距為220μm)，使記錄時的擦除功率Pe與各實施例A同樣在3.8～5.6[mW]的范圍內(nèi)變化。此外，使記錄功率Pw也在各實施例C中變化，將功率比ε(＝Pe/Pw)設定為0.21～0.39。各個值如表3所示。
進行了與實施例A-1同樣的測定，各實施例C的初始特性及重寫記錄特性如表3所示，DOW0抖動是6.5％～7.0％的值，DOW1抖動是8.0％～9.1％的值，DOW9抖動是7.5％～8.4％的值，DOW10000抖動為8.0％～9.8％，即使重寫，特性也穩(wěn)定，記錄特性良好。
表3(比較例C-4)制作了與實施例A-1相同的光記錄介質(zhì)A。此外，在與實施例A-1相同的初始化條件下進行了記錄層3的初始化。在記錄條件中除了將記錄功率Pw變更為13.0mW、將擦除功率Pe變更為5.8mW、將功率比ε設為0.45以外，進行了與實施例A-1同樣的測定。如表3所示，DOW1以后的重寫時抖動在13.2％以上，重寫特性非常差。
(比較例C-5)制作了與實施例A-1相同的光記錄介質(zhì)A。此外，在與實施例A-1相同的初始化條件下進行了記錄層3的初始化。在記錄條件中除了將記錄功率Pw變更為21.0mW、將擦除功率Pe變更為3.8mW、將功率比ε設為0.18以外，進行了與實施例A-1同樣的測定。如表3所示，DOW1的抖動為12.2％，DOW10000的抖動為12.4％，重寫特性非常差。
根據(jù)以上各實施例C、各比較例C及圖9判明，作為記錄條件的功率比ε理想范圍為0.20≤ε≤0.40。
圖10是表示抖動與DOW次數(shù)的關系的DOW抖動特性圖。在圖10中，示出了功率比ε為0.3、比0.2小的0.15、以及比0.4大的0.45。在功率比ε小于0.20的情況下，擦除功率Pe過度小于記錄功率Pw，所以不能充分擦除以前描繪的標記。因此，如圖10的◇所示，DOW1的抖動特性不好，所以不理想。另一方面，功率比ε比0.40大的情況下，擦除功率Pe過度大于記錄功率Pw，因此結(jié)晶狀態(tài)不穩(wěn)定，如圖10的○所示，DOW1的抖動差，所以不理想。
可知，在圖10所示的功率比ε是0.30的情況(△)下，抖動在任何DOW次數(shù)時都取10％以下的值。根據(jù)以上，為了得到10％以下的抖動，處于0.20≤ε≤0.40的范圍內(nèi)的功率比ε較理想。
如圖10(◇)所示，DOW1以后的抖動特性不好，所以不理想。另一方面，在功率比ε大于0.40的情況下，擦除功率Pe過度大于記錄功率Pw，所以結(jié)晶狀態(tài)不穩(wěn)定，如圖10(○)所示，DOW1的抖動特性不好，所以不理想。功率比ε處于0.20≤ε≤0.40的范圍內(nèi)較理想。
將上述處于0.20以上、0.40以下的范圍內(nèi)的功率比ε作為最佳功率比εl，將εl預先記錄到圖3所示的光記錄介質(zhì)A的導入?yún)^(qū)53。光記錄裝置從導入?yún)^(qū)53讀取上述最佳擦除功率Pel和最佳功率比εl等最佳記錄信息，根據(jù)信息來進行記錄。此外，也可以用光記錄裝置的系統(tǒng)控制器45中的存儲器451中預先、或者通過更新而保存的最佳記錄信息來進行記錄。
這里，可以根據(jù)最佳擦除功率Pel及最佳功率比εl來求最佳記錄功率Pwl。最佳記錄功率Pwl也可以被包含在最佳記錄信息中。
<功率比ε的討論>
在本實施方式中，如下設定了各記錄線速度上的記錄功率Pw、擦除功率Pe及功率比ε(擦除/記錄Pe/Pw)。設低線速度上的記錄功率為Pwl、擦除功率為Pel，中線速度上的記錄功率為Pwm、擦除功率為Pem，高線速度上的記錄功率為Pwh、擦除功率為Peh，設低線速度、中線速度、高線速度的功率比分別為εl(＝Pel/Pwl)、εm(＝Pem/Pwm)、εh(＝Peh/Pwh)。
這里，所謂高線速度、中線速度、低線速度，表示記錄/再現(xiàn)或擦除用激光對光記錄介質(zhì)的相對掃描速度V分別是高速、中速、低速，在設各個掃描速度為Vh(高速)、Vm(中速)、Vl(低速)的情況下，Vl＜Vm＜Vh。
例如在CLV(恒定線速度)記錄的情況下，可以采用Vh＝4倍速、Vm＝2倍速、Vl＝1倍速的組合，或者采用Vh＝6倍速、Vm＝4倍速、Vl＝2倍速的組合。此外，在CAV(恒定角速度)記錄的情況下，是最內(nèi)周和最外周之間的徑向的位置差異造成的掃描速度V的差異，例如在最內(nèi)周上是Vl，在最外周上是Vh，在其間的半徑上是任意位置的Vm。
本發(fā)明人估計，為了使光記錄介質(zhì)A的記錄及重寫特性良好，將各記錄線速度上的功率比ε(εl、εm、εh)的大小關系設為與專利文獻5不同的關系可能較理想，根據(jù)下述實施例D-1～D-3及比較例D-4～D-8發(fā)現(xiàn)，該估計是正確的，有使記錄及重寫特性達到最好的功率比ε的關系。
(實施例D-1)用上述光記錄介質(zhì)A，從基板1的入射面1a側(cè)向記錄層3的槽中進行了記錄。
設記錄線速度在低線速度記錄時為3.5m/s(相當于DVD標準1倍速)，在中線速度記錄時為7.0m/s(相當于DVD標準2倍速)，在高線速度記錄時為14.0m/s(相當于DVD標準4倍速)，用8-16調(diào)制隨機圖案進行了評價。單位時鐘時間T在低線速度(1x)時是38.2ns，在中線速度(2x)時是19.1ns，在高線速度(4x)時是9.6ns。
作為記錄條件的記錄脈沖圖案，在低線速度上、即記錄線速度3.5m/s上為Ttop＝0.3[T]、Tmp＝0.4[T]、Tcl＝1.3[T]。此外，激光的激光強度采用了記錄功率Pw(Pwl)＝14.1[mW]、擦除功率Pe(Pel)＝7.2[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW]這三值(εl＝0.51)。
在中線速度上、即記錄線速度7.0m/s上，采用了Ttop＝0.4[T]、Tmp＝0.4[T]、Tcl＝0.9[T]，采用了記錄功率Pw(PWm)＝16.2[mW]、擦除功率Pe(Pem)＝7.6[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW](εm＝0.47)。
在高線速度上、即記錄線速度14.0m/s上，采用了Ttop＝0.6[T]、Tmp＝0.5[T]、Tcl＝0.0[T]，采用了記錄功率Pw(Pwh)＝17.2[mW]、擦除功率Pe(Peh)＝4.6[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW](εh＝0.27)。
其中，本實施例D-1的功率比的關系是εh＜εm＜εl。
本實施例D-1的記錄特性如表4所示。其中，以下的各實施例D及各比較例D也如表4所示。此外，在以下各實施例D及各比較例D中，低線速度都是DVD標準1倍速(1x)，中線速度都是DVD標準2倍速(2x)，高線速度都是DVD標準4倍速(4x)。
表4重寫第9次(Direct Over WriteDOW9)的抖動，在低線速度(1x)上為7.3％，在中線速度(2x)上為7.1％，在高線速度上(4x)為7.8％，在所有記錄線速度上都低于10％，良好。作為重寫特性的1000次重寫后(DOW1000)的抖動在1x上為7.5％，在2x上為7.4％，在4x上為8.2％，良好，反射率也分別為21.5％、21.3％、20.2％，反射率特性也良好(表4只示出了4x(高線速度)的DOW1000的反射率)。
其中，將抖動特性不對差錯率造成不良影響的抖動、即10％作為基準，在低于它的情況下認為良好，在高于它的情況下認為不好?？紤]到DVD播放器等的ROM兼容性，反射率將16％以上的值為良好。
光記錄介質(zhì)的最佳功率比ε(εh、εm、εl)有時根據(jù)記錄層3的組成而略微變動。因此，進行不同組成下的驗證來顯示本發(fā)明的妥當性。
(實施例D-2)本實施例除了將記錄層3的組成變更為Ga-Sb-In-Sn四元素單一合金靶以外，采用了與實施例D-1完全相同結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)。此外，各記錄線速度上的記錄條件，在1x上采用了記錄功率Pwl＝15.5[mW]、擦除功率Pel＝5.0[mW](εl＝0.32)，在2x上采用了記錄功率Pwm＝17.0[mW]、擦除功率Pem＝4.3[mW](εm＝0.25)，在4x上采用了記錄功率Pwh＝18.5[mW]、擦除功率Peh＝3.7[mW](εh＝0.20)(εh＜εm＜εl)。其他記錄條件采用與實施例D-1相同的條件，測定了記錄特性。
如表4所示，DOW9的抖動在1x上為7.9％，在2x上為7.6％，在4x上為8.0％，在所有線速度上都低于10％，良好。重寫特性也同樣良好。
(實施例D-3)本實施例除了將記錄層3的組成變更為Ag-In-Sb-Te四元素單一合金靶以外，采用了與實施例D-1完全相同結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)。此外，各記錄線速度上的記錄條件，在1x上采用了記錄功率Pwl＝14.0[mW]、擦除功率Pel＝9.8[mW](εl＝0.70)，在2x上采用了記錄功率Pwm＝16.0[mW]、擦除功率Pem＝9.6[mW](εm＝0.60)，在4x上采用了記錄功率Pwh＝17.8[mW]、擦除功率Peh＝7.1[mW](εh＝0.40)(εh＜εm＜εl)。其他記錄條件采用與實施例D-1相同的條件，測定了記錄特性。
如表4所示，DOW9的抖動在1x上為8.2％，在2x上為8.0％，在4x上為8.0％，在所有線速度上都低于10％，良好。重寫特性也同樣良好。
(比較例D-4)除了變更為εm＝0.25(Pem＝4.1mW，εm＜εh＜εl)以外，采用了與實施例D-1完全相同的條件。進行了與實施例D-1同樣的測定，如表4所示，1x、4x上的DOW9抖動與實施例D-1相同，但是在2x上抖動為25.5％，嚴重惡化，不能得到良好的抖動特性。這是因為，由于使2x(中線速度)時的功率比εm＝0.25小于4x(高線速度)時的εh＝0.27，從而中線速度上的擦除功率不夠，擦不干凈。
(比較例D-5)除了變更為εl＝0.25(Pel＝3.5mW，εl＜εh＜εm)以外，采用了與實施例D-1完全相同的條件。進行了與實施例D-1同樣的測定，如表4所示，2x、4x上的DOW9抖動與實施例D-1相同，但是在1x上抖動為25.5％，嚴重惡化，不能得到良好的抖動特性。這是因為，由于使1x(低線速度)時的功率比εl＝0.25小于4x(高線速度)時的εh＝0.27，從而低線速度上的擦除功率不夠，擦不干凈。
(比較例D-6)除了變更為εl＝0.35(Pel＝4.9mW，εh＜εl＜εm)以外，采用了與實施例D-1完全相同的條件。進行了與實施例D-1同樣的測定，如表4所示，2x、4x上的DOW9抖動與實施例D-1相同，但是1x上的抖動為11.1％，惡化了，不能得到良好的抖動特性。這是因為，由于使1x(低線速度)時的功率比εl＝0.35小于2x(中線速度)時的εm＝0.47，從而低線速度上的擦除功率不夠，擦不干凈。
(比較例D-7)除了變更為εh＝0.60(Peh＝10.3mW，εm＜εl＜εh)以外，采用了與實施例D-1完全相同的條件。進行了與實施例D-1同樣的測定，如表4所示，1x、2x上的DOW9抖動與實施例D-1相同，但是4x上的抖動為13.8％，惡化了，不能得到良好的抖動特性。此外，4x上的DOW1000的反射率為14.3％，降低很多，重寫也不能得到良好的特性。其原因是，由于在4x(高線速度)記錄時增大了εh而過度地施加了擦除功率，所以記錄層3的過冷卻造成了結(jié)晶狀態(tài)的惡化。
(比較例D-8)除了變更為εl＝0.35、εh＝0.50(Pel＝4.9mW、Peh＝8.6mW，εl＜εm＜εh)以外，采用了與實施例D-1完全相同的條件。進行了與實施例D-1同樣的測定，如表4所示，2x上的DOW9抖動與實施例D-1相同，但是在1x上為11.1％，在4x上抖動為13.0％，惡化了，不能得到良好的抖動特性。此外，4x上的DOW1000的反射率降低為16.8％，不能得到良好的重寫特性。其原因是，由于在4x(高線速度)記錄時增大了εh而過度地施加了擦除功率，所以記錄層3的過冷卻造成了結(jié)晶狀態(tài)的惡化。
根據(jù)以上結(jié)果，圖11示出實施例D-1及比較例D-4～D-8的各記錄線速度上的DOW9抖動的關系。其中，未圖示的其余的實施例D-2以后也像可從表4中讀取的那樣，在所有記錄線速度上，DOW9抖動在10％以下。
根據(jù)表4及圖11判明，在各記錄線速度上的功率比ε滿足下述(4)式的關系的情況下，能得到良好的記錄及重寫特性。
εh＜εm＜εl …(4)再者，本發(fā)明人根據(jù)實施例E-1～E-3及比較例E-4～E-8發(fā)現(xiàn)，在記錄線速度與上述實施例D-1～D-3及比較例D-4～D-8中討論過的組合(1x、2x、4x)不同的情況下，也能在上述(4)式所示的各記錄線速度上的功率比ε的關系中，得到光記錄介質(zhì)的最好的記錄及重寫特性。其中，使記錄層3的組成也與上述各實施例D及各比較例不同而進行了討論。
在以下所有各實施例E及各比較例E中，低線速度都是DVD標準2倍速(2x)，中線速度都是DVD標準4倍速(4x)，高線速度都是DVD標準6倍速(6x)。
(實施例E-1)制作了除了增加記錄層3的Sb量而使結(jié)晶速度有所提高這樣的變更以外、其它與實施例D-1相同的光記錄介質(zhì)。此外，記錄線速度是，在低線速度記錄時為7.0m/s(相當于DVD標準2倍速)，在中線速度記錄時為14.0m/s(相當于DVD標準4倍速)，在高線速度記錄時為21.0ms(相當于DVD標準6倍速)，用8-16(EFM+)調(diào)制隨機圖案進行了記錄再現(xiàn)評價。單位時鐘時間T在2倍速時是19.1ns，在4倍速時是9.6ns，在6倍速時是6.4ns。比特長度、再現(xiàn)功率Pr、及記錄測定方法如上所述。
此外，在低線速度(2x)和中線速度(4x)的情況下記錄策略采用了圖4的分割脈沖序列，而在高線速度(6x)的情況下采用了圖5的分割脈沖序列。其中，光記錄裝置也采用了與上述實施例D相同的裝置。
作為記錄條件的記錄脈沖圖案，在低線速度即記錄線速度7.0m/s上，采用了記錄功率Pwl＝16.1[mW]、擦除功率Pel＝8.0[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW](εl＝0.50)。
在中線速度即記錄線速度14.0m/s上，采用了記錄功率Pwm＝17.2[mW]、擦除功率Pem＝7.2[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW](εm＝0.42)。
在高線速度即記錄線速度21.0m/s上，采用了記錄功率Pwh＝20.0[mW]、擦除功率Peh＝5.8[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW](εh＝0.29)(εh＜εm＜εl(4)式)。
本實施例E-1的記錄特性如表5所示。其中，以下實施例E-2、E-3及各比較例E-4～E-8也同樣如表5所示。
表5DOW9的抖動分別在低線速度(2x)上為7.5％，在中線速度(4x)上為7.4％，在高線速度(6x)上為8.1％，在所有線速度上都低于10％，良好。重寫特性是，DOW10000時的抖動分別在2x上為7.9％，在4x上為7.9％，在6x上為9.2％，良好，反射率也分別為20.5％、20.2％、19.6％，反射率特性也良好(在表5中只示出了6x(高線速度)時的DOW1000的反射率)。
(實施例E-2)制作了除了增加記錄層3的Sb量而使結(jié)晶速度有所提高這樣的變更以外、其它與實施例D-2同樣的光記錄介質(zhì)。此外，各記錄線速度上的記錄條件是，在2x上采用了記錄功率Pwl＝18.0[mW]、擦除功率Pel＝5.4[mW](εl＝0.30)，在4x上采用了記錄功率Pwm＝20.0[mW]、擦除功率Pem＝5.0[mW](εm＝0.25)，在6x上采用了記錄功率Pwh＝22.0[mW]、擦除功率Peh＝4.4[mW](εh＝0.20)(εh＜εm＜εl(4)式)。其他記錄條件采用與實施例E-1相同的條件，測定了記錄特性。
如表5所示，DOW9抖動在2x上為8.3％，在4x上為8.0％，在6x上為8.6％，在所有線速度上都低于10％，良好。重寫特性也同樣良好。
(實施例E-3)制作了除了增加記錄層3的Sb量而使結(jié)晶速度有所提高這樣的變更以外、其它與實施例D-3同樣的光記錄介質(zhì)。此外，各記錄線速度上的記錄條件是，在2x上采用了記錄功率Pwl＝18.0[mW]、擦除功率Pel＝10.8[mW](εl＝0.60)，在4x上采用了記錄功率Pwm＝21.0[mW]、擦除功率Pem＝10.5[mW](εm＝0.50)，在6x上采用了記錄功率Pwh＝23.0[mW]、擦除功率Peh＝9.2[mW](εh＝0.40)(εh＜εm＜εl(4)式)。其它記錄條件采用與實施例E-1相同的條件，測定了記錄特性。
如表5所示，DOW9抖動在2x上為8.0％，在4x上為7.6％，在6x上為8.6％，在所有線速度上都低于10％，良好。重寫特性也同樣良好。
(比較例E-4)采用了除了變更為εm＝0.25(Pem＝4.3mW，εm＜εh)以外、其它與實施例E-1完全相同的條件。進行了與實施例E-1同樣的測定，如表5所示，2x、6x上的DOW9抖動與實施例E-1相同，但是在4x上抖動為25.1％，嚴重惡化，不能得到良好的抖動特性。這是因為，由于使4x(中線速度)的功率比εm＝0.25小于6x(高線速度)的εh＝0.29，從而，中線速度上的擦除功率不夠，擦不干凈。
(比較例E-5)采用了除了變更為εl＝0.25(Pel＝4.0mW，εl＜εh)以外、其它與實施例E-1完全相同的條件。進行了與實施例E-1同樣的測定，如表5所示，4x、6x上的DOW9抖動與實施例E-1相同，但是在2x上抖動為24.3％，嚴重惡化，不能得到良好的抖動特性。這是因為，由于使2x(低線速度)的功率比εl＝0.25小于6x(高線速度)的εh＝0.29，從而低線速度上的擦除功率不夠，擦不干凈。
(比較例E-6)采用了除了變更為εl＝0.35(Pel＝5.6mW，εm＞εl＞εh)以外、其它與實施例E-1完全相同的條件。進行了與實施例E-1同樣的測定，如表5所示，4x、6x上的DOW9抖動與實施例E-1相同，但是在2x上抖動為14.6％，惡化了，不能得到良好的抖動特性。這是因為，由于使2x(低線速度)的功率比εl＝0.35小于4x(中線速度)的εm＝0.42，從而低線速度上的擦除功率不夠，擦不干凈。
(比較例E-7)采用了除了變更為εh＝0.60(Peh＝12.0mW，εm＜εl＜εh)以外、其它與實施例E-1完全相同的條件。進行了與實施例E-1同樣的測定，如表5所示，2x、4x上的DOW9抖動與實施例E-1相同，但是在6x上抖動為16.2％，惡化了，不能得到良好的抖動特性。此外，DOW1000的反射率為14.2％，非常降低，重寫也不能得到良好的特性。其原因是，由于在6x(高線速度)記錄時增大了εh而過度地施加了擦除功率，所以記錄層3的過冷卻造成了結(jié)晶狀態(tài)的惡化。
(比較例E-8)采用了除了變更為εl＝0.35、εh＝0.50(Pel＝5.6mW，Peh＝10.0mW，εl＜εm＜εh)以外、其它與實施例E-1完全相同的條件。進行了與實施例E-1同樣的測定，如表5所示，4x上的DOW9抖動與實施例E-1相同，但是在2x上為14.6％，在6x上為14.1％，惡化了，不能得到良好的抖動特性。此外，6x上的DOW1000的反射率降低為15.3％，不能得到良好的重寫特性。其原因是，由于在6x(高線速度)記錄時增大了εh而過度地施加了擦除功率，所以記錄層3的過冷卻造成了結(jié)晶狀態(tài)的惡化。
實施例E-1和比較例E-4～E-8的各記錄線速度上的DOW9抖動的關系如圖12所示。根據(jù)表5及圖12也判明，如果各記錄線速度上的功率比的關系滿足(4)式，則記錄及重寫特性最好。其中，未圖示的其余的實施例E-2以后也從表5可知，在所有記錄線速度上，DOW9抖動都在10％以下。
根據(jù)以上判明，在設低線速度為1倍速、高線速度為4倍速的實施例D-1～D-3及比較例D-4～D-8、和設低線速度為2倍速、高線速度為6倍速的實施例E-1～E-3及比較例E-4～E-8中的任一個中，如果功率比ε滿足(4)式的關系，則光記錄介質(zhì)都能得到最好的記錄及重寫特性。再者，也判明，(4)式的關系并不受光記錄介質(zhì)的記錄層3的組成或最高記錄線速度的影響。
可知，在功率比ε按高線速度εh、中線速度εm、低線速度εl的順序增大且滿足(4)式的關系的情況下，在任何記錄線速度上DOW9抖動都良好。
在使中線速度的功率比小于高線速度的功率比(εm＜εh)的情況下，在高線速度記錄中擦除功率Peh過高，應結(jié)晶的部分發(fā)生非晶化，特性比初次記錄特性惡化，所以不理想。此外，即使調(diào)整記錄層3的組成以便不產(chǎn)生非晶化，擦除功率Peh也高，所以發(fā)生DOW1000時的反射率降低，記錄特性惡化，所以不理想。
在使低線速度的功率比小于中線速度的功率比(εl＜εm)的情況下，在低線速度上擦除功率Pel不足，所以擦不干凈，重寫特性惡化，不理想。
根據(jù)以上，各記錄線速度的功率比ε不依賴于記錄層3的組成或最高記錄速度，(4)式的關系較理想。
<功率比εl和εh的關系的討論>
接著，本發(fā)明人估計，通過使低線速度的功率比εl和高線速度的功率比εh處于規(guī)定的關系，光記錄介質(zhì)能得到良好的記錄及重寫特性，根據(jù)實施例F-1～F-5及比較例F-6～F-11發(fā)現(xiàn)該估計是正確的，具有功率比εl和εh之間的關系。這里，將εh/εl＝α的系數(shù)α作為指標，求出了關系。其中，在所有實施例F及比較例F中，功率比滿足(4)式的關系。
(實施例F-1)本實施例采用了與實施例D-1完全相同的條件(εh＝0.27(Peh＝4.6mW，系數(shù)α＝0.529))。與實施例D-1同樣地測定了高線速度即4倍速(4x)上的記錄特性，如表6所示，抖動在DOW0時為6.2％，在DOW1時為7.8％，在DOW9時為7.8％，分別良好，再者DOW1000也是抖動為8.2％，反射率為20.2％，沒有降低，良好(在表6中只示出4x上的DOW1000的反射率)。
其中，在表6中也同樣示出以下實施例F-2～F-5及比較例F-6～F-11。
表6(實施例F-2)采用了除了變更為εh＝0.23(Peh＝4.0mW，α＝0.451)以外、其它與實施例F-1相同的條件。與實施例F-1同樣地測定了4x上的記錄特性，如表6所示，從DOW0到DOW9，抖動良好，再者DOW1000的反射率也為19.5％，沒有降低，良好。
(實施例F-3)采用了除了變更為εh＝0.40(Peh＝6.9mW，α＝0.784)以外、其它與實施例F-1相同的條件。與實施例F-1同樣地測定了4x上的記錄特性，如表6所示，從DOW0到DOW9，抖動良好，再者DOW1000的反射率也為20.7％，沒有降低，良好。
(實施例F-4)采用了除了將構(gòu)成光記錄介質(zhì)A的第1保護層2的層厚變更為50nm且變更為εl＝0.40、εh＝0.21(Peh＝3.6mW，α＝0.525)以外、其它與實施例D-1完全相同的條件。與實施例D-1同樣地測定了4x上的記錄特性，如表6所示，抖動在DOW0時為7.0％，在DOW1時為9.2％，在DOW9時為8.6％，抖動特性良好，再者在DOW1000時抖動也為8.9％，反射率也為18.3％，沒有降低，良好。
(實施例F-5)在實施例F-5中，采用了除了將構(gòu)成光記錄介質(zhì)A的第1保護層2的層厚變更為90nm且變更為εl＝0.75、εh＝0.40(Peh＝6.9mW，α＝0.533)以外、其它與實施例D-1完全相同的條件。與實施例D-1同樣地測定了4x上的記錄特性，如表6所示，抖動在DOW0時為7.2％，在DOW1時為8.8％，在DOW9時為8.4％，良好，再者在DOW1000時抖動也為9.3％，反射率也為22.6％，沒有降低，良好。
(實施例F-6)采用了除了變更為εh＝0.20(Peh＝3.4mW，α＝0.392)以外、其它與實施例F-1相同的條件。與實施例F-1同樣地測定了4x上的記錄特性，如表6所示，DOW1抖動為12.3％，DOW9抖動為12.1％，抖動特性不好。這是因為，高線速度(4x)的擦除功率Peh為3.4mW，過低，所以出現(xiàn)了擦不干凈造成的特性惡化。
(實施例F-7)
采用了除了變更為εh＝0.45(Peh＝7.7mW，α＝0.882)以外、其它與實施例F-1相同的條件。與實施例F-1同樣地測定了4x上的記錄特性，如表6所示，DOW1抖動為11.3％，抖動特性不好。這是因為，高線速度(4x)的擦除功率Peh高達7.7mW，所以高線速度的DOW1000的反射率為17.6％，惡化了。
(實施例F-8)采用了除了變更為εh＝0.15(Peh＝2.6mW，α＝0.375)以外、其它與實施例F-4相同的條件。與實施例F-4同樣地測定了4x上的記錄特性，如表6所示，DOW0抖動為9.1％，良好，但是DOW1抖動為15.6％，抖動特性不好。
(實施例F-9)采用了除了變更為εh＝0.34(Peh＝5.8mW，α＝0.850)以外、其它與實施例F-4相同的條件。與實施例F-4同樣地測定了4x上的記錄特性，如表6所示，DOW0抖動為8.4％，良好，但是DOW1抖動為13.2％，抖動特性不好。
(實施例F-10)采用了除了變更為εh＝0.27(Peh＝4.6mW，α＝0.360)以外、其它與實施例F-5相同的條件。與實施例F-5同樣測定了4x上的記錄特性，如表6所示，DOW0抖動為9.2％，良好，但是DOW1抖動為14.8％，抖動特性不好。
(實施例F-11)采用了除了變更為εh＝0.65(Peh＝11.2mW，α＝0.867)以外、其它與實施例F-5相同的條件。與實施例F-5同樣測定了4x上的記錄特性，如表6所示，DOW0抖動為8.8％，良好，但是DOW1抖動為12.2％，抖動特性不好。
以上實施例F-1～F-5及比較例F-6～F-11的4x上的DOW1抖動和系數(shù)α之間的關系如圖13所示。判明DOW1抖動在10％以下的α的范圍成為下述(5)式的關系。不管α的值比(5)式過大還是過小，即不管高線速度的功率比εh的值過大還是過小，都不能得到良好的DOW1抖動。
0.45＜α＜0.80…(5)再者，本發(fā)明人根據(jù)實施例G-1～G-5及比較例G-6～G-11發(fā)現(xiàn)，在記錄線速度與上述實施例F-1～F-5及比較例F-6～F-11中討論過的組合(1x、2x、4x)不同的情況下，低線速度的功率比εl和高線速度的功率比εh也有使光記錄介質(zhì)的記錄及重寫特性達到最好的規(guī)定關系。與上述同樣求出了系數(shù)α作為指標。
在以下所有實施例G-1～G-5及比較例G-6及G-11中，低線速度都是DVD標準2倍速(2x)，中線速度都是DVD標準4倍速(4x)，高線速度都是DVD標準6倍速(6x)。其中，在所有實施例G及比較例G中，功率比都滿足(4)式的關系。
(實施例G-1)采用了與實施例E-1完全相同的條件(εh＝0.29(Peh＝5.8mW，系數(shù)α＝0.580))。與實施例E-1同樣測定了高線速度即6倍速(6x)上的記錄特性，如表7所示，抖動在DOW0時為7.1％，在DOW1時為9.2％，在DOW9時為8.1％，分別良好，再者在DOW1000時抖動也為9.2％，反射率為19.6％，也沒有降低，良好。
其中，在表7中同樣也示出以下實施例G-2～G-5及比較例G-6～G-11。
表7(實施例G-2)采用了除了變更為εh＝0.23(Peh＝4.6mW，α＝0.460)以外、其它與實施例G-1相同的條件。與實施例G-1同樣測定了6x上的記錄特性，如表7所示，DOW0～DOW9抖動良好，再者DOW1000的反射率是17.8％，也沒有大的降低，良好。
(實施例G-3)采用了除了變更為εh＝0.39(Peh＝8.0mW，α＝0.780)以外、其它與實施例G-1相同的條件。與實施例G-1同樣測定了6x上的記錄特性，如表7所示，DOW0～DOW9抖動良好，再者DOW1000的反射率是18.1％，也沒有大的降低，良好。
(實施例G-4)采用了除了將構(gòu)成光記錄介質(zhì)A的第1保護層2的層厚變更為50nm且變更為εl＝0.38、εh＝0.22(Peh＝4.4mW，α＝0.579)以外、其它與實施例E-1完全相同的條件。與實施例E-1同樣測定了6x上的記錄特性，如表7所示，抖動在DOW0時為7.3％，在DOW1時為9.1％，在DOW9時為8.0％，分別良好，再者在DOW1000時抖動也為9.1％，反射率也為18.2％，沒有降低，良好。
(實施例G-5)采用了除了將構(gòu)成光記錄介質(zhì)A的第1保護層2的層厚變更為90nm且變更為εl＝0.75、εh＝0.38(Peh＝7.6mW，α＝0.507)以外、其它與實施例E-1完全相同的條件。與實施例E-1同樣測定了6x上的記錄特性，如表7所示，抖動在DOW0時為7.4％，在DOW1時為9.1％，在DOW9時為7.9％，分別良好，再者在DOW1000時抖動也為9.9％，反射率也為22.2％，沒有降低，良好。
(比較例G-6)采用了除了變更為εh＝0.20(Peh＝4.0mW，α＝0.400)以外、其它與實施例E-1相同的條件。與實施例G-1同樣測定了6x上的記錄特性，如表7所示，DOW1抖動為12.3％，DOW9抖動為12.2％，不好。這是因為，高線速度(6x)上的擦除功率Peh為4.0mW，過低，所以出現(xiàn)了擦不干凈造成的特性惡化。
(比較例G-7)采用了除了變更為εh＝0.45(Peh＝9.0mW，α＝0.900)以外、其它與實施例E-1相同的條件。與實施例G-1同樣測定了6x上的記錄特性，如表7所示，DOW1抖動為13.3％，DOW9抖動為12.1％，不好。此外，高線速度(6x)上的擦除功率Peh為9.0mW，較高，所以DOW1000的反射率為13.3％，惡化了。
(比較例G-8)采用了除了變更為εh＝0.15(Peh＝3.0mW，α＝0.395)以外、其它與實施例G-4相同的條件。與實施例G-4同樣測定了6x上的記錄特性，如表7所示，DOW0抖動為9.8％，良好，但是DOW1抖動為15.3％，抖動特性不好。
(比較例G-9)除了變更為εh＝0.34(Peh＝6.8mW，α＝0.895)以外，其它與實施例G-4相同。與實施例G-4同樣測定了6x上的記錄特性，如表7所示，DOW0抖動為9.5％，良好，但是DOW1抖動為11.1％，不好。
(比較例G-10)采用了除了變更為εh＝0.28(Peh＝5.6mW，α＝0.373)以外、其它與實施例G-5相同的條件。與實施例G-5同樣測定了6x上的記錄特性，如表7所示，DOW0抖動為9.7％，比較良好，但是DOW1抖動為14.2％，不好。
(比較例G-11)采用了除了變更為εh＝0.61(Peh＝12.2mW，α＝0.813)以外、其它與實施例G-5相同的條件。與實施例G-5同樣測定了6x上的記錄特性，如表7所示，DOW0抖動為9.8％，良好，但是DOW1抖動為12.3％，不好。
以上實施例G-1～G-5及比較例G-6～G-11的6x上的DOW1抖動和α的關系如圖14所示。判明，使DOW1抖動在10％以下的α的范圍，在實施例G-1～G-5及比較例G-6～G-11中也成為上述(5)式。不管α的值比(5)式過大還是過小，即不管高線速度的功率比εh的值過大還是過小，都不能得到良好的DOW1抖動。
根據(jù)以上判明，在設低線速度為1倍速、高線速度為4倍速的實施例F-1～F-5及比較例F-6～F-11、和設低線速度為2倍速、高線速度為6倍速的各實施例G-1～G-5及比較例G-6～G-11中的任一個中，光記錄介質(zhì)具有可獲得最好的記錄及重寫特性、特別是良好的DOW抖動的、低線速度的功率比εl和高線速度的功率比εh之間的規(guī)定關系。此外判明，在用α來表示εl和εh之比εl/εh時，系數(shù)α處于上述(5)式的范圍內(nèi)較理想。
即，為了使DOW1抖動更好，需要滿足(4)式。再者，除了滿足(4)式，還滿足(5)式較理想。
在α＜0.45的情況下，高線速度上的擦除功率Peh過小，難以擦除，由于擦不干凈，所以DOW1以后的抖動惡化，所以不理想。另外，在0.80＜α的情況下，高線速度上的擦除功率Peh比較高，在應結(jié)晶的部分發(fā)生非晶化，DOW1的抖動特性惡化，所以不理想。因此，為了使光記錄介質(zhì)的記錄及重寫特性良好，理想的α的范圍是(5)式。
再者，考慮到介質(zhì)的環(huán)境穩(wěn)定性和通用記錄裝置的裕量，抖動值低于9％、0.55＜α＜0.65更理想。
<記錄功率的關系的討論>
接著，估計低線速度的記錄功率Pwl、中線速度的記錄功率Pwm以及高線速度之間的大小關系可能影響光記錄介質(zhì)的良好的記錄及重寫特性，根據(jù)下述實施例H-1、H-2及比較例H-3～H-5發(fā)現(xiàn)，該估計是正確的，記錄功率具有最佳關系。
(實施例H-1)采用了與實施例D-1完全相同的條件(Pwl＝14.1mW，Pwm＝16.2mW，Pwh＝17.2mW，Pwl＜Pwm＜Pwh)。進行了與實施例D-1同樣的測定，如表8所示，DOW9抖動在低線速度(1x)上為7.3％，在中線速度(2x)上為7.1％，在高線速度(4x)上為7.8％，分別良好，再者此時的調(diào)制度(DOW9)分別為60.8％、64.9％、65.9％。
其中，在表8中也同樣示出以下實施例H-2及比較例H-3～H-5。
這里，所謂調(diào)制度，是信號強度的大小，如圖15所示，由(調(diào)制度)＝(I14/I14H)來表示，將DVD的標準值即60％以上作為良好的基準。
表8(實施例H-2)采用了除了變更為Pwl＝15.2mW、Pwm＝15.8mW、Pwh＝16.2mW(Pwl＜Pwm＜Pwh)以外、其它與實施例H-1相同的條件。進行了與實施例H-1同樣的測定，如表8所示，DOW9抖動在1x上為7.7％，在2x上為7.2％，在4x上為8.0％，分別良好，再者此時的調(diào)制度也分別為61.1％、63.9％、63.2％，良好。
(比較例H-3)采用了除了變更為Pwh＝15.0mW(Pwl＜Pwh＜Pwm)以外、其它與實施例H-1相同的條件。進行了與實施例H-1同樣的測定，如表8所示，4x的DOW9抖動為11.5％，比實施例H-1差，再者此時的調(diào)制度也為56.2％，惡化了。
(比較例H-4)采用了除了變更為Pwm＝13.0mW(Pwm＜Pwl＜Pwh)以外、其它與實施例H-1相同的條件。進行了與實施例H-1同樣的測定，如表8所示，2x的DOW9抖動為12.1％，比實施例H-1差，再者此時的調(diào)制度也為52.3％，惡化了。
(比較例H-5)采用了除了變更為Pwl＝17.8mW(Pwm＜Pwh＜Pwl)以外、其它與實施例H-1相同的條件。進行了與實施例H-1同樣的測定，如表8所示，1x的DOW9抖動為10.9％，比實施例H-1差。
根據(jù)以上判明，如果不隨著記錄線速度的上升而提高記錄功率，則功率不足，不能得到足夠的信號強度(＝調(diào)制度)，抖動惡化。另一方面，如果以低線速度用高記錄功率來進行記錄，則過度的激光功率密度使串擾增大，所以抖動惡化。
因此，為了得到光記錄介質(zhì)的良好的記錄及重寫特性，滿足線速度越高則越增大記錄功率的下述(6)式的關系較理想。
Pwl＜Pwm＜Pwh …(6)再者，本發(fā)明人根據(jù)實施例I-1、I-2及比較例I-3～I-5發(fā)現(xiàn)，在記錄線速度與上述實施例H-1、H-2及比較例H-3～H-5中討論過的組合(1x、2x、4x)不同情況下，也能在上述(6)式所示的各記錄線速度上的記錄功率的大小關系中得到光記錄介質(zhì)的最好的記錄及重寫特性。
在以下所有實施例I及比較例I中，低線速度是DVD標準2倍速(2x)，中線速度是DVD標準4倍速(4x)、高線速度是DVD標準6倍速(6x)。
(實施例I-1)采用了與實施例E-1完全相同的條件(Pwl＝16.1mW，Pwm＝17.2mW，Pwh＝20.0mW，Pwl＜Pwm＜Pwh)。進行了與實施例E-1同樣的測定，如表9所示，DOW9抖動在低線速度(2x)上為7.5％，在中線速度(4x)上為7.4％，在高線速度(6x)上為8.1％，良好，再者此時(DOW9)的調(diào)制度分別為61.2％、63.5％、62.2％，良好。
其中，在表9中也同樣示出以下實施例I-2及實施例I-3～I-5。
表9(實施例I-2)采用了除了變更為Pwl＝15.5mW、Pwm＝16.4mW、Pwh＝18.6mW(Pwl＜Pwm＜Pwh)以外、其它與實施例I-1同樣的條件。進行了與實施例I-1同樣的測定，如表9所示，DOW9抖動在2x上為8.3％，在4x上為8.2％，在6x上為9.2％，分別良好，再者此時的調(diào)制度也分別為60.3％、61.9％、60.1％，良好。
(比較例I-3)
采用了除了變更為Pwh＝16.6mW(Pwl＜Pwh＜Pwm)以外、其它與實施例I-1相同的條件。進行了與實施例I-1同樣的測定，如表9所示，6x的DOW9抖動為13.6％，比實施例I-1差，再者此時的調(diào)制度也為52.8％，惡化了。
(比較例I-4)采用了除了變更為Pwm＝14.0mW(Pwm＜Pwl＜Pwh)以外、其它與實施例I-1相同的條件。進行了與實施例I-1同樣的測定，如表9所示，4x的DOW9抖動為12.7％，比實施例I-1差，再者此時的調(diào)制度也為52.3％，惡化了。
(比較例I-5)采用了除了變更為Pwl＝21.0mW(Pwm＜Pwh＜Pwl)以外、其它與實施例I-1相同的條件。進行了與實施例I-1同樣的測定，如表9所示，2x的DOW9抖動為11.2％，比實施例I-1差。
根據(jù)以上判明，如果各記錄線速度上的記錄功率滿足上述(6)式的關系，則光記錄介質(zhì)能得到良好的記錄及重寫特性。
如上所述，判明在設低線速度為1倍速、高線速度為4倍速的實施例H-1、H-2及比較例H-3～H-5、或者設低線速度為2倍速、高線速度為6倍速的實施例I-1、I-2及比較例I-3～I-5中的任一個中，如果不隨著記錄速度的上升而提高記錄功率，則功率不足，不能得到足夠的信號強度(＝調(diào)制度)，抖動惡化。另一方面，如果以低線速度用高記錄功率來進行記錄，則過度的激光功率密度使串擾增大，所以抖動值惡化。由此，線速度越高則越增大記錄功率的(6)式的關系較理想。
如果不斷提高記錄線速度，則單位面積的記錄功率密度降低，所以為了增大能得到足夠的記錄信號的標記寬度，在Pwh＝Pwl×1.2～Pwl×1.4左右的范圍內(nèi)隨著記錄速度而依次增大記錄功率較理想。
不僅上述DVD-RW等相變型光記錄介質(zhì)，可以說圖16所示的超高密度的相變型記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)也有同樣的效果。圖16所示的光記錄介質(zhì)B的結(jié)構(gòu)為，在以記錄/再現(xiàn)或擦除用的激光的入射面17a為底面的保護層17上依次層疊了第1保護層12、記錄層13、第2保護層14、反射層15、及基板11。
表1(1.000＜R1/R0＜1.030)
表2(1.000＜R1/R0＜1.030，0.030＜(R10/R0)-(R1/R0)＜0.150)
表3(0.20≤ε≤0.40)
表4(εl＞εm＞εh)
表5(εl＞εm＞εh)

表6(0.45＜α＜0.80)
表7(0.45＜α＜0.80)
表8(Pwl＜Pwm＜Pwh)

表9(Pwl＜Pwm＜Pwh)
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，是相變型光記錄介質(zhì)，其特征在于，具有基板；以及記錄層，通過按照記錄脈沖圖案照射記錄光來記錄表示記錄信息的記錄標記，該記錄脈沖圖案包括從擦除功率上升、且在比上述擦除功率大的記錄功率和比上述擦除功率小的最低功率之間形成的記錄脈沖，以及從上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脈沖；在向上述記錄層上的一次也未記錄信息的未記錄部上照射再現(xiàn)光時上述未記錄部的反射率設為R0、向上述未記錄部上照射了1次具有上述擦除功率的光后照射上述再現(xiàn)光時上述未記錄部的反射率設為R1、向上述未記錄部上照射了10次具有上述擦除功率的光后照射上述再現(xiàn)光時上述未記錄部的反射率設為R10的情況下，上述光記錄介質(zhì)被初始化成使上述擦除功率滿足下述(1)、(2)式的結(jié)晶狀態(tài)1.000＜R1/R0＜1.030 …(1)0.030＜R10/R0-R1/R0＜0.150 …(2)。
2.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在設上述記錄功率為Pw、上述擦除功率為Pe，設上述擦除功率Pe與上述記錄功率Pw的功率比為ε＝Pe/Pw時，向規(guī)定區(qū)域?qū)懭肓吮硎?.20≤ε≤0.40的信息。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，將上述初始化激光的功率除以上述初始化激光的照射面積、再除以上述初始化激光的掃描速度所得的值設為初始化激光功率密度Di時，上述記錄層以1.20≤Di≤1.55的條件被初始化。
4.一種光記錄方法，將記錄信息記錄在相變型光記錄介質(zhì)的記錄層上，其特征在于，包括調(diào)制步驟，調(diào)制上述記錄信息來生成調(diào)制數(shù)據(jù)；標記長度生成步驟，根據(jù)上述調(diào)制數(shù)據(jù)來生成期望的標記長度；以及記錄步驟，根據(jù)上述標記長度生成記錄脈沖圖案，并按照上述記錄脈沖圖案向上述記錄層照射記錄光來記錄表示上述記錄信息的記錄標記，其中，該記錄脈沖圖案包括從擦除功率上升、且在比上述擦除功率大的記錄功率和比上述擦除功率小的最低功率之間形成的記錄脈沖，以及從上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脈沖；上述記錄步驟以從第1記錄線速度Vl、第2記錄線速度Vm以及第3記錄線速度Vh中選擇的對上述記錄層的記錄線速度來進行記錄，其中，Vl＜Vm＜Vh；上述記錄步驟中的以上述第1記錄線速度Vl進行的記錄、以上述第2記錄線速度Vm進行的記錄以及以上述第3記錄線速度Vh進行的記錄中，上述第1記錄線速度Vl上的第1擦除功率Pel除以第1記錄功率Pwl所得的第1功率比εl、上述第2記錄線速度Vm上的第2擦除功率Pem除以第2記錄功率Pwm所得的第2功率比εm、以及上述第3記錄線速度Vh上的第3擦除功率Peh除以第3記錄功率Pwh所得的第3功率比εh滿足下述(1)式的關系εh＜εm＜εl…(1)。
5.如權(quán)利要求4所述的光記錄方法，其特征在于，在設上述第3功率比εh和上述第1功率比εl之比εh/εl為α時，上述記錄步驟中的以上述第1記錄線速度Vl進行的記錄和以上述第3記錄線速度Vh進行的記錄滿足下述(2)式的關系0.45＜α＜0.80 …(2)。
6.如權(quán)利要求4或5所述的光記錄方法，其特征在于，上述記錄步驟中的以上述第1記錄線速度Vl進行的記錄、以上述第2記錄線速度Vm進行的記錄以及以上述第3記錄線速度Vh進行的記錄滿足下述(3)式的關系Pwl＜Pwm＜Pwh…(3)。
7.一種光記錄裝置，將記錄信息記錄在相變型光記錄介質(zhì)的記錄層上，其特征在于，包括編碼器，調(diào)制上述記錄信息來生成調(diào)制數(shù)據(jù)；標記長度生成部，根據(jù)上述調(diào)制數(shù)據(jù)來生成期望的標記長度；以及記錄部，根據(jù)上述標記長度生成記錄脈沖圖案，并按照上述記錄脈沖圖案向上述記錄層照射記錄光來記錄表示上述記錄信息的記錄標記，其中，該記錄脈沖圖案包括從擦除功率上升、且在比上述擦除功率大的記錄功率和比上述擦除功率小的最低功率之間形成的記錄脈沖，以及從上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脈沖；上述記錄部以從第1記錄線速度Vl、第2記錄線速度Vm以及第3記錄線速度Vh中選擇的對上述記錄層的記錄線速度來進行記錄，其中，Vl＜Vm＜Vh；上述記錄部中的以上述第1記錄線速度Vl進行的記錄、以上述第2記錄線速度Vm進行的記錄以及以上述第3記錄線速度Vh進行的記錄中，上述第1記錄線速度Vl上的第1擦除功率Pel除以第1記錄功率Pwl所得的第1功率比εl、上述第2記錄線速度Vm上的第2擦除功率Pem除以第2記錄功率Pwm所得的第2功率比εm、以及上述第3記錄線速度Vh上的第3擦除功率Peh除以第3記錄功率Pwh所得的第3功率比εh滿足下述(1)式的關系εh＜εm＜εl…(1)。
8.如權(quán)利要求7所述的光記錄裝置，其特征在于，在設上述第3功率比εh和上述第1功率比εl之比εh/εl為α時，上述記錄部中的以上述第1記錄線速度Vl進行的記錄和以上述第3記錄線速度Vh進行的記錄滿足下述(2)式的關系0.45＜α＜0.80 …(2)。
9.如權(quán)利要求7或8所述的光記錄裝置，其特征在于，上述記錄部中的以上述第1記錄線速度Vl進行的記錄、以上述第2記錄線速度Vm進行的記錄以及以上述第3記錄線速度Vh進行的記錄滿足下述(3)式的關系Pwl＜Pwm＜Pwh…(3)。
10.一種光記錄介質(zhì)，是相變型光記錄介質(zhì)，其特征在于，具有記錄層，該記錄層通過按照記錄脈沖圖案照射記錄光來記錄表示記錄信息的記錄標記，該記錄脈沖圖案包括從擦除功率上升、且在比上述擦除功率大的記錄功率和比上述擦除功率小的最低功率之間形成的記錄脈沖，以及從上述最低功率向上述擦除功率上升的擦除脈沖；在上述記錄層的規(guī)定區(qū)域記錄著表示第1記錄線速度Vl、第2記錄線速度Vm以及第3記錄線速度Vh上的各記錄功率和擦除功率的識別信息，其中Vl＜Vm＜Vh，上述識別信息、和上述第1記錄線速度Vl上的第1擦除功率Pel除以第1記錄功率Pwl所得的第1功率比εl、上述第2記錄線速度Vm上的第2擦除功率Pem除以第2記錄功率Pwm所得的第2功率比εm、上述第3記錄線速度Vh上的第3擦除功率Peh除以第3記錄功率Pwh所得的第3功率比εh滿足下述(1)式的關系εh＜εm＜εl …(1)。
11.如權(quán)利要求10所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在設上述第3功率比εh和上述第1功率比εl之比εh/εl為α時，上述識別信息滿足下述(2)式的關系0.45＜α＜0.80 …(2)。
12.如權(quán)利要求10或11所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述識別信息滿足下述(3)式的關系Pwl＜Pwm＜Pwh …(3)。
全文摘要
一種光記錄介質(zhì)，具有基板；記錄層，通過按照記錄脈沖圖案照射記錄光來記錄表示記錄信息的記錄標記，該記錄脈沖圖案包括從擦除功率上升、且在比擦除功率大的記錄功率和比擦除功率小的最低功率之間形成的記錄脈沖，以及從最低功率向擦除功率上升的擦除脈沖；在向一次也未記錄的未記錄部照射再現(xiàn)光時未記錄部的反射率設為R0、向未記錄部照射了1次具有上述擦除功率的光后照射再現(xiàn)光時未記錄部的反射率設為R1、向未記錄部照射了10次擦除功率的光后照射再現(xiàn)光時未記錄部的反射率設為R10時，光記錄介質(zhì)被初始化成使擦除功率滿足下式的結(jié)晶狀態(tài)1.000＜R1/R0＜1.030，0.030＜R10/R0－R1/R0＜0.150。
文檔編號G11B7/1267GK1967672SQ20061015312
公開日2007年5月23日 申請日期2005年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月30日
發(fā)明者田畑浩, 松本郁夫, 德井健二, 米原和男, 下舞賢一 申請人:日本勝利株式會社