專利名稱：具可撓性的存儲器模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型為一種具可撓性的存儲器模塊，尤指于基板一側(cè)延設(shè)有具可撓性軟板的存儲器模塊，以增加其所設(shè)置的存儲器芯片的數(shù)量，且不需增加存儲器模塊的安裝空間。
背景技術(shù)：
隨著電子工業(yè)的進(jìn)步及電子科技應(yīng)用的快速發(fā)展，愈來愈多的電子產(chǎn)品被頻繁的應(yīng)用于日常生活中，以提升作業(yè)的方便性與生活品質(zhì)，在許多不同的電子產(chǎn)品應(yīng)用之中，皆須使用到許多不同種類的存儲器元件，以提供各項(xiàng)操作所需的信息，且可作為資料與信息交換、暫存等空間之用，特別是計(jì)算機(jī)、通訊以及消費(fèi)性電子產(chǎn)品等皆有日益頻繁的應(yīng)用。
而目前常見的存儲器模塊包括有SIMM(Single In-Line Memory Module)、DIMM(DualIn-Line Memory Module)、RIMM(Direct Rambus Memory Module)等，但無論是SIMM、DIMM或是RIMM，其多為單面8顆存儲器芯片、單面4顆存儲器芯片或雙面16顆存儲器芯片，故若要增加存儲器模塊的記憶容量，均必須先提升單顆存儲器芯片的容量，才能增加存儲器模塊的記憶容量，再者，由于科技的發(fā)展與制造技術(shù)的進(jìn)步，造成計(jì)算機(jī)愈加普及且其元件愈形縮小，也因此輕、薄、短、小的電子產(chǎn)品日漸的被開發(fā)，而輕、薄、短、小的電子產(chǎn)品由于具有處理大量數(shù)字化信息的強(qiáng)大功能以及方便攜帶的外觀尺寸與重量，因而受到社會大眾的喜愛與廣泛應(yīng)用，但因其空間有限，無法提供如現(xiàn)有技術(shù)電子產(chǎn)品一般的空間，故發(fā)展出一種小型雙面存儲器模塊(Small Outline DIMM，SO DIMM)，以作為筆記型計(jì)算機(jī)等可攜式電子產(chǎn)品的存儲器，此一小型雙面存儲器模塊(SODIMM)為單面設(shè)置4顆存儲器芯片，故若要增加其記憶容量，仍必須先提升單顆存儲器芯片才能達(dá)成，也因此也造成提升單個(gè)小型雙面存儲器模塊(SO DIMM)記憶容量的困難性。
由此，如何改善存儲器模塊的結(jié)構(gòu)，以增加其所設(shè)置的存儲器芯片的數(shù)量，讓存儲器模塊能在存儲器芯片的容量不變下，能大幅提升其記憶容量，即為從事此行業(yè)的相關(guān)廠商所亟欲研究改善的方向所在。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種具可撓性的存儲器模塊，該存儲器模塊基板的一側(cè)延伸設(shè)有具可撓性的軟板，且軟板上亦設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片，當(dāng)基板插入存儲器模塊插槽時(shí)，基板的復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)與存儲器模塊插槽的腳位呈電性連接，而使用者可對軟板進(jìn)行彎折，使基板與軟板呈層疊狀，藉此在存儲器芯片的容量不變下，透過存儲器芯片數(shù)量的增加提升存儲器模塊的記憶容量，且不需額外增加存儲器模塊安裝的空間，以讓電子產(chǎn)品更符合輕、薄、短、小的趨勢。
為達(dá)成上述目的及功效，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)特征如下一種具可撓性的存儲器模塊，設(shè)置有基板與復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片，而復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片設(shè)置于基板上，且基板上設(shè)有相關(guān)控制電路的布線，并于基板一側(cè)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)與預(yù)設(shè)的存儲器模塊插槽的腳位呈電性連接，其特征在于該基板于遠(yuǎn)離復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)的一側(cè)延設(shè)有具可撓性的軟板，而軟板具有相關(guān)控制電路的布線，并于軟板上設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片，且軟板為可彎折并與基板呈層疊狀。
為達(dá)成上述目的，本實(shí)用新型采用的另一技術(shù)特征如下
一種具可撓性的存儲器模塊，設(shè)置有第一基板與復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片，而復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片設(shè)置于第一基板上，且第一基板上設(shè)有相關(guān)控制電路的布線，并于第一基板一側(cè)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)與預(yù)設(shè)的存儲器模塊插槽的腳位呈電性連接，其特征在于該第一基板于遠(yuǎn)離復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)的一側(cè)延設(shè)有具可撓性的軟板，而軟板具有相關(guān)控制電路的布線，并于軟板遠(yuǎn)離第一基板的一側(cè)設(shè)有第二基板，且第二基板設(shè)有相關(guān)控制電路的布線與復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片，而軟板可進(jìn)行彎折以讓第一基板與第二基板呈層疊狀。
以下將結(jié)合附圖與本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例詳加說明其特征與功能，以便于完全了解。


圖1為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的立體示意圖。
圖2為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例于使用時(shí)的示意圖(一)。
圖3為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例于使用時(shí)的示意圖(二)。
圖4為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例于使用時(shí)的示意圖(三)。
圖5為本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施例的立體示意圖(一)。
圖6為本實(shí)用新型再一較佳實(shí)施例的立體示意圖(二)。
圖7為本實(shí)用新型再一較佳實(shí)施例的立體示意圖。
圖中符號說明1、存儲器模塊11、基板111、接點(diǎn)12、軟板121、卡扣部13、存儲器芯片2、存儲器模塊插槽21、凸塊
3、存儲器模塊31、第一基板311、接點(diǎn)32、軟板33、第二基板34、存儲器芯片具體實(shí)施方式
請參閱圖1所示，為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的立體示意圖，由圖中所示可清楚看出，本實(shí)用新型的具可撓性的存儲器模塊1包括有基板11、具可撓性的軟板12以及復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片13所組成，其中該基板11設(shè)置有相關(guān)控制電路的布線與復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)111，該基板11可為印刷電路板。
該軟板12設(shè)置于基板11遠(yuǎn)離復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)111的一側(cè)，且軟板12設(shè)置有相關(guān)控制電路的布線。
該復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片13設(shè)置于基板11與軟板12上，且存儲器芯片13可為DRAM、EDO DRAM、SDRAM、DDRSDRAM、DDRII SDRAM、DDRIII SDRAM、SRAM或Flash芯片。
請同時(shí)參閱圖2、3、4所示，為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例于使用時(shí)的示意圖(一)、示意圖(二)以及示意圖(三)，由圖中所示可清楚看出，當(dāng)本實(shí)用新型的具可撓性的存儲器模塊1于使用時(shí)，為先將基板11插入存儲器模塊插槽2內(nèi)，使基板11的復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)111與存儲器模塊插槽2的腳位呈電性連接，此時(shí)使用者即可將軟板12向存儲器模塊插槽2的方向彎折(如圖3箭頭所示)，以使軟板12呈彎曲狀，并讓基板11與軟板12呈層疊狀(如圖4所示)，藉由基板11與軟板12的延伸結(jié)構(gòu)，可大幅增加存儲器模塊1所設(shè)置的存儲器芯片13，使記憶容量呈倍數(shù)成長，再者，軟板12可進(jìn)行彎折并與基板11呈層疊狀，即不需要額外增加存儲器模塊1安裝所需的空間，以讓電子產(chǎn)品能符合輕、薄、短、小的趨勢。
請參閱圖5、圖6所示，為本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施例的立體示意圖(一)與立體示意圖(二)，由圖中所示可清楚看出，該存儲器模塊1的軟板12設(shè)有卡扣部121，且存儲器模塊插槽2為設(shè)置有凸塊21，當(dāng)基板11插入存儲器模塊插槽2時(shí)，使用者即可將軟板12向存儲器模塊插槽2的方向彎折，使軟板12呈彎曲狀并讓基板11與軟板12呈層疊狀，且將軟板12的卡扣部121扣合于存儲器模塊插槽2的凸塊21，使軟板12于彎折后可呈一定位。
上述說明中軟板12的卡扣部121，可于軟板12于彎折后扣合于存儲器模塊插槽2的凸塊21，為僅用以讓軟板12于彎折后可呈一定位，亦可利用固定元件將軟板12鎖固呈一定位，非因此即局限本實(shí)用新型的專利范圍，如利用其它修飾及等效結(jié)構(gòu)變化，均應(yīng)同理包含于本實(shí)用新型的專利范圍內(nèi)，合予陳明。
請參閱圖7所示，為本實(shí)用新型再一較佳實(shí)施例的立體示意圖，由圖中所示可清楚看出，本實(shí)用新型的具可撓性的存儲器模塊3設(shè)置有第一基板31，且第一基板31上設(shè)有相關(guān)控制電路的布線，并于第一基板31一側(cè)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)311，而遠(yuǎn)離復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)311的一側(cè)則依序設(shè)有軟板32與第二基板33，且軟板32與第二基33板亦設(shè)有有相關(guān)控制電路的布線，而第一基板31與第二基板33分別設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片34，藉由第一基板31與第二基板33的延伸結(jié)構(gòu)，可大幅增加存儲器模塊3所設(shè)置的存儲器芯片34，使記憶容量呈倍數(shù)成長，而其于使用時(shí)為可將軟板32進(jìn)行彎折，以使第一基板31與第二基板33呈層疊狀，而不需要額外增加存儲器模塊3安裝所需的空間，以讓電子產(chǎn)品能符合輕、薄、短、小的趨勢。
上述再一較佳實(shí)施例所述及的軟板32可進(jìn)行彎折，并使第一基板31與第二基板33呈層疊狀，并可透過定位手段使軟板12于彎折后可呈一定位，然而，如于存儲器模塊插槽2設(shè)置夾持部夾持第二基板33，然而，此部份因非本實(shí)用新型的重點(diǎn)所在，所以在本說明書中僅以簡單敘述，以供了解。
上述再一較佳實(shí)施例所述及的第二基板33可進(jìn)一步設(shè)置卡扣部，且存儲器模塊插槽設(shè)置有凸塊，以讓軟板32彎折并使第一基板31與第二基板33呈層疊狀時(shí)，讓第二基板可利用卡扣部扣合于扣合于存儲器模塊插槽的凸塊，讓軟板32于彎折后讓第二基板33呈一定位，亦可利用固定元件將第二基板33鎖固呈一定位，非因此即局限本實(shí)用新型的專利范圍，如利用其它修飾及等效結(jié)構(gòu)變化，均應(yīng)同理包含于本實(shí)用新型的專利范圍內(nèi)，合予陳明。
上述說明的存儲器芯片13、34可為DRAM、EDO DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、DDRII SDRAM、DDRIII SDRAM、SRAM或Flash芯片，以上說明存儲器芯片13、34的較佳實(shí)施形態(tài)以及等效結(jié)構(gòu)變化而已，非因此即局限本實(shí)用新型的專利范圍，如利用其它修飾及等效結(jié)構(gòu)變化，均應(yīng)同理包含于本實(shí)用新型的專利范圍內(nèi)，合予陳明。
而本實(shí)用新型的保護(hù)重點(diǎn)為針對于基板于一側(cè)延設(shè)有軟板，藉由軟板可撓的特性讓存儲器模塊進(jìn)行彎折，以使存儲器模塊擁有更大的面積設(shè)置存儲器芯片，進(jìn)而增加存儲器模塊的記憶容量，凡運(yùn)用本實(shí)用新型所采用的原理及等效結(jié)構(gòu)變化，均應(yīng)同理包含于本實(shí)用新型的專利范圍內(nèi)，合予陳明。
本實(shí)用新型的具可撓性的存儲器模塊于實(shí)際使用時(shí)為可將可撓性基板進(jìn)行彎折，以讓可撓性基板呈一彎曲狀，以讓存儲器模塊與存儲器模塊呈層疊狀，藉此，可讓電子產(chǎn)品將節(jié)省存儲器模塊安裝所需的空間，進(jìn)一步讓電子產(chǎn)品更加符合輕、薄、短、小的趨勢。
綜上所述，本實(shí)用新型上述的具可撓性的存儲器模塊于使用時(shí)，確實(shí)能達(dá)到其功效及目的，故本實(shí)用新型誠為一實(shí)用性優(yōu)異的設(shè)計(jì)，符合專利的申請要件，依法提出申請。
權(quán)利要求1.一種具可撓性的存儲器模塊，設(shè)置有基板與復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片，而復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片設(shè)置于基板上，且基板上設(shè)有相關(guān)控制電路的布線，并于基板一側(cè)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)與預(yù)設(shè)的存儲器模塊插槽的腳位呈電性連接，其特征是，該基板于遠(yuǎn)離復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)的一側(cè)延設(shè)有具可撓性的軟板，而軟板具有相關(guān)控制電路的布線，并于軟板上設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片，且軟板為可彎折并與基板呈層疊狀。
2.一種具可撓性的存儲器模塊，設(shè)置有第一基板與復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片，而復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片設(shè)置于第一基板上，且第一基板上設(shè)有相關(guān)控制電路的布線，并于第一基板一側(cè)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)與預(yù)設(shè)的存儲器模塊插槽的腳位呈電性連接，其特征是，該第一基板于遠(yuǎn)離復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)的一側(cè)延設(shè)有具可撓性的軟板，而軟板具有相關(guān)控制電路的布線，并于軟板遠(yuǎn)離第一基板的一側(cè)設(shè)有第二基板，該第二基板設(shè)有相關(guān)控制電路的布線與復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片，而軟板為可進(jìn)行彎折以讓第一基板與第二基板呈層疊狀。
3.如權(quán)利要求1或2所述的具可撓性的存儲器模塊，其中該存儲器芯片選自于DRAM、EDO DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、DDRII SDRAM、DDRIII SDRAM、SRAM或Flash芯片。
4.如權(quán)利要求1所述的具可撓性的存儲器模塊，其特征是，該軟板設(shè)有可扣合于存儲器模塊插槽的凸塊的卡扣部。
5.如權(quán)利要求2所述的具可撓性的存儲器模塊，其特征是，該第二基板設(shè)有可扣合于存儲器模塊插槽的凸塊的卡扣部。
專利摘要本實(shí)用新型為一種具可撓性的存儲器模塊，包括基板、復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片以及具可撓性的軟板構(gòu)成，該基板上設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片與其相關(guān)控制電路的布線，并于基板的一側(cè)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)，且基板遠(yuǎn)離復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)的一側(cè)延設(shè)有軟板，而軟板上亦設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)存儲器芯片與其相關(guān)控制電路的布線；使用時(shí)，先將基板插入存儲器模塊插槽內(nèi)，使基板的復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)與存儲器模塊插槽的腳位呈電性連接，且使用者可對軟板進(jìn)行彎折，以讓基板與軟板呈層疊狀，藉此透過存儲器芯片數(shù)量的增加可以提升其記憶容量，且不需額外增加存儲器模塊安裝的空間。
文檔編號G11C5/06GK2881885SQ20062000242
公開日2007年3月21日 申請日期2006年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月16日
發(fā)明者連世雄 申請人:宏連國際科技股份有限公司