專(zhuān)利名稱(chēng):磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種磁頭,更確切地涉及一種特征在于讀頭屏蔽層的磁
頭
背景技術(shù):
圖10示出了記錄介質(zhì)5與從記錄介質(zhì)5讀取數(shù)據(jù)的磁頭的讀頭之間 的位置關(guān)系。在讀頭中,讀元件10夾在作為磁性層的下屏蔽層12與上 屏蔽層14之間。下屏蔽層12和上屏蔽層14屏蔽讀元件10,以防止并非 目標(biāo)位的位的磁場(chǎng)作用到讀元件10。下屏蔽層12和上屏蔽層14由軟磁 性材料制成,并通常通過(guò)電解鍍敷而形成為矩形。
讀元件IO包括定向自由層的磁化方向的硬膜。在磁頭的生產(chǎn)過(guò)程中, 作為磁化處理,對(duì)磁頭施加強(qiáng)磁場(chǎng),從而定向硬膜的磁化方向。通過(guò)施 加強(qiáng)磁場(chǎng),作為軟磁性層的下屏蔽層12和上屏蔽層14分別具有單個(gè)磁 疇。此外,在完成磁化處理之后,它們具有圖11A至11C所示的疇設(shè)置。
圖IIA至IIC所示的疇設(shè)置稱(chēng)為回流疇結(jié)構(gòu),在各個(gè)回流疇結(jié)構(gòu)中 屏蔽層能夠進(jìn)行有效屏蔽。圖IIA和IIB表示四疇結(jié)構(gòu)的示例;圖11C 表示七疇結(jié)構(gòu)的示例。在這些示例中,磁頭具有足夠的磁屏蔽特性。在 四疇結(jié)構(gòu)的情況下,下屏蔽層12和上屏蔽層14形成為矩形,因此圖11A 所示的順時(shí)針疇結(jié)構(gòu)和圖11B所示的逆時(shí)針疇結(jié)構(gòu)的形成概率相同。
在圖11A至11C所示的疇結(jié)構(gòu)中,屏蔽功能有效地作用。讀元件IO 容易受來(lái)自下屏蔽層12和上屏蔽層14的漏磁場(chǎng)的影響,在磁疇的磁壁 處容易產(chǎn)生來(lái)自屏蔽層的漏磁場(chǎng)。如圖11A至11C所示,讀元件10與磁 壁分離,因此,即使磁壁移動(dòng),也可以保護(hù)讀元件10免受漏磁場(chǎng)的影響。 因此,圖11A至11C所示的磁疇結(jié)構(gòu)是有效的。當(dāng)生產(chǎn)磁頭時(shí),調(diào)整屏 蔽層的厚度、形狀和成分,從而形成回流磁疇結(jié)構(gòu)而不形成其中通過(guò)磁 化處理而將磁疇設(shè)置在縱向上的"縱向設(shè)置磁疇"。
在生產(chǎn)磁頭的過(guò)程中,將屏蔽層形成為具有穩(wěn)定的回流磁疇結(jié)構(gòu)。 然而,磁疇的形狀由于來(lái)自記錄介質(zhì)的磁場(chǎng)、來(lái)自磁頭的寫(xiě)頭的漏磁場(chǎng)、 作用到磁頭的外部磁場(chǎng)、記錄線圈的熱量引起的應(yīng)力等而改變,從而讀 元件的特性發(fā)生變化。由于改變屏蔽層的磁疇的形狀,磁壁移動(dòng)為靠近 讀元件,從而來(lái)自磁壁的漏磁場(chǎng)作為磁噪音不利地影響讀元件。
此外,如上所述,使磁化場(chǎng)消失從而定向硬膜的磁化方向。在四疇 結(jié)構(gòu)的情況下,順時(shí)針疇結(jié)構(gòu)和逆時(shí)針疇結(jié)構(gòu)的形成概率相同。順時(shí)針 疇結(jié)構(gòu)中的與讀元件對(duì)應(yīng)的磁疇的磁化方向與逆時(shí)針疇結(jié)構(gòu)中的與讀元 件對(duì)應(yīng)的磁疇的磁化方向相反。因此,讀元件的輸出信號(hào)和特性發(fā)生變 化。
專(zhuān)利文件1 日本特表2004-501478號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文件2 日本特開(kāi)平11-31306號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文件3 日本特開(kāi)2002-50009號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
構(gòu)想了本發(fā)明以解決上述問(wèn)題。
本發(fā)明的目的是提供一種磁頭,其能夠穩(wěn)定讀頭屏蔽層中的磁疇的 設(shè)置,防止讀元件的特性的變化并改進(jìn)可靠性。 為了獲得該目的,本發(fā)明具有以下結(jié)構(gòu)。
艮口,本發(fā)明的磁頭包括其中讀元件被屏蔽層磁屏蔽的讀頭,在屏蔽 層形成于其上的基層中形成有臺(tái)階形部分,該臺(tái)階形部分對(duì)應(yīng)于由磁化 處理之后形成在屏蔽層中的期望磁疇所限定的多個(gè)疇區(qū)域中的至少一個(gè) 的邊界。
在所述磁頭中,由臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域的高度可以低于其他疇 區(qū)域的高度,并且由臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域的高度可能高于其他疇區(qū) 域的高度。根據(jù)這些結(jié)構(gòu),可以在己磁化的屏蔽層中按期望設(shè)置磁疇。
在所述磁頭中,可以在由臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域中形成與基層分 開(kāi)地形成的臺(tái)階圖案,所述臺(tái)階圖案的高度可以低于其他疇區(qū)域的高度。
此外,可以在由臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域中形成與基層分開(kāi)地形成的臺(tái) 階圖案,所述臺(tái)階圖案的高度可以高于其他疇區(qū)域的高度。根據(jù)這些結(jié) 構(gòu),也可以在已磁化的屏蔽層中按期望設(shè)置磁疇。
另一磁頭包括其中讀元件被屏蔽層磁屏蔽的讀頭,在屏蔽層形成于 其上的基層中形成有臺(tái)階形切口,該臺(tái)階形切口對(duì)應(yīng)于由磁化處理之后 形成在屏蔽層中的期望磁疇所限定的多個(gè)疇區(qū)域中的至少一個(gè)的邊界。
此外,另一磁頭包括其中讀元件被屏蔽層磁屏蔽的讀頭,在屏蔽層 的表面中形成有臺(tái)階形切口,該臺(tái)階形切口對(duì)應(yīng)于由磁化處理之后形成 在屏蔽層中的期望磁疇所限定的多個(gè)疇區(qū)域中的至少一個(gè)的邊界。
在所述磁頭中,由臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域的高度可以低于其他疇 區(qū)域的高度,由臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域的高度可以高于其他疇區(qū)域的 高度。根據(jù)這些結(jié)構(gòu),可以在已磁化的屏蔽層中按期望設(shè)置磁疇。
此外,在各個(gè)磁頭中,可以關(guān)于屏蔽層的高度方向不對(duì)稱(chēng)地設(shè)置在 屏蔽層中產(chǎn)生的磁疇,并且可以最大化與讀元件交疊的磁疇面積。根據(jù) 該結(jié)構(gòu),屏蔽層的磁壁永遠(yuǎn)不會(huì)干擾讀元件,從而可以改進(jìn)讀元件的可 靠性。在磁化處理中,磁化方向成為與讀元件齊平的磁疇的磁化方向, 從而可以抑制讀元件的輸出信號(hào)的變化。
在本發(fā)明的磁頭中,在屏蔽層的基層或者屏蔽層的表面中形成有臺(tái) 階形部分。因此,當(dāng)在完成磁化處理之后在屏蔽層中形成磁疇時(shí),由臺(tái) 階形部分感生出磁壁,從而可以按期望設(shè)置屏蔽層的磁疇。根據(jù)該結(jié)構(gòu), 可以穩(wěn)定屏蔽層的疇設(shè)置,并且可以改進(jìn)磁頭的可靠性。
現(xiàn)在通過(guò)示例并參照附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例,在附圖中 圖1A是第一實(shí)施例的磁頭的基層的平面圖; 圖1B是沿圖1A所示的線A-A截取的剖面圖; 圖1C是磁頭的屏蔽層的平面圖2A是形成在基層中的臺(tái)階形部分的示例的平面圖; 圖2B是沿圖2A所示的線A-A截取的剖面圖3A是形成在基層中的臺(tái)階形部分的另一示例的平面圖3B是沿圖3A所示的線A-A截取的剖面圖; 圖4A和4B是具有七疇結(jié)構(gòu)的屏蔽層的平面圖,其中每一個(gè)都在基 層中形成有臺(tái)階形部分;
圖5A是第二實(shí)施例的形成在基層中的臺(tái)階圖案的示例的平面圖5B是沿圖5A所示的線A-A截取的剖面圖5C是臺(tái)階圖案的另一示例的平面圖5D是沿圖5C所示的線B-B截取的剖面圖6A是第三實(shí)施例的形成在基層中的臺(tái)階形切口的示例的平面圖6B是沿圖6A所示的線A-A截取的剖面圖6C是臺(tái)階形切口的另一示例的平面圖7A是第四實(shí)施例的形成在基層中的臺(tái)階圖案的示例的平面圖; 圖7B是沿圖7A所示的線A-A截取的剖面圖; 圖7C是臺(tái)階圖案的另一示例的平面圖; 圖7D是表示磁疇設(shè)置的說(shuō)明圖8A至8C是第五實(shí)施例的形成在基層等中的臺(tái)階形部分的示例的 平面圖9A是其中施加磁化場(chǎng)的屏蔽層的疇結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖9B是其中磁化場(chǎng)消失的屏蔽層的疇結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖IO是表示記錄介質(zhì)與讀元件之間的位置關(guān)系的說(shuō)明圖;以及
圖11是表示屏蔽層的磁疇設(shè)置的說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
(第一實(shí)施例)
第一實(shí)施例的特征在于,在讀頭的多個(gè)屏蔽層(下屏蔽層和上屏蔽 層)的多個(gè)基層中形成有臺(tái)階形部分,向基層設(shè)置臺(tái)階形部分,并且在 具有臺(tái)階形部分的基層上分別形成屏蔽層,從而穩(wěn)定屏蔽層的磁疇結(jié)構(gòu)。
圖1A是基層的平面圖,圖1B是沿圖1A所示的線A-A截取的剖面
圖。在圖1A和IB中,在磁化處理之后形成回流四疇結(jié)構(gòu)。在基層30 中沿梯形疇區(qū)域的邊緣或邊界形成臺(tái)階形部分32,梯形疇區(qū)域的表面是 臺(tái)階面32a。在與讀元件對(duì)應(yīng)的另一梯形疇區(qū)域的相對(duì)側(cè)上設(shè)置具有臺(tái)階 面32a的梯形疇區(qū)域。
圖1C是其中通過(guò)電解鍍敷在基層30上形成磁性層的屏蔽層20及其 在完成磁化處理之后形成的磁疇結(jié)構(gòu)的平面圖。通過(guò)形成臺(tái)階形部分32 而在基層30上形成磁性層,從而將磁疇設(shè)置為沿臺(tái)階形部分32形成磁 壁。因此,可以形成圖1C所示的回流疇結(jié)構(gòu)。
在磁膜中,由于膜的缺陷而使得磁壁的位置移動(dòng),當(dāng)磁壁移動(dòng)時(shí), 磁壁難以越過(guò)臺(tái)階形部分,沿著臺(tái)階形部分感生出磁壁。因此,形成這 樣的磁疇結(jié)構(gòu)。通過(guò)使用磁膜的特性,在磁膜中根據(jù)要在屏蔽層20中實(shí) 現(xiàn)的期望疇結(jié)構(gòu)而形成臺(tái)階形部分,從而可以在屏蔽層20中形成期望的 疇結(jié)構(gòu)。
在圖2A和2B中,像圖1A至1C所示的示例一樣,在基層30上形 成臺(tái)階形部分32,但是臺(tái)階面32a形成在圖1A所示的臺(tái)階面32a的相對(duì) 側(cè)。可以根據(jù)要在屏蔽層20中實(shí)現(xiàn)的期望疇結(jié)構(gòu)來(lái)設(shè)計(jì)形成在基層30 上的臺(tái)階形部分32,因此可以在另一側(cè)形成臺(tái)階面32a。
在圖3A和3B中,在基層30上沿著四疇結(jié)構(gòu)的兩個(gè)三角形疇的邊 緣形成臺(tái)階形部分。圖3B是沿圖3A所示的線A-A截取的剖面圖。將基 層30形成為在四疇結(jié)構(gòu)的三角形疇區(qū)域中形成臺(tái)階面32a,然后形成屏 蔽層,從而可以形成回流四疇結(jié)構(gòu)。基層30的臺(tái)階面32a對(duì)應(yīng)于至少一 個(gè)疇區(qū)域以形成屏蔽層的回流疇結(jié)構(gòu)。
在圖3A和3B所示的示例中,在右三角形疇區(qū)域和左三角形疇區(qū)域 中形成臺(tái)階面32a,但是也可以在多個(gè)三角形疇區(qū)域中的一個(gè)中形成一個(gè) 臺(tái)階面32a以形成回流四疇結(jié)構(gòu)。注意,如果三角形疇區(qū)域的角度e是 90度,則可以形成穩(wěn)定的回流四疇結(jié)構(gòu)。
例如,通過(guò)以下步驟在下屏蔽層12中形成臺(tái)階形部分32和臺(tái)階面 32a:在成為基層30的基板上形成光刻膠圖案,對(duì)其表面的形成臺(tái)階面 32a的部分進(jìn)行曝光;并且通過(guò)離子銑削對(duì)其中形成基層30的臺(tái)階面32a 的部分進(jìn)行切割。
另一方面,通過(guò)以下步驟在上屏蔽層14中形成臺(tái)階形部分32和臺(tái) 階面32a:在例如由氧化鋁制成并形成在上屏蔽層14之下的絕緣層上形 成光刻膠圖案,對(duì)其表面的形成臺(tái)階面32a的部分進(jìn)行曝光;并且通過(guò) 離子銑削形成臺(tái)階面32a。
下屏蔽層12和上屏蔽層14的厚度是幾u(yù) m。臺(tái)階形部分32的高度 等于或小于該厚度。
在第一實(shí)施例中,屏蔽層具有四疇結(jié)構(gòu)。與圖IIC所示的示例一樣, 圖4A和4B所示的示例具有回流七疇結(jié)構(gòu)。
在圖4A中,沿著形成在具有七疇結(jié)構(gòu)的屏蔽層的兩個(gè)縱向端部中的 三角形疇區(qū)域的邊緣形成臺(tái)階部分32。
在圖4B中,沿著作為七疇結(jié)構(gòu)的中央?yún)^(qū)域的六邊形疇區(qū)域的邊緣形 成臺(tái)階形部分32,六邊形疇區(qū)域的表面是臺(tái)階面32a。
也在此示例中,當(dāng)磁化場(chǎng)消失時(shí)產(chǎn)生的磁疇的磁壁感生于臺(tái)階形部 分32的位置,從而可以實(shí)現(xiàn)圖IIC所示的回流七疇結(jié)構(gòu)。
通過(guò)將屏蔽層20形成為回流四疇結(jié)構(gòu)或回流七疇結(jié)構(gòu),可以改進(jìn)屏 蔽層20的屏蔽特性,可以穩(wěn)定磁疇,可以防止磁頭特性的變化,并且可 以穩(wěn)定磁頭的特性。 (第二實(shí)施例)
圖5A至5D中示出了第二實(shí)施例的磁頭。注意,對(duì)第一實(shí)施例中說(shuō) 明了的結(jié)構(gòu)元件分配相同標(biāo)號(hào)并且略去說(shuō)明。
在基層中形成一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階形部分從而在屏蔽層中形成回流疇結(jié) 構(gòu)的情況下,臺(tái)階面的高度可以低于或高于其他疇區(qū)域的表面的高度。
在第一實(shí)施例中,通過(guò)離子銑削而在基層30中形成臺(tái)階形部分32 和臺(tái)階面32a。在本實(shí)施例中,通過(guò)與基層30分開(kāi)地形成為形成臺(tái)階形 部分32而形成的臺(tái)階圖案,從而形成臺(tái)階形部分32。
圖5A至5D中示出了本實(shí)施例的示例。在基層30上分開(kāi)地形成作 為金屬層的臺(tái)階圖案34和36。在圖5A中,在四疇結(jié)構(gòu)的梯形疇區(qū)域中 形成臺(tái)階圖案34。圖5B是沿圖5A所示的線A-A截取的剖面圖。另一
方面,在圖5C中,分別在四疇結(jié)構(gòu)的三角形疇區(qū)域中形成臺(tái)階圖案34。 圖5D是沿圖5C所示的線B-B截取的剖面圖。
在各個(gè)示例中,臺(tái)階圖案34和36的邊緣對(duì)應(yīng)于屏蔽層的磁疇的邊 緣或邊界。
臺(tái)階圖案34和36由以下步驟形成例如通過(guò)濺射或鍍敷而在基層 30的表面上形成金屬層;并且使用光刻膠圖案作為刻蝕掩模對(duì)金屬層進(jìn) 行刻蝕。在另一情況下,可以形成具有規(guī)定圖案的絕緣層而不是金屬層。
注意,在圖5A和5C中,當(dāng)在基層中形成臺(tái)階圖案時(shí),可以在并非 陰影疇區(qū)域的疇區(qū)域中形成臺(tái)階圖案。在此情況下,臺(tái)階圖案的邊緣也 對(duì)應(yīng)于疇區(qū)域的邊緣或邊界。 (第三實(shí)施例)
圖6A至6C中示出了第三實(shí)施例的磁頭。注意,對(duì)前述實(shí)施例中說(shuō) 明了的結(jié)構(gòu)元件分配相同的標(biāo)號(hào)并且略去說(shuō)明。
在第三實(shí)施例中,屏蔽層具有回流四疇結(jié)構(gòu)。通過(guò)在屏蔽層將形成 于其上的基層40中形成與構(gòu)成回流磁疇結(jié)構(gòu)的磁疇的邊緣或邊界對(duì)應(yīng)的 臺(tái)階形切口40a,形成此結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中,基層40是形成在基板上 的金屬膜層。
在圖6A中,在基層40中沿著四疇結(jié)構(gòu)的梯形疇區(qū)域之間的中央邊 界形成臺(tái)階形切口 40a。圖6B是沿圖6A所示的線A-A截取的剖面圖。 此外,在圖6C中,在基層40中沿著對(duì)四疇結(jié)構(gòu)的磁疇進(jìn)行分區(qū)的邊界 形成臺(tái)階形切口 40a。
通過(guò)在屏蔽層的基層40中形成與要在屏蔽層中形成的磁疇的邊界 對(duì)應(yīng)的臺(tái)階形切口40a,當(dāng)在基層40的表面上形成屏蔽層時(shí),在其中形 成臺(tái)階形切口 40a的部位將屏蔽層形成為薄凸起。當(dāng)通過(guò)磁化處理在屏 蔽層中形成磁疇時(shí),磁壁感生于其中形成臺(tái)階形切口 40a的部位的位置。 因此,可以形成期望的回流疇結(jié)構(gòu)。 (第四實(shí)施例)
圖7A至7D中示出了第四實(shí)施例的磁頭。注意,對(duì)前述實(shí)施例中說(shuō) 明了的結(jié)構(gòu)元件分配相同的標(biāo)號(hào)并且略去說(shuō)明。
在上述實(shí)施例中,在屏蔽層的基層中形成臺(tái)階形部分32和臺(tái)階形切 口40a,從而在屏蔽層中形成回流疇結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中,通過(guò)以下步驟 形成期望的磁疇結(jié)構(gòu)在基層的表面上形成具有規(guī)定平面圖案(例如矩 形圖案)的屏蔽層20;在屏蔽層20的表面上形成臺(tái)階形部分22;并且 進(jìn)行磁化處理。
在圖7A中,沿著四疇結(jié)構(gòu)中包括的梯形磁疇的邊緣或邊界形成臺(tái)階 形部分22,從而在屏蔽層20的表面中形成臺(tái)階面22a。在圖7C中,沿 著四疇結(jié)構(gòu)中包括的三角形磁疇的邊緣或邊界形成臺(tái)階形部分22,從而 在屏蔽層20的表面中形成臺(tái)階面22a。注意,圖6B是沿圖6A所示的線 A-A截取的剖面圖,圖6D是沿圖6C所示的線B-B截取的剖面圖。
通過(guò)以下步驟形成臺(tái)階面22a:形成屏蔽層20;用光刻膠涂敷屏蔽 層20,對(duì)其表面的將形成臺(tái)階面22a的部分進(jìn)行曝光;并且通過(guò)離子銑 削對(duì)屏蔽層20進(jìn)行切割。
通過(guò)在屏蔽層20的表面中形成臺(tái)階形部分22,磁壁感生于臺(tái)階形 部分22的位置,從而當(dāng)進(jìn)行磁化處理時(shí)可以在屏蔽層20中形成回流四 疇結(jié)構(gòu)。如圖7D所示,根據(jù)臺(tái)階形部分22的位置,在屏蔽層20中形成 四疇結(jié)構(gòu)。
在本實(shí)施例中,臺(tái)階面22a低于其他疇區(qū)域的表面,但是可以通過(guò) 用離子銑削來(lái)切割其他疇區(qū)域的表面而將臺(tái)階面22a制成為高于其他疇 區(qū)域的表面。
此外,可以在屏蔽層20中沿著磁疇的邊界形成窄槽,而不是在屏蔽 層20中形成臺(tái)階形部分22。在此情況下,磁壁的位置也感生于這些槽, 可以在屏蔽層20中形成期望的四疇結(jié)構(gòu)。 (第五實(shí)施例)
圖8A至9B中示出了第五實(shí)施例的磁頭。注意,對(duì)前述實(shí)施例中說(shuō) 明了的結(jié)構(gòu)元件分配相同的標(biāo)號(hào)并且略去說(shuō)明。
如上所述,可以通過(guò)在屏蔽層或屏蔽層的基層中形成臺(tái)階形部分等 而在屏蔽層中形成期望的磁疇結(jié)構(gòu)。磁疇在高度方向(垂直方向)上通 常是對(duì)稱(chēng)設(shè)置的。此外,可以在高度方向上不對(duì)稱(chēng)地設(shè)置磁疇。
圖8A至8C示出了回流四疇結(jié)構(gòu),在其中每一個(gè)回流四疇結(jié)構(gòu)中磁 疇在垂直方向上都是不對(duì)稱(chēng)設(shè)置的。在圖8A中,梯形磁疇之間的邊界向 上偏移,沿邊界形成臺(tái)階形部分32;在圖8B中,三角形臺(tái)階面的頂點(diǎn) 向上偏移;在圖8C中,形成在基層40中的臺(tái)階形切口40a的位置在高 度方向上向上偏移??梢酝ㄟ^(guò)本實(shí)施例和前述實(shí)施例的方法來(lái)控制屏蔽 層的磁疇的位置。
通過(guò)如上所述地設(shè)置臺(tái)階形部分32或臺(tái)階形切口 40a的位置,在磁 化處理之后由臺(tái)階形部分32或臺(tái)階形切口 40a感生屏蔽層20中的磁疇 的設(shè)置,從而可以形成其中磁疇在垂直方向上不對(duì)稱(chēng)設(shè)置的回流疇結(jié)構(gòu)。
圖9A和9B示出了在磁化處理期間屏蔽層20的磁疇。在圖9A中, 通過(guò)強(qiáng)磁化場(chǎng)在屏蔽層20中形成單個(gè)磁疇;在圖9B中,強(qiáng)磁化場(chǎng)消失, 示出了磁疇設(shè)置和磁疇的磁化方向。
如果如上所述地在高度方向上不對(duì)稱(chēng)地設(shè)置屏蔽層20的磁疇,則在 完成磁化處理之后,磁疇的磁化方向與最寬的梯形疇區(qū)域D的磁化方向 相同。在常規(guī)的屏蔽層中,在高度方向上對(duì)稱(chēng)地設(shè)置磁疇,從而在完成 磁化處理之后,以相同概率在屏蔽層中形成順時(shí)針疇結(jié)構(gòu)和逆時(shí)針疇結(jié) 構(gòu)。另一方面,在本實(shí)施例中,在屏蔽層20中不對(duì)稱(chēng)地設(shè)置磁疇,因此 可以在磁化場(chǎng)消失之后可靠地限定磁疇的磁化方向。在圖9A中,向右施 加磁化場(chǎng);如果向左施加磁化場(chǎng),則疇區(qū)域D沿與圖9B所示方向相反 的方向發(fā)生磁化。
通過(guò)限定形成在屏蔽層20中的磁疇的磁化方向,即使向讀元件10 施加來(lái)自屏蔽層20的漏磁場(chǎng),也向讀元件IO施加規(guī)定方向的磁力。因 此,可以解決由于漏磁場(chǎng)方向改變而導(dǎo)致的讀元件10的輸出信號(hào)變化的 問(wèn)題。如果讀元件10對(duì)漏磁場(chǎng)高度敏感,則沿一個(gè)方向控制磁疇的磁化 方向很有效,從而可以改進(jìn)磁頭的特性。
在如圖9B所示的將讀元件10設(shè)置在最寬的梯形疇區(qū)域D中的情況 下,讀元件10遠(yuǎn)離屏蔽層20的磁壁。即使屏蔽層20的磁壁由于外部因 素而移動(dòng),讀元件10受磁壁的影響也較小,從而可以實(shí)現(xiàn)具有穩(wěn)定特性 的磁頭。
下屏蔽層12和上屏蔽層14具有矩形平面形狀,但它們可以具有其
他平面形狀,例如,梯形、六邊形。在本發(fā)明中,可以通過(guò)在屏蔽層或 屏蔽層的基層中形成臺(tái)階形部分等,在完成磁化處理之后在屏蔽層中形 成期望的磁疇結(jié)構(gòu)。因此,屏蔽層的平面形狀不限于矩形。
本發(fā)明可以應(yīng)用于下屏蔽層和/或上屏蔽層。本發(fā)明的特性在于磁頭 的讀頭的屏蔽層的結(jié)構(gòu),因此讀頭的讀元件不受限制。此外,磁頭的寫(xiě) 頭的結(jié)構(gòu)不受限制。
本發(fā)明可以在不脫離其本質(zhì)特征的精神的情況下實(shí)現(xiàn)為其他具體形 式。因此,在所有方面都應(yīng)認(rèn)為本實(shí)施例是說(shuō)明性的而不是限制性的, 本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書(shū)而不是前述說(shuō)明來(lái)表示,因此落入權(quán)利 要求書(shū)的等同物的含義和范圍內(nèi)的所有變化都應(yīng)包括在其中。
權(quán)利要求
1、一種包括讀頭的磁頭,其中讀元件被屏蔽層磁屏蔽,其中,在所述屏蔽層形成于其上的基層中形成有臺(tái)階形部分,并且所述臺(tái)階形部分對(duì)應(yīng)于由要在磁化處理之后形成在所述屏蔽層中的期望磁疇所限定的多個(gè)疇區(qū)域中的至少一個(gè)的邊界。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭,其中,由所述臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域的高度低于其他疇區(qū)域的高度。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭,其中,由所述臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域的高度高于其他疇區(qū)域的高度。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭,其中,在由所述臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域中形成有與所述基層分開(kāi) 形成的臺(tái)階圖案,并且所述臺(tái)階圖案的高度低于其他疇區(qū)域的高度。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭,其中,在由所述臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域中形成有與所述基層分開(kāi) 形成的臺(tái)階圖案,并且所述臺(tái)階圖案的高度高于其他疇區(qū)域的高度。
6、 一種包括讀頭的磁頭,其中讀元件被屏蔽層磁屏蔽,其中,在所述屏蔽層形成于其上的基層中形成有臺(tái)階形切口,并且 所述臺(tái)階形切口對(duì)應(yīng)于由要在磁化處理之后形成在所述屏蔽層中的 期望磁疇所限定的多個(gè)疇區(qū)域中的至少一個(gè)的邊界。
7、 一種包括讀頭的磁頭,其中讀元件被屏蔽層磁屏蔽, 其中,在所述屏蔽層的表面中形成有臺(tái)階形切口,并且 所述臺(tái)階形切口對(duì)應(yīng)于由要在磁化處理之后形成在所述屏蔽層中的期望磁疇所限定的多個(gè)疇區(qū)域中的至少一個(gè)的邊界。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁頭, 其中,由所述臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域的高度低于其他疇區(qū)域的高度。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁頭,其中,由所述臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域的高度高于其他疇區(qū)域的高度。
10、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁頭,其中,在所述屏蔽層中產(chǎn)生的多個(gè)磁疇關(guān)于所述屏蔽層的高度方向 是不對(duì)稱(chēng)地設(shè)置的,并且使與所述讀元件交疊的磁疇的面積最大。
11、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁頭,其中,在所述屏蔽層中產(chǎn)生的多個(gè)磁疇關(guān)于所述屏蔽層的高度方向 是不對(duì)稱(chēng)地設(shè)置的,并且使與所述讀元件交疊的磁疇的面積最大。
12、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁頭,其中,在所述屏蔽層中產(chǎn)生的多個(gè)磁疇關(guān)于所述屏蔽層的高度方向 是不對(duì)稱(chēng)地設(shè)置的,并且使與所述讀元件交疊的磁疇的面積最大。
全文摘要
本發(fā)明提供磁頭。該磁頭能夠穩(wěn)定讀頭的屏蔽層中的磁疇設(shè)置、防止讀元件的特性變化并改進(jìn)可靠性。所述磁頭包括讀頭,其中讀元件被屏蔽層磁屏蔽。在屏蔽層形成于其上的基層中形成有臺(tái)階形部分,所述臺(tái)階形部分對(duì)應(yīng)于由要在磁化處理之后形成在所述屏蔽層中的期望磁疇所限定的多個(gè)疇區(qū)域中的至少一個(gè)的邊界。
文檔編號(hào)G11B5/11GK101097718SQ20071000155
公開(kāi)日2008年1月2日 申請(qǐng)日期2007年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月26日
發(fā)明者上田基仙, 吉池滋, 永井浩史 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社