專利名稱：圖案形成方法和模具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將模具上所形成的微細(xì)的凹凸圖案轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印基片上的圖案形成方法以及其中所使用的模具。
背景技術(shù)：
近年來，半導(dǎo)體集成電路的微細(xì)化、集成化不斷發(fā)展，作為實(shí)現(xiàn)該微細(xì)加工的圖案轉(zhuǎn)印技術(shù)，光刻裝置的高精度化得以發(fā)展。但是，隨著加工方法接近曝光光源的波長(zhǎng)，光刻技術(shù)也接近極限。為此，為了進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)微細(xì)化、高精度化，使用了作為一種電荷粒子線裝置的電子束描繪裝置，以代替光刻技術(shù)。
使用電子束的圖案形成與使用i線、受激準(zhǔn)分子激光等光源的圖案形成中的總體曝光方法不同，由于采取描繪掩模圖案的方法，因此，具有描繪的圖案越多則越會(huì)花費(fèi)曝光(描繪)時(shí)間，會(huì)在圖案形成中花費(fèi)時(shí)間的缺點(diǎn)。由此，伴隨著存儲(chǔ)器容量256兆、1G、4G這樣地集成度飛躍地提高，其圖案形成時(shí)間也急劇增加，生產(chǎn)量顯著惡化也成問題。因此，為了電子束描繪裝置的高速化，開發(fā)了組合各種形狀的掩模，并對(duì)它們一起照射電子束，形成復(fù)雜形狀的電子束的總體圖形照射法。其結(jié)果是，雖然圖案進(jìn)一步微細(xì)化，但是必然使得電子束描繪裝置大型化、復(fù)雜化，從而具有裝置成本變高的缺陷。
與此相對(duì)，作為以低成本執(zhí)行微細(xì)圖案形成的技術(shù)，公知的有通過將具有與想要在基片上形成的圖案相同的圖案凹凸的模具對(duì)在被轉(zhuǎn)印基片表面上形成的樹脂膜層執(zhí)行壓制，從而轉(zhuǎn)印規(guī)定圖案的納米壓印技術(shù)。已經(jīng)揭示了可利用納米壓印技術(shù)，將硅片用作模具，利用轉(zhuǎn)印來形成25納米以下的微細(xì)結(jié)構(gòu)。
在形成半導(dǎo)體集成電路等微細(xì)圖案的情況下，在準(zhǔn)確地檢測(cè)出放置在載物臺(tái)上的基片的圖案位置的基礎(chǔ)上，例如與形成了原案(轉(zhuǎn)印圖案)的原版(reticle)等之間必需要執(zhí)行精密的位置對(duì)準(zhǔn)。對(duì)準(zhǔn)精度因?yàn)榘殡S著半導(dǎo)體器件的高集成化而帶來的圖案的微細(xì)化，而需要更高的對(duì)準(zhǔn)精度。例如，在形成32nm節(jié)點(diǎn)的圖案時(shí)，要求以10nm以下的誤差來執(zhí)行精密的對(duì)準(zhǔn)。
另一方面，在作為下一代大容量磁記錄介質(zhì)的一種所公知的圖案化介質(zhì)中，將微細(xì)的凹凸圖案形成在盤基片的記錄面上。在市售的一般的盤基片上，在基片中央部形成了用于與旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部固定的孔，以該孔的中心為軸來執(zhí)行旋轉(zhuǎn)。為此，凹凸圖案排列在與基片中央的孔形成同心圓的幾圈圓周上。若將直徑10納米的圓形圖案排列為間距間隔(相鄰的圓形圖案的中心間距)為25納米，則能夠構(gòu)成記錄密度為1012位/平方英寸的記錄介質(zhì)。
在專利文獻(xiàn)1中，將納米壓印技術(shù)用在磁記錄介質(zhì)用抗蝕劑圖案的制作中。在利用該納米壓印技術(shù)，將微細(xì)的凹凸圖案排列在與盤基片的旋轉(zhuǎn)中心構(gòu)成同心圓的幾圈圓周上的情況下，模具和盤基片之間的相對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)技術(shù)變得很重要。作為模具和盤基片之間的位置對(duì)準(zhǔn)方法，在專利文獻(xiàn)1中，在利用納米壓印技術(shù)于被轉(zhuǎn)印基片上形成微細(xì)凹凸圖案的同時(shí)還形成了位置確定用圖案后，使用位置確定用圖案來確定旋轉(zhuǎn)中心軸。在專利文獻(xiàn)2中，于模具中央安裝其直徑與盤基片中央的孔徑基本相同的突起物，通過向該突起物中嵌入盤基片來執(zhí)行位置對(duì)準(zhǔn)。在專利文獻(xiàn)3中，公開了有關(guān)開孔的磁記錄介質(zhì)的位置對(duì)準(zhǔn)的技術(shù)。利用該方法，在主盤中心部形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，利用CCD照相機(jī)，通過盤基片的中央開口部來拍攝主盤中心部的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，以執(zhí)行相對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)。
特開2003-157520號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]特開平10-261246號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)3]特開2001-325725號(hào)公報(bào)在像盤基片那樣在中心部形成開口部的基片與模具之間的位置對(duì)準(zhǔn)中，產(chǎn)生了以下問題。在利用專利文獻(xiàn)1的方法中在盤基片表面形成了凹凸圖案后，產(chǎn)生了要在盤基片上加工孔的需要。因此，不能使用在購(gòu)買時(shí)已確定基片的旋轉(zhuǎn)中心軸來加工有孔的現(xiàn)有技術(shù)的盤基片。另外，也有在形成了記錄層后才加工本來在形成記錄層前加工的孔的情況，從而產(chǎn)生了大幅改變制造工序的需要。
在專利文獻(xiàn)2的方法中，在突起物的加工中需要高精度。由于盤基片中央的孔徑也會(huì)隨著加工時(shí)的誤差而發(fā)生變化，因此，在僅僅利用突起物來執(zhí)行模具和盤基片的位置對(duì)準(zhǔn)的情況下，位置對(duì)準(zhǔn)精度隨使用的每個(gè)盤基片而發(fā)生變化，從而難以重復(fù)執(zhí)行高精度的位置對(duì)準(zhǔn)。
利用專利文獻(xiàn)3的方法，由于同時(shí)拍攝主中心和盤基片中央開口部，因此難以得到分辨率，其結(jié)果是對(duì)準(zhǔn)精度降低。
如上所述，存在像盤基片那樣在中心部形成開口部的基片與模具之間的高精度的位置對(duì)準(zhǔn)很困難的問題。
在現(xiàn)有技術(shù)的光刻裝置中，形成了圖案原圖的原版和形成圖案的基片由于是以保持非接觸的狀態(tài)光學(xué)轉(zhuǎn)印或者是描繪轉(zhuǎn)印，因此，沒有伴隨著對(duì)準(zhǔn)時(shí)的接觸而帶來的位置確定誤差要因。但是，在使用了納米壓印技術(shù)的圖案形成中，在形成有圖案原圖的模具和轉(zhuǎn)印圖案的基片表面上涂布了樹脂后，在接觸、按壓的基礎(chǔ)上，有必要進(jìn)行加熱或者紫外線照射。其結(jié)果是由于原理上不能避免接觸，因此，有由于物理接觸而引起的損傷位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的可能性。位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的損傷成為圖案整體的位置對(duì)準(zhǔn)不良的原因，從而產(chǎn)生除了轉(zhuǎn)印圖案形成用的凹凸發(fā)生破損之外的惡劣影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種圖案形成方法，在利用納米壓印技術(shù)的微細(xì)圖案結(jié)構(gòu)的形成中，可以執(zhí)行在基片中心部形成孔的盤基片和模具之間的高精度的位置對(duì)準(zhǔn)。
解決上述課題的第1方法的特征在于，在將形成有微細(xì)的凹凸形狀的圖案的模具按壓在基片上，從而將微細(xì)的凹凸圖案轉(zhuǎn)印到基片表面的圖案形成方法中，所述模具在同心圓上具有2個(gè)以上用于確定基片和模具之間的相對(duì)位置關(guān)系的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，利用所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和基片的圓形開口部的端部之間的相對(duì)位置關(guān)系來執(zhí)行模具和基片之間的位置對(duì)準(zhǔn)。
第2方法的特征在于，在將利用微細(xì)的凹凸形狀形成了圖案的模具按壓在基片上，從而將該微細(xì)的凹凸圖案轉(zhuǎn)印到基片表面上的圖案形成方法中，模具具有用于確定基片和模具之間的相對(duì)位置關(guān)系的多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，具有在確定相對(duì)位置時(shí)檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記有無破損的檢測(cè)工序，在利用檢測(cè)工序檢測(cè)出破損的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的情況下，利用除去破損部分之外的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記來執(zhí)行位置對(duì)準(zhǔn)。
通過使用本發(fā)明，在利用納米壓印技術(shù)的微細(xì)圖案結(jié)構(gòu)的形成中，能夠提供一種圖案形成方法，它可以不管接觸時(shí)的位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記有無破損，而執(zhí)行在基片中心部形成了孔的盤基片和模具之間的高精度的位置對(duì)準(zhǔn)。


圖1是模具的平面圖。
圖2是將模具按壓在盤基片上時(shí)的平面圖。
圖3是利用了對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的模具和盤基片的位置對(duì)準(zhǔn)的示意圖。
圖4是磁記錄介質(zhì)的剖面圖。
圖5圖示由轉(zhuǎn)印了凹凸圖案的盤基片來形成記錄層的工藝。
圖6圖示了在硅片上利用納米壓印技術(shù)形成圖案的圖案形成步驟。
圖7圖示了納米壓印裝置。
圖8圖示了模具的位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的配置。
圖9是模具的剖面圖。
圖10是模具的剖面圖。
圖11是模具的剖面圖。
符號(hào)說明1模具 2凹凸圖案 3對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 4盤基片5照相機(jī)16照相機(jī)2 7中央開口部8樹脂膜9磁性層 10抗蝕劑膜11晶片 12、17布線圖案13布線膜14光固化型樹脂15模具 16樹脂圖案18載物臺(tái)19激光測(cè)長(zhǎng)器20Z傳感器21a 汞燈21b照明光學(xué)系統(tǒng)22位置檢測(cè)器23模具對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(位置對(duì)準(zhǔn)用標(biāo)記) 24晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記25模具臺(tái)26載物臺(tái)驅(qū)動(dòng)單元 800轉(zhuǎn)印圖案區(qū)域801位置對(duì)準(zhǔn)用標(biāo)記802缺損的位置對(duì)準(zhǔn)用標(biāo)記803附著了樹脂的位置對(duì)準(zhǔn)用標(biāo)記901、1001、1100轉(zhuǎn)印圖案902凹凸對(duì)準(zhǔn)圖案903金屬膜圖案904熒光體圖案1002背面凹凸圖案1003背面金屬膜圖案1004背面熒光體圖案1101相反側(cè)表面的第1位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記1102轉(zhuǎn)印圖案面的第2位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記1103最里面的面的第1位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記1104最里面的面的第2位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記具體實(shí)施方式
本發(fā)明所使用的模具具有應(yīng)轉(zhuǎn)印的微細(xì)的凹凸圖案。形成凹凸圖案的方法并沒有特別限制。例如可以根據(jù)所期望的加工精度來選擇光刻、聚焦離子束光刻、或電子束描繪法等。對(duì)于模具的材料，可以使用硅、石英、玻璃、鎳、樹脂等，只要具有強(qiáng)度和所要求的加工精度就可以。對(duì)表面實(shí)施了脫膜處理的模具由于可以抑制剝離時(shí)的轉(zhuǎn)印圖案變形和損傷等，因此是優(yōu)選的。
本發(fā)明所使用的基片并沒有特別限定。例如，能夠使用玻璃、硅和鋁合金等金屬類、環(huán)氧和聚酰亞胺等樹脂基片的各種材料以及組合這些材料后所構(gòu)成的材料。也能夠使用在中心部具有圓形開口部的盤狀基片。盤狀基片中心部的圓形開口部由于是用在轉(zhuǎn)印時(shí)的位置對(duì)準(zhǔn)，因此，最好以比盤基片外周部更高的精度對(duì)其進(jìn)行加工。加工部端部也可以倒角加工為錐形。盤基片最好是表面平滑性非常高、彎曲等小的基片。在表面上也可以形成由磁性體等與基片不同的材料形成的膜。
也能夠在基片上形成樹脂膜，之后，轉(zhuǎn)印圖案。此時(shí)，樹脂膜沒有特別限定，但是，最好是能夠得到基片表面所期望的微細(xì)加工精度。不僅僅是熱塑性、熱固性的樹脂，也可以使用光固化性的樹脂。對(duì)于優(yōu)選的熱塑性材料，可以舉出主要成分為環(huán)烯烴聚合物(cycloolefinepolymer)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)(PET)、聚乳酸、聚丙烯(polypropylene)、聚乙烯、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)等。作為光固化性材料，可例舉自由基(radical)聚合體系、陽離子聚合體系等，但并不限于這些。最好是在室溫下為液狀、低粘度，而且通過照射紫外線等光執(zhí)行固化的樹脂。
在本發(fā)明的模具中形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成于與被轉(zhuǎn)印的圖案同一面上、或與被轉(zhuǎn)印的圖案相反的面上。此外，也可以形成在與被轉(zhuǎn)印的面不同的面上。另外，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記優(yōu)選是形成在同心圓上。由此，特別是，在對(duì)準(zhǔn)與盤狀基片中心部的圓形開口部之間的相對(duì)位置時(shí)，可容易識(shí)別基片和模具之間的相對(duì)位置關(guān)系。本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記最好形成在相對(duì)于同心圓的中心對(duì)稱的位置上。通過形成在對(duì)稱的位置上，特別是，通過同時(shí)識(shí)別與盤狀基片中心部的圓形開口部之間的相對(duì)位置，并在使各個(gè)偏移量的差減小的方向上執(zhí)行位置對(duì)準(zhǔn)，即使在圓形開口部中心位置處不存在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，也可以很容易地執(zhí)行準(zhǔn)確的位置對(duì)準(zhǔn)。
這些對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記最好在模具上形成多組。通過形成多組，即便在轉(zhuǎn)印時(shí)由于被轉(zhuǎn)印材料而污染了這些對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的一部分，或者有物理上的缺損的情況下，也能使用該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之外的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，從而能夠執(zhí)行基片與模具的相對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)。同樣，本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記最好形成于模具上的多個(gè)不同面上。通過在轉(zhuǎn)印面之外也形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，能夠事先防止污染或缺損等不合適的情況。
本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記并不限于臺(tái)階標(biāo)記，也可以利用與模具不同的材料而形成，只要能夠得到更高的標(biāo)記檢測(cè)信號(hào)，就不作特別限定。具體來說，也能夠使用Cr等。在臺(tái)階標(biāo)記的情況下，也有轉(zhuǎn)印圖案的深度和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的深度不同的情況。此時(shí)，由于通過使對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的深度滿足t(n-1)＝λ/2(1+a)(n模具的折射率，t圖案深度，λ照射光波長(zhǎng))而能夠得到更高的檢測(cè)信號(hào)強(qiáng)度，所以是特別優(yōu)選的。本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記最好為圓弧形。由于通過制作成圓弧形，在與盤狀基片中心部的圓形開口部進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)時(shí)，成為與圓形開口部端部的形狀相似的形狀，所以能夠高精度地識(shí)別。圓弧的中心角θ能夠使用0°＜θ≤360°的范圍。
形成有本發(fā)明對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的同心圓半徑最好比基片圓形開口部半徑小。通過使同心圓半徑小于基片中心部開口徑，在減小針對(duì)轉(zhuǎn)印時(shí)的村脂引起的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記污染的風(fēng)險(xiǎn)的同時(shí)，提高了對(duì)盤中心部的圓形開口端部的識(shí)別性。
作為本發(fā)明的檢測(cè)破損的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)法，利用通過參照形成了對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)以及絕對(duì)位置信息來執(zhí)行檢測(cè)的方法，以及通過參照?qǐng)D案形狀來執(zhí)行檢測(cè)的方法來執(zhí)行。也可以利用組合這些方法的方法來執(zhí)行檢測(cè)。
本發(fā)明的將該微細(xì)的凹凸圖案轉(zhuǎn)印到基片表面的圖案轉(zhuǎn)印裝置由以下部件構(gòu)成用于保持基片的基片保持部；用于固定模具的模具固定部；以及，用于識(shí)別基片和模具之間的相對(duì)位置關(guān)系的對(duì)準(zhǔn)監(jiān)視部?；３植孔詈镁哂性谖恢脤?duì)準(zhǔn)時(shí)，能夠在X、Y、Z和θ方向上移動(dòng)基片的驅(qū)動(dòng)部。在模具固定部最好也具有在X、Y、Z方向上移動(dòng)模具的驅(qū)動(dòng)部。對(duì)于這些驅(qū)動(dòng)部，除了步進(jìn)電動(dòng)機(jī)之外，使用可進(jìn)行更微細(xì)的移動(dòng)的利用了壓電元件的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和組合這些系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)時(shí)，從執(zhí)行高精度的位置對(duì)準(zhǔn)的方面考慮是優(yōu)選的。通過組合這些驅(qū)動(dòng)部和對(duì)準(zhǔn)監(jiān)視部的功能，能夠檢測(cè)出破損的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。對(duì)準(zhǔn)監(jiān)視部具有用于識(shí)別對(duì)準(zhǔn)圖案的光源、顯微鏡、CCD等光學(xué)系統(tǒng)，此外，還具有圖案識(shí)別裝置等。對(duì)于光源，可以使用激光，或者也可以使用單波長(zhǎng)以及多個(gè)分離的波長(zhǎng)。另外，對(duì)于圖案轉(zhuǎn)印裝置，具有對(duì)基片執(zhí)行加熱、冷卻的機(jī)構(gòu)、向轉(zhuǎn)印面照射光的功能時(shí)，在形成良好的轉(zhuǎn)印圖案方面考慮是優(yōu)選的。
圖1表示本實(shí)施例中使用的模具1的平面圖。模具1由石英基片制作，是厚度1000微米，直徑100mm的圓盤。通過利用眾所周知的電子線束描繪技術(shù)，能夠很容易地在模具1的表面上加工出100納米以下的微小凹凸圖案2。
在模具1的表面上形成的微小凹凸圖案2排列在與盤基片的中央開口部成同心圓的幾圈圓周上。該凹凸圖案2是首先通過利用電子線束描繪技術(shù)，對(duì)在基片上形成的抗蝕劑膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成抗蝕劑圖案，之后，將抗蝕劑圖案用作掩模，利用眾所周知的干刻蝕技術(shù)，通過在模具1上形成凹部來制作的。這里，所制作的凹凸圖案2具備具有凹部上面的直徑為35納米，凹部底面的直徑為20納米，深度為100納米的剖面的通路構(gòu)造，按圖案中心間隔40納米排列該構(gòu)造。
對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在具有與圖案形成區(qū)域的中心相同的中心的半徑9.99毫米的同心圓上，在以假想中心為中心的點(diǎn)對(duì)稱的位置上，形成3組寬度20μm、長(zhǎng)100μm、深度650nm的圓弧形的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
對(duì)成為被轉(zhuǎn)印基片的盤基片，使用了被加工為厚度0.8毫米、外圓直徑65毫米、中心孔的直徑20毫米的、為用于記錄介質(zhì)而制造市售的玻璃基片。
在如圖2所示，在將形成了微細(xì)的凹凸圖案2的模具1按壓到涂布在盤基片4的記錄面上的樹脂膜8上，從而形成抗蝕劑圖案時(shí)，為了使模具1的凹凸圖案與盤基片的中央開口部成同心圓，需要高精度地使盤基片4和模具1的相對(duì)位置相一致。因此，以下，將說明在本發(fā)明中所實(shí)施的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法以及盤基片和模具之間的位置對(duì)準(zhǔn)方法。
在模具1的表面上，在形成凹凸圖案2的同時(shí)，還在相當(dāng)于盤基片中心圓形開口部的內(nèi)圓周部附近的位置上，在與盤基片4的中央開口部同心的圓周上，形成了由3組圓弧線構(gòu)成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3。在本實(shí)施例中，由于盤基片的內(nèi)徑是以20.000毫米-20.02毫米的加工精度制作的，因此，設(shè)置在直徑19.98毫米圓周上，作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記?？紤]到對(duì)準(zhǔn)用照明的波長(zhǎng)為656.28nm，因此，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3的深度設(shè)定為656nm。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記寬度設(shè)定為20μm。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3是在形成凹凸圖案2之前，利用眾所周知的光刻工藝和干刻蝕技術(shù)而形成在模具1上的。
在執(zhí)行基片和模具的相對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)之前，根據(jù)形成了對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息來執(zhí)行有無對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的破損的檢查。
接下來，利用以下方法來執(zhí)行基片和模具的相對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)。圖3表示利用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3來執(zhí)行模具1和盤基片4的位置對(duì)準(zhǔn)時(shí)的示意圖。圖3中表示從平面看到的狀態(tài)和從側(cè)面看到的狀態(tài)。
在盤基片4上設(shè)置了中央開口部7，而且在記錄面上利用旋涂法涂布了膜厚100納米的光固化樹脂膜8。對(duì)于抗蝕劑材料，涂布了自由基聚合體系的粘度4cP的光固化性樹脂。設(shè)定盤基片4的抗蝕劑涂布面，使其朝向加工了凹凸圖案2和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3的模具1的表面。此時(shí)，盤基片4保持在可動(dòng)載物臺(tái)上，而模具1保持在模具固定部上。
在盤基片4的上部設(shè)置了2臺(tái)照相機(jī)5、6，以能夠同時(shí)觀察盤基片4的內(nèi)圓周的邊緣、以及模具1上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3。利用由照相機(jī)5、6觀察到的圖像，一開始，一邊粗略移動(dòng)盤基片4，一邊從多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3中選出沒有破損的1組標(biāo)記，并將該標(biāo)記設(shè)定為基準(zhǔn)。接下來，微調(diào)盤基片4的位置，以便使由照相機(jī)5觀察到的基準(zhǔn)線和盤基片的邊緣之間的相對(duì)位置、與照相機(jī)6觀察到的基準(zhǔn)線和盤基片的端部之間的相對(duì)位置變得相等。
通過使用了對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3的位置對(duì)準(zhǔn)，從而將偏心量抑制到10微米以下，由此來執(zhí)行模具1的凹凸圖案2與盤基片4的相對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)。
位置對(duì)準(zhǔn)結(jié)束后，維持盤基片4和模具1之間的相對(duì)位置不變，使模具1接觸樹脂膜8，并對(duì)其加壓。接下來，利用未圖示的內(nèi)置了超高壓汞燈的曝光裝置，以5J/cm2的能量來照射365nm的光，從而使樹脂固化。接下來，將模具1從盤基片4剝離。由此，在樹脂膜8上制作了按照?qǐng)D案中心間隔40納米的方式來排列柱狀結(jié)構(gòu)的抗蝕劑圖案，所述柱狀結(jié)構(gòu)具有凸部底面部的直徑為35納米、凸部上面部的直徑為25納米、高度100納米的剖面。
該抗蝕劑圖案在使用了干刻蝕的加工工藝中被用作掩模。在使用了干刻蝕的加工工藝結(jié)束后，在盤基片上形成了按照?qǐng)D案中心間隔40納米的方式來排列柱狀結(jié)構(gòu)的微細(xì)的凹凸圖案，所述柱狀結(jié)構(gòu)具有凸部底面部的直徑為30納米、凸部上面部的直徑為20納米、高度20納米的剖面。接下來，如圖4所示，在形成了該凹凸圖案的盤基片上，在使用濺射技術(shù)形成了厚度約50納米的磁性層9后，又以覆蓋該磁性層的方式形成了保護(hù)膜10和潤(rùn)滑膜。按照以上說明，能夠制作凸部上的磁性層用作記錄位、記錄密度約300G位/平方英寸的磁記錄介質(zhì)。
在本實(shí)施例中，將在模具1表面形成的凹凸圖案2設(shè)定為具有剖面的沖壓錐形結(jié)構(gòu)，但是，也可以設(shè)定為具有矩形剖面的沖壓錐形結(jié)構(gòu)或?qū)霞庸榇诺罓畹腻F形結(jié)構(gòu)。使用2個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和2個(gè)照相機(jī)，在2個(gè)位置中觀測(cè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和盤基片的邊緣之間的相對(duì)位置，但是，也可以設(shè)置3臺(tái)以上的照相機(jī)，從而在3個(gè)以上的位置上與3個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記執(zhí)行位置對(duì)準(zhǔn)。
在模具和盤基片的位置對(duì)準(zhǔn)中，通過在模具中央安裝口徑比盤基片的中央開口部的口徑小的突起部，使在模具中央安裝的突起部通過盤基片的中央開口部，從而粗略確定了盤基片和模具的相對(duì)位置后，使用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記來調(diào)整位置，由此，容易在短時(shí)間內(nèi)執(zhí)行準(zhǔn)確的位置對(duì)準(zhǔn)，且能夠提高精度。
在本實(shí)施例中，使用中央開口部來執(zhí)行位置對(duì)準(zhǔn)，但是，也可以在利用基片外周部執(zhí)行了簡(jiǎn)易的位置對(duì)準(zhǔn)后，使用本實(shí)施例的中央開口部來執(zhí)行高精度的位置對(duì)準(zhǔn)。在不要求高精度的位置對(duì)準(zhǔn)的情況下，也可以僅僅執(zhí)行基片外周和模具之間的簡(jiǎn)易位置對(duì)準(zhǔn)。
在本實(shí)施例中，盡管就制作磁記錄介質(zhì)的情況進(jìn)行了說明，但是，也可以應(yīng)用于光記錄介質(zhì)的制作。
利用與實(shí)施例1相同的方法來制作模具。這里，在所制作的凹凸圖案中，具有底面直徑為35納米、上面直徑為20納米、高度為100納米的剖面的柱狀結(jié)構(gòu)按圖案中心間隔40納米的方式排列。還形成了與實(shí)施例1相同的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
盤基片使用了被加工為厚度0.8毫米、外圓直徑65毫米、中央開口部直徑20毫米的、為用于記錄介質(zhì)而制造市售的玻璃基片。
模具和盤基片的位置對(duì)準(zhǔn)方法、之后的對(duì)在盤基片記錄面上所涂布的抗蝕劑膜的凹凸圖案轉(zhuǎn)印方法是按照與實(shí)施例1相同的方法執(zhí)行的。利用該方法，在抗蝕劑膜上制作抗蝕劑圖案，在該抗蝕劑圖案中將具有凹部底面部的直徑為25納米、凹部上面部的直徑為35納米、深度為100納米的剖面的孔按照?qǐng)D案中心間隔40納米的方式來排列。
圖5圖示了從對(duì)涂布在盤基片4的記錄面上的樹脂膜8轉(zhuǎn)印了凹凸圖案的狀態(tài)，到在盤基片記錄面上形成磁性層作為記錄層為止的工序。在模具上形成的凹凸圖案被轉(zhuǎn)印到在盤基片4上所涂布的樹脂膜8上的狀態(tài)下，在樹脂膜8的凹部底殘留了厚度10納米的抗蝕劑基層(a)。通過從該狀態(tài)利用干刻蝕僅僅除去抗蝕劑基層，從而在凹部底顯出盤基片的記錄面(b)。在該狀態(tài)下，使用濺射技術(shù)，在抗蝕劑圖案和盤基片表面形成了厚度50納米的磁性層9(c)。之后，利用剝離技術(shù)除去殘留的樹脂膜和在樹脂膜上形成的磁性層(d)。
利用以上方法，在盤基片4的記錄面上形成了微細(xì)的凹凸圖案，在該凹凸圖案中將具有底面部的直徑為20納米、上面部的直徑為25納米、高50納米的剖面的柱狀結(jié)構(gòu)磁性層按照?qǐng)D案中心間隔40納米的方式來排列。以覆蓋磁性層和盤基片表面的方式來形成保護(hù)膜和潤(rùn)滑膜，從而制作使盤基片上的凸部作為記錄位執(zhí)行操作、記錄密度約300G位/平方英寸的磁記錄介質(zhì)。
接下來，使用圖6來說明在硅片上利用納米壓印技術(shù)形成圖案的步驟。該圖示意地說明了使用光固化型樹脂的情況下的布線圖案形成方法。在晶片11上形成了布線圖案12。在其表面上淀積了上層的布線膜13，另外，還涂布了光固化型樹脂14(I)。接下來，從晶片11的上方接近形成了圖案的模具15，在接觸晶片11之前，在將模具15和晶片11的位置對(duì)準(zhǔn)之后，相對(duì)地按壓兩者，從而形成圖案(II)。模具15由石英制成，可透過光。在按壓模具15后，從模具15的背面照射紫外線，使樹脂膜的凹凸圖案2固化(III)。除去模具15，除去殘留在圖案凹底中的基層，從而形成樹脂圖案16(IV)。若將該樹脂圖案16作為掩模來刻蝕基底布線膜，則形成布線圖案17(V)。
接下來，使用圖7來說明納米壓印裝置的概況。在轉(zhuǎn)印圖案的晶片11表面上涂布了樹脂，并由載物臺(tái)18保持。該載物臺(tái)18具有除了可執(zhí)行圖的一個(gè)軸方向(X)的位置確定之外，還可執(zhí)行垂直于紙面的方向(Y)、以及XY面內(nèi)的旋轉(zhuǎn)(YAW)的位置確定的機(jī)構(gòu)。載物臺(tái)18的位置由激光測(cè)長(zhǎng)器19來測(cè)量，并由載物臺(tái)驅(qū)動(dòng)單元26將其移動(dòng)到規(guī)定位置。
在載物臺(tái)18的上方，設(shè)置了安裝有形成了用于轉(zhuǎn)印到晶片11上的圖案的模具15的模具臺(tái)25。模具臺(tái)25采用了可在上下方向(Z)執(zhí)行位置確定的結(jié)構(gòu)，具有能夠測(cè)量到晶片基片的距離的Z傳感器20、以及可測(cè)量與晶片基片1接觸后的負(fù)載的負(fù)載傳感器(未圖示)。作為Z傳感器20，能夠使用激光測(cè)長(zhǎng)器、靜電電容型間隙傳感器等。通過在模具臺(tái)的多個(gè)位置上設(shè)置Z傳感器，可確保模具與基片之間的平行度，還能夠?qū)⒛＞甙磯旱交稀?br> 模具15由透明基片、例如是石英或玻璃等構(gòu)成，能夠透過光。晶片11和模具15的大小可以是相同的，也可以將模具15的大小設(shè)定為晶片11的幾分之一。在幾分之一的情況下，像現(xiàn)有技術(shù)的步進(jìn)式曝光裝置那樣，一邊進(jìn)行步進(jìn)移動(dòng)一邊轉(zhuǎn)印圖案，從而在晶片的整個(gè)面上形成圖案。
另外，在上方具有水銀燈21a，沿著虛線所示的光路透過照明光學(xué)系統(tǒng)21b而轉(zhuǎn)換為平行光的照明光，透過模具15而照明光固化型樹脂膜。對(duì)于該照明能夠利用未圖示的快門來控制曝光量或曝光時(shí)間。
在載物臺(tái)18的上方有位置檢測(cè)器22a、22b，用于檢測(cè)模具的圖案形成面的位置和晶片的位置。在模具下降而即將與晶片11接觸之前，例如從在10μm上空的停止位置到接觸為止的區(qū)域中，能夠使用位置檢測(cè)器22a、22b，來測(cè)量在模具15的表面預(yù)先形成的模具對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23的位置和晶片上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24的位置。由此，可對(duì)準(zhǔn)晶片和模具之間的相對(duì)位置。另外，該位置檢測(cè)器22a、22b被固定在裝置的基準(zhǔn)位置上，以測(cè)量模具的裝置基準(zhǔn)的絕對(duì)位置。作為試樣的晶片11也不限于Si，也可以是GaAs基片、玻璃基片、或者是塑料基片。
圖8表示在本實(shí)施例中所使用的模具的位置對(duì)準(zhǔn)用標(biāo)記801的配置。位置對(duì)準(zhǔn)用標(biāo)記是一塊凹凸的圖案，具有線和間隔、十字形狀。在圖8中，由長(zhǎng)度2μm的十字構(gòu)成的位置對(duì)準(zhǔn)用標(biāo)記位于具有轉(zhuǎn)印圖案的區(qū)域800的外周，并配置在8個(gè)對(duì)稱的位置上。位置對(duì)準(zhǔn)用標(biāo)記是利用同一個(gè)工序形成于與轉(zhuǎn)印圖案相同的面上的，由于在圖案轉(zhuǎn)印時(shí)按壓到晶片上，因此，有可能會(huì)伴隨著機(jī)械接觸而產(chǎn)生損傷。例如是標(biāo)記的缺損、樹脂的附著。若對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記損傷，則對(duì)準(zhǔn)精度惡化，會(huì)對(duì)成品率造成大的影響。在本實(shí)施例中，在8個(gè)標(biāo)記位置的測(cè)量結(jié)果中，有2個(gè)偏離了設(shè)計(jì)值500nm以上而被認(rèn)為是受到了損傷。對(duì)此，剩下的6個(gè)標(biāo)記被抑制在30nm-50nm的偏差內(nèi)。除去缺損、樹脂附著的位置對(duì)準(zhǔn)用標(biāo)記802、803來執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)的結(jié)果是，能夠執(zhí)行精度良好的轉(zhuǎn)印。對(duì)準(zhǔn)精度從300nm改善為70nm。
圖7的晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24也可以是周期性的圖案。這是因?yàn)橥ㄟ^利用檢測(cè)器檢測(cè)1次衍射光來執(zhí)行高精度的位置檢測(cè)。由于利用這種方法，例如即便是周期性的圖案的1條線已經(jīng)破損的情況下，對(duì)于位置檢測(cè)誤差的影響也會(huì)較小，因此，難以區(qū)分破損的標(biāo)記。因此，能夠謀求通過另行設(shè)置可利用0次光來觀察標(biāo)記的像的光學(xué)單元，從而解決上述問題。通過將各個(gè)標(biāo)記的像信號(hào)與根據(jù)沒有損傷的標(biāo)記而得到的像信號(hào)相比較，能夠挑選出損傷標(biāo)記。為此，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)高精度的位置檢測(cè)和損傷標(biāo)記的識(shí)別。
在本實(shí)施例中，為了進(jìn)一步降低損傷的影響使用了具有圖9的剖面結(jié)構(gòu)的模具。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的配置與圖8相同。根據(jù)圖9可以明白，在本實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成在比轉(zhuǎn)印圖案901更靠里的位置(轉(zhuǎn)印時(shí)，從試樣離開的位置)上。由此，在轉(zhuǎn)印時(shí)，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記不與試樣接觸，沒有破損的危險(xiǎn)性。由此，即便是連續(xù)使用，也能夠維持高成品率。作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，制作了具有凹凸對(duì)準(zhǔn)圖案902的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。通過使用該模具，維持1000次使用下的成品率為90％以上，從而能夠得到良好的結(jié)果。這些模具是通過臨時(shí)對(duì)從基片的外周開始的部分執(zhí)行刻蝕而設(shè)置臺(tái)階，以形成不同高度的平面，在低面內(nèi)形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在高面內(nèi)形成轉(zhuǎn)印圖案，從而制作出模具。
作為標(biāo)記損傷的危險(xiǎn)性小的模具，除此之外，還有設(shè)置了金屬膜圖案903、熒光體圖案904等的模具。凹凸圖案可使轉(zhuǎn)印圖案的形成和工藝的共用化成為可能，從制作工序的觀點(diǎn)來看是有利的。但是，為了通過利用光的標(biāo)記檢測(cè)得到更高的對(duì)比度，使用與具有高反射率的金屬膜圖案或自身發(fā)熒光的熒光體圖案這類轉(zhuǎn)印圖案不同的結(jié)構(gòu)的標(biāo)記是有效的。在圖10中，在與轉(zhuǎn)印圖案1001相反一側(cè)的面上，形成背面凹凸圖案1002、背面金屬膜圖案1003、背面熒光體圖案1004等的位置對(duì)準(zhǔn)用標(biāo)記。由于在與按壓到試樣的面相反一側(cè)上具有位置對(duì)準(zhǔn)用標(biāo)記，因此，標(biāo)記損傷的可能性減輕了。
但是，利用這些方法，轉(zhuǎn)印圖案和位置對(duì)準(zhǔn)用標(biāo)記間的相對(duì)位置誤差容易變大。因此，作為用于應(yīng)對(duì)它的設(shè)計(jì)在圖11中表示了在轉(zhuǎn)印圖案面和此外的兩個(gè)面上設(shè)置了用于位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)記的情況的例子。例如，如圖11(a)所示，由于若在與轉(zhuǎn)印圖案1100不同的面上設(shè)置第1位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記1101，則位置對(duì)準(zhǔn)用標(biāo)記不能與轉(zhuǎn)印圖案同時(shí)形成，因此，位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記1101和轉(zhuǎn)印圖案1100間的相對(duì)位置誤差容易變大。所以，還在與轉(zhuǎn)印圖案相同的面內(nèi)設(shè)置第2位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記1102是有效的。即，檢測(cè)第1位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記1101的位置，之后，使用與轉(zhuǎn)印圖案相同面內(nèi)的第2位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記1102的轉(zhuǎn)印結(jié)果，對(duì)所轉(zhuǎn)印的圖案的位置執(zhí)行校正。只要測(cè)量一次兩個(gè)標(biāo)記的關(guān)系，則即便轉(zhuǎn)印圖案面的位置對(duì)準(zhǔn)用標(biāo)記有損傷也不會(huì)有大的問題。在與轉(zhuǎn)印圖案面不同的面上形成的位置檢測(cè)用標(biāo)記并不限于本實(shí)施例的這種臺(tái)階標(biāo)記，也可以是利用與基片不同的材料來形成，可以得到更高的標(biāo)記檢測(cè)信號(hào)。如圖11(b)、11(c)所示，將模具設(shè)定為臺(tái)階形狀，相對(duì)于突出的轉(zhuǎn)印圖案面，在高度低的靠近里面的面內(nèi)形成位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記也是同樣有效的。
盡管以上的4個(gè)實(shí)施例使用了光固化型樹脂，但即便是熱固化型樹脂也可得到相同的效果。
如上所述，在利用微細(xì)的凹凸形狀形成了圖案的模具中，在2個(gè)位置以上的同心圓狀的對(duì)稱位置上形成多組用于確定基片和模具之間的相對(duì)位置關(guān)系的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，根據(jù)各個(gè)標(biāo)記的位置信息和形狀等來確定破損的標(biāo)記，之后，除去破損的標(biāo)記執(zhí)行模具和涂布了樹脂膜的基片之間的位置對(duì)準(zhǔn)，由此，即便在基片中心部形成了孔的盤基片上，在接觸時(shí)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記也沒有損傷，可執(zhí)行高精度的位置對(duì)準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種圖案形成方法，將形成了凹凸形狀的圖案的模具按壓到涂布了樹脂膜的基片上，從而將該凹凸圖案轉(zhuǎn)印到基片表面上，其特征在于所述模具在同心圓上具有2個(gè)以上用于確定基片和模具之間的相對(duì)位置關(guān)系的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，利用所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和基片圓形開口部的端部之間的相對(duì)位置關(guān)系，來執(zhí)行模具和基片之間的位置對(duì)準(zhǔn)。
2.如權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成于相對(duì)于所述同心圓的中心對(duì)稱的位置上。
3.如權(quán)利要求2所述的圖案形成方法，其特征在于，至少具有2組以上的形成于所述對(duì)稱的位置上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
4.如權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成在所述模具上的多個(gè)不同的面上。
5.如權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，用于所述轉(zhuǎn)印的微細(xì)的凹凸圖案和所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的深度不同。
6.如權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的深度滿足以下關(guān)系t(n-1)＝λ/2(1+a)其中，n為模具的折射率、t為圖案深度、λ為照射光波長(zhǎng)。
7.如權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為圓弧形。
8.如權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，形成了所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的同心圓半徑比所述基片圓形開口部半徑小。
9.一種圖案形成方法，將形成了微細(xì)的凹凸形狀圖案的模具按壓到基片上，從而將該微細(xì)的凹凸圖案轉(zhuǎn)印到基片表面上，其特征在于，所述模具具有用于確定基片和模具之間的相對(duì)位置關(guān)系的多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，該方法具有在確定相對(duì)位置時(shí)檢測(cè)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記有無破損的檢測(cè)工序，在利用所述檢測(cè)工序檢測(cè)出破損的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的情況下，利用除去破損部分之外的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記來執(zhí)行位置對(duì)準(zhǔn)。
10.如權(quán)利要求9所述的圖案形成方法，其特征在于，通過參照位置信息來檢測(cè)破損的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
11.如權(quán)利要求9所述的圖案形成方法，其特征在于，通過參照?qǐng)D案形狀來檢測(cè)破損的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
12.一種模具，在表面上形成有凹凸形狀的圖案，通過按壓該凹凸形狀在基片表面上轉(zhuǎn)印圖案，其特征在于，具有用于確定與基片之間的相對(duì)位置的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在同心圓上形成了2個(gè)以上的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
13.如權(quán)利要求12所述的模具，其特征在于，所述凹凸形狀的圖案被配置在以規(guī)定位置為中心的多個(gè)圓周上。
14.如權(quán)利要求12所述的模具，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成在相對(duì)于所述同心圓的中心對(duì)稱的位置上。
15.如權(quán)利要求14所述的模具，其特征在于，至少具有2組以上的形成在所述對(duì)稱的位置上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
16.如權(quán)利要求12所述的模具，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成在多個(gè)不同的面上。
17.如權(quán)利要求12所述的模具，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記由與模具不同的材質(zhì)構(gòu)成。
18.如權(quán)利要求12所述的模具，其特征在于，所述凹凸形狀的圖案和所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的深度不同。
19.如權(quán)利要求18所述的模具，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的深度滿足以下關(guān)系t(n-1)＝λ/2(1+a)其中，n為模具的折射率、t為圖案深度、λ為照射光波長(zhǎng)。
全文摘要
在納米壓印法中，存在像盤基片那樣在中心部形成了開口部的基片與模具之間的高精度的位置對(duì)準(zhǔn)很困難的問題。由于機(jī)械接觸而引起的位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記損傷所導(dǎo)致的位置對(duì)準(zhǔn)不良也成為問題。在利用微細(xì)的凹凸形狀形成了圖案的模具上，在2個(gè)以上的位置處將用于確定基片和模具之間的相對(duì)位置關(guān)系的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)置為同心圓形狀。另外，還可以通過根據(jù)各個(gè)標(biāo)記的位置信息和形狀來確定已經(jīng)破損的標(biāo)記，之后，除去破損的標(biāo)記而進(jìn)行模具和涂布了樹脂膜的基片之間的位置對(duì)準(zhǔn)來解決問題。
文檔編號(hào)G11B5/74GK101051183SQ20071000226
公開日2007年10月10日 申請(qǐng)日期2007年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月18日
發(fā)明者荻野雅彥, 宮內(nèi)昭浩, 安藤拓司, 篍野谷千積, 小森谷進(jìn), 早田康成, 片桐創(chuàng)一, 太田洋一, 中山義則 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所