專(zhuān)利名稱(chēng)：具備天線的盤(pán)介質(zhì)和其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有安裝了 IC芯片的插入體和天線的密封件，裝配 了插入體、天線的CD、 DVD等盤(pán)介質(zhì)，裝配了 IC芯片和天線的CD、 DVD等盤(pán)介質(zhì)、以及所述盤(pán)介質(zhì)、密封件的制造方法。
背景技術(shù)：
近年，作為可以記錄音樂(lè)、影像等大容量數(shù)據(jù)的光盤(pán)介質(zhì)，CD (光盤(pán))、DVD (數(shù)字多功能光盤(pán))的普及較為顯著。另外，最近， 為了更進(jìn)一步的高畫(huà)質(zhì)且長(zhǎng)時(shí)間的影像的記錄等，正在進(jìn)行以藍(lán)色半 導(dǎo)體激光為光源的光盤(pán)的開(kāi)發(fā)，作為其中的一種，下一代的DVD等 已經(jīng)被商品化。以下，將這些光盤(pán)總稱(chēng)為盤(pán)介質(zhì)。隨著像這樣能夠很容易地將高品質(zhì)的數(shù)字內(nèi)容保存在可搬運(yùn)型 的記錄介質(zhì)中，數(shù)字內(nèi)容的著作權(quán)保護(hù)的重要性提高了。另一方面， 近年，作為能夠以非接觸的方式與外部進(jìn)行信息交換的IC芯片的 RFID (射頻識(shí)別)標(biāo)簽，正在被用于入館證、交通乘車(chē)券、電子貨幣 等。由于RFID標(biāo)簽沒(méi)有內(nèi)置電池，而是用天線接收來(lái)自于讀/寫(xiě)(R/W ) 的電波或者磁場(chǎng)，然后變換成電動(dòng)勢(shì)，因此具有輕量且攜帶性良好， 可以半永久地使用的優(yōu)點(diǎn)。加之，還具有很難進(jìn)行復(fù)制的性質(zhì)。從這樣的背景來(lái)看，可以考慮在盤(pán)介質(zhì)上裝配RFID，從而強(qiáng)化 著作權(quán)保護(hù)對(duì)策。例如，通過(guò)在讀取專(zhuān)用的狀態(tài)下將記錄了盤(pán)ID的 RFID標(biāo)簽裝配在盤(pán)介質(zhì)上，可以降低具有相同盤(pán)ID的盤(pán)介質(zhì)被復(fù)制 的危險(xiǎn)性?？墒牵趯FID標(biāo)簽裝配到盤(pán)介質(zhì)上的情況下，必須在盤(pán)介質(zhì) 上形成用于進(jìn)行無(wú)線通信和電力供給的天線。在RFID標(biāo)簽的無(wú)線通 信方面，可以考慮多個(gè)頻帶，天線的長(zhǎng)度和形狀因該頻帶而不同。一
般來(lái)說(shuō)，在長(zhǎng)頻帶(125 ~ 135kHz)以及短頻帶(13.56Mhz)的情況 下，使用線團(tuán)狀的天線，在從UHF (UltraHigh Frequency)帶到 (卯0MHz附近)的微型頻帶(2.45GHz)的情況下，采用相當(dāng)于半 波長(zhǎng)的長(zhǎng)度的直線型天線(偶極天線)或者平面型天線(微帶天線) 等。在特開(kāi)2006-92630號(hào)公報(bào)(段落編號(hào)0023 ~ 0033以及圖1、圖 2)中，記載了如下的盤(pán)介質(zhì)，即，在裝配了 RFID標(biāo)簽的盤(pán)介質(zhì)中， 在相對(duì)于盤(pán)介質(zhì)的半徑方向的一定范圍內(nèi)成膜的金屬膜層之中，在除 了信息記錄區(qū)域以外的區(qū)域上，設(shè)置以通信波長(zhǎng)X —半的長(zhǎng)度周設(shè)的 槽孔，在槽孔的中央部，以?shī)A住該槽孔的方式，連接金屬膜層和向RFID 標(biāo)簽的IC芯片的天線供電用的端子。在這樣的盤(pán)介質(zhì)中，由于設(shè)在 金屬膜層上的槽孔作為槽天線起作用，因此金屬膜層不會(huì)成為IC芯 片的無(wú)線通信的障礙。根據(jù)特開(kāi)2006 - 92630號(hào)>^報(bào)(段落編號(hào)0023 ~ 0033以及圖1、 圖2)所記栽的技術(shù)，可以讀取盤(pán)介質(zhì)的信息。但是，在這里公開(kāi)的 技術(shù)中，沒(méi)有考慮到在實(shí)際的流通過(guò)程中所面對(duì)的、 一起讀取多個(gè)盤(pán) 介質(zhì)的信息的技術(shù)。因而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)l的技術(shù)中，在將盤(pán)介質(zhì)重疊 地收納在能夠收納多張的儲(chǔ)存盒內(nèi)的情況下，如果在重疊的多張盤(pán)介 質(zhì)之間槽孔不能對(duì)齊，則即便將R/W裝在儲(chǔ)存盒的上面或下面上，從 R/W發(fā)射的電波也不會(huì)到達(dá)所有的盤(pán)介質(zhì)。因而，不能一起進(jìn)行讀取、 寫(xiě)入。這樣，沒(méi)有考慮到對(duì)于多張盤(pán)的管理。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于以上的問(wèn)題而實(shí)施的，其目的在于提供裝配了即便 在重疊地收納在儲(chǔ)存盒內(nèi)的狀態(tài)下，也能夠以非接觸的方式(例如通 過(guò)電波)與外部進(jìn)行信息交換的IC芯片的盤(pán)介質(zhì)。本發(fā)明的盤(pán)介質(zhì)是為了達(dá)成所述目的而提出的.因此，本發(fā)明的 盤(pán)介質(zhì)是裝配有能夠以非接觸的方式與外部進(jìn)行信息交換的IC芯片 的盤(pán)介質(zhì)，其特征在于，所述盤(pán)介質(zhì)具有金屬膜區(qū)域和以分離所述金
屬膜區(qū)域的方式形成的非成膜區(qū)域，所述非成膜區(qū)域是設(shè)置在離中心孔大致等距離的附近的大致為環(huán)狀的槽，所述IC芯片的供電用的端、另外，本發(fā)明的盤(pán)介質(zhì)是il有能夠以非接觸的方式與外部進(jìn)行信息交換的IC芯片的盤(pán)介質(zhì)，其特征在于，所述盤(pán)介質(zhì)具有金屬膜區(qū)域和以分離所述金屬膜區(qū)域的方式形成的非成膜區(qū)域，所述非成膜 區(qū)域是設(shè)置在離中心孔大致等距離的附近的大致為環(huán)狀的槽，包括所述IC芯片的插入體的規(guī)定部位，以跨越所述非成膜區(qū)域的方式，與所述金屬膜區(qū)域的金屬膜層電連接或通過(guò)靜電電容耦合而連接。 根據(jù)本發(fā)明，可以提供裝配了即便在重疊地收納的狀態(tài)下，也能夠以非接觸的方式與外部進(jìn)行信息交換的IC芯片的盤(pán)介質(zhì)。


圖1A至圖1C是本發(fā)明的第1實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)的概略構(gòu)成圖，圖1A是俯視圖，圖1B是圖1A的Ai部放大圖，圖lC是圖lA的Yi-Yi放大剖面圖。圖2A以及圖2B是第1實(shí)施方式的第1變形例的盤(pán)介質(zhì)的概略構(gòu)成圖，圖2A是俯視圖，圖2B是圖2A的A2部放大圖。 圖3A是圖2A以及圖2B的環(huán)狀槽和缺口部的概略圖。 圖3B是環(huán)狀槽的寬度L2和可通信距離的相關(guān)圖。 圖3C是缺口部的寬度Wl和可通信距離的相關(guān)圖。 圖4A至圖4C是第1實(shí)施方式的第2變形例的盤(pán)介質(zhì)的概略構(gòu)成圖，圖4A是俯視立體圖，圖4B是凹部放大立體圖，圖4C是圖4A的Y2-Y2放大剖面圖。圖5是第1實(shí)施方式的第3變形例的盤(pán)介質(zhì)的概略構(gòu)成圖，是與圖4A的Y2 - Y2放大剖面圖相對(duì)應(yīng)的第3變形例的放大剖面圖。圖6A至圖6C M示通過(guò)各向異性淀積形成凹部的狹隘部的過(guò)程的概念圖，圖6A是凹部和槽的放大立體圖，圖6B是圖6A的Xj-Xi放大剖面圖，圖6C是說(shuō)明凹部附近的各向異性淀積的概念圖。
圖7是第1實(shí)施方式的第4變形例的盤(pán)介質(zhì)的概略構(gòu)成圖，是與 圖4A的Y2-Y2放大剖面圖相對(duì)應(yīng)的第4變形例的放大剖面圖。圖8A以及圖8B是展示通過(guò)各向異性淀積形成凹部的狹IS1部的 過(guò)程的概念圖，圖8A是展示凹部的形狀的概念圖，圖8B是說(shuō)明凹部 附近的各向異性淀積的概念圖。圖9是第1實(shí)施方式的其他的變形例的盤(pán)介質(zhì)的俯視圖。圖10A至圖10D是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)的概略構(gòu)成 圖，圖10A是俯視圖，圖IOB是圖10A的Bi部放大圖，圖10C是從 小型插入體的IC芯片的信號(hào)輸入輸出電極側(cè)看的平面圖，圖IOD是 展示小型插入體的小型天線的形狀的平面圖。圖IIA是圖10A的Y3-Y3放大剖面圖。圖IIB是小型插入體的等效電路圖。圖12A以及圖12B是第2實(shí)施方式的采用了不同形狀的小型插 入體的盤(pán)介質(zhì)的概略構(gòu)成圖，圖12A是俯視圖，圖12B是圖12A的B2部放大圖。圖13是第2實(shí)施方式的變形例的盤(pán)介質(zhì)的概略構(gòu)成圖，是俯視 立體圖。圖14A是圖13A的B3部的凹部的放大圖。 圖14B是圖13A的Y4-Y4放大剖面圖。圖15是展示粘貼了環(huán)狀槽天線密封件的盤(pán)介質(zhì)的構(gòu)成圖，(a) 部是說(shuō)明將環(huán)狀槽天線密封件粘貼到原盤(pán)上之前的狀態(tài)的圖，(b )l 一 、 ， 、圖16A是展示環(huán)狀槽天線密封件的平面圖。 圖16B是圖16A的Y5-Ys放大剖面圖。圖17A至圖17D是本發(fā)明第4實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)的概略構(gòu)成圖， 圖17A是俯視圖，圖17B是展示天線安裝型的IC芯片的結(jié)構(gòu)的立體 圖，圖17C以及圖17D是圖17A的B4部放大圖。圖18A以及圖18B是圖17A的Y廣Y6放大剖面圖，圖18A是
直接將天線安裝型的IC芯片裝配到樹(shù)脂基板上的情況下的放大剖面 圖，圖18B是在樹(shù)脂基板上設(shè)置凹部，然后將天線安裝型的IC芯片 裝配到凹部的底面上的情況下的放大剖面圖。圖19是說(shuō)明將多張盤(pán)介質(zhì)重疊后收納在儲(chǔ)存盒內(nèi)的情況下的、 由讀寫(xiě)器進(jìn)行的通信的概念圖。圖20A至圖20C是在本發(fā)明的第5實(shí)施方式的單面DVD上裝配 IC芯片時(shí)的構(gòu)成圖，圖20A是單面DVD的剖面圖，圖20B是第1盤(pán) 的俯視圖，圖20C是第2盤(pán)的仰視圖。圖21A至圖21C是裝配了第5實(shí)施方式的IC芯片的部分的剖面 圖，圖21A是圖20C的第2盤(pán)的Y8-Ys放大剖面圖，圖21B是圖20B 的第l盤(pán)的Y7-Y7放大剖面圖，圖21C是貼合之后的剖面圖。圖22是在本發(fā)明的DVD中進(jìn)行2張盤(pán)的對(duì)位的對(duì)位裝置的概念圖。圖23是展示由圖21的對(duì)位裝置進(jìn)行的將2張盤(pán)貼合在一起的工 序的流程圖。圖24A以及圖24B是在第5實(shí)施方式的第1變形例的單面DVD 上裝配小型插入體時(shí)的構(gòu)成圖，圖24A是第l盤(pán)的俯視圖，圖24B是 第2盤(pán)的仰視圖。圖25是圖24A以及圖24B的Y9 - Y9放大剖面圖、Y10 - Y^放大 剖面圖以及其貼合之后的剖面圖。圖26是在第5實(shí)施方式的第2變形例的單面DVD上裝配小型插 入體時(shí)的剖面圖。圖27A以及圖27B是第6實(shí)施方式的雙面DVD的構(gòu)成圖，圖27A 是第l盤(pán)的俯視圖，圖27B是第2盤(pán)的仰視圖。圖28A至圖28C是在第6實(shí)施方式的雙面DVD上裝配IC芯片 時(shí)的剖面圖，圖28A是貼合之前的第2盤(pán)的Yu-Yu放大剖面圖，圖 28B是貼合之前的第l盤(pán)的Yu-Yu放大剖面圖，圖28C是貼合之后 的剖面圖。圖29是展示本發(fā)明的第7實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)的概略構(gòu)成圖的俯視圖。
具體實(shí)施方式
以下，參照附圖，列舉合適的例子說(shuō)明用于實(shí)施本發(fā)明的優(yōu)選方式(以下稱(chēng)為"實(shí)施方式")的IC芯片裝配型的盤(pán)介質(zhì)，但為了便于理解，首先，說(shuō)明本實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)。再者，所謂的盤(pán)介質(zhì)是CD、 DVD等。 《盤(pán)介質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)》圖1A所示的盤(pán)介質(zhì)1A，具有CD、 DVD等一般的光盤(pán)介質(zhì)所共 通的如下的基本結(jié)構(gòu)。即，在該盤(pán)介質(zhì)1A上，在中心部設(shè)有中心孔2， 當(dāng)盤(pán)介質(zhì)1A被插入播放器時(shí)，以該中心孔2為中心旋轉(zhuǎn)，激光照射 在信息記錄面上，然后根據(jù)其反射光的光量讀取信號(hào)。另外，在距該 中心孔2的規(guī)定距離的外側(cè)的區(qū)域R1上，在樹(shù)脂基板7上形成有由 Ag、 Al等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的數(shù)十納米(nm)左右的厚度的金屬膜層 (金屬膜區(qū)域)14 (參照?qǐng)D1C)。并且，在形成金屬膜層14的區(qū)域 Rl之中，除了內(nèi)緣部側(cè)的區(qū)域R2以及外緣部側(cè)的區(qū)域R3之外的內(nèi) 側(cè)，被作為信息記錄區(qū)域R4。在此，外緣部側(cè)的區(qū)域R3，以沒(méi)有形 成金屬膜層14的例子來(lái)圖示。內(nèi)緣部側(cè)的區(qū)域R2，以下稱(chēng)為信息非 記錄區(qū)域R2。在圖1A中，用雙點(diǎn)劃線的圓表示信息非記錄區(qū)域R2 和信息記錄區(qū)域R4的邊界。如圖1C所示，金屬膜層14的表面被保 護(hù)層8包覆。形成在金屬膜層14之上的保護(hù)層8，例如采用也作為粘接劑使用 的紫外線硬化樹(shù)脂等，通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布法等進(jìn)行涂布。例如，如果在半 徑15~60mm的范圍內(nèi)涂布紫外線硬化樹(shù)脂，就可以形成膜厚30nm 的保護(hù)層。當(dāng)盤(pán)介質(zhì)1A是CD時(shí)，包括樹(shù)脂基板7、金屬膜層14、保護(hù)層 8的厚度約為1.2mm左右。再者，現(xiàn)在一般使用的CD、 DVD，其直徑為12cm。并且，形 成金屬膜層14(參照?qǐng)D1C)的區(qū)域R1，以中心為基準(zhǔn)直徑為25mm~119mm,其中，信息記錄區(qū)域R4為直徑44mm~117mm。但是，在 中心孔2的周?chē)?，通常，從中心到直?6mm處設(shè)為緊固區(qū)域。另夕卜， 也有小型的光盤(pán)介質(zhì)，其直徑最小為6cm左右。再者，由于也有在包括中心孔2的徑向外側(cè)的緊固區(qū)域的區(qū)域上 形成金屬膜層14的情況，因此在此，與緊固區(qū)域、形成金屬膜層14 的區(qū)域R1的邊界無(wú)關(guān)，從中心方向向徑向外側(cè)，將由沒(méi)有形成金屬 膜層14的非成膜部16構(gòu)成的區(qū)域稱(chēng)為中心非成膜區(qū)域R5，將形成金 屬膜層14、沒(méi)有記錄數(shù)據(jù)的徑向區(qū)域稱(chēng)為信息非記錄區(qū)域R2,將形 成金屬膜層14、記錄了信息或者可記錄信息的徑向區(qū)域稱(chēng)為信息記錄 區(qū)域R4。 一般所稱(chēng)呼的所述緊固區(qū)域，既有由沒(méi)有形成金屬膜層的中 心非成膜區(qū)域R5構(gòu)成的情況，也有包括到形成了金屬膜層的區(qū)域R1 的情況。再者，金屬膜層14的材料，是A1、 Ag、 Au、 Ni、 Cr、 Cu、 Al -Cu、 Al-Pd-Cu、 Ag-Pd-Ti等，特別是最好釆用Al、 Ag、 Au 類(lèi)的合金材料。另外，通過(guò)將金屬膜層14的厚度設(shè)為50nm以上，可 以提高電波的反射率。例如，如果通過(guò)各向異性較高的濺射形成金屬 膜層14，則可以形成140nm左右的厚度的膜厚。除此之外，還可以 通過(guò)真空蒸鍍法、噴墨方式的印刷等方法形成金屬膜層14。 《第1實(shí)施方式》首先，參照?qǐng)Dl說(shuō)明第1實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)。圖1A是展示作為 本實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)的CD的概略構(gòu)成的俯視圖，圖IB是圖1A的 Ai部的放大俯視圖，圖1C是圖1A的Yi-Y,放大剖面圖。在本實(shí)施方式中，相對(duì)于所述的基本結(jié)構(gòu)，在中心孔2的附近周 緣區(qū)域上，設(shè)有由沒(méi)有形成金屬膜層14的，即，非成膜部16構(gòu)成的 徑向?qū)挾燃s0.5mm的中心非成膜區(qū)域(非成膜區(qū)域)R5，在其外側(cè) 的形成了金屬膜層14的信息非記錄區(qū)域R2上，設(shè)有由直徑約30mm 的沒(méi)有形成金屬膜層14的非成膜部16(參照?qǐng)D1C )構(gòu)成的環(huán)狀槽(非 成膜區(qū)域)6A。環(huán)狀槽6A的寬度Ll是與后述的信號(hào)輸入輸出電極 (向天線供電用的端子)5a、 5b的間隔相對(duì)應(yīng)的寬度。通過(guò)環(huán)狀槽6A，
形成了金屬膜層14的區(qū)域Rl，被電分離成作為環(huán)狀槽6A的外側(cè)區(qū) 域的第1天線部(金屬膜區(qū)域)13、和作為環(huán)狀槽6A的內(nèi)側(cè)區(qū)域的 第2天線部(金屬膜區(qū)域)15A。進(jìn)而，在所述第2天線部15A上， 以沿著徑向用非成膜部16連接中心非成膜區(qū)域R5和環(huán)狀槽6A的方 式設(shè)有由沒(méi)有形成金屬膜層14的非成膜部16構(gòu)成的缺口部15a。即， 第2天線部15A由用金屬膜層14形成C字型的平面形狀的區(qū)域構(gòu)成。在通過(guò)濺射形成金屬膜層14的階段，通過(guò)掩蔽法在盤(pán)介質(zhì)1A的 信息非記錄區(qū)域R2的與信息記錄區(qū)域R4的邊界附近的金屬膜層14 上，如圖1A所示那樣，形成環(huán)狀槽6A、缺口部15a、中心非成膜區(qū) 域R5。以跨越該環(huán)狀槽6A的內(nèi)外的方式，并以使作為向IC芯片5 的天線供電用的端子的信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b與用虛線表示的5a、 5b的位置相對(duì)應(yīng)的方式，即，如圖1C所示那樣裝配IC芯片5。信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b,例如，由Au制的焊盤(pán)構(gòu)成，例如， 通過(guò)超聲波接合、金屬共晶等接合金屬膜層14和信號(hào)輸入輸出電極 5a、 5b。信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b也可以經(jīng)由各向異性導(dǎo)電膜與金 屬膜層14連接。然后，在金屬膜層14的表面上裝配了 IC芯片5之 后，用保護(hù)層8包覆金屬膜層14的表面。通過(guò)這樣的構(gòu)成，包括在形成了金屬膜層14的區(qū)域Rl內(nèi)的環(huán)狀 槽6A，作為將接收的電場(chǎng)作為駐波并使其諧振從而增幅的、與環(huán)形天 線相對(duì)應(yīng)的槽天線起作用。并且，IC芯片5能夠通過(guò)該槽天線在與外 部的R/W之間進(jìn)行無(wú)線通信。再者，形成環(huán)狀槽6A后裝配IC芯片5的部分的徑向區(qū)域，由 于不用于信息的記錄，因此這部分的徑向區(qū)域最好包括在信息非記錄 區(qū)域R2內(nèi)。更好的是它就是該盤(pán)介質(zhì)1A的規(guī)格的信息非記錄區(qū)域 R2，并且是非緊固區(qū)域。再者，環(huán)狀槽6A的周長(zhǎng)，與通常的環(huán)形天線同樣地，是通信波 長(zhǎng)的1個(gè)波長(zhǎng)時(shí)，通信最好.例如，在本實(shí)施方式中，是相對(duì)于2.45GHz 的通信波長(zhǎng)合適的環(huán)狀槽6A的周長(zhǎng)，根據(jù)發(fā)明者們的計(jì)測(cè)，得知當(dāng)將IC芯片5的信號(hào)輸入輸出電極
5a、 5b，分別電連接在位于環(huán)狀槽6A的徑向內(nèi)外側(cè)兩側(cè)的金屬膜層 14的區(qū)域上時(shí)，根據(jù)連接位置的與缺口部15a的周方向相對(duì)位置，即， 相對(duì)于缺口部15a的IC芯片5的裝配位置的周方向角度，天線的阻 抗發(fā)生變化，因此可以利用這個(gè)現(xiàn)象取得IC芯片5和天線的阻抗匹 配。另外，即便在環(huán)狀槽6A的周長(zhǎng)比1個(gè)波長(zhǎng)短的情況下，通過(guò)將 IC芯片5的相對(duì)于環(huán)狀槽6A的裝配位置最佳化，即，取得IC芯片5 和天線的阻抗匹配，也能夠使IC芯片有效地工作，并能夠進(jìn)行良好 的通信。下面具體地說(shuō)明由所述周方向相對(duì)位置引起的阻抗變化。當(dāng)以設(shè) 有缺口部15a的周方向位置的180。相反側(cè)的周方向位置為基準(zhǔn)的0°， 并向左旋轉(zhuǎn)、向右旋轉(zhuǎn)-180。、 +180。時(shí)，阻抗是在0。和±約90°的位 置上具有極大值，在比±45。和±180。稍微靠近前一側(cè)(靠近0。)的位置 上具有極小值的連續(xù)變化曲線。 (第1實(shí)施方式的效果)根據(jù)本實(shí)施方式，盤(pán)介質(zhì)1A在金屬膜層14上設(shè)置環(huán)狀槽6A， 從而可以將形成了金屬膜層14的區(qū)域R1作為IC芯片5的天線來(lái)使 用，并可以形成靈敏度良好的天線。并且，由于用缺口部15a和IC 芯片5的周方向相對(duì)位置進(jìn)行天線和IC芯片5的阻抗匹配，因此沒(méi) 必要在IC芯片5側(cè)制作特別的阻抗匹配電路。其結(jié)果，作為采用IC 芯片5的RFID標(biāo)簽整體，可以制成小面積的產(chǎn)品。另外，由于將金 屬膜層14用作天線，并且沒(méi)有追加新的部件，因此相對(duì)于以往的IC 芯片裝配型的盤(pán)介質(zhì)，沒(méi)有導(dǎo)致成本增加的因素。另外，由于在大范圍內(nèi)形成了金屬膜層14的區(qū)域R1成為天線， 因此相對(duì)于R/W可以提供較大面積的讀取/寫(xiě)入?yún)^(qū)域。特別是，由于 在信息非記錄區(qū)域R2的與信息記錄區(qū)域R4的邊界附近，在比緊固區(qū) 域靠近徑向外側(cè)設(shè)有環(huán)狀槽6A，因此可以在盤(pán)介質(zhì)的讀取裝置的內(nèi)部 進(jìn)行再生或記錄中進(jìn)行通信。另外，如以上所述，不僅可以用于數(shù)字內(nèi)容的著作權(quán)管理等，還 可以用于防止銀行的顧客信息、交易信息等高附加價(jià)值的信息的墓改 或不正當(dāng)復(fù)制。本實(shí)施方式的環(huán)狀槽6A或缺口部15a的形成，可以在形成金屬 膜層14時(shí)如所述那樣通過(guò)掩蔽法實(shí)現(xiàn)，也可以通過(guò)在樹(shù)脂基板7上形 成了金屬膜層14之后，利用激光加工等除去成為環(huán)狀槽6A、缺口部 15a的部分的金屬膜層14的方式實(shí)現(xiàn)。另外，在本實(shí)施方式中，雖然是在第1天線部13中包括了盤(pán)介 質(zhì)的信息記錄區(qū)域，但也可以構(gòu)成為在第2天線部15A中包括盤(pán)介質(zhì) 的信息記錄區(qū)域。通過(guò)這樣的構(gòu)成，槽周長(zhǎng)改變，可以對(duì)應(yīng)不同的頻 率?！兜?實(shí)施方式的第1變形例》其次，參照?qǐng)D2說(shuō)明第1實(shí)施方式的第1變形例。圖2A以及圖 2B是作為本實(shí)施方式的第1變形例的盤(pán)介質(zhì)1B的CD的概略構(gòu)成圖， 圖2A是俯視圖，圖2B是圖2A的A2部放大圖。與第1實(shí)施方式的不同之處在于，如圖2B所示，環(huán)狀槽(非成 膜區(qū)域)6B的外徑為30mm，寬度L2約為4mm，以及，使環(huán)狀槽 6B的寬度L2比第1實(shí)施方式的環(huán)狀槽6A的寬度Ll寬，在裝配IC 芯片5的部分上設(shè)置狹隘部6a，從而信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b可以 跨越環(huán)狀槽6B的內(nèi)外。對(duì)于與第1實(shí)施方式相同的構(gòu)成，標(biāo)以相同 的標(biāo)號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。發(fā)明者確認(rèn)了通過(guò)加寬環(huán)狀槽6B的寬度L2可以提高可通信距 離。如圖3B所示，根據(jù)在1張盤(pán)中，測(cè)定相對(duì)于環(huán)狀槽6B的寬度 L2的可通信距離的變化的結(jié)果，得知當(dāng)槽寬度L2為4mm時(shí)，可通 信距離是最好的。另外，除了可通信距離變長(zhǎng)的效果之外，槽寬度L2還影響到電 波的通過(guò)容易度。其結(jié)果，在重疊多張的情況下，對(duì)于電波的通過(guò)容 易度的貢獻(xiàn)，比寬度過(guò)寬所造成的缺點(diǎn)大，因此對(duì)于重疊盤(pán)的狀態(tài)下 的可通信距離來(lái)說(shuō)，與位于圖3B所示的4mm附近的可通信距離的極 大值相對(duì)應(yīng)的槽寬度L2向更大的值移動(dòng)。其結(jié)果，在重疊的張數(shù)較 多的情況下，最好將槽寬度L2設(shè)為5mm。
另外，如圖3C所示，得出如下的結(jié)果，即，當(dāng)缺口部15a的寬 度Wl為3mm時(shí)，可通信距離變得最長(zhǎng)。 《第1實(shí)施方式的笫2變形例》其次，參照?qǐng)D4A至圖4C說(shuō)明第1實(shí)施方式的第2變形例。圖 4A至圖4C是作為本實(shí)施方式的第2變形例的盤(pán)介質(zhì)1C的CD的概 略構(gòu)成圖，圖4A是俯視立體圖，圖4B是凹部的放大圖，圖4C是圖 4A的Y2-Y2放大剖面圖。相對(duì)于第1實(shí)施方式的第1變形例，是將IC芯片5裝配在平坦 的樹(shù)脂基板7上的金屬膜層14的表面上的情況，本變形例是在盤(pán)介質(zhì) 1C的樹(shù)脂基板7上形成凹部17A，然后形成金屬膜層14，并將IC芯 片5裝配在凹部17A的底面的金屬膜層14的表面上的。對(duì)于與笫1 實(shí)施方式的第1變形例相同的構(gòu)成，標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)，并省略說(shuō)明。凹部17A的深度，與IC芯片5的厚度和后述的各向異性導(dǎo)電膜 9的膜厚的合計(jì)的厚度大致相同，例如，是100pm左右。如圖4B所 示，凹部17A的平面形狀，是與IC芯片5的平面形狀大致相似的正 方形或長(zhǎng)方形，凹部17A的4邊的側(cè)壁是朝向底面17b的傾斜面17a， 在成膜之前，在包括與凹部17A的沿著周方向延伸的傾斜面17a以及 底面17b的狹隘部6a相對(duì)應(yīng)的部分的環(huán)狀槽6B上進(jìn)行掩蔽，形成金 屬膜層14。其結(jié)果，在圖4C中，雖然省略了凹部17A的傾斜面17a 和底面17b的標(biāo)號(hào)，但在凹部17A的傾斜面17a以及底面17b上也殘 留有狹隘部6a地形成金屬膜層14。其次，通過(guò)在形成在凹部17A的底面上的金屬膜層14的表面上 涂布各向異性導(dǎo)電膜9，并在該凹部17A的底面上裝配并按壓IC芯 片5， IC芯片5的信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b跨越形成在凹部17A的 底面上的非成膜部16的狹隘部6a并與金屬膜層14電連接。然后，以 包覆的方式在形成了金屬膜層14的區(qū)域R1的整個(gè)面上形成保護(hù)層8 (參照?qǐng)D4B).《第1實(shí)施方式的第3變形例》其次，參照?qǐng)D5以及圖6說(shuō)明第1實(shí)施方式的第3變形例。展示
作為本變形例的盤(pán)介質(zhì)ID的CD的概略構(gòu)成圖的立體俯視圖，與圖 4A大致相同，故省略了。圖5是與圖4A的Y2-Y2放大剖面圖相對(duì) 應(yīng)的圖。本變形例是以第1實(shí)施方式的第2變形例為基礎(chǔ)的，與第1實(shí)施 方式的第2變形例的不同點(diǎn)在于，如圖6A以及6B所示，在凹部17A 的底面上，進(jìn)而以沿著周方向延伸的方式形成有槽18。圖6B是圖6A 的^-Xi放大剖面圖，圖6C是說(shuō)明各向異性淀積對(duì)凹部以及槽的作 用的圖。對(duì)于與第1實(shí)施方式的第2變形例相同的構(gòu)成，標(biāo)以相同的 標(biāo)號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。槽18的深度例如是從凹部17A的底面17b開(kāi)始到lOOjim左右， 槽18的側(cè)壁是大致垂直或者是槽18的底面18d變寬那樣的倒錐形的 垂直側(cè)壁18b。槽18沿著凹部17A的周方向的傾斜面17a的左右周方 向延伸。槽18具有隨著沿著左右周方向延伸而寬度變寬、最后成為與 環(huán)狀槽6B的寬度相同的寬度、深度逐漸變淺的傾斜面18c，并以大致 垂直的垂直壁18a封閉。如圖6C所示，用以雙影線表示的光制抗蝕劑19掩蔽環(huán)狀槽6B 的部分，并從樹(shù)脂基板7的大致垂直的上方通過(guò)各向異性淀積(濺射) 形成金屬膜層14，在樹(shù)脂基板7的上面、凹部17A的4邊的傾斜面 17a以及底面17b、槽18的傾斜面18c以及底面18d上，以膜厚為50 ~ 250nm (0.05 ~ 0.25nm )的厚度形成金屬膜層14。但是，由于成膜時(shí) 的各向異性淀積的直進(jìn)性較強(qiáng)，因此在槽18的垂直壁18a以及相對(duì)的 垂直側(cè)壁18b的部分上沒(méi)有形成金屬膜層14。因而，形成的金屬膜層14,在構(gòu)成狹隘部6a的槽18的垂直壁 18a以及相對(duì)的垂直側(cè)壁18b，和環(huán)狀槽6B的寬廣的本體部分上被分 離成徑向內(nèi)外側(cè)，因此可以形成被電分離的第1天線部13和第2天線 部15A?！兜?實(shí)施方式的第4變形例》其次，參照?qǐng)D7以及圖8A至8C說(shuō)明第1實(shí)施方式的第4變形 例。展示作為本變形例的盤(pán)介質(zhì)1E的CD的概略構(gòu)成圖的立體俯視
圖，與圖4A大致相同，故省略了。圖7是與圖4A的Y2-Y2放大剖 面圖相對(duì)應(yīng)的圖.本變形例是以第1實(shí)施方式的第2變形例為基礎(chǔ)的，與第1實(shí)施 方式的第2變形例的不同點(diǎn)在于，如圖8A以及B所示，凹部17B的 形狀與第1實(shí)施方式的第2變形例的凹部17A不同，以及，采用了在 上下的面上設(shè)置IC芯片的信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b的IC芯片5A。 對(duì)于與第1實(shí)施方式的第2變形例相同的構(gòu)成，標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)，并 省略重復(fù)的說(shuō)明。凹部17B的深度，與IC芯片5A的厚度和各向異性導(dǎo)電膜9的 膜厚的2倍的合計(jì)的厚度大致相同，例如，是100jim左右。凹部17B 的平面形狀，是與IC芯片5A的平面形狀大致相似的正方形或長(zhǎng)方形， 只有凹部17B的沿著徑向相對(duì)的2邊的側(cè)壁中只有一方(在此是內(nèi)側(cè)) 的側(cè)壁是朝向底面17b的傾斜面17a，剩下的3邊的側(cè)壁是大致垂直 的垂直面17c。在成膜之前，如圖8B所示，在環(huán)狀槽6B的寬廣的本 體部分上，用以雙影線表示的光制抗蝕劑19進(jìn)行掩蔽。然后，從樹(shù)脂基板7的大致垂直上方開(kāi)始通過(guò)各向異性淀積(賊 射)形成金屬膜層14，在樹(shù)脂基板7的上面、凹部17B的1邊的傾斜 面17a以及底面17b上，以膜厚為50 ~ 250nm ( 0.05 ~ 0.25nm )的厚 度形成金屬膜層14。但是，由于成膜時(shí)的各向異性淀積的直進(jìn)性較強(qiáng)， 因此在垂直面17c的部分上沒(méi)有形成金屬膜層14。因而，形成的金屬膜層14,在構(gòu)成狹隘部6a的凹部17B的垂直 面17c以及環(huán)狀槽6B的寬廣的本體部分上，被分離成徑向內(nèi)外側(cè)， 因此可以形成被電分離的第1天線部13和第2天線部15A。其次，如圖7所示，在形成在凹部17B的底面17b上的金屬膜層 14的表面上涂布各向異性導(dǎo)電膜9，將IC芯片5A的信號(hào)輸入輸出電 極5b向下裝配并按壓在該凹部17B的底面17b上，進(jìn)而，在IC芯片 5A的上面(信號(hào)輸入輸出電極5a)側(cè)和與之相鄰的凹部17B的徑向 外側(cè)的金屬膜層14的一部分上涂布各向異性導(dǎo)電膜9，進(jìn)而，在此裝 配金屬箔10，將IC芯片5A的上面(信號(hào)輸入輸出電極5a)側(cè)與凹
部17B的徑向外側(cè)的金屬膜層14電連接。然后，以包覆的方式在形 成了金屬膜層14的區(qū)域Rl的整個(gè)面上形成保護(hù)層8。再者，也可以將凹部17B的徑向內(nèi)側(cè)或外側(cè)的側(cè)壁中的任意一個(gè) 設(shè)為朝向底面17b的傾斜面17a。在將與底面17b以及傾斜面17a電 連接的IC芯片5A的下側(cè)的信號(hào)輸入輸出電極，與笫1天線部13或 第2天線部15A中的任意一個(gè)連接之后，使IC芯片5A的上側(cè)的信號(hào) 輸入輸出電極與剩下的天線部電連接。(第1實(shí)施方式的第2至第4變形例的效果) 通過(guò)像這樣如圖4A至圖8C所示的第1實(shí)施方式的第2變形例 至笫4變形例那樣，將IC芯片5、或者IC芯片5A埋入樹(shù)脂基板7 的厚度方向的內(nèi)部，可以使盤(pán)介質(zhì)1C、 1D、 1E的形成了金屬膜層14 的區(qū)域R1的表面，比第1實(shí)施方式以及其第1變形例的情況更平坦， 因此可以增大盤(pán)介質(zhì)1C至盤(pán)介質(zhì)1E的保護(hù)層8的上面的與盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝 置的機(jī)械間隙?！兜?實(shí)施方式的其他的變形例》 再者，在笫1實(shí)施方式以及其變形例中，雖然是在第2天線部15A 上設(shè)置由非成膜部16構(gòu)成的缺口部15a，但不限于此。在IC芯片5 或IC芯片5A內(nèi)置有阻抗匹配電路的情況下，如圖9所示的盤(pán)介質(zhì) 1F那樣，第2天線部15B也可以僅僅是形成了金屬膜層14的環(huán)狀的 區(qū)域。圖9是例示寬度L1的狹窄的環(huán)狀槽6A的情況的圖，但不限于 此，也可以設(shè)為寬廣的環(huán)狀槽6B,或者將IC芯片5或IC芯片5A裝 配在所述狹隘部6a處。這時(shí)，IC芯片5、 5A可以配置在環(huán)狀槽6A、 6B的周方向的任意的位置上?！兜?實(shí)施方式》其次，參照?qǐng)DIOA至圖12B說(shuō)明第2實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)。圖10A 至圖IOD是本實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)1G的概略構(gòu)成圖，圖IOA是俯視圖， 圖10B是圖10A的Bi部放大圖，圖10C M示IC芯片的信號(hào)輸入 輸出電極面的平面圖，圖IOD晃艮示小型插入體的天線部分的平面圖。 圖IIA是圖10A的Y3-Y3放大剖面圖，圖IIB是說(shuō)明小型插入體的 等效電路的圖。圖12A以及圖12B是本實(shí)施方式的采用了別的形狀的小型插入 體的盤(pán)介質(zhì)1H的概略構(gòu)成圖，圖12A是俯視圖，圖12B是圖12A的B2部放大圖。第1實(shí)施方式的第1變形例是將IC芯片5直接裝配在形成了金 屬膜層14的信息非記錄區(qū)域R2的金屬膜層14的表面上的盤(pán)介質(zhì)1B， 相對(duì)于此，本實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)1G、 1H，是在形成了金屬膜層14的 信息非記錄區(qū)域R2上，裝配了具備IC芯片5和小型天線23A或小型 天線23B而構(gòu)成的小型插入體11A或小型插入體11B的盤(pán)介質(zhì)。在本 實(shí)施方式中，與第1實(shí)施方式的第1變形例不同，環(huán)狀槽6B沒(méi)有用 于與IC芯片5的信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b電連接的狹隧部6a，在全 周上，寬度L2都比IC芯片5的寬度寬，是3mm。對(duì)于與第1實(shí)施 方式的第1變形例相同的構(gòu)成，標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。另外，在本實(shí)施方式中所說(shuō)的小型插入體，是指具有IC芯片， 和能夠形成進(jìn)行形成在盤(pán)介質(zhì)上的天線和IC芯片的阻抗匹配的槽的 長(zhǎng)度以及寬度的小型天線，并且將它們固定在成為基底的薄膜等之上的物件o通常，插入體的天線長(zhǎng)度，設(shè)為在樹(shù)脂基板上的考慮了介電常數(shù) 的用于通信的電波的波長(zhǎng)x的一半的長(zhǎng)度。但是，可以使用使天線比 這還短的小型插入體，以優(yōu)先尺寸的縮小。即便插入體的天線的長(zhǎng)度 是波長(zhǎng)3t的一半以下的長(zhǎng)度，只要取得阻抗匹配，通過(guò)小型插入體單 體，或者與其他的金屬部件(在本實(shí)施方式中，與金屬膜層對(duì)應(yīng))的作用，就可以實(shí)現(xiàn)與R/W的通信。如圖10B所示，小型插入體11A是如下的部件，即，將由A1等 電導(dǎo)體的金屬薄膜構(gòu)成的直線形狀的小型天線23A，通過(guò)成膜、印刷 等方式形成在例如由聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET )構(gòu)成的基底膜21(絕 緣體)的表面上，在小型天線23A的中央部分上形成L字型的狹縫 23a,并將IC芯片5的信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b，以跨越該狹縫23a 而通過(guò)超聲波接合、共晶接合、經(jīng)由各向異性導(dǎo)電膜等與小型天線23A
電連接的方式搭栽。如果小型插入體11A的長(zhǎng)度為5~ 15mm,當(dāng)將 收發(fā)信所用的電波在樹(shù)脂基板上的考慮了介電常數(shù)的電波長(zhǎng)設(shè)為1 時(shí)，就是波長(zhǎng)X的0.04 t 0.145i左右的長(zhǎng)度。這種構(gòu)成的小型插入體 IIA，如圖10A所示，用涂抹在基底膜21的背面的粘接劑22 (參照 圖IIB)粘貼、裝配在盤(pán)介質(zhì)1G的信息非記錄區(qū)域R2的表面上。這 時(shí)，小型天線23A的兩方的端部23b經(jīng)由基底膜21與金屬膜層14以 靜電電容耦合的方式被連接在一起。在本實(shí)施方式中，作為"小型天線 的規(guī)定部位"，小型天線23A的一方的端部23b與第1天線部13的金 屬膜層14通過(guò)靜電電容耦合連接在一起，另一方的端部23b與第2 天線部15A的金屬膜層14通過(guò)靜電電容耦合連接在一起。再者，在粘貼小型插入體11A時(shí)，最好以小型天線23A的狹縫 23a的部分不會(huì)與信息非記錄區(qū)域R2的金屬膜層14重疊的方式配置。如圖10D所示，通過(guò)將IC芯片5的信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b 分別在跨越L字型的狹縫23a的L字的拐角處的位于兩側(cè)的位置上電 連接在小型天線23A上，將通過(guò)狹縫23a的形成而出現(xiàn)的短截線23c 的部分，串聯(lián)地連接在成為天線的小型天線23A的其他的部分、第l 天線部13以及第2天線部15A、和IC芯片5之間，短截線23c的部 分作為串聯(lián)地連接的電感器成分起作用(參照?qǐng)D11B)。通過(guò)該電感 器成分，可以將IC芯片5內(nèi)的電容成分抵消，并取得小型天線23A 的其他的部分、第1天線部13以及第2天線部15A、和IC芯片5的 阻抗匹配。即，IC芯片5可以使形成在足夠的面積的金屬膜層14上 的環(huán)狀槽6B作為與環(huán)形天線相對(duì)應(yīng)的槽天線起作用，同時(shí)可以使IC 芯片5的阻抗和槽天線的阻抗相匹配。將這樣的狹縫23a稱(chēng)為阻抗匹 配電路。再者，IC芯片5和成為天線的小型天線23A的剩余的部分以及 金屬膜層14的阻抗匹配，由到狹縫23a的L字型的拐角為止的各長(zhǎng) 度板所決定的短截線23c的面積來(lái)決定。小型插入體并不限于直線形狀，如圖12所示，也可以是L字形 狀的小型插入體11B。另外，雖然圖未示，但也可以是在兩端具有耳
朵的3字形狀的小型插入體。只是，只要小型天線的兩端的端部的一方，與環(huán)狀槽6B的徑向內(nèi)側(cè)以及外側(cè)中的任意一側(cè)的金屬膜層14靜 電電容耦合，小型天線的端部的另一方，與環(huán)狀槽6B的徑向內(nèi)外側(cè) 中的另 一側(cè)的金屬膜層14靜電電容耦合即可，如果是L字形狀的小型插入體11B、 3字形狀的小型插入體，則 由于端部的靜電電容耦合部分的面積增加，因此天線效率增大。另外， 通過(guò)采用小型插入體，就沒(méi)必要在環(huán)狀槽6B處設(shè)置狹隘部6a，環(huán)狀 槽6B的形狀變得簡(jiǎn)單。根據(jù)本實(shí)施方式，可以得到與第1實(shí)施方式的第1變形例相同的 效果，進(jìn)而，由于小型插入體11A、 IIB具有阻抗匹配電路，因此有 可能不需要在第2天線部15A上設(shè)置缺口部15a。另外，在本實(shí)施方式中，作為阻抗匹配電路設(shè)為L(zhǎng)字型的狹縫 23a,但不限于此，也可以是其他的形狀。例如，也可以代替L字型 的狹縫23a而設(shè)為T(mén)字型狹縫。這時(shí)，以T字的縱棒部分沿著小型天 線23A或小型天線23B的寬度方向，T字的橫棒部分沿著小型天線23A 或小型天線23B的縱向的方式形成，以在狹縫的T字型的拐角部跨越 T字的縱棒的方式，與作為向天線供電用的端子的信號(hào)輸入輸出電極 5a、 5b相對(duì)應(yīng)地裝配IC芯片5。再者，在本實(shí)施方式中，如以上所述，雖然最好以不會(huì)將小型插 入體11A、 11B的狹縫23a和金屬膜層14重疊的方式使其定位，但在 環(huán)狀槽6B的寬度較小，狹縫23a與金屬膜層14重疊的情況下，才艮據(jù) 裝配小型插入體11A、 IIB的位置、和缺口部15a的相對(duì)周方向位置， 也可以進(jìn)行阻抗匹配?！扼?實(shí)施方式的變形例》其次，參照?qǐng)D13以及圖14說(shuō)明本實(shí)施方式的變形例。本變形例 是在第2實(shí)施方式中，在信息非記錄區(qū)域R2上設(shè)置凹部17C，并在 此裝配小型插入體11A的盤(pán)介質(zhì)，圖13以及圖14是作為本變形例的 盤(pán)介質(zhì)1K的CD的概略構(gòu)成圖，圖13A是立體俯視圖，圖14B是圖 13A的B3部的凹部的放大圖，圖14C是圖13A的Y4-Y4放大剖面圖。
直線形狀的小型插入體11A與所述圖IOB所示的構(gòu)成相同。如 圖13A所示，在樹(shù)脂基板7上，在信息非記錄區(qū)域R2上沿著徑向長(zhǎng) 長(zhǎng)地形成與小型插入體11A的平面形狀大致相同的凹部17C。凹部 17C的4邊的側(cè)壁，如圖14B所示，具有朝向底面17b的傾斜面17a。 并且，如雙點(diǎn)劃線的假想線所示那樣，在形成金屬膜層14之后，將小 型插入體11A粘貼在凹部17C處。這時(shí)，如圖14C所示，將小型天 線23A的兩側(cè)的端部23b，經(jīng)由基底膜21,分別與第1天線部13的 金屬膜層14以及第2天線部15A的金屬膜層14以靜電電容耦合的方 式進(jìn)行連接。再者，在粘貼小型插入體11A時(shí)，最好以小型天線23A的狹縫 23a的部分不會(huì)與金屬膜層14重疊的方式配置。再者，在本變形例中，雖然以直線形狀的小型插入體11A為例說(shuō) 明了小型插入體的形狀，但不限于此，也可以設(shè)為其他形狀的小型插 入體。例如，也可以是如圖12B所示的L字形狀的小型插入體IIB。另 外，雖然圖未示，但也可以是在兩端具有耳朵的3字形狀的小型插入 體。只是，凹部17C的形狀設(shè)為與小型插入體的形狀相吻合的平面形 狀。(第2實(shí)施方式以及其變形例的效果) 根據(jù)本實(shí)施方式或者其變形例(參照?qǐng)D10 ~圖15)，由于形成 了金屬膜層14的區(qū)域R1起到天線的功能，因此例如，小型插入體11A、 11B也可以是長(zhǎng)度為5 ~ 15mm這樣短的，并可以由形成了阻抗匹配用 的狹縫23a的小型天線23A構(gòu)成。因而，小型插入體IIA、 11B可以 制作的極小。根據(jù)本實(shí)施方式以及其變形例，例如，小型插入體11A、 IIB的 小型天線23A、 23B的兩側(cè)的端部23b以靜電電容耦合的方式連接在 金屬膜層14上，可以將形成了金屬膜層14的區(qū)域R1用作天線。其效果是可以得到與在第l實(shí)施方式以及其變形例中記載的情況 相同的效果，即，作為裝配在盤(pán)介質(zhì)1G、 1H、 1K上的RFID標(biāo)簽的 小型插入體，可以將形成了金屬膜層14的區(qū)域R1用作IC芯片5的 天線，并能夠與小型天線23A、 23B—起形成靈敏度良好的天線。另 外，由于將金屬膜層14用作天線，沒(méi)有追加新的部件，因此相對(duì)于以 往的IC芯片裝配型的盤(pán)介質(zhì)，沒(méi)有導(dǎo)致成本增加的因素。另外，由于金屬膜層14在大范圍內(nèi)成為天線，因此相對(duì)于R/W， 可以提供較大的讀取/寫(xiě)入面積。特別是，根據(jù)本實(shí)施方式的變形例，例如，與第2實(shí)施方式相比， 可以提高粘貼了小型插入體IIA、 11B之后的上面?zhèn)鹊钠教苟?，并?以增大保護(hù)層8的上面的與盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置的機(jī)械間隙。 《第3實(shí)施方式》其次，參照?qǐng)D15以及圖16說(shuō)明第3實(shí)施方式。在所述第2實(shí)施 方式中，也可以在實(shí)施了保護(hù)層8之后粘貼小型插入體IIA、 IIB。 這時(shí)，如圖15所示，就可以用較低的成本將現(xiàn)存的已經(jīng)完成的盤(pán)介質(zhì) (以下稱(chēng)為原盤(pán))1La再生成帶有RFID的盤(pán)介質(zhì)1L。以下，以小型插入體11A為例詳細(xì)地說(shuō)明本實(shí)施方式。對(duì)于與第 2實(shí)施方式相同的構(gòu)成，標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。如圖15的(a)部所示，將裝配了小型插入體IIA、和例如由 Al箔構(gòu)成的C字型的第2天線部(環(huán)狀的金屬薄膜)15C的環(huán)狀槽天 線密封件(密封件)12,粘貼在已經(jīng)實(shí)施了保護(hù)層8的原盤(pán)lLa上， 從而如圖15的(b)部所示那樣構(gòu)成盤(pán)介質(zhì)1L。圖16A是展示環(huán)狀 槽天線密封件的平面圖，圖16B是圖16A的Ys-Y5放大剖面圖。如圖15的(a)部所示，原盤(pán)lLa，由以從中心孔2的中心，例 如到15mm處沒(méi)有形成金屬膜層14的非成膜部16構(gòu)成的中心非成膜 區(qū)域R5，和在其徑向外側(cè)形成了金屬膜層14的區(qū)域R1構(gòu)成。如圖16A以及B所示，環(huán)狀槽天線密封件12是如下的部件，即， 將在下面上涂布有圖未示的粘接劑并且在中央設(shè)置了中心孔26a的圃 盤(pán)狀的保護(hù)膜26，以包括配置在保護(hù)膜26的規(guī)定位置上的小型插入 體IIA、和由Al箔構(gòu)成的具有缺口部15a的環(huán)狀的第2天線部15C 的方式，粘貼在所述粘接劑的下側(cè)，進(jìn)而，與按照保護(hù)膜26的形狀涂
布了粘接劑22的剝離紙25貼合在一起。再者，中心孔26a與原盤(pán)1La的中心孔2是相同的直徑。笫2 天線部15C,例如，外徑為24mm，內(nèi)徑為16mm，以與保護(hù)膜26的 內(nèi)徑15mm的中心孔26a同心的方式將笫2天線部15C配置并粘貼在 保護(hù)膜26上。另外，小型插入體11A以將小型天線23A的朝向?qū)χ?中心孔26a，縱向朝向徑向，徑向內(nèi)側(cè)的端部23b重疊在第2天線部 15C之下的方式配置。進(jìn)而，這時(shí)，小型插入體11A的相對(duì)于缺口部 15a的周方向的相對(duì)位置，設(shè)定為在阻抗匹配上合適的預(yù)先設(shè)定的周 方向的相對(duì)位置。另外，小型插入體11A的與第2天線部15C重疊的 長(zhǎng)度，以如下的方式配置，即，在將中心孔26a與原盤(pán)lLa的中心孔 2重合時(shí)，小型插入體11A的小型天線23A的徑向外側(cè)的端部23b， 如圖15的(a)部所示，與信息非記錄區(qū)域R2的金屬膜層14重疊， 小型天線23A的狹縫23a部分不與金屬膜層14重疊。在保護(hù)膜26和剝離紙25之間，當(dāng)以包括小型插入體11A和第2 天線部15C的方式粘貼在一起時(shí)，在剝離紙25上，在與中心孔26a、 第2天線部15C以及小型插入體11A各自的位置相對(duì)應(yīng)的位置上，預(yù) 先描繪相對(duì)應(yīng)的外形線圖，在已經(jīng)涂布了粘接劑22的剝離紙25上， 以與小型插入體11A的外形線圖的位置相吻合的方式配置粘貼小型插 入體11A。之后，將已經(jīng)在下面上粘貼了第2天線部15C的保護(hù)膜26， 以與剝離紙25的中心孔26a的外形線圖的位置和缺口部15a的外形線 相吻合的方式粘貼在剝離紙25上，從而制作成環(huán)狀槽天線密封件12 即可。然后，在使用時(shí)剝?nèi)冸x紙25，以保護(hù)膜26的中心孔26a與原 盤(pán)1La的中心孔2相吻合的方式定位，然后粘貼在原盤(pán)1La上。這樣， 可以高精度且容易地將小型插入體11A裝配在原盤(pán)1La的規(guī)定的位置 上，并制成盤(pán)介質(zhì)1L,其結(jié)果，如圖15的(b)部所示，可以將緊靠 環(huán)狀槽天線密封件12的外徑的外側(cè)的區(qū)域作為信息記錄區(qū)域R4，在 形成了金屬膜層14的區(qū)域R1的內(nèi)徑(30mm)和笫2天線部15C的 外徑(24mm)之間，高精度地形成3mm寬的環(huán)狀槽6B。由于小型
插入體11A的小型天線23A的徑向外側(cè)的端部23b，與信息非記錄區(qū) 域R2的金屬膜層14靜電電容耦合，小型天線23A的徑向內(nèi)側(cè)的端部 23b，與笫2天線部15C的A1箔靜電電容耦合，因此相對(duì)于IC芯片 5，小型插入體IIA、第1天線部13以及第2天線部15C便構(gòu)成與環(huán) 形天線相對(duì)應(yīng)的槽天線。以上，用圖15、圖16，以小型插入體11A為例進(jìn)行了說(shuō)明，但 不限于此，在采用了小型插入體11B的第2實(shí)施方式，另外，對(duì)于3 字形狀的小型插入體也可以應(yīng)用。 (第3實(shí)施方式的效果)根據(jù)本實(shí)施方式，可以簡(jiǎn)單地將現(xiàn)存的原盤(pán)1La的形成了金屬膜 層14的區(qū)域R1用作與環(huán)形天線相對(duì)應(yīng)的槽天線，制造很容易。另夕卜， 第2天線部15C，例如，可以用C字型的Al箔制作，可以制作的極 薄，因此即便包括緊固區(qū)域，也基本不會(huì)影響盤(pán)介質(zhì)1L的保護(hù)膜26 的上面的與盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置的機(jī)械間隙。另外，由于環(huán)狀槽天線密封件12 位于旋轉(zhuǎn)的中心側(cè)，因此可以縮小由重心的偏移導(dǎo)致的不平衡。本實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)1L的效果，是可以得到與第2實(shí)施方式以 及其變形例中所記載的情況相同的效果。即，作為裝配在盤(pán)介質(zhì)1L 上的RFID標(biāo)簽的小型插入體11A，可以將形成了金屬膜層14的第1 天線部13和第2天線部15C用作IC芯片5的天線，并能夠與小型天 線23A—起形成靈敏度良好的天線。另外，由于金屬膜層14在大范 圍內(nèi)成為天線，因此相對(duì)于R/W可以提供較大的讀取/寫(xiě)入面積。 《第4實(shí)施方式》其次，參照?qǐng)D17A至D以及圖18A以及B說(shuō)明第4實(shí)施方式。 本實(shí)施方式是以第1實(shí)施方式的第1變形例為基礎(chǔ)的，本實(shí)施方式與 第1實(shí)施方式的第1變形例的不同點(diǎn)在于，代替IC芯片5而采用天 線安裝型的IC芯片5B，安裝天線與第1天線部13以及第2天線部 15A電磁場(chǎng)耦合，圖17是作為本實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)1M的CD的概略構(gòu)成圖，圖 17A是俯視圖，圖17B是展示天線安裝型的IC芯片的構(gòu)成的立體圖，
圖17C以及圖17D是圖17A的B4部放大圖。圖18A以及B是圖17A 的Y6-Y6放大剖面圖。本實(shí)施方式與第1實(shí)施方式的第1變形例相同，如圖17A所示， 環(huán)狀槽6B的外徑為30mm，寬度L2為3mm,第2天線部15A的內(nèi) 徑為16mm，中心孔2的內(nèi)徑為15mm。在相對(duì)于缺口部15a的規(guī)定的周方向的相對(duì)位置的環(huán)狀槽6B的 沒(méi)有形成金屬膜層14的非成膜部16上，裝配天線安裝型的IC芯片 5B(參照?qǐng)D18B)。 IC芯片5B在一方的面上，例如，在該圖中，在 上面上具有信號(hào)輸入輸出電極5a、5b,并具有將信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b之間連接成漩渦狀的金屬導(dǎo)體，例如，Al的安裝天線5c。 IC芯片 5B，如圖18B所示，與環(huán)狀槽6B的徑向內(nèi)外方向的兩側(cè)的金屬膜層 14夾著些微的間隙，例如lmm以下，安裝天線5c與第1天線部13 以及第2天線部15A電磁場(chǎng)耦合。如果IC芯片5B的1邊的長(zhǎng)度小于 環(huán)狀槽6B的寬度L2，如圖17D所示，在配置IC芯片5B的環(huán)狀槽 6B的部分上形成并配置狹隘部6a。對(duì)于與第1實(shí)施方式的第1變形例相同的構(gòu)成，標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)， 并省略重復(fù)的說(shuō)明。再者，如圖18A所示，IC芯片5B也可以裝配在由進(jìn)行掩蔽后形 成的非成膜部16構(gòu)成的環(huán)狀槽6B上，還可以在該部分上如圖18B所 示那樣形成凹部17D,然后裝配在凹部17D的底面上，以使得即便裝 配了 IC芯片5B,保護(hù)層8也變得平坦。這樣，通過(guò)將天線安裝型的IC芯片5B配置在環(huán)狀槽6B上，也 可以使形成了金屬膜層14的區(qū)域R1作為與環(huán)形天線相對(duì)應(yīng)的槽天線 起作用。以上，根據(jù)第1實(shí)施方式至第4實(shí)施方式以及它們的變形例(參 照?qǐng)D1~圖18)，形成環(huán)狀槽6A、 6B，相對(duì)于IC芯片5、 5A、 5B 或者裝配在小型插入體IIA、 11B等上的IC芯片5，環(huán)狀槽6A、 6B 的徑向內(nèi)外兩側(cè)的第1天線部13的金屬膜層14、第2天線部15A、 15B、 15C的金屬膜層14、 Al箔作為槽天線起作用。
特別是，由于在信息非記錄區(qū)域R2的與信息記錄區(qū)域R4的邊 界附近，在與緊固區(qū)域相比靠近徑向外側(cè)，設(shè)有環(huán)狀槽6A、 6B，因 此當(dāng)在播放器或記錄器的內(nèi)部將CD進(jìn)行再生或記錄中，可以進(jìn)行通 信。另外，由于環(huán)狀槽6A、 6B沿著周方向連接，因此如圖19所示， 在將多張盤(pán)介質(zhì)重疊地收納在儲(chǔ)存盒20內(nèi)的狀態(tài)下， 一旦將R/W舉 在儲(chǔ)存盒20的上側(cè)或下側(cè)，來(lái)自于R/W天線28的電波貫通環(huán)狀槽 6A、 6B后傳播，可以很容易地與儲(chǔ)存盒20內(nèi)的任意的盤(pán)介質(zhì)進(jìn)行通 信。如專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的在周方向上設(shè)有使用波長(zhǎng)人的1/2波長(zhǎng)的 長(zhǎng)度的槽的情況下，當(dāng)將多張盤(pán)介質(zhì)重疊收納時(shí)，如果在各盤(pán)介質(zhì)之 間不將該槽的周方向位置對(duì)齊，電波貫通槽后，就不會(huì)到達(dá)各盤(pán)介質(zhì) 的RFID標(biāo)簽。因此，出現(xiàn)了將盤(pán)介質(zhì)對(duì)齊這樣煩雜的操作。在所述 各實(shí)施方式以及其變形例中，就不需要這樣煩雜的操作。再者，在所述第1實(shí)施方式至第4實(shí)施方式以及其變形例中，環(huán) 狀槽6A、 6B的形狀，雖然作為圓環(huán)狀進(jìn)行了說(shuō)明，但不限于此，也 可以是具有與通信波長(zhǎng)X相對(duì)應(yīng)的周長(zhǎng)的四邊形等多邊形的環(huán)狀槽?！兜?實(shí)施方式》其次，參照?qǐng)D20以及圖21說(shuō)明第5實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)。本實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)，是只在一面上具有形成了金屬膜層14的 區(qū)域的單面DVD30A，是將金屬膜層14用作天線的盤(pán)介質(zhì)。再者， 單面DVD30A以如下的方式制造，即，將較薄的CD以將樹(shù)脂基板側(cè) 作為外側(cè)，然后將金屬膜層側(cè)相對(duì)的方式貼合在一起，這時(shí)，是在一 方上形成有金屬膜層，另一方保持樹(shù)脂基板，2張貼合的構(gòu)成，因此 可以采用在第1實(shí)施方式至第4實(shí)施方式或者其變形例中說(shuō)明的構(gòu)成。圖20是說(shuō)明在作為笫5實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)的單面DVD上裝配 IC芯片時(shí)的構(gòu)成的圖。如圖20A所示，單面DVD30A是將在第1樹(shù)脂基板31a之上具 有金屬膜層14的第1盤(pán)31A、和只由沒(méi)有金屬膜層14的笫2樹(shù)脂基 板32a構(gòu)成的第2盤(pán)32A貼合在一起的構(gòu)成。第1盤(pán)31A、第2盤(pán)32A
的厚度都是0.6mm左右，單面DVD30A整體的厚度與CD相同，是 1.2mm左右.不同之處在于，在CD等盤(pán)介質(zhì)1A~1L中，在較薄的 保護(hù)層8之下形成有金屬膜層14,相對(duì)于此，在單面DVD30A中， 在盤(pán)的厚度方向的大致中心處形成有金屬膜層14。另外，在如DVD等那樣將2張盤(pán)貼合在一起的情況下，將用于 形成在所述CD的金屬膜層14之上的保護(hù)層8的例如紫外線硬化樹(shù) 脂，用作粘接劑，并通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布法等進(jìn)行涂布。圖20B是在圖20A中，從上側(cè)看與第2盤(pán)32A貼合之前的第1 盤(pán)31A的俯視圖，圖20C是在圖20A中，從下側(cè)看與第1盤(pán)31A貼 合之前的第2盤(pán)32A的仰視圖。圖21A是圖20C的第2盤(pán)的Y8 - Y8 放大剖面圖，圖21B是圖20B的笫l盤(pán)的Y7-Y7放大剖面圖，圖21C 是貼合之后的剖面圖。在這樣的單面DVD30A中，如圖20B所示，在第1盤(pán)31A的金 屬膜層14的表面上，與第2實(shí)施方式的第1變形例同樣地在金屬膜層 14上形成環(huán)狀槽6B，如圖21B所示，以信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b跨 越由非成膜部16構(gòu)成的環(huán)狀槽6B的狹隘部6a而與金屬膜層14連接 的方式裝配IC芯片5 (參照?qǐng)D2B)。另一方面，在第2盤(pán)32A的第 2樹(shù)脂基板32a上，在與裝配在第1盤(pán)31A的金屬膜層14上的IC芯 片5相對(duì)應(yīng)的位置上，如圖20C以及圖21A所示，形成能夠收納IC 芯片5的大小的凹部33A.當(dāng)將以這種方式構(gòu)成的第1盤(pán)31A和第2 盤(pán)32A貼合在一起時(shí)，如圖21C所示，就可以實(shí)現(xiàn)因裝配了 IC芯片 5而能夠使第1天線部13以及第2天線部15A的金屬膜層14作為與 環(huán)形天線相對(duì)應(yīng)的槽天線起作用的單面DVD30A。其結(jié)果，如圖21C所示，IC芯片5被安裝在單面DVD30A的厚 度方向的中心部。再者，對(duì)于與第1實(shí)施方式的第1變形例相同的構(gòu)成，標(biāo)以相同 的標(biāo)號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。圖22是進(jìn)行用于將構(gòu)成本實(shí)施方式的單面DVD30A的2張第1 盤(pán)31A以及第2盤(pán)32A貼合在一起的對(duì)位的對(duì)位裝置的概念圖。對(duì)位 裝置50，相對(duì)于使第1盤(pán)31A以及第2盤(pán)32A水平地栽置并旋轉(zhuǎn)的 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)51，在上下兩側(cè)配置有光源52和具有攝像功能的CCD53。 對(duì)位裝置50，具有與CCD53連接、并檢測(cè)裝配在笫1盤(pán)31A上的IC 芯片5的位置和第2盤(pán)32A的凹部33A的位置的圖未示的圖像處理裝 置、和接收來(lái)自于圖像處理裝置的檢測(cè)信號(hào)、然后進(jìn)行第1盤(pán)31A的 IC芯片5的位置和第2盤(pán)32A的凹部33A的對(duì)位的圖未示的控制裝 置。再者，在圖22中，雖然只展示了 1組旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)51、光源52以及 CCD53，但實(shí)際上準(zhǔn)備了第1盤(pán)31A用以及第2盤(pán)32A用的2組。圖23是由對(duì)位裝置進(jìn)行的貼合2張第1盤(pán)31A以及第2盤(pán)32A 的工序的流程圖。首先，輸送第1盤(pán)31A以及第2盤(pán)32A(步驟S1)， 將第1盤(pán)31A以及第2盤(pán)32A緊固在各自的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)51上(步驟S2 )， 由光源52投射光，然后由CCD53取入第1盤(pán)31A的透過(guò)圖像(步驟 S3),進(jìn)行圖像處理，并檢測(cè)出IC芯片5的位置(步驟S4)。其次， 由光源52投射光，然后由CCD53取入第2盤(pán)32A的透過(guò)圖像(步驟 S5)，進(jìn)行圖像處理，并檢測(cè)出凹部33A的位置(步驟S6)。相對(duì) 于第1盤(pán)31A進(jìn)行第2盤(pán)32A的對(duì)位(步驟S7)。即，以第1盤(pán)31A 的IC芯片5的位置和第2盤(pán)32A的凹部33A的位置相吻合的方式相 對(duì)地旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行對(duì)位。然后，將第1盤(pán)31A以及第2盤(pán)32A的周方向 的相對(duì)位置固定后吸附在輸送臂上(步驟S8),在輸送到規(guī)定的位置 之后(步驟S9),進(jìn)行第1盤(pán)31A和第2盤(pán)32A的貼合(步驟S10 )， 貼合工序完成。由此，可以相對(duì)于第1盤(pán)31A^吏第2盤(pán)32A正確地對(duì) 位?！兜?實(shí)施方式的第1變形例》其次，參照?qǐng)D24A、圖24B以及圖25說(shuō)明本實(shí)施方式的第1變形例。圖24A是從上側(cè)看與第2盤(pán)32B貼合之前的第1盤(pán)31B的俯視 圖，圖24B是從下側(cè)看與笫1盤(pán)31B貼合之前的第2盤(pán)32B的仰視圖。 圖25是圖24A以及B的Y9-Y9放大剖面圖，Y10 - Y^放大剖面圖，
以及其貼合之后的剖面圖，本變形例的單面DVD30B的構(gòu)成，如圖24A以及24B所示，在 笫1盤(pán)31B的金屬膜層14的表面上，與笫2實(shí)施方式同樣地在形成 了金屬膜層14的區(qū)域R1內(nèi)，形成由非成膜部16構(gòu)成的環(huán)狀槽6B。以將小型插入體11A的縱向作為徑向，將其小型天線23A的兩 方的端部23b分別重疊在環(huán)狀槽6B的徑向內(nèi)外兩側(cè)的金屬膜層14上 的方式粘貼(參照?qǐng)D25)。另一方面，在第2盤(pán)32B的第2樹(shù)脂基板 32a上，在與裝配在第1盤(pán)31B上的小型插入體11A相對(duì)應(yīng)的位置上， 如圖24B所示，形成能夠收納小型插入體11A的大小的凹部33B。當(dāng) 將以這種方式構(gòu)成的第1盤(pán)31B和第2盤(pán)32B貼合在一起時(shí)，如圖 25所示，就可以實(shí)現(xiàn)因裝配了小型插入體11A而能夠使第1天線部 13以及第2天線部15A的金屬膜層14作為與環(huán)形天線相對(duì)應(yīng)的槽天 線起作用的單面DVD30B。其結(jié)果，如圖25所示，可以將小型插入體11A安裝在單面 DVD30B的厚度方向的中心部?！兜?實(shí)施方式的第2變形例》另外，如圖26所示，當(dāng)與笫2實(shí)施方式的變形例同樣地在第1 盤(pán)31C上形成了收納小型插入體11A的凹部33C之后，形成金屬膜 層14，并以收納小型插入體11A的方式將其粘貼在凹部33C內(nèi)。這 時(shí)，第2盤(pán)32C完全沒(méi)有實(shí)施加工。當(dāng)將以這種方式構(gòu)成的第l盤(pán)和 第2盤(pán)貼合在一起時(shí)，如圖26所示，就可以實(shí)現(xiàn)因裝配了小型插入體 11A而能夠使第1天線部13以及笫2天線部15A的金屬膜層14作為 與環(huán)形天線相對(duì)應(yīng)的槽天線起作用的單面DVD30C。再者，作為釆用插入體的構(gòu)成，在第5實(shí)施方式的變形例中，設(shè) 為采用了所述小型插入體11A的構(gòu)成，但不限于此。在本實(shí)施方式的 變形例中也可以采用第2實(shí)施方式的所述小型插入體IIB。另外，也 可以采用其他的平面形狀的小型插入體，例如，3字型的小型插入體.再者，本第1變形例的單面DVD30B、 30C的貼合，可以與第5 實(shí)施方式的情況同樣地用對(duì)位裝置50進(jìn)行。(第5實(shí)施方式以及其變形例的效果)以上，根據(jù)第5實(shí)施方式以及其變形例，可以將大范圍內(nèi)的金屬膜層14用作天線，作為RFID標(biāo)簽的IC芯片5或小型插入體11A,可以形成靈敏度良好的天線.其結(jié)果，相對(duì)于R/W可以提供較大面積 的讀取/寫(xiě)入?yún)^(qū)域。在本實(shí)施方式以及變形例中，由于RFID標(biāo)簽都被埋入盤(pán)介質(zhì) 30A、 30B、 30C的內(nèi)部，因此表面平滑程度良好。另外，由于構(gòu)成 RFID標(biāo)簽的IC芯片5或小型插入體11A的面積較小，因此在盤(pán)的強(qiáng) 度方面也良好。特別是，由于在信息非記錄區(qū)域R2的與信息記錄區(qū)域R4的邊 界附近，在與緊固區(qū)域相比靠近徑向外側(cè)設(shè)有環(huán)狀槽6B，因此當(dāng)在播 放器或記錄器的內(nèi)部將單面DVD進(jìn)行再生或記錄中，可以進(jìn)行通信， 在如圖19所示那樣將多張單面DVD重疊地收納在儲(chǔ)存盒20內(nèi)的狀 態(tài)下，將R/W舉在儲(chǔ)存盒20的上側(cè)或下側(cè)，就可以很容易地與各個(gè) 單面DVD30A、 30B、 30C的RFID標(biāo)簽通信。 《第6實(shí)施方式》其次，參照?qǐng)D27A、圖27B以及圖28A至28C說(shuō)明第6實(shí)施方 式的盤(pán)介質(zhì)。本實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)，是在兩面上具有形成了金屬膜層14的區(qū) 域Rl的雙面DVD30D，是將金屬膜層14用作天線的盤(pán)介質(zhì)。再者， 雙面DVD30D以如下的方式構(gòu)成，即，將形成了金屬膜層14的2張 較薄的CD，以將樹(shù)脂基板側(cè)作為外側(cè)，將金屬膜層14側(cè)相對(duì)的方式 貼合在一起。再者，雙面DVD也與單面DVD同樣，各自的盤(pán)的厚度是0.6mm 左右，整體的厚度與CD相同是1.2mm左右。圖27A是從上側(cè)看貼合笫2盤(pán)32D之前的第1盤(pán)31D的俯視圖， 圖27B是從下側(cè)看貼合笫1盤(pán)31D之前的第2盤(pán)32D的仰視圖。圖28A是圖27B的Y12-Yu放大剖面圖，圖28B是圖27A的 Yn-Yu放大剖面圖，圖28C是貼合之后的剖面圖，
與第1實(shí)施方式的第1變形例同樣地，如圖27A以及圖28B所 示，在第1盤(pán)31D的信息非記錄區(qū)域R2的與信息記錄區(qū)域R4的邊 界附近，形成沒(méi)有形成金屬膜層14的環(huán)狀槽6B，以沿著徑向跨越環(huán) 狀槽6B的方式將IC芯片5的信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b電連接并裝 配在金屬膜層14上。另一方面，如圖27B以及圖28A所示，第2盤(pán)32D，在與裝配 在第1盤(pán)31D的金屬膜層14上的IC芯片5相對(duì)應(yīng)的位置上，在第2 樹(shù)脂基板32a上具有可以收納IC芯片5的大小的凹部33D,同時(shí)在 形成第2樹(shù)脂基板32a表面的金屬膜層14時(shí)，將從中心孔2的中心到 信息記錄區(qū)域R4的內(nèi)徑為止的徑向區(qū)域設(shè)為由非成膜部16構(gòu)成的中 心非成膜區(qū)域R5。當(dāng)將以這種方式構(gòu)成的第1盤(pán)31D和第2盤(pán)32D 貼合在一起時(shí)，如圖28C所示，因裝配了 IC芯片5，從而能夠使環(huán) 狀槽6B的徑向內(nèi)外兩側(cè)的第1天線部13的金屬膜層14，和笫2天線 部15A的金屬膜層14作為槽天線起作用。相反，即便在第2盤(pán)32D側(cè)的下面形成信息非記錄區(qū)域R2，在 它與信息記錄區(qū)域R4的邊界附近設(shè)置環(huán)狀槽6B，裝配IC芯片5，并 在與第1盤(pán)31D的對(duì)應(yīng)位置上設(shè)置凹部33D和中心非成膜區(qū)域R5， 也因裝配了 IC芯片5，能夠使環(huán)狀槽6B的徑向內(nèi)外兩側(cè)的笫l天線 部13的金屬膜層14,和第2天線部15A的金屬膜層14作為槽天線起 作用?！兜?實(shí)施方式的變形例》作為本實(shí)施方式的第1變形例，在第1盤(pán)31D (或第2盤(pán)32D) 上，在信息非記錄區(qū)域R2的金屬膜層14的表面上粘貼小型插入體 IIA，從而可以形成與第5實(shí)施方式的第1變形例相同的構(gòu)成。例如，在采用小型插入體11A的情況下，小型天線23A的狹縫 23a位于環(huán)狀槽6B處，將小型天線23A的兩方的端部23b分別粘貼 在環(huán)狀槽6B的徑向內(nèi)外兩側(cè)的金屬膜層14上.然后，使小型天線23A 的端部23b和金屬膜層14經(jīng)由基底膜21以電容耦合的方式連接。進(jìn) 而，在第2盤(pán)32D (或第1盤(pán)31D)的對(duì)應(yīng)位置上形成可以收納小型
插入體11A的大小的凹部。然后，將第1盤(pán)31D和笫2盤(pán)32D貼合 在一起。在第6實(shí)施方式或其第1變形例中，在裝配IC芯片5或小型插 入體11A的雙面DVD30D中，在將第1盤(pán)31D和笫2盤(pán)32D貼合在 一起時(shí)，必須在裝配了 IC芯片5或小型插入體11A的盤(pán)的裝配了 IC 芯片5或小型插入體11A的位置上，將設(shè)在另一方的盤(pán)側(cè)的與IC芯 片5或小型插入體11A相對(duì)應(yīng)的凹部對(duì)位。用在所述第5實(shí)施方式中 說(shuō)明的對(duì)位裝置50，例如，利用透過(guò)圖像讀出第1盤(pán)31D的IC芯片 5或小型插入體11A的裝配位置，和第2盤(pán)32D的凹部33D的形狀位 置。然后，在使2張盤(pán)的相互位置吻合之后，進(jìn)行第1盤(pán)31D和第2 盤(pán)32D的貼合。在到此為止的第6實(shí)施方式以及其第1變形例中，設(shè)為將IC芯 片5或小型插入體11A粘貼在2張盤(pán)中一方的盤(pán)的金屬膜層14上的 構(gòu)成，但也可以如第5實(shí)施方式的第2變形例的情況那樣，在被粘貼 側(cè)的樹(shù)脂基板上形成凹部33C，另一方的盤(pán)形成中心非成膜區(qū)域R5， 然后貼合在一起制成雙面DVD。再者，在將DVD的第1樹(shù)脂基板和第2樹(shù)脂基板貼合在一起時(shí)， 例如，由于將作為CD的保護(hù)層8使用的材料也用作粘接劑，因此在 圖28C的中心非成膜區(qū)域R5上填充有粘接劑，故沒(méi)有問(wèn)題。 (第6實(shí)施方式以及其變形例的效果)以上，根據(jù)第6實(shí)施方式以及其變形例，可以將大范圍內(nèi)的金屬膜層14用作天線，作為RFID標(biāo)簽的IC芯片5或小型插入體11A可以形成靈敏度良好的天線。其結(jié)果，相對(duì)于R/W，可以提供較大面積 的讀取/寫(xiě)入?yún)^(qū)域。在本實(shí)施方式以及變形例中，由于RFID標(biāo)簽都被埋入盤(pán)介質(zhì) 30D的內(nèi)部，因此平面平滑程度良好。另外，由于構(gòu)成RFID標(biāo)簽的 IC芯片5或小型插入體11A的面積較小，因此在盤(pán)的強(qiáng)度方面也良 好。特別是，由于在信息非記錄區(qū)域R2的與信息記錄區(qū)域R4的邊
界附近，在與緊固區(qū)域相比靠近徑向外側(cè)設(shè)有環(huán)狀槽6B，因此當(dāng)在播 放器或記錄器的內(nèi)部將雙面DVD進(jìn)行再生或記錄中，可以進(jìn)行通信， 在如圖19所示那樣將多張雙面DVD重疊地收納在儲(chǔ)存盒20內(nèi)的狀 態(tài)下，將R/W舉在儲(chǔ)存盒20的上側(cè)或下側(cè)，就可以很容易地與各個(gè) 雙面DVD的RFID標(biāo)簽通信。在到目前為止的雙面DVD30D中，用應(yīng)用了小型插入體11A的 例子進(jìn)行了說(shuō)明，但不限于此。作為小型插入體，也可以應(yīng)用小型插 入體11B或3字型的小型插入體的任意一種?！兜?以及笫6實(shí)施方式的其他的變形例》另外，在到目前為止的單面DVD30B、 30C以及雙面DVD30D 中，以將小型插入體11A裝配在壁厚方向的中心部的構(gòu)成進(jìn)行了說(shuō)明， 但不限于此。即便將小型插入體IIA、 IIB，與設(shè)在信息非記錄區(qū)域R2的與 信息記錄區(qū)域R4的邊界附近的環(huán)狀槽6B相對(duì)應(yīng)地粘貼在第l盤(pán)的下 面、或第2盤(pán)的上面，即，盤(pán)表面上，然后使小型天線23A、 23B的 兩方的端部23b分別與環(huán)狀槽6B的徑向內(nèi)外兩側(cè)的金屬膜層14靜電 電容耦合，也能夠使金屬膜層14作為槽天線起作用。這時(shí)，也使小型 天線23A、 23B的狹縫23a的部分，與環(huán)狀槽6B的位置相對(duì)應(yīng)，并且 沒(méi)有設(shè)置環(huán)狀槽6B —側(cè)的第l盤(pán)或第2盤(pán)，其與信息記錄區(qū)域R4相 比靠近內(nèi)側(cè)徑向區(qū)域設(shè)為沒(méi)有形成金屬膜層14的中心非成膜區(qū)域 R5。如果像這樣將小插入體IIA、 IIB粘貼在盤(pán)表面上，就能夠以較 低的成本在特別是現(xiàn)存的DVD上裝配小型插入體。再者，在將小型插入體粘貼在盤(pán)表面上時(shí)，也可以如圖15的(a) 部所示的第3實(shí)施方式那樣，將裝配了小型插入體11A和由Al箔構(gòu) 成的C字型的第2天線部15C的環(huán)狀槽天線密封件12，粘貼在已經(jīng) 完成的原盤(pán)上，從而如圖15的(b)部所示那樣構(gòu)成盤(pán)介質(zhì)。這時(shí)， 笫1盤(pán)、第2盤(pán)都是與信息記錄區(qū)域R4相比靠近內(nèi)側(cè)徑向區(qū)域設(shè)為 中心非成膜區(qū)域R5。
《第7實(shí)施方式》其次，參照?qǐng)D29說(shuō)明本發(fā)明的笫7實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)。 在所述第1實(shí)施方式至第6實(shí)施方式以及其變形例中，在形成了金屬膜層14的區(qū)域R1內(nèi)的信息非記錄區(qū)域R2的與信息記錄區(qū)域R4的附近，設(shè)置環(huán)狀槽6A、 6B，但在本實(shí)施方式的盤(pán)介質(zhì)1N中，不同點(diǎn)在于采用不是完全的環(huán)狀的槽6C。以下，以第1實(shí)施方式為基礎(chǔ)說(shuō)明本實(shí)施方式。圖29是作為CD的盤(pán)介質(zhì)IN的俯視圖。對(duì)于與第1實(shí)施方式相同的構(gòu)成，標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，是如下的結(jié)構(gòu)，即，槽6C不是完全的環(huán)狀， 與槽6C相比靠近徑向外側(cè)的第1天線部13,和靠近徑向內(nèi)側(cè)的環(huán)狀 的第2天線部15B，用由金屬膜層14構(gòu)成的連通部6b電連接在一起。 并且，在IC芯片5和連通部6b的規(guī)定的周方向相對(duì)位置上，以跨越 徑向內(nèi)外兩側(cè)的方式，將槽6C的圖未示的信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b 與第1以及第2天線部13、 15B的金屬膜層14電連接。這樣，也能 夠使第1天線部13以及第2天線部15B作為IC芯片5的槽天線起作 用。再者，槽6C的周方向長(zhǎng)度是與通信波長(zhǎng)人相同的長(zhǎng)度，所述規(guī) 定的周方向相對(duì)位置，是為了取得IC芯片5和天線的阻抗匹配而預(yù) 先決定的周方向相對(duì)位置。另外，在本實(shí)施方式的說(shuō)明中，雖然說(shuō)明了不是完全的環(huán)狀的槽 6C是一個(gè)的情況，但不限于此，也可以設(shè)置多個(gè)。在本實(shí)施方式的說(shuō)明中，雖然槽6C的寬度L1設(shè)為由IC芯片5 的信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b的間隔決定的值，但不限于此，也可以設(shè) 為更大的寬度，然后只在裝配IC芯片5的部分上設(shè)置狹隘部6a。另 外，本實(shí)施方式以適用于第1實(shí)施方式的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但相對(duì)于 笫1實(shí)施方式的第2變形例至第4變形例、第2至第6實(shí)施方式以及 其變形例的IC芯片或小型插入體的裝配方法也可以適用。進(jìn)而，如果應(yīng)用第1至第6實(shí)施方式或其變形例，通過(guò)將具有光
透過(guò)性的金屬薄膜作為中間層而形成，并在該金屬薄膜上形成環(huán)狀槽，也可以對(duì)應(yīng)多層結(jié)構(gòu)的盤(pán)介質(zhì)，例如下一代的DVD等。由于本發(fā)明的盤(pán)介質(zhì)可以將金屬膜層用作IC芯片的天線，因此 便能夠確保較大的讀取范圍。因而，在將大量的盤(pán)介質(zhì)重疊處理的使 用領(lǐng)域中，可以有效地管理各個(gè)盤(pán)介質(zhì)的信息，因此可以有效地進(jìn)行 包括防止復(fù)制在內(nèi)的盤(pán)介質(zhì)的管理。
權(quán)利要求
1.一種盤(pán)介質(zhì)，裝配有能夠以非接觸的方式與外部進(jìn)行信息交換的IC芯片，其中所述盤(pán)介質(zhì)具有金屬膜區(qū)域和以分離所述金屬膜區(qū)域的方式形成的非成膜區(qū)域；所述非成膜區(qū)域是設(shè)置在離中心孔大致等距離的附近的大致為環(huán)狀的槽；所述IC芯片的供電用的端子以跨越所述非成膜區(qū)域的方式與所述金屬膜區(qū)域的金屬膜層連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，將要發(fā)射或接收的電波 在樹(shù)脂基板上的考慮了介電常數(shù)的電波長(zhǎng)設(shè)為X時(shí)，所述大致為環(huán)狀 的槽的周長(zhǎng)約為L(zhǎng)
3. 如權(quán)利要求1所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述大致為環(huán)狀的槽的 寬度，除了供電部附近之外，比供電端子間的距離寬。
4. 如權(quán)利要求1所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述被分離的金屬膜區(qū) 域中的一方為信息記錄區(qū)域，不是該信息記錄區(qū)域的一方，具有形狀 為沿著徑向?qū)⑾噜彽姆浅赡^(qū)域和所述大致為環(huán)狀的槽連在一起的沒(méi) 有形成金屬膜層的缺口部。
5. 如權(quán)利要求4所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，利用將所述IC芯片的供 電用的端子與所述被分離的金屬膜區(qū)域的金屬膜層連接時(shí)的、相對(duì)于 所述缺口部的圓周方向相對(duì)位置，實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。
6. 如權(quán)利要求1所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述大致為環(huán)狀的槽， 與為了將該盤(pán)介質(zhì)緊固在盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置上而設(shè)置在從中心部到離中心部 約36mm處的緊固區(qū)域相比，在徑向上設(shè)置在外側(cè)。
7. 如權(quán)利要求1所述的盤(pán)介質(zhì)，其特征在于，所述大致為環(huán)狀 的槽是圓環(huán)狀。
8. 如權(quán)利要求1所述的盤(pán)介質(zhì)，其特征在于，所述大致為環(huán)狀 的槽至少有l(wèi)個(gè)以上。
9. 如權(quán)利要求1所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述大致為環(huán)狀的槽是 多邊形。
10. 如權(quán)利要求l所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述大致為環(huán)狀的槽的 寬度是4mm。
11. 如權(quán)利要求4所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述缺口部的寬度是 3mm。
12. 如權(quán)利要求1所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述IC芯片裝配在所 述金屬膜層的表面上。
13. 如權(quán)利要求l所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，在作為所述金屬膜層的 基底基板的樹(shù)脂基板上設(shè)有凹部，所述IC芯片裝配在形成在該凹部 的底面上的所述金屬膜層的表面上。
14. 如權(quán)利要求l所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，通過(guò)從所述樹(shù)脂基板的 上方進(jìn)行各向異性淀積成膜，形成所述金屬膜層。
15. 如權(quán)利要求1所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述IC芯片的向天線 供電用的端子經(jīng)由各向異性導(dǎo)電膜與所述金屬膜層連接。
16. —種盤(pán)介質(zhì)，裝配有能夠以非接觸的方式與外部進(jìn)行信息交 換的IC芯片，其中所述盤(pán)介質(zhì)具有金屬膜區(qū)域和以分離所述金屬膜區(qū)域的方式形 成的非成膜區(qū)域；所述非成膜區(qū)域是設(shè)置在離中心孔大致等距離的附近的大致為 環(huán)狀的槽；包含所述IC芯片的小型插入體的規(guī)定部位，以跨越所述非成膜 區(qū)域的方式，與所述金屬膜區(qū)域的金屬膜層電連接或通過(guò)靜電電容耦 合而連接。
17. 如權(quán)利要求16所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述大致為環(huán)狀的槽 是圓環(huán)狀。
18. 如權(quán)利要求16所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述大致為環(huán)狀的槽 至少有l(wèi)個(gè)以上。
19. 如權(quán)利要求16所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述大致為環(huán)狀的槽是多邊形。
20. 如權(quán)利要求16所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述大致為環(huán)狀的槽 的寬度是4mm。
21. 如權(quán)利要求16所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，將要發(fā)射或接收的電 波在樹(shù)脂基板上的考慮了介電常數(shù)的電波長(zhǎng)設(shè)為3i時(shí)，所述小型插入 體的小型天線的長(zhǎng)度比l/2短，所述大致為環(huán)狀的槽的周長(zhǎng)約為3i。
22. 如權(quán)利要求16所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述被分離的金屬膜區(qū)域中具有形狀為沿著徑向?qū)⒃趶较蛏咸幱趦?nèi)側(cè)的非成膜區(qū)域和所述 大致為環(huán)狀的槽連在一起的沒(méi)有形成金屬膜層的缺口部。
23. 如權(quán)利要求22所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述缺口部的寬度是 3mm。
24. 如權(quán)利要求22所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，利用將所述小型插入 體的小型天線的規(guī)定部位連接到所述被分離的金屬膜區(qū)域的金屬膜層 上時(shí)的、相對(duì)于所述缺口部的圓周方向相對(duì)位置，進(jìn)行阻抗匹配。
25. 如權(quán)利要求16所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述大致為環(huán)狀的槽 在徑向上設(shè)置在將該盤(pán)介質(zhì)緊固在盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置上的緊固區(qū)域的外側(cè)， 所述小型插入體裝配在所述非成膜區(qū)域的表面上，或者以嵌入作為該 非成膜區(qū)域的基底基板的樹(shù)脂基板的凹部?jī)?nèi)的方式裝配。
26. 如權(quán)利要求16所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，當(dāng)將所述小型插入體 的兩端與所述被分離的金屬膜區(qū)域的金屬膜層電連接時(shí)，在所述小型 插入體的兩端和所述金屬膜層之間設(shè)置各向異性導(dǎo)電膜后進(jìn)行連接。
27. 如權(quán)利要求1所述的盤(pán)介質(zhì)，其中，所述盤(pán)介質(zhì)是CD或 DVD。
28. —種盤(pán)介質(zhì)，裝配有能夠以非接觸的方式與外部進(jìn)行信息交 換的IC芯片，其中所述盤(pán)介質(zhì)具有金屬膜區(qū)域和以分離所述金屬膜區(qū)域的方式形 成的非成膜區(qū)域；所述非成膜區(qū)域是設(shè)置在離中心孔大致等距離的附近的大致為 環(huán)狀的槽；在所述IC芯片的一個(gè)面上具有安裝天線，并且將所述IC芯片裝配在所述大致為環(huán)狀的槽內(nèi)。
29. —種密封件，具備具有IC芯片以及小型天線的插入體、和 天線，其中所述插入體和所述天線固定在密封件上；在所述天線和盤(pán)介質(zhì)的金屬膜區(qū)域之間，形成有作為非成膜區(qū)域 的大致為環(huán)狀的槽；所述插入體與所述天線和所述盤(pán)介質(zhì)的金屬膜區(qū)域的金屬膜靜 電電容耦合。
30. —種盤(pán)介質(zhì)的制造方法，是裝配了 IC芯片的盤(pán)介質(zhì)的制作 方法，其中包括以下工序使形成在所述盤(pán)介質(zhì)上的金屬膜層具有形成了金屬膜的成膜區(qū) 域和沒(méi)有形成金屬膜的非成膜區(qū)域、并將該非成膜區(qū)域的形狀大致形 成為環(huán)狀，從而形成槽；以跨越所述大致為環(huán)狀的槽的方式，將與裝配所述IC芯片的位 置相對(duì)應(yīng)的所述金屬膜層的表面和所述IC芯片的向天線供電用的端 子連接。
31. —種盤(pán)介質(zhì)的制造方法，是裝配了包括具有IC芯片和天線 的阻抗匹配用的槽的小型天線而構(gòu)成的小型插入體的盤(pán)介質(zhì)的制造方 法，其中包括以下工序使形成在所述盤(pán)介質(zhì)上的金屬膜層具有形成了金屬膜的成膜區(qū) 域和沒(méi)有形成金屬膜的非成膜區(qū)域、并將該非成膜區(qū)域的形狀大致形 成為環(huán)狀，從而形成槽；在形成在所述盤(pán)介質(zhì)上的金屬膜層的部分內(nèi)，在與所述小型天線膜層的;位涂布各向異性導(dǎo)電膜； 在所述大致為環(huán)狀的槽內(nèi)設(shè)置所述小型插入體的本體部分，并將 所述規(guī)定部位連接在涂布了所述各向異性導(dǎo)電膜的部位上.
32. —種盤(pán)介質(zhì)的制造方法，是裝配了釆用IC芯片的小型插入體的盤(pán)介質(zhì)的制造方法，其中包括以下工序?qū)⒕邆浒霃奖仍谛畔⒂涗泤^(qū)域上形成了金屬膜層的所述盤(pán)介質(zhì) 的所述信息記錄區(qū)域的內(nèi)周半徑小規(guī)定量的環(huán)狀的金屬薄膜、和將其 一個(gè)端部重疊在該金屬薄膜的外周緣上的所述小型插入體的密封件， 以使所述信息記錄區(qū)域的內(nèi)周緣和所述金屬薄膜的外周緣保持所述規(guī) 定量的間隙的方式粘貼在形成了所述信息記錄區(qū)域的盤(pán)上。
全文摘要
以提供裝配了即便在重疊地收納在儲(chǔ)存盒內(nèi)的狀態(tài)下也能夠以非接觸的方式與外部進(jìn)行信息交換的IC芯片的盤(pán)介質(zhì)為目的。盤(pán)介質(zhì)(1B)在信息非記錄區(qū)域(R2)的與信息記錄區(qū)域(R4)的邊界附近，形成沒(méi)有形成金屬膜層的作為非成膜部的環(huán)狀槽(6B)。形成了金屬膜層的區(qū)域(R1)，由環(huán)狀槽(6B)分成其外側(cè)的第1天線部(13)和內(nèi)側(cè)的第2天線部(15A)。第2天線部(15A)是內(nèi)周側(cè)的中心非成膜區(qū)域(R5)和環(huán)狀槽(6B)由非成膜部的缺口部(15a)連接在一起的C字型的形狀。作為向IC芯片(5)的天線供電用的端子的信號(hào)輸入輸出電極(5a、5b)，在狹隘部(6a)處，以跨越環(huán)狀槽(6B)的方式與第1以及第2天線部(13、15A)各自的金屬膜層電連接。
文檔編號(hào)G11B7/24GK101149941SQ200710106698
公開(kāi)日2008年3月26日 申請(qǐng)日期2007年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月21日
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