專利名稱：信息記錄介質(zhì)以及盤設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例涉及一種信息記錄介質(zhì)，例如能夠從光入射面?zhèn)仍诙鄠€(gè)記錄膜上記錄/重放信息的多層光盤。

背景技術(shù)：
作為實(shí)現(xiàn)視頻和音樂內(nèi)容記錄的DVD標(biāo)準(zhǔn)的信息記錄介質(zhì)的光盤被廣泛使用，并且只讀光盤、能只記錄一次信息的一次寫入型光盤、以及由計(jì)算機(jī)外部存儲(chǔ)器、記錄/重放視頻等表示的可重寫光盤等也是可用的。就能夠進(jìn)行記錄的光盤來說，由于其低的制造成本，在其記錄層中使用有機(jī)染料的一次寫入型光盤最流行。在例如CD-R、DVD-R等之類的在其記錄層中使用有機(jī)染料的一次寫入型光盤中，以激光束照射由溝槽定義的記錄區(qū)(軌道)來加熱樹脂基片至其玻璃轉(zhuǎn)化點(diǎn)Tg或更高的溫度，從而引起該溝槽中的有機(jī)染料膜的熱分解并產(chǎn)生負(fù)壓。結(jié)果是，溝槽中的樹脂基片變形來形成記錄標(biāo)記。
與現(xiàn)有光盤相比，實(shí)現(xiàn)高密度、高性能記錄/重放的下一代光盤使用具有大約405nm波長(zhǎng)的藍(lán)激光束作為記錄/重放激光束。使用紅外激光束或紅激光束執(zhí)行記錄/重放的現(xiàn)有光盤利用在比記錄/重放激光束的波長(zhǎng)(780和650nm)更短的波長(zhǎng)處具有吸收峰值的有機(jī)染料材料。因此，現(xiàn)有光盤實(shí)現(xiàn)所謂的H(高)到L(低)特性，借助這一特性，由激光束照射形成的記錄標(biāo)記的光反射率比在該激光束照射之前要低。相反，當(dāng)利用激光束執(zhí)行記錄/重放時(shí)，在比記錄/重放激光束的波長(zhǎng)(405nm)更短的波長(zhǎng)處具有吸收峰值的有機(jī)染料材料不僅在對(duì)于紫外線的穩(wěn)定性等方面而且在對(duì)于熱的穩(wěn)定性上都差。這將造成記錄標(biāo)記的對(duì)比度和清晰度低的問題。日本專利申請(qǐng)公開2005-297407披露了一種有機(jī)染料材料，該有機(jī)染料材料在比寫入光束波長(zhǎng)要長(zhǎng)的波長(zhǎng)處具有包含在記錄層中的有機(jī)染料化合物的吸收峰值。在使用這種材料時(shí)，光盤具有所謂L(低)到H(高)特性。該特性使得記錄標(biāo)記的光反射率變得高于激光束照射之前的光反射率。
例如象在日本專利申請(qǐng)公開2000-322770披露的那樣，已被研究了信息記錄介質(zhì)的多層結(jié)構(gòu)來進(jìn)一步增加記錄容量。在DVD和HD DVD中，具有兩層或多層的多層盤都遭受由于球面象差和來自非重放層的信號(hào)泄露所引起的重放信號(hào)質(zhì)量劣變的影響。
例如，有機(jī)染料材料是流體，并通過涂覆來形成信息記錄層。在傳統(tǒng)DVD中，溝槽中的信息記錄層的厚度等于槽岸的信息記錄層厚度。但為了實(shí)現(xiàn)更高密度的記錄，由于軌道間距降低及溝槽寬度變小，信息記錄層厚度在溝槽內(nèi)和溝槽外具有差異。因此，即使利用其溝槽深度被設(shè)計(jì)為傳統(tǒng)制作方式的基片，也無法獲得穩(wěn)定的信號(hào)，并且信號(hào)質(zhì)量趨于劣變。
即使在把用于單層一次寫入介質(zhì)的透光基片形狀應(yīng)用到利用具有L-H記錄特性的有機(jī)染料材料的單面、多層一次寫入型光學(xué)記錄介質(zhì)時(shí)，也難于執(zhí)行各層穩(wěn)定的記錄/重放，并且要求了根據(jù)每一層構(gòu)形的優(yōu)化基片形狀。


發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供具有兩個(gè)或多個(gè)記錄層的信息記錄介質(zhì)，其能夠通過優(yōu)化基片的溝槽形狀來提高記錄/重放特性。
本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的特征在于 從內(nèi)圓周側(cè)開始依次配置的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)， 形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的記錄有記錄管理數(shù)據(jù)的記錄管理帶， 形成在數(shù)據(jù)區(qū)中的記錄管理帶的擴(kuò)展區(qū)， 形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的用于管理記錄管理帶的擴(kuò)展區(qū)位置的記錄管理數(shù)據(jù)復(fù)制帶， 該介質(zhì)具有由同心環(huán)形或螺線形的溝槽和槽岸指定的軌道， 該介質(zhì)從光入射側(cè)開始依次具有第一基片、第一記錄層、第二基片、和第二記錄層，或從光入射側(cè)開始依次具有第一基片、第一記錄層、中間層、第二基片、和第二記錄層， 軌道間距是在250nm到500nm的范圍內(nèi)，并且 在第一基片和第二基片上的溝槽的半最大全寬度是在47.5％到72.5％的范圍內(nèi)。
本發(fā)明的一種盤設(shè)備的特征在于包括 檢測(cè)裝置，用于檢測(cè)通過以激光束照射信息記錄介質(zhì)而獲得的反射光，其中所述信息記錄介質(zhì)具有 從內(nèi)圓周側(cè)開始依次配置的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)， 形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的記錄有記錄管理數(shù)據(jù)的記錄管理帶， 形成在數(shù)據(jù)區(qū)中的記錄管理帶的擴(kuò)展區(qū)， 形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的用于管理記錄管理帶的擴(kuò)展區(qū)位置的記錄管理數(shù)據(jù)復(fù)制帶， 該介質(zhì)具有由同心環(huán)形或螺線形的溝槽和槽岸指定的軌道， 該介質(zhì)從光入射側(cè)開始依次具有第一基片、第一記錄層、第二基片、和第二記錄層，或從光入射側(cè)開始依次具有第一基片、第一記錄層、中間層、第二基片、和第二記錄層， 軌道間距是在250nm到500nm的范圍內(nèi)，并且 第一基片和第二基片上的溝槽的半最大全寬度是在軌道間距的47.5％到72.5％的范圍內(nèi)；以及 產(chǎn)生裝置，用于根據(jù)由該檢測(cè)裝置檢測(cè)的反射光來產(chǎn)生重放信號(hào)。
根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得一種信息記錄介質(zhì)，其能夠通過設(shè)置將被使用的基片的溝槽寬度來穩(wěn)定地執(zhí)行記錄/重放。
本發(fā)明的附加目的和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的描述中闡明，這些目的和優(yōu)點(diǎn)將從描述中逐步顯見，或能通過本發(fā)明的實(shí)踐而得知。本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)可利用在下文中具體指出的手段及組合來實(shí)現(xiàn)及獲得。



現(xiàn)在將參考附圖描述實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明各種特征的一般結(jié)構(gòu)。提供該附圖及相關(guān)說明來圖示本發(fā)明的各種實(shí)施例，而不限制本發(fā)明的范圍。
圖1是截面圖，示出根據(jù)本發(fā)明的雙層一次寫入型信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)實(shí)例； 圖2是示意圖，用于說明本發(fā)明信息記錄介質(zhì)中的槽岸和溝槽的形狀； 圖3是曲線圖，示出L0層的推挽信號(hào)特性與透光基片的溝槽寬度之間的相關(guān)性； 圖4是曲線圖，示出L1層的推挽信號(hào)特性與透光基片的溝槽寬度之間的相關(guān)性； 圖5是曲線圖，示出L0層的推挽信號(hào)特性與透光基片的溝槽深度之間的相關(guān)性； 圖6是曲線圖，示出L1層的推挽信號(hào)特性與透光基片的溝槽深度之間的相關(guān)性； 圖7是曲線圖，示出L0層的SbER與透光基片的溝槽寬度之間的相關(guān)性； 圖8是曲線圖，示出L1層的SbER與透光基片的溝槽寬度之間的相關(guān)性； 圖9是曲線圖，示出L0層的SbER與透光基片的溝槽深度之間的相關(guān)性； 圖10是曲線圖，示出L1層的SbER與透光基片的溝槽深度之間的相關(guān)性； 圖11是曲線圖，示出L0層的PRSNR與透光基片的溝槽寬度之間的相關(guān)性； 圖12是曲線圖，示出L1層的PRSNR與透光基片的溝槽寬度之間的相關(guān)性； 圖13是曲線圖，示出L0層的PRSNR與透光基片的溝槽深度之間的相關(guān)性； 圖14是曲線圖，示出L1層的PRSNR與透光基片的溝槽深度之間的相關(guān)性 圖15是曲線圖，示出在L0層具有恒定溝槽寬度時(shí)L1層的溝槽寬度與反射率之間的關(guān)系； 圖16是曲線圖，示出在L0層具有溝槽寬度＝256nm時(shí)L1層的擺動(dòng)信號(hào)特征； 圖17示出在該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的RMD復(fù)制帶RDZ和記錄管理帶RMZ中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)； 圖18是用于說明根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/重放設(shè)備的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖； 圖19示出該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的有界區(qū)的結(jié)構(gòu)； 圖20示出一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的有界區(qū)的另一結(jié)構(gòu)； 圖21示出在控制數(shù)據(jù)帶CDZ和R-物理信息帶RIZ中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)； 圖22是在擺動(dòng)頻率調(diào)制中的180°相位調(diào)制和NRZ方法的說明示意圖； 圖23A至23C是記錄膜的形狀和尺寸的特征說明示意圖； 圖24是一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的擺動(dòng)地址格式的說明示意圖； 圖25A至25D是在擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中的擺動(dòng)同步模式和位置關(guān)系的比較說明示意圖； 圖26是一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的關(guān)于擺動(dòng)地址信息中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的說明示意圖； 圖27是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的單面雙層盤的截面圖； 圖28示出導(dǎo)入?yún)^(qū)的結(jié)構(gòu)； 圖29示出數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的RMD復(fù)制帶的配置； 圖30示出數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的記錄位置管理帶(L-RMD)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)； 圖31示出數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的R-物理格式信息帶(R-PFIZ)的PS塊的結(jié)構(gòu)； 圖32示出擴(kuò)展前與擴(kuò)展后的中間區(qū)的構(gòu)形； 圖33示出擴(kuò)展前的中間區(qū)的構(gòu)形； 圖34示出擴(kuò)展后的中間區(qū)的構(gòu)形； 圖35示出導(dǎo)出區(qū)的結(jié)構(gòu)； 圖36是B格式光盤的規(guī)范的說明示意圖； 圖37示出B-格式中的警哨碼(picket code)(糾錯(cuò)塊)的構(gòu)形； 圖38是B格式中的擺動(dòng)地址的示例圖； 圖39示出通過結(jié)合MSK和STW方案的擺動(dòng)地址的詳細(xì)結(jié)構(gòu)； 圖40示出一個(gè)ADIP單元，該ADIP單元是一組56個(gè)擺動(dòng)的單元并且表示1位″0″或″1″； 圖41示出一個(gè)ADIP字，該ADIP字包括83個(gè)ADIP單元并且表示一個(gè)地址； 圖42示出一個(gè)ADIP字； 圖43示出包括在ADIP字中的15個(gè)半字節(jié)； 圖44示出B格式的軌道結(jié)構(gòu)； 圖45示出B格式的記錄幀； 圖46A和46B示出記錄單元塊的結(jié)構(gòu)； 圖47示出數(shù)據(jù)運(yùn)行進(jìn)入和數(shù)據(jù)運(yùn)行退出的結(jié)構(gòu)； 圖48示出與擺動(dòng)地址相關(guān)的數(shù)據(jù)格式；以及 圖49A和49B是分配在數(shù)據(jù)運(yùn)行退出區(qū)末端的保護(hù)3區(qū)的說明示意圖。

具體實(shí)施例方式 隨后將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，信息記錄介質(zhì)通常具有兩個(gè)或更多個(gè)記錄層，軌道間距是在250到500nm的范圍內(nèi)，并且基片的溝槽的半最大全寬度是在該軌道間距的47.5％到72.5％的范圍內(nèi)。
本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)是一種多層的信息記錄介質(zhì)，其中從內(nèi)圓周側(cè)開始配置有數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)，在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中形成有記錄了記錄管理數(shù)據(jù)的記錄管理帶，在數(shù)據(jù)區(qū)中形成有記錄管理帶的擴(kuò)展區(qū)，在該數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中形成有管理該記錄管理帶的擴(kuò)展區(qū)位置的記錄管理數(shù)據(jù)復(fù)制帶，并且具有由同心圓環(huán)或螺線狀溝槽和槽岸定義的軌道，并且具有下列特征特性。
根據(jù)介質(zhì)的制造過程，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)從光入射側(cè)開始依次具有第一基片、第一記錄層、第二基片、和第二記錄層，或依次具有第一基片、第一記錄層、中間層、第二基片、和第二記錄層。
本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的特征在于軌道間距是在從250nm到500nm的范圍內(nèi)，并且第一基片的溝槽的半最大全寬度是在軌道間距的47.5％到72.5％的范圍內(nèi)。
假設(shè)該槽岸和溝槽意味著一個(gè)凸形區(qū)是一個(gè)槽岸而形成在相鄰槽岸之間的凹進(jìn)部分的底部是一個(gè)溝槽，當(dāng)從光的入射側(cè)來看時(shí)，凹進(jìn)和凸起具有同心圓環(huán)或螺線形狀，形成在第一基片、第一記錄層、第二記錄層、第二基片等的表面上。
從光的入射側(cè)開始，該第一記錄層依次有第一染料層和第一反射層。從光的入射側(cè)開始，該第二記錄層依次有第二染料層和第二反射層。
下面將參考附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一次寫入型信息記錄介質(zhì)包括了在記錄層中使用了有機(jī)染料材料的染料層，并且是所謂的L-H介質(zhì)，其中的反射率在非記錄狀態(tài)中是低值，而在記錄狀態(tài)中增加。圖1示出利用這種記錄層的雙層一次寫入型信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)實(shí)例。
該雙層一次寫入型信息記錄介質(zhì)具有的結(jié)構(gòu)從讀出面開始依次包括第一透光基片51、第一染料膜52、第一反射膜53、第二透光基片54、第二染料層55、第二反射層56、和第三透光基片57。這些層的第一有機(jī)染料膜52和第一反射膜53形成第一記錄層58，而第二染料層55和第二反射層56形成第二記錄層59。
在第一基片上，槽岸和溝槽以軌道間距存在，該軌道間距是在250nm到500nm的范圍內(nèi)。
在根據(jù)本發(fā)明的一次寫入型光信息記錄介質(zhì)中，光被聚焦在這種溝槽上來記錄和重放信息。
作為透光基片材料，聚碳酸酯(PC)或聚丙烯的(PMMA)聚甲基丙烯酸甲酯丙烯酸脂是被通常使用的材料。
通過例如旋涂等手段使用包括有機(jī)染料材料的涂覆溶液來施加記錄層，以便具有大約從30nm到150nm范圍內(nèi)的膜厚度。作為反射層，通過濺射等方法形成包括Ag合金作為主要成分的膜，以便具有大約從20nm到200nm范圍內(nèi)的膜厚度。作為使用這種有機(jī)染料層的盤結(jié)構(gòu)的特性特征，雖然在該透光基片上的槽岸或溝槽形狀是矩形或梯形的形狀，但由于是通過旋涂制作的該有機(jī)染料膜，所以在有機(jī)染料材料和反射膜之間的界面不具有矩形的形狀，而是近似于正弦波的形狀，如圖1所示。這是由于有機(jī)染料被溶入例如2，2，3，3-四氟-1-丙醇(TFP)等溶劑中同時(shí)通過旋涂被施加，該染料溶液趨于滯留在溝槽而不是槽岸中，并且當(dāng)該溶劑在涂覆之后被干燥時(shí)，該槽岸和溝槽具有不同的記錄膜厚度分布。這種有機(jī)染料層的形狀與幾乎原樣重放基片形狀并且通過濺射等方法制作的無機(jī)材料記錄膜的形狀大為不同。
圖1所示本實(shí)施例的單面雙層一次寫入型光信息記錄介質(zhì)的制造如下。
靠近讀出面的第一記錄層(L0)被形成在0.6mm厚的第一透光基片上，并且通過形成一個(gè)染料層和反射膜來制造，該染料層是通過旋涂有機(jī)染料溶液并干燥溶劑而獲得的。
遠(yuǎn)離讀出面的第二記錄層(L1)的制造方法通常包括兩種不同的方法正向?qū)盈B方法和反向?qū)盈B方法。
在正向?qū)盈B方法中，例如光聚合物(2P)劑之類的UV-固化樹脂被施加在L0層的反射膜上，并從上面以壓模頂壓該敷層來轉(zhuǎn)移槽岸和溝槽，因此制備第二透光基片。此后，該第二透光基片被UV固化，并除去壓模以形成該第二基片上的溝槽形狀。因此，當(dāng)從讀出側(cè)來看時(shí)，溝槽的投影方向與L0層的投影方向吻合，并且依次層疊了第一基片、第一記錄層、第二基片和第二記錄層。在2P劑組成的透光基片上旋涂有機(jī)染料記錄材料，以便形成反射膜，以此制作L1層。UV粘合劑被施加在L1層的反射膜上，并利用UV固化將0.6mm厚的基片彼此附著，以此完成一個(gè)盤的制作。在這種情況下，層結(jié)構(gòu)是不同的。
另一方面，在反向?qū)盈B方法中，還要制備第二透光基片用于L1層。如在L0層中那樣，在0.6mm厚的第二透光基片上實(shí)現(xiàn)有機(jī)染料涂覆和反射膜濺射，以便制造L1層基片。通過粘合劑把L0層基片和L1層基片彼此附著，以便制造單面雙層一次寫入型介質(zhì)。在此情況下，分層結(jié)構(gòu)具有的次序是第一基片、第一記錄層、中間層(粘合劑層)、第二記錄層、和第二基片。
在下列實(shí)施例中，將示例通過正向?qū)盈B方法制作的單面雙層一次寫入型介質(zhì)。
作為使用在第一染料層和第二染料層中的用于記錄層的染料材料，能夠使用具有通過組合由下列結(jié)構(gòu)式(I)表示有機(jī)金屬合成物部分與染料材料部分(未示出)獲得的一種結(jié)構(gòu)的有機(jī)染料材料。
化學(xué)式1實(shí)施例(A3)中基于有機(jī)染料的記錄材料的結(jié)構(gòu)式
在結(jié)構(gòu)式(I)中，中心金屬M(fèi)通常使用鈷或鎳，并且也可以從鈧、釔、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸、鐵、釕、鋨、銠、銥、鈀、白金、銅、銀、金、鋅、鎘、水銀、等中選擇。
作為染料材料部分，能夠使用青藍(lán)染料、聚乙烯基染料、單次甲基菁染料和偶氮基染料。
作為反射膜，能夠使用包括Ag、Au、Cu、Al、Ti等作為主要組分的金屬膜。
隨后描述用于本實(shí)施例的一種記錄/重放設(shè)備。
為了實(shí)現(xiàn)在本實(shí)施例的雙層一次寫入型光信息記錄介質(zhì)上的穩(wěn)定的信息記錄和重放，需要根據(jù)例如記錄材料、軌道間距等特征的情況來確定適當(dāng)?shù)臏喜蹖挾群蜏喜凵疃取?br> 從電版處理中的盤母版制作的模具通過注模處理來制作透光基片，透光基片上的凹坑和溝槽形狀幾乎再現(xiàn)了該盤母版的溝槽形狀。作為該盤母版的制造方法，通常的實(shí)踐是采用曝光的方法，例如使用具有波長(zhǎng)范圍從UV到DUV(190nm到450nm)的激光束曝光，并使用堿性溶液生成光致抗蝕劑(photoresist)。而且，可以使用一種用EB(電子束)曝光裝置來曝光EB(電子束)光致抗蝕劑并類似地用堿性溶液生成光致抗蝕劑的方法。做為選擇，可以使用一個(gè)通過激光束改變無機(jī)材料的晶體情況并使用在非晶體部分和晶體部分之間的蝕刻比率差值的方法。
圖2是示意圖，用于說明在本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)上的槽岸和溝槽的形狀。
如圖2所示，在本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，假設(shè)Wg是溝槽61和槽岸62的溝槽寬度、TP是相鄰溝槽之間的軌道間距、Dg是槽岸的高度(即溝槽的深度)、Wgt是頂部寬度、Wgb是底部寬度、θ是溝槽的側(cè)壁角。此時(shí)，溝槽寬度Wg由下式給出 Wg＝(Wgt+Wgb)/2(1) 在給定側(cè)壁角θ和溝槽深度Dg的情況下，能被制造的溝槽寬度假定在Wgt＝TP時(shí)有最大值Wg(Max)，此時(shí)的Wgb由下式給出 Wgb＝TP-2·Dg/tanθ(2) 因此，代入到公式(1)中得到 Wg(Max)＝TP-Dg/tanθ(3) 另一方面，由于當(dāng)Wgb＝0時(shí)保證有最小值Wg(Min)，此時(shí)有 Wgt＝2·Dg/tanθ(4) 代入到公式(1)中得到 Wg(Min)＝Dg/tanθ(5) 因此，能被制造的溝槽寬度的范圍由下式限定 Dg/tanθ≤Wg≤TP-Dg/tanθ(6) 如果溝槽形狀近似于矩形，則會(huì)發(fā)生轉(zhuǎn)移誤差(例如在轉(zhuǎn)移時(shí)樹脂不能達(dá)到壓模的溝槽底部，在移除時(shí)圍繞槽岸形成鉤爪等等)。因此，實(shí)驗(yàn)已揭示，隨著溝槽側(cè)壁的傾角θ變小，尤其在該傾角小于70°時(shí)，轉(zhuǎn)移特性會(huì)變得較好。如可從不等式(6)中看到的那樣，制造的透光基片的溝槽形狀具有能利用增加溝槽形狀的側(cè)壁角而制作的該溝槽寬度的較寬范圍。如果該最大傾角是70°，則可被用于本實(shí)施例的溝槽寬度的范圍由下式定義 Dg/2.75≤Wg≤TP-Dg/2.75(7) 因此，該溝槽寬度取決于溝槽深度和軌道間距。能夠制作的溝槽寬度伴隨深度的降低而變得較寬。側(cè)壁角的調(diào)整取決于要被加到盤母版的光致抗蝕劑的分解性，并且可根據(jù)期望分解性來選擇光致抗蝕劑。滿足不等式(6)的全部溝槽寬度條件都能被用于由本實(shí)施例處理的雙層一次寫入型信息記錄介質(zhì)。就這些條件而言，選擇并且使用具有能確保滿意的循軌特征的溝槽寬度條件和重放信號(hào)特征條件的透光基片。
為了實(shí)現(xiàn)在本實(shí)施例的可記錄信息介質(zhì)上的穩(wěn)定的信息記錄/重放，要求穩(wěn)定地讀取地址信息而不取決于非記錄狀態(tài)或記錄狀態(tài)。為此目的，必須通過在作為記錄區(qū)的溝槽區(qū)上穩(wěn)定地形成一射束點(diǎn)來執(zhí)行循軌。這將使用一種推挽方法。當(dāng)在反射膜上的溝槽和槽岸區(qū)之間的厚度階躍Dr由下式給出時(shí)，該推挽方法中的循軌誤差檢測(cè)信號(hào)變?yōu)樽畲? Dr＝λ/8nd(8) 其中nd是該記錄膜材料對(duì)記錄/重放激光波長(zhǎng)的折射率。由于假設(shè)的情況是該溝槽形狀為一種矩形，所以實(shí)際上如果該溝槽形狀是一個(gè)梯形形狀的話，則當(dāng)Dr落在以下范圍中時(shí)，循軌誤差信號(hào)將變得最大 1/8nd≤Dr＜λ/4nd(9) 但是這將取決于溝槽的側(cè)壁傾角。在如相變膠片那樣的噴鍍膜的情況下，由于透光基片的形狀被幾乎再現(xiàn)，所以在記錄膜上的溝槽和槽岸區(qū)之間的厚度階躍Dr變得幾乎等于在透光基片上的溝槽和槽岸區(qū)之間的厚度階躍Dg，將被制作的透光基片的溝槽深度Dg變成幾乎等于Dr。但是，當(dāng)應(yīng)用一種有機(jī)染料膜時(shí)，由于該溶液趨向滯留在溝槽區(qū)中，所以在記錄膜上的階躍厚度Dr變得小于在透光基片上的階躍厚度Dg。因此，為了獲得滿意的循軌誤差信號(hào)，在透光基片上的階躍厚度Dg必須設(shè)置為相當(dāng)大，使得滿足 Dr≤Dg(10) 對(duì)于推挽信號(hào)特性來說，下限值由公式(4)限定。在本實(shí)施例中，由于相對(duì)于大約400nm的波長(zhǎng)來說該有機(jī)染料材料的折射率是在n＝1.3到2.0的范圍內(nèi)，所以Dr的下限值的范圍是從25nm到40nm。因此，透光基片上的溝槽深度Dg必須至少大于這一下限值＝25nm。因此在本實(shí)施例中，由于軌道間距是400nm，所以當(dāng)深度例如是25nm時(shí)，根據(jù)公式(2)，該能被制作的溝槽寬度的半最大全寬度Wg由下式定義 10nm≤Wg≤390nm(11) 除了溝槽深度之外，推挽方法中的循軌誤差檢測(cè)信號(hào)取決于軌道間距TP、溝槽寬度、和射束點(diǎn)的尺寸。在本實(shí)施例中，由于使用的激光束的中心波長(zhǎng)是405nm、物鏡的NA是0.65，并且PC(在405nm的折射率＝1.65)被用作透光基片，所以射束點(diǎn)尺寸是0.52μm。在這種光學(xué)系統(tǒng)中，為了指定使得推挽信號(hào)落入本實(shí)施例的單面雙層信息記錄介質(zhì)的上述范圍中的溝槽寬度，通過設(shè)置各種溝槽寬度的情況來測(cè)量推挽信號(hào)特性和記錄信號(hào)重放特征(SbER，PRSNR)。
應(yīng)該指出，在下列DVD格式/標(biāo)志圖許可協(xié)議的工作簿上描述了PRSNR的定義及測(cè)量方法用于高密度只讀盤的DVD規(guī)范，部分1，版本0.9，附件H(DVD Specifications for High Density Read-OnlyDisc PART 1 Physical Specifications Version 0.9，Annex H)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，PRSNR是15或更高。在下列DVD格式/語句許可協(xié)議的書上描述了SbER的定義及測(cè)量方法用于高密度只讀盤的DVD規(guī)范，部分1，版本0.9，附件H。根據(jù)本實(shí)施例，該SbER可以是5.0×10-5或更小。
應(yīng)該指出，在測(cè)量PRSNR和SbER的同時(shí)，信息也被記錄在相鄰的軌道上。
示例 L0和L1層都使用具有由上述結(jié)構(gòu)式(I)給出的平臺(tái)的偶氮基金屬合成物染料，其中替代物基團(tuán)R1＝R2＝R3＝CH3，R4＝R5＝C1，而中心金屬M(fèi)＝Cu。L0層的染料膜厚度和反射膜厚度分別是90nm和25nm，L1層的染料膜厚度和反射膜厚度分別是90nm和120nm。中間層膜厚度是15nm。在本試驗(yàn)中使用的透光基片條件包括軌道間距TP＝400nm，并且對(duì)于L0層來說，該溝槽深度條件范圍＝55nm到70nm，對(duì)于L1層來說，該溝槽深度條件范圍＝60nm到90nm。作為一種評(píng)估機(jī)器，使用ODU-1000((PULSTEC TECHNOLOGY公司)作為具有記錄/重放光束的中心波長(zhǎng)＝405nm，物鏡NA＝0.65的光學(xué)系統(tǒng)。
要被測(cè)量的選項(xiàng)包括 1.推挽信號(hào)； 2.SbER； 3.PRSNR； 4.反射率；及 5.擺動(dòng)串?dāng)_量。
推挽信號(hào)特征 為了實(shí)現(xiàn)在本實(shí)施例的單面雙層一次寫入型信息記錄介質(zhì)上的穩(wěn)定的信息重放，根據(jù)稍后描述的H-格式，期望推挽信號(hào)值滿足 0.30≤(I1-I2)pp/(I1+I2)dc≤0.60 圖3和圖4示出了關(guān)于在L0及L1層的推挽信號(hào)特性和透光基片的溝槽寬度之間的相關(guān)性的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。圖3和圖4揭示了當(dāng)用于L0層的溝槽寬度的最小值是198nm而最大值是292nm時(shí)，該推挽信號(hào)特征是落入在上述的范圍內(nèi)的。因此發(fā)現(xiàn)，在下述范圍內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)滿意的循軌特性 198nm≤Wg(L0)≤292nm(12) 圖5和圖6示出了關(guān)于L0及L1層的推挽信號(hào)特性和透光基片的溝槽深度之間的相關(guān)性的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
此時(shí)，確認(rèn)了實(shí)現(xiàn)滿意循軌特性的溝槽深度的最小值是50.2nm，最大值是67.3nm。因此發(fā)現(xiàn)，當(dāng)溝槽深度落入下述的范圍內(nèi)時(shí)，能夠制作具有滿意循軌特性的透光基片 50.2nm≤Dg(L0)≤67.3nm(13) 在另一方面，對(duì)于該L1層來說，確認(rèn)了實(shí)現(xiàn)滿意循軌特性的溝槽深度的最小值是194nm，最大值是287nm。因此至少使用條件 194nm≤Wg(L1)≤287nm(14) 能制造實(shí)現(xiàn)滿意循軌特性的L1基片。此時(shí)，確認(rèn)了實(shí)現(xiàn)滿意循軌特性的溝槽深度的最小值是73.6nm，最大值是86.9nm。因此，在下述范圍內(nèi)存在實(shí)現(xiàn)滿意的循軌特性的溝槽深度條件 73.6nm≤Dg(L1)≤86.9nm(15) 這些結(jié)果表明，作為一個(gè)整體與單層一次寫入型介質(zhì)相比，借助在一個(gè)方向上變更基片形狀來增加溝槽寬度，能通過制造本實(shí)施例使用的單面雙層一次寫入型介質(zhì)來實(shí)現(xiàn)滿意的推挽特性。
重放信號(hào)特性 要求本實(shí)施例使用的單面雙層一次寫入型信息記錄介質(zhì)實(shí)現(xiàn)可靠的信息記錄和重放。DVD-R等通常使用抖動(dòng)值來作為用于評(píng)估這種特性的一個(gè)指數(shù)。然而，在本實(shí)施例的高密度介質(zhì)上的信息記錄的重放信號(hào)特性則是使用兩個(gè)指針估計(jì)的即SbER和PRSNR。因此，在各種條件下測(cè)量在透光基片的溝槽形狀和記錄信息的重放信號(hào)特性之間的相關(guān)性。
圖7和圖8示出關(guān)于在L0及L1層的SbER值和透光基片的溝槽寬度之間的相關(guān)性的測(cè)量結(jié)果。
為了實(shí)現(xiàn)記錄信息的穩(wěn)定重放，要求一個(gè)等于或小于SbER＝1.0E-5的值。在針對(duì)L0層的當(dāng)前實(shí)驗(yàn)結(jié)果中，落入在標(biāo)準(zhǔn)值范圍中的溝槽寬度的最小值是198nm，而最大值是285nm。因此，找到了一個(gè)條件，滿足在下述范圍內(nèi)存在的一個(gè)滿意條件 198nm≤Wg(L0)≤285nm(16) 此時(shí)，落入在標(biāo)準(zhǔn)值范圍中的溝槽深度的最小值是50.2nm，而最大值是64.3nm。因此發(fā)現(xiàn)，在下述范圍內(nèi)存在滿意條件 50.2nm≤Dg(L0)≤64.3nm(17) 在另一方面，圖9和圖10示出關(guān)于在L0及L1層的SbER值和透光基片的溝槽深度之間的相關(guān)性的測(cè)量結(jié)果。對(duì)于L1層來說，落入在標(biāo)準(zhǔn)值范圍中的溝槽寬度的最小值是194nm，而最大值是287nm。因此發(fā)現(xiàn)，在該范圍內(nèi)存在符合該基準(zhǔn)值的一個(gè)條件 194nm≤Wg(L1)≤287nm(18) 此時(shí)，落入在標(biāo)準(zhǔn)值范圍中的溝槽深度的最小值是73.6nm，而最大值是86.9nm。因此發(fā)現(xiàn)，在該范圍內(nèi)存在一個(gè)令人滿意的條件 73.6nm≤Dg(L1)≤86.9nm(19) 通過把透光基片的溝槽寬度設(shè)置到該溝槽寬度和溝槽深度的上述范圍中，能夠制造展現(xiàn)出具有優(yōu)良SbER值的信號(hào)特性的記錄介質(zhì)。
圖11和12示出的測(cè)量結(jié)果表示了作為重放信號(hào)的另一特征指數(shù)的PRSNR值和溝槽的溝槽寬度之間的相關(guān)性。為了實(shí)現(xiàn)記錄信息的穩(wěn)定重放，要求等于或高于15dB的PRSNR值作為標(biāo)準(zhǔn)值。
根據(jù)針對(duì)L0層的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)值或更高值的溝槽寬度的最小值是194nm，而最大溝槽寬度是292nm。因此，發(fā)現(xiàn)在該范圍中存在實(shí)現(xiàn)良好PRSNR的一個(gè)溝槽寬度條件 194nm≤Wg(L0)≤292nm(20) 圖13和14示出的測(cè)量結(jié)果表示了作為重放信號(hào)的另一特征指數(shù)的PRSNR值和溝槽的溝槽深度之間的相關(guān)性。
此時(shí)，符合該標(biāo)準(zhǔn)值范圍中的溝槽深度的最小值是50.2nm，而最大值是63.5nm。因此，發(fā)現(xiàn)在該范圍中存在實(shí)現(xiàn)良好PRSNR的一個(gè)溝槽深度條件 50.2nm≤Dg(L0)≤63.5nm(21) 對(duì)于L1層來說，發(fā)現(xiàn)符合該標(biāo)準(zhǔn)值范圍的該溝槽寬度的最小值是186nm，而最大值是287nm。因此，發(fā)現(xiàn)在該范圍中存在實(shí)現(xiàn)良好PRSNR的一個(gè)溝槽寬度條件 186nm≤Wg(L1)≤287nm(22) 此時(shí)，符合標(biāo)準(zhǔn)值范圍的溝槽深度的最小值是73.6nm，而最大值是86.9nm。因此，這揭示出在該范圍中存在實(shí)現(xiàn)良好PRSNR的一個(gè)溝槽深度條件 73.6nm≤Dg(L1)≤86.9nm(23) 因此，使用具有上述溝槽寬度和溝槽深度范圍的透光基片，能夠制造實(shí)現(xiàn)具有良好PRSNR的信號(hào)特性的單面雙層一次寫入型信息記錄介質(zhì)。
結(jié)果總結(jié) 下面的表1總結(jié)了該透光基片的溝槽寬度的試驗(yàn)結(jié)果范圍，該透光基片滿足該滿意的循軌特征及SbER和PRSNR指數(shù)；而下面的表2總結(jié)了該透光基片的溝槽深度的試驗(yàn)結(jié)果范圍，該透光基片滿足該滿意的循軌特征及SbER和PRSNR指數(shù)。
表1溝槽寬度范圍的實(shí)驗(yàn)結(jié)果總結(jié) 表2溝槽深度范圍的實(shí)驗(yàn)結(jié)果總結(jié) 確認(rèn)符合這三個(gè)條件的特征的該溝槽寬度Wg和溝槽深度Dg的范圍 194nm≤Wg(L0)≤285nm (24) 194nm≤Wg(L1)≤287nm (25) 50.2nm≤Dg(L0)≤63.5nm(26) 73.6nm≤Dg(L1)≤86.9nm(27) 如果包括該測(cè)量值的誤差，并且該溝槽寬度被既針對(duì)L0層又針對(duì)L1層設(shè)置，則滿足 190nm≤Wg(L0)≤290nm (28) 能夠制作一種雙層一次寫入型信息記錄介質(zhì)，其滿足在信息重放設(shè)備中的令人滿意的信息記錄/重放特性，該信息重放設(shè)備能夠被用于隨后將描述的H格式。在本實(shí)施例中，由于TP＝400nm，所以就該軌道間距TP來說，通常一個(gè)雙層一次寫入型信息介質(zhì)只需要具有符合下式的溝槽寬度Wg 0.475nm≤Wg/TP≤0.725nm(29) 就深度而言，由于幾個(gè)百分比的測(cè)量誤差是在預(yù)期范圍內(nèi)，所以如果L0層和L1層的深度是在下式的范圍內(nèi)，則能夠?qū)崿F(xiàn)在記錄/重放設(shè)備中的滿意的記錄/重放特性征的一種雙層一次寫入型信息介質(zhì) 50nm≤Dg(L0)≤65nm(30) 70nm≤Dg(L1)≤85nm(31) L1層的反射率和擺動(dòng)信號(hào)特性 循軌特性和重放信號(hào)特性取決于由于基片形狀的原因而被最終制作的記錄膜和反射膜形狀。通常，依據(jù)記錄光束功率和重放信號(hào)電平，要求L0層具有較高的光透射率，因?yàn)檫@將有利于L1層的記錄/重放。尤其是隨著增加線速度的記錄速度，這種要求將變得更突出。為了增加L0層的透射率，反射膜層的厚度被降低，并且具有光吸收率的染料記錄膜的厚度被降低。然而，考慮到濺射處理的穩(wěn)定性，要求該半透明反射膜的厚度被調(diào)整到從20nm到30nm的范圍內(nèi)。而且，優(yōu)先于記錄信號(hào)的調(diào)制度，要求把染料膜的厚度調(diào)整在從60nm到120nm的范圍內(nèi)。因此，厚度降低具有局限性。隨著降低該溝槽寬度，反射率降低而透射率增加。然而，在L0層上的寫入之前的地址重放所需的反射率R(L0)需要被確保是在從4.5％到9.0％的范圍內(nèi)。同樣，在L1層上的寫入之前在L0層上的寫入之后的L1層的反射率R(L1)被確保是在從4.5％到9.0％的范圍內(nèi)，并且當(dāng)該反射率是在這一范圍內(nèi)的盡可能的高值時(shí)，保證了較高的重放信號(hào)質(zhì)量。如果厚度超過150nm，則總體反射膜的反射率不增加，并且染料膜的厚度只能在從60nm到120nm的范圍內(nèi)調(diào)整。另一方面，L0層和L1層的反射率都能通過溝槽寬度來調(diào)整。由于光束焦點(diǎn)被調(diào)整到該溝槽底部，所以反射率隨著溝槽寬度的增加而增加。另一方面，反射率隨著溝槽寬度的降低而降低。
圖15示出了當(dāng)分別使用225nm、256nm和285nm的三種不同溝槽寬度的L0層時(shí)在改變?cè)揕1層的溝槽寬度時(shí)的該L1層的反射率的測(cè)量結(jié)果。
如可從圖15中看到的那樣，反射率能夠隨著L1層的溝槽寬度的增加而增加。L1層的反射率隨著L0層的溝槽寬度的降低而增加。這是由于L0層的透射率增加。利用其是L0層的溝槽寬度的80％或更小的L1層的溝槽寬度，該L1層的反射率不超過標(biāo)準(zhǔn)值反射率的下限值4.5％。根據(jù)這些結(jié)果，當(dāng)L1層的反射膜/記錄膜的溝槽寬度大于L0層的反射膜/記錄膜的溝槽寬度時(shí)，該L1層的信息重放信號(hào)質(zhì)量將會(huì)變好。但是，如果該L1層的溝槽寬度太大，則由于來自相鄰軌道的擺動(dòng)串?dāng)_成分的增加，地址信息的穩(wěn)定重放將趨向被禁止。
圖16示出當(dāng)L0層的溝槽寬度是256nm時(shí)的作為L(zhǎng)1層的擺動(dòng)信號(hào)特性指數(shù)，即擺動(dòng)幅度波動(dòng)的Wpp-最大/Wpp-最小的測(cè)量結(jié)果。
為了穩(wěn)定地讀出地址信息，必須保持Wpp-最大/Wpp-最小≤2.3。
在TP＝400nm，L0層和L1層的Wpp-最大/Wpp-最小都從大約290nm的溝槽寬度超出2.3。因此，擺動(dòng)幅度信號(hào)的穩(wěn)定重放要求 Wg/TP≤0.725(32) 如上所述，能夠從L1層的記錄/重放信號(hào)特征制作出具有兩種不同特征類型的介質(zhì)。因此，L0層和L1層的溝槽寬度必須是滿足在不等式(34)的范圍之內(nèi)的下列不等式的一個(gè)組合。L0層滿足 Wg(L0)≤0.725×TP(33) L1層滿足 0.8×Wg(L0)≤Wg(L1)≤0.725×TP(34) 在能被設(shè)定在上述范圍內(nèi)的L0層和L1層的組合中，可以制作具有兩種不同使用用途的介質(zhì)。在其中的L1層的溝槽寬度大于L0層的溝槽寬度的一種組合中，L1層的溝槽寬度是在下式的范圍內(nèi) Wg(L0)≤Wg(L1)≤0.725×TP(35) 在此情況下，由于通過降低溝槽寬度而降低了該L0層的反射率，所以使得能保證高質(zhì)量的重放信號(hào)，并且該透射率能是盡可能的高，因而能抑制L1層的記錄光量。由于該L1層的溝槽寬度被增加到不受任何擺動(dòng)串?dāng)_影響的范圍，所以能保證該重放信號(hào)所需求的反射率。因此，這種組合能夠支持高速度記錄。另一方面，在其它組合中，L1層的溝槽寬度變得小于L0層的溝槽寬度，并且這些溝槽寬度滿足 0.8≤Wg(L1)/Wg(L0)≤1.0(36) 在此情況下，L1層的地址信息重放具有高可靠性，并且由于能確保寬的溝槽寬度以及抑制反射率，所以能保證大的讀出功率。因此，這種組合適于這樣一種介質(zhì)不要求任何高速記錄/重放，給出對(duì)于L1層的地址信息的重放特征的優(yōu)先級(jí)，并要求具有較高的信息精度，例如專業(yè)傳播用途及數(shù)據(jù)備份用途的理想特征。
如上所述，通過不僅設(shè)置L0層和L1層的溝槽寬度范圍、而且設(shè)置該L0層和L1層的相對(duì)溝槽寬度值，則能夠滿足該反射率標(biāo)準(zhǔn)和擺動(dòng)信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)。而且，能夠根據(jù)L0層和L1層的溝槽寬度之間的幅度關(guān)系而制造根據(jù)使用用途的一次寫入性信息介質(zhì)。
下面將描述能被用于本發(fā)明信息記錄介質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)示例。
§1.H格式 下面將描述使用在本發(fā)明中的第一個(gè)下一代光盤HD DVD系統(tǒng)(以下稱為H格式)。
在使用″L→H″記錄膜時(shí)，可使用形成凸紋凹坑區(qū)211的一種方法，該凸紋凹坑區(qū)211如圖17-(a)所示如在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中作為將被預(yù)先形成在燒錄區(qū)BCA中的細(xì)致不均形狀的實(shí)際內(nèi)容。作為另一實(shí)施例，還可提供在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI和數(shù)據(jù)區(qū)DTA中形成溝槽區(qū)214或槽岸和溝槽區(qū)的一種方法。在其中把系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI和燒錄區(qū)BCA分開定位的一個(gè)實(shí)施例中，如果燒錄區(qū)BCA的內(nèi)部與凸紋凹坑區(qū)211彼此重疊，則由于不必要的干擾而增加從該燒錄區(qū)BCA中形成的數(shù)據(jù)到重放信號(hào)的噪聲成分。
當(dāng)按照燒錄區(qū)BCA中的細(xì)致不均形狀的實(shí)施例形成溝槽區(qū)214或槽岸和溝槽區(qū)來取代凸紋凹坑區(qū)211時(shí)，減小了由于不必要的干擾引起的從燒錄區(qū)BCA中的數(shù)據(jù)到重放信號(hào)的噪聲成分，因此提高了重放信號(hào)的質(zhì)量。
當(dāng)該燒錄區(qū)BCA中形成的溝槽區(qū)214或槽岸和溝槽區(qū)的軌道間距被調(diào)整到系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI的軌道間距時(shí)，期望一種提高信息存儲(chǔ)介質(zhì)的可制造性的效果。即在制造信息存儲(chǔ)介質(zhì)的原版拷貝時(shí)，通過設(shè)置原版拷貝記錄設(shè)備的曝光單元的恒定電動(dòng)機(jī)速度來在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)中形成凸紋凹坑。此時(shí)，通過把將在燒錄區(qū)BCA中形成的溝槽區(qū)214或槽岸和溝槽區(qū)的軌道間距調(diào)整到系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的凸紋凹坑的軌道間距，在燒錄區(qū)BCA和系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI之間該電動(dòng)機(jī)速度能被連續(xù)保持恒定。因此，由于無需中途改變饋送電動(dòng)機(jī)的速度，所以很難出現(xiàn)間距的不均勻，并且能夠提高信息存儲(chǔ)介質(zhì)的可制造性。
通過降低軌道間距和線密度(數(shù)據(jù)比特長(zhǎng)度)，與只讀或一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)相比，增加了可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄容量。如稍后將被描述的那樣，可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)采用槽岸-溝槽記錄來消除在相鄰軌道之間的串?dāng)_影響，因此降低軌道間距。在所有的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)和可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)的特征在于系統(tǒng)導(dǎo)入/系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLDI/SYLDO的數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度和軌道間距(對(duì)應(yīng)于記錄密度)被設(shè)置為大于數(shù)據(jù)導(dǎo)入/數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDI/DTLDO的數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度和軌道間距(以降低記錄密度)。
通過把系統(tǒng)導(dǎo)入/系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLDI/SYLDO的數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度和軌道間距趨近現(xiàn)有DVD的導(dǎo)入?yún)^(qū)的值，確保與現(xiàn)有DVD的兼容性。
在本實(shí)施例中，在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的系統(tǒng)導(dǎo)入/系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLDI/SYLDO中的凸紋階躍也被設(shè)置為與現(xiàn)有DVD-R相比要淺。這將提供降低該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的預(yù)制凹槽的深度、以及提高來自將通過附加記錄形成在預(yù)制凹槽上的記錄標(biāo)記的重放信號(hào)的調(diào)制度的效果。反之，當(dāng)反其道操作時(shí)，將形成下列問題。即，來自系統(tǒng)導(dǎo)入/系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLDI/SYLDO的重放信號(hào)的調(diào)制度變小。為解決這一問題，通過設(shè)置系統(tǒng)導(dǎo)入/系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLDI/SYLDO的粗略數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度(和軌道間距)，以便把在最窄位置凹坑和空白的重復(fù)頻率與重放物鏡的MTF(調(diào)制傳遞函數(shù))的光截止頻率分離(大大降低該重復(fù)頻率)，提高來自系統(tǒng)導(dǎo)入/系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLDI/SYLDO的重放信號(hào)幅度，因此穩(wěn)定重放。
如圖17-(a)所示，初始帶INZ指示系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI的開始位置。作為記錄在初始帶INZ中的重要信息，離散地分配了多個(gè)ID(標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù))信息數(shù)據(jù)段，每一ID信息包括物理扇區(qū)號(hào)PSN(或物理段號(hào)PSN)或邏輯扇區(qū)號(hào)的信息。一個(gè)物理扇區(qū)記錄包括數(shù)據(jù)ID的數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)的信息、IED(ID檢錯(cuò)碼)、記錄用戶信息的主數(shù)據(jù)和EDC(檢錯(cuò)碼)。而且，初始帶INZ記錄該數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)的信息。但是，由于記錄用戶信息的主數(shù)據(jù)的信息的全部片段都被設(shè)置為″00h″，所以在該初始帶INZ中的重要信息僅是前述的數(shù)據(jù)ID信息。能夠從物理扇區(qū)號(hào)的信息或記錄在此帶中的邏輯扇區(qū)號(hào)來檢測(cè)當(dāng)前位置。即，當(dāng)圖18中的信息記錄/重放單元141起始從信息存儲(chǔ)介質(zhì)重放信息時(shí)，其提取記錄在該數(shù)據(jù)ID信息中的物理扇區(qū)號(hào)或邏輯扇區(qū)號(hào)的信息，以便確認(rèn)該信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的當(dāng)前位置，然后移到控制數(shù)據(jù)帶CDZ。
緩沖帶1(BFZ1)和緩沖帶2(BFZ2)的每一個(gè)都包括32個(gè)ECC塊。由于ECC塊包括32個(gè)物理扇區(qū)，所以該32個(gè)ECC塊總計(jì)有1024個(gè)物理扇區(qū)。在緩沖帶1(BFZ1)和緩沖帶2(BFZ2)中，主數(shù)據(jù)的信息的全部片段都象初始帶INZ中那樣被設(shè)置為″00h″。
存在于連接區(qū)CNA中的連接帶CNZ被用于該系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI和數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI的物理分離，并且具有其上不形成任何凸紋凹坑和預(yù)制凹槽的鏡面。
只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)或一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的基準(zhǔn)碼帶RCZ用于調(diào)節(jié)重放設(shè)備的重放電路，并且記錄上述數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)的信息。一個(gè)基準(zhǔn)碼的長(zhǎng)度是一個(gè)ECC塊(＝32個(gè)扇區(qū))。只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)和一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的基準(zhǔn)碼帶RCZ能夠被分配在數(shù)據(jù)區(qū)DTA的鄰域。在現(xiàn)有DVD-ROM盤或現(xiàn)有的DVD-R盤的結(jié)構(gòu)中，在基準(zhǔn)碼帶和數(shù)據(jù)區(qū)之間分配控制數(shù)據(jù)帶，并且該基準(zhǔn)碼帶和數(shù)據(jù)區(qū)彼此分離。當(dāng)基準(zhǔn)碼帶和數(shù)據(jù)區(qū)彼此有分離時(shí)，形成下列問題。即，信息記錄介質(zhì)的記錄膜的傾斜量、光反射率、或記錄靈敏度(在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下)輕微地改變，并且即使當(dāng)以基準(zhǔn)碼帶的位置來調(diào)整重放設(shè)備的電路常數(shù)時(shí)，關(guān)于該數(shù)據(jù)區(qū)的最佳地電路常數(shù)也會(huì)偏離。為了解決這一問題，當(dāng)基準(zhǔn)碼帶RCZ被分配在數(shù)據(jù)區(qū)DTA的鄰域中時(shí)，如果在信息重放設(shè)備中優(yōu)化信息的電路常數(shù)，該優(yōu)化的狀態(tài)也被與相同的電路常數(shù)一起保持在相鄰數(shù)據(jù)區(qū)DTA中。為了在數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的任意位置精確重放信號(hào)，能夠通過下列步驟精確地實(shí)現(xiàn)在目標(biāo)位置的信號(hào)重放 (1)優(yōu)化基準(zhǔn)碼帶RCZ中的信息重放設(shè)備的電路常量； →(2)在重放數(shù)據(jù)區(qū)DTA中靠近基準(zhǔn)碼帶RCZ的部分的同時(shí)再次優(yōu)化信息重放設(shè)備的電路常量； →(3)在對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的目標(biāo)位置和步驟2)中優(yōu)化的位置之間的中間位置上的信息進(jìn)行重放的同時(shí)，再次優(yōu)化電路常量；以及 →(4)在移動(dòng)到目標(biāo)位置之后重放信號(hào)。
一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)或可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)中存在的保護(hù)軌道帶1 GTZ1和2 GTZ2被用于指定數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI的起始邊界位置以及盤測(cè)試帶DKTZ和驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ的起始邊界位置，并且被指定來禁止在這些帶上以記錄標(biāo)記格式進(jìn)行的記錄。由于GTZ 1和GTZ2存在于該數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中，所以在這些帶中預(yù)先形成預(yù)制溝槽區(qū)(在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中)或溝槽和槽岸區(qū)(在可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)中)。由于在預(yù)制溝槽區(qū)或溝槽和槽岸區(qū)中預(yù)先記錄了擺動(dòng)地址，所以使用此擺動(dòng)地址來確定信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的當(dāng)前位置。
盤測(cè)試帶DKTZ被確保來由信息存儲(chǔ)介質(zhì)生產(chǎn)商執(zhí)行質(zhì)量測(cè)試(評(píng)估)。
驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ被確保作為用于在由信息記錄/重放設(shè)備把信息記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上之前進(jìn)行嘗試寫入的一個(gè)帶。信息記錄/重放設(shè)備預(yù)先在此帶中進(jìn)行嘗試寫入，以便檢測(cè)優(yōu)化的記錄條件(寫策略)，并且隨后能在優(yōu)化的記錄條件下把信息記錄在數(shù)據(jù)區(qū)DTA中。
可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)的盤標(biāo)識(shí)帶DIZ中的信息是可選信息記錄帶，并且能附加記錄驅(qū)動(dòng)描述信息，該描述信息包括一組記錄/重放設(shè)備的生產(chǎn)商名稱信息、與其關(guān)聯(lián)的附加信息、以及能夠由生產(chǎn)商針對(duì)每一組唯一地記錄的一個(gè)區(qū)域。
可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的缺陷管理帶1(DMA1)和缺陷管理帶2(DMA2)是該數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的記錄缺陷管理信息的帶，并且在出現(xiàn)缺陷位置時(shí)記錄替代位置信息等。除了DMA1和DMA2之外，DMA管理信息(DMA管理器1)能被作為缺陷管理帶一起控制。
在該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，獨(dú)立地存在RMD復(fù)制帶RDZ、記錄管理帶RMZ和R-物理信息帶R-PFIZ。記錄管理帶RMZ把記錄管理數(shù)據(jù)RMD(稍后將詳細(xì)描述)記錄為與被數(shù)據(jù)的附加記錄處理更新的數(shù)據(jù)的記錄位置相關(guān)的管理信息。如將稍后使用圖17-(a)和17-(b)描述的那樣，在本實(shí)施例中，記錄管理帶RMZ被設(shè)置在每一有界區(qū)BRDA中，以便允許擴(kuò)展該記錄管理帶RMZ的區(qū)域。結(jié)果是，即使在附加記錄的頻率增加、及要求的記錄管理數(shù)據(jù)RMD區(qū)域的數(shù)量增加時(shí)，也能通過按照需要擴(kuò)展該記錄管理帶RMZ來應(yīng)對(duì)這些增加，因此提供了一個(gè)大大增加附加記錄的次數(shù)的效果。在此情況下，在本實(shí)施例中該記錄管理帶RMZ被分配在對(duì)應(yīng)于每一有界區(qū)BRDA的入邊界BRDI(緊接在每一有界區(qū)BRDA之前分配)中。在本實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)于第一有界區(qū)BRDA#1的入邊界BRDI以及數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI被共同使用來省略數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的第一入邊界BRDI的構(gòu)造，因此有助于數(shù)據(jù)區(qū)DTA的有效使用。即，數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中的記錄管理帶RMZ被用作對(duì)應(yīng)于該第一有界區(qū)BRDA#1的該記錄管理數(shù)據(jù)RMD的記錄位置。
RMD復(fù)制帶RDZ是記錄滿足下列條件的記錄管理數(shù)據(jù)RMD的信息的一個(gè)帶。象在本實(shí)施例中那樣，通過冗余記錄該記錄管理數(shù)據(jù)RMD，能夠提高記錄管理數(shù)據(jù)RMD的可靠性。即，當(dāng)由于附著并形成在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的表面上的塵埃及以擦痕的影響而使得該記錄管理帶RMZ中的記錄管理數(shù)據(jù)RMD不能被重放時(shí)，記錄在此RMD復(fù)制帶RDZ中的記錄管理數(shù)據(jù)RMD被重放，并且通過循軌來收集其余的必需信息的片段，因此恢復(fù)最新的記錄管理數(shù)據(jù)RMD的信息。
RMD復(fù)制帶RDZ在關(guān)閉邊界(或多個(gè)邊界)之時(shí)記錄該記錄管理數(shù)據(jù)RMD。如將稍后描述的那樣，每次關(guān)閉一個(gè)邊界并且設(shè)置一個(gè)隨后的新有界區(qū)，定義一個(gè)新記錄管理帶RMZ。因此，換句話說，每當(dāng)產(chǎn)生一個(gè)新的記錄管理帶RMZ時(shí)，關(guān)于該緊接在前面的有界區(qū)的最后記錄管理數(shù)據(jù)RMD被記錄在這一RMD復(fù)制帶RDZ中。每次將記錄管理數(shù)據(jù)RMD補(bǔ)充記錄在該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，當(dāng)相同的信息被記錄在這種RMD復(fù)制帶RDZ中時(shí)，通過很小次數(shù)的補(bǔ)充記錄該RMD復(fù)制帶RDZ就被充滿，導(dǎo)致一個(gè)小的附加記錄次數(shù)的上限值。相反，象在本實(shí)施例中那樣，當(dāng)制備一個(gè)新記錄管理帶時(shí)(例如邊界關(guān)閉時(shí)或入邊界BRDI中的記錄管理帶充滿數(shù)據(jù)時(shí))，僅將當(dāng)前記錄管理帶RMZ中的最后的記錄管理數(shù)據(jù)RMD記錄在該RMD復(fù)制帶RDZ中，因此有效地使用了該RMD復(fù)制帶RDZ的空間并增加了容許的附加記錄次數(shù)。
例如，由于附著或形成在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的表面上的塵?；虿梁鄣挠绊?，在附加記錄期間(在關(guān)閉之前)當(dāng)對(duì)應(yīng)于有界區(qū)BRDA的記錄管理帶RMZ中的記錄管理數(shù)據(jù)RMD不能被重放時(shí)，能通過讀出在這一RMD復(fù)制帶RDZ中記錄的最后的記錄管理數(shù)據(jù)RMD來確定該有界區(qū)BRDA的位置。因此，通過循軌該信息存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的剩余空間，能夠收集在附加記錄(在關(guān)閉之前)的有界區(qū)BRDA的位置以及在該區(qū)域中記錄的信息量，因此恢復(fù)該最后的記錄管理數(shù)據(jù)RMD的信息。
類似于該控制數(shù)據(jù)帶CDZ中的物理格式信息PFI(將被稍后詳細(xì)描述)的信息被記錄在R-物理信息帶R-PFIZ中。
圖17示出了存在于該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的RMD復(fù)制帶RDZ和記錄管理帶RMZ中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。圖17-(a)是比較系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)和數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的示意圖，而圖17-(b)是圖17-(a)中的RMD復(fù)制帶RDZ和記錄管理帶RMZ的擴(kuò)大示意圖。如上所述，數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中的記錄管理帶RMZ把與對(duì)應(yīng)于第一有界區(qū)BRDA的記錄位置管理相關(guān)的數(shù)據(jù)一起記錄在一個(gè)記錄管理數(shù)據(jù)RMD中，并且在每次隨著在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的附加記錄處理執(zhí)行時(shí)產(chǎn)生的記錄管理數(shù)據(jù)RMD的內(nèi)容被更新時(shí)，在前次記錄管理數(shù)據(jù)RMD之后依次附加地記錄新的記錄管理數(shù)據(jù)RMD。即，該記錄管理數(shù)據(jù)RMD被記錄成具有一個(gè)物理段塊(該物理段塊將被稍后描述)的尺寸單位，并且在每次更新該數(shù)據(jù)內(nèi)容時(shí)，在前次記錄管理數(shù)據(jù)RMD之后依次附加記錄新的記錄管理數(shù)據(jù)RMD。在圖17-(b)的實(shí)例中，由于在記錄管理數(shù)據(jù)RMD#1和RMD#2被預(yù)先記錄之后管理數(shù)據(jù)已被改變，改變(更新)的數(shù)據(jù)被作為記錄管理數(shù)據(jù)RMD#3記錄在緊接該記錄管理數(shù)據(jù)RMD#2之后。因此，該記錄管理帶RMZ包括一個(gè)允許進(jìn)一步附加記錄的保留區(qū)273。
圖17-(b)示出了存在于數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中的該記錄管理帶RMZ中的結(jié)構(gòu)。而且，在存在于入邊界BRDI或有界區(qū)BRDA(隨后將要被描述)中的記錄管理帶RMZ(或擴(kuò)展記錄管理帶以下稱為擴(kuò)展RMZ)中的結(jié)構(gòu)與圖17-(b)示出的結(jié)構(gòu)相同。
在本實(shí)施例中，在關(guān)閉第一有界區(qū)BRDA#1或執(zhí)行數(shù)據(jù)區(qū)DTA的結(jié)束處理(結(jié)束)時(shí)，執(zhí)行進(jìn)行填充的處理，利用最后的記錄管理數(shù)據(jù)RMD填充圖17-(b)所示的整個(gè)保留區(qū)273。結(jié)果是，提供下列效果 (1)″未記錄的″保留區(qū)273消失，并且保證了基于DPD(差分相位檢測(cè))的穩(wěn)定的循軌校正； (2)在先前的保留區(qū)273上重復(fù)記錄最后的記錄管理數(shù)據(jù)RMD，大大地改善在最新的記錄管理數(shù)據(jù)RMD的重放時(shí)的可靠性；以及 (3)能夠防止在未記錄的保留區(qū)273上不經(jīng)意地記錄不同的記錄管理數(shù)據(jù)RMD的意外。
上述處理方法不限于在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中的記錄管理帶RMZ。在本實(shí)施例中，就存在于稍后描述的入邊界BRDI或有界區(qū)BRDA中的記錄管理帶RMZ(或者擴(kuò)展記錄管理帶被稱作擴(kuò)展RMZ)而言，在對(duì)應(yīng)的有界區(qū)BRDA被關(guān)閉的情況下，或者在對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)DTA進(jìn)行終止處理(完成)的情況下，進(jìn)行用最新記錄管理數(shù)據(jù)RMD填充整個(gè)保留區(qū)273的處理操作。
RMD復(fù)制帶RDZ被分為RDZ導(dǎo)入?yún)^(qū)RDZLI和對(duì)應(yīng)RMZ的末記錄管理數(shù)據(jù)RMD復(fù)制帶RDZ的記錄區(qū)271。RDZ導(dǎo)入?yún)^(qū)RDZLI由數(shù)據(jù)大小為48KB的系統(tǒng)保留字段SRSF和數(shù)據(jù)大小為16KB的唯一ID字段UIDF構(gòu)成。系統(tǒng)保留字段SRSF全部以″00h″設(shè)置。
在本實(shí)施例中，RDZ導(dǎo)入RDZLI能夠被記錄在允許附加記錄的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中。當(dāng)制造之后立即發(fā)行本實(shí)施例的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)時(shí)，沒有記錄該RDZ導(dǎo)入RDZLI。當(dāng)?shù)谝淮问褂眠@種一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)時(shí)，用戶方的信息記錄/重放設(shè)備記錄該RDZ導(dǎo)入RDZLI的信息。因此，通過在該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)被裝入到該信息記錄/重放設(shè)備之后而立即查驗(yàn)信息是否被記錄在RDZ導(dǎo)入RDZLI，將能夠容易地確定該目標(biāo)一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)是處在一種恰在制造/發(fā)行之后的狀態(tài)還是至少使用一次的狀態(tài)。此外，如圖17所示，該RMD復(fù)制帶RDZ被分配在對(duì)應(yīng)于該第一有界區(qū)BRDA的記錄管理帶RMZ的內(nèi)圓周側(cè)，而RDZ導(dǎo)入RDZLI能夠被分配在該RMD復(fù)制帶RDZ中。
把表明該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)是處在緊接在制造/交付之后的一種狀態(tài)還是即使至少使用了一次的信息配置在用于共同使用目標(biāo)(改進(jìn)RMD的可靠性)的RMD復(fù)制帶RDZ中，將能夠提高信息采集的使用效率。而且，通過把RDZ導(dǎo)入RDZLI配置在記錄管理帶RMZ的內(nèi)圓周側(cè)，能夠縮短為了收集必要信息所需要的時(shí)間。當(dāng)把信息存儲(chǔ)介質(zhì)裝入到信息記錄/重放設(shè)備中時(shí)，該信息記錄/重放設(shè)備將從定位在該最內(nèi)邊緣側(cè)的燒錄區(qū)BCA開始重放，并且在順序地把重放位置移動(dòng)到外圓周側(cè)的同時(shí)，把重放位置改變到系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI和數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI。然后，該設(shè)備檢測(cè)是否信息已被記錄在該RMD復(fù)制帶RDZ中的RDZ導(dǎo)入RDZLI中。由于未在發(fā)行之后被立即記錄的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的記錄管理帶RMZ中沒有對(duì)記錄管理數(shù)據(jù)RMD進(jìn)行記錄，所以如果沒有信息被記錄在RDZ導(dǎo)入RDZLI中，則本設(shè)備將確定″該介質(zhì)在發(fā)行之后未被立即使用″，并且能夠省略該記錄管理帶RMZ的重放，因此縮短了收集必要信息所需要的時(shí)間。
如圖17-(c)所示，唯一ID字段UIDF記錄了與信息記錄/重放設(shè)備相關(guān)的信息，該設(shè)備使用了發(fā)行之后立即第一次使用的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)(開始在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上記錄)。即，字段UIDF記錄了驅(qū)動(dòng)器生產(chǎn)商ID 281、序列號(hào)283、以及該信息記錄/重放設(shè)備的型號(hào)284。該唯一ID字段UIDF重復(fù)八次地記錄圖17-(c)所示的相同的2KB(精確地說是2,048字節(jié))的信息。如圖17-(d)所示，一個(gè)唯一的盤ID 287中的信息記錄著初次使用(開始記錄)的年信息293、月信息294、日信息295、時(shí)信息296、分信息297和秒信息298。如圖17-(d)所示，在說明時(shí)信息的不同片段的數(shù)據(jù)類型是HEX、BIN、和ASCII，并且2或4字節(jié)被用作使用字節(jié)的數(shù)量。
RDZ導(dǎo)入RDZLI的區(qū)大小以及一個(gè)記錄管理數(shù)據(jù)RMD的大小可以是64KB的整數(shù)倍，即一個(gè)ECC塊中的用戶數(shù)據(jù)量。在該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下，不能執(zhí)行在一個(gè)ECC塊中的數(shù)據(jù)已被改變之后用于在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上重寫該改變的ECC塊的數(shù)據(jù)的處理方法。因此，尤其是在該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下，以由包括ECC塊的數(shù)據(jù)段的整數(shù)倍組成的一個(gè)記錄簇單元來實(shí)現(xiàn)記錄。因此，如果該RDZ導(dǎo)入RDZLI的區(qū)大小以及一個(gè)記錄管理數(shù)據(jù)RMD的大小與該ECC塊中的用戶數(shù)據(jù)量不同，則要求填充區(qū)或裝填區(qū)來將這些量調(diào)整到該記錄簇單元，導(dǎo)致實(shí)際記錄效率的下降。通過設(shè)置RDZ導(dǎo)入RDZLI的區(qū)的大小和要被設(shè)置為64kb的整倍數(shù)的一個(gè)記錄管理數(shù)據(jù)RMD的大小，能夠避免記錄效率的降低。
下面將描述圖17-(b)中的一個(gè)對(duì)應(yīng)于RMZ的最后記錄管理數(shù)據(jù)RMD的記錄區(qū)271。如日本專利No.2621459中所述的那樣，可提供一種記錄方法，記錄當(dāng)在導(dǎo)入?yún)^(qū)中進(jìn)行的記錄中斷時(shí)的中間信息。在此情況下，每次中斷記錄或每次執(zhí)行附加記錄處理時(shí)，必須在該區(qū)中順序地附加記錄中間信息(在本實(shí)施例中的記錄管理數(shù)據(jù)RMD)。為此，形成下列問題。即，當(dāng)記錄中斷或頻繁重復(fù)附加記錄處理時(shí)，此區(qū)將很快成充滿數(shù)據(jù)，并且禁止其它的附加記錄處理。為了解決這一問題，本實(shí)施例的特征在于，僅當(dāng)滿足一個(gè)特定條件時(shí)才將RMD復(fù)制帶RDZ設(shè)置為能夠記錄更新的記錄管理數(shù)據(jù)RMD的一個(gè)區(qū)，并且在該特定條件下來記錄每十個(gè)抽取的記錄管理數(shù)據(jù)RMD。以此方式，通過減小將被附加記錄在該RMD復(fù)制帶RDZ中的記錄管理數(shù)據(jù)RMD的出現(xiàn)頻率，提供防止該RMD復(fù)制帶RDZ充滿數(shù)據(jù)的效果，并且大大增加針對(duì)該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的附加記錄的容許次數(shù)。與這種處理并行，在每一附加記錄處理都要被更新的記錄管理數(shù)據(jù)RMD被順序地附加記錄在圖20-(c)示出的入邊界BRDI中的記錄管理帶RMZ中(就第一有界區(qū)BRDA#1而言是在圖20-(c)示出的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中)，或使用稍后要被描述的R帶而記錄在記錄管理帶RMZ中。當(dāng)建立一個(gè)新的記錄管理帶RMZ(例如建立隨后的有界區(qū)BRDA(在BRDI中設(shè)置一個(gè)新邊界)、當(dāng)在一個(gè)R帶設(shè)置一個(gè)新的記錄管理帶RMZ等等)時(shí)，該最后一個(gè)記錄管理數(shù)據(jù)RMD(緊接在該新的記錄管理帶RMZ被建立之前的一個(gè)狀態(tài)中的最新的一個(gè)記錄管理數(shù)據(jù)RMD)被記錄在該RMD復(fù)制帶RDZ(在該帶中的一個(gè)對(duì)應(yīng)RMZ的最后的記錄管理數(shù)據(jù)RMD的記錄區(qū)271)。以這種方式，能夠大大增加針對(duì)該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的可允許的附加記錄的次數(shù)，并且使用此帶將有助于該最新的RMD位置檢索。
本實(shí)施例的特征在于，在只讀、一次寫入、可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)的任何之一中，系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)都被分配在數(shù)據(jù)區(qū)的相反一側(cè)上，以便把數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)夾持在它們之間，并且該燒錄區(qū)BCA和數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI被分配在相反側(cè)，以便把系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI夾持在它們之間。在把信息存儲(chǔ)介質(zhì)插入到信息重放設(shè)備中或圖18所示的信息記錄/重放設(shè)備中時(shí)，該信息重放設(shè)備或信息記錄/重放設(shè)備將按照下列次序執(zhí)行處理 (1)重放燒錄區(qū)BCA中的信息； →(2)重放在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI的信息(或控制)數(shù)據(jù)帶CDZ中的信息； →(3)重放在該數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中的信息(在一次寫入或可重寫介質(zhì)的情況下)； →(4)重新調(diào)整(優(yōu)化)該基準(zhǔn)碼帶RCZ中的重放電路常數(shù)；以及 →(5)重放記錄在數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的信息或新信息的記錄。
由于不同的信息片段被根據(jù)上述處理次序依次分配，所以能夠避免對(duì)于內(nèi)圓周側(cè)的不必要的存取處理，并且能夠通過降低存取的次數(shù)而到達(dá)數(shù)據(jù)區(qū)DTA。因此，能夠提供提前記錄在數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的信息的重放起始時(shí)間或記錄新信息的效果。由于在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的信號(hào)重放采用一種限制電平檢測(cè)方法，并且在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI和數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的信號(hào)重放采用PRML方法，所以當(dāng)數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI和數(shù)據(jù)區(qū)DTA被彼此相鄰并且從內(nèi)圓周側(cè)進(jìn)行依次重放時(shí)，能夠通過僅從限制電平檢測(cè)電路到PRML檢測(cè)電路的一次切換就連續(xù)地實(shí)現(xiàn)在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI和數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI之間的穩(wěn)定的信號(hào)重放。為此原因，由于伴隨該重放過程的重放電路的切換次數(shù)少，所以有助于過程控制并且能夠提前數(shù)據(jù)區(qū)中的重放起始時(shí)間。
在只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLDO中記錄的數(shù)據(jù)具有一種數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)(隨后將描述該數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu))，并且該數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)中的主數(shù)據(jù)值被全部用″00h″設(shè)置。這種只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)能夠使用這種整個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)DTA作為一個(gè)用戶數(shù)據(jù)預(yù)記錄區(qū)201。但是，如將隨后描述的那樣，在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)和可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)的任一個(gè)實(shí)施例中，用戶數(shù)據(jù)的可重寫/一次寫入的可記錄范圍202到205是比數(shù)據(jù)區(qū)DTA窄。
在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)或可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，在數(shù)據(jù)區(qū)DTA的最內(nèi)圓周側(cè)上確保有備用區(qū)SPA。當(dāng)在該數(shù)據(jù)區(qū)DTA中出現(xiàn)缺陷位置時(shí)，則使用備用區(qū)SPA執(zhí)行備份處理。在可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下，備份日志信息(缺陷管理信息)被記錄在缺陷管理帶1(DMA1)、缺陷管理帶2(DMA2)、缺陷管理帶3(DMA3)、以及缺陷管理帶4(DMA4)中。作為要被記錄在DMA3和DMA4中的缺陷管理信息，記錄的內(nèi)容與將被記錄在DMA1和DMA2中的信息相同。在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下，在執(zhí)行備份處理時(shí)把備份日志信息(缺陷管理信息)記錄在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI的記錄管理帶中的記錄內(nèi)容的復(fù)制信息C_RMZ中以及邊界帶(稍后將描述)中?，F(xiàn)有的DVD-R盤不執(zhí)行任何缺陷管理。但是，隨著制造的DVD-R盤數(shù)量的增加，開始出現(xiàn)局部具有缺陷的DVD-R盤，并且對(duì)于改善在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的信息記錄的可靠性的需求正在增加。
確保這種驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ作為一個(gè)帶，其中在對(duì)信息存儲(chǔ)介質(zhì)上進(jìn)行記錄之前，信息記錄/重放設(shè)備做一個(gè)嘗試寫入。信息記錄/重放設(shè)備預(yù)先在此帶中進(jìn)行嘗試寫入，以便檢測(cè)優(yōu)化的記錄條件(寫策略)，并且隨后能在優(yōu)化的記錄條件下把信息記錄在數(shù)據(jù)區(qū)DTA中。
盤測(cè)試帶DKTZ被確保來由信息存儲(chǔ)介質(zhì)生產(chǎn)商執(zhí)行質(zhì)量測(cè)試(評(píng)估)。
在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，保證驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ是在兩個(gè)位置，即在內(nèi)圓周側(cè)和外圓周側(cè)。能通過利用增加在驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ上的嘗試寫入的次數(shù)而精確地改變參數(shù)來詳細(xì)尋求光學(xué)記錄條件，因此提高在數(shù)據(jù)區(qū)DTA上的記錄精度。在這種可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，能通過覆寫來重新使用該驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ。但是，在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，為了通過增加嘗試寫入的次數(shù)來提高記錄精度，驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ被很快用盡，因此形成一個(gè)問題。為了解決這一問題，本實(shí)施例能夠沿著內(nèi)圓周的方向從外圓周部分開始設(shè)置擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ，因此使得可以擴(kuò)展該驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶。
本實(shí)施例具有下列關(guān)于設(shè)置擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶的方法及在該設(shè)置的擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶中的嘗試寫入方法的特征。
1.從外圓周朝向內(nèi)圓周側(cè)的方向同時(shí)連續(xù)設(shè)置(成幀)擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ ...擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶1(EDRTZ1)被設(shè)置為自數(shù)據(jù)區(qū)中最靠近外圓周的一個(gè)位置(最靠近該數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO的位置)上的實(shí)質(zhì)區(qū)。在擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶1(EDRTZ1)用盡之后，擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶2(EDRTZ2)可被隨后設(shè)置作為在所述帶1的內(nèi)圓周側(cè)上存在的一實(shí)質(zhì)區(qū)。
2.從一個(gè)擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ中的內(nèi)圓周側(cè)開始順序進(jìn)行嘗試寫入 ...當(dāng)在擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ中進(jìn)行嘗試寫入時(shí)，沿著以螺線狀定位的溝槽區(qū)214從內(nèi)圓周側(cè)到外圓周側(cè)實(shí)現(xiàn)，并且在先前進(jìn)行了嘗試寫入(已經(jīng)記錄)的位置之后緊接的未記錄位置進(jìn)行當(dāng)前的嘗試寫入。
該數(shù)據(jù)區(qū)具有一種結(jié)構(gòu)，其中沿著以螺線狀從內(nèi)圓周側(cè)到外圓周側(cè)配置的溝槽區(qū)214實(shí)現(xiàn)附加記錄。由于能夠通過在先前嘗試寫入位置之后的一個(gè)位置在擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶中順序地附加記錄嘗試寫入信息來連續(xù)執(zhí)行″緊接在先的嘗試寫入位置的確認(rèn)″→″當(dāng)前的嘗試寫入執(zhí)行″處理，所以不僅有助于嘗試寫入處理，而且易于管理該擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ中的已經(jīng)歷了嘗試寫入的那些位置。
3.能夠重新設(shè)置數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO來包括擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ ...下面將示例一種情況，其中在數(shù)據(jù)區(qū)DTA的兩個(gè)位置設(shè)置擴(kuò)展備用區(qū)1(ESPA1)和擴(kuò)展備用區(qū)2(ESPA2)，在兩個(gè)位置設(shè)置擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶1(EDRTZ1)和擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶2(EDRTZ2)。在此情況下，在本實(shí)施例中的包括到擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶2(EDRTZ2)的一個(gè)區(qū)能夠被重新設(shè)置為數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO。在縮窄與該區(qū)的重新設(shè)置結(jié)合的范圍的同時(shí)重新設(shè)置數(shù)據(jù)區(qū)DTA的范圍，并且易于管理數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的用戶數(shù)據(jù)一次寫入可記錄范圍205。
擴(kuò)展備用區(qū)1(ESPA1)的設(shè)置位置被認(rèn)為是″已用盡的擴(kuò)展備用區(qū)″，并且進(jìn)行管理使得一個(gè)未記錄區(qū)(能夠進(jìn)行附加記錄的嘗試寫入的一個(gè)區(qū))僅存在于擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ的擴(kuò)展備用區(qū)2(ESPA2)中。在此情況中，記錄在擴(kuò)展備用區(qū)1(ESPA1)中并被用作備份信息的無缺陷信息被完整移到擴(kuò)展備用區(qū)2(ESPA2)中的一個(gè)非備用區(qū)的位置，從而覆寫缺陷管理信息。此時(shí)，該重新設(shè)置的數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO的開始位置信息被記錄在記錄管理數(shù)據(jù)RMD的RMD字段0的最后的(更新的)數(shù)據(jù)區(qū)DTA的分配位置信息中。
下面參照?qǐng)D19描述一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的有界區(qū)的結(jié)構(gòu)。當(dāng)?shù)谝淮卧谝淮螌懭胄托畔⒋鎯?chǔ)介質(zhì)中進(jìn)行有界區(qū)的設(shè)置時(shí)，如圖19-(a)所示，有界區(qū)BRDA#1被設(shè)置在內(nèi)圓周側(cè)(接近數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI的一側(cè))，而在此區(qū)之后形成一個(gè)出邊界BRDO。
而且，當(dāng)將要設(shè)置下一有界區(qū)BRDA#2時(shí)，在前一出邊界BRDO(針對(duì)BRDA#1來說)之后形成下一入邊界BRDI(針對(duì)BRDA#2來說)，并且隨即設(shè)置下一有界區(qū)BRDA#2，如圖19(b)所示。當(dāng)下一有界區(qū)BRDA#2將被關(guān)閉時(shí)，緊接在該區(qū)BRDA#2之后形成一個(gè)出邊界BRDO(針對(duì)BRDA#2來說)。在本實(shí)施例中，通過在前一出邊界BRDO(針對(duì)BRDA#1來說)之后形成下一入邊界BRDI(針對(duì)BRDA#2來說)而獲得的一對(duì)邊界的狀態(tài)被稱之為邊界帶BRDZ。設(shè)置邊界帶BRDZ來避免在由信息重放設(shè)備重放時(shí)光頭在不同有界區(qū)BRDA之間的超限運(yùn)行(以DPD檢測(cè)方法為前提)。因此，在已經(jīng)記錄了出邊界BRDO和入邊界BRDI、并且已經(jīng)執(zhí)行了在最后的有界區(qū)BRDA之后記錄一個(gè)出邊界BRDO的邊界關(guān)閉處理的先決條件下，專用的重放設(shè)備重放其上已被記錄了信息的該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)。第一有界區(qū)BRDA#1由4080或更多個(gè)物理段塊組成，并且必須具有該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的徑向上的1.0mm的寬度。圖19-(b)示出其中該擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ被設(shè)置在該數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的一個(gè)示例。
圖19-(c)示出該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)已經(jīng)歷了最終完成之后的狀態(tài)。在圖19-(c)的示例中，擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ被建在數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO中，并且已經(jīng)設(shè)置了擴(kuò)展備用區(qū)ESPA。在此情況中，用戶數(shù)據(jù)一次寫入可記錄范圍205是以最后的出邊界BRDO來填充，以便不被剩余。
圖19-(d)示出在上述邊界帶BRDZ中的詳細(xì)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。每一信息都被記錄成具有隨后描述的物理段塊的尺寸單位。在出邊界BRDO開始位置，記錄了在該記錄管理帶中記錄的內(nèi)容的復(fù)制信息C_RMZ，并且記錄了表示出邊界BRDO的一個(gè)停止塊STB。當(dāng)BRDI中再出現(xiàn)下一邊界時(shí)，每一個(gè)都指示隨后出現(xiàn)的一個(gè)有界區(qū)的第一下一邊界標(biāo)記NBM、第二NBM和第三NBM被不連續(xù)地分別記錄在針對(duì)一個(gè)物理段塊大小的總共三個(gè)位置上，即在從記錄了停止塊STB的物理段塊算起的″第N1″物理段塊中、″第N2″物理段塊中、以及″第N3″物理段塊中。
在BRDI中的下一個(gè)邊界中，記錄更新的物理格式信息U PFI。在現(xiàn)有的DVD-R或DVD-RW盤上，當(dāng)不出現(xiàn)下一有界區(qū)(在最后的出邊界BRDO中)時(shí)，其中圖19-(d)所示的″下一邊界標(biāo)記NBM″所在的位置(一個(gè)物理段塊大小的位置)被保持作為一個(gè)″其中根本不記錄數(shù)據(jù)的位置″。當(dāng)有界區(qū)在這種狀態(tài)中被關(guān)閉時(shí)，現(xiàn)有的DVD-R或DVD-RW盤準(zhǔn)備好由傳統(tǒng)的DVD-ROM驅(qū)動(dòng)器或傳統(tǒng)的DVD播放器來重放。這種傳統(tǒng)的DVD-ROM驅(qū)動(dòng)器或傳統(tǒng)的DVD播放器通過使用記錄在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)(現(xiàn)有DVD-R或DVD-RW盤)上的記錄標(biāo)記，根據(jù)DPD(差值相位檢測(cè))方法來檢測(cè)循軌誤差。但是，在″其中根本不記錄數(shù)據(jù)的位置″的一個(gè)物理段塊尺寸上不存在記錄標(biāo)記，所以不能實(shí)行使用DPD(差值相位檢測(cè))的循軌誤差檢測(cè)，并且不能穩(wěn)定地應(yīng)用循軌伺服，因此造成一個(gè)問題。
作為應(yīng)對(duì)現(xiàn)有的DVD-R或DVD-RW盤的該問題的措施，本實(shí)施例采用一種如下的新方法 (1)當(dāng)不出現(xiàn)下一有界區(qū)時(shí)，在″其中根本不記錄數(shù)據(jù)的位置″預(yù)先記錄特定的圖形數(shù)據(jù)；并且 (2)在其中已經(jīng)記錄了特定圖形數(shù)據(jù)的″下一邊界標(biāo)記NBM″的位置局部地和不連續(xù)地執(zhí)行一個(gè)特定記錄圖案的[覆寫處理]，使得當(dāng)出現(xiàn)下一有界區(qū)時(shí)，使用該圖案作為指示″下一有界區(qū)的出現(xiàn)″的識(shí)別信息。
在(1)中即使不出現(xiàn)下一有界區(qū)時(shí)，也通過以覆寫來設(shè)置下一邊界標(biāo)記NBM，能夠在″下一邊界標(biāo)記NBM的位置″預(yù)先形成特定圖案的記錄標(biāo)記，即使在專用的信息重放設(shè)備通過DPD方法執(zhí)行循軌誤差檢測(cè)時(shí)也能穩(wěn)定地應(yīng)用該循軌伺服，因此提供一種新效果。在該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，當(dāng)在已經(jīng)形成記錄標(biāo)記的部分上即使部分地覆寫新的記錄標(biāo)記，在信息記錄/重放設(shè)備或信息重放設(shè)備中也會(huì)存在圖18所示的PLL電路的穩(wěn)定性的失效問題。作為應(yīng)對(duì)這種問題的一種對(duì)策，本實(shí)施例進(jìn)一步采用新方法 (3)當(dāng)在一個(gè)物理段塊大小的″下一邊界標(biāo)記NBM″的位置進(jìn)行覆寫時(shí)，根據(jù)單個(gè)數(shù)據(jù)段中的位置改變一個(gè)覆寫狀態(tài)； (4)以同步數(shù)據(jù)432部分地覆寫，并且禁止在同步碼431上的覆寫；以及 (5)在除了數(shù)據(jù)ID和IED之外的位置執(zhí)行覆寫。
如將隨后描述的那樣，記錄用戶數(shù)據(jù)和保護(hù)字段441至448的數(shù)據(jù)字段411至418被可選地記錄在該信息存儲(chǔ)介質(zhì)上。數(shù)據(jù)段411至418和保護(hù)字段441至448的設(shè)置被稱之為數(shù)據(jù)段490，并且一個(gè)數(shù)據(jù)段長(zhǎng)度匹配一個(gè)物理段塊長(zhǎng)度。圖18所示的PLL電路尤其易于導(dǎo)入在VFO字段471和472中的PLL。因此，緊接在VFO字段471和472之前，即使當(dāng)PLL有相位差時(shí)，也能夠使用VFO字段471和472容易地導(dǎo)入PLL，因此消除作為整體系統(tǒng)在信息記錄/重放設(shè)備或信息重放設(shè)備中的影響。如上所述，使用這種狀態(tài)，由于(3)的覆寫狀態(tài)根據(jù)在數(shù)據(jù)段中的位置改變，并且增加了在接近單個(gè)數(shù)據(jù)段中的VFO字段471和472的后綴部分上的特定圖案的覆寫量，因而有助于該″下一邊界標(biāo)記″的識(shí)別，并且能夠防止重放時(shí)的一個(gè)信號(hào)PLL的精度降低。
一個(gè)物理扇區(qū)包括同步碼433(SY0到SY3)的位置和分配在相鄰?fù)酱a433之間的同步數(shù)據(jù)434的一個(gè)組合。信息記錄/重放設(shè)備或信息重放設(shè)備從記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的通道位序列提取同步碼433(SY0到SY3)，并且檢測(cè)該通道位序列的分界符。如隨后將被描述的那樣，該設(shè)備從數(shù)據(jù)ID的信息提取記錄在該信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的位置信息(物理扇區(qū)號(hào)或邏輯扇區(qū)號(hào))。該設(shè)備隨后使用緊接該數(shù)據(jù)ID之后被分配的IED來檢測(cè)該數(shù)據(jù)ID的誤差。因此在本實(shí)施例中，由于(5)在數(shù)據(jù)ID和IED上的覆寫被禁止，并且(4)在除了同步碼之外的同步數(shù)據(jù)432中部分地執(zhí)行覆寫，因而有可能即使在″下一邊界標(biāo)記NBM″中也使用同步碼431來檢測(cè)該數(shù)據(jù)ID的位置并且重放(以便檢測(cè)該內(nèi)容)記錄在數(shù)據(jù)ID中的信息。
圖20示出了不同于圖19的另一實(shí)施例，該實(shí)施例與在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的有界區(qū)的結(jié)構(gòu)相關(guān)。圖20-(a)和圖20-(b)示出與圖19相同的內(nèi)容。圖20-(c)是在不同于圖19-(c)的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的最終完成之后的狀態(tài)。例如，如圖20-(c)所示，當(dāng)在有界區(qū)BRDA#3中的信息記錄結(jié)束之后要執(zhí)行最終完成時(shí)，緊接在該有界區(qū)BRDA#3之后形成出邊界BRDO作為邊界關(guān)閉處理。在此之后，緊接在有界區(qū)BRDA#3之后形成在出邊界BRDO之后的結(jié)束符區(qū)TRM，因此縮短用于最終完成所需的時(shí)間。
在圖19-(c)所示的本實(shí)施例中，緊接在擴(kuò)展備用區(qū)ESPA之前的一個(gè)區(qū)必須以出邊界BRDO填充，并需要長(zhǎng)時(shí)間來形成這一出邊界BRDO，因此要求一個(gè)長(zhǎng)的最終完成時(shí)間。相反，在圖20-(c)示出的本實(shí)施例中，形成具有相對(duì)短長(zhǎng)度的結(jié)束符區(qū)TRM，結(jié)束符區(qū)TRM外的整個(gè)區(qū)被重新定義為新數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)NDTLDO，并且結(jié)束符區(qū)TRM外的一個(gè)未記錄區(qū)被設(shè)置為使用禁止區(qū)911。即，當(dāng)最終完成該數(shù)據(jù)區(qū)DTA時(shí)，在記錄數(shù)據(jù)的末端形成結(jié)束符區(qū)TRM(緊接在出邊界BRDO之后)。通過把這一區(qū)的類型信息設(shè)置為新數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)NDTLDO的一個(gè)屬性，該結(jié)束符區(qū)TRM被重新定義為如圖20-(c)所示的新數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)NDTLDO。如稍后將描述的那樣，此區(qū)的類型信息被記錄在數(shù)據(jù)ID的區(qū)類型信息935中。更具體地說，通過把結(jié)束符區(qū)TRM的數(shù)據(jù)ID中的區(qū)類型信息935設(shè)置為″10b″，表明了其在該數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO中的存在。本實(shí)施例的最主要特征在于，使用數(shù)據(jù)ID中的區(qū)類型信息935來設(shè)置數(shù)據(jù)導(dǎo)出位置的識(shí)別信息。
下面將檢驗(yàn)一種情況，其中在信息記錄/重放設(shè)備或信息重放設(shè)備中的信息記錄/重放單元141對(duì)于一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的特定目標(biāo)位置進(jìn)行粗略存取。緊接在該粗略存取之后，信息記錄/重放單元141必須重放該數(shù)據(jù)ID并解碼數(shù)據(jù)幀號(hào)922，以便檢測(cè)在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上達(dá)到的位置。由于該數(shù)據(jù)ID包括了數(shù)據(jù)幀號(hào)922附近的區(qū)類型信息935，所以在數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO中的信息記錄/重放單元141的存取位置能通過同時(shí)地解碼這一區(qū)類型信息935而被立即檢測(cè)，因此簡(jiǎn)化和加速了存取控制。如上所述，通過在數(shù)據(jù)ID中設(shè)置結(jié)束符區(qū)TRM的信息來提供數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO的識(shí)別信息，能夠容易地檢測(cè)結(jié)束符區(qū)TRM。
作為一種例外，如果最后的出邊界BRDO被設(shè)置為新數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)NDTLDO的一個(gè)屬性(即，如果出邊界BRDO中的數(shù)據(jù)幀的數(shù)據(jù)ID中的區(qū)類型信息935被設(shè)置為″10b″)，則不設(shè)置結(jié)束符區(qū)TRM。因此，當(dāng)記錄具有新數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)NDTLDO的屬性的結(jié)束符區(qū)TRM時(shí)，由于此結(jié)束符區(qū)TRM被認(rèn)為是新數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)NDTLDO的一部分，到數(shù)據(jù)區(qū)DTA上的記錄被禁止，并且該區(qū)可能時(shí)常存留來作為使用禁止區(qū)911，如圖20-(c)所示。
本實(shí)施例通過根據(jù)在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的位置來改變結(jié)束符區(qū)TRM的大小而縮短了最終完成時(shí)間并提高了處理效率。即使在被用在通過DPD方法來檢測(cè)循軌誤差的專用重放設(shè)備中時(shí)，此結(jié)束符區(qū)TRM不僅指示記錄數(shù)據(jù)的最后位置，而且被用于防止由于循軌誤差引起的超限運(yùn)行。因此，依據(jù)專用重放設(shè)備的檢測(cè)特征，作為在該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的徑向上結(jié)束符區(qū)TRM的寬度(部分地以結(jié)束符區(qū)TRM填充的寬度)，至少要求0.05mm或更大的長(zhǎng)度。由于在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的一周的長(zhǎng)度將根據(jù)徑向位置而不同，所以每一周中包括的物理段塊的數(shù)量也根據(jù)徑向位置而不同。為此原因，根據(jù)徑向位置，即根據(jù)分配在結(jié)束符區(qū)TRM中的物理扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)，該結(jié)束符區(qū)TRM的尺寸不同，并且在朝向外圓周側(cè)變得更大。一個(gè)可允許的結(jié)束符區(qū)TRM的物理扇區(qū)號(hào)的最小值必須大于″04FE00h″。這由限制條件所造成的，即如上所述，第一有界區(qū)BRDA#1必須由4080或更多個(gè)物理段塊組成，并且必須具有該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的徑向上的1.0mm或更大的寬度。結(jié)束符區(qū)TRM必須從物理段塊的邊界位置開始。
在圖20-(d)中，針對(duì)如上所述相同的原因，對(duì)一個(gè)物理段塊大小設(shè)置記錄每一信息的位置，并且被分配和記錄在32個(gè)物理扇區(qū)中的總數(shù)為64KB的用戶數(shù)據(jù)被記錄在一個(gè)物理段塊中。針對(duì)每個(gè)信息設(shè)置相關(guān)的物理段塊號(hào)，各個(gè)信息片段被以相關(guān)物理段塊號(hào)的升序依次記錄在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，如圖20-(d)所示。在圖20-(d)示出的本實(shí)施例中，具有相同內(nèi)容的五段RMD復(fù)制信息CRMD#0至CRMD#4被在圖19-(d)的記錄管理帶中的記錄內(nèi)容的復(fù)制信息記錄帶C_RMZ中多次記錄了五次。通過以這種方式執(zhí)行多次記錄，能夠提高重放時(shí)的可靠性，并且甚至當(dāng)塵?；虿梁郾桓街谠撘淮螌懭胄托畔⒋鎯?chǔ)介質(zhì)上時(shí)，也能夠穩(wěn)定地重放該記錄管理帶中的記錄內(nèi)容的復(fù)制信息CRMD。圖20-(d)中的停止塊STB匹配圖19-(d)中的停止塊STB。但是，圖20-(d)示出的本實(shí)施例與圖19-(d)示出的實(shí)施例不同的是不具有任何下一邊界標(biāo)記NBM。保留區(qū)901和902中的主數(shù)據(jù)的信息全部被設(shè)置為″00h″。
六段相同信息被多次記錄了六次來作為在入邊界BRDI的開始端的更新的物理格式信息U_PFI，以具有相關(guān)的物理段塊號(hào)N+1至N+6，以便形成圖19-(d)所示的更新的物理格式信息U_PFI。通過以這種方式多次記錄該更新的物理格式信息U_PFI，提高信息的可靠性。
圖20-(d)的一大特點(diǎn)在于，該邊界帶中的記錄管理帶RMZ被提供在入邊界BRDI中。如圖17-(b)所示，當(dāng)該數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中的記錄管理帶RMZ的規(guī)模相對(duì)很小并且頻繁重復(fù)地設(shè)置一個(gè)新有界區(qū)BRDA時(shí)，記錄在記錄管理帶RMZ中的記錄管理數(shù)據(jù)RMD飽和，并且變得不可能在記錄的中間設(shè)置一個(gè)新有界區(qū)BRDA。通過在入邊界BRDI中形成記錄管理帶，該記錄管理帶記錄了與跟著入邊界BRDI的有界區(qū)BRDA#3的內(nèi)容相關(guān)的記錄管理數(shù)據(jù)RMD，能夠多次地設(shè)置新有界區(qū)BRDA，并且能夠大大增加在該有界區(qū)中的附加記錄的次數(shù)，因此提供新的效果。當(dāng)跟隨包括了這一邊界帶中的記錄管理帶RMZ的入邊界BRDI的有界區(qū)BRDA#3被關(guān)閉時(shí)，或當(dāng)該數(shù)據(jù)區(qū)DTA被最終完成時(shí)，必須重復(fù)地記錄該最后的記錄管理數(shù)據(jù)RMD來填充該記錄管理帶RMZ中的全部未記錄的保留區(qū)273。以此方式，在由專用的重放設(shè)備重放時(shí)，除去未記錄的保留區(qū)273來防止循軌誤差(通過DPD)，并且能通過該記錄管理數(shù)據(jù)RMD的多次記錄來提高記錄管理數(shù)據(jù)RMD的重放可靠性。保留區(qū)903中的全部數(shù)據(jù)被設(shè)置為″00h″。
該出邊界BRDO具有防止由以DPD為基礎(chǔ)的專用重放設(shè)備中的循軌誤差引起的超限運(yùn)行的作用。但是，除了具有更新的物理格式信息U_PFI和邊界帶中的記錄管理帶RMZ的信息之外，入邊界BRDI無需特別具有大尺寸。因此，為了縮短設(shè)置一個(gè)新有界區(qū)BRDA的時(shí)間(需要來記錄該邊界帶BRDZ)，入邊界BRDI的尺寸被盡可能地降低。在利用邊界關(guān)閉處理把出邊界BRDO形成圖20-(a)所示狀態(tài)之前，用戶數(shù)據(jù)一次寫入可記錄范圍205是足夠?qū)挼模⑶腋郊佑涗浉赡鼙粓?zhí)行多次。需要確保圖20-(d)中的一個(gè)大值″M″，以便在邊界帶的記錄管理帶RMZ中將記錄管理數(shù)據(jù)多次記錄。相反，在有界區(qū)BRDA#2關(guān)閉之前以及在相對(duì)于圖20-(b)中的狀態(tài)而記錄出邊界BRDO之前的一個(gè)狀態(tài)中，由于用戶數(shù)據(jù)一次寫入可記錄范圍205被縮窄，所以將被附加記錄在該邊界帶BRDZ的記錄管理帶RMZ中的記錄管理數(shù)據(jù)的附加記錄的次數(shù)不可能變得那么多。因此，能夠在緊接在該有界區(qū)BRDA#2之前分配的入邊界BRDI中設(shè)置該記錄管理帶RMZ的一個(gè)很小的設(shè)定量″M″。更具體地說，本實(shí)施例提供一個(gè)特點(diǎn)是，由于當(dāng)入邊界BRDI的分配位置是在該內(nèi)圓周側(cè)、并且其朝外圓周的方向下降時(shí)該記錄管理數(shù)據(jù)的附加記錄的次數(shù)較大，所以入邊界BRDI的大小在該外圓周側(cè)上被設(shè)置為小量。結(jié)果是，能夠縮短新有界區(qū)BRDA的設(shè)定時(shí)間，并能提高處理效率。
將被記錄在圖19-(c)所示的有界區(qū)BRDA中的信息的邏輯記錄單元被稱之為R帶。因此，有界區(qū)BRDA包括至少一個(gè)R帶?，F(xiàn)有的DVD-ROM使用稱為″UDF橋″的文件系統(tǒng)，其中符合UDF(通用盤格式)的文件管理信息和符合IS09660的文件管理信息都被同時(shí)地記錄在一個(gè)信息存儲(chǔ)介質(zhì)上。符合IS09660的文件管理方法具有的規(guī)則是，文件必須在信息存儲(chǔ)介質(zhì)中連續(xù)記錄。即，這種文件管理方法禁止在一個(gè)文件中的信息被分開地分配在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的分離位置。因此，當(dāng)信息被與該UDF橋相符合地記錄時(shí)，由于形成一個(gè)文件的全部信息的片段被連續(xù)記錄，所以其中這一個(gè)文件被連續(xù)記錄的一個(gè)區(qū)可以形成一個(gè)R帶。
圖21示出在控制數(shù)據(jù)帶CDZ和R-物理信息帶RIZ中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。如圖21-(b)所示，該控制數(shù)據(jù)帶CDZ包括物理格式信息PFI、盤制造信息DMI，并且R-物理信息帶RIZ包括相同的盤制造信息DMI和R-物理格式信息R-PFI。
該盤制造信息DMI記錄了與盤制造國(guó)家名稱相關(guān)的信息251、及盤生產(chǎn)商的國(guó)家信息252。當(dāng)販賣的信息存儲(chǔ)介質(zhì)侵權(quán)一項(xiàng)專利時(shí)，時(shí)常將一個(gè)侵權(quán)警告發(fā)到該制造地點(diǎn)處在的或消費(fèi)(使用)該信息存儲(chǔ)介質(zhì)的國(guó)家。由于每一信息存儲(chǔ)介質(zhì)都被要求記錄上述的信息，所以該制造現(xiàn)場(chǎng)(國(guó)家名稱)被確定來促進(jìn)該專利侵權(quán)警告的發(fā)出，因此保護(hù)該知識(shí)產(chǎn)權(quán)并促進(jìn)技術(shù)進(jìn)展。而且，該盤制造信息DMI還記錄另一盤制造信息253。
本實(shí)施例的一個(gè)特點(diǎn)在于，根據(jù)該物理格式信息PFI或R-物理格式信息R_PFI中的記錄位置(距該頭部的相對(duì)字節(jié)位置)來指定將要被記錄的信息類型。更具體地說，DVD族中的共用信息261被記錄在作為該物理格式信息PFI或R-物理格式信息R_PFI中的記錄位置從第0字節(jié)至第31字節(jié)的一個(gè)32字節(jié)的區(qū)中，并且作為本實(shí)施例的目標(biāo)的一個(gè)HD DVD族中的共用信息262被記錄在從第32字節(jié)至第127字節(jié)的一個(gè)96字節(jié)的區(qū)中。與版本工作簿和部分版本的類型相關(guān)的唯一信息(特定信息)263被記錄在從第128字節(jié)至第511字節(jié)的一個(gè)384字節(jié)的區(qū)中，并且對(duì)應(yīng)于每一版本的信息被記錄在從第512字節(jié)到第2047字節(jié)的一個(gè)1536字節(jié)的區(qū)中。以此方式，通過根據(jù)該信息內(nèi)容對(duì)該物理格式信息中的信息分配位置進(jìn)行共用，能夠共用記錄信息的位置而與介質(zhì)的類型無關(guān)。因此，能夠共用和簡(jiǎn)化該信息重放設(shè)備或信息記錄/重放設(shè)備的重放處理。記錄在從第0字節(jié)至第31字節(jié)的該DVD族中的共用信息261被進(jìn)一步分成如圖21-(d)所示的信息267和信息268，信息267是共同記錄在從第0字節(jié)至第16字節(jié)的信息，用于只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)、可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)、及一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)全部，信息268是共同記錄在從第17字節(jié)至第31字節(jié)的信息，用于可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)和一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)，但不針對(duì)只讀類型記錄。
下面將描述在第128字節(jié)至第511字節(jié)中的版本工作簿及部分版本的類型的特定信息263的含意、以及能夠被唯一地針對(duì)從第512字節(jié)至第2047字節(jié)的每一修正而設(shè)置的信息內(nèi)容264的含意。不僅在作為不同類型介質(zhì)的可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)和一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中、而且在具有不同修正的相同類型的介質(zhì)中，能夠針對(duì)從第512字節(jié)至第2047字節(jié)的每一修正而唯一地設(shè)置的信息內(nèi)容264允許在各個(gè)字節(jié)位置的記錄信息內(nèi)容具有不同的含義。
下面將描述信息記錄/重放設(shè)備的一個(gè)實(shí)際實(shí)施方法。版本工作簿或修正工作簿既描述從″H→L″記錄膜的重放信號(hào)特征和從″L→H″記錄膜的重放信號(hào)特征，又描述每一種都在圖18中以PR均衡電路130和維特比解碼器156配備的兩種不同方式的配套電路。當(dāng)把信息存儲(chǔ)介質(zhì)裝入信息重放單元141中時(shí)，首先啟動(dòng)用于讀出該系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的信息的限制電平檢測(cè)電路132。此限制電平檢測(cè)電路132讀出記錄在第192字節(jié)的記錄標(biāo)記的極性信息(″H→L″或″L→H″的識(shí)別信息)，以便確定是″H→L″還是″L-H″，并且在PR均衡電路130和維特比解碼器156中的電路隨后根據(jù)該確定結(jié)果被切換。在此之后，重放記錄在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI或數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的信息。利用上述方法，能夠相對(duì)早和相對(duì)精確地讀出該數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI或數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的信息。該第17字節(jié)描述指定最高的記錄速度的修正數(shù)值信息，并且第18字節(jié)描述指定最低記錄速度的修正數(shù)值信息。但是，這兩個(gè)信息片段僅僅是指定該最高和最低速度的范圍信息。為了最穩(wěn)定地記錄信息，當(dāng)進(jìn)行記錄時(shí)需要優(yōu)化線速度信息。因此，此信息被記錄在第193字節(jié)。
本實(shí)施例的下一個(gè)最大的特點(diǎn)在于，在第194字節(jié)的圓周方向中的光學(xué)系統(tǒng)的邊緣強(qiáng)度值信息、以及在第195字節(jié)的徑向中的光學(xué)系統(tǒng)的邊緣強(qiáng)度值信息被分配作為在優(yōu)先于包括在能夠針對(duì)每一修正而唯一設(shè)置的信息內(nèi)容264中的各類記錄條件(寫策略)的位置處的光學(xué)系統(tǒng)條件信息。這些信息片段意味著一個(gè)光頭的光學(xué)系統(tǒng)的條件信息，以用于確定分配在這些信息片段之后的記錄條件。邊緣強(qiáng)度是指在被聚焦在信息存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄面上之前觸及物鏡的入射光的傳播條件，并且被定義為 [當(dāng)該入射光強(qiáng)度分布的中心強(qiáng)度是″1″時(shí)，在物鏡邊緣位置(光孔平面外圓周位置)的強(qiáng)度值] 該入射光至物鏡的強(qiáng)度分布不具有一個(gè)點(diǎn)對(duì)稱分布，而是橢圓形分布，并且信息存儲(chǔ)介質(zhì)在徑向和圓周方向具有不同的邊緣強(qiáng)度值。因此，記錄兩個(gè)不同的值。由于隨著增加邊緣強(qiáng)度值，該信息存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄面上的射束點(diǎn)的大小將變小，所以一個(gè)優(yōu)化記錄功率條件的改變將基本上取決于這一邊緣強(qiáng)度值。由于該信息記錄/重放設(shè)備預(yù)先知道其擁有的光頭的邊緣強(qiáng)度值信息，所以該設(shè)備讀出在圓周方向和徑向中的該光學(xué)系統(tǒng)的邊緣強(qiáng)度值，將這些值記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，并將這些值與其擁有的光頭的那些值比較。如果該比較結(jié)果沒有大的差異，則該設(shè)備能夠應(yīng)用記錄在這些值之后的記錄條件。但是，如果該比較結(jié)果具有大的差異，則該設(shè)備將忽略記錄在這些值之后的記錄條件，并且必須通過自身使用該驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ進(jìn)行嘗試寫入來開始確定一個(gè)優(yōu)化記錄條件。
以此方式，該設(shè)備需要盡快決定其是否使用記錄在該邊緣強(qiáng)度值之后的記錄條件、或忽略該信息并開始通過進(jìn)行自身的嘗試寫入來確定一個(gè)優(yōu)化記錄條件。通過把用于確定該推薦的記錄條件的該光學(xué)系統(tǒng)的條件信息指定在該記錄條件的記錄位置之前的一個(gè)位置，能夠首先讀出該邊緣強(qiáng)度信息，并能夠快速確定被定位在邊緣強(qiáng)度信息之后的記錄條件是否能夠被應(yīng)用。
如上所述，本實(shí)施例結(jié)合以下兩種版本工作簿來劃分信息內(nèi)容，即被發(fā)布來根據(jù)該內(nèi)容的主要變化而改變一個(gè)版本的版本工作簿、以及被發(fā)布來根據(jù)例如記錄速度之類的微小變化而改變一個(gè)修正的修正工作簿，并且本實(shí)施例能只發(fā)出一個(gè)修正工作簿，只一個(gè)每次增加記錄速度時(shí)被更新的修正。因此，由于在修正工作簿中的記錄條件將根據(jù)不同的修正數(shù)值變化，所以與該記錄條件(寫策略)相關(guān)的信息被主要地記錄在該信息內(nèi)容264中，該信息內(nèi)容264能夠針對(duì)從第512字節(jié)至第2047字節(jié)的每一修正而唯一地設(shè)置。
在該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，除了物理格式信息PFI(HDDVD族的共用信息的復(fù)制)之外，記錄在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI的R-物理信息帶RIZ中的R-物理格式信息還記錄該邊界帶的開始位置信息(第一邊界的最外圍地址)。圖19-(d)或圖20-(d)示出的入邊界BRDI中的更新的物理格式信息U_PFI除了記錄該物理格式信息PFI(HD DVD族的共用信息的復(fù)制)之外還記錄更新的開始位置信息(自身邊界的最外圍地址)。更新的開始位置信息被分配在從第256字節(jié)至第263字節(jié)的位置，該位置作為在與例如峰值功率、偏置功率1等相關(guān)的信息(能夠針對(duì)每一修正唯一地設(shè)置的信息內(nèi)容264)之前的位置，作為該邊界帶的開始位置，即在DVD族中的共用信息262之后的一個(gè)位置。
使用物理扇區(qū)號(hào)(PSN)或物理段號(hào)(PSN)來從第256字節(jié)至第259字節(jié)描述被分配在當(dāng)前使用的(當(dāng)前)有界區(qū)BRDA外側(cè)的出邊界BRDO的開始位置信息，該開始位置信息是作為與邊界帶的開始位置信息相關(guān)的詳細(xì)信息內(nèi)容，并且使用物理扇區(qū)號(hào)(PSN)或物理段號(hào)(PSN)來從第260字節(jié)至第263字節(jié)描述與將被使用的下一有界區(qū)BRDA相關(guān)的入邊界BRDI的詳細(xì)信息內(nèi)容。
與該更新的開始位置信息相關(guān)的詳細(xì)信息內(nèi)容表明當(dāng)設(shè)置一個(gè)新有界區(qū)BRDA時(shí)的最新的邊界帶位置信息。即，使用物理扇區(qū)號(hào)(PSN)或物理段號(hào)(PSN)來從第256字節(jié)至第259字節(jié)描述被分配在當(dāng)前使用的(當(dāng)前)有界區(qū)BRDA外側(cè)的出邊界BRDO的開始位置信息，并且使用物理扇區(qū)號(hào)(PSN)或物理段號(hào)(PSN)在從第260字節(jié)至第263字節(jié)來描述與將被使用的下一有界區(qū)BRDA相關(guān)的入邊界BRDI的詳細(xì)信息內(nèi)容。當(dāng)下一有界區(qū)BRDA是不可記錄的有界區(qū)時(shí)，這一區(qū)(從第260字節(jié)至第263字節(jié))全部用″00h″填充。
相反，在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的R-物理格式信息R_PFI記錄了在該對(duì)應(yīng)有界區(qū)BRDA中已經(jīng)記錄數(shù)據(jù)的最后位置信息。
而且，一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)還在作為從重放光學(xué)系統(tǒng)前側(cè)看到的一個(gè)層的″層0″中記錄了該最后地址信息，并且該可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)還記錄了在槽岸和溝槽區(qū)之間的開始位置信息的各個(gè)信息段的差值信息。
如圖19-(d)所示，記錄管理帶RMZ的復(fù)制信息還被記錄在出邊界BRDO中，來作為該記錄管理帶中的記錄內(nèi)容的復(fù)制信息C_RMZ。如圖17-(b)所示，在這一記錄管理帶RMZ中，記錄著具有與物理段塊的數(shù)據(jù)量相同的記錄管理數(shù)據(jù)RMD。記錄管理數(shù)據(jù)RMD內(nèi)容的每次更新，都能在該數(shù)據(jù)之后附加記錄新記錄管理數(shù)據(jù)RMD。該記錄管理數(shù)據(jù)RMD被進(jìn)一步分成一些精確RMD字段信息RMDF的片段，每一片段都有2048字節(jié)的大小。記錄管理數(shù)據(jù)中的前2048字節(jié)被作為保留區(qū)。
在下一個(gè)2048字節(jié)大小的RMD字段0中，順序地分配了記錄管理數(shù)據(jù)格式碼信息、介質(zhì)狀態(tài)信息、數(shù)據(jù)區(qū)DTA的分配位置信息以及最新(更新)數(shù)據(jù)區(qū)DTA的分配位置信息、以及記錄管理數(shù)據(jù)RMD的分配位置信息，該介質(zhì)狀態(tài)信息表明該目標(biāo)介質(zhì)是否為(1)未記錄狀態(tài)、(2)在最終完成之前的記錄中間狀態(tài)、或(3)最終完成之后的狀態(tài)。數(shù)據(jù)區(qū)DTA的分配位置信息記錄了該數(shù)據(jù)區(qū)DTA的開始位置信息和在初始狀態(tài)中的用戶數(shù)據(jù)的可記錄范圍的最后位置信息，該初始狀態(tài)是表明在初始狀態(tài)中的用戶數(shù)據(jù)一次寫入可記錄范圍的信息。
在圖18所示的信息重放設(shè)備或信息記錄/重放設(shè)備中，擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135還用于使用推挽信號(hào)來檢測(cè)循軌誤差。循軌誤差檢測(cè)電路(擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135)能夠在0.1≤(I1-I2)PP/(I1+I2)DC≤0.8的作為推挽信號(hào)(I1-I2)PP/(I1+I2)DC的值的范圍內(nèi)穩(wěn)定地執(zhí)行循軌誤差檢測(cè)。尤其是此電路能夠針對(duì)″H→L″記錄膜在0.26≤(I1-I2)PP/(I1+I2)DC≤0.52的范圍內(nèi)、以及針對(duì)″L→H″記錄膜在0.30≤(I1-I2)PP/(I1+I2)DC≤0.60的范圍內(nèi)更穩(wěn)定執(zhí)行循軌誤差地檢測(cè)。
因此在本實(shí)施例中，推挽信號(hào)指定了在0.1≤(I1-I2)PP/(I1+I2)DC≤0.8范圍內(nèi)的信息存儲(chǔ)介質(zhì)特性(根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，針對(duì)″H→L″記錄膜的范圍是 0.26≤(I1-I2)PP/(I1+I2)DC≤0.52，針對(duì)″L→H″記錄膜的范圍是0.30≤(I1-I2)PP/(I1+I2)DC≤0.60)。指定上述范圍來在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI或數(shù)據(jù)區(qū)DTA、以及數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO中的已記錄位置(其中形成了記錄標(biāo)記的位置)和未記錄位置(其中沒有形成記錄標(biāo)記的位置)保持。但是本發(fā)明不是局限于此，并且該范圍可被指定來只在已記錄位置(其中形成了記錄標(biāo)記的位置)或只在未記錄位置(其中沒有形成記錄標(biāo)記的位置)保持。
在本實(shí)施例的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，由于在預(yù)制溝槽區(qū)(由于在預(yù)制溝槽區(qū)上形成記錄標(biāo)記)上進(jìn)行循軌，所以一個(gè)軌道上(on-track)信號(hào)是指在該預(yù)制溝槽區(qū)上進(jìn)行循軌時(shí)的一個(gè)檢測(cè)信號(hào)電平。即，該軌道上信息是指在軌道回路ON時(shí)的一個(gè)未記錄區(qū)的信號(hào)電平(Iot)溝槽。但是，本發(fā)明并不是說該記錄標(biāo)記只能形成在預(yù)制溝槽區(qū)上，而是記錄標(biāo)記能夠被形成在相鄰的預(yù)制溝槽區(qū)之間。在此情況下，″溝槽″可以被叫做″槽岸″。
該R-物理格式信息R_PFI記錄表示數(shù)據(jù)區(qū)DTA的開始位置信息的物理扇區(qū)號(hào)(030000h)，并且還記錄表示在對(duì)應(yīng)于有界區(qū)的最后的R帶中的最后記錄位置的物理扇區(qū)號(hào)。
該更新的物理格式信息U_PFI記錄表示數(shù)據(jù)區(qū)DTA的開始位置信息的物理扇區(qū)號(hào)(030000h)，并且還記錄表示在對(duì)應(yīng)于有界區(qū)的最后的R帶中的最后記錄位置的物理扇區(qū)號(hào)。
位置信息的這些片段可以如另-實(shí)施例那樣使用數(shù)據(jù)塊地址號(hào)取代物理扇區(qū)號(hào)來描述。如稍后將描述的那樣，32個(gè)扇區(qū)形成一個(gè)ECC塊。因此，配置在特定ECC塊的頭部的一個(gè)扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)的低5位與配置在相鄰ECC塊的頭部位置的一個(gè)扇區(qū)的扇區(qū)號(hào)相匹配。當(dāng)該物理扇區(qū)號(hào)被設(shè)置成使得一個(gè)扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)的低5位被配置在一個(gè)ECC塊中的頭部時(shí)，包括在該同一ECC塊中的全部扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)的低第6或更高的位匹配。因此，通過消除包含在同一ECC塊中的每一扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)的低5位、并且只提取低第6或更高位的數(shù)據(jù)而獲得的地址信息被定義為ECC數(shù)據(jù)塊地址信息(或ECC數(shù)據(jù)塊地址號(hào))。如稍后將描述的那樣，由于通過擺動(dòng)調(diào)制所預(yù)記錄的數(shù)據(jù)段地址信息(或物理段塊號(hào)信息)與該ECC數(shù)據(jù)塊地址匹配，所以當(dāng)使用該ECC數(shù)據(jù)塊地址號(hào)描述該記錄管理數(shù)據(jù)RMD中的位置信息時(shí)，能夠提供下列效果 (1)特別加速對(duì)未記錄區(qū)的存取 ...這是因?yàn)?，由于記錄管理?shù)據(jù)RMD中的位置信息單元匹配了由擺頻調(diào)制預(yù)記錄數(shù)據(jù)段地址的信息單元，因而促進(jìn)了差值計(jì)算處理；并且 (2)能夠降低該記錄管理數(shù)據(jù)RMD中的管理數(shù)據(jù)的大小 ...這是因?yàn)椋枋鲈摰刂沸畔⑺枰奈粩?shù)能夠被節(jié)省至每一地址5位。如將稍后描述的那樣，物理段塊長(zhǎng)度匹配數(shù)據(jù)段長(zhǎng)度，并且用于ECC塊的用戶數(shù)據(jù)被記錄在一個(gè)數(shù)據(jù)段中。因此，作為地址表達(dá)，使用的表達(dá)有″ECC數(shù)據(jù)塊地址號(hào)″、″ECC數(shù)據(jù)塊地址″或″數(shù)據(jù)段地址″、″數(shù)據(jù)段號(hào)″、″物理段塊號(hào)″等，但它們具有同義詞的含義。
記錄在RMD字段0中的記錄管理數(shù)據(jù)RMD的分配位置信息記錄了該記錄管理帶RMZ的設(shè)置大小信息，該記錄管理帶RMZ能夠使用一個(gè)ECC塊單元或物理段塊單元來依次附加記錄這一位置管理數(shù)據(jù)RMD。如圖17-(b)所示，由于針對(duì)每一物理段塊來記錄一個(gè)記錄管理帶RMD，所以能夠根據(jù)此信息來確定能夠附加記錄在該記錄管理帶RMZ中的更新記錄管理數(shù)據(jù)RMD的數(shù)量。隨后，記錄該記錄管理帶RMZ中的當(dāng)前記錄管理數(shù)據(jù)數(shù)量。此當(dāng)前記錄管理數(shù)據(jù)數(shù)量是指該記錄管理帶RMZ中已記錄的記錄管理數(shù)據(jù)RMD的數(shù)量信息。例如，如圖17-(b)所示的示例那樣，假定此信息是記錄管理數(shù)據(jù)RMD#2中的信息，由于此信息指示了記錄在記錄管理帶RMZ中的第二記錄管理數(shù)據(jù)RMD，所以在此欄中記錄一個(gè)值″2″。隨后，記錄該記錄管理帶RMZ中的剩余量信息。此信息是指能被進(jìn)一步附加記錄在該記錄管理帶RMZ中的記錄管理數(shù)據(jù)RMD的數(shù)量的信息，并使用一個(gè)物理段塊單元(＝ECC塊單元＝數(shù)據(jù)段單元)描述。在這三個(gè)信息片段當(dāng)中，保持著關(guān)系 [RMZ的設(shè)置大小信息]＝[當(dāng)前記錄管理數(shù)據(jù)數(shù)量]+[RMZ中的剩余量]。
本實(shí)施例的特點(diǎn)在于，在該記錄管理帶RMZ中的該記錄管理數(shù)據(jù)RMD的已使用的大小或剩余大小信息被記錄在記錄管理數(shù)據(jù)RMD的記錄區(qū)域中。
例如，當(dāng)在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中記錄全部信息片段時(shí)，只需要記錄一次記錄管理數(shù)據(jù)RMD。但是當(dāng)在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中通過很頻繁地重復(fù)用戶數(shù)據(jù)的附加記錄來記錄信息時(shí)，必須針對(duì)每一附加記錄來附加記錄該更新的記錄管理數(shù)據(jù)RMD。在此情況中，當(dāng)頻繁地附加記錄該記錄管理RMD時(shí)，圖17-(b)所示的保留區(qū)273被用盡，并且該信息記錄/重放設(shè)備需要適當(dāng)?shù)乜刂圃摫Ａ魠^(qū)273。通過在記錄管理數(shù)據(jù)RMD的記錄帶的記錄管理帶RMZ中記錄該記錄管理數(shù)據(jù)RMD的已使用量或剩余量信息，能夠預(yù)先檢測(cè)不允許在記錄管理帶RMZ中進(jìn)一步附加記錄的一種狀態(tài)，并且該信息記錄/重放設(shè)備能夠較早地采取應(yīng)對(duì)該狀態(tài)的對(duì)策。
下面將描述以圖18所示信息記錄/重放設(shè)備來設(shè)置該擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ(圖20-(b)、圖19-(b))并在該帶中進(jìn)行嘗試寫入的處理方法的實(shí)例。
(1)一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)被裝入該信息記錄/重放設(shè)備。
→(2)燒錄區(qū)BCA構(gòu)成的數(shù)據(jù)被該信息記錄/重放單元141所重放；該記錄信息被傳送給控制器143?！刂破?43解譯該傳送的信息，核查是否進(jìn)行下一步處理。
→(3)信息記錄/重放單元141重放記錄在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI的控制數(shù)據(jù)帶CDZ中的信息，該重放信息被傳送到控制器143。
→(4)控制器143把確定推薦記錄狀態(tài)時(shí)的邊緣強(qiáng)度值與用于信息記錄/重放單元141光頭的邊緣強(qiáng)度值比較，以便確定作出嘗試輸入所需的區(qū)容量。
→(5)信息記錄/重放單元141重放記錄管理數(shù)據(jù)中的信息，并將重放信息傳送到控制器143。該控制器143解譯在RMD字段4中的信息，以便查驗(yàn)是否存在(4)中確定的進(jìn)行嘗試寫入所需的區(qū)容量的裕量空間。如果有裕量，則處理進(jìn)到(6)步；否則，處理跳至(9)。
→(6)從已被用于驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ嘗試寫入的最后位置信息或從RMD字段4用于嘗試寫入的擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ，來確定當(dāng)前嘗試寫入的開始位置。
→(7)從(6)確定的位置，對(duì)于(4)確定的量進(jìn)行嘗試寫入。
→(8)由于作為(7)的處理的用于嘗試寫入的位置數(shù)量增加，所以其中被寫入已用于嘗試寫入的位置的最后位置信息的記錄管理數(shù)據(jù)RMD被暫存在存儲(chǔ)器175中，并且該處理轉(zhuǎn)到(12)。
→(9)該信息記錄/重放單元141讀取記錄在RMD字段0中的″最新的用戶數(shù)據(jù)可記錄范圍205的最后位置″信息，或以物理格式PFI記錄在數(shù)據(jù)區(qū)DTA分配位置信息中的″用戶數(shù)據(jù)一次寫入可記錄范圍的最后位置信息″，并且控制器143還設(shè)置一個(gè)將被設(shè)置的新的擴(kuò)展測(cè)試帶EDRTZ的范圍。
→(10)根據(jù)(9)的結(jié)果的RMD字段0中記錄的″最新的用戶數(shù)據(jù)可記錄范圍205的結(jié)束位置″信息，以及RMD字段4中擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ的附加設(shè)置計(jì)數(shù)信息被遞增1(即，計(jì)數(shù)被加“1”)。此外，添加了將被設(shè)置的新擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ的開始/結(jié)束位置信息的記錄管理數(shù)據(jù)RMD被暫存在存儲(chǔ)器175中。
→(11)處理轉(zhuǎn)到(7)再轉(zhuǎn)到(12)。
→(12)在作為(7)的嘗試寫入結(jié)果而獲得的最佳記錄狀態(tài)下，所需的用戶信息被附加記錄在用戶數(shù)據(jù)一次寫入可記錄范圍205中。
→(13)存儲(chǔ)單元175暫存記錄管理數(shù)據(jù)RMD，通過在根據(jù)(12)新產(chǎn)生的R區(qū)中附加記錄開始/結(jié)束位置信息來更新該記錄管理數(shù)據(jù)RMD。
→(14)該控制器143控制信息記錄/重放單元141來將暫存在存儲(chǔ)器175中的最新的記錄管理數(shù)據(jù)RMD附加地記錄在該記錄管理帶RMZ的保留區(qū)273(例如，圖17-(b))中。
能夠從″記錄在最后設(shè)置的記錄管理帶RMZ中的最后記錄管理數(shù)據(jù)RMD″中的信息獲得指示本實(shí)施例的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的最后記錄位置的物理段號(hào)(PSN)或物理扇區(qū)號(hào)的信息。即，由于該記錄管理數(shù)據(jù)RMD包括該第n個(gè)″完成R帶″的結(jié)束位置信息(物理扇區(qū)號(hào))或RMD字段7或隨后字段中描述的″表示在第n個(gè)R帶中的最后記錄位置的物理扇區(qū)號(hào)LRA″的信息，所以從記錄在最后設(shè)置的擴(kuò)展RMZ中的最后記錄管理數(shù)據(jù)RMD(見圖17-(b)中的RMD#3)中讀出該最后記錄位置的物理扇區(qū)號(hào)或物理段號(hào)(PSN)，并且能夠從該結(jié)果檢測(cè)該最后的記錄位置。
由于該信息重放設(shè)備使用DPD(差值相位檢測(cè))方法取代推挽方法，所以能夠只在形成凸紋凹坑或記錄標(biāo)記的一個(gè)區(qū)上執(zhí)行循軌控制。為此原因，信息重放設(shè)備無法存取一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的一個(gè)未記錄區(qū)，并且無法重放包括該未記錄區(qū)的RMD復(fù)制帶RDZ的內(nèi)容。結(jié)果是，該信息重放設(shè)備不能重放記錄在該帶中的記錄管理數(shù)據(jù)RMD。相反，由于該信息重放設(shè)備能夠重放物理格式信息PFI、R-物理信息帶R-PFIZ、以及更新的物理格式信息UPFI，所以其能夠搜索最后記錄位置。
在該信息重放設(shè)備重放該系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的信息之后，該信息重放設(shè)備讀出記錄在該R-物理信息帶R-PFIZ中的已存在信息(即已記錄)數(shù)據(jù)的最后位置信息(在表格3中描述的″指示對(duì)應(yīng)有界區(qū)的最后R帶中的最后記錄位置的物理扇區(qū)號(hào)″的信息)。結(jié)果是，該信息重放設(shè)備能夠檢測(cè)該有界區(qū)BRDA#1的最后位置。在該信息重放設(shè)備確認(rèn)了在緊接該有界區(qū)BRDA#1之后分配的出邊界BRDO的位置之后，該信息重放設(shè)備能夠讀出記錄在入邊界BRDI中的更新的物理格式信息UPFI，該入邊界BRDI緊接在該出邊界BRDO之后被記錄。
表3數(shù)據(jù)區(qū)DTA的分配位置信息的內(nèi)容 代替使用表3中描述的“對(duì)在對(duì)應(yīng)有界區(qū)中最后R帶中的最后記錄位置進(jìn)行指示的物理扇區(qū)號(hào)”的方法，可使用“指示邊界帶開始位置(如圖20-(c)所示，這個(gè)開始位置是指出邊界BRDO的位置)的物理扇區(qū)號(hào)PSN”的信息來訪問出邊界BRDO的開始位置。
接著，訪問已記錄數(shù)據(jù)的最后位置來讀取更新的物理格式信息UPFI中已記錄數(shù)據(jù)的最后位置信息(表3)。對(duì)用于讀取在更新的物理格式信息中記錄的“最后記錄的物理扇區(qū)號(hào)或物理段號(hào)(PSN)的信息”和用于根據(jù)所讀取信息來訪問最后記錄的物理扇區(qū)號(hào)或物理段號(hào)(PSN)的處理進(jìn)行重復(fù)，直到到達(dá)最后R帶中最后記錄的物理扇區(qū)號(hào)PSN。即，檢查訪問之后所到達(dá)的信息讀取位置是否真正是最后記錄在最后R帶中的位置。如果訪問之后所到達(dá)的位置不是最后記錄的位置，則重復(fù)上述訪問處理。對(duì)于R物理信息帶R-PFIZ，可使用更新的物理格式信息UPFI中的“指示邊界帶開始位置的更新的物理扇區(qū)號(hào)或物理段號(hào)(PSN)的信息”來搜索在邊界帶(入邊界BRDI)中記錄的更新的物理格式信息UPFI的記錄位置。
如果發(fā)現(xiàn)了最后R帶中最后記錄的物理扇區(qū)號(hào)(或物理段號(hào))的位置，則信息重放設(shè)備從緊接在出邊界BRDO之前的位置開始重放。之后，信息重放設(shè)備到達(dá)最后記錄位置，同時(shí)順序地從頭部開始重放最后有界區(qū)BRDA的內(nèi)容。隨后，該設(shè)備確認(rèn)最后出邊界BRDO的位置。在本實(shí)施例中描述的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，沒有記錄記錄標(biāo)記的未記錄區(qū)一直連續(xù)到最后出邊界BRDO之外的數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO的位置。信息重放設(shè)備不在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的未記錄區(qū)上執(zhí)行循軌，并且其上沒有記錄物理扇區(qū)號(hào)PSN的信息。因此，對(duì)于信息重放設(shè)備就可以在最后出邊界BRDO之后的位置重放信息。由于這個(gè)原因，該設(shè)備在到達(dá)最后出邊界位置時(shí)結(jié)束訪問處理并繼續(xù)重放處理。
下面將使用表4描述記錄管理數(shù)據(jù)RMD中的信息內(nèi)容更新定時(shí)(更新條件)。對(duì)于更新記錄管理數(shù)據(jù)RMD的信息有五個(gè)不同條件。
表4更新記錄管理數(shù)據(jù)RMD的條件 注釋1在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上進(jìn)行一系列記錄處理的期間，RMD不需要更新 (條件1a)當(dāng)RMD字段“0“中的盤狀態(tài)信息改變時(shí) ...注意，在對(duì)結(jié)束符(最后記錄的出邊界BRDO之后(在外圓周側(cè)上)記錄的“結(jié)束位置信息”)進(jìn)行記錄時(shí)，跳過記錄管理數(shù)據(jù)RMD的更新處理。
(條件1b)當(dāng)在RMD字段“1”中規(guī)定的內(nèi)部或外部測(cè)試帶地址改變時(shí) (條件2)當(dāng)在RMD字段“3”中規(guī)定的出邊界區(qū)BRDO的開始物理扇區(qū)號(hào)或開放(附加可記錄)擴(kuò)展RMZ號(hào)改變時(shí) (條件3)當(dāng)在RMD字段“4”中的下列信息片段之一改變時(shí) (1)未指定R帶數(shù)量、開放R帶數(shù)量和完成R帶數(shù)量的總數(shù) (2)第一開放R帶數(shù)量 (3)第二開放R帶數(shù)量 注意，在本實(shí)施例中，在HD DVD-R之類的一次寫入信息存儲(chǔ)介質(zhì)上(由盤驅(qū)動(dòng)器)進(jìn)行一系列信息記錄操作時(shí)期的期間RMD不需要更新。例如，在記錄視頻信息時(shí)，必須保證連續(xù)記錄。如果在視頻信息記錄期間更新了記錄管理數(shù)據(jù)RMD(如果訪問控制進(jìn)行到記錄管理數(shù)據(jù)RMD的位置來更新記錄管理數(shù)據(jù)RMD)，則由于此時(shí)視頻信息的記錄被中斷，因此不能保證連續(xù)記錄。因此，通常的慣例是在視頻記錄完成之后更新RMD。然而，當(dāng)一系列視頻信息記錄操作持續(xù)了實(shí)在太長(zhǎng)的時(shí)間時(shí)，此時(shí)在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的最后記錄的位置與已經(jīng)記錄在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的記錄管理數(shù)據(jù)RMD中的最后位置信息差異很大。這時(shí)，當(dāng)由于連續(xù)記錄期間任何異常情況導(dǎo)致強(qiáng)制終止信息記錄/重放設(shè)備(盤驅(qū)動(dòng)器)時(shí)，“記錄管理數(shù)據(jù)RMD中的最后位置信息”與緊接強(qiáng)制終止之前的記錄位置之間的間斷變得非常的大。因此，在復(fù)原信息記錄/重放設(shè)備之后與緊接在強(qiáng)制終止之前的記錄位置相對(duì)應(yīng)的“記錄管理數(shù)據(jù)RMD中的最后位置信息”的數(shù)據(jù)恢復(fù)會(huì)變得難以達(dá)到。因此，本實(shí)施例進(jìn)一步添加了以下更新條件。
(條件4)當(dāng)記錄在最后記錄管理數(shù)據(jù)RMD中的“指示R帶中最后記錄位置的物理扇區(qū)號(hào)LRA”與在連續(xù)記錄期間相繼地改變的“此時(shí)R帶中最后記錄的位置的物理扇區(qū)號(hào)PSN”之間的差(差值“PSN-LRA”)超過8192時(shí)(記錄管理數(shù)據(jù)RMD的信息被更新) ...注意，當(dāng)上述在“(條件1b)”或“(條件4)”中記錄管理帶RMZ中未記錄的保留區(qū)273的大小等于或小于四個(gè)物理段塊(4×64KB)時(shí)，更新被跳過。
下面將描述擴(kuò)展記錄管理帶。本實(shí)施例規(guī)定記錄管理帶RMZ的如下三個(gè)分配位置。
(1)在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中的記錄管理帶RMZ(L-RMZ) 如圖20-(b)可見，在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中的一部分一般使用在對(duì)應(yīng)于第一有界區(qū)的入邊界BRDI。因此，如圖17-(b)所示，要記錄在對(duì)應(yīng)于第一有界區(qū)的入邊界BRDI中的記錄管理帶RMZ被提前設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中。在此記錄管理帶RMZ中的結(jié)構(gòu)允許為每個(gè)64KB(一個(gè)物理段塊的大小)順序地附加記錄記錄管理數(shù)據(jù)RMD，如圖17-(b)所示。
(2)在入邊界BRDI中的記錄管理帶RMZ(B-RMZ) 本實(shí)施例的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)在專用重放設(shè)備重放所記錄的信息之前需要邊界關(guān)閉處理。在邊界關(guān)閉處理之后記錄新信息時(shí)，必須設(shè)置新的有界區(qū)。在該新的有界區(qū)BRDA之前的位置設(shè)置入邊界BRDI。由于在最后記錄管理帶中的未記錄區(qū)(圖17-(b)所示的保留區(qū)273)在邊界關(guān)閉處理的階段被關(guān)閉，因此，必須設(shè)置新的區(qū)(記錄管理帶RMZ)，其用來記錄對(duì)新有界區(qū)BRDA中記錄的信息的位置進(jìn)行指示的記錄管理數(shù)據(jù)RMD。本實(shí)施例的重大典型特征在于在新設(shè)置的入邊界BRDI中設(shè)置了記錄管理帶RMZ。在此邊界帶中的記錄管理帶RMZ中的結(jié)構(gòu)與“對(duì)應(yīng)于第一有界區(qū)的記錄管理帶RMZ(L-RMZ)”的結(jié)構(gòu)相同。作為記錄在此帶中的記錄管理數(shù)據(jù)RMD中的信息，不僅記錄了與相應(yīng)有界區(qū)BRDA中記錄的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的記錄管理數(shù)據(jù)，而且還一起記錄了與之前有界區(qū)BRDA中記錄的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的記錄管理信息。
(3)在有界區(qū)BRDA中的記錄管理帶RMZ(U-RMZ) 只有形成了新的有界區(qū)BRDA時(shí)，才能設(shè)置(2)中入邊界BRDI中的RMZ(B-RMZ)。由于限制了第一有界區(qū)管理帶RMZ(L-RMZ)的大小，因此重復(fù)附加記錄之后保留區(qū)273被用完，并且不可能附加記錄新的記錄管理數(shù)據(jù)RMD。為解決此問題，在本實(shí)施例中，確保用來在有界區(qū)BRDA中記錄記錄管理帶RMZ的新R帶，從而可以進(jìn)一步附加記錄。即，以“有界區(qū)中的記錄管理帶RMZ(U-RMZ)”來設(shè)置一個(gè)特殊R帶。
在本實(shí)施例中，新的“有界區(qū)BRDA中的記錄管理帶RMZ(U-RMZ)”不僅可以在第一有界區(qū)記錄管理帶RMZ(L-RMZ)中的未記錄區(qū)(保留區(qū)273)的剩余大小變小時(shí)被設(shè)置，而且可以在“入邊界BRDI中的記錄管理帶RMZ(B-RMZ)”或者已經(jīng)設(shè)置的“有界區(qū)BRDA中的記錄管理帶RMZ(U-RMZ)”中的未記錄區(qū)(保留區(qū)273)的剩余大小變小的時(shí)候被設(shè)置。
在有界區(qū)BRDA中的記錄管理帶RMZ(U-RMZ)中記錄的信息內(nèi)容具有與在如圖17-(b)所示數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中的記錄管理帶RMZ(L-RMZ)中相同的結(jié)構(gòu)。作為在此帶中記錄的記錄管理數(shù)據(jù)RMD中的信息，不僅記錄了與相應(yīng)有界區(qū)BRDA中記錄的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的記錄管理數(shù)據(jù)，還一起記錄了與先前的有界區(qū)BRDA中記錄的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的記錄管理信息。
對(duì)于這些種類的記錄管理帶RMZ， 1.在記錄用戶數(shù)據(jù)之前提前設(shè)置數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中的記錄管理帶RMZ(L-RMZ)的位置。然而，在本實(shí)施例中，由于 2.在入邊界BRDI中的記錄管理帶RMZ(B-RMZ)和 3.在有界區(qū)BRDA中的記錄管理帶RMZ(U-RMZ) 都由信息記錄/重放設(shè)備按照用戶數(shù)據(jù)記錄(附加記錄)狀態(tài)來適當(dāng)?shù)卦O(shè)置(擴(kuò)展)，因此這些帶將被稱為“擴(kuò)展記錄管理帶RMZ”。
當(dāng)在當(dāng)前使用的記錄管理帶RMZ中的未記錄區(qū)(保留區(qū)273)變得等于或小于15個(gè)物理段塊(15×64KB)時(shí)，可設(shè)置有界區(qū)BRDA中的記錄管理帶RMZ(U-RMZ)。在設(shè)置時(shí)有界區(qū)BRDA中記錄管理帶RMZ(U-RMZ)的大小是128個(gè)物理段塊的大小(128×64KB)，并且把該帶定義為專用于記錄管理帶RMZ的R帶。
由于本實(shí)施例的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)可設(shè)置三種記錄管理帶RMZ，因此允許每個(gè)一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)存在非常多的記錄管理帶RMZ。因此，本實(shí)施例執(zhí)行以下處理以便容易地搜索到最后記錄管理帶RMZ的記錄位置。
(1)在設(shè)置新的記錄管理帶RMZ時(shí)，在迄今所使用的記錄管理帶RMZ中多次記錄最后記錄管理數(shù)據(jù)RMD，所以迄今所使用的記錄管理帶RMZ不包括任何未記錄區(qū)。(這使得可以鑒別該記錄管理帶RMZ是當(dāng)前使用的還是一個(gè)記錄管理帶被設(shè)置在新的位置。) (2)每當(dāng)設(shè)置新記錄管理帶RMZ時(shí)，在RMD復(fù)制帶RMZ中記錄最后記錄管理數(shù)據(jù)RMD的復(fù)制信息48。這使得可以容易地搜索當(dāng)前使用的記錄管理帶RMZ的位置。
本實(shí)施例的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)允許存在許多未記錄區(qū)。然而，由于專用的重放設(shè)備使用DPD(差分相位檢測(cè))方法用作循軌誤差檢測(cè)，因此不能在未記錄區(qū)上執(zhí)行循軌。因此，邊界關(guān)閉處理必須在由專用重放設(shè)備對(duì)一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行重放從而還不存在未記錄區(qū)之前執(zhí)行。
下面將詳細(xì)描述基準(zhǔn)碼帶RCZ中記錄的基準(zhǔn)碼的樣式內(nèi)容。現(xiàn)有DVD采用將8位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成16通道位的“8/16調(diào)制”方法作為調(diào)制方法，并且把重復(fù)樣式“00100000100000010010000010000001”用作基準(zhǔn)碼樣式來作為調(diào)制后記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的通道位序列。相反，本實(shí)施例使用將8位數(shù)據(jù)調(diào)制到12通道位的ETM調(diào)制來應(yīng)用于RLL(1，10)的掃描寬度限制，并在從數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI、數(shù)據(jù)區(qū)DTA、數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO、和中間區(qū)MDA的信號(hào)重放中采用PRML方法。因此，必須設(shè)置對(duì)于調(diào)制規(guī)則和PRML檢測(cè)最佳的基準(zhǔn)碼樣式。根據(jù)RLL(1，10)的掃描寬度限制，當(dāng)“d＝1”時(shí)“0”掃描的最小值是重復(fù)樣式“10101010”。如果從代碼“1”或“0”到下一相鄰代碼的距離是“T”，則在上面樣式中的相鄰的“1”之間的距離是“2T”。
在本實(shí)施例中，為了得到高密度的信息存儲(chǔ)介質(zhì)，由于在光頭(包括在圖18中的信息記錄/重放單元141中)中的物鏡的MFT(調(diào)制轉(zhuǎn)換函數(shù))特性的截止頻率的附近存在有來自“2T”重復(fù)樣式(“10101010”)的重放信號(hào)，因此幾乎得不到調(diào)制度(信號(hào)幅度)。因此，當(dāng)來自“2T”重復(fù)樣式(“10101010”)的重放信號(hào)用作在信息重放設(shè)備或信息記錄/重放設(shè)備的電路調(diào)整中使用的重放信號(hào)時(shí)，噪聲的影響很大，導(dǎo)致很差的穩(wěn)定性。因此，期望在根據(jù)RLL(1，10)的掃描寬度限制執(zhí)行了調(diào)制之后，使用具有針對(duì)信號(hào)的次最高密度的“3T”樣式來執(zhí)行電路調(diào)整。
考慮到重放信號(hào)的DSV(數(shù)字累加值)值，DC(直流)值的絕對(duì)值與緊接在“1”之后出現(xiàn)的直到下一個(gè)“1”的“0”掃描計(jì)數(shù)成比例地增加，并被添加到緊接的前一DSV值。要添加的此直流值的極性在每次出現(xiàn)“1”時(shí)被反轉(zhuǎn)。因此，通過在ETM調(diào)制之后在12通道位序列中把DSV值設(shè)置成“0”來作為在包括連續(xù)基準(zhǔn)碼的通道位序列之后把DSV值設(shè)置成“0”的方法，在ETM調(diào)制之后出現(xiàn)在12通道位序列中的“1”的存在數(shù)量被設(shè)置成奇數(shù)值，從而用在下一組12通道位的基準(zhǔn)碼單元中產(chǎn)生的DC分量來抵消在一組包括了12通道位的基準(zhǔn)碼單元中產(chǎn)生的直流分量，從而增加了基準(zhǔn)碼樣式設(shè)計(jì)中的自由度。因此，在本實(shí)施例中，在ETM調(diào)制之后出現(xiàn)在包括12通道位序列的基準(zhǔn)碼單元中的數(shù)字“1”被設(shè)置成奇數(shù)值。
本實(shí)施例采用了標(biāo)記邊緣記錄法，該方法中“1”的位置與記錄標(biāo)記或凸紋凹坑的邊界位置相匹配。例如，當(dāng)持續(xù)“3T”重復(fù)樣式(“100100100100100100100”)時(shí)，凸紋凹坑的長(zhǎng)度以及相鄰?fù)辜y凹坑之間的間距長(zhǎng)度根據(jù)記錄條件或主要準(zhǔn)備條件通?？梢杂休p微的差異。當(dāng)使用PRML檢測(cè)方法時(shí)，重放信號(hào)的電平值非常重要。因此，即使當(dāng)記錄標(biāo)記或凸紋凹坑的長(zhǎng)度以及它們之間間距的長(zhǎng)度有輕微差異時(shí)，也必須以電路的方式來校正此輕微差異，這樣來獲得穩(wěn)定、精確的信號(hào)檢測(cè)。因此，用于最佳調(diào)整電路常數(shù)的基準(zhǔn)碼包括“3T”長(zhǎng)度的記錄標(biāo)記或凸紋凹坑以及“3T”長(zhǎng)度的間距，以提高電路常數(shù)的調(diào)整精度。為此，當(dāng)包括樣式“1001001”來作為本實(shí)施例的基準(zhǔn)碼樣式時(shí)，絕對(duì)有必要安排“3T”長(zhǎng)度的記錄標(biāo)記或凸紋凹坑以及間距。
電路調(diào)整除了高密度樣式(“1001001”)外還需要低密度樣式。因此，考慮到上述需要，在ETM調(diào)制之后在12通道位序列中除開樣式“1001001”之外的部分里產(chǎn)生低密度狀態(tài)(包括許多“0”的掃描的樣式)，并且“1”出現(xiàn)的數(shù)量設(shè)置成奇數(shù)值，基準(zhǔn)碼樣式的最優(yōu)條件是重復(fù)“100100100000”。為了在調(diào)制后設(shè)置通道位樣式來得到上面的樣式，使用由本實(shí)施例H格式規(guī)定的調(diào)制表(未示出)把調(diào)制前的數(shù)據(jù)字設(shè)置成“A4h”。此數(shù)據(jù)“A4h”(十六進(jìn)制)對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)符號(hào)“164”(十進(jìn)制)。
下面將描述根據(jù)上述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換規(guī)則的實(shí)際數(shù)據(jù)產(chǎn)生方法。在前述數(shù)據(jù)幀格式中，首先在主數(shù)據(jù)“D0到D2047”中設(shè)置數(shù)據(jù)符號(hào)“164”(＝“0A4h”)。接著，由初始預(yù)設(shè)數(shù)字“0Eh”來對(duì)數(shù)據(jù)幀1到15進(jìn)行預(yù)加擾，由初始預(yù)設(shè)數(shù)字“0Fh”來對(duì)數(shù)據(jù)幀16到31進(jìn)行預(yù)加擾。當(dāng)對(duì)數(shù)據(jù)幀預(yù)加擾時(shí)，在根據(jù)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換規(guī)則加擾時(shí)它們被雙重加擾(雙重加擾恢復(fù)原始樣式)，并且數(shù)據(jù)符號(hào)“164”(＝“0A4h”)保持完好。當(dāng)對(duì)包括32個(gè)物理扇區(qū)的全部基準(zhǔn)碼進(jìn)行預(yù)加擾時(shí)，DSV控制被禁用。因此，只有數(shù)據(jù)幀0沒有被預(yù)加擾。加擾之后，在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上記錄調(diào)制的樣式。
在本發(fā)明中，使用擺動(dòng)調(diào)制來提前記錄可記錄(可重寫或一次寫入)型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的地址信息。本實(shí)施例的特征在于使用±90°(180°)相位調(diào)制作為擺動(dòng)調(diào)制方法以及還采用NRZ(不歸零)方法來把地址信息提前記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上。將使用圖22來給出詳細(xì)說明。在本實(shí)施例中，對(duì)于地址信息，1個(gè)地址位(也稱為地址符號(hào))區(qū)511由四個(gè)擺動(dòng)周期來表達(dá)，擺動(dòng)的頻率、幅度和相位在這1個(gè)地址位區(qū)511中的任何地方都相匹配。當(dāng)持續(xù)相同值作為地址位值時(shí)，在各個(gè)1個(gè)地址位區(qū)511的邊界(具有圖22中的“三角形標(biāo)記”)處持續(xù)同相狀態(tài)；當(dāng)一個(gè)地址位反轉(zhuǎn)時(shí)，出現(xiàn)擺動(dòng)樣式的反轉(zhuǎn)(180°相移)。
圖18所示的信息記錄/重放設(shè)備的擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135同時(shí)檢測(cè)地址位區(qū)511的邊界位置(具有圖22中的“三角形標(biāo)記”)和作為一個(gè)擺動(dòng)周期的邊界位置的槽位置512。擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135結(jié)合了PLL(鎖相環(huán))電路(未示出)，其同步地把PLL應(yīng)用到地址位區(qū)511的邊界位置和槽位置512兩者。當(dāng)?shù)刂肺粎^(qū)511的邊界位置或槽位置512偏離時(shí)，擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135由于脫離了同步而不能穩(wěn)定地重放(解碼)擺動(dòng)信號(hào)。相鄰槽位置512之間的間隔被稱作槽間隔513，并且隨著槽間隔513物理上越短，越容易取得PLL電路的同步，并可以穩(wěn)定地重放擺動(dòng)信號(hào)(來解碼信息內(nèi)容)。
如從圖22可看出，當(dāng)采用移向180°或0°的180°相位調(diào)制方法時(shí)，此槽間隔513匹配一個(gè)擺動(dòng)周期。作為擺動(dòng)調(diào)制方法，改變擺動(dòng)幅度的AM(幅度調(diào)制)方法容易受到附著于信息存儲(chǔ)介質(zhì)的表面上的灰塵或劃痕的影響。然而，由于相位調(diào)制檢測(cè)了相位中的改變而不是信號(hào)幅度中的改變，因此它相對(duì)不容易受到附著于信息存儲(chǔ)介質(zhì)的表面上的灰塵或劃痕的影響。以改變頻率的FSK(移頻鍵控)方法作為另一調(diào)制方法，槽間隔513相對(duì)于擺動(dòng)周期而言很長(zhǎng)，PLL電路的同步相對(duì)難以達(dá)到。因此，當(dāng)由擺動(dòng)相位調(diào)制來記錄地址信息時(shí)，槽間隔很短，并可容易地將擺動(dòng)信號(hào)同步。
如圖22所示，二進(jìn)制數(shù)據(jù)“1”或“0”分配給1地址位區(qū)511。圖22示出本實(shí)施例的位分配方法。如圖22的左側(cè)所示，從一個(gè)擺動(dòng)的開始位置向外圓周側(cè)進(jìn)行初始擺動(dòng)的擺動(dòng)樣式稱為一個(gè)NPW(正常相位擺動(dòng))，并被分配數(shù)據(jù)“0”。如右側(cè)所示，從一個(gè)擺動(dòng)的開始位置向內(nèi)圓周側(cè)進(jìn)行初始擺動(dòng)的擺動(dòng)樣式稱為一個(gè)IPW(反向相位擺動(dòng))，并被分配數(shù)據(jù)“1”。
在本實(shí)施例中，如圖23B和23C所示，預(yù)制溝槽區(qū)11的寬度Wg被設(shè)置為大于槽岸區(qū)12的寬度W1。因此，擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的檢測(cè)信號(hào)電平變低，C/N比下降，從而引起問題。為解決此問題，本實(shí)施例特征在于把非調(diào)制區(qū)設(shè)置為比調(diào)制區(qū)寬，以獲得穩(wěn)定的擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)。
下面將使用圖24描述本實(shí)施例的H格式中的擺動(dòng)地址格式。如圖24-(b)所示，在本實(shí)施例的H格式中，七個(gè)物理段550到556形成一個(gè)物理段塊。每個(gè)物理段550到556由17個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元560到576組成，如圖24-(c)所示。另外，擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元560到576由調(diào)制區(qū)以及其上形成了所有連續(xù)NPW的非調(diào)制區(qū)590和591組成，所述調(diào)制區(qū)形成了擺動(dòng)同步區(qū)580、調(diào)制開始標(biāo)記581和582、和擺動(dòng)地址區(qū)586和587的任一個(gè)。圖25A到25D示出各個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中調(diào)制區(qū)與非調(diào)制區(qū)的出現(xiàn)之比。在圖25A到25D中示出的所有擺動(dòng)單元中，調(diào)制區(qū)598由16個(gè)擺動(dòng)形成，非調(diào)制區(qū)593由68個(gè)擺動(dòng)形成。本實(shí)施例特征在于非調(diào)制區(qū)593比調(diào)制區(qū)598寬。通過設(shè)置更寬的非調(diào)制區(qū)593，擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)、寫時(shí)鐘、或重放時(shí)鐘可以使用非調(diào)制區(qū)593來在PLL電路中穩(wěn)定地同步。為了獲得穩(wěn)定的同步，非調(diào)制區(qū)593理想地比調(diào)制區(qū)598的寬度寬兩倍或以上。
下面將描述在本發(fā)明的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的H格式中使用擺動(dòng)調(diào)制的地址信息記錄格式。在本實(shí)施例中的使用擺動(dòng)調(diào)制的地址信息設(shè)置方法的最典型特征在于“使用同步幀長(zhǎng)度433作為一個(gè)單元來完成分配”。一個(gè)扇區(qū)由26個(gè)同步幀形成，一個(gè)ECC塊包括32個(gè)物理扇區(qū)。因此，一個(gè)ECC塊包括832(＝26×32)個(gè)同步幀。
每個(gè)物理段被分成17個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元(WDU)。對(duì)一個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的長(zhǎng)度分配七個(gè)同步幀。
每個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元#0 560到#11 571包括16個(gè)擺動(dòng)的調(diào)制區(qū)598和68個(gè)擺動(dòng)的非調(diào)制區(qū)592和593。本實(shí)施例的最典型特征在于非調(diào)制區(qū)592和593對(duì)調(diào)制區(qū)的占有率非常大。由于在非調(diào)制區(qū)592和593上溝槽或槽岸區(qū)總是以恒定頻率擺動(dòng)，因此使用這些非調(diào)制區(qū)592和593來應(yīng)用PLL(鎖相環(huán))，并且可以穩(wěn)定地提取(產(chǎn)生)在重放記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的記錄標(biāo)記時(shí)的基準(zhǔn)時(shí)鐘或在記錄新記錄標(biāo)記時(shí)使用的記錄基準(zhǔn)時(shí)鐘。
由于本實(shí)施例中非調(diào)制區(qū)592和593對(duì)調(diào)制區(qū)的占有率非常大，因此可以大大提高提取(產(chǎn)生)重放基準(zhǔn)時(shí)鐘的精度和提取(產(chǎn)生)穩(wěn)定性或提取記錄基準(zhǔn)時(shí)鐘的精度和提取(產(chǎn)生)穩(wěn)定性。即，在根據(jù)擺動(dòng)執(zhí)行相位調(diào)制時(shí)，當(dāng)重放信號(hào)通過帶通濾波器來進(jìn)行波形整形時(shí)，將發(fā)生這樣的現(xiàn)象其中整形后的檢測(cè)信號(hào)波形幅度在相變位置之前和之后變小了。因此，造成了如下問題。即，當(dāng)由于相位調(diào)制而導(dǎo)致的出現(xiàn)相變點(diǎn)的頻率變高時(shí)，波形幅度變化變大，時(shí)鐘提取精度下降。相反地，當(dāng)由于相位調(diào)制而導(dǎo)致的出現(xiàn)相變點(diǎn)的頻率很低時(shí)，在容易發(fā)生擺動(dòng)地址信息的檢測(cè)之時(shí)，位產(chǎn)生移位。為解決此問題，本實(shí)施例通過以相位調(diào)制形成調(diào)制區(qū)和非調(diào)制區(qū)以及設(shè)置非調(diào)制區(qū)的高占有率來提高時(shí)鐘提取精度。
在本實(shí)施例中，由于可預(yù)知調(diào)制區(qū)與非調(diào)制區(qū)之間的轉(zhuǎn)換位置，因此選通非調(diào)制區(qū)來僅僅檢測(cè)非調(diào)制區(qū)的信號(hào)以用于時(shí)鐘提取，并從檢測(cè)信號(hào)中提取時(shí)鐘。尤其是當(dāng)使用根據(jù)本實(shí)施例的記錄原理以有機(jī)染料記錄材料來形成記錄層3-2時(shí)，在使用“3-2)本實(shí)施例中有機(jī)染料膜共有的基本特性描述”中的“3-2-D]與本實(shí)施例中預(yù)制溝槽形狀/尺寸相關(guān)聯(lián)的基本特性”中描述的預(yù)制溝槽形狀/尺寸時(shí)，擺動(dòng)信號(hào)相對(duì)難以提取。為解決此問題，由于非調(diào)制區(qū)592和593對(duì)調(diào)制區(qū)的占有率設(shè)置得很大，因此提高了擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)的可靠性。
在從非調(diào)制區(qū)592和593向調(diào)制區(qū)598過渡時(shí)，使用四個(gè)或六個(gè)擺動(dòng)來設(shè)置作為調(diào)制開始標(biāo)記的IPW區(qū)，并且擺動(dòng)地址區(qū)(地址位#2到#0)出現(xiàn)在緊接檢測(cè)到作為如圖25C和25D所示擺動(dòng)數(shù)據(jù)部分中調(diào)制開始標(biāo)記的IPW區(qū)之后。圖25A和25B示出與圖26-(c)所示擺動(dòng)同步區(qū)580相對(duì)應(yīng)的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元#0 560的內(nèi)容，并且圖25C和25D示出與圖26-(c)所示從段信息727到CRC碼726的擺動(dòng)數(shù)據(jù)部分相對(duì)應(yīng)的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的內(nèi)容。圖25A和25C示出與后面要描述的調(diào)制區(qū)的主要位置701相對(duì)應(yīng)的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元內(nèi)容，并且圖25B和25D示出與調(diào)制區(qū)的次要位置702相對(duì)應(yīng)的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元內(nèi)容。如圖25A和25B所示，在擺動(dòng)同步區(qū)580中，對(duì)每個(gè)IPW區(qū)分配六個(gè)擺動(dòng)，對(duì)以IPW區(qū)為界的NPW區(qū)分配四個(gè)擺動(dòng)。如圖25C和25D所示，在擺動(dòng)數(shù)據(jù)部分，對(duì)IPW區(qū)和所有地址位區(qū)#2到#0分別分配四個(gè)擺動(dòng)。
圖26示出在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上與擺動(dòng)地址信息中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的實(shí)施例。圖26-(a)示出在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的擺動(dòng)地址信息中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)以作為對(duì)比。圖26-(b)和26-(c)示出在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上與擺動(dòng)地址信息中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的不同實(shí)施例。
在擺動(dòng)地址信息610中，使用12個(gè)擺動(dòng)設(shè)置三個(gè)地址位(見圖22)。即，四個(gè)連續(xù)擺動(dòng)形成一個(gè)地址位。以這種方式，本實(shí)施例采用了其中針對(duì)每三個(gè)地址位來分配地址信息位置的結(jié)構(gòu)。當(dāng)擺動(dòng)信息610的所有片段集中記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的一個(gè)位置上時(shí)，表面上形成灰塵或劃痕時(shí)不能檢測(cè)到所有信息片段。如本實(shí)施例中所述，在擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元560到576的一個(gè)中包括的每三個(gè)地址位(12個(gè)擺動(dòng))中分配擺動(dòng)地址信息610的位置，并且即使在由于灰塵或劃痕的影響而導(dǎo)致難以檢測(cè)給定位置上的信息時(shí)，也可檢測(cè)處另一信息。
由于分配了擺動(dòng)地址信息610的位置，并且分配擺動(dòng)地址信息610來完全針對(duì)每個(gè)物理段，因此可針對(duì)每個(gè)物理段檢測(cè)地址信息。因此，在通過信息記錄/重放設(shè)備進(jìn)行訪問時(shí)，可針對(duì)每個(gè)物理段檢測(cè)當(dāng)前位置。
由于本實(shí)施例采用NRZ方法，如圖22所示，因此在擺動(dòng)地址信息610中的四個(gè)連續(xù)擺動(dòng)中相位從不改變。通過使用這個(gè)特性，設(shè)置了擺動(dòng)同步區(qū)580。即，由于針對(duì)擺動(dòng)同步區(qū)580設(shè)置了在擺動(dòng)地址信息610中從不產(chǎn)生的擺動(dòng)樣式，因此可容易地識(shí)別擺動(dòng)同步區(qū)580的分配位置。本實(shí)施例特征在于在擺動(dòng)同步區(qū)580的位置把一個(gè)地址位設(shè)置來具有相對(duì)于擺動(dòng)地址區(qū)586和587的除四個(gè)擺動(dòng)以外的長(zhǎng)度，其中擺動(dòng)地址區(qū)586和587的每一個(gè)都由四個(gè)連續(xù)擺動(dòng)形成一個(gè)地址位。更具體地說，在擺動(dòng)同步區(qū)580中，設(shè)置了在擺動(dòng)數(shù)據(jù)部分(圖25C和25D)從不會(huì)發(fā)生的擺動(dòng)樣式改變，這與其中擺動(dòng)位＝“1”的區(qū)(IPW區(qū))被設(shè)置來與四個(gè)擺動(dòng)不同(即，六個(gè)擺動(dòng)→四個(gè)擺動(dòng)→六個(gè)擺動(dòng))的情況相同，如圖25A和25B所示。當(dāng)采用改變擺動(dòng)周期的方法時(shí)，如上所述，提供如下效果作為對(duì)擺動(dòng)同步區(qū)580中擺動(dòng)數(shù)據(jù)部分中從不產(chǎn)生的擺動(dòng)樣式進(jìn)行設(shè)置的實(shí)際方法。
(1)可穩(wěn)定地持續(xù)擺動(dòng)檢測(cè)(擺動(dòng)信號(hào)的確定)而不中斷與擺動(dòng)的槽位置512(圖22)相關(guān)聯(lián)的PLL，該擺動(dòng)檢測(cè)在圖18中的擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135內(nèi)部執(zhí)行。
(2)通過地址位邊界位置的移位可容易地檢測(cè)擺動(dòng)同步區(qū)580和調(diào)制開始標(biāo)記581和582，該檢測(cè)在圖18中的擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135內(nèi)部執(zhí)行。
本實(shí)施例的典型特征在于擺動(dòng)同步區(qū)580形成來具有12個(gè)擺動(dòng)周期并且擺動(dòng)同步區(qū)580的長(zhǎng)度匹配三個(gè)地址位長(zhǎng)度，如圖24所示。以這種方式，通過把一個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元#0 560中的整個(gè)調(diào)制區(qū)(針對(duì)16個(gè)擺動(dòng))分配給擺動(dòng)同步區(qū)580，更容易檢測(cè)到擺動(dòng)地址信息610的開始位置(擺動(dòng)同步區(qū)580的分配位置)。擺動(dòng)同步區(qū)分配在物理段中的第一擺動(dòng)單元中。通過把擺動(dòng)同步區(qū)580分配在物理段中的頭部位置，可通過僅僅檢測(cè)擺動(dòng)同步區(qū)580的位置來提取物理段的邊界位置。
如圖25C和25D中所示，作為調(diào)制開始標(biāo)記(見圖22)的IPW區(qū)被分配在擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元#1561到#1571中地址位#2到#0之前的頭部位置處。由于分配在它之前的位置處的非調(diào)制區(qū)592和593具有連續(xù)的NPW波形，因此如圖18所示的擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135通過檢測(cè)從NPW到IPW的轉(zhuǎn)換位置來提取調(diào)制開始標(biāo)記的位置。
作為參考，如圖26-(a)所示的可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的擺動(dòng)地址信息610的內(nèi)容記錄了 (1)物理段地址601 ...用于指示在一個(gè)軌道中(在信息存儲(chǔ)介質(zhì)221中的一圈)的物理段號(hào)的信息。
(2)帶地址602 ...指示信息存儲(chǔ)介質(zhì)221中的帶編號(hào)。
(3)奇偶信息605 ...設(shè)置來檢測(cè)從擺動(dòng)地址信息610進(jìn)行重放的錯(cuò)誤并用來指示在地址位單元中通過單獨(dú)添加從保留信息604到帶地址602的14個(gè)地址位而獲得的總和是偶數(shù)還是奇數(shù)的信息。奇偶信息605的值被設(shè)置來以使得通過對(duì)包括了該地址奇偶信息605這一個(gè)地址位的15個(gè)地址位的總體進(jìn)行“或”運(yùn)算所獲得的結(jié)構(gòu)變成“1”。
(4)統(tǒng)一區(qū)608 ...如上所述，把每個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元設(shè)置來包括16個(gè)擺動(dòng)的調(diào)制區(qū)598和68個(gè)擺動(dòng)的非調(diào)制區(qū)592和593，從而把非調(diào)制區(qū)592和593對(duì)調(diào)制區(qū)598的占有率設(shè)置成非常大。另外，通過增加非調(diào)制區(qū)592和593的占有率，提高了提取重放基準(zhǔn)時(shí)鐘或記錄基準(zhǔn)時(shí)鐘的精度和穩(wěn)定性。在統(tǒng)一區(qū)608中，所有NPW區(qū)持續(xù)到形成具有一致相位的非調(diào)制區(qū)。
圖26-(a)示出了分配給這些信息片段的地址位的數(shù)量。如上所述，擺動(dòng)地址信息610的內(nèi)容針對(duì)各三個(gè)位地址來分割，并且分配到各自擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中。即使當(dāng)由于信息存儲(chǔ)介質(zhì)的表面上的灰塵或劃痕而發(fā)生突發(fā)錯(cuò)誤時(shí)，錯(cuò)誤遍布不同擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的可能性也非常低。因此，盡可能減小了同樣信息的記錄位置擴(kuò)展到不同擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中的次數(shù)，從而使每個(gè)信息的分界位置與每個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的邊界位置相匹配。以這種方式，即使當(dāng)由于信息存儲(chǔ)介質(zhì)的表面上的灰塵或劃痕而發(fā)生突發(fā)錯(cuò)誤并且不能讀取指定信息時(shí)，也可讀取另外擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中記錄的另一信息來提高擺動(dòng)地址信息的重放可靠性。
本實(shí)施例的最典型特征還在于在擺動(dòng)地址信息610中最后分配統(tǒng)一區(qū)608和609，如圖26-(a)到26-(c)所示。如上所述，由于統(tǒng)一區(qū)608和609中的擺動(dòng)波形由NPW來定義，因此NPW主要在三個(gè)連續(xù)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中持續(xù)。通過利用此特征，在圖18中的擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135可通過搜索其中NPW持續(xù)了三個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元576的長(zhǎng)度的位置來容易地提取在擺動(dòng)地址信息610中最后分配的統(tǒng)一區(qū)608的位置。使用該位置信息，擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135可檢測(cè)擺動(dòng)地址信息610的開始位置。
對(duì)于如圖26-(a)所示的各種信息，物理段地址601和帶地址602指示了相鄰軌道之間的相同值，同時(shí)溝槽軌道地址606和槽岸軌道地址608在相鄰軌道之間改變它們的地址。因此，在記錄了溝槽軌道地址606和槽岸軌道地址608的區(qū)中出現(xiàn)了不確定位區(qū)504。為了減少這種不確定位的頻率，本實(shí)施例針對(duì)溝槽軌道地址606和槽岸軌道地址608使用格雷碼來指示地址(編號(hào))。格雷碼表示當(dāng)原始值改變了“1”時(shí)其轉(zhuǎn)換之后僅僅改變“1位”的編碼。以這種方式，減少了不確定位的頻率，并且不僅可以從記錄標(biāo)記中穩(wěn)定地檢測(cè)擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)，還可以從中穩(wěn)定地檢測(cè)重放信號(hào)。
如圖26-(b)和26-(c)所示，在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，在物理段的頭部位置分配擺動(dòng)同步區(qū)680，以使得可以容易地檢測(cè)物理段的頭部位置或相鄰物理段之間的邊界位置。由于如圖26-(d)所示的物理段的類型識(shí)別信息721以與前述擺動(dòng)同步區(qū)580中擺動(dòng)同步樣式相同的方式來指示了在物理段中的調(diào)制區(qū)的分配位置，因此，可提前預(yù)知在相同物理段中的另一調(diào)制區(qū)598的分配位置，并且可以對(duì)檢測(cè)將出現(xiàn)的調(diào)制區(qū)進(jìn)行提前準(zhǔn)備，從而提高調(diào)制區(qū)中的信號(hào)檢測(cè)(確定)精度。
如圖26-(b)所示的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的層號(hào)信息722指示了單面單記錄層或者在單面雙記錄層情況下的任一個(gè)記錄層，并表示 ·當(dāng)其為“0”時(shí)表示單面單記錄層介質(zhì)或在單面雙記錄層情況下的“L0”層(在激光束入射面上的前側(cè)的層)；或者 ·當(dāng)其為“1”時(shí)表示單面雙記錄層的“L1層”(在激光束入射面上的后側(cè)的層)。
物理段次序信息724表示在單個(gè)物理段塊中物理段的相關(guān)分配次序。如從與圖26-(a)的比較可看出，在擺動(dòng)地址信息610中的物理段次序信息724的頭部位置與在可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)上物理段地址601的頭部位置匹配。通過確定該物理段次序信息的位置與在可重寫介質(zhì)上的物理段次序信息的位置相一致，可提高不同介質(zhì)類型之間的兼容性，并且在既可使用可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)也可使用一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的信息記錄/重放設(shè)備中可以使用其采用了擺動(dòng)信號(hào)的普通地址檢測(cè)控制程序，從而簡(jiǎn)化布置。
在圖26-(b)中的數(shù)據(jù)段地址725使用數(shù)字來描述數(shù)據(jù)段的地址信息。如前面已經(jīng)描述的那樣，在本實(shí)施例中，32個(gè)扇區(qū)形成一個(gè)ECC塊。因此，分配在指定ECC塊中頭部的扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)的低5位與分配在相鄰ECC塊中的頭部的扇區(qū)的扇區(qū)號(hào)相匹配。當(dāng)分配在ECC塊中的頭部的扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)被設(shè)置來使得其低5位為“00000”時(shí)，在相同ECC塊中包括的所有扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)的較低的第6位或更高位的值相匹配。因此，通過去掉在相同ECC塊中包括的每個(gè)扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)的低5位數(shù)據(jù)、并且僅僅提取較低的第5位或更高位的數(shù)據(jù)而獲得的地址信息，被設(shè)置成ECC塊地址(或ECC塊地址號(hào))。通過擺動(dòng)調(diào)制提前記錄的數(shù)據(jù)段地址725(或物理段塊號(hào)信息)與ECC塊地址相匹配。因此，如果由擺動(dòng)調(diào)制的每個(gè)物理段塊的位置信息顯示為數(shù)據(jù)段地址，則與作為物理扇區(qū)號(hào)的顯示相比該數(shù)據(jù)大小減小了5位，從而簡(jiǎn)化了訪問時(shí)的當(dāng)前位置檢測(cè)。
如圖26-(b)和26-(c)所示的CRC碼726是用于從物理段的類型識(shí)別信息721到數(shù)據(jù)段地址725的24個(gè)地址位的CRC碼(糾錯(cuò)碼)，或者是用于從段信息727到物理段次序信息724的24個(gè)地址位的CRC碼，并且即使當(dāng)擺動(dòng)調(diào)制信號(hào)被部分地錯(cuò)誤讀取時(shí)，也可由該CRC碼726來進(jìn)行部分的校正。
在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，把與剩余15個(gè)地址位相對(duì)應(yīng)的區(qū)分配到統(tǒng)一區(qū)609，并且由所有NWP來定義第12到第16的五個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的內(nèi)容(不包括調(diào)制區(qū)598)。
在圖26-(c)中的物理段塊地址728是用于每個(gè)物理段塊(其通過七個(gè)物理段形成一個(gè)單元)的地址，并且把用于在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中的第一物理段塊的物理段地址設(shè)置成“1358h”。該物理段塊地址的值從數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中的第一物理段塊到數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO以及數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的最后物理段塊被順序地加一。
物理段次序信息724代表在一個(gè)物理段塊中的物理段的次序?yàn)榈谝晃锢矶卧O(shè)置“0”，為最后物理段設(shè)置“6”。
在圖26-(c)中所示的實(shí)施例特征在于物理段塊地址728被分配在物理段次序信息724的頭部位置。例如，一般與在RMD字段1中類似，使用此物理段塊地址來管理地址信息。如圖18所示的擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135首先檢測(cè)如圖26-(c)所示的擺動(dòng)同步區(qū)580的位置，隨后從緊接在擺動(dòng)同步區(qū)580之后所記錄的位置開始依次順序地對(duì)信息解碼。當(dāng)物理段塊地址分配在物理段次序信息724的頭部位置時(shí)，由于不對(duì)物理段次序信息724解碼就預(yù)先判定是否可檢測(cè)物理段塊地址，因此可提高使用擺動(dòng)地址的可訪問性。
本實(shí)施例特征還在于類型識(shí)別信息721被分配在緊接圖26-(c)中擺動(dòng)同步區(qū)580之后。如上所述，如圖18所示的擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135首先檢測(cè)如圖26-(c)所示的擺動(dòng)同步區(qū)580的位置，隨后從緊接在擺動(dòng)同步區(qū)580之后所記錄的位置開始依次順序地對(duì)信息解碼。因此，通過把類型識(shí)別信息721分配在緊接擺動(dòng)同步區(qū)580之后，由于可立即確認(rèn)在物理段中調(diào)制區(qū)的分配位置，因此可以加速使用擺動(dòng)地址的訪問處理。
由于本實(shí)施例使用了H格式，因此擺動(dòng)信號(hào)頻率的預(yù)定值被設(shè)置成697kHZ。
下面將描述擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的載波電平的最大值(Cwmax)和最小值(Cwmin)的測(cè)量實(shí)例。
由于本實(shí)施例的一次寫入型存儲(chǔ)介質(zhì)使用了CLV(恒定線速度)記錄方法，所以擺動(dòng)相位根據(jù)軌道位置在相鄰軌道之間變化。當(dāng)相鄰軌道之間的擺動(dòng)相位同相時(shí)，擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的載波電平變得最高，即，其采用了最大值(Cwmax)。另一方面，當(dāng)相鄰軌道之間的擺動(dòng)相位反相時(shí)，擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)由于相鄰軌道的串?dāng)_影響而變得最低，并采用了最小值(Cwmin)。因此，從內(nèi)圓周開始以外圓周方向沿軌道循軌時(shí)，要檢測(cè)的擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的載波的幅度在四個(gè)軌道周期內(nèi)變化。
在本實(shí)施例中，每四個(gè)軌道檢測(cè)一次擺動(dòng)載波信號(hào)來測(cè)量每四個(gè)軌道的最大值(Cwmax)和最小值(Cwmin)。一對(duì)最大值(Cwmax)和最小值(Cwmin)被存儲(chǔ)為30或更多對(duì)數(shù)據(jù)。
使用以下計(jì)算公式，根據(jù)最大值(Cwmax)和最小值(Cwmin)的平均值來計(jì)算最大幅度(Wppmax)和最小幅度(Wppmin)。
在以下公式中，R是頻譜分析器的終端電阻。下面將描述用于從Cwmax和Cwmin轉(zhuǎn)換到Wppmax和Wppmin的公式。
在dBm單位系統(tǒng)中，使用0dBm＝1mW作為基準(zhǔn)。產(chǎn)生電功率Wa＝1mW的電壓幅值Vo由下式給出 Wao ＝IVo ＝Vo×Vo/R ＝1/1000W 因此，得到 Vo＝(R/1000)1/2 接著，由頻譜分析器觀察到的擺動(dòng)幅度Wpp[V]與載波電平Cw[dBm]之間的關(guān)系如下。由于Wpp是正弦波，因此如果該幅度轉(zhuǎn)化成均方根值時(shí)，得到 Wpp-rms＝Wpp/(2×21/2) Cw＝20×log(Wpp-rms/Vo)[dBm] 因此，得到 Cw＝10×log(Wpp-rms/Vo)2 因此，上述公式進(jìn)行對(duì)數(shù)變換可得 (Wpp-rms/Vo)2 ＝10(Cw/10) ＝{[Wpp/(2×21/2)]/Vo}2 ＝{[Wpp/(2×21/2)]/(R/1000)1/2}2 ＝(Wpp2/8)/(R/1000) Wpp2 ＝(8×R)/1000×10(Cw/10) ＝8×R×10(-3)×10(Cw/10) ＝8×R×10(Cw/10)-3 Wpp＝{8×R×10(Cw/10)-3}1/2 (37) 如上所述，本實(shí)施例提供了以下效果。
(1)擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的幅度最小值(Wppmin)與(I1-I2)pp之比作為循軌誤差信號(hào)被設(shè)置成0.1或更多，可獲得比循軌誤差信號(hào)的動(dòng)態(tài)范圍充分大的擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)，并從而確保擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的高檢測(cè)精度。
(2)由于擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)幅度的最大值(Wppmax)與最小值(Wppmin)之比被設(shè)置成2.3或更小，因此可穩(wěn)定地檢測(cè)擺動(dòng)信號(hào)，而不會(huì)受到來自相鄰軌道的擺動(dòng)串?dāng)_的任何大的影響。
(3)由于PRSNR值作為擺動(dòng)信號(hào)的平方結(jié)果確保為26dB或更高，因此可確保具有高C/N比的穩(wěn)定的擺動(dòng)信號(hào)，從而提高擺動(dòng)信號(hào)的檢測(cè)精度。
本實(shí)施例的一次寫入信息存儲(chǔ)介質(zhì)通過在溝槽區(qū)上形成記錄標(biāo)記采用了CLV記錄方法。在此情況下，如上所述，由于相鄰軌道的擺動(dòng)槽位置有偏離，因此相鄰擺動(dòng)之間的干擾容易疊加在擺動(dòng)重放信號(hào)上。為了消除此影響，本實(shí)施例設(shè)計(jì)來對(duì)調(diào)制區(qū)移位，從而使得相鄰軌道之間不會(huì)互相重疊。
通過轉(zhuǎn)換單個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中的位置來設(shè)置與調(diào)制區(qū)相關(guān)聯(lián)的實(shí)際主要位置和次要位置。在本實(shí)施例中，由于把非調(diào)制區(qū)的占有率設(shè)置的高于調(diào)制區(qū)，因此通過僅僅改變單個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中的位置就可轉(zhuǎn)換主要位置和次要位置。更具體地說，如圖25A和25C所示，調(diào)制區(qū)598分配在一個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)中的頭部位置，并且如圖25B和25D所示，調(diào)制區(qū)598分配在次要位置702處擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元560到571的每一個(gè)中的后半部位置。
在本實(shí)施例中，在圖25中所示主要位置701和次要位置702的適合范圍，即連續(xù)出現(xiàn)主要位置或次要位置的范圍被指定為物理段的范圍。即，如圖26所示，提供了在單個(gè)物理段中調(diào)制區(qū)的三種(多種)分配模式。當(dāng)圖18中的擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135根據(jù)物理段的類型識(shí)別信息721的信息來識(shí)別物理段中調(diào)制區(qū)的分配模式時(shí)，可預(yù)知單個(gè)物理段中另一調(diào)制區(qū)598的位置。因此，可以提前準(zhǔn)備對(duì)將出現(xiàn)的調(diào)制區(qū)的檢測(cè)，從而提高調(diào)制區(qū)中的信號(hào)檢測(cè)(確定)精度。
下面將描述如上所述的一種用于在其地址信息被提前記錄的物理段或物理段塊中記錄前述數(shù)據(jù)段數(shù)據(jù)的方法。在可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)和一次寫入信息存儲(chǔ)介質(zhì)兩者上，在作為用于連續(xù)記錄數(shù)據(jù)的單元的記錄簇單元中記錄數(shù)據(jù)。以這種方式，由于代表重寫單元的記錄簇具有由一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)段組成的結(jié)構(gòu)，因此PC數(shù)據(jù)(PC文件)(其通常以小數(shù)據(jù)尺寸來頻繁地重寫)和AV數(shù)據(jù)(AV文件)(其一次性連續(xù)地把大容量的數(shù)據(jù)記錄在單個(gè)信息存儲(chǔ)介質(zhì)上)的混合記錄處理可以更加容易。更具體地說，作為用于個(gè)人計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)，通常頻繁地重寫相對(duì)比較小尺寸的數(shù)據(jù)。因此，當(dāng)把重寫或附加記錄數(shù)據(jù)單元設(shè)置得盡可能小時(shí)，可以提供適合于PC數(shù)據(jù)的記錄方法。在本實(shí)施例中，由于32個(gè)物理扇區(qū)形成一個(gè)ECC塊，因此其僅僅包括一個(gè)ECC塊并用于執(zhí)行重寫或附加記錄處理的數(shù)據(jù)段單元成為最小單元，其允許高效重寫或附加記錄處理。因此，本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)(其包括在代表重寫單元或附加記錄單元的記錄簇中的一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)段)用作適合于PC數(shù)據(jù)(PC文件)的記錄結(jié)構(gòu)。作為AV(視聽)數(shù)據(jù)，非常大的容量的視頻信息和音頻信息必須被沒有中斷地連續(xù)記錄。在此情況下，把要連續(xù)記錄的數(shù)據(jù)一起記錄成為一個(gè)記錄簇。如果隨機(jī)移位量、數(shù)據(jù)段中的結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)段的屬性等等對(duì)于記錄AV數(shù)據(jù)時(shí)形成一個(gè)記錄簇的每個(gè)數(shù)據(jù)段發(fā)生轉(zhuǎn)換，則轉(zhuǎn)換處理需要很長(zhǎng)時(shí)間，并且難以達(dá)到連續(xù)記錄處理。在本實(shí)施例中，由于通過連續(xù)布置相同格式的數(shù)據(jù)段(沒有改變屬性或隨機(jī)移位量，也沒有在相鄰數(shù)據(jù)段之間插入任何指定信息)來形成記錄簇，因此可提供適合于用來連續(xù)記錄大量數(shù)據(jù)的AV數(shù)據(jù)記錄的記錄格式。同樣，簡(jiǎn)化了記錄簇的結(jié)構(gòu)，以簡(jiǎn)化信息記錄/重放設(shè)備或信息重放設(shè)備的記錄控制電路和重放檢測(cè)電路，從而減小信息記錄/重放設(shè)備或信息重放設(shè)備的成本。只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)和一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)都采用記錄簇540中的相同數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)(除開擴(kuò)展保護(hù)字段528外)。由于數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)對(duì)所有類型的信息存儲(chǔ)介質(zhì)是相同的，而不考慮只讀/一次寫入/可重寫介質(zhì)，因此確保了介質(zhì)之間的可兼容性，并且可對(duì)信息記錄/重放設(shè)備或信息重放設(shè)備的檢測(cè)電路進(jìn)行同一化，從而確保高重放可靠性并達(dá)到成本降低。
可重寫介質(zhì)的保護(hù)區(qū)包括后同步碼區(qū)、額外區(qū)、緩沖區(qū)、VFO區(qū)、和預(yù)同步區(qū)，僅僅在連續(xù)記錄結(jié)束位置處分配擴(kuò)展保護(hù)字段。本實(shí)施例特征在于執(zhí)行重寫或附加記錄處理以使得在背面的擴(kuò)展保護(hù)字段和VFO區(qū)在重寫處理時(shí)在重疊位置部分地互相重疊。通過執(zhí)行重寫或附加記錄處理使得擴(kuò)展保護(hù)字段和VFO區(qū)部分地互相重疊，可以防止相鄰記錄簇之間形成間隙(沒有形成記錄標(biāo)記的區(qū))以消除允許在單面雙記錄層上進(jìn)行記錄的信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的層間串?dāng)_，從而穩(wěn)定地檢測(cè)重放信號(hào)。
本實(shí)施例的一個(gè)數(shù)據(jù)段中的可重寫數(shù)據(jù)大小總計(jì)為 67+4+77376+2+4+16＝77469(數(shù)據(jù)字節(jié)) 一個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元560由如下組成 6+4+6+68＝84(擺動(dòng)) 如圖30所示，17個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元形成一個(gè)物理段550，并且七個(gè)物理段550到556的長(zhǎng)度匹配一個(gè)數(shù)據(jù)段531的長(zhǎng)度。因此，在一個(gè)數(shù)據(jù)段531的長(zhǎng)度之內(nèi)分配了 84×17×7＝9996(擺動(dòng)) 因此，從上面的等式，一個(gè)擺動(dòng)對(duì)應(yīng)于 77496÷9996＝7.75(數(shù)據(jù)字節(jié)/擺動(dòng)) 從物理段的頭部位置起24個(gè)擺動(dòng)之后，在下一VFO區(qū)522與擴(kuò)展保護(hù)字段528之間出現(xiàn)了重疊部分。在此情況下，從物理段550的頭部到第16個(gè)擺動(dòng)，這些擺動(dòng)落入擺動(dòng)同步區(qū)580之內(nèi)，但后續(xù)68個(gè)擺動(dòng)落入非調(diào)制區(qū)590之內(nèi)。因此，在24個(gè)擺動(dòng)之后下一VFO區(qū)522與擴(kuò)展保護(hù)字段528之間的重疊部分落入非調(diào)制區(qū)590之內(nèi)。以這種方式，通過把數(shù)據(jù)段的頭部位置放置在從物理段的頭部位置起的24個(gè)擺動(dòng)之后，不僅重疊部分落入非調(diào)制區(qū)590之內(nèi)，而且可以確保擺動(dòng)同步區(qū)580的適合的檢測(cè)時(shí)間和記錄處理的準(zhǔn)備時(shí)間，從而保證穩(wěn)定、精確的記錄處理。
本實(shí)施例中可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄膜使用相變記錄膜。由于記錄膜的劣化從相變記錄膜上的重寫開始/結(jié)束位置的附近開始，因此，如果在相同位置重復(fù)記錄開始/記錄結(jié)束，則由于記錄膜的劣化而限制了重寫次數(shù)。在本實(shí)施例中，為了減少上述問題，記錄開始位置在重寫時(shí)隨機(jī)移位Jm+1/12個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)。
在上面的描述中，擴(kuò)展保護(hù)字段的頭部位置匹配VFO區(qū)的頭部位置以說明基本原理。然而，嚴(yán)格地講，VFO區(qū)的頭部位置被隨機(jī)地移位。
作為現(xiàn)有可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)的DVD-RAM盤使用相變記錄膜作為記錄膜，并隨機(jī)地移位記錄開始/結(jié)束位置來提高重寫次數(shù)。在現(xiàn)有DVD-RAM盤上進(jìn)行隨機(jī)移位時(shí)的最大移位量范圍被設(shè)置成8個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)。在現(xiàn)有DVD-RAM盤上的平均通道位長(zhǎng)度(作為調(diào)制后要記錄在該盤上的數(shù)據(jù))被設(shè)置成0.143μm。在本實(shí)施例的可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，平均通道位長(zhǎng)度是(0.087+0.093)÷2＝0.090(μm)。當(dāng)把物理移位范圍的長(zhǎng)度設(shè)置為等于現(xiàn)有DVD-RAM盤的物理移位范圍的長(zhǎng)度時(shí)，在本實(shí)施例中作為隨機(jī)移位范圍的最小所需長(zhǎng)度(使用上述值)為 8字節(jié)×(0.143μm÷0.090μm)＝12.7字節(jié) 在本實(shí)施例中，為了確保容易的重放信號(hào)檢測(cè)處理，把隨機(jī)移位量的單位設(shè)置成等于調(diào)制后的“通道位”。由于本實(shí)施例使用8位轉(zhuǎn)換到12位作為調(diào)制結(jié)果的ETM調(diào)制(八到十二調(diào)制)，因此使用以下數(shù)據(jù)字節(jié)來數(shù)學(xué)地表達(dá)隨機(jī)移位量 Jm/12(數(shù)據(jù)字節(jié)) 作為Jm可采用的值，使用上面的等式的值， 12.7×12＝152.4 因此，Jm落入從0到152的范圍內(nèi)。由于上述原因，在上述等式支持的范圍內(nèi)，隨機(jī)移位范圍的長(zhǎng)度匹配現(xiàn)有DVD-RAN盤的隨機(jī)移位范圍的長(zhǎng)度，并可保證與現(xiàn)有DVD-RAN盤的重寫次數(shù)相同重寫次數(shù)。在本實(shí)施例中，為了確保重寫次數(shù)大于現(xiàn)有DVD-RAN盤的重寫次數(shù)，向最小所需長(zhǎng)度提供微小裕量來設(shè)置 隨機(jī)移位范圍的長(zhǎng)度＝14(數(shù)據(jù)字節(jié)) 從這些等式，由于14×12＝168，因此Jm可采用的值設(shè)置成在 0到167之內(nèi)。
如上所述，由于隨機(jī)移位量設(shè)置成比Jm/12(0≤Jm≤154)大的范圍，因此關(guān)于隨機(jī)移位量的物理移位范圍的長(zhǎng)度匹配現(xiàn)有DVD-RAN的該長(zhǎng)度，從而確保與現(xiàn)有DVD-RAN盤具有相同的重復(fù)記錄次數(shù)。
在記錄簇中的緩沖區(qū)和VFO區(qū)的長(zhǎng)度是常數(shù)。在單個(gè)記錄簇中所有數(shù)據(jù)段的隨機(jī)移位量Jm在任何地方都具有相同的值。在連續(xù)記錄包括大量數(shù)據(jù)段的一個(gè)記錄簇時(shí)，從擺動(dòng)來監(jiān)視記錄位置。即，在檢測(cè)如圖26-(a)到26-(c)所示擺動(dòng)同步區(qū)580的位置和對(duì)圖25B和25D所示非調(diào)制區(qū)592和593中的擺動(dòng)計(jì)數(shù)的同時(shí)，執(zhí)行對(duì)信息存儲(chǔ)介質(zhì)上記錄位置的確認(rèn)和執(zhí)行記錄。此時(shí)，由于旋轉(zhuǎn)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)的擺動(dòng)計(jì)數(shù)錯(cuò)誤或旋轉(zhuǎn)不均衡，偶然會(huì)出現(xiàn)擺動(dòng)滑移(以在移位了一個(gè)擺動(dòng)周期的位置上記錄)，并且信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的記錄位置移位了。本實(shí)施例的信息存儲(chǔ)介質(zhì)特征在于在檢測(cè)以這種方式產(chǎn)生的記錄位置移位時(shí)，在可重寫介質(zhì)的保護(hù)區(qū)中進(jìn)行調(diào)整來校正記錄定時(shí)。在本實(shí)施例中，已經(jīng)說明了H格式，但是如在后面所描述的在B格式中也采用該基本原理。后同步碼區(qū)、額外區(qū)、和預(yù)同步區(qū)記錄了不允許位省略或復(fù)制的重要信息。然而，由于緩沖區(qū)和VFO區(qū)記錄了特殊樣式的副本，因此只要確保了副本邊界位置，它們就允許僅僅一個(gè)樣式的省略或復(fù)制。因此，在本實(shí)施例中，尤其在保護(hù)區(qū)中的緩沖區(qū)或VFO區(qū)中做出了調(diào)整，從而校正記錄定時(shí)。
在本實(shí)施例中，作為位置設(shè)定的基準(zhǔn)的實(shí)際開始點(diǎn)位置被設(shè)置成與擺動(dòng)幅度“0”的(擺動(dòng)中心)位置相匹配。然而，由于擺動(dòng)位置檢測(cè)精度很低，如描述為“±1max”，因此本實(shí)施例允許實(shí)際開始點(diǎn)位置具有最大值 達(dá)到“±1個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)”的移位量 令Jm作為數(shù)據(jù)段中的隨機(jī)移位量(如上所述，在記錄簇的所有數(shù)據(jù)段中的隨機(jī)移位量相匹配)，并令Jm+1為隨后要附加記錄的數(shù)據(jù)段的隨機(jī)移位量。作為在上面公式中Jm和Jm+1可采用的值，采用了中間值，即Jm＝Jm+1＝84。當(dāng)實(shí)際開始點(diǎn)的位置精度足夠高時(shí)，擴(kuò)展保護(hù)字段的開始位置與VFO區(qū)的開始位置相匹配。
相反，當(dāng)在極靠后位置記錄數(shù)據(jù)段，并且在極靠前位置記錄隨后要附加記錄或重寫的數(shù)據(jù)段時(shí)，VFO區(qū)的頭部位置可進(jìn)入緩沖區(qū)最大15個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)。緊接在緩沖區(qū)之前的額外區(qū)記錄特殊的重要信息。因此，在本實(shí)施例中，緩沖區(qū)長(zhǎng)度需要 15個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)或更多 在本實(shí)施例中，添加了一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)的裕量，并把緩沖區(qū)的數(shù)據(jù)大小設(shè)置成16個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)。
如果作為隨機(jī)移位的結(jié)果在擴(kuò)展保護(hù)字段與VFO區(qū)之間形成了間隙，則導(dǎo)致了在采用單面雙記錄層結(jié)構(gòu)時(shí)所重放中的層間串?dāng)_。因此，即使進(jìn)行了隨機(jī)移位，擴(kuò)展保護(hù)字段和VFO區(qū)也部分地互相重疊以不會(huì)形成任何間隙。因此，在本實(shí)施例中，擴(kuò)展保護(hù)字段的長(zhǎng)度必須設(shè)置成15個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)或更多。由于VFO區(qū)允許具有71個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)的充分大的長(zhǎng)度，因此即使當(dāng)擴(kuò)展保護(hù)字段與VFO區(qū)之間的重疊區(qū)更寬一點(diǎn)的時(shí)候(由于保證了未重疊VFO區(qū)中充分長(zhǎng)的時(shí)間來對(duì)重放基準(zhǔn)時(shí)鐘同步)，重放中也不會(huì)出現(xiàn)問題。因此擴(kuò)展保護(hù)字段可以設(shè)置為具有大于15個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)的值。如上所述，在連續(xù)記錄的情況下，偶然發(fā)生擺動(dòng)滑移，記錄位置移動(dòng)一個(gè)擺動(dòng)周期。由于一個(gè)擺動(dòng)周期對(duì)應(yīng)于7.75(≈8)個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)，因此本實(shí)施例把擴(kuò)展保護(hù)字段的長(zhǎng)度設(shè)置成 (15+8＝)23數(shù)據(jù)字節(jié)或更多 在本實(shí)施例中，如在緩沖區(qū)中那樣為一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)添加裕量，并把擴(kuò)展保護(hù)字段的長(zhǎng)度設(shè)置成24個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)。
必須精確設(shè)置記錄簇541的記錄開始位置。本實(shí)施例的信息記錄/重放設(shè)備使用提前記錄在可重寫或一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的擺動(dòng)信號(hào)來檢測(cè)該記錄開始位置。在除開擺動(dòng)同步區(qū)以外的全部區(qū)中，樣式從NPW到IPW改變了四個(gè)擺動(dòng)。相反，由于擺動(dòng)轉(zhuǎn)換單元從擺動(dòng)同步區(qū)中的四個(gè)擺動(dòng)部分地移位，因此，可更加容易地檢測(cè)擺動(dòng)同步區(qū)的位置。因此，在檢測(cè)擺動(dòng)同步區(qū)的位置之后，本實(shí)施例的信息記錄/重放設(shè)備執(zhí)行記錄處理的準(zhǔn)備，并開始記錄。為此，記錄簇的開始位置必須位于緊接在擺動(dòng)同步區(qū)之后的未調(diào)制區(qū)中。在此情況下，把擺動(dòng)同步區(qū)分配在緊接物理段的轉(zhuǎn)換之后。擺動(dòng)同步區(qū)的長(zhǎng)度總計(jì)為16個(gè)擺動(dòng)周期。此外，考慮用于準(zhǔn)備記錄處理的裕量，需要八個(gè)擺動(dòng)周期。因此，即使考慮隨機(jī)移位，位于記錄簇的頭部位置處的VFO區(qū)的頭部位置也必須分配在物理段轉(zhuǎn)換位置之后24個(gè)或更多個(gè)擺動(dòng)的位置處。
在重寫處理時(shí)的重疊位置，記錄處理重復(fù)了許多次。當(dāng)重復(fù)重寫處理時(shí)，擺動(dòng)溝槽或擺動(dòng)槽岸的物理形狀發(fā)生改變(劣變)，擺動(dòng)重放信號(hào)的質(zhì)量從那里下降。在本實(shí)施例中，寫入或附加記錄處理時(shí)的重疊位置避免記錄在擺動(dòng)同步區(qū)和擺動(dòng)地址區(qū)中，而是記錄在非調(diào)制區(qū)中。由于給出的擺動(dòng)樣式(NPW)僅僅在非調(diào)制區(qū)內(nèi)重復(fù)，因此即使在擺動(dòng)重放信號(hào)質(zhì)量部分劣變時(shí)，也可使用相鄰擺動(dòng)重放信號(hào)來插入劣變的擺動(dòng)重放信號(hào)。由于重寫或附加記錄處理時(shí)的重疊位置設(shè)置到位于非調(diào)制區(qū)，因此可以避免擺動(dòng)同步區(qū)或擺動(dòng)地址區(qū)中由于形狀劣變而引起的擺動(dòng)重放信號(hào)質(zhì)量的劣變，并且可以保證來自擺動(dòng)地址信息的穩(wěn)定的擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)。
已經(jīng)大體描述了單面單層信息存儲(chǔ)介質(zhì)。下面將描述單面多層(此情況下是單面雙層)一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)。將省略與單面單層介質(zhì)相同構(gòu)造的描述，僅僅說明不同之處。
《測(cè)量條件》 本規(guī)范確定了存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，并且在存儲(chǔ)介質(zhì)的發(fā)行之前必須測(cè)試每個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)是否滿足本規(guī)范。為此，需要用來測(cè)量盤特性的設(shè)備，本規(guī)范也確定了測(cè)量設(shè)備的測(cè)量條件。用來測(cè)量介質(zhì)特性的光頭的特性規(guī)定如下 波長(zhǎng)(λ)405±5nm 偏振圓偏振光 偏振分束器使用 數(shù)值孔徑0.65±0.01 在物鏡的光瞳邊緣的光強(qiáng)最大強(qiáng)度水平的55％到70％ 在穿過理想基片后的波前像差0.033λ(最大值) 在盤上的規(guī)格化檢測(cè)器尺寸100＜A/M2＜144μm2 其中 A光頭的中央檢測(cè)器區(qū) M從盤到檢測(cè)器的橫向放大率 在接近物鏡側(cè)的位置而不是焦點(diǎn)位置處必須設(shè)置光電檢測(cè)器。這是為了確定光電檢測(cè)器絕對(duì)必要地處在焦點(diǎn)位置之前，以抑制由于取決于光電檢測(cè)器位置的層間串?dāng)_的影響所引起的檢測(cè)值變動(dòng)的產(chǎn)生。注意，焦點(diǎn)位置是在來自盤的反射光路中光學(xué)系統(tǒng)的圖像點(diǎn)。
激光二極管的相對(duì)強(qiáng)度噪聲(RIN)*-125dB/Hz(最大值)。
*RIN(dB/Hz)＝10log[(AC輸出密度/Hz)/DC輸出] 《單面雙層一次寫入型盤的斷面結(jié)構(gòu)》 圖27是單面雙層一次寫入盤的斷面圖。單面雙層盤具有在從物鏡射出的激光束7的光入射平面(讀取表面)一面由聚碳酸酯制成的第一透光基片2-3。該第一透光基片2-3具有對(duì)于激光束的波長(zhǎng)的半透明性。該激光束波長(zhǎng)為405(±5)nm。
在與第一透光基片2-3的光入射面相對(duì)的平面上形成第一記錄層(層0)3-3。在第一記錄層3-3上形成與記錄信息相對(duì)應(yīng)的凹坑。在第一記錄層3-3上形成光半透明層4-3。
在光半透明層4-3上形成間隔層7。該間隔層7用作層1的透光基片，并且具有對(duì)于激光束波長(zhǎng)的半透明性。
在與間隔層7的光入射面相對(duì)的表面上形成第二記錄層(層1)3-4。在第二記錄層3-4上形成與記錄信息相對(duì)應(yīng)的凹坑。在第二記錄層3-4上形成光反射層4-4。在光反射層4-4上形成基片8。
《間隔層7的厚度》 該單面雙層一次寫入型盤中的間隔層7的厚度是25.0±5.0μm。如果間隔層7較薄就會(huì)使層間串?dāng)_較大，這使得難于制造。因此規(guī)定了一定厚度。在單面雙層只讀型存儲(chǔ)介質(zhì)中，間隔層7的厚度是20.0±5.0μm。因?yàn)橐淮螌懭胄陀涗浗橘|(zhì)具有比只讀型介質(zhì)更大的層間串?dāng)_影響，所以該一次寫入型介質(zhì)的間隔層7被制成比只讀型記錄介質(zhì)的稍微厚一點(diǎn)，并且規(guī)定間隔層7厚度的中心值為25μm或更大。
《包括雙折射的反射率》 “H→L”盤的系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)的反射率是4.5％到9.0％，而“L→H”盤的系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)的反射率是4.5％到9.0％。
“H→L”盤的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、中間區(qū)和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的反射率是4.5％到9.0％，而“L→H”盤的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、中間區(qū)和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的反射率是4.5％到9.0％。
反射率越高越好，但它是有限制的，并且確定重復(fù)重放次數(shù)和重放信號(hào)特性來滿足預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)。由于層0的記錄層必須是半透明的，因此它的反射率低于單層介質(zhì)的反射率。
《層間串?dāng)_》 如上面所述，單面多層存儲(chǔ)介質(zhì)有從另一層反射來的光對(duì)重放信號(hào)有影響的問題。更具體地說，當(dāng)重放一個(gè)層(例如，層1)時(shí)，如果在照射了層1的重放光束的其它層(例如層0)上的信號(hào)的記錄狀態(tài)發(fā)生了改變，則重放期間層1的信號(hào)由于層間串?dāng)_而偏移，從而出現(xiàn)問題。在層1上記錄信號(hào)時(shí)，最佳記錄功率根據(jù)層0已被記錄還是仍未被記錄而變化，從而出現(xiàn)另一問題。這些問題的發(fā)生是由于層0的存儲(chǔ)介質(zhì)透射比和反射率根據(jù)記錄狀態(tài)或非記錄狀態(tài)而改變，以及由于抑制光學(xué)相差而導(dǎo)致的對(duì)間隔層厚度增加的限制。物理地減小這些特性非常困難。為了解決這些問題，本發(fā)明的光盤的典型特征在于由于在每個(gè)層上形成余隙(記錄狀態(tài)恒定區(qū))因此盤沒有任何信號(hào)偏移。
《常規(guī)參數(shù)》 表5示出單面雙層一次寫入型盤的常規(guī)參數(shù)與單面單層一次寫入型盤的常規(guī)參數(shù)比較。
表5一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的常規(guī)參數(shù)設(shè)置示例 (A)表示在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLDO中的數(shù)值 (B)表示在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI、數(shù)據(jù)區(qū)DTA、中間區(qū)、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO中的數(shù)值 單面雙層一次寫入型盤的常規(guī)參數(shù)除開以下幾點(diǎn)之外基本與單層盤的常規(guī)參數(shù)相同。用戶可使用的記錄容量是30GB，數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)半徑是24.6mm(層0)和24.7mm(層1)，數(shù)據(jù)區(qū)的外半徑是58.1mm(層0和層1相同)。
《信息區(qū)的格式》 形成來擴(kuò)展到兩個(gè)層的信息區(qū)包括七個(gè)區(qū)系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)、連接區(qū)、數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)、系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)、和中間區(qū)。由于中間區(qū)形成在每個(gè)層上，重放光束可以從層0移動(dòng)到層1(見圖38)。數(shù)據(jù)區(qū)記錄主數(shù)據(jù)。系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)包括控制數(shù)據(jù)和基準(zhǔn)碼。數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)允許連續(xù)、平滑的讀出處理。
《導(dǎo)出區(qū)》 系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)包括由凸紋凹坑定義的軌道。層0的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、和中間區(qū)，以及層1的中間區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)包括溝槽軌道。溝槽軌道從層0的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)的開始位置持續(xù)到中間區(qū)的結(jié)束位置，還從層1的中間區(qū)的開始位置持續(xù)到數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的結(jié)束位置。通過粘合單面雙層盤，可形成具有兩個(gè)讀出表面的雙面雙層盤。
在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)中的各個(gè)軌道被劃分成數(shù)據(jù)段。
在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)、和中間區(qū)中的軌道被劃分成PS塊。每個(gè)PS塊分成七個(gè)物理段。每個(gè)物理段有11067個(gè)字節(jié)。
《導(dǎo)入?yún)^(qū)、導(dǎo)出區(qū)》 圖35示出導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)的簡(jiǎn)圖。導(dǎo)入?yún)^(qū)、導(dǎo)出區(qū)、和中間區(qū)的各個(gè)帶和區(qū)的邊界必須與數(shù)據(jù)段的邊界相匹配。
在層0的內(nèi)圓周側(cè)上從最內(nèi)圓周起依次形成系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)、連接區(qū)、數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、和數(shù)據(jù)區(qū)。在層1的內(nèi)圓周側(cè)上從最內(nèi)圓周起依次形成系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)、連接區(qū)、數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)、和數(shù)據(jù)區(qū)。以這種方式，由于包括管理區(qū)的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)只形成在層0上，因此當(dāng)層1最終完成時(shí)，層1的信息也被寫入層0的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中。以這種方式，可通過啟動(dòng)時(shí)僅僅讀取層0來獲得管理信息的所有片段，而不需要讀取層0和層1的每一個(gè)。為了在層1上記錄數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)必須完全記錄在層0上。在最終完成的時(shí)刻管理區(qū)被填滿。
層0的系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)從內(nèi)圓周側(cè)起依次包括初始帶、緩沖帶、控制數(shù)據(jù)帶和緩沖帶。層0的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)從內(nèi)圓周側(cè)起依次包括空白帶、保護(hù)軌道帶、驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、盤測(cè)試帶、空白帶、RMD復(fù)制帶、L-RMD(記錄位置管理數(shù)據(jù))、R物理格式信息帶、和基準(zhǔn)碼帶。層0的數(shù)據(jù)區(qū)的開始地址(內(nèi)圓周側(cè))由于余隙的存在而與層1的數(shù)據(jù)區(qū)的結(jié)束地址(內(nèi)圓周側(cè))不同，層1的數(shù)據(jù)區(qū)的結(jié)束地址(內(nèi)圓周側(cè))位于層0的數(shù)據(jù)區(qū)的開始地址(內(nèi)圓周側(cè))的外圓周側(cè)上。
層1的數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)從內(nèi)圓周側(cè)起依次包括空白帶、盤測(cè)試帶、驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、和保護(hù)軌道帶。
空白帶是其上形成溝槽但沒有記錄數(shù)據(jù)的帶。保護(hù)軌道帶記錄用于測(cè)試的特殊樣式，即調(diào)制前的數(shù)據(jù)“00”。形成層0的保護(hù)軌道帶來在層1的盤測(cè)試帶和驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶上進(jìn)行記錄。因此，層0的保護(hù)軌道帶對(duì)應(yīng)于通過至少向?qū)?的盤測(cè)試帶和驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶添加余隙所定義的范圍。形成層1的保護(hù)軌道帶來在層0的驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、盤測(cè)試帶、空白帶、RMD復(fù)制帶、L-RMD、R物理格式信息帶、和基準(zhǔn)碼帶上進(jìn)行記錄。因此，層1的保護(hù)軌道帶對(duì)應(yīng)于通過至少向?qū)?的驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、盤測(cè)試帶、空白帶、RMD復(fù)制帶、L-RMD、R物理格式信息帶、和基準(zhǔn)碼帶添加余隙所定義的范圍。
《軌道路徑》 本實(shí)施例采用圖37所示的相反軌道路徑來保持從層0到層1的記錄的連續(xù)性。在順序的記錄中，只有層0上的記錄完成時(shí)才開始層1上的記錄。
《物理扇區(qū)布局和物理扇區(qū)號(hào)》 每個(gè)PS塊包括32個(gè)物理扇區(qū)。在針對(duì)單面雙層盤的HD DVD-R上的層0的物理扇區(qū)號(hào)(PSN)在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)中被相繼地遞增，并且范圍從數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)的開始到中間區(qū)的結(jié)束，如圖38所示。然而，層1的PSN采用對(duì)層0的PSN反轉(zhuǎn)的位，并且從中間區(qū)的開始(外側(cè))向數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的結(jié)束(內(nèi)側(cè))以及從系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)的外側(cè)向系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)的內(nèi)側(cè)相繼地遞增。
計(jì)算位反轉(zhuǎn)的數(shù)值來使得位值“1”變成“0”(反之亦然)。其PSN進(jìn)行了位反轉(zhuǎn)的各個(gè)層的物理扇區(qū)具有離盤中心近似相同的距離。
其PSN為X的物理扇區(qū)被包括在具有PS塊地址的PS塊中，該P(yáng)S塊地址具有通過把X除以32并省略了分?jǐn)?shù)而計(jì)算得出的值。
計(jì)算系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)的PSN來具有在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)的結(jié)束位置處的物理扇區(qū)的PSN，該P(yáng)SN為“131071”(01 FFFFh)。
計(jì)算除開系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)之外的層0的PSN來具有在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)之后的數(shù)據(jù)區(qū)的開始位置處的物理扇區(qū)的PSN，該P(yáng)SN為“262144”(040000h)。除開系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)，計(jì)算層1的PSN來具有在中間區(qū)之后的數(shù)據(jù)區(qū)的開始位置處的物理扇區(qū)的PSN，該P(yáng)SN為“9184256”(8C2400h)。
《物理段結(jié)構(gòu)》 數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)和中間區(qū)包括物理段。每個(gè)物理段由物理段次序和PS塊地址來指定。
《導(dǎo)入?yún)^(qū)的結(jié)構(gòu)》 圖28示出層0的導(dǎo)入?yún)^(qū)的結(jié)構(gòu)。在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)中，從內(nèi)圓周側(cè)起依次分配系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)、初始帶、緩沖帶、控制數(shù)據(jù)帶、和緩沖帶。在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中，從內(nèi)圓周側(cè)起依次分配數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、空白帶、保護(hù)軌道帶、驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、盤測(cè)試帶、空白帶、RMD復(fù)制帶、數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的記錄管理帶(L-RMZ)、R物理格式信息帶、和基準(zhǔn)碼帶。
《系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)的詳情》 初始帶包括凸紋數(shù)據(jù)段。作為初始帶的數(shù)據(jù)段而記錄的數(shù)據(jù)幀的主數(shù)據(jù)被設(shè)置成“00h”。
緩沖帶包括32個(gè)數(shù)據(jù)段，即1024個(gè)物理扇區(qū)。作為該帶的數(shù)據(jù)段而記錄的數(shù)據(jù)幀的主數(shù)據(jù)被設(shè)置成“00h”。
控制數(shù)據(jù)帶包括凸紋數(shù)據(jù)段。每個(gè)數(shù)據(jù)段包括凸紋控制數(shù)據(jù)?？刂茢?shù)據(jù)包括192個(gè)數(shù)據(jù)段來具有PSN＝“123904”(01 E400h)作為開始點(diǎn)。
表6示出在控制數(shù)據(jù)帶中的物理格式信息。
表6物理格式信息 注釋BP0到BP31是DVD族共用的數(shù)據(jù) BP32到BP2047是對(duì)每個(gè)塊唯一的數(shù)據(jù) 下面將描述各個(gè)字節(jié)位置(BP)的功能。在BP132到BP154示出的讀取功率、記錄速度、數(shù)據(jù)區(qū)的反射率、推挽信號(hào)、和軌道上信號(hào)的值是示例。盤制造商可從滿足凸紋信息規(guī)范的值以及記錄之后的用戶數(shù)據(jù)的特征值中選擇它們的實(shí)際值。
表7示出在BP4到BP15中的數(shù)據(jù)區(qū)布置的詳情。
表7數(shù)據(jù)區(qū)分配 BP149和BP152規(guī)定層0和層1的數(shù)據(jù)區(qū)的反射率值。例如，00001010b表示5％。實(shí)際反射率值由下式規(guī)定 實(shí)際反射率＝值×(1/2) BP150和BP153規(guī)定層0和層1的推挽信號(hào)值。位b7規(guī)定各個(gè)層的盤的軌道形狀。位b6到b0規(guī)定推挽信號(hào)的幅度。
軌道形狀0b(溝槽上的軌道) 1b(槽岸上的軌道) 推挽信號(hào)例如，010 1000表示0.40。
推挽信號(hào)的實(shí)際幅度由下式規(guī)定 推挽信號(hào)的實(shí)際幅度＝值×(1/100) BP151和BP154規(guī)定層0和層1的軌道上信號(hào)的幅度值。
軌道上信號(hào)例如，0100 0110b表示0.70。
軌道上信號(hào)的實(shí)際幅度由下式規(guī)定 軌道上信號(hào)的實(shí)際幅度＝值×(1/100) 《連接區(qū)》 形成層0的連接區(qū)以便連接系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)和數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)。其PSN＝“01 FFFFh”的系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)的結(jié)束物理扇區(qū)的中心線與其PSN＝“026B00h”的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)的開始物理扇區(qū)的中心線之間的距離在從1.36到5.10μm的范圍之內(nèi)。在單層介質(zhì)的情況下，上限值是10.20μm。這是因?yàn)橛捎诖嬖趯娱g串?dāng)_，雙層介質(zhì)應(yīng)當(dāng)有更小的距離。連接區(qū)既沒有凸紋凹坑也沒有溝槽。
《數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)的詳情》 空白帶的每個(gè)數(shù)據(jù)段沒有記錄任何數(shù)據(jù)。
在層1上記錄之前，以“00h”填充保護(hù)軌道帶的每個(gè)數(shù)據(jù)段。
準(zhǔn)備盤測(cè)試帶用于盤制造商進(jìn)行質(zhì)量測(cè)試。
準(zhǔn)備驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶來用于由驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行的測(cè)試。該帶必須從外部PS塊記錄到內(nèi)部PS塊。該帶的所有數(shù)據(jù)段必須在盤最終完成以前進(jìn)行記錄。
RMD復(fù)制帶包括RDZ導(dǎo)入，如圖29所示。必須在記錄L-RMZ的第一RMD之前記錄RDZ導(dǎo)入。必須保留RMD復(fù)制帶的其它字段并以“00h”來填充。RDZ導(dǎo)入具有64KB的大小，必須包括系統(tǒng)保留字段(48KB)和唯一ID(唯一標(biāo)識(shí)符)字段(16KB)。系統(tǒng)保留字段的數(shù)據(jù)設(shè)置成“00h”。唯一ID字段包括八個(gè)單元，每一個(gè)都有大小為2KB的信息。每個(gè)單元包括驅(qū)動(dòng)器制造商ID、序列號(hào)、型號(hào)、唯一盤ID、和保留字段。
在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的記錄管理帶(L-RMZ)必須記錄在從“03 CE00h”到“03 FFFFh”的PSN范圍內(nèi)。記錄管理帶RMZ包括記錄管理數(shù)據(jù)RMD。在盤最終完成之前L-RMZ的未記錄區(qū)必須記錄來具有當(dāng)前記錄管理數(shù)據(jù)RMD。
在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的記錄管理數(shù)據(jù)RMD必須存儲(chǔ)關(guān)于盤記錄位置的信息。RMD的大小是64KB，圖30示出了記錄管理數(shù)據(jù)RMD的數(shù)據(jù)配置。
每個(gè)RMD必須包括2048字節(jié)的主數(shù)據(jù)，并且必須由預(yù)定信號(hào)處理來記錄。
RMD字段0規(guī)定盤的一般信息，表8示出了此字段的內(nèi)容。
表8 BP2的盤狀態(tài)表示如下內(nèi)容。
00h表示盤是空的 01h表示盤在記錄模式1 02h表示盤在記錄模式2 03h表示盤已經(jīng)最終完成 08h表示盤在記錄模式U 其它值保留。
BP3的填充狀態(tài)的各個(gè)位表示如下內(nèi)容。
b7...0b表示層0的內(nèi)圓周側(cè)保護(hù)帶沒有被填充 1b表示層0的內(nèi)圓周側(cè)保護(hù)帶已經(jīng)被填充 b6...0b表示層0的內(nèi)圓周側(cè)測(cè)試帶沒有被填充 1b表示層0的內(nèi)圓周側(cè)測(cè)試帶已經(jīng)被填充 b5...0b表示層0的RMD復(fù)制帶沒有被填充 1b表示層0的RMD復(fù)制帶已經(jīng)被填充 b4...0b表示層0的記錄管理帶沒有被填充 1b表示層0的記錄管理帶已經(jīng)被填充 b3...0b表示層0的外圓周側(cè)保護(hù)帶沒有被填充 1b表示層0的外圓周側(cè)保護(hù)帶已經(jīng)被填充 b2...0b表示層0的外圓周側(cè)測(cè)試帶沒有被填充 1b表示層0的外圓周側(cè)測(cè)試帶已經(jīng)被填充 b1...0b表示層1的外圓周側(cè)保護(hù)帶沒有被填充 1b表示層1的外圓周側(cè)保護(hù)帶已經(jīng)被填充 b0...0b表示層1的內(nèi)圓周側(cè)保護(hù)帶沒有被填充 1b表示層1的內(nèi)圓周側(cè)保護(hù)帶已經(jīng)被填充 RMD字段1包括確定最佳記錄功率所需的最佳功率控制(OPC)相關(guān)信息。RMD字段1可記錄系統(tǒng)中同時(shí)存在最多四個(gè)驅(qū)動(dòng)器的OPC相關(guān)信息，如表9和10所示。
表9RMD字段1 表10RMD字段1 當(dāng)驅(qū)動(dòng)器數(shù)量是1時(shí)，在字段#1中記錄OPC相關(guān)信息，其它字段設(shè)置成“00h”。在任何情況下，RMD字段1的未使用字段設(shè)置成“00h”。當(dāng)前驅(qū)動(dòng)器的OPC相關(guān)信息總是記錄在字段#1中。如果當(dāng)前驅(qū)動(dòng)器的信息(驅(qū)動(dòng)制造商ID、系列號(hào)、型號(hào))不存儲(chǔ)在當(dāng)前RMD的字段#1中，則在當(dāng)前RMD的字段#1到#3中的三組信息被分別復(fù)制到新RMD的字段#2到#4中，并丟棄當(dāng)前RMD的字段#4中的信息。如果當(dāng)前RMD的字段#1存儲(chǔ)了當(dāng)前驅(qū)動(dòng)器信息，則更新字段#1中的信息，并把其它字段中的信息組復(fù)制到新RMD的字段#2到#4中。
在BP72到BP75、BP328到BP331、BP584到BP587以及BP840到BP843中層0的內(nèi)圓周側(cè)測(cè)試帶地址 這些字段的每一個(gè)規(guī)定數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶的最小PS塊地址，該數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)已經(jīng)被執(zhí)行了最新功率校準(zhǔn)。當(dāng)當(dāng)前驅(qū)動(dòng)器在層0的內(nèi)圓周側(cè)測(cè)試帶中沒有執(zhí)行功率校準(zhǔn)時(shí)，當(dāng)前RMD的層0的內(nèi)圓周側(cè)測(cè)試帶地址被復(fù)制到新RMD的內(nèi)圓周側(cè)測(cè)試帶地址中。如果這些字段被設(shè)置成“00h”，則此測(cè)試帶沒有被使用。
在BP76到BP79、BP332到BP335、BP588到BP591以及BP844到BP847中層0的外圓周側(cè)測(cè)試帶地址 這些字段的每一個(gè)規(guī)定層0的中間區(qū)中驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶的最小PS塊地址，該層0的中間區(qū)已經(jīng)被執(zhí)行了最新功率校準(zhǔn)。當(dāng)當(dāng)前驅(qū)動(dòng)器在層0的外圓周側(cè)測(cè)試帶中沒有執(zhí)行功率校準(zhǔn)時(shí)，當(dāng)前RMD的層0的外圓周側(cè)測(cè)試帶地址被復(fù)制到新RMD的外圓周側(cè)測(cè)試帶地址中。如果這些字段被設(shè)置成“00h”，則此測(cè)試帶沒有被使用。
在BP106、BP362、BP618、以及BP874中的測(cè)試帶使用描述符 這些字段規(guī)定四個(gè)測(cè)試帶的使用方法。
各個(gè)位被分配如下。
b7到b4...保留字段 b3...0b該驅(qū)動(dòng)器沒有使用層0的內(nèi)圓周側(cè)測(cè)試帶。
...1b該驅(qū)動(dòng)器使用了層0的內(nèi)圓周側(cè)測(cè)試帶。
b2...0b該驅(qū)動(dòng)器沒有使用層0的外圓周側(cè)測(cè)試帶。
...1b該驅(qū)動(dòng)器使用了層0的外圓周側(cè)測(cè)試帶。
b1...0b該驅(qū)動(dòng)器沒有使用層1的內(nèi)圓周側(cè)測(cè)試帶。
...1b該驅(qū)動(dòng)器使用了層1的內(nèi)圓周側(cè)測(cè)試帶。
b0...0b該驅(qū)動(dòng)器沒有使用層1的外圓周側(cè)測(cè)試帶。
...1b該驅(qū)動(dòng)器使用了層1的外圓周側(cè)測(cè)試帶。
在BP108到BP111、BP364到BP367、BP620到BP623以及BP876到BP879中的層1的內(nèi)圓周側(cè)測(cè)試帶地址 這些字段的每一個(gè)規(guī)定數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)中驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶的最小PS塊地址，該數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)已經(jīng)被執(zhí)行了最新功率校準(zhǔn)。當(dāng)當(dāng)前驅(qū)動(dòng)器在層1的內(nèi)圓周側(cè)測(cè)試帶中沒有執(zhí)行功率校準(zhǔn)時(shí)，當(dāng)前RMD的層1的內(nèi)圓周側(cè)測(cè)試帶地址被復(fù)制到新RMD的內(nèi)圓周側(cè)測(cè)試帶地址中。如果這些字段被設(shè)置成“00h”，則此測(cè)試帶沒有被使用。
在BP112到BP115、BP368到BP371、BP624到BP627以及BP880到BP883的層1的外圓周側(cè)測(cè)試帶地址 這些字段的每一個(gè)規(guī)定層1的中間區(qū)中驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶的最小PS塊地址，該層1的中間區(qū)已經(jīng)被執(zhí)行了最新功率校準(zhǔn)。當(dāng)當(dāng)前驅(qū)動(dòng)器在層1的外圓周側(cè)測(cè)試帶中沒有執(zhí)行功率校準(zhǔn)時(shí)，當(dāng)前RMD的層1的外圓周側(cè)測(cè)試帶地址被復(fù)制到新RMD的外圓周側(cè)測(cè)試帶地址中。如果這些字段被設(shè)置成“00h”，則此測(cè)試帶沒有被使用。
RMD字段2規(guī)定了用戶專用數(shù)據(jù)。如果此字段沒有被使用，則在每個(gè)字段中規(guī)定“00h”。BP0到BP2047是可用于用戶專用數(shù)據(jù)的字段。
RMD字段3的所有字節(jié)被保留，并被設(shè)置成″00h″。
RMD字段4規(guī)定R帶的信息。表11示出此字段的內(nèi)容。保留來記錄用戶數(shù)據(jù)的一部分?jǐn)?shù)據(jù)可記錄區(qū)被稱為R帶。根據(jù)記錄條件把R帶分成兩類。在開放R帶中，可以添加用戶數(shù)據(jù)。在完成R帶中，不能添加用戶數(shù)據(jù)。在數(shù)據(jù)可記錄區(qū)中不能存在三個(gè)或更多的開放R帶。不為數(shù)據(jù)記錄保留的一部分?jǐn)?shù)據(jù)可記錄區(qū)被稱為不可見R帶。跟隨R帶之后的區(qū)可被保留為不可見R帶。如果不能再添加數(shù)據(jù)，則沒有不可見R帶。
在BP0和BP1中的不可見R帶的數(shù)目是不可見R帶、開放R帶和完成R帶的總數(shù)。
表11RMD字段4 RMD字段5到21規(guī)定R帶的信息。表12示出這些字段的內(nèi)容。如果這些字段沒有被使用，則所有字段被設(shè)置成″00h″。
表12RMD字段5到21 在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的R物理格式信息帶包括以PSN＝“261888”(03FF00h)為開始點(diǎn)的七個(gè)PS塊(224個(gè)物理扇區(qū))。在R物理格式信息帶中的第一PS塊的內(nèi)容被重復(fù)七次。圖31示出在R物理格式信息帶中的PS塊的配置。
表13示出在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的物理格式信息。表13與示出系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)中物理格式信息的內(nèi)容的表6相同。BP0到BP3的內(nèi)容從在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的物理格式信息復(fù)制而來。BP4到BP15中的數(shù)據(jù)區(qū)布局的內(nèi)容不同于表13中的布局，并在表14中示出。BP16到BP2047的內(nèi)容從系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的物理格式信息復(fù)制而來。
表13R物理格式信息 表14數(shù)據(jù)區(qū)分配 《中間區(qū)》 中間區(qū)的結(jié)構(gòu)由中間區(qū)擴(kuò)展而改變。如果用戶記錄的數(shù)據(jù)的容量很小，則通過擴(kuò)展中間區(qū)可減小用于最終完成的啞數(shù)據(jù)大小，并可縮短最終完成時(shí)間。
圖32示出中間區(qū)擴(kuò)展的簡(jiǎn)圖。后面將詳細(xì)描述擴(kuò)展的詳情。圖33和34示出擴(kuò)展前后中間區(qū)的結(jié)構(gòu)。擴(kuò)展后的保護(hù)軌道帶的大小取決于層0的數(shù)據(jù)區(qū)的結(jié)束PSN。表15示出值Y和Z作為保護(hù)軌道帶中的物理扇區(qū)的數(shù)量。
表15保護(hù)軌道帶的物理扇區(qū)數(shù)量 在層0上記錄之前層0的保護(hù)軌道帶的每個(gè)數(shù)據(jù)段必須填充“00h”。在盤最終完成之前層1的保護(hù)軌道帶的每個(gè)數(shù)據(jù)段必須填充“00h”。
準(zhǔn)備驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶來用于由驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行的測(cè)試。此帶必須從外PS塊記錄到內(nèi)PS塊。層0的驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶的所有數(shù)據(jù)段可以在記錄到層1上之前填充“00h”。
準(zhǔn)備盤測(cè)試帶來用于由盤制造商進(jìn)行質(zhì)量測(cè)試。
空白帶的每個(gè)數(shù)據(jù)段不包括任何數(shù)據(jù)。層0的最外空白帶的大小必須等于或大于968個(gè)PS塊。層1的最外空白帶的大小必須等于或大于2464個(gè)PS塊。
《導(dǎo)出區(qū)》 圖35示出導(dǎo)出區(qū)的結(jié)構(gòu)。在數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)中，從外側(cè)依次分配數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)、保護(hù)軌道帶、驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、盤測(cè)試帶、和空白帶。系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)包括系統(tǒng)導(dǎo)出帶。
在盤最終完成之前保護(hù)軌道帶的每個(gè)數(shù)據(jù)段必須填充“00h”。
準(zhǔn)備驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶來用于由驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行的測(cè)試。該帶從外PS塊記錄到內(nèi)PS塊。
空白帶的每個(gè)數(shù)據(jù)段不記錄任何數(shù)據(jù)。
《層1的連接區(qū)》 層1的連接區(qū)形成來以便連接數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)。在數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的結(jié)束物理扇區(qū)的中心線與系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)的其PSN＝“FE 0000h”的開始物理扇區(qū)的中心線之間的距離需要落在從1.36到5.10μm的范圍內(nèi)。連接區(qū)既沒有凸紋凹坑也沒有溝槽。
在系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)中記錄來作為物理扇區(qū)的數(shù)據(jù)幀的所有主數(shù)據(jù)必須設(shè)置成“00h”。
《格式化》 初始化 在用戶數(shù)據(jù)記錄到盤上之前，必須記錄RMD復(fù)制帶中的RMD導(dǎo)入并且必須選擇記錄模式。
中間區(qū)擴(kuò)展 在層0的中間區(qū)上的記錄之前，可執(zhí)行中間區(qū)擴(kuò)展。中間區(qū)擴(kuò)展增大了中間區(qū)并同時(shí)減小了數(shù)據(jù)區(qū)。層0的數(shù)據(jù)區(qū)的缺省結(jié)束PSN是“73 DBFFh”，層1的數(shù)據(jù)區(qū)的缺省開始PSN是“8C 2400h”。在層0的中間區(qū)上記錄之前，驅(qū)動(dòng)器可重新為層0的數(shù)據(jù)區(qū)的新結(jié)束PSN分配“73 DBFFh”或更低的PSN。RMD字段的內(nèi)容必須由中間區(qū)擴(kuò)展來更新，并且除了在最終完成時(shí)重分配數(shù)據(jù)區(qū)之外，層0的數(shù)據(jù)區(qū)的新的結(jié)束PSN必須記錄在R物理格式信息帶中。
當(dāng)執(zhí)行中間區(qū)擴(kuò)展且層0的數(shù)據(jù)區(qū)的結(jié)束PSN變成X(＜“73DBFFh”)時(shí)，X的位反轉(zhuǎn)值必須是層1的數(shù)據(jù)區(qū)的開始PSN。另外，重分配中間區(qū)的保護(hù)軌道帶、驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、和空白帶(見圖32)。
在層1記錄之前的必要條件 在層1上記錄之前，必須用“00h”填充在層0上的位于數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)和中間區(qū)內(nèi)的保護(hù)軌道帶以避免層0的影響(產(chǎn)生的層間串?dāng)_)。層0的中間區(qū)內(nèi)的驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶通常用“00h”填充。當(dāng)這些帶填充了“00h”時(shí)，必須更新RMD字段0的信息。
《數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、中間區(qū)和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的操作信號(hào)的測(cè)量條件》 與單層介質(zhì)相比，偏移消除器被加寬如下 -3dB閉環(huán)頻帶20.0kHz到25.0kHz 在單層介質(zhì)中該頻帶是5kHz，但把它加寬來具有裕量。
《燒錄區(qū)碼(BCA)碼》 BCA是完成盤制造處理之后的記錄信息的區(qū)。當(dāng)讀出信號(hào)滿足BCA碼信號(hào)規(guī)范時(shí)，允許通過使用預(yù)制凹坑的復(fù)制處理來描述BCA碼。BCA必須形成在單面雙層盤的層0上。這是為了保持驅(qū)動(dòng)器的兼容性，因?yàn)锽CA在只讀介質(zhì)之中也形成在層1上。
《RMD更新條件》 只要滿足下列條件之一，就必須更新RMD。
1.當(dāng)由RMD字段0規(guī)定的至少一項(xiàng)內(nèi)容改變時(shí) 2.當(dāng)由RMD字段1規(guī)定的驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶地址改變時(shí) 3.當(dāng)由RMD字段4規(guī)定的不可見R帶號(hào)、第一開放R帶號(hào)、或第二R帶號(hào)改變時(shí) 4.當(dāng)R帶#i中的最后記錄的物理段的PSN與寄存在最后RMD中的R帶#i的最后記錄的物理段的PSN之間的差變得大于37888時(shí) 注意只要記錄操作在處理中，就不需要更新RMD。
當(dāng)RMZ的未記錄部分等于或小于第二或第四個(gè)條件中的四個(gè)PS塊時(shí)，不應(yīng)更新RMD。
《盤的光學(xué)穩(wěn)定性》 使用氣冷氙燈和遵循IS0-105-B02的設(shè)備來測(cè)試盤的光學(xué)穩(wěn)定性。
測(cè)試條件...黑面板溫度小于40℃； 相對(duì)濕度70％到80％ 盤照度穿過基片正常照度 《記錄功率》 記錄功率包括四級(jí)，即峰值功率、偏置功率1、偏置功率2和偏置功率3。這些功率級(jí)指示入射到盤的讀出表面并用于寫入標(biāo)記和空白的光功率。
在控制數(shù)據(jù)帶描述峰值功率、偏置功率1、偏置功率2和偏置功率3。最大峰值功率不超過13.0mW。最大偏置功率1、偏置功率2和偏置功率3不超過6.5mW。
通過層0的記錄區(qū)的層1的峰值功率Prec和通過層0的未記錄部分的層1的峰值功率Punrec必須滿足以下必要條件。
|Prec-Punrec|＜Punrec的10％ Prec和Punrec必須滿足不超過13.0mW的條件。
§2 B格式 B格式的光盤規(guī)范 圖36示出使用藍(lán)紫激光光源的B格式光盤的規(guī)范。B格式光盤分成可寫入型(RE盤)、只讀型(ROM盤)、和一次寫入型(R盤)。然而，如圖36所示，這些類型的盤具有除開標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)傳輸率之外的共同的規(guī)范，并且容易地執(zhí)行與不同類型的盤相兼容的驅(qū)動(dòng)。在現(xiàn)有DVD中，兩個(gè)0.6nm厚的盤基片互相粘合在一起。然而，B格式盤的結(jié)構(gòu)中在1.1nm厚的盤基片上形成記錄層，并由0.1nm厚的覆蓋層進(jìn)行覆蓋。還規(guī)定了單面雙層介質(zhì)。
[糾錯(cuò)系統(tǒng)] B格式采用稱為警哨碼的糾錯(cuò)系統(tǒng)，其可以有效檢測(cè)突發(fā)錯(cuò)誤。在主數(shù)據(jù)(用戶數(shù)據(jù))的序列中以給定間隔插入警哨。由強(qiáng)有力的、有效的里德-所羅門編碼來保護(hù)主數(shù)據(jù)。由另一編碼即第二個(gè)很強(qiáng)有力的、有效的里德-所羅門編碼來保護(hù)警哨。在解碼時(shí)，警哨首先受到糾錯(cuò)處理。校正信息可用來估計(jì)主數(shù)據(jù)中的突發(fā)錯(cuò)誤位置。在主數(shù)據(jù)的校正代碼字時(shí)使用的稱為“擦除”的標(biāo)志被設(shè)置為針對(duì)這些位置的符號(hào)。
圖37示出警哨碼(糾錯(cuò)塊)的配置。B格式的糾錯(cuò)塊(ECC塊)配置來具有與H格式中的單元相同的64k字節(jié)的用戶數(shù)據(jù)。由很強(qiáng)有力的里德-所羅門LDC(長(zhǎng)距離碼)來保護(hù)此數(shù)據(jù)。
LDC包括304個(gè)代碼字。每個(gè)代碼字包括216個(gè)信息符號(hào)和32個(gè)奇偶符號(hào)。即，代碼字長(zhǎng)度是248(＝216+32)個(gè)符號(hào)。這些代碼字在ECC塊的垂直方向上每2×2個(gè)代碼字進(jìn)行交叉，從而形成水平的152(＝304÷2)字節(jié)×垂直的496(＝2×216+2×32)字節(jié)的ECC塊。
警哨的交叉長(zhǎng)度是155×8字節(jié)(在496字節(jié)中有八個(gè)控制碼校正序列)，用戶數(shù)據(jù)的交叉長(zhǎng)度是155×2字節(jié)。垂直方向上496字節(jié)具有作為記錄單元的31行。對(duì)于主數(shù)據(jù)的奇偶符號(hào)，每隔一行構(gòu)筑針對(duì)兩組的奇偶符號(hào)。
B格式采用警哨碼，警哨碼以“列”的形式以給定間隔嵌入到ECC塊中。通過檢查糾錯(cuò)狀態(tài)來檢測(cè)突發(fā)錯(cuò)誤。更具體地說，在一個(gè)ECC塊中以相等間隔分配四個(gè)警哨列。警哨也具有地址。警哨包括唯一的奇偶性。
由于必須校正警哨列中的符號(hào)，因此由使用BIS(分幀指示符子碼)的糾錯(cuò)碼來保護(hù)右邊三列中的警哨。該BIS包括30個(gè)信息符號(hào)和32個(gè)奇偶符號(hào)，代碼字長(zhǎng)度是62個(gè)符號(hào)。從信息符號(hào)與奇偶符號(hào)之間的比可看出，能夠提供非常強(qiáng)有力的糾錯(cuò)能力。
BIS代碼字被交叉并存儲(chǔ)在每一個(gè)具有496字節(jié)的三個(gè)警哨列中。LDC和BIS碼中每個(gè)代碼字的奇偶符號(hào)數(shù)量相等，即32個(gè)。這表示單個(gè)普通的里德-所羅門解碼器既可以解碼LDC也可以解碼BIS。
在對(duì)數(shù)據(jù)解碼時(shí)，警哨列受到使用BIS的校正處理。以該處理來估計(jì)突發(fā)錯(cuò)誤位置并在這些位置設(shè)置稱作“擦除”的標(biāo)志。這些標(biāo)志用來校正主數(shù)據(jù)的代碼字。
注意，由BIS碼保護(hù)的信息符號(hào)形成與主數(shù)據(jù)無關(guān)的附加數(shù)據(jù)通道(副通道)。該副通道存儲(chǔ)地址信息。地址信息的糾錯(cuò)使用與主數(shù)據(jù)無關(guān)地準(zhǔn)備的專用里德-所羅門編碼。此代碼包括五個(gè)信息符號(hào)和四個(gè)奇偶符號(hào)。以這個(gè)副通道來獨(dú)立于主數(shù)據(jù)的糾錯(cuò)系統(tǒng)而實(shí)行高速、高可靠的地址識(shí)別。
[地址格式] RE盤以象在CD-R盤中一樣的螺線狀的極薄溝槽作為記錄軌道。當(dāng)從激光束的進(jìn)入方向看時(shí)，只在溝槽的凹凸部分的凸部分上寫入記錄標(biāo)記(溝槽上記錄)。
通過象在CD-R盤之類的盤中一樣輕微地?cái)[動(dòng)該溝槽來嵌入指示了盤上每個(gè)絕對(duì)位置的地址信息。信號(hào)被調(diào)制并且在擺動(dòng)形狀、周期之類上疊加指示“1”和“0”的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。圖38示出擺動(dòng)方法擺動(dòng)的幅度僅僅是盤徑向上的±10nm。五十六個(gè)擺動(dòng)(大約在盤上的0.3mm長(zhǎng)度)定義地址信息的1位＝一個(gè)ADIP單元(后面將描述)。
為了寫入幾乎沒有位置偏差的精確記錄標(biāo)記，必須產(chǎn)生穩(wěn)定精確的記錄時(shí)鐘信號(hào)。因此，本實(shí)施例著重于一種其中的擺動(dòng)具有單主頻分量的方法。如果使用單頻率，則可以從使用濾波器提取的擺動(dòng)分量來容易地產(chǎn)生穩(wěn)定的記錄時(shí)鐘信號(hào)。
定時(shí)信息和地址信息根據(jù)單頻率被附加到擺動(dòng)上。需要“調(diào)制”來附加這些信息。選擇了即使有各種失真也很難導(dǎo)致出錯(cuò)的對(duì)光盤唯一的調(diào)制方法。
光盤上存在擺動(dòng)信號(hào)的以下四種失真，根據(jù)它們的原因而將他們分類挑選出來。
(1)盤噪聲制造時(shí)在溝槽部分上形成的表面形狀變形(表面粗糙)、記錄膜產(chǎn)生的噪聲、從已記錄數(shù)據(jù)泄漏的串?dāng)_噪聲等等。
(2)擺動(dòng)移位由于擺動(dòng)檢測(cè)部分相對(duì)于記錄/重放設(shè)備中的規(guī)則位置的移位引起的檢測(cè)靈敏度下降的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象容易在緊接查找操作之后發(fā)生。
(3)擺動(dòng)跳動(dòng)在要記錄的軌道與相鄰軌道的擺動(dòng)信號(hào)之間產(chǎn)生的串?dāng)_。在CLV(恒線速度)旋轉(zhuǎn)控制方法中當(dāng)相鄰擺動(dòng)的角速度有差異時(shí)產(chǎn)生這種串?dāng)_。
(4)缺陷由盤表面上諸如灰塵和劃痕之類的局部缺陷造成。
在兩種不同的擺動(dòng)調(diào)制系統(tǒng)具有對(duì)所有這四種不同類型的信號(hào)失真的高抵抗性的情況下，RE盤將這些系統(tǒng)相結(jié)合來產(chǎn)生相互促進(jìn)的效果。這是因?yàn)榭梢詻]有副作用地獲得僅僅一種調(diào)制系統(tǒng)難以達(dá)到的對(duì)四種信號(hào)失真的抵抗性。
兩種系統(tǒng)包括MSK(最小位移鍵控)系統(tǒng)和STW(鋸齒狀擺動(dòng))系統(tǒng)(圖39)。由于其波形類似于“鋸齒形狀”因此被稱為“STW”。
在RE盤上，56個(gè)擺動(dòng)全體表示了1位“0”或“1”。這56個(gè)擺動(dòng)稱為綜合單元，即ADIP(預(yù)制溝槽中的地址)單元。當(dāng)接連地讀出83個(gè)ADIP單元時(shí)，它們形成指示一個(gè)地址的ADIP字。ADIP字包括24位地址信息、12位附屬數(shù)據(jù)、基準(zhǔn)(校準(zhǔn))字段、糾錯(cuò)數(shù)據(jù)等等。在RE盤上，每一個(gè)用于記錄主數(shù)據(jù)的RUB(記錄單元塊；64k字節(jié)的單元)分配了三個(gè)ADIP。
由56個(gè)擺動(dòng)組成的ADIP單元大致分成前半部分和后半部分。包括了擺動(dòng)#0到擺動(dòng)#17的前半部分由MSK系統(tǒng)來調(diào)制，包括了擺動(dòng)#18到擺動(dòng)#55的后半部分由STW系統(tǒng)來調(diào)制，此ADIP單元與下一ADIP單元平滑地相接。一個(gè)ADIP單元可以表示1位。以這樣的方式來區(qū)分“0”和“1”，使得前半部分對(duì)已受到MSK調(diào)制的擺動(dòng)位置進(jìn)行改變，而后半部分對(duì)鋸齒形的方向進(jìn)行改變。
MSK系統(tǒng)的前半部分進(jìn)一步分成已受到MSK調(diào)制的三個(gè)擺動(dòng)的字段和單頻擺動(dòng)cos(ωt)。每一個(gè)ADIP單元從總受到MSK調(diào)制的三個(gè)擺動(dòng)#0到#2開始。這被稱為位同步(指示ADIP單元的開始位置的標(biāo)識(shí)符)。
在位同步之后，單頻擺動(dòng)連續(xù)出現(xiàn)。數(shù)據(jù)由這樣的單頻擺動(dòng)的數(shù)量來表示，該單頻擺動(dòng)一直出現(xiàn)直到接下來的三個(gè)受到MSK調(diào)制的擺動(dòng)為止。更具體地說，11個(gè)單頻擺動(dòng)代表“0”，9個(gè)單頻擺動(dòng)代表“1”。兩個(gè)擺動(dòng)的差別用來區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)。
MSK系統(tǒng)使用基波的局部相變。換言之，沒有任何相變的字段占優(yōu)勢(shì)。此字段還有效地用作STW系統(tǒng)中沒有任何基波相變的字段。
受到MSK調(diào)制的字段有三個(gè)擺動(dòng)的長(zhǎng)度。第一擺動(dòng)位置的頻率是單頻擺動(dòng)頻率的1.5倍(cos(1.5ωt))，第二擺動(dòng)位置的頻率與單頻擺動(dòng)頻率相同，第三擺動(dòng)位置的頻率又是單頻擺動(dòng)頻率的1.5倍，從而返回到相位上。這樣，第二(中心的)擺動(dòng)的極性與單頻擺動(dòng)的極性相反，并檢測(cè)此擺動(dòng)。第一擺動(dòng)的開始點(diǎn)和第三擺動(dòng)的結(jié)束點(diǎn)正好與單頻擺動(dòng)同相。因此，可以獲得沒有任何間斷部分的連接。
另一方面，后半部分的STW系統(tǒng)有兩種不同波形。一種波形向盤外圓周側(cè)急劇上升，并以平緩斜度向盤中心側(cè)返回。另一種波形以平緩斜度上升并急劇地返回。前一個(gè)波形表示數(shù)據(jù)“0”，而后一個(gè)波形表示數(shù)據(jù)“1”。由于一個(gè)ADIP單元使用MSK系統(tǒng)和STW系統(tǒng)兩者來指示同樣的位，因此提高了數(shù)據(jù)可靠性。
STW系統(tǒng)數(shù)學(xué)地表示為如對(duì)基波cos(ωt)加上或減去有1/4幅度的二次諧波sin(2ωt)。注意STW系統(tǒng)即使表示“0”或“1”，都具有與單頻擺動(dòng)相同的過零點(diǎn)。即，從MSK系統(tǒng)單頻擺動(dòng)部分共同的基波分量中提取時(shí)鐘信號(hào)時(shí)，STW系統(tǒng)對(duì)相位不施加任何影響。
如上所述，MSK系統(tǒng)和STW系統(tǒng)運(yùn)作來抵消彼此的弱點(diǎn)。
圖40示出ADIP單元。地址擺動(dòng)格式的基本單元是ADIP單元。每組56個(gè)NML(額定擺動(dòng)長(zhǎng)度)稱為ADIP單元。一個(gè)NML等于69個(gè)通道位。不同類型的ADIP單元通過在該ADIP中的規(guī)定位置插入調(diào)制擺動(dòng)(MSK標(biāo)記)來定義(見圖39)。83個(gè)ADIP單元形成一個(gè)ADIP字。要記錄在盤上的最小數(shù)據(jù)段精確地匹配三個(gè)連續(xù)的ADIP字。每個(gè)ADIP字包括36個(gè)信息位(它的24位是地址信息位)。
圖41和42示出一個(gè)ADIP字的配置。
一個(gè)ADIP字包括15個(gè)半字節(jié)(nibble)，并且9個(gè)半字節(jié)是信息半字節(jié)，如圖43所示。剩余半字節(jié)用于ADIP糾錯(cuò)。15個(gè)半字節(jié)形成里德-所羅門代碼字[15，9，7]。
代碼字由9個(gè)信息半字節(jié)組成6個(gè)信息半字節(jié)記錄地址信息，3個(gè)信息半字節(jié)記錄附屬信息(例如，盤信息)。
里德-所羅門碼[15，9，7]是非系統(tǒng)碼，現(xiàn)有知識(shí)可以根據(jù)“信息解碼(informed decoding)”來增加漢明距離(Hamming distance)?！靶畔⒔獯a”表示由于所有代碼字具有距離7并且所有半字節(jié)n0的代碼字一般具有距離8，因此關(guān)于n0的現(xiàn)有知識(shí)增加漢明距離。半字節(jié)n0包括層索引(3位)和物理扇區(qū)號(hào)的MSB。如果半字節(jié)n0已知，則距離從7增加到8。
圖44示出軌道結(jié)構(gòu)。下面將描述具有單面雙層結(jié)構(gòu)的盤的第一層(遠(yuǎn)離激光光源)和第二層的軌道結(jié)構(gòu)。形成溝槽以便可以在推挽系統(tǒng)中循軌。使用了多種軌道形狀。第一層L0和第二層L1具有不同循軌方向。在第一層中，循軌方向是圖44中的左到右方向。在第二層中，循軌方向是右到左方向。圖44的左側(cè)對(duì)應(yīng)于盤內(nèi)圓周，其右側(cè)對(duì)應(yīng)于外圓周。第一層的平直溝槽形成的BCA區(qū)、HFM(高頻率調(diào)制)溝槽形成的預(yù)記錄區(qū)、和在可重寫區(qū)中的擺動(dòng)溝槽區(qū)對(duì)應(yīng)于H格式的導(dǎo)入?yún)^(qū)。在第二層可重寫區(qū)中的擺動(dòng)溝槽區(qū)、HFM(高頻率調(diào)制)溝槽形成的預(yù)記錄區(qū)、和平直溝槽形成的BCA區(qū)對(duì)應(yīng)于H格式的導(dǎo)出區(qū)。然而，在H格式中，由預(yù)制凹坑系統(tǒng)代替溝槽系統(tǒng)來記錄導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)。第一和第二層的HFM溝槽具有相位滯后，因此不會(huì)引起層間串?dāng)_。
圖45示出記錄幀。如圖37所示，每64k字節(jié)記錄用戶數(shù)據(jù)。通過附加幀同步位和直流控制位來把ECC簇的每一行轉(zhuǎn)換成記錄幀。每一行的1240位(155字節(jié))數(shù)據(jù)流被轉(zhuǎn)換如下。在1240位的數(shù)據(jù)流中，在數(shù)據(jù)流的頭部分配25位數(shù)據(jù)，并把后續(xù)的數(shù)據(jù)流分成45位的數(shù)據(jù)。在25位數(shù)據(jù)之前附加20位幀同步，在25位數(shù)據(jù)之后附加一個(gè)直流控制位。同樣，在45位數(shù)據(jù)之后附加一個(gè)直流控制位。把包括第一個(gè)25位數(shù)據(jù)的塊定義成直流控制塊#0，并把每一個(gè)包括45位數(shù)據(jù)和一個(gè)DC控制位的塊定義成直流控制塊#1、#2、...、#27。496個(gè)記錄幀稱為一個(gè)物理簇。
記錄幀受到2/3速率的1-7PP調(diào)制。調(diào)制規(guī)則應(yīng)用到除開第一幀同步以外的1268位來形成1902個(gè)通道位，并在這些通道位的頭部附加30位幀同步。即，形成1932個(gè)通道位(＝28個(gè)NML)。通道位受到NRZI調(diào)制，并在盤上記錄調(diào)制后的位。
幀同步結(jié)構(gòu) 每個(gè)物理簇包括16個(gè)地址單元。每個(gè)地址單元包括31個(gè)記錄幀。每個(gè)記錄幀以一個(gè)30通道位的幀同步開始。幀同步的第一個(gè)24位違反1-7PP調(diào)制規(guī)則(包括兩倍9T的掃描寬度)。1-7PP調(diào)制規(guī)則使用(1，7)PLL調(diào)制系統(tǒng)執(zhí)行奇偶保持/禁止PMTR(重復(fù)的最小轉(zhuǎn)換掃描寬度)?！捌媾急３帧笨刂拼a的所謂DC(直流)分量(來減小代碼的直流分量)。改變幀同步的剩余6位來識(shí)別七個(gè)幀同步FS0、FS1、...、FS6的一個(gè)。選擇這些6位符號(hào)以使得與轉(zhuǎn)換量相關(guān)聯(lián)的距離是2或更大。
七個(gè)幀同步與僅僅16個(gè)地址單元相比可以獲得詳細(xì)位置信息。當(dāng)然，僅僅七個(gè)不同的幀同步也不足以識(shí)別31個(gè)記錄幀。因此，從31個(gè)記錄幀起，選擇七個(gè)幀同步序列以使得可以通過把自身幀同步和任意四個(gè)在先的幀的幀同步相結(jié)合來識(shí)別每個(gè)幀。
圖46A和46B示出記錄單元塊RUB的結(jié)構(gòu)。記錄單元稱為RUB。如圖46A所示，RUB由40個(gè)擺動(dòng)的數(shù)據(jù)運(yùn)行進(jìn)入(run-in)、496×28個(gè)擺動(dòng)的物理簇、和16個(gè)擺動(dòng)的數(shù)據(jù)運(yùn)行退出(run-out)組成。數(shù)據(jù)運(yùn)行進(jìn)入和數(shù)據(jù)運(yùn)行退出允許足夠的數(shù)據(jù)緩沖來便于完全的隨機(jī)覆寫。RUB可以被逐個(gè)記錄，也可以連續(xù)地記錄多個(gè)RUB，如圖46B所示。
數(shù)據(jù)運(yùn)行進(jìn)入主要由重復(fù)樣式3T/3T/2T/2T/5T/5T組成，包括兩個(gè)幀同步(FS4、FS6)，這兩個(gè)幀同步由作為指示了下一記錄單元塊的指示符的40個(gè)cb來相互間隔開。
數(shù)據(jù)運(yùn)行退出從FS0開始，隨后是指示數(shù)據(jù)結(jié)束的樣式9T/9T/9T/9T/9T/9T，并主要由重復(fù)樣式3T/3T/2T/2T/5T/5T形成。
圖47示出數(shù)據(jù)運(yùn)行進(jìn)入和數(shù)據(jù)運(yùn)行退出的結(jié)構(gòu)。
圖48示出與擺動(dòng)地址相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)分配。物理簇包括496個(gè)幀。數(shù)據(jù)運(yùn)行進(jìn)入和數(shù)據(jù)運(yùn)行退出的總共56個(gè)擺動(dòng)是2×28個(gè)擺動(dòng)，等于兩個(gè)記錄幀。
一個(gè)RUB＝496+2＝498個(gè)記錄幀 一個(gè)ADIP單元＝56個(gè)NML＝2個(gè)記錄幀 83個(gè)ADIP單元＝1個(gè)ADIP字(包括一個(gè)ADIP地址) 3個(gè)ADIP字＝3×83個(gè)ADIP單元 3個(gè)ADIP字＝3×83×2＝498個(gè)記錄幀 在一次寫入盤上記錄數(shù)據(jù)時(shí)，在已經(jīng)記錄的數(shù)據(jù)后必須連續(xù)地記錄后面的數(shù)據(jù)。如果在這些數(shù)據(jù)之間形成了間隙，則禁止重放。為了記錄(覆寫)先前記錄幀的最后數(shù)據(jù)運(yùn)行退出區(qū)上的隨后記錄幀的第一數(shù)據(jù)運(yùn)行進(jìn)入?yún)^(qū)，在數(shù)據(jù)運(yùn)行退出區(qū)的最后分配了保護(hù)3區(qū)，如圖49A或49B所示。圖49A示出其中只記錄了一個(gè)物理簇的情況，圖49B示出其中連續(xù)記錄了多個(gè)物理簇的情況，并且在最后簇的運(yùn)行退出之后分配了保護(hù)3區(qū)。單獨(dú)記錄的每個(gè)記錄單元塊或者連續(xù)記錄的多個(gè)記錄單元塊都以保護(hù)3區(qū)來終止。保護(hù)3區(qū)保證了在兩個(gè)記錄單元塊之間沒有未記錄區(qū)。
注意，本發(fā)明并不限制于這些完整的實(shí)施例，當(dāng)實(shí)際應(yīng)用時(shí)還可通過修改必要的構(gòu)成部件來實(shí)施而不脫離本發(fā)明的范圍。同樣，通過適當(dāng)組合各個(gè)實(shí)施例中公開的多個(gè)必要構(gòu)成部件來形成各種發(fā)明。例如，可從各個(gè)實(shí)施例中公開的所有必要構(gòu)成部件中省略一些必要的構(gòu)成部分。此外，可以適當(dāng)?shù)亟M合不同實(shí)施例的必要構(gòu)成部件。
雖然描述了本發(fā)明的特定實(shí)施例，但這些實(shí)施例只以示例的方式來表示，并不限制本發(fā)明的范圍。事實(shí)上，這里所描述的新穎的方法和系統(tǒng)可以各種其他形式來實(shí)現(xiàn)；而且，在不脫離本發(fā)明精神的情況下，可對(duì)這里所描述的方法和系統(tǒng)作出各種省略、替代和改變。所附權(quán)利要求及其等同物意在覆蓋落入本發(fā)明范圍和精神內(nèi)的這些形式或修改。
權(quán)利要求
1.一種信息記錄介質(zhì)，其特征在于
從內(nèi)圓周側(cè)開始依次配置的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)，
形成在所述數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的記錄有記錄管理數(shù)據(jù)的記錄管理帶，
形成在所述數(shù)據(jù)區(qū)中的所述記錄管理帶的擴(kuò)展區(qū)，
形成在所述數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的用于管理所述記錄管理帶的擴(kuò)展區(qū)位置的記錄管理數(shù)據(jù)復(fù)制帶，
所述介質(zhì)具有由同心環(huán)形或螺線形的溝槽和槽岸指定的軌道，
所述介質(zhì)具有第一基片、第一記錄層、第二基片、和第二記錄層，
軌道間距是在250nm到500nm的范圍內(nèi)，并且
所述第一基片和所述第二基片上的溝槽的半最大全寬度是在所述軌道間距的47.5％到72.5％的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的介質(zhì)，其特征在于所述第一基片具有在390nm到410nm范圍內(nèi)的軌道間距，并且所述溝槽具有在190nm到290nm范圍內(nèi)的半最大全寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的介質(zhì)，其特征在于所述第一記錄層的溝槽具有在190nm到290nm范圍內(nèi)的半最大全寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的介質(zhì)，其特征在于所述第二記錄層的溝槽具有在190nm到290nm范圍內(nèi)的半最大全寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的介質(zhì)，其特征在于所述第一記錄層具有在50nm到65nm范圍內(nèi)的溝槽深度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的介質(zhì)，其特征在于所述第二記錄層具有在70nm到85nm范圍內(nèi)的溝槽深度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的介質(zhì)，其特征在于假設(shè)Wg(L0)是所述第一基片的溝槽的半最大全寬度，而TP是軌道間距，
則所述第二基片的溝槽的半最大全寬度Wg(L1)滿足關(guān)系
Wg(L0)×0.8≤Wg(L1)≤Wg(L0)
8.一種信息記錄介質(zhì)，其特征在于
從內(nèi)圓周側(cè)開始依次配置的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)，
形成在所述數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的記錄有記錄管理數(shù)據(jù)的記錄管理帶，
形成在所述數(shù)據(jù)區(qū)中的所述記錄管理帶的擴(kuò)展區(qū)，
形成在所述數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的用于管理所述記錄管理帶的擴(kuò)展區(qū)位置的記錄管理數(shù)據(jù)復(fù)制帶，
所述介質(zhì)具有由同心環(huán)形或螺線形的溝槽和槽岸指定的軌道，
所述介質(zhì)具有第一基片、第一記錄層、中間層、第二基片和第二記錄層，
軌道間距是在250nm到500nm的范圍內(nèi)，并且
所述第一基片和所述第二基片上的溝槽的半最大全寬度是在所述軌道間距的47.5％到72.5％的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的介質(zhì)，其特征在于所述第一基片具有在390nm到410nm范圍內(nèi)的軌道間距，并且所述溝槽具有在190nm到290nm范圍內(nèi)的半最大全寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的介質(zhì)，其特征在于所述第一記錄層的溝槽具有在190nm到290nm范圍內(nèi)的半最大全寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的介質(zhì)，其特征在于所述第二記錄層的溝槽具有在190nm到290nm范圍內(nèi)的半最大全寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的介質(zhì)，其特征在于所述第一記錄層具有在50nm到65nm范圍內(nèi)的溝槽深度。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的介質(zhì)，其特征在于所述第二記錄層具有在70nm到85nm范圍內(nèi)的溝槽深度。
14.根據(jù)權(quán)利要求8的介質(zhì)，其特征在于假設(shè)Wg(L0)是所述第一基片的溝槽的半最大全寬度，而TP是軌道間距，
則所述第二基片的溝槽的半最大全寬度Wg(L1)滿足關(guān)系
Wg(L0)×0.8≤Wg(L1)≤Wg(L0)
15.一種盤設(shè)備，其特征在于包括
檢測(cè)裝置，用于檢測(cè)通過以激光束照射信息記錄介質(zhì)而獲得的反射光，其中所述信息記錄介質(zhì)具有
從內(nèi)圓周側(cè)開始依次配置的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)，
形成在所述數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的記錄有記錄管理數(shù)據(jù)的記錄管理帶，
形成在所述數(shù)據(jù)區(qū)中的所述記錄管理帶的擴(kuò)展區(qū)，
形成在所述數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的用于管理所述記錄管理帶的擴(kuò)展區(qū)位置的記錄管理數(shù)據(jù)復(fù)制帶，
所述介質(zhì)具有由同心環(huán)形或螺線形的溝槽和槽岸指定的軌道，
所述介質(zhì)具有第一基片、第一記錄層、第二基片、和第二記錄層，
軌道間距是在250nm到500nm的范圍內(nèi)，并且
所述第一基片和所述第二基片上的溝槽的半最大全寬度是在所述軌道間距的47.5％到72.5％的范圍內(nèi)；和
產(chǎn)生裝置，用于根據(jù)由所述檢測(cè)裝置檢測(cè)的反射光來產(chǎn)生重放信號(hào)。
16.一種盤設(shè)備，其特征在于包括
檢測(cè)裝置，用于檢測(cè)通過以激光束照射信息記錄介質(zhì)而獲得的反射光，其中所述信息記錄介質(zhì)具有
從內(nèi)圓周側(cè)開始依次配置的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)，
形成在所述數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的記錄有記錄管理數(shù)據(jù)的記錄管理帶，
形成在所述數(shù)據(jù)區(qū)中的所述記錄管理帶的擴(kuò)展區(qū)，
形成在所述數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的用于管理所述記錄管理帶的擴(kuò)展區(qū)位置的記錄管理數(shù)據(jù)復(fù)制帶，
所述介質(zhì)具有由同心環(huán)形或螺線形的溝槽和槽岸指定的軌道，
所述介質(zhì)具有第一基片、第一記錄層、中間層、第二基片和第二記錄層，
軌道間距是在250nm到500nm的范圍內(nèi)，并且
所述第一基片和所述第二基片上的溝槽的半最大全寬度是在所述軌道間距的47.5％到72.5％的范圍內(nèi)；和
產(chǎn)生裝置，用于根據(jù)由所述檢測(cè)裝置檢測(cè)的反射光來產(chǎn)生重放信號(hào)。
全文摘要
一種信息記錄介質(zhì)以及盤設(shè)備。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的信息記錄介質(zhì)(50)具有兩個(gè)或更多的記錄層(58，59)，軌道間距(TP)是在250nm到500nm的范圍內(nèi)，并且基片(51)的溝槽的半最大全寬度是在軌道間距的47.5％到72.5％的范圍內(nèi)。
文檔編號(hào)G11B7/007GK101097742SQ20071012271
公開日2008年1月2日 申請(qǐng)日期2007年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者山本亮介, 松丸祐晃, 梅澤和代, 高澤孝次, 森田成二, 中村直正, 安東秀夫 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝