專利名稱：移位寄存器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種移位寄存器，且特別是有關(guān)于一種應(yīng)用于雙邊掃描驅(qū) 動器的移位寄存器。
背景技術(shù)：
在科技發(fā)展日新月異的現(xiàn)今時代中，液晶顯示器已經(jīng)廣泛地應(yīng)用在電子 顯示產(chǎn)品上，如電視、'電腦屏幕、筆記型電腦、移動電話或個人數(shù)字助理等。
液晶顯示器包括數(shù)據(jù)驅(qū)動器(Data Driver)、掃描驅(qū)動器(Scan Driver)及液 晶顯示面板，其中液晶顯示面板中具有像素陣列，而掃描驅(qū)動器用以依序接 通像素陣列中對應(yīng)的像素行，以將數(shù)據(jù)驅(qū)動器輸出的像素數(shù)據(jù)掃描至像素， 進(jìn)而顯示出^L顯示的圖像。
現(xiàn)今的技術(shù)多以移位寄存器來實現(xiàn)出可依序接通像素陣列中對應(yīng)的像素 行的掃描驅(qū)動器。由于雙邊掃描驅(qū)動器可有效地降低液晶顯示面板的面積， 因此如何設(shè)計出應(yīng)用于雙邊掃描驅(qū)動器、使用壽命長及掃描信號失真輕微的 移位寄存器乃業(yè)界所致力的方向之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有關(guān)于一種移位寄存器，其具有可應(yīng)用于雙邊掃描驅(qū)動器、使用 壽命較長及掃描信號失真較為的優(yōu)點。
根據(jù)本發(fā)明提出一種移位寄存器，應(yīng)用于雙邊掃描驅(qū)動器，移位寄存器 中各級移位寄存器單元包括第一、第二、第三電平控制單元、第一及第二驅(qū) 動單元。第一電平控制單元用以提供第一時序信號至輸出端。第一驅(qū)動單元 與第一電平控制單元的輸入端耦接于第一節(jié)點，第一節(jié)點的電壓為第一控制 信號。第一驅(qū)動單元用以響應(yīng)輸入信號的前沿(Front Edge)導(dǎo)通第一電平控 制單元，并于下一級移位寄存器單元的第一控制信號的電平高于第二控制信 號的電平時關(guān)斷第一電平控制單元。第二電平控制單元用以提供第一電壓至 輸出端。第二驅(qū)動單元用以響應(yīng)第一控制信號的前沿關(guān)斷第二電平控制單元，
4并響應(yīng)于第一控制信號的后沿(Rear Edge)來導(dǎo)通第二電平控制單元。第三電 平控制單元用以于下一級移位寄存器單元的第一控制信號的電平高于第二控 制信號的電平時提供第一電壓至輸出端。其中，當(dāng)輸出端的信號電平及第一 控制信號的電平均為高電平時第二控制信號為高電平。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合 附圖，詳細(xì)說明如下


圖1表示應(yīng)用本發(fā)明第一實施例的移位寄存器的液晶顯示器的方塊圖。
圖2表示圖1中移位寄存器單元S(1)的詳細(xì)電路圖。
圖3表示圖1中移位寄存器單元S(1)的相關(guān)信號時序圖。
圖4表示依照應(yīng)用本發(fā)明第二實施例的移位寄存器的液晶顯示器的方塊圖。
圖5表示圖4中移位寄存器單元T(1)的詳細(xì)電路圖。
圖6表示圖4中移位寄存器單元T(1)的另一詳細(xì)電路圖。
圖7表示應(yīng)用本發(fā)明第三實施例的移位寄存器的液晶顯示器的方塊圖。
圖8表示圖7中移位寄存器單元U(1)的詳細(xì)電路圖。
圖9表示圖7中移位寄存器單元U(1)的相關(guān)信號時序圖。
主要元件符號說明
10、 10， 、 10":液晶顯示器
11:數(shù)據(jù)線
12:數(shù)據(jù)驅(qū)動器
13:掃描線
14、 14， 、 14":掃描驅(qū)動器
14a、 14b、 14a， 、 14b， 、 14a"、 14b":移位寄存器 S(l)-S(k)、S， (l)-S， (k)、T(l)-T(k)、T， (1)-T， (k) 、 T，， (1) 、 U(1)-U (k)、 U， (l)-U， (k):移位寄存器單元 IN:輸入端 OUT:輸出端 RT:控制端 Pl、 P2:節(jié)點
5C、 C，時序端 16:液晶顯示面4反 18:像素陣列
202a、 202b、 202a， 、 202b， 、 202a"、 202b":驅(qū)動單元 204a、 204b、 204c、 204d、 204d，電平控制單元 T1—Tll、 T9， 、 T10'、 Tll，晶體管
具體實施方式
第一實施例
請參照圖1，其表示應(yīng)用本發(fā)明第一實施例的移位寄存器的液晶顯示器 的方塊圖。液晶顯示器10包括數(shù)據(jù)驅(qū)動器(Data Driver) 12、掃描驅(qū)動器(Scan Driver) 14及液晶顯示面板16。液晶顯示面板16例如包括m*n的像素陣列 18, n及m均為大于1的自然數(shù)。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器12用以經(jīng)由數(shù)據(jù)線11來提供數(shù)據(jù)信號SD(l)-SD(m)至像素 陣列18。掃描驅(qū)動器14為雙邊掃描驅(qū)動器，其中包括移位寄存器14a及14b。 移位寄存器14a及14b分別用以經(jīng)由掃描線13及13，提供掃描信號 SG(l)-SG(n)中的奇數(shù)行掃描信號及偶數(shù)行掃描信號至像素陣列18。
移位寄存器14a與14b分別包括移位寄存器單元S (1) -S (k)與S， (1) -S， (k),其中各移位寄存器S(l)-S(k)與S， (l)-S， (k)例如具有相等的結(jié)構(gòu)， 接下以移位寄存器單元S(l)-S(k)的電路為例做說明，k為自然數(shù)。移位寄存 器單元S(l)-S(k)彼此串聯(lián)連接并分別用以產(chǎn)生奇數(shù)行掃描信號SG(l)、 SG(3)、 SG(5)、…SG(n-l)來驅(qū)動像素陣列18中n行像素中的奇數(shù)行像素。
移位寄存器單元S(1)-S(k)包括輸入端IN、輸出端OUT、控制端RT及時 序端C。移位寄存器單元S (1)的輸入端IN接收起始信號STV,而移位寄存器 單元S (2) -S (k)的輸入端IN依序接收前一級移位寄存器的輸出端OUT輸出的 掃描信號SG (1) -SG (n-2)。移位寄存器單元S (1) _S (k)中的奇數(shù)級與偶數(shù)級移 位寄存器單元的時序端C例如分別接收時序信號CKl與CK3。移位寄存器單 元S (1) -S (k-1)的控制端RT分別接收移位寄存器單元S (2) -S (k)的節(jié)點PI上 的控制信號VC1(2)- VCl(K)。
接下來以移位寄存器單元S (1)響應(yīng)于時序信號CKl及起始信號STV的操 作為例作說明。請參照圖2,其表示圖1中移位寄存器單元S(l)的詳細(xì)電路
6圖。移位寄存器單元S(l)包括驅(qū)動單元202a、 202b及電平控制單元204a、 204b及204c。驅(qū)動單元202a包括晶體管Tl、 T3及T8，驅(qū)動單元202b包括 晶體管T4及T5，電平控制單元204a、 204b及204c分別包括晶體管T2、 T7 及T6。本實施結(jié)構(gòu)以晶體管Tl-T8均為N型薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)為例作i兌明。
晶體管T6的漏極(Drain)耦接至輸出端OUT,柵極(Gate)接收下一級移 位寄存器單元S(2)的控制信號VC1U)，源極(Source)接收控制信號CI。晶 體管T6用以響應(yīng)于控制信號VCl (2)的上升沿(Rising Edge)導(dǎo)通提供控制信 號CI至輸出端OUT。
晶體管T3的漏極耦接至節(jié)點PI,柵極接收控制信號VCl (2),源極接收 控制信號Cl。晶體管T3用以響應(yīng)控制信號VCl (2)的上升沿提供控制信號CI 至節(jié)點Pl。在本實施例中以控制信號Cl等于時序信號CK1為例做說明。
晶體管Tl的漏極接收電壓VDD，柵極耦接至輸入端IN以接收起始信號 STV,源極耦接至節(jié)點Pl。晶體管Tl用以響應(yīng)于起始信號STV的上升沿來導(dǎo) 通晶體管T2，使掃描信號SG(1)等于電壓VDD。
晶體管T8的漏極耦接至節(jié)點Pl,柵極耦接至節(jié)點P2，以接收控制信號 VC2(1),源才及接收電壓VSS。晶體管T8用以響應(yīng)于控制信號VC2(1)的上升沿 提供電壓VSS至節(jié)點Pl。
晶體管T2的漏極接收時序信號CK1,柵極與晶體管Tl的源極和晶體管 T3的漏極耦接于節(jié)點Pl以接收控制信號VCl(l),源極耦接至輸出端OUT。 晶體管T2用以于導(dǎo)通時提供時序信號CK1的高電壓電平至輸出端OUT。
晶體管T7的漏極耦接至輸出端OUT,柵極與晶體管T4的源極和晶體管 T5的漏極耦接于節(jié)點P2,以接收控制信號VC2 (1),源極接收電壓VSS。晶體 管T7用以于導(dǎo)通時提供電壓VSS至輸出端OUT。
晶體管T4的漏極及柵極相互耦接以接收電壓VDD，源極耦接至節(jié)點P2, 晶體管T5的源極接收電壓VSS，柵極接收控制信號VCl (1)。在本實施結(jié)構(gòu)中， 晶體管T5的長寬比(Width/Length)例如大于晶體管T4的長寬比，而晶體管 T4與T5形成一偏置單元，用以響應(yīng)于控制信號VCl(l)的高電平使控制信號 VC2 (1)等于低電平以關(guān)斷晶體管T7,并響應(yīng)于控制信號VCl (1)的低電平使控 制信號VC2 (1)的等于高電平以導(dǎo)通晶體管T7。
請參照圖3,其表示圖1中移位寄存器單元S(l)的相關(guān)信號時序圖。在時間周期TP1中，起始信號STV等于電壓VDD,而時序信號CK1及控制信號 VC1(2)等于電壓VSS。其中電壓VDD及VSS例如分別為移位寄存器"a的最 高電壓電平及最低電壓電平。此時晶體管Tl將導(dǎo)通來使控制信號VC1(1)等 于高電平VDD-Vthl以導(dǎo)通晶體管T2，使掃描信號SG (1)等于時序信號CKl ， 即是等于電壓VSS。晶體管T4及T5例如為一反相器(Inverter),用以響應(yīng) 控制信號VC1 (1)的高電平使控制信號VC2 (1)等于電壓VSS，以關(guān)斷晶體管T8 及T7，而晶體管T3與T6因柵極-源極電壓小于零而為關(guān)斷。
在時間周期TP2中，晶體管T1、 T7及T8為關(guān)斷。時序信號CK1于時間 周期TP2中由電壓VSS提升為電壓VDD，此時控制信號VC1(1)因推升效應(yīng) (Boot-Strapping)而進(jìn)一步提升為VCl (1) =VDD-Vthl+A V。在本實施結(jié)構(gòu)中,
差值電壓AV等于△)/=Q(師—剛,
Cgs為晶體管T2的內(nèi)部寄生電容，而Cpl為晶體管Tl的源極與晶體管 T8的漏極耦接形成的節(jié)點，亦即是節(jié)點P1看到的等效電容。而控制信號VC1 (1) 導(dǎo)通晶體管T2，使掃描信號SG(1)快速充電至電壓VDD。
掃描信號SG(1)更輸出至移位寄存器單元S(2)的輸入端IN,使得移位寄 存器單元S(2)的控制信號VC1(2)提升為高電平VDD-Vthl。此時時序信號 CK1，亦即是控制信號Cl等于電壓VDD，使得移位寄存器單元S(1)的晶體管 T3與T6的柵極-源極電壓仍小于零而截止。
在時間周期TP3中，控制信號C1由電壓VDD放電至電壓VSS。此時晶體 管T3與T6因控制信號VC1(2)的電平高于控制信號Cl的電平而導(dǎo)通，以分 別使控制信號VC1 (1)與掃描信號SG (1)放電至電壓VSS。此時晶體管T4及T5 響應(yīng)于控制信號VC1 (1)的低電平使控制信號VC2 (1)等于電壓VDD，以導(dǎo)通晶 體管T7使掃描信號SG (1)等于電壓VSS。
而對移位寄存器單元S(2)-S(k)而言，其的操作與移位寄存器單元S(l) 不同的處在于其輸入端IN接收的信號，亦即是掃描信號SG(l)-SG(k-l)較其 對應(yīng)的時序信號CK1及CK3早兩個時間周期提升為電壓VDD。如此，控制信 號VC1(2)-VCl(k)的電平維持在高電平VDD-Vthl兩個時間周期后，被提升 為高電平VDD-Vthl+AV。例如移位寄存器單元S (2)的控制信號VC1 U)于時 間周期TP2與TP3中均等于電平VDD-Vthl;而于時間周期TP4中，時序信 號CK3由電壓VSS提升為電壓VDD,使得控制信號VC1(2)提升為高電平
8■-Vthl + AV。—
如此，本實施例的移位寄存器單元S(l)可有效地響應(yīng)時序信號CK與起 始信號STV來提供掃描信號SG(l)，而其后的移位寄存器單元S(2)亦可響應(yīng) 時序信號CK3及掃描信號SG (1)來提供掃描信號SG (3)。而在本實施例中雖僅 以移位寄存器單元S(1)與S(2)的操作為例作說明，然，移位寄存器"a中其 余的移位寄存器單元S (3) -S (k)的操作可根據(jù)移位寄存器單元S (1)與S (2)的 操作而類推得知。
而移位寄存器14b中各級移位寄存器單元S， (l)-S， (k)的操作與移位 寄存器單元S(l)-S(k)的操作不同的處在于其接收的起始信號STV，、時序信 號CK2與CK4的波形分別較起始信號STV、時序信號CK1與CK3延遲一個時 間周期。如此，移位寄存器單元S， (1)-S， (k)可執(zhí)行與移位寄存器單元 S(1)-S(k)相近的操作來產(chǎn)生掃描信號SG(2)、 SG(4)..... SG(n)。
本實施例的移位寄存器經(jīng)由其中各級移位寄存器單元的電路設(shè)計來產(chǎn)生 控制信號VC1 (l)-VCl (k)，并根據(jù)控制信號VC1 (1)-VC1 (k)來對其前一級移位 寄存器單元的操作進(jìn)行控制，而不以掃描信號來對移位寄存器中的電路操作 進(jìn)行控制。如此，本實施例的移位寄存器具有掃描信號延遲時間較輕微的優(yōu) 點。
另外，本實施例的移位寄存器單元設(shè)置兩個用以拉低掃描信號電平的電 平控制單元204b與204c,其分別包括晶體管T7與T6。當(dāng)其中一個晶體管因 長時間導(dǎo)通而受到因應(yīng)力效應(yīng)的影響而逐漸:燥作異常時，本實施例的移位寄 存器單元可經(jīng)由另一晶體管來協(xié)助拉低掃描信號，使其等于最低電壓電平。 如使，本實施例的移位寄存器單元更可使掃描信號的電平較不易因其中的電 平控制單元操作異常而錯誤，而具有使用壽命較長的優(yōu)點。
第二實施例
請參照圖4，其表示依照應(yīng)用本發(fā)明第二實施例的移位寄存器的液晶顯 示器的方塊圖。本實施例的移位寄存器14a，與14b，中各級移位寄存器單元 T(1)-T(k)與T， (1)-T， (k)與第一實施例中的移位寄存器單元S(l)-S(k)與 S， (1)-S， (k)不同的處在于每一級移位寄存器單元具有兩個時序端C及C， 以接收時序信號CK1 ~ CK4中的其中兩個來產(chǎn)生對應(yīng)的掃描信號 SG(l)-SG(n)。接下來以移位寄存器單元T(l)為例做說明，而本實施例中各級移位寄存器單元T(l)-T(k)與T， (1)-T， (k)的動作可根據(jù)移位寄存器單元 T(l)的說明而類推得到。
請參照圖5，其表示圖4中移位寄存器單元T(l)的詳細(xì)電路圖。移位寄 存器單元T(l)與第一實施例中的移位寄存器單元S(l)不同的處在于其還包 括晶體管T9。晶體管T9的漏極接收電壓VDD, ^f極-接收時序信號CK3，源極 耦接至節(jié)點P2。晶體管T9用以響應(yīng)于時序信號CK3的高電平來提供電壓VDD 至節(jié)點P2，使節(jié)點P2上的控制信號VC2(1)等于電壓VDD。其中晶體管T9的 長寬比小于晶體管T5,如此當(dāng)晶體管T5及T9均為導(dǎo)通時，控制信號VC2(1) 被晶體管T5拉低至電壓VSS。
在時間周期TP1-TP3中，時序信號CK3等于電壓VSS，此時晶體管T9為 關(guān)斷。而于時間周期TP4中時序信號CK3等于電壓VDD,此時晶體管T9為導(dǎo) 通，晶體管T5為關(guān)斷，如此，使控制信號VC2(1)等于電壓VDD-Vth。
本實施例的移位寄存器單元T(l)-T(k)與T， (l)-T， (k)與第一實施例中 對應(yīng)的移位寄存器單元不同的處在于電平控制單元202b，設(shè)置有晶體管T9, 其用以于時間周期TP4使電壓信號Vc2(n)的電平等于VDD-Vth。如此，本 實施例的移位寄存器單元亦具有可應(yīng)用于雙邊掃描驅(qū)動器、輸出負(fù)載較低及 使用壽命較長的優(yōu)點。
在本實施例中雖僅以移位寄存器單元T(l)-T(k)與T， (l)-T， (k)均具有 圖5中的電路結(jié)構(gòu)，以實現(xiàn)出移位寄存器10，的情形為例做說明，然，本實 施例的移位寄存器單元T(1)-T(k)與T， (l)-T， (k)并不局限于具有上述的電 路結(jié)構(gòu)。例如移位寄存器單元T(l)-T(k)與T， (1)-T， (k)亦可如圖6所示， 其表示圖4中移位寄存器單元T(1)的另一詳細(xì)電路圖。移位寄存器單元T，， (l)與移位寄存器單元T(l)不同的處在于其還包括電平控制單元204d,且其 的驅(qū)動單元202a，還包括晶體管TIO。電平控制單元204d包括晶體管Tll。
晶體管T10的漏極耦接至節(jié)點Pl,柵極接收時序信號CK3，源極接收起 始信號STV。晶體管T8用以響應(yīng)時序信號CK3的高電平導(dǎo)通并提供起始信號 STV至節(jié)點Pl。晶體管Tll的漏極耦接至輸出端OUT，柵極接收時序信號CK3， 源極接收電壓VSS。晶體管Tll用以響應(yīng)時序信號CK3的高電平來提供電壓 VSS至輸出端OUT,使掃描信號SG(1)等于電壓VSS。
在時間周期TP1-TP3中時序信號CK3均等于4氐電平VSS,此時晶體管 T10與T11均為關(guān)斷。而在時序周期TP4中時序信號CK3等于高電平VDD,此時晶體管T10與Tll為導(dǎo)通，以分別提供起始信號STV與電壓VSS至節(jié)點 P1與輸出端0UT。在時間周期TP4中，起始信號STV等于電壓VSS。如此， 本實施例的移位寄存器單元T" (1)-T" (k)亦具有可應(yīng)用于雙邊掃描驅(qū)動器、 輸出負(fù)載較低及使用壽命較長的優(yōu)點。 第三實施例
請參照第7及圖8，圖7表示應(yīng)用本發(fā)明第三實施例的移位寄存器的液 晶顯示器的方塊圖，圖8表示圖7中移位寄存器單元U(1)的詳細(xì)電路圖。本 實施例的液晶顯示器10"與第二實施例的液晶顯示器10，不同的處在于移位 寄存器14"使用三個時序信號CK1，、 CK2，及CK3',而移位寄存器單元U(l) 以晶體管T9，、T10'與Tll，分別取代移位寄存器單元T" (1)中的晶體管T9、 TlO與Tll。晶體管T9'、 TIO，與T11'與對應(yīng)的晶體管T9、 T10與T11不同 的處在于其的柵極接收時序信號CK2'。
請參照圖9,其表示圖7中移位寄存器單元U(1)的相關(guān)信號時序圖。本 實施例的移位寄存器單元U(l)與第一及第二實施例的移位寄存器單元S(l)、 T(1)及T" (l)具有相近的時序波形，其不同的處在于使用的時序信號CK2， 較時序信號CK3提早一個時間周期提升為高電平。如此，晶體管T9'、 TIO， 及Tll，可有效地于時間周期TP3中分別使控制信號VC2(1)等于電壓VDD、 控制信號VC1 (l)等于電壓VSS及掃描信號SG(1)等于電壓VSS。如此，本實 施例的移位寄存器單元U(l) - U(k)及U， (1)-U， (k)亦具有可應(yīng)用于雙邊掃 描驅(qū)動器、輸出負(fù)載較低及使用壽命較長的優(yōu)點。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明。任何 所屬技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下， 可進(jìn)行各種更動與修改。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍以所提出的權(quán)利要求的范 圍為準(zhǔn)。
ii
權(quán)利要求
1. 一種移位寄存器，應(yīng)用于一雙邊掃描驅(qū)動器，該移位寄存器中各級移位寄存器單元包括一第一電平控制單元，用以提供一第一時序信號至一輸出端；一第一驅(qū)動單元，與該第一電平控制單元的輸入端耦接于一第一節(jié)點，該第一節(jié)點的電壓為一第一控制信號，該第一驅(qū)動單元用以響應(yīng)一輸入信號的前沿導(dǎo)通該第一電平控制單元，并于下一級移位寄存器單元的第一控制信號的電平高于一第二控制信號的電平時關(guān)斷該第一電平控制單元；一第二電平控制單元，用以提供一第一電壓至該輸出端；一第二驅(qū)動單元，用以響應(yīng)該第一控制信號的前沿關(guān)斷該第二電平控制單元，并響應(yīng)于該第一控制信號的后沿來導(dǎo)通該第二電平控制單元；以及一第三電平控制單元，用以于下一級移位寄存器單元的第一控制信號的電平高于該第二控制信號的電平時提供該第一電壓至該輸出端；其中，當(dāng)該輸出端的信號電平及該第一控制信號的電平均為高電平時該第二控制信號為高電平。
2. 如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其中該第三電平控制單元包括 一第一晶體管，柵極接收下一級移位寄存器單元的第一控制信號，第一源極/漏極耦接至該輸出端，第二源極/漏極接收該第二控制信號。
3. 如權(quán)利要求2所述的移位寄存器，其中該第二控制信號等于該第一時 序信號。
4. 如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其中該第一驅(qū)動單元包括 一第三晶體管，柵極接收下一級移位寄存器單元的第一控制信號，第一源極/漏極耦接至該第一節(jié)點，第二源極/漏極接收該第二控制信號。
5. 如權(quán)利要求4所述的移位寄存器，其中該第二控制信號等于該第一時 序信號。
6. 如權(quán)利要求4所述的移位寄存器，其中該第一驅(qū)動單元還包括 一第五晶體管，柵極接收該輸入信號，第一源極/漏極接收一第二電壓，第二源極/漏極耦接至該第 一節(jié)點。
7. 如權(quán)利要求4所述的移位寄存器，其中該第一驅(qū)動單元還包括 一第四晶體管，柵極耦接置一第二節(jié)點，第一源極/漏極耦接至該第一節(jié)點，第二源極/漏極接收該第一電壓。
8. 如權(quán)利要求4所述的移位寄存器，其中該第一驅(qū)動單元還包括 一第五晶體管，柵極接收一第二時序信號，第一源極/漏極耦接至該第一節(jié)點，第二源極/漏極接收該輸入信號，該第四晶體管用以于該第二時序信號 的電平高于該輸入信號時纟是供該輸入信號至該第 一節(jié)點；其中，該第二時序信號的啟用時間與該第一時序信號的啟用時間錯開。
9. 如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其中該第二驅(qū)動單元包括 一偏置單元，與該第二電平控制單元的輸入端耦接于一第二節(jié)點，該第二節(jié)點的電壓為一第四控制信號，該偏置單元用以響應(yīng)于該第一控制信號的 前沿來拉低該第四控制信號的電平以關(guān)斷該第二電平控制單元，并響應(yīng)于該 第 一 控制信號的后沿來提升該第四控制信號的電平以接通該第二電平控制單 元。
10. 如權(quán)利要求9所述的移位寄存器，其中該第二驅(qū)動單元還包括 一第六晶體管，柵極接收一第二時序信號，第一源極/漏極接收一第二電壓，第二源極/漏極耦接至該第二節(jié)點。
11. 如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其中該第一電平控制單元包括 一第七晶體管，柵極接收該第一控制信號，第一源極/漏極接收該第一時序信號，第二源極/漏極耦接至該輸出端。
12. 如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其中該第二電平控制單元包括 一第九晶體管，柵極接收該第四控制信號，第一源極/漏極耦接至該輸出端，第二源極/漏極接收該第一電壓。
13. 如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其中還包括 一第四電平控制單元，包括一第二晶體管，柵極接收一第二時序信號，第一源極/漏極耦接至該輸出端，第二源極/漏極接收該第一電壓，該第二晶 體管響應(yīng)于該第二時序信號的上升沿來提供該第一電壓至該輸出端；其中，該第二時序信號的啟用時間與該第一時序信號的啟用時間錯開。
14. 如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其中該些級移位寄存器單元中的 一第一級移位寄存器單元接收一起始信號，并以該起始信號做為該輸入信號。
15. 如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其中該些移位寄存器單元中任兩 相鄰的移位寄存器單元所接收的該第 一時序信號的啟用時間錯開。
全文摘要
一移位寄存器，其移位寄存器單元包括第一、第二、第三電平控制單元、第一及第二控制單元。第一及第二電平控制單元分別提供第一時序信號及電壓至輸出端。第一驅(qū)動單元與電平控制單元耦接于第一節(jié)點。第一驅(qū)動單元響應(yīng)輸入信號、第二控制信號及下一級移位寄存器單元的第一控制信號導(dǎo)通及關(guān)斷第一電平控制單元。第二驅(qū)動單元響應(yīng)第一控制信號導(dǎo)通及關(guān)斷第二電平控制單元。第三電平控制單元響應(yīng)第二控制信號與下一級移位寄存器單元的第一控制信號提供第一電壓至輸出端。第二控制信號于輸出端及第一控制信號的電平為高電平時為高電平。
文檔編號G11C19/00GK101465165SQ20071015993
公開日2009年6月24日 申請日期2007年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月20日
發(fā)明者王文俊, 蔡易宬, 詹建廷, 韓西容 申請人:勝華科技股份有限公司