專利名稱：磁頭及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁頭和一種制造該磁頭的方法，更準(zhǔn)確地說涉及一種MR元件不被靜電損壞的磁頭以及一種制造該磁頭的方法。
技術(shù)背景圖16為沿著垂直于空氣支撐表面的線剖取的磁頭的剖視圖，該磁頭 包括CIP型G-MR (巨磁阻)元件5。該磁頭通過在由ALTIC(Al203-TiC) 制成的基板2上鋪設(shè)讀取頭10和寫入頭20而形成。讀取頭10包括下屏 蔽層4、上屏蔽層6和設(shè)置在屏蔽層4和6之間的MR元件5;寫入頭20 包括下磁極12、上磁極14、形成在磁極12和14之間的寫入間隙、以及 勵磁線圈16。當(dāng)磁頭接觸記錄介質(zhì)時，下屏蔽層4和上屏蔽層6不時被充電。MR 元件5的抗靜電性差，因而必須避免靜電對MR元件5造成損壞。因此， 下屏蔽層4和上屏蔽層6通過分流電阻3電連接到基板2，從而防止屏蔽 層4和6帶靜電荷。在圖16所示的磁頭中，分別用于通過電解電鍍形成下屏蔽層4和上 屏蔽層6的電鍍種子層41和61被連接到導(dǎo)電部分4a，從而下屏蔽層4 和上屏蔽層6可通過分流電阻3電連接到基板2。應(yīng)指出的是，寫入頭20的下磁極12也電連接到基板2上，以便防 止帶靜電荷。在圖16所示的磁頭中，下磁極12具有略微咬入上屏蔽層6 的突出部12a，以便將下磁極12電連接到上屏蔽層6。通過該結(jié)構(gòu)，下 磁極12可電連接到基板2上。在例如包括T-MR元件的CPP型磁頭中，下屏蔽層和上屏蔽層作為 讀取頭的電極。因此，下屏蔽層和上屏蔽層分別通過分流電阻電連接到 基板。為了將下磁極電連接到基板，下磁極通過不同的分流電阻電連接到基板。日本專利公報No.2003-85710公開了一種磁頭，其中上屏蔽層和下 磁極通過導(dǎo)電層電連接，以便防止上屏蔽層和下磁極被腐蝕。圖17為圖16所示的磁頭的平面圖，其中從上側(cè)觀看下磁極12、上 屏蔽層6和電鍍種子層61。下磁極12、上屏蔽層6和下屏蔽層4的平面 形狀為矩形形狀。電鍍種子層61也具有矩形平面形狀，并且從上屏蔽層 6的邊緣向外延伸。下磁極12的面對上屏蔽層6的突出部12a沿著上屏蔽層6的寬度方 向是細長的并且裝配在上屏蔽層6的上表面中所形成的凹入部分中。導(dǎo) 電部分4a連接到電鍍種子層61的延伸端部并位于該延伸端部的寬度方 向的中央。在如上所述下磁極12的突出部12a咬入上屏蔽層6以便使下磁極12 連接到上屏蔽層6的情況下，用于寫入數(shù)據(jù)的寫入頭20的磁場影響上屏 蔽層6的磁疇結(jié)構(gòu)，從而磁頭的讀取特性會發(fā)生變化。下屏蔽層4和上 屏蔽層6屏蔽MR元件使其免受不期望的外部磁場。如果上屏蔽層6的 磁疇結(jié)構(gòu)變化，就會產(chǎn)生讀取噪聲。發(fā)明內(nèi)容為解決上述問題而構(gòu)思本發(fā)明。本發(fā)明的目的在于提供一種磁頭，其中，讀取頭的下屏蔽層和上屏 蔽層以及寫入頭的下磁極電連接到基板，以便防止靜電對MR元件造成 損壞，并且不會不利地影響讀取頭的讀取特性。為了實現(xiàn)該目的，本發(fā)明具有以下結(jié)構(gòu)。也就是說，本發(fā)明的磁頭包括讀取頭，該讀取頭具有下屏蔽層和 上屏蔽層，它們通過分流電阻電連接到基板；以及寫入頭，該寫入頭具 有下磁極，該下磁極通過所述分流電阻電連接到所述基板，其中所述下 屏蔽層和所述上屏蔽層通過一導(dǎo)電層電連接到所述基板，并且所述下磁 極通過一導(dǎo)電層電連接到所述基板，該導(dǎo)電層形成為該下磁極的基層。在用導(dǎo)電層構(gòu)成分流結(jié)構(gòu)的情況下，分流電阻可與導(dǎo)電層分開形成。另外，可將導(dǎo)電層的電阻用作分流電阻。要注意的是，本發(fā)明可應(yīng)用于 CIP型磁頭和CPP型磁頭。在所述磁頭中，所述下磁極的電鍍種子層可用作該下磁極的所述導(dǎo) 電層。通過該結(jié)構(gòu)，可在通過電鍍形成下磁極時容易且可靠地將該下磁 極電連接到基板。在所述磁頭中，所述下屏蔽層可通過導(dǎo)電部分連接到所述分流電阻， 并且所述下磁極可通過上導(dǎo)電部分連接到所述分流電阻。優(yōu)選的是，所述上屏蔽層的上表面和所述上導(dǎo)電部分的上表面包含 在同一平面中。通過該結(jié)構(gòu)，上屏蔽層可以可靠地與下磁極電分離。在所述磁頭中，所述下磁極的導(dǎo)電層可延伸到該下磁極的外邊緣之 外，并且所述下磁極通過所述導(dǎo)電層電連接到所述基板。通過該結(jié)構(gòu)， 可容易地布置用于將導(dǎo)電層連接到基板的導(dǎo)線。在所述磁頭中，所述導(dǎo)電層的平面形狀可設(shè)計成使設(shè)有連接到所 述讀取頭的導(dǎo)線的導(dǎo)線區(qū)域與和該導(dǎo)線區(qū)域重疊且設(shè)有連接到所述寫入 頭的導(dǎo)線的另一導(dǎo)線區(qū)域隔離。通過該結(jié)構(gòu)，可抑制讀取頭和寫入頭之 間的電干擾，從而可改善磁頭的特性。所述磁頭的制造方法包括通過電解電鍍在基板上形成下屏蔽層、 導(dǎo)電部分和基板導(dǎo)電部分的步驟，所述導(dǎo)電部分待與分流電阻的一端相 連，所述基板導(dǎo)電部分待與該分流電阻的另一端相連，在該步驟中電鍍 種子層用作供電層；在所述下屏蔽層上方的層中形成MR元件和所述分流電阻的步驟，所述MR元件和所述分流電阻與所述導(dǎo)電部分和所述基 板導(dǎo)電部分連接；在包括所述MR元件和所述分流電阻的層上形成電鍍 種子層、通過電解電鍍形成連接到所述導(dǎo)電部分的上屏蔽層、以及形成 連接到所述導(dǎo)電部分的上導(dǎo)電部分的步驟，在該步驟中所述電鍍種子層 用作供電層；以及在所述上屏蔽層上形成連接到所述上導(dǎo)電部分的電鍍 種子層并通過電解電鍍形成下磁極的步驟，在該步驟中所述電鍍種子層 用作供電層。本發(fā)明的磁頭滑塊包括包含寫入頭和讀取頭的磁頭，其中所述讀取 頭具有下屏蔽層和上屏蔽層，它們通過分流電阻與基板電連接，所述寫入頭具有下磁極，該下磁極通過所述分流電阻與所述基板電連接，所述 下屏蔽層和所述上屏蔽層通過一導(dǎo)電層電連接到所述基板，并且所述下 磁極通過一導(dǎo)電層電連接到所述基板，該導(dǎo)電層形成為該下磁極的基層。 在所述磁頭滑塊中，所述下磁極的電鍍種子層可用作該下磁極的所 述導(dǎo)電層。另外，本發(fā)明的磁盤裝置包括包含磁頭的磁頭滑塊，所述磁頭通過 寫入頭和讀取頭將數(shù)據(jù)寫入磁性記錄介質(zhì)以及從磁性記錄介質(zhì)讀取數(shù) 據(jù)，其中所述讀取頭具有下屏蔽層和上屏蔽層，它們通過分流電阻與基 板電連接，所述寫入頭具有下磁極，該下磁極通過所述分流電阻電連接 到所述基板，所述下屏蔽層和所述上屏蔽層通過一導(dǎo)電層電連接到所述 基板，并且所述下磁極通過一導(dǎo)電層電連接到所述基板，該導(dǎo)電層形成 為該磁極的基層。在本發(fā)明的磁頭中，寫入頭的下磁極與讀取頭的上屏蔽層分開，構(gòu) 造包括讀取頭的下屏蔽層和上屏蔽層的分流結(jié)構(gòu)，并構(gòu)造包括寫入頭的 下磁極的分流結(jié)構(gòu)。因此，讀取頭和寫入頭彼此不干擾，從而可提高磁 頭的磁性能和抗靜電性。在本發(fā)明的制造方法中，可在不顯著改變傳統(tǒng) 制造方法的情況下制造具有優(yōu)異讀取特性以及優(yōu)異抗靜電性的磁頭。


現(xiàn)在將參照附圖以實施例的方式對本發(fā)明的實施方式進行描述，其中圖1是本發(fā)明第一實施方式的磁頭的剖視圖；圖2是第一實施方式的磁頭的平面圖；圖3是本發(fā)明第二實施方式的磁頭的剖視圖；圖4是第二實施方式的磁頭的平面圖；圖5A至圖5F是表示磁頭的制造過程的說明圖；圖6A至圖6E是表示磁頭的制造過程的說明圖；圖7A至圖7E是表示磁頭的制造過程的說明圖；圖8A和圖8B是表示磁頭的制造過程的說明圖；圖9A至圖9E是表示磁頭的另 一制造過程的說明圖；圖IO是傳統(tǒng)CPP型磁頭的分流結(jié)構(gòu)的平面圖；圖11是另一傳統(tǒng)CPP型磁頭的分流結(jié)構(gòu)的平面圖；圖12是本發(fā)明的CPP型磁頭的分流結(jié)構(gòu)的平面圖；圖13是本發(fā)明的分流結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖14是包括磁頭的磁頭滑塊的立體圖；圖15是磁盤裝置的平面圖；圖16是傳統(tǒng)磁頭的剖視圖；以及圖17是傳統(tǒng)磁頭的平面圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行描述。 (磁頭的結(jié)構(gòu))圖1是本發(fā)明第一實施方式的磁頭的剖視圖，圖2是其平面圖。第 一實施方式的磁頭是GMR (巨磁阻)型磁頭，其基本結(jié)構(gòu)與圖16所示 磁頭的相同。也就是說，該磁頭包括讀取頭10，其具有下屏蔽層4、 MR元件5和上屏蔽層6，它們通過絕緣層層壓在由ALTIC(Al203-TiC)制 成的基板2上；以及寫入頭20，其具有下磁極12、上磁極14、磁極12 和14之間形成的寫入間隙、以及勵磁線圈16。與圖16中所示的磁頭一樣，寫入頭10的下屏蔽層4和上屏蔽層6 通過分流電阻3與基板2電連接，以便防止MR元件5受到靜電損壞， 并且寫入頭20的下磁極12通過分流電阻3電連接到基板2。下屏蔽層4通過電鍍種子層41和導(dǎo)電部分4a連接到分流電阻3的 一端，電鍍種子層41是導(dǎo)電層并用作下屏蔽層4的基層；上屏蔽層6通 過電鍍種子層61連接到分流電阻3的所述一端。分流電阻3的另一端連 接到形成在基板2上的基板導(dǎo)電部分4b的上表面，從而分流電阻3通過 基板導(dǎo)電部分4b電連接到基板2。本實施方式的磁頭的特征在于具有連接到分流電阻3的下磁極12的 寫入頭20。在傳統(tǒng)的磁頭中，在下磁極12中形成突出部12a，并且該突出部12a連接到上屏蔽層6，以便將下磁極12連接到上屏蔽層6。另一 方面，在本實施方式中，下磁極12與上屏蔽層6分開并且利用用于通過 電鍍形成下磁極12的電鍍種子層121連接到分流電阻3。電鍍種子層121從空氣支撐表面沿著高度方向延伸或者說遠離空氣 支撐表面延伸，并且電鍍種子層121的延伸端連接到在導(dǎo)電部分4a上方 形成為柱狀的上導(dǎo)電部分6a，從而電鍍種子層121可電連接到分流電阻如圖2所示，下磁極12具有矩形平面形狀，并且上屏蔽層6和下屏 蔽層4的平面形狀與下磁極12的平面形狀相同。用來形成下磁極12的電鍍種子層121遠離空氣支撐表面延伸，并且 電鍍種子層121的延伸端連接到上導(dǎo)電部分6a。圖3是本發(fā)明第二實施方式的磁頭的剖視圖，圖4是其平面圖。在 第二實施方式中，與第一實施方式一樣，寫入頭20的下磁極12也與讀 取頭10的上屏蔽層6分開，并且通過用來形成下磁極12的電鍍種子層 121以及形成上屏蔽層6時形成的上導(dǎo)電部分6a電連接到分流電阻3。圖3中示出的磁頭的特征在于在形成寫入頭20的下磁極12時， 上屏蔽層6的上表面和上導(dǎo)電部分6a的上表面被制成平的；這兩個平的 上表面包含在同一平面中；并且下磁極12通過電鍍種子層121電連接到 上導(dǎo)電部分6a。通過使上屏蔽層6的表面變平，下磁極12的電鍍種子層121和上屏 蔽層6不會在厚度方向上相干涉，從而可防止在下磁極12和讀取頭10 之間發(fā)生相互干擾(串?dāng)_)。因此，讀取頭10和寫入頭20可完全分開。在第一和第二實施方式中，寫入頭20的下磁極12通過絕緣層與電 鍍種子層121分開并且通過電鍍種子層121和上導(dǎo)電部分6a電連接到分 流電阻3。通過該結(jié)構(gòu)，寫入頭20的動作不會不利地影響讀取頭10的特 性，從而可穩(wěn)定地保持讀取頭10的特性。另外，可防止寫入頭20的下 磁極12的靜電荷，從而可提高MR元件5的抗靜電性。在上述實施方式中，已對CIP型磁頭進行了說明。上述實施方式的 結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于TMR型磁頭。在TMR型磁頭中，下屏蔽層4和上屏蔽層6用作讀取頭的電極，從而待連接到下屏蔽層4的分流電阻和待連接到上 屏蔽層6的另一分流電阻在形成分流電阻3的平面中分開地形成。于是， 下屏蔽層4和上屏蔽層6分別通過分流電阻連接到基板2。另外，寫入頭 20的下磁極12可通過電鍍種子層121電連接到基板2而不使用分流電阻(磁頭的制造方法)圖5A至圖7E示出了第一實施方式的磁頭的制造過程。在圖5A至 圖5F中，形成讀取頭10的下屏蔽層4、導(dǎo)電部分4a、基板導(dǎo)電部分4b 和分流電阻3。在圖5A中，通過濺射氧化鋁在基板2的整個表面上形成絕緣層7， 并且在與導(dǎo)電部分4a相對應(yīng)的位置處形成導(dǎo)電孔7a。導(dǎo)電孔7a通過以 下步驟形成在絕緣層7的表面上涂覆抗蝕劑42;對抗蝕劑42進行構(gòu)圖 從而露出絕緣層7的待形成導(dǎo)電孔7a的部分；以及利用抗蝕劑42作為 掩模進行離子研磨。在圖5B和圖5C中，通過電鍍形成下屏蔽層4、導(dǎo)電部分4a和基板 導(dǎo)電部分4b。在圖5B中，在工件的表面上形成電鍍種子層41，電鍍種 子層41的表面涂覆抗蝕劑42，并對抗蝕劑42進行構(gòu)圖從而露出電鍍種 子層41的待形成下屏蔽層4、導(dǎo)電部分4a和基板導(dǎo)電部分4b的部分。在圖5C中，通過電解電鍍形成下屏蔽層4、導(dǎo)電部分4a和基板導(dǎo) 電部分4b，其中電鍍種子層41用作供電層。下屏蔽層4由軟磁性材料制 成，例如Ni， Fe。因此，導(dǎo)電部分4a和基板導(dǎo)電部分4b也由與下屏蔽 層4的軟磁性材料(導(dǎo)電材料)相同的材料制成。在圖5D中，通過離子研磨去除電鍍種子層41的無用部分。對抗蝕 劑43進行構(gòu)圖從而覆蓋工件的待留下電鍍種子層41的表面部分，并利 用抗蝕劑43作為掩模進行離子研磨，以便除去電鍍種子層41在基板2 上露出的部分。對抗蝕劑43進行構(gòu)圖以通過電鍍種子層41將下屏蔽層4 連接到導(dǎo)電部分4a。在圖5E中，通過濺射絕緣材料(例如氧化鋁)覆蓋工件的整個表面， 以便覆蓋下屏蔽層4、導(dǎo)電部分4a和基板導(dǎo)電部分4b的表面。然后，通過化學(xué)一機械方法拋光工件的表面，以使下屏蔽層4、導(dǎo)電部分4a、基 板導(dǎo)電部分4b和絕緣層44的表面變平。在圖5F中，在表面已變平的下屏蔽層4上形成MR元件5。 MR元 件5通過以下步驟形成在工件的表面上形成絕緣層；層壓構(gòu)成MR元 件5的磁阻效應(yīng)膜；以及對層壓膜進行離子研磨，從而使層壓膜形成MR 元件5的預(yù)定形狀。分流電阻3和MR元件5通過單獨的步驟形成。通 過在導(dǎo)電部分4a和基板導(dǎo)電部分4b之間使導(dǎo)電膜形成鋸齒形圖案而形 成分流電阻3，其是薄導(dǎo)電膜。在圖6A至圖6E中，形成電鍍種子層61，其連接到上屏蔽層6和分 流電阻3。在圖6A中，MR元件5和分流電阻3涂覆有絕緣層45。在導(dǎo)電部 分4a的表面涂覆抗蝕劑46，然后通過濺射絕緣材料(例如氧化鋁)在工 件的表面上形成絕緣層45。在圖6B中，在絕緣層45的表面上形成用于形成上屏蔽層6的電鍍 種子層61。在去除抗蝕劑46之后，通過濺射在工件的整個表面上形成電 鍍種子層61。由于導(dǎo)電部分4a的表面露出，因而電鍍種子層61可連接 到導(dǎo)電部分4a。在圖6C中，通過電解電鍍形成上屏蔽層6和上導(dǎo)電部分6a，其中 電鍍種子層61用作供電層。對抗蝕劑47進行構(gòu)圖從而露出電鍍種子層 61的待形成上屏蔽層6和上導(dǎo)電部分6a的部分，然后通過電鍍在該部分 中形成上屏蔽層6和上導(dǎo)電部分6a。在圖6D中，在去除抗蝕劑47之后，在電鍍種子層61的待留下的部 分涂覆抗蝕劑48。對抗蝕劑48進行構(gòu)圖以覆蓋電鍍種子層61，從而使 上屏蔽層6連接到上導(dǎo)電部分6a。在圖6E中，利用抗蝕劑48作為掩模而進行離子研磨，以去除電鍍 種子層61的無用部分，然后除去抗蝕劑48。圖7A至圖7E示出了用來形成寫入頭20的電鍍禾+子層121和下磁 極12的過程。在圖7A中，形成絕緣層62，其使上屏蔽層6與寫入頭20的下磁極12電絕緣。通過濺射使工件的表面涂覆有絕緣材料(例如氧化鋁)，從而形成絕緣層62。上屏蔽層6和上導(dǎo)電部分6a的凸凹不平使工件的表面成 為略微不平的表面。在圖7A中，工件的表面涂覆有絕緣層62，然后在工件的表面涂覆 抗蝕劑64。另外，對抗蝕劑64進行構(gòu)圖以形成與上導(dǎo)電部分6a相對應(yīng) 的開口部分64a。在圖7B中，利用抗蝕劑64作為掩模進行離子研磨，以形成絕緣層 62的孔62a，在該孔中露出上導(dǎo)電部分6a的上表面。在圖7C中，在工件的表面上形成下磁極12的電鍍種子層121。電 鍍種子層121覆蓋絕緣層62的表面、上導(dǎo)電部分6a在孔62a中露出的 表面和孔62的內(nèi)周面。通過該結(jié)構(gòu)，電鍍種子層121可電連接到上導(dǎo)電 部分6a。在圖7D中，通過電解電鍍形成寫入頭20的下磁極12，其中電鍍種 子層121作為供電層。在電鍍種子層121的表面涂覆抗蝕劑65，并對抗 蝕劑65進行構(gòu)圖以露出電鍍種子層121的待形成下磁極12的部分。通 過電鍍在電鍍種子層121上形成下磁極12。在圖7E中，工件的表面涂覆有抗蝕劑66，并且對抗蝕劑66進行構(gòu) 圖以露出電鍍種子層121的無用部分。通過離子研磨除去電鍍種子層121 的無用部分。要注意的是，對抗蝕劑66進行構(gòu)圖以覆蓋電鍍種子層121 的用于將下磁極12連接到上導(dǎo)電部分6a的部分。在圖8A中，利用抗蝕劑66作為掩模進行離子研磨，以便除去電鍍 種子層121的在工件的表面上露出的無用部分。在形成下磁極12之后，形成上磁極14和線圈16。要注意的是，在 磁極12和14之間形成寫入間隙18。圖8B示出了具有讀取頭10和寫入頭20的完整磁頭。在上述方法中，在形成上屏蔽層6的同時形成上導(dǎo)電部分6a，對絕 緣層62進行離子研磨以形成孔62a，孔62a與上導(dǎo)電部分6a連通，從而 電鍍種子層121電連接到上導(dǎo)電部分6a。上述方法可通過對傳統(tǒng)制造方 法稍加改變而進行，從而可利用傳統(tǒng)制造方法改進磁頭的特性。圖9A至圖9E示出了圖3中所示的第二實施方式的磁頭的制造方法。 在當(dāng)前方法中，形成上屏蔽層6和上導(dǎo)電部分6a，在工件的表面涂覆絕 緣層62，然后利用化學(xué)一機械方法拋光工件的表面，從而使上屏蔽層6 的上表面和上導(dǎo)電部分6a的上表面包含在同一平面中。在圖9A中，在工件的表面涂覆抗蝕劑62。在圖9B中，利用化學(xué)一機械方法拋光工件的表面，從而使上屏蔽層 6的上表面和上導(dǎo)電部分6a的上表面包含在同一平面中。在圖9C中，形成使上屏蔽層6與寫入頭20的下磁極12絕緣的絕緣 層63，并且在絕緣層63中形成用于露出上導(dǎo)電部分6a的端面的孔63a。 在待形成孔63a的部分涂覆抗蝕劑，然后通過濺射絕緣材料(例如氧化 鋁)形成絕緣層63。在圖9D中，在工件的表面上形成下磁極12的電鍍種子層121。電 鍍種子層121覆蓋絕緣層63的表面、上導(dǎo)電部分6a的表面和孔63a的 內(nèi)周面。因此，電鍍種子層121被電連接到上導(dǎo)電部分6a。在形成電鍍種子層121之后，通過電解電鍍形成下磁極12，其中電 鍍種子層121用作供電層。另外，除去電鍍種子層121的無用部分。在圖9E中，形成寫入頭20的上磁極14和線圈16。通過該步驟， 完成了圖3中示出的磁頭。在上述方法中，通過電解電鍍形成下屏蔽層4、上屏蔽層6和下磁 極12。用于進行電解電鍍的電鍍種子層41、 61和121被用于使下屏蔽層 4、上屏蔽層6和下磁極12電連接到基板2?？墒褂脠D案與電鍍種子層的 圖案相同的導(dǎo)電層來替代電鍍種子層，以便使下屏蔽層4、上屏蔽層6和 下磁極12電連接到基板2。 (下磁極的分流結(jié)構(gòu))在每個上述實施方式中，下屏蔽層4、上屏蔽層6和下磁極12通過 導(dǎo)電層電連接到基板2，從而可有效地提高磁頭的抗靜電性。圖IO是磁頭的平面圖。所示的磁頭不完整?？諝庵伪砻鎸⒀刂€ A-A形成。下磁極12具有矩形平面形狀，并且在下磁極12的下方形成 平面形狀與下磁極12的相同的上屏蔽層6和下屏蔽層4。導(dǎo)線22a和22b連接到讀取頭10的下屏蔽層4和上屏蔽層6。另外， 導(dǎo)線22a和22b連接到讀取電極24a和24b。要注意的是，導(dǎo)線連接到寫 入頭20的線圈16，這些導(dǎo)線進一步連接到寫入電極。在圖10中，示出 了寫入頭20的其中一根導(dǎo)線26。任選地設(shè)計連接到寫入頭20和讀取頭10的導(dǎo)線的圖案。在圖IO中示出了CPP型磁頭的寫入頭20的傳統(tǒng)分流結(jié)構(gòu)。如圖10 所示，分流導(dǎo)線30從下磁極12的上表面延伸，并且導(dǎo)線30連接到導(dǎo)電 部分32，導(dǎo)電部分32使導(dǎo)線30電連接到基板2。具體而言，線圈16和 分流導(dǎo)線30同時形成圖案，然后分流導(dǎo)線30被連接到導(dǎo)電部分32。然而，在最近的磁頭中，讀取特性必須是穩(wěn)定的，在加工磁頭滑塊 時，必須防止元件短路，并且下磁極12、下屏蔽層4和上屏蔽層6必須 小型化以使磁極小型化，從而防止由于磁頭與記錄介質(zhì)碰撞而引起磁頭 損壞。圖11示出了另一傳統(tǒng)磁頭，其具有小型化了的下磁極12、下屏蔽層 4和上屏蔽層6。由于采用小型化的下磁極12，分流導(dǎo)線30和下磁極12 的連接點定位成靠近寫入頭20的中心部分，從而連接點和寫入頭20的 線圈16重疊而相互干涉。因此，難以形成分流導(dǎo)線30。圖12示出了具有本發(fā)明的分流結(jié)構(gòu)的磁頭。導(dǎo)電層50形成在下磁 極12下方并與其相連。另外，導(dǎo)電層50從下磁極12向外延伸。分流導(dǎo) 線30連接到導(dǎo)電層50。由于導(dǎo)電層50從下磁極12向外延伸，分流導(dǎo)線 30可以在不與寫入頭20干涉的情況下形成和連接。在圖12中，導(dǎo)電層50具有矩形平面形狀，但是也可任意設(shè)計其平 面形狀。寫入頭20的導(dǎo)線26和讀取頭的導(dǎo)線22a通常在中心部分20a附近 交叉。因此，導(dǎo)電層50的位置和形狀可設(shè)計成屏蔽其中寫入頭20和讀 取頭的導(dǎo)線交叉的特定部分，從而可防止寫入頭20和讀取頭之間產(chǎn)生電 干涉。圖13是磁頭的剖視圖，其中在寫入頭20的下磁極12上形成導(dǎo)電層 50。導(dǎo)電層50從下磁極12的上邊緣向上(在圖中向右)延伸。分流導(dǎo)線30連接到導(dǎo)電層50和導(dǎo)電部分4c。導(dǎo)電層50和分流導(dǎo)線30的電阻 值是幾歐姆。下磁極12不需要連接到電極，因而下磁極12不需要分流 電阻。換句話說，導(dǎo)電層50和導(dǎo)線30作為分流電阻。要注意的是，下 屏蔽層4和上屏蔽層6通過分流電阻3a和3b連接到基板2。
導(dǎo)電層50通過以下步驟形成形成上屏蔽層6;在工件的表面涂覆 絕緣材料；使工件的表面變平；以及通過濺射形成導(dǎo)電層50的圖案。在 形成線圈16的圖案的同時通過以下步驟形成分流導(dǎo)線30:形成下磁極 12;在工件的表面涂覆絕緣材料；使工件的表面變平；連接到導(dǎo)電層50。
在圖13中，導(dǎo)電層50的中心部分側(cè)端部從由線A-A表示的空氣支 撐表面略微向上偏移，但是導(dǎo)電層50可延伸至達到空氣支撐表面。導(dǎo)電 層50的材料沒有限制，但是具有優(yōu)異抗腐蝕性的材料(例如Ta、 Ru) 用作合適的材料。在上述實施方式中，在形成線圈16的同時形成導(dǎo)線30， 并且下磁極12通過導(dǎo)電層50連接到基板2。在另一情況下，可同時形成 導(dǎo)電層50和將導(dǎo)電層50連接到導(dǎo)電部分32的導(dǎo)線。 (磁頭滑塊)
具有分流結(jié)構(gòu)的上述磁頭形成在磁頭滑塊中，該磁頭滑塊形成在晶 片中。切割晶片以使磁頭滑塊各個分離。在圖14中示出了分開的磁頭滑 塊70。浮動軌道72a和72b形成在磁頭滑塊70的盤側(cè)表面上并沿著滑塊 主體71的側(cè)邊緣延伸，浮動軌道72a和72b使磁頭滑塊70從磁盤的一 個表面浮動。包括上述讀取頭和寫入頭的磁頭80在磁頭滑塊70的前端 側(cè)(空氣下游側(cè))設(shè)置成面對磁盤。磁頭80由保護膜74保護。
圖15示出了包括磁頭滑塊70的磁盤裝置90。磁盤裝置卯還包括 形成為矩形盒形狀的殼體91;設(shè)置在殼體91中的主軸馬達92;以及通 過主軸馬達92旋轉(zhuǎn)的多個磁盤93。在磁盤93附近設(shè)置可平行于磁盤93 的表面轉(zhuǎn)動的支架臂94。各個支架臂94的前端附接有磁頭懸架95，并 且各個磁頭懸架95的前端附接有磁頭滑塊70。各個磁頭滑塊70附接在 各個磁頭懸架95的盤側(cè)表面中。
磁頭滑塊70被磁頭懸架95彈性地朝磁盤93的表面偏壓。當(dāng)磁盤 93停止旋轉(zhuǎn)時，磁頭滑塊70分別與磁盤93的表面接觸。這一結(jié)構(gòu)稱為"接觸開始"。當(dāng)磁盤93通過主軸馬達92旋轉(zhuǎn)時，旋轉(zhuǎn)的磁盤93產(chǎn)生 空氣流，使得磁頭滑塊70從磁盤93的表面浮動。控制部分控制致動器 96以使支架臂94轉(zhuǎn)動，從而使附接到磁頭滑塊70上的磁頭80移動到目 標(biāo)位置，并且該磁頭能夠?qū)?shù)據(jù)寫入到磁盤93上并能夠從磁盤93上讀 取數(shù)據(jù)。
可以在不脫離本發(fā)明實質(zhì)特征的精神的情況下以其他特定形式實施 本發(fā)明。因此，當(dāng)前實施方式在所有方面都應(yīng)視為是說明性的而不是限 制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明表示，因此，理 應(yīng)包含落入權(quán)利要求的等同物的含義和范圍內(nèi)的所有變化。
權(quán)利要求
1、一種磁頭，該磁頭包括讀取頭，該讀取頭具有下屏蔽層和上屏蔽層，它們通過分流電阻電連接到基板；以及寫入頭，該寫入頭具有下磁極，該下磁極通過所述分流電阻電連接到所述基板，其中，所述下屏蔽層和所述上屏蔽層通過一導(dǎo)電層電連接到所述基板，并且所述下磁極通過一導(dǎo)電層電連接到所述基板，該導(dǎo)電層形成為該下磁極的基層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其中，所述下磁極的電鍍種子層用 作該下磁極的所述導(dǎo)電層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁頭，其中，所述下屏蔽層通過導(dǎo)電部分 連接到所述分流電阻，并且所述下磁極通過上導(dǎo)電部分連接到所述分流電阻。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁頭，其中，所述上屏蔽層的上表面和所 述上導(dǎo)電部分的上表面包含在同一平面中。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁頭，其中，所述下磁極的導(dǎo)電層延伸到 該下磁極的外邊緣之外，并且所述下磁極通過所述導(dǎo)電層電連接到所述基板。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁頭，其中，所述導(dǎo)電層的平面形狀被設(shè) 計成使設(shè)有連接到所述讀取頭的導(dǎo)線的導(dǎo)線區(qū)域與和該導(dǎo)線區(qū)域重疊 且設(shè)有連接到所述寫入頭的導(dǎo)線的另一導(dǎo)線區(qū)域隔離。
7、 一種制造磁頭的方法，該方法包括通過電解電鍍在基板上形成下屏蔽層、導(dǎo)電部分和基板導(dǎo)電部分的 步驟，所述導(dǎo)電部分待與分流電阻的一端相連，所述基板導(dǎo)電部分待與該分流電阻的另一端相連，在該步驟中電鍍種子層用作供電層；在所述下屏蔽層上方的層中形成MR元件和所述分流電阻的步驟,所述MR元件和所述分流電阻與所述導(dǎo)電部分和所述基板導(dǎo)電部分連接；在包括所述MR元件和所述分流電阻的層上形成電鍍種子層、通過電解電鍍形成連接到所述導(dǎo)電部分的上屏蔽層、以及形成連接到所述導(dǎo)電部分的上導(dǎo)電部分的步驟，在該步驟中所述電鍍種子層用作供電層； 以及在所述上屏蔽層上形成連接到所述上導(dǎo)電部分的電鍍種子層并通過 電解電鍍形成下磁極的步驟，在該步驟中所述電鍍種子層用作供電層。
8、 一種磁頭滑塊，該磁頭滑塊包括 包含寫入頭和讀取頭的磁頭；其中，所述讀取頭具有下屏蔽層和上屏蔽層，它們通過分流電阻與 基板電連接，所述寫入頭具有下磁極，該下磁極通過所述分流電阻與所述基板電 連接，所述下屏蔽層和所述上屏蔽層通過一導(dǎo)電層電連接到所述基板，并且 所述下磁極通過一導(dǎo)電層電連接到所述基板，該導(dǎo)電層形成為該下 磁極的基層。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁頭滑塊，其中，所述下磁極的電鍍種子 層用作該下磁極的所述導(dǎo)電層。
10、 一種磁盤裝置，該磁盤裝置包括包含磁頭的磁頭滑塊，所述磁頭通過寫入頭和讀取頭將數(shù)據(jù)寫入磁 性記錄介質(zhì)以及從磁性記錄介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)，其中，所述讀取頭具有下屏蔽層和上屏蔽層，它們通過分流電阻與 基板電連接，所述寫入頭具有下磁極，該下磁極通過所述分流電阻電連接到所述 基板，所述下屏蔽層和所述上屏蔽層通過一導(dǎo)電層電連接到所述基板，并且所述下磁極通過一導(dǎo)電層電連接到所述基板，該導(dǎo)電層形成為該下 磁極的基層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁頭及其制造方法。在該磁頭中，讀取頭的下屏蔽層和上屏蔽層以及寫入頭的下磁極電連接到基板，以便防止靜電對MR元件造成損壞，并且不會不利地影響讀取頭的讀取特性。該磁頭包括讀取頭，該讀取頭具有下屏蔽層和上屏蔽層，它們通過分流電阻電連接到基板；和寫入頭，該寫入頭具有下磁極，該下磁極通過所述分流電阻電連接到所述基板，其中所述下屏蔽層和所述上屏蔽層通過一導(dǎo)電層電連接到所述基板，并且所述下磁極通過一導(dǎo)電層電連接到所述基板，該導(dǎo)電層形成為該下磁極的基層。
文檔編號G11B5/31GK101221769SQ20071019270
公開日2008年7月16日 申請日期2007年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月12日
發(fā)明者小田切充, 橋本淳一, 秋元秀行, 青木知佳 申請人:富士通株式會社