專利名稱：具有多頁復(fù)錄功能的閃存器件及相關(guān)的塊替換方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路存儲(chǔ)器件，具體而言，本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)器 件及相關(guān)方法。
背景技術(shù)：
用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件一般可以歸類為易失性存儲(chǔ)器件或非易據(jù)。另一方面，非易失性存儲(chǔ)器件即使在它們的供電被中斷時(shí)也能保持它們 所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。因而，非易失性存儲(chǔ)器件被廣泛地用于可能出現(xiàn)供電中斷的 應(yīng)用中。傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器件包括電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)(EEPROM)器件的 類型， 一般稱為閃存EEPROM器件。閃存EEPROM器件一般包括第一導(dǎo)電 類型的半導(dǎo)體襯底(例如p型)；在襯底中的第二導(dǎo)電類型的分離的源極和漏極 區(qū)域(例如n型)；襯底的表面上的、在分離的源極和漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)域； 在對(duì)器件編程時(shí)用于存儲(chǔ)電荷載體的浮置柵極；以及與溝道區(qū)域相對(duì)的、覆 蓋浮置柵極的控制柵極。傳統(tǒng)閃存EEPROM集成電路存儲(chǔ)器件可以包括具有 通用結(jié)構(gòu)的一列 一列的與非門EEPROM單元的陣列，在John Wiley & Sons Ltd. 出版的、B.Prince等所著的名為"SemiconductorMemories"的手冊(cè)中的第603 —604頁的圖11.58和11.59中((1991))、以及在M.Momodomi等發(fā)表的名為"An Experimental 4-Mbit CMOS EEPROM with a NAND Structured Cell"的文章(IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol.24, No.5,第1238頁，1989年10月) 中以截面形式示意性地示出了其通用結(jié)構(gòu)。在共同授予Suh等的名為"Nonvolatile Semiconductor Memory"的美國(guó)專利號(hào)5， 546， 341中更完全地描述了包括與非門EEPROM單元的陣列的典型的示意性和截面布局。閃存EEPROM器件的操作一般分為3種模式，包括編程、擦除和讀取。閃 存EEPROM器件的編程典型地通過相對(duì)于源極區(qū)域、將漏極區(qū)域偏置到第一 正偏壓并將控制柵極偏置到高于該第一正偏壓的第二正偏壓而獲得。在浮置柵極上沒有存儲(chǔ)任意電荷的情況下，這些偏壓在襯底表面上在源極和漏極區(qū) 域之間形成逆轉(zhuǎn)層溝道(inversion-layer channel)的電子。如本領(lǐng)域4支術(shù)人員所 理解的，漏極-源極電壓使這些電子加速通過溝道到達(dá)漏極區(qū)域，在漏極區(qū) 域中它們獲得足夠大的動(dòng)能，并一般被稱為"熱"電子。控制柵極上的較大 的正偏壓也在隧道氧化物層中建立一個(gè)電場(chǎng)，它將浮置柵極與溝道區(qū)域分隔 開。這些電場(chǎng)吸引了熱電子，并通過稱為穿遂(tunneling)的過程，使它們加速 流向設(shè)置在控制柵極和溝道區(qū)域之間的浮置柵極。浮置柵極然后積累并俘獲 所積累的電荷。幸運(yùn)的是，對(duì)浮置柵極的充電過程是自限制的。在浮置柵極 上積累的負(fù)電荷使隧道氧化物層中的電場(chǎng)的強(qiáng)度降低到一點(diǎn)，在該點(diǎn)上，不 能再對(duì)來自溝道區(qū)域的漏極側(cè)的"熱"電子進(jìn)行加速。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的，俘獲的電荷(電子)在浮置柵極上的大量積累 會(huì)導(dǎo)致包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域、溝道區(qū)域和控制柵極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有 效閾值電壓(Vth)增加。如果該增量足夠大，則在讀取操作期間當(dāng)預(yù)定的"讀 取"電壓施加在控制柵極上時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管將仍舊處于絕緣"截止，，狀態(tài)(也 就是，Vth>Vread)。在這種稱為已編程狀態(tài)的狀態(tài)下，EEPROM器件可以被稱 為被存儲(chǔ)邏輯0。 一旦被編程，即使當(dāng)EEPROM器件的供電被中斷或被關(guān)斷較 長(zhǎng)的時(shí)間，也能保持其較高的閾值電壓。EEPROM器件的擦除也可以通過從浮置柵極上移走所存儲(chǔ)的電荷來獲 得。擦除過程例如可通過將控制柵極接地并將例如IO - 20伏特的正偏壓提供 給襯底來獲得。因此，由于施加大襯底偏壓的效應(yīng)一般不能被限制于單個(gè) EEPROM單元，所以閃存EEPROM器件一般需要批量擦除一個(gè)單元陣列的大 部分。EEPROM器件的讀取是通過將預(yù)定的讀取電壓(Vread)施加到控制柵極上 (一般經(jīng)由連接同一EEPROM器件的行(即頁)或"多個(gè)單元"的字線)，并將 正偏壓施加到漏極區(qū)域上(一般經(jīng)由連接同一EEPROM單元的列的位線)來 獲得的。如果EEPROM器件被編程，則將不會(huì)傳導(dǎo)漏電流(Ids)并且位線將保持 在正偏壓上。然而，如果EEPROM器件還沒有被編程、或已經(jīng)被擦除，則會(huì)大量地傳導(dǎo)并將位線下拉到地電位(GND)。在這種狀態(tài)下，EEPROM器件可 以被稱為被保存邏輯l。這樣，通過監(jiān)視位線的電流和電壓，就可以確定 EEPROM器件的編程狀態(tài)(即0或1 )。在讀取操作的執(zhí)行期間，可能需要通過將從在第一地址上的存儲(chǔ)單元的 第一頁讀取的數(shù)據(jù)拷貝到在不同的第二地址上的存儲(chǔ)單元的第二頁來執(zhí)行頁 拷貝操作。傳統(tǒng)頁拷貝操作一般包括將數(shù)據(jù)從陣列中的存儲(chǔ)單元的第 一 頁讀 取到頁緩沖器，然后再讀取到位于該頁緩沖器外部的存儲(chǔ)器件中。然后，在 存儲(chǔ)器件中的數(shù)據(jù)被返回到該頁緩沖器，并且然后采用傳統(tǒng)編程操作而被重 新編程至存儲(chǔ)單元的第二頁中。不幸的是，傳統(tǒng)頁拷貝操作可能需要外部存 儲(chǔ)，并一般需要這種外部存儲(chǔ)被連續(xù)地從頁緩沖器加載，并連續(xù)地被下載到 頁緩沖器，這可能非常的耗時(shí)。為了解決上述潛在的問題，開發(fā)了替代的頁拷貝操作。例如，在另一種 傳統(tǒng)方法中，數(shù)據(jù)的第一頁被讀取到頁緩沖器中，其中其以反轉(zhuǎn)格式保存。 保留的數(shù)據(jù)然后被存儲(chǔ)回存儲(chǔ)器的第二頁的地址上。然而，這些頁拷貝操作 是受限的，因?yàn)閬碜缘谝豁摰脑紨?shù)據(jù)的拷貝不是以"真"拷貝來存儲(chǔ)的， 而是作為反轉(zhuǎn)拷貝來存儲(chǔ)。因此，在隨后的讀取操作期間，如果以真拷貝來 對(duì)待反轉(zhuǎn)拷貝，就可能會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。授予Kim的美國(guó)專利號(hào)5,996,041中討論了判斷拷貝是反轉(zhuǎn)拷貝還是真拷 貝的方法。如其中所討論的，提供了具有頁拷貝標(biāo)記(flag)單元的集成電路存 儲(chǔ)器件。這些集成電路存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)單元陣列和耦合于其上的保存標(biāo)記 的多個(gè)標(biāo)記單元，該標(biāo)記指示存儲(chǔ)單元的各頁是否包含著以反轉(zhuǎn)格式從存儲(chǔ) 單元的其它頁拷貝來的數(shù)據(jù)。該標(biāo)記可以構(gòu)成存儲(chǔ)在標(biāo)記EEPROM單元中的 邏輯1(或邏輯0)信號(hào)，用于指示存儲(chǔ)器的相應(yīng)頁中的數(shù)據(jù)是對(duì)從其它頁的不同 地址拷貝來的數(shù)據(jù)頁的真拷貝還是反轉(zhuǎn)拷貝。頁緩沖器還被提供來保留從存 儲(chǔ)器的頁讀取的以及從相應(yīng)的標(biāo)記單元讀取的數(shù)據(jù)，并且包括"異或"門， 用于如果已設(shè)置該標(biāo)記，則對(duì)頁緩沖器輸出的數(shù)據(jù)進(jìn)行反轉(zhuǎn)，以及如果沒有 設(shè)置該標(biāo)記，則不改變地傳送所輸出的數(shù)據(jù)。盡管該專利的教導(dǎo)可以解決可 能使用錯(cuò)誤版本的拷貝頁的問題，但這種方法可能仍非常耗時(shí)。盡管上面描述了用于執(zhí)行頁拷貝操作的存儲(chǔ)器件和方法，但仍需要改善 用于執(zhí)行頁拷貝操作的存儲(chǔ)器件和方法。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的某些實(shí)施例提供在非易失性存儲(chǔ)器件中執(zhí)行多頁復(fù)錄編程的方 法，其中所述非易失性存儲(chǔ)器件包括具有多個(gè)存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)器。響應(yīng)于所產(chǎn) 生的多頁復(fù)錄編程命令而對(duì)具有第一地址的存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)頁進(jìn)行替換。判斷 數(shù)據(jù)頁的所述第 一地址是否與所存儲(chǔ)的檢測(cè)到錯(cuò)誤的頁的地址相同。如果判 斷出所述第一地址與所存儲(chǔ)的地址不相同，則增加所述第一地址。替換數(shù)據(jù) 頁，比較地址，并增加地址，直到判斷出所增加的地址與所存儲(chǔ)的地址相同 為止。在本發(fā)明進(jìn)一步的實(shí)施例中，判斷替換頁的狀態(tài)。在本發(fā)明的某些實(shí)施 例中，可以判斷出所有替換頁的狀態(tài)。多頁復(fù)錄編程可以被暫停和/或恢復(fù)。在本發(fā)明更進(jìn)一步的實(shí)施例中，產(chǎn)生多頁復(fù)錄編程命令可以包括從主機(jī) 接收多頁復(fù)錄命令，并響應(yīng)于從主機(jī)所接收的多頁復(fù)錄命令而產(chǎn)生至少一個(gè) 單頁復(fù)錄命令。本發(fā)明的某些實(shí)施例提供了在非易失性存儲(chǔ)器件中編程數(shù)據(jù)和/或從非 易失性存儲(chǔ)器件中讀取數(shù)據(jù)的方法，其中，所述非易失性存儲(chǔ)器件包括具有 多個(gè)存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)器。在該非易失性存儲(chǔ)器件的編程/讀取操作期間，檢測(cè)編 程/讀取錯(cuò)誤。檢測(cè)到錯(cuò)誤的一個(gè)存儲(chǔ)塊的頁地址被保存。接收多頁復(fù)錄編程命令。執(zhí)行該多頁復(fù)錄編程。該多頁復(fù)錄編程包括響應(yīng)于所產(chǎn)生的多頁復(fù) 錄編程命令而將具有第 一地址的存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)頁進(jìn)行替換；判斷該數(shù)據(jù)頁的 第一地址是否與所存儲(chǔ)的檢測(cè)到錯(cuò)誤的頁的地址相同；如果判斷出該第一地 址與所存儲(chǔ)的地址不相同，則增加該第一地址；以及利用所增加的地址重復(fù) 替換和判斷的步驟，直到判斷出所增加的地址與所存儲(chǔ)的地址相同為止。本發(fā)明的進(jìn)一 步實(shí)施例提供了在非易失性存儲(chǔ)器件中替換存儲(chǔ)塊的方 法。所述存儲(chǔ)塊包括多個(gè)數(shù)據(jù)頁。在該非易失性存儲(chǔ)器件的編程/讀取操作期 間檢測(cè)編程/讀取錯(cuò)誤。在存儲(chǔ)塊的多個(gè)數(shù)據(jù)頁中，檢測(cè)到編程/讀取錯(cuò)誤的一 個(gè)頁的頁地址被保存。響應(yīng)于該編程或讀取錯(cuò)誤接收多頁復(fù)錄命令。響應(yīng)于 該多頁復(fù)錄命令而在存儲(chǔ)塊中替換數(shù)據(jù)頁，直到達(dá)到所存儲(chǔ)的錯(cuò)誤頁的頁地 址為止。本發(fā)明的更進(jìn)一步的實(shí)施例提供了包括存儲(chǔ)器和控制單元的非易失性存 儲(chǔ)器件。該存儲(chǔ)器包括至少一個(gè)存儲(chǔ)塊，存儲(chǔ)塊包括多個(gè)數(shù)據(jù)頁。控制單元 耦合到該存儲(chǔ)器上，并被配置為響應(yīng)于至少一個(gè)存儲(chǔ)塊中的其中之一中的數(shù)據(jù)頁的編程/讀取錯(cuò)誤，執(zhí)行從主機(jī)接收的多頁復(fù)錄命令。錯(cuò)誤頁具有相關(guān)的 錯(cuò)誤頁地址，并且該多頁復(fù)錄命令被配置為對(duì)多個(gè)數(shù)據(jù)頁中的至少一個(gè)啟動(dòng) 替換處理，直到達(dá)到錯(cuò)誤頁地址為止。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，控制單元還可包括存儲(chǔ)控制器和耦合到該存 儲(chǔ)控制器上的地址產(chǎn)生器。該存儲(chǔ)控制器可被配置為在該地址產(chǎn)生器中設(shè)置 錯(cuò)誤頁地址。該地址產(chǎn)生器可被配置為增加頁地址，直到所增加的頁地址與 存儲(chǔ)控制器所設(shè)置的錯(cuò)誤頁地址相同為止，并向該存儲(chǔ)控制器提供標(biāo)志信號(hào)， 其指示已經(jīng)到達(dá)錯(cuò)誤存儲(chǔ)地址。在本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施例中，該控制單元可進(jìn)一步包括耦合到該地址產(chǎn) 生器和存儲(chǔ)控制器上的編程/讀取控制器。該編程/讀取控制器可被配置為從該 存儲(chǔ)控制器上^^妄收至少一個(gè)單頁復(fù)錄命令，并響應(yīng)于該至少一個(gè)單頁復(fù)錄命 令而啟動(dòng)單頁復(fù)錄操作。在本發(fā)明更進(jìn)一步的實(shí)施例中，存儲(chǔ)控制器可進(jìn)一步被配置為向該編程/ 讀取控制器提供至少 一個(gè)單頁復(fù)錄命令。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，地址產(chǎn)生器可包括計(jì)數(shù)器、寄存器和比較器。 計(jì)數(shù)器可被配置為從該編程/讀取控制器中接收指示開始單頁復(fù)錄操作的命 令，并響應(yīng)于此來增加頁地址。寄存器可被配置為存儲(chǔ)由該存儲(chǔ)控制器所設(shè) 置的錯(cuò)誤頁地址。比較器可被配置為對(duì)所增加的頁地址與錯(cuò)誤頁地址進(jìn)行比 較，直到所增加的頁地址與錯(cuò)誤頁地址相同為止，并向該存儲(chǔ)控制器提供標(biāo) 志信號(hào)，其指示已經(jīng)到達(dá)錯(cuò)誤存儲(chǔ)地址。在本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施例中，存儲(chǔ)器還可包括編程/讀取電路，耦合到 控制單元，并被配置為將數(shù)據(jù)編程/讀入至存儲(chǔ)塊的頁中，直到錯(cuò)誤頁地址與 增加的頁地址相同為止?？刂茊卧€可包括耦合到該編程/讀取電路的驗(yàn)證電 路。驗(yàn)證電路可被配置為在替換了每一頁之后執(zhí)行狀態(tài)檢驗(yàn)，并向編程/讀取 控制器提供該狀態(tài)。在本發(fā)明的更進(jìn)一步的實(shí)施例中，控制單元還可包括耦合到該存儲(chǔ)控制 器上的暫停和恢復(fù)電路，其被配置為暫停和/或恢復(fù)替換操作。本發(fā)明的某些實(shí)施例提供了一種系統(tǒng)，其包括全部電耦合在一起的微處 理器、用戶接口、調(diào)制解調(diào)器和非易失性存儲(chǔ)器件。該非易失性存儲(chǔ)器件包 括存儲(chǔ)器和控制單元。存儲(chǔ)器包括至少一個(gè)存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括多個(gè)數(shù) 據(jù)頁。該控制單元被配置為響應(yīng)于在至少一個(gè)存儲(chǔ)塊中的其中之一 中的數(shù)據(jù)頁的編程或讀取錯(cuò)誤，來執(zhí)行從主機(jī)接收的多頁復(fù)錄命令。錯(cuò)誤頁具有相關(guān) 的錯(cuò)誤頁地址，并且該多頁復(fù)錄命令被配置為對(duì)多個(gè)數(shù)據(jù)頁中的至少一個(gè)啟 動(dòng)替換處理，直到達(dá)到錯(cuò)誤頁地址為止。在本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施例中，所述系統(tǒng)還可包括電池，其電耦合到微處 理器、用戶接口、調(diào)制解調(diào)器和存儲(chǔ)器件上，其中該系統(tǒng)被包括在便攜式電 子設(shè)備中。本發(fā)明的更進(jìn)一步的實(shí)施例提供了 一種系統(tǒng)，其包括全部電耦合在一起 的微處理器、用戶接口、調(diào)制解調(diào)器、非易失性存儲(chǔ)器和控制單元。該非易 失性存儲(chǔ)器包括至少一個(gè)存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括多個(gè)數(shù)據(jù)頁。該控制單元 耦合到該非易失性存儲(chǔ)器上，并被配置為響應(yīng)于在至少一個(gè)存儲(chǔ)塊中的其中 之一中的數(shù)據(jù)頁的編程或讀取錯(cuò)誤，來執(zhí)行從主機(jī)接收的多頁復(fù)錄命令。錯(cuò) 誤頁具有相關(guān)的錯(cuò)誤頁地址，并且該多頁復(fù)錄命令被配置為對(duì)多個(gè)數(shù)據(jù)頁中 的至少 一個(gè)啟動(dòng)替換處理，直到達(dá)到錯(cuò)誤頁地址為止。


圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的閃存的方框圖。圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的閃存的更詳細(xì)的方框圖。圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的地址產(chǎn)生器的方框圖。圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的多頁復(fù)錄操作的操作流程圖。圖5是圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的復(fù)錄操作的時(shí)序圖。圖6是圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的狀態(tài)讀取操作的時(shí)序圖。圖7是圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的狀態(tài)讀取操作的時(shí)序圖。圖8是圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的狀態(tài)讀取操作的時(shí)序圖。圖9是圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的存儲(chǔ)控制器的方框圖。圖10是圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的閃存器件的方框圖。圖11是圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的閃存器件的方框圖。圖12是圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的閃存器件的方框圖。圖13是圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的系統(tǒng)的示意性方框圖。圖14是圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的系統(tǒng)的示意性框圖。
具體實(shí)施方式
下面將參考示出了本發(fā)明的實(shí)施例的附圖來更完全地描述本發(fā)明。然而， 該發(fā)明可以以許多其它的形式來體現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為限制于在此所闡 述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例以便本公開是詳盡的和完整的，并且 向本領(lǐng)域技術(shù)人員更加完整地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚起見， 元件的尺寸或配置可能是理想化的或被放大的?？梢岳斫猱?dāng)一個(gè)元件被稱為"連4妻到"或"耦合到"另一元件時(shí)，它可以是直接連接或耦合到其它元件，也可以存在居間的元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱為"直接連接到"或"直接耦合到"另一元件時(shí)，不存在居間元件。貫穿始終，相同的附圖標(biāo)記指相同的元件。如在此所使用的，術(shù)語"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)的任意組合和全部組合。可以理解，盡管術(shù)語第一、第二、第三等可以在這里用于描述各種元件、部件和/或部分，但是這些元件、部件和/或部分不應(yīng)當(dāng)限制于這些術(shù)語。這些 術(shù)語只用于將一個(gè)元件、部件或部分與另一個(gè)元件、部件或部分相區(qū)別。因 此，下面討^侖的第一元件、部件或部分可^皮稱為第二元件、部件或部分，而 不會(huì)背離本發(fā)明的范圍。這里使用的專用術(shù)語只是用于描述特定的實(shí)施例，但不是試圖限制本發(fā) 明。如這里所使用的，除非上下文清楚地給出了描述，單數(shù)形式的"一個(gè)" 和"該"也是試圖包括復(fù)數(shù)形式的?？梢赃M(jìn)一步理解，在說明書中使用術(shù)語 "包括，，和/或"包含"時(shí)，限定了所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件 和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件 和/或部件以及/或者它們的組合的存在或增加。明所屬的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常所理解的相同的含義?？梢赃M(jìn)一步理解， 例如那些在通常所使用的字典中所定義的術(shù)語，應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與相關(guān)技 術(shù)和本說明書的上下文中所表達(dá)的相同含義，并且不應(yīng)被理想化或過于正式 的方式解釋，除非這里進(jìn)行了清楚地定義?，F(xiàn)在將參考圖1至14描述本發(fā)明的一些實(shí)施例。如下所述，本發(fā)明的一些實(shí)施例提供了用于多頁復(fù)錄操作的方法、器件和系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí) 施例的多頁復(fù)錄操作可以響應(yīng)于來自控制單元的命令而自動(dòng)執(zhí)行。特別地， 具有第 一地址的存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)頁響應(yīng)于自動(dòng)產(chǎn)生的多頁復(fù)錄編程命令而被替 代。判斷數(shù)據(jù)頁的第 一地址是否與檢測(cè)到錯(cuò)誤的頁的存儲(chǔ)地址相同。如果判斷出該第一地址和所存儲(chǔ)的地址不相同，那么增加第一地址。利用增加地址 重復(fù)替代和判斷步驟，直到判斷出所增加的地址與所存儲(chǔ)的地址相同為止。 這樣，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如下參考圖1至14所詳細(xì)描述的，可以更快 和更有效地執(zhí)行復(fù)錄操作?，F(xiàn)在參考圖l,討論圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的閃存100的方框圖。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，閃存器件100可以是由韓國(guó)的Samsung Electronics Co. Ltd.所提供的OneNANDTM閃存器件。如圖1所示，閃存包括存儲(chǔ)核心110和控制單元120。存儲(chǔ)核心110包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)塊MB0、 MB1.....MB(n-l)。每個(gè)存儲(chǔ)塊MB0、 MB1.....MB(n-l)都包括多個(gè)數(shù)據(jù)頁。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，存儲(chǔ)塊MB0、 MB1.....MB(n-l)可以包括多個(gè)閃存單元?？刂茊卧?20耦合到存儲(chǔ)核心110，并包括地址產(chǎn)生器130?？刂茊卧?20 被配置為執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的多頁復(fù)錄命令。響應(yīng)于存儲(chǔ)塊MBO、MB1.....MB(n-l)之一中的數(shù)據(jù)頁的編程/讀取錯(cuò)誤(140),可以從主機(jī)(未示出)中接收多頁復(fù)錄命令。錯(cuò)誤頁140具有相關(guān)的錯(cuò)誤頁地址。與該錯(cuò)誤頁140 相關(guān)的錯(cuò)誤頁地址存儲(chǔ)在地址產(chǎn)生器130中。例如，從主機(jī)中提供的根據(jù)本發(fā) 明的某些實(shí)施例的多頁復(fù)錄命令為多個(gè)數(shù)據(jù)頁中的至少一個(gè)啟動(dòng)替換處理， 直到到達(dá)錯(cuò)誤頁的錯(cuò)誤頁地址為止?，F(xiàn)在參考圖2，討論圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的閃存200的更詳細(xì)的框 圖。如圖2所示，閃存200與主機(jī)290通信，并包括如參考圖l所討論的存儲(chǔ)核 心210和控制單元220。如上參考圖l所討論的，主機(jī)290可向控制單元220提供 多頁復(fù)錄命令?？刂茊卧ù鎯?chǔ)控制器250、地址產(chǎn)生器230、編程/讀取控 制器255、狀態(tài)模塊260和驗(yàn)證電路265?？梢岳斫?，盡管控制單元220的存儲(chǔ) 控制器250、地址產(chǎn)生器230、編程/讀取控制器255、狀態(tài)模塊260和通過/錯(cuò)誤 模塊265在圖2中被示出為分離的單元，但本發(fā)明的實(shí)施例并不限制于這種配 置。例如，在控制單元220中的一個(gè)或多個(gè)單元可以組合，而不會(huì)背離本發(fā)明 的范圍。如圖2所示，地址產(chǎn)生器230耦合到存儲(chǔ)控制器250。存儲(chǔ)控制器250被配 置為在地址產(chǎn)生器230中設(shè)置錯(cuò)誤頁地址。該地址產(chǎn)生器230被配置為增加頁 地址，直到所增加的頁地址與該存儲(chǔ)控制器250所設(shè)置的錯(cuò)誤頁地址相同為 止。在本發(fā)明某些實(shí)施例中，地址產(chǎn)生器230向存儲(chǔ)控制器250提供表示已經(jīng) 到達(dá)錯(cuò)誤存儲(chǔ)地址的標(biāo)記信號(hào)?？梢岳斫猓刂樊a(chǎn)生器230可以采用任意本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的方法發(fā)出已經(jīng)到達(dá)由存儲(chǔ)控制器250在此設(shè)置的錯(cuò)誤存 儲(chǔ)地址的消息，而不會(huì)背離本發(fā)明的范圍?？刂茊卧?20的編程/讀取控制器255也耦合到地址產(chǎn)生器230和存儲(chǔ)控制 器250,如圖2所示。編程/讀取控制器255被配置為從存儲(chǔ)控制器250接收至少 一個(gè)單頁復(fù)錄命令，并響應(yīng)于該至少一個(gè)單頁復(fù)錄命令來啟動(dòng)單頁復(fù)錄操作。 如上所討論的，存儲(chǔ)控制器250被配置為響應(yīng)于從主機(jī)290接收的多頁復(fù)錄命 令，向編程/讀取控制器255提供至少一個(gè)單頁復(fù)錄命令。如圖2進(jìn)一步所示，存儲(chǔ)核心210包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)塊270(MB0、 MB1、…、MB(n-2)、 MB(n-l))以及編程/讀取電路280。編程/讀取電路280耦 合到控制單元220上，并被配置為將數(shù)據(jù)編程/讀入至存儲(chǔ)塊270的頁中，直到 錯(cuò)誤頁地址與增加的頁地址相同為止。在本發(fā)明某些實(shí)施例中，存儲(chǔ)核心210的編程/讀取電路280可包括行選擇 電路、列選擇電路、頁緩沖電路和高電壓產(chǎn)生器，這些對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是 公知的。如上所討論的，控制單元230還包括驗(yàn)證電路265,其耦合到存儲(chǔ)核心210 的編程/讀取電路280上，并被配置為在每一頁被替代后執(zhí)行狀態(tài)檢驗(yàn)，并將 該狀態(tài)提供至控制單元220的編程/讀取控制器255?，F(xiàn)在參考圖3 ，討論圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的地址產(chǎn)生器330的詳細(xì) 框圖。如圖3所示，地址產(chǎn)生器330包括計(jì)數(shù)器315、寄存器325和比較器335。 計(jì)數(shù)器315被配置為從編程/讀取控制器255中接收命令，并指示開始單頁復(fù)錄 操作并響應(yīng)于此而增加頁地址。寄存器325被配置為存儲(chǔ)由存儲(chǔ)控制器250所 設(shè)置的錯(cuò)誤頁地址。比較器335被配置為比較所增加的頁地址和錯(cuò)誤頁地址， 直到所增加的頁地址與錯(cuò)誤頁地址相同為止，并向存儲(chǔ)控制器250提供表示已 經(jīng)到達(dá)^l普誤存儲(chǔ)地址的標(biāo)記信號(hào)?？梢岳斫?，圖3中所提供的地址產(chǎn)生器330只是用于示范性的目的，因此 本發(fā)明的實(shí)施例并不限制于此配置。支持本發(fā)明的實(shí)施例的任意配置的地址 產(chǎn)生器都可以使用，而不會(huì)背離本發(fā)明的范圍?，F(xiàn)在參考圖4的流程圖，討論根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的將數(shù)據(jù)編程到非易 失性存儲(chǔ)器件中和/或從非易失性存儲(chǔ)器件中讀取數(shù)據(jù)的操作。如上所討論 的，非易失性存儲(chǔ)器件包括具有多個(gè)存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)器。如圖4所示，在框400, 通過判斷是否在該非易失性存儲(chǔ)器件的編程/讀取操作期間已經(jīng)檢測(cè)到編程/讀取錯(cuò)誤來開始操作。如果沒有檢測(cè)到編程/讀取錯(cuò)誤(框400)，則操作就保持在框400，直到檢測(cè)到編程/讀取錯(cuò)誤。另一方面，如果檢測(cè)到編程/讀取錯(cuò)誤(框 400),操作就前進(jìn)到框410,在框410，存儲(chǔ)(或設(shè)置)檢測(cè)到錯(cuò)誤的一個(gè)存儲(chǔ)塊 的頁地址。如上所討論的，存儲(chǔ)控制器250可以被配置為在地址產(chǎn)生器330的 寄存器325中設(shè)置錯(cuò)誤頁的地址?？梢援a(chǎn)生多頁復(fù)錄編程命令(框420)。如上所 討論的，在存儲(chǔ)控制器250可以接收來自主機(jī)290的多頁復(fù)錄命令。存儲(chǔ)控制 器250可將該命令提供給控制單元220的編程/讀取控制器255?？梢皂憫?yīng)于多 頁復(fù)錄命令而執(zhí)行多頁復(fù)錄編程。多頁復(fù)錄編程包括圖4的流程圖中的框 430-450。特別地，可以響應(yīng)于產(chǎn)生的多頁復(fù)錄編程命令對(duì)具有第一地址的存儲(chǔ)塊 的數(shù)據(jù)頁進(jìn)行替換(框430)。增加地址產(chǎn)生器的計(jì)數(shù)器中的地址(框440)并判斷 增加的數(shù)據(jù)頁的地址是否與所存儲(chǔ)的檢測(cè)到錯(cuò)誤的頁的地址相同(框450)。如 果判斷出地址是相同的(框450),則操作就結(jié)束。另一方面，如果判斷出地址 不相同，則重復(fù)框430至450的操作，直到在框450中判斷出地址相同為止。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，替換操作可以包括判斷所替換的頁的狀態(tài)， 如圖8的時(shí)序圖所示。而且，在某些實(shí)施例中，在重復(fù)框430-450的操作之前， 可以判斷所有所替換的頁的狀態(tài)，如圖6的時(shí)序圖所示。在更進(jìn)一步的實(shí)施例 中，在執(zhí)行增加步驟之后，暫停多頁復(fù)錄編程和/或恢復(fù)所暫停的多頁復(fù)錄編 程(框440)，其中該多頁復(fù)錄編程可以通過圖11的暫停和恢復(fù)電路1187來執(zhí) 行，并在隨后進(jìn)行描述。現(xiàn)在參考圖5至8，討論根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的時(shí)序圖。如圖5所示，一 經(jīng)設(shè)置了錯(cuò)誤頁地址562，就將執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的多頁復(fù)錄編程 567。時(shí)間線569的忙部分表示塊替換。如圖6的時(shí)序圖所示，可以在整個(gè)塊上執(zhí)行狀態(tài)讀取操作。而且，如圖8 的時(shí)序圖所示，可以在每頁之后執(zhí)行塊讀取操作。最后，如圖7的時(shí)序圖所示， 可以在;f僉測(cè)到編程/讀取錯(cuò)誤時(shí)執(zhí)行塊讀取操作?，F(xiàn)在參考圖9，討論示出根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的存儲(chǔ)控制器的框圖。如 此所示，在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，存儲(chǔ)控制器950可以包括控制邏輯953、 存儲(chǔ)緩沖器951、糾錯(cuò)電路(ECC)959和寄存器957?？刂七壿?53例如可以由狀 態(tài)機(jī)來提供，而不會(huì)背離本發(fā)明的范圍。圖10至12是圖解根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的閃存器件的框圖?？梢岳斫?，圖10至12的框圖與根據(jù)圖2所討論的框圖相似，這樣，在這里相同的附圖標(biāo)記 指的是相同的元件。為了簡(jiǎn)便，將只參考圖10至12討論它們的不同之處。如圖10所示，存儲(chǔ)控制器1050可提供在主機(jī)1090中并以控制單元1020中 的接口 1095來替代。該接口可以是任意本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的、能夠根據(jù) 本發(fā)明的實(shí)施例來操作的接口 。如圖ll所示，暫停和恢復(fù)電路1187可提供在控制單元1120中。暫停和恢 復(fù)電路1187可以耦合到存儲(chǔ)控制器1150，并被配置為暫停和/或恢復(fù)參照?qǐng)D4 的流程圖所描述的替換操作。如圖12所示，還可以組合圖10和11的各方面以在主機(jī)1290中提供存儲(chǔ)控 制器1250，而在控制單元1220中包含暫停和恢復(fù)電路1287。現(xiàn)在參考圖13,討論圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的系統(tǒng)的示意性框圖。 如圖13所示，根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的系統(tǒng)1300可以包括微處理器1310、用 戶接口 1320、調(diào)制解調(diào)器1350、非易失性存儲(chǔ)器件1340和可選電池1330,它 們由總線1375來電耦合。用戶接口 1320可以包括任意本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的人機(jī)接口 。例如， 小鍵盤、觸摸屏、聲控電路等等。而且，根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例，系統(tǒng)1300 可包含在便攜式電子設(shè)備中。如這里所使用的，術(shù)語"便攜式電子設(shè)備"或 "移動(dòng)終端，，可包括具有或不具有多線顯示的蜂窩無線電話；可將蜂窩無 線電話與數(shù)據(jù)處理、傳真以及數(shù)據(jù)通信功能相結(jié)合的個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)終端；可包括無線電話、尋呼機(jī)、因特網(wǎng)/內(nèi)部網(wǎng)接入、Web瀏覽器、管理器 (organizer)、日歷和/或全球定位系統(tǒng)(GPS)接收器的個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA);可 包含無線電話收發(fā)信機(jī)的游戲設(shè)備、音頻視頻播放器以及傳統(tǒng)的膝上和/或掌 上便攜式電腦。非易失性存儲(chǔ)器件可包括存儲(chǔ)器和如參照?qǐng)D3描述的控制單元。特別地， 存儲(chǔ)器可包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)塊，其中存儲(chǔ)塊包含多個(gè)數(shù)據(jù)頁?？刂茊卧?被配置為響應(yīng)于在該一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)塊中的數(shù)據(jù)頁的編程/讀取錯(cuò)誤，而執(zhí)行 從主機(jī)接收的多頁復(fù)錄命令。錯(cuò)誤頁可具有相關(guān)的錯(cuò)誤頁地址，而該多頁復(fù) 錄命令被配置為對(duì)多個(gè)數(shù)據(jù)頁中的至少一個(gè)啟動(dòng)替換處理，直到達(dá)到錯(cuò)誤頁 :t也址為止?，F(xiàn)在參考圖14,討論圖解根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的系統(tǒng)的示意性框圖。 系統(tǒng)1400與圖13的系統(tǒng)相似，不同之處僅在于非易失性存儲(chǔ)器1465與控制單元1460是分離的。前述的說明僅是為了描述本發(fā)明，但不會(huì)構(gòu)成對(duì)其的限制。盡管已經(jīng)描 述了本發(fā)明的一些示范性實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易理解，可以在這 些示范性實(shí)施例中進(jìn)行各種修改，而實(shí)質(zhì)上不會(huì)脫離本發(fā)明的新穎的教導(dǎo)和 效果。因此，所有這些變型都試圖包括在隨后的權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的 范圍內(nèi)。因此，可以理解，前述的說明僅是為了描述本發(fā)明，而不應(yīng)被理解行的修改都將包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種在非易失性存儲(chǔ)器件中執(zhí)行多頁復(fù)錄編程的方法，所述非易失性存儲(chǔ)器件包括具有多個(gè)存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)器，所述方法包括響應(yīng)于所產(chǎn)生的多頁復(fù)錄編程命令而對(duì)具有第一地址的存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)頁進(jìn)行替換；判斷所述數(shù)據(jù)頁的所述第一地址是否與所存儲(chǔ)的檢測(cè)到錯(cuò)誤的頁的地址相同；如果判斷出所述第一地址與所存儲(chǔ)的地址不相同，則增加所述第一地址；以及利用增加的地址重復(fù)所述替換和判斷步驟，直到判斷出所增加的地址與所存儲(chǔ)的地址相同為止。
2、 如權(quán)利要求l的方法，其中，在替換步驟之后判斷所替換的頁的狀態(tài)。
3、 如權(quán)利要求l的方法，其中，在替換步驟之后判斷所有替換的頁的狀態(tài)。
4、 如權(quán)利要求l的方法，其中，增加步驟之后暫停多頁復(fù)錄編程。
5、 如權(quán)利要求4的方法，其中，暫停步驟之后恢復(fù)該多頁復(fù)錄編程。
6、 如權(quán)利要求l的方法，其中，產(chǎn)生所述多頁復(fù)錄編程命令包括從主機(jī) 接收多頁復(fù)錄命令，并響應(yīng)于從主機(jī)所接收的多頁復(fù)錄命令而產(chǎn)生至少一個(gè) 單頁復(fù)錄命令。
7、 一種將lt據(jù)編程到非易失性存儲(chǔ)器件中和/或從非易失性存儲(chǔ)器件中 讀取數(shù)據(jù)的方法，所述非易失性存儲(chǔ)器件包括具有多個(gè)存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)器，所 述方法包括在所述非易失性存儲(chǔ)器件的編程/讀取操作期間，檢測(cè)編程/讀取錯(cuò)誤； 存儲(chǔ)檢測(cè)到錯(cuò)誤的存儲(chǔ)塊之一的頁的地址； 接收多頁復(fù)錄編程命令； 執(zhí)行多頁復(fù)錄編程，所述多頁復(fù)錄編程包括響應(yīng)于所產(chǎn)生的多頁復(fù)錄編程命令而將具有第一地址的存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)頁 進(jìn)行替換；判斷所述數(shù)據(jù)頁的所述第一地址是否與所存儲(chǔ)的檢測(cè)到錯(cuò)誤的頁的地址 相同；如果判斷出所述第一地址與所存儲(chǔ)的地址不相同，則增加所述第一地址；以及利用所增加的地址重復(fù)替換和判斷步驟，直到判斷出所增加的地址與所 存儲(chǔ)的地址相同為止。
8、 如權(quán)利要求7的方法，其中，替換步驟之后判斷所替換的頁的狀態(tài)。
9、 如權(quán)利要求7的方法，其中，重復(fù)步驟之后判斷所有替換的頁的狀態(tài)。
10、 如權(quán)利要求7的方法，其中，增加步驟之后暫停所述多頁復(fù)錄編程。
11、 如權(quán)利要求10的方法，其中，暫停步驟之后恢復(fù)所述多頁復(fù)錄編程。
12、 如權(quán)利要求7的方法，其中，產(chǎn)生所述多頁復(fù)錄編程命令包括從主 機(jī)接收多頁復(fù)錄命令，并響應(yīng)于從主機(jī)接收的所述多頁復(fù)錄命令而產(chǎn)生至少 一個(gè)單頁復(fù)錄命令。
13、 一種在非易失性存儲(chǔ)器件中替換存儲(chǔ)塊的方法，所述存儲(chǔ)塊包括多 個(gè)數(shù)據(jù)頁，包括在所述非易失性存儲(chǔ)器件的編程/讀取操作期間，檢測(cè)編程/讀取錯(cuò)誤； 存儲(chǔ)在存儲(chǔ)塊的多個(gè)數(shù)據(jù)頁中的、檢測(cè)到編程/讀取錯(cuò)誤的一個(gè)頁的頁地址；響應(yīng)于所述編程或讀取錯(cuò)誤而接收多頁復(fù)錄命令；以及 響應(yīng)于所述多頁復(fù)錄命令而替換在存儲(chǔ)塊中的數(shù)據(jù)頁，直到達(dá)到所存儲(chǔ) 的錯(cuò)誤頁的頁地址為止。
14、 如權(quán)利要求13的方法，其中，替換步驟包括響應(yīng)于所產(chǎn)生的多頁復(fù)錄編程命令，而替換具有第一地址的存儲(chǔ)塊的數(shù) 據(jù)頁；判斷所述數(shù)據(jù)頁的第 一地址是否與所存儲(chǔ)的檢測(cè)到錯(cuò)誤的頁的地址相同；如果判斷出所述第一地址與所存儲(chǔ)的地址不相同，則增加所述第一地址；以及利用所增加的地址重復(fù)替換和判斷步驟，直到判斷出所增加的地址與所 存儲(chǔ)的地址相同為止。
15、 如權(quán)利要求13的方法，其中，接收步驟包括從與所述存儲(chǔ)器件通 信的主機(jī)接收所述多頁復(fù)錄命令。
16、 一種非易失性存儲(chǔ)器件，包括存儲(chǔ)器，包括至少一個(gè)存儲(chǔ)塊，所述存儲(chǔ)塊包括多個(gè)數(shù)據(jù)頁；以及 控制單元，耦合到所述存儲(chǔ)器，并被配置為響應(yīng)于至少一個(gè)存儲(chǔ)塊中的 其中之一中的數(shù)據(jù)頁的編程/讀取錯(cuò)誤，而執(zhí)行從主機(jī)接收的多頁復(fù)錄命令， 所述錯(cuò)誤頁具有相關(guān)的錯(cuò)誤頁地址，并且所述多頁復(fù)錄命令被配置為對(duì)多個(gè) 數(shù)據(jù)頁中的至少一個(gè)啟動(dòng)替換處理，直到達(dá)到所述錯(cuò)誤頁地址為止。
17、 如權(quán)利要求16的存儲(chǔ)器件，其中，所述控制單元還包括 存儲(chǔ)控制器；以及地址產(chǎn)生器，耦合到所述存儲(chǔ)控制器，其中，所述存儲(chǔ)控制器被配置為在所述地址產(chǎn)生器中設(shè)置所述錯(cuò)誤頁地 址，以及其中，所述地址產(chǎn)生器被配置為增加頁地址，直到所增加的頁地址與由 所述存儲(chǔ)控制器所設(shè)置的錯(cuò)誤頁地址相同為止，并向所述存儲(chǔ)控制器提供標(biāo) 志信號(hào)，其指示已經(jīng)到達(dá)所述錯(cuò)誤存儲(chǔ)地址。
18、 如權(quán)利要求17的存儲(chǔ)器件，其中，所述控制單元還包括編程/讀取 控制器，耦合到所述地址產(chǎn)生器和所述存儲(chǔ)控制器，所述編程/讀取控制器被 配置為從所述存儲(chǔ)控制器上接收至少一個(gè)單頁復(fù)錄命令，并響應(yīng)于所述至少一個(gè)單頁復(fù)錄命令而啟動(dòng)單頁復(fù)錄操作。
19、 如權(quán)利要求18的存儲(chǔ)器件，其中，所述存儲(chǔ)控制器還被配置為向所 述編程/讀取控制器提供所述至少一個(gè)單頁復(fù)錄命令。
20、 如權(quán)利要求18的存儲(chǔ)器件，其中，所述地址產(chǎn)生器包括計(jì)數(shù)器，被配置為從所述編程/讀取控制器中接收指示開始單頁復(fù)錄操作 的命令，并響應(yīng)于此而增加頁地址；以及寄存器，被配置為存儲(chǔ)由所述存儲(chǔ)控制器所設(shè)置的所述錯(cuò)誤頁地址；以及比較器，被配置為對(duì)所增加的頁地址與錯(cuò)誤頁地址進(jìn)行比較，直到所增 加的頁地址與所述錯(cuò)誤頁地址相同為止，并向所述存儲(chǔ)控制器提供標(biāo)志信號(hào)， 其指示已經(jīng)到達(dá)所述錯(cuò)誤存儲(chǔ)地址。
21、 如權(quán)利要求16的存儲(chǔ)器件，其中，所述存儲(chǔ)器還包括 編程/讀取電路，耦合到所述控制單元，并且被配置為將數(shù)據(jù)編程/讀入至存儲(chǔ)塊的頁中，直到所述錯(cuò)誤頁地址與所增加的頁地址相同為止。
22、 如權(quán)利要求21的存儲(chǔ)器件，其中，所述控制單元還包括驗(yàn)證電路，耦合到所述編程/讀取電路、被配置為在替換每一頁之后執(zhí)行狀態(tài)檢驗(yàn)，并向 編程/讀取控制器提供所述狀態(tài)。
23、 如權(quán)利要求16的存儲(chǔ)器件，其中，所述控制單元還包括暫停和恢 復(fù)電路，耦合到所述存儲(chǔ)控制器、被配置為暫停和/或恢復(fù)替換操作。
24、 一種系統(tǒng)，包括微處理器、用戶接口和調(diào)制解調(diào)器，全部電耦合在一起；以及 非易失性存儲(chǔ)器件，電耦合到所述微處理器、所述用戶接口和所述調(diào)制 解調(diào)器，包括存儲(chǔ)器，包括至少一個(gè)存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括多個(gè)數(shù)據(jù)頁；以及 控制單元，被配置為響應(yīng)于在所述至少一個(gè)存儲(chǔ)塊中的其中之一中的數(shù) 據(jù)頁的編程或讀取錯(cuò)誤，而執(zhí)行從主機(jī)接收的多頁復(fù)錄命令，所述錯(cuò)誤頁具 有相關(guān)的錯(cuò)誤頁地址，并且所述多頁復(fù)錄命令被配置為對(duì)多個(gè)數(shù)據(jù)頁中的至 少一個(gè)啟動(dòng)替換處理，直到達(dá)到錯(cuò)誤頁地址為止。
25、 如權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中，所述系統(tǒng)還包括電池，電耦合到所 述微處理器、所述用戶接口、所述調(diào)制解調(diào)器和所述存儲(chǔ)器件，并且其中所 述系統(tǒng)被包括在便攜式電子設(shè)備中。
26、 如權(quán)利要求24的系統(tǒng)，其中，所述控制單元還包括 存儲(chǔ)控制器；以及地址產(chǎn)生器，耦合到所述存儲(chǔ)控制器，其中，所述存儲(chǔ)控制器被配置為在所述地址產(chǎn)生器中設(shè)置所述錯(cuò)誤頁地 址，以及其中，所述地址產(chǎn)生器被配置為增加頁地址，直到所增加的頁地址與所 述存儲(chǔ)控制器所設(shè)置的錯(cuò)誤頁地址相同為止，并向所述存儲(chǔ)控制器提供標(biāo)志 信號(hào)，其指示已經(jīng)到達(dá)所述錯(cuò)誤存儲(chǔ)地址。
27、 如權(quán)利要求26的系統(tǒng)，其中，所述控制單元還包括編程/讀取控制 器，耦合到所述地址產(chǎn)生器和所述存儲(chǔ)控制器，所述編程/讀取控制器被配置 為從所述存儲(chǔ)控制器接收至少一個(gè)單頁復(fù)錄命令，并響應(yīng)于所述至少一個(gè)單 頁復(fù)錄命令而啟動(dòng)單頁復(fù)錄操作。
28、 如權(quán)利要求27的系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)控制器還被配置為向所述編 程/讀取控制器提供至少 一個(gè)單頁復(fù)錄命令。
29、 如權(quán)利要求27的系統(tǒng)，其中，所述地址產(chǎn)生器包括計(jì)數(shù)器，被配置為從所述編程/讀取控制器接收指示開始單頁復(fù)錄操作的命令，并響應(yīng)于此而增加頁地址；以及寄存器，被配置為存儲(chǔ)由所述存儲(chǔ)控制器所設(shè)置的所述錯(cuò)誤頁地址；以及比較器，被配置為對(duì)所增加的頁地址與所述錯(cuò)誤頁地址進(jìn)行比較，直到 所增加的頁地址與錯(cuò)誤頁地址相同為止，并向所述存儲(chǔ)控制器提供標(biāo)志信號(hào)， 其指示已經(jīng)到達(dá)所述錯(cuò)誤存儲(chǔ)地址。
30、 如權(quán)利要求24的系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)器還包括 編程/讀取電路，耦合到所述控制單元，其被配置為將數(shù)據(jù)編程/讀入至存儲(chǔ)塊的頁中，直到所述錯(cuò)誤頁地址與所增加的頁地址相同為止。
31、 如權(quán)利要求30的系統(tǒng)，其中，所述控制單元還包括驗(yàn)證電路，耦 合到所述編程/讀取電路，被配置為在替換每一頁之后執(zhí)行狀態(tài)^r馬全，并向編 程/讀取控制器提供所述狀態(tài)。
32、 如權(quán)利要求24的系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)控制器還包括暫停和恢復(fù)電 路，耦合到所述存儲(chǔ)控制器、被配置為暫停和/或恢復(fù)替換操作。
33、 一種系統(tǒng)，包括微處理器、用戶接口和調(diào)制解調(diào)器，全部電耦合在一起； 非易失性存儲(chǔ)器，電耦合到所述微處理器、所述用戶接口和所述調(diào)制解 調(diào)器，所述非易失性存儲(chǔ)器包括至少一個(gè)包括多個(gè)數(shù)據(jù)頁的存儲(chǔ)塊；以及控制單元，耦合到所述非易失性存儲(chǔ)器，并且被配置為響應(yīng)于在至少一 個(gè)存儲(chǔ)塊中的其中之一中的數(shù)據(jù)頁的編程或讀取錯(cuò)誤，而執(zhí)行從主機(jī)接收的 多頁復(fù)錄命令，所述錯(cuò)誤頁具有相關(guān)的錯(cuò)誤頁地址，并且所述多頁復(fù)錄命令 被配置為對(duì)多個(gè)數(shù)據(jù)頁中的至少一個(gè)啟動(dòng)替換處理，直到達(dá)到錯(cuò)誤頁地址為 止。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在非易失性存儲(chǔ)器件中執(zhí)行多頁復(fù)錄編程的方法，其中，所述非易失性存儲(chǔ)器件包括具有多個(gè)存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)器。響應(yīng)于所產(chǎn)生的多頁復(fù)錄編程命令而對(duì)具有第一地址的存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)頁進(jìn)行替換。判斷數(shù)據(jù)頁的第一地址是否與所存儲(chǔ)的檢測(cè)到錯(cuò)誤的頁的地址相同。如果判斷出所述第一地址和所存儲(chǔ)的地址不相同，則增加所述第一地址。替換數(shù)據(jù)頁，比較地址，并且增加地址，直到判斷出所增加的地址和所存儲(chǔ)的地址相同為止。在此還提供相關(guān)的器件和系統(tǒng)。
文檔編號(hào)G11C16/10GK101221812SQ200710305150
公開日2008年7月16日 申請(qǐng)日期2007年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月28日
發(fā)明者姜相喆, 鄭龍澤 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社