專利名稱：電壓穩(wěn)定器存儲器模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種存儲器模塊。更具體說，本發(fā)明是關(guān)于提供穩(wěn)定電壓予存儲 器模塊的組件。
背景技術(shù)：
存儲器模塊廣泛地應(yīng)用于各種裝置，如計算機(jī)、手機(jī)、數(shù)字移動助理(PDA)、 多媒體播放器、MP3播放器及其它類似的裝置以提供額外的儲存容量。圖1描繪 裝置5，此裝置5包含連結(jié)至至少一存儲器模塊10的功能電路7。圖2為現(xiàn)有的存 儲器模塊IO的方塊圖。存儲器模塊IO包含多個動態(tài)隨機(jī)存取存儲器芯片11-19、 存儲器總線接口22、串行存在檢測只讀存儲器(Serial Present Detect ROM; SPD ROM)芯片20、印刷電路板23及多個離散組件(圖未繪示)。供應(yīng)電壓21由系 統(tǒng)電壓供應(yīng)器24透過存儲器總線接口 22提供至動態(tài)隨機(jī)存取存儲器組件11至19。
存儲器模塊IO為包含多個存儲器芯片的窄印刷電路板，通常為動態(tài)隨機(jī)存取 存儲器或同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)或雙倍數(shù)據(jù)傳輸率(DDR、 DDR2、 DDR3)。存儲器模塊的效能是基于印刷電路板設(shè)計及存儲器芯片的電子特性。影 響存儲器模塊效能的存儲器芯片的電子特性參數(shù)其中之一為存儲器組件的供應(yīng)電 壓。
存儲器模塊10的一般操作電壓狀況與存儲器技術(shù)相關(guān)。舉例來說，DDR2模 塊具有1.8伏特，誤差為+/-5%的操作供應(yīng)電壓。DDR1 266及DDR1 333模塊的操 作電壓為2.5伏特，誤差為+/-8%，以及DDR1 400存儲器模塊具有2.6伏特，誤差 為+/-4%的操作電壓。存儲器模塊的操作電壓若低于其操作電壓范圍，將可能產(chǎn)生 存儲器錯誤而使系統(tǒng)數(shù)據(jù)錯誤。 一般來說，若存儲器模塊的供應(yīng)電壓高于其供應(yīng)電 壓的上限，仍可正常運(yùn)作。因此，現(xiàn)有的存儲器模塊的效能是取決于系統(tǒng)供應(yīng)電壓 源的品質(zhì)，因此，模塊可能可在一系統(tǒng)上正常運(yùn)作，卻無法在另一系統(tǒng)上運(yùn)作。除 此之外，由圖可見所有動態(tài)隨機(jī)存取存儲器組件自電壓供應(yīng)器24接收相同的電壓。 因此，若動態(tài)隨機(jī)存取存儲器組件11-19需要不同的電壓以達(dá)到最佳效能，則先前
4技術(shù)的存儲器模塊將無法達(dá)到此要求。
因此，此一業(yè)界須要一個能克服上述問題的系統(tǒng)及方法。本發(fā)明即可達(dá)到此要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭露一種存儲器模塊。存儲器模塊包含電壓供應(yīng)器，存儲器接口，連結(jié)
至電壓供應(yīng)器，多個存儲器組件，以及電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器(vsc)，連結(jié)至存儲器接
口及存儲器組件，電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器用以確保存儲器組件于其最佳效能狀態(tài)下運(yùn)作。
本發(fā)明的一電壓穩(wěn)定器存儲器模塊(VSMM)包含印刷電路板(PCB)，印刷電路 板包含多個存儲器芯片、多個離散組件、電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器及其它相關(guān)組件。電壓穩(wěn) 定轉(zhuǎn)換器以系統(tǒng)電壓供應(yīng)源為輸入，并輸出為動態(tài)隨機(jī)存取存儲器組件的電壓供應(yīng) 源。因此電壓穩(wěn)定器存儲器模塊相較于現(xiàn)有的存儲器模塊具有更強(qiáng)的適應(yīng)性、更佳 的穩(wěn)定性及更好的性能。


圖1包含存儲器模塊的裝置的方塊圖2是現(xiàn)有的存儲器模塊的方塊圖；以及
圖3是本發(fā)明的電壓穩(wěn)定器存儲器模塊的示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明是關(guān)于一種存儲器模塊，更具體來說，本發(fā)明是關(guān)于提供穩(wěn)定電壓予存 儲器模塊的組件。下面的敘述是使技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者了解本發(fā)明的其它目 的，以及本發(fā)明的技術(shù)手段及實施樣態(tài)。任何熟悉此技術(shù)者可輕易完成的改變或均 等性的安排均屬于本發(fā)明所主張的范圍。因此本發(fā)明的實施例僅用來例舉本發(fā)明的 實施態(tài)樣，以及闡釋本發(fā)明的技術(shù)特征，并非用來限制本發(fā)明的保護(hù)范疇。
本發(fā)明的電壓穩(wěn)定器存儲器模塊包含印刷電路板(PCB)，印刷電路板還包含
多個存儲器芯片、多個離散組件、電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器及其它相關(guān)組件。電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換 器以系統(tǒng)電壓供應(yīng)源作為其輸入，而其輸出為動態(tài)隨機(jī)存取存儲器組件的電壓供應(yīng) 源。舉例來說，電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器的輸入范圍可自1.65伏特至5.5伏特，而其輸出范 圍可調(diào)整為1.8伏特至5.5伏特以提供予電壓穩(wěn)定器存儲器模塊。為更詳細(xì)地描述 本發(fā)明的特征，請參照下面的敘述及其相關(guān)附3是描繪本發(fā)明的一可用于許多不同的裝置的電壓穩(wěn)定器存儲器模塊
(VSMM) 100。電壓穩(wěn)定器存儲器模塊100包含多個動態(tài)隨機(jī)存取存儲器組件 121-129、存儲器總線接口 22'、串行存在檢測(SPD)只讀存儲器芯片20，、電壓 穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器(VSC) 150、印刷電路板23及多個離散組件(圖未繪示)。視情況， 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器芯片可均相同，也可各為不同種類的芯片。系統(tǒng)經(jīng)由存儲器總 線22，將電壓供應(yīng)器24，的供應(yīng)電壓送至電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器(VSC) 150。電壓穩(wěn)定 轉(zhuǎn)換器150進(jìn)而透過信號26-34分別增強(qiáng)每一個動態(tài)隨機(jī)存取存儲器組件121-129 的電壓，以使每一個動態(tài)隨機(jī)存取存儲器組件121-129達(dá)到最佳效能。為防止至存 儲器模塊的供應(yīng)電壓產(chǎn)生不須要的電壓下降，電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器150是設(shè)置于存儲器 模塊中。電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器150以系統(tǒng)供應(yīng)電壓為輸入并可當(dāng)成一個電源供應(yīng)。不論 操作系統(tǒng)供應(yīng)電壓的電壓容許范圍為何，電路可維持存儲器芯片所定義的電壓。電 壓穩(wěn)定器存儲器模塊與傳統(tǒng)存儲器模塊的不同在于，電壓穩(wěn)定器存儲器模塊利用系 統(tǒng)供應(yīng)電壓做為其電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器的電壓源，且輸出自己的電壓以供應(yīng)整個模塊。
電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器150可依動態(tài)隨機(jī)存取存儲器組件的效能而進(jìn)行手動調(diào)整。在 另一實施例中，電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器可自串行存在檢測(SPD)只讀存儲器芯片20'讀 取制造商的數(shù)據(jù)。在制造過程中，適當(dāng)?shù)妮斎腚妷褐悼捎诠S校準(zhǔn)并存于串行存在 檢測只讀存儲器芯片20，以在實際運(yùn)作時使用?？捎米鲭妷悍€(wěn)定轉(zhuǎn)換器150的電 路是同步增強(qiáng)轉(zhuǎn)換器，如德州儀器所制造的TP61030。
不論電壓供應(yīng)器24，的供應(yīng)電壓值為何，電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器150預(yù)先調(diào)整最佳輸 出電壓值至提供給各對應(yīng)的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器芯片121至129的準(zhǔn)位26-34。因 此，電壓穩(wěn)定器存儲器模塊的效能是基于電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器150的輸出，輸出被設(shè)定 在特定電壓值而不受系統(tǒng)電壓的影響。
電壓穩(wěn)定器存儲器模塊相較于現(xiàn)有的存儲器模塊具有下列優(yōu)點(diǎn)
1. 穩(wěn)定性電壓穩(wěn)定器存儲器模塊工作于預(yù)先設(shè)定的電壓，而非直接利用經(jīng) 常變動且不穩(wěn)定的系統(tǒng)電源，因此存儲器模塊的穩(wěn)定性得以改善。
2. 適應(yīng)性動態(tài)隨機(jī)存取存儲器在正電壓振幅時運(yùn)作情況較佳，此是可由電
壓穩(wěn)定器存儲器模塊達(dá)成，因為動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的供應(yīng)電壓可由制造商調(diào)整而 非由系統(tǒng)或使用者，而系統(tǒng)或使用者皆無法取得動態(tài)隨機(jī)存取存儲器組件本身的第 一手?jǐn)?shù)據(jù)。
3. 效能操作電壓可被手動預(yù)先設(shè)定或自動調(diào)整以符合每一個或全部模塊內(nèi)
的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器芯片的效能，因此可根據(jù)各使用的組件而達(dá)到最大可能的效上述的實施例僅用來例舉本發(fā)明的實施態(tài)樣，以及闡釋本發(fā)明的技術(shù)特征，并 非用來限制本發(fā)明的保護(hù)范疇。例如，雖然圖3的實施例描述動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 組件，但亦可使用多個存儲器組件，這亦落在本發(fā)明的范圍及精神之中。因此，任 何熟悉此技術(shù)者可輕易完成的改變或均等性的安排均屬于本發(fā)明所主張的范圍，本 發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍應(yīng)以申請專利范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種存儲器模塊，包含電壓供應(yīng)器；存儲器接口，耦接至電壓供應(yīng)器；多個存儲器組件；以及電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器，耦接至存儲器接口及存儲器組件，電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器用以確保存儲器組件于其最佳效能狀態(tài)下運(yùn)作。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器模塊，其特征在于電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器是增強(qiáng)提供 給存儲器組件的電壓，以確保存儲器組件于其最佳效能狀態(tài)下運(yùn)作。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器模塊，其特征在于電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器是提供單獨(dú) 信號至各存儲器組件，以確保各存儲器組件于其最佳效能狀態(tài)下運(yùn)作。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器模塊，其特征在于存儲器組件包含多個動態(tài)隨 機(jī)存取存儲器組件。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器模塊，其特征在于電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器提供至各存儲器組件的電壓是手調(diào)至最佳電壓。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器模塊，其特征在于還包含耦接存儲器接口的串 行存在檢測(SPD)只讀存儲器，其中串行存在檢測只讀存儲器用以提供各存儲器 組件的信息至存儲器接口，以使電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器提供最佳電壓至各存儲器組件。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器模塊，其特征在于電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器包含同步增 強(qiáng)轉(zhuǎn)換器。
8. —種裝置，包含 功能電路；以及存儲器模塊，耦接至功能電路，包含電壓供應(yīng)器；存儲器接口，耦接至電壓 供應(yīng)器；多個存儲器組件；以及電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器，耦接至存儲器接口及存儲器組件， 電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器用以確保存儲器組件于其最佳效能狀態(tài)下運(yùn)作。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器是增強(qiáng)提供給存儲 器組件的電壓，以確保存儲器組件于其最佳效能狀態(tài)下運(yùn)作。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器是提供單獨(dú)信號 至各存儲器組件，以確保各存儲器組件于其最佳效能狀態(tài)下運(yùn)作。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于存儲器組件包含多個動態(tài)隨機(jī)存 取存儲器組件。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器提供至各存儲器 組件的電壓是手調(diào)至最佳電壓。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，還包含連結(jié)至存儲器接口的串行存在檢測只 讀存儲器，其中串行存在檢測只讀存儲器用以提供各存儲器組件的信息至存儲器接口，以使電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器提供最佳的電壓至各存儲器組件。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器包含同步增強(qiáng)轉(zhuǎn) 換器。
15. —種存儲器模塊，包含 電壓供應(yīng)器；存儲器接口，耦接至電壓供應(yīng)器； 多個動態(tài)隨機(jī)存取存儲器組件；以及電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器，耦接至存儲器接口及存儲器組件，電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器用以確保存儲器組件于其最佳效能狀態(tài)下運(yùn)作；其中電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器是提供單獨(dú)信號至各存儲器組件，以確保各存儲器組件于其最佳效能狀態(tài)下運(yùn)作。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲器模塊，其特征在于電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器提供至各 存儲器組件的電壓是手調(diào)至最佳電壓。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲器模塊，還包含連結(jié)至存儲器接口的串行存在 檢測只讀存儲器，其中串行存在檢測只讀存儲器用以提供各存儲器組件的信息至存 儲器接口，以使電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器提供最佳電壓至各存儲器組件。
全文摘要
本發(fā)明是揭露一種存儲器模塊。存儲器模塊包含電壓供應(yīng)器，存儲器接口，耦接至電壓供應(yīng)器，多個存儲器組件；以及電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器，耦接至存儲器接口及存儲器組件，電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器用以確保存儲器組件于其最佳效能狀態(tài)下運(yùn)作。本發(fā)明的電壓穩(wěn)定器存儲器模塊包含印刷電路板，印刷電路板包含多個存儲器芯片、多個離散組件(discrete components)、電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器及其它相關(guān)組件。電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)換器以系統(tǒng)電壓供應(yīng)源作為其輸入，且其輸出是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)組件的電壓供應(yīng)源。因此，電壓穩(wěn)定器存儲器模塊較現(xiàn)有的存儲器模塊具有更強(qiáng)的適應(yīng)性、更佳的穩(wěn)定性及更好的性能。
文檔編號G11C7/10GK101449333SQ200780017742
公開日2009年6月3日 申請日期2007年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月30日
發(fā)明者H·阮, N·黎 申請人:金士頓科技股份有限公司