專利名稱：具有軟磁性質(zhì)的膜的制作方法
具有軟磁性質(zhì)的膜
背景技術(shù)：
本發(fā)明的實(shí)施例一般涉及磁應(yīng)用，尤其涉及具有軟磁性質(zhì)的材料。
背景技術(shù)：
磁記錄介質(zhì)、磁感應(yīng)器/轉(zhuǎn)換器電路、讀取/寫(xiě)入記錄磁頭、傳感器應(yīng)用和 其它磁性應(yīng)用都需要具有適當(dāng)磁和電性質(zhì)的材料。通過(guò)將具有適當(dāng)特性的膜或 其它涂層涂覆到材料，來(lái)將這些性質(zhì)頻繁地賦予該材料。濺射膜和鎳合金是這 種涂層的例子。不幸的是，現(xiàn)有涂層遭受各種缺點(diǎn)，使其不合需要。由于較慢 的沉積速率和需要頻繁換靶，濺射和其它形式的物理氣相沉積例如一般與大批 量制造是不兼容的，尤其是對(duì)于厚度大于約l微米的膜。鎳合金引起安全和環(huán)
境關(guān)注，因?yàn)镹i++是致癌的。坡莫合金——通常用作磁性材料的鎳鐵化合
物——由于其低電阻率而遭受高頻操作期間的渦流損耗。因此，現(xiàn)在需要一種 表現(xiàn)出軟磁性質(zhì)和高電阻率的、與大批量制造環(huán)境兼容且不會(huì)受到安全和其它 環(huán)境關(guān)注的材料。
附圖簡(jiǎn)述
通過(guò)閱讀以下的詳細(xì)并結(jié)合附圖將更好地理解所公開(kāi)的實(shí)施例，附圖中

圖1是作為涂層或膜涂覆在下面的襯底上的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的材料 的橫截面視圖2是示出獲得可在磁和其它應(yīng)用中使用的結(jié)構(gòu)的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例 的方法的流程圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在襯底上形成鈷膜的方法的流程圖；以
及
圖4是可使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的材料的系統(tǒng)的示意圖。
6為了簡(jiǎn)化和清楚說(shuō)明的目的，附圖示出一般的構(gòu)造方式，且省略公知特征 和技術(shù)的描述和細(xì)節(jié)，以避免不必要地使所述本發(fā)明的實(shí)施例的討論晦澀。另 外，附圖中的元件不一定是按比例繪制的。例如，附圖中的某些元件的尺寸相 對(duì)于其它元件被放大，以有助于改進(jìn)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的理解。在不同附圖中 相同的附圖標(biāo)記指示相同的元件。
在說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中的術(shù)語(yǔ)"第一"、"第二"、"第三"、"第四" 等(如果有的話)用于在類似元件之間，且未必是用于描述特定次序或時(shí)間順 序。應(yīng)該理解如此使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下是可以互換的，使得本文所述的本 發(fā)明的實(shí)施例例如能夠以本文示出或以其它方式描述的次序以外的次序操作。 類似地，如果本文中方法被描述為包括一系列步驟，則如本文呈現(xiàn)的這些步驟 的順序不一定是可執(zhí)行這些步驟的唯一順序，且某些所述步驟可被省略和/或 可能將本文未描述的某些其它步驟添加到該方法中。此外，術(shù)語(yǔ)"包括"、"包 含"、"具有"及其任何變形旨在適用非排他地包括，使得包括一系列要素的 過(guò)程、方法、制品或裝置不一定限于這些要素，但可包括未明確列出或這些過(guò) 程、方法、制品或裝置所固有的其它要素。
在說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中的術(shù)語(yǔ)"左"、"右"、"前"、"后"、"頂"、 "底"、"上"、"下"等(如果有的話)用于描述的目的，且不一定用于描 述永久的相對(duì)位置。應(yīng)該理解如此使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下是可以互換的，使 得本文所述的本發(fā)明的實(shí)施例例如能夠以本文示出或以其它方式描述的方向 以外的其它方向操作。如本文所使用的術(shù)語(yǔ)"耦合"被定義為電或非電方式的 直接或間接連接。
附圖的詳細(xì)描述
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，能夠作為膜或涂層涂覆且能夠?yàn)榇艖?yīng)用提供適 當(dāng)?shù)拇藕碗娦再|(zhì)的材料包括鈷、硼、以及鎢和磷二者中的至少一個(gè)。該材料的
電阻率介于約20和1000pOhm-cm (微歐姆-厘米)之間、飽和磁通密度介于約 0.1和1.8特斯拉(Tesla)之間、矯頑力小于約5奧斯特(Oersted)、相對(duì)磁 導(dǎo)率介于約100和2000之間。
利用以上給出的范圍中的電阻率和矯頑力，該材料提供了良好的磁性質(zhì)和電性質(zhì)用于多種磁應(yīng)用。與常規(guī)磁材料相比較，相對(duì)高電阻率可提供在高頻率 操作期間減少渦流損耗的優(yōu)點(diǎn)，且相對(duì)較低的矯頑力允許對(duì)磁性(磁應(yīng)用中使 用的材料的重要品質(zhì))變化更快速的響應(yīng)。
現(xiàn)在參照附圖，圖1是作為涂層或膜涂覆在襯底150上的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)
施例的材料100的橫截面視圖。種子層120位于襯底150和材料100之間。作 為一個(gè)例子，種子層120可包括銅、鈷、鎳、鉑、鈀、釕、鐵及其合金。
材料100包括鉤(W)和磷(P)中的至少一個(gè)、鈷(Co)以及硼(B)。 因此，除其它可能的以外，材料100可以是含有鈷、硼、鎢和磷中的每一個(gè)的 CoWBP膜；含有鈷、硼和磷但沒(méi)有鎢的CoBP膜；和含有鈷、硼和鎢但沒(méi)有 磷的CoWB膜。
材料100的電阻率在約20至約lOO[iOhm-cm之間。在一個(gè)實(shí)施例中，電 阻率在約50和約500u Ohm-cm之間，且較高的電阻率值是優(yōu)選的。
在某些實(shí)施例中，可通過(guò)改變?cè)诓牧?00的沉積期間使用的電鍍槽來(lái)改變 電阻率。以下討論的是可包含各自處于變化的濃度范圍的鈷、鎢酸鹽和含磷化 合物的具體電鍍槽。參照該具體電鍍槽，鈷濃度的增加將傾向于降低電阻率， 而含磷化合物或(尤其是)鎢酸鹽濃度的增加將傾向于增加電阻率。
材料100的飽和磁通密度在約0.1至1.8特斯拉之間。在一個(gè)實(shí)施例中， 飽和磁通密度在約0.5至1.6特斯拉之間，且較高的值是優(yōu)選的。再次參照以 上介紹的具體電鍍槽(以下更詳細(xì)地討論)，鈷濃度的增加將傾向于使飽和磁 通密度增加到約1.8特斯拉的值。
另外材料100的矯頑力小于5.0奧斯特。在一個(gè)實(shí)施例中，矯頑力在約 0.001奧斯特至約2.0奧斯特之間，且較低的值是優(yōu)選的。
此外，材料100的相對(duì)磁導(dǎo)率在約100至2000之間。在一個(gè)實(shí)施例中， 相對(duì)磁導(dǎo)率在約700至約1000之間，且較高的值是優(yōu)選的。
以上暗示，材料100可在諸如記錄磁頭和記錄介質(zhì)、磁感應(yīng)器/轉(zhuǎn)換器電 路、傳感器應(yīng)用等各種磁應(yīng)用中得到使用。另外，材料100可形成芯片級(jí)感應(yīng) 器的一部分或集成硅調(diào)壓器(ISVR)的一部分。再次參照?qǐng)Dl，材料100如所 提及的可被認(rèn)為是涂覆到襯底150的膜或涂層。如此涂覆，材料100可構(gòu)成厚 度范圍很寬的膜，使得例如在一個(gè)實(shí)施例中材料100可具有小到約10納米的厚度，而在另一個(gè)實(shí)施例中，材料100可具有大到約1毫米的厚度。作為一個(gè)
例子，在以上提及的芯片級(jí)感應(yīng)器應(yīng)用中，材料100可具有介于約0.1微米和 約IO微米之間的厚度。
材料100的特定膜厚對(duì)電阻率、飽和磁通密度、矯頑力和相對(duì)磁導(dǎo)率中的 一個(gè)或多個(gè)有影響。作為一個(gè)例子，約0.4微米的膜厚使材料100的電阻率約 為140pOhm-cm、飽和磁通密度約為1.5特斯拉、矯頑力約為0.1奧斯特、相 對(duì)磁導(dǎo)率約在700至800之間。
可使用諸如濺射或其它干法氣相沉積工藝的干法工藝來(lái)將材料100涂覆 到襯底150上，盡管如上所述這種干法工藝在大批量制造期間可導(dǎo)致低效率。 還可使用濕法工藝以便將材料100涂覆到襯底150上。例如，諸如電鍍、電泳 淀積、無(wú)電鍍等電化學(xué)沉積可用在至少一個(gè)實(shí)施例中，并與干法工藝相比可更 好地適于大批量制造。
在使用無(wú)電沉積的實(shí)施例中，可將襯底150置于鍍液或電鍍槽中作為沉積 過(guò)程的一部分。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的基于水的電鍍槽包括濃度在約 0.01和約0.05摩爾/升之間的原生金屬、濃度在約0.1和約0.5摩爾/升之間的 絡(luò)合劑、濃度在約0.001和約0.5摩爾/升之間的再生金屬、濃度在約0.5和約 1.0摩爾/升之間的PH緩沖劑、濃度在約0.02和約0.1摩爾/升之間的第一還原 劑以及濃度在約0.02和約0.1摩爾/升之間的第二還原劑。
在一個(gè)特定實(shí)施例中，電鍍槽的PH水平在約7.5和約9.7之間。在同一 或另一實(shí)施例中，電鍍槽的溫度在約60攝氏度和約卯?dāng)z氏度之間。在一個(gè)特 定實(shí)施例中，可將PH限于約8.3至約9.7的范圍中，并且溫度限于約60攝氏 度至約80攝氏度的范圍中。超過(guò)所述PH和溫度范圍的上限的電鍍槽可變得不 穩(wěn)定。PH值或溫度在所述PH和溫度范圍的下限以下的電鍍槽可得到可接受 的膜，但沉積過(guò)程很可能比PH值和溫度在所述范圍內(nèi)時(shí)進(jìn)行得要慢。
在一個(gè)實(shí)施例中，原生金屬包括處于其(+2)氧化狀態(tài)的鈷，絡(luò)合劑包括 檸檬酸鹽，再生金屬包括鎢酸鹽(WO,)， PH緩沖劑包括硼酸鹽(B033—)，第一 還原劑包括次磷酸鹽(H2P02')，而第二還原劑包括二甲基胺硼垸 (dimethylamineborane)。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識(shí)到上述電鍍槽可在某些方面進(jìn)行修改，但仍產(chǎn)生
9本文描述的CoWBP膜、CoBP膜、CoWB膜等。作為一個(gè)例子，可從電鍍槽 中省去鎢酸鹽或其它再生金屬。作為另一個(gè)例子，可從電鍍槽中省去次磷酸鹽 或其它還原劑。還將意識(shí)到，如果省去鎢酸鹽則所得膜(例如，CoBP)比從 存在鎢酸鹽的電鍍槽得到的膜的熱穩(wěn)定性差。還將意識(shí)到，如果省去次磷酸鹽 則所得膜(例如，CoWB)表現(xiàn)出與鈷的結(jié)晶效率較低。
作為一個(gè)例子，次磷酸鹽可包括次磷酸銨、次磷酸鈉、次磷酸鉀等。本領(lǐng) 域的普通技術(shù)人員將理解次磷酸銨的使用不會(huì)引起鈉污染關(guān)注，而鈉污染可由 至少次磷酸鈉的使用引起。不管其具體化學(xué)式如何，次磷酸鹽用作電子源，以 使得金屬可由電鍍槽中存在的金屬離子形成。(在以上介紹的實(shí)施例中，次磷 酸鹽使鈷能夠由鈷離子形成。)次磷酸鹽還是材料100中的磷源。
檸檬酸鹽或其它絡(luò)合劑絡(luò)合在鈷或其它離子周圍，并通過(guò)防止離子從電鍍 槽沉淀析出而將離子保持在溶液中。鎢酸鹽是鎢源。硼酸鹽或其它PH緩沖器 使電鍍槽中的PH變化最小。二甲基胺硼垸或其它第二還原劑還用作電子源， 用于上述目的，且此外還是材料100中的硼源。
圖2是示出獲得可在磁和其它應(yīng)用中使用的結(jié)構(gòu)的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例 的方法200的流程圖。在至少一個(gè)實(shí)施例中，該結(jié)構(gòu)包括涂覆到襯底的膜或其 它涂層。作為一個(gè)例子，膜可包括鈷、坡莫合金或表現(xiàn)出軟磁性質(zhì)的其它物質(zhì)。
方法200的步驟210是提供襯底。作為一個(gè)例子，襯底可類似于圖1所示 的襯底150。
方法200的步驟220是在襯底上形成種子層。作為一個(gè)例子，種子層可類 似于圖1所示的種子層120。種子層一般相對(duì)較薄——取決于膜的屬性可能約 是5至10納米。
在一個(gè)實(shí)施例中，步驟200包括沉積包括選自下組的物質(zhì)的材料銅、 鈷、鎳、鉑、鈀、釕、鐵及其合金。干法工藝和濕法工藝都是種子層沉積的可 能工藝。作為一個(gè)例子，沉積材料以形成種子層可包括利用諸如物理氣相沉積 (PVD)等氣相沉積方法沉積該材料。
方法200的步驟230是在種子層上形成膜，以使得該膜的電阻率至少約是 lOO(iOhm-cm，其飽和磁通密度至少約是1.0特斯拉。在特定的實(shí)施例中，步 驟230還包括形成矯頑力不大于約0.001奧斯特且相對(duì)磁導(dǎo)率至少約為700的膜。作為一個(gè)例子，該膜可類似于圖1所示的材料100。
在一個(gè)實(shí)施例中，步驟230包括無(wú)電沉積膜。在其它實(shí)施例中，步驟230 可包括利用其它電化學(xué)或濕法化學(xué)技術(shù)、或利用濺射或其它物理氣相沉積技術(shù) 來(lái)沉積膜。如上所述，步驟230可包括形成CoWBP膜、CoWB膜、CoBP膜等。
方法200的步驟240是將磁場(chǎng)施加到襯底的表面。在一個(gè)實(shí)施例中，步驟 240可與步驟230同時(shí)執(zhí)行。
在另一個(gè)實(shí)施例中，步驟240可在步驟230之后的加熱步驟期間執(zhí)行。在 又一個(gè)實(shí)施例中，步驟240可與步驟230合并，以使得步驟230包括在種子層 上形成膜和將磁場(chǎng)施加到襯底的表面。
作為一個(gè)例子，步驟240可包括平行于或基本平行于襯底的表面施加磁 場(chǎng)，且強(qiáng)度大于約100奧斯特。作為一個(gè)具體的例子，步驟240可包括以介于 約500和約1000奧斯特之間的強(qiáng)度施加磁場(chǎng)。可利用永久磁鐵或電磁鐵施加 磁場(chǎng)。平行于或基本平行于襯底表面施加磁場(chǎng)是必需的，以便感應(yīng)出單軸各向 異性，需要這種性質(zhì)以便獲得磁感應(yīng)器和其它磁性電路的高磁導(dǎo)率和線性操 作。
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在襯底上形成鈷膜的方法300的流程 圖。方法300的步驟310是提供一種溶液，它包括鈷離子、若干檸檬酸鹽、硼 酸鹽離子、若干二甲基胺硼垸、以及鎢酸鹽離子和含磷化合物兩者中的至少一 者。作為一個(gè)例子，含磷化合物可包括諸如次磷酸銨、次磷酸鈉、次磷酸鉀等 次磷酸鹽。
方法300的步驟320是將溶液的PH值調(diào)節(jié)在約7.5和約9.7之間。在一 個(gè)實(shí)施例中，步驟320包括在將溶液施加于襯底之前，向溶液添加濃度在約5% 和約15。/。(重量)之間的堿齊[J。作為一個(gè)例子，堿劑可以是氫氧化四甲銨(TMAH) [(CH3)4NOH]、氫氧化鉀(KOH)等。
方法300的步驟330是將溶液的溫度調(diào)節(jié)在約60和90攝氏度之間。 方法300的步驟340是將溶液施加于襯底，以使得鈷合金膜無(wú)電沉積在襯 底上。步驟340和方法300的另一個(gè)步驟還可包括將磁場(chǎng)施加到襯底的表面， 如結(jié)合方法200的步驟240所述。圖4是可使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的材料的系統(tǒng)400的示意圖。如圖4 所示，系統(tǒng)400包括板410、設(shè)置在板410上的存儲(chǔ)設(shè)備420以及設(shè)置在板410 上并耦合到存儲(chǔ)設(shè)備420的處理設(shè)備430。處理設(shè)備430包括覆蓋有包括鎢和 磷(在一個(gè)實(shí)施例中磷可以是次磷酸銨、次磷酸鈉、次磷酸鉀等形式)中的至 少一個(gè)、鈷和硼的膜的襯底(圖4中未示出)。
作為一個(gè)例子，襯底和膜可分別類似于襯底150和材料100，兩者都在圖 1中示出，以使得在至少一個(gè)實(shí)施例中，膜的電阻率至少約是10(HiOhm-cm、 飽和磁通密度至少約是1.0特斯拉、矯頑力不大于約0.001奧斯特、相對(duì)磁導(dǎo) 率至少約是700。
在一個(gè)具體的實(shí)施例中，膜的厚度約為0.4微米、電阻率約是 140pOhm-cm、飽和磁通密度約是1.5特斯拉、矯頑力約是0.1奧斯特、相對(duì)磁 導(dǎo)率在約700和約800之間。
盡管已經(jīng)參照特定實(shí)施例描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解可在 不背離本發(fā)明的范圍的情況下進(jìn)行各種改變。因此，本發(fā)明的實(shí)施例的公開(kāi)內(nèi)
容旨在說(shuō)明本發(fā)明的范圍而不是限制。本發(fā)明的范圍應(yīng)該僅限于所附權(quán)利要求 書(shū)所要求的程度。例如，對(duì)于本領(lǐng)域的一個(gè)普通技術(shù)人員，顯而易見(jiàn)的是本文 討論的材料、電鍍槽和相關(guān)聯(lián)的方法和系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)在各個(gè)實(shí)施例中，且上述這 些實(shí)施例中的某些的討論不一定表示所有可能實(shí)施例的全部描述。
另外，參考特定實(shí)施例描述了好處、其它優(yōu)點(diǎn)和問(wèn)題解決方案。然而，好 處、優(yōu)點(diǎn)、問(wèn)題解決方案以及可使得好處、優(yōu)點(diǎn)或解決方案出現(xiàn)或變得更顯著 的任何一個(gè)或多個(gè)要素不應(yīng)被理解為任意或全部權(quán)利要求的關(guān)鍵、必需或本質(zhì) 特征或要素。
此外，如果實(shí)施例和/或限制(1)在權(quán)利要求中沒(méi)有明確要求；(2)在 等價(jià)原則下是權(quán)利要求中明確的要素和/或限制的可能等價(jià)物，則本文公開(kāi)的實(shí) 施例和限制在專用的原則下并非專用于公眾。
1權(quán)利要求
1. 一種材料，其包括鈷、硼、以及鎢和磷兩者中的至少一者，其中所述材料具有介于約20和約1000μO(píng)hm-cm之間的電阻率；介于約0. 1至約1.8特斯拉之間的飽和磁通密度；小于約5奧斯特的矯頑力；以及介于約100和約2000之間的相對(duì)磁導(dǎo)率。
2. 如權(quán)利要求1所述的材料，其特征在于 所述材料包括覆蓋襯底且具有約0.4微米厚度的膜。
3. 如權(quán)利要求l所述的材料，其特征在于 所述材料包括鎢和磷兩者。
4. 如權(quán)利要求1所述的材料，其特征在于所述電阻率介于約50和約500 |iOhm- cm之間。
5. 如權(quán)利要求l所述的材料，其特征在于 所述飽和磁通密度介于約0.5至約1.6特斯拉之間。
6. 如權(quán)利要求1所述的材料，其特征在于 所述矯頑力介于約0.001和約2.0奧斯特之間。
7. 如權(quán)利要求l所述的材料，其特征在于 所述相對(duì)磁導(dǎo)率介于約700和約1000之間。
8. —種電鍍槽，其包括濃度介于約0.01和約0.05摩爾/升之間的原生金屬； 濃度介于約0.1和約0.5摩爾/升之間的絡(luò)合劑； 濃度介于約0.001和約0.05摩爾/升之間的再生金屬； 濃度介于約0.5和約1.0摩爾/升之間的PH緩沖劑； 濃度介于約0.02和約0.1摩爾/升之間的第一還原劑；以及 濃度介于約0.02和約0.1摩爾/升之間的第二還原劑。
9. 如權(quán)利要求8所述的電鍍槽，其特征在于所述電鍍槽的PH水平介于約7.5和約9.7之間。
10. 如權(quán)利要求8所述的電鍍槽，其特征在于 所述電鍍槽的溫度介于約60攝氏度和約90攝氏度之間。
11. 如權(quán)利要求8所述的電鍍槽，其特征在于 所述原生金屬包括處于其(+2)氧化狀態(tài)的鈷。
12. 如權(quán)利要求8所述的電鍍槽，其特征在于 所述絡(luò)合劑包括檸檬酸鹽。
13. 如權(quán)利要求8所述的電鍍槽，其特征在于 所述再生金屬包括鎢酸鹽。
14. 如權(quán)利要求8所述的電鍍槽，其特征在于 所述PH緩沖劑包括硼酸鹽。
15. 如權(quán)利要求8所述的電鍍槽，其特征在于所述第一還原劑包括次磷酸鹽。
16. 如權(quán)利要求15所述的電鍍槽，其特征在于所述次磷酸鹽包括次磷酸銨。
17. 如權(quán)利要求8所述的電鍍槽，其特征在于所述第二還原劑包括二甲基胺硼垸。
18. —種方法，其包括 提供襯底；在所述襯底上形成種子層；以及在所述種子層上形成膜，以使得所述膜的電阻率至少約是100 pOhm-cm， 且其飽和磁通密度至少約是1.0特斯拉。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于 形成所述膜包括形成CoWBP膜。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于所述CoWBP膜的矯頑力不大于約0.001奧斯特、且相對(duì)磁導(dǎo)率至少約是700。
21. 如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于形成所述種子層包括沉積包括選自下組的物質(zhì)的材料銅、鈷、鎳、鉑、鈀、釕、鐵及其合金。
22. 如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于沉積所述材料以形成種子層包括利用氣相沉積法沉積所述材料。
23. 如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于形成所述膜包括無(wú)電沉積所述膜。
24. 如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，還包括將磁場(chǎng)施加到所述襯底的表面。
25. 如權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于施加所述磁場(chǎng)包括平行于或基本平行于所述襯底的表面、以大于約100奧斯特的強(qiáng)度施加所述磁場(chǎng)。
26. 如權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于施加所述磁場(chǎng)包括以約500至約1000奧斯特之間的強(qiáng)度施加所述磁場(chǎng)。
27. —種在襯底上形成鈷合金膜的方法，所述方法包括提供一種溶液，其包括鈷離子；若干檸檬酸鹽；硼酸鹽離子；若干二甲基胺硼烷；以及鎢酸鹽離子和含磷化合物中的至少一個(gè)；以及將所述溶液施加到所述襯底以使得所述鈷合金膜無(wú)電沉積在所述襯底上。
28. 如權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，還包括將所述溶液的PH值調(diào)節(jié)在約7.5和約9.7之間；以及將所述溶液的溫度調(diào)節(jié)在約60和約90攝氏度之間。
29. 如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于調(diào)節(jié)所述溶液的PH包括在將所述溶液施加于襯底之前，向所述溶液添加濃度在約5%和約15% (重量)之間的堿劑。
30. —種系統(tǒng)，其包括板；設(shè)置在所述板上的存儲(chǔ)設(shè)備；以及設(shè)置在所述板上且耦合到所述存儲(chǔ)設(shè)備的處理設(shè)備，其中所述處理設(shè)備包 括覆蓋有包括鈷、硼、以及鎢和磷兩者中的至少一者的膜的襯底， 其中所述膜具有至少約為100pOhm-cm的電阻率；至少約為l.O特斯拉的飽和磁通密度； 小于約5奧斯特的矯頑力；以及至少約為700的相對(duì)磁導(dǎo)率。
31.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其特征在于 所述膜的厚度約為0.4微米；所述電阻率約為140 ^Ohm-cm;所述飽和磁通密度約為1.5特斯拉； 所述矯頑力約是O.l奧斯特；以及所述相對(duì)磁導(dǎo)率介于約700和約800之間。
全文摘要
能夠作為膜或涂層涂覆在襯底上且能夠?yàn)榇艖?yīng)用提供適當(dāng)?shù)拇藕碗娦再|(zhì)的材料包括鈷、硼、以及鎢和磷二者中的至少一個(gè)。該材料的電阻率介于約20和1000μO(píng)hm-cm之間、飽和磁通密度介于約0.1和1.8特斯拉之間、矯頑力小于約5奧斯特、且相對(duì)磁導(dǎo)率介于約100和2000之間。
文檔編號(hào)G11B5/68GK101479792SQ200780024022
公開(kāi)日2009年7月8日 申請(qǐng)日期2007年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月28日
發(fā)明者A·M·法加多, 樸昌珉 申請(qǐng)人:英特爾公司