專(zhuān)利名稱(chēng)：：一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)及其記錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于能夠使用藍(lán)色激光進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的一次寫(xiě)入多次讀耳又光學(xué)記錄介質(zhì)(write-once-read-many)例如Blu-ray盤(pán)和HD-DVD盤(pán)的記錄方法，以及適用于該記錄方法的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
：近來(lái)，伴隨著記錄介質(zhì)的記錄容量提高和高密度化，具有超高密度且能夠在藍(lán)色激光或者更短的激光波長(zhǎng)進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)已經(jīng)發(fā)展并標(biāo)準(zhǔn)化。線(xiàn)速度)和CAV(固定角速度)。此外，該方法包含ZCLV(區(qū)域CLV)和PCAV(部分CAV):ZCLV為CLV的調(diào)整，其中光學(xué)記錄介質(zhì)根據(jù)徑向位置從內(nèi)軌道到外軌道劃分為多個(gè)區(qū)域且每個(gè)區(qū)域使用CLV進(jìn)行記錄；PCAV在從介質(zhì)的內(nèi)軌道開(kāi)始的特定區(qū)域中通過(guò)CVA進(jìn)行記錄，并在直到介質(zhì)的外軌道的后續(xù)區(qū)域中通過(guò)CLV進(jìn)行記錄。在CLV中，介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)速度按照下述方式控制，旋轉(zhuǎn)數(shù)目與軌道的徑向距離成反比以保證沿軌道方向的固定線(xiàn)速度，且信息在固定時(shí)鐘頻率被記錄。因此，應(yīng)改變介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)速度，且需要更大的轉(zhuǎn)矩來(lái)改變驅(qū)動(dòng)介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的主軸電機(jī)的速度。結(jié)果，需要高成本和高功耗的電機(jī)，不過(guò)增大的功耗是不優(yōu)選的，特別是在使用電池驅(qū)動(dòng)的設(shè)備例如筆記本大小的個(gè)人計(jì)算機(jī)中進(jìn)行對(duì)光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄時(shí)。此外，主軸電機(jī)的速度在導(dǎo)引(seeking)時(shí)變化，且訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間增加了與主軸電機(jī)的速度變化完成所花時(shí)間相對(duì)應(yīng)的量。此外，在CAV中，按照與軌道的徑向位置成比例的方式，從介質(zhì)的內(nèi)軌道到外軌道增大記錄時(shí)鐘頻率來(lái)進(jìn)行記錄。這種情況下，記錄線(xiàn)速度保持固定，因?yàn)閮?nèi)軌道的記錄線(xiàn)速度小而外軌道的記錄線(xiàn)速度大。因此，與CLV相反，無(wú)需改變主軸電機(jī)的速度，且可以使用較小轉(zhuǎn)矩和較不昂貴的電機(jī)。由于在導(dǎo)引時(shí)沒(méi)有速度變化的等待時(shí)間，訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間可以更短。然而，在典型光學(xué)記錄介質(zhì)上記錄時(shí)，記錄時(shí)的激光功率和記錄脈沖波形按照特定記錄線(xiàn)速度來(lái)優(yōu)化。當(dāng)記錄線(xiàn)速度改變時(shí)，記錄標(biāo)記的條件改變，且抖動(dòng)性能會(huì)受到負(fù)面影響，特別是抖動(dòng)值更大。作為上述問(wèn)題的解決方案，專(zhuān)利文獻(xiàn)l提出一種方法，在相同記錄線(xiàn)速度獲得光學(xué)記錄介質(zhì)的整個(gè)可記錄區(qū)域中的至少兩個(gè)位置的最優(yōu)記錄功率，隨后通過(guò)插值程序獲得所有記錄線(xiàn)速度的最優(yōu)記錄功率用于記錄。然而，在使用藍(lán)色激光來(lái)記錄和再現(xiàn)的光學(xué)記錄介質(zhì)中，更小的標(biāo)記應(yīng)被精確地記錄。因此，上述方法不適宜。再者，專(zhuān)利文獻(xiàn)2提出了一種方法，記錄信號(hào)的脈沖高度和脈沖寬度根據(jù)記錄線(xiàn)速度來(lái)改變，從而優(yōu)化記錄標(biāo)記形狀用于記錄。然而，專(zhuān)利文獻(xiàn)2沒(méi)有提出如何改變記錄脈沖序列的定量考慮。專(zhuān)利文獻(xiàn)3提出了一種方法，期望記錄線(xiàn)速度和最大記錄線(xiàn)速度之間的連續(xù)多脈沖部分中的加熱脈沖占空比、加熱脈沖寬度、以及記錄功率的比例-故定量變4t以進(jìn)4于記錄。然而，在設(shè)計(jì)用于藍(lán)色激光波長(zhǎng)的光學(xué)記錄介質(zhì)的情形中，鑒于激光的上升時(shí)間和下降時(shí)間，多脈沖記錄在記錄速度方面石並到限制。再者，當(dāng)記錄脈沖變化時(shí)，需要額外的時(shí)間進(jìn)行記錄，因?yàn)樽顑?yōu)記錄功率是針對(duì)每個(gè)記錄脈沖確定的。專(zhuān)利文獻(xiàn)1:特開(kāi)平5-225570號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2:特開(kāi)平10-106008號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3:特開(kāi)2001-76341號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述情形而進(jìn)行了本發(fā)明，且本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問(wèn)題并實(shí)現(xiàn)下述目的。鑒于現(xiàn)有技術(shù)而進(jìn)行了本發(fā)明，且本發(fā)明的目的是提供一種記錄方法以及適用于該記錄方法的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，該記錄方法通過(guò)CAV、ZCLV或PCAV在能夠使用藍(lán)色激光進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)上在所有記錄線(xiàn)速度能夠形成高精度的記錄標(biāo)記，且該記錄方法通過(guò)不改變由激光發(fā)射圖案和參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的激光發(fā)射時(shí)間來(lái)進(jìn)行記錄，而能夠?qū)崿F(xiàn)短時(shí)間的記錄。這些問(wèn)題可以通過(guò)如下<1〉至<10>的發(fā)明(在下文中，稱(chēng)為本發(fā)明的第一至第十實(shí)施例)來(lái)解決。<1〉記錄方法，包含通過(guò)CAV、ZCLV或PCAV在能夠使用藍(lán)色激光進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄，其中含有記錄脈沖的激光發(fā)射圖案包含兩個(gè)或更多個(gè)不同水平的記錄功率，且由該激光發(fā)射圖案和參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的激光發(fā)射時(shí)間與記錄線(xiàn)速度無(wú)關(guān)地被固定。<2>如<1〉所述的記錄方法，其中含有記錄脈沖的激光發(fā)射圖案包含第一記錄功率Pw和第二記錄功率Pm，且在對(duì)應(yīng)于2x至4x的記錄線(xiàn)速度滿(mǎn)足如下條件Pw〉Pm，0.66《Pm/Pw<0.79。<3>如<1>所述的記錄方法，其中含有記錄脈沖的激光發(fā)射圖案包含第一記錄功率Pw和第二記錄功率Pm,且在對(duì)應(yīng)于2x至5x的記錄線(xiàn)速度滿(mǎn)足如下條件Pw>Pm,0.63《Pm/Pw。<4>如<1>至<3>任意一項(xiàng)所述的記錄方法，其中隨著記錄線(xiàn)速度增大而增大記錄功率，進(jìn)行記錄。<5>如<4〉所述的記錄方法，其中隨著記錄線(xiàn)速度增大而將記錄功率乘以常數(shù)，進(jìn)行記錄。<6>如<4〉和<5>其中一項(xiàng)所述的記錄方法，其中基于由OPC獲得的記錄功率的第一信息以及記錄功率依據(jù)記錄線(xiàn)速度增大而增大的量的第二信息，確定每個(gè)記錄線(xiàn)速度的記錄功率來(lái)進(jìn)行記錄，該第二信息預(yù)先存儲(chǔ)在讀入?yún)^(qū)或BCA區(qū)(燒錄區(qū))中。<7〉如<1>至<6>任意一項(xiàng)所述的記錄方法，其中在具有包含無(wú)機(jī)材料的記錄層的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。<8〉如<7>所述的記錄方法，其中該記錄層主要包含氧化鉍。<9>一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，包含表示可以通過(guò)CAV、ZCLV或PCAV進(jìn)行記錄的信息；以及由激光發(fā)射圖案和參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的激光發(fā)射時(shí)間的信息，該激光發(fā)射時(shí)間與記錄線(xiàn)速度無(wú)關(guān)地被固定，該激光發(fā)射圖案包含具有兩個(gè)或更多個(gè)不同水平的記錄功率的記錄脈沖，其中每個(gè)信息預(yù)先存儲(chǔ)在讀入?yún)^(qū)或BCA區(qū)中，且該一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)適用于如<1>至<8>任意一項(xiàng)所述的記錄方法。<10>—次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，包含表示可以通過(guò)CAV、ZCLV或PCAV進(jìn)行記錄的信息；以及記錄功率依據(jù)記錄線(xiàn)速度增大而增大的量的信息，其中每個(gè)信息預(yù)先存儲(chǔ)在讀入?yún)^(qū)或BCA區(qū)中，且該一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)適用于如<4>至<8〉任意一項(xiàng)所述的記錄方法。圖1A為CLV的解釋圖的示例，示出介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)數(shù)目。圖1B為CLV的解釋圖的示例，示出記錄線(xiàn)速度。圖1C為CLV的解釋圖的示例，示出時(shí)鐘頻率。圖2A為CAV的解釋圖的示例，示出介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)數(shù)目。圖2B為CAV的解釋圖的示例，示出記錄線(xiàn)速度。圖2C為CAV的解釋圖的示例，示出時(shí)鐘頻率。圖3A為ZCLV的解釋圖的示例，示出介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)數(shù)目。圖3B為ZCLV的解釋圖的示例，示出記錄線(xiàn)速度。圖3C為ZCLV的解釋圖的示例，示出時(shí)鐘頻率。圖4A為PCAV的解釋圖的示例，示出介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)數(shù)目。圖4B為PCAV的解釋圖的示例，示出記錄線(xiàn)速度。圖4C為PCAV的解釋圖的示例，示出時(shí)鐘頻率。圖5示出多脈沖激光發(fā)射圖案的示例。圖6示出包含城堡類(lèi)型記錄圖案的激光發(fā)射圖案的示例。圖7示出包含L形狀類(lèi)型記錄圖案的激光發(fā)射圖案的示例。圖8示出包含反L形狀類(lèi)型記錄圖案的激光發(fā)射圖案的示例。圖9示出包含區(qū)塊類(lèi)型記錄圖案的激光發(fā)射圖案的示例。圖10示出當(dāng)在對(duì)應(yīng)于2x(2倍速)至4x的記錄線(xiàn)速度進(jìn)行記錄而不改變記錄脈沖時(shí)，Pm、Pw、Pm/Pw和抖動(dòng)的示例。圖11示出當(dāng)在對(duì)應(yīng)于2x至5x的記錄線(xiàn)速度進(jìn)行記錄而不改變記錄脈沖時(shí)，Pm、Pw、Pm/Pw和抖動(dòng)的示例。圖12示出本發(fā)明的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)的斷面圖的示例。圖13A示出示例1至5中使用的激光發(fā)射圖案的波形圖。圖13B示出示例1至5中使用的激光發(fā)射圖案的各個(gè)參數(shù)。圖14A示出示例6和7中使用的激光發(fā)射圖案的波形圖。使用的激光發(fā)射圖案的各個(gè)參數(shù)。圖15A示出示例8和9中使用的激光發(fā)射圖案的波形圖。圖15B示出示例8和9中使用的激光發(fā)射圖案的各個(gè)參數(shù)。圖16A示出示例10和11中使用的激光發(fā)射圖案的波形圖。圖16B示出示例10和11中使用的激光發(fā)射圖案的各個(gè)參數(shù)。圖17的曲線(xiàn)圖示出示例6中使用的各個(gè)記錄速度處的記錄功率和預(yù)加熱功率。圖18的曲線(xiàn)圖示出示例7中使用的各個(gè)記錄速度處的記錄功率和預(yù)加熱功率。具體實(shí)施例方式在下文中，詳細(xì)解釋本發(fā)明。與本發(fā)明的記錄方法相關(guān)的記錄系統(tǒng)將參考附圖予以解釋。圖1A、1B和1C為CLV的解釋圖，以及圖2A、2B和2C為CAV的解釋圖。在各圖中，A、B和C分別示出從介質(zhì)內(nèi)軌道到外軌道的旋轉(zhuǎn)數(shù)目、記錄線(xiàn)速度和時(shí)鐘頻率的變化。在CLV中，介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)速度按照下述方式控制，旋轉(zhuǎn)數(shù)目與軌道的徑向距離成反比以保證沿軌道方向的固定線(xiàn)速度，且信息在固定時(shí)鐘頻率被記錄。因此，應(yīng)改變介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)速度，且需要更大的轉(zhuǎn)矩來(lái)改變驅(qū)動(dòng)介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的主軸電機(jī)的速度。結(jié)果，需要高成本和高功耗的電機(jī)。當(dāng)光學(xué)記錄介質(zhì)通過(guò)內(nèi)建在例如筆記本尺寸的個(gè)人計(jì)算機(jī)中的纖細(xì)光學(xué)記錄介質(zhì)來(lái)記錄時(shí)，應(yīng)使用小型主軸電機(jī)，且其旋轉(zhuǎn)數(shù)目應(yīng)被限制。因此，在CLV中，由于主軸電機(jī)在導(dǎo)引時(shí)速度變化，記錄線(xiàn)速度在介質(zhì)的外軌道中無(wú)法充分地提高且訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間更長(zhǎng)。此外，在CAV中，按照與軌道的徑向位置成比例的方式，從介質(zhì)的內(nèi)軌道到外軌道增大記錄時(shí)鐘頻率來(lái)進(jìn)行記錄。這種情況下，記錄線(xiàn)速度保持固定，因?yàn)閮?nèi)軌道的記錄線(xiàn)速度小而外軌道的記錄線(xiàn)速度大。因此，與CLV相反，無(wú)需改變主軸電機(jī)的速度，且可以使用較小轉(zhuǎn)矩和較不昂貴的電機(jī)。由于在導(dǎo)引時(shí)沒(méi)有速度變化的等待時(shí)間，訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間可以更短。圖3A、3B和3C為ZCLV的解釋圖，以及圖4A、4B和4C為PCAV的解釋圖。在各圖中，A、B和C分別示出從介質(zhì)內(nèi)軌道到外軌道的旋轉(zhuǎn)數(shù)目、記錄線(xiàn)速度和時(shí)鐘頻率的變化。ZCLV是這樣的系統(tǒng)，其中盤(pán)根據(jù)徑向位置劃分為多個(gè)區(qū)域且每個(gè)區(qū)域使用CLV進(jìn)行記錄；每個(gè)區(qū)域中的盤(pán)的旋轉(zhuǎn)數(shù)目、記錄線(xiàn)速度和時(shí)鐘頻率示于圖3A、3B和3C。PCAV是這樣的系統(tǒng)，其中在從盤(pán)的內(nèi)軌道至特定徑向位置中通過(guò)CVA進(jìn)行記錄，并在盤(pán)的其余部分至外軌道中通過(guò)CLV進(jìn)行記錄；每個(gè)區(qū)域中其旋轉(zhuǎn)數(shù)目、記錄線(xiàn)速度和時(shí)鐘頻率示于圖4A、4B和4C。圖5至7為示出記錄時(shí)的激光發(fā)射圖案(寫(xiě)策略)的解釋圖。圖5示出所謂的多脈沖激光發(fā)射圖案的示例。激光輸出反復(fù)增大和減d、，使得記錄標(biāo)記的末端將不會(huì)加厚(形成為所謂的眼淚狀標(biāo)記)。然而，用于一般記錄和再現(xiàn)設(shè)備的激光的上升時(shí)間和下降時(shí)間大約花lnsec至2nsec。另一方面，當(dāng)多脈沖記錄中記錄線(xiàn)速度增大時(shí)，加熱脈沖的間隔變得更窄，如圖5的右側(cè)所示。在這種條件下，記錄功率需要更大，以及此外，記錄靈敏度變差，除非該多脈沖部分的相鄰加熱脈沖之間存在特定分隔尺寸。因此，當(dāng)隨著記錄線(xiàn)速度增大，加熱脈沖之間的間隔逐漸減小到比激光的上升時(shí)間和下降時(shí)間短的水平時(shí)，多脈沖記錄將失敗。圖6示出所謂的城堡類(lèi)型激光發(fā)射圖案的示例，其中較大記錄功率(Pw)在記錄脈沖前部和后部使用，且略低功率(Pm)在記錄脈沖中部使用而不使其功率水平波動(dòng)，使得即使在高速度仍不加寬標(biāo)記并實(shí)現(xiàn)高靈敏度記錄。圖7示出所謂的L形狀類(lèi)型激光發(fā)射圖案的示例，其中較大記錄功率(Pw)在記錄脈沖前部使用，且略低功率(Pm)在此后使用。圖8示出所謂的反L形狀類(lèi)型激光發(fā)射圖案的示例，其中較大記錄功率(Pw)在記錄脈沖末端使用，且略低功率(Pm)在此前使用。這些類(lèi)型的記錄脈沖可實(shí)現(xiàn)高速度記錄而不在記錄脈沖的中部使脈沖波動(dòng)，正如城堡類(lèi)型記錄脈沖那樣，使得可實(shí)現(xiàn)在高速度的高靈敏度記錄。圖9示出所謂的區(qū)塊類(lèi)型(矩形波)激光發(fā)射圖案的示例，且通過(guò)使用具有較大記錄功率(Pw)的記錄脈沖可實(shí)現(xiàn)高靈敏度記錄。對(duì)于區(qū)塊類(lèi)型記錄脈沖情形，長(zhǎng)標(biāo)記例如8T標(biāo)記可能在其末端加寬，但是在高線(xiàn)速度記錄，在確定記錄質(zhì)量中更重要的較短標(biāo)記例如2T和3T標(biāo)記常用矩形波來(lái)記錄。例如城堡、L形狀、反L形狀和區(qū)塊類(lèi)型(矩形波)的記錄脈沖可以組合來(lái)進(jìn)行記錄，取決于記錄標(biāo)記的尺寸。本發(fā)明的第一實(shí)施例包含通過(guò)CAV、ZCLV或PCAV在能夠使用藍(lán)色激光進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)上記錄的步驟，其中含有記錄脈沖的激光發(fā)射圖案包含兩個(gè)以上不同水平的記錄功率，且由該激光發(fā)射圖案以及參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的激光發(fā)射時(shí)間與記錄線(xiàn)速度無(wú)關(guān)地被固定。含有兩個(gè)以上不同水平的記錄功率的記錄脈沖的示例包括城堡類(lèi)型記錄脈沖和L形狀類(lèi)型記錄脈沖。由激光發(fā)射圖案和參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的激光發(fā)射時(shí)間與記錄線(xiàn)速度無(wú)關(guān)地被固定，這是指線(xiàn)速度改變時(shí)記錄策略的參數(shù)不變。一般而言，記錄策略的參數(shù)是在每個(gè)記錄線(xiàn)速度予以設(shè)定，且當(dāng)記錄策略變化時(shí)，記錄條件應(yīng)予以?xún)?yōu)化。因此，優(yōu)化需要花額外時(shí)間進(jìn)行記錄。另一方面，由于進(jìn)行記錄而不改變參數(shù)，本發(fā)明可以進(jìn)行短時(shí)間的記錄。在本發(fā)明第二實(shí)施例中，記錄脈沖包含第一記錄功率Pw和第二記錄功率Pm,其中Pw〉Pm,且其示例包含上述城堡類(lèi)型和L形狀類(lèi)型的記錄脈沖。然而，當(dāng)例如2T和3T標(biāo)記的短標(biāo)記被記錄時(shí)，矩形脈沖波形經(jīng)常被使用。于是，通過(guò)使用這些記錄脈沖，即使在高記錄線(xiàn)速度和高記錄通道頻率下，仍可以產(chǎn)生記錄脈沖。此外，當(dāng)長(zhǎng)標(biāo)記^皮記錄時(shí)，位于記錄標(biāo)記中部的記錄功率形成為小于位于記錄標(biāo)記前部的記錄功率，使得記錄標(biāo)記的末端不加寬(形成為所謂的眼淚狀標(biāo)記)且具有低抖動(dòng)的良好記錄標(biāo)記可以形成。當(dāng)使用具有滿(mǎn)足條件0.66<Pm/Pw《0.79的第一記錄功率Pw和第二記錄功率Pm的記錄脈沖時(shí)，可以獲得諸如高質(zhì)量和低抖動(dòng)的良好記錄性能，即使在對(duì)應(yīng)于2x至4x的記錄線(xiàn)速度(具體而言，標(biāo)準(zhǔn)記錄線(xiàn)速度的2倍速至4倍速)使用相同記錄脈沖。圖10示出在具有與下述示例1相同層配置的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)上，通過(guò)使用圖13A和13B所示激光發(fā)射圖案，在對(duì)應(yīng)于2x至4x的記錄線(xiàn)速度不改變記錄脈沖進(jìn)行記錄時(shí)的Pm、Pw、Pm/Pw和抖動(dòng)值。當(dāng)Pm/Pw在特定范圍時(shí)，在對(duì)應(yīng)于2x至4x的記錄線(xiàn)速度不改變記錄脈沖可以獲得良好具有低抖動(dòng)的良好記錄質(zhì)量。當(dāng)Pm/Pw小于0.65時(shí)，功率不足以記錄該記錄標(biāo)記的中部，該記錄標(biāo)記難以形成，且抖動(dòng)值變高。當(dāng)Pm/Pw為0.80或更大時(shí)，熱量積累在記錄標(biāo)記的中部且記錄標(biāo)記沿徑向加寬，且隨后串?dāng)_發(fā)生于相鄰軌道之間，抖動(dòng)值增大。本發(fā)明的第二實(shí)施例限定了在對(duì)應(yīng)于2x至4x的記錄線(xiàn)速度使用相同記錄脈沖，用于獲得具有低抖動(dòng)的高質(zhì)量的記錄性能的條件。本發(fā)明的第三實(shí)施例限定了在對(duì)應(yīng)于2x至5X的記錄線(xiàn)速度使用相同記錄脈沖，用于獲得具有低抖動(dòng)的高質(zhì)量的記錄性能的條件。具體而言，本發(fā)明的第三實(shí)施例滿(mǎn)足下述條件Pw>Pm且0.63《Pm/Pw。圖11示出在具有與下述示例6相同層配置的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)上，使用圖14A和14B所示激光發(fā)射圖案，在對(duì)應(yīng)于2x至5x的記錄線(xiàn)速度不改變記錄脈沖進(jìn)行記錄時(shí)的Pm/Pw和抖動(dòng)值。當(dāng)Pm/Pw在特定范圍時(shí)，在對(duì)應(yīng)于2x至5x的記錄線(xiàn)速度不改變記錄脈沖可以獲得良好具有低抖動(dòng)的良好記錄質(zhì)量。當(dāng)Pm/Pw小于0.63時(shí)，功率不足以記錄該記錄標(biāo)記的中部，該記錄標(biāo)記難以形成，且4斗動(dòng)值變高。本發(fā)明第二和第三實(shí)施例之間Pm/Pw條件不同的原因?yàn)?，記錄線(xiàn)速度的范圍不同且激光發(fā)射圖案因此需要改變，以及記錄功率(Pm)在城堡策略的谷部中略微改變。當(dāng)脈沖波更接近矩形波或者Pm/Pw接近1時(shí)，熱量積累且記錄標(biāo)記的末端容易加寬，不過(guò)第三實(shí)施例未限定Pm/Pw的最大值，這是因?yàn)樵摕崃糠e累可以通過(guò)記錄策略的精細(xì)控制(即，對(duì)位于前部和后部的頂?shù)母叨鹊目刂埔约皩?duì)記錄之后的冷卻時(shí)間的控制)得以抑制。例如，在表2的示例6至7中可以在2x進(jìn)行記錄，即使Pm/Pw為0.98。在本發(fā)明第四實(shí)施例中，根據(jù)記錄線(xiàn)速度增大而增大記錄功率，進(jìn)行記錄。例如，在本發(fā)明第五實(shí)施例中，根據(jù)記錄線(xiàn)速度增大而將記錄功率乘以常數(shù)，進(jìn)行記錄。因此可獲得足夠高的記錄質(zhì)量，在若干記錄線(xiàn)速度獲得最優(yōu)記錄功率并近似，隨后可以在每個(gè)記錄線(xiàn)速度獲得最優(yōu)記錄功率。結(jié)果，可以在各記錄線(xiàn)速度使用該最優(yōu)記錄功率進(jìn)行記錄，而不在記錄時(shí)通過(guò)運(yùn)行OPC來(lái)獲得該最優(yōu)記錄功率，且記錄所需時(shí)間于是可大幅縮短且記錄標(biāo)記可高精度地形成。在本發(fā)明第六實(shí)施例中，基于由OPC(最優(yōu)功率控制)獲得的記錄功率的信息以及預(yù)先記錄在讀入?yún)^(qū)或BCA區(qū)(BurstCuttingarea，燒錄區(qū))中的有關(guān)記錄功率依據(jù)記錄線(xiàn)速度增大而增大的量的信息，在每個(gè)記錄線(xiàn)速度的記錄功率被確定用于記錄。因此，介質(zhì)的外軌道中的線(xiàn)速度和內(nèi)軌道中的線(xiàn)速度不同，不過(guò)基于在內(nèi)軌道中在特定線(xiàn)速度進(jìn)行的OPC的結(jié)果，可以獲得在外軌道的線(xiàn)速度的最優(yōu)記錄功率而不在外軌道進(jìn)行OPC或者運(yùn)行OPC。結(jié)果，例如，在使用纖細(xì)記錄驅(qū)動(dòng)器(其無(wú)法使用內(nèi)軌道OPC進(jìn)行高線(xiàn)速度記錄)利用CAV系統(tǒng)進(jìn)行記錄時(shí)，可以使用內(nèi)軌道OPC的結(jié)果在后續(xù)和外軌道中在最優(yōu)記錄功率進(jìn)行記錄，記錄所需時(shí)間因此可大幅縮短。在本發(fā)明第七實(shí)施例中，在具有包含無(wú)機(jī)材料的記錄層的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。該記錄層的無(wú)機(jī)材料提供了在高記錄線(xiàn)速度的良好記錄性能，因此隨著記錄線(xiàn)速度的增大，可以獲得寬的記錄余量。在本發(fā)明第八實(shí)施例中，在一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄，該一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)具有由在其他無(wú)機(jī)材料中主要包含氧化鉍的材料形成的記錄層。這里，"主要包含"是指成份占據(jù)整個(gè)記錄層材料的50質(zhì)量％以上。記錄層主要包含氧化鉍提供了在高記錄線(xiàn)速度的良好記錄性能，使得其可以獲得良好的光學(xué)性能例如光吸收能力和記錄能力，且相對(duì)于記錄線(xiàn)速度而言可以獲得寬的記錄余量。另夕卜，本發(fā)明的記錄方法可以在包含相變記錄材料或染料作為記錄層的材料的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)上使用。在本發(fā)明第九實(shí)施例中，一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)在讀入?yún)^(qū)或BCA區(qū)中存儲(chǔ)表示可以通過(guò)CAV、ZCLV或PCAV進(jìn)行記錄的信息以及由激光發(fā)射圖案和參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的與記錄線(xiàn)速度無(wú)關(guān)的固定的激光發(fā)射時(shí)間的信息，其中包含記錄脈沖的激光發(fā)射圖案含有兩個(gè)或更多個(gè)不同水平的記錄功率。因此，在記錄之前通過(guò)讀取這些信息，可以確定采用哪個(gè)系統(tǒng)用于記錄。將信息記錄在讀入?yún)^(qū)或BCA區(qū)中可以通過(guò)例如形成坑的傳統(tǒng)方法進(jìn)行。在本發(fā)明第十實(shí)施例中，一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)在讀入?yún)^(qū)或BCA區(qū)中預(yù)先存儲(chǔ)表示可以通過(guò)CAV、ZCLV或PCAV進(jìn)行記錄的信息以及有關(guān)根據(jù)本發(fā)明第四和第五實(shí)施例依據(jù)記錄線(xiàn)速度增大而增大的記錄功率的量的信息。因此，增大的記錄功率的量可以依據(jù)這些信息來(lái)設(shè)定，且因此在記錄線(xiàn)速度變化時(shí)無(wú)需通過(guò)試寫(xiě)入來(lái)獲得最優(yōu)記錄功率。適合本發(fā)明記錄方法的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)優(yōu)選地具有下述配置，但是不是具體限于此。(a)基板、主要包含氧化鉍的記錄層、上涂層和反射層(b)基板、下涂層、主要包含氧化鉍的記錄層、上涂層和反射層(c)覆層、主要包含氧化鉍的記錄層、上涂層、反射層和基板(d)覆層、下涂層、主要包含氧化鉍的記錄層、上涂層、反射層和基板此外，基于上述配置，層的配置可以形成為多層配置。例如，當(dāng)基于配置(a)形成為多層時(shí)，其可具有如下配置基板、主要包含氧化鉍的記錄層、上涂層、反射層或半透明層、結(jié)合層、主要包含氧化鉍的記錄層、上涂層、反射層和基板。另外，該一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)可配置成使得基板和保護(hù)基板布置在光學(xué)記錄介質(zhì)的兩側(cè)上。圖12示出適合應(yīng)用于本發(fā)明一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)的層配置的斷面圖的示例，且反射層5、上涂層4、記錄層3、下涂層2和覆層1依次布置在基板6上。記錄層3主要包含氧化鉍。各層的細(xì)節(jié)接著將予以解釋。用于基板的材料沒(méi)有具體限制，只要其具有良好熱和機(jī)械性能，且在記錄和再生是從基板這側(cè)或者穿過(guò)該基板實(shí)施時(shí)，其還具有良好光透射特性。其具體示例包含聚碳酸酯、聚曱基丙烯酸曱酯、無(wú)定形聚烯烴、醋酸纖維素和聚對(duì)苯二曱酸乙二醇酯；其中聚碳酸酯和無(wú)定形聚烯烴是優(yōu)選的?；宓暮穸热Q于應(yīng)用，沒(méi)有具體限制。用于循跡的導(dǎo)向槽或?qū)蚩右约傲硗忸A(yù)格式例如地址信號(hào)可形成于基板的表面上。[保護(hù)基板]當(dāng)激光束從保護(hù)基板側(cè)應(yīng)用時(shí)，該保護(hù)基板對(duì)激光束應(yīng)是透明的。另一方面，當(dāng)僅用作保護(hù)板時(shí)，該保護(hù)基板可以透明或者不透明?？捎糜诒Ｗo(hù)基板的材料與用于基板的材料完全相同。本發(fā)明的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層優(yōu)選地包含無(wú)機(jī)記錄材料，具體而言，如上所述主要包含氧化鉍。主要包含氧化鉍的記錄層的示例包含但不限于通過(guò)以BbOx為靶的濺射形成的BiO基薄層；通過(guò)以Bi3Fe5Ox為靶的濺射形成的BiFeO;通過(guò)以Bi2BOx為靶的、濺射形成的BiBO;通過(guò)以Bi3A10x為靶的濺射形成的BiA10;通過(guò)以Bi3FeiAl4Ox為靶的濺射形成的BiFeA10;以及通過(guò)以Bi2BGeOx為靶的賊射形成的BiBGeO。具體而言，主要包含氧化鉍的記錄層的示例包括RO膜(其中R代表Bi元素)，其已經(jīng)由本申請(qǐng)人提出并披露于特開(kāi)2005-108396號(hào)公報(bào)和特開(kāi)2005-161831號(hào)公才艮如下(1)包含氧化鉍的RO膜(2)包含鉍和氧化鉍的RO膜(3)RO膜，其中R代表Bi且包含選自4B族的一種或多種元素，以及當(dāng)該組成為Bia4BbOd時(shí)，其中4B代表選自4B族的元素且a、b、d代表相比較例，包含氧化鉍的該RO膜滿(mǎn)足如下條件l(Ka"O,3《b《20,5(KcK70(4)包含選自Al、Cr、Mn、In、Co、Fe、Cu、Ni、Zn和Ti的一種或多種元素M的RO膜，以及當(dāng)該組成為Bia4BbMcOd時(shí)，其中4B代表選自4B族的元素且a、b、c、d代表相比較例，包含氧化鉍的該RO膜滿(mǎn)足如下條件l(Ka《40，3<b<20，3《c《20,5(KcK70(3)和(4)中選自4B族的元素的示例包括C、Si、Ge、Sn和Pb。其中，Si和Ge是特別優(yōu)選的。上述氧化鉍作為可使用藍(lán)色激光的記錄層的材料是非常有效的，且具有低熱導(dǎo)率和良好耐久性，并因此容易提供高反射率和高透射率(由于復(fù)折射率)。特別地，Bia4BbOd或Bia4BbMeOd用于記錄層，使得記錄再現(xiàn)性能和存儲(chǔ)穩(wěn)定性可以提高。記錄層優(yōu)選具有5nm至30nm的厚度。對(duì)于下涂層和上涂層，下述氧化物和非氧化物是可使用的氧化物的示例包含簡(jiǎn)單氧化物，例如Nb20s、Sm203、Ce203、A1203、MgO、BeO、Zr02、U02和Th02;硅酸鹽，例如Si02、2MgO.Si02、MgO.Si02、CaOSi02、Zr02.Si02、3Al203.2Si02、2Mg02Al203.5Si02和Li2OAl203'4Si02;復(fù)氧化物，例如Al2Ti05、MgAl204、Ca10(PO4)6(OH)2、BaTi03、LiNb03、PZT[Pb(Zr,Ti)03]、PLZT[(Pb,La)(Zr,Ti)03]和鐵氧體。非氧化物的示例包含氮化物，例如Si3N4、A1N、BN和TiN;碳化物，例如SiC、B4C、TiC和WC;硼化物，例如LaB6、TiB2和ZrB2;硫化物，例如ZnS、CdS和MoS2;硅化物，例如MoSi2;以及碳材料，例如無(wú)定形碳、石墨和金剛石。氧化物和非氧化物的混合物例如ZnS和Si02也可以^吏用。諸如染料和樹(shù)脂的有機(jī)材料也可以用于下涂層和上涂層。染料的示例包含聚曱炔染料、萘酞菁染料、酞菁染料、方酸菁染料、chroconium染料、吡喃鑰染料、萘醌染料、蒽醌(陰丹士林)染料、咕噸染料、三苯曱烷染料、甘菊環(huán)染料、四氫唑啉染料、菲染料、三吩噻。秦染料、偶氮染料、曱暨染料染料、以及這些化合物的金屬絡(luò)合物。樹(shù)脂的示例包含聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、硝酸纖維素、醋酸纖維素、酮樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚苯乙烯樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、聚乙烯醇縮丁醛、聚碳酸酯以及聚烯烴，這些樹(shù)脂的每一種可以單獨(dú)或者與兩個(gè)以上組合使用。包含有機(jī)材料制成的層可以通過(guò)常用氣相沉積、賊射、CVD即化學(xué)氣相沉積、溶劑涂布等形成。采用涂布工藝時(shí)，將上述有機(jī)材料等溶解在有機(jī)溶劑中，并通過(guò)常用方法例如噴涂、輥涂、浸涂和旋涂來(lái)涂布溶劑。典型的可使用的有機(jī)溶劑的示例包含醇，例如曱醇、乙醇和異丙醇；酮，例如丙酮、曱基乙基酮和環(huán)己西同；酰胺，例如N,N-二曱基乙酰胺和N，N-二曱基曱酰胺；亞砜，例如二曱基亞砜；醚，例如四氫呋喃、二惡烷、二乙醚和乙二醇單曱醚；S旨，例如乙酸曱酯和乙酸乙酯；脂肪族卣代經(jīng)，例如氯仿、二氯曱烷、二氯乙烷、四氯化碳和三氯乙烷；芳族，例如苯、二曱苯、一氯苯和二氯苯；溶纖劑，例如曱氧基乙醇和乙氧基乙醇；以及烴，例如己烷、戊烷、環(huán)己烷和曱基環(huán)己烷。下涂層優(yōu)選厚度為5nm至150nm，上涂層優(yōu)選厚度為5nm至50nm。反射層使用對(duì)激光束具有高反射率的光反射材料。光反射材料的示例包含例如Al、Al-Ti、Al-In、Al-Nb、Au、Ag和Cu的金屬、半金屬及其合金。這些材料的每一種可單獨(dú)或與兩個(gè)以上組合使用。當(dāng)反射層用合金形成時(shí)，可以使用合金作為靶材料通過(guò)濺射來(lái)制備。此外，也可以通過(guò)耙上尖端(tipontarget)方法，例如Cu尖端置于Ag靶材料上以形成反射層；以及通過(guò)共濺射，例如Ag靶和Cu靶被使用，由此形成該反射層。也可以使用金屬以外的材料，交替疊置低折射率層和高折射率層以形成多層配置用作反射層。反射層可以通過(guò)例如濺射、離子鍍、化學(xué)氣相沉積和真空沉積形成。反射層優(yōu)選厚度為5nm至150nm。[保護(hù)層、覆層或過(guò)敷層]用于形成在反射層、光學(xué)透明層或類(lèi)似物上的保護(hù)層、覆層或過(guò)敷層的材料沒(méi)有具體限制，只要該材料可以保護(hù)該反射層、光學(xué)透明層或類(lèi)似物免受外力。各種有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料可用于該材料。有機(jī)材料的示例包含熱塑性樹(shù)脂、熱固性樹(shù)脂、電子束固化樹(shù)脂和紫外固化樹(shù)脂。無(wú)機(jī)材料的示例為Si02、Si3N4、MgF2和Sn02。在該反射層和/或光學(xué)透明層或類(lèi)似物上，保護(hù)層、覆層或過(guò)敷層可以使用熱塑性樹(shù)脂或熱固性樹(shù)脂形成。首先，熱塑性樹(shù)脂或熱固性樹(shù)脂溶解在合適的溶劑內(nèi)以制備涂布溶液。隨后涂布溶液被涂布在該反射層和/或光學(xué)透明層或類(lèi)似物上，并干燥以由此形成保護(hù)層、覆層或過(guò)敷層。使用紫外固化樹(shù)脂的保護(hù)層、覆層或過(guò)敷層可以這樣形成，將紫外固化樹(shù)脂直接涂布在反射層和/或光學(xué)透明層上，或者將紫外固化樹(shù)脂溶解在合適溶劑內(nèi)以制備涂布溶液并將該涂布溶液涂布在反射層和/或光學(xué)透明層上，隨后照射紫外線(xiàn)到該涂布溶液以使其固化。對(duì)于紫外固化樹(shù)脂，例如可以使用丙烯酸樹(shù)脂，例如氨酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸和聚酯丙烯酸。這些材料的每一種可以單獨(dú)或者與兩個(gè)以上組合使用，且不僅可以形成為單層還可以形成為多層配置。對(duì)于形成保護(hù)層的方法，可以使用例如旋涂工藝和澆鑄工藝的涂布方法、賊射、化學(xué)氣相沉積等，與記錄層的情形相同。其中，旋涂是優(yōu)選的。保護(hù)層通常厚O.l(im至100|iim，然而本發(fā)明中優(yōu)選為3jum至30(im。此外，基板可以布置在反射層或光學(xué)透明層的表面上。在布置反射層和光學(xué)透明層之后，兩枚光學(xué)記錄介質(zhì)可以彼此面對(duì)地疊置。此外，紫外固化樹(shù)脂層、無(wú)機(jī)樹(shù)脂層或類(lèi)似物可以形成于基板的鏡面?zhèn)壬?，以保護(hù)表面并防止灰塵等附著到其。結(jié)合層用于結(jié)合構(gòu)成光學(xué)記錄介質(zhì)的層，例如結(jié)合過(guò)敷層和虛設(shè)基板以及結(jié)合反射層和記錄層，且可使用任何材料，只要該材料對(duì)光學(xué)記錄介質(zhì)所要求的性能是無(wú)害的。從生產(chǎn)率角度，包含紫外固化結(jié)合劑的材料是優(yōu)選的。本發(fā)明可以提供一種記錄方法以及適用于該記錄方法的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，該記錄方法通過(guò)CAV、ZCLV或PCAV在能夠使用藍(lán)色激光進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)上在所有記錄線(xiàn)速度能夠高精度地形成記錄標(biāo)記，且該記錄方法通過(guò)不改變由激光發(fā)射圖案和參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的激光發(fā)射時(shí)間來(lái)進(jìn)行記錄，而能夠?qū)崿F(xiàn)短時(shí)間的記錄。再者，當(dāng)在非標(biāo)準(zhǔn)化記錄線(xiàn)速度的記錄線(xiàn)速度進(jìn)行記錄時(shí)，本發(fā)明可以減少麻煩，例如記錄策略形狀的校正以及與該校正相關(guān)的試寫(xiě)入。示例在下文，本發(fā)明將結(jié)合示例和比較例予以詳細(xì)解釋?zhuān)蚁率鍪纠捅容^例不應(yīng)理解為限制本發(fā)明的氛圍。示例1至5和比4交例1至2具有圖12所示層配置的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)如下制備在聚碳酸脂形成的1.1mm厚的基板6上，通過(guò)濺射依次形成厚35nm且包含AlTi(1質(zhì)量％的Ti)的反射層5;厚10nm且包含ZnS和Si02的上涂層4,ZnS:SiO2=80:20(摩爾％);厚13nm且包含Bi2BOx的記錄層3;以及厚lOnm且包含ZnS和Si02的下涂層2,ZnS:SiO2=80:20(摩爾%)。此外，紫外固化樹(shù)脂(NipponKayakuCo.，Ltd.制，BRD807)通過(guò)旋涂而涂布在下保護(hù)層2上，從而形成0.1mm厚的覆層1，由此形成厚度約為1.2mm的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)。在Bi2BOxt,"x"代表氧化程度，且氧耗損會(huì)發(fā)生于該化合物中。在記錄層中，不僅存在化學(xué)配比氧化物成份，還存在為待氧化元素的還原劑。利用PulstecIndustrialCo.,Ltd.制的光盤(pán)驅(qū)動(dòng)評(píng)估裝置ODU-1000(波長(zhǎng)=405nm，數(shù)值孔徑NA=0.85)，用記錄再現(xiàn)信號(hào)來(lái)評(píng)估該一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)。使用圖13A和13B所示激光發(fā)射圖案進(jìn)行記錄。圖13A為波形圖，圖13B示出各個(gè)參數(shù)的表。記錄線(xiàn)速度設(shè)定到對(duì)應(yīng)于2x、3x和4x的水平。符合Blu-ray盤(pán)可記錄標(biāo)準(zhǔn)的抖動(dòng)用作記錄質(zhì)量的度量，用于評(píng)估記錄和再現(xiàn)信號(hào)。抖動(dòng)規(guī)格為6.5%或更小，且6.5%或更小的抖動(dòng)被評(píng)估為A,大于6.5%的抖動(dòng)被評(píng)估為B。評(píng)估結(jié)果示于表l。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>如表1所示，在對(duì)應(yīng)于2x至4X的所有記錄線(xiàn)速度，示例1至5滿(mǎn)足條件0.66<Pm/Pw《0.79且抖動(dòng)不大于6.5%。然而，如比較例1中如果Pm/Pw<0.65,在記錄余量小的4x的記錄線(xiàn)速度，抖動(dòng)為7.1%,而且在由相同激光發(fā)射圖案和參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的激光發(fā)射時(shí)間內(nèi)無(wú)法在所有記錄線(xiàn)速度獲得足夠的記錄質(zhì)量。另夕卜，比較例2中的0.80<Pm/Pw導(dǎo)致在4x的抖動(dòng)為6.6%以及在4x的抖動(dòng)為7.5%,而且在由相同激光發(fā)射圖案和參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的激光發(fā)射時(shí)間內(nèi)無(wú)法在所有記錄線(xiàn)速度獲得充分的記錄質(zhì)量。由于加熱功率不足以形成記錄標(biāo)記而無(wú)法形成滿(mǎn)意的記錄標(biāo)記，且過(guò)多加熱功率導(dǎo)致相鄰軌道之間大的串?dāng)_影響，比較例中記錄質(zhì)量受負(fù)面影響。從上述評(píng)估結(jié)果可以看出，形成記錄標(biāo)記的記錄脈沖含有包含第一記錄功率Pw和第二記錄功率Pm的記錄脈沖，其中Pw〉Pm，以及當(dāng)Pw和Pm的關(guān)系滿(mǎn)足條件0.66《Pm/Pw《0.79時(shí)，則即使記錄線(xiàn)速度變化，仍可以在由相同激光發(fā)射圖案和參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的激光發(fā)射時(shí)間內(nèi)進(jìn)行記錄，由此可以在對(duì)應(yīng)于2x至4x的所有記錄線(xiàn)速度獲得具有高精度的充分的記錄質(zhì)量。因此，通過(guò)應(yīng)用CAV、ZCLV或PCAV在一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)上可以在所有記錄線(xiàn)速度形成高精度的記錄標(biāo)記，其中該記錄線(xiàn)速度從內(nèi)軌道到外軌道變化。示例6至7具有圖12所示層配置的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)如下制備在聚碳酸脂形成的1.1mm厚的基板6上，通過(guò)濺射依次形成厚50nm且包含AgBi(1質(zhì)量％的Bi)的反射層5;厚15nm且包含ZnS和Si02的上涂層4，ZnS:SiO2=80:20(摩爾％);厚16nm且包含Bi2BGeOx的記錄層3;以及厚75nm且包含ZnS和Si02的下涂層2，ZnS:SiO2=80:20(摩爾％)。此外，紫外固化樹(shù)脂(NipponKayakuCo.,Ltd.制，R15)通過(guò)旋涂而涂布在下保護(hù)層2上，從而形成0.1mm厚的覆層1,由此形成厚度約為1.2mm的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)。在Bi2BGeC^中，"x"代表氧化程度，且氧耗損會(huì)發(fā)生于該化合物中。在記錄層中，不僅存在化學(xué)配比氧化物成份，還存在為待氧化元素的還原劑。利用PulstecIndustrialCo.,Ltd.制的光盤(pán)驅(qū)動(dòng)評(píng)估裝置ODU-1000(波長(zhǎng)==405nm，數(shù)值孔徑NA=0.85)，用記錄再現(xiàn)信號(hào)來(lái)評(píng)估該一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)。使用圖14A和14B所示激光發(fā)射圖案進(jìn)行記錄。圖14A為波形圖，圖14B示出各個(gè)參數(shù)的表。記錄線(xiàn)速度i殳定到對(duì)應(yīng)于2x、3x、4x和5x的水平，而且在示例6中，記錄功率Pw和Pm及預(yù)加熱功率Ps設(shè)定為如圖17所示隨記錄線(xiàn)速度增大而線(xiàn)性增大，以及在示例7中，僅記錄功率Pw和Pm配置成如圖18所示隨記錄線(xiàn)速度增大而線(xiàn)性增大。符合Blu-ray盤(pán)可記錄格式版本1.2的標(biāo)準(zhǔn)的抖動(dòng)用作記錄質(zhì)量的度量，用于評(píng)估記錄和再現(xiàn)信號(hào)。抖動(dòng)規(guī)格為7.0%或更小，且7.0%或更小的抖動(dòng)被評(píng)估為A,大于7.0%的抖動(dòng)被評(píng)估為B。評(píng)估結(jié)果示于表2。示例8至9和比一交例3由MatsushitaElectricIndustrialCo.，Ltd.制的翁:據(jù)用Blu-ray可記錄盤(pán)LM-BR25D用作具有包含除了氧化鉍以外的無(wú)機(jī)材料的記錄層的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，且利用PulstecIndustrialCo.,Ltd.制的光盤(pán)驅(qū)動(dòng)評(píng)估裝置ODU-IOOO(波長(zhǎng)=405nm，數(shù)值孔徑NA=0.85)，用記錄再現(xiàn)信號(hào)進(jìn)行評(píng)估。使用圖15A和15B所示激光發(fā)射圖案進(jìn)行記錄。圖15A為波形圖，圖15B示出各個(gè)參數(shù)的表。記錄線(xiàn)速度設(shè)定到對(duì)應(yīng)于2x、3x、4x和5x的水平，且記錄功率Pw和Pm及預(yù)加熱功率Ps設(shè)成隨記錄線(xiàn)速度增大而線(xiàn)性增大。記錄和再現(xiàn)信號(hào)的評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)與示例6相同。評(píng)估結(jié)果示于表2。示例10至11和比4交例4由索尼公司制造的數(shù)據(jù)用Blu-ray可記錄盤(pán)BNR25A用作具有包含除了氧化鉍以外的無(wú)機(jī)材料的記錄層的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，且利用PulstecIndustrialCo.,Ltd.制的光盤(pán)驅(qū)動(dòng)評(píng)估裝置ODU-1000(波長(zhǎng)=405nm，數(shù)值孔徑NA-0.85),用記錄再現(xiàn)信號(hào)進(jìn)行評(píng)估。使用圖16A和16B所示激光發(fā)射圖案進(jìn)行記錄。圖16A為波形圖，圖16B示出各個(gè)參數(shù)的表。記錄線(xiàn)速度i殳定到對(duì)應(yīng)于2x、3x、4x和5x的水平，而且記錄功率Pw和Pm及預(yù)加熱功率Ps設(shè)成隨記錄線(xiàn)速度增大而線(xiàn)性增大。記錄和再現(xiàn)信號(hào)的評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)與示例6相同。評(píng)估結(jié)果示于表2。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>從表2可以看出，在對(duì)應(yīng)于2x至5X的所有記錄線(xiàn)速度，示例6至11滿(mǎn)足條件0.63《Pm/Pw且抖動(dòng)不大于7.0%。然而，在比較例3和4中，Pm/Pw在對(duì)應(yīng)于5x的記錄線(xiàn)速度為0.62，且抖動(dòng)大于7.0%(7.4%和7.5%)。具體而言，由于在對(duì)應(yīng)于5x的記錄線(xiàn)速度的記錄余量小，在由與對(duì)應(yīng)于2x至4x的記錄線(xiàn)速度情形相同的激光發(fā)射圖案和參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的激光發(fā)射時(shí)間內(nèi)無(wú)法足夠的記錄質(zhì)量。從示例6和7可以看出，可以獲得足夠的記錄質(zhì)量，無(wú)論預(yù)加熱功率Ps是否根據(jù)記錄線(xiàn)速度增大而線(xiàn)性增大。在示例8和9中，不使用城堡類(lèi)型寫(xiě)策略，而使用L形狀類(lèi)型寫(xiě)策略作為用于記錄4T至9T標(biāo)記的激光發(fā)射圖案，如圖15A和15B所示。對(duì)于增大的記錄線(xiàn)速度，獲得了足夠的記錄質(zhì)量，即使記錄脈沖形狀改變。在示例6和7中，使用主要包含氧化鉍的記錄層材料，以及在示例8至11中，使用包含除了氧化鉍以外的無(wú)機(jī)記錄層材料。在各示例中，對(duì)于增大的記錄線(xiàn)速度，獲得了足夠的記錄質(zhì)量。從上述評(píng)估結(jié)果可以看出，當(dāng)形成記錄標(biāo)記的記錄脈沖含有包含第一記錄功率Pw和第二記錄功率Pm的記錄脈沖，其中Pw>Pm，以及當(dāng)Pw和Pm的關(guān)系滿(mǎn)足條件0.63《Pm/Pw時(shí)，則即使記錄線(xiàn)速度變化，仍可以在由相同激光發(fā)射圖案和參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的激光發(fā)射時(shí)間內(nèi)進(jìn)行記錄，由此可以在對(duì)應(yīng)于2x至5x的所有記錄線(xiàn)速度獲得具有高精度的充分的記錄質(zhì)量。因此，通過(guò)應(yīng)用CAV、ZCLV或PCAV在一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)上可以在所有記錄線(xiàn)速度形成高精度的記錄標(biāo)記，其中該記錄線(xiàn)速度從內(nèi)軌道到外軌道變化。權(quán)利要求1.記錄方法，包含通過(guò)CAV、ZCLV或PCAV在能夠使用藍(lán)色激光進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)介質(zhì)上進(jìn)行記錄，其中含有記錄脈沖的激光發(fā)射圖案包含兩個(gè)或更多個(gè)不同水平的記錄功率，且由所述激光發(fā)射圖案和參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的激光發(fā)射時(shí)間與記錄線(xiàn)速度無(wú)關(guān)地被固定。2.如權(quán)利要求1所述的記錄方法，其中含有記錄脈沖的激光發(fā)射圖案包含第一記錄功率Pw和第二記錄功率Pm,且在對(duì)應(yīng)于2x至4x的記錄線(xiàn)速度滿(mǎn)足如下條件Pw〉Pm，0.66《Pm/Pw<0.79。3.如權(quán)利要求1所述的記錄方法，其中含有記錄脈沖的激光發(fā)射圖案包含第一記錄功率Pw和第二記錄功率Pm，且在對(duì)應(yīng)于2x至5x的記錄線(xiàn)速度滿(mǎn)足如下條件Pw>Pm,0.63《Pm/Pw。4.如權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)所述的記錄方法，其中隨著記錄線(xiàn)速度增大而增大所述記錄功率，進(jìn)行記錄。5.如權(quán)利要求4所述的記錄方法，其中隨著記錄線(xiàn)速度增大而將所述記錄功率乘以常數(shù)，進(jìn)行記錄。6.如權(quán)利要求4和5其中一項(xiàng)所述的記錄方法，其中基于由OPC獲得的記錄功率的第一信息以及記錄功率依據(jù)記錄線(xiàn)速度增大而增大的量的第二信息，確定每個(gè)記錄線(xiàn)速度的記錄功率來(lái)進(jìn)行記錄，所述第二信息預(yù)先存儲(chǔ)在讀入?yún)^(qū)或BCA區(qū)(燒錄區(qū))中。7.如權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的記錄方法，其中在具有包含無(wú)機(jī)材料的記錄層的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。8.如權(quán)利要求7所述的記錄方法，其中所述記錄層主要包含氧化鉍。9.一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，包含表示可以通過(guò)CAV、ZCLV或PCAV進(jìn)行記錄的信息；以及由激光發(fā)射圖案和參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的激光發(fā)射時(shí)間的信息，所述激光發(fā)射時(shí)間與記錄線(xiàn)速度無(wú)關(guān)地被固定，所述激光發(fā)射圖案包含具有兩個(gè)或更多個(gè)不同水平的記錄功率的記錄脈沖，其中每個(gè)信息預(yù)先存儲(chǔ)在讀入?yún)^(qū)或BCA區(qū)中，且所述一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)適用于如權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的記錄方法。10.—次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，包含表示可以通過(guò)CAV、ZCLV或PCAV進(jìn)行記錄的信息；以及記錄功率依據(jù)記錄線(xiàn)速度增大而增大的量的信息，其中每個(gè)信息預(yù)先存儲(chǔ)在讀入?yún)^(qū)或BCA區(qū)中，且所述一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)適用于如權(quán)利要求4至8任意一項(xiàng)所述的記錄方法。全文摘要一種記錄方法，包含通過(guò)CAV、ZCLV或PCAV在能夠使用藍(lán)色激光進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的一次寫(xiě)入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄，其中含有記錄脈沖的激光發(fā)射圖案包含兩個(gè)或更多個(gè)不同水平的記錄功率，且由所述激光發(fā)射圖案和參考時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)化的激光發(fā)射時(shí)間與記錄線(xiàn)速度無(wú)關(guān)地被固定。文檔編號(hào)G11B7/243GK101512642SQ20078003244公開(kāi)日2009年8月19日申請(qǐng)日期2007年8月30日優(yōu)先權(quán)日2006年9月1日發(fā)明者佐佐木俊英,關(guān)口洋義,加藤將紀(jì),大庭秀章,山田勝幸,林嘉隆,登笹,藤井俊茂,藤原將行,鳴海慎也申請(qǐng)人:株式會(huì)社理光