專利名稱：磁記錄介質(zhì)的制造方法以及磁記錄再生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于硬盤裝置等的磁記錄介質(zhì)的制造方法以及磁記錄再生 裝置。
本申請(qǐng)基于在2006年8月1日在日本申請(qǐng)的專利申請(qǐng)2006-209643 號(hào)要求優(yōu)先權(quán)，在此援引其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
近年來，磁盤裝置等磁記錄裝置的適用范圍顯著增大，在其重要性增 加的同時(shí)，對(duì)于這些裝置所使用的磁記錄介質(zhì)，正在謀求其記錄密度顯著 提高。特別是引入MR磁頭以及PRML技術(shù)以來，面記錄密度的提高進(jìn) 一步加劇，近年來進(jìn)一步引入GMR磁頭、TMR磁頭等，以每年約100% 的速度持續(xù)增長(zhǎng)。
對(duì)于這些磁記錄介質(zhì)，今后要求實(shí)現(xiàn)更高的記錄密度，要求實(shí)現(xiàn)磁記 錄層的高矯頑力和高信噪比(SNR)、高分辨率。另外，近年來持續(xù)努力 在提高線記錄密度的同時(shí)通過增加磁道密度來提高面記錄密度。
在最新的磁記錄裝置中，磁道密度竟達(dá)到110kTPI。但是，若將磁道 密度提高下去，則容易發(fā)生相鄰磁道間的磁記錄信息相互干擾，其邊界區(qū) 域的磁化遷移區(qū)域成為噪聲源損害SNR的問題。這會(huì)直接關(guān)系到Bit Error rate (比特誤差率;誤碼率)的降低，因此對(duì)于記錄密度的提高而言成為障 礙。
為了提高面記錄密度，必須使磁記錄介質(zhì)上的各記錄比特的尺寸更微 細(xì)，各記錄比特確保盡可能大的飽和磁化和磁性膜厚度。然而，當(dāng)將記錄 比特微細(xì)化下去時(shí)，發(fā)生每一比特的磁化最小體積變小、由于由熱波動(dòng)引起的磁化顛倒而使記錄數(shù)據(jù)消失的問題。
另外，當(dāng)將磁道密度提高下去時(shí)，磁道間的距離變近，因此磁記錄裝 置在使用極高精確度的磁道伺服技術(shù)的同時(shí)，為了盡可能消除來自相鄰磁 道的影響，通常采用使再生磁頭寬度比記錄磁頭寬度狹窄的方法。該方法 能夠?qū)⒋诺乐g的影響抑制在最小限度，但難以充分獲得再生輸出，因此
存在難以確保足夠的SNR的問題。
作為解決這種熱波動(dòng)問題、確保SNR、或確保充分輸出的方法之一， 曾進(jìn)行了下述嘗試通過在記錄介質(zhì)表面形成沿著磁道凹凸，將磁道彼此 進(jìn)行物理性分離來提高磁道密度。以下，將這種技術(shù)稱為離散磁道(discrete track)法，將利用該技術(shù)制造的磁記錄介質(zhì)稱為離散磁道介質(zhì)。
作為離散磁道介質(zhì)的一例，已知在表面形成有凹凸圖案的非磁性基 板上形成磁記錄介質(zhì)，形成物理性分離的磁記錄磁道和伺服信號(hào)圖案而成 的磁記錄介質(zhì)(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)l中記載的磁記錄介質(zhì)，是在非磁性基板上具有有多個(gè)凸部 和凹部的軟磁性層、和在該軟磁性層上形成的強(qiáng)磁性層的/P茲記錄介質(zhì)。該 磁記錄介質(zhì)，在凸部區(qū)域形成有與周圍物理性分割的垂直磁記錄區(qū)。
根據(jù)該磁記錄介質(zhì)，能夠抑制軟磁性層中的磁疇壁發(fā)生，因而難以出 現(xiàn)熱波動(dòng)的影響，相鄰信號(hào)之間的干擾也消失，因此能夠形成噪聲少的高 密度磁記錄介質(zhì)。
另外，在離散磁道方法中有在形成由若干層的薄膜構(gòu)成的磁記錄介 質(zhì)之后形成磁道的方法；預(yù)先在基板表面直接形成凹凸圖案、或在用于形 成磁道的薄膜層上形成凹凸圖案，然后進(jìn)行磁記錄介質(zhì)的薄膜形成的方法。 (例如參照專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3)。其中，前者的方法，常常被稱為磁 性層加工型，由于在介質(zhì)形成后實(shí)施對(duì)表面的物理性加工，因此存在介質(zhì) 在制造工序中容易遭受污染的缺點(diǎn)，并且制造工序非常復(fù)雜。另一方面， 后者常常被稱為壓紋加工型，難以產(chǎn)生制造工序中的污染，但存在的問題 是由于基板上形成的凹凸形狀也被成膜了的膜繼承，因此一邊在介質(zhì)上 浮動(dòng)一邊進(jìn)行記錄再生的記錄再生磁頭的浮動(dòng)姿勢(shì)、浮動(dòng)高度不穩(wěn)定。另外曾公開了下述方法通過向預(yù)先形成的磁性層中注入氮離子、氧 離子、或者照射激光，而形成離散磁道介質(zhì)的磁道之間的區(qū)域(參照專利 文獻(xiàn)4)。
此外曾公開了 在每一比特具有一定的規(guī)則性而配置有^茲記錄圖案的 所謂的圖案化介質(zhì)的制造中，通過由離子照射進(jìn)行的蝕刻、或者將^P茲性層 非晶化來形成磁記錄圖案(參照非專利文獻(xiàn)l以及專利文獻(xiàn)5)。
在這樣的離散磁道介質(zhì)、圖案化介質(zhì)中，采用了下述方法，即在J4！ 上形成^P茲性層后，在其表面涂布抗蝕劑等，使用光刻技術(shù)將該抗蝕劑圖案 化，使用該抗蝕劑圖案將磁性層圖案化。
作為在磁記錄盤上涂布液體材料的方法，曾提出了旋涂法(例如參照 專利文獻(xiàn)6)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2004-164692號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2 :日本特開2004-178793號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3 :日本特開2004-178794號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)4:日本特開平5-205257號(hào)公才艮
專利文獻(xiàn)5:美國(guó)專利第6， 331,364號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)6 :日本特開2004-306032號(hào)7>才艮
非專利文獻(xiàn)1:信學(xué)技報(bào)，社團(tuán)法人電子信息通信學(xué)會(huì)，IEICE Technical Report MR2005 55 (2006-02 ) , 21頁~ 26頁

發(fā)明內(nèi)容
然而，使用專利文獻(xiàn)6所記載的涂覆法，在磁記錄盤上涂布液體材料 時(shí)，存在容易產(chǎn)生涂膜不均勻的問題。涂膜不均勻會(huì)給其后的工序造成不 良影響，因此成為使合格率降低的主要因素。
本發(fā)明的目的是提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，該制造方法很適合 用于離散磁道介質(zhì)和圖案化介質(zhì)的制造，可特別地提高合格率，并顯著提 高生產(chǎn)率。另外，本發(fā)明的目的是提供一種磁記錄再生裝置，其具有采用本發(fā)明 的磁記錄介質(zhì)的制造方法制造的磁記錄介質(zhì)。
為了解決上述課題，本申請(qǐng)發(fā)明人銳意努力研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在將在 中央具有開口部的基板浸漬于抗蝕劑溶液中使其旋轉(zhuǎn)從而在基板的全部面 上涂布抗蝕劑的場(chǎng)合，即使使基板旋轉(zhuǎn)，涂布于開口部的周邊部分的抗蝕 劑溶液也難以飛散，因此容易產(chǎn)生涂膜不均勻，從而完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明提供以下發(fā)明。
(1) 一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其具有
磁性層形成工序，在中央設(shè)置有開口部、并具有環(huán)狀的數(shù)據(jù)記錄區(qū)和 位于上述數(shù)據(jù)記錄區(qū)與上述開口部之間的內(nèi)周區(qū)域的圓盤狀的非磁性基板 上形成成為磁記錄圖案的磁性層；
抗蝕劑層形成工序，在形成有上述磁性層的上述非磁性基板上形成抗 蝕劑層；和
圖案形成工序，使用上述抗蝕劑層形成上述^P茲記錄圖案，
該制造方法的特征在于，上述抗蝕劑層形成工序具有
浸漬工序，以至少上述開口部的周邊配置于抗蝕劑溶液的液面上方、
并且上述數(shù)據(jù)記錄區(qū)的 一部分配置于上述液面下方的方式使上述非磁性基
板的一部分浸漬于上述抗蝕劑溶液中；和
取出工序， 一邊以通過上述開口部的中心沿上述非磁性基板的厚度方
向延伸的旋轉(zhuǎn)軸為中心，使浸漬于上述抗蝕劑溶液中的上述非磁性基板旋
轉(zhuǎn)， 一邊從上述抗蝕劑溶液中取出上述非磁性基板。
(2) 根據(jù)(1)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在上述 浸漬工序中， 一邊以上述旋轉(zhuǎn)軸為中心使上述非磁性基板旋轉(zhuǎn)， 一邊使上 述非^磁性基板的一部分浸漬于上述抗蝕劑溶液中。
(3) 根據(jù)(1)或(2)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于， 從上述抗蝕劑溶液中取出上述非磁性基板之后也連續(xù)地以上述旋轉(zhuǎn)軸為中 心使上述非磁性基板旋轉(zhuǎn)。(4) 根據(jù)(3)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，使上述 非磁性基板的旋轉(zhuǎn)速度在從上述抗蝕劑溶液中取出上述非磁性基板之后， 比上述非磁性141浸漬于上述抗蝕劑溶液中時(shí)上升。
(5) 根據(jù)(3)或(4)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于， 上述非磁性基板浸漬于上述抗蝕劑溶液中時(shí)的上述非磁性基板的旋轉(zhuǎn)速度 為350轉(zhuǎn)/分鐘~ 500轉(zhuǎn)/分鐘的范圍內(nèi)，從上述抗蝕劑溶液中取出上述非磁 性基板之后，使上述非磁性基板的旋轉(zhuǎn)速度上升至5000轉(zhuǎn)/分鐘~ 6000轉(zhuǎn)/ 分鐘的范圍內(nèi)。
(6) 根據(jù)(1) ~ (5)的任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特 征在于，上述非磁性141的直徑為15mm ~ 100mm的范圍內(nèi)，在上述非磁 性基板的徑向上的上述數(shù)據(jù)記錄區(qū)與上述開口部之間的距離為2mm~ 3mm的范圍內(nèi)。
(7) 根據(jù)(1) ~ (6)的任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特 征在于，在上述抗蝕劑層形成工序中，在上述非磁性基板的厚度方向間隔 地配置有多片的上述非磁性基板。
(8) 根據(jù)(7)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，上述多 片的非磁性基板之間的距離為12mm以上。
(9) 一種磁記錄再生裝置，其具有磁記錄介質(zhì)；沿記錄方向驅(qū)動(dòng)該 i茲記錄介質(zhì)的驅(qū)動(dòng)部；包括記錄部和再生部的磁頭；使上述》茲頭相對(duì)于上 述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行相對(duì)運(yùn)動(dòng)的機(jī)構(gòu)；和用于向上述磁頭輸入信號(hào)和將來自 上述磁頭的輸出信號(hào)進(jìn)行再生的記錄再生信號(hào)處理機(jī)構(gòu)，該磁記錄再生裝 置的特征在于，上述磁記錄介質(zhì)是采用(1) ~ (8)的任一項(xiàng)所述的磁記 錄介質(zhì)的制造方法制造的。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法，上述抗蝕劑層形成工序，具有 浸漬工序，以至少上述開口部的周邊配置于抗蝕劑溶液的液面上方、并且 上述數(shù)據(jù)記錄區(qū)的一部分配置于上述抗蝕劑溶液的液面下方的方式使上述非磁性基板的一部分浸漬于上述抗蝕劑溶液中；和取出工序， 一邊以通過 上述開口部的中心沿上述非磁性基板的厚度方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸為中心，使 浸漬于上述抗蝕劑溶液中的上述非磁性基板旋轉(zhuǎn)， 一邊從上述抗蝕劑溶液 中取出上述非磁性基板，因此難以產(chǎn)生涂膜不均勻，使用得到的抗蝕劑層 可精度良好地形成磁記錄圖案。因此，根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方 法，可合格率良好地制造離散磁道介質(zhì)、圖案化介質(zhì)等的可得到較高記錄 再生特性的磁記錄介質(zhì)。
另外，本發(fā)明的磁記錄再生裝置，由于具有采用本發(fā)明的磁記錄介質(zhì) 的制造方法制造的磁記錄介質(zhì)，因此可獲得較高的記錄再生特性。


圖1是模式地表示由本發(fā)明的制造方法制造的磁記錄介質(zhì)的一例的截 面圖。
圖2是表示在圖l所示的磁記錄介質(zhì)中使用的非磁性基板31的一例的 平面圖。
圖3A是用于說明抗蝕劑層形成工序的浸漬工序的一例的圖。
圖3B是用于說明抗蝕劑層形成工序的浸漬工序的一例的圖。
圖4是用于說明本發(fā)明的磁記錄再生裝置的一例的概略構(gòu)成圖。
附圖標(biāo)號(hào)說明
2外周區(qū)域、
3 內(nèi)周區(qū)域、
4數(shù)據(jù)記錄區(qū)、
11 抗蝕劑溶液、
lla 液面、
21 驅(qū)動(dòng)部、
27 磁頭、
28 磁頭驅(qū)動(dòng)部、
29記錄再生信號(hào)處理機(jī)構(gòu)、30磁記錄介質(zhì)、
31非磁性基板、
32a軟磁性層、
32b中間層、
33磁記錄圖案、
33a》茲記錄層、
34非磁性化層、
35保護(hù)膜層、
36潤(rùn)滑層、
37開口部、
37a旋轉(zhuǎn)軸、
38外緣。
具體實(shí)施方式
第1實(shí)施方式
以下對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施方式參照附圖進(jìn)行說明。但是，本發(fā)明并不限
于以下的各實(shí)施方式。
圖1是模式地表示由本發(fā)明的制造方法制造的磁記錄介質(zhì)的一例的截 面圖。在本實(shí)施方式中，將磁不連續(xù)地配置有記錄磁道的離散磁道型的磁 記錄介質(zhì)列舉為例子進(jìn)行說明。
圖1所示的磁記錄介質(zhì)30，是使用磁頭進(jìn)行讀寫的，是在非磁性基板 31的表面依次形成有軟磁性層32a、中間層32b、交替地配置由磁性層構(gòu) 成的磁記錄圖案33和非磁性化層34而成的磁記錄層33a、保護(hù)膜層35、 和潤(rùn)滑層36的磁記錄介質(zhì)。
作為在本實(shí)施方式中使用的非磁性基板31，例如可使用圖2所示的非 磁性基板31。圖2是表示在圖1所示的磁記錄介質(zhì)中使用的非磁性基板31 的一例的平面圖。圖2所示的非磁性基板31，是在中央設(shè)置有圓形開口部 37的圓盤狀基板，如圖2所示，其具有開口部37、同心圓的環(huán)狀的數(shù)據(jù)記錄區(qū)4、位于數(shù)據(jù)記錄區(qū)4與開口部37之間的內(nèi)周區(qū)域3、位于數(shù)據(jù)記 錄區(qū)4與外緣38之間的外周區(qū)域2。內(nèi)周區(qū)域3是在將磁記錄介質(zhì)安裝于 馬達(dá)的軸(spindle)時(shí)使用的區(qū)域。外周區(qū)域2是有時(shí)不能使用磁頭讀寫 的區(qū)域，例如是外緣38與數(shù)據(jù)記錄區(qū)4之間的在非磁性基板31徑向上的 距離為磁頭寬度的1/2左右的區(qū)域。
在本實(shí)施方式中，作為非磁性基板31 ，可優(yōu)選使用例如直徑為15mm ~ 100mm的范圍內(nèi)、在非磁性基板31的徑向上的數(shù)據(jù)記錄區(qū)4與開口部37 之間的距離(內(nèi)周區(qū)域3的寬度)為2mm 3mm的范圍內(nèi)的基板。
作為非磁性基板31的材質(zhì)，例如只要是以Al為主成分的Al-Mg合金 等的A1合金基板、通常的鈉玻璃、鋁硅酸鹽系玻璃、結(jié)晶化玻璃類、硅、 鈦、陶資、各種樹脂等的非磁性材料，就可使用任意的材質(zhì)。其中，優(yōu)選 使用A1合金基板、結(jié)晶玻璃等的玻璃制基板或硅基板。
另外，非磁性基板31的平均表面粗糙度(Ra)優(yōu)選為lnm以下，進(jìn) 一步優(yōu)選為0.5nm以下，其中，最優(yōu)選為0.1nm以下。
在本實(shí)施方式中，在非磁性^I4131的表面，形成有作為軟磁性層32a 的FeCoB層、作為中間層32b的Ru層。
另外，在本實(shí)施方式中，磁記錄層33a可以是面內(nèi)磁記錄層也可以是 垂直磁記錄層，但為了實(shí)現(xiàn)更高的記錄密度，優(yōu)選為垂直磁記錄層。另夕卜， 這些磁記錄層優(yōu)選由主要以Co為主成分的合金形成。
作為面內(nèi)磁記錄介質(zhì)用的磁記錄層，例如，可采用包含非磁性的CrMo 基底層和強(qiáng)磁性的CoCrPtTa磁性層的疊層結(jié)構(gòu)。
另外，作為垂直磁記錄介質(zhì)用的磁記錄層，例如可釆用將由軟磁性的 FeCo合金(FeCoB、 FeCoSiB、 FeCoZr、 FeCoZrB、 FeCoZrBCu等)、 FeTa合金(FeTaN、 FeTaC等)、Co合金(CoTaZr、 CoZrNB、 CoB等) 等構(gòu)成的襯里層、Pt、 Pd、 NiCr、 NiFeCr等的取向控制膜、根據(jù)需要的 Ru等的中間膜、以及由60Co-15Cr-15Pt合金或70Co-5Cr-15Pt- 10SiO2 合金構(gòu)成的磁性層層疊而成的磁記錄層。磁記錄層33a，只要相應(yīng)于使用的磁性合金的種類和層疊結(jié)構(gòu)來形成 使得可獲得充分的磁頭輸入輸出即可。磁記錄層33a的厚度優(yōu)選為3nm ~ 20mn，更優(yōu)選為5nm 15nm。磁記錄層33a,為了再生時(shí)獲得一定以上 的輸出，需要某種程度以上的膜厚。另一方面，由于通常表示記錄再生特 性的各種參數(shù)隨著輸出功率的上升而劣化，因此必須將磁記錄層33a的膜 厚度設(shè)定為最佳。
另外，為了提高記錄密度，如圖1所示，優(yōu)選磁記錄圖案33的磁性部 寬度W為200nm以下、非磁性化層34的非磁性部寬度L為100nm以下。 并且，磁道間距P (=W+L)優(yōu)選為300nm以下的范圍，為了提高記錄密 度，優(yōu)選使之盡可能地狹窄。
另外，作為保護(hù)膜層35,可使用碳(C)、氫碳化合物(HxC)、氮 化碳(CN)、無定形碳、碳化硅(SiC)等的碳質(zhì)層、Si02、 Zr203、 TiN 等的作為保護(hù)膜層35的材料而通常使用的材料。另外，保護(hù)膜層35可以 是一層，也可以是由兩層以上的層構(gòu)成。
保護(hù)膜層35的膜厚度優(yōu)選為不到10nm。當(dāng)保護(hù)膜層35的膜厚超過 10nm時(shí)，在制成為具有磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置時(shí)，磁頭與磁記錄 圖案33的距離變大，擔(dān)心得不到充分的輸出和輸入信號(hào)的強(qiáng)度。
作為用于潤(rùn)滑層36的潤(rùn)滑劑，可以舉出氟系潤(rùn)滑劑、烴系潤(rùn)滑劑以及 它們的混合物。潤(rùn)滑層36通常以1 ~ 4nm的厚度形成。
再者，優(yōu)選在保護(hù)膜層35形成潤(rùn)滑層36,但也可以沒有形成潤(rùn)滑層36。
接著，說明圖1所示的磁記錄介質(zhì)的制造方法的一例。 在制造圖1所示的磁記錄介質(zhì)時(shí)，首先，在圖2所示的非磁性基板31 的數(shù)據(jù)記錄區(qū)4上，使用濺射法等，依次形成軟磁性層32a、中間層32b、 成為磁記錄層33a的磁性層(磁性層形成工序)。接著，在成為磁記錄層 33a的磁性層的表面，使用'減射法、CVD法等形成保護(hù)膜層35。
然后，使用光刻技術(shù)，如以下所示，將成為磁記錄層33a的磁性層形 成為磁性分離的磁記錄圖案33和非磁性化層34。首先，在保護(hù)膜層35的表面形成抗蝕劑層(抗蝕劑層形成工序)。
在抗蝕劑層形成工序中，首先，在具有由驅(qū)動(dòng)裝置旋轉(zhuǎn)的軸部的涂布 裝置中安裝非磁性14131。非磁性基板31向軸部的安裝(裝卡；chucking )， 如圖3A所示，使構(gòu)成軸部的卡盤41的3根棒狀體貫穿非磁性J4！ 31的 開口部37，將3根棒狀體從中心向外側(cè)擴(kuò)展，由此使3根棒狀體支撐非磁 性基板31的開口部37的內(nèi)端從而進(jìn)行固定。
接著，如圖3A所示，以非磁性基板31的內(nèi)周區(qū)域3配置于抗蝕劑溶 液11的液面lla上方、并且非磁性基板31的數(shù)據(jù)記錄區(qū)4的一部分配置 于抗蝕劑溶液11的液面lla下方的方式，使非磁性基板31的一部分浸漬 于抗蝕劑溶液ll中(浸漬工序)。
作為抗蝕劑溶液ll，沒有特別限定，例如可優(yōu)選使用包含有機(jī)涂布玻 璃(SOG)的粘度為0.1cP 10cP (lP-0.1Pa's)的范圍的抗蝕劑溶液。
非磁性基板31在抗蝕劑溶液ll中的浸漬，優(yōu)選一邊以通過非磁性基 板31的開口部37的中心在非磁性基板31的厚度方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸37a 為中心，使非磁性基板31旋轉(zhuǎn)一邊進(jìn)行。非磁性基板M的旋轉(zhuǎn)，可利用 涂布裝置的驅(qū)動(dòng)裝置使軸部旋轉(zhuǎn)來進(jìn)行。
例如，在將非磁性基板31浸漬于抗蝕劑溶液11中后，使非磁性基板 31旋轉(zhuǎn)的場(chǎng)合，由于開始非磁性基板31的旋轉(zhuǎn)時(shí)的沖擊，抗蝕劑溶液ll 飛散，抗蝕劑溶液11有可能附著于非磁性基板31的內(nèi)周區(qū)域3。另外， 在開始非磁性基板31的旋轉(zhuǎn)的初期階段，轉(zhuǎn)速低而離心力小，因此涂布于 非磁性基板31上的抗蝕劑溶液11因重力向下方流掛，抗蝕劑溶液11有可 能附著于非磁性基板31的內(nèi)周區(qū)域3。
對(duì)此，通過一邊使非磁性基板31旋轉(zhuǎn)一邊將其浸漬于抗蝕劑溶液11 中，可防止抗蝕劑溶液ll附著于非磁性基板31的內(nèi)周區(qū)域3。
然后， 一邊繼續(xù)以旋轉(zhuǎn)軸37a為中心的非磁性M31的旋轉(zhuǎn)， 一邊將 浸漬于抗蝕劑溶液ll中的非磁性基板31從抗蝕劑溶液ll中取出(取出工 序)。而且，在本實(shí)施方式中，將非磁性基板31從抗蝕劑溶液11中取出后 也連續(xù)地以旋轉(zhuǎn)軸37a為中心使非磁性基板31旋轉(zhuǎn)。由此，不會(huì)使抗蝕劑 溶液11附著于非磁性基板31的內(nèi)周區(qū)域3而將抗蝕劑溶液11以更均勻的 膜厚涂布于數(shù)據(jù)記錄區(qū)4。
優(yōu)選非磁性基板31的旋轉(zhuǎn)速度在將非磁性基板31從抗蝕劑溶液11 中取出后，比在抗蝕劑溶液ll中浸漬非磁性基板31時(shí)上升。
確定將非磁性基板31浸漬于抗蝕劑溶液ll中時(shí)的非磁性基板31的旋 轉(zhuǎn)速度，使得能夠得到不會(huì)由于已涂布的抗蝕劑溶液11因重力向下方流掛 而使抗蝕劑溶液ll附著于非磁性J4131的內(nèi)周區(qū)域3的程度的強(qiáng)度的離 心力。當(dāng)將非磁性基板31浸漬于抗蝕劑溶液11中時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度(轉(zhuǎn)速) 提高到必要以上時(shí)，可阻礙抗蝕劑溶液ll向非磁性M31的附著，并且 抗蝕劑溶液11的液面一皮弄亂，抗蝕劑溶液11容易附著于非磁性M 31 的內(nèi)周區(qū)域3。
具體地說，將非磁性基板31浸漬于抗蝕劑溶液11中時(shí)的非磁性J4！ 31的旋轉(zhuǎn)速度，優(yōu)選為350轉(zhuǎn)/分鐘~ 500轉(zhuǎn)/分鐘的范圍內(nèi)，可根據(jù)抗蝕劑 溶液ll的粘度和非磁性基板31的大小來適當(dāng)決定。
另外，確定將非磁性基板31從抗蝕劑溶液11中取出后上升的非磁性 基板31的旋轉(zhuǎn)速度，使得可以得到不會(huì)由于涂布的抗蝕劑溶液ll因重力 向下方流掛而使抗蝕劑溶液ll附著于非磁性基板31的內(nèi)周區(qū)域3的程度 的強(qiáng)度的離心力，而且可獲得可使多余的抗蝕劑溶液ll飛散的程度的強(qiáng)度 的離心力。另外，當(dāng)將非磁性基板31從抗蝕劑溶液11中取出后上升的非 磁性基板31的旋轉(zhuǎn)速度提高到必要以上時(shí)，由于甩開抗蝕劑，抗蝕劑的厚 度變得極端薄，并且膜厚的均勻性降低。
具體地說，將非磁性基板31從抗蝕劑溶液11中取出后上升的旋轉(zhuǎn)速 度，優(yōu)選為5000轉(zhuǎn)/分鐘~ 6000轉(zhuǎn)/分鐘的范圍內(nèi)，可才艮據(jù)抗蝕劑溶液11的 粘度、非磁性J4131的大小來適當(dāng)決定。
另外，在作為非磁性基板31，使用直徑為15mm~100mm的范圍內(nèi)、 在非磁性基板31的徑向上的數(shù)據(jù)記錄區(qū)4與開口部37之間的距離(內(nèi)周區(qū)域3的寬度)為2mm 3mm的范圍內(nèi)的基板，并且，作為抗蝕劑溶液 11，使用通常的粘度例如為0.1cP~10cP的抗蝕劑溶液時(shí)，使非磁性皿 31浸漬于抗蝕劑溶液ll中時(shí)的非磁性基板31的旋轉(zhuǎn)速度為350轉(zhuǎn)/分鐘~ 500轉(zhuǎn)/分鐘的范圍內(nèi)，在將非磁性14131從抗蝕劑溶液11中取出后，使 非磁性基板31的旋轉(zhuǎn)速度上升至5000轉(zhuǎn)/分鐘~ 6000轉(zhuǎn)/分鐘的范圍內(nèi)， 由此可切實(shí)地防止抗蝕劑溶液ll向非》茲性基昧31的內(nèi)周區(qū)域3的附著， 并且，能夠以均勾的膜厚將抗蝕劑溶液ll涂布于數(shù)據(jù)記錄區(qū)4。
接著，使用這樣涂布而得到的抗蝕劑層，形成磁記錄圖案(圖案形成 工序)。更具體地說，使用光刻技術(shù)將抗蝕劑層圖案化，使抗蝕劑層的厚 度局部地變薄，或者將抗蝕劑層部分地除去。
接著，從抗蝕劑層的表面?zhèn)日丈湓?。由此，在抗蝕劑層較薄的部分 或沒有抗蝕劑層的部分的磁性層局部地注入原子而形成非磁性化層34，并 且形成由在有抗蝕劑層的部分沒有注入原子的磁性層構(gòu)成的磁記錄圖案 33，從而形成交替地配置磁記錄圖案33和非磁性化層34而成的磁記錄層 33a。
作為注入到/f茲性層中的原子，例如可舉出B、 F、 Si、 P、 Ar、 Kr、 In、 Xe等。在此，通過原子向磁性層的注入，磁性層的結(jié)晶結(jié)構(gòu)被非晶化，磁 性層被非磁性化。
然后，全部除去抗蝕劑層，在保護(hù)膜層35上形成潤(rùn)滑層36，形成為 圖1所示的磁記錄介質(zhì)30。
在本實(shí)施方式中，在抗蝕劑層形成工序的浸漬工序中，非磁性基板31 的數(shù)據(jù)記錄區(qū)4被浸漬于抗蝕劑溶液11中，但內(nèi)周區(qū)域3不會(huì)浸漬于抗蝕 劑溶液11中。因此，可防止抗蝕劑溶液11接觸內(nèi)周區(qū)域3，可防止抗蝕 劑溶液11接觸開口部37的周邊。
另外，在本實(shí)施方式中，在抗蝕劑層形成工序的取出工序中， 一邊以 旋轉(zhuǎn)軸37a為中心使浸漬于抗蝕劑溶液11中的非磁性基板31旋轉(zhuǎn)， 一邊 將非磁性基板31從抗蝕劑溶液11中取出，因此可利用離心力使附著于非磁性基板31的多余的抗蝕劑溶液11飛散，可將抗蝕劑溶液11均勻地涂布 于非磁性基板31。
因此，根據(jù)本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法，可使用得到的抗蝕 劑層來精度良好地形成磁記錄圖案，可合格率良好地制造可獲得較高的記 錄再生特性的離散磁道型的磁記錄介質(zhì)。
對(duì)此，例如，在抗蝕劑溶液11涂布于開口部37的周邊的場(chǎng)合，即使 在涂布抗蝕劑溶液11后以旋轉(zhuǎn)軸37a為中心使非磁性基板31旋轉(zhuǎn)，對(duì)開 口部37的周邊賦予的離心力也弱，因此涂布于開口部37的周邊的抗蝕劑 溶液ll難以飛散。因此，在開口部37的周邊涂布有抗蝕劑溶液11時(shí)，容 易產(chǎn)生涂膜不均勻?？刮g劑層是在磁記錄介質(zhì)的制造工序中最終被除去的， 但抗蝕劑溶液ll的涂布不均勻，在抗蝕劑層除去前的制造工序中，是給磁 記錄圖案的形狀等帶來不良影響的主要因素，會(huì)使磁記錄介質(zhì)的制造合格 率降低。
另夕卜，在本實(shí)施方式中，以非磁性基板31的內(nèi)周區(qū)域3配置于抗蝕劑 溶液ll的液面11a上方的形式使非磁性基板31浸漬于抗蝕劑溶液11中， 但非磁性基板31的內(nèi)周區(qū)域3的全區(qū)不配置于抗蝕劑溶液11的液面lla 的上方也可以，只要至少開口部37的周邊配置于抗蝕劑溶液11的液面lla
上方即可。
第2實(shí)施方式
在上述的第1實(shí)施方式的制造方法中，將在抗蝕劑層形成工序中，對(duì) 1片非磁性基板形成抗蝕劑層的情況列舉為例子進(jìn)行了說明，但如圖3B所 示，也可以一次對(duì)多片非磁性基板形成抗蝕劑層。圖3B是用于說明抗蝕 劑層形成工序的浸漬工序等的例子的圖，是僅表示非磁性J41 31和抗蝕 劑溶液ll的概略立體圖。本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法，與上述的 第1實(shí)施方式不同之處只是在抗蝕劑層形成工序中涂布抗蝕劑溶液的非A茲 性基板31的片數(shù)，因此省略其他的說明。
在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，在非磁性J4131的厚度方 向間隔地配置有4片非磁性基板31。圖3B所示的4片非磁性基板31間的距離d,可根據(jù)非磁性基板31的大小等適當(dāng)決定，例如，在非磁性M 31的直徑為1.89英寸(①48mm)時(shí)，優(yōu)選為17mm以上，例如，在直 徑為0.85英寸(0)21mm)時(shí)，優(yōu)選為4mm以上。當(dāng)多片的非》茲性基板 31間的距離d狹窄時(shí)，非磁性14131與非磁性基板31之間的抗蝕劑溶液 11的流動(dòng)性變得不充分，有時(shí)抗蝕劑溶液ll的涂布不均勻變大。
在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，與第1實(shí)施方式同樣，也 在涂布裝置上安裝非磁性基板31。即，如圖3B所示，4片非磁性基板31 在軸部的安裝(裝卡)，是通過使構(gòu)成軸部的卡盤41的3根棒狀體，貫穿 4片非磁性基板31的開口部37，將3根棒狀體從中心向外側(cè)擴(kuò)展，由此使 3根棒狀體支撐非磁性基板31的開口部37的內(nèi)端從而進(jìn)行固定。
在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，與第1實(shí)施方式同樣，在 抗蝕劑層形成工序中，如圖3B所示，以非磁性基板31的內(nèi)周區(qū)域3配置 于抗蝕劑溶液11的液面lla上方，并且，非磁性基板31的數(shù)據(jù)記錄區(qū)4 的一部分配置于抗蝕劑溶液11的液面lla下方的方式，使非磁性M 31 的一部分浸漬于抗蝕劑溶液11中(浸漬工序)， 一邊繼續(xù)以旋轉(zhuǎn)軸37a 為中心的非磁性基板31的旋轉(zhuǎn)， 一邊將浸漬于抗蝕劑溶液ll中的非磁性 基板31從抗蝕劑溶液11中取出(取出工序)。
因此，在本實(shí)施方式中，在抗蝕劑層形成工序的浸漬工序中，內(nèi)周區(qū) 域3不會(huì)浸漬于抗蝕劑溶液11中，可防止抗蝕劑溶液11接觸內(nèi)周區(qū)域3。 另外，在本實(shí)施方式中，可通過離心力使附著于非磁性基板31的多余的抗 蝕劑溶液11飛散，因此可將抗蝕劑溶液11均勻地涂布于非磁性M 31 上。
而且，本實(shí)施方式的制造方法，由于在非磁性基板31的厚度方向上間 隔地配置有多片非磁性基板31,因此成為生產(chǎn)率優(yōu)異的方法。
另夕卜，在本實(shí)施方式的制造方法中，通過使多片非磁性基板31間的距 離為12mm以上，可防止在配置有多片非石茲性J4131時(shí)的抗蝕劑溶液ll 的涂布不均勻。因此，在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，可使用得到的抗蝕 劑層來精度良好地形成磁記錄圖案，可合格率良好地制造可獲得較高記錄 再生特性的離散磁道型的磁記錄介質(zhì)。
另外，在本發(fā)明中，如上述那樣，優(yōu)選一邊使非磁性基板31旋轉(zhuǎn)一邊 將非磁性基板31浸漬于抗蝕劑溶液11中，但也可以使非磁性基板浸漬于 抗蝕劑溶液中之后使非磁性基板旋轉(zhuǎn)。
另外，抗蝕劑層形成工序，如上述的實(shí)施方式那樣，可在形成保護(hù)膜 層35之后、設(shè)置潤(rùn)滑層之前進(jìn)行，但只要是在形成成為磁記錄層的磁性層 后，則也可以在任何的階段進(jìn)行，例如，可以在剛形成成為磁記錄層的磁 性層后進(jìn)行，也可以在設(shè)置潤(rùn)滑層之后進(jìn)行。
而且，在圖3B所示的例中，將一次對(duì)4片非磁性基板形成抗蝕劑層 的情況列舉為例子進(jìn)行了說明，但非磁性基板的片數(shù)為多少片都可以，沒 有特別限定。
磁記錄再生裝置
接著，對(duì)本發(fā)明的磁記錄再生裝置進(jìn)行說明。圖4是用于說明本發(fā)明 的磁記錄再生裝置的一例的概略構(gòu)成圖。圖4所示的磁記錄再生裝置，具 有磁記錄介質(zhì)30;沿記錄方向驅(qū)動(dòng)磁記錄介質(zhì)的驅(qū)動(dòng)部21;包括記錄部 和再生部的磁頭27;使磁頭27相對(duì)于磁記錄介質(zhì)30進(jìn)行相對(duì)運(yùn)動(dòng)的磁頭 驅(qū)動(dòng)部28;用于向磁頭27輸入信號(hào)和將來自磁頭27的輸出信號(hào)進(jìn)行再生 的記錄再生信號(hào)處理機(jī)構(gòu)29。在圖4所示的磁記錄再生裝置中，作為磁記 錄介質(zhì)30，可使用由上述的磁記錄介質(zhì)的制造方法制造的圖l所示的磁記 錄介質(zhì)。
圖4所示的磁記錄再生裝置，具有可獲得較高的記錄再生特性的圖1 所示的離散磁道型的磁記錄介質(zhì)，因此成為記錄密度高的磁記錄再生裝置。 另外，圖4所示的磁記錄再生裝置，具有磁性不連續(xù)地配置有記錄磁道的 磁記錄介質(zhì)，因此，對(duì)于以往為了排除磁道邊緣部的磁化遷移區(qū)域的影響， 必須使再生磁頭寬度比記錄磁頭寬度狹窄來應(yīng)對(duì)的情況，即使使再生磁頭
18和記錄磁頭這兩者為大致相同的寬度也能夠進(jìn)行工作。由此可獲得充分的
再生輸出和較高的SNR。
以下通過實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不僅限于這些 實(shí)施例。 實(shí)施例
準(zhǔn)備由以Li2Si2Os、 A1203-K20、 A1203-K20、 MgO-P205、 Sb203-ZnO 為構(gòu)成成分的結(jié)晶化玻璃構(gòu)成的直徑1.89英寸(①48mm)的硬盤(HD) 用的圖2所示的非磁性基板31，將非磁性皿31配置于'賊射裝置的真空 室內(nèi)，將真空室內(nèi)進(jìn)行真空排氣直至壓力變?yōu)?.0xl(T5Pa以下。
接著，在非磁性基板31的數(shù)據(jù)記錄區(qū)4上，使用濺射法依次形成由 FeCoB構(gòu)成的軟磁性層32a 、由Ru構(gòu)成的中間層32b 、由 70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金構(gòu)成的磁性層(磁性層形成工序)。接著，在 磁性層的表面，使用CVD法依次形成由C (碳)構(gòu)成的保護(hù)膜層35、和 由氟系潤(rùn)滑劑構(gòu)成的潤(rùn)滑層36。
各個(gè)層的膜厚是軟磁性層600A、中間層100A、磁性層150A、保 護(hù)膜層4nm、潤(rùn)滑層2nm。
然后，在潤(rùn)滑層36的表面形成抗蝕劑層(抗蝕劑層形成工序)。
在抗蝕劑層形成工序中，首先，將非磁性基板31的內(nèi)周區(qū)域3安裝于 立式軸上， 一邊以旋轉(zhuǎn)軸37a為中心，使非磁性基板31以350轉(zhuǎn)/分鐘~ 500轉(zhuǎn)/分鐘的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)， 一邊以抗蝕劑溶液11的液面lla成為非磁性 基板31的內(nèi)周區(qū)域3的2~3mm下方的位置的方式配置非磁性基板31， 使非磁性基板31的一部分在抗蝕劑溶液11中浸漬10秒鐘(浸漬工序)。
作為抗蝕劑溶液ll,使用粘度為lcp的有機(jī)涂布玻璃(SOG)。
然后， 一邊繼續(xù)以旋轉(zhuǎn)軸37a為中心以350轉(zhuǎn)/分鐘~ 500轉(zhuǎn)/分鐘的旋 轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)非磁性基板31， 一邊將浸漬于抗蝕劑溶液11中的非磁性M 31從抗蝕劑溶液11中取出(取出工序)。進(jìn)而，將非磁性基板31從抗蝕 劑溶液ll中取出后，也以旋轉(zhuǎn)軸37a為中心以350轉(zhuǎn)/分鐘~500轉(zhuǎn)/分鐘的旋轉(zhuǎn)速度繼續(xù)使非磁性基板31旋轉(zhuǎn)15秒鐘，然后，使旋轉(zhuǎn)速度上升至 5000轉(zhuǎn)/分鐘~ 6000轉(zhuǎn)/分鐘再旋轉(zhuǎn)12秒鐘。
這樣進(jìn)行涂布后，使用進(jìn)行干燥而得到的抗蝕劑層，如以下所示形成 磁記錄圖案(圖案形成工序)。即，使用光刻技術(shù)將抗蝕劑層圖案化，部 分地除去抗蝕劑層。然后，從抗蝕劑層的表面?zhèn)日丈渥鳛樵拥腁r，在沒 有抗蝕劑層的部分的磁性層中局部地注入原子，從而形成非磁性化層34， 形成了交替地配置有磁記錄圖案33和非磁性化層34而成的磁記錄層33a 然后，全部除去抗蝕劑層，得到圖l所示的磁記錄介質(zhì)30。
對(duì)于這樣得到的磁記錄介質(zhì)30，如以下所示那樣實(shí)施電磁轉(zhuǎn)換特性的 評(píng)價(jià)。其結(jié)果，在全部的磁記錄比特中已確認(rèn)了磁記錄再生特性。
在電磁轉(zhuǎn)換特性的評(píng)價(jià)中，使用美國(guó)GUZIK公司制的U—卜、，一 卜 7十，^寸、1632和只匕乂X夕y F S1701MP進(jìn)行。記錄再生》茲頭使用 GMR磁頭。
(比較例)
在與實(shí)施例同樣的非磁性基板31的數(shù)據(jù)記錄區(qū)4上，與實(shí)施例同樣地 形成軟磁性層32a、中間層32b、磁性層、保護(hù)膜層35、潤(rùn)滑層36。然后， 如以下所示那樣，將與實(shí)施例同樣的抗蝕劑溶液涂布于非磁性基板31的整 體上。
將基板浸漬于抗蝕劑溶液中直至基板的開口部的卡盤位置，以400rpm 在基板上涂布抗蝕劑10秒鐘。然后，將基板從抗蝕劑中取出，使基板以 500rpm ^走轉(zhuǎn)12秒鐘，甩開抗蝕劑。
這樣進(jìn)行涂布后，與實(shí)施例同樣地形成磁記錄圖案。然后，全部除去 抗蝕劑層，得到圖l所示的磁記錄介質(zhì)30。
對(duì)于這樣得到的磁記錄介質(zhì)30,與實(shí)施例同樣地實(shí)施電磁轉(zhuǎn)換特性的 評(píng)價(jià)。其結(jié)果，在非磁性14131的內(nèi)周區(qū)域3附近的磁道中，已確認(rèn)有多 個(gè)磁記錄比特的缺陷。該磁記錄比特的缺陷的發(fā)生原因，是由于在非磁性基板31的內(nèi)周區(qū)域 3附近涂布的抗蝕劑溶液的膜厚存在偏差，因此光刻下的磁記錄圖案的顯 像精度不充分，不能形成具有規(guī)定形狀磁記錄圖案的緣故。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性
本發(fā)明可應(yīng)用于在硬盤裝置等中使用的磁記錄介質(zhì)的制造方法以及磁 氣記錄再生裝置。
本發(fā)明中表示數(shù)值范圍的"以上"和"以下"均包括本數(shù)。
權(quán)利要求
1. 一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其具有磁性層形成工序，在中央設(shè)置有開口部、并具有環(huán)狀的數(shù)據(jù)記錄區(qū)和位于所述數(shù)據(jù)記錄區(qū)與所述開口部之間的內(nèi)周區(qū)域的圓盤狀的非磁性基板上形成成為磁記錄圖案的磁性層；抗蝕劑層形成工序，在形成有所述磁性層的所述非磁性基板上形成抗蝕劑層；和圖案形成工序，使用所述抗蝕劑層形成所述磁記錄圖案，該制造方法的特征在于，所述抗蝕劑層形成工序具有浸漬工序，以至少所述開口部的周邊配置于抗蝕劑溶液的液面上方、并且所述數(shù)據(jù)記錄區(qū)的一部分配置于所述液面下方的方式使所述非磁性基板的一部分浸漬于所述抗蝕劑溶液中；和取出工序，一邊以通過所述開口部的中心沿所述非磁性基板的厚度方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸為中心，使浸漬于所述抗蝕劑溶液中的所述非磁性基板旋轉(zhuǎn)，一邊從所述抗蝕劑溶液中取出所述非磁性基板。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在所 述浸漬工序中， 一邊以所述旋轉(zhuǎn)軸為中心使所述非磁性基板旋轉(zhuǎn)， 一邊使 所述非磁性基板的一部分浸漬于所述抗蝕劑溶液中。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于， 從所述抗蝕劑溶液中取出所述非磁性基板之后也連續(xù)地以所述旋轉(zhuǎn)軸為中 心使所述非磁性基板旋轉(zhuǎn)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，使所后，比所述非磁性J41浸漬于所述抗蝕劑溶液中時(shí)上升。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述 非磁性基板浸漬于所述抗蝕劑溶液中時(shí)的所述非磁性基板的旋轉(zhuǎn)速度為 350轉(zhuǎn)/分鐘~ 500轉(zhuǎn)/分鐘的范圍內(nèi)，從所述抗蝕劑溶液中取出所述非磁性基板后，使所述非磁性基板的旋轉(zhuǎn)速度上升至5000轉(zhuǎn)/分鐘~ 6000轉(zhuǎn)/分鐘 的范圍內(nèi)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~ 5的任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征 在于，所述非磁性基板的直徑為15mm 100mm的范圍內(nèi)，在所述非磁性 基板的徑向上的所述數(shù)據(jù)記錄區(qū)與所述開口部之間的距離為2mm 3mm 的范圍內(nèi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于， 在所述抗蝕劑層形成工序中，在所述非磁性基板的厚度方向間隔地配置有 多片的所述非磁性基板。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述 多片的非磁性基板之間的距離為12mm以上。
9. 一種磁記錄再生裝置，其具有 /P茲記錄介質(zhì)；沿記錄方向驅(qū)動(dòng)該/磁記錄介質(zhì)的驅(qū)動(dòng)部； 包括記錄部和再生部的磁頭；使所述》茲頭相對(duì)于所述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行相對(duì)運(yùn)動(dòng)的機(jī)構(gòu)；和用于向所述磁頭輸入信號(hào)和將來自所述磁頭的輸出信號(hào)進(jìn)行再生的記錄再生信號(hào)處理機(jī)構(gòu)，該磁記錄再生裝置的特征在于，所述磁記錄介質(zhì)是采用權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法制造的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可使合格率格外地提高并使生產(chǎn)率顯著提高的磁記錄介質(zhì)的制造方法。該磁記錄介質(zhì)的制造方法的抗蝕劑層形成工序具有浸漬工序，以內(nèi)周區(qū)域(3)配置于抗蝕劑溶液(11)的液面(11a)上方、并且數(shù)據(jù)記錄區(qū)(4)的一部分配置于所述抗蝕劑溶液的液面(11a)下方的方式使所述非磁性基板(31)的一部分浸漬于所述抗蝕劑溶液(11)中；和取出工序，一邊以通過所述開口部(37)的中心沿所述非磁性基板(31)的厚度方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸(37a)為中心，使浸漬于所述抗蝕劑溶液(11)中的所述非磁性基板(31)旋轉(zhuǎn)，一邊從所述抗蝕劑溶液(11)中取出所述非磁性基板(31)。
文檔編號(hào)G11B5/84GK101523487SQ20078003646
公開日2009年9月2日 申請(qǐng)日期2007年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月1日
發(fā)明者坂脅彰, 廣瀨克昌, 福島正人 申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社