專利名稱：存儲器測試方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種存儲器測試方法，且特別是涉及一種高速存儲器測試方法。
背景技術：
非易失性存儲器的技術使用于現(xiàn)今的多種應用中，其可用以讀取及寫入 數(shù)據(jù)，而且存儲在其中的數(shù)據(jù)不需要依靠電源來維持，因此適用于各種數(shù)據(jù) 存儲的用途。
存儲器通常包括多個芯片(chip),每一個芯片包括多個存儲單元，這些 存儲單元是以陣列形式排列。每一個存儲單元是由相對應的字符線而使能。
請參照圖1,其示出了存儲器的臨界電壓分布圖。其中，低臨界電壓分布102 的上限值HB與高臨界電壓分布104的下限值LB之差是存儲體操作區(qū)間 (memory operating window) Sl,是存4諸器實際上用以才喿作的區(qū)間。
若存4諸器是一預編程存4諸器(pre-programmed memory),則在存4諸器送交 至客戶之前，須先將所預期的數(shù)據(jù)編程在存儲器中。此時，若存儲器的操作 區(qū)間不足，則存儲器可能在對存儲單元進行操作(如編程或讀耳又)的過程中產(chǎn) 生錯誤。因此，存儲器通常在制造出后會進行一邊緣臨界電壓測試(margin VT test),以找出操作區(qū)間不足的芯片，并遮蔽掉此芯片。
請參照圖2，其示出了傳統(tǒng)存儲器測試方法的流程圖。首先，在步驟210 中，從存儲器內(nèi)讀取一頁數(shù)據(jù)(page data),并將此頁數(shù)據(jù)存儲至存儲器內(nèi)的 一寄存器中。當此頁數(shù)據(jù)被存儲至寄存器之后，接著，在步驟220中，測試 器(tester)會從存儲器內(nèi)的寄存器中讀出此頁數(shù)據(jù)。
然后，在步驟230中，在測試器內(nèi)比較此頁數(shù)據(jù)與一預期數(shù)據(jù)相同與否， 此預期數(shù)據(jù)相對應于該頁數(shù)據(jù)。步驟230實質上是用以驗證此頁數(shù)據(jù)的正確 性。若此頁數(shù)據(jù)相同于預期數(shù)據(jù)，則在步驟240中，存儲器具有足夠的操作 區(qū)間。此時，測試器會被通知此存儲器通過測試。若此頁數(shù)據(jù)不相同于預期 數(shù)據(jù)，則在步驟250中，存儲器不具有足夠的操作區(qū)間。此時，測試器會被
通知測試失敗，而存儲器會被遮蔽掉。
上述的存儲器測試方法，必須先從存儲器內(nèi)部讀取頁數(shù)據(jù)，然后再在測 試器內(nèi)驗證頁數(shù)據(jù)的正確性以判斷存儲器是否具有足夠的操作區(qū)間。隨著逐 漸增加的存儲器密度，從存儲器讀取頁數(shù)據(jù)的時間將會更多。此外，在測試 器中比較頁數(shù)據(jù)與預期數(shù)據(jù)亦花費不少時間。
以存儲器包括2G位的多層單元(multi-level cell)為例，頁數(shù)據(jù)的大小 是512字節(jié)(bytes)，輸出數(shù)據(jù)時鐘是50ns/每字節(jié)及每頁數(shù)據(jù)內(nèi)部讀取時間 (延遲)是30jlis為例做說明。上述的傳統(tǒng)存儲器測試方法，所需花費的測試 時間為(30 m s + (50ns x 512)) x 2 x (2048Mbit/512byte) = 58. 3秒。如此 一來，長測試時間將使得存儲器的測試成本上升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種存儲器測試方法，是在存儲器讀取并存儲數(shù)據(jù)時，同時 將預期數(shù)據(jù)從測試器加載存儲器，使得測試時間可以大幅縮短，降低存儲器 的測試成本。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出一種存儲器測試方法，包括，首先，從存 儲器讀取一數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)存儲至一第一暫存存儲器。同時，將一預期數(shù)據(jù) 從一測試器寫入一第二暫存存儲器，預期數(shù)據(jù)是相對應于數(shù)據(jù)。之后，比較 第一暫存存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)與第二暫存存儲器內(nèi)的預期數(shù)據(jù)以判斷存儲器是否 具有足夠的一操作區(qū)間。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合 附圖，作詳細"i兌明如下。


圖1示出了存儲器的臨界電壓分布圖。
圖2示出了傳統(tǒng)存儲器測試方法的流程圖。
圖3示出了依照本發(fā)明較佳實施例的存儲器測試方法的流程圖。
圖4示出了依照本發(fā)明較佳實施例的存儲器測試方法的詳細流程圖。
附圖符號說明
102:低臨界電壓分布
104:高臨界電壓分布。
具體實施例方式
本發(fā)明提供一種存儲器測試方法，是在存儲器讀取并存儲數(shù)據(jù)時，同時 將預期數(shù)據(jù)從測試器加載存儲器，大幅縮短測試時間，降低存儲器的測試成 本。
請參照圖3，其示出了依照本發(fā)明較佳實施例的存儲器測試方法的流程 圖。此存儲器測試方法應用于一存儲器，存儲器包括多個存儲單元，此些存 儲單元以陣列的形式排列。每一個存儲單元由相對應的字符線而使能。此存 儲器的臨界電壓分布如圖l所示。存儲器例如為非易失性存儲器，或是閃存。
首先，在步驟310中，從存儲器讀取一數(shù)據(jù)，并將此數(shù)據(jù)存儲至一第一 暫存存儲器。此數(shù)據(jù)實質上是事先存儲在存儲器的多個存儲單元內(nèi)。當讀取 數(shù)據(jù)的同時，將一預期數(shù)據(jù)從一測試器寫入一第二暫存存儲器，此預期數(shù)據(jù) 相對應于該數(shù)據(jù)。然后，在步驟320中，利用存儲器內(nèi)的一比較器來比較第 一暫存存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)與第二暫存存儲器內(nèi)的預期數(shù)據(jù)相同與否，以判斷存 儲器是否具有足夠的一操作區(qū)間。
請參照圖4，其示出了依照本發(fā)明較佳實施例的存儲器測試方法的詳細 流程圖。在實際搡作中，當開始進行存儲器測試時，測試器會進入一邊緣模 式(margin mode),接著對所欲測試的存儲器進行檢測。在步驟410中，存儲 器進行內(nèi)部讀取的動作，利用一第一臨界電壓使能存儲器內(nèi)的多個存儲單元， 以讀取已預先存儲在多個存儲單元中的 一數(shù)據(jù)。
在讀取完數(shù)據(jù)后，此數(shù)據(jù)被存儲至存儲器內(nèi)部的一第一暫存存儲器，例 如為一靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)。此數(shù)據(jù)例如為客戶所指定的數(shù)據(jù)或程序 代碼。第一臨界電壓實質上等同于低臨界電壓分布102的上限值HB(或高臨 界電壓分布104的下限值LB)。
此外，在讀取數(shù)據(jù)的同時，亦即在邊緣模式啟動后，在步驟420中，測 試器將一預期數(shù)據(jù)寫入存儲器內(nèi)部的一第二暫存存儲器，例如為一靜態(tài)隨機 存取存儲器(SRAM)。此預期數(shù)據(jù)相對應于該數(shù)據(jù)，實質上是客戶所指定的數(shù) 據(jù)或程序代碼。如此一來，測試器所花費的寫入預期數(shù)據(jù)時間即被隱藏在存 儲器讀取數(shù)據(jù)時間。
然后，在步驟430中，比較第一暫存存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)與第二暫存存儲器 內(nèi)的預期數(shù)據(jù)相同與否，以判斷存儲器是否具有足夠的操作區(qū)間。若是數(shù)據(jù)不相同于預期數(shù)據(jù)，即代表存儲器的操作區(qū)間的下限(或上限)產(chǎn)生偏移，使 得操作區(qū)間不足。此時存儲器會利用例如標記等方式通知測試器未通過測試。 之后，未通過測試的存儲器被遮蔽。
若是數(shù)據(jù)相同于預期數(shù)據(jù)，即代表存儲器的操作區(qū)間的下限(或上限)足 以確保數(shù)據(jù)正確性。此時存儲器會利用例如標記等方式通知測試器此測試通 過，并接續(xù)測試存儲器的操作區(qū)間的上限(或下限)是否足以確保數(shù)據(jù)正確性。
在步驟440中，存儲器再次進行內(nèi)部讀取的動作，利用一第二臨界電壓使能存儲器內(nèi)的多個存儲單元，以讀取數(shù)據(jù)，并在讀取完數(shù)據(jù)后，將數(shù)據(jù)存儲至第一暫存存儲器。接著，在步驟450中，比較數(shù)據(jù)與預期數(shù)據(jù)相同與否， 以判斷存儲器是否具有足夠的操作區(qū)間。第二臨界電壓實質上等同于高臨界 電壓分布104的下限值LB(或低臨界電壓分布102的上限值HB)。第一臨界電 壓及第二臨界電壓的差實質上即為圖1中的搡作區(qū)間Sl。
步驟440及步驟450實質上是用以測試存儲器的操作區(qū)間的上限(或下限) 是否產(chǎn)生偏移而使得操作區(qū)間不足。若是數(shù)據(jù)不相同于預期數(shù)據(jù)，即代表存 儲器的操作區(qū)間的上限(或下限)產(chǎn)生偏移，使得操作區(qū)間不足。此時存儲器 會利用例如標記等方式通知測試器未通過測試。之后，未通過測試的存儲器 被遮蔽。
上述的存儲器測試方法中，步驟430及步驟450實質上是用以檢測存儲 器內(nèi)的多個存儲單元的操作區(qū)間的兩個邊界。此外，雖然圖4中的流程圖是 針對單一存儲器的測試方法流程圖，然并不限制于此。當存儲器通過測試之 后，測試器可以自動對下一存儲器進行上述的存儲器測試方法，直到所有存 儲器被檢測完畢。
本發(fā)明上述實施例所揭露的存儲器測試方法，是利用對存儲器進行內(nèi)部 數(shù)據(jù)讀取，并將數(shù)據(jù)存儲在第一暫存存儲器的時段，同時將預期數(shù)據(jù)從測試 器加載第二暫存存儲器內(nèi)，亦即將測試器所花費的寫入預期數(shù)據(jù)時間隱藏于 存儲器讀取數(shù)據(jù)時間。然后，再利用存儲器內(nèi)建的一比較器以驗證數(shù)據(jù)的正 確性以判斷存儲器是否有足夠的操作區(qū)間。如此一來，節(jié)省了傳統(tǒng)將數(shù)據(jù)從 存儲器寫入測試器并在測試器內(nèi)部進行驗證的時間，大幅縮短測試時間，降 低存儲器的測試成本。
舉例來說， 一存儲器包括2G位的多層單元(multi-level cell),數(shù)據(jù)的 大小是512字節(jié)(bytes)，輸出數(shù)據(jù)時鐘是50ns/每字節(jié)及每頁數(shù)據(jù)內(nèi)部讀取
時間(延遲)是30jus為例做說明。本發(fā)明所揭露的存儲器測試方法，測試存 儲器所需花費的時間為30jusx 2 x (2048Mbit/512byte) =31.45秒。相較 于傳統(tǒng)的存儲器測試方法，大幅縮短測試時間達46°/。之多。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以一較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定 本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和 范圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍當視本發(fā)明的 申請專利范圍所界定者為準。
權利要求
1. 一種存儲器測試方法，包括:從該存儲器讀取一數(shù)據(jù)，并將該數(shù)據(jù)存儲至一第一暫存存儲器，同時，將一預期數(shù)據(jù)從一測試器寫入一第二暫存存儲器，該預期數(shù)據(jù)是相對應于該數(shù)據(jù)；以及比較該第一暫存存儲器內(nèi)的該數(shù)據(jù)與該第二暫存存儲器內(nèi)的該預期數(shù)據(jù)以判斷該存儲器是否具有足夠的一操作區(qū)間。
2. 如權利要求1所述的存儲器測試方法，其中，當該數(shù)據(jù)相同于該預期 數(shù)據(jù)時，則該存儲器具有足夠的該操作區(qū)間。
3. 如權利要求1所述的存儲器測試方法，其中，依據(jù)一第一臨界電壓從 該存儲器讀取該數(shù)據(jù)，并將該數(shù)據(jù)存儲至該第一暫存存儲器，同時，將該預 期數(shù)據(jù)寫入該第二暫存存儲器，然后比較該數(shù)據(jù)與該預期數(shù)據(jù)以判斷該存儲 器是否具有足夠的該操作區(qū)間。
4. 如權利要求3所述的存儲器測試方法，還包括 依據(jù)一第二臨界電壓從該存儲器讀取該數(shù)據(jù)，并將該數(shù)據(jù)存儲至該第一暫存存儲器；以及
5. 如權利要求4所述的存儲器測試方法，其中，該存儲器具有一高臨界 電壓分布及一低臨界電壓分布，該第一臨界電壓是該高臨界電壓分布的下限 值，該第二臨界電壓是該低臨界電壓分布的上限值。
6. 如權利要求4所述的存儲器測試方法，其中，該存儲器具有一高臨界 電壓分布及一低臨界電壓分布，該第一臨界電壓是該低臨界電壓分布的上限 值，該第二臨界電壓是該高臨界電壓分布的下限值。
7. 如權利要求3所述的存儲器測試方法，其中，該操作區(qū)間是該第一臨 界電壓及該第二臨界電壓之差。
8. 如權利要求1所述的存儲器測試方法，其中，該第一暫存存儲器及該 第二暫存存儲器是靜態(tài)隨機存取存儲器。
9. 如權利要求1所述的存儲器測試方法，其中，該第一暫存存儲器及該 第二暫存存儲器是寄存器。
全文摘要
一種存儲器測試方法，包括，首先，從存儲器讀取一數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)存儲至一第一暫存存儲器。同時，將一預期數(shù)據(jù)從一測試器寫入一第二暫存存儲器，預期數(shù)據(jù)是相對應于數(shù)據(jù)。之后，比較第一暫存存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)與第二暫存存儲器內(nèi)的預期數(shù)據(jù)以判斷存儲器是否具有足夠的一操作區(qū)間。
文檔編號G11C16/06GK101383189SQ200810008569
公開日2009年3月11日 申請日期2008年1月23日 優(yōu)先權日2007年9月5日
發(fā)明者何文喬, 張坤龍, 張欽鴻, 洪俊雄 申請人:旺宏電子股份有限公司