專利名稱：存儲(chǔ)器編程方法以及數(shù)據(jù)存取方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器編程方法，特別是涉及一種與非閃存(NAND flash)的編程方法。
背景技術(shù)：
MND閃存是由日本東芝(Toshiba)公司在1989年所發(fā)表。NAND閃存為 非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，因此不需電力來(lái)維持?jǐn)?shù)據(jù)的存儲(chǔ)。此外，NAND閃存具有較 快的編程(program)與清除(erase)時(shí)間。在NAND閃存內(nèi)，每個(gè)存^t單元
(cell)所占的芯片面積較小，因此具有較高的存儲(chǔ)密度。
一般而言，NAND閃存可分為單電平存儲(chǔ)單元(Single Level Cell, SLC ) 以及多電平存儲(chǔ)單元(multi level cell, MLC),其中，多電平存儲(chǔ)單元至 少可存儲(chǔ)兩位的數(shù)據(jù)(例如"00" 、 "01" 、 "10"或是"11"),因此 多電平存儲(chǔ)單元具有較高的存儲(chǔ)密度。
圖1A-圖1C是顯示傳統(tǒng)上對(duì)多電平存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程時(shí)的臨界電壓
(threshold voltage, Vu，)的分布示意圖，其中，多電平存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)兩 位的數(shù)據(jù)，以及兩位數(shù)據(jù)的最高有效位(most significant bit, MSB)以及 最4氐有效4立(least significant bit, LSB )分別對(duì)應(yīng)于不同的頁(yè)面(page ), 即不同的地址。舉例來(lái)說(shuō)，最低有效位對(duì)應(yīng)于第一頁(yè)面，而最高有效位對(duì)應(yīng) 于第二頁(yè)面，其中，第一頁(yè)面(例如較低頁(yè)面(lower page))在NAND閃存 內(nèi)的地址低于第二頁(yè)面(例如較高頁(yè)面(叩per page))。此外，兩位數(shù)據(jù) 的邏輯狀態(tài)為'11，對(duì)應(yīng)于多電平存儲(chǔ)單元的清除狀態(tài)(erased state)， 以及多電平存儲(chǔ)單元的清除狀態(tài)亦為進(jìn)行編程操作時(shí)的初始狀態(tài)。
圖1A是顯示傳統(tǒng)上對(duì)多電平存儲(chǔ)單元進(jìn)行第一頁(yè)面(即較低頁(yè)面)編 程時(shí)臨界電壓的分布示意圖。在執(zhí)行第一頁(yè)面編程操作之后，多電平存儲(chǔ)單 元所存儲(chǔ)的兩位數(shù)據(jù)可以是邏輯狀態(tài)'11，或是'10'。參考圖1A,箭頭A 是顯示將多電平存儲(chǔ)單元從邏輯狀態(tài)'11，編程為邏輯狀態(tài)'10，，其中，
邏輯狀態(tài)'10，以及'11，分別對(duì)應(yīng)于不同的臨界電壓范圍。接著，可繼續(xù)
5對(duì)其他相鄰位線(bit line, BL )的多電平存儲(chǔ)單元執(zhí)行第 一頁(yè)面的編程操 作。圖1B是顯示傳統(tǒng)上對(duì)圖1A所述的多電平存儲(chǔ)單元進(jìn)行第二頁(yè)面(較高 頁(yè)面)編程時(shí)的臨界電壓分布。如圖1B所顯示，在執(zhí)行第二頁(yè)面編程操作之 后，多電平存儲(chǔ)單元所存儲(chǔ)的兩位數(shù)據(jù)可以是邏輯狀態(tài)'11， 、 '01， 、 '10， 或是'00，。參考圖1B，箭頭B是顯示將多電平存儲(chǔ)單元從邏輯狀態(tài)'11， 編程為邏輯狀態(tài)'01，，而箭頭C是顯示將多電平存儲(chǔ)單元從邏輯狀態(tài)'10， 編程為邏輯狀態(tài)'00，。接著，可繼續(xù)對(duì)其他相鄰位線的多電平存儲(chǔ)單元執(zhí) 行第二頁(yè)面的編程操作。圖IC是顯示圖IB中多電平存儲(chǔ)單元受到耦合效應(yīng) (co叩ling effect)影響所產(chǎn)生的臨界電壓的偏移示意圖。如圖IC所顯示， 當(dāng)兩位數(shù)據(jù)為邏輯狀態(tài)'01，與'00，時(shí)，多電平存儲(chǔ)單元容易受到其它相 鄰多電平存儲(chǔ)單元的第二頁(yè)面的編程#:作以及浮動(dòng)4冊(cè)極(floating gate, FG ) 的耦合效應(yīng)的干擾而導(dǎo)致實(shí)際臨界電壓范圍與理想臨界電壓范圍具有位移 V,",i的誤差存在。此外，當(dāng)兩位數(shù)據(jù)為邏輯狀態(tài)'10，時(shí)，多電平存儲(chǔ)單元 容易受到其它相鄰多電平存儲(chǔ)單元的第一頁(yè)面與第二頁(yè)面的編程操作以及浮 動(dòng)?xùn)艠O的耦合效應(yīng)的干擾而導(dǎo)致實(shí)際臨界電壓范圍與理想臨界電壓范圍具有 位移V。^t2的誤差存在。當(dāng)臨界電壓的位移量越大，執(zhí)行編程所需要的臨界電 壓范圍(介于最大臨界電壓V^以及最小臨界電壓V^之間)也會(huì)跟著增加。 因此，需要一種存儲(chǔ)器編程方法能降低臨界電壓的誤差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器編程方法，適用于具有多個(gè)多電平存儲(chǔ)器單元的 一與非閃存。上述存儲(chǔ)器編程方法包括執(zhí)行一第一編程操作，將上述多電 平存儲(chǔ)器單元從一初始狀態(tài)編程至一第一目標(biāo)狀態(tài)，其中，上述第一目標(biāo)狀 態(tài)對(duì)應(yīng)于一第一存儲(chǔ)數(shù)據(jù)并且具有一第一臨界電壓范圍，其中，上述第一臨 界電壓范圍介于一第一電壓以及一第二電壓之間，以及上述第二電壓大于上 述第一電壓；在上述與非閃存設(shè)定一標(biāo)記位為一第一狀態(tài)以指示對(duì)應(yīng)的上述 多電平存儲(chǔ)器單元已執(zhí)行上述第一編程操作；執(zhí)行一第二編程操作，將上述 多電平存儲(chǔ)器單元從上述第一目標(biāo)狀態(tài)編程至一第二目標(biāo)狀態(tài)，其中，上述 第二目標(biāo)狀態(tài)對(duì)應(yīng)于上述第一存儲(chǔ)數(shù)據(jù)并且具有一第二臨界電壓范圍，其中，
上述第二臨界電壓范圍介于上述第二電壓以及一第三電壓之間，以及上述第 三電壓大于上述第二電壓；以及設(shè)定上述標(biāo)記位為一第二狀態(tài)以指示對(duì)應(yīng)的上述多電平存儲(chǔ)器單元已執(zhí)行上述第二編程操作。
再者，本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)存取方法，適用于具有多個(gè)多電平存儲(chǔ)器單
元的一與非閃存。上述數(shù)據(jù)存取方法包括執(zhí)行一第一編程操作，將上述多
電平存儲(chǔ)器單元從一初始狀態(tài)編程至一第一目標(biāo)狀態(tài)，其中，上述第一目標(biāo) 狀態(tài)對(duì)應(yīng)于一兩位數(shù)據(jù)的一第一邏輯狀態(tài)并且具有一第一臨界電壓范圍，其 中，上述第一臨界電壓范圍介于一第一電壓以及一第二電壓之間，以及上述
第二電壓大于上述第一電壓；在上述與非閃存設(shè)定一標(biāo)記位為一第一狀態(tài)以 指示對(duì)應(yīng)的上述多電平存儲(chǔ)器單元已執(zhí)行上述第一編程操作；執(zhí)行一第二編 程操作，將上述多電平存儲(chǔ)器單元從上述第一目標(biāo)狀態(tài)編程至一第二目標(biāo)狀 態(tài)，其中，上述第二目標(biāo)狀態(tài)對(duì)應(yīng)于上述第一邏輯狀態(tài)并且具有一第二臨界 電壓范圍，其中，上述第二臨界電壓范圍介于上述第二電壓以及一第三電壓 之間，以及上述第三電壓大于上述第二電壓；設(shè)定上述標(biāo)記位為一第二狀態(tài) 以指示對(duì)應(yīng)的上述多電平存儲(chǔ)器單元已執(zhí)行上述第二編程操作；執(zhí)行一讀取 操作以獲得上述多電平存儲(chǔ)器單元的一讀取臨界電壓；以及根據(jù)上述讀取臨 界電壓以及上述標(biāo)記位判斷存儲(chǔ)在上述多電平存儲(chǔ)器單元的一兩位數(shù)據(jù)的邏 輯狀態(tài)。


圖1A是顯示傳統(tǒng)上對(duì)多電平存儲(chǔ)單元進(jìn)行第一頁(yè)面編程時(shí)臨界電壓的 分布示意圖1B是顯示對(duì)圖1A所述的多電平存儲(chǔ)單元進(jìn)行第二頁(yè)面編程時(shí)的臨界 電壓分布；
圖1C是顯示圖1B中多電平存儲(chǔ)單元受到耦合效應(yīng)影響所產(chǎn)生的臨界電 壓的偏移示意圖2A是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述對(duì)多電平存儲(chǔ)單元進(jìn)行第一頁(yè)面 編程時(shí)臨界電壓的分布示意圖2B是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述對(duì)多電平存儲(chǔ)單元進(jìn)行第二頁(yè)面編 程時(shí)臨界電壓的分布示意圖、C是顯示圖M中多電平存儲(chǔ)單元受到耦合效應(yīng)影響所產(chǎn)生的臨界電 壓的偏移示意圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述的存儲(chǔ)器編程方法；以及圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述的讀取方法。
附圖符號(hào)說(shuō)明
300、 400 -方法
S310-S340、 S410-S430 -步驟
Vi-V廣電壓
V,-最大臨界電壓
Ln 最小臨界電壓
Voffseu、Voffset廣位移 Vth 臨界電壓。
具體實(shí)施例方式
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉 出較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。
實(shí)施例
圖2A是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述對(duì)多電平存儲(chǔ)單元進(jìn)行第一頁(yè)面 (即較低頁(yè)面)編程時(shí)臨界電壓的分布示意圖。在執(zhí)行第一頁(yè)面編程操作之
后，多電平存儲(chǔ)單元所存儲(chǔ)的兩位數(shù)據(jù)可以是邏輯狀態(tài)'ir或是'io，。
相較于傳統(tǒng)邏輯狀態(tài)'10，的臨界電壓范圍(如圖1A所顯示，臨界電壓范圍 分布于電壓V,以及電壓V3之間)，圖2A中邏輯狀態(tài)'10，的臨界電壓范圍 是分布于電壓V,以及電壓V2之間，并且具有較寬的臨界電壓范圍。此外，還 輯狀態(tài)'11，的臨界電壓范圍是分布于最小臨界電壓V^以及電壓V,之間， 即小于電壓V,。接著，在完成第一頁(yè)面的編程操作之后，將對(duì)應(yīng)于該多電平 存儲(chǔ)單元的標(biāo)記位(flag bit)設(shè)定為高邏輯電平(即'1，)。在NAND閃 存內(nèi)，標(biāo)記位為存儲(chǔ)器數(shù)組的附屬數(shù)據(jù)或注記數(shù)據(jù)。接著，可繼續(xù)對(duì)其他相 鄰的多電平存儲(chǔ)單元執(zhí)行第一頁(yè)面的編程操作。
圖2B是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述對(duì)多電平存儲(chǔ)單元進(jìn)行第二頁(yè)面(即 較高頁(yè)面)編程時(shí)臨界電壓的分布示意圖。在執(zhí)行第二頁(yè)面的編程操作之后， 多電平存儲(chǔ)單元所存儲(chǔ)的兩位數(shù)據(jù)可以是邏輯狀態(tài)'11， 、 '01， 、 '10， 或是'00'。如圖2B中箭頭E所顯示，在執(zhí)行第二頁(yè)面編程操作之后，邏輯 狀態(tài)'10'的臨界電壓范圍會(huì)由分布于電壓V,以及電壓V,之間被編程為分布 于電壓V2以及電壓V3之間，其中，電壓V,〈電壓V,電壓V3。此外，箭頭F是
8顯示將多電平存儲(chǔ)單元從邏輯狀態(tài)'ir編程為邏輯狀態(tài)'or ，而箭頭g 是顯示將多電平存儲(chǔ)單元從邏輯狀態(tài)'io，編程為邏輯狀態(tài)'oo，。其中， 邏輯狀態(tài)'or的臨界電壓范圍是分布于電壓v，以及電壓V2之間，而邏輯狀 態(tài)'oo，的臨界電壓范圍是分布于電壓V3以及最大臨界電壓v,之間，即大 于電壓v3。接著，在完成第二頁(yè)面的編程操作之后，將對(duì)應(yīng)于該多電平存儲(chǔ) 單元的標(biāo)記位設(shè)定為低邏輯電平(即'o，)。接著，可繼續(xù)對(duì)其他相鄰的多 電平存儲(chǔ)單元執(zhí)行第二頁(yè)面的編程操作。
圖2C是顯示圖2B中多電平存儲(chǔ)單元受到耦合效應(yīng)影響所產(chǎn)生的臨界電 壓的偏移示意圖。當(dāng)兩位數(shù)據(jù)為邏輯狀態(tài)'10，時(shí)，由于執(zhí)行第二頁(yè)面編程 操作(如圖2B的箭頭e所顯示)，使得該多電平存儲(chǔ)單元不會(huì)受到先前其它 相鄰多電平存儲(chǔ)單元的第一頁(yè)面的編程搡作的干擾而產(chǎn)生臨界電壓位移。因 此，由圖2C可知，當(dāng)兩位數(shù)據(jù)為邏輯狀態(tài)'01， 、 '10，與'00，時(shí)，多電 平存儲(chǔ)單元容易受到其它相鄰多電平存儲(chǔ)單元的第二頁(yè)面的編程操作以及浮 動(dòng)?xùn)艠O的耦合效應(yīng)的干擾而導(dǎo)致實(shí)際臨界電壓范圍與理想臨界電壓范圍具有 位移v,,「tol的誤差存在。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，兩位數(shù)據(jù)被編程為邏輯狀態(tài)'10， 的臨界電壓位移v。^t,小于傳統(tǒng)的臨界電壓位移v。rfset2 (如圖1C所顯示)。本 發(fā)明實(shí)施例具有較小的臨界電壓位移量，因此能準(zhǔn)確控制各邏輯狀態(tài)的臨界 電壓范圍并提高可靠度。
此外，在圖2A中，執(zhí)行第一頁(yè)面的編程操作可將兩位數(shù)據(jù)的最低有效位 存儲(chǔ)至多電平存儲(chǔ)單元內(nèi)。在圖M中，執(zhí)行第二頁(yè)面的編程操作可將兩位數(shù) 據(jù)的最高有效位存儲(chǔ)至多電平存儲(chǔ)單元內(nèi)。因此，存儲(chǔ)在多電平存儲(chǔ)單元的 兩位數(shù)據(jù)是分別屬于不同位置(頁(yè)面)的數(shù)據(jù)。
另一方面，在執(zhí)行第一頁(yè)面或是第二頁(yè)面的編程操作之后，可對(duì)多電平 存儲(chǔ)單元執(zhí)行讀取操作以獲得多電平存儲(chǔ)器單元的讀取臨界電壓，并根據(jù)所 獲得的讀取臨界電壓判斷存儲(chǔ)在多電平存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。參考圖2C，當(dāng)讀取 臨界電壓小于電壓v,時(shí)，存儲(chǔ)在多電平存儲(chǔ)器單元內(nèi)的兩位數(shù)據(jù)為邏輯狀態(tài)
'ir 。當(dāng)讀取臨界電壓介于電壓v,以及電壓V3之間時(shí)，存儲(chǔ)在多電平存儲(chǔ) 器單元內(nèi)的兩位數(shù)據(jù)為邏輯狀態(tài)'10，。此外，當(dāng)讀取臨界電壓大于電壓v3 時(shí)，存儲(chǔ)在多電平存儲(chǔ)器單元內(nèi)的兩位數(shù)據(jù)為邏輯狀態(tài)'00，。值得注意的 是，當(dāng)讀取臨界電壓介于電壓v,以及電壓v,之間時(shí)，可根據(jù)標(biāo)記位來(lái)判斷兩位數(shù)據(jù)為邏輯狀態(tài)'io，或是'or 。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)讀取臨界電壓介于電壓 v，以及電壓V2之間且標(biāo)記位為高邏輯電平時(shí)，存儲(chǔ)在多電平存儲(chǔ)器單元內(nèi)的 兩位數(shù)據(jù)為邏輯狀態(tài)'10，，如圖2A所示。反之，當(dāng)讀取臨界電壓介于電壓 V,以及電壓V2之間且標(biāo)記位為低邏輯電平時(shí)，存儲(chǔ)在多電平存儲(chǔ)器單元內(nèi)的 兩位數(shù)據(jù)為邏輯狀態(tài)'01，，如圖2B所示。
圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述的存儲(chǔ)器編程方法300，其中存儲(chǔ) 器編程方法300適用于具有多個(gè)多電平存儲(chǔ)器單元的與非閃存。首先，在步 驟S310,執(zhí)行第一編程操作以將多電平存儲(chǔ)器單元從初始狀態(tài)(即清除狀態(tài)) 編程至第一目標(biāo)狀態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，如圖2A的箭頭D所顯示，初始狀態(tài)為邏輯 狀態(tài)'11，，而第一目標(biāo)狀態(tài)為邏輯狀態(tài)'10，，其中第一目標(biāo)狀態(tài)的臨界 電壓范圍分布在電壓V,以及電壓Vz之間。接著，在步驟S320,將標(biāo)記位設(shè)定 為第一狀態(tài)(例如高邏輯電平)以指示對(duì)應(yīng)的多電平存儲(chǔ)器單元已執(zhí)行第一 編程搡作。接著，在步驟S330,執(zhí)行第二編程操作以將該多電平存儲(chǔ)器單元 從第一目標(biāo)狀態(tài)編程至第二目標(biāo)狀態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，如圖2B的箭頭E所顯示， 第一目標(biāo)狀態(tài)(如虛線范圍所顯示)的臨界電壓范圍分布在電壓V,以及電壓 V2之間，而第二目標(biāo)狀態(tài)的臨界電壓范圍分布在電壓V2以及電壓V3之間，其 中第一 目標(biāo)狀態(tài)以及第二目標(biāo)狀態(tài)皆對(duì)應(yīng)于相同的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，即邏輯狀態(tài)為 '10，的兩位數(shù)據(jù)。之后，在步驟S340,將標(biāo)記位設(shè)定為第二狀態(tài)(例如低 邏輯電平)以指示對(duì)應(yīng)的多電平存儲(chǔ)器單元已執(zhí)行第二編程操作。如先前所 描述，第一編程操作以及第二編程操作分別對(duì)應(yīng)于不同的地址(頁(yè)面)。
圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明 一 實(shí)施例所述的讀取方法4 00。首先，在步驟S410 ， 執(zhí)行讀取操作以獲得多電平存儲(chǔ)器單元的讀取臨界電壓。接著，在步驟S420, 讀取對(duì)應(yīng)于多電平存儲(chǔ)器單元的標(biāo)記位，其中，標(biāo)記位指示該多電平存儲(chǔ)器 單元是否已執(zhí)行圖3中步驟S330的第二編程操作。接著，在步驟S430，根 據(jù)所獲得的讀取臨界電壓以及標(biāo)記位而判斷該多電平存儲(chǔ)器單元的兩位數(shù)據(jù) 的邏輯狀態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，參考圖2C，當(dāng)讀取臨界電壓大于電壓V3時(shí)，存儲(chǔ)在 多電平存儲(chǔ)器單元內(nèi)的兩位數(shù)據(jù)為邏輯狀態(tài)'00，。另外，參考圖2A,當(dāng)讀 取臨界電壓介于電壓v,以及電壓V2之間且標(biāo)記位為高邏輯電平時(shí)，存儲(chǔ)在多
10電平存儲(chǔ)器單元內(nèi)的兩位數(shù)據(jù)為邏輯狀態(tài)'10，。
本發(fā)明雖以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任 何熟習(xí)此項(xiàng)技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動(dòng)與 潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視本發(fā)明的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種存儲(chǔ)器編程方法，適用于具有多個(gè)多電平存儲(chǔ)器單元的一與非閃存，包括執(zhí)行一第一編程操作，將上述多電平存儲(chǔ)器單元從一初始狀態(tài)編程至一第一目標(biāo)狀態(tài)，其中，上述第一目標(biāo)狀態(tài)對(duì)應(yīng)于一第一存儲(chǔ)數(shù)據(jù)并且具有一第一臨界電壓范圍，其中，上述第一臨界電壓范圍介于一第一電壓以及一第二電壓之間，以及上述第二電壓大于上述第一電壓；在上述與非閃存設(shè)定一標(biāo)記位為一第一狀態(tài)以指示對(duì)應(yīng)的上述多電平存儲(chǔ)器單元已執(zhí)行上述第一編程操作；執(zhí)行一第二編程操作，將上述多電平存儲(chǔ)器單元從上述第一目標(biāo)狀態(tài)編程至一第二目標(biāo)狀態(tài)，其中，上述第二目標(biāo)狀態(tài)對(duì)應(yīng)于上述第一存儲(chǔ)數(shù)據(jù)并且具有一第二臨界電壓范圍，其中，上述第二臨界電壓范圍介于上述第二電壓以及一第三電壓之間，以及上述第三電壓大于上述第二電壓；以及設(shè)定上述標(biāo)記位為一第二狀態(tài)以指示對(duì)應(yīng)的上述多電平存儲(chǔ)器單元已執(zhí)行上述第二編程操作。
2. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器編程方法，其中，執(zhí)行上述第二編程操作 還包括將上述多電平存儲(chǔ)器單元從上述第二目標(biāo)狀態(tài)編程至一第三目標(biāo)狀 態(tài)，其中，上述第三目標(biāo)狀態(tài)對(duì)應(yīng)于一第二存儲(chǔ)數(shù)據(jù)并且具有一第三臨界電 壓范圍，以及上述第三臨界電壓范圍介于上述第三電壓以及一最大臨界電壓 之間，其中，上述最大臨界電壓大于上述第三電壓。
3. 如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器編程方法，其中，執(zhí)行上述第二編程操作 還包括將上述多電平存儲(chǔ)器單元從上述初始狀態(tài)編程至一第四目標(biāo)狀態(tài)，其 中，上述第四目標(biāo)狀態(tài)對(duì)應(yīng)于一第三存儲(chǔ)數(shù)據(jù)并且具有一第四臨界電壓范圍， 以及上述第四臨界電壓范圍介于上述第一電壓以及上述第二電壓之間。
4. 如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器編程方法，其中，上述初始狀態(tài)對(duì)應(yīng)于一 第四存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并且具有一第五臨界電壓范圍，其中，上述第一、第二、第三與第四存儲(chǔ)數(shù)據(jù)分別是邏輯狀態(tài)為'10， 、 '00， 、 '01，與'11，的一 兩位數(shù)據(jù)，以及上述第五臨界電壓范圍介于一最小臨界電壓以及上述第一電 壓之間，其中，上述第一電壓大于上述最小臨界電壓。
5. 如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器編程方法，其中，上述第一編程操作用于將上述兩位數(shù)據(jù)的一最低有效位存儲(chǔ)至上述多電平存儲(chǔ)器單元內(nèi)，其中'上 述最低有效位對(duì)應(yīng)于上述多電平存儲(chǔ)器單元的一第一位置。
6. 如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器編程方法，其中，上述第二編程操作用于將上述兩位數(shù)據(jù)的一最高有效位存儲(chǔ)至上述多電平存儲(chǔ)器單元內(nèi)，其中，上 述最高有效位對(duì)應(yīng)于上述多電平存儲(chǔ)器單元的一第二位置，以及上述第一位 置以及上述第二位置分別位于上述多電平存儲(chǔ)器單元的不同頁(yè)面。
7. —種數(shù)據(jù)存取方法，適用于具有多個(gè)多電平存儲(chǔ)器單元的一與非閃存， 包括執(zhí)行一第一編程操作，將上述多電平存儲(chǔ)器單元從一初始狀態(tài)編程至一 第一目標(biāo)狀態(tài)，其中，上述第一目標(biāo)狀態(tài)對(duì)應(yīng)于一兩位數(shù)據(jù)的一第一邏輯狀 態(tài)并且具有一第一臨界電壓范圍，其中，上述第一臨界電壓范圍介于一第一 電壓以及一第二電壓之間，以及上述第二電壓大于上述第一電壓；在上述與非閃存設(shè)定一標(biāo)記位為一第一狀態(tài)以指示對(duì)應(yīng)的上述多電平存 儲(chǔ)器單元已執(zhí)行上述第 一編程操作；執(zhí)行一 第二編程操作，將上述多電平存儲(chǔ)器單元從上述第一目標(biāo)狀態(tài)編 程至一第二目標(biāo)狀態(tài)，其中，上述第二目標(biāo)狀態(tài)對(duì)應(yīng)于上述第一邏輯狀態(tài)并 且具有一第二臨界電壓范圍，其中，上述第二臨界電壓范圍介于上述第二電 壓以及一第三電壓之間，以及上述第三電壓大于上述第二電壓；設(shè)定上述標(biāo)記位為一第二狀態(tài)以指示對(duì)應(yīng)的上述多電平存儲(chǔ)器單元已執(zhí) 行上述第二編程操作；執(zhí)行一讀取操作以獲得上述多電平存儲(chǔ)器單元的一讀取臨界電壓；以及元的 一 兩位數(shù)據(jù)的邏輯狀態(tài)。
8. 如權(quán)利要求7所述的數(shù)據(jù)存取方法，其中，執(zhí)行上述第二編程搡作還 包括將上述多電平存儲(chǔ)器單元從上述第二目標(biāo)狀態(tài)編程至一第三目標(biāo)狀態(tài)， 其中，上述第三目標(biāo)狀態(tài)對(duì)應(yīng)于一第二邏輯狀態(tài)并且具有一第三臨界電壓范 圍，以及上述第三臨界電壓范圍介于上述第三電壓以及一最大臨界電壓之間， 其中，上述最大臨界電壓大于上述第三電壓。
9. 如權(quán)利要求8所述的數(shù)據(jù)存取方法，其中，執(zhí)行上述第二編程操作還 包括將上述多電平存儲(chǔ)器單元從上述初始狀態(tài)編程至一第四目標(biāo)狀態(tài)，其中， 上述第四目標(biāo)狀態(tài)對(duì)應(yīng)于 一 第三邏輯狀態(tài)并且具有 一 第四臨界電壓范圍，以及上迷第四臨界電壓范圍介于上述第一電壓以及上述第二電壓之間。
10. 如權(quán)利要求9所述的數(shù)據(jù)存取方法，其中，上述初始狀態(tài)對(duì)應(yīng)于一第 四邏輯狀態(tài)并且具有一第五臨界電壓范圍，其中，上述第一、第二、第三與第四邏輯狀態(tài)分別為'10， 、 '00， 、 '01，與'11，，以及上述第五臨界 電壓范圍介于一最小臨界電壓以及上述第一電壓之間，其中，上述第一電壓 大于上述最小臨界電壓。
11. 如權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)存取方法，其中，上述第一編程操作用于 將上述兩位數(shù)據(jù)的一最低有效位存儲(chǔ)至上述多電平存儲(chǔ)器單元內(nèi)，其中，上 述最低有效位對(duì)應(yīng)于上述多電平存儲(chǔ)器單元的一第一位置。
12. 如權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)存取方法，其中，上述第二編程操作用于 將上述兩位數(shù)據(jù)的一最高有效位存儲(chǔ)至上述多電平存儲(chǔ)器單元內(nèi)，其中，上 述最高有效位對(duì)應(yīng)于上述多電平存儲(chǔ)器單元的一第二位置，以及上述第一位 置以及上述第二位置分別位于上述多電平存儲(chǔ)器單元的不同頁(yè)面。
13. 如權(quán)利要求IO所述的數(shù)據(jù)存取方法，還包括當(dāng)上述讀取臨界電壓小 于上述第一電壓時(shí)，判斷上述兩位數(shù)據(jù)的邏輯狀態(tài)為'11，。
14. 如權(quán)利要求IO所述的數(shù)據(jù)存取方法，還包括當(dāng)上述讀取臨界電壓介 于上述第二電壓以及上述第三電壓之間時(shí)，判斷上述兩位數(shù)據(jù)的邏輯狀態(tài)為'10，。
15. 如權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)存取方法，還包括當(dāng)上述讀取臨界電壓大 于上述第三電壓時(shí)，判斷上述兩位數(shù)據(jù)的邏輯狀態(tài)為'00，。
16. 如權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)存取方法，還包括當(dāng)上述讀取臨界電壓介 于上述第一電壓以及上述第二電壓之間且上述標(biāo)記位為上述第一狀態(tài)時(shí)，判 斷上述兩位數(shù)據(jù)的邏輯狀態(tài)為'10，，以及當(dāng)上述讀取臨界電壓介于上述第 一電壓以及上述第二電壓之間且上述標(biāo)記位為上述第二狀態(tài)時(shí)，判斷上述兩位數(shù)據(jù)的邏輯狀態(tài)為'or 。
全文摘要
一種存儲(chǔ)器編程方法，適用于具有多個(gè)多電平存儲(chǔ)器單元的與非閃存。存儲(chǔ)器編程方法包括執(zhí)行第一編程操作以將多電平存儲(chǔ)器單元從初始狀態(tài)編程至第一目標(biāo)狀態(tài)；設(shè)定標(biāo)記位為第一狀態(tài)以指示對(duì)應(yīng)的多電平存儲(chǔ)器單元已執(zhí)行第一編程操作；執(zhí)行第二編程操作以將多電平存儲(chǔ)器單元從第一目標(biāo)狀態(tài)編程至第二目標(biāo)狀態(tài)；以及設(shè)定標(biāo)記位為第二狀態(tài)以指示對(duì)應(yīng)的多電平存儲(chǔ)器單元已執(zhí)行第二編程操作。第一目標(biāo)狀態(tài)對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)數(shù)據(jù)并且具有第一臨界電壓范圍，而第二目標(biāo)狀態(tài)對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)數(shù)據(jù)并且具有第二臨界電壓范圍。
文檔編號(hào)G11C16/10GK101499318SQ200810009298
公開(kāi)日2009年8月5日 申請(qǐng)日期2008年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月3日
發(fā)明者中山武志, 曾德彰, 杜君毅, 荒川秀貴 申請(qǐng)人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司