專利名稱：制造磁記錄頭的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造磁記錄頭的方法，該方法通過形成由熱塑性樹 脂制成并且其中形成有磁記錄頭的主磁極形狀的孔的抗蝕劑層，熱烘烤 該抗蝕劑層以暫時(shí)使該抗蝕劑層流動(dòng)化(fluid),并隨后使用構(gòu)成主磁極的材料填充該抗蝕劑層中的該孔，來形成磁記錄頭的主磁極。
技術(shù)背景專利文獻(xiàn)1公開了一種制造磁記錄頭的傳統(tǒng)方法。在圖5A到圖5F 中示意性地示出了專利文獻(xiàn)1中公開的制造用于垂直磁記錄的磁記錄頭 的傳統(tǒng)方法中的步驟。圖5A到5F是當(dāng)從磁記錄頭的氣承(air bearing) 表面?zhèn)瓤磿r(shí)，在制造期間磁記錄頭的主磁極的前端的周邊部分的剖面圖。圖5A示出了其中已淀積了絕緣層26、已在絕緣層26的表面上淀積 了粘合層12、并已隨后淀積了揮發(fā)性金屬(volatile metal)層11的狀態(tài)。 設(shè)置粘合層12以使揮發(fā)性金屬層11緊密地粘附到絕緣層26的表面。粘 合層12是通過濺射或汽相淀積由Ti、 Ta、 Cr、 Nb等形成的。使用Ru (釕)作為用于形成揮發(fā)性金屬層11的材料。揮發(fā)性金屬 層11是通過濺射或汽相淀積由釕金屬形成的。使用揮發(fā)性金屬層11作 為電鍍晶禾中層(plating seed layer)。圖5B示出了其中已在揮發(fā)性金屬層11的表面上形成了抗蝕劑層30 的狀態(tài)。工件的表面涂敷有抗蝕劑，并且根據(jù)其中要形成主磁極的圖案 對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光和顯影，以形成具有主磁極形狀的孔的凹部30a。將凹 部30a形成為使得與主磁極的前端相對(duì)應(yīng)的部分的橫截面被成形為倒梯 形。在凹部30a的內(nèi)底面曝露出由釕制成的揮發(fā)性金屬層11。在形成抗蝕劑層30后，對(duì)抗蝕劑進(jìn)行親水性處理。圖5C示出了其 中對(duì)抗蝕劑進(jìn)行02等離子體處理作為親水性處理的狀態(tài)。當(dāng)對(duì)抗蝕劑進(jìn)行02等離子體處理時(shí)，抗蝕劑層30的表面從疏水性變?yōu)橛H水性，并且在形成有凹部30a的部分，在凹部30a的底面曝露的 揮發(fā)性金屬層11的釕被氧化變成RuO4。該RuO4被蒸發(fā)并附著在凹部30a 的內(nèi)表面30b作為揮發(fā)物(volatile) lla。在對(duì)抗蝕劑層30進(jìn)行親水性處理后，使用揮發(fā)性金屬層11作為電 鍍晶種層進(jìn)行電鍍，以在凹部30a的內(nèi)部構(gòu)成磁膜(高飽和磁通量密度 膜)32。圖5D示出了其中通過電鍍形成了磁膜32的狀態(tài)。圖5E示出了在形成磁膜32之后去除了抗蝕劑層30的狀態(tài)。可以通 過化學(xué)溶解(chemical dissolution)來去除該抗蝕劑圖案30。當(dāng)去除了抗 蝕劑圖案30時(shí)，與抗蝕劑圖案30 —起去除了附著在凹部30a的內(nèi)表面 30b上的揮發(fā)物(Ru04)。在去除抗蝕劑圖案30之后，進(jìn)行離子銑，以去除在絕緣層26被曝 露到表面的位置處的揮發(fā)性金屬層11和粘合層12。圖5F示出了其中已 去除了揮發(fā)性金屬層11和粘合層12 二者的不必要部分并且已在絕緣層 26上形成了由磁膜32構(gòu)成的主磁極(前端10a)的狀態(tài)。盡管專利文獻(xiàn)1中沒有公開，但是隨后通過銑削(milling)來修整 磁膜32的外表面，整個(gè)磁膜32覆蓋有氧化鋁層，并且將氧化鋁層和磁 膜的上表面研磨平滑以完成主磁極。在用于垂直磁記錄的磁記錄頭中，主磁極的前端10a的橫截面被成 形為倒梯形，以防止所謂的"側(cè)軌擦除"。即，如果曝露到氣承表面的主 磁極的前端10a的端面沒有被成形為倒梯形而是矩形，則根據(jù)相對(duì)于磁 盤(磁記錄介質(zhì))上的軌道方向的傾斜角度，存在側(cè)軌在主磁極的前端 的端面的角部處被擦除的情況(該現(xiàn)象被稱為"側(cè)軌擦除")。而且，盡管在專利文獻(xiàn)1中沒有公幵，但是存在使用對(duì)抗蝕劑進(jìn)行 熱烘烤的技術(shù)來使上述抗蝕劑圖案32中的磁膜32(其成為主磁極的前端 10a)的橫截面形狀成為如圖5F中示出的倒梯形的情況?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D 6A到6D描述該處理。首先，如圖6A和6B中所示，對(duì)由熱塑性材料(熱塑性樹脂)制成 的光致抗蝕劑層30進(jìn)行曝光并顯影，以形成以主磁極的形狀切出的凹部30a (這與圖5B的處理相對(duì)應(yīng))。接下來，通過加熱正在制造的磁記錄頭對(duì)抗蝕劑層30進(jìn)行熱烘烤 (烘烤處理)。通過這樣做，由熱塑性材料(熱塑性樹脂)制成的抗蝕劑 層30變得流動(dòng)化，并且由于表面張力，橫截面形狀變?yōu)閳A形，如圖6C 中所示，并且凹部30a的內(nèi)表面30b變?yōu)殄F形，以從底部朝向開口逐漸 變寬。此后，如圖6D中所示，通過使用揮發(fā)性金屬層11作為饋電層(power feed layer)進(jìn)行電鍍來填充凹部30a，以形成構(gòu)成主磁極的磁膜32。通過這樣做，可以使主磁極的前端10a的橫截面形狀大致為倒梯形。 專利文獻(xiàn)1日本特開專利公報(bào)No. 2006-322054(參見圖2和第0012到0019段)。 發(fā)明內(nèi)容在其中通過熱烘烤抗蝕劑層30而將抗蝕劑層30的與主磁極的前端 相對(duì)應(yīng)的部分(即，凹部30a)形成為倒梯形的傳統(tǒng)方法，當(dāng)在烘烤處理 期間對(duì)抗蝕劑層30進(jìn)行加熱以使抗蝕劑層30流動(dòng)化時(shí)，抗蝕劑層30的 形狀也會(huì)變形。即，當(dāng)使抗蝕劑層30流動(dòng)化時(shí)，抗蝕劑層30中的主磁 極形狀的孔(即，凹部30a)的角部也變形為圓形，結(jié)果，通過填充該孔 而形成的主磁極的形狀也會(huì)變形。因此，如圖6D中所示，主磁極的前端10a (磁膜32)的兩個(gè)側(cè)面 10b沒有形成為直線(straight),而是變?yōu)閳A形。由于如上所述對(duì)主磁極 進(jìn)行修整處理，所以存在這樣的問題主磁極的前端10a的芯(core)寬 度和兩個(gè)側(cè)面的角度在修整后變得不穩(wěn)定(即，波動(dòng))。而且，如圖7所示(其中，沿層壓方向從上方觀察主磁極)，作為主 磁極10的前端10a和軛部10c之間的邊界的頸部10d也變形為圓形，并 且在主磁極的頸部高度(即，前端10a的長(zhǎng)度，或換句話說，從頸部10d 到氣承表面的距離)方面存在波動(dòng)，導(dǎo)致記錄性能的不穩(wěn)定。提出本發(fā)明以解決上述問題，并且本發(fā)明的目的在于提供一種制造 磁記錄頭的方法，該方法能夠形成主磁極而沒有變形，因此可以穩(wěn)定地形成主磁極，而在前端的芯寬度和兩個(gè)側(cè)面的角度方面沒有波動(dòng)，或者 在主磁極的頸部高度方面沒有波動(dòng)。為實(shí)現(xiàn)所述目的，根據(jù)本發(fā)明的制造磁記錄頭的方法包括抗蝕劑 圖案形成步驟，用于形成抗蝕劑層，該抗蝕劑層由熱塑性材料形成并且 其中以磁記錄頭的主磁極的形狀形成有孔；硬化處理步驟，用于使抗蝕 劑層的表面硬化；烘烤步驟，用于在硬化處理步驟之后對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行 熱烘烤，以暫時(shí)使抗蝕劑層流動(dòng)化；以及主磁極形成步驟，用于通過使 用主磁極的材料填充抗蝕劑層中的孔來形成主磁極。通過這樣做，由于抗蝕劑層的表面被硬化，所以在烘烤處理期間僅 除了所述表面以外的抗蝕劑層的中間變得流動(dòng)化，使得與傳統(tǒng)方法相比， 抗蝕劑層的角部的形狀變得難以變形，從而可以抑制主磁極的形狀的變 形。結(jié)果，由于可以將主磁極的前端的橫截面的兩個(gè)側(cè)面形成為線性表 面，所以可以穩(wěn)定地形成主磁極的前端，而在芯寬度和兩個(gè)側(cè)面的角度 方面存在很小波動(dòng)。由于還可以抑制頸部的形狀的變形，所以可以穩(wěn)定 地形成主磁極，而在頸部高度方面存在很小波動(dòng)。此外，硬化處理步驟可以通過使用等離子體照射抗蝕劑層來使抗蝕 劑層的表面硬化。在等離子體照射期間的氣壓可以在0.5到50帕斯卡的范圍內(nèi)，包括 0.5和50帕斯卡。此外，等離子體的偏壓功率可以在5到50W的范圍內(nèi)，包括5和 50W。通過這樣做，可以有利地使抗蝕劑層的表面硬化。硬化處理步驟可以通過使用uv線照射抗蝕劑層來使抗蝕劑層的表面硬化。通過這樣做，可以有利地使抗蝕劑層的表面硬化。根據(jù)本發(fā)明的制造磁記錄頭的方法，通過使得可以形成主磁極而沒 有變形，可以形成主磁極的前端而在芯寬度和兩個(gè)側(cè)面的角度方面具有 很小波動(dòng)，并且可以形成主磁極而在頸部高度方面具有很小波動(dòng)。因此， 可以制造具有穩(wěn)定記錄性能的磁記錄頭。


圖1是示出用于垂直磁記錄的薄膜磁頭的構(gòu)造的剖面圖； 圖2A到21是示出在根據(jù)本發(fā)明的制造磁記錄頭的方法形成主磁極 時(shí)的處理的圖；圖3A到3H是在制造過程中抗蝕劑層和主磁極的SEM圖像，其中 圖3A到3D是在根據(jù)制造磁記錄頭的傳統(tǒng)方法的制造過程中的圖像；而 圖3E到3H是在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的制造磁記錄頭的方法的制造過程 中的圖像；圖4A到4D是抗蝕劑層的SEM圖像，其中已經(jīng)根據(jù)本發(fā)明的制造 磁記錄頭的方法，使用與在硬化處理工藝期間的等離子體照射處理不同 的條件執(zhí)行了直到烘烤處理的處理；圖5A到5F是用于說明根據(jù)制造磁記錄頭的傳統(tǒng)方法形成主磁極的 處理的圖；圖6A到6D是用于說明根據(jù)制造磁記錄頭的另一傳統(tǒng)方法(該方法 包括烘烤處理)形成主磁極的處理的圖；以及圖7是用于說明通過制造磁記錄頭的傳統(tǒng)方法形成的主磁極的形狀 的圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)將描述根據(jù)本發(fā)明的制造磁記錄頭的方法的優(yōu)選實(shí)施方式。 圖1是示出用于垂直磁記錄的薄膜磁頭的構(gòu)造的剖面圖。 該薄膜磁頭包括作為磁記錄頭的主磁極10、尾屏蔽(trailing shield)13、旁軛(returnyoke) 14、以及記錄線圈16，以及作為磁再現(xiàn)頭的MR元件20、上屏蔽22、和下屏蔽24。由氧化鋁制成的絕緣層26設(shè)置在上屏蔽22和主磁極10之間。由氧化鋁等制成的絕緣層還設(shè)置在主磁極10和記錄線圈16之間、記錄線圈16和旁軛14之間，以及MR元件20與上屏蔽22和下屏蔽24之間。 通過在Al203-TiC基板上連續(xù)層壓多個(gè)膜(例如屏蔽層22、 24、 MR元件20、主磁極10、記錄線圈16和旁軛14)，并且將這些膜構(gòu)圖為預(yù)定圖案來形成薄膜磁頭。在用于垂直磁記錄的磁記錄頭中，主磁極10的面向磁介質(zhì)的前端 10a的端面被形成為倒梯形的形狀，使得磁再現(xiàn)頭側(cè)窄而旁軛側(cè)寬。圖2A到21是用于說明形成磁記錄頭的主磁極10的處理的圖。在這 些圖中，從磁頭的端面?zhèn)扔^察圖1中標(biāo)記為"A"的部分。注意到，圖2中示出的電鍍晶種層15與在背景技術(shù)部分中描述的圖 5A到5F中的揮發(fā)性金屬層11相對(duì)應(yīng)。注意，對(duì)于本發(fā)明，電鍍晶種層 15不必由揮發(fā)性金屬層形成。因?yàn)殡婂兙ХN層15下面的各層的構(gòu)造和制 造方法與圖5A中示出的絕緣層26和粘合層12的相同，所以省略對(duì)其的 描述?？刮g劑圖案形成處理如圖2A、 2B中所示，由熱塑性樹脂(即，熱塑性材料)制成的抗 蝕劑層30形成在電鍍晶種層15的表面上。更具體地說，工件的表面涂 敷有光致抗蝕劑，并且根據(jù)用于形成主磁極的圖案對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光并 隨后進(jìn)行顯影(即，執(zhí)行光刻)，以形成與主磁極的形狀相對(duì)應(yīng)的凹部30a。硬化處理接下來，執(zhí)行使抗蝕劑層30的表面硬化的硬化處理。 在本實(shí)施方式的硬化處理中，使用等離子體照射抗蝕劑層30，以使 抗蝕劑層30的表面30c硬化(參見圖2C)?？梢允褂?2或CF4作為用于等離子體照射的氣體。另選的是，可以使用惰性氣體，例如N2、 Ar、 Ne或Xe。作為示例，可以通過電容耦合、 頻率激勵(lì)電容耦合、ICP (電感耦合等離子體)、ECR (電子回旋諧振)、 RIE、磁激勵(lì)電容耦合或任意方法來產(chǎn)生等離子體。等離子照射期間的氣壓應(yīng)當(dāng)優(yōu)選地在0.5到50帕斯卡的范圍內(nèi)，溫 度在18到4CTC的范圍內(nèi)，并且偏壓功率在5到50W的范圍內(nèi)。通過使用02等離子體進(jìn)行試驗(yàn)，本發(fā)明人確認(rèn)如果氣壓和/或偏壓 功率超過上面給出的范圍，則尤其是抗蝕劑層30的上表面將被氧自由基 (oxygen radical)硬化，并且抗蝕劑層30的凹部30a的內(nèi)表面30b與上表面相比將難以硬化。另一方面，本發(fā)明人還確認(rèn)通過將氣壓和偏壓功率抑制到上面給出的范圍，抗蝕劑層30的上表面和凹部30a的內(nèi)表面 30b可以被相對(duì)均勻地硬化。注意，在硬化處理期間，可以使用能夠使抗蝕劑層30的表面硬化的 手段，并且本發(fā)明不特別限于等離子體照射。例如，除了等離子體照射以外，可以通過使用UV線照射抗蝕劑層 30來使抗蝕劑層30的表面硬化。在這種情況，所發(fā)射的UV線的波長(zhǎng)應(yīng) 當(dāng)優(yōu)選地被設(shè)置在193到436nm的范圍內(nèi)。烘烤處理在硬化處理后，進(jìn)行烘烤處理，其中對(duì)抗蝕劑層30進(jìn)行熱烘烤以使 抗蝕劑層30暫時(shí)流動(dòng)化。在該烘烤處理中，通過對(duì)正在制造的磁記錄頭進(jìn)行加熱來熱烘烤抗 蝕劑層30。通過這樣做，由熱塑性材料(這里，熱塑性樹脂)制成的抗 蝕劑層30的中心變得流動(dòng)化，但是已經(jīng)被硬化的抗蝕劑層30的表面30c 不變得流動(dòng)化。結(jié)果，如圖2D中所示，凹部30a的內(nèi)表面30b變?yōu)殄F形， 以從底部朝向凹部30a的開口逐漸變寬，而保持它們的形狀為平坦表面 (即，在剖面上保持線性)。即，可以防止在現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的變形為圓 形。注意，在烘烤處理期間抗蝕劑層30的加熱溫度將取決于抗蝕劑層 30的材料，但是應(yīng)當(dāng)優(yōu)選地設(shè)置在大約12(TC到16(TC的范圍內(nèi)。 主磁極形成處理接下來，通過使用主磁極的材料填充抗蝕劑層30中的凹部30a(即， 孔)形成主磁極。更具體地說，使用電鍍晶種層15作為饋電層來執(zhí)行電鍍，以在凹部 30a的內(nèi)部構(gòu)造磁膜(高飽和磁通量密度膜)32。圖2E示出了已經(jīng)通過 電鍍形成了磁膜32的狀態(tài)。接下來，如圖2F所示去除抗蝕劑層30，去除電鍍晶種層15以曝露 出絕緣層26，并且如圖2G中所示，通過銑削來修整磁膜32的外表面。 整個(gè)磁膜32然后被覆蓋有氧化鋁層34，如圖2H中所示，并且如圖21中所示，將氧化鋁層和磁膜32的上表面研磨得平滑，以完成主磁極。圖3A到3H是沿層壓方向從上方觀察的在制造過程中的抗蝕劑層30 和主磁極10的SEM圖像，其中圖3A到3D是在根據(jù)傳統(tǒng)的制造磁記錄 頭的方法的制造過程中的圖像，而圖3E到3H是在根據(jù)按照本實(shí)施方式 進(jìn)行制造的方法的制造過程中的圖像。注意，在圖3A到3H的示例中，使用化學(xué)放大(chemically-amplified) 抗蝕劑作為抗蝕劑層30。以153。C的加熱溫度執(zhí)行烘烤處理180秒鐘。通過傳統(tǒng)的方法，如圖3B中所示，可以看到，抗蝕劑層30的凹部 30a的內(nèi)表面30b由于烘烤處理而變圓。內(nèi)表面還變得從底部朝向開口較 寬地開口，使得它們甚至更加變形和變圓。此后，執(zhí)行02等離子體照射作為親水性處理(參見圖3C)。作為親 水性處理執(zhí)行的02等離子體照射以100帕斯卡的氣壓、100W的偏壓功 率和25'C的溫度執(zhí)行二十秒鐘。接下來，執(zhí)行電鍍以形成主磁極IO (參見圖3D)。另一方面，通過根據(jù)本實(shí)施方式的制造磁記錄頭的方法，在執(zhí)行烘 烤處理之前，首先執(zhí)行硬化處理(參見圖3F)。作為該硬化處理執(zhí)行的 02等離子體處理以20帕斯卡的氣壓、10W的偏壓功率以及25。C的溫度 執(zhí)行20秒鐘。接下來，在烘烤處理期間，由于抗蝕劑層30的表面已經(jīng) 被硬化，所以如圖3G和圖2D中所示，凹部30a的內(nèi)表面30b變?yōu)殄F形， 以從底部朝向開口逐漸變寬，同時(shí)保持它們的形狀為平坦表面(即，在 剖面上保持線性)。即，可以防止在傳統(tǒng)技術(shù)中出現(xiàn)的變形為圓形。此后，通過電鍍來形成主磁極IO (參見圖3H)?？梢钥吹?，在通過根據(jù)本實(shí)施方式的制造磁記錄頭的方法形成的主 磁極10中，與通過傳統(tǒng)方法形成的主磁極10 (參見圖3D)相比，頸部 10d變形較小，并且具有更尖銳(sharper)的形狀(參見圖3H)。即，利 用根據(jù)本實(shí)施方式的制造磁記錄頭的方法，由于可以抑制主磁極的形狀 的變形，所以可以穩(wěn)定地以很小的波動(dòng)形成主磁極的頸部高度。而且，以相同方式，將凹部30a的內(nèi)表面30b形成為錐形，以從底部朝向開口逐漸變寬，同時(shí)保持它們的形狀為平坦表面(即，在剖面上保持線性)(參見圖3G和圖2D)。因此，可以避免如傳統(tǒng)技術(shù)那樣主磁 極10 (磁膜32)的前端10a的兩個(gè)側(cè)面10b變形為圓形，并且前端10a 的兩個(gè)側(cè)面10b可以形成為平坦表面(即，在剖面上為線性)。這意味著 當(dāng)執(zhí)行上述修整處理時(shí)，在執(zhí)行修整處理之后在前端10a的芯寬度和側(cè) 面10b的角度方面存在很小的波動(dòng)。注意，專利文獻(xiàn)1公開了對(duì)抗蝕劑圖案執(zhí)行02等離子體處理(參見 專利文獻(xiàn)1的第0015段)。然而，由于在專利文獻(xiàn)1中僅作為用于電鍍 的親水形處理來執(zhí)行02等離子體處理，所以在用于形成主磁極的抗蝕劑 層的一部分的剖面已被形成為倒梯形(參見專利文獻(xiàn)l的第0014段)的 狀態(tài)下，剛好在主磁極的電鍍處理之前執(zhí)行該02等離子體處理(參見專 利文獻(xiàn)1的第0017段)。即，在傳統(tǒng)方法中，在抗蝕劑層的與主磁極的 前端相對(duì)應(yīng)的部分的剖面形狀已經(jīng)被形成為倒梯形的狀態(tài)下，剛好在主 磁極的電鍍處理之前執(zhí)行02等離子體處理(即，02等離子體處理在烘烤 處理之后執(zhí)行)。另一方面，本發(fā)明執(zhí)行硬化處理，例如02等離子體處理，其目的在 于在其中抗蝕劑層被形成為倒梯形的烘烤處理之前使抗蝕劑層的表面硬 化。由于目的上的這種差異，處理的順序和等離子體的照射條件與現(xiàn)有 技術(shù)不同。更具體地說，作為親水性處理執(zhí)行的等離子體處理應(yīng)當(dāng)優(yōu)選地通過 至少50帕斯卡的氣壓來執(zhí)行，并且等離子體處理時(shí)間僅需要足夠地長(zhǎng)， 以在執(zhí)行顯影之后電鍍之前去除剩余在圖案中的殘留物。另一方面，以0.5到50帕斯卡的低壓來執(zhí)行被執(zhí)行用來使表面硬化 的等離子體處理，并且等離子體處理時(shí)間由硬化程度和由烘烤處理后的 倒梯形形狀來確定。通過以低壓執(zhí)行該處理，可以使表面硬化到具有窄 芯寬度的抗蝕劑圖案的底部，使得即使在烘烤后也可以保持線性形狀。具體示例圖4A到4D是抗蝕劑層的SEM圖像，已經(jīng)使用與在硬化處理期間 不同的等離子體照射條件對(duì)該抗蝕劑層執(zhí)行了直到烘烤處理的處理。圖4A表示02氣壓被設(shè)置為1帕斯卡、偏壓功率為10W并且等離子 體照射時(shí)間為42秒的情況。以相同的方式，圖4B表示02氣壓被設(shè)置為 1帕斯卡、偏壓功率為20W并且等離子體照射時(shí)間為22秒的情況。圖 4C表示02氣壓被設(shè)置為22帕斯卡、偏壓功率為10W并且等離子體照射 時(shí)間為60秒的情況。圖4D表示02氣壓被設(shè)置為22帕斯卡、偏壓功率 為20W并且等離子體照射時(shí)間為13秒的情況。注意，在每種情況下，在烘烤處理期間的加熱溫度被設(shè)置為157°C， 并且處理時(shí)間被設(shè)置為180秒。而且，在每種情況下，使用化學(xué)放大正抗蝕劑作為抗蝕劑層。如可以從圖4A到4D中看到的，通過根據(jù)本發(fā)明的制造磁記錄頭的 方法，凹部的內(nèi)表面為錐形，以從底部朝向開口逐漸變寬，同時(shí)保持其 形狀為平坦表面(即，在剖面上為線性)并且?guī)缀醪蛔儓A。而且，如通過比較圖4A到4D可以理解的，等離子體處理期間的氣 壓和偏壓功率越高，內(nèi)表面的傾斜角度的變化越大。應(yīng)當(dāng)根據(jù)主磁極的 期望形狀適當(dāng)?shù)卦O(shè)置這些條件。
權(quán)利要求
1、一種制造磁記錄頭的方法，該方法包括抗蝕劑圖案形成步驟，用于形成抗蝕劑層，該抗蝕劑層由熱塑性材料制成，并且其中以磁記錄頭的主磁極的形狀形成有孔；硬化處理步驟，用于使所述抗蝕劑層的表面硬化；烘烤步驟，用于在所述硬化處理步驟之后熱烘烤所述抗蝕劑層，以暫時(shí)使所述抗蝕劑層流動(dòng)化；以及主磁極形成步驟，用于通過使用主磁極的材料填充所述抗蝕劑層中的所述孔，來形成主磁極。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造磁記錄頭的方法，其中，所述硬化處 理步驟通過用等離子體照射所述抗蝕劑層來使所述抗蝕劑層的表面硬 化。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造磁記錄頭的方法，其中，等離子體照 射期間的氣壓在0.5帕斯卡到50帕斯卡的范圍內(nèi)，包括0.5帕斯卡和 50帕斯卡。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造磁記錄頭的方法，其中，所述等離子 體的偏壓功率在5W到50W的范圍內(nèi)，包括5W和50W。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造磁記錄頭的方法，其中，等離子的偏 壓功率在5W到50W的范圍內(nèi)，包括5W和50W。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造磁記錄頭的方法，其中，所述硬化處 理步驟通過使用紫外線照射所述抗蝕劑層來使所述抗蝕劑層的表面硬 化。
全文摘要
本發(fā)明涉及制造磁記錄頭的方法，該方法包括抗蝕劑圖案形成步驟，用于形成抗蝕劑層，該抗蝕劑層由熱塑性樹脂制成，并且其中以磁記錄頭的主磁極的形狀形成有孔；硬化處理步驟，用于使所述抗蝕劑層的表面硬化；烘烤步驟，用于在所述硬化處理步驟之后熱烘烤所述抗蝕劑層，以暫時(shí)使所述抗蝕劑層流動(dòng)化；以及主磁極形成步驟，用于通過使用主磁極的材料填充所述抗蝕劑層中的所述孔，來形成主磁極。
文檔編號(hào)G11B5/127GK101251996SQ20081000943
公開日2008年8月27日 申請(qǐng)日期2008年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月19日
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