專利名稱：一種新型不揮發(fā)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器及其存儲(chǔ)操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種雙端口相變隨機(jī)存儲(chǔ)器及其操作方法。
技術(shù)背景相變存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)單元為采用了相變材料的存儲(chǔ)器件。相變材料是指可以在一般 非晶體和一般晶體狀態(tài)之間電切換的材料，適用于這樣的應(yīng)用的典型材料包括各種硫?qū)僭鼗衔?。通過(guò)在器件上施加一定數(shù)值的持續(xù)電激勵(lì)，相變材料便會(huì)因?yàn)闇囟鹊淖兓?晶體和非晶體的狀態(tài)間轉(zhuǎn)變。如圖1所示，處于晶體和非晶體狀態(tài)下的相變材料具有相當(dāng) 不同的I/V特性，依據(jù)此特性便可以在編程時(shí)將相變材料存儲(chǔ)器的狀態(tài)區(qū)分為"0"和"1"。 我們將處于高阻態(tài)的非晶體狀態(tài)定義為邏輯"o"，將處于低阻狀態(tài)的晶體狀態(tài)定義為邏輯"1"。而且，在沒(méi)有施加過(guò)溫(比如持續(xù)超過(guò)i5or)的情況下，相變材料的物理狀態(tài)不會(huì) 改變。因此在實(shí)際應(yīng)用中，將所編程的值實(shí)際上是與相應(yīng)的物理狀態(tài)一一對(duì)應(yīng)。由于相變 材料物理狀態(tài)的穩(wěn)定性，在掉電后編程的值會(huì)隨穩(wěn)定的物理狀態(tài)一起得到維持，不需要持 續(xù)的刷新。這也是相變材料存儲(chǔ)器的一個(gè)重要優(yōu)勢(shì)。相變材料進(jìn)行物理狀態(tài)轉(zhuǎn)變的規(guī)律如圖2所示。相變材料的相位變化是通過(guò)升高材料 的溫度來(lái)進(jìn)行的。當(dāng)?shù)陀?50'C時(shí)，相變材料的物理狀態(tài)會(huì)保持穩(wěn)定。當(dāng)溫度高于20CTC (圖2中所示的Tx)時(shí)，相變材料會(huì)迅速的發(fā)生晶體化，并在一段時(shí)間后完全的從非晶體 態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榫w態(tài)(圖2中所示的時(shí)間t2)，即完成所謂的相變，實(shí)現(xiàn)從"0"向"1"的變 化。如果要實(shí)現(xiàn)"1"到"0"的變化，即晶體到非晶體的轉(zhuǎn)變，則需要將相變材料加熱到 可以令晶體融化的溫度Tm之上(大概在600'C)，然后迅速冷卻(圖2所示的時(shí)間tl)。以上是基于相變材料基于溫度而產(chǎn)生的相變。具體涉及到電學(xué)操作時(shí)，因?yàn)橄嘧儾牧?總歸具有一定的電阻，通過(guò)加上適當(dāng)?shù)碾娏鞑⒕S持適當(dāng)?shù)臅r(shí)間，通過(guò)形成的焦耳熱便可以完成相位變化。存儲(chǔ)器中，相變材料構(gòu)成的器件通常會(huì)與一個(gè)開(kāi)關(guān)器件一起構(gòu)成一個(gè)基本單元，如附 圖1所示。實(shí)際的電路設(shè)計(jì)中，開(kāi)關(guān)器件可以選擇MOSFET、 二極管或者雙極型晶體管， 附圖3中是以一個(gè)NPN雙極型晶體管為例。通過(guò)在位線WL上施加一定的電壓Vw使雙 極型晶體管010導(dǎo)通，再在字線BL上通上適當(dāng)?shù)膶戨娏鞑⒊掷m(xù)一定的時(shí)間，因?yàn)槌掷m(xù)的 過(guò)溫，相變材料的物理狀態(tài)便會(huì)發(fā)生改變。如果事先獲得了相變材料的物理變化和字線BL3上寫電流的關(guān)系，并規(guī)定兩種物理狀態(tài)為相應(yīng)的"0"和"1"，便可以通過(guò)電流對(duì)存儲(chǔ)器 進(jìn)行編程，這便是所謂的存儲(chǔ)器的寫操作。我們將寫"0"稱為reset,寫"1"稱為set, 兩種操作和溫度的關(guān)系如圖2所示。讀操作時(shí)，同樣是通過(guò)位線WL選中一個(gè)單元，再在字線BL上施加一個(gè)瞬態(tài)的電流 或者電壓脈沖，通過(guò)相變材料器件后，在器件兩端形成一個(gè)對(duì)應(yīng)的壓降或者在字線BL上 形成相應(yīng)的電流。將這個(gè)電壓信號(hào)或者電流信號(hào)送入一個(gè)比較器(因?yàn)樗矐B(tài)激勵(lì)很小，必 要的話可以先經(jīng)過(guò)放大器放大)。而在比較器的另一個(gè)輸入一個(gè)合適的參考電壓，通過(guò)與 來(lái)自存儲(chǔ)器的電壓或者電流進(jìn)行比較，從而判斷讀到的是邏輯電平O還是邏輯電平1，再 將這個(gè)判斷結(jié)果從比較器的輸出端輸出，于是便實(shí)現(xiàn)了讀操作。因?yàn)樽x操作只有一個(gè)很小 的瞬態(tài)電流，所以并不會(huì)改變相變材料存儲(chǔ)器的狀態(tài)。從上述描述我們也可以看出，寫操作時(shí)需要一個(gè)持續(xù)的相對(duì)較大的電流來(lái)形成過(guò)溫以 改變相變材料的物理狀態(tài)，而在讀操作時(shí)為了不對(duì)相變材料的物理狀態(tài)產(chǎn)生影響，同時(shí)基 于靜態(tài)功耗等考慮而采用了瞬態(tài)的小信號(hào)。因?yàn)樗蛹?lì)的區(qū)別以及實(shí)現(xiàn)原理的區(qū)別，以 傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器單元，即1B1R或者1T1R的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的存儲(chǔ)器，要想同時(shí)對(duì)相變材料實(shí) 現(xiàn)讀操作和寫操作是不可能實(shí)現(xiàn)的，讀操作和寫操作的時(shí)間也是存儲(chǔ)器中無(wú)法消除也無(wú)法 重疊的時(shí)間消耗。即使可以通過(guò)工藝手段來(lái)提高器件性能，以實(shí)現(xiàn)讀寫時(shí)間的縮減，但是 隨著工藝瓶頸的出現(xiàn)，繼續(xù)通過(guò)新工藝來(lái)提高存儲(chǔ)速度變得越來(lái)越困難，有所成果也往往 伴隨著高昂的研發(fā)費(fèi)用，而回報(bào)卻相當(dāng)有限。相比之下，通過(guò)新的設(shè)計(jì)思路來(lái)縮減讀寫時(shí) 間會(huì)是更加現(xiàn)實(shí)，至少是更加簡(jiǎn)單的方法。而且我們注意到，相比讀操作來(lái)說(shuō)，寫操作所需要消耗的時(shí)間更加的長(zhǎng)。也就是說(shuō)， 如果能讓寫操作和讀操作并行的話，在進(jìn)行一次寫操作的過(guò)程中，可以實(shí)現(xiàn)復(fù)數(shù)次的讀操 作過(guò)程，從而節(jié)省很大的時(shí)間。如果能尋求一種設(shè)計(jì)方面的解決方案以實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)，對(duì) 節(jié)約整個(gè)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)時(shí)間是相當(dāng)有利的。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提出了一種基于相變材料存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器基本單元構(gòu)架。此構(gòu)架與傳統(tǒng)的一個(gè) 存儲(chǔ)器和一個(gè)與之相應(yīng)的存儲(chǔ)器晶體管的1B1R結(jié)構(gòu)有所不同，采用了 2B1R的結(jié)構(gòu)—— 即一個(gè)存儲(chǔ)器單元中包括一個(gè)相變存儲(chǔ)器和兩個(gè)與之對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器晶體管。以此結(jié)構(gòu)構(gòu)成 相變存儲(chǔ)器陣列，配上合適的外圍電路，可以實(shí)現(xiàn)縮短存儲(chǔ)時(shí)間的功能。本發(fā)明提出了一種基于2B1R結(jié)構(gòu)的嵌入式相變存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方案，包括數(shù)個(gè)2B1R結(jié) 構(gòu)的存儲(chǔ)器單元和相應(yīng)數(shù)目的位線和字線。假設(shè)存儲(chǔ)單元的數(shù)目是nXn，那么與之相應(yīng)的 位線和字線的數(shù)目均是2n。這其中包括n條讀字線、n條寫字線、n條讀位線、n條寫位線，并且在存儲(chǔ)陣列外圍，有與之相應(yīng)的行譯碼器和列譯碼器，分別是行讀操作譯碼器、 行寫操作譯碼器、列讀操作譯碼器、列寫操作譯碼器。本發(fā)明針對(duì)以上嵌入式相變存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了一套用于實(shí)現(xiàn)讀寫操作的方案?？梢?通過(guò)與存儲(chǔ)單元中位于寫字線上的晶體管的b端相連的寫位線選中某個(gè)單元，并通過(guò)寫字 線對(duì)此單元進(jìn)行寫0和寫1的操作。或者通過(guò)與存儲(chǔ)單元中位于讀字線上的晶體管的b端 相連的讀位線選中某個(gè)單元，并通過(guò)讀位線對(duì)此單元進(jìn)行讀操作。本發(fā)明針對(duì)以上嵌入式相變存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了一套操作方式。通過(guò)獨(dú)立的行讀 譯碼器和行寫譯碼器，以及同樣獨(dú)立的列讀譯碼器和列寫譯碼器，可以同時(shí)進(jìn)行讀譯碼和 寫譯碼，并對(duì)不同的存儲(chǔ)器單元同時(shí)進(jìn)行寫和讀的操作。兩種操作可以并行進(jìn)行，不會(huì)互 相影響。


圖1:相變材料在晶體與非晶體狀態(tài)下的I/V特性曲線及對(duì)應(yīng)的邏輯電平。圖2:相變材料隨溫度發(fā)生物理狀態(tài)改變的規(guī)律，即寫操作中set和reset隨溫度變化的關(guān) 系，間接表示了兩種操作與電流的關(guān)系。圖3:傳統(tǒng)的由一個(gè)雙極型晶體管和一個(gè)相變材料存儲(chǔ)器構(gòu)成的存儲(chǔ)器基本單元。圖4:為了實(shí)現(xiàn)讀、寫操作同時(shí)進(jìn)行而改進(jìn)的基本存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，由兩個(gè)雙極型晶體管和一個(gè)相變材料存儲(chǔ)器構(gòu)成，簡(jiǎn)寫為2B1R。圖5:以2B1R基本存儲(chǔ)單元為基礎(chǔ)，設(shè)想的芯片陣列。圖示的陣列為一個(gè)4X4的芯片陣列，同時(shí)加上了行和列的譯碼器以及讀操作中需要用到的比較器和參考電壓。 圖中標(biāo)號(hào)CRYSTALLINE " 1"為處于晶體狀態(tài)的相變的材料的I/V特性曲線，AMORPHOUS "0"為處于非晶體狀態(tài)的相變材料的I/V特性曲線。Vr為一個(gè)給定的讀電壓，具體數(shù)值 根據(jù)實(shí)際情況來(lái)決定。A為reset操作時(shí)相變材料的溫度隨時(shí)間的變化曲線，Tm為此時(shí)的 要求的過(guò)溫。B為set操作時(shí)相變材料的溫度隨時(shí)間變化的曲線，Tx為此時(shí)要求的過(guò)溫。 時(shí)間tl為reset操作中過(guò)溫后急速冷卻的時(shí)間，時(shí)間t2為set操作中整個(gè)過(guò)溫時(shí)間。BL和 Vb分別是位線和加在位線上的操作電壓，WL和Vw分別是字線和加在字線上的操作電壓。 011是一個(gè)相變材料存儲(chǔ)器，010是與之相應(yīng)的存儲(chǔ)晶體管。001是一個(gè)相變存儲(chǔ)器，002 和003是兩個(gè)雙極型晶體管。WWL01和WBL01分別是寫操作的字線和位線，RWL01和 RBL02分別是讀操作的字線和位線。WBL01 WBL04是4條寫位線，RBL01 RBL04是4 條讀位線，WWL01 WWL04是4條寫字線，RWL01 RWL04是4條讀字線。004所示的 是寫操作列譯碼器，WBLIN是其譯碼信號(hào)的輸入；006所示是讀操作列譯碼器，RBLIN是其譯碼信號(hào)的輸入。005所示的是寫操作行譯碼器，WWLIN是其譯碼信號(hào)的輸入；007 所示是讀操作行譯碼器，RWLIN是其譯碼信號(hào)的輸入。009是一個(gè)比較器，008是一個(gè)事 先設(shè)定的生成參考電平的電路。
具體實(shí)施方式
在下文中結(jié)合圖示在參考實(shí)施例中更完全地描述本發(fā)明，本發(fā)明提供優(yōu)選實(shí)施例，但 不應(yīng)該被認(rèn)為僅限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例以便此公開(kāi)是徹底的和完 全的，將本發(fā)明的范圍完全傳遞給相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員。在此參考圖是本發(fā)明的理想化實(shí)施例的示意圖，本發(fā)明所示的實(shí)施例不應(yīng)該被認(rèn)為僅 限于圖中所示的區(qū)域的特定形狀。本發(fā)明涉及一種嵌入式相變存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)在于擁有獨(dú)立的讀、寫譯碼器，從而 可以實(shí)現(xiàn)在對(duì)一個(gè)單元進(jìn)行寫操作的同時(shí)，可以同時(shí)對(duì)另外的單元進(jìn)行讀操作。附圖的1~3已經(jīng)在背景技術(shù)里進(jìn)行了說(shuō)明。圖4是本發(fā)明提出的嵌入式相變存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)單元，即存儲(chǔ)器的關(guān)鍵路徑。如圖 所示，圖4中，OOl是一個(gè)相變存儲(chǔ)器，因?yàn)槠涔ぷ髟硎且晕锢頎顟B(tài)的改變來(lái)實(shí)現(xiàn)電阻 的變化，從而實(shí)現(xiàn)編程上O和1的區(qū)別，所以在這里以一個(gè)變阻器來(lái)表示。002是位于寫 字線上的一個(gè)PNP型雙極型晶體管，這條寫字線標(biāo)號(hào)為WBLOl，連接在002的發(fā)射極上。 從圖中可以看見(jiàn)，標(biāo)號(hào)WWL01的寫位線連到了 002的基極上。003是位于讀字線上的一 個(gè)PNP型雙極型晶體管，這條字線的標(biāo)號(hào)為RBLOl，鏈接在003的發(fā)射極上。從圖中可 以看見(jiàn)，標(biāo)號(hào)RWL01的讀位線連接在003的基極上。然后002和003的集電極均與001 的同一端相連，001的另一端接地。具體操作時(shí)，如果要進(jìn)行寫l操作，則在寫位線WWL01上加一個(gè)相對(duì)的低電壓，比如使之接地。然后在寫字線WBLOl上加一個(gè)合適的高電壓，比如1.5V (具體電路中的電壓值應(yīng)該要根據(jù)電路條件來(lái)選取，即能使相變材料存儲(chǔ)器OOl上形成一個(gè)足以讓其達(dá)到200'C過(guò)溫的電流)，此時(shí)PNP型雙極型晶體管002就會(huì)導(dǎo)通。又因?yàn)橄嘧儾牧洗鎯?chǔ)器OOl的上端是接地的，所以在相變材料OOl上便會(huì)流過(guò)一個(gè)電流。合理控制加在WBL01上的寫電壓，便可以讓這個(gè)電流產(chǎn)生的焦耳熱使相變存儲(chǔ)器OOl達(dá)到20(TC左右的過(guò)溫。根據(jù)相變材料的特性，在此過(guò)溫下維持適當(dāng)?shù)臅r(shí)間，對(duì)相變材料存儲(chǔ)器001寫1的寫操作便可以完成。而如果是要寫O的話，同樣要在在寫位線WWL01上加一個(gè)相對(duì)的低電壓，比如使之接地。然后在寫字線WBL01上加一個(gè)合適的高電壓，比如3V (具體電路中的電壓值應(yīng)該要根據(jù)電路條件來(lái)選取，即能使相變材料存儲(chǔ)器001上形成一個(gè)足以讓其達(dá)到60(TC過(guò)溫的電流)，此時(shí)PNP型雙極型晶體管002就會(huì)導(dǎo)通。又因?yàn)橄嘧儾牧洗鎯?chǔ)器OOl的上端是接地的，所以在相變材料001上便會(huì)流過(guò)一個(gè)電流。合理控制加在WBL01上的寫電壓， 便可以讓這個(gè)電流產(chǎn)生的焦耳熱使相變存儲(chǔ)器001達(dá)到600'C左右的過(guò)溫。根據(jù)相變材料 的特性，在此過(guò)溫下維持適當(dāng)?shù)臅r(shí)間，對(duì)相變材料存儲(chǔ)器OOl寫O的寫操作便可以完成。在進(jìn)行讀操作時(shí)，在讀位線RWL01上加一個(gè)相對(duì)的低電壓，比如接地，然后在讀字 線上加一個(gè)瞬間的小電壓脈沖，此脈沖只要能讓雙極型晶體管003導(dǎo)通一瞬間，能讓OOl 上形成一個(gè)瞬態(tài)電流并流過(guò)003的集電極和發(fā)射極即可。因此脈沖的寬度可以很短，大小 只要能高于雙極型晶體管的開(kāi)啟電壓即可，比如0.7V。然后由此脈沖在003上產(chǎn)生的響應(yīng) 電流便會(huì)流過(guò)讀字線RBLOl，只要將其流入一個(gè)比較器，并和事先預(yù)設(shè)的參考值進(jìn)行比較 便可以得到讀出的數(shù)值是0還是1 了，從而完成讀操作。圖5是本發(fā)明中基于圖4中所描述的相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元所構(gòu)成的嵌入式相變存儲(chǔ) 器。圖中所描述的嵌入式相變存儲(chǔ)器的芯片陣列是一個(gè)4X4的芯片陣列。WBL01 WBL04 是4條寫位線，RBL01-RBL04是4條讀位線，WWL01 WWL04是4條寫字線， RWL01 RWL04是4條讀字線。圖中的行和列譯碼器均包含兩個(gè)獨(dú)立的部分。004所示的 是寫操作列譯碼器，WBLIN是其譯碼信號(hào)的輸入；006所示是讀操作列譯碼器，RBLIN 是其譯碼信號(hào)的輸入。005所示的是寫操作行譯碼器，WWLIN是其譯碼信號(hào)的輸入；007 所示是讀操作行譯碼器，RWLIN是其譯碼信號(hào)的輸入。009是一個(gè)比較器，其"+"端字 讀字線相連。圖5所示的芯片一次一次只能對(duì)一個(gè)相變存儲(chǔ)器單元進(jìn)行讀操作，因此最后 讀到的電流信號(hào)只會(huì)有一個(gè)，所以比較器也只有一個(gè)。比較器的"-"端與一個(gè)事先設(shè)定的 生成參考電平的電路相連，在圖中用008來(lái)表示。通過(guò)將讀到的電流信號(hào)與參考電平進(jìn)行 比較，最后得以在比較器009的輸出端輸出0或者1。具體操作時(shí)，在行和列譯碼器中，讀操作行譯碼器007和寫操作行譯碼器005、讀操作列 譯碼器006和寫操作列譯碼器004，這兩對(duì)譯碼器都是相對(duì)獨(dú)立的——包括獨(dú)立的結(jié)構(gòu)和 獨(dú)立的輸入以及輸出，因此可以互不干擾的工作，并對(duì)本來(lái)就獨(dú)立的讀、寫位線和讀、寫 字線提供經(jīng)過(guò)譯碼器處理的選址信號(hào)和操作信號(hào)。因?yàn)檫@種結(jié)構(gòu)的存在，當(dāng)我們?cè)趯?duì)由相 變存儲(chǔ)器001和雙極型晶體管002、 003構(gòu)成的2B1R基本存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫操作的時(shí)候，此 時(shí)寫操作行譯碼器005和寫操作列譯碼器004都處于被占用的狀態(tài)。但是與之相互獨(dú)立的 讀操作行譯碼器007和讀操作列譯碼器006還處于空閑的狀態(tài)，所以如果此時(shí)有讀操作的 動(dòng)作經(jīng)過(guò)RWLIN和RBLIN輸入進(jìn)行譯碼并要求進(jìn)行讀操作的話，讀操作的譯碼可以順利 進(jìn)行并生成相應(yīng)的選址信號(hào)和讀操作信號(hào)。而如果選擇的需要進(jìn)行讀操作的單元不是由相 變存儲(chǔ)器001和雙極型晶體管002、 003構(gòu)成的2B1R基本存儲(chǔ)單元的時(shí)候(因?yàn)椴豢赡芡?時(shí)對(duì)同一個(gè)相變存儲(chǔ)器進(jìn)行讀和寫操作)，比如是由相變存儲(chǔ)器012和雙極型晶體管013、014構(gòu)成的2B1R基本存儲(chǔ)單元時(shí)，由于寫操作的位線WBL01 WBL04和字線 WWL01 WWL04與讀操作的位線RWL01 RWL04與字線RBL01 RBL04是相互獨(dú)立的， 此時(shí)對(duì)由相變存儲(chǔ)器001和雙極型晶體管002、 003構(gòu)成的2B1R基本存儲(chǔ)單元進(jìn)行的寫操 作雖然占用了寫操作的位線WBL01 WBL04和字線WWL01 WWL04，但是讀操作的位線 RWL01 RWL04與字線RBL01 RBL04仍然是空閑的，所以由讀操作行譯碼器007和讀操 作列譯碼器006生成的選址信號(hào)和操作信號(hào)仍可以通過(guò)空閑的讀操作的位線 RWL01-RWL04與字線RBL01 RBL04選中空閑的相變存儲(chǔ)器單元，比如由相變存儲(chǔ)器012 和雙極型晶體管013、 014構(gòu)成的2B1R基本存儲(chǔ)單元，對(duì)其進(jìn)行讀操作。而且需要注意的 是，由于寫操作需要消耗的時(shí)間比起讀操作來(lái)說(shuō)要長(zhǎng)很多，所以在一次寫操作的過(guò)程中， 可以對(duì)多個(gè)其他的單元進(jìn)行讀操作。所以如果能合理的安排讀寫的順序，此種布局的相變 存儲(chǔ)器便可以起到節(jié)約操作時(shí)間，提高讀寫效率的作用。
權(quán)利要求
1、一種雙端口動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于包括數(shù)條字線，數(shù)條位線，以及數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元位于兩條字線與兩條位線的各個(gè)交叉區(qū)。每個(gè)存儲(chǔ)單元包括一個(gè)相變存儲(chǔ)單元、兩個(gè)選通管、一條寫字線，一條讀字線、一條寫位線、一條讀位線，其中第一選通器件與讀字線與讀位線相連，第二選通器件與寫字線與寫位線相連。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙端口動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于所述的選通器件是雙極 型晶體管。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙端口動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于寫字線與讀字線連向不 同的行譯碼器，寫位線與讀位線連向不同的列譯碼器及多路選擇器。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的雙端口動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，對(duì)其操作方法的特征為在對(duì)雙端 口動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器中某一存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫操作的時(shí)候，可以對(duì)另一存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀操作。
全文摘要
本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種新型雙端口動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器及其存儲(chǔ)操作方法，其特征在于包括數(shù)條字線，數(shù)條位線，以及數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元位于兩條字線與兩條位線的各個(gè)交叉區(qū)。每個(gè)存儲(chǔ)單元包括一個(gè)相變存儲(chǔ)單元、兩個(gè)選通管、一條寫字線，一條讀字線、一條寫位線、一條讀位線，其中第一選通器件與讀字線和讀位線相連，第二選通器件與寫字線和寫位線相連。此種相變存儲(chǔ)器可以起到節(jié)約操作時(shí)間，提高讀寫效率的作用。
文檔編號(hào)G11C16/06GK101329905SQ200810040938
公開(kāi)日2008年12月24日 申請(qǐng)日期2008年7月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月24日
發(fā)明者吳雨欣, 廖高宏, 佶 張, 樂(lè) 徐, 林殷茵, 胡倍源, 薛曉勇 申請(qǐng)人:復(fù)旦大學(xué)