專(zhuān)利名稱(chēng)：光盤(pán)、記錄裝置、讀取裝置、記錄方法及讀取方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含用于臨時(shí)記錄缺陷項(xiàng)的技術(shù)的技術(shù)領(lǐng)域。
技術(shù)背景缺陷項(xiàng)是使缺陷簇的位置與用于代替缺陷簇的替換扇區(qū)的位置相關(guān)聯(lián) 的信息。缺陷項(xiàng)的臨時(shí)記錄是這樣一個(gè)過(guò)程，其中在將數(shù)據(jù)記錄到一次寫(xiě)入式 光盤(pán)期間檢測(cè)到缺陷區(qū)時(shí)，將關(guān)于缺陷區(qū)的缺陷項(xiàng)記錄到臨時(shí)區(qū)中。需要 臨時(shí)寫(xiě)入缺陷項(xiàng)的原因如下。在光盤(pán)中，預(yù)先提供稱(chēng)為缺陷管理區(qū)(DMA) 的區(qū)域，用于在其中寫(xiě)入缺陷項(xiàng)。但是，在一次寫(xiě)入式光盤(pán)里，在執(zhí)行結(jié) 束處理之前，不允許將缺陷項(xiàng)寫(xiě)入DMA中。這是因?yàn)橐坏?shù)據(jù)被寫(xiě)入一 次寫(xiě)入式光盤(pán)中，以后就不能重寫(xiě)這些數(shù)據(jù)。也就是說(shuō)， 一旦將關(guān)于缺陷 區(qū)的缺陷項(xiàng)寫(xiě)入DMA，就不能添加或者更新DMA中的數(shù)據(jù)，即使隨后檢 測(cè)到其它缺陷區(qū)。為此，當(dāng)在記錄處理期間檢測(cè)到缺陷區(qū)時(shí)，需要將關(guān)于 缺陷區(qū)的缺陷項(xiàng)寫(xiě)入臨時(shí)缺陷管理區(qū)或者臨時(shí)盤(pán)管理結(jié)構(gòu)(TDMS)中。作為現(xiàn)有技術(shù)，下述文獻(xiàn)公開(kāi)了一種用于寫(xiě)入臨時(shí)缺陷區(qū)列表或者臨 時(shí)缺陷列表(下文中稱(chēng)為T(mén)DFL)的技術(shù)，該臨時(shí)缺陷列表包括多個(gè)關(guān)于缺 陷區(qū)的缺陷項(xiàng)。文獻(xiàn)l:日本專(zhuān)利No. 2671656 (圖3~6)本發(fā)明要解決的問(wèn)題在DMA中設(shè)置多個(gè)缺陷區(qū)列表，使得由缺陷區(qū)列表所表明的缺陷區(qū) 的地址按照遞增順序連續(xù)排列。通過(guò)這種布局，如果以自?xún)?nèi)圓周至外圓周 的順序從光盤(pán)以光學(xué)方式讀取數(shù)據(jù)，則會(huì)按照由缺陷區(qū)列表所表明的缺陷 區(qū)的地址遞增順序?qū)⒍鄠€(gè)缺陷區(qū)列表讀出至存儲(chǔ)器。在假定缺陷區(qū)列表是 按照上述順序排列在存儲(chǔ)器中的情況下，驅(qū)動(dòng)裝置的固件利用所述缺陷區(qū) 列表進(jìn)行處理。由于驅(qū)動(dòng)裝置的固件是用于控制叫做物理層的基本軟件， 所以該固件需要按照上述順序提供缺陷區(qū)列表。記錄在TDMS中的缺陷區(qū)列表與記錄在DMA中的缺陷區(qū)列表具有相 同的屬性，因此，需要按照由缺陷區(qū)列表所表明的缺陷區(qū)的地址的遞增順 序，將所述缺陷區(qū)列表讀出并設(shè)置到存儲(chǔ)器上。否則，固件將不能正常地 處理缺陷區(qū)列表。由于上述原因，記錄在傳統(tǒng)光盤(pán)的TDMS中的缺陷區(qū)列表按照由缺陷 區(qū)列表所表明的缺陷區(qū)的地址遞增順序而順序排列。但是，這種按照缺陷 區(qū)地址遞增順序排列缺陷區(qū)列表的要求破壞了在傳統(tǒng)光盤(pán)中安排缺陷區(qū)列 表的自由。由于缺乏自由，如果在記錄多個(gè)缺陷區(qū)列表的過(guò)程中檢測(cè)到缺 陷簇，就不能離散地記錄多個(gè)缺陷區(qū)列表，而是必須將所有缺陷區(qū)列表重 新記錄在缺陷簇之后的簇中。如上所述，由于所有缺陷區(qū)列表都應(yīng)當(dāng)重新記錄在缺陷簇之后的簇中， 所以分配給TDMS的區(qū)域會(huì)被迅速消耗。圖1示出在寫(xiě)入多個(gè)缺陷區(qū)列表期間檢測(cè)到缺陷簇時(shí)如何進(jìn)行處理。 圖1的第一行表示構(gòu)成TDMS#j的多個(gè)簇。圖中示出多個(gè)臨時(shí)缺陷區(qū)列表。 在構(gòu)成第一行的TDMS的多個(gè)簇中，簇#2是缺陷簇。第二行表明已將 TDFL#1寫(xiě)入簇#1中的狀態(tài)，第三行表明不能將TDFL#2寫(xiě)入簇#2中的狀 態(tài)。根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)，應(yīng)當(dāng)連續(xù)排列TDFU1至TDFL糾。因此，作為重試， 將TDFL#1至TDFL#4以及臨時(shí)盤(pán)定義結(jié)構(gòu)(TDDS)寫(xiě)入簇#3及其后的 簇中。TDDS是表明在TDFIJ1至TDFIJ4中第一TDFL的位置(圖1中 的地址C3)的信息。第四至第七行示出將TDFL#1至TDFL#4以及TDDS 寫(xiě)入簇#3及其后續(xù)簇中的處理。此處，在光盤(pán)上將TDMS分配給稱(chēng)為導(dǎo)入?yún)^(qū)的特定區(qū)。因此，TDFL 的這種傳統(tǒng)設(shè)置存在分配給TDMS的區(qū)域會(huì)被迅速消耗的問(wèn)題，其中TDFL的這種設(shè)置要求在檢測(cè)到缺陷簇時(shí)，應(yīng)當(dāng)將一組缺陷區(qū)列表中的所有缺陷 區(qū)列表均重新記錄在缺陷簇之后的簇中。因此，本發(fā)明的目的是提供一種光盤(pán)，利用它能夠以預(yù)定的順序?qū)⒍鄠€(gè)缺陷區(qū)列表讀取到存儲(chǔ)器，同時(shí)防止臨時(shí)缺陷管理區(qū)(TDMS)被迅速 消耗。發(fā)明內(nèi)容解決問(wèn)題的手段本發(fā)明的上述目的是通過(guò)一種以簇為單位將數(shù)據(jù)記錄在上面的一次寫(xiě) 入式光盤(pán)來(lái)實(shí)現(xiàn)的，這種一次寫(xiě)入式光盤(pán)包括臨時(shí)缺陷管理區(qū)，其中缺陷 區(qū)列表和結(jié)構(gòu)信息記錄在所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)中，所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)有一個(gè)部分，在其中按照以下順序排列所述缺陷區(qū)列表的多個(gè)部分(l)缺 陷區(qū)列表里在初始寫(xiě)入中成功寫(xiě)入的一部分；(2)缺陷區(qū)列表里在重試寫(xiě) 入中成功寫(xiě)入的一部分；以及(3)缺陷區(qū)列表里最后一簇包括所述結(jié)構(gòu)信 息的一部分，其中缺陷區(qū)列表的每一部分都表明所述光盤(pán)中的至少一個(gè)缺 陷區(qū)，以及所述結(jié)構(gòu)信息包括多條位置信息，所述多條位置信息表明每個(gè) 都包括所述缺陷區(qū)列表一部分的多個(gè)簇的簇位置。發(fā)明效果利用本發(fā)明光盤(pán)的上述結(jié)構(gòu)，能夠在它上面寫(xiě)入因?yàn)槿毕葜?lèi)沒(méi)能記 錄在上面的缺陷區(qū)列表，所述最后的缺陷區(qū)列表和所述結(jié)構(gòu)信息。這樣做 能夠防止臨時(shí)缺陷管理區(qū)的快速消耗。這種結(jié)構(gòu)還能夠減少更新臨時(shí)缺陷 管理區(qū)所需要的時(shí)間，提高使用率，降低失敗風(fēng)險(xiǎn)，例如在更新臨時(shí)缺陷 管理區(qū)的過(guò)程中間斷電，更新突然停止時(shí)。


圖1示出在寫(xiě)入一組缺陷區(qū)列表期間檢測(cè)到缺陷簇時(shí)如何進(jìn)行處理。圖2A示出光盤(pán)的整體結(jié)構(gòu)。圖2B示出簇的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖3示出水平延伸狀態(tài)的軌道，盡管實(shí)際上軌道呈螺旋狀形成在光盤(pán)1上。圖4A示出導(dǎo)入?yún)^(qū)2的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。 圖4B示出導(dǎo)出區(qū)4的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。 圖5A示出第一 DMA至第四DMA的通用結(jié)構(gòu)。 圖5B示出DFL的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。 圖5C示出DDS的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。 圖6示出TDMA的結(jié)構(gòu)。 圖7A示出TDFL的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。 圖7B示出TDDS的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。 圖8示出TDFL的離散布局的一個(gè)實(shí)例。 圖9示出記錄/讀取裝置100的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。 圖IO示出缺陷管理信息處理單元13的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。 圖11A至圖11D示出TDMS信息讀取單元22讀取TDMS信息的操作 以及TDMS信息寫(xiě)入單元26寫(xiě)入TDMS信息的操作。圖12A至圖12C示出DMA信息寫(xiě)入單元29寫(xiě)入DMA信息的操作。 圖13是示出DFL讀取處理的程序流程圖。圖14是示出根據(jù)高級(jí)控制裝置200發(fā)出的命令而進(jìn)行的讀取/寫(xiě)入處 理的程序流程圖。圖15是示出寫(xiě)入到TDMS處理的程序流程圖。圖16示出第一實(shí)施例的記錄/讀取裝置100如何寫(xiě)入TDFL。圖17示出在第二實(shí)施例中TDFL的離散排列的實(shí)例。圖18是示出在第二實(shí)施例中寫(xiě)入到TDMS處理的程序流程圖。圖19示出第二實(shí)施例的記敦讀取裝置100寫(xiě)入TDFL的處理。圖20示出在第三實(shí)施例中TDFL的離散排列的實(shí)例。圖21是示出在第三實(shí)施例中寫(xiě)入到TDMS處理的程序流程圖。圖22示出第三實(shí)施例的記錄/讀取裝置100如何寫(xiě)入TDFL。符號(hào)說(shuō)明1 光盤(pán) 2導(dǎo)入?yún)^(qū)3數(shù)據(jù)區(qū)5備用區(qū)7備用區(qū)12指令處理單元14再現(xiàn)控制單元16存儲(chǔ)緩沖器22 TDMS信息讀取單元24缺陷項(xiàng)添加單元26 TDMS信息寫(xiě)入單元28位置信息生成單元100記錄/讀取裝置4 導(dǎo)出區(qū) 6用戶(hù)數(shù)據(jù)區(qū) 11 BD-R驅(qū)動(dòng)器 13缺陷管理信息處理單元 15記錄控制單元 21 DMA信息讀取單元 23控制存儲(chǔ)器 25 TDFL轉(zhuǎn)換單元 27驗(yàn)證單元 29 DMA信息寫(xiě)入單元 200高級(jí)控制裝置具體實(shí)施方式
這里將說(shuō)明本發(fā)明光盤(pán)的實(shí)施例。圖2A示出光盤(pán)的整體結(jié)構(gòu)。光盤(pán)l 是一種使用藍(lán)光的大容量藍(lán)光光盤(pán)(BD-R)，其上有呈螺旋狀形成的大量 軌道。每個(gè)軌道分為多個(gè)簇。圖2B示出簇的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。每個(gè)簇是用于糾錯(cuò)的一組扇區(qū)，也稱(chēng)為糾錯(cuò) 塊。以簇為單位進(jìn)行糾錯(cuò)。因此，將簇用作最小單位進(jìn)行記錄或者再現(xiàn)。 如圖2B所示，每個(gè)簇由32個(gè)扇區(qū)組成，并且每個(gè)簇的大小為64kB。圖3示出水平延伸狀態(tài)的軌道，盡管它們實(shí)際上呈螺旋狀形成在光盤(pán)1 上。圖3的第三行示出水平延伸的軌道，第二行示出在軌道上形成的導(dǎo)入 區(qū)2、數(shù)據(jù)區(qū)3和導(dǎo)出區(qū)4。導(dǎo)入?yún)^(qū)2存儲(chǔ)由裝置査詢(xún)的控制信息，并且導(dǎo)入?yún)^(qū)2作為"輔助區(qū)"， 使得如果光頭在試圖訪(fǎng)問(wèn)數(shù)據(jù)區(qū)3邊緣處的軌道時(shí)超程，則光頭能夠跟隨 軌道。數(shù)據(jù)區(qū)3是光盤(pán)的主要部分。導(dǎo)出區(qū)4存儲(chǔ)由裝置查詢(xún)的控制信息，并且導(dǎo)出區(qū)4作為"輔助區(qū)"， 使得如果光頭在試圖訪(fǎng)問(wèn)數(shù)據(jù)區(qū)3邊緣處的軌道時(shí)超程，則光頭能夠跟隨 軌道。圖3的第一行示出數(shù)據(jù)區(qū)3的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。如第一行中所示，數(shù)據(jù)區(qū)3包括兩個(gè)備用區(qū)5和7，以及一個(gè)用戶(hù)數(shù)據(jù)區(qū)6。用戶(hù)數(shù)據(jù)區(qū)6是用戶(hù)可以將他/她喜歡的信息存儲(chǔ)在其中的區(qū)域，所述 信息包括諸如音樂(lè)或者視頻的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)、文本以及諸如數(shù)據(jù)庫(kù)的計(jì)算機(jī)數(shù) 據(jù)。備用區(qū)5和7是代替在用戶(hù)數(shù)據(jù)區(qū)6中可能檢測(cè)到的缺陷簇而用于記 錄數(shù)據(jù)的替換區(qū)。<導(dǎo)入?yún)^(qū)2的內(nèi)部結(jié)構(gòu)>圖4A示出導(dǎo)入?yún)^(qū)2的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖4A的第二行將導(dǎo)入?yún)^(qū)2作為一個(gè) 整體示出，第一行示出導(dǎo)入?yún)^(qū)2的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。如第一行中所示，導(dǎo)入?yún)^(qū)2 包括第一缺陷管理區(qū)(下文中稱(chēng)為第一 DMA)，第二缺陷管理區(qū)(下文中 稱(chēng)為第二 DMA)以及臨時(shí)缺陷管理區(qū)(下文中稱(chēng)為T(mén)DMA)。第一 DMA 和第二 DMA是用于管理光盤(pán)1中缺陷簇的信息的區(qū)域。<導(dǎo)出區(qū)4的內(nèi)部結(jié)構(gòu)>圖4B示出導(dǎo)出區(qū)4的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖4B的第二行將導(dǎo)出區(qū)4作為一個(gè) 整體示出，第一行示出導(dǎo)出區(qū)4的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。如第一行中所示，導(dǎo)出區(qū)4 包括第三缺陷管理區(qū)(下文中稱(chēng)為第三DMA)和第四缺陷管理區(qū)(下文中 稱(chēng)為第四DMA)。第三DMA和第四DMA是用于管理光盤(pán)1中缺陷簇的信 息的區(qū)域。第一 DMA至第四DMA分別排列在預(yù)定位置且其大小是可變的，其大 小隨缺陷簇的數(shù)量而改變。如圖5A所示，第一DMA至第四DMA具有通用結(jié)構(gòu)。每個(gè)DMA包 括盤(pán)定義結(jié)構(gòu)(下文中稱(chēng)為DDS)以及缺陷區(qū)列表或缺陷列表(下文中稱(chēng) 為DFL)。將它們安排成在DDS后面有DFL。<DFL的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)>圖5B示出DFL的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。DFL包括缺陷列表頭部和缺陷項(xiàng)#1至缺陷項(xiàng)^M，其中所包含的缺陷 項(xiàng)的數(shù)量范圍是從O至M。缺陷列表頭部包含諸如DFL中所包括的缺陷項(xiàng)的數(shù)量這種信息。 缺陷項(xiàng)#1至弁M中的每個(gè)缺陷項(xiàng)包括"缺陷簇起始位置信息"和"替 換簇位置信息"，其中缺陷簇起始位置信息示出在訪(fǎng)問(wèn)用戶(hù)數(shù)據(jù)區(qū)6期間檢 測(cè)到的缺陷簇的起始位置，替換簇位置信息示出備用區(qū)5或7中用于代替 缺陷簇的簇的位置。<DDS的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)〉圖5C示出DDS的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。DDS包括"DFL起始位置信息(DFL 指針)"和"其它信息"，其中DFL起始位置信息示出在每個(gè)DMA的一個(gè) 或者多個(gè)DFL中第一個(gè)DFL的位置。由于DDS表明DFL起始位置，所以 能夠通過(guò)訪(fǎng)問(wèn)DDS來(lái)讀取每個(gè)DMA中的DFL 。第一 DMA至第四DMA除了包含DFL的起始位置信息之外，需要包 含相同的信息。第一DMA至第四DMA中的每個(gè)DMA由32個(gè)簇構(gòu)成， 其中前四個(gè)簇用于DDS，并且在這四個(gè)簇中反復(fù)記錄四個(gè)DDS。接下來(lái)的 28個(gè)簇用于DFL，并且以4個(gè)簇為單位進(jìn)行使用。更詳細(xì)地說(shuō)，首先使用 四個(gè)簇5~8，然后如果這些簇變得不可靠，則使用隨后的四個(gè)簇9 12，以 此類(lèi)推。至此，己經(jīng)說(shuō)明了 DFL和DDS 。<TDMA>這里將說(shuō)明TDMA。 TDMA是用于臨時(shí)記錄在執(zhí)行結(jié)束處理之前生成 的缺陷項(xiàng)的區(qū)域。TDMA是一次寫(xiě)入式光盤(pán)獨(dú)有的，在只讀光盤(pán)(BD-ROM) 或者可重寫(xiě)光盤(pán)(BD-RE)中不提供TOMA。結(jié)束處理是這樣一種處理，即修改一次寫(xiě)入式光盤(pán)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，以使 其與可重寫(xiě)光盤(pán)兼容(在下文中，對(duì)光盤(pán)執(zhí)行結(jié)束處理也稱(chēng)為結(jié)束光盤(pán))。在導(dǎo)入?yún)^(qū)2中設(shè)置TDMA的技術(shù)意義如下。在可重寫(xiě)光盤(pán)的情況下， 可以重寫(xiě)第一 DMA至第四DMA,并且能夠?qū)㈥P(guān)于最新檢測(cè)到的缺陷區(qū)的 缺陷項(xiàng)寫(xiě)入第一DMA至第四DMA中，且在必要時(shí)能夠反復(fù)重寫(xiě)缺陷項(xiàng)。 因此，可以使第一DMA至第四DMA具有關(guān)于最新檢測(cè)到的缺陷區(qū)的信息。但是，在一次寫(xiě)入式光盤(pán)的情況下，僅能一次性地將數(shù)據(jù)記錄到第一 DMA至第四DMA中。因此，對(duì)于一次寫(xiě)入式光盤(pán)，不能使第一DMA至第四DMA具有關(guān)于最新檢測(cè)到的缺陷區(qū)的信息。因此，在一次寫(xiě)入式光 盤(pán)中提供TDMA，以便與可重寫(xiě)光盤(pán)兼容?！碩DMA的內(nèi)部結(jié)構(gòu)〉圖6示出TDMA的結(jié)構(gòu)。圖6的第二行示出TDMA的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。如 第二行中所示，TDMA包括N個(gè)TDMS (TDMS#1 、 TDMS#2、 TDMS#3、… TDMS#N)。 N個(gè)TDMS是用于寫(xiě)入信息(缺陷項(xiàng))的區(qū)域，所述信息是關(guān) 于將數(shù)據(jù)記錄到用戶(hù)數(shù)據(jù)區(qū)期間檢測(cè)到的缺陷區(qū)的信息，從而將關(guān)于第一 次檢測(cè)到的缺陷區(qū)的缺陷項(xiàng)寫(xiě)入第一個(gè)TDMS (TDMS#1)，將關(guān)于第二次 檢測(cè)到的缺陷區(qū)的缺陷項(xiàng)寫(xiě)入第二個(gè)TDMS (TDMS#2)，……將關(guān)于第N 次檢測(cè)到的缺陷區(qū)的缺陷項(xiàng)寫(xiě)入第N個(gè)TDMS (TDMS#N)。缺陷項(xiàng)被寫(xiě)入得越晚，TDMS的編號(hào)越大，并且只有具有最大編號(hào)的 TDMS是有效的(在下文中，有效TDMS也稱(chēng)為最新TDMS)。在訪(fǎng)問(wèn)光 盤(pán)1時(shí)，僅查詢(xún)具有缺陷項(xiàng)的那些TDMS中具有最大編號(hào)的TDMS。在結(jié) 束處理中，僅將寫(xiě)入最新TDMS中的缺陷項(xiàng)寫(xiě)入第一 DMA至第四DMA 中。TDMS具有通用結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，如圖6的第一行所示，每個(gè)TDMS 包括一個(gè)或多個(gè)臨時(shí)缺陷區(qū)列表，或者一個(gè)或多個(gè)臨時(shí)缺陷列表(下文中 稱(chēng)為T(mén)DFL)以及臨時(shí)盤(pán)定義結(jié)構(gòu)(下文中稱(chēng)為T(mén)DDS)。將TDFL和TDDS 排列成在TDFL后面跟隨有TDDS。以簇為單位構(gòu)成TDMS，并且TDMS的大小是可變的，其大小隨缺陷 項(xiàng)的數(shù)量而改變。因此，每個(gè)TDMS由一個(gè)或者多個(gè)簇構(gòu)成。當(dāng)TDMS由 一個(gè)簇構(gòu)成時(shí)，TDFL和TDDS均包含在該簇中。當(dāng)TDMS由多個(gè)簇構(gòu)成 時(shí)，TDFL和TDDS存儲(chǔ)在TDMS末端的簇中，并且僅將TDFL存儲(chǔ)在其 它簇中。<DFL的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)>圖7A示出TDFL的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。TDFL具有與DFL相同的結(jié)構(gòu)。如引導(dǎo)線(xiàn)fl所示，TDFL包括缺陷列 表頭部和缺陷項(xiàng)#1至缺陷項(xiàng)弁M，其中所包括的缺陷項(xiàng)的數(shù)量范圍是從0至M。缺陷列表頭部包含諸如TDFL中所包括的缺陷項(xiàng)的數(shù)量這種信息。 缺陷項(xiàng)#1至弁M中的每個(gè)缺陷項(xiàng)包括"缺陷簇位置信息"和"替換簇 位置信息"，其中缺陷簇位置信息示出在訪(fǎng)問(wèn)用戶(hù)數(shù)據(jù)區(qū)6期間檢測(cè)到的缺 陷簇的位置，替換簇位置信息示出在備用區(qū)5或7中用于代替缺陷簇的簇 的位置。<TDDS的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)>圖7B示出TDDS的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。TDDS是具有固定大小的信息，由一個(gè) 大小為2kB的扇區(qū)構(gòu)成。TDDS的大小與DDS相同。將TDDS分配給構(gòu)成 TDMS最后一個(gè)簇的32個(gè)扇區(qū)中位于預(yù)定位置的扇區(qū)。例如，將TDDS分 配給構(gòu)成TDMS最后一個(gè)簇的32個(gè)扇區(qū)中的最后一個(gè)扇區(qū)。如圖7B所示， TDDS包括示出TDFL起始位置的多條TDFL位置信息(TDFL指針)，還 包括"其它信息"。和DDS的情況一樣，TDDS表明DFL的位置，但是與 DDS相比主要的不同之處在于當(dāng)TDMS包括多個(gè)TDFL時(shí)，TDDS包括 分別示出多個(gè)TDFL的起始位置的多條TDFL位置信息。按照缺陷區(qū)地址 的遞增順序排列多條TDFL位置信息，其中由與多條TDFL位置信息成一 對(duì)一對(duì)應(yīng)關(guān)系的TDFL表明所述缺陷區(qū)。因此，在TDDS中，TDFL#1位 置信息與TDFL#2位置信息相鄰。當(dāng)在一個(gè)TDMS中有四個(gè)TDFL(TDFL#1 至TDFL#4)時(shí)，由TDDS表明四個(gè)TDFL的位置。由于TDDS表明TDFL 的位置，所以能夠在一個(gè)TDMS中離散地排列多個(gè)TDFL。在構(gòu)成一個(gè)TDMS的一組簇包括缺陷簇的情況下，對(duì)于離散地排列 TDFL的需求將更為強(qiáng)烈。<TDFL的離散排列>圖8示出TDFL的離散排列的一個(gè)實(shí)例。圖8的第一行示出構(gòu)成TDMS 的多個(gè)簇(簇#1、簇#2、簇#3、……簇#7)。第二行示出寫(xiě)入這些簇中的四 個(gè)TDFL (TDFU1、 TDFL#2、 TDFL#3禾卩TDFL#4)以及一個(gè)TDDS。圖8所示的TDMS#j由簇#1至簇#7構(gòu)成，其中簇#2是缺陷簇。在圖8 中，將TDFL#1至TDFL#4寫(xiě)入缺陷簇#2之前的簇#1中以及缺陷簇#2之后的簇#3至簇#5中，也就是說(shuō)，將TDFIJ1至TDFI^4寫(xiě)入不連續(xù)的簇中。圖8所示的TDDS包括TDFL#1位置信息(TDFU1:地址Cl)和 TDFL弁2位置信息(TDFL#2:位置C3)，其中TDFL#1位置信息表明地址 Cl作為T(mén)DFIJ1的起始位置，地址C1是缺陷簇之前的簇中的最后一個(gè)簇 (簇#1)的地址，并且TDFL#2位置信息表明地址C3作為T(mén)DFL#2的起始 位置，地址C3是缺陷簇之后的簇(簇#3至簇#5)中的第一個(gè)簇(簇#3) 的地址。圖8所示TDDS的特征在于按照缺陷區(qū)地址的遞增順序排列多 條TDFL位置信息(TDFLW位置信息、TDFL#2位置信息、TDFIJ3位置 信息以及TDFU4位置信息)，所述缺陷區(qū)由對(duì)應(yīng)的TDFL表明；以及在 TDDS中，TDFU1位置信息與TDFU2位置信息相鄰。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，如 果根據(jù)TDDS中的位置信息讀取TDFL，則無(wú)論是否存在缺陷簇，都按照 預(yù)定順序讀取TDFIJ1至TDFL糾，并且可以將其排列在存儲(chǔ)器中。如上所述，本實(shí)施例中的TDDS包括四條TDFL位置信息，它們分別 表明對(duì)應(yīng)的四個(gè)TDFL所寫(xiě)入的簇的起始位置。由此能夠離散地排列 TDFL#1和TDFL#2至TDFL#4。為此，將TDFL#2至TDFIJ4記錄在TDMS 中緊接在缺陷簇#2之后的簇#3至簇#5中，而根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)，TDFL#2至 TDFL#4要以TDFL#1為開(kāi)始記錄在TDMS中缺陷簇#2之后的一串簇中。利用這種由TDDS表明分別記錄有TDFL#1至TDFL#4的簇的位置(地 址C1、 C3、 C4和C5)的結(jié)構(gòu)，即使離散地排列TDFU1至TDFU4，也 可以在再現(xiàn)期間，僅僅通過(guò)根據(jù)由TDDS所表明的位置來(lái)訪(fǎng)問(wèn)TDMS中的 簇，按照預(yù)定順序?qū)DFL順序地讀取到再現(xiàn)裝置中的存儲(chǔ)器上。當(dāng)然，盡管在本實(shí)施例中TDMS中的第二個(gè)簇是缺陷簇，但這僅僅是 為了方便而提供的一個(gè)實(shí)例情況，第二個(gè)簇沒(méi)有任何必要有缺陷，并且可 以有任意數(shù)量的缺陷簇。從上述說(shuō)明可以明顯地看出，在第一實(shí)施例的光盤(pán)1中，多條TDFL 位置f言息按照缺陷項(xiàng)的遞增順序存儲(chǔ)在TDDS中，并且TDFL可以記錄在 除缺陷區(qū)之外的離散區(qū)中，從而可以有效地使用具有限定大小的TDMA。<DFL位置信息與TDFL位置信息間的對(duì)比>DFL記錄在光盤(pán)1上的多個(gè)離散區(qū)(第一DMA至第四DMA)中。多條DFL位置信息按照由缺陷項(xiàng)表明的缺陷區(qū)的地址遞增順序，分別存儲(chǔ)在 光盤(pán)1上預(yù)定位置處的區(qū)域中(一條DFL位置信息存儲(chǔ)在位于第一DMA 至第四DMA中每個(gè)DMA起始位置的DDS中)。TDFL記錄在光盤(pán)1上的多個(gè)離散區(qū)域(圖8所示的缺陷簇之前以及之 后的區(qū)域)中。多條TDFL位置信息按照由缺陷項(xiàng)表明的缺陷區(qū)的地址遞 增順序，存儲(chǔ)在光盤(pán)1上預(yù)定位置處的區(qū)域中(多條TDFL位置信息存儲(chǔ) 在緊接在TDMS中未記錄區(qū)域之前的TDDS中)?？梢哉f(shuō)DFL記錄方法和TDFL記錄方法具有如下共同點(diǎn)表明缺陷項(xiàng) 位置的位置信息記錄在預(yù)定區(qū)域中。因此，無(wú)論缺陷項(xiàng)是否包含在DFL還 是TDFL中，再現(xiàn)裝置都可以按照通用程序使用DFL以及TDFL，即，通 過(guò)從光盤(pán)1上的預(yù)定區(qū)域(位于第一 DMA至第四DMA中每個(gè)DMA起始 位置的DDS，或者在TDMS中緊接未記錄區(qū)域之前的TDDS)中讀取多條 位置信息，以及按照其所在順序的多條位置信息讀取缺陷項(xiàng)。如上所述，本實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了利用TDFL的控制程序，該控制程序與利 用DFL的控制程序兼容。由此，可以在再現(xiàn)裝置中實(shí)施這種利用TDFL的 控制程序，而無(wú)需強(qiáng)制再現(xiàn)裝置使用復(fù)雜的軟件進(jìn)行控制。因而，本實(shí)施 例的TDFL位置信息產(chǎn)生了良好的有益效果，即實(shí)5見(jiàn)了與利用DFL的程序 的兼容，并且簡(jiǎn)化了再現(xiàn)裝置中的控制軟件。這樣就完成了對(duì)本發(fā)明的光盤(pán)的實(shí)施例的說(shuō)明。<記錄/讀取裝置100>從現(xiàn)在開(kāi)始將說(shuō)明本發(fā)明中記錄/讀取裝置的實(shí)施例。圖9所示的記錄 /讀取裝置100是一種兼具本發(fā)明記錄裝置功能和讀取裝置功能的裝置。下 面將針對(duì)記錄/讀取裝置100進(jìn)行說(shuō)明。在圖9中，記錄/讀取裝置100經(jīng)由I/O總線(xiàn)與高級(jí)(high-order)控制 裝置2O0連接。典型情況下，這種高級(jí)控制裝置200為主計(jì)算機(jī)。根據(jù)高 級(jí)控制裝置200發(fā)出的命令，執(zhí)行從光盤(pán)1讀取數(shù)據(jù)或者向光盤(pán)1寫(xiě)入數(shù) 據(jù)的操作。在該寫(xiě)入操作中，在執(zhí)行結(jié)束處理之前，不在DMA中記錄數(shù) 據(jù)，而是將關(guān)于在記錄期間檢測(cè)到的一個(gè)或多個(gè)缺陷簇的信息寫(xiě)入TDMS 中。在圖9中，記錄/讀取裝置100包括驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11、指令處理單元12、缺 陷管理信息處理單元13、再現(xiàn)控制單元14、記錄控制單元15以及存儲(chǔ)緩 沖器16。驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11載入/彈出光盤(pán)1，以光學(xué)方式從光盤(pán)1讀取光盤(pán)1的內(nèi)容， 以及以光學(xué)方式將數(shù)據(jù)寫(xiě)到光盤(pán)1上。指令處理單元12根據(jù)高級(jí)控制裝置200發(fā)出的命令，從光盤(pán)1中讀取 用戶(hù)數(shù)據(jù)或者向光盤(pán)1寫(xiě)入用戶(hù)數(shù)據(jù)。缺陷管理信息處理單元13利用缺陷項(xiàng)訪(fǎng)問(wèn)光盤(pán)1，并且更新TDMS。在這里要指出，"利用缺陷項(xiàng)訪(fǎng)問(wèn)光盤(pán)l"是指如果由高級(jí)控制裝置 200發(fā)送的命令所指定的讀取或?qū)懭肽康牡厥侨毕蓓?xiàng)中所表明的缺陷簇，則 訪(fǎng)問(wèn)替換簇而不是缺陷簇。并且，如果在指令處理單元12訪(fǎng)問(wèn)光盤(pán)1的用 戶(hù)數(shù)據(jù)區(qū)期間新檢測(cè)到缺陷區(qū)，則重新生成關(guān)于新檢測(cè)到的缺陷區(qū)的缺陷 項(xiàng)。還要指出，"更新TDMS"是指在記錄數(shù)據(jù)過(guò)程中，將關(guān)于新檢測(cè)到 的缺陷區(qū)的缺陷項(xiàng)添加到最新TDMS中的TDFL中，并且將添加了關(guān)于新 檢測(cè)到的缺陷區(qū)的缺陷項(xiàng)的TDFL寫(xiě)入下一 TDMS中。根據(jù)指令處理單元12或者缺陷管理信息處理單元13發(fā)出的指令，再 現(xiàn)控制單元14控制驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11從光盤(pán)1上的期望簇中讀取數(shù)據(jù)。根據(jù)指令處理單元12或者缺陷管理信息處理單元13發(fā)出的指令，記 錄控制單元15控制驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)1上的期望簇中。存儲(chǔ)緩沖器16是用于臨時(shí)存儲(chǔ)從DMA讀取的信息(DMA信息)以 及從TDMS讀取的信息(TDMS信息)的緩沖器。至此，已經(jīng)說(shuō)明了記錄/讀取裝置ioo的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。<缺陷管理信息處理單元13的內(nèi)部結(jié)構(gòu)>這里將詳細(xì)說(shuō)明缺陷管理信息處理單元13的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖IO示出缺 陷管理信息處理單元13的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。在圖10中，缺陷管理信息處理單元 13包括DMA信息讀取單元21、 TDMS信息讀取單元22、控制存儲(chǔ)器23、 缺陷項(xiàng)添加單元24、 TDFL轉(zhuǎn)換單元25、 TDMS信息寫(xiě)入單元26、檢驗(yàn)單 元27、位置信息生成單元28以及DMA信息寫(xiě)入單元29?！碊MA信息讀取單元2PDMA信息讀取單元21確定第一 DMA至第四DMA中的正常DMA, 并且將正常DMA的內(nèi)容讀取到控制存儲(chǔ)器23。在這里要指出，如果能夠 正常再現(xiàn)第一 DMA至第四DMA, DMA信息讀取單元21就認(rèn)為這是"在 結(jié)束處理之后"，如果不能從第一DMA至第四DMA中正常讀取數(shù)據(jù)，就 認(rèn)為這是"在結(jié)束處理之前"，因?yàn)槠渲袥](méi)有記錄任何數(shù)據(jù)。<TDMS信息讀取單元22>如果載入記錄/讀取裝置100中的光盤(pán)1處于"未結(jié)束"狀態(tài)，則TDMS 信息讀取單元22查找記錄有數(shù)據(jù)的最后一個(gè)簇，并且查找最新TDMS (TDMS#j-l)。然后，TDMS信息讀取單元22從記錄有數(shù)據(jù)的最后一個(gè) 簇中提取TDDS，并且獲取TDFL的數(shù)量(由"n"表示)以及TDFL的位 置。利用所獲取的位置，TDMS信息讀取單元22將TDFL從最新TDMS 讀取到控制存儲(chǔ)器23，并且將其保存為構(gòu)成DFL的多個(gè)缺陷項(xiàng)。這些多個(gè) 缺陷項(xiàng)用于讀取處理。<控制存儲(chǔ)器23>控制存儲(chǔ)器23是用于存儲(chǔ)諸如缺陷項(xiàng)的作業(yè)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。<缺陷項(xiàng)添加單元24>如果在第j次記錄處理中檢測(cè)到缺陷區(qū)，則缺陷項(xiàng)添加單元24將關(guān)于 檢測(cè)到的缺陷區(qū)的缺陷項(xiàng)添加到己被讀至控制存儲(chǔ)器23上的多個(gè)缺陷項(xiàng) 中。更具體地說(shuō)，例如，如果在用戶(hù)數(shù)據(jù)區(qū)6中新檢測(cè)到缺陷簇，則缺陷 項(xiàng)添加單元24將對(duì)應(yīng)于該新檢測(cè)到的缺陷簇的缺陷項(xiàng)添加到控制存儲(chǔ)器 23中存儲(chǔ)的多個(gè)缺陷項(xiàng)中。此外，根據(jù)缺陷項(xiàng)中包括的缺陷簇位置信息， 缺陷項(xiàng)添加單元24對(duì)缺陷項(xiàng)進(jìn)行排序，并使缺陷項(xiàng)的編號(hào)加"1"。<TDFL轉(zhuǎn)換單元25>TDFL轉(zhuǎn)換單元25按照缺陷項(xiàng)所表明的缺陷區(qū)的地址遞增順序，排列(i)關(guān)于在最新記錄處理中檢測(cè)到的缺陷區(qū)的缺陷項(xiàng)以及(ii)關(guān)于在前 一次記錄處理中檢測(cè)到的缺陷區(qū)的缺陷項(xiàng)，并且將排列的缺陷項(xiàng)轉(zhuǎn)換為"TDFL"。由此實(shí)現(xiàn)TDMS的更新。在該轉(zhuǎn)換期間，TDFL轉(zhuǎn)換單元25計(jì) 算控制存儲(chǔ)器23中存儲(chǔ)的多個(gè)缺陷項(xiàng)的總大小，并判斷該總大小與TDDS 的固定大小相加后的結(jié)果是否超出一個(gè)簇的大小。如果相加的結(jié)果小于簇 的大小，則TDFL轉(zhuǎn)換單元25將多個(gè)缺陷項(xiàng)轉(zhuǎn)換為一個(gè)TDFL。當(dāng)TDMS 由一個(gè)簇構(gòu)成時(shí)，簇的大小應(yīng)該是TDFL#1的大小與TDDS的固定大小相 加所得的結(jié)果。在這里，由于TDDS的大小等于一個(gè)扇區(qū)的大小，因此TDFL 的大小的最大值等于31個(gè)扇區(qū)的大小。如果相加的結(jié)果不小于簇的大小， 則TDFL轉(zhuǎn)換單元25將多個(gè)缺陷項(xiàng)轉(zhuǎn)換為多個(gè)TDFL。<TDMS信息寫(xiě)入單元26>TDMS信息寫(xiě)入單元26按照TDFL表明的缺陷區(qū)的地址的遞增順序， 將作為T(mén)DFL轉(zhuǎn)換單元25的轉(zhuǎn)換結(jié)果而得到的TDFL寫(xiě)入最新TDMS (TDMS#j)中。在寫(xiě)入TDFL之后，TDMS信息寫(xiě)入單元26還將TDDS 寫(xiě)入TDMS弁j中。圖IIA到圖IID示出TDMS信息讀取單元22讀取TDMS 信息的操作以及TDMS信息寫(xiě)入單元26寫(xiě)入TDMS信息的操作。圖11A 示出在進(jìn)行讀取/寫(xiě)入TDMS信息操作之前的狀態(tài)。在圖11A中，已經(jīng)將 TDFL和TDDS寫(xiě)入N個(gè)TDMS中的TDMS#1至TDMS#j - 1中，并且只 有TDMS巧-1是有效的。在這種情況下，在第j次記錄中，TDMS信息讀 取單元22從TDMS#j - 1讀取TDFL#1至TDFL#3以及TDDS (圖IIB)。 在這里，假設(shè)在第j次記錄中檢測(cè)到缺陷區(qū)。關(guān)于該缺陷區(qū)的TDFIJ4，與 寫(xiě)入TDMS弁j - 1中的TDFU1至TDFU3合并(圖11C)。 TDMS信息寫(xiě) 入單元26將TDFL#1至TDFIJ4以及TDDS寫(xiě)入TDMS#j中(圖IID)。 在這一階段中，TDMS#j包括示出了在第一到第j次記錄中檢測(cè)到的所有缺 陷區(qū)的TDFL。<驗(yàn)證單元27>驗(yàn)證單元27是嵌入TDMS信息讀取單元22中的組件，驗(yàn)證由TDMS 信息寫(xiě)入單元26寫(xiě)入的TDFL。在本文中，術(shù)語(yǔ)"驗(yàn)證"是指確認(rèn)是否正常地完成了將數(shù)據(jù)記錄到簇中的操作。通過(guò)對(duì)記錄的數(shù)據(jù)進(jìn)行糾錯(cuò)，或者 通過(guò)讀取記錄的數(shù)據(jù)并判斷讀取的數(shù)據(jù)是否與預(yù)先記錄的數(shù)據(jù)匹配，來(lái)實(shí)現(xiàn)驗(yàn)證。如果判定由于缺陷等原因而未正常記錄數(shù)據(jù)，則TDMS信息寫(xiě)入 單元26重試TDFL的寫(xiě)入。<位置信息生成單元28>當(dāng)TDMS信息寫(xiě)入單元26試圖將TDFL寫(xiě)入TDMS#j中時(shí)，位置信 息生成單元28在控制存儲(chǔ)器23的TDDS中創(chuàng)建TDFL位置信息，這些信 息表明TDFL的寫(xiě)入目的地。當(dāng)重試TDFL的寫(xiě)入時(shí)，以及在TDFL的初 始寫(xiě)入中，位置信息生成單元28創(chuàng)建TDFL位置信息。當(dāng)在控制存儲(chǔ)器23 上的TDDS中生成多條TDFL位置信息之后，從多條TDFL位置信息中提 取關(guān)于正常記錄的TDFL的僅僅多條TDFL位置信息，并且按照由對(duì)應(yīng)的 TDFL表明的缺陷區(qū)的地址遞增順序排列提取的多條TDFL位置信息。利用 這種結(jié)構(gòu)，即使由于重試TDFL的寫(xiě)入而在TDMS#j中離散地排列正常 TDFL，也僅提取關(guān)于正常記錄的TDFL的多條TDFL位置信息，并且按照 由對(duì)應(yīng)的TDFL表明的缺陷區(qū)的地址遞增順序排列提取的多條TDFL位置f曰息Q如上所述，即使在TDMS#j中離散地排列正常TDFL，位置信息生成 單元28也重新排列多條TDFL位置信息，以便能夠以預(yù)定順序讀取對(duì)應(yīng)于 在TDMS#j中離散排列的正常TDFL的多條TDFL位置信息。當(dāng)TDMS信 息寫(xiě)入單元26寫(xiě)入最后一個(gè)TDFL時(shí)，將TDDS與最后一個(gè)TDFL —起寫(xiě) 入TDMS中。<DMA信息寫(xiě)入單元29>DMA信息寫(xiě)入單元29在結(jié)束處理期間將數(shù)據(jù)記錄到第一 DMA至第 四DMA中。圖12A至圖12C示出DMA信息寫(xiě)入單元29寫(xiě)入信息的操作。 圖12A示出進(jìn)行寫(xiě)入操作前的狀態(tài)。在圖12A中，TDMS#1至TDMS#4 以及TDDS已經(jīng)被寫(xiě)入N個(gè)TDMS中的TDMS司中，并且只有最新TDMS弁j 是有效的。在這種情況下，DMA信息讀取單元21將TDMS弁j的內(nèi)容讀取 到控制存儲(chǔ)器23上(圖12B)， DMA信息寫(xiě)入單元29將寫(xiě)入TDMS#j中的TDFL#1至TDFL#4中的缺陷項(xiàng)轉(zhuǎn)換為DFL，并且轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入 第一 DMA中(圖12C)。類(lèi)似地，從TDFL#1至TDFL#4轉(zhuǎn)換過(guò)來(lái)的DFL 被寫(xiě)入第二DMA、第三DMA以及第四DMA。至此，已經(jīng)說(shuō)明了缺陷管理信息處理單元13的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。從現(xiàn)在開(kāi)始， 將說(shuō)明利用軟件實(shí)現(xiàn)缺陷管理信息處理單元13。通過(guò)基于圖13至圖15所 示的流程圖生成程序并使CPU運(yùn)行該程序，可以在記錄/讀取裝置100中實(shí) 現(xiàn)缺陷管理信息處理單元13。圖13是示出DFL讀取處理的程序流程圖。在步驟SI里，檢査是否已經(jīng)載入光盤(pán)1。如果確認(rèn)己經(jīng)載入光盤(pán)1， 則在步驟S2里，DMA信息讀取單元21判斷是否已經(jīng)結(jié)束光盤(pán)1。如果己 經(jīng)結(jié)束光盤(pán)l，則對(duì)光盤(pán)1進(jìn)行與只讀光盤(pán)同樣的處理。如果光盤(pán)1沒(méi)有結(jié)束，則TDMS信息讀取單元22在多個(gè)TDMS中搜 索記錄有數(shù)據(jù)的最后一個(gè)簇，并搜索最新TDMS，即TDMS^ (步驟S3)。 然后，TDMS信息讀取單元22從記錄有數(shù)據(jù)的TDDS中的最后一個(gè)簇中提 取TDDS，并獲得TDFL的編號(hào)(表示為"n")及其位置(步驟S5)。在獲 得了位置之后，TDMS信息讀取單元22執(zhí)行由步驟S6至步驟S9構(gòu)成的循 環(huán)。在該循環(huán)中，對(duì)變量k初始化(步驟S6),基于TDDS里多條TDFL 位置信息中的TDFL#k位置信息，從TDMS中讀取TDFUk (步驟S7)。 在本流程圖中，將變量k用作控制變量。每當(dāng)執(zhí)行完由步驟S7至步驟S9 構(gòu)成的循環(huán)時(shí)，變量k加一 (步驟S9)。當(dāng)變量k變?yōu)閚時(shí)上述控制跳出 循環(huán)(步驟S8)。當(dāng)按照上述方式讀取了 TDFL之后，控制存儲(chǔ)器23將構(gòu)成TDFL的缺 陷項(xiàng)存儲(chǔ)為構(gòu)成DFL的缺陷項(xiàng)(步驟SIO)。然后，根據(jù)高級(jí)控制裝置200 發(fā)出的命令執(zhí)行從光盤(pán)1讀取數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)1的讀取或?qū)懭胩幚?(步驟S30)。圖14是示出根據(jù)高級(jí)控制裝置200發(fā)出的命令而進(jìn)行的讀取/寫(xiě)入處 理的程序流程圖。在圖14中，步驟S11和步驟S12構(gòu)成命令等待循環(huán)。在步驟S11里， 指令處理單元12判斷從高級(jí)控制裝置200發(fā)出的命令是不是讀取命令。在 步驟S12里，指令處理單元12判斷從高級(jí)控制裝置200發(fā)出的命令是不是寫(xiě)入命令。如果從高級(jí)控制裝置200發(fā)出的命令是讀取命令，則執(zhí)行步驟S13至 步驟S15。在步驟S13里，指令處理單元12判斷命令的讀取目的地是不是 DFL中任意缺陷項(xiàng)表明的缺陷簇。如果讀取目的地不是缺陷簇，則從讀取 目的地讀取用戶(hù)數(shù)據(jù)(步驟S14)。如果讀取目的地是缺陷簇，則缺陷管理 信息處理單元13從用于該缺陷簇的替換簇讀取用戶(hù)數(shù)據(jù)(步驟S15),并 返回到由步驟Sll至步驟S12構(gòu)成的循環(huán)。如果高級(jí)控制裝置200發(fā)出的命令是寫(xiě)入命令，則將用戶(hù)數(shù)據(jù)寫(xiě)入寫(xiě) 入目的地簇中(步驟S18)。然后，上述控制轉(zhuǎn)移到由步驟S19至步驟S23 構(gòu)成的循環(huán)。在該循環(huán)中，重復(fù)執(zhí)行下述步驟(步驟S19 S23)，直到在步驟S20判 斷為"否"。首先，驗(yàn)證寫(xiě)入的用戶(hù)數(shù)據(jù)(步驟S19)。如果驗(yàn)證結(jié)果表明 檢測(cè)到缺陷簇(在步驟S20中的是)，則缺陷管理信息處理單元13將替換 簇分配給缺陷簇(步驟S21)，并生成缺陷項(xiàng)以表示缺陷簇與替換簇之間的 對(duì)應(yīng)關(guān)系(步驟S22)，并且作為重試而將用戶(hù)數(shù)據(jù)寫(xiě)入替換簇中(步驟 S23)。如果在對(duì)寫(xiě)入的用戶(hù)數(shù)據(jù)的驗(yàn)證中未檢測(cè)到任何缺陷簇，則如下所述， 執(zhí)行由步驟S24至步驟S26構(gòu)成的處理。首先，判斷是否已經(jīng)新生成了缺 陷項(xiàng)(步驟S24)。如果已經(jīng)新生成了缺陷項(xiàng)，則更新DFL并添加這個(gè)新的 缺陷項(xiàng)(步驟S25)。將更新后的DFL寫(xiě)入最新TDMS中(步驟S26)。然 后，上述控制返回到由步驟S11至步驟S12構(gòu)成的循環(huán)。圖15是示出寫(xiě)入到TDMS處理的程序流程圖。在步驟S31里，TDFL轉(zhuǎn)換單元25將DFL中包括的多個(gè)缺陷項(xiàng)轉(zhuǎn)換為 一個(gè)或多個(gè)TDFL。在步驟S32里，獲取簇的起始位置，該簇的序號(hào)大于 控制存儲(chǔ)器23的TDMA中最后一個(gè)記錄了數(shù)據(jù)的簇的序號(hào)，其中在獲取 的起始位置處的簇是未記錄區(qū)域的第一個(gè)簇。將未記錄的區(qū)域的第一個(gè)簇 視為當(dāng)前簇。在當(dāng)前簇開(kāi)始記錄。然后，執(zhí)行由步驟S33至步驟S40構(gòu)成的循環(huán)。在該循環(huán)中，從控制存儲(chǔ)器23中按照遞增順序逐一地提取未記錄的 TDFL，并且TDMS信息寫(xiě)入單元26將提取的TDFL寫(xiě)入當(dāng)前簇中，作為T(mén)DFLi (步驟S33)。然后，將下一個(gè)簇指定為當(dāng)前簇(步驟S34)，并使變 量I增大(步驟S35)。重復(fù)上述循環(huán)，直到TDFLi變成TDFLn-l，其中 TDFLn-l是緊接在最后一個(gè)TDFL之前的TDFL (步驟S36中的是)。在該循環(huán)中，每當(dāng)寫(xiě)入一個(gè)TDFL時(shí)，驗(yàn)證單元27都對(duì)該寫(xiě)入操作進(jìn) 行驗(yàn)證(步驟S37)。如果驗(yàn)證結(jié)果表明寫(xiě)入TDFL的簇有缺陷，則變量i 不增大，而是開(kāi)啟重試標(biāo)志(步驟S38)。在位于步驟S33之前的步驟S39 中，判斷重試標(biāo)志是否開(kāi)啟。如果判定重試標(biāo)志開(kāi)啟，則TDMS信息寫(xiě)入 單元26將無(wú)法記錄的TDFLi寫(xiě)入當(dāng)前簇中(步驟S40)。當(dāng)在重復(fù)上述步驟之后，TDFL#1至TDFL#3 (最后一個(gè)TDFL前的 TDFL)已被寫(xiě)入TDMS中時(shí)，執(zhí)行步驟S41至步驟S45。步驟S41至步驟S45構(gòu)成將最后一個(gè)TDFL和TDDS寫(xiě)入TDMS中的 處理。在步驟S41里，位置信息生成單元28在TDDS中生成TDFL位置信 息，這些信息表明已寫(xiě)入的TDFL的位置以及要寫(xiě)入最后一個(gè)TDFL的位 置(步驟S41)。然后，執(zhí)行由步驟S42至步驟S45構(gòu)成的循環(huán)。執(zhí)行如下所述的循環(huán)。也就是說(shuō)，TDMS信息寫(xiě)入單元26將生成的 TDDS和最后一個(gè)TDFL寫(xiě)入當(dāng)前簇中(步驟S42)，驗(yàn)證單元27驗(yàn)證寫(xiě)入 過(guò)數(shù)據(jù)的簇(步驟S43)。如果這個(gè)簇沒(méi)有缺陷，則處理結(jié)束。如果這個(gè)簇 有缺陷，則將下一個(gè)簇指定為當(dāng)前簇(步驟S44)。然后，位置信息生成單 元28通過(guò)將最后一個(gè)TDFL的位置重寫(xiě)到TDDS中而新生成TDDS (步驟 S45)。然后再次執(zhí)行步驟S42和步驟S43。通過(guò)將當(dāng)前簇的地址寫(xiě)入最后 一個(gè)TDFL的TDFL位置信息中，實(shí)現(xiàn)步驟S45中位置信息生成單元28重 寫(xiě)TDFL位置信息的操作。圖16示出第一實(shí)施例的記錄/讀取裝置100如何寫(xiě)入TDFL。圖16的 第一行示出構(gòu)成TDMS的多個(gè)簇。第二至第六行示出寫(xiě)入這些簇中的四個(gè) TDFL (TDFUl、 TDFL#2、 TDFL#3和TDFL弁4)以及TDDS。假定第一 行所示的簇#2是缺陷簇。第二行表明TDFL#1已被寫(xiě)入構(gòu)成TDMS的多個(gè)簇中的簇#1的狀態(tài)。 第三行表明嘗試過(guò)將TDFL#2寫(xiě)入簇#2中，但由于簇#2是缺陷簇而無(wú)法寫(xiě) 入。由此引起對(duì)記錄TDFL#2操作的重試。第四行表明在記錄重試中，將 TDFL#2寫(xiě)入與缺陷簇#2相鄰的簇#3中。第五行表明TDFIJ3已被寫(xiě)入簇#4中。第六行表明最后一個(gè)TDFL (TDFL#4)禾卩TDDS已被寫(xiě)入簇#5中。 盡管TDFL#1和TDFL#2至TDFIJ4被離散地排列，其間有一個(gè)缺陷 項(xiàng)，但是與最后一個(gè)TDFL—起寫(xiě)入的TDDS仍表明寫(xiě)入TDFU1、TDFU2、 TDFL#3和TDFL#4的簇的位置(地址Cl、 C2、 C3和C4)。利用這種結(jié)構(gòu)， 在再現(xiàn)期間，僅通過(guò)根據(jù)TDDS表明的位置訪(fǎng)問(wèn)TDMS中的簇，就可以按 照預(yù)定順序?qū)DFL順序地讀取到記錄/讀取裝置100中的存儲(chǔ)器上。如上所述，根據(jù)有TDFL位置信息表明讀取TDFL順序的本實(shí)施例， 即使備用區(qū)具有缺陷簇也無(wú)需順序地排列多個(gè)TDFL。 TDFL排列在包括缺 陷簇在內(nèi)的離散的順序區(qū)域中。也就是說(shuō)，本實(shí)施例允許隨機(jī)地排列TDFL。 利用這種能夠隨機(jī)排列TDFL的結(jié)構(gòu)，在將多個(gè)TDFL寫(xiě)入TDMS中 的一個(gè)簇序列期間僅檢測(cè)到一個(gè)缺陷簇時(shí)，無(wú)需重試從頭寫(xiě)入所有的多個(gè) TDFL，作為重試，只將無(wú)法寫(xiě)入缺陷簇的TDFL寫(xiě)入另一個(gè)簇中。由于這 樣做減少了作為重試而寫(xiě)入TDFL的次數(shù)，因此能夠防止TDMS被迅速消 耗。<第二實(shí)施例〉第二實(shí)施例提出了 TDFL在TDMS中的排列，以提高向TDMS寫(xiě)入的 速度。圖17示出了第二實(shí)施例中TDFL的離散排列的實(shí)例。圖17的第一行 示出構(gòu)成TDMS的多個(gè)簇。第二行示出寫(xiě)入這些簇中的四個(gè)TDFL (TDFL#1、 TDFL#2、 TDFL#3禾口 TDFU4)以及TDDS。在第二行中，按照TDFL#1、 TDFL#3、 TDFL#4、 TDDS、 TDFL弁2、 TDFL#4以及TDDS的順序排列TDFL和TDDS。有兩個(gè)TDFL#4和兩個(gè) TDDS。在這些TDFL#4和TDDS中，后面記錄的TDFL#4和TDDS是有 效的，而之前已經(jīng)記錄過(guò)的TDFIJ4和TDDS是無(wú)效的。這是由于只將緊 接在未記錄區(qū)域前的TDDS置為有效。可以認(rèn)為，在圖17所示的TDMS#j中，以如下順序排列TDFL#1至 TDFL#4:i) 初始寫(xiě)入過(guò)程中寫(xiě)入的TDFL (TDFL#1、 TDFL#3);ii) 作為重試寫(xiě)入的TDFL (TDFL#2);以及iii)最后一個(gè)TDFL (TDFL#4)。在每個(gè)DDS中，按照由對(duì)應(yīng)的TDFL表明的缺陷區(qū)的地址遞增順序， 排列多條TDFL位置信息。在圖17中，簇#2是缺陷簇?；旧蠎?yīng)當(dāng)將無(wú)法寫(xiě)入缺陷簇的TDFIJ2 寫(xiě)入TDF1J1后面的正常簇中。然而，在該實(shí)例中，作為重試，將TDFIJ2 寫(xiě)入TDFIJ4和TDDS所寫(xiě)入的簇之前的簇中。在這種情況下，即使排列 了兩個(gè)TDFU4，并且未按照特定順序排列TDFL#2， TDDS仍可按照 TDFL#1、TDFL#2、TDFL#3和TDFL#4的順序表明有效TDFIJ1至TDFL#4 所寫(xiě)入的簇的位置(地址Cl、 C5、 C3和C6)。利用這種結(jié)構(gòu)，可以在再 現(xiàn)期間，僅通過(guò)根據(jù)由TDDS所表明的位置訪(fǎng)問(wèn)TDMS中的簇，而按照預(yù) 定順序?qū)DFL順序地讀取到記^/讀取裝置100中的存儲(chǔ)器上。這樣，第 二實(shí)施例中對(duì)光盤(pán)的改進(jìn)不僅允許TDFL離散排列，還允許TDFL的冗余 排列。至此，已經(jīng)說(shuō)明了第二實(shí)施例對(duì)光盤(pán)的改進(jìn)。下面說(shuō)明第二實(shí)施例中 的記錄/讀取裝置100。通過(guò)TDMS信息寫(xiě)入單元26、驗(yàn)證單元27以及位 置信息生成單元28來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)第二實(shí)施例的記錄/讀取裝置100的改進(jìn)。第二實(shí)施例中的TDMS信息寫(xiě)入單元26將所有的TDFL和TDDS — 次寫(xiě)入TDMA中的最新TDMS中。如果寫(xiě)入有TDFL的簇是缺陷簇，則作 為重試，TDMS信息寫(xiě)入單元26寫(xiě)入缺陷簇中寫(xiě)入的TDFL、最后一個(gè) TDFL以及TDDS。第二實(shí)施例中的驗(yàn)證單元27驗(yàn)證由TDMS信息寫(xiě)入單元26寫(xiě)入的 TDFL (包括作為重試寫(xiě)入的TDFL)，以判斷是否己經(jīng)正確地寫(xiě)入TDFL。在TDMS信息寫(xiě)入單元26寫(xiě)入TDFL (包括重試)時(shí)，第二實(shí)施例中 的位置信息生成單元28生成將存儲(chǔ)在TDDS中的TDFL位置信息。在圖18所示的流程圖中公開(kāi)了通過(guò)TDMS信息寫(xiě)入單元26、驗(yàn)證單 元27以及位置信息生成單元28所實(shí)現(xiàn)的改進(jìn)。圖18是示出在第二實(shí)施例中寫(xiě)入到TDMS處理的程序流程圖。在該 流程圖中，在執(zhí)行完與圖15的流程圖相同的步驟S31和步驟S32之后，執(zhí) 行步驟S51至步驟S52。在步驟S51至步驟S52中，位置信息生成單元28在TDDS中生成TDFL位置信息，該TDFL位置信息表明預(yù)計(jì)存儲(chǔ)多個(gè)TDFL的四個(gè)簇的位置(從 當(dāng)前簇開(kāi)始)(步驟S51);以及將TDFL#1至TDFL#4和TDDS寫(xiě)入當(dāng)前 簇及其后簇中(步驟S52)。在這里要指出，通過(guò)將一個(gè)TDFL序列記錄到 一個(gè)簇序列中，可以縮短搜索記錄起始位置的等待時(shí)間，并縮短更新TDMS 所需的時(shí)間。在步驟S51里，位置信息生成單元28基于將四個(gè)TDFL寫(xiě)入當(dāng)前簇及 后續(xù)簇的預(yù)測(cè)，生成TDFL位置信息。在這里，假設(shè)有k個(gè)TDFL，則k 個(gè)TDFL中的任意一個(gè)TDFL都有可能作為重試而被寫(xiě)入，使用下面的關(guān) 系式檢測(cè)重試目標(biāo)第i個(gè)TDFL的TDFL位置信息(i^k)—當(dāng)前簇+ (i-1) *簇在步驟S53里，驗(yàn)證單元27驗(yàn)證上述所有TDFL的寫(xiě)入結(jié)果。如果判 定所有的TDFL都己被正確地寫(xiě)入(步驟S53中的成功)，則該流程圖的處 理結(jié)束。如果檢測(cè)到缺陷簇(步驟S53中的失敗)，則位置信息生成單元28在 TDDS中生成TDFL位置信息，其中該TDFL位置信息表明己經(jīng)寫(xiě)入的 TDFL的位置、要寫(xiě)入無(wú)法寫(xiě)入的TDFL的位置以及要寫(xiě)入最后一個(gè)TDFL 的位置(步驟S54)，然后執(zhí)行由步驟S55至步驟S58構(gòu)成的循環(huán)。在由步驟S55至步驟S58構(gòu)成的這個(gè)循環(huán)中，TDMS信息寫(xiě)入單元26 進(jìn)行重試。在圖17所示的實(shí)例中，重試目標(biāo)不僅包括無(wú)法寫(xiě)入的TDFL弁2， 還包括表明TDFL#2新位置的新TDDS，以及要寫(xiě)入與TDDS相同的簇中 的TDFL#4。以如下方式執(zhí)行步驟S55至步驟S58。 TDMS信息寫(xiě)入單元26將無(wú)法 寫(xiě)入的TDFL、最后一個(gè)TDFL以及TDDS寫(xiě)入當(dāng)前簇及后續(xù)簇中(步驟 S55)。驗(yàn)證單元27驗(yàn)證寫(xiě)入有數(shù)據(jù)的簇(步驟S56)。如果寫(xiě)入有數(shù)據(jù)的 簇沒(méi)有缺陷，則處理結(jié)束。如果寫(xiě)入有數(shù)據(jù)的當(dāng)前簇是缺陷簇，則將下一 個(gè)簇指定為當(dāng)前簇(步驟S57)。位置信息生成單元28通過(guò)在TDDS中重 寫(xiě)無(wú)法寫(xiě)入的TDFL的位置以及最后一個(gè)TDFL的位置，而新生成TDDS (步驟S58)。再次執(zhí)行步驟S55至步驟S56。在步驟S54和步驟S58中，位置信息生成單元28按照如下方式生成或 重新寫(xiě)入TDFL位置信息。在重試寫(xiě)入TDFL的過(guò)程中，在TDMS中以如下順序排列重試目標(biāo)(1) 一個(gè)或多個(gè)TDFL;以及(2)最后一個(gè)TDFL。 結(jié)果，在假定作為重試目標(biāo)的一個(gè)或多個(gè)TDFL被寫(xiě)入當(dāng)前簇及后續(xù)簇中 的情況下，位置信息生成單元28將TDFL位置信息重寫(xiě)到TDDS中。在這 里，假定作為重試目標(biāo)的一個(gè)或多個(gè)TDFL的數(shù)量為"k"，使用下面的關(guān) 系式檢測(cè)重試目標(biāo)第i個(gè)TDFL的TDFL位置信息(i^k)—當(dāng)前簇+ (i-1) *簇；以及 最后一個(gè)TDFL的TDFL位置信息一當(dāng)前簇+ (k-1) *簇。 圖19示出第二實(shí)施例的記錄/讀取裝置100寫(xiě)入TDFL的處理。圖19 的第一行示出構(gòu)成TDMS#j的多個(gè)簇。第二和第三行示出將四個(gè)TDFL (TDFL#1、 TDFL#2、 TDFU3和TDFL#4)和一個(gè)TDDS寫(xiě)入這些簇中的 處理。在第一行中，簇#2是缺陷簇。第二行表明TDFL#1~TDFL#4以及TDDS 已寫(xiě)入簇#1~簇#4中的狀態(tài)。在這里，TDDS表明已寫(xiě)入TDFL#1、TDFL#2、 TDFL#3和TDFL#4的簇的位置(地址C1、 C2、 C3禾口C4)。如上所述，由 于簇#2是缺陷簇，因而需要重試。在這里，重試目標(biāo)不僅包括無(wú)法寫(xiě)入的 TDFU2，而且還包括表明TDFU2的新位置的新TDDS，以及寫(xiě)入與TDDS 相同的簇中的TDFU4。第三行表明己將TDFL弁2、 TDFL#4和TDDS寫(xiě)入 簇#5及其后續(xù)簇中的狀態(tài)，以作為重試結(jié)果。與最后一個(gè)TDFL—起寫(xiě)入 的TDDS表明已寫(xiě)入TDFU1、 TDFL#2、 TDFL#3和TDFL#4的簇的位置 (地址C1、 C5、 C3和C6)。利用這種結(jié)構(gòu)，在再現(xiàn)期間，可以?xún)H僅通過(guò) 根據(jù)由TDDS所表明的位置訪(fǎng)問(wèn)TDMS中的簇，而按照預(yù)定順序?qū)DFL 順序地讀取到記錄/讀取裝置100中的存儲(chǔ)器上。如上所述，根據(jù)作為重試而寫(xiě)入由于缺陷等原因無(wú)法記錄的TDFL、最 后一個(gè)TDFL以及TDDS的第二實(shí)施例，可以縮短更新TDMS所需的時(shí)間， 改進(jìn)使用的方便性。此外，能夠降低在更新TDMS過(guò)程中可能發(fā)生的失敗 風(fēng)險(xiǎn)，例如，如果在更新期間電源突然關(guān)閉。還有，TDMA中諸如裂紋這種缺陷常常涉及在徑向排列的多個(gè)缺陷簇。 在光盤(pán)中， 一個(gè)內(nèi)圓周近似對(duì)應(yīng)于兩個(gè)簇。因此，如果TDMS由四個(gè)簇構(gòu) 成，并且作為重試而總是試圖將相同內(nèi)容寫(xiě)入TDMS中，則可能導(dǎo)致TDMS 更新的反復(fù)失敗。然而，根據(jù)第二實(shí)施例的程序，如果缺陷簇在徑向上排 列，則每次重試時(shí)都將改變寫(xiě)入缺陷簇中的TDFL。這樣做增大了重試成功的可能性。 <第三實(shí)施例>第三實(shí)施例涉及如下改進(jìn)，即實(shí)現(xiàn)近似介于第一和第二實(shí)施例的寫(xiě)入 速度之間的寫(xiě)入速度。圖20示出在第三實(shí)施例中TDFL的離散排列的實(shí)例。圖20的第一行 示出構(gòu)成TDMS的多個(gè)簇。第二行示出寫(xiě)入這些簇中的四個(gè)TDFL (TDFL#1、 TDFL#2、 TDFIJ3禾卩TDFL#4)以及TDDS。在第二行中，按照TDFU1、 TDFL#3、 TDFL#2、 TDFL#4以及TDDS 的順序排列TDFL和TDDS。在圖20中，簇#2是缺陷簇，并且將寫(xiě)入缺陷 簇的TDFU2寫(xiě)入TDFU4 (最后一個(gè)TDFL)之前的簇中?？梢哉J(rèn)為，作 為重試，曾經(jīng)將TDFU2寫(xiě)入TDFU4 (最后一個(gè)TDFL)之前的簇中。在 這種情況下，即使未按照任何特定順序排列TDFU2， TDDS仍可表明已經(jīng) 按照TDFIJ1至TDFL#4的順序?qū)懭隩DFL#1 、TDFL#2、TDFL#3和TDFL#4 的蘿夷的位置(地址C1、 C4、 C3和C5)。利用這種結(jié)構(gòu)，可以在再現(xiàn)期間， 僅通過(guò)根據(jù)由TDDS所表明的位置訪(fǎng)問(wèn)TDMS中的簇，而按照預(yù)定順序?qū)?TDFL順序地讀取到記錄/讀取裝置100中的存儲(chǔ)器上。這樣，第三實(shí)施例 中對(duì)光盤(pán)的改進(jìn)允許離散排列TDFL。如上所述，在第三實(shí)施例的光盤(pán)l中，在TDDS中按照缺陷項(xiàng)的遞增 順序排列多條TDFL位置信息，并且僅將由于缺陷等原因而無(wú)法記錄的 TDFL的起始位置信息排列為跟隨多條TDFL位置信息,從而使得具有有限 大小的TDMS得以有效利用。至此，已經(jīng)說(shuō)明了第三實(shí)施例對(duì)光盤(pán)的改進(jìn)。下面說(shuō)明第三實(shí)施例中 的記錄/讀取裝置100。通過(guò)TDMS信息寫(xiě)入單元26、驗(yàn)證單元27以及位 置信息生成單元28來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)第三實(shí)施例的記錄/讀取裝置100的改進(jìn)。第三實(shí)施例中的TDMS信息寫(xiě)入單元26將除最后一個(gè)TDFL之外的 所有TDFL —次寫(xiě)入TDMA的最新TDMS中。如果寫(xiě)入有TDFL的簇是缺 陷簇，則作為重試，TDMS信息寫(xiě)入單元26寫(xiě)入在缺陷簇中寫(xiě)入的TDFL， 然后將最后一個(gè)TDFL以及TDDS寫(xiě)入TDMS。第三實(shí)施例中的驗(yàn)證單元27驗(yàn)證由TDMS信息寫(xiě)入單元26寫(xiě)入的TDFL (包括作為重試寫(xiě)入的TDFL)，以判斷是否已經(jīng)正確地寫(xiě)入TDFL。 第三實(shí)施例中的位置信息生成單元28在TDMS信息寫(xiě)入單元26寫(xiě)入TDFL (包括重試)時(shí)，生成將存儲(chǔ)在TDDS中的TDFL位置信息。在圖21所示的流程圖中公開(kāi)了通過(guò)TDMS信息寫(xiě)入單元26、驗(yàn)證單元27以及位置信息生成單元28所實(shí)現(xiàn)的改進(jìn)。下面，參考流程圖說(shuō)明第三實(shí)施例中TDMS信息寫(xiě)入單元26、驗(yàn)證單元27以及位置信息生成單元28執(zhí)行的處理。圖21是示出在第三實(shí)施例中寫(xiě)入到TDMS處理的程序流程圖。在該 流程圖中，在執(zhí)行完與圖15的流程圖相同的步驟S31和步驟S32之后，執(zhí) 行步驟S63至步驟S64。在步驟S63至步驟S64中，位置信息生成單元28在TDDS中生成TDFL 位置信息，其中該TDFL位置信息表明預(yù)計(jì)存儲(chǔ)多個(gè)TDFL的四個(gè)簇的位 置(從當(dāng)前簇開(kāi)始)(步驟S63);以及將TDFL#1至TDFUn-l寫(xiě)入當(dāng)前簇 及其后續(xù)簇中(步驟S64)。在步驟S65里，驗(yàn)證單元27驗(yàn)證上述寫(xiě)入所有TDFL的結(jié)果。如果判 定已經(jīng)正確地寫(xiě)入所有的TDFL (步驟S65中的成功)，則跳過(guò)由步驟S66 至步驟S70構(gòu)成的處理。如果檢測(cè)到缺陷簇，則執(zhí)行步驟S66至步驟S70。位置信息生成單元 28在TDDS中生成TDFL位置信息，其中該TDFL位置信息表明已經(jīng)寫(xiě)入 的TDFL的位置，以及要寫(xiě)入無(wú)法寫(xiě)入的TDFL的位置(步驟S66)，然后 執(zhí)行由步驟S67至步驟S70構(gòu)成的循環(huán)。按照如下方式執(zhí)行步驟S67至步驟S70。 TDMS信息寫(xiě)入單元26將無(wú) 法寫(xiě)入的TDFL寫(xiě)入當(dāng)前簇及后續(xù)簇中(步驟S67)。下一個(gè)簇被指定為當(dāng) 前簇(步驟S68)。驗(yàn)證單元27驗(yàn)證已寫(xiě)入數(shù)據(jù)的簇(步驟S69)。如果已 寫(xiě)入數(shù)據(jù)的簇沒(méi)有缺陷，則上述控制跳出循環(huán)而執(zhí)行步驟S71。如果已寫(xiě) 入數(shù)據(jù)的當(dāng)前簇是缺陷簇，則位置信息生成單元28在TDDS中重寫(xiě)無(wú)法寫(xiě) 入的TDFL的位置信息(步驟S70)。然后，上述控制再次轉(zhuǎn)到步驟S67。在步驟S70中，位置信息生成單元28按照如下方式重寫(xiě)TOFL位置信 息。在重試寫(xiě)入TDFL的過(guò)程中，在假設(shè)將一個(gè)或多個(gè)TDFL作為重試目 標(biāo)而寫(xiě)入當(dāng)前簇及后續(xù)簇的情況下，位置信息生成單元28在TDDS中重寫(xiě)TDFL位置信息。在這里，假設(shè)作為重試目標(biāo)的一個(gè)或多個(gè)TDFL的數(shù)量為 "k"，使用下面的關(guān)系式檢測(cè)重試目標(biāo)第i個(gè)TDFL的TDFL位置信息(i^k)—當(dāng)前簇+ (i-l) *簇按照如下方式執(zhí)行步驟S71至步驟S75 。位置信息生成單元28在TDDS 中生成TDFL位置信息，該TDFL位置信息表明己經(jīng)寫(xiě)入的TDFL的位置， 以及將寫(xiě)入最后一個(gè)TDFL的位置(步驟S71)，然后執(zhí)行由步驟S72至步 驟S75構(gòu)成的循環(huán)。按照如下方式執(zhí)行循環(huán)。也就是說(shuō)，TDMS信息寫(xiě)入單元26將生成的 TDDS以及最后一個(gè)TDFL寫(xiě)入當(dāng)前簇中(步驟S72),并且驗(yàn)證單元27 驗(yàn)證寫(xiě)入有數(shù)據(jù)的簇(步驟S73)。如果該簇沒(méi)有缺陷，則處理結(jié)束。如果 該簇有缺陷，則將下一個(gè)簇指定為當(dāng)前簇(步驟S74)。然后，位置信息生 成單元28通過(guò)在TDDS中重寫(xiě)最后一個(gè)TDFL的位置而新生成TDDS (步 驟S75)。然后再次執(zhí)行步驟S72和步驟S73。在步驟S75中，通過(guò)將當(dāng)前簇的地址寫(xiě)入最后一個(gè)TDFL的TDFL位 置信息，實(shí)現(xiàn)位置信息生成單元28重寫(xiě)TDFL位置信息的操作。圖22示出第三實(shí)施例的記錄/讀取裝置100如何寫(xiě)入TDFL。圖22的 第一行示出構(gòu)成TDMS弁j的多個(gè)簇。第二至第四行示出在這些簇中寫(xiě)入的 四個(gè)TDFL (TDFL#1、 TDFIJ2、 TDFIJ3禾tl TDFL#4)以及TDDS。假定 第一行所示的簇#2是缺陷簇，并且第二行示出TDFIJ1至TDFU3己寫(xiě)入 簇#1至簇#3的狀態(tài)。如上所述，簇#2是缺陷簇。因此需要進(jìn)行重試。在該重試中，只寫(xiě)入 在初始寫(xiě)入中無(wú)法寫(xiě)入的TDFIJ2。然而，同時(shí)， 一次寫(xiě)入作為最后一個(gè) TDFL的TDFL#4以及TDDS。第二行表明作為重試而寫(xiě)入了 TDFL#2的狀 態(tài)，第四行表明已寫(xiě)入TDFU4和TDDS的狀態(tài)。與最后一個(gè)TDFL—起 寫(xiě)入的TDDS表明寫(xiě)入有TDFIJ1、 TDFIJ2、 TDFU3和TDFU4的簇的 位置(地址C1、 C4、 C3、 C5)。利用這種結(jié)構(gòu)，在再現(xiàn)期間，僅通過(guò)根據(jù) 由TDDS所表明的位置訪(fǎng)問(wèn)TDMS中的簇，就可以按照預(yù)定順序?qū)DFL 順序地讀取到記錄/讀取裝置100中的存儲(chǔ)器上。如上所述，根據(jù)其中作為重試而寫(xiě)入由于缺陷等原因無(wú)法記錄的 TDFL、最后一個(gè)TDFL以及TDDS的第三實(shí)施例，可以縮短更新TDMS所需的時(shí)間，改進(jìn)使用的方便性。此外，能夠降低在更新TDMS過(guò)程中可 能發(fā)生的失敗風(fēng)險(xiǎn)，例如，如果在更新期間電源突然關(guān)閉。此外，TDMA中諸如裂紋的缺陷常常涉及在徑向排列的多個(gè)缺陷簇。 在光盤(pán)中， 一個(gè)內(nèi)圓周近似對(duì)應(yīng)于兩個(gè)簇。因此，如果TDMS由四個(gè)簇構(gòu) 成，并且作為重試而總是試圖將相同內(nèi)容寫(xiě)入TDMS中，則可能導(dǎo)致TDMS 更新的反復(fù)失敗。然而，根據(jù)第三實(shí)施例的程序，如果缺陷簇在徑向上排 歹U，則每次重試時(shí)都將改變寫(xiě)入缺陷簇中的TDFL。這增大了重試成功的可 能性。<補(bǔ)充說(shuō)明〉至此，己經(jīng)說(shuō)明了在遞交本申請(qǐng)時(shí)申請(qǐng)人所能獲知的實(shí)施本發(fā)明的最 佳方式。然而，在下述技術(shù)問(wèn)題等方面，還可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行改進(jìn)或修改。 在這里要指出，是否進(jìn)行這種改進(jìn)或修改是可選的，其取決于發(fā)明的實(shí)施 者?！碩DMS的結(jié)構(gòu)〉在上述實(shí)施例中，TDMS由TDFL和TDDL構(gòu)成。然而，也可將其它 信息添加到TDMS中。在這種情況下，TDMS的大小等于構(gòu)成TDMS的 TDFL、 TDDS以及添加信息的總大小?！碩DDS〉TDDS的大小不必與DDS相同?？梢院茏匀坏卣J(rèn)為，當(dāng)TDFL、 TDDS 以及其它有意義的信息的總大小未達(dá)到簇的大小時(shí)，簇的剩余部分可以填 充無(wú)意義的數(shù)據(jù)，例如"0"。<應(yīng)用到其它列表>在第一實(shí)施例中，說(shuō)朋了TDFL。然而，可以很自然地認(rèn)為，作為本發(fā) 明目標(biāo)的TDFL可以替換為其它列表，例如，由替換源項(xiàng)和替換目的地項(xiàng) 構(gòu)成的列表，其中將用于改寫(xiě)記錄區(qū)中數(shù)據(jù)B的數(shù)據(jù)A記錄在另一區(qū)域中， 并使用項(xiàng)進(jìn)行實(shí)際改寫(xiě)。<更新TDMS>在第一實(shí)施例中，如果新添加缺陷項(xiàng)只影響構(gòu)成TDMS —部分的 TDFL，則可以只更新TDMS受影響的部分，而不更新整個(gè)TDMS。<結(jié)束指示標(biāo)記>DMA信息讀取單元21具有判斷是否已結(jié)束光盤(pán)的功能。然而，如果 在TDMS中的預(yù)定位置處排列表明是否已結(jié)束光盤(pán)的結(jié)束指示標(biāo)記，則 TDMS信息讀取單元22可以利用該標(biāo)記判斷是否已結(jié)束光盤(pán)。結(jié)束指示標(biāo) 記不必包含在TDMS中，而是可以在介質(zhì)中的任何預(yù)定位置處提供。<從TDFL至DFL的轉(zhuǎn)換>在上述實(shí)施例中，按照由TDFL位置信息表明的順序， 一個(gè)簇一個(gè)簇 地從多個(gè)簇中讀取TDFL，并將讀取的TDFL存入存儲(chǔ)緩沖器16中。然而， 并不限于上述方式，在從TDFL#1位置信息表明位置處的簇到記錄區(qū)中最 后一個(gè)簇的所有的簇中讀取了 TDFL之后，只提取與由TDFL位置信息表 明的位置對(duì)應(yīng)的有效TDFL，并且可以按照TDFL位置信息表明的順序排列 提取的TDFL。<讀取TDFL>在上述實(shí)施例中，按照由TDFL位置信息表明的順序， 一個(gè)簇一個(gè)簇 地從多個(gè)簇中讀取TDFL，并將讀取的TDFL存入存儲(chǔ)緩沖器16中。然而， 并不限于上述方式，可以根據(jù)多條TDFL位置信息的連續(xù)性來(lái)判斷，在記 錄有與TDFL位置信息表明的位置對(duì)應(yīng)的TDFL的簇中，是否包括任何缺 陷簇或無(wú)效簇，并且如果TDFL接連地記錄在有效簇中，則可以從這些簇 中接連地讀取有效TDFL。與一個(gè)簇一個(gè)簇地從多個(gè)簇中讀取TDFL的情況 相比，上述結(jié)構(gòu)減少了獲取缺陷項(xiàng)所需的時(shí)間。<從TDFL到DFL的轉(zhuǎn)換>在存儲(chǔ)緩沖器16中，可以將所有讀取的TDFL的組合存儲(chǔ)為DFL，或者將讀取的TDFL按照其原來(lái)的方式進(jìn)行存儲(chǔ)。 <更新TDMS〉第一實(shí)施例中由TDFL轉(zhuǎn)換單元25執(zhí)行的TDMS的更新僅僅是一個(gè) 實(shí)例。就表明關(guān)于缺陷的信息而言，也可以以不同方式進(jìn)行更新。例如， 可以不必對(duì)缺陷項(xiàng)進(jìn)行排序。<TDMS的結(jié)構(gòu)>在上述實(shí)施例中，TDMS由TDFL和TDDS構(gòu)成。然而，也可以將其 它信息添加到TDMS。在這種情況下，TDMS的大小等于構(gòu)成TDMS的 TDFL、 TDDS以及其它信息的大小總和。<驗(yàn)證的時(shí)序>在第二和第三實(shí)施例中，在包括由于缺陷簇而無(wú)法在初始寫(xiě)入中寫(xiě)入 的TDFL的多個(gè)TDFL被寫(xiě)入，以及最后一個(gè)TDFL和TDDS被寫(xiě)入之后， 進(jìn)行驗(yàn)證。然而，并不限于上述方式，例如，可以重復(fù)進(jìn)行如下處理，即 僅寫(xiě)入由于缺陷簇而無(wú)法寫(xiě)入的TDFL并進(jìn)行驗(yàn)證，直到除最后一個(gè)TDFL 外的所有TDFL都被成功寫(xiě)入為止，然后寫(xiě)入最后一個(gè)TDFL以及TDDS， 并進(jìn)行驗(yàn)證。<記錄期間錯(cuò)誤的發(fā)生>在第二和第三實(shí)施例中，如果判定在驗(yàn)證期間發(fā)生記錄失敗，則將記 錄作為重試來(lái)進(jìn)行。然而，并不限于上述方式，例如，當(dāng)在寫(xiě)入數(shù)據(jù)期間 出現(xiàn)錯(cuò)誤時(shí)，可以進(jìn)行重試。在這種情況下，可以重復(fù)下述處理以獲得相 同的有益效果如果在寫(xiě)入數(shù)據(jù)期間發(fā)生錯(cuò)誤，則驗(yàn)證已連續(xù)地寫(xiě)入有數(shù) 據(jù)的簇，寫(xiě)入包括無(wú)法寫(xiě)入的TDFL的多個(gè)TDFL以及最后一個(gè)TDFL和 TDDS，并進(jìn)行驗(yàn)證。<更新TDMS〉在第三實(shí)施例中，如果新添加缺陷項(xiàng)只影響構(gòu)成TDMS —部分的TDFL，則可以只更新TDMS受影響的部分，而不更新整個(gè)TDMS。 <重寫(xiě)TDDS>在第二實(shí)施例中，在進(jìn)行重試之前，獲取與每個(gè)TDFL對(duì)應(yīng)的每條 TDFL位置信息，并且利用獲取的TDFL位置信息重寫(xiě)TDDS中的TDFL 位置信息。然而，不必在進(jìn)行重試之前重寫(xiě)TDDS中的TDFL位置信息。 例如，可以在寫(xiě)入最后一個(gè)TDFL和TDDS時(shí)獲取與每個(gè)有效TDFL對(duì)應(yīng) 的每條TDFL位置信息，并利用獲取的TDFL位置信息重寫(xiě)TDDS中的 TDFL位置信息。<驗(yàn)證的時(shí)序>在第三實(shí)施例中，重復(fù)進(jìn)行如下處理，即在正常寫(xiě)入包括無(wú)法寫(xiě)入的 TDFL的多個(gè)TDFL之后進(jìn)行驗(yàn)證，直到除最后一個(gè)TDFL外的所有TDFL 以及TDDS都被正常寫(xiě)入為止，然后在寫(xiě)入最后一個(gè)TDFL以及TDDS后 進(jìn)行驗(yàn)證。然而，可以將無(wú)法寫(xiě)入的TDFL以及TDDS寫(xiě)入順序排列的簇 中，然后進(jìn)行驗(yàn)證。<驗(yàn)證的時(shí)序>在第三實(shí)施例中，重復(fù)進(jìn)行如下處理，即在正常寫(xiě)入包括無(wú)法寫(xiě)入的 TDFL的多個(gè)TDFL之后進(jìn)行驗(yàn)證，直到除最后一個(gè)TDFL外的所有TDFL 以及TDDS都被正常寫(xiě)入為止，然后在寫(xiě)入最后一個(gè)TDFL以及TDDS之 后，進(jìn)行驗(yàn)證。然而，可以重復(fù)進(jìn)行處理A，即寫(xiě)入無(wú)法寫(xiě)入的TDFL并 進(jìn)行驗(yàn)證，直到除最后一個(gè)TDFL外的所有TDFL都被正常寫(xiě)入為止，接 著進(jìn)行處理B，即在寫(xiě)入最后一個(gè)TDFL以及TDDS之后進(jìn)行驗(yàn)證。處理 A和B的序列可以重復(fù)。<TDFL的順序>即使在簇中包括缺陷簇的情況下，有效TDFL#1至TDFL#n的順序也 可以是遞增順序。例如，寫(xiě)入有TDFIJn的簇為缺陷簇，按照TDFIJl、 TDFL#2、 TDFIJ3、......[缺陷簇]、TDFUn的遞增順序?qū)懭隩DFL。<控制程序的實(shí)現(xiàn)>由于上述控制程序具體由硬件資源實(shí)現(xiàn)，并且是利用了自然規(guī)律的技 術(shù)構(gòu)想的創(chuàng)新，因此在上述實(shí)施例中利用流程圖說(shuō)明的控制程序以及上述 實(shí)施例中說(shuō)明的功能組件的控制程序都滿(mǎn)足"程序發(fā)明"的要求。固本發(fā)明程序的生產(chǎn)可以按照如下方式生產(chǎn)本發(fā)明的程序。首先，軟件開(kāi)發(fā)人員利用編程 語(yǔ)言編寫(xiě)可實(shí)現(xiàn)各個(gè)流程圖和功能組件的源程序。在編寫(xiě)過(guò)程中，軟件開(kāi) 發(fā)人員遵循其使用的編程語(yǔ)言的語(yǔ)句結(jié)構(gòu)，來(lái)使用類(lèi)結(jié)構(gòu)、變量、數(shù)組變 量、對(duì)外部函數(shù)的調(diào)用等。以文件形式將編寫(xiě)的源程序發(fā)送到編譯器。編譯器翻譯源程序并生成 目標(biāo)程序。編譯器執(zhí)行的翻譯包括例如語(yǔ)句結(jié)構(gòu)分析、優(yōu)化、資源分配以及代碼 生成等處理。在語(yǔ)句結(jié)構(gòu)分析中，分析字符和短語(yǔ)、語(yǔ)句結(jié)構(gòu)以及源程序 的含義，并將源程序轉(zhuǎn)換為中間程序。在優(yōu)化過(guò)程中，中間程序受到例如 基本塊設(shè)置、控制流分析以及數(shù)據(jù)流分析等處理。在資源分配中，為了適 應(yīng)目標(biāo)處理器的指令集，將中間程序的變量分配給目標(biāo)處理器的寄存器或 存儲(chǔ)器。在代碼生成中，將中間程序中的每個(gè)中間指令轉(zhuǎn)換為程序代碼， 從而獲得目標(biāo)程序。生成的目標(biāo)程序由一個(gè)或多個(gè)程序代碼構(gòu)成，這些程序代碼使計(jì)算機(jī) 執(zhí)行流程圖中的各個(gè)步驟或者功能組件的各個(gè)程序。存在各種類(lèi)型的程序代碼，例如處理器的本機(jī)代碼以及JAVA (TM)字節(jié)碼。也存在實(shí)現(xiàn)程序 代碼步驟的各種形式。例如，當(dāng)可以利用外部函數(shù)實(shí)現(xiàn)每個(gè)步驟時(shí)，將用 于調(diào)用外部函數(shù)的調(diào)用語(yǔ)句用作程序代碼。實(shí)現(xiàn)一個(gè)步驟的程序代碼可以 屬于不同的目標(biāo)程序。在指令類(lèi)型受到限制的RISC處理器中，可以通過(guò)組 合算術(shù)運(yùn)算指令、邏輯運(yùn)算指令、分支指令等來(lái)實(shí)現(xiàn)流程圖的各個(gè)步驟。在生成目標(biāo)程序后，程序員激活連接程序。連接程序?qū)⒋鎯?chǔ)器空間分 配給目標(biāo)程序及相關(guān)庫(kù)程序，并將其連接到一起以生成裝入模塊。生成的 裝入模塊基于如下假設(shè)，即其可被計(jì)算機(jī)讀取并使計(jì)算機(jī)執(zhí)行流程圖中表明的程序以及功能組件的程序。通過(guò)這種方式可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的程序。翻本發(fā)明程序的使用可以按照如下方式使用本發(fā)明的程序。(i) 用作嵌入程序?qū)⒈景l(fā)明的程序用作嵌入程序時(shí)，將作為程序的裝入模塊與基本輸入/輸出系統(tǒng)(BIOS)程序以及各中間件(操作系統(tǒng)) 一起寫(xiě)入到指令ROM。 當(dāng)指令ROM嵌入控制單元中時(shí)，本發(fā)明的程序用作記錄/讀取裝置100的 控制程序，并由CPU執(zhí)行。(ii) 用作應(yīng)用程序當(dāng)記錄/讀取裝置100是嵌入式硬盤(pán)模型時(shí)，將基本輸入/輸出系統(tǒng) (BIOS)程序嵌入指令ROM中，并且將各中間件(操作系統(tǒng))預(yù)先安裝 到硬盤(pán)中。此外，在記錄/讀取裝置100中提供用于從硬盤(pán)中激活系統(tǒng)的引 導(dǎo)ROM。在這種情況下，只有裝入模塊經(jīng)由可移動(dòng)記錄介質(zhì)和/或網(wǎng)絡(luò)被提供到 記錄/讀取裝置100，并作為一個(gè)應(yīng)用程序安裝到硬盤(pán)中。這樣就允許記錄/ 讀取裝置100通過(guò)ROM自舉以激活操作系統(tǒng)，然后使CPU執(zhí)行所安裝的 作為應(yīng)用程序的裝入模塊，從而可以使用本申請(qǐng)的程序。如上所述，當(dāng)記錄/讀取裝置100是硬盤(pán)嵌入模型時(shí)，可以將本發(fā)明的 程序用作應(yīng)用程序。因此，可以通過(guò)網(wǎng)絡(luò)而單獨(dú)地傳送、借用或提供本發(fā) 明的程序。<缺陷管理信息處理單元13>可以將實(shí)施例中所述的缺陷管理信息處理單元13實(shí)現(xiàn)為一個(gè)系統(tǒng)LSI。通過(guò)在高密度襯底上實(shí)施承載芯片(bear chip)并封裝它們來(lái)獲取系統(tǒng) LSI。也可以通過(guò)在高密度襯底上實(shí)施多個(gè)承載芯片并封裝它們來(lái)獲取系統(tǒng) LSI，從而多個(gè)承載芯片的外觀為一個(gè)LSI (該系統(tǒng)LSI稱(chēng)為多芯片模塊)。系統(tǒng)LSI具有QFP (方形扁平封裝)類(lèi)型和PGA (引腳網(wǎng)格陣列)類(lèi) 型。在QFP類(lèi)型系統(tǒng)LSI中，引腳附于封裝的四個(gè)側(cè)面。在PGA類(lèi)型的系統(tǒng)LSI中，大量引腳附于整個(gè)底部。這些引腳充當(dāng)與其它電路的接口。經(jīng)由作為接口的這些引腳而與其它 電路連接的系統(tǒng)LSI充當(dāng)記錄/讀取裝置100的核心。封裝于系統(tǒng)LSI中的承載芯片包括前端單元、后端單元以及數(shù)字處理 單元。前端單元使模擬信號(hào)數(shù)字化。后端單元將經(jīng)由數(shù)字處理而獲得的數(shù) 字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬格式，并輸出模擬數(shù)據(jù)。在數(shù)字處理單元中實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例中的內(nèi)部結(jié)構(gòu)組件。如在"用作嵌入程序"中所述，將作為程序的裝入模塊、基本輸入/輸 出系統(tǒng)(BIOS)程序以及各中間件(操作系統(tǒng)) 一起寫(xiě)入指令R0M。通 過(guò)作為程序的裝入模塊實(shí)現(xiàn)實(shí)施例的主要改進(jìn)。因此，可以通過(guò)封裝指令 ROM來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的系統(tǒng)LSI，其中作為程序的裝入模塊作為承載芯片存 儲(chǔ)。關(guān)于具體的實(shí)現(xiàn)方法，優(yōu)選使用SoC實(shí)現(xiàn)或SiP實(shí)現(xiàn)。SoC (片上系 統(tǒng))是一種將多個(gè)電路印制到芯片上的技術(shù)。SiP (系統(tǒng)級(jí)封裝)實(shí)現(xiàn)是一 種利用樹(shù)脂等封裝多個(gè)電路的技術(shù)。通過(guò)這些處理，可以基于以上各個(gè)實(shí) 施例中說(shuō)明的記錄/讀取裝置100的內(nèi)部結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的系統(tǒng)LSI。在這里要指出，盡管在這里使用術(shù)語(yǔ)LSI，但是根據(jù)集成的程度，也可 以稱(chēng)為IC、 LSI、超LSI、甚超LSI等。此外，還可以將每個(gè)記錄/讀取裝置的全部組件或部分組件實(shí)現(xiàn)為一個(gè) 芯片。集成電路不限于SoC實(shí)現(xiàn)或SiP實(shí)現(xiàn)，而是可以通過(guò)專(zhuān)用電路或通 用處理器來(lái)實(shí)現(xiàn)。也可以利用能夠在制造后進(jìn)行再編程的FPGA (現(xiàn)場(chǎng)可 編程門(mén)陣列)，或者可以重新配置LSI內(nèi)部的電路單元連接及設(shè)置的可重新 配置處理器，來(lái)實(shí)現(xiàn)集成電路。此外，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展或是分支為 其它技術(shù)，即將出現(xiàn)一種用于替代LSI的集成電路的技術(shù)。在這種情況下， 可將新技術(shù)納入上述的構(gòu)成本發(fā)明的功能塊的集成中。這些可能的技術(shù)包 括生物工程技術(shù)。實(shí)用性基于以上實(shí)施例中的光盤(pán)、記錄裝置以及讀取裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可以 大規(guī)模制造本發(fā)明的光盤(pán)、記錄裝置以及讀取裝置。因此，本發(fā)明的光盤(pán)、 記錄裝置以及讀取裝置具有工業(yè)實(shí)用性。
權(quán)利要求
1. 一種以簇為單位將數(shù)據(jù)記錄在上面的一次寫(xiě)入式光盤(pán)，這種一次寫(xiě)入式光盤(pán)包括臨時(shí)缺陷管理區(qū)，其中缺陷區(qū)列表和結(jié)構(gòu)信息記錄在所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)中，所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)有一個(gè)部分，在其中按照以下順序排列所述缺陷區(qū)列表的多個(gè)部分(1)缺陷區(qū)列表里在初始寫(xiě)入中成功寫(xiě)入的一部分；(2)缺陷區(qū)列表里在重試寫(xiě)入中成功寫(xiě)入的一部分；以及(3)缺陷區(qū)列表里最后一簇包括所述結(jié)構(gòu)信息的一部分，其中缺陷區(qū)列表的每一部分都表明所述光盤(pán)中的至少一個(gè)缺陷區(qū)，以及所述結(jié)構(gòu)信息包括多條位置信息，所述多條位置信息表明每個(gè)都包括所述缺陷區(qū)列表一部分的多個(gè)簇的簇位置。
2. —種用于將表明一次寫(xiě)入式光盤(pán)缺陷區(qū)的缺陷區(qū)列表寫(xiě)入以簇為單 位將數(shù)據(jù)記錄在上面的所述一次寫(xiě)入式光盤(pán)的記錄裝置，所述記錄裝置包 括生成單元，用于生成結(jié)構(gòu)信息，所述結(jié)構(gòu)信息包括多條位置信息，所 述多條位置信息，所述多條位置信息表明每個(gè)都包括所述缺陷區(qū)列表一部 分的多個(gè)簇的簇位置；以及寫(xiě)入單元，用于將生成的所述結(jié)構(gòu)信息與所述缺陷區(qū)列表一起寫(xiě)入所 述一次寫(xiě)入式光盤(pán)的臨時(shí)缺陷管理區(qū)中，其中所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)有一個(gè)部分，在其中按照以下順序排列所述缺陷 區(qū)列表的多個(gè)部分(1) 缺陷區(qū)列表里在初始寫(xiě)入中成功寫(xiě)入的一部分；(2) 缺陷區(qū)列表里在重試寫(xiě)入中成功寫(xiě)入的一部分；以及(3) 缺陷區(qū)列表里最后一簇包括所述結(jié)構(gòu)信息的一部分。
3. 如權(quán)利要求2所述的記錄裝置，還包括驗(yàn)證單元，用于在已經(jīng)寫(xiě)入缺陷區(qū)列表的每一部分時(shí)，驗(yàn)證缺陷區(qū)列表的每一部分，其中如果寫(xiě)入有缺陷區(qū)列表一部分的簇A被驗(yàn)證為缺陷簇，則該寫(xiě)入單元 進(jìn)行重試，以將缺陷區(qū)列表的所述部分寫(xiě)入簇B中，并且 所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)具有缺陷區(qū)列表的第(2)部分。
4. 如權(quán)利要求2所述的記錄裝置，還包括驗(yàn)證單元，用于在已經(jīng)寫(xiě)入除了最后一個(gè)缺陷區(qū)列表以外的缺陷區(qū)列 表中每一部分時(shí)，驗(yàn)證缺陷區(qū)列表的每一部分，其中如果寫(xiě)入有缺陷區(qū)列表一部分的簇A被驗(yàn)證為缺陷簇，則該寫(xiě)入單元 進(jìn)行重試，以將缺陷區(qū)列表的所述部分寫(xiě)入簇B中，并且所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)具有缺陷區(qū)列表的第(2)部分。
5. —種讀取裝置，用于從以簇為單位將數(shù)據(jù)記錄在上面的一次寫(xiě)入式 光盤(pán)上記錄的臨時(shí)缺陷管理區(qū)讀取缺陷區(qū)列表，其中所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)有一個(gè)部分，在其中按照以下順序排列所述缺陷 區(qū)列表的多個(gè)部分(1) 缺陷區(qū)列表里在初始寫(xiě)入中成功寫(xiě)入的一部分；(2) 缺陷區(qū)列表里在重試寫(xiě)入中成功寫(xiě)入的一部分；以及(3) 缺陷區(qū)列表里最后一簇包括所述結(jié)構(gòu)信息的一部分， 缺陷區(qū)列表的每一部分都表明所述光盤(pán)中的至少一個(gè)缺陷區(qū)， 所述結(jié)構(gòu)信息包括多條位置信息，所述多條位置信息表明每個(gè)都包括所述缺陷區(qū)列表一部分的多個(gè)簇的簇位置，所述讀取裝置包括讀取單元，用于從所述光盤(pán)將所述缺陷區(qū)列表讀出到存儲(chǔ)器； 保存單元，用于保存讀出到所述存儲(chǔ)器的所述缺陷區(qū)列表；以及 訪(fǎng)問(wèn)單元，用于在高級(jí)裝置指示訪(fǎng)問(wèn)由所述缺陷區(qū)列表表明的缺陷區(qū) 時(shí)，訪(fǎng)問(wèn)對(duì)應(yīng)于該缺陷區(qū)的備用區(qū)，而不是該缺陷區(qū)。
6. —種記錄方法，用于將表明一次寫(xiě)入式光盤(pán)上缺陷區(qū)的缺陷區(qū)列表 寫(xiě)入以簇為單位將數(shù)據(jù)記錄在上面的所述光盤(pán)上，該記錄方法包括以下步驟生成結(jié)構(gòu)信息，所述結(jié)構(gòu)信息包括多條位置信息，所述多條位置信息 表明每個(gè)都包括所述缺陷區(qū)列表一部分的多個(gè)簇的簇位置；以及將生成的所述結(jié)構(gòu)信息與所述缺陷區(qū)列表一起寫(xiě)入所述一次寫(xiě)入式光 盤(pán)的臨時(shí)缺陷管理區(qū)中，其中所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)有一個(gè)部分，在其中按照以下順序排列所述缺陷 區(qū)列表的多個(gè)部分(1) 缺陷區(qū)列表里在初始寫(xiě)入中成功寫(xiě)入的一部分；(2) 缺陷區(qū)列表里在重試寫(xiě)入中成功寫(xiě)入的一部分；以及(3) 缺陷區(qū)列表里最后一簇包括所述結(jié)構(gòu)信息的一部分。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，還包括以下步驟在已經(jīng)寫(xiě)入缺陷區(qū)列表的每一部分時(shí)，驗(yàn)證缺陷區(qū)列表的每一部分，如果寫(xiě)入有缺陷區(qū)列表一部分的簇A被驗(yàn)證為缺陷簇，則該寫(xiě)入步驟 進(jìn)行重試，以將缺陷區(qū)列表的所述部分寫(xiě)入簇B中，并且 所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)具有缺陷區(qū)列表的第(2)部分。
8. 如權(quán)利要求6所述的記錄方法，還包括以下步驟在已經(jīng)寫(xiě)入除了最后一個(gè)缺陷區(qū)列表以外的的缺陷區(qū)列表中每一部分 時(shí)，驗(yàn)證缺陷區(qū)列表的每一部分，其中如果寫(xiě)入有缺陷區(qū)列表一部分的簇A被驗(yàn)證為缺陷簇，則該寫(xiě)入單元 進(jìn)行重試，以將缺陷區(qū)列表的所述部分寫(xiě)入簇B中，并且 所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)具有缺陷區(qū)列表的第(2)部分。
9. 一種讀取方法，用于從以簇為單位將數(shù)據(jù)記錄在上面的一次寫(xiě)入式 光盤(pán)上記錄的臨時(shí)缺陷管理區(qū)讀取缺陷區(qū)列表，其中所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)有一個(gè)部分，在其中按照以下順序排列所述缺陷區(qū)列表的多個(gè)部分(1)缺陷區(qū)列表里在初始寫(xiě)入中成功寫(xiě)入的一部分；(2) 缺陷區(qū)列表里在重試寫(xiě)入中成功寫(xiě)入的一部分；以及(3) 缺陷區(qū)列表里最后一簇包括所述結(jié)構(gòu)信息的一部分， 缺陷區(qū)列表的每一部分都表明所述光盤(pán)中的至少一個(gè)缺陷區(qū)， 所述結(jié)構(gòu)信息包括多條位置信息，所述多條位置信息表明每個(gè)都包括所述缺陷區(qū)列表一部分的多個(gè)簇的簇位置，所述讀取方法包括以下步驟從所述光盤(pán)將所述缺陷區(qū)列表讀出到存儲(chǔ)器；保存讀出到所述存儲(chǔ)器的所述缺陷區(qū)列表；以及在高級(jí)裝置指示訪(fǎng)問(wèn)由所述缺陷區(qū)列表表明的缺陷區(qū)時(shí)，訪(fǎng)問(wèn)對(duì)應(yīng)于 該缺陷區(qū)的備用區(qū)，而不是該缺陷區(qū)。
全文摘要
光盤(pán)1包括缺陷管理區(qū)(DMA)。在該缺陷管理區(qū)(DMA)的臨時(shí)缺陷管理區(qū)(TDMS)中記錄多個(gè)缺陷區(qū)列表(TDFL)和結(jié)構(gòu)信息(TDDS)。所述多個(gè)缺陷區(qū)列表(TDFL)表明在訪(fǎng)問(wèn)該光盤(pán)1期間檢測(cè)到的至少一個(gè)缺陷區(qū)。該結(jié)構(gòu)信息(TDDS)包括表明所述缺陷區(qū)列表(TDFL)位置的多條位置信息。一對(duì)一地對(duì)應(yīng)于所述缺陷區(qū)列表的所述多條位置信息，按照讀取與所述多條位置信息對(duì)應(yīng)的缺陷區(qū)列表(TDFL)的順序，排列在該結(jié)構(gòu)信息(TDDS)中。
文檔編號(hào)G11B20/18GK101266825SQ200810099110
公開(kāi)日2008年9月17日 申請(qǐng)日期2006年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月14日
發(fā)明者伊藤基志, 甲斐田優(yōu) 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社