專利名稱：對圖案化介質(zhì)盤進(jìn)行度量的系統(tǒng)、方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及介質(zhì)盤，具體地涉及對硬盤驅(qū)動(dòng)器中所用的具有集成測 試圖案區(qū)的圖案化》茲介質(zhì)盤進(jìn)行度量的改進(jìn)的系統(tǒng)、方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
磁介質(zhì)，例如硬盤驅(qū)動(dòng)器使用的盤，通常構(gòu)建有呈同心圓圖案的結(jié)構(gòu)
(formation)(例如線、點(diǎn)等)，該結(jié)構(gòu)的尺寸大約為幾納米。圖案化介質(zhì)上 的這些結(jié)構(gòu)在制造過程中必須合格以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。
圖案化介質(zhì)可以以度量技術(shù)評估，該度量技術(shù)使用基于光語橢圓光度法 或反射法的光學(xué)設(shè)備。對準(zhǔn)過程通常被用于度量，且包括一個(gè)或更多對準(zhǔn)標(biāo) 記的額外圖案。對準(zhǔn)是圖案搜索和準(zhǔn)確測量所需的。這些技術(shù)精確地測量臨 界尺寸、側(cè)壁角度和多層膜厚度。該測量不僅對二維線和間隙結(jié)構(gòu)進(jìn)行，還 對三維孔和島結(jié)構(gòu)進(jìn)行。此技術(shù)為用于單獨(dú)和綜合度量應(yīng)用的散射結(jié)果在生 產(chǎn)上的使用提供了精準(zhǔn)的模型。
然而，傳統(tǒng)度量技術(shù)僅在對布置成直線(例如矩形、平行四邊形或六邊 形)圖案的結(jié)構(gòu)的測量中起作用，而非具有曲線周期性的結(jié)構(gòu)，例如磁介質(zhì) 盤上的結(jié)構(gòu)。另外，圖案、點(diǎn)和線的尺寸太小以至于不能以橢圓光度法和X 射線折射所用的檢測技術(shù)識別。這些技術(shù)僅能提供島的周期性集合的平均尺 寸。此外，SEM檢測技術(shù)緩慢、昂貴，且對被測樣品是破壞性的(即因?yàn)?它要求將樣品破碎成更小的塊，或者因?yàn)樗廴緲悠?。隨著盤驅(qū)動(dòng)器中數(shù) 據(jù)密度(例如位/nm2)持續(xù)增大，此問題變得越發(fā)重要。
如圖l所示，歸因于同心圓環(huán)圖案，磁介質(zhì)盤上部件的規(guī)律隨盤表面上 被分析的樣品的徑向位置而變。例如，在樣品11 (其為激光光斑，具有50|nm 的直徑，位于與盤中心13相距0.3英寸徑向距離處)處，結(jié)構(gòu)的圖案的曲率 半徑遠(yuǎn)比樣品15處顯著，樣品15位于與盤中心13相距1.25英寸徑向距離 處。雖然當(dāng)前的測量技術(shù)為一些直線結(jié)構(gòu)圖案提供了合適的度量，但是他們并非也適合于彎曲的結(jié)構(gòu)圖案，例如樣品11和15中的那些。于是，需要改 進(jìn)的用于測量按彎曲圖案布置的部件的技術(shù)方案。

發(fā)明內(nèi)容
用于改進(jìn)對盤驅(qū)動(dòng)器的圖案化介質(zhì)盤上的結(jié)構(gòu)和部件的度量的系統(tǒng)、方 法和設(shè)備的實(shí)施例得以公開。所述盤提供有測量輔助用具，所述輔助用具包 括小的、集成的測試圖案區(qū)。在一個(gè)實(shí)施例中，測試圖案與用于盤表面上的 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的同心圓環(huán)圖案化介質(zhì)一起形成，并散布在其間。與結(jié)構(gòu)的曲線圖 案不同，測試圖案區(qū)可以布置成矩形或六邊形圖案。由于測試圖案區(qū)的一些 實(shí)施例不可用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，所以測試圖案區(qū)僅覆蓋非常小的盤區(qū)域，從而不 顯著影響盤容量。與具有曲線周期的那些結(jié)構(gòu)相比，所述測試圖案區(qū)中的結(jié) 構(gòu)更容易以度量技術(shù)測量，這使得制造過程中對介質(zhì)盤的檢測是非干擾性 的、且更容易、更快。
在一實(shí)施例中，測試圖案區(qū)可以被形成為毯膜圖案(blanket film pattern) 或非部件墊(featureless pad),其良好地適于對厚度、密度和成分的膜表征。 點(diǎn)陣狀點(diǎn)圖案處理圖案尺寸表征的度量參數(shù)，包括這些部件的臨界尺寸、高 度、角度、粗糙度和倒角。對點(diǎn)陣狀點(diǎn)圖案的調(diào)整、或者空行或間隔的引入 對付更高分辨率的圖案。這具有降低部件密度且對一些應(yīng)用能進(jìn)行更好測量 的效果。另外，實(shí)線和間隔輔助表征軌道圖案、離散軌道和預(yù)圖案化的伺服 圖案，包括那些部件的臨界尺寸、高度、角度、粗糙度和倒角。這些種類的 圖案在盤的選定小區(qū)域中的加入使得良好的測量能夠進(jìn)行，以用于更好的工 藝控制。
由于以下對本發(fā)明的詳細(xì)描述，加上所附權(quán)利要求和附圖，對本領(lǐng)域技 術(shù)人員而言，本發(fā)明的前述和其它目的和優(yōu)點(diǎn)將變得清楚。


以將變得清楚的本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)被實(shí)現(xiàn)且能被更詳細(xì)理解的方式，
該附圖構(gòu)成本說明書的一部分。然而需要注意，附圖僅示出本發(fā)明的一些實(shí) 施方式，因此不應(yīng)當(dāng)被當(dāng)作對本發(fā)明范圍的限制，因?yàn)楸景l(fā)明可以允許有其 它等效實(shí)施方式。圖1是圖案化盤表面的示意性圖示，示出其上形成的結(jié)構(gòu)的周期性變
化； —
圖2是》茲介質(zhì)盤的一實(shí)施方式的示意性圖示，其具有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造的 測試圖案；
圖3A-3F是圖2的測試圖案的結(jié)構(gòu)和圖案的多種實(shí)施方式的圖示，其根 據(jù)本發(fā)明構(gòu)造；以及
圖4是才艮據(jù)本發(fā)明構(gòu)造的盤驅(qū)動(dòng)器的一個(gè)實(shí)施方式的示意性圖示。
具體實(shí)施例方式
參見圖2和3,用于改進(jìn)盤驅(qū)動(dòng)器的圖案化介質(zhì)盤上的結(jié)構(gòu)和部件的度 量的系統(tǒng)、方法和設(shè)備的實(shí)施例得以公開。如圖2中示意性圖示的那樣，數(shù) 據(jù)存儲(chǔ)盤21包括基底，該基底具有大量具有曲線周期的磁介質(zhì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié) 構(gòu)23 (例如線、點(diǎn)等)。另外，盤可以設(shè)置有對測量膜厚有用的不是部件(即 不是線和點(diǎn))的測量區(qū)。非部件區(qū)對制造工藝控制也是有用的，因?yàn)槟ず裆?及結(jié)構(gòu)的高度。
數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)23可以包括^f茲島構(gòu)成的圓環(huán)形軌道(track),每個(gè)^茲島通常包 括小的材料柱。在某些制造方法中，柱通過印刷、光刻蝕刻、壓印平版印刷 (imprint lithography )、電子束光刻等形成在基底上，石茲材料被趁覆沉積在 柱之上， 一些留在柱頂上， 一些留在環(huán)繞柱的溝槽內(nèi)。柱頂部上的磁材料用 作孤立的磁島，所述磁島用于圖案化介質(zhì)上的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
在其他制造方法中，在盤上沉積-磁材料的全膜。然后，光刻構(gòu)圖并蝕刻 該膜，從而去除島之間的材料，留下磁膜構(gòu)成的島，島之間沒有磁材料。無 論使用什么方法，制造過程中重要的是具有良好的工藝控制，從而目標(biāo)尺寸 能被始終如一地控制。這要求對代表性的臨界尺寸進(jìn)行快速測量，然后基于 所獲得的信息對制造設(shè)備進(jìn)行調(diào)整。
被測量的一些尺寸包括(l)島直徑(或長度、寬度等，如果不是準(zhǔn)確 的圓形)；(2)島高度;(3)島側(cè)壁傾斜度(slop); (4)島邊緣的任何倒角(這是 蝕刻中可能發(fā)生的所不想要的結(jié)果)。
對于制造工藝控制，沒有必要測量每個(gè)島。代表性測量足以提供平均執(zhí) 行信息。由于設(shè)備不總是在整個(gè)表面上均勻蝕刻，所以在盤的不同區(qū)域可能 有變化。于是，重要的是在盤的若干代表性區(qū)域測量盤。先進(jìn)的光學(xué)散射度量、光學(xué)橢圓光度法和各種X射線技術(shù)可用于此目的。這些技術(shù)中沒有一個(gè) 能測量單個(gè)島的尺寸。然而，如果提供島的周期性陣列，則它們可提供關(guān)于 測量的光斑尺寸內(nèi)島的集合的平均尺寸信息，根據(jù)所用的技術(shù)，該光斑尺寸
通常為至少幾ium的直徑至約lmm。
再次參見圖2，盤21還構(gòu)造有測試結(jié)構(gòu)27的一個(gè)或更多個(gè)非常小的測 試區(qū)25 (尺寸極大放大地示出)。在一個(gè)實(shí)施例中，測試區(qū)25按數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié) 構(gòu)23的曲線周期(curvilinear periodicity)形成并結(jié)合到其中，如圖所示。 然而，與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)23不同，測試結(jié)構(gòu)27的一些實(shí)施例按直線周期 (rectilinear periodicity )構(gòu)造，以便于對測試結(jié)構(gòu)27和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)23的 度量。例如，所述直線周期可以包括矩形、類平行四邊形或六邊形圖案。于 是，測試結(jié)構(gòu)是獨(dú)特的圖案化磁介質(zhì)，其與用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的常規(guī)磁介質(zhì)混合。 根據(jù)應(yīng)用，測試區(qū)域可以用于或不用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
在一實(shí)施例中，基底具有徑向中心31，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)23的曲線周期包 括繞徑向中心31排列的多個(gè)同心圓環(huán)圖案。測試區(qū)25均勻地散布在曲線周 期內(nèi)。測試區(qū)25可以排列成自徑向中心31徑向延伸的多個(gè)輻條(例如圖2 所示的3個(gè))，每個(gè)測試區(qū)可以構(gòu)造為具有矩形周界(perimeter)。
在其它實(shí)施例中，測試結(jié)構(gòu)構(gòu)成的測試區(qū)可以包括盤上的其它類型的物 理結(jié)構(gòu)。所述物理結(jié)構(gòu)可以包括電介質(zhì)膜中的形貌部件(topographic feature )。 或者，它們可以是被蝕刻成島的磁層，于是其看上去也像形貌圖案。在其它 實(shí)施例中，所述物理結(jié)構(gòu)包括具有共形保護(hù)層(overcoat)的圖案化^f茲層， 其允許形貌在保護(hù)層的表面"顯露"。這些不同的實(shí)施例使得根據(jù)所選的制 造工藝測量能在盤的制造工藝的不同點(diǎn)進(jìn)行。
測試區(qū)也可以包括許多不同類型的部件和結(jié)構(gòu)以及它們的組合。例如， 如圖2所示，測試區(qū)可以包括毯膜圖案(blanket film pattern)中的非部件墊 (featureless pad)，用于厚度、密度和成分的膜表征。如圖3A-3E所示，測試 區(qū)也可以包括點(diǎn)陣狀點(diǎn)圖案，用于臨界尺寸、高度、角度、粗糙度和倒角的 圖案尺寸表征。點(diǎn)陣狀點(diǎn)圖案可以被調(diào)整，從而形成空行和間隔，用于測量 高分辨圖案，或者測試區(qū)可以被構(gòu)造為具有其它類型的空的行和間隔。
圖3E中，"連接"的點(diǎn)不是故意連接的。這是工藝控制問題的一示例， 利用本發(fā)明，其能被測量，然后可以被修正。測試圖案中島的平均尺寸的測 量能表明連接正在發(fā)生，工藝可被改變以修正正在制造的后續(xù)盤上的此問題。
除了圖3A所示的密集的均勻點(diǎn)陣圖案(其是數(shù)據(jù)區(qū)中部件的布置和密
度的代表)外，也可以使用許多其它簡化的或更小密度的圖案。其原因在于，
由于被測量的島的尺寸非常小，該尺寸處于嘲L射測量能正確測量的尺寸的邊 緣，所以光學(xué)散射測量對密集圖案有一些困難。另外，更稀疏布置的圖案給
出了額外信息，該信息促進(jìn)測量過程。例如，圖3B至3E中所示的圖案具有 低的密度，并提供了有助于平均島尺寸表征的額外信息。
圖3F示出也可以以此方式使用的圖案。它適用于上述目的，且適于針 對平均尺寸和線邊緣粗糙度表征線部件(其也包括在盤的數(shù)據(jù)區(qū)的扇區(qū)頭區(qū) 域(sector header region)內(nèi))，平均尺寸和線邊緣粗糙度也是感興趣的。例 如，這些測試區(qū)可以包括實(shí)線和間隔，所述實(shí)線和間隔也可以用于以臨界尺 寸、高度、角度、粗糙度和倒角來表征軌道圖案、離散軌道和預(yù)圖案化的伺 服圖案。
現(xiàn)在參照圖4,示出根據(jù)本發(fā)明的用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的包括磁硬盤存儲(chǔ)器 的信息存儲(chǔ)系統(tǒng)或驅(qū)動(dòng)器111的一實(shí)施例的示意性圖示。驅(qū)動(dòng)器111具有外 殼或支架113,該外殼或支架容納至少一個(gè)-茲盤115。盤115被具有中心驅(qū) 動(dòng)轂117的主軸馬達(dá)組件旋轉(zhuǎn)。致動(dòng)器121包括一個(gè)或更多個(gè)平行致動(dòng)器臂 125,所述致動(dòng)器臂呈梳子形式，繞樞軸組件123樞轉(zhuǎn)地安裝在支架113上。 控制器119也安裝在支架113上，用以相對于盤115選擇性地移動(dòng)臂125構(gòu) 成的梳。
在所示實(shí)施例中，每個(gè)臂125具有自其延伸的至少一個(gè)懸臂載荷梁和懸 架127。磁讀/寫換能器或頭安裝在滑塊129上，且罔定在柔性地安裝在每個(gè) 懸架127上的柔性件(flexure)上。讀/寫頭自盤115磁性地讀取數(shù)據(jù)和/或向盤 115磁性地寫入數(shù)據(jù)。稱為頭萬向節(jié)組件的集成件是安裝在懸架127上的頭 和滑塊129?；瑝K129通常接合在懸架127的端部。頭通常由陶瓷或金屬間 材料形成，且被懸架127靠向盤115的表面預(yù)加載。
懸架127具有類似彈簧的性質(zhì)，其將滑塊129的空氣軸承面向盤115偏 置或推，使得滑塊129和盤表面之間的空氣軸岸義膜能形成。裝在音圏馬達(dá)J茲 體組件134內(nèi)的音圏133也安裝在臂125上，與頭萬向節(jié)組件對立。致動(dòng)器 121的通過控制器119的移動(dòng)(由箭頭135指示)徑向地跨盤115上的軌道 移動(dòng)頭萬向節(jié)組件，直到頭停留于其各自的目標(biāo)軌道上。雖然已經(jīng)僅以本發(fā)明的一些形式顯示或描述了本發(fā)明，但是對本領(lǐng)域技 術(shù)人員而言顯然的是，其不限于此，而是容易有各種改變而不超出本發(fā)明的 范圍。
權(quán)利要求
1. 一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，包括基底，具有構(gòu)造有曲線周期的介質(zhì)構(gòu)成的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)具有多個(gè)物理部件；以及所述基底上的且與所述曲線周期結(jié)合的測試結(jié)構(gòu)構(gòu)成的測試區(qū)，所述測試結(jié)構(gòu)配置有與所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的所述多個(gè)物理部件不同的物理部件，用于方便對所述測試結(jié)構(gòu)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的測量。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其中所述基底具有徑向中心，所述 曲線周期包括圍繞該徑向中心排列的多個(gè)同心圓環(huán)圖案，所述測試區(qū)包括均 勻散布在所述同心圓環(huán)圖案中的多個(gè)測試區(qū)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其中所述測試區(qū)排列成自該徑向中 心徑向延伸的多個(gè)輻條，每個(gè)測試區(qū)具有矩形周界。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其中所述測試結(jié)構(gòu)構(gòu)造有直線周期， 所述直線周期包括矩形圖案和六邊形圖案之一。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其中所述測試區(qū)用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其中所述測試區(qū)不能用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其中所述測試區(qū)是趁膜圖案中的非 部件墊，用于厚度、密度和成分的膜表征。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其中所述測試區(qū)是點(diǎn)陣狀點(diǎn)圖案， 用于臨界尺寸、高度、角度、粗糙度和倒角的圖案尺寸表征。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其中所述點(diǎn)陣狀點(diǎn)圖案被調(diào)整從而 形成空行和間隔，用于測量高分辨率圖案。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其中所述測試區(qū)具有空行和間隔， 用于測量高分辨率圖案。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其中所述測試區(qū)具有實(shí)線和間隔， 用于表征軌道圖案、離散軌道和預(yù)圖案化的伺服圖案的臨界尺寸、高度、角 度、粗糙度和倒角。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其中所述測試結(jié)構(gòu)和所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 結(jié)構(gòu)均包括一磁介質(zhì)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其中所述測試結(jié)構(gòu)包括電介質(zhì)膜中的形貌部件。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其中所述測試結(jié)構(gòu)包括被蝕刻成島 的磁層。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其中所述測試結(jié)構(gòu)包括具有共形保 護(hù)層的圖案化磁層。
16. —種硬盤驅(qū)動(dòng)器，包括 外殼；可旋轉(zhuǎn)地安裝于所述外殼的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，所述tt據(jù)存^l盤包括基底，該 基底具有構(gòu)造有曲線周期的介質(zhì)構(gòu)成的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、以及所述基底上的且 與所述曲線周期結(jié)合的介質(zhì)的測試結(jié)構(gòu)構(gòu)成的測試區(qū)，所述測試結(jié)構(gòu)構(gòu)造有直線周期以方便對所述測試結(jié)構(gòu)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的測量；以及可移動(dòng)地安裝于所述外殼的致動(dòng)器，該致動(dòng)器具有用于從所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 盤讀出數(shù)據(jù)的換能器。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述基底具有徑向中心，所 述曲線周期包括圍繞該徑向中心排列的多個(gè)同心圓環(huán)圖案；且其中所述測試區(qū)包括均勻散布在所述同心圓環(huán)圖案中的多個(gè)測試區(qū)，所述測 試區(qū)排列成自該徑向中心徑向延伸的多個(gè)輻條，每個(gè)測試區(qū)具有矩形周界。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述直線周期包括矩形圖案 和六邊形圖案之一，所述測試區(qū)不能用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述測試區(qū)為下列之一 毯膜圖案中的非部件墊，用于厚度、密度和成分的膜表征；以及 點(diǎn)陣狀點(diǎn)圖案，用于臨界尺寸、高度、角度、粗糙度和倒角的圖案尺寸表征，所述點(diǎn)陣狀點(diǎn)圖案被調(diào)整從而形成空行和間隔以用于測量高分辨率圖 案。
20. 根據(jù)權(quán)利要求16的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述測試區(qū)具有下列之一 空行和間隔，用于測量高分辨率圖案；以及實(shí)線和間隔，用于表征軌道圖案、離散軌道和預(yù)圖案化伺服圖案的臨界 尺寸、高度、角度、粗糙度和倒角。
21. —種測量用于硬盤驅(qū)動(dòng)器的盤上的結(jié)構(gòu)的方法，包括 0)在盤上形成介質(zhì)構(gòu)成的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)；(b)配置所述介質(zhì)構(gòu)成的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)從而具有曲線周期；(c) 在所述盤上形成介質(zhì)的測試結(jié)構(gòu)構(gòu)成的測試區(qū)；(d) 配置所述測試結(jié)構(gòu)從而具有直線周期；(e) 將所述測試區(qū)結(jié)合進(jìn)所述曲線周期，以便于對所述測試結(jié)構(gòu)和數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的測量。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中所述盤具有徑向中心，所述曲線周 期包括圍繞該徑向中心排列的多個(gè)同心圓環(huán)圖案，所述測試區(qū)包括均勻散布 在所述同心圓環(huán)圖案中的多個(gè)測試區(qū)，所述測試區(qū)排列成自該徑向中心徑向 延伸的多個(gè)輻條，每個(gè)測試區(qū)具有矩形周界。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中所述直線周期包括矩形圖案和六邊 形圖案之一，所述測試區(qū)不能用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
24. 根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中所述測試區(qū)是下列之一-. 毯膜圖案中的非部件墊，用于厚度、密度和成分的膜表征；以及 點(diǎn)陣狀點(diǎn)圖案，用于臨界尺寸、高度、角度、粗糙度和倒角的圖案尺寸表征，所述點(diǎn)陣狀點(diǎn)圖案被調(diào)整從而形成空行和間隔以用于測量高分辨率圖 案。
25. 根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中，所述測試區(qū)具有下列之一 空行和間隔，用于測量高分辨率圖案；以及實(shí)線和間隔，用于表征軌道圖案、離散軌道和預(yù)圖案化伺服圖案的臨界 尺寸、高度、角度、粗糙度和倒角。
全文摘要
本發(fā)明涉及對圖案化介質(zhì)盤進(jìn)行度量的系統(tǒng)、方法和設(shè)備。具有矩形或六邊形周期的小的集成測試圖案被結(jié)合在圖案化介質(zhì)結(jié)構(gòu)的同心圓環(huán)之間。測試圖案僅覆蓋盤的非常小的區(qū)域，從而不顯著影響盤容量。與具有曲線周期的測試圖案相比，所述測試圖案的周期允許其結(jié)構(gòu)更容易地以度量技術(shù)測量。
文檔編號G11B5/82GK101419807SQ20081016944
公開日2009年4月29日 申請日期2008年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月22日
發(fā)明者勝村義輝 申請人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司