專利名稱：：垂直磁記錄介質(zhì)和使用該介質(zhì)的磁記錄/再現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例涉及一種垂直磁記錄介質(zhì)，其用于例如使用磁記錄技術(shù)的硬盤驅(qū)動(dòng)器中，更具體的是涉及一種被構(gòu)圖介質(zhì)，其中磁記錄層具有磁結(jié)構(gòu)陣列，每個(gè)結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于l個(gè)記錄信息位，以及涉及一種使用該被構(gòu)圖介質(zhì)的磁記錄/再現(xiàn)裝置。
背景技術(shù)：
：磁存儲(chǔ)器件(HDD)主要用于計(jì)算機(jī)中來記錄和再現(xiàn)信息，近年來其開始用于各種用途，這是因?yàn)樗鼈兙哂写笕萘?、不昂貴的特點(diǎn)、高數(shù)據(jù)存取速度、高數(shù)據(jù)保存可靠性等，并且目前其應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，例如家用視頻驅(qū)動(dòng)器、音頻裝置以及汽車導(dǎo)航系統(tǒng)。隨著HDD應(yīng)用范圍的擴(kuò)展，對(duì)于大存儲(chǔ)容量的需求增加，并且近年來高密度HDD得到了越來越廣闊的發(fā)展。作為目前市售HDD的磁記錄方法，垂直磁記錄方法正在快速廣泛用作取代傳統(tǒng)的平面內(nèi)磁記錄方法的方法。在垂直磁記錄方法中，形成用于記錄信息的磁記錄層的磁晶粒具有沿著該磁記錄層的膜厚度方向的易磁化軸，即沿著垂直于襯底的方向。易磁化軸是磁化易于指向其方向的軸。在基于Co的合金中，易磁化軸是平行于Co的hep結(jié)構(gòu)的(0001)平面法線的軸(c軸)。因此，即使在記錄密度提高時(shí)，記錄位之間的去磁化場(chǎng)的影響也是很小的，并且該介質(zhì)靜磁方面是穩(wěn)定的。垂直磁記錄介質(zhì)一般包括村底、用于在(0001)平面中的垂直磁記錄層中定向磁晶粒以及減少取向離散的非磁性襯層，該垂直磁記錄層包含硬磁性材料，以及包括用于保護(hù)垂直磁記錄層表面的保護(hù)層。此外，在該村底與非磁性襯層之間形成用5于集中記錄過程中由磁頭產(chǎn)生的磁通量的軟磁性襯層。為了提高垂直磁記錄介質(zhì)的記錄密度，必須在保持熱穩(wěn)定性高的同時(shí)減少噪聲。一般的減少噪聲的方法是通過磁隔離膜表面中的晶粒來減少磁晶粒之間的磁相互作用，并且同時(shí)降低晶粒本身的尺寸。實(shí)施例是向記錄層添加Si02等的方法，由此形成具有所謂的粒狀結(jié)構(gòu)的垂直磁記錄層，其中每個(gè)磁晶粒被主要包含添加劑的晶粒邊界區(qū)域包圍。然而，如果由此方法減少噪聲，則由于磁化反轉(zhuǎn)量減少，必然需要提高磁晶粒的磁各向異性能量(Ku)，以便確保熱穩(wěn)定性高。然而，如果提高磁晶粒的磁各向異性能量，則飽和磁場(chǎng)Hs和矯頑力Hc也提高。因?yàn)檫@也提高了用于數(shù)據(jù)寫入的磁化反轉(zhuǎn)所需的記彖磁場(chǎng)，所以記錄頭的可寫性下降。因此，記錄/再現(xiàn)特性降低。為了解決這個(gè)問題，正在研究被構(gòu)圖介質(zhì)。在這種被構(gòu)圖介質(zhì)中，在垂直磁記錄層中形成磁結(jié)構(gòu)陣列，每個(gè)磁結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于l個(gè)數(shù)據(jù)位，例如通過微構(gòu)圖形成磁點(diǎn)，并且將這些磁點(diǎn)磁隔離。在該被構(gòu)圖介質(zhì)中，僅需要將垂直磁記錄層中的磁晶粒磁隔離，使得磁化反轉(zhuǎn)不是針對(duì)每個(gè)磁晶粒進(jìn)行，而是針對(duì)尺寸對(duì)應(yīng)于1個(gè)數(shù)據(jù)位并且包含幾個(gè)到幾十個(gè)磁晶粒的磁點(diǎn)進(jìn)行。這使得磁化反轉(zhuǎn)量大于粒狀結(jié)構(gòu)的磁化反轉(zhuǎn)量。相應(yīng)地，能夠降低確保熱穩(wěn)定性高所需的Ku值。這使得可以抑制Hs和Hc的增加，并且抑制磁化反轉(zhuǎn)所需的磁場(chǎng)(轉(zhuǎn)換磁場(chǎng))。另一方面，在被構(gòu)圖介質(zhì)中，包含在每個(gè)磁點(diǎn)中的幾個(gè)到幾十個(gè)磁晶粒必須幾乎磁相干地進(jìn)行反轉(zhuǎn)磁化，以便防止在磁點(diǎn)中生成反轉(zhuǎn)磁疇。因此，與上述的粒狀結(jié)構(gòu)不同，必須將垂直磁記錄層形成為位于每個(gè)磁點(diǎn)中的連續(xù)膜，由此增強(qiáng)磁晶粒之間的磁相互作用。遺憾的是，如果增強(qiáng)廣泛用作現(xiàn)有垂直磁記錄介質(zhì)的垂直磁記錄層材料的基于CoCrPt的合金的磁晶粒之間的磁相互作用，則矯頑力Hc和成核磁場(chǎng)Hn—般顯著降低到大約幾百Oe，從而由外部磁場(chǎng)、偏離場(chǎng)或者熱衰減生成反轉(zhuǎn)磁疇。因此，如例如《AppliedPhysicsLetters》90巻第162、516頁中所述的，將諸如Co/Pd或者Co/Pt的AJt柵格連續(xù)膜用于被構(gòu)圖介質(zhì)的垂直磁記錄層的基礎(chǔ)研究中。這些材料是連續(xù)膜，其中晶粒之間的磁相互作用強(qiáng)烈，并且仍獲得相當(dāng)大的矯頑力Hc和成核磁場(chǎng)Hn。相應(yīng)地，上述問題不容易出現(xiàn)。遺憾的是，被構(gòu)圖介質(zhì)存在其它問題。即，必須使每個(gè)磁點(diǎn)的切換場(chǎng)(switchingfield)分布(SFD)最小化，以便使指定的磁點(diǎn)相對(duì)于具有預(yù)設(shè)強(qiáng)度的記錄磁場(chǎng)可靠地反轉(zhuǎn)磁化，并且防止相鄰點(diǎn)的磁化反轉(zhuǎn)。當(dāng)在被構(gòu)圖介質(zhì)中使用晶態(tài)垂直膜時(shí)，SFD的一個(gè)主要誘因是點(diǎn)間晶粒結(jié)構(gòu)變化。即，當(dāng)具有某種晶粒尺寸分布的晶態(tài)連續(xù)膜被處理為點(diǎn)時(shí)，晶粒的數(shù)量(包括被處理而切除的晶粒)和單獨(dú)的點(diǎn)的晶粒邊界的形成狀態(tài)是不均勻的。因?yàn)檫@使得單獨(dú)點(diǎn)的切換場(chǎng)不均勻，所以產(chǎn)生了大SFD。如上所述，對(duì)于傳統(tǒng)的被構(gòu)圖介質(zhì)而言難以防止每個(gè)磁點(diǎn)中生成反轉(zhuǎn)磁疇并且同時(shí)難以防止在磁點(diǎn)之間出現(xiàn)切換場(chǎng)變化。
發(fā)明內(nèi)容考慮到以上情況完成了本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的是提供一種被構(gòu)圖介質(zhì)，其能夠通過抑制磁點(diǎn)(magneticdot)中的反轉(zhuǎn)磁疇并且減少每個(gè)磁點(diǎn)的切換場(chǎng)變化而進(jìn)行高密度記錄，以及提供一種使用該被構(gòu)圖介質(zhì)的磁記錄裝置。本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)包括襯底；形成在襯底上的軟磁性襯層；形成在該軟磁性村層上的非磁性襯層；形成在該非磁性村層上的垂直磁記錄層，其包括具有在膜厚度方向的磁各向異性的晶態(tài)硬磁記錄層(crystallinehardmagneticrecordinglayer),以及形成在該硬磁記錄層上并具有磁結(jié)構(gòu)陣列的無定形軟磁記錄層，每個(gè)磁結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于1個(gè)記錄信息數(shù)據(jù)位，通過交換耦合該硬磁記錄層和軟磁記錄層耦合。本發(fā)明的磁記錄/再現(xiàn)裝置包括垂直磁記錄介質(zhì)，其包括7襯底，形成在襯底上的軟磁性襯層；形成在該軟磁性村層上的非磁性襯層；形成在該非磁性村層上的垂直磁記錄層，其包括具有在膜厚度方向的磁各向異性的晶態(tài)硬磁記錄層，以及形成在該硬磁記錄層上并具有磁結(jié)構(gòu)陣列的無定形軟磁記錄層，每個(gè)磁結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于l個(gè)記錄信息數(shù)據(jù)位，通過交換耦合該硬磁記錄層和軟磁記錄層耦合；以及記錄/再現(xiàn)頭。本發(fā)明能夠提供一種被構(gòu)圖介質(zhì)，其抑制了對(duì)應(yīng)于1個(gè)數(shù)據(jù)位的磁結(jié)構(gòu)(磁點(diǎn))中的反轉(zhuǎn)磁疇，并且減少了磁結(jié)構(gòu)之間的切換場(chǎng)變化。這使得高密度垂直磁記錄成為可能。在以下的說明書中將提出本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)說明書將部分地清楚這些目的和優(yōu)點(diǎn)，或者可以通過實(shí)施本發(fā)明來獲知。通過下文中特別指出的各個(gè)手段和組合可以實(shí)現(xiàn)并獲得本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)。包含在說明書中并且構(gòu)成說明書一部分的附圖表示了本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同以上給出的一般性說明和以下給出的實(shí)施例具體說明用于闡述本發(fā)明的原理。圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的實(shí)例的截面圖；圖2是示例性表示垂直磁記錄層的磁化曲線的實(shí)例的曲線圖；圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的另一個(gè)實(shí)例的截面圖；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的又一個(gè)實(shí)例的截面圖；圖5是表示本發(fā)明的磁記錄/再現(xiàn)裝置的實(shí)例的分解透視圖；以及圖6是用于說明AHc和評(píng)價(jià)它的方法的曲線圖。具體實(shí)施例方式下文中將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。一般而言，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)包括襯底、形成在該襯底上的軟磁性襯層、形成在該軟磁性襯層上的非磁性襯層，以及形成在該非磁性襯層上的垂直磁記錄層。該垂直磁記錄層具有磁結(jié)構(gòu)(磁點(diǎn))陣列，每個(gè)磁結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于1個(gè)記錄信息數(shù)據(jù)位，并且包括具有在膜厚度方向的磁各向異性的晶態(tài)硬磁記錄層，以及形成在該硬磁記錄層上的無定形軟磁記錄層。通過交換耦合該硬和軟磁記錄層相互耦合。而且，根據(jù)本發(fā)明的磁記錄/再現(xiàn)裝置包括上述的磁記錄介質(zhì)以及記錄/再現(xiàn)頭。在本發(fā)明中，通過層疊該晶態(tài)硬磁記錄層和無定形軟磁記錄層來形成具有磁點(diǎn)陣列的磁記錄層。使用晶態(tài)硬磁記錄層獲得了適當(dāng)?shù)某C頑力Hc和成核磁場(chǎng)Hn以及高的熱衰減抗性(thermaldecayresistance)。而且，在硬磁記錄層上層疊無定形軟磁記錄層能夠通過該軟磁記錄層增強(qiáng)硬磁晶粒之間的交換相互作用。因?yàn)檫@可以使每個(gè)磁點(diǎn)中硬磁晶粒相干地反轉(zhuǎn)磁化，在磁點(diǎn)中沒有形成反轉(zhuǎn)磁疇。因?yàn)樵撥洿庞涗泴邮菬o定形的，所以大體上不存在晶粒尺寸和膜表面中晶向的變化，而這在晶態(tài)磁性材料中是必然存在的。通過交換耦合將如此的軟磁記錄層與上述的硬磁記錄層耦合。因此，能夠抑制每個(gè)磁點(diǎn)的切換場(chǎng)分布，即SFD。通過使用諸如《IEEETransactiononMagnetics》27巻第4975頁描述的AHc/Hc評(píng)價(jià)方法來評(píng)價(jià)SFD。根據(jù)需要，能夠在垂直磁記錄層上自由地形成保護(hù)層、潤滑層等。圖l是表示根據(jù)本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的實(shí)例的截面圖。如圖1所示，通過在襯底1上依次層疊軟磁性襯層2、非磁性村層3、垂直磁記錄層4、保護(hù)層5和潤滑層6獲得了垂直磁記錄介質(zhì)10。該垂直/P茲記錄層4包括^更磁記錄層4-1和軟磁記錄層4-2。將垂直磁記錄層4分成各個(gè)磁點(diǎn)單元，每個(gè)磁點(diǎn)單元對(duì)應(yīng)于l個(gè)記錄信息數(shù)據(jù)位，并且該垂直磁記錄層具有突起陣列8。各所述磁點(diǎn)被相互間隔開并且被磁隔離。作為本發(fā)明的無磁性襯底，可以〗吏用例如玻璃襯底、Al基合金襯底、具有氧化表面的單晶Si襯底、陶瓷或者塑料。即使在將這些無磁性襯底的9表面鍍上NiP合金等時(shí)，也能夠期待相同效果。能夠在本發(fā)明的垂直磁記錄層上形成保護(hù)層。保護(hù)層的實(shí)例是C、類金剛石碳(DLC)、SiNx、SiOx和CNx。作為本發(fā)明的潤滑劑，可以使用全氟聚醚(PFPE)。通過在非磁性襯層與襯底之間形成高磁導(dǎo)率軟磁性襯層獲得所謂的垂直雙層介質(zhì)。在這種垂直雙層介質(zhì)中，該軟磁性襯層水平傳遞來自》茲頭(諸如用于磁化垂直磁記錄層的單極頭)的記錄磁場(chǎng)，并且使該磁場(chǎng)返回到磁頭，從而實(shí)施一部分磁頭的功能。因此，該軟磁性村層能夠通過將充分陡直的垂直磁場(chǎng)施加到磁場(chǎng)記錄層來提高記錄/再現(xiàn)效率。軟磁性層的實(shí)例是CoZrNb、CoB、CoTaZr、FeSiAl、FeTaC、CoTaC、麗e、Fe、FeCoB、FeCoN、FeTaN和Colr。該軟磁性襯層還可以是具有兩層或多層的多層膜。在這種情況下，各個(gè)層的材料、組成和膜厚度可以不同。還可以通過將薄Ru層夾在兩個(gè)軟磁性襯層之間來形成三層結(jié)構(gòu)。適當(dāng)調(diào)整該軟磁性襯層的膜厚度以平衡覆寫(OW)特性與信噪比(SNR)。還可以在軟磁性襯層與襯底之間形成偏置施加層，例如面內(nèi)(in-plane)硬磁性膜或者反4失磁膜。該軟磁性層容易地形成磁疇，并且該磁疇產(chǎn)生了尖噪聲。因此，在沿著偏置施加層的徑向方向的一個(gè)方向上施加磁場(chǎng)，由此向該偏置施加層上形成的軟磁性層施加偏置^茲場(chǎng)，并且防止磁疇壁的生成。該偏置施加層還能夠通過精確地離散各向異性來防止容易形成大磁疇。偏置施加層材料的實(shí)例是CoCrPt、CoCrPtB、CoCrPtTa、CoCrPtTaNd、CoSm、CoPt、FePt、CoPtO、CoPtCrO、CoPt-Si02、CoCrPt-Si02、CoCrPtO-Si02、FeMn、IrMn和PtMn。通過真空蒸發(fā)、濺射、化學(xué)汽相沉積和激光消融中的任何一種能夠形成該軟磁性襯層、非磁性襯層、垂直磁記錄層、保護(hù)層和潤滑層。作為濺射，可以使用例如利用復(fù)合靶的單元素濺射或者使用不同材料乾的多元素同時(shí)濺射。通過在形成籽晶層、襯層或者磁記錄層之前和/或過程中，將襯底溫度提高到200n到500"C能夠提高硬磁記錄層中使用的Ll。晶粒的Ku。根據(jù)本發(fā)明的垂直磁記錄層包括硬和軟磁記錄層，并且其具有磁點(diǎn)陣列結(jié)構(gòu)。注意，根據(jù)垂直磁記錄層的磁化曲線(滯后回線)能夠容易地獲得矯頑力Hc、飽和磁場(chǎng)Hs和成核磁場(chǎng)Hn。圖2示例性地表示了垂直磁記錄層的磁化曲線的實(shí)例，并且還表示了矯頑力Hc、飽和磁場(chǎng)Hs和成核磁場(chǎng)Hn。本發(fā)明中使用的硬磁記錄層為晶態(tài)垂直磁性層，其中易磁化軸垂直于村底。作為本發(fā)明的硬磁記錄層，可以使用具有適當(dāng)矯頑力Hc和成核磁場(chǎng)Hn的材料，以便抑制例如外部磁場(chǎng)或者雜散磁場(chǎng)背景下的反轉(zhuǎn)磁疇的產(chǎn)生，并且使用具有高Ku的材料，以便獲得高的熱衰減抗性。本發(fā)明中使用的硬磁性材料的實(shí)例是包含Co和Pt的具有(0001)取向hep結(jié)構(gòu)的合金材料。當(dāng)具有hep結(jié)構(gòu)的Co合金晶粒定向在(0001)平面時(shí)，易^茲化軸垂直于襯底表面定向，由此獲得垂直磁各向異性。作為包含Co和Pt的具有(0001)取向hep結(jié)構(gòu)的合金材料，可以使用例如基于Co-Pt-Cr的合金材料或者基于CoCrPt-Si02的合金材料。這些合金具有高磁晶各向異性能量，并且因此具有高的熱衰減抗性，并且還能夠獲得適當(dāng)大的Hc和Hn。為了進(jìn)一步改善磁特性，還可以根據(jù)需要將添加元素，例如Ta、Cu、B和Nd，添加到這些合金材料中。通過例如6-26方法利用一般的X射線衍射裝置(XRD)能夠評(píng)估硬磁記錄層是否具有(0001)取向hcp結(jié)構(gòu)。某種程度上能夠使硬磁記錄層具有粒狀結(jié)構(gòu)。粒狀結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)大的Hc和Hn。本發(fā)明中使用的硬磁性材料的另一個(gè)實(shí)例是由具有(001)取向Ll。結(jié)構(gòu)的晶粒制成的材料，并且其主要包含磁性金屬元素和貴金屬元素。Fe和/或Co能夠用作磁性金屬。Pt和/或Pd能夠用作貴金屬元素。當(dāng)給定Llo結(jié)構(gòu)時(shí)，這些材料能夠在c軸方向(垂直于(001)平面的方向)上實(shí)現(xiàn)l(ferg/cc或更大的非常大的Ku。還可以將適當(dāng)量的諸如Cu、Zn、Zr和C的元素和諸如MgO和Si02的化合物添加到硬磁記錄層中，以便改善磁特性或者電磁轉(zhuǎn)化特性。利用一般的X射線衍射裝置能夠確認(rèn)形成硬磁記錄層的晶粒是否具有Lln結(jié)構(gòu)。如果在與各個(gè)平面間間隔匹配的衍射角處能夠觀察到表示諸如(001)和(003)的平面的峰值(有序柵^^f射)(在無序面心立方柵格(FCC)中觀察不到)，則存在Llo結(jié)構(gòu)。通過使用例如一般的X射線衍射裝置(XRD)來評(píng)價(jià)硬磁記錄層是否取向在(001)平面。在本發(fā)明的被構(gòu)圖介質(zhì)的垂直磁記錄層中，在硬磁記錄層上形成由無定形軟磁性材料制成的軟磁記錄層，并且該軟磁記錄層通過交換耦合與硬磁記錄層耦合。本文中提到的"無定形"不必然表示完全的無定形材料，例如玻璃，而是還可以包括一層膜，該膜中具有2nm或更小的晶粒尺寸的精細(xì)晶粒局部地隨機(jī)定向。通過XRD或者由透射電子顯微鏡(TEM)獲得的衍射圖像，能夠檢查軟磁記錄層是否為無定形的。作為無定形軟磁性材料，可以使用包含Co的合金。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，還可以4吏用諸如Co-Zr-Nb、Co-Zr-Ta、Co-B、CoTaC、FeCoB或者FeCoN的合金作為無定形軟磁性材料。通過例如由極性Kerr效應(yīng)測(cè)量裝置評(píng)價(jià)垂直磁記錄層的磁化曲線，能夠檢查硬和軟磁記錄層是否通過交換耦合而相互耦合。如果交換耦合微弱，則該磁化曲線具有兩階段回路形狀。該硬和軟磁記錄層無需相互直接接觸，只要它們通過交換耦合而耦合就可以了。注意，本發(fā)明中使用的軟磁性材料是在易磁化方向上具有小于lkOe的矯頑力的材料。另一方面，該硬磁性材料是在易磁化方向上具有l(wèi)kOe或更大的矯頑力的材料。盡管該系統(tǒng)的所需的值確定了垂直磁記錄層的總厚度，但是總厚度能夠?yàn)?.5到5011111，并且還能夠?yàn)?.5到20nm。如果該總厚度小于0.5nm，則連續(xù)膜難以形成。這通常使得不可能獲得良好的磁記錄。通過矯頑力Hc、成核磁場(chǎng)Hn和飽和磁場(chǎng)Hs之間的平衡，能夠適當(dāng)調(diào)整軟磁記錄層與硬磁記錄層的膜厚度之比。在本發(fā)明中，非磁性襯層增強(qiáng)了該磁性層作為磁記錄介質(zhì)的功能。更具體的是，該非磁性襯層是插在垂直磁記錄層與軟磁性襯層之間的薄膜，并且其可以是由單一的材料系制成的層或者由幾個(gè)層構(gòu)成的多層膜。非磁性襯層的主要目的是減少硬磁記錄層的C軸取向離散，以及改善磁特性，例如獲得適當(dāng)?shù)腍c和Hn。根據(jù)形成在非磁性襯層上的硬磁記錄層能夠適當(dāng)選擇該非磁性襯層。例如，當(dāng)使用具有包含Co和Pt的具有(OOOl)取向hcp結(jié)構(gòu)的合金材料作為硬磁記錄層時(shí)，能夠?qū)⒕哂?0001)取向的hcp結(jié)構(gòu)的金屬或合金用作非磁性村層材料。使用這種非磁性襯層能夠改善硬磁記錄層的c軸取向。更具體的是，可以使用諸如Ru、Ti或者Re的金屬或者諸如Ru-Cr、Ru-W或者Ru-Co的合金。另一方面，當(dāng)使用由具有LU結(jié)構(gòu)并且主要包含磁性金屬元素和貴金屬元素的由晶粒構(gòu)成的合金材料作為硬磁記錄層時(shí)，能夠?qū)琋i的無定形合金作為非磁性襯層材料。本文中提到的"無定形，，不必然表示完全的無定形材料，例如玻璃，而是還能夠包括這樣一種膜，在該膜中具有2nm或更小的晶粒尺寸的精細(xì)晶粒在局部隨機(jī)地定向。這種包含M的合金的實(shí)例是諸如Ni-Nb、Ni-Ta、Ni-Zr、Ni-W、Ni-Mo和Ni-V的合金系(alloysystem)。這些^r中Ni含量可以是20-70at%。當(dāng)Ni含量落入這個(gè)范圍之內(nèi)時(shí)，該合金容易成為無定形的。此外，包含Ni的無定形合金襯層的表面能夠暴露于包含氧氣的環(huán)境。這使得可以改善硬磁記錄層的c軸取向。能夠?qū)r或者包含Cr作為主要成分的合金制成的一個(gè)或多個(gè)晶態(tài)襯層插在含Ni無定形合金襯層與磁記錄層之間。因此，磁記錄層的c軸取向能夠進(jìn)一步改善。本文中提到的"主要成分"是在形成該合金的各元素當(dāng)中具有最大原子數(shù)比的元素。作為這種襯層，可以使用Cr或者諸如Cr-Ti或者Cr-Ru的合金系。還可以將至少一個(gè)晶態(tài)緩沖層插在由包含Cr作為主要成分的合金制成的襯層與磁記錄層之間，該緩沖層是由從Pt、Pd、Ag、Cu和Ir中選出的至少一種元素或合金制成的。這通常進(jìn)一步改善了磁記13錄層的c軸取向。此外，這通常加速磁記錄層的有序^ir的排序。因此，磁各向異性能量通常增大并且提高了熱衰減抗性。本發(fā)明的垂直磁記錄層被賦予了通過構(gòu)圖形成的精細(xì)形狀的陣列結(jié)構(gòu)。構(gòu)圖方法的實(shí)例是這樣一種方法，其中將介質(zhì)表面涂敷掩模材料，例如SOG(旋涂玻璃)，利用壓模通過納米壓印形成三維圖案，在該壓模上進(jìn)行點(diǎn)圖案的轉(zhuǎn)印，通過Ar離子研磨刻蝕該三維圖案而形成垂直磁記錄層，以及通過利用CF4氣體的反應(yīng)離子研磨(RIE)來去除該SOG掩模。另一個(gè)實(shí)例是這樣一種方法，其中通過PS(聚苯乙烯，polystyrene)-PMMA(聚甲基丙烯酸曱酯，polymethylmethacrylate)二嵌段(diblock)聚合物的自組織現(xiàn)象以及使用02氣體的RIE,在介質(zhì)表面上形成自組織圖案，該介質(zhì)表面涂敷有SOG，通過再次使用02氣體實(shí)施RIE來形成由SOG制成的點(diǎn)形掩才莫，并且按照與以上相同的方式實(shí)施研磨。在構(gòu)圖之后，還可以將無磁性材料埋在磁點(diǎn)之間的溝道中。圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)另一個(gè)實(shí)例的截面圖。在如圖3所示垂直磁記錄介質(zhì)20中，將軟磁性襯層2、非磁性村層3、垂直磁記錄層4、保護(hù)層5和潤滑層6按順序?qū)盈B在襯底1上，并且該垂直磁記錄層4具有被構(gòu)圖的精細(xì)形狀陣列結(jié)構(gòu)。該垂直磁記錄層4包括硬磁記錄層4-1、無磁性中間層4-3以及軟磁記錄層4-2，并且具有類似于圖l所示的突起8的陣列。硬和軟磁記錄層之間形成的薄無磁性中間層適當(dāng)?shù)販p弱了它們之間的交換耦合力，從而形成了類似于所謂ECC(交換耦合合成物)介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。這4吏得可以減少切換場(chǎng)。該無磁性中間層的膜厚度可以是0.3到2.5nm，并且還可以是0.75到1.5nm。如果該無磁性中間層膜厚度為0.3nm或更小，則難以形成連續(xù)膜，因此在許多情況中控制磁特性的效果不能顯著地顯現(xiàn)。如果該無磁性中間層膜厚度超過2.5nm，則交換耦合顯著減弱，并且該軟磁記錄層通常不可逆地磁化反轉(zhuǎn)。通過例如截面TEM觀察能夠評(píng)價(jià)無磁性中間層的膜厚度。作為無磁14性中間層材料，可以使用包含從Pd、Pt、Cu、Ti、Ru、Re、Ir和Cr中選出的至少一種元素的金屬或合金。圖4是表示根據(jù)本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的又一個(gè)實(shí)例的橫截面圖。在如圖4所示的垂直磁記錄介質(zhì)30中，將軟磁性襯層2、非磁性襯層3、垂直磁記錄層4、蓋層7、保護(hù)層5和潤滑層6按順序?qū)盈B在襯底1上，并且該垂直磁記錄層4具有被構(gòu)圖的精細(xì)形狀陣列結(jié)構(gòu)。垂直磁記錄層4包括硬磁記錄層4-l、無磁性中間層4-3和軟磁記錄層4-2，并且具有類似于圖l所示的突起8的陣列。在本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)中，可以在軟磁記錄層與保護(hù)層之間形成由無磁性金屬制成的蓋層。當(dāng)利用例如CF4氣體作為處理氣體對(duì)突起進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)，如果無定形軟磁性層暴露于CF4氣體，則諸如Co和Fe的磁性元素容易氟化。結(jié)果，這些磁性元素被從軟磁性層釋放，由此該軟磁性層部分地失去了其磁性。在某些情況下，該軟磁記錄層不再能夠良好地實(shí)現(xiàn)如上所述的功能。當(dāng)在無定形軟磁性層上形成由無磁性金屬制成的蓋層后，該無定形軟磁性層的表面未直接暴露于CF4氣體。這使得可以抑制磁性元素的釋放，并且抑制無定形軟磁性層磁化量的減少。因此，能夠進(jìn)一步減少SFD。作為如上所述的蓋層材料，可以使用諸如Cu、Au、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Re、Cr、Mo、W、V、Nb、Ta、Ti、Zr或者Hf的晶態(tài)無磁性金屬或者合金材料。該蓋層的膜厚度可以是0.5到5nm的范圍。如果該膜厚度小于0.5nm,則如上所述的磁性元素釋放抑制效果不顯著。如果該膜厚度超過5nm,則記錄/再現(xiàn)頭與磁記錄層之間的磁間隔增大。這通常會(huì)使OW特性變差?；蛘?，可以將晶態(tài)軟磁性材料用作蓋層。該晶態(tài)軟磁性層具有比無定形層更高的對(duì)CF4氣體的抵抗性。因此，晶態(tài)軟磁性層抑制磁性元素的釋放以及無定形軟磁性層磁化量的減少，從而進(jìn)一步減少SFD。此外，因?yàn)樯w層自身具有磁性，所以該蓋層不^到磁間隔的作用，因此不會(huì)使OW特性變差。當(dāng)蓋層與軟磁記錄層通過交換耦合而耦合時(shí)，再現(xiàn)輸出和SNR進(jìn)一步提高。蓋層材料的實(shí)例是諸如Fe、Co、Ni、Fe-Co和Ni-Fe的晶態(tài)金屬和合金。蓋層膜厚度可以是0.5到10nm。如果蓋層膜厚度小于0.5nm，則如上所述的磁性元素釋放抑制效果不顯著。如果蓋層膜厚度超過10nm，則由于蓋層的去磁化場(chǎng)使得Hn通常降低。圖5是本發(fā)明的磁記錄/再現(xiàn)裝置的實(shí)例的部分分解透視圖。將根據(jù)本發(fā)明的用于記錄信息的剛性磁盤62安裝在主軸63上，并且通過主軸電機(jī)(未示出)使其以預(yù)定旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。將滑塊64固定到由薄片簧制成的懸架的遠(yuǎn)端，在該滑塊上安裝了用于通過訪問磁盤62來記錄信息的記錄頭以及用于再現(xiàn)信息的MR頭。該懸架與臂65的一端相連。在臂65的另一端形成作為一種線性電機(jī)的音圈電機(jī)67。該音圏電機(jī)67包括纏繞在臂65的繞線筒上的驅(qū)動(dòng)線圈(未示出)，以及包括永磁體和將驅(qū)動(dòng)線圏夾在中間的彼此相對(duì)的對(duì)立軛(counteryoke)的磁路。形成在固定軸66的上、下部分的球軸承(未示出)支撐著臂65，并且音圈電機(jī)67使臂65旋轉(zhuǎn)。即，音圈電機(jī)67控制滑塊64在磁盤62上的位置。以下通過其實(shí)例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。實(shí)例1將1.8英寸硬盤類型無磁性玻璃襯底(由OHARA制造的SX)裝入由ANELVA制造的c-3010濺射裝置的真空腔中。在將該賊射裝置的真空腔抽真空到lxl0-spa或更小之后，按順序形成作為軟磁性村層的100nm厚Co9oZrsNbs膜、作為非磁性村層的20nm厚Ru膜、作為硬磁記錄層的16nm厚(Co74-Cn『Pt!6)-8molo/oSi02膜以及作為無定形軟磁記錄層的Co9。ZrsNbs膜。在形成了軟磁記錄層之后，將該襯底從濺射裝置中取出。然后用通過將PS(聚苯乙烯)-PMMA(聚甲基丙烯酸曱酯)二嵌段聚合物溶解在有機(jī)溶劑中制備的溶液旋涂該襯底，并且在200X:退火。此后，通過使用02氣體的RIE去除相位分離的PMMA，通過旋涂形成SOG并且再次實(shí)施使用02氣體的RIE，從而形成由SOG制成的點(diǎn)形掩模。隨后，通過Ar離子研磨刻蝕垂直磁記錄層，并且通過使用CF4氣體的RIE去除SOG掩模。在將掩模去除之后，將該襯底再次裝入濺射裝置中，形成作為保護(hù)膜的6nm厚C膜，通過浸漬施加作為潤滑層的全氟聚醚，從而形成45nm間距的數(shù)據(jù)位圖案(bitpattern)陣列。當(dāng)形成軟磁4于層、軟磁記錄層和C保護(hù)層時(shí)，Ar壓強(qiáng)為0.7Pa，并且當(dāng)形成Ru非磁性襯層和硬磁記錄層(Co74-Cr1(rPt16)-8mol%Si02時(shí)Ar壓強(qiáng)為3Pa。所使用的'踐射耙為直徑均為164mm的Co9()Zr5Nb5、Ru、(Co74-Cr1(rPt16)-8mol%Si02、Ru和C粑，并且通過DC濺射形成各個(gè)膜。每個(gè)靶的輸入功率為500W。靶與襯底之間的距離為50mm,并且所有膜均在室溫下形成。此外，參照如上所述的相同過程，分別利用Co9()Zr5Ta5、Co95B5、Co90Ta5C5、Fe47.sCo47.5Bs和Fe49C。49N2作為軟磁記錄層來形成被構(gòu)圖介質(zhì)。比較例1作為比較例，參照如實(shí)例l的相同過程，形成不具有軟磁記錄層的被構(gòu)圖介質(zhì)。比較例2作為比較例，按照如實(shí)例1的相同過程，形成使用6nm厚晶態(tài)Co膜取代無定形軟磁記錄層的被構(gòu)圖介質(zhì)。比較例3作為比較例，按照下述過程形成使用Co/Pd人造晶格取代作為硬磁記錄層的該(Co74-CrnrPtM)-8mol。/。Si02膜并且不具有軟磁記錄層的被構(gòu)圖介質(zhì)。在按照與實(shí)例l相同的方式形成了軟磁性襯層之后，形成作為非磁性襯層的10nm厚Pd膜，并且將15個(gè)0.3nm厚的Co層和15個(gè)0.7nm厚的Pd層交替層疊作為硬磁記錄層。此后，按照與實(shí)例1相同的方式依次實(shí)施構(gòu)圖、保護(hù)層的形成和潤滑劑的施加，從而獲得被構(gòu)圖介質(zhì)。當(dāng)形成每個(gè)層時(shí)，Ar壓強(qiáng)為0.7Pa。所4吏用的濺射靶為直徑均為164mm的Pd、Co和C耙，并且通過DC濺射形成各個(gè)膜。每個(gè)把的輸入功率為100W。靶與襯底之間的距離為50mm，并且所有膜均在室溫下形成。為了檢查每個(gè)所獲得的被構(gòu)圖介質(zhì)的各個(gè)磁點(diǎn)的記錄穩(wěn)定性，利用旋涂臺(tái)和具有0.3jum記錄磁道寬度的單極頭通過DC將該介質(zhì)去磁化，并且利用磁力顯微鏡(MEM)評(píng)價(jià)DC狀態(tài)下的磁化配置。在最大施加磁場(chǎng)為20kOe并且磁場(chǎng)掃描速率為1330e/s的條件下，通過NEOARK制造的BH-M800UV-HD-10極性Kerr效應(yīng)評(píng)價(jià)裝置利用波長為408nm的激光源，來評(píng)價(jià)垂直于每個(gè)被構(gòu)圖介質(zhì)的垂直磁記錄層的膜表面的滯后回線。通過AHc/Hc方法使用極性Kerr效應(yīng)測(cè)量裝置(polarKerreffectmeasuringapparatus)評(píng)價(jià)每個(gè)被構(gòu)圖介質(zhì)的SFD。圖6是表示厶Hc和用于解釋評(píng)價(jià)AHc的方法的磁化曲線的曲線圖。即，按照與以上相同的方式獲得滯后回路(粗實(shí)線)后，所施加的磁場(chǎng)從滯后回路上的-Hc點(diǎn)返回到Hs，從而獲得小磁滯回線(minorloop)(粗虛線)。將小磁滯回線上的磁場(chǎng)(即6s/2)與滯后回路的第一象限中的磁場(chǎng)之差定為AHc，并且通過對(duì)He的歸一化獲得△Hc/Hc。利用6-26方法通過使用Philips制造的X，pert-MRDX射線衍射裝置以45kV的加速電壓和40mA的燈絲電流生成Cu-Kcc線，來評(píng)價(jià)每個(gè)介質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)和晶面取向。利用X射線f汙射裝置的評(píng)價(jià)結(jié)果在實(shí)例1和比較例1和2的各個(gè)介質(zhì)中，該硬磁記錄層為晶態(tài)的，并且磁晶粒具有hcp結(jié)構(gòu)并且在(0001)平面中取向。而且，每個(gè)^/h質(zhì)的Ru非磁性襯層具有hep結(jié)構(gòu)并且在(0001)平面中取向。比較例3的石更磁記錄層形成在由晶態(tài)Co和Pd制成的人造晶格上。實(shí)例1的軟磁記錄層是無定形的。18比較例2的Co軟磁記錄層是晶態(tài)的，其具有hep結(jié)構(gòu)，并且在(0001)平面中取向。當(dāng)利用MFM觀察DC去磁化后的磁化結(jié)構(gòu)時(shí)，在比較例1中的1000個(gè)點(diǎn)中的267個(gè)點(diǎn)中生成反轉(zhuǎn)磁疇，而在實(shí)例1和比較例2和3的每個(gè)介質(zhì)的1000個(gè)點(diǎn)中的任何一個(gè)點(diǎn)中沒有找到反轉(zhuǎn)磁疇。以下的表l表示了SFD評(píng)價(jià)結(jié)果。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>上^^示了與比較例1、2和3相比，實(shí)例1的被構(gòu)圖介質(zhì)中AHc/Hc值和SFD大大減少了。實(shí)例2在按照實(shí)例l中的相同過程形成了直到軟磁性襯層的各層之后，形成作為非磁性襯層的5nm厚的NWTa4。膜。此后，利用紅外燈加熱器將襯底加熱到280'C,并且將非磁性襯層的表面暴露于5xl(T3Pa下的氧氣環(huán)境IO秒鐘。隨后，分別形成作為非磁性襯層2、非磁性襯層3、硬磁記錄層和軟磁記錄層的5nm厚Cr膜、10nm厚Pt膜、10nm厚Fe47Pts3膜和6nm厚Co9oZrsNbs膜。此后，按照與實(shí)例1相同的方式形成45nm間距的數(shù)據(jù)位圖案陣列，并且依次實(shí)施保護(hù)層的形成和潤滑劑的施加，從而獲得45nm間距信息位-故構(gòu)圖介質(zhì)。當(dāng)形成軟磁性襯層、非磁性襯層1、非磁性襯層2、軟磁記錄層和C保護(hù)層時(shí)，Ar壓強(qiáng)為0.7Pa，當(dāng)形成Pt非磁性襯層3和Fe幼Ptso硬磁記錄層時(shí)Ar壓強(qiáng)為8Pa。所使用的濺射耙為直徑均為164mm的Co9。Zr5Nb5、Ni60Ta40、Cr、Pt、Fe50Pt50、Co90Zr5Nb5和C靶，并且通過DC賊射形成各個(gè)膜。每個(gè)靶的輸入功率為500W。扭與襯底之間的距離為50mm。XRD評(píng)價(jià)的結(jié)果硬磁記錄層為晶態(tài)，并且磁晶粒具有Llo結(jié)構(gòu)并且在(001)平面中取向。而且，軟磁記錄層和非磁性襯層l為無定形的。當(dāng)利用MFM，見察DC去磁化之后的磁化結(jié)構(gòu)時(shí)，在1000個(gè)點(diǎn)中的任意一個(gè)點(diǎn)中未發(fā)現(xiàn)反轉(zhuǎn)磁疇。表2表示了SFD評(píng)價(jià)結(jié)果。實(shí)例2的被構(gòu)圖介質(zhì)中的AHc/Hc值和SFD也大大減少了。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>實(shí)例3在按照實(shí)例l中的相同過程形成了直到硬磁記錄層的各膜之后，形成作為無磁性中間層的0.1到3nm厚的Pd膜。此后，按照與實(shí)例1中相同的方式依次實(shí)施軟磁記錄層的形成、45nm間距的數(shù)據(jù)位圖案陣列的形成、保護(hù)層的形成和潤滑劑的施加，從而獲得各種被構(gòu)圖介質(zhì)。當(dāng)形成無磁性中間層時(shí)Ar壓強(qiáng)為0.7Pa，所使用的濺射靶為直徑均為164mm的Pd靶，并且通過DC濺射形成各膜。每個(gè)靶的輸入功率為100W。所有膜均是在室溫下形成的。此外，按照以上相同的過程形成將Pt、Cu、Ti、Ru、Re、Ir和Cr用作無磁性中間層的介質(zhì)。當(dāng)利用X射線衍射裝置實(shí)施評(píng)價(jià)時(shí)，該多更磁記錄層為晶態(tài)的，并且磁晶粒具有hcp結(jié)構(gòu)并且在(0001)平面中取向。而且，Ru非磁性襯層具有hcp結(jié)構(gòu)并且在(0001)平面中取向。軟磁記錄層為無定形的。表3表示了當(dāng)無磁性中間層由Pd制成時(shí)的SFD評(píng)價(jià)結(jié)果以及Hc和Hs值。注意，表3中無磁性中間層為Onm的行表示了實(shí)例1。在中間層膜厚度為2.5nm或更小的每個(gè)被構(gòu)圖介質(zhì)中，AHc/Hc值仍保持為很小，并且沒有發(fā)現(xiàn)SFD增大。另一方面，當(dāng)無磁性中間層膜厚度為0.3到2.51101時(shí)，Hc和Hs減少，因jt匕可以減少去磁4匕場(chǎng)。當(dāng)中間層材料為Pt、Cu、Ti、Ru、Re、Ir和Cr時(shí)發(fā)現(xiàn)類似的趨勢(shì)。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>實(shí)例4按照實(shí)例1中的相同過程形成了直到軟磁記錄層的各個(gè)膜之后，形成作為無磁性蓋層的3nm厚的Ru膜。此后，按照與實(shí)例1相同的方式形成45nm間距的數(shù)據(jù)位圖案陣列，并且依次實(shí)施保護(hù)層的形成和潤滑劑的施加，從而獲得各種被構(gòu)圖介質(zhì)。當(dāng)形成作為無磁性蓋層的Ru膜時(shí)，Ar壓強(qiáng)為0.7Pa，所使用的濺射把為具有164nm直徑的Ru靶，并且通過DC濺射形成該膜。每個(gè)耙的輸入功率為500W。所有膜均在室溫下形成。此外，按照如上所述的相同過程形成具有由Cu、Au、Pd、Pt、Rh、Ir、Re、Cr、Mo、W、V、Nb、Ta、Ti、Zr和Hf制成的無磁性蓋層的被構(gòu)圖介質(zhì)。當(dāng)使用X射線衍射裝置評(píng)價(jià)每個(gè)介質(zhì)時(shí)，硬磁記錄層為晶態(tài)，并且磁晶粒具有hcp結(jié)構(gòu)并且在(0001)平面中取向。而且，Ru非磁性襯層具有hcp結(jié)構(gòu)并且在(0001)平面中取向。軟磁記錄層是無定形的。此外，每個(gè)無磁性蓋層是晶態(tài)的。以下的表4表示了每個(gè)介質(zhì)的SFD評(píng)價(jià)結(jié)果。表4無磁性蓋層AHc/HcRu0.10Cu0.11Au0.13Pd0.09Pt0.10Rh0.15Ir0.14Re0.15Cr0.11Mo0.13W0.11V0.10Nb0.12Ta0.09Ti0.15Zr0.12Hf0.12上M明，與實(shí)例l相比，因?yàn)樵趯?shí)例4中層疊了無磁性蓋層，所以AHc/Hc值減小了并且SFD大大減小了。實(shí)例5按照和實(shí)例l相同過程形成了直到軟磁記錄層的各膜之后，形成作為軟磁性蓋層的3nm厚的Ni膜。此后，按照與實(shí)例l相同的方式形成45nm間距的數(shù)據(jù)位圖案陣列，并且依次實(shí)施保護(hù)層的形成和潤滑劑的施加，從而獲得各種被構(gòu)圖介質(zhì)。當(dāng)形成作為軟磁性蓋層的Ni膜時(shí)，Ar壓強(qiáng)為0.7Pa,所使用的'減射靶為具有164mm直徑的Ni靶，并且通過DC濺射形成該膜。每個(gè)靶的輸入功率為500W。所有膜均在室溫下形成。此外，按照上勤目同過程，形成具有由Co、Fe、CoFe、CoNi和NiFe23制成的軟磁性蓋層的被構(gòu)圖介質(zhì)。當(dāng)使用x射線衍射裝置評(píng)價(jià)每個(gè)介質(zhì)時(shí)，硬磁記錄層為晶態(tài)，并且磁晶粒具有hcp結(jié)構(gòu)并且在(0001)平面中取向。而且，Ru非磁性襯層具有hcp結(jié)構(gòu)并且在(0001)平面中取向。軟磁記錄層為無定形的。此外，每個(gè)軟磁性蓋層為晶態(tài)的。當(dāng)利用MFM觀察DC去磁化之后的磁化結(jié)構(gòu)時(shí)，在1000個(gè)點(diǎn)中的任意一個(gè)點(diǎn)中沒有發(fā)現(xiàn)反轉(zhuǎn)磁疇。以下的表5表示了SFD評(píng)價(jià)結(jié)果。表5軟磁性蓋層AHc/HcNi0.08Co0.1Fe0.14CoFe0.11CoNi0.12NiFe0.11表5揭示了，與實(shí)例1相比，AHc/Hc值以及SFD減少了。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言其它優(yōu)點(diǎn)和修改是顯而易見的。因此，本發(fā)例。因此，可以在不背離所附權(quán)利要求及其等價(jià)描述限定的一M明概念的精神和范圍的情況下進(jìn)行各種修改。2權(quán)利要求1.一種垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于包括襯底；形成在該襯底上的軟磁性襯層；形成在該軟磁性襯層上的非磁性襯層；形成在該非磁性襯層上的垂直磁記錄層，其包括具有在膜厚度方向的磁各向異性的晶態(tài)硬磁記錄層，以及形成在該硬磁記錄層上并具有磁結(jié)構(gòu)陣列的無定形軟磁記錄層，每個(gè)磁結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于1個(gè)記錄信息數(shù)據(jù)位，該硬磁記錄層和軟磁記錄層通過交換耦合而耦合。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的介質(zhì)，其特征在于該軟磁記錄層由主要包含鈷的無定形合金構(gòu)成。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的介質(zhì)，其特征在于該軟磁記錄層是由從包含Co-Zr-Nb合金、Co-Zr-Ta合金、Co-B合金、Co曙Ta-C合金、Fe國Co-B合金和Fe-Co-N合金的組中選出的至少一種合金構(gòu)成的。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的介質(zhì)，其特征在于該硬磁記錄層由包含鈷和鉑并且具有hcp結(jié)構(gòu)的(0001)取向的合金材料構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的介質(zhì)，其特征在于該非磁性襯層是由釕和包含釕的合金中的一種制成。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的介質(zhì)，其特征在于該硬磁記錄層由(001)取向的合金材料制成，并且具有Llo結(jié)構(gòu)，該合金材料包含從包含鐵和鈷的組中選出的至少一種元素和從包含柏和鈀的組中選出的至少一種元素。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的介質(zhì)，其特征在于至少該非磁性襯層這一層是由包含鎳的無定形合金制成的。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其特征在于還包括形成在硬磁記錄層與軟》茲記錄層之間的無磁性中間層，并且其具有0.3倒2.5nm的厚度。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的介質(zhì)，其特征在于該無磁性中間層包含釔、鉑、銅、鈦、釕、錸、銥和鉻中的至少一種。10.根據(jù)權(quán)利要求l所述的介質(zhì)，其特征在于還包括形成在軟磁記錄層上并且由晶態(tài)無磁性金屬材料制成的蓋層。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的介質(zhì)，其特征在于該無磁性金屬材料是由以下元素的金屬或包含以下元素中的至少一種的合金制成的，所述元素是，銅、金、鈀、鉑、銠、銥、釕、錸、鉻、鉬、鵠、釩、鈮、鉭、鈦、鎬和鉿。12.根據(jù)權(quán)利要求l所述的介質(zhì)，其特征在于還包括形成在軟磁記錄層上的蓋層，并且該蓋層由包含鈷、鎳和鐵中至少一種的晶態(tài)軟磁性材料制成。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的介質(zhì)，其特征在于由晶態(tài)軟磁性材料制成的蓋層是由從包含鈷、鐵、鎳、鈷鐵、鈷鎳和鎳鐵的組中選出的至少一種材料構(gòu)成的。14.一種磁記錄/再現(xiàn)裝置，其特征在于包括垂直磁記錄介質(zhì)，其包括襯底，形成在襯底上的軟磁性襯層；形成在該軟磁性襯層上的非磁性襯層；形成在該非磁性襯層上的垂直磁記錄層，其包括具有在膜厚度方向的磁各向異性的晶態(tài)硬磁記錄層，以及形成在該硬磁記錄層上并具有磁結(jié)構(gòu)陣列的無定形軟磁記錄層，每個(gè)磁結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于1個(gè)記錄信息數(shù)據(jù)位，該硬磁記錄層和軟磁記錄層通過交換耦合而耦合；以及記錄/再現(xiàn)頭。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于該軟磁記錄層由主要包含鈷的無定形合金構(gòu)成。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于該軟磁記錄層由從包含Co-Zr-Nb合金、Co-Zr-Ta合金、Co-B合金、Co-Ta-C合金、Fe隱Co-B合金和Fe-Co-N合金的組中選出的至少一種合金構(gòu)成。17.根據(jù)權(quán)利要求14所迷的裝置，其特征在于該硬磁記錄層由包含鈷和輛并且具有hep結(jié)構(gòu)的(0001)取向的合金材料構(gòu)成。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于該非磁性襯層是由釕和包含釕的合金中的一種制成的。19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于該硬磁記錄層是由(001)取向的合金材料制成的，并且具有L1。結(jié)構(gòu)，所述合金材料包含從包^4失和鈷的組中選出的至少一種元素和從包含鉑和鈀的組中選出的至少一種元素。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其特征在于至少該非磁性襯層這一層是由包含鎳的無定形合金制成的。21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于還包括形成在硬磁記錄層與軟磁記錄層之間的無磁性中間層，并且該無磁性中間層具有0.3倒2.5nm的厚度。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于該無磁性中間層包含fe、鉑、銅、鈦、釕、錸、銥和鉻中的至少一種。23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于還包括形成在軟磁記錄層上并且由晶態(tài)無磁性金屬材料制成的蓋層。24.根據(jù)權(quán)利要求23所迷的裝置，其特征在于該無磁性金屬材料是由以下元素的金屬或包含以下元素中的至少一種的合金制成的，所述元素是，銅、金、鈀、鈿、銠、銥、釕、錸、鉻、鉬、鵠、釩、鈮、鉭、鈦、鎬和鉿。25.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于還包括形成在軟磁記錄層上的蓋層，并且該蓋層由包含鈷、鎳和鐵中至少一種的晶態(tài)軟磁性材料構(gòu)成。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置，其特征在于由晶態(tài)軟磁性材料制成的蓋層是由從包含鈷、鐵、鎳、鈷鐵、鈷鎳和鎳鐵的組中選出的至少一種材料構(gòu)成的。全文摘要本發(fā)明公開了一種垂直磁記錄介質(zhì)和使用該介質(zhì)的磁記錄/再現(xiàn)裝置，所述垂直磁記錄介質(zhì)(10)，其包括襯底(1)、軟磁性襯層(2)、非磁性襯層(3)以及垂直磁記錄層(4)。該垂直磁記錄層(4)具有磁結(jié)構(gòu)陣列，每個(gè)結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于1個(gè)記錄信息數(shù)據(jù)位，并且包括具有垂直磁各向異性的晶態(tài)硬磁記錄層(4-1)和無定形軟磁記錄層(4-2)。該硬和軟磁記錄層(4-1、4-2)通過交換耦合耦合。文檔編號(hào)G11B5/66GK101465130SQ20081016971公開日2009年6月24日申請(qǐng)日期2008年10月20日優(yōu)先權(quán)日2007年12月20日發(fā)明者前田知幸申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝