專利名稱：鐵電記錄載體、其制造方法和包含該鐵電記錄載體的微尖記錄系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有鐵電存儲層的數據記錄載體、其制造方法和包含 該數據記錄載體的記錄系統(tǒng)。本發(fā)明特別適用于需要高存儲容量的計 算機應用或多媒體應用。
背景技術：
一般將各種數據記錄技術分為"海量存儲器"(例如硬盤、光盤)
和"動態(tài)存儲器"(例如動態(tài)隨機存儲器"DRAM"、閃存等)，由于在 動態(tài)存儲器中不使用任何機械元件，其也被稱為"固態(tài)存儲器"。在該 領域的邊緣還存在另一種所謂微尖型的存儲器，其利用集成的微機械 元件工作。這種微尖存儲器的表面密度和存儲方式的并行性使其適合 于小體積中實現大容量，而這正是"漫游"設備以及大容量固定設備
所需要的。
這種微尖存儲器利用納米級微尖將信息寫在記錄載體上，其中該 納米級微尖使得載體的表面特性能夠被局部地改變。因而希望借此獲 得等于或甚至大于0.15 Terabits/citf的存儲密度。如文獻[l]所述，IBM 集團研發(fā)了一種等離子介質，其中加熱的微尖能夠產生具有0.15 Terabits/cn^量級密度的納米孔。而這種加熱的技術的主要缺陷是其高 能耗。
有些已知的電記錄技術使用相變材料(參考文獻[2])，這種技術 表現出能耗方面的有利性能，但是尚未證明其擦除過程。在這種情況 下，焦耳效應(電模式)在由微尖指定的記錄載體區(qū)域上改變存儲材 料的結晶化狀態(tài)。通過檢測其局部導電性，該材料的表面結晶狀態(tài)得 以讀耳又。
為了持久和可逆地存儲納米領域形式的信息而使用基于鐵電材料 的數據記錄介質也是已知的。這種在存儲密度和"可圈性"方面非常有前途的技術利用電鐵材料的自然雙穩(wěn)定性從而能夠在電場消失后仍 保持電極化狀態(tài)。目前有一些方法用于(重新)讀取鐵電存儲器的狀 態(tài)。
最初在文獻[3]中描述的第一種方法包括通過壓電反應，即通過分 析存儲域對電激勵的機械反應來檢測存儲器的狀態(tài)。存儲器的狀態(tài)會 根據該存儲器所謂的"上"或"下"狀態(tài)表現出與干擾電載荷同相或 反相。該方法利用了在例如化學式為Pb(Zrx，Tilo()03的PZT陶瓷、鉭 酸鋰(LiTa03)和鈮酸鋰(LiNb03)中發(fā)現的鐵電材料的壓電性。
如文獻[4]所述，第二種方法包括檢測微尖下電容的變化，該變化 與鐵電狀態(tài)的變化相關聯。該方法是有利的，因為其可能產生典型的 1.5 Terabits/citf量級的最高存儲密度。
為了實現在鐵電載體中記錄、(重新)讀取和寫入信息，無論是壓 電檢測模式還是電容檢測模式，都需要將導電的反電極直接置于鐵電 存儲層下。
然而已知的這些使用鐵電存儲層的記錄技術具有以下主要缺陷。 這些使用鐵電存儲層的技術的第一個缺陷在于通常在鐵電存儲層 下的金屬反電極一般典型地基于鋁或鉻，從而在與鐵電材料盡可能緊 密接觸的接觸面上可能會出現"污染"。具體地，這些金屬的氧化狀態(tài) 會導致出現與鐵電層(例如基于鈮酸鋰或鉭酸鋰)接觸的接觸層，與 (雙極和離子極化型)鐵電材料相比，該接觸層的電敏感性較低。該接
層接觸面的上述損傷的影響。
這些使用鐵電存儲層的技術的第二個缺陷在于(如通過文獻[6]所 述的"智能切割"法釋放的或者通過拋光獲得的)存儲層自由表面可 能會尤其被水化學污染(參見文獻[4]),這種污染會導致微尖與鐵電 層之間的不良靜電接觸。另外，這些存儲層通常是相對早期的機械磨 損的中心
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種數據記錄載體，其包括襯底、在所述襯 底上沉積而成的反電極和至少一個鐵電存儲層，所述反電極由含碳材
作，所述鐵電存儲層能夠存儲數據并具有與所述反電極緊密接觸的第 一面，這樣就能夠克服前述缺陷，尤其是反電極與存儲層間接觸面損 傷而產生的缺陷。
為了實現該目的，所述含碳材料選自石墨形態(tài)的碳、非晶金剛石 ("DLC，，)形態(tài)的碳、除離子碳化物之外的金屬或非金屬碳化物及其混 合物。
需要注意的是，本發(fā)明的用于記錄載體反電極的含碳材料可以避 免該反電極和鐵電存儲層之間的接觸面的前述損傷或"污染"，從而不 會影響由讀取和/寫入設備的微尖施加的電場。因而就可以在微尖和該 記錄載體之間相對低的電壓下進行工作。
優(yōu)選地，所述反電極主要包括所述含石灰材料，并且更優(yōu)選地，其 僅包括這種含碳材料。
有利地，包含該含碳材料的所述反電極的電導率能夠在0.1 S/m 和100 S/m之間。
要注意的是，反電極的如上述相對小的電導率使得該反電極的電 導不會很高，但是根據本發(fā)明，這不會對在記錄載體上進行數據的記 錄、讀和寫產生負面的影響，因為這些功能必須在靜電條件下實現。
根據本發(fā)明的第 一示例性實施方式，所述含碳材料由所有化學鍵 形態(tài)(即，sp2或sp3雜化)的碳組成。
所使用的碳能夠是例如通過氣相物理沉積("PVD":"物理氣相沉 積，，)被沉積而成的石墨形態(tài)的碳，或者例如通過氣相化學沉積 ("CVD":化學氣相沉積)或者等離子增強氣相化學沉積("PECVD，， "等離子增強化學氣相沉積")被沉積而成的非晶金剛石("DLC，，類 金剛石)形態(tài)的碳。如果所述碳滿載有還原形式的導電元素，例如鎳、 鉻、銀、硅或硼，則能具有更好的導電性。
根據本發(fā)明的第二示例性實施方式，所述含碳材料由優(yōu)選地所述 含碳材料由至少一種金屬碳化物組成，該金屬碳化物的金屬元素優(yōu)選地選自鈦、鋯、鴒和鉿，或者由至少一種非金屬碳化物組成，該非金 屬碳化物的非金屬元素優(yōu)選地是硅或硼。
根據本發(fā)明的另一個特征，所述反電極的厚度能夠有利地在10nm 和500nm之間，優(yōu)選地基本等于100nm。
根據本發(fā)明的另 一個特征，所述鐵電存儲層基于至少一種鐵電化 合物，該鐵電化合物選自化學式為Pb(Zrx,Ti^)03的PZT陶瓷、鉭酸 鋰(LiTa03 )、鉭酸鉀(KTa03 )、釕酸鍶(SrRu03 )、鈦酸鋇(BaTi03 )、 鈦酸鍶(SrTi03)、鈮酸鋰(LiNb03)及其混合物。但是要注意的是， 使用任何其它已知的鐵電質材料來形成該存儲層也是可能的。
有利地，記錄載體還能包括保護層，該保護層保護相對所述第一 面的所述鐵電存儲層的第二面從而使其尤其不受到與所述讀取和/或 寫入設備有關的外部污染和機械磨損，所述保護層的電導率小于1 S/m 且優(yōu)選地小于lO^S/m,并且取決于所述存儲層的泄漏電流。
要注意的是，本發(fā)明的該保護層可以避免存儲層的自由表面受到 (尤其由外部的水產生的)化學污染，并可以不破壞讀取/寫入設備和 本發(fā)明記錄載體之間的靜電接觸。除了保護存儲層不受化學侵蝕，該 保護層還被設計成延遲鐵電質層的機械磨損，并有助于其與微尖的靜 電接觸。
根據本發(fā)明的另一個特征，所述保護層能夠由純凈的碳組成，該 碳通過例如氣相化學沉積、氣相物理沉積或者等離子增強氣相化學沉 積沉積而成，而且有利地，該保護層由非晶金剛石形態(tài)的碳組成，并 可選地由等離子增強氣相化學沉積被沉積而成。
同樣有利地，所述保護層的厚度能夠小于5nm。要注意的是，該 極度減小的厚度使得不破壞相應設備進行的讀/寫記錄載體操作成為 可能。
本發(fā)明的數據記錄系統(tǒng)，其包括數據記錄載體和數據讀取和/或寫 入設備，該類型的數據讀取和/或寫入設備包括能夠局部地修改所述載 體的至少一個鐵電存儲層特性的微尖陣列，其特征在于，該記錄載體 如前述權利要求中的任一項所述所定義。
要注意的是，根據本發(fā)明通常在《敖尖和反電極之間施加電場(會引起鐵電質域的翻轉)。因此，微尖和反電極必須在鐵電質材料側盡可 能地彼此靠近，這樣才能使電場強到(即能夠高于矯頑磁場)足以寫 入信息。
根據本發(fā)明的另 一 個特征，所述鐵電存儲層根據所述電極和所述
作為 一種變型，本發(fā)明的鐵電存儲層的電容響應于由所述設備的 諧振電路產生的激勵而變化，從而通過檢測所述變化來檢測所述存儲 層的狀態(tài)(參見前述文獻[4])。
一般地，要注意的是本發(fā)明的記錄載體并不限于與微尖型的讀取 和/或寫入設備一起使用，并且本發(fā)明的該載體可應用于形成例如動態(tài)
隨機存儲器("DRAM")或閃存的固態(tài)或動態(tài)存儲器類型的數據記錄 系統(tǒng)。
本發(fā)明用于制造如上述記錄載體的方法包括通過氣相化學沉積、 氣相物理沉積或等離子增強氣相化學沉積在存儲層的所述第 一面上沉 積形成反電極的材料。
根據本發(fā)明的另一特征，該方法還包括通過氣相化學沉積、氣相 物理沉積或等離子增強氣相化學沉積在與所述第一面相對的所述存儲 層的第二面上繼續(xù)沉積保護層，該保護層尤其用于保護該第二面不受 與讀取和/或寫入設備有關的外部污染和機械磨損，而且其導電率小于 1 S/m且優(yōu)選地小于10-4 S/m。
有利地，通過高頻等離子增強的氣相化學沉積在所述保護層上沉 積優(yōu)選的非晶形態(tài)的碳。
根據本發(fā)明的其它特征，在所述兩次沉積之前，通過以下方式制 備存儲層的所述第一面和/或第二面，即，先進行機械拋光(例如通過 "CMP，，技術"化學機械拋光"，即機械-化學平整或拋光)從而確保 附著面的平面度，接著通過化學腐蝕或侵蝕(例如根據"RIE"技術， 即"反應離子侵蝕"，即化學地反應離子增強侵蝕，另外或者"RF" 侵蝕，即無線射頻侵蝕)從附著面中抽取出被有機污染的子層。
根據本發(fā)明的第 一實施方式，該制造方法大致包括以下步驟-在優(yōu)選為硅的襯底上沉積用于形成所述反電極的材料， -在覆蓋有反電極的襯底上添加所述鐵電存儲層的輪廓，
-根據例如小于100nm的厚度，減少所述輪廓的厚度以獲得所述 存儲層，接著，
-在存儲層上沉積保護層。
根據本發(fā)明的第二實施方式，該制造方法基本包括以下步驟 a )在組成所述存儲層的鐵電載體層中注入氫離子和/或氦離子， b )在該載體層的表面上沉積用于形成反電極的材料從而使反電極
附著在存儲層的所述第一面上，
c )將由反電極覆蓋的所述載體層壓靠在優(yōu)選為硅的所述襯底上從
而使反電極附著在所述襯底上，
d) 沿著阻止離子的勢壘面通過膨脹斷開所述載體層，從而獲得終 止于所述第二面的、具有減少的厚度的存儲層，所述減少的厚度例如 小于50nm，接著，
e) 在該第二面上沉積所述保護層沉積>(人而獲得本發(fā)明的記錄載體。
有利地，本發(fā)明第二實施方式所述的方法能夠進一步包括，該二 氧化硅層的厚度在10nm和100nm之間。為了改善步驟c )中所述反 電極對所述襯底的附著，預先通過"PECVD，，或"CVD，，在該反電極 上沉積二氧化硅層(Si02)。該二氧化硅層的厚度優(yōu)選地在lOnm和 100nm之間。


通過閱讀以下本發(fā)明的幾個示例性實施方式會更好地理解本發(fā)明 的前述以及其它特征，其中以下示例性實施方式通過非限制的方式并 結合以下附圖進行描述
圖1是示出根據本發(fā)明的第二實施方式的記錄載體的制造方法的 步驟的示意圖，其中示出了通過在鐵電載體層覆蓋反電極形成的組件 的橫截面；
圖2是示出由圖1的組裝步驟獲得的中間疊層的橫截面示意圖；圖3是示出在圖2的中間疊層上實施的、根據本發(fā)明的第二實施
方式的方法的后續(xù)步驟結果的橫截面示意圖，以及
圖4是示出通過在圖3的疊層上實施沉積保護層的后續(xù)步驟，由 本發(fā)明的第二實施方式最終獲得的記錄載體的橫截面圖。
具體實施例方式
如圖4所示，本發(fā)明的數據記錄載體1尤其與包括微尖的讀取和/ 或寫入設備(未示出)配合工作，并且數據記錄載體1優(yōu)選地通過堆 疊以下層形成
畫例》口石圭的^H"底2;
-反電極3,其優(yōu)選地通過氣相化學沉積、氣相物理沉積或者等 離子增強氣相化學沉積在襯底2上沉積而成，并與讀fl和/或寫入i殳備 配合工作，該反電極3的厚度例如是100nm量級，其電導率在0.1 S/m 和100 S/m之間，并且優(yōu)選地由(石墨或非晶金剛石形態(tài)的)碳或如 鈦、鋯、鴒、鉿、硅或硼的碳化物的非離子碳化物組成。
-鐵電存儲層4,其能夠存儲這些數據并具有與反電極3緊密接 觸的第一面4a，該《失電存4諸層4由例如PZT陶瓷、鉭酸鋰或鉭酸鉀、 釘酸鍶、鈥酸鋇或鈥酸鍶、或者鈮酸鋰形成；以及
-保護層5,其優(yōu)選地通過由高頻等離子增強的氣相化學沉積將 碳(有利地是"DLC"碳，即非晶金剛石形態(tài)的碳)沉積而成，并保 護與第一面4a相對的存儲層4的第二面4b,使其不受與讀取和/或寫 入設備有關的外部污染或機械磨損，該保護層5優(yōu)選地厚度小于5nm, 且其電導率小于10-4 S/m，并由有利地為非晶金剛石形態(tài)的純碳形成。
要注意，這種等離子增強氣相化學沉積("PECVD")能夠尤其包 含通過高頻等離子對如曱烷的含碳反應劑的裂化，從而釋放活性碳， 而該活性碳會自己沉積在鐵電層4的自由表面上。
也要注意，可能采用其它的碳沉積法來沉積該保護層5,這些方 法非限制性地包括氣相物理沉積("PVD，，)或者氣相化學沉積 ("CVD，，)。
參考文獻[5],根據本發(fā)明的第一實施方式，能夠通過以下連續(xù)步驟獲得圖4所示的記錄載體k
-在襯底2上沉積用于形成反電才及3的材料， -在覆蓋有反電極3的襯底2上添加鐵電存儲層4的輪廓， -根據例如小于lOOnm的厚度，減少該輪廓的厚度以獲得存儲層 4，接著，
-在存儲層4上沉積保護層5。
參考文獻[6]，根據本發(fā)明的第二實施方式，通過以下連續(xù)步驟能 夠獲得圖4所示的記錄載體1:
-在組成存儲層4的鐵電載體層4'中預先注入氫離子和氦離子(圖 1未示出該離子注入步驟)
-如圖1所示，在載體層4'的表面上沉積用于形成反電極3的材 料從而使反電極3附著在該載體層4'的第一面4a'上；
-將覆蓋有反電極3的載體層4壓靠(見圖1的箭頭A)在襯底2 上，從而如圖2所示那樣使反電極3附著在襯底2上，另外，有利地， 在反電極3上預先沉積厚度在10到100nm之間的二氧化硅層，從而 改善反電極3對襯底2的附著；
-沿著阻止注入的離子的勢壘面斷開載體層4'(見圖3),從而獲 得終止于第二面4b的、厚度例如為50nm的存儲層4;接著，
-在第二面4b上沉積保護層5從而獲得圖4所示的記錄載體。
要注意的是，無論使用第一種還是第二種制造方法來制造本發(fā)明 的記錄載體1，在前述的沉積反電極3和保護層5之前優(yōu)選地通過以 下方式制備存儲層4的第一面4a和第二面4b，即，先進行機械拋光 以確保附著面的平面度，接著通過化學腐蝕或蝕刻從附著面中抽取出 被有機污染的子層。
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權利要求
1. 一種數據記錄載體(1)，包括襯底(2)、在所述襯底上沉積的反電極(3)和至少一個鐵電存儲層(4)，其中，所述反電極(3)由含碳材料的物質制成并與用于讀取和/或寫入數據的設備的電極配合工作，所述鐵電存儲層(4)能夠存儲數據并具有與所述反電極緊密接觸的第一面(4a)，其特征在于，所述含碳材料選自石墨形態(tài)的碳、非晶金剛石(“DLC”)形態(tài)的碳、除離子碳化物之外的金屬或非金屬元素的碳化物及其混合物。
2. 權利要求1所述的記錄載體(l)，其特征在于，所述反電極(3) 的電導率在0.1S/m與100S/m之間。
3. 如權利要求1或2所述的記錄載體(1 )，其特征在于，所述反 電極(3)僅由所述含碳材料組成。
4. 如權利要求1到3中任一項所述的記錄載體(1 )，其特征在于， 所述含碳材料由通過例如氣相物理沉積而沉積成的石墨形態(tài)的碳組 成。
5. 如權利要求1到3中任一項所述的記錄載體(1 )，其特征在于， 所述含碳材料由通過例如氣相化學沉積或等離子增強氣相化學沉積 ("PECVD")而沉積成的非晶金剛石("DLC")形態(tài)的碳組成。
6. 如權利要求1到3中任一項所述的記錄載體(1 )，其特征在于， 所述含碳材料由至少 一種金屬碳化物組成，所述金屬優(yōu)選地選自鈦、 鋯、鴒和鉿。
7. 如權利要求1到3中任一項所述的記錄載體(1 ),其特征在于， 所述含碳材料由至少一種非金屬碳化物組成，所述非金屬優(yōu)選地是硅或硼。
8. 如前述權利要求中任一項所述的記錄載體(1 )，其特征在于，所述反電極(3 )的厚度在10nm到500nm之間，優(yōu)選地基本等于100nm。
9. 如前述權利要求中任一項所述的記錄載體(1 )，其特征在于， 所述鐵電存儲層(4)基于至少一種鐵電化合物，該鐵電化合物選自化 學式為Pb(Zi^,TVx)03的PZT陶瓷、鉭酸鋰(LiTa03 )、鉭酸鉀(KTa03 )、 釘酸鍶(SrRu03 )、鈦酸鋇(BaTi03 )、鈦酸鍶(SrTi03 )、鈮酸鋰(LiNb03) 及其混合物。
10. 如前述權利要求中任一項所述的記錄載體(1 )，其特征在于， 所述記錄載體(1)還包括保護層(5)，所述保護層(5)用于保護與 所述第一面(4a)相對的所述鐵電存儲層(4)的第二面(4b),使其 不受到與所述讀取和/或寫入設備有關的外部污染和機械磨損，所述保 護層的電導率小于1 S/m且優(yōu)選地小于l(T4 S/m，并且取決于所述存儲 層的泄漏電流。
11. 如權利要求IO所述的記錄載體(I)，其特征在于，所述保護 層(5)由例如通過氣相化學沉積、氣相物理沉積或等離子增強氣相化 學沉積而沉積成的碳組成。
12. 如權利要求11所述的記錄載體(1 )，其特征在于，所述保護 層(5 )由優(yōu)選地通過等離子增強氣相化學沉積而沉積成的單晶金剛石 形態(tài)的碳組成。
13. 如權利要求10到12中任一項所述的記錄載體(1 )，其特征 在于，所述保護層(5)的厚度小于5nm。
14. 一種記錄系統(tǒng)，包括數據記錄載體(1 )和數據讀取和/或寫入設備，所述數據讀取和/或寫入設備包括能夠局部地修改所述載體的 至少一個鐵電存儲層(4)的特性的微針陣列，其特征在于，所述數據 記錄載體為如前述權利要求中任一項所述的數據記錄載體。
15. 如權利要求14所述的記錄系統(tǒng)，其特征在于，所述鐵電存儲 層(4)響應于由所述電極和所述反電極(3)傳送的所述設備的電負 荷而產生反向壓電效應，從而通過檢測對所述負荷的機械響應來檢測 所述存儲層的狀態(tài)。
16. 如權利要求14所述的記錄系統(tǒng)，其特征在于，所述鐵電存儲 層(4)的電容響應于由所述設備的諧振電路產生的激勵而變化，從而 通過檢測所述變化來檢測所述存儲層的狀態(tài)。
17. —種制造如權利要求1到13中任一項所述的記錄載體(1 ) 的方法，其特征在于，該方法包括通過氣相化學沉積、氣相物理沉積 或等離子增強氣相化學沉積在所述存儲層(4)的所述第一面(4a)上 沉積用于形成所述反電極(3)的材料。
18. 如權利要求17所述的制造方法，其特征在于，還包括通過氣 相化學沉積、氣相物理沉積或等離子增強氣相化學沉積在與所述第一 面(4a)相對的所述存儲層(4 )的第二面(4b )上繼續(xù)沉積保護層(5 )， 所述保護層(5)尤其用于保護所述第二面(4b)不受與讀取和/或寫 入設備有關的外部污染和機械磨損，而且其導電率小于l S/m且優(yōu)選 地小于10—4 S/m。
19. 如權利要求18所述的制造方法，其特征在于，通過高頻等離 子增強的氣相化學沉積在所述保護層(5 )上沉積優(yōu)選為非晶形態(tài)的碳。
20. 如權利要求18或19所述的制造方法，其特征在于，在每次 沉積之前，通過以下方式制備所述存儲層(4)的所述第一面(4a)和/或第二面(4b)，即，先進行機械拋光以確保附著面的平面度，然后 通過化學腐蝕或蝕刻從所述附著面中抽取出被有機污染的子層。
21. 如權利要求20所述的制造方法，其特征在于，包括以下步驟 -在優(yōu)選為硅的襯底(2)上沉積用于形成所述反電極(3)的材料，-將所述鐵電存儲層(4)的輪廓添加至覆蓋有所述反電極的襯底上，-根據例如小于100nm的厚度，減少所述輪廓的厚度以獲得所述 存儲層，然后，-在所述存儲層上沉積保護層(5 )。
22. 如權利要求20所述的制造方法，其特征在于，包含以下步驟a) 在組成存儲層(4)的鐵電載體層(4')中注入氫離子和/或氦 離子，b) 在所述載體層的表面沉積用于形成所述反電極(3)的材料， 從而使所述反電極附著在所述存儲層的所述第一面(4a')上，c) 以使所述反電極附著在所述襯底上的方式，將覆蓋有反電極的 所述載體層壓靠在優(yōu)選地為硅的襯底(2)上，d) 沿著阻止離子的勢壘面通過膨脹斷開所述載體層(4'),從而 獲得終止于所述第二面(4b)的、具有減少的厚度的存儲層(4),所 述減少的厚度例如小于50nm，接著，e) 在所述第二面上沉積所述保護層(5)以獲得所述記錄載體(1 )。
23. 如權利要求22所述的制造方法，其特征在于，為了改善步驟 c)中所述反電極(3)對所述襯底(2)的附著，預先在所述反電極上 沉積厚度在10nm和100nm之間的二氧化硅層。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有鐵電存儲層的數據記錄載體、其制造方法和包含該數據記錄載體的記錄系統(tǒng)。本發(fā)明特別應用于需要高存儲容量的計算機應用或多媒體應用。本發(fā)明的數據記錄載體(1)包括襯底(2)、在所述襯底上沉積而成并與用于讀取和/或寫入數據的設備的電極配合工作的反電極(3)和至少能夠存儲數據并具有與所述反電極緊密接觸的第一面(4a)的一個鐵電存儲層(4)。根據本發(fā)明，所述反電極由含碳材料組成的物質制成，該含碳材料選自石墨形態(tài)的碳、非晶金剛石形態(tài)的碳、除離子碳化物之外的金屬或非金屬碳化物及其混合物。
文檔編號G11B9/02GK101430900SQ20081017478
公開日2009年5月13日 申請日期2008年11月5日 優(yōu)先權日2007年11月6日
發(fā)明者薩爾格·吉登 申請人:原子能委員會