專利名稱：垂直磁記錄頭及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠在抑制相鄰磁道擦除的同時(shí)提供高記錄場(chǎng)的垂直磁記 錄頭以及所述頭的制造方法。
背景技術(shù)：
為了實(shí)現(xiàn)HDD (硬盤驅(qū)動(dòng)器)的高記錄密度，關(guān)鍵的一點(diǎn)在于獲得能 夠在具有高熱穩(wěn)定性的介質(zhì)上實(shí)現(xiàn)記錄的高場(chǎng)強(qiáng)以及在高磁道密度記錄中 不會(huì)誘發(fā)相鄰磁道的記錄圖案的劣化的場(chǎng)分布。但是，以上兩點(diǎn)往往是相互 抵觸的。也就是說(shuō)，在用于生成高磁場(chǎng)的頭結(jié)構(gòu)中，沿磁道寬度方向場(chǎng)擴(kuò)展 范圍也大。另一方面，隨著磁道密度的增大，將出現(xiàn)相鄰磁道的信號(hào)劣化的 問題，該問題會(huì)在記錄過程中發(fā)生。該問題是這樣一種現(xiàn)象，即，即使泄漏 到相鄰磁道的泄漏場(chǎng)(下文稱為彌散場(chǎng))小于等于記錄介質(zhì)的磁化翻轉(zhuǎn)場(chǎng)， 相鄰磁道的信號(hào)質(zhì)量也會(huì)因?yàn)橹貜?fù)的記錄而劣化。
作為避免場(chǎng)泄漏到相鄰磁道，同時(shí)保持最大場(chǎng)的手段，人們考慮了這樣 一種方式，其中，在主極的沿磁道寬度方向的側(cè)面上提供磁屏蔽。專利文獻(xiàn) l和2公開了一種方法，其中，在具有通過離子研磨(ionmilling)形成的倒梯 形形狀的主極的每一側(cè)面上形成非磁膜和軟磁膜。專利文獻(xiàn)3公開了這樣一 種方法，其中，作為通過自對(duì)準(zhǔn)的方式形成具有側(cè)屏蔽的呈倒梯形的主極的 手段，在磁膜內(nèi)形成具有楔形截面輪廓的溝槽，并在所述溝槽內(nèi)形成非磁膜 和磁膜。
為了提高場(chǎng)強(qiáng)，考慮這樣一種方法，其中，在沿垂直于氣浮面的方向從 氣浮面退回的位置提供子極，其中，所述位置處于主極的沿磁道(down track) 方向的 一端。例如，專利文獻(xiàn)4和5描述了 一種分別向主極的前導(dǎo)側(cè)(leading side)添加磁膜的方法。但是，在這些方法中，通常隨著場(chǎng)強(qiáng)的增大往往導(dǎo) 致場(chǎng)的擴(kuò)展，從而引起彌散場(chǎng)的增大。因此，不能提高磁道密度，當(dāng)然也就 不能實(shí)現(xiàn)高密度記錄。
JP-A-2004-127480[專利文獻(xiàn)2] [專利文獻(xiàn)3] [專利文獻(xiàn)4] [專利文獻(xiàn)5]
JP-A-60-136015
JP-A-2006-244671
JP-A誦2007畫24120
JP-A-2007-3508
發(fā)明內(nèi)容
在通過側(cè)面屏蔽抑制向相鄰磁道的場(chǎng)泄漏時(shí)，記錄磁道的磁場(chǎng)降低。本 發(fā)明的目的在于抑制記錄場(chǎng)的降低，有效地削弱彌散場(chǎng)，并由此抑制相鄰磁 道的信號(hào)劣化。
本發(fā)明的垂直磁記錄頭具有其氣浮面呈倒梯形的主極、位于所述主極的 拖尾側(cè)的拖尾屏蔽件(trailing shield)以及位于所述主極的沿跨道方向的兩側(cè) 的側(cè)面屏蔽件。所述側(cè)面屏蔽件的前導(dǎo)側(cè)末端位于與所述主極的前導(dǎo)側(cè)末端 相比更遠(yuǎn)的前導(dǎo)側(cè)位置。
更優(yōu)選地，使所述側(cè)面屏蔽件上的沿跨道方向最接近所述主極的中心線 的點(diǎn)位于與所述主極的前導(dǎo)側(cè)末端相比更遠(yuǎn)的前導(dǎo)側(cè)位置。在這種情況下， 希望所述主極的前導(dǎo)側(cè)末端與所述側(cè)面屏蔽件末端之間的距離Ls以及所述 主極與每一側(cè)面屏蔽件之間的距離Gs滿足Ls〉1.5 x Gs。當(dāng)在所述主極的前 導(dǎo)側(cè)末端提供子極時(shí)，希望所述主極的前導(dǎo)側(cè)末端和所述側(cè)面屏蔽件末端之 間的距離Ls大于所述子極的厚度，其中，所述子極的處于氣浮面一側(cè)的尖 端(tip)位于從所述氣浮面退回的位置。
根據(jù)本發(fā)明，在保持用于記錄磁道的磁場(chǎng)和場(chǎng)梯度的同時(shí)，能夠抑制從 所述主極的前導(dǎo)側(cè)末端產(chǎn)生的場(chǎng)擴(kuò)展，因而能夠降低彌散場(chǎng)。因而，獲得了 具有良好的記錄特性，而且不會(huì)在相鄰磁道內(nèi)誘發(fā)信號(hào)劣化的磁記錄頭。


圖1(a)示出了根據(jù)本發(fā)明的磁頭的沿磁道中心線的示意性截面圖，
(b)示出了主極附近的氣浮面的示意圖。
圖2(a)-(b) 示出了根據(jù)本發(fā)明的磁頭的磁頭場(chǎng)分布圖。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的磁頭的磁頭場(chǎng)強(qiáng)度沿跨道方向的分布圖。
圖4 (a)示出了說(shuō)明Ls/Gs和處于磁道中央的磁場(chǎng)之間的關(guān)系的圖示，
(b)示出了說(shuō)明Ls/Gs和彌散場(chǎng)之間的關(guān)系的圖示。圖5(a)-①示出了說(shuō)明本發(fā)明的磁頭的制造方法的例子的過程圖。圖6(a)-(b)示出了說(shuō)明本發(fā)明的磁頭的側(cè)面屏蔽件的氣浮面形狀的另一個(gè)例子的圖示。
圖7示出了說(shuō)明圖6 (a)的屏蔽件結(jié)構(gòu)中的彌散場(chǎng)的屏蔽件長(zhǎng)度依賴性的圖示。
圖8示出了使本發(fā)明的磁頭中的側(cè)面屏蔽件與拖尾屏蔽件磁隔離的例子的氣浮面的示意圖。
圖9(a)-(g)示出了用于說(shuō)明使本發(fā)明的磁頭中的側(cè)面屏蔽件與拖尾屏蔽件磁隔離的結(jié)構(gòu)的制造方法的例子的過程圖。
圖10(a)-(d)示出了說(shuō)明本發(fā)明的磁頭的圖示，在所述磁頭中，在主極的前導(dǎo)側(cè)設(shè)置子極。
圖11示出了用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的磁頭以及對(duì)比例子中的磁頭每個(gè)的最大場(chǎng)和彌散場(chǎng)的圖示。
圖12示出了用于說(shuō)明在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中最大場(chǎng)或彌散場(chǎng)與Ls/tSP之間的關(guān)系的圖示。
10記錄頭11主極
12輔助極13屏蔽件
14后間隙15線圈
16磁輒20再現(xiàn)頭
21讀耳又元件22下屏蔽件
23上屏蔽件31無(wú)機(jī)絕緣膜
32用于主極的磁膜33用于間隙的非》茲膜
34掩模35用于側(cè)面間隙的非》茲膜
36用于電鍍的非磁基膜37磁電鍍膜
41主極42側(cè)面屏蔽件
43拖尾屏蔽件51無(wú)機(jī)絕緣膜
52用于主極的磁膜53帽蓋膜
54掩模55非磁側(cè)面間隙膜
56用于電鍍的基膜57磁電鍍膜
58非磁間隙膜59磁電鍍膜60 再現(xiàn)頭
62 下屏蔽件
70 記錄頭
72 輔助才及
74 后間隙
76 磁輒
61 讀耳又元件
63 上屏蔽件
71 子極
73 屏蔽件
75 線圏
77 主極
具體實(shí)施例方式
在下文中將參考

本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖1 (a)示出了在磁道中心線的示意性截面圖，其說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的磁頭的例子。所述磁頭是一種記錄/再現(xiàn)復(fù)合頭，其具有包括主極ll和輔助極12的記錄頭10、以及包括讀元件21的再現(xiàn)頭20。對(duì)于再現(xiàn)頭20而言，采用了 CIP-GMR元件、TMR元件、或CPP-GMR元件等，其設(shè)置于包括處于前導(dǎo)側(cè)的下屏蔽件22和處于拖尾側(cè)的上屏蔽件23的一對(duì)磁屏蔽件之間。寫入功能部分具有這樣的基本構(gòu)造，其包括執(zhí)行向磁盤的寫入的主極11、位于主極拖尾側(cè)的位置并處于主極的沿跨道方向的每一側(cè)面的旁邊并與該側(cè)面相隔預(yù)定距離的屏蔽件13、返回來(lái)自^t盤的^P茲通量的輔助極12、將所述主核J茲耦合至所述輔助極的后間隙部分14、以及位于由所述主極、輔助才及和后間隙部分形成的空間內(nèi)的線圏15。
圖1 (b)示出了沿氣浮面方向看的示意圖，其說(shuō)明了圖1 (a)所示的^磁頭的記錄操作部分。將主極11和屏蔽件13暴露至氣浮面。這里，重要的是，按照一定的形狀形成處于主極的兩側(cè)面的旁邊的屏蔽件13的部分，在所述形狀中，所述部分中的每者將覆蓋直到與主極11相比更遠(yuǎn)的前導(dǎo)側(cè)位置(far leading side )的區(qū)域，從而使高場(chǎng)強(qiáng)集中到磁道中央。在下文中，在屏蔽件13的前導(dǎo)側(cè)末端的周界中，將沿跨道方向與所述中心線最接近的點(diǎn)稱為屏蔽件末端。將處于主極的前導(dǎo)側(cè)末端的平行于跨道方向的直線和所述屏蔽件末端之間的距離Ls稱為屏蔽件長(zhǎng)度。將主極11的處于拖尾方向的末端與所述屏蔽件之間的距離稱為拖尾間隙，將主極11的沿跨道方向的側(cè)面與屏蔽件13之間的距離Gs稱為側(cè)面間隙。
在下文中，將說(shuō)明本發(fā)明的記錄頭的場(chǎng)分布，其中，通過采用有限元法的場(chǎng)計(jì)算獲得所述場(chǎng)分布。就用于計(jì)算的記錄頭的形狀而言，主極的寬度為， 4也尾間隙為35nm。圖2示出了通過所述場(chǎng)計(jì)算獲得的頭場(chǎng)分布的等值線。通過虛線示出了記錄頭的氣浮面的形狀。圖2 (a)示出了屏蔽件長(zhǎng)度Ls-O的情況，圖2(b)示出了Ls=120nm的情況。
在Ls=0的情況下，在主極的前導(dǎo)側(cè)末端處將沿跨道方向產(chǎn)生場(chǎng)擴(kuò)展。已知，強(qiáng)度為4000Oe或更高的磁場(chǎng)尤其傾向于在前導(dǎo)側(cè)而不是拖尾側(cè)發(fā)生擴(kuò)展。在對(duì)記錄介質(zhì)盤的內(nèi)側(cè)周界和外側(cè)周界記錄的過程中，浮動(dòng)塊內(nèi)形成的偏斜將對(duì)前導(dǎo)側(cè)的場(chǎng)擴(kuò)展造成影響，這也是記錄寬度增大的原因。另一方面，如圖2(b)所示，就Ls-120而言，在前導(dǎo)側(cè)看不到場(chǎng)擴(kuò)展。通過與虛線表示的記錄頭的氣浮面的形狀相比，明顯能夠看出這一點(diǎn)，而這一點(diǎn)則歸功于在與主極相比更遠(yuǎn)的前導(dǎo)側(cè)位置設(shè)置了側(cè)面屏蔽件的構(gòu)造。
圖3示出了磁頭場(chǎng)沿跨道方向的分布?？招牧庑问境隽似帘渭L(zhǎng)度Ls=150nm的情況，實(shí)心菱形示出了屏蔽件長(zhǎng)度Ls=0nm的情況。所知道的是，由于將屏蔽件末端設(shè)置到與主極相比更遠(yuǎn)的前導(dǎo)側(cè)位置，由此在沿跨道方向80nm或更大的區(qū)域內(nèi)降低了磁場(chǎng)。因此，抑制了施加至相鄰磁道的不必要的場(chǎng)，從而避免了相鄰磁道的記錄信號(hào)的劣化。此外，應(yīng)當(dāng)注意，由于磁道中央的最大場(chǎng)的降低幅度小，因而能夠執(zhí)行向目標(biāo)磁道的高質(zhì)量的記錄。
這一效果是通過這樣一種操作實(shí)現(xiàn)的，即，將側(cè)面屏蔽件設(shè)置為使其覆蓋主極的拖尾側(cè)，由此簡(jiǎn)單地形成了接近理想屏蔽結(jié)構(gòu)的側(cè)面屏蔽件結(jié)構(gòu)，即，接近這樣一種形狀，其中，所述側(cè)面屏蔽件以恒定間隔覆蓋主極的三側(cè)，所述三側(cè)是指前導(dǎo)側(cè)和沿跨道方向的兩個(gè)側(cè)面所在側(cè)。因此，通過將Ls提高到大約Gs獲得了非常顯著的效果。圖4 (a)和4 (b)分別示出了處于磁道中央的;茲頭場(chǎng)和沿跨道方向處于與f茲道中央相距100nm的位置的》茲頭場(chǎng)(彌散場(chǎng))的Ls/Gs依賴性，其中，Ls/Gs是通過用主極和側(cè)面屏蔽件之間沿跨道方向的距離(Gs)使Ls歸一化得到的。從圖4 (a)可以看出，因Ls增大而導(dǎo)致的磁道中央的磁場(chǎng)降低幅度小，就Ls/Gs-3而言，磁場(chǎng)降低了大約3%。另一方面，彌散場(chǎng)極大降低，可以看出，當(dāng)設(shè)定Ls〉1.5xGs時(shí)，獲得了顯著的彌散場(chǎng)降低效果。這里給出不可逆反轉(zhuǎn)場(chǎng)(switching field )作為彌散場(chǎng)的標(biāo)準(zhǔn)。所述不可逆反轉(zhuǎn)場(chǎng)是這樣一種磁場(chǎng)，在所述磁場(chǎng)，當(dāng)向沿特定方向均勻磁化的介質(zhì)施加具有與磁化方向相反的方向的磁場(chǎng)時(shí)，開始發(fā)生磁化的逆轉(zhuǎn)，因而總磁化開始降低。在當(dāng)前通常采用的基于CoCr的垂直記錄介質(zhì)中，所述不可逆反轉(zhuǎn)場(chǎng)大約為3000Oe。如果重復(fù)施加大約3000Oe的磁場(chǎng)，那么即使介質(zhì)的反轉(zhuǎn)場(chǎng)與這樣的磁場(chǎng)相比充分大，在個(gè)別顆粒中也會(huì)開始磁化逆轉(zhuǎn)，從而導(dǎo)致記錄圖案劣化。因此，在設(shè)定Ls>1.5xGs時(shí)，能夠避免相鄰^f茲道中的信號(hào)劣化。
接下來(lái)，將說(shuō)明具有本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的記錄頭的制造過程。圖5示出了說(shuō)明本發(fā)明的磁頭的主極和屏蔽件的制造方法的例子的過程圖。
在無(wú)機(jī)絕緣膜31上淀積用于主極的磁膜32以及用于在主極和拖尾側(cè)屏蔽件之間進(jìn)行磁隔離的非磁膜33 (圖5 (a))。之后，形成對(duì)應(yīng)于預(yù)定磁道寬度的掩模34，并通過離子研磨使所述,茲膜薄化。通過這樣一種方式執(zhí)行所述薄化，即，形成倒梯形形狀，在該形狀中，》茲膜的下部寬度窄于上部寬度(圖5(b))。此外，在所述薄化中，希望在接近用于主極的,茲膜的位置對(duì)所述無(wú)機(jī)絕緣膜31薄化得深。典型地，所述無(wú)機(jī)絕緣膜由氧化鋁構(gòu)成，所述用于主極的磁膜由CoFe、 NiFe或NiCr構(gòu)成，并且采用通過Ar離子研磨處理所述膜的制造過程。但是，由于通過Ar離子研磨對(duì)氧化鋁進(jìn)行蝕刻的蝕刻速度通常是對(duì)磁性金屬進(jìn)行蝕刻的蝕刻速度的三分之一左右，因而難以將用于主極的磁膜附近的氧化鋁薄化得深。因而，希望在對(duì)用于主極的磁膜蝕刻之后，通過采用Ar+CHF3混合氣體的反應(yīng)離子研磨(RIM)對(duì)氧化鋁進(jìn)行蝕刻。借助基于氟的氣體，尤其是借助CHF3的氧化鋁蝕刻速度與諸如CoFe、NiFe或NiCr的磁性金屬的蝕刻速度相比非常大，在某種條件下能夠獲得至少是磁性金屬的蝕刻速度的IO倍的蝕刻速度。通過采用RIM的蝕刻等合意地將主極附近的無(wú)機(jī)絕緣膜薄化得至少是Gs的兩倍深。在這樣的蝕刻中，必須以直角或者與相對(duì)于膜表面相比更大的角對(duì)處于主極下的無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行薄化(圖5 (c))。之后，淀積非磁側(cè)面間隙膜35 (圖5 (d))，之后，通過離子研磨和浮脫(liftoff)工藝去除主極上的掩模(圖5 (e))。此外，通過濺射法淀積用于鍍的基膜36,之后通過鍍法形成用于屏蔽的磁膜37。
通過使側(cè)面屏蔽件的前導(dǎo)側(cè)末端位于與主極相比更遠(yuǎn)的前導(dǎo)側(cè)位置，實(shí)現(xiàn)了在不降低最大場(chǎng)的情況下降低彌散場(chǎng)的效果，而這也是本發(fā)明的目的。因此，前導(dǎo)端的結(jié)構(gòu)或者前導(dǎo)端的外緣不受特別限制。圖6示出了可以提供本發(fā)明旨在實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)的側(cè)面屏蔽件的形狀的另一個(gè)例子。
例如，如圖6(a)所示，所述屏蔽件末端可以是沿跨道方向具有恒定距離的側(cè)邊。圖7示出了在具有這樣的屏蔽件結(jié)構(gòu)的頭中彌散場(chǎng)的屏蔽件長(zhǎng)度依賴性。盡管與圖1 (b)所示的用于比較的結(jié)構(gòu)相比其效果相對(duì)較小，但是可以看出仍然取得了顯著的效果。
此外，如圖6(b)所示，可以僅將所述;茲膜設(shè)置到接近所述屏蔽件末端的區(qū)域內(nèi)，并且可以在沿跨道方向遠(yuǎn)離主極的位置形成切口 。
圖8示出了本發(fā)明的另一個(gè)例子。在所述例子中，將設(shè)置在主極41的沿跨道方向的每一側(cè)的側(cè)面屏蔽件42與沿磁道的方向設(shè)置的拖尾屏蔽件43分開。即使在這樣的結(jié)構(gòu)中，所述側(cè)面屏蔽件也能夠覆蓋主極的前導(dǎo)側(cè)末端的外圍，由此能夠降低擴(kuò)展至相鄰磁道的彌散場(chǎng)。
圖9示出了圖8所示的記錄頭的制造過程。在無(wú)機(jī)絕緣膜51上淀積用于主極的;茲膜52和帽蓋膜53 (圖9 (a))。之后，形成對(duì)應(yīng)于預(yù)定磁道寬度的掩模54，并通過離子研磨使所述磁膜薄化。通過這樣一種方式執(zhí)行所述薄化，即，形成倒梯形形狀，在該形狀中，磁膜的下部寬度窄于上部寬度(圖9 (b))。之后，通過采用諸如ArfCHF3的基于氟的混合氣體的反應(yīng)離子研磨來(lái)蝕刻處于所述主極的外圍的用于無(wú)機(jī)絕緣膜的基膜。在這樣的蝕刻中，必須以直角或者與相對(duì)于膜表面相比更大的角對(duì)處于主極下的無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行薄化(圖9 ( c ))。此外，通過賊射法淀積非磁側(cè)面間隙膜55 (圖9 ( d))和用于鍍的基膜56，之后通過鍍法淀積磁性側(cè)面屏蔽膜57 (圖9 (e))。之后，以主極的尾緣的表面作為基準(zhǔn)，通過CMP使側(cè)面屏蔽膜57平面化(圖9(f))。之后，通過濺射法淀積將成為拖尾屏蔽間隙的非^磁間隙膜58，之后通過鍍法淀積;茲膜59 (圖9 ( g))。
圖10 (a)示出了在主極的前導(dǎo)端一側(cè)添加了子極的本發(fā)明的記錄頭結(jié)構(gòu)的例子。在這一結(jié)構(gòu)中，在主極77和主核J茲輒部76之間插入子極71 ，其尖端存在于從氣浮面退回的位置。在所述結(jié)構(gòu)中，考慮了使子極71的處于氣浮面一側(cè)的末端平行于所述氣浮面的情況(圖10 (b))以及使所述末端傾斜從而使與所述氣浮面的距離朝向所述前導(dǎo)側(cè)增大的情況(圖10 (c))?？梢酝ㄟ^大約lOnm厚的非i茲膜使所述主極與所述子極隔開(圖10 (d))。因而，使磁通集中到主極的末端部分，由此能夠生成高磁場(chǎng)。但是，典型地，在所述添加了子極的結(jié)構(gòu)中，在增大磁頭的最大場(chǎng)的同時(shí)，也增強(qiáng)了場(chǎng)的擴(kuò)展，因而不能提高磁道密度。即使考慮到這一點(diǎn)，由于就本發(fā)明而言，在與所述主極相比更遠(yuǎn)的前導(dǎo)側(cè)位置設(shè)置了所述側(cè)面屏蔽件末端，因而能夠在抑在下文中，示出了通過場(chǎng)計(jì)算對(duì)所述效果進(jìn)行估算的結(jié)果。對(duì)比的對(duì)象包括具有先前的沒有子極的結(jié)構(gòu)中的主極和先前的結(jié)構(gòu)中的側(cè)面屏蔽件的
頭(在下文中稱為先前頭)；具有添加了子極的主極和先前的結(jié)構(gòu)中的側(cè)面屏蔽件的頭(添加了子極的頭)；以及具有添加了子極的主極和圖1 (b)所示的側(cè)面屏蔽件的頭(本發(fā)明的頭)。
圖11示出了每種頭的最大場(chǎng)強(qiáng)和彌散場(chǎng)。在所述添加了子極的頭中，盡管由于所添加的子極使最大場(chǎng)強(qiáng)提高了大約15%,但是彌散場(chǎng)卻增大了40%甚至更高。這是因?yàn)?，由于子極生成的;茲通在未流經(jīng)主極的尖端的情況下直接流入到了氣浮面內(nèi)，因而》茲場(chǎng)在主極的前導(dǎo)端附近擴(kuò)展。另一方面，在本發(fā)明的頭中，在使最大場(chǎng)強(qiáng)增大了 10%的同時(shí)，未發(fā)現(xiàn)彌散場(chǎng)顯著增強(qiáng)。取得了這一效果的原因在于，通過在主極的前導(dǎo)側(cè)末端附近設(shè)置側(cè)面屏蔽件抑制了沿跨道方向的場(chǎng)擴(kuò)展。
在提供所述子極的情況下，希望使所述側(cè)面屏蔽件的長(zhǎng)度(Ls)至少是所述側(cè)面屏蔽間隙的1.5倍，并且等于或大于所述子極的厚度(tSP)。圖12分別示出了最大場(chǎng)和彌散場(chǎng)的側(cè)面屏蔽件長(zhǎng)度依賴性。水平軸示出了長(zhǎng)度Ls，長(zhǎng)度Ls的表示方式是用子極厚度tSP對(duì)其進(jìn)行了歸一化。隨著Ls/tSP的增大，最大場(chǎng)逐漸降低，同時(shí)彌散場(chǎng)則隨著Ls/tSP的增大而極大降低。因此，具有相關(guān)結(jié)構(gòu)的頭能夠在抑制最大場(chǎng)的降低的同時(shí)有效地降低彌散場(chǎng)。在這種情況下，在Ls/tSP〉1的區(qū)域內(nèi)彌散場(chǎng)的降低效果顯著。這意味著，在氣浮面處當(dāng)前導(dǎo)側(cè)存在長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)于或大于輔助極的厚度的側(cè)面屏蔽件時(shí)，彌散場(chǎng)的降低效果顯著。這是因?yàn)?，整個(gè)子極和氣浮面之間的區(qū)域都被屏蔽件覆蓋，因而能夠阻擋磁通從子極直接流入到氣浮面。
在當(dāng)前通常釆用的基于CoCr的垂直記錄介質(zhì)中，希望使彌散場(chǎng)等于或小于3000Oe。其原因在于，基于CoCr的垂直記錄介質(zhì)的不可逆反轉(zhuǎn)場(chǎng)通常為3000Oe左右，在重復(fù)施加等于或大于3000Oe的》茲場(chǎng)時(shí)，將降低剩余不茲化強(qiáng)度，從而使信號(hào)劣化。在本發(fā)明的記錄頭中，設(shè)定Ls/tSP",從而將彌散場(chǎng)控制為等于或小于3000Oe,由此能夠抑制因磁道節(jié)距降低而帶來(lái)的相鄰磁道內(nèi)的信號(hào)劣化。
與其他區(qū)域相比，在處于側(cè)面屏蔽件的前導(dǎo)側(cè)末端附近的區(qū)域內(nèi)采用具有高飽和磁化的磁性材料能夠使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)變得更加顯著。其原因在于，本發(fā)明的目的在于從前導(dǎo)側(cè)強(qiáng)烈吸收與拖尾側(cè)相比對(duì)最大場(chǎng)幾乎不起作用的磁通量。也就是說(shuō)，優(yōu)選在處于主極的拖尾側(cè)末端附近的區(qū)域內(nèi)由具有低
飽和磁化的磁性材料形成屏蔽件，該處主導(dǎo)最大場(chǎng)強(qiáng)度；在處于主極的前導(dǎo)側(cè)末端附近的區(qū)域內(nèi)由具有高飽和磁化強(qiáng)度的磁性材料形成屏蔽件，該處沿道寬方向的場(chǎng)擴(kuò)展大。具體地，可以通過在用于屏蔽的磁膜的鍍步驟中鍍多層膜制造這樣的屏蔽件，例如，如圖5(f)所示。例如，首先可以淀積諸如CoFe或CoFeNi的具有高飽和磁化強(qiáng)度(1.6到2.4T)的磁性材料，之后可以淀積諸如Ni8GFe2()或Ni45Fe55的具有相對(duì)較低的飽和磁化強(qiáng)度(1.0到1.5T)的磁性材料。
權(quán)利要求
1.一種垂直磁記錄頭，其特征在于具有主極，具有倒梯形形狀的氣浮面，拖尾屏蔽件，位于所述主極的拖尾側(cè)，以及側(cè)面屏蔽件，位于所述主極的沿跨道方向的兩側(cè)，其中，所述側(cè)面屏蔽件的前導(dǎo)側(cè)末端位于與所述主極的前導(dǎo)側(cè)末端相比更遠(yuǎn)的前導(dǎo)側(cè)位置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄頭，其特征在于所述側(cè)面屏蔽件上的最接近所述主極的跨道方向上的中心線的點(diǎn)位于 與所述主極的前導(dǎo)側(cè)末端相比更遠(yuǎn)的前導(dǎo)側(cè)位置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直磁記錄頭，其特征在于 所述主極的前導(dǎo)側(cè)末端與所述側(cè)面屏蔽件末端之間的距離Ls、以及所述主極與所述側(cè)面屏蔽件之間的距離Gs滿足Ls〉1.5 x Gs。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直磁記錄頭，其特征在于 在所述主極的前導(dǎo)側(cè)末端設(shè)置子極，并且 所述子極的氣浮面 一側(cè)的尖端位于從氣浮面退回的位置。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的垂直磁記錄頭，其特征在于 所述主極的前導(dǎo)側(cè)末端和所述側(cè)面屏蔽件末端之間的距離Ls大于所述子極的厚度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直磁記錄頭，其特征在于 所述側(cè)面屏蔽件與所述拖尾屏蔽件在氣浮面處耦接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直磁記錄頭，其特征在于 所述側(cè)面屏蔽件與所述拖尾屏蔽件在所述氣浮面處通過非磁材料隔離。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直磁記錄頭，其特征在于 所述側(cè)面屏蔽件由多層膜構(gòu)成，所述多層膜由多種不同的磁性材料構(gòu)成，并且設(shè)置在前導(dǎo)側(cè)的磁性材料的飽和磁化強(qiáng)度高于設(shè)置在拖尾側(cè)的磁性材 料的飽和磁化強(qiáng)度。
9. 一種垂直磁記錄頭的制造方法，其特征在于具有 在無(wú)機(jī)絕緣膜上淀積用于主極的磁膜的步驟，在其上淀積非;茲膜的步驟，在其上形成對(duì)應(yīng)于磁道寬度的掩模的步驟，采用所述掩模通過離子研磨將所述用于主極的磁膜處理成倒梯形形狀 的步驟，通過以直角或大于直角的角實(shí)施的反應(yīng)離子研磨對(duì)經(jīng)過處理的用于主極的磁膜下的無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行薄化的步驟；淀積作為側(cè)面間隙膜的非磁膜的步驟，以及 形成用于屏蔽的》茲膜的步驟。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直磁記錄頭的制造方法，其特征在于 所述的形成用于屏蔽的磁膜的步驟包括去除掩模的步驟， 淀積用于鍍的基膜的步驟，以及 通過鍍法形成用于屏蔽的》茲膜的步驟。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直磁記錄頭的制造方法，其特征在于 所述的形成用于屏蔽的磁膜的步驟包括淀積用于鍍的基膜的步驟，通過鍍法形成用于側(cè)面屏蔽件的磁膜的步驟，通過CMP暴露用于主極的磁膜的步驟，淀積非》茲膜的步驟，以及通過鍍法形成用于拖尾屏蔽件的磁膜的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種垂直磁記錄頭及其制造方法，其能夠抑制記錄場(chǎng)的降低，并且能夠有效地降低彌散場(chǎng)。在與主極(11)相比更遠(yuǎn)的前導(dǎo)側(cè)位置布置設(shè)置在主極(11)的處于跨道方向的每一側(cè)所在的側(cè)的側(cè)面屏蔽件(13)。
文檔編號(hào)G11B5/31GK101494056SQ200810183769
公開日2009年7月29日 申請(qǐng)日期2008年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月14日
發(fā)明者布川功, 星屋裕之, 杉山干人 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司