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      半導(dǎo)體裝置的制造方法、拾光模塊以及半導(dǎo)體裝置的制作方法

      文檔序號:6744398閱讀:172來源:國知局
      專利名稱:半導(dǎo)體裝置的制造方法、拾光模塊以及半導(dǎo)體裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法、拾光模塊以及半導(dǎo)體裝置。
      技術(shù)背景
      現(xiàn)今,在讀取DVD等光盤中的信號的光盤驅(qū)動裝置中裝載有 拾光模塊。在該拾光模塊中,射出用于讀取的光的半導(dǎo)體激光元 件和接收從光盤反射回來的反射光的檢光器布置在同一個底座上。
      如專利文獻1所公開的那樣,在光盤驅(qū)動裝置中,拾光模塊 布置在光盤的光學(xué)記錄面之下,且沿著光盤的半徑方向移動。因 此,為使光盤驅(qū)動裝置小型化,必須使拾光模塊小型化。為使拾 光模塊小型化,就需要使檢光器小型化。
      例如,在專利文獻2中公開了一種使收放固體攝像元件的框 體小型化,從而使檢光器小型化的固體攝像裝置的制造方法。具 體而言,在該方法下,使由基才反部和矩形框狀的突起部形成的框 體與多個金屬導(dǎo)片一起樹脂成形為一體,再由各個金屬導(dǎo)片形成 內(nèi)部端子部和外部端子部,將攝像元件固定在框體的內(nèi)部空間內(nèi)的基板部上,將攝像元件的電極和各個金屬導(dǎo)片的內(nèi)部端子部一 一地連接起來,將透光板接合到突起部的上端面上。此時,為決 定透光板的位置,在突起部的上端面沿著內(nèi)周設(shè)置低一些的低部 形成臺階部,透光板的大小為在形成在突起部的臺階部的內(nèi)壁的 內(nèi)側(cè)區(qū)域內(nèi)能夠放置在低部的上表面那么大,在將透光板接合到 突起部的上端面之際,將粘接劑填充到低部上表面之后,邊利用 臺階部的內(nèi)壁限定透光板的位置,邊將透光板放置、接合到低部 上表面的粘接劑上,最后再除去位于突起部的臺階部外側(cè)的部分。專利文獻1:日本公開特許公報特開2001 — 56950號公報 專利文獻2:日本公開特許公報特開2005 — 64292號公報 專利文獻3:日本公開特許公報特開2005 — 79537號公報 專利文獻4:日本公開特許公報特開2002 — 164524號公報 一發(fā)明要解決的技術(shù)問題一
      但是,如圖18所示,在專利文獻2所公開的固體攝像裝置中, 在放置有攝像元件205的基板部202的外緣部分設(shè)置有矩形框狀 的突起部203,但突起部203的矩形的四條邊的寬度都一樣寬。 這就限制了小型化。專利文獻3中所公開的固體攝像裝置也存在 同樣的問題。其中之一制造方法如下將引線框放置在下, 一體 樹脂成形,制作出多個框體連接在一起的原板以后,再裝載上固 體攝像元件。然而,該制造方法存在以下缺點必須制作高價的 封裝模具,與引線框一體樹脂成形,由此形成突起部;在利用模 具樹脂成形突起部的情況下,要想在模具內(nèi)樹脂成形后,再將產(chǎn) 品取出,就需要在突起部側(cè)面形成一個5 —15度的微小的拔模斜 度,因此不可能垂直地形成突起部;因為用模具樹脂成形,所以 是不能夠輕易地改變對突起部的形狀的設(shè)計。 發(fā)明內(nèi)容提供一種高效地制造整體大小能夠更小,特別是封裝體的近似矩 形的四條邊中相向的一對邊的長度能夠更短的半導(dǎo)體裝置的方 法。一用以解決技術(shù)問題的技術(shù)方案一
      為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明中的第一種半導(dǎo)體裝置的制造 方法是制造包括半導(dǎo)體元件和裝載該半導(dǎo)體元件的封裝體的半導(dǎo) 體裝置的制造方法。該半導(dǎo)體裝置的制造方法包括以下步驟形 成封裝體集合基板的步驟,在平板狀的底板的上表面上形成朝上狀是多個封裝體連接在一起的封裝體集合基板,裝載步驟,在相方式中,在所述突起部上沿著該突起部的延伸方向從該突起部的上表面朝著所述底板設(shè)置有切口 。
      本發(fā)明中的第二種半導(dǎo)體裝置的制造方法是制造包括半導(dǎo)體 元件和裝載該半導(dǎo)體元件的封裝體的半導(dǎo)體裝置的制造方法。該 半導(dǎo)體裝置的制造方法包括以下步驟形成封裝體集合基板的步 驟,在平板狀的底板的上表面上形成朝上方突出且相互平行地在 該上表面上延伸的多個突起部,且相鄰的該突起部之間的距離交 替為第一距離a和比a小的第二距離b,以形成形狀是多個封裝 體連接在一起的封裝體集合基板,裝載步驟,在突起部間的距離 是a的相鄰的兩個所述突起部之間,沿著該突起部的延伸方向裝 載多個半導(dǎo)體元件,以及分開步驟,沿著該突起部的延伸方向?qū)?突起部間的距離是b的相鄰的兩個所述突起部之間切斷,而將封 裝體集合基板分開。
      在所述突起部上沿著該突起部的延伸方向設(shè)置有寬度或者高 度比其它部分小的多個凹部,在所述裝載步驟中,所述半導(dǎo)體元 件裝載在相鄰的所述突起部之間且在該突起部延伸的方向上相鄰 的所述凹部之間的區(qū)域。這樣做是可以的。
      所述封裝體集合基板在所述底板的上表面具有沿著所述突起 部排列的多個連接電極,在所述裝載步驟中,用金屬細線將所述 半導(dǎo)體元件和所述連接電極連接起來。這樣做是可以的。
      可以進一步包括將板狀透明部件放在所述半導(dǎo)體元件上的 步驟,和用封裝樹脂將所述金屬細線和所述透明部件的側(cè)壁封裝 起來的步驟。
      可以在所述裝載步驟中,將一個所迷透明部件放在多個所述 半導(dǎo)體元件上。激光模塊以及分光鏡。裝載在所述半導(dǎo)體裝置中的半導(dǎo)體元件是 受光元件。
      可以進一步包括反射鏡和物鏡。
      所述拾光模塊可以放置在光盤的信息記錄面的下側(cè),所述突起部的延伸方向可以實質(zhì)上與所述信息記錄面垂直。
      所述激光模塊可以包括藍紫色激光裝置和雙波長激光裝置, 從所述藍紫色激光裝置射出的光的峰值波長在385nm以上且 425nm以下,從所述雙波長激光裝置射出的光的峰值波長在630nm 以上且670nm以下和760nm以上且800nm以下。
      本發(fā)明的一種半導(dǎo)體裝置,包括半導(dǎo)體元件和裝載該半導(dǎo)體 元件的封裝體。該半導(dǎo)體裝置近似長方體,該半導(dǎo)體裝置的下面 和相向的一對側(cè)面由所迷封裝體構(gòu)成,所述封裝體具有基板部和 突起部,所述基板部實質(zhì)上是矩形,且包括裝載所迷半導(dǎo)體元件 的裝載面,所述突起部沿著該裝載面的一對相向的外緣延伸,且 該突起部各自位于所述 一 對相向的外緣中的 一 個外緣上,所迷半 導(dǎo)體元件由封裝樹脂封裝起來,所述突起部的相亙相向的面被封 裝樹脂覆蓋著,與所述相向的一對側(cè)面不同的另 一對側(cè)面上露出 有所述基板部、所述突起部以及所述封裝樹脂,在被所述封裝樹 脂覆蓋住的所迷突起部部分有加寬部,該加寬部在所迷突起部的 下面且垂直于該突起部的延伸方向的方向上的寬度比露出在所述 另一對側(cè)面上的部分寬。
      所述突起部的下面和所述裝載面可以由粘接劑粘接在 一起, 在所述加寬部的側(cè)壁與所述裝載面的粘接部分可以形成有由所述 粘接劑形成的填角。這里的填角指的是粘接在加寬部的側(cè)壁與裝 載面雙方的角部。
      所述突起部的側(cè)面且與該突起部相互相向的面的背面的表面 粗糙度可以比露出在所述另 一 對側(cè)面上的所述封裝樹脂所形成的 面的表面粗糙度小。
      所述突起部的側(cè)面可以實質(zhì)上垂直于所述裝載面。9一發(fā)明的效果一 在本發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的制造方法下,在平板狀的底板的
      上表面形成相亙平行的多個突起部以形成封裝體集合基板,將半 導(dǎo)體元件裝載在這些突起部之間。因此,能夠使半導(dǎo)體裝置在所 迷突起部的延伸方向上的長度小到大致與半導(dǎo)體元件的大小相 等,從而能夠高效地制造小型的半導(dǎo)體裝置。


      圖1 (a)是第一實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的立體圖,圖
      1 (b)是從圖1 (a)的背面看到的圖。
      圖2 (a)是第一實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的取走封裝樹
      脂后的俯視圖,圖2 (b)是沿圖2 (a)中的A-A'線剖開的剖視
      圖,圖2 (c)是沿圖2 (a)中的B-B'線剖開的剖視圖。
      圖3是按時間順序說明第一實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的
      制造過程的圖。
      圖4是表示封裝體集合基板的一種形態(tài)的立體圖。
      圖5是表示封裝體集合基板的另一種形態(tài)的立體圖。
      圖6是表示第二實施方式所涉及的封裝體集合基板的立體圖。
      圖7 (a)是第三實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖視圖,圖
      7 (b)是第四實施方式所涉及的另一半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
      圖8 (a)是第四實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的立體圖,圖
      8 (b)是從圖8 (a)的背面看到的圖。
      圖9 (a)是第四實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的取走封裝樹 脂后的俯視圖,圖9 (b)是沿圖9 (a)中的A-A'線剖開的剖視 圖,圖9 (c)是沿圖9 (a)中的B-B'線剖開的剖視圖。
      圖lO(a)是第五實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖 10 (b)是沿圖10 (a)中的A-A'線剖開的剖視圖,圖10 (c) 是沿圖10 (a)中的B-B'線剖開的剖視圖。
      圖11是表示第六實施方式所涉及的封裝體集合基板的立體圖。
      圖12 (a)是第七實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的立體圖,
      圖12 (b)是突起部的立體圖。
      圖13 (a)是第八實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的立體圖,
      圖13 (b)是突起部的立體圖。
      圖14是第九實施方式所涉及的突起部的立體圖。
      圖15是第九實施方式的變形例所涉及的突起部的立體圖。
      圖16是第一實施方式所涉及的拾光模塊的示意立體圖。
      圖17是第一實施方式所涉及的拾光模塊的示意主視圖。
      圖18是現(xiàn)有的包括受光元件的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
      一符號說明一 1,2,3,4,5 —半導(dǎo)體裝置,6,7 —半導(dǎo)體裝置,IO —半導(dǎo)體元 件,22 —金屬細線,30 —板狀側(cè)壁部,41一第一激光裝置,42 — 第二激光裝置,43 —分光鏡,45 —反射鏡,46 —物鏡,47 —光盤, 49一激光模塊,5Q, 51, 52 —封裝體,6Q-基板部,61 —底板, 62 —裝載面,64 —非裝載面,68 —填角,70-突起部,70a—突起 部外側(cè)側(cè)壁,70b—突起部上表面,71, 72, 73, 74—突起部,71a, 72a—突起部外側(cè)側(cè)壁,71c, 72c —加寬部,73c, 74c —加寬部, 75 —連接電極,76—內(nèi)部布線,77—外部連接部,80, 84, 85, 86 —突起部前驅(qū)體,94, 94a, 94' 一透明部件,96 —封裝樹脂, 100, 101, 102 —封裝體集合基板。
      具體實施例方式
      下面,參考附圖對本發(fā)明的實施方式做詳細的說明。在以下 各圖中,為簡化說明,用同一參考符號表示實質(zhì)上具有同一功能 的構(gòu)成要素。] (第一實施方式) 一半導(dǎo)體裝置一
      集成化受光元件作半導(dǎo)體元件的檢光器。需提一下,既可以用光敏二極管、光敏三極管、光敏集成電路(IC)等受光元件作半導(dǎo) 體元件,也可以用LED (半導(dǎo)體發(fā)光二極管)、半導(dǎo)體激光元件等 發(fā)光元件作半導(dǎo)體元件。 如圖1、圖2所示,該實施方式中的半導(dǎo)體裝置1中,半導(dǎo) 體元件10內(nèi)裝在剖面"U"字形的槽狀封裝體50的槽中,板狀透 明部件94隔著透明的粘接劑放置在半導(dǎo)體元件10上,將半導(dǎo)體 元件10的受光面覆蓋起來。封裝體50中填充有封裝樹脂96。透 明部件9 4是上表面為矩形且由玻璃制成的板狀部件,粘接在半導(dǎo) 體元件10上。為便于說明,圖2 (a)中省略圖示封裝樹脂96。 該實施方式中的封裝體50具有矩形的基板部60和朝著基 板部60的上方突出且分別沿著該矩形的一對對邊中的各條邊延 伸的兩個突起部70、 70。突起部70、 70各自僅設(shè)置在基板部60 中裝載半導(dǎo)體元件10的矩形裝載面62的相向的一對外緣中的一 個外緣上,該突起部70、 70的形狀是一沿著裝載面62的外緣延 伸的長方體。此外,突起部70、 70僅設(shè)置在裝載面62的相向的 一對外緣上意味著所述一對外緣上分別設(shè)置有突起部70、 70, 在與該一對外緣不同的另一對外緣上沒有設(shè)置突起部70、 70,在 裝載面62的中央部位及其周圍也都沒有設(shè)置突起部70、 70。
      在裝載面62上且所裝載的半導(dǎo)體元件10與突起部70之間 的部分,多個連接電極75、 75、*"排列成一列,各個連接電極 75延伸到突起部70下的部分,且有一部分隱藏在突起部70下。 連接電極75連接在設(shè)在基板部6Q內(nèi)的埋入電極76、 76、 ***上。 在基板部60的裝載面62的背面即非裝載面64上設(shè)置有多個外部 連接部77、 77、,這些多個外部連接部77、 77、連接在埋 入電極76、 76、上。也就是說,連接電極75、 75、經(jīng)由埋 入電極76、 76、與外部連接部77、 77電連接。 在半導(dǎo)體元件10的一個矩形面上,在相向的一對邊上分別有 一列由多個電極墊20、 20、棑列而成的電極墊列。設(shè)置有電 極墊20、 20、 的面的背面裝載并用粘接劑固定在封裝體50的裝載面62上。把半導(dǎo)體元件10裝載到封裝體50中,做到此時由電極墊20、 20、排成的電極墊列延伸的方向與突起部70、 70延伸的方向大致平行。電極墊20、20、".與連接電極75、75、 "*用金屬細線22、 22、.*'連接在一起。 封裝體的槽中填充有封裝樹脂96,以將透明部件94的側(cè)面和金屬細線22、 22、.'.埋入。因此,除了透明部件94的上表面和突起部上表面70b以外,封裝體50的槽(凹部)內(nèi)的部件皆被封裝樹脂96封裝起來。也就是說,透明部件94的側(cè)面、突起部70、 70上表面以及金屬細線22等被埋在封裝樹脂96中。 當從上往下觀看該實施方式中的半導(dǎo)體裝置1時,僅有透明部件94的上表面與突起部上表面70b露出,剩余部分被封裝樹脂96覆蓋住。因此,灰塵、塵埃不會附著在半導(dǎo)體元件10的受光面、電極墊20、連接電極75及金屬細線22等上,也就不會因為灰塵、塵埃等而出現(xiàn)無法受光的部分,也不會由灰塵、塵埃等引起短路。優(yōu)選用熱固化環(huán)氧樹脂、夾雜著含有Si02等的填料的樹脂、含有染料且具有遮光性的樹脂等作封裝樹脂。
      半導(dǎo)體裝置1的側(cè)壁部中,突起部外側(cè)側(cè)壁70a和基板部60的側(cè)壁齊平。這樣便能夠縮短半導(dǎo)體裝置1中的兩個突起部70、70之間的長度,有益于小型化。這里所說的外側(cè)側(cè)壁是突起部70、70的側(cè)壁中與靠近半導(dǎo)體元件10的側(cè)壁相向的側(cè)壁。 突起部外側(cè)側(cè)壁70a及其相向的側(cè)壁與裝載面62垂直。因此,與以利用了模具的樹脂成型制作突起部70的情況相比,能夠更加自由地設(shè)定突起部70的寬度、兩個突起部70、 70之間的距離。而且,突起部外側(cè)側(cè)壁70a的表面粗糙度比封裝樹脂96的側(cè)壁側(cè)露出部分的表面粗糙度小,這是為了在將半導(dǎo)體裝置裝載到拾光模塊中之際以突起部外側(cè)側(cè)壁70a進行定位。 在被填入封裝體50中的槽內(nèi)之際,封裝樹脂96是粘度很高的液體,之后會固化成為固體。半導(dǎo)體裝置1的側(cè)壁中突起部外側(cè)側(cè)壁70a以外的側(cè)壁與封裝樹脂96及突起部70、 70的端面齊平。這里,因為金屬細線22全部被埋入封裝樹脂96中,所以金屬細線22與電極墊20及連接電極75的連接部分被固定好,連接可靠性就提高。再就是,因為透明部件94的上表面露出,透明部件94的側(cè)面被埋入封裝樹脂96中,所以只有通過透明部件94的上表面而來的光才會到達半導(dǎo)體元件10的受光面,即使光想要從透明部件94的側(cè)面部分射入,那樣的無用光也不會到達受光面,漫射光(光的漫反射)也就沒有了,光學(xué)特性就會提高。 在該實施方式中,突起部未設(shè)置在基板部60的外緣中與設(shè)置有突起部70、 70的一對外緣不同的另一對相向的外緣部,所以該另一對外緣部之間的距離就由半導(dǎo)體元件10的大小、設(shè)置連接電極75、 75、所需要的空間等決定。也就是說,作為裝載半導(dǎo)體元件10的封裝體能夠使所述另一對外緣部之間的距離最小。 在以基板部60的裝載面62為基準的高度(距離)標準下,使透明部件94的上表面的高度比突起部上表面70b以及封裝樹脂96的上表面的高度高,因此,在將半導(dǎo)體裝置1裝載到拾光模塊中之際,就能夠很容易地以平行于半導(dǎo)體元件10的受光面且面積較大的透明部件94的上表面作裝載作業(yè)的基準面,也就能夠很容易地提高將半導(dǎo)體裝置1裝載到拾光模塊中的裝載精度。同時,因為使透明部件94的上表面的高度比突起部上表面70b以及封裝樹脂96的上表面的高度高,所以裝載作業(yè)能夠很容易地在短時間內(nèi)完成。 —半導(dǎo)體裝置的制造方法一
      下面,參考圖3對該實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置1的制造方法進4于i兌明。 首先,圖3 (a)所示,準備底板61。該底板61能夠利用公知的方法制作。例如,在平板狀的絕緣性基板上形成棑列成一列的多個通孔,該列平行著設(shè)置有多列。之后,將導(dǎo)電體埋入該通孔中,并以其作埋入電極76、 76、*",在絕緣性基板的上表面形成與這些埋入電極76、 76、相連接的連接電極75、 75、*,*,在絕緣性基板的下面形成外部連接部77、 77、,底板61就出來了。 接下來,如圖3(b)所示,在底板61上,連接電極75、75、 ***的列間且每隔一個列間,放置上四棱柱體的突起部前驅(qū)體80、80、"'并用粘接劑進行固定,封裝體集合基板100就出來了。此時,相鄰?fù)黄鸩壳膀?qū)體80、 80、""所夾的區(qū)域成為槽55。而且,是一種突起部前驅(qū)體80、 80、."放置在連接電極75、 75、中的每一個連接電極75的一部分上的狀態(tài)。此外,這些突起部前驅(qū)體80、 80、包括在權(quán)利要求中所說的突起部中。 如圖4所示(省略圖示連接電極),突起部前驅(qū)體80上設(shè)置有在突起部前驅(qū)體的延伸方向上寬度變窄的多個凹部81、 81。在與突起部前驅(qū)體80延伸的方向垂直的方向上,各個突起部前驅(qū)體80的凹部81、 81"'排成一列,在之后的步驟中,該部分被分開。82這一符號表示的是切割線。 接下來,在多個槽55、 55、.',中各個槽的底面沿著槽55、55、 '的延伸方向裝載上多個半導(dǎo)體裝置10并進行固定,再將透明部件94放在并用透明粘接劑固定在半導(dǎo)體元件10的受光面上。此時,透明部件94的上表面設(shè)置有保護薄片92a。成為圖3(c)所示的狀態(tài)。此時,半導(dǎo)體元件10裝載在槽55內(nèi)且相鄰的切割線82、 82之間,亦即半導(dǎo)體元件10裝載在突起部前驅(qū)體80延伸的方向上相鄰的凹部81、 81之間的區(qū)i或。 之后,利用線焊將半導(dǎo)體元件10的電極墊20和連接電極75連接起來。于是,如圖3 (d)所示,成為電極墊20和連接電極75由金屬細線22連接在一起的狀態(tài)。
      之后,將封裝樹脂96填充到槽55內(nèi)。既可以利用灌注進行填充,也可以利用注塑成型進行填充。因為此時由保護薄片92a蓋住了透明部件94的整個上表面,所以透明部件94的上表面一定不會被封裝樹脂96覆蓋住,而是露出來。圖3 (e)表示的是封裝樹脂96已填充好且已固化的狀態(tài)。成為突起部前驅(qū)體80的側(cè)壁被封裝樹脂96封裝,突起部前驅(qū)體80的上表面從封裝樹脂96中露出的狀態(tài)。 接下來,用切片鋸(dicing saw) 40在突起部前驅(qū)體80延伸的方向上將突起部前驅(qū)體80的中央部位切斷而分開。于是,側(cè)壁部分所在的平面就齊平。之后,進一步垂直于槽55的延伸方向從相鄰的兩個半導(dǎo)體元件10之間即沿著切割線82、82進行切割,揭去保護薄片92a。這樣分開后的狀態(tài)是圖3 (f)所示的狀態(tài)。于是, 一個一個的半導(dǎo)體裝置1就出來了。這里,在切割出一個一個的半導(dǎo)體裝置1之際,因為突起部前驅(qū)體80是在凹部81切斷的,所以切斷阻力小,封裝體50內(nèi)的應(yīng)力也就變小。 此外,上述半導(dǎo)體裝置1的制造方法只是一個例子而已,該實施方式中的制造方法并不限于此例。例如如圖5所示,可以4吏用這樣的封裝體集合基板101 ,即在突起部前驅(qū)體85的中央部位沿著突起部前驅(qū)體延伸的方向從上表面到底板61具有切口 88。若使用這樣的封裝體集合基板101,則即使封裝體集合基板101變大(面積變寬),也能夠抑制該封裝體集合基板IOI發(fā)生翹起、變形等,同時還能夠非常容易且在短時間內(nèi)用切片鋸40分開,因此加工容易。 此外,切口 88不從突起部前驅(qū)體85的上表面通到突起部前驅(qū)體85的下面也無妨,只要切口 88形成到例如所述突起部前驅(qū)體85的大約一半厚度左右那么深,就會產(chǎn)生上述效果;還可以在底板61上與突起部前驅(qū)體85的切口 88相同的位置上形成切口 ;突起部前驅(qū)體的形狀并不限于橫截面是矩形的四棱柱體,還可以是橫截面是梯形的梯形柱體、橫截面是半圓形的半圓柱體以及是橫截面是三角形的三角柱體等;雖然切片鋸40的寬度比切口 88的寬度寬或窄都可以,但若使切片鋸40的寬度比切口 88的寬度窄,突起部外側(cè)側(cè)壁70a的表面粗糙度就與事先設(shè)定好的切口 88內(nèi)壁的表面粗糙度相等。因此便一定能夠使突起部外側(cè)側(cè)壁70a的表面粗糙度小于封裝樹脂96的側(cè)壁側(cè)露出部分的表面粗糙度。 —拾光模塊—
      圖16是一示意立體圖,示出了該實施方式所涉及的拾光模塊放置在光盤47之下的狀態(tài)。圖17是從側(cè)面觀看該狀態(tài)時得到的圖。此外,圖17右端的半導(dǎo)體裝置1是作為參考示出的,示出的是將設(shè)置在位于該右端的半導(dǎo)體裝置1之左側(cè)的底座48上的半導(dǎo)體裝置1 (檢光器)繞上下方向的軸旋轉(zhuǎn)90度后所看到的受光面一側(cè),并非在拾光模塊中裝載有兩個半導(dǎo)體裝置1。 該拾光模塊包括所述半導(dǎo)體裝置l (檢光器)、第一及第二激光裝置41、 42、分光鏡43、反射鏡45以及物鏡46。第一及第二激光裝置41、 42構(gòu)成激光模塊49。從該第一及第二激光裝置41、 42射出的光44通過分光鏡43,在反射鏡45發(fā)生反射后,再通過物鏡46朝著光盤47的信息記錄面入射,光44在信息記錄面上發(fā)生反射,經(jīng)由物鏡46、反射鏡45、分光鏡43后入射到半導(dǎo)體裝置1中。 這里,第一激光裝置41是射出峰值波長405rai的激光的藍紫色激光裝置;第二激光裝置42是射出峰值波長650nm的紅色激光和峰值波長780nm的紅外激光這兩個波長的激光的雙波長激光裝置。 構(gòu)成拾光模塊的各個部件放在底座48上且光盤47的信息記錄面的下側(cè)。拾光模塊在旋轉(zhuǎn)的光盤47下沿光盤47的徑向移動。底座48的放置有各個部件的面與光盤47的信息記錄面平行。
      這里,出于對布線的考慮,布置半導(dǎo)體裝置l時,要做到突起部70、 70延伸的方向垂直于底座48。也就是說,要做到突起部70、 70延伸的方向垂直于光盤47的信息記錄面。這樣一布置,半導(dǎo)體裝置1中的多個外部連接部77、 77、'"就垂直于底座48的設(shè)置面排成兩列。因此,能夠?qū)亩鄠€外部連接部77 、 77、 .. *引
      出的用于與外部連接的布線收納在半導(dǎo)體裝置1的從底座48的設(shè)置面算起高度為H的范圍內(nèi)。結(jié)果是,能夠使拾光模塊整體的高度減小。 如上所述,半導(dǎo)體裝置1的突起部70、 70垂直于底座48延伸,不存在平行于底座48延伸的突起部。因此,能夠使半導(dǎo)體裝置1的高度H大致接近與所裝載的半導(dǎo)體元件10的一條邊的長度相等的長度。這樣就能夠使拾光模塊整體變薄,而能夠?qū)崿F(xiàn)拾光模塊的小型化。 (第二實施方式)
      第二實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法與第一實施方
      式的不同之處在突起部前驅(qū)體上。其它方面都與第一實施方式相同。下面對與第一實施方式不同的地方進行說明。 (第三實施方式)
      第三實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置透明部件的形狀與第一實施方式不同,其它方面都與第一實施方式相同。下面,對與第一實施方式不同的地方進^亍說明。 如圖7所示,該實施方式中的半導(dǎo)體裝置2、 3中使用了在上表面的外緣部具有臺階的透明部件94a。該透明部件94a在它的上表面部分設(shè)置有臺階。該透明部件94a包括上表面部98和臺階面部99,該上表面部98設(shè)置在該上表面部分的中央部位且與半導(dǎo)體元件10的光學(xué)功能面的形狀、大小相對應(yīng);該臺階面部99比上表面部98低一些。
      在圖7 (a)所示的半導(dǎo)體裝置2中,封裝樹脂96覆蓋到臺階面部99的上表面,卻沒有到達上表面部98。這樣一設(shè)置臺階面部99,就一定能夠抑制封裝樹脂96到達上表面部98。因此,所需要的光一定能夠到達半導(dǎo)體元件10的光學(xué)功能面;能夠使從光學(xué)功能面發(fā)出的光毫不浪費地射出。其它效果與第一實施方式相同。
      如圖7(b)所示,也可以制作出透明部件94a中臺階面部99
      和上表面部98皆未被封裝樹脂96覆蓋住的半導(dǎo)體裝置3。
      (第四實施方式)
      第四實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置透明部件與第一實施方式
      不同,其它方面都與第一實施方式相同。下面對與第一實施方式不同的地方進行說明。 在第一實施方式中的半導(dǎo)體裝置1的制造工序下,將各個透明部件94粘接在各個半導(dǎo)體元件10的上表面。而在該實施方式中,將一根細長的透明部件94'放置在多個半導(dǎo)體元件10的上表面。也就是說,從圖3 (b)所示的狀態(tài)進入到圖3 (c)所示的狀態(tài)之際,對各個槽55準備一個長度大致與該槽55相等的透明部件94'之后,再將透明部件94'放置到已固定在各個槽55的底面上的多個半導(dǎo)體元件10、 10、".上。此外,制造工序中的剖視圖與第一實施方式所涉及的圖3相同。最后分開制成一個個的半導(dǎo)體裝置之際,透明部件94'與基板部60、突起部70、 70以及封裝樹脂96 —起也被切斷,而從該剖面露出。
      該實施方式產(chǎn)生第一實施方式的效果。除此以外,因為能夠筒化將透明部件94'放置到半導(dǎo)體元件10上的步驟,所以制造就更加容易。
      (第五實施方式)
      第五實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置與第一實施方式的不同之
      處在于在該實施方式中,封裝樹脂未填充在封裝體50的凹部,其它方面皆與第一實施方式相同。下面對與第一實施方式不同的地方進行說明。 如圖10所示,該實施方式中的半導(dǎo)體裝置5,其中的半導(dǎo)體元件10未被封裝。也就是說,從第一實施方式中的半導(dǎo)體裝置1中取走封裝樹脂96,即可得到該實施方式中的半導(dǎo)體裝置5。 進行了第一實施方式中的半導(dǎo)體裝置1的制造工序中的從圖3 (d)到圖3 (e)的步驟以外的所有其它步驟以后,即可制造出該實施方式中的半導(dǎo)體裝置5。 該實施方式中的半導(dǎo)體裝置5的制造步驟比第一實施方式中的半導(dǎo)體裝置l少,因此與第一實施方式相比,能夠更加廉價快速地制造出該半導(dǎo)體裝置5;因為半導(dǎo)體元件10的受光面由透明部件94保護,所以塵埃等不會附著在受光面上,但塵埃等有可能附著在電極墊20、連接電極75、金屬細線22上,這一點比第一實施方式差,但除此以外產(chǎn)生與第一實施方式一樣的效果。 (第六實施方式)
      第六實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置封裝體集合基板與第一實施方式不同,其它方面都與第一實施方式相同。下面對與第一實施方式不同的地方進行說明。 如圖ll所示,在該實施方式中,相鄰?fù)黄鸩壳膀?qū)體84、 84之間的距離有兩種,相對較大的第一距離a和比a小的第二距離b。半導(dǎo)體元件10裝載在相距第一距離a的相鄰的兩個突起部前驅(qū)體84、 84之間。另一方面,裝載好半導(dǎo)體元件10之后,用切片鋸40將相距第二距離b的相鄰的兩個突起部前驅(qū)體84、 84之間切斷。若第二距離b比切片鋸40的寬度寬,被切斷的就僅僅是底板61,因此,容易切斷,同時,切斷導(dǎo)致的封裝體集合基板103內(nèi)的應(yīng)力也變小,突起部外側(cè)側(cè)壁的表面粗糙度變得與突起部前
      20驅(qū)體84的側(cè)壁粗糙度相等,也就一定能夠使封裝樹脂96的側(cè)壁側(cè)露出部分的表面粗糙度更小。優(yōu)選使第二距離b比切片鋸40的寬度寬。
      該實施方式產(chǎn)生與第一實施方式一樣的效果。還可以在突起部前驅(qū)體84上形成圖4、圖6所示那樣的凹部。 (第七實施方式)
      第七實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置突起部與第一實施方式不同,其它方面都與第一實施方式相同。下面對與第一實施方式不同的地方進行說明。 如圖12所示,該實施方式中的半導(dǎo)體裝置6包括使用了具有加寬部71c的突起部71的封裝體51。加寬部71c是朝著垂直于突起部71延伸方向的方向且裝載面62的中央部分的方向突出的部分。這里的寬度說的是突起部外側(cè)側(cè)壁71a和與其相向的突起部內(nèi)側(cè)側(cè)壁之間的距離。也就是說,突起部71所具有的結(jié)構(gòu)是,其延伸方向上的端部的寬度較窄、中央部分的寬度較寬。使其具有這樣的結(jié)構(gòu),就能夠在兩個方向(與突起部外側(cè)側(cè)壁71a平行的方向和垂直的方向)上進行突起部71和封裝樹脂96的粘接,粘接面積也增大,因此能夠?qū)⑼黄鸩?1更加牢固地固定在基板部60上。因為突起部外側(cè)側(cè)壁71a和突起部71的內(nèi)側(cè)側(cè)壁與裝載面62垂直,所以能夠更加自由地設(shè)定突起部71的寬度、兩個突起部71、 71之間的距離等。 該實施方式中的半導(dǎo)體裝置6的制造方法與第一實施方式中的制造方法大致相同。不同之處是突起部前驅(qū)體的形狀。例如,使圖4中凹部81在突起部前驅(qū)體80的長邊方向上的長度更長,使用凹部81在突起部前驅(qū)體80的長邊方向上的長度更長后所獲得的突起部前驅(qū)體,就能夠制造出該實施方式中的半導(dǎo)體裝置6?;蛘呤牵诘谝粚嵤┓绞降闹圃旆椒ㄏ?,在沿著切割線82將相鄰的半導(dǎo)體元件10、10間切斷之際,使用刀刃的寬度較小的切片鋸,讓凹部81有一部分留在半導(dǎo)體裝置中,也能夠制造出該實施方式中的半導(dǎo)體裝置6。 利用該實施方式中的半導(dǎo)體裝置6,也能夠與第一實施方式一樣,構(gòu)成拾光模塊。此外,該實施方式中的半導(dǎo)體裝置6、其制造方法以及拾光模塊,都能夠產(chǎn)生與第 一 實施方式一樣的效果。 (第八實施方式)
      第八實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置突起部與第七實施方式不同,其它方面都和第七實施方式相同。下面對與第七實施方式不同的地方進4亍說明。 如圖13所示,該實施方式中的半導(dǎo)體裝置7中, 一個突起部72上具有兩個加寬部72c、 72c。在該封裝體52中,突起部72的與封裝樹脂96的接觸面積比第七實施方式中的封裝體51大,突起部72就被更加牢固地固定在基板部60上。除此以外的效果與第七實施方式相同。此外,突起部外側(cè)側(cè)壁72a和突起部72的內(nèi)側(cè)側(cè)壁與裝載面62垂直。 使用了該實施方式中的半導(dǎo)體裝置7的拾光模塊產(chǎn)生與第一實施方式一樣的效果。 (第九實施方式)
      第九實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置與第七實施方式突起部不同,其它方面都與第七實施方式相同。下面對與第七實施方式不同的地方進行說明。 如圖14所示,該實施方式中的半導(dǎo)體裝置所用的突起部73,其加寬部73c僅設(shè)在突起部73的下部。也就是說,將第七實施方式中的突起部71中加寬部71c分為上和下,留下去上后,即是該實施方式中的突起部73所具有的形狀。因為具有形狀如此的加寬部73c,所以在該實施方式中,封裝樹脂96將加寬部73c壓向基板部60 ,突起部73和基板部60之間的固定更加牢固。突起部73的下面和基板部60被粘接劑固定,粘接劑還會從加寬部73c的下面越出來,在加寬部73c的側(cè)壁與裝載面62的粘接部分(側(cè)壁與裝載面62相接的交界部分)由粘接劑形成填角68。這樣一來,突起部73和基板部60之間的粘接固定就更加牢固。除此以外的
      效果與第七實施方式相同。 加寬部的形狀是任意的。例如,從上述加寬部73c的從突起部73突出的一側(cè)開始在三個位置進行切削,在該三個位置切去的都是一個半圓柱形狀,這樣切削后所獲得的形狀就是圖15中所示的作為變形例的突起部74的加寬部74c的形狀。變形例中的突起部74比所述突起部73更加牢固地固定在基板部60上。在該突起部74上也會由粘接劑在加寬部74c與裝載面62的粘接部分形成填角68。突起部74和基板部60被更加牢固地固定在一起。
      利用了該實施方式中的半導(dǎo)體裝置的拾光模塊產(chǎn)生與第 一 實施方式一樣的效果。(其它實施方式)
      到此在叉述的實施方式是本發(fā)明的示例,但本發(fā)明并不限于以上這些例子。
      外部連接部設(shè)置在基板部的非裝載面以外的部分上也無妨,例如,既可以在突起部的外側(cè)側(cè)壁上設(shè)置外部連接部,也可以從
      非裝載面到突起部的外側(cè)側(cè)壁連續(xù)地設(shè)置外部連接部;將外部連
      接部與連接電極連接起來的布線也并不限于設(shè)置在突起部內(nèi)的貫穿電極,沿著突起部的側(cè)壁設(shè)置將外部連接部與連接電極連接起來的布線也無妨。
      既可以用固體攝像元件以外的光敏耦合器等受光元件作半導(dǎo)體元件,也可以用LED、激光元件等發(fā)光元件作半導(dǎo)體元件,還
      的半導(dǎo)體元件例如有表面聲波(SAW)元件、振子、壓力傳感器、加速度傳感器、聲傳感器等。此時,蓋體無需透明。甚至是利用微電子機械系統(tǒng)(MEMS)制造的元件也可以作半導(dǎo)體元件用。
      將上述實施方式中的特征部分互相組合起來也無妨。例如,在第二到第五實施方式中可以使用第六實施方式中的封裝體集合基板103。
      23
      可以使第七、第八實施方式中的加寬部具有第九實施方式的
      變形例中所示的形狀。對第七到第九實施方式中的加寬部的形狀沒有什么特別的限定。 —產(chǎn)業(yè)實用性一
      綜上所述,利用本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法,能夠高效地制造出小型的半導(dǎo)體裝置。因此,本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法作為制造拾光模塊中的檢光器等的方法很有用。
      權(quán)利要求
      1、一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,該半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體元件和裝載該半導(dǎo)體元件的封裝體,其特征在于該半導(dǎo)體裝置的制造方法包括以下步驟形成封裝體集合基板的步驟,在平板狀的底板的上表面上形成朝上方突出且相互平行地在該上表面上延伸的多個突起部,以形成形狀是多個封裝體連接在一起的封裝體集合基板,裝載步驟,在相鄰的兩個所述突起部之間沿著該突起部的延伸方向裝載多個半導(dǎo)體元件,以及分開步驟,沿著所述突起部的延伸方向?qū)⒃撏黄鸩康闹醒氩课磺袛?,而將封裝體集合基板分開。
      2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于在所述突起部上沿著該突起部的延伸方向從該突起部的上表面朝著 所述底板設(shè)置有切口。
      3、 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,該半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體元件和裝 載該半導(dǎo)體元件的封裝體,其特征在于該半導(dǎo)體裝置的制造方法包括以下步驟形成封裝體集合基板的步驟,在平板狀的底板的上表面上形成朝上 方突出且相互平行地在該上表面上延伸的多個突起部,且相鄰的該突起 部之間的距離交替為第一距離a和比a小的第二距離b,以形成形狀是多 個封裝體連接在一起的封裝體集合基板,裝載步馬聚,在突起部間的距離是a的相鄰的兩個所述突起部之間, 沿著該突起部的延伸方向裝載多個半導(dǎo)體元件,以及分開步驟,沿著該突起部的延伸方向?qū)⑼黄鸩块g的距離是b的相鄰的兩個所述突起部之間切斷,而將封裝體集合基板分開。
      4、 根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一項權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置的制造 方法,其特征在于在所述突起部上沿著該突起部的延伸方向設(shè)置有寬度或者高度比其它部分小的多個凹部,在所述裝載步驟中,所述半導(dǎo)體元件裝載在相鄰的所述突起部之間 且在該突起部延伸的方向上相鄰的所述凹部之間的區(qū)域中。
      5、 根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一項權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置的制造 方法,其特征在于所述封裝體集合基板在所述底板的上表面具有沿著所述突起部排列 的多個連接電極,在所述裝載步驟中,用金屬細線將所述半導(dǎo)體元件和所述連接電極 連接起來。
      6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于 進一步包括將板狀透明部件放在所述半導(dǎo)體元件上的裝載步驟,和 用封裝樹脂將所述金屬細線和所述透明部件的側(cè)壁封裝起來的步驟。
      7、 根據(jù)權(quán)利要求6所迷的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于 在所述裝載步驟中,將一個所述透明部件放在多個所述半導(dǎo)體元件上。
      8、 一種拾光模塊,包括利用權(quán)利要求1到7中任一項權(quán)利要求所述 的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置、激光模塊以及分光鏡,其特征在于裝載在所迷半導(dǎo)體裝置中的半導(dǎo)體元件是受光元件。
      9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的拾光模塊,其特征在于 進一 步包括反射鏡和物鏡。
      10、 根據(jù)權(quán)利要求8或9所迷的拾光模塊,其特征在于 所迷拾光模塊放置在光盤的信息記錄面的下側(cè),所述突起部的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上與所迷信息記錄面垂直。
      11、 根據(jù)權(quán)利要求8到10中任一項權(quán)利要求所述的拾光模塊,其特 征在于所述激光模塊包括藍紫色激光裝置和雙波長激光裝置,從所述藍紫 色激光裝置射出的光的峰值波長在385nm以上且425nm以下,從所述雙波長激光裝置射出的光的峰值波長在630nm以上且670nm以下和760nm 以上且800nm以下。
      12、 一種半導(dǎo)體裝置,包括半導(dǎo)體元件和裝載該半導(dǎo)體元件的封裝 體,其特征在于該半導(dǎo)體裝置近似長方體,該半導(dǎo)體裝置的下面和相向的一對側(cè)面 由所述封裝體構(gòu)成,所述封裝體具有基板部和突起部,所述基板部實質(zhì)上是矩形,且包括 裝載所述半導(dǎo)體元件的裝載面,所述突起部沿著該裝載面的一對相向的 外緣延伸,且該突起部各自位于所述一對相向的外緣中的一個外緣上,所述半導(dǎo)體元件被封裝樹脂封裝起來,所述突起部的相互相向的面由封裝樹脂覆蓋著,與所迷相向的 一對側(cè)面不同的另 一對側(cè)面上露出有所述基板部、所 述突起部以及所述封裝樹脂,在被所述封裝樹脂覆蓋住的所迷突起部部分有加寬部,該加寬部在 在所述突起部的下面且垂直于所述突起部的延伸方向的方向上的寬度比 露出在所述另 一 對側(cè)面上的部分寬。
      13、 根據(jù)權(quán)利要求12所迷的半導(dǎo)體裝置,其特征在于 所述突起部的下面和所述裝載面由粘接劑粘接在一起, 在所述加寬部的側(cè)壁與所述裝載面的粘接部分形成有由所述粘接劑形成的填角。
      14、 根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于所述突起部的側(cè)面中該突起部相亙相向的面的背面的表面粗糙度比 露出在所述另一對側(cè)面上的所述封裝樹脂所形成的面的表面粗糙度小。
      15、 根據(jù)權(quán)利要求12到14中任一項權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置, 其特征在于所迷突起部的側(cè)面實質(zhì)上垂直于所迷裝載面。
      16、 一種拾光模塊,包括利用權(quán)利要求12到15中任一項權(quán)利要求 所述的半導(dǎo)體裝置、激光模塊以及分光鏡,其特征在于裝載在所述半導(dǎo)體裝置中的半導(dǎo)體元件是受光元件。
      17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的拾光模塊,其特征在于 進一 步包括反射鏡和物鏡。
      18、 根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的拾光模塊,其特征在于 所述拾光模塊放置在光盤的信息記錄面的下側(cè),所述突起部的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上與所述信息記錄面垂直。
      19、 根據(jù)權(quán)利要求16到18中任一項權(quán)利要求所述的拾光模塊,其 特征在于所述激光模塊包括藍紫色激光裝置和雙波長激光裝置,從所述藍紫 色激光裝置射出的光的峰值波長在385nm以上且425nm以下,從所述雙 波長激光裝置射出的光的峰值波長在630nm以上且670nm以下和760nm 以上且800nm以下。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置的制造方法、拾光模塊以及半導(dǎo)體裝置。在平板狀的底板(61)上相互平行地設(shè)置多個突起部前驅(qū)體(80)。將半導(dǎo)體元件(10)裝載在相鄰的突起部前驅(qū)體(80)之間即槽(55)中,將透明部件(94)貼合在半導(dǎo)體元件(10)上。對半導(dǎo)體元件(10)的電極墊(20)和連接電極(75)進行線焊,將封裝樹脂(96)填充在槽(55)中。然后,用切片鋸(40)將突起部前驅(qū)體(80)的長邊方向中央部位切斷,再將相鄰的半導(dǎo)體元件(10)之間切斷,半導(dǎo)體裝置(1)就出來了。本發(fā)明提供了一種高效地制造整體大小能夠更小,特別是封裝體的近似矩形的四條邊中相向的一對邊的長度能夠更短的半導(dǎo)體裝置的方法。
      文檔編號G11B7/13GK101595558SQ20088000343
      公開日2009年12月2日 申請日期2008年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月14日
      發(fā)明者南尾匡紀, 古屋敷純也, 吉川則之, 宇辰博喜, 森部省三, 石田裕之, 福田敏行 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
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