專利名稱：儲存裝置以及延長儲存裝置的使用壽命的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種儲存裝置以及相關(guān)的方法，尤指一種可以延長使用壽命的儲存 裝置以及一種可以延長一儲存裝置的使用壽命的方法。
背景技術(shù)：
一般而言，在傳統(tǒng)具有NAND型閃存(NAND type flash memory)的儲存裝置中，如 果其中一信息區(qū)塊(block)出現(xiàn)信息頁寫入失敗(page program fail)或信息區(qū)塊清除失 敗(block erase fail)時，就會將該信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊(bad block)，并且 將該信息區(qū)塊中的數(shù)據(jù)拷貝到另一個正常的信息區(qū)塊。因此傳統(tǒng)具有NAND型閃存的儲存 裝置通常都沒有很長的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的之一在于提供一種可以延長使用壽命的儲存裝置以及一 種可以延長一儲存裝置的使用壽命的方法，以解決上述的問題。依據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求，其揭露一種儲存裝置，該儲存裝置包含有至少一非易失 性存儲器單元、一錯誤更正碼處理單元(error correction code engine, ECC engine)以 及一控制單元。該非易失性存儲器單元包含有多個信息區(qū)塊(block)，該多個信息區(qū)塊分別 包含有多個信息頁(page)；該錯誤更正碼處理單元耦接于該非易失性存儲器單元，并且用 以對該非易失性存儲器單元進行錯誤檢測與錯誤更正；該控制單元耦接于該非易失性存儲 器單元與該錯誤更正碼處理單元，并且用以依據(jù)該錯誤更正碼處理單元的一錯誤檢測結(jié)果 來選擇性地將該非易失性存儲器單元中一特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊。依據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求，其揭露一種延長一儲存裝置的使用壽命的方法，其中該 儲存裝置包含有至少一非易失性存儲器單元以及至少一錯誤更正碼處理單元，并且該非易 失性存儲器單元包含有多個信息區(qū)塊，該多個信息區(qū)塊分別包含有多個信息頁，該方法包 含有利用該錯誤更正碼處理單元對該非易失性存儲器單元進行錯誤檢測與錯誤更正；以 及依據(jù)該錯誤更正碼處理單元的一錯誤檢測結(jié)果來選擇性地將該非易失性存儲器單元中 一特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊。綜上所述，本發(fā)明所揭露的儲存裝置以及相關(guān)的方法不會像傳統(tǒng)具有NAND型閃 存(NAND type flash memory)的儲存裝置一樣，在一信息區(qū)塊出現(xiàn)信息頁寫入失敗(page program fail)或信息區(qū)塊清除失敗(block erase fail)時，不做進一步的判斷就將該信 息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊(bad block)，因此可以延長儲存裝置的使用壽命。


圖1所繪示的為本發(fā)明的一實施例的儲存裝置的簡化方塊示意圖。圖2所繪示的為依據(jù)本發(fā)明的儲存裝置的運作方式來概述本發(fā)明的一種延長一 儲存裝置的使用壽命的方法的一第一實施例的流程示意圖。
圖3所繪示的為依據(jù)本發(fā)明的儲存裝置的運作方式來概述本發(fā)明的一種延長一 儲存裝置的使用壽命的方法的一第二實施例的流程示意圖。
具體實施例方式在本說明書以及后續(xù)的權(quán)利要求當中使用了某些詞匯來指稱特定的元件，而所屬 領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)可理解，硬件制造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件，本 說明書及后續(xù)的申請專利范圍并不以名稱的差異來作為區(qū)分元件的方式，而是以元件在功 能上的差異來作為區(qū)分的準則，在通篇說明書及權(quán)利要求當中所提及的「包含有」為一開放 式的用語，故應(yīng)解釋成「包含有但不限定于」，此外，「耦接」一詞在此是包含有任何直接及 間接的電氣連接手段，因此，若文中描述一第一裝置耦接于一第二裝置，則代表該第一裝置 可以直接電氣連接于該第二裝置，或透過其它裝置或連接手段間接地電氣連接至該第二裝 置。請參考圖1，圖1所繪示的為本發(fā)明的一實施例的儲存裝置100的簡化方塊示意 圖。如圖1所示，儲存裝置100包含有三個非易失性存儲器單元110、120、130、三個錯誤 更正碼處理單元(error correction code engine, ECC engine) 140、150、160 以及一控制 單元170。非易失性存儲器單元110、120、130均包含有多個信息區(qū)塊(block)(未顯示)， 該多個信息區(qū)塊分別包含有多個信息頁(page)(未顯示)；三個錯誤更正碼處理單元140、 150、160分別耦接于三個非易失性存儲器單元110、120、130，并且用以分別對非易失性存 儲器單元110、120、130進行錯誤檢測與錯誤更正；以及控制單元170耦接于非易失性存儲 器單元110、120、130與錯誤更正碼處理單元140、150、160，并且用以依據(jù)每一錯誤更正碼 處理單元的一錯誤檢測結(jié)果來選擇性地將相對應(yīng)的一非易失性存儲器單元中的一特定信 息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊。在此請注意，本發(fā)明的儲存裝置100可以為一固態(tài)硬盤， 非易失性存儲器單元110、120、130可以為NAND型閃存(NAND type flash memory)，以及控 制單元170可以為一中央處理器。舉例來說，當非易失性存儲器單元110中的一特定信息區(qū)塊的一信息頁出現(xiàn)信息 頁寫入失敗(page program fail)時，錯誤更正碼處理單元140會檢查該信息頁的錯誤位 數(shù)來產(chǎn)生一錯誤檢測結(jié)果；以及控制單元170會將該信息頁的錯誤位數(shù)與一預(yù)定臨界值進 行比較，并于該信息頁的錯誤位數(shù)大于該預(yù)定臨界值時，將該特定信息區(qū)塊標記為不正常 的信息區(qū)塊，以及于該信息頁的錯誤位數(shù)不大于該預(yù)定臨界值時，不將該特定信息區(qū)塊標 記為不正常的信息區(qū)塊，其中該預(yù)定臨界值是大于0且小于錯誤更正碼處理單元140可更 正的最大位數(shù)。此外，在另一種情況中，當非易失性存儲器單元120中的一特定信息區(qū)塊出現(xiàn)信 息區(qū)塊清除失敗(block erase fail)時，錯誤更正碼處理單元150會逐一檢查該特定信息 區(qū)塊中多個信息頁的錯誤位數(shù)來產(chǎn)生一錯誤檢測結(jié)果；以及控制單元170會將該特定信息 區(qū)塊中已檢查的每一信息頁的錯誤位數(shù)與一預(yù)定臨界值進行比較，并于該特定信息區(qū)塊中 至少一信息頁的錯誤位數(shù)大于該預(yù)定臨界值時，將該特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū) 塊，以及于該特定信息區(qū)塊中所有信息頁的錯誤位數(shù)均不大于該預(yù)定臨界值時，不將該特 定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊，其中該預(yù)定臨界值是大于0且小于錯誤更正碼處理 單元140可更正的最大位數(shù)。
請參考圖2，圖2所繪示的為依據(jù)上述的儲存裝置100的運作方式來概述本發(fā)明的 一種延長一儲存裝置的使用壽命的方法的一第一實施例的流程示意圖，其中該儲存裝置包 含有至少一非易失性存儲器單元以及至少一錯誤更正碼處理單元，并且該非易失性存儲器 單元包含有多個信息區(qū)塊(block)，該多個信息區(qū)塊分別包含有多個信息頁(page)。假如 大體上可以得到相同的結(jié)果，則流程中的步驟不一定需要照圖2所示的順序來執(zhí)行，也不 一定需要是連續(xù)的，也就是說，這些步驟之間可以插入其它的步驟。本發(fā)明的第一實施例的 方法包含有下列步驟步驟200:開始。步驟210 利用該錯誤更正碼處理單元對該非易失性存儲器單元進行錯誤檢測與 錯誤更正，其中當該非易失性存儲器單元中的該特定信息區(qū)塊的一信息頁出現(xiàn)信息頁寫入 失敗(page program fail)時，利用該錯誤更正碼處理單元檢查該信息頁的錯誤位數(shù)來產(chǎn) 生一錯誤檢測結(jié)果。步驟220 將該信息頁的錯誤位數(shù)與一預(yù)定臨界值進行比較，其中該預(yù)定臨界值 是大于0且小于該錯誤更正碼處理單元可更正的最大位數(shù)；當該信息頁的錯誤位數(shù)大于該 預(yù)定臨界值時，進行步驟230 ；以及當該信息頁的錯誤位數(shù)不大于該預(yù)定臨界值時，進行步 驟 240。步驟230 將該特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊。步驟240 不將該特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊。步驟250:結(jié)束。請參考圖3，圖3所繪示的為依據(jù)上述的儲存裝置100的運作方式來概述本發(fā)明的 一種延長一儲存裝置的使用壽命的方法的一第二實施例的流程示意圖，其中該儲存裝置包 含有至少一非易失性存儲器單元以及至少一錯誤更正碼處理單元，并且該非易失性存儲器 單元包含有多個信息區(qū)塊(block)，該多個信息區(qū)塊分別包含有多個信息頁(page)。假如 大體上可以得到相同的結(jié)果，則流程中的步驟不一定需要照圖3所示的順序來執(zhí)行，也不 一定需要是連續(xù)的，也就是說，這些步驟之間可以插入其它的步驟。本發(fā)明的第一實施例的 方法包含有下列步驟步驟300:開始。步驟310 利用該錯誤更正碼處理單元對該非易失性存儲器單元進行錯誤檢測 與錯誤更正，其中當該非易失性存儲器單元中的該特定信息區(qū)塊出現(xiàn)信息區(qū)塊清除失敗 (block erase fail)時，利用該錯誤更正碼處理單元逐一檢查該特定信息區(qū)塊中多個信息 頁的錯誤位數(shù)來產(chǎn)生該錯誤檢測結(jié)果。步驟320 將該特定信息區(qū)塊中已檢查的每一信息頁的錯誤位數(shù)與一預(yù)定臨界值 進行比較，其中該預(yù)定臨界值是大于0且小于該錯誤更正碼處理單元可更正的最大位數(shù)； 當該特定信息區(qū)塊中至少一信息頁的錯誤位數(shù)大于該預(yù)定臨界值時，進行步驟330;以及 當該特定信息區(qū)塊中所有信息頁的錯誤位數(shù)均不大于該預(yù)定臨界值時，進行步驟340。步驟330 將該特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊。步驟340 不將該特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊。步驟350:結(jié)束。綜上所述，本發(fā)明所揭露的儲存裝置以及相關(guān)的方法不會像傳統(tǒng)具有NAND型閃
6存(NAND type flash memory)的儲存裝置一樣，在一信息區(qū)塊出現(xiàn)信息頁寫入失敗(page program fail)或信息區(qū)塊清除失敗(block erase fail)時，不做進一步的判斷就將該信 息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊(bad block)，因此可以延長儲存裝置的使用壽命。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修 飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
一種儲存裝置，包含有至少一非易失性存儲器單元，該非易失性存儲器單元包含有多個信息區(qū)塊，該多個信息區(qū)塊分別包含有多個信息頁；至少一錯誤更正碼處理單元，耦接于該非易失性存儲器單元，用以對該非易失性存儲器單元進行錯誤檢測與錯誤更正；以及一控制單元，耦接于該非易失性存儲器單元與該錯誤更正碼處理單元，用以依據(jù)該錯誤更正碼處理單元的一錯誤檢測結(jié)果來選擇性地將該非易失性存儲器單元中一特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊。
2.如權(quán)利要求1所述的儲存裝置，其特征在于，當該非易失性存儲器單元中的該特定 信息區(qū)塊的一信息頁出現(xiàn)信息頁寫入失敗時，該錯誤更正碼處理單元用于檢查該信息頁的 錯誤位數(shù)來產(chǎn)生該錯誤檢測結(jié)果；以及該控制單元將該信息頁的錯誤位數(shù)與一預(yù)定臨界值 進行比較，并于該信息頁的錯誤位數(shù)大于該預(yù)定臨界值時，將該特定信息區(qū)塊標記為不正 常的信息區(qū)塊，以及于該信息頁的錯誤位數(shù)不大于該預(yù)定臨界值時，不將該特定信息區(qū)塊 標記為不正常的信息區(qū)塊。
3.如權(quán)利要求2所述的儲存裝置，其特征在于，該預(yù)定臨界值是大于O且小于該錯誤更 正碼處理單元可更正的最大位數(shù)。
4.如權(quán)利要求1所述的儲存裝置，其特征在于，當該非易失性存儲器單元中的該特定 信息區(qū)塊出現(xiàn)信息區(qū)塊清除失敗時，該錯誤更正碼處理單元用于逐一檢查該特定信息區(qū)塊 中多個信息頁的錯誤位數(shù)來產(chǎn)生該錯誤檢測結(jié)果；以及該控制單元將該特定信息區(qū)塊中已 檢查的每一信息頁的錯誤位數(shù)與一預(yù)定臨界值進行比較，并于該特定信息區(qū)塊中至少一信 息頁的錯誤位數(shù)大于該預(yù)定臨界值時，將該特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊，以及 于該特定信息區(qū)塊中所有信息頁的錯誤位數(shù)均不大于該預(yù)定臨界值時，不將該特定信息區(qū) 塊標記為不正常的信息區(qū)塊。
5.如權(quán)利要求4所述的儲存裝置，其特征在于，該預(yù)定臨界值是大于O且小于該錯誤更 正碼處理單元可更正的最大位數(shù)。
6.如權(quán)利要求1所述的儲存裝置，其特征在于，該非易失性存儲器單元為一NAND型閃存。
7.如權(quán)利要求1所述的儲存裝置，其特征在于，該控制單元為一中央處理器。
8.如權(quán)利要求1所述的儲存裝置，其特征在于，其為一固態(tài)硬盤，其中該固態(tài)硬盤包含 有多個非易失性存儲器單元與多個錯誤更正碼處理單元；該多個錯誤更正碼處理單元分別 耦接于該多個非易失性存儲器單元，用以分別對該多個非易失性存儲器單元進行錯誤檢測 與錯誤更正；以及該控制單元依據(jù)每一錯誤更正碼處理單元的一錯誤檢測結(jié)果來選擇性地 將相對應(yīng)的一非易失性存儲器單元中的信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊。
9.一種延長一儲存裝置的使用壽命的方法，該儲存裝置包含有至少一非易失性存儲器 單元以及至少一錯誤更正碼處理單元，并且該非易失性存儲器單元包含有多個信息區(qū)塊， 該多個信息區(qū)塊分別包含有多個信息頁，該方法包含有利用該錯誤更正碼處理單元對該非易失性存儲器單元進行錯誤檢測與錯誤更正；以及依據(jù)該錯誤更正碼處理單元的一錯誤檢測結(jié)果來選擇性地將該非易失性存儲器單元 中一特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，當該非易失性存儲器單元中的該特定信息 區(qū)塊的一信息頁出現(xiàn)信息頁寫入失敗時，利用該錯誤更正碼處理單元對該非易失性存儲器 單元進行錯誤檢測與錯誤更正的步驟包含有利用該錯誤更正碼處理單元檢查該信息頁的錯誤位數(shù)來產(chǎn)生該錯誤檢測結(jié)果。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，依據(jù)該錯誤檢測結(jié)果來選擇性地將該非 易失性存儲器單元中該特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊的步驟包含有將該信息頁的錯誤位數(shù)與一預(yù)定臨界值進行比較； 當該信息頁的錯誤位數(shù)大于該預(yù)定臨界值時，將該特定信息區(qū)塊標記為 不正常的信息區(qū)塊；以及當該信息頁的錯誤位數(shù)不大于該預(yù)定臨界值時，不將該特定信息區(qū)塊標 記為不正常的信息區(qū)塊。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，該預(yù)定臨界值是大于0且小于該錯誤更正 碼處理單元可更正的最大位數(shù)。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，當該非易失性存儲器單元中的該特定信息 區(qū)塊出現(xiàn)信息區(qū)塊清除失敗時，利用該錯誤更正碼處理單元對該非易失性存儲器單元進行 錯誤檢測與錯誤更正的步驟包含有利用該錯誤更正碼處理單元逐一檢查該特定信息區(qū)塊中多個信息頁的 錯誤位數(shù)來產(chǎn)生該錯誤檢測結(jié)果。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，依據(jù)該錯誤檢測結(jié)果來選擇性地將該非 易失性存儲器單元中該特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊的步驟包含有將該特定信息區(qū)塊中已檢查的每一信息頁的錯誤位數(shù)與一預(yù)定臨界值 進行比較；當該特定信息區(qū)塊中至少一信息頁的錯誤位數(shù)大于該預(yù)定臨界值時，將 該特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊；以及 當該特定信息區(qū)塊中所有信息頁的錯誤位數(shù)均不大于該預(yù)定臨界值時， 不將該特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，該預(yù)定臨界值是大于0且小于該錯誤更正 碼處理單元可更正的最大位數(shù)。
16.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該非易失性存儲器單元為一NAND型閃存。
17.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該儲存裝置為一固態(tài)硬盤，并且該固態(tài)硬 盤包含有多個非易失性存儲器單元、多個錯誤更正碼處理單元以及一控制單元；該多個錯 誤更正碼處理單元分別耦接于該多個非易失性存儲器單元，用以分別對該多個非易失性存 儲器單元進行錯誤檢測與錯誤更正；以及該控制單元依據(jù)每一錯誤更正碼處理單元的一錯 誤檢測結(jié)果來選擇性地將相對應(yīng)的一非易失性存儲器單元中的信息區(qū)塊標記為不正常的 信息區(qū)塊。
全文摘要
本發(fā)明提供一種儲存裝置與延長儲存裝置使用壽命的方法，該儲存裝置包含有至少一非易失性存儲器單元、至少一錯誤更正碼處理單元及一控制單元。該非易失性存儲器單元包含多個信息區(qū)塊，該多個信息區(qū)塊分別包含有多個信息頁；該錯誤更正碼處理單元耦接于該非易失性存儲器單元，并且用以對該非易失性存儲器單元進行錯誤檢測與錯誤更正；該控制單元耦接于該非易失性存儲器單元與該錯誤更正碼處理單元，并且用以依據(jù)該錯誤更正碼處理單元的一錯誤檢測結(jié)果來選擇性地將該非易失性存儲器單元中一特定信息區(qū)塊標記為不正常的信息區(qū)塊。
文檔編號G11C29/44GK101853693SQ200910133248
公開日2010年10月6日 申請日期2009年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月2日
發(fā)明者陳明勝 申請人:智微科技股份有限公司