專利名稱：具有拖尾屏蔽件的垂直寫頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及垂直磁記錄，更具體地，涉及具有用于改善磁性能的楔形階 梯式拖尾屏蔽件結(jié)構(gòu)的磁寫頭的制造方法。
背景技術(shù)：
計(jì)算機(jī)長(zhǎng)期存儲(chǔ)的核心是稱為磁盤驅(qū)動(dòng)器的組件。磁盤驅(qū)動(dòng)器包括旋轉(zhuǎn) 磁盤、被與旋轉(zhuǎn)磁盤的表面相鄰的懸臂懸吊的寫和讀頭、以及轉(zhuǎn)動(dòng)懸臂從而
將讀和寫頭置于旋轉(zhuǎn)盤上選定環(huán)形道(track)之上的致動(dòng)器。讀和寫頭直接 位于具有氣墊面(ABS)的滑塊上。懸臂將滑塊朝向盤的表面偏置，當(dāng)盤旋 轉(zhuǎn)時(shí)，與盤相鄰的空氣與盤表面一起移動(dòng)。在該移動(dòng)的空氣的墊上，滑塊飛 行于盤表面上方。當(dāng)滑塊騎在氣墊上時(shí)，寫和讀頭被用來寫^t轉(zhuǎn)變到旋轉(zhuǎn)盤 且從其讀取磁轉(zhuǎn)變。讀和寫頭連接到根據(jù)計(jì)算機(jī)程序運(yùn)行的處理電路從而實(shí) 現(xiàn)寫和讀功能。
寫頭通常包括嵌入在第一、第二和第三絕緣層(絕緣堆疊)中的線圈層， 絕緣堆疊夾在第一和第二極片層之間。在寫頭的氣墊面(ABS)處間隙通過 間隙層形成在第一和第二極片層之間，極片層在背間隙處連接。傳導(dǎo)到線圏 層的電流在極片中感應(yīng)4t通，其使得磁場(chǎng)在ABS處在寫間隙彌散出來以用 于在移動(dòng)介質(zhì)上的道中寫上述磁轉(zhuǎn)變，例如在上述旋轉(zhuǎn)盤上的環(huán)形道中。
近來的讀頭設(shè)計(jì)中，GMR或TMR傳感器已用于檢測(cè)來自旋轉(zhuǎn)磁盤的 磁場(chǎng)。該傳感器包括夾在稱為被釘扎層和自由層的第一和第二鐵磁層之間的 非磁導(dǎo)電層或勢(shì)壘層。第一和第二引線(lead)連接到傳感器以傳導(dǎo)檢測(cè)電 流通過該傳感器。被釘扎層的磁化被釘扎為垂直于氣墊面(ABS),自由層 的磁矩位于平行于ABS，但是可以響應(yīng)于外磁場(chǎng)自由旋轉(zhuǎn)。被釘扎層的磁化 通常通過與反鐵磁層交換耦合來被釘扎。
間隔層的厚度被選擇為小于通過傳感器的傳導(dǎo)電子的平均自由程。采用 此布置，部分傳導(dǎo)電子通過間隔層與被釘扎層和自由層的每個(gè)的界面被散 射。當(dāng)被釘扎層和自由層的磁化彼此平行時(shí)，散射最小，當(dāng)被釘扎層和自由
5層的磁化反平行時(shí)，散射最大。散射的變化與cose成比例地改變自旋閥傳
感器的電阻，其中e是被釘扎層和自由層的磁化之間的角。在讀模式中，自 旋閥傳感器的電阻與來自旋轉(zhuǎn)盤的磁場(chǎng)的大小成比例地變化。當(dāng)檢測(cè)電流傳
導(dǎo)通過自旋閥傳感器時(shí)，電阻變化導(dǎo)致電勢(shì)變化，其被;險(xiǎn)測(cè)到且作為重;^信
號(hào)被處理。
為了滿足日益增大的對(duì)改善數(shù)據(jù)速率和數(shù)據(jù)容量的需求，研究人員近來 已努力開發(fā)垂直記錄系統(tǒng)。傳統(tǒng)的縱向記錄系統(tǒng)例如包含上述寫頭的系統(tǒng)將 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為在磁盤的表面平面內(nèi)沿道縱向取向的磁位。該縱向數(shù)據(jù)位通過形 成于寫間隙分隔開的一對(duì)磁極之間的彌散場(chǎng)來記錄。
相反，垂直記錄系統(tǒng)將數(shù)據(jù)記錄為垂直于磁盤平面取向的磁化。磁盤具 有被薄的硬磁頂層覆蓋的軟磁襯層。垂直寫頭具有橫截面非常小的寫極和橫 截面大得多的返回極。強(qiáng)的、高度集中的磁場(chǎng)從寫極沿垂直于磁盤表面的方 向發(fā)射，磁化硬磁頂層。然后所產(chǎn)生的磁通行進(jìn)經(jīng)過軟磁襯層，返回到返回 極，在返回極處磁通充分展開且是弱的，磁通在回到返回極途中穿過硬磁頂 層時(shí)將不會(huì)擦除寫極記錄的信號(hào)。
為了提高寫入速度，需要提供一種垂直寫頭，其具有好的寫場(chǎng)梯度，同 時(shí)具有好的寫場(chǎng)強(qiáng)度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種磁寫頭，具有構(gòu)造來優(yōu)化寫場(chǎng)強(qiáng)度和場(chǎng)梯度兩者的拖尾
屏蔽件。該寫頭包括寫極；形成在所述寫極的拖尾邊緣上的拖尾間隙層； 以及形成在所述非磁拖尾間隙層上的拖尾磁屏蔽件以使得所述非磁拖尾間 隙層夾在所述拖尾磁屏蔽件和所述寫極之間。所述拖尾磁屏蔽件具有設(shè)置在 氣墊面處的第一表面以及離開氣墊面設(shè)置且相對(duì)于所述磁寫極的所述拖尾 邊緣表面以20-75度的角度漸縮的第二表面。
拖尾磁屏蔽件的第二表面的漸縮量有利地允許拖尾屏蔽件具有小的喉 高，同時(shí)還避免拖尾磁極的飽和并防止從寫極到拖尾屏蔽件的磁通損失。
已發(fā)現(xiàn)該漸縮量提供寫場(chǎng)強(qiáng)度和高場(chǎng)梯度的較佳平衡。這允許拖尾屏蔽 件制造為具有0-25nm的小喉高。另外，由于該拖尾屏蔽件設(shè)計(jì)防止了磁通 損失，所以非磁拖尾間隙可以制得較薄，例如15至25nm。
結(jié)合附圖閱讀下面對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的這些和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯然。整個(gè)附圖中相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件。


為了更全面地理解本發(fā)明的本質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)，以及優(yōu)選使用模式，請(qǐng)結(jié)合附 圖參考下面的詳細(xì)描述，附圖不是按比例的。
圖1是其中可體現(xiàn)本發(fā)明的盤驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的示意圖； 圖2是從圖1的線2-2取得的滑塊的ABS視圖，示出其上磁頭的位置； 圖3是從圖2的線3-3取得并逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)90度的磁頭的剖視圖，示出 根據(jù)本發(fā)明 一 實(shí)施例的磁寫頭；
圖4是^f茲寫頭的一部分的放大剖視圖5是曲線圖，示出了寫場(chǎng)梯度與拖尾^t屏蔽件的背錐角(back taper angle)之間的關(guān)系；及
圖6是根據(jù)本發(fā)明另 一實(shí)施例的磁寫頭的一部分的放大剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面的描述是關(guān)于目前構(gòu)思的實(shí)施本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。作出本描述 是為了示范本發(fā)明的基本原理，而不意味著限制這里要求保護(hù)的發(fā)明概念。
現(xiàn)在參照?qǐng)D1，示出體現(xiàn)本發(fā)明的盤驅(qū)動(dòng)器100。如圖1所示，至少一 個(gè)可旋轉(zhuǎn)磁盤112支承在主軸(spindle) 114上且通過盤驅(qū)動(dòng)馬達(dá)118被旋 轉(zhuǎn)。每個(gè)盤上的磁記錄是磁盤112上同心數(shù)據(jù)道(未示出)的環(huán)形圖案形式。
至少一個(gè)滑塊113位于磁盤112附近，每個(gè)滑塊113支持一個(gè)或更多磁 頭組件121。當(dāng)磁盤旋轉(zhuǎn)時(shí)，滑塊113在盤表面122之上徑向進(jìn)出移動(dòng)，從 而磁頭組件121可以存取磁盤的寫有所需數(shù)據(jù)的不同道。每個(gè)滑塊113借助 于懸臂(suspension) 115連到致動(dòng)器臂119。懸臂115提供輕微的彈力，其 偏置滑塊113倚著盤表面122。每個(gè)致動(dòng)器臂119連到致動(dòng)器裝置127。如 圖1所示的致動(dòng)器裝置127可以是音圈馬達(dá)(VCM)。 VCM包括在固定》茲 場(chǎng)中可移動(dòng)的線圈，線圏移動(dòng)的方向和速度被控制器129提供的馬達(dá)電流信 號(hào)所控制。
盤存儲(chǔ)系統(tǒng)運(yùn)行期間，石茲盤112的旋轉(zhuǎn)在滑塊113和盤表面122之間產(chǎn) 生對(duì)滑塊施加向上的力或舉力的氣墊(air bearing )。于是在正常運(yùn)行期間該 氣墊平衡懸臂115的輕微的彈力，并且支持滑塊113離開盤表面并且以小的基本恒定的距離稍微位于;茲盤表面之上。
盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的各種組元在運(yùn)行中由控制單元129產(chǎn)生的控制信號(hào)來控 制，例如存取控制信號(hào)和內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)。通常，控制單元129包括邏輯控制 電路、存儲(chǔ)裝置和微處理器?？刂茊卧?29產(chǎn)生控制信號(hào)從而控制各種系統(tǒng) 操作，例如線123上的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)控制信號(hào)以及線128上的頭定位和尋道控制 信號(hào)。線128上的控制信號(hào)提供所需的電流曲線(currentprofile)，從而優(yōu)化 地移動(dòng)并定位滑塊113到盤112上的所需數(shù)據(jù)道。寫和讀信號(hào)借助記錄通道 125傳達(dá)到寫頭和讀頭121且從其讀出。
參照?qǐng)D2，滑塊113中,茲頭121的取向可以更詳細(xì)地被觀察。圖2是滑 塊113的ABS視圖，可以看出，包括感應(yīng)寫頭和讀傳感器的磁頭位于滑塊 的尾緣(trailing edge )。 一般/磁盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的上述說明和附圖1僅是示例性 的。應(yīng)顯然地，盤存儲(chǔ)系統(tǒng)可包括多個(gè)盤和致動(dòng)器，每個(gè)致動(dòng)器可支持多個(gè) 滑塊。
現(xiàn)在參照?qǐng)D3，本發(fā)明可體現(xiàn)于石茲頭302中。；茲頭302包括讀頭304和 寫頭306。讀頭304包4舌》茲致電阻傳感器308,其可以是GMR、 TMR或某 些其他類型傳感器。磁致電阻傳感器308位于第一和第二磁屏蔽件310、 312 之間。
寫頭306包括磁寫極314和磁返回極316。寫極314能形成于磁成形層 320上，》茲背間隙層318在遠(yuǎn)離氣墊面(ABS)的區(qū)域?qū)懖偶?14和成形層 320與返回極316,茲連接。寫線圈322 (圖3中以截面圖示出)經(jīng)過寫極和 成形層314、 420與返回極316之間，還可經(jīng)過寫極314和成形層320之上。 寫線圏可以是螺旋線圈，或者可以是一個(gè)或更多扁平線圏。寫線圏322可形 成于絕緣層324上且可以嵌入在線圈絕緣層326例如氧化鋁和/或硬烘焙光致 抗蝕劑中。
在運(yùn)行中，當(dāng)電流流經(jīng)寫線圈322時(shí)，所得磁場(chǎng)導(dǎo)致磁通流經(jīng)316、背 間隙318、成形層320和寫極314。這4吏得石茲寫場(chǎng)A人寫才及314末梢朝向石茲介 質(zhì)332發(fā)射。寫極314在ABS處的橫截面遠(yuǎn)小于返回才及316在ABS處的橫 截面。因此，從寫極314發(fā)射的磁場(chǎng)足夠密和強(qiáng)，其能夠?qū)憯?shù)據(jù)位到磁介質(zhì) 332的硬y磁頂層330。然后》茲通流經(jīng)軟石茲襯層334,返回到返回才及316，在返 回極316處磁通充分展開且是弱的，它不能擦除寫極314記錄的數(shù)據(jù)位。磁 座336能設(shè)置在ABS處且連接到前導(dǎo)返回極316從而用作石茲屏蔽件以防止來自寫線圈322的雜散場(chǎng)不利地到達(dá)》茲介質(zhì)332。
為了增大寫場(chǎng)梯度且因此增大寫頭306能寫數(shù)據(jù)的速度，可提供拖尾磁 屏蔽件338。拖尾磁屏蔽件338通過非磁寫間隙339與寫極分隔開，可通過 拖尾返回極340與成形層320和/或背間隙318連接。拖尾屏蔽件338吸引來 自寫極314的磁場(chǎng)，這稍微傾斜寫極314發(fā)射的石茲場(chǎng)的角度。寫場(chǎng)的該傾斜 通過增大場(chǎng)梯度而增大了寫場(chǎng)極性可被翻轉(zhuǎn)的速度。非^磁拖尾間隙層339能 由諸如Rh、 Ir或Ta的材料構(gòu)造。
拖尾屏蔽件的使用涉及寫場(chǎng)梯度與寫場(chǎng)強(qiáng)度之間的折衷。某些因素增大 了寫場(chǎng)梯度，但減小了寫場(chǎng)強(qiáng)度，而另一些因素具有相反效果，增大了寫場(chǎng) 強(qiáng)度卻同時(shí)降低了寫場(chǎng)梯度。例如，如果拖尾間隙過薄，或者如果拖尾屏蔽 件延伸超過寫極過多(即具有太大的喉高(throat height ))，則場(chǎng)梯度將增加， 但過量的來自寫極314的磁通將損失到拖尾屏蔽件338。本發(fā)明減輕了這種 折衷，提供了好的場(chǎng)強(qiáng)度和場(chǎng)梯度。
圖4示出拖尾屏蔽件338、寫極314和夾在拖尾屏蔽件338與寫極314 之間的拖尾間隙339的放大視圖。可以看出，拖尾屏蔽件338具有面對(duì)寫頭 的氣墊面(ABS)的表面402。拖尾屏蔽件338還具有與拖尾間隙層接觸的 前導(dǎo)邊緣表面404、以及離開ABS定位的楔形邊緣表面406。拖尾屏蔽件也 可具有拖尾表面408,且可具有與ABS相反的背表面410，然而，楔形邊緣 406也可以一直延伸到拖尾屏蔽件338的拖尾邊緣408。其它構(gòu)造例如背邊 緣410和拖尾邊緣408的其他構(gòu)造也是可行的。
可以看出，從ABS邊緣402到楔形邊緣406的起點(diǎn)測(cè)量的前導(dǎo)邊緣404 的長(zhǎng)度定義拖尾屏蔽件338的喉高(TH)。保持該喉高TH為小時(shí)將確保很 少的磁通從寫極損失到拖尾屏蔽件338。因此，喉高TH優(yōu)選為0至25nm。 另外，可以看出，拖尾屏蔽件的楔形邊緣406逐漸遠(yuǎn)離寫極314漸縮。為了 提供較佳性能，楔形邊緣406相對(duì)于與寫極314的拖尾邊緣表面412平行的 平面形成20至75度的角度e。該角度e也可以定義為相對(duì)于垂直于ABS和 凄t據(jù)道方向414的平面來測(cè)量。
以上述角度形成的該楔形背邊緣406提供若干優(yōu)點(diǎn)。例如，可以使喉高 TH小從而防止磁通泄露到拖尾屏蔽件。同時(shí)，楔形邊緣406防止拖尾屏蔽 件338飽和。該形狀還利于制造，因?yàn)楸苊饬送衔财帘渭嗅樋谆蚩锥吹男?成，否則用來形成拖尾屏蔽件的制造工藝?yán)绻饪毯脱心ブ械淖兓瘯?huì)導(dǎo)致針
9孑L或孔洞。
楔形邊緣能夠?qū)崿F(xiàn)的楔形形狀406和小喉高的另一優(yōu)點(diǎn)是拖尾間隙TG 可以較小。拖尾間隙TG是寫極314的拖尾邊緣412與拖尾屏蔽件338的前 導(dǎo)邊緣404之間的距離。該拖尾間隙TG也是非磁拖尾間隙層339的厚度。 因?yàn)檎暮砀逿H和楔形形狀406大大減少了從寫極314到拖尾屏蔽件338 的磁通損失，因此拖尾間隙TG可以做得更小而沒有損失磁通和減小寫場(chǎng)的 風(fēng)險(xiǎn)。因此，拖尾間隙TG的厚度可以是例如15-25nm。該較小的間隙TG 改善了拖尾屏蔽件338的效能，進(jìn)一步改善了場(chǎng)梯度。
本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過控制楔形邊緣表面406的角度e，可以最大化 寫場(chǎng)和場(chǎng)梯度。如果楔角e小于20度，則太多的磁通將損失到拖尾屏蔽件 338,楔形邊緣的優(yōu)點(diǎn)將喪失。如果角度e大于75度，則拖尾屏蔽件338將 磁飽和且場(chǎng)梯度將受損失。圖5通過曲線圖示出了場(chǎng)梯度與楔角e之間的關(guān) 系?？梢钥闯觯?dāng)楔角在大約20和75度之間時(shí)，實(shí)現(xiàn)了最大場(chǎng)梯度。
現(xiàn)在參照?qǐng)D6，描述本發(fā)明的另一可行實(shí)施例。該實(shí)施例包括具有楔形 邊緣406的拖尾屏蔽件602,該楔形邊緣相對(duì)于寫極314的拖尾邊緣表面412 以20和75度之間的角度e漸縮，類似于前述實(shí)施例。但是，楔形邊緣406 延伸到表面604,表面604基本平行于寫極的拖尾邊緣表面412。盡管從表 面406到表面604的過渡示出為銳利的過渡，但是該過渡也可以是光滑或彎 曲的。另外，表面604不需要精確平行于寫極314的拖尾邊緣表面412，而
是可以處于小于角度e的某一角度。
雖然已經(jīng)描述了各種實(shí)施例，但是應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅以示例方式給 出，而不是用于限制。落入本發(fā)明的范圍內(nèi)的其他實(shí)施例亦可對(duì)本領(lǐng)域技術(shù) 人員變得顯然。因此，本發(fā)明的廣度和范圍不應(yīng)局限于上述示范性實(shí)施例中 的任一個(gè)，而應(yīng)僅由所附權(quán)利要求及其等價(jià)物定義。
權(quán)利要求
1.一種用于垂直磁記錄的寫頭，包括磁寫極，具有延伸到氣墊面的末端，所述磁寫極構(gòu)造為沿垂直于所述氣墊面的方向發(fā)出磁寫場(chǎng)，所述磁寫極具有沿垂直于所述氣墊面且垂直于數(shù)據(jù)道方向的平面取向的拖尾邊緣表面；非磁拖尾間隙層，與所述磁寫極的所述拖尾邊緣表面相鄰；以及拖尾磁屏蔽件，與所述非磁拖尾間隙層相鄰，從而所述非磁拖尾間隙層夾在所述拖尾磁屏蔽件與所述磁寫極的所述拖尾邊緣表面之間，所述拖尾磁屏蔽件具有位于所述氣墊面處且平行于所述氣墊面的第一表面以及與所述第一表面相反且相對(duì)于所述磁寫極的所述拖尾邊緣表面以20-75度的角度形成的第二表面。
2. 如權(quán)利要求1所述的寫頭，其中所述拖尾磁屏蔽件具有接觸所述非磁 拖尾間隙層的前導(dǎo)邊緣表面，所述前導(dǎo)邊緣表面從所述第一表面延伸到所述 第二表面，所述前導(dǎo)邊緣表面的長(zhǎng)度定義所述拖尾磁屏蔽件的喉高。
3. 如權(quán)利要求2所述的寫頭，其中所述拖尾磁屏蔽件的所述喉高不大于 25nm。
4. 如權(quán)利要求1所述的寫頭，其中所述非-茲拖尾間隙層具有15至25nm 的厚度。
5. 如權(quán)利要求1所述的寫頭，還包括與所述拖尾磁屏蔽件相連的拖尾磁 返回極。
6. 如權(quán)利要求1所述的寫頭，其中所述非磁拖尾間隙層包括Rh、 Ir或Ta。
7. 如權(quán)利要求1所述的寫頭，其中所述拖尾^f茲屏蔽件具有與所述第一表 面相反的背邊緣表面以及離開所述磁寫極定位的拖尾邊緣表面，所述背邊緣 表面從所述第二表面延伸到所述拖尾邊緣表面。
8. 如權(quán)利要求1所述的寫頭，其中所述拖尾磁屏蔽件具有離開所述磁寫 極定位的拖尾邊緣表面以及朝向所述磁寫極定位的前導(dǎo)邊緣表面，且其中所 述第二表面從所述拖尾邊緣表面延伸到所述前導(dǎo)邊緣表面。
9. 一種用于垂直;茲數(shù)據(jù)記錄的磁寫頭，包括 前導(dǎo)磁返回極，具有朝向氣墊面設(shè)置的末端；磁寫極，具有朝向所述氣墊面設(shè)置的末端，所述磁寫極在所述氣墊面處 具有的表面面積遠(yuǎn)小于所述前導(dǎo)磁返回極在所述氣墊面處具有的表面面積， 從而允許所述磁寫極沿垂直于所述氣墊面的方向發(fā)出磁寫場(chǎng)，所述磁寫極與所述前導(dǎo)磁返回極在遠(yuǎn)離所述氣墊面的區(qū)域中磁連接；非/磁拖尾間隙層，形成在所述磁寫極的拖尾邊緣表面上； 拖尾;茲屏蔽件，位于所述氣墊面處，所述非^磁拖尾間隙層夾在所述拖尾 磁屏蔽件和所述磁寫極的所述拖尾邊緣表面之間；所述拖尾磁屏蔽件還包括 設(shè)置在所述氣墊面處的第一表面以及離開所述氣墊面定位且相對(duì)于所述磁 寫極的所述拖尾邊緣表面以20-75度的角度漸縮的第二表面；以及拖尾》茲返回極，與所述拖尾》茲屏蔽件;茲連接，且與所述前導(dǎo)i茲返回極和 所述磁寫極在離開所述氣墊面的區(qū)域中》茲連接。
10. 如權(quán)利要求9所述的磁寫頭，其中所述第一表面和第二表面之間的 在最接近所述非磁間隙層的點(diǎn)處的距離定義所述拖尾磁屏蔽件的喉高。
11. 如權(quán)利要求10所述的磁寫頭，其中所述喉高不大于25nm。
12. 如權(quán)利要求9所述的磁寫頭，其中所述非磁拖尾間隙層具有15至 25nm的厚度。
13. 如權(quán)利要求9所述的磁寫頭，其中所述非磁拖尾間隙層包括Rh、 Ir 或Ta。
14. 如權(quán)利要求9所述的磁寫頭，其中所述拖尾磁屏蔽件具有與所述第 一表面相反的背邊緣表面以及離開所述磁寫極定位的拖尾邊緣表面，所述背 邊緣表面從所述第二表面延伸到所述拖尾邊緣表面。
15. 如權(quán)利要求9所述的磁寫頭，其中所述拖尾磁屏蔽件具有離開所述 磁寫極定位的拖尾邊緣表面以及朝向所述磁寫極定位的前導(dǎo)邊緣表面，且其 中所述第二表面從所述拖尾邊緣表面延伸到所述前導(dǎo)邊緣表面。
16. 如權(quán)利要求2所述的磁寫頭，其中所述喉高不大于25nm且所述非 磁拖尾間隙層具有15至25nm的厚度
17. 如權(quán)利要求IO所述的磁寫頭，其中所述喉高不大于25nm且所述非 磁拖尾間隙層具有15至25nm的厚度。
18. —種磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括 機(jī)殼；磁介質(zhì)，可旋轉(zhuǎn)地安裝在所述機(jī)殼內(nèi)；致動(dòng)器，樞轉(zhuǎn)地安裝在所述外殼內(nèi)；滑塊，與所述致動(dòng)器相連以用于與所述-茲介質(zhì)的表面相鄰地移動(dòng)； 》茲致電阻傳感器，與所述滑塊相連；以及 磁寫頭，與所述滑塊相連，所述磁寫頭還包括前導(dǎo)磁返回極，具有朝向氣墊面設(shè)置的末端；磁寫極，具有朝向所述氣墊面設(shè)置的末端，所述磁寫極在所述氣墊 面處具有的表面面積遠(yuǎn)小于所述前導(dǎo)》茲返回極在所述氣墊面處具有的 表面面積，從而允許所述》茲寫極沿垂直于所述氣墊面的方向發(fā)出寫；茲 場(chǎng)，所述》茲寫極與所述前導(dǎo);茲返回極在遠(yuǎn)離所述氣墊面的區(qū)域中；茲連 接；非/磁拖尾間隙層，形成在所述,茲寫極的拖尾邊緣表面上； 拖尾磁屏蔽件，位于所述氣墊面處，所述非磁拖尾間隙層夾在所述 拖尾磁屏蔽件與所述磁寫極的所述拖尾邊緣表面之間；所述拖尾磁屏蔽 件還包括設(shè)置在所述氣墊面處的第一表面以及離開所述氣墊面定位且 相對(duì)于所述磁寫極的所述拖尾邊緣表面以20-75度的角度漸縮的第二表 面；以及拖尾i茲返回極，與所述拖尾》茲屏蔽件^茲連接，且與所述前導(dǎo);茲返回 極和所述J茲寫極在遠(yuǎn)離所述氣墊面的區(qū)域中》茲連接。
19. 如權(quán)利要求18所述的磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述拖尾磁屏蔽件具有 接觸所述非^磁拖尾間隙層的前導(dǎo)邊緣表面，所述前導(dǎo)邊緣表面從所述第一表 面延伸到所述第二表面，所述前導(dǎo)邊緣表面的長(zhǎng)度定義所述拖尾磁屏蔽件的 喉高，且其中所述喉高不大于25nm。
20. 如權(quán)利要求18所述的磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述非磁拖尾間隙層具 有15至25nm的厚度。
21. 如權(quán)利要求l所述的寫頭，其中所述第二表面從所述非磁拖尾間隙 層延伸到一第三表面，所述第三表面平行于所述^f茲寫極的所述拖尾邊緣表面 取向。
22. 如權(quán)利要求9所述的磁寫頭，其中所述第二表面從所述非磁拖尾間 隙層延伸到一第三表面，所述第三表面平行于所述磁寫極的所述拖尾邊緣表 面取向。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有拖尾屏蔽件的垂直寫頭。一種磁寫頭具有構(gòu)造為優(yōu)化寫場(chǎng)強(qiáng)度和場(chǎng)梯度的拖尾屏蔽件。該寫頭包括寫極；形成在所述寫極的拖尾邊緣上的拖尾間隙層；以及形成在所述非磁間隙層上的拖尾磁屏蔽件使得所述非磁間隙層夾在所述拖尾磁屏蔽件和所述寫極之間。所述拖尾磁屏蔽件具有設(shè)置在氣墊面處的第一表面以及離開氣墊面設(shè)置且相對(duì)于所述磁寫極的所述拖尾邊緣表面以20-75度的角度漸縮的第二表面。
文檔編號(hào)G11B5/127GK101567192SQ20091013772
公開日2009年10月28日 申請(qǐng)日期2009年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月25日
發(fā)明者弗拉迪米爾·尼基汀, 蕭文千 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司