專利名稱：：讀取與編程存儲(chǔ)器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是有關(guān)于一種讀取與編程存儲(chǔ)器的方法，且特別是一種通過(guò)考慮陣列效應(yīng)(arrayeffect)、第二位效應(yīng)(second-biteffect)以及相鄰位效應(yīng)(neighbor-biteffect)來(lái)校正每一存儲(chǔ)單元的第一側(cè)(first-side)及第二側(cè)(second-side)的編程驗(yàn)證值(program-verify;PV)、擦除驗(yàn)證值(erase-verify;EV)或讀取參考值的讀取與編程存儲(chǔ)器的方法。
背景技術(shù)：
：傳統(tǒng)閃存中，例如多級(jí)單元存儲(chǔ)器(Multi-levelcell;MLC)，每個(gè)存儲(chǔ)單元具有兩側(cè)邊，每一側(cè)至少具有一個(gè)位，每一側(cè)設(shè)置有編程操作所需的編程驗(yàn)證值以及于讀取操作中用以讀取、編程驗(yàn)證與擦除驗(yàn)證所需的參考值。例如，假設(shè)多級(jí)單元存儲(chǔ)器于存儲(chǔ)單元的每一側(cè)具有一個(gè)位，這樣對(duì)應(yīng)每存儲(chǔ)單元有四種閾值電壓分布為"11"、"10"、"01"及"00"。在未考慮相鄰存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元特性情況下，在整個(gè)編程或讀取操作中，這些參考值通常保持一個(gè)定值。圖1A繪示于源極感測(cè)時(shí)待編程或讀取的特定存儲(chǔ)單元的第一側(cè)所對(duì)應(yīng)的第二側(cè)及相鄰側(cè)。如圖1A所示，假定存儲(chǔ)單元B的第一側(cè)B2被編程或讀取，存儲(chǔ)單元B的另一側(cè)Bl被定義為第一側(cè)的第二側(cè)B2。當(dāng)存儲(chǔ)器陣列變大時(shí)，每一存儲(chǔ)單元的感測(cè)閾值電壓(ThresholdVoltage;Vt)由于存儲(chǔ)單元電流感測(cè)路徑的寄生電阻效應(yīng)(陣列效應(yīng))、第二位效應(yīng)以及相鄰位效應(yīng)會(huì)偏離初始閾值電壓一個(gè)偏移值，如圖1B所示。當(dāng)存儲(chǔ)器的每存儲(chǔ)單元尺寸愈小時(shí)，第二位效應(yīng)與相鄰位效應(yīng)便越來(lái)越顯著。因此，存儲(chǔ)器的閾值電壓分布"ll"、"10"、"Ol"及"OO"之間的感測(cè)窗口SW1便會(huì)小于無(wú)閾值電壓偏移的感測(cè)窗口SW0(如圖1B所示)，進(jìn)而使存儲(chǔ)器的循環(huán)邊界(cyclingmargin)大大降《氏。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的主要目的是提供一種讀取與編程存儲(chǔ)器的方法。在編程驗(yàn)證、擦除驗(yàn)證、讀取操作時(shí)，通過(guò)考慮每個(gè)存儲(chǔ)單元的陣列效應(yīng)、第二位效應(yīng)以及相鄰位效應(yīng)來(lái)校準(zhǔn)感測(cè)值，進(jìn)而使存儲(chǔ)器邊界可被有效率的改善。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出一種編程存儲(chǔ)器的方法。此存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)單元并具有對(duì)應(yīng)目標(biāo)存儲(chǔ)單元的一預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值。此方法包括編程目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)使得其閾值電壓不低于預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值；讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)的閾值電壓值并據(jù)以取得值對(duì)應(yīng)的第一側(cè)的校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值；以及編程目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)使得其閾值電壓不低于對(duì)應(yīng)的校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提出一種讀取存儲(chǔ)器的方法。此存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)單元并具有對(duì)應(yīng)目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)的一預(yù)設(shè)參考值。該方法包括讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)的閾值電壓值并據(jù)以取得對(duì)應(yīng)第一側(cè)的校準(zhǔn)參考值；以及依據(jù)校準(zhǔn)參考值讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)。根據(jù)的第三方面，提出一種編程存儲(chǔ)器的方法。此存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元具有第一側(cè)與第二側(cè)，且第一側(cè)與第二側(cè)均具有預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值。此方法包括編程第一側(cè)使得其閾值電壓不低于預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值；讀取第一側(cè)的閾值電壓值并據(jù)以取得對(duì)應(yīng)于第二側(cè)的第一校準(zhǔn)值；以及編程第二側(cè)使得其閾值電壓不低于對(duì)應(yīng)第一側(cè)的第一校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值。為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明。圖1A繪示現(xiàn)有技術(shù)中于源極感測(cè)時(shí)待編程或讀取的特定存儲(chǔ)單元的第一側(cè)所對(duì)應(yīng)的第二側(cè)與相鄰側(cè)。圖1B繪示于現(xiàn)有存儲(chǔ)器中編程存儲(chǔ)單元的閾值電壓偏移示意圖。圖2繪示依據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例編程存儲(chǔ)單元的方法流程圖。圖3繪示圖2的步驟200中編程存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布圖。圖4A至圖4C繪示圖2的步驟210至步驟230中分別用來(lái)取得第一編程驗(yàn)證調(diào)整值、第二編程驗(yàn)證調(diào)整值以及第三編程驗(yàn)證調(diào)整值的查詢表。圖5繪示圖2所述的方法中依據(jù)校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值編程存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布圖。圖6繪示依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例讀取存儲(chǔ)器的方法流程圖。圖7A至圖7C繪示圖6的步驟600至步驟620中分別用來(lái)取得第一編程驗(yàn)證調(diào)整值、第二編程驗(yàn)證調(diào)整值以及第三編程驗(yàn)證調(diào)整值的查詢表。圖8繪示依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例編程存儲(chǔ)器的方法流程圖。圖9繪示圖8的步驟810中用來(lái)取得第一編程驗(yàn)證調(diào)整值的查詢表。具體實(shí)施例方式本發(fā)明是一種讀取與編程存儲(chǔ)器的方法。在編程或讀取操作中，為了擴(kuò)大存儲(chǔ)器的感測(cè)窗(sensingwindow),通過(guò)考慮陣列效應(yīng)、第二位效應(yīng)及相鄰位效應(yīng)來(lái)校準(zhǔn)目標(biāo)存儲(chǔ)單元的每一側(cè)的編程驗(yàn)證、擦除驗(yàn)證以及讀取參考值。下列的描述將提出兩實(shí)施例用以說(shuō)明本發(fā)明的方法如何考慮每一側(cè)的陣列效應(yīng)、第二位效應(yīng)以及相鄰位效應(yīng)。第一實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D2，其繪示是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例編程存儲(chǔ)器的方法流程圖。此存儲(chǔ)器例如是多級(jí)單元(Multilevelcell)閃存，其具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，且每個(gè)存儲(chǔ)單元具有第一側(cè)與第二側(cè)。每一側(cè)至少具有一個(gè)位。例如，每一側(cè)具有一位。每一側(cè)對(duì)應(yīng)特定編程狀態(tài)(例如狀態(tài)10、01或OO)具有一個(gè)預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值PVO。首先，于步驟200中，編程目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)使得其閾值電壓Vt值不低于對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值PV0或經(jīng)編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV0補(bǔ)償?shù)念A(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值PV0，亦即(PV0+APV0)。每個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)所對(duì)應(yīng)的APVO值可能不同。如圖3所示，左側(cè)閾值電壓分布KO是具有閾值電壓偏移的擦除狀態(tài)存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布，右側(cè)閾值電壓分布Kl是考慮每個(gè)被編程存儲(chǔ)單元的陣列效應(yīng)后產(chǎn)生的"10"狀態(tài)閾值電壓分布。閾值電壓分布K1由許多閾值電壓分布所組成，其中包括具有理想編程狀態(tài)"10"的存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布K10(例如，沒(méi)有第二位效應(yīng)、相鄰位效應(yīng)以及陣列效應(yīng))，以及對(duì)應(yīng)最大編程驗(yàn)證調(diào)整值(APVO)max的存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布Klm。依據(jù)對(duì)應(yīng)的陣列地址取得每一側(cè)的APV0值。例如，可通過(guò)檢視查詢表(lookuptable;LUT)并依據(jù)陣列地址來(lái)取得APVO值，其中APV0值通常介于0伏特至0.4伏特之間。如圖3所示，由于陣列效應(yīng)、第二位效應(yīng)以及相鄰位效應(yīng)使被編程存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布具有一個(gè)閾值電壓偏移值。因此，于下列步驟中，將依序考慮第二位效應(yīng)、相鄰位效應(yīng)以及陣列效應(yīng)來(lái)校準(zhǔn)對(duì)應(yīng)每一側(cè)的預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值PVO。接下來(lái)，于步驟210中，讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)的第一閾值電壓值Vtl及第二側(cè)的第二閾值電壓值Vt2，并據(jù)以取得對(duì)應(yīng)第一側(cè)的第一編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV1。例如，可檢視如圖4A所示的查詢表(LUT)來(lái)取得對(duì)應(yīng)每一組Vtl值及Vt2值的APV1值。APV1值通常介于0伏特至0.4伏特之間。本實(shí)施例中，目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)的第二閾值電壓值Vt2也會(huì)受到第一側(cè)的第一閾值電壓值Vtl的影響，因此在計(jì)算第一編程驗(yàn)證調(diào)整值△PV1中是同時(shí)考慮目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)的第一閾值電壓值Vtl與第二側(cè)的第二閾值電壓值Vt2。于另一實(shí)施例中，步驟210亦可以讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)的閾值電壓值并據(jù)以取得第一側(cè)的第一編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PVU接下來(lái)，于步驟220中，讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元的相鄰側(cè)的第三閾值電壓值Vt3并據(jù)以取得對(duì)應(yīng)第一側(cè)的第二編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV2。例如，檢視如圖4B所示的第二查詢表LUT2，并依據(jù)第三閾值電壓值Vt3來(lái)取得第二編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV2。APV2值通常介于0伏特至0.1伏特之間。然后，于步驟230中，依據(jù)對(duì)應(yīng)的陣列地址取得第一側(cè)的第三編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV3。相似于步驟200，由于陣列效應(yīng)依舊存在于接下來(lái)的編程操作中，因此于每一側(cè)均被編程達(dá)到預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值PVO或(PVO+APVO)值之后，再次考慮陣列效應(yīng)以校準(zhǔn)第一側(cè)的編程驗(yàn)證值。例如，檢視如圖4C所示的第三查詢表LUT3并依據(jù)對(duì)應(yīng)的陣列地址來(lái)取得第一側(cè)的APV3值。正常地，該些側(cè)于相同字線(WordLine)中具有相同的陣列效應(yīng)，因此，第三查詢表LUT3是依據(jù)每一側(cè)字線的位置(WL1，WL2,…)來(lái)決定該側(cè)的△PV3值。第三編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV3通常介于0伏特至0.2伏特之間。于步驟240中，通過(guò)將對(duì)應(yīng)的第一編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV1、第二編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV2、第三編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV3加入預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值PVO，以取得第一側(cè)的校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV'，亦即PV，=(PV0+APV1+APV2+△PV3)。PV'值是大于PVO值。最后，于步驟250中，編程目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)使得其閾值電壓值Vt不低于對(duì)應(yīng)的校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV'。對(duì)應(yīng)每目標(biāo)存儲(chǔ)單元第一側(cè)的校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV'可能不同。圖5繪示于步驟250中依據(jù)校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV'編程的存儲(chǔ)單元"10"的閾值電壓分布狀態(tài)示意圖。如圖5所示，因第二位效應(yīng)、相鄰位效應(yīng)以及陣列效應(yīng)而產(chǎn)生閾值電壓偏移的擦除態(tài)存儲(chǔ)單元的總閾值電壓分布KO是由許多分布組成，其中包括沒(méi)有閾值電壓偏移的擦除態(tài)存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布值K01以及具有最大閾值電壓偏移的擦除態(tài)存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布KOm。另外，因第二位效應(yīng)、相鄰位效應(yīng)以及陣列效應(yīng)而產(chǎn)生閾值電壓偏移的"10"狀態(tài)存儲(chǔ)單元的總閾值電壓分布K1也由許多閾值電壓分布所組成，其中包括理想編程狀態(tài)存儲(chǔ)單元(沒(méi)有Vt偏移)的閾值電壓分布Kll以及對(duì)應(yīng)最大校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值(PV，)max的存儲(chǔ)單元閾值電壓分布Klm。該些閾值電壓分布KllKlm分別對(duì)應(yīng)于K01K0m。由于通過(guò)考慮第二位效應(yīng)、相鄰位效應(yīng)以及陣列效應(yīng)將待編程的該側(cè)的編程驗(yàn)證值PV調(diào)整至校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV'(大于PVO)，依據(jù)校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV'的編程操作可具有比現(xiàn)有的感測(cè)窗口SW1更大的操作窗口SW2，該操作窗口范圍是從具有閾值電壓偏移的擦除態(tài)閾值電壓分布的最大值至對(duì)應(yīng)最大校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值(PV，)max的閾值電壓分布的最小值，因此加大存儲(chǔ)器的循環(huán)邊界。值得注意的是，本實(shí)施例的感測(cè)窗口SW2大于現(xiàn)有的感測(cè)窗口SW1，而且接近介于原始擦除態(tài)閾值電壓分布與理想編程狀態(tài)閾值電壓分布的無(wú)閾值電壓偏移的理想感測(cè)窗口SWO。雖然本實(shí)施例的編程存儲(chǔ)器的方法是以根據(jù)目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)及相鄰側(cè)的閾值電壓值與對(duì)應(yīng)陣列地址透過(guò)查詢表分別取得第二側(cè)的第一編程驗(yàn)證調(diào)整值、第二編程驗(yàn)證調(diào)整值以及第三編程驗(yàn)證調(diào)整值并據(jù)以取得校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV'為例作說(shuō)明，然由于第二位效應(yīng)往往較相鄰位效應(yīng)與陣列效應(yīng)更為顯著，本發(fā)明的方法于步驟200中也可以僅讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)的閾值電壓值并據(jù)以取得校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV'(PV'=PVO+△PV1)。此外，除了檢視查詢表之外，任何其它軟件或程序設(shè)計(jì)也可以用來(lái)取得上述的編程驗(yàn)證調(diào)整值。只要最顯著的第二位效應(yīng)被考慮來(lái)校準(zhǔn)程序驗(yàn)證值且編程操作是依據(jù)校準(zhǔn)后的編程驗(yàn)證值來(lái)執(zhí)行以達(dá)到增大操作窗口的目的，均不脫離本發(fā)明的技術(shù)范圍。請(qǐng)參照?qǐng)D6，其繪示是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例讀取存儲(chǔ)器的方法流程圖。存儲(chǔ)器的讀取操作是依據(jù)預(yù)設(shè)參考值RLO，例如是一個(gè)編程驗(yàn)證值PV、擦除驗(yàn)證值EV或一個(gè)讀取參考值。首先，于步驟600中，讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)的第一閾值電壓值Vtl與第二側(cè)的第二閾值電壓值Vt2，并據(jù)以取得第一調(diào)整值A(chǔ)RL1。例如，可檢視如圖7A所示的第四查詢表LUT4來(lái)對(duì)應(yīng)每一組Vtl值與Vt2值的第一調(diào)整值A(chǔ)RL1。第一調(diào)整值A(chǔ)RL1通常介于0伏特至0.4伏特之間。本實(shí)施例中，目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)的第二閾值電壓值Vt2也會(huì)受到第一側(cè)的第一閾值電壓值Vtl的影響，因此，在計(jì)算第一調(diào)整值A(chǔ)RL1中需同時(shí)考慮目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)的第一闞值電壓值Vtl與第二側(cè)的第二閾值電壓值Vt2。另一實(shí)施例中，步驟600亦可以僅讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)的第二閾值電壓Vt2并據(jù)以取得第一側(cè)的第一調(diào)整值A(chǔ)RL1。接著，于步驟610中，讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元的相鄰側(cè)的第三閾值電壓值Vt3，并據(jù)以取得對(duì)應(yīng)第一側(cè)的第二調(diào)整值A(chǔ)RL2。例如，可檢視如圖7B所示的查詢表LUT5，并依據(jù)第三閾值電壓值Vt3來(lái)取得第二調(diào)整值A(chǔ)RL2。又，第二調(diào)整值A(chǔ)RL2通常介于0伏特至0.1伏特之間。然后，于步驟620中，依據(jù)對(duì)應(yīng)的陣列地址取得第一側(cè)的第三調(diào)整值A(chǔ)RL3。例如，可檢視如圖7C所示的查詢表LUT6，并依據(jù)對(duì)應(yīng)的陣列地址來(lái)取得第一側(cè)的第三調(diào)整值A(chǔ)RL3值。查詢表LUT6是依據(jù)每一側(cè)的字線(WL1,WL2，.........)位置決定該側(cè)的第三調(diào)整值A(chǔ)RL3。第三調(diào)整值A(chǔ)RL3通常介于0伏特至0.2伏特之間。于步驟630中，通過(guò)將對(duì)應(yīng)的第一調(diào)整值A(chǔ)RL1、對(duì)應(yīng)的第二調(diào)整值△RL2以及對(duì)應(yīng)的第三調(diào)整值A(chǔ)RL3加入至預(yù)設(shè)參考值RL0，以取得第一側(cè)的校準(zhǔn)參考值RL'，亦即RL'=(RL0+ARL1+ARL2+ARL3)。RL'值大于RL0值。最后，于步驟640中，依據(jù)對(duì)應(yīng)的校準(zhǔn)參考值RL'讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)。由于通過(guò)考慮第二位效應(yīng)、相鄰位效應(yīng)以及陣列效應(yīng)將預(yù)設(shè)參考值RL0調(diào)整至校準(zhǔn)化參考值RL'(大于RL0)，依據(jù)校準(zhǔn)參考值RL'的讀取操作可具有一個(gè)大于現(xiàn)有的讀取窗口，因此增大存儲(chǔ)器循環(huán)邊界。雖然本實(shí)施例的讀取存儲(chǔ)器方法是以依據(jù)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)及相鄰側(cè)的閾值電壓與對(duì)應(yīng)的陣列地址并通過(guò)査詢表來(lái)分別取得該第二側(cè)的第一編程驗(yàn)證調(diào)整值、第二編程驗(yàn)證調(diào)整值以及第三編程驗(yàn)證調(diào)整值并據(jù)以取得校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV'為例作說(shuō)明，然本發(fā)明的方法，于步驟600中也可以僅讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)的閾值電壓值Vt并據(jù)以取得校準(zhǔn)參考值RL'(RL'=RL0+ARL1)。此外，除了查詢檢視表之外，任何其它軟件或程序設(shè)計(jì)亦可以用來(lái)取得上述的調(diào)整值。只要是考慮最顯著的第二位效應(yīng)來(lái)校準(zhǔn)參考值并依據(jù)校準(zhǔn)后的參考值執(zhí)行讀取操作以達(dá)到增大讀取窗口的目的，均不脫離本發(fā)明的技術(shù)范圍。第二實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D8，其繪示是依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的編程存儲(chǔ)器的方法流程圖。此存儲(chǔ)器例如多級(jí)單元閃存，其包含多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元具有第一側(cè)與第二側(cè)，每一側(cè)至少具有一個(gè)位。例如，存儲(chǔ)單元A與存儲(chǔ)單元B的第一側(cè)是左側(cè)的Al與Bl，其第二側(cè)是右側(cè)的A2與B2，如圖1A所示。每一側(cè)具有對(duì)應(yīng)特定狀態(tài)(例如10、01或00)的一個(gè)預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值PV0。首先，于步驟800中，編程目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)使得其閾值電壓Vt值不低于對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值PV0或經(jīng)由編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV0補(bǔ)償?shù)念A(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值PV0，亦即(PV0+APV0)。依據(jù)對(duì)應(yīng)的陣列地址取得第一側(cè)的編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV0。例如，通過(guò)檢視查詢表并依據(jù)陣列地址來(lái)取得編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV0。編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV0通常介于0伏特至0.4伏特之間。接下來(lái)，于步驟810中，讀取第一側(cè)的第一閾值電壓值Vtl并據(jù)以取得對(duì)應(yīng)于第二側(cè)的第一編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV1。例如，可檢視如圖9所示的第七查詢表LUT7來(lái)取得對(duì)應(yīng)每一Vtl值的APV1值，其中APV1值通常介于0伏特至0.4伏特之間。于步驟820中，依據(jù)對(duì)應(yīng)的陣列地址取得對(duì)應(yīng)第二側(cè)的第二編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV2。相似于步驟800，編程第一側(cè)達(dá)到預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值PVO或(PVO+APVO)后，陣列效應(yīng)再度被考慮以校準(zhǔn)對(duì)應(yīng)第二側(cè)的預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值PVO。例如，可檢視如圖4C所示的第三查詢表LUT3并依據(jù)對(duì)應(yīng)的陣列地址(位于左行中)來(lái)取得第二側(cè)的第二編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV2(位于右行中)。第二編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV2通常介于0伏特至0.2伏特之間。步驟830中，通過(guò)將對(duì)應(yīng)的第一編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV1與對(duì)應(yīng)的第二編程驗(yàn)證調(diào)整值A(chǔ)PV2加入至預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值PV0以取得第二側(cè)的第一校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV，，亦即PV，=PV0+APV1+APV2。PV，值大于PVO值。步驟840中，編程目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)使得其閾值電壓Vt不低于對(duì)應(yīng)的第一校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV'。此步驟840是依據(jù)第一校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV'來(lái)編程第二側(cè)。在編程存儲(chǔ)器的目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)后，于第二實(shí)施例的方法中可以更包括讀取第二側(cè)的閾值電壓Vt并據(jù)以取得對(duì)應(yīng)第一側(cè)的第二校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV"的步驟850;以及編程目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)使得其閾值電壓Vt不低于對(duì)應(yīng)的第二校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV"的步驟860。由于在編程對(duì)應(yīng)的第二側(cè)的后，第一側(cè)的Vt值仍會(huì)被影響，因此步驟850與步驟860的目的是通過(guò)考慮第二位效應(yīng)來(lái)校準(zhǔn)目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)的編程驗(yàn)證值，并編程第一側(cè)達(dá)到校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV"。由于通過(guò)考慮第二位效應(yīng)與陣列效應(yīng)，目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)的編程驗(yàn)證值PV被校正為PV'值且目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)的編程驗(yàn)證值PV被校正為PV"，基于PV'值與PV"值所執(zhí)行的編程操作可具有大于現(xiàn)有技術(shù)的操作窗口，因此增加存儲(chǔ)器循環(huán)邊界。雖然本實(shí)施例的編程存儲(chǔ)器方法是以依據(jù)對(duì)應(yīng)第一側(cè)的閾值電壓值與對(duì)應(yīng)的陣列地址并通過(guò)檢視查詢表來(lái)分別取得第二側(cè)的第一編程驗(yàn)證調(diào)整值與第二編程驗(yàn)證調(diào)整值并據(jù)以取得校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV'為例作說(shuō)明，然本發(fā)明的方法也可以依據(jù)第一側(cè)的閾值電壓值Vt取得校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值PV'。除此之外，除了檢視查詢表之外，任何其它軟件或程序設(shè)計(jì)同樣地可用來(lái)取得上述的編程驗(yàn)證調(diào)整值。只要最顯著的第二位效應(yīng)被考慮以校準(zhǔn)對(duì)應(yīng)目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)的編程驗(yàn)證值并依據(jù)校準(zhǔn)后編程驗(yàn)證值執(zhí)行編程操作達(dá)成增大操作窗口的目的，均不脫離本發(fā)明的技術(shù)范圍。揭露于本發(fā)明實(shí)施例中的讀取與編程存儲(chǔ)器的方法經(jīng)由考慮第二位效應(yīng)、相鄰位效應(yīng)以及陣列效應(yīng)來(lái)校正目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)的編程驗(yàn)證值為一校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值。因此，真實(shí)存儲(chǔ)單元閾值電壓vt分布(無(wú)上述的效應(yīng))于編程與擦除化操作時(shí)將比先前技術(shù)更窄小化。存儲(chǔ)器的操作窗口相對(duì)變大進(jìn)而使存儲(chǔ)器循環(huán)邊界有效率被提升。此外，存儲(chǔ)器的擦除一致性也可以相對(duì)地改善。綜上所述，雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。權(quán)利要求1、一種編程存儲(chǔ)器的方法，該存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)單元并具有對(duì)應(yīng)一目標(biāo)存儲(chǔ)單元的一預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值，其特征在于，該方法包括；a)編程該目標(biāo)存儲(chǔ)單元的一第一側(cè)，使得該第一側(cè)的一閾值電壓值不低于對(duì)應(yīng)的該預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值；b)讀取該目標(biāo)存儲(chǔ)單元的一第二側(cè)的一閾值電壓值，并據(jù)以取得對(duì)應(yīng)該第一側(cè)的一校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值；以及c)編程該目標(biāo)存儲(chǔ)單元的該第一側(cè)，使得該第一側(cè)的一閾值電壓值不低于對(duì)應(yīng)的該校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟a)更包括編程該目標(biāo)存儲(chǔ)單元的該第一側(cè)使得該第一側(cè)的一閾值電壓不低于經(jīng)一編程驗(yàn)證調(diào)整值補(bǔ)償?shù)膶?duì)應(yīng)該預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值，其中該目標(biāo)存儲(chǔ)單元的該編程驗(yàn)證調(diào)整值是依據(jù)對(duì)應(yīng)的一陣列地址所取得；所述步驟b)更包括讀取該目標(biāo)存儲(chǔ)單元的一相鄰側(cè)的一閾值電壓值，并依據(jù)該相鄰側(cè)的該閾值電壓值以取得該校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值；所述步驟c)更包括依據(jù)對(duì)應(yīng)的一陣列地址取得對(duì)應(yīng)于該第一側(cè)的該校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該步驟b)更包括依據(jù)對(duì)應(yīng)的該第二側(cè)、對(duì)應(yīng)的該相鄰側(cè)的該多個(gè)閾值電壓值以及對(duì)應(yīng)的該陣列地址檢視一查詢表，以分別取得該目標(biāo)存儲(chǔ)單元的一第一編程驗(yàn)證調(diào)整值、一第二編程驗(yàn)證調(diào)整值與一第三編程驗(yàn)證調(diào)整值；以及通過(guò)將該第一編程驗(yàn)證調(diào)整值、該第二編程驗(yàn)證調(diào)整值以及該第三編程驗(yàn)證調(diào)整值加入該預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值，取得對(duì)應(yīng)于該第一側(cè)的該校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值。4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，該第一編程驗(yàn)證調(diào)整值是0伏特至0.4伏特，該第二編程驗(yàn)證調(diào)整值是O伏特至O.l伏特，該第三編程驗(yàn)證調(diào)整值是0伏特至0.2伏特。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟b)更包括讀取該目標(biāo)存儲(chǔ)單元的該第一側(cè)的一第一閾值電壓值及該第二側(cè)的一第二閾值電壓值；以及依據(jù)該第一閾值電壓值與該第二閾值電壓值取得該第一側(cè)的該校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值。6、一種讀取存儲(chǔ)器的方法，該存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)單元并具有對(duì)應(yīng)一目標(biāo)存儲(chǔ)單元的一第一側(cè)的一預(yù)設(shè)參考值，其特征在于，該方法包括a)讀取該目標(biāo)存儲(chǔ)單元的一第二側(cè)的一閾值電壓值，并據(jù)以取得對(duì)應(yīng)該第一側(cè)的一校準(zhǔn)參考值；以及b)依據(jù)對(duì)應(yīng)的該校準(zhǔn)參考值，讀取該目標(biāo)存儲(chǔ)單元的該第一側(cè)。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，該步驟a)更包括依據(jù)對(duì)應(yīng)的該第二側(cè)、對(duì)應(yīng)的該相鄰側(cè)的該多個(gè)閾值電壓以及對(duì)應(yīng)的陣列地址檢視一查詢表，分別取得該目標(biāo)存儲(chǔ)單元的一第一編程驗(yàn)證調(diào)整值、一第二編程驗(yàn)證調(diào)整值以及一第三編程驗(yàn)證調(diào)整值；以及通過(guò)將對(duì)應(yīng)的該第一調(diào)整值、對(duì)應(yīng)的該第二調(diào)整值以及對(duì)應(yīng)的第三調(diào)整值加入該預(yù)設(shè)參考值，取得對(duì)應(yīng)該第一側(cè)的該校準(zhǔn)參考值。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，該第一調(diào)整值是0伏特至0.4伏特，該第二調(diào)整值是0伏特至0.1伏特，該第三調(diào)整值是0伏特至0.2伏特。9、一種編程存儲(chǔ)器的方法，該存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，各該存儲(chǔ)單元具有一第一側(cè)與一第二側(cè)，該第一側(cè)與第二側(cè)均具有一預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值，其特征在于，該方法包括a)編程該第一側(cè)使得該第一側(cè)的一閾值電壓值不低于對(duì)應(yīng)的該預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值；b)讀取該第一側(cè)的該閾值電壓值并據(jù)以取得對(duì)應(yīng)的該第二側(cè)的一第一校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值；以及c)編程該第二側(cè)使得該第二側(cè)的一閾值電壓值不低于對(duì)應(yīng)的該第一校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，更包括d)讀取該第二側(cè)的該閾值電壓值并據(jù)以取得對(duì)應(yīng)的第一側(cè)的一第二校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值;以及e)編程該第一側(cè)使得該第一側(cè)的該閾值電壓值不低于對(duì)應(yīng)的該第二校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值。全文摘要本發(fā)明公開了一種讀取與編程存儲(chǔ)器的方法，存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)單元并具有對(duì)應(yīng)目標(biāo)存儲(chǔ)單元的預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值，該方法包括編程目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)使得其閾值電壓值不低于預(yù)設(shè)編程驗(yàn)證值；讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第二側(cè)的閾值電壓值并據(jù)以取得對(duì)應(yīng)的第一側(cè)的校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值；以及編程目標(biāo)存儲(chǔ)單元的第一側(cè)使得其閾值電壓不低于對(duì)應(yīng)的校準(zhǔn)編程驗(yàn)證值。文檔編號(hào)G11C16/10GK101656107SQ200910139068公開日2010年2月24日申請(qǐng)日期2009年5月15日優(yōu)先權(quán)日2008年8月21日發(fā)明者廖惇雨申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司