專利名稱：光盤記錄裝置、向光盤記錄數(shù)據(jù)的方法及光盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光盤記錄裝置及其數(shù)據(jù)記錄方法，如上所述，可以按照光
盤的每個記錄層或每個記錄速度來決定記錄功率條件。這樣可以明確本 發(fā)明是可以在工業(yè)上利用的。
權(quán)利要求
1.一種向光盤記錄數(shù)據(jù)的方法，其生成記錄脈沖，并根據(jù)所述記錄脈沖向光盤記錄數(shù)據(jù)，其中該記錄脈沖包括與第一記錄功率對應(yīng)的前端脈沖和緊接于其后并與第二記錄功率對應(yīng)的中間脈沖的組合、以及空白脈沖，所述記錄脈沖在末尾包含冷卻脈沖，所述冷卻脈沖的記錄功率低于所述空白脈沖的記錄功率，在向多層結(jié)構(gòu)的光盤記錄數(shù)據(jù)的情況下，按照每個記錄層來決定所述第二記錄功率相對于所述第一記錄功率的比率，在距光頭最遠的所述光盤的記錄層中，與其他記錄層相比，所述第二記錄功率相對于所述第一記錄功率的比率高。
2. —種光盤記錄裝置，其生成記錄脈沖，并根據(jù)所述記錄脈沖記錄數(shù) 據(jù)，其中該記錄脈沖包括與第一記錄功率對應(yīng)的前端脈沖和緊接于其后并 與第二記錄功率對應(yīng)的中間脈沖的組合、以及空白脈沖，所述記錄脈沖在末尾包含冷卻脈沖，所述冷卻脈沖的記錄功率低于所 述空白脈沖的記錄功率，在向多層結(jié)構(gòu)的光盤記錄數(shù)據(jù)的情況下，按照每個記錄層來設(shè)定所述 第二記錄功率相對于所述第一記錄功率的比率，在距光頭最遠的所述光盤的記錄層中，與其他記錄層相比，所述第二 記錄功率相對于所述第一記錄功率的比率高。
3. —種半導(dǎo)體集成電路，其被裝載在光盤記錄裝置中，該光盤記錄裝 置生成記錄脈沖，并根據(jù)所述記錄脈沖記錄數(shù)據(jù)，其中該記錄脈沖包括與 第一記錄功率對應(yīng)的前端脈沖和緊接于其后并與第二記錄功率對應(yīng)的中 間脈沖的組合、以及空白脈沖，所述記錄脈沖在末尾包含冷卻脈沖，所述冷卻脈沖的記錄功率低于所 述空白脈沖的記錄功率，在向多層結(jié)構(gòu)的光盤記錄數(shù)據(jù)的情況下，按照每個記錄層來設(shè)定所述 第二記錄功率相對于所述第一記錄功率的比率，在距光頭最遠的所述光盤的記錄層中，與其他記錄層相比，所述第二 記錄功率相對于所述第一記錄功率的比率高。
4. 一種光盤，其通過光盤記錄裝置記錄數(shù)據(jù)，該光盤記錄裝置生成記 錄脈沖，并根據(jù)所述記錄脈沖記錄數(shù)據(jù)，其中該記錄脈沖包括與第一記錄 功率對應(yīng)的前端脈沖和緊接于其后并與第二記錄功率對應(yīng)的中間脈沖的 組合、以及空白脈沖，所述記錄脈沖在末尾包含冷卻脈沖，所述冷卻脈沖的記錄功率低于所 述空白脈沖的記錄功率， 該光盤具有 多個記錄層；和記錄有數(shù)據(jù)的區(qū)域，該數(shù)據(jù)表示按照每個所述記錄層設(shè)定的所述第二 記錄功率相對于所述第一記錄功率的比率，在距光頭最遠的記錄層中，與其他記錄層相比，所述第二記錄功率相 對于所述第一記錄功率的比率高。
5. —種再生方法，從通過權(quán)利要求1所述的記錄方法記錄有信息的光 盤，來再生所述信息。
全文摘要
本發(fā)明涉及光盤記錄裝置、向光盤記錄數(shù)據(jù)的方法及光盤。在本發(fā)明的向光盤記錄數(shù)據(jù)的方法中，與長標記對應(yīng)的記錄脈沖包含前端脈沖和緊接于其后的中間脈沖的組合。前端脈沖的電平表示第一記錄功率，中間脈沖的電平表示第二記錄功率。在光盤包含多個記錄層的情況下，按照每個記錄層來決定第二記錄功率相對于第一記錄功率的比率。在記錄速度可變的情況下，按照每個記錄速度來決定第二記錄功率相對于第一記錄功率的比率。
文檔編號G11B7/0045GK101635149SQ200910166628
公開日2010年1月27日 申請日期2006年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月31日
發(fā)明者古宮成 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社