專(zhuān)利名稱(chēng)：在多級(jí)單元閃存裝置中使用的最低有效位頁(yè)恢復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，更具體地講，涉及一種在
多級(jí)單元(MLC)閃存裝置中使用的最低有效位(LSB)頁(yè)恢復(fù)方法，該方法包括設(shè)置LSB頁(yè)組并為L(zhǎng)SB頁(yè)組產(chǎn)生LSB奇偶校驗(yàn)，以使得即使在對(duì)最高有效位(MSB)頁(yè)的編程執(zhí)行期間供電中斷，也容易地恢復(fù)LSB頁(yè)。
背景技術(shù)：
在多級(jí)單元(MLC)閃存中，在一個(gè)單元中對(duì)兩個(gè)或多個(gè)位(bit)進(jìn)行編程。在這些位中，較低的位被稱(chēng)為最低有效位(LSB)，較高的位被稱(chēng)為最高有效位(MSB)。

發(fā)明內(nèi)容
一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例包括一種在多級(jí)單元閃存中使用的最低有效位(LSB )頁(yè)恢復(fù)方法，使得即使在對(duì)最高有效位(MSB)頁(yè)的編程執(zhí)行期間供電中斷時(shí)，也容易地恢復(fù)LSB頁(yè)。
另外的方面在下面的描述中被部分地闡述，并且部分地將從該描述中變得明顯，或者可通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而了解。
為了實(shí)現(xiàn)上述和/或其它方面， 一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可包括在多級(jí)單元閃存(MLC)中使用的最低有效位(LSB)頁(yè)恢復(fù)方法，其中，LSB頁(yè)和最高有效位(MSB)頁(yè)在配對(duì)頁(yè)結(jié)構(gòu)中彼此配對(duì)并且^皮編程或讀耳又，所述方法包括設(shè)置第一至第n LSB頁(yè)組(n是大于2的自然數(shù))，所述LSB頁(yè)組包括MLC閃存中所包括的LSB頁(yè)中的至少兩個(gè)LSB頁(yè)；對(duì)第i LSB頁(yè)組(i是小于n的自然數(shù))中所包括的第一至第x LSB頁(yè)(x是大于2的自然數(shù))進(jìn)行編程；針對(duì)第一至第xLSB頁(yè)產(chǎn)生并存儲(chǔ)第iLSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)；對(duì)與第一至第xLSB頁(yè)中的一個(gè)LSB頁(yè)對(duì)應(yīng)的第一至第xMSB頁(yè)進(jìn)行編程；在第j MSB頁(yè)(j是小于x的自然數(shù))的編程期間，當(dāng)對(duì)MLC閃存的供電中斷時(shí)，使用與第i LSB頁(yè)組對(duì)應(yīng)的第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)恢復(fù)與第j MSB頁(yè)配對(duì)的第j LSB頁(yè)。第i LSB頁(yè)組可位于MLC閃存的塊中的相同塊 中。此外，第i LSB奇偶校^r頁(yè)和第i LSB頁(yè)組可位于MLC閃存的塊中的不 同塊中。
第iLSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)可位于不同于MLC閃存的存儲(chǔ)器中。這里，第iLSB 奇偶校驗(yàn)頁(yè)所在的所述存儲(chǔ)器可以是非易失性存儲(chǔ)器。
當(dāng)靠近第i LSB頁(yè)組的LSB頁(yè)組是第(i+l) LSB頁(yè)組時(shí)，第(i+l) LSB頁(yè) 組可包括第(x+l)LSB頁(yè)至第(2x+l)LSB頁(yè)，其中，第(x+l)頁(yè)最靠近第i LSB 頁(yè)組，第(x+2)LSB頁(yè)至第(2x+l)LSB頁(yè)位于第(x+l)LSB頁(yè)和對(duì)應(yīng)于第(x+l) LSB頁(yè)的第(x+l)MSB頁(yè)之間。
當(dāng)?shù)谝恢恋趚MSB頁(yè)的編程完成時(shí)，所述方法還可包括對(duì)第(i+l)LSB 頁(yè)組中所包括的第(x+l) LSB頁(yè)至第(2x+l) LSB頁(yè)進(jìn)行編程，并針對(duì)第(x+l) LSB頁(yè)至第(2x+l) LSB頁(yè)產(chǎn)生第(i+l) LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)；在與第(x+l) LSB頁(yè) 至第(2x+l)LSB頁(yè)對(duì)應(yīng)的第(x+l)MSB頁(yè)至第(2x+l)MSB頁(yè)的編程期間，當(dāng) 對(duì)MLC閃存的供電中斷時(shí)，使用第(x+l)LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)來(lái)恢復(fù)相應(yīng)的LSB 頁(yè)。
在MLC閃存中的配對(duì)頁(yè)結(jié)構(gòu)中，任意LSB頁(yè)可與這樣的MSB頁(yè)配對(duì) 所述MSB頁(yè)與所述任意LSB頁(yè)相隔四頁(yè)。此外，在MLC閃存中的配對(duì)頁(yè)結(jié) 構(gòu)中，當(dāng)任意LSB頁(yè)是LSB頁(yè)中的最前兩個(gè)LSB頁(yè)和最后兩個(gè)LSB頁(yè)時(shí)， 所述任意LSB頁(yè)可與這樣的MSB頁(yè)配對(duì)所述MSB頁(yè)與所述任意LSB頁(yè) 相隔四頁(yè)；當(dāng)任意LSB頁(yè)不是LSB頁(yè)中的最前兩個(gè)LSB頁(yè)和最后兩個(gè)LSB 頁(yè)時(shí)，所述任意LSB頁(yè)可與這樣的MSB頁(yè)配對(duì)所述MSB頁(yè)與所述任意 LSB頁(yè)相隔六頁(yè)。
所述MLC閃存可以是2位MLC閃存。這里，可通過(guò)對(duì)第一至第x LSB 頁(yè)執(zhí)行異或(XOR)運(yùn)算來(lái)產(chǎn)生第iLSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)。此外，在恢復(fù)第jLSB 頁(yè)的步驟中，可對(duì)第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)和第一至第x LSB頁(yè)中除第j LSB頁(yè) 之外的第一至第xLSB頁(yè)執(zhí)行XOR運(yùn)算。
所述MLC閃存可以是n位MLC閃存(n是3或更大的自然數(shù))。這里， 第iLSB頁(yè)組可包括子LSB頁(yè)組，所述子LSB頁(yè)組包括第一至第xLSB頁(yè)中 的至少兩個(gè)LSB頁(yè)，子LSB頁(yè)組的數(shù)量對(duì)應(yīng)于n。
此外，可針對(duì)每一子LSB頁(yè)組產(chǎn)生第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)。
可通過(guò)對(duì)相應(yīng)的子LSB頁(yè)組中所包括的LSB頁(yè)執(zhí)行XOR運(yùn)算來(lái)產(chǎn)生第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)。在恢復(fù)第j LSB頁(yè)的步驟中，可對(duì)相應(yīng)的第i LSB奇偶校 驗(yàn)頁(yè)和LSB頁(yè)執(zhí)行XOR運(yùn)算，所述第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)與包括第j LSB頁(yè)的 子LSB頁(yè)組對(duì)應(yīng)，所述LSB頁(yè)不包括包含第j LSB頁(yè)的子LSB頁(yè)組中的LSB 頁(yè)中的第jLSB頁(yè)。
所述MLC閃存可以是NAND閃存。
為了實(shí)現(xiàn)上述和/或其它方面， 一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例包括一種MLC閃存裝 置中使用的編程方法，其中，LSB頁(yè)和MSB頁(yè)在配對(duì)頁(yè)結(jié)構(gòu)中彼此配對(duì)并 且被編程或讀取，所述方法包括設(shè)置第一至第n LSB頁(yè)組(n是大于2的 自然數(shù))，所述LSB頁(yè)組包括MLC閃存中所包括的LSB頁(yè)中的至少兩個(gè)LSB 頁(yè)；對(duì)第i LSB頁(yè)組(i是小于n的自然數(shù))中所包括的第 一至第x LSB頁(yè)(x 是大于2的自然數(shù))進(jìn)行編程；針對(duì)第一至第x LSB頁(yè)產(chǎn)生并存儲(chǔ)第i LSB 奇偶校驗(yàn)頁(yè)；對(duì)與第一至第xLSB頁(yè)中的一個(gè)LSB頁(yè)對(duì)應(yīng)的第一至第xMSB 頁(yè)進(jìn)行編程；在第j MSB頁(yè)(j是小于x的自然數(shù))的編程期間，當(dāng)對(duì)MLC 閃存的供電中斷時(shí)，使用與第i LSB頁(yè)組對(duì)應(yīng)的第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)恢復(fù)與 第j MSB頁(yè)配對(duì)的第j LSB頁(yè)。


通過(guò)下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述，這些和/或其他方面將變得明顯并更
容易理解，其中
圖1示出在2位多級(jí)單元(MLC)閃存中的單元閾值電壓分布；
圖2A和圖2B示出在2位MLC閃存(例如，圖1的2位MLC閃存)
中的編程處理；
圖3示意性地示出在2位MLC閃存(例如圖1的2位MLC閃存)中的 最低有效位(LSB)頁(yè)和最高有效位(MSB)頁(yè)之間的"配對(duì)頁(yè)"； 圖4示出"配對(duì)頁(yè)"(例如圖3的"配對(duì)頁(yè)")的示例； 圖5示出"配對(duì)頁(yè)，，(例如圖4的"配對(duì)頁(yè)")中的LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)的位
置；
圖6示出"配^f頁(yè)"(例如圖3的"配對(duì)頁(yè)")的另一示例；
圖7示出"配對(duì)頁(yè)，，(例如圖6的"配對(duì)頁(yè)")中的LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)的位
置；
圖8示出位于不同塊中的LSB奇偶沖交-險(xiǎn)頁(yè)和LSB頁(yè)；圖9示出位于不同存儲(chǔ)器中的LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)和LSB頁(yè)；
圖10示出3位MLC閃存中的LSB頁(yè)和MSB頁(yè)之間的"配對(duì)頁(yè)"；
圖11示出"配對(duì)頁(yè)"(例如圖10的"配對(duì)頁(yè)")中的LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)的位置。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)說(shuō)明實(shí)施例，其示例示出于附圖中，在附圖中，相同的標(biāo)號(hào) 始終表示相同的部件。在這一方面，這些實(shí)施例可具有不同的形式，不應(yīng)被 解釋為限于這里所闡述的描述。因此，下面僅參照附圖描述實(shí)施例以解釋本 發(fā)明的各方面。
在多級(jí)單元(MLC)閃存中，在一個(gè)單元中對(duì)兩位(或多于兩位)進(jìn)行 編程。在這些位中，較低的位被稱(chēng)為最低有效位(LSB)，較高的位被稱(chēng)為最 高有效位(MSB)。 LSB和MSB均位于單元陣列上的相同字線(xiàn)(wordline ) 中所包括的相同單元中。然而，由于LSB和MSB形成兩個(gè)不同的頁(yè)，所以 通過(guò)LSB和MSB各自的頁(yè)地址來(lái)分別對(duì)LSB和MSB進(jìn)行編程。
LSB頁(yè)用于記錄或讀取較低位，MSB頁(yè)用于記錄或讀取較高位。 一個(gè)或 多個(gè)實(shí)施例可應(yīng)用于MLC閃存，該MLC閃存包括以?xún)晌换蚋辔贿M(jìn)行編程 的單元。然而，為了描述方便，以下描述MLC閃存中的一個(gè)單元表示兩個(gè)位 值的情形。另外，下面描述的閃存可以是NAND閃存。
圖1示出2位MLC閃存中的單元閾值電壓分布。
參照?qǐng)D1，才艮據(jù)單元閾值電壓的強(qiáng)度，2位MLC閃存中的每一存儲(chǔ)單元 表示"11"、 "10"、 "00"和"01"中的任一值。這樣，當(dāng)2位MLC閃存表示 兩位時(shí)，需要至少兩個(gè)編程處理。
圖2A和圖2B示出2位MLC閃存中的編程處理。
參照?qǐng)D2A，被初始化為"11"(①)的存儲(chǔ)單元的LSB T被編程為"0" (②)，因此，編程后的存儲(chǔ)單元的值為"10"。然后，如圖2B中所示，被初 始化為"11"(①)的存儲(chǔ)單元的MSB被編程為"0"(②)，因而，編程后的 存儲(chǔ)單元的值為"01"。此外，被編程為"10"(①)的存儲(chǔ)單元的MSB被編 程為"0"(②)，因而，編程后的存儲(chǔ)單元的值為"00"。
這樣，可通過(guò)例如圖3中所示的"配對(duì)頁(yè)"將編程為不同頁(yè)的LSB和 MSB連接。圖3示意性地示出2位MLC閃存中的LSB頁(yè)和MSB頁(yè)之間的"配對(duì)頁(yè)"。
圖4是"配對(duì)頁(yè)"(例如圖3的"配對(duì)頁(yè)")的示例。
參照?qǐng)D3和圖4，在圖3的"配對(duì)頁(yè)"中，最前兩個(gè)LSB頁(yè)0和1以及 最后兩個(gè)LSB頁(yè)(未示出)可與這樣的MSB頁(yè)配對(duì)所述MSB頁(yè)與LSB
頁(yè)相隔四頁(yè)。其余LSB頁(yè)2、 3、 6、 7......可與這樣的MSB頁(yè)配對(duì)所述
MSB頁(yè)與LSB頁(yè)相隔六頁(yè)。例如，LSB頁(yè)"0"可與MSB頁(yè)"4"配對(duì)，LSB 頁(yè)"2"可與MSB頁(yè)"8"配對(duì)。
圖5示出"配對(duì)頁(yè)，，(例如圖4的"配對(duì)頁(yè)")中的LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)的位置。
參照?qǐng)D5，假設(shè)彼此相鄰的任意數(shù)量的LSB頁(yè)被稱(chēng)為L(zhǎng)SB頁(yè)組。這里， 第二 LSB頁(yè)組LPG2由LSB頁(yè)"F"以及LSB頁(yè)"G"和"J"形成，其中 LSB頁(yè)"F"最靠近第一 LSB頁(yè)組LPGl， LSB頁(yè)"G"和"J"存在于LSB 頁(yè)"F"和與LSB頁(yè)"F"配對(duì)的MSB頁(yè)"K"之間。
針對(duì)每一LSB頁(yè)組中所包括的LSB頁(yè)存在LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)。例如，針 對(duì)第一LSB頁(yè)組LPG1中所包括的三個(gè)LSB頁(yè)"A"、 "B"和"C"存在LSB 奇偶校驗(yàn)頁(yè)"PAR1"。這里，可利用產(chǎn)生奇偶校驗(yàn)的方法(獨(dú)立/廉價(jià)冗余盤(pán) 陣列(RAID )技術(shù))中所使用的信息產(chǎn)生方法來(lái)實(shí)現(xiàn)LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)"PARI", 其中，針對(duì)三個(gè)LSB頁(yè)"A"、 "B"和"C"產(chǎn)生所述奇偶校驗(yàn)。
以下，為了描述方便，僅描述LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)"PARl"執(zhí)行異或(XOR) 運(yùn)算并產(chǎn)生三個(gè)LSB頁(yè)"A"、 "B"和"C"的情形。例如，關(guān)于分別被編程 為"0"、 T和T的LSB頁(yè)"A"、 "B"和"C"， LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)"PARI" 針對(duì)"0"、 T和T依次執(zhí)行XOR運(yùn)算，并且可具有值"0"。
在圖5中，在對(duì)MSB頁(yè)"D"編程期間供電突然中斷。在這種情況下， 與MSB頁(yè)"D"對(duì)應(yīng)的LSB頁(yè)"A"的編程狀態(tài)不能被保證。在2位MLC 閃存中，彼此相關(guān)的LSB頁(yè)和MSB頁(yè)共享相同的字線(xiàn)，從而如果MSB頁(yè)的 編程由于突然斷電而沒(méi)有正確地完成，那么LSB的編程狀態(tài)不能保證。
例如，在LSB "1" -陂編程以成為"01"然后MSB "0" 一皮編程的同時(shí)， 當(dāng)供電中斷時(shí)，被編程為'T，的LSB頁(yè)的單元電位可能改變。在這種情況 下，LSB可能被識(shí)別為"O，，,而非T。
在根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的2位MLC閃存中，參考LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)并恢復(fù)LSB頁(yè)。在MSB頁(yè)"D，，的編程期間供電中斷時(shí)，依次對(duì)LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)"PARI" 以及LSB頁(yè) "B"和"C"執(zhí)行XOR運(yùn)算，然后可恢復(fù)LSB頁(yè)"A"。例如， 使用通過(guò)對(duì)值為"0"的LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)"PARI"和值為"1"的LSB頁(yè)"C" 執(zhí)行XOR運(yùn)算獲得的值"1"，并且使用通過(guò)對(duì)值為"1"的LSB頁(yè)"B"執(zhí) 行XOR運(yùn)算獲得的值"0",可恢復(fù)LSB頁(yè)"A"。
這樣，即使在MSB頁(yè)的編程期間供電中斷，根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的2 位MLC閃存裝置也可容易地恢復(fù)LSB頁(yè)。
圖6示出例如圖3的"配對(duì)頁(yè)"的另一示例。
參照?qǐng)D3和圖6，與圖4不同，在圖6中，所有LSB頁(yè)可與這樣的MSB 頁(yè)配對(duì)所述MSB頁(yè)與LSB頁(yè)相隔四頁(yè)。例如，LSB頁(yè)"0"可與MSB頁(yè) "4"配對(duì)，LSB頁(yè)"2"可與MSB頁(yè)"6"配對(duì)。
圖7示出"配對(duì)頁(yè)，，(例如圖6的"配對(duì)頁(yè)")中的LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)的位置。
參照?qǐng)D7,針對(duì)第一 LSB頁(yè)組LPG1中所包括的LSB頁(yè)"A"、 "B"和 "C"存在LSB奇偶4交驗(yàn)頁(yè)"PARI",針對(duì)第二 LSB頁(yè)組LPG2中所包括的 LSB頁(yè)"H"、 T和"J"存在LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)"PAR2"。除了 LSB頁(yè)組的 配置之外，圖7的配置與圖5的配置相似，因此省略其詳細(xì)描述。
在參照?qǐng)D5和圖7描述的2位MLC閃存中，LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)與LSB頁(yè) 位于相同的塊中；然而， 一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例不限于此，如圖8中所示，LSB 奇偶校驗(yàn)頁(yè)P(yáng)ARI 、 PAR2 、 PAR3等可位于塊BLKj中，塊BLKj不同于LSB 頁(yè)A、 B、 C等所在的塊BLKi,其中i和j是自然數(shù)。
此外，如圖9所示，LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)P(yáng)ARx可位于存儲(chǔ)器NVRAM中， 該存儲(chǔ)器NVRAM不同于LSB頁(yè)A、 B、 C等所在的存儲(chǔ)器FM中，其中x 是自然數(shù)。具體地講，由于LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)被存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中，所 以可減小LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)所占用的存儲(chǔ)容量。
當(dāng)與任意LSB頁(yè)組對(duì)應(yīng)的MSB頁(yè)的編程沒(méi)有正確地完成時(shí)，用于相應(yīng) 的LSB頁(yè)組的LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)是不起作用的。然而，在非易失性存儲(chǔ)器中， 提供現(xiàn)場(chǎng)更新功能，以使得可在存儲(chǔ)LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)的位置上恢復(fù)新的LSB 奇偶校驗(yàn)頁(yè)。
如上所述，已描述了在2位MLC閃存中使用的LSB頁(yè)恢復(fù)方法。以下， 將描述在3位MLC閃存中使用的LSB頁(yè)恢復(fù)方法。圖10示出在3位MLC閃存中的LSB頁(yè)和MSB頁(yè)之間的"配對(duì)頁(yè)"。 參照?qǐng)D10， LSB頁(yè)"0"和"4"與MSB頁(yè)"8"配對(duì)，LSB頁(yè)T和 "5"與MSB頁(yè)"9"配對(duì)。其余LSB頁(yè)以相同的方式與其余MSB頁(yè)配對(duì)，
從而表示3位的單元值。
圖11示出"配對(duì)頁(yè)"(例如圖10的"配對(duì)頁(yè)")中的LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)的位置。
參照?qǐng)D11，針對(duì)LSB頁(yè)組存在LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)，像圖5中一樣。然而， 在3位MLC閃存中，LSB是兩位，從而需要與每一位對(duì)應(yīng)的LSB頁(yè)組。例 如，如圖ll所示，針對(duì)LSB的一位，存在第十一LSB頁(yè)組LPGll和第十二 LSB頁(yè)組LPG12。
這里，針對(duì)LSB的每一位存在LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)。可針對(duì)第十一LSB頁(yè) 組LPG11存在第十一 LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)P(yáng)AR11,針對(duì)第十二 LSB頁(yè)組LPG12 存在第十二 LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)P(yáng)AR12。
當(dāng)?shù)谑籐SB頁(yè)組LPGll中所包括的LSB頁(yè)"A"、 "B"和"C"的編 程完成時(shí)，在第十二 LSB頁(yè)組LPG12中所包括的LSB頁(yè)"D"的編程期間 對(duì)3位MLC閃存的供電中斷時(shí)，可通過(guò)參照?qǐng)D5所描述的方法來(lái)恢復(fù)LSB 頁(yè)"A"。即，依次對(duì)第十一LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)P(yáng)AR11以及LSB頁(yè)"C，，和"B，， 執(zhí)行XOR運(yùn)算，從而可恢復(fù)LSB頁(yè)"A"。
類(lèi)似地，當(dāng)?shù)谑﨤SB頁(yè)組LPG中所包括的LSB頁(yè)"D"、 "E"和"F" 的編程完成時(shí)，在MSB頁(yè)"G"的編程期間供電中斷時(shí)，通過(guò)上述方法恢復(fù) LSB頁(yè)"A",并且依次對(duì)第十二 LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)P(yáng)AR12以及LSB頁(yè)"F" 和"E，，執(zhí)行XOR運(yùn)算，從而恢復(fù)LSB頁(yè)"D"。
如上所述，才艮據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的LSB恢復(fù)方法還可應(yīng)用于包括以3 位或多于3位進(jìn)行編程的單元的MLC閃存。
如上所述，才艮據(jù)上面的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，即使在MSB頁(yè)的編程期間 供電中斷，也可容易地恢復(fù)LSB頁(yè)。
除了上述實(shí)施例之外， 一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例還可通過(guò)介質(zhì)(例如，計(jì)算機(jī) 可讀介質(zhì))中/上的計(jì)算機(jī)可讀代碼/指令來(lái)實(shí)現(xiàn)，以控制至少一個(gè)處理元件實(shí) 現(xiàn)上面描述的任何實(shí)施例。所述介質(zhì)可對(duì)應(yīng)于允許計(jì)算機(jī)可讀代碼的存儲(chǔ)或 傳輸?shù)娜魏谓橘|(zhì)。
計(jì)算機(jī)可讀代碼可以以各種方式在介質(zhì)上存儲(chǔ)/傳送，介質(zhì)的例子包括記錄介質(zhì)，如;茲存儲(chǔ)介質(zhì)(例如，ROM、軟盤(pán)、硬盤(pán)等)和光學(xué)記錄介質(zhì)(例 如，CD-ROM或DVD )以及傳輸介質(zhì)。因此，所述介質(zhì)可以是這樣定義的包 括或攜帶信號(hào)或信息的可測(cè)量結(jié)構(gòu)，如攜帶例如才艮據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的比 特流的裝置。所述介質(zhì)還可以是分布式網(wǎng)絡(luò)，以使得計(jì)算機(jī)可讀代碼以分布 式方式存儲(chǔ)/傳送和執(zhí)行。另外，僅作為示例，所述處理元件可包括處理器或 計(jì)算機(jī)處理器，處理元件可分布于和/或包括于單個(gè)裝置中。
盡管已經(jīng)顯示和描述了若干實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在 不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行改變，本發(fā)明的 范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1、一種多級(jí)單元MLC閃存中使用的最低有效位LSB頁(yè)恢復(fù)方法，其中，LSB頁(yè)和最高有效位MSB頁(yè)在配對(duì)頁(yè)結(jié)構(gòu)中彼此配對(duì)并且被編程或讀取，所述方法包括設(shè)置第一至第n LSB頁(yè)組，所述LSB頁(yè)組包括MLC閃存中所包括的LSB頁(yè)中的至少兩個(gè)LSB頁(yè)，其中，n是大于2的自然數(shù)；對(duì)第i LSB頁(yè)組中所包括的第一至第x LSB頁(yè)進(jìn)行編程，其中，x是大于2的自然數(shù)，i是小于n的自然數(shù)；針對(duì)第一至第x LSB頁(yè)產(chǎn)生并存儲(chǔ)第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)；對(duì)與第一至第x LSB頁(yè)中的一個(gè)LSB頁(yè)對(duì)應(yīng)的第一至第x MSB頁(yè)進(jìn)行編程；在第j MSB頁(yè)的編程期間，當(dāng)對(duì)MLC閃存的供電中斷時(shí)，使用與第i LSB頁(yè)組對(duì)應(yīng)的第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)恢復(fù)與第j MSB頁(yè)配對(duì)的第j LSB頁(yè)，其中，j是小于x的自然數(shù)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)和第i LSB頁(yè)組位于MLC閃存的塊中的相同塊中。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)和第i LSB頁(yè)組位于MLC閃存的塊中的不同塊中。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，第iLSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)位于不同于MLC閃存的存儲(chǔ)器中。
5、 才艮據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，第iLSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)所在的所述存儲(chǔ)器是非易失性存儲(chǔ)器。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，當(dāng)靠近第i LSB頁(yè)組的LSB頁(yè)組是第(i+l) LSB頁(yè)組時(shí)，第(i+l) LSB頁(yè)組包括第(x+l) LSB頁(yè)至第(2x+l) LSB頁(yè)，其中，第(x+l)頁(yè)最靠近第i LSB頁(yè)組，第(x+2) LSB頁(yè)至第(2x+l) LSB頁(yè)位于第(x+l)LSB頁(yè)和對(duì)應(yīng)于第(x+l)LSB頁(yè)的第(x+l)MSB頁(yè)之間。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括當(dāng)?shù)谝恢恋趚 MSB頁(yè)的編程完成時(shí)，對(duì)第(i+l) LSB頁(yè)組中所包括的第(x+l) LSB頁(yè)至第(2x+l) LSB頁(yè)進(jìn)行編程，并針對(duì)第(x+l) LSB頁(yè)至第(2x+l)LSB頁(yè)產(chǎn)生第(i+l)LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)；在與第(x+l)LSB頁(yè)至第(2x+l)LSB頁(yè)對(duì)應(yīng)的第(x+l)MSB頁(yè)至第(2x+l)MSB頁(yè)的編程期間，當(dāng)對(duì)MLC閃存的供電中斷時(shí)，使用第(x+l)LSB奇偶校馬全頁(yè)來(lái)恢復(fù)相應(yīng)的LSB頁(yè)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在MLC閃存中的配對(duì)頁(yè)結(jié)構(gòu)中，任意LSB頁(yè)與這樣的MSB頁(yè)配對(duì)所述MSB頁(yè)與所述任意LSB頁(yè)相隔四頁(yè)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在MLC閃存中的配對(duì)頁(yè)結(jié)構(gòu)中，當(dāng)任意LSB頁(yè)是LSB頁(yè)中的最前兩個(gè)LSB頁(yè)和最后兩個(gè)LSB頁(yè)時(shí)，所述任意LSB頁(yè)與這樣的MSB頁(yè)配對(duì)所述MSB頁(yè)與所述任意LSB頁(yè)相隔四頁(yè)；當(dāng)任意LSB頁(yè)不是LSB頁(yè)中的最前兩個(gè)LSB頁(yè)和最后兩個(gè)LSB頁(yè)時(shí)，所述任意LSB頁(yè)與這樣的MSB頁(yè)配對(duì)所述MSB頁(yè)與所述任意LSB頁(yè)相隔六頁(yè)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述MLC閃存是2位MLC閃存。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中，通過(guò)對(duì)第一至第xLSB頁(yè)執(zhí)行異或運(yùn)算來(lái)產(chǎn)生第iLSB奇偶校^r頁(yè)。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，在恢復(fù)第jLSB頁(yè)的步驟中， 對(duì)第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)和第一至第x LSB頁(yè)中除第j LSB頁(yè)之外的第一至第xLSB頁(yè)執(zhí)行異或運(yùn)算。
13、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述MLC閃存是n位MLC閃存，其中，n是3或更大的自然數(shù)。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，第i LSB頁(yè)組包括子LSB頁(yè)組，所述子LSB頁(yè)組包括第一至第x LSB頁(yè)中的至少兩個(gè)LSB頁(yè)，子LSB頁(yè)組的數(shù)量對(duì)應(yīng)于n。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，針對(duì)每一子LSB頁(yè)組產(chǎn)生第iLSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，通過(guò)對(duì)相應(yīng)的子LSB頁(yè)組中所包括的至少兩個(gè)LSB頁(yè)執(zhí)行異或運(yùn)算來(lái)產(chǎn)生第iLSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在恢復(fù)第jLSB頁(yè)的步驟中，對(duì)相應(yīng)的第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)和LSB頁(yè)執(zhí)行異或運(yùn)算，所述相應(yīng)的第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)與包括第j LSB頁(yè)的子LSB頁(yè)組對(duì)應(yīng)，所述LSB頁(yè)不包括包含第jLSB頁(yè)的子LSB頁(yè)組中的LSB頁(yè)中的第jLSB頁(yè)。
18、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述MLC閃存是NAND閃存。
19、 一種多級(jí)單元MLC閃存裝置中使用的編程方法，其中，最低有效所述方法包括設(shè)置第 一至第n LSB頁(yè)組，所述LSB頁(yè)組包括MLC閃存中所包括的LSB頁(yè)中的至少兩個(gè)LSB頁(yè)，其中，n是大于2的自然數(shù)；對(duì)第i LSB頁(yè)組中所包括的第一至第x LSB頁(yè)進(jìn)行編程，其中，x是大于2的自然數(shù)，i是小于n的自然數(shù)；針對(duì)第一至第xLSB頁(yè)產(chǎn)生并存儲(chǔ)第iLSB奇偶校-驗(yàn)頁(yè)；對(duì)與第一至第x LSB頁(yè)中的一個(gè)LSB頁(yè)對(duì)應(yīng)的第一至第x MSB頁(yè)進(jìn)行編程；在第j MSB頁(yè)的編程期間，當(dāng)對(duì)MLC閃存的供電中斷時(shí)，使用與第i LSB頁(yè)組對(duì)應(yīng)的第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)恢復(fù)與第j MSB頁(yè)配對(duì)的第j LSB頁(yè)，其中，j是小于x的自然數(shù)。
20、 一種使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的最低有效位LSB頁(yè)恢復(fù)方法的多級(jí)單元MLC閃存裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在多級(jí)單元(MLC)閃存裝置中使用的最低有效位(LSB)頁(yè)恢復(fù)方法。所述方法包括設(shè)置第一至第n LSB頁(yè)組(n是大于2的自然數(shù))，所述LSB頁(yè)組包括MLC閃存中所包括的LSB頁(yè)中的至少兩個(gè)LSB頁(yè)；對(duì)第i LSB頁(yè)組(i是小于n的自然數(shù))中所包括的第一至第x LSB頁(yè)(x是大于2的自然數(shù))進(jìn)行編程；針對(duì)第一至第x LSB頁(yè)產(chǎn)生并存儲(chǔ)第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)；對(duì)與第一至第x LSB頁(yè)中的一個(gè)LSB頁(yè)對(duì)應(yīng)的第一至第x MSB頁(yè)進(jìn)行編程；在第j MSB頁(yè)(j是小于x的自然數(shù))的編程期間，當(dāng)對(duì)MLC閃存的供電中斷時(shí)，使用與第i LSB頁(yè)組對(duì)應(yīng)的第i LSB奇偶校驗(yàn)頁(yè)恢復(fù)與第j MSB頁(yè)配對(duì)的第j LSB頁(yè)。
文檔編號(hào)G11C16/10GK101685672SQ20091017628
公開(kāi)日2010年3月31日 申請(qǐng)日期2009年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月22日
發(fā)明者安成晙, 樸景民 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社