專利名稱：光學(xué)元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在DVD(注冊(cè)商標(biāo))、藍(lán)光光盤(注冊(cè)商標(biāo))的記錄(錄音、錄像)或重 放用裝置中使用的光學(xué)元件。具體地，本發(fā)明涉及元件表面層疊有氧化隔斷膜以防止與氧 反應(yīng)的光學(xué)元件。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，已知有，例如日本特開(kāi)JP2004-197067號(hào)公報(bào)等所示，通過(guò)在制造諸 如波長(zhǎng)板、偏振板、棱鏡、反射鏡、物鏡等光學(xué)元件的過(guò)程中添加防氧化劑來(lái)制造防氧化的 光學(xué)元件。 對(duì)于用藍(lán)光光盤錄音、錄像等記錄用的特定的短波長(zhǎng)的光例如390nm 420nm等 的光，波長(zhǎng)板、偏振板、棱鏡、反射鏡、物鏡等光學(xué)元件由于受到光的照射而白濁化并劣化。 因此，不能用于錄音、錄像等記錄中。 在日本特開(kāi)JP2004-197067號(hào)公報(bào)中，在元件內(nèi)部添加了防氧化劑。但是，因?yàn)樵?元件表面沒(méi)有稠密配置防氧化劑的化合物，所以可能因例如390nm 420nm等短波長(zhǎng)的光 的長(zhǎng)時(shí)間照射而仍然劣化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種即使受到上述那樣的特定的短波長(zhǎng)的光長(zhǎng)時(shí)間照射 也難以發(fā)生白濁化和劣化的光學(xué)元件。 作為本發(fā)明的解決方案的例子，有如權(quán)利要求1 3記載的光學(xué)元件。
本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)，由如上所述的特定的短波長(zhǎng)的光的照射而導(dǎo)致的光學(xué)元件的白 濁化及劣化，是由于光的照射而使元件與空氣中的氧分子反應(yīng)，發(fā)生化學(xué)變化而引起的。并 且還發(fā)現(xiàn)，通過(guò)防止光學(xué)元件表面與氧接觸，可以大幅改善光學(xué)元件的白濁化及劣化。
因此，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)中，對(duì)在DVD、藍(lán)光光盤等中記錄、重放用裝置中使 用的光學(xué)元件進(jìn)行改良，在元件的最外層層疊具有氧隔斷性的膜。具體地，將具有氧隔斷性 的膜層疊(或涂敷)在元件的表面、和/或背面、和/或側(cè)面。 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形態(tài)中，提供一種波長(zhǎng)板、偏振板、棱鏡、反射鏡、物鏡等的 光學(xué)元件，是在藍(lán)光光盤裝置中使用的光學(xué)元件中，在元件的最外層層疊有具有隔斷氧的 性質(zhì)的膜，即使在例如390nm 420nm等的短波長(zhǎng)的藍(lán)光的激光中也不會(huì)白濁化及劣化，能 夠用于重放、錄音、錄像等的記錄。 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形態(tài)中，在用于藍(lán)光光盤裝置的光學(xué)元件的表面、背面、側(cè) 面中的至少1個(gè)面(優(yōu)選所有的面)上層疊(或涂敷)具有隔斷氧的性質(zhì)的膜。采用這種 方式，即使在例如390nm 420nm等的短波長(zhǎng)的藍(lán)光的激光中光學(xué)元件也不會(huì)白濁化及劣 化，能夠在重放、錄音、錄像等的記錄中使用。 如果說(shuō)明具有隔斷氧的性質(zhì)的膜的優(yōu)選例子，最佳的例子是，通過(guò)例如采用真空 蒸鍍層疊Si02等的金屬氧化物(氧阻止層)而形成的膜，或者通過(guò)以濕法(溶液涂敷)涂敷S叫+氟(氧阻止層)而形成的膜。此外，并不僅限于S叫，也可以層疊SiON、Si+DLC、氮化硅(SiF4)等的金屬氧化物。 作為層疊方法，除了真空蒸鍍、溶液涂敷法(浸漬法)之外，還可以采用濺射法、旋涂法等的方法。 本發(fā)明的光學(xué)元件優(yōu)選為波長(zhǎng)板、偏振板、棱鏡、反射鏡、物鏡。
具體實(shí)施例方式
說(shuō)明本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例的光學(xué)元件。 通過(guò)對(duì)例如波長(zhǎng)板的包含透過(guò)藍(lán)光激光的區(qū)域(有效直徑約3mm左右)的整個(gè)表面及背面進(jìn)行蒸鍍，層疊Si(^等的金屬氧化物(氧阻止層)。同樣地，也可以在例如波長(zhǎng)板的整個(gè)側(cè)面上也蒸鍍，層疊Si02等的金屬氧化物(氧阻止層)。 或者，在波長(zhǎng)板的透過(guò)藍(lán)光激光的范圍中以濕法(溶液涂敷)形成Si(^+氟的涂層(氧阻止層)。分析的結(jié)果確認(rèn)了，通過(guò)這些處理，元件表面的氧透過(guò)率與未處理過(guò)時(shí)相比，能減少到0.4%左右。 當(dāng)然，并不僅限于Si(^，層疊SiON、Si+DLC(類金剛石碳)、氮化硅(SiF4)等的金屬氧化物，也可以得到同樣的效果。 在采用溶液涂敷法時(shí)，作為涂敷膜種類，還可以采用氟樹(shù)脂、氯乙烯、偏二氯乙烯
樹(shù)脂、偏二氟乙烯樹(shù)脂、丙烯樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂等。 波長(zhǎng)板等的光學(xué)元件為有機(jī)化合物，可以使用環(huán)烯系聚合物的ARTON(注冊(cè)商標(biāo)，
7 -卜> JSR制造)、ZEONOR(注冊(cè)商標(biāo)，七才乂 7 、日本七才 >制造)、環(huán)烯聚合物(COC)即
7《A (注冊(cè)商標(biāo)，三井化學(xué)制造)等，另外，也可以采用其他的環(huán)烯系聚合物、聚碳酸酯、
聚乙烯醇、或三乙酰纖維素等。 對(duì)本發(fā)明的光學(xué)元件實(shí)施了表征其性能提高的耐光性試驗(yàn)。
該試驗(yàn)的光學(xué)特性(透射波面像差)數(shù)據(jù)如表1所示。
表1[數(shù)據(jù)l](入rms)
累積光量狄理樣品處理才f 口
微l微2微3
輛射0馬0.0040.0040細(xì)
1Wh/mm20.0230.004丄丄
3 Wh/mm2t 劣化0.005丄
6Wh/mm20.005i
16Wh/mm20.005
判定ooo
4
未處理的樣品在累積光量lWh/mm2的光照射下透射波面像差的值大幅變化，確認(rèn)劣化。 處理過(guò)的樣品雖然進(jìn)行了多次試驗(yàn)，但即使直至照射累積光量l、3、6、16Wh/mm2時(shí)也無(wú)像差變化，沒(méi)有確認(rèn)到劣化。另外，照射的波長(zhǎng)為藍(lán)光光盤中使用的波長(zhǎng)405nm。此外，也可以為390nm 420nm的范圍中的任意波長(zhǎng)。 由表1數(shù)據(jù)也可看出，未處理(累積光量lWh/mm2)的樣品由于劣化而不可使用
(X)。處理過(guò)(直至累積光量16Wh/mm2)的樣品沒(méi)有劣化，可使用(〇)。 由這些比較結(jié)果可見(jiàn)，可以說(shuō)光學(xué)元件的耐光性改善了 IO倍以上。 根據(jù)以上的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以確認(rèn)，通過(guò)在藍(lán)光光盤裝置中使用的光學(xué)元件中，在光
學(xué)元件的表面、背面、側(cè)面層疊(或涂敷)具有隔斷氧的性質(zhì)的膜，即使是在例如390nm
420nm等的短波長(zhǎng)的藍(lán)光的激光中，光學(xué)元件也不會(huì)白濁化及劣化，能夠用于重放、錄音、錄
像等的記錄中。 另外，現(xiàn)有技術(shù)中，從對(duì)于短波長(zhǎng)激光的耐久性的問(wèn)題考慮，使用水晶、玻璃等的無(wú)初材料作為藍(lán)光用光學(xué)元件，但根據(jù)本發(fā)明，還可以采用樹(shù)脂材料作為光學(xué)元件材料。即，能夠?qū)⒖蛇m用于藍(lán)光等的短波長(zhǎng)激光的光學(xué)元件材料從無(wú)機(jī)材料轉(zhuǎn)變成樹(shù)脂材料，可以大幅降低記錄、重放裝置的制造成本。
權(quán)利要求
一種光學(xué)元件，是在記錄或重放用裝置中使用的光學(xué)元件，其特征在于，為防止元件表面與氧反應(yīng)，在元件的最外層層疊有具有隔斷氧的性質(zhì)的膜。
2. 如權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于，在元件的表面、背面、以及側(cè)面的至少 一個(gè)面上層疊有具有隔斷氧的性質(zhì)的膜。
3. 如權(quán)利要求1或2所述光學(xué)元件，其特征在于，光學(xué)元件為波長(zhǎng)板、偏振板、棱鏡、反 射鏡或物鏡。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在記錄、重放用裝置中使用的光學(xué)元件，為防止元件表面與氧反應(yīng)，在元件的最外層層疊(或涂敷)具有隔斷氧的性質(zhì)的膜。具有隔斷氧的性質(zhì)的膜被層疊(或涂敷)在元件的表面、背面、側(cè)面的至少一個(gè)面上。光學(xué)元件是波長(zhǎng)板、偏振板、棱鏡、反射鏡或物鏡。
文檔編號(hào)G11B7/135GK101726766SQ20091021167
公開(kāi)日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2009年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月31日
發(fā)明者中田達(dá)也, 齋藤孝朗, 田中伸樹(shù), 高橋崇 申請(qǐng)人:拓普康株式會(huì)社