專利名稱：信息存儲裝置及其操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
—個或多個示例性實施例涉及信息存儲裝置及其操作方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)切斷電源時保留記錄的信息的傳統(tǒng)非易失性信息存儲裝置包括硬盤驅(qū)動器 (HDD)、非易失性隨機存取存儲器(RAM)等。 通常，傳統(tǒng)HDD可能由于包括在HDD中的旋轉(zhuǎn)機械裝置而磨損，并且可能遭受運轉(zhuǎn) 故障，從而降低可靠性。同時，傳統(tǒng)非易失性RAM的示例是閃存。雖然閃存不使用旋轉(zhuǎn)機械 裝置，但是與HDD相比，閃存具有低的讀取和寫入速度、短的壽命以及小的存儲容量。此外， 閃存具有相對高的制造成本。 為了避免非易失性信息存儲裝置的這些特性，當(dāng)前正在研究和開發(fā)使用磁疇壁移 動的新型信息存儲裝置。磁疇是鐵磁材料形成的微小磁區(qū)，其中，磁矩沿特定方向排列。磁 疇壁是具有不同磁化方向的磁疇之間的邊界區(qū)域。可通過將電流提供給磁材料來移動磁疇 和磁疇壁。 然而，使用磁疇壁移動的信息存儲裝置仍然處于開發(fā)的初級階段。此外，對這種信 息存儲裝置的多數(shù)研究局限于單元存儲區(qū)域。

發(fā)明內(nèi)容
—個或多個實施例包括使用磁疇和磁疇壁的移動的信息存儲裝置。
—個或多個實施例包括操作該信息存儲裝置的方法。 在下面的描述中將部分地闡明另外的方面，通過描述，部分地會變得清楚或可以 被了解。 —個或多個實施例可包括一種信息存儲裝置，該信息存儲裝置包括磁軌，包括多 個磁疇區(qū)域和磁疇壁區(qū)域，所述磁疇壁區(qū)域位于相鄰的磁疇區(qū)域之間。寫入/讀取單元包 括在磁軌的第一區(qū)域中，其中，第一電極和第二電極分別設(shè)置在寫入/讀取單元的兩端。第 一開關(guān)裝置和第二開關(guān)裝置分別連接到磁軌的兩端。第三開關(guān)裝置連接到寫入/讀取單元 的第一電極。電路控制第一開關(guān)裝置至第三開關(guān)裝置，并向磁軌和寫入/讀取單元中的至 少一個提供電流。 第一開關(guān)裝置至第三開關(guān)裝置可以是晶體管。 第一開關(guān)裝置和第二開關(guān)裝置的柵極可連接到第一字線，第三開關(guān)裝置的柵極可 連接到第二字線。
所述信息存儲裝置還可包括第一位線至第四位線，與第一字線和第二字線交叉。
第一位線可連接到第一開關(guān)裝置，第二位線可連接到第三開關(guān)裝置，第三位線可連接到寫 入/讀取單元的第二電極，第四位線可連接到第二開關(guān)裝置。 所述電路可包括第一電路，連接到第一字線和第二字線；第二電路，連接到第一 位線至第四位線。
第二電路可包括分別連接到第一位線至第四位線的第一信號發(fā)生器至第四信號 發(fā)生器。對包括寫入/讀取單元的第一區(qū)域執(zhí)行的讀操作可由第一信號發(fā)生器和第二信號 發(fā)生器控制，對第一區(qū)域執(zhí)行的寫操作可由第二信號發(fā)生器和第三信號發(fā)生器控制，磁疇 壁在磁軌內(nèi)的移動可由第一信號發(fā)生器和第四信號發(fā)生器控制。 第一電路可在讀操作期間導(dǎo)通第一開關(guān)裝置至第三開關(guān)裝置，在寫操作期間導(dǎo)通 第三開關(guān)裝置，在磁疇壁移動期間導(dǎo)通第一開關(guān)裝置和第二開關(guān)裝置。 第一信號發(fā)生器可包括第一移動電流源，連接到與第一位線連接的第一互連線。 第一晶體管設(shè)置在第一移動電流源和第一互連線之間。第二晶體管和第三晶體管并聯(lián)連接 到第一互連線，其中，第二晶體管和第三晶體管的一端接地。第一與門具有第一輸入端、第 二輸入端和連接到第二晶體管的輸出端。第二與門具有連接到第一晶體管的輸出端、分別 連接到第一與門的第一輸入端和第二輸入端的第一輸入端和第二輸入端。第一反相器設(shè)置 在第一與門的第二輸入端和第二與門的第二輸入端之間，其中，用于移動磁疇壁的移動信 號被提供給第一與門的第一輸入端和第二輸入端，讀取信號被提供給第三晶體管柵極端。
第二信號發(fā)生器可包括讀取電流源和第一寫入電流源，并聯(lián)連接到與第二位線 連接的第二互連線。第四晶體管設(shè)置在讀取電流源和第二互連線之間。第五晶體管設(shè)置在 第一寫入電流源和第二互連線之間。第六晶體管連接到第二互連線并且其一端接地。第三 與門具有第一輸入端、第二輸入端和連接到第六晶體管的輸出端。第四與門具有連接到第 五晶體管的輸出端、分別連接到第三與門的第一輸入端和第二輸入端的第一輸入端和第二 輸入端。第二反相器設(shè)置在第三與門的第二輸入端和第四與門的第二輸入端之間。寫入 信號被提供給第三與門的第一輸入端和第二輸入端，讀取信號被提供給第四晶體管的柵極
丄山順。
第三信號發(fā)生器可包括第二寫入電流源，連接到與第三位線連接的第三互連線。
第七晶體管設(shè)置在第二寫入電流源和第三互連線之間。第八晶體管連接到第三互連線并且
其一端接地。第五與門具有第一輸入端、第二輸入端和連接到第七晶體管的輸出端。第六
與門具有連接到第八晶體管的輸出端、分別連接到第五與門的第一輸入端和第二輸入端的
第一輸入端和第二輸入端。第三反相器設(shè)置在第五與門的第一輸入端和第六與門的第一輸
入端之間，其中，寫入信號被提供給第五與門的第一輸入端和第二輸入端。
第四信號發(fā)生器可包括第二移動電流源，連接到與第四位線連接的第四互連線。
第九晶體管設(shè)置在第二移動電流源和第四互連線之間。第十晶體管連接到第四互連線并且
其一端接地。第七與門具有第一輸入端、第二輸入端和連接到第九晶體管的輸出端。第八與
門具有連接到第十晶體管的輸出端、分別連接到第七與門的第一輸入端和第二輸入端的第
一輸入端和第二輸入端。第四反相器設(shè)置在第七與門的第一輸入端和第八與門的第一輸入
端之間，其中，用于移動磁疇壁的移動信號被提供給第七與門的第一輸入端和第二輸入端。 第一電路可包括第一或門，其輸出端連接到第一字線。第二或門包括連接到第二
字線的輸出端。移動信號和讀取信號分別被提供給第一或門的第一輸入端和第二輸入端，
寫入信號和讀取信號分別被提供給第二或門的第一輸入端和第二輸入端。 磁軌、第一字線和第二字線、第一位線至第四位線、第一開關(guān)裝置、第二開關(guān)裝置
和第三開關(guān)裝置可一起組成一個單元存儲區(qū)域，多個單元存儲區(qū)域可一起組成一個存儲矩陣。
7
第一解碼器可設(shè)置在第一電路和存儲矩陣之間，第二解碼器可設(shè)置在第二電路和 存儲矩陣之間。 寫入/讀取單元可以是穿隧磁阻(TMR)裝置或巨磁阻(GMR)裝置。
寫入/讀取單元可設(shè)置在磁軌的中心部分。 第一開關(guān)裝置至第三開關(guān)裝置的柵極可分別連接到不同的字線。
—個或多個實施例可包括一種操作信息存儲裝置的方法，所述信息存儲裝置包 括磁軌，包括多個磁疇區(qū)域和磁疇壁區(qū)域，所述磁疇壁區(qū)域位于相鄰的磁疇區(qū)域之間。寫 入/讀取單元包括在磁軌的第一區(qū)域中，其中，第一 電極和第二電極分別設(shè)置在寫入/讀取 單元的兩端。第一開關(guān)裝置和第二開關(guān)裝置分別連接到磁軌的兩端。第三開關(guān)裝置連接到 寫入/讀取單元的第一電極，電路控制第一開關(guān)裝置至第三開關(guān)裝置，并向磁軌和寫入/讀 取單元中的至少一個提供電流。所述方法包括導(dǎo)通第一開關(guān)裝置至第三開關(guān)裝置中的至 少一個；將電流提供給磁軌和寫入/讀取單元中的至少一個。 所述電流可以是讀取電流、寫入電流或用于移動磁軌的磁疇壁的移動電流。
第一開關(guān)裝置至第三開關(guān)裝置可以是晶體管。 第一開關(guān)裝置和第二開關(guān)裝置的柵極可連接到第一字線，第三開關(guān)裝置的柵極可 連接到第二字線。 第一位線至第四位線可與第一字線和第二字線交叉。第一位線可連接到第一開關(guān) 裝置，第二位線可連接到第三開關(guān)裝置，第三位線可連接到寫入/讀取單元的第二電極，第 四位線可連接到第二開關(guān)裝置。 所述電路可包括第一電路，連接到第一字線和第二字線；第二電路，連接到第一 位線至第四位線。 第二電路可包括分別連接到第一位線至第四位線第一信號發(fā)生器至第四信號發(fā) 生器。對包括寫入/讀取單元的第一區(qū)域執(zhí)行的讀操作可由第一信號發(fā)生器和第二信號發(fā) 生器控制。對第一區(qū)域執(zhí)行的寫操作可由第二信號發(fā)生器和第三信號發(fā)生器控制。磁疇壁 在磁軌內(nèi)的移動可由第一信號發(fā)生器和第四信號發(fā)生器控制。 第一電路可導(dǎo)通第一開關(guān)裝置至第三開關(guān)裝置，第二電路可通過寫入/讀取單元 將讀取電流從第二信號發(fā)生器提供給第一信號發(fā)生器。 第一電路可導(dǎo)通第三開關(guān)裝置，第二電路可通過寫入/讀取單元將寫入電流從第 二信號發(fā)生器和第三信號發(fā)生器中的一個提供給第二信號發(fā)生器和第三信號發(fā)生器中的 另一個。 第一 電路可導(dǎo)通第一開關(guān)裝置和第二開關(guān)裝置，第二電路可通過磁軌將移動電流 從第一信號發(fā)生器和第四信號發(fā)生器中的一個提供給第一信號發(fā)生器和第四信號發(fā)生器 中的另一個。


通過下面結(jié)合附圖對實施例進行的描述，這些和/或其他方面將會變得清楚和更 易于理解，其中 圖1示出根據(jù)示例性實施例的單元存儲區(qū)域；
圖2示出根據(jù)另一示例性實施例的單元存儲區(qū)域；
圖3A和圖3B是示出使用圖1的第一單元寫入信息的方法的示例性實施例的剖視 圖； 圖4至圖6是示出操作圖1的單元存儲區(qū)域的方法的示例性實施例的電路圖； 圖7是信息存儲裝置的示例性實施例的布置圖； 圖8是沿圖7的線I-I'截取的剖視圖； 圖9示出信息存儲裝置的示例性實施例； 圖10至圖13是分別示出圖9的第一至第四信號發(fā)生器的示例性實施例的電路 圖； 圖14至圖18示出操作圖9的信息存儲裝置的方法的示例性實施例； 圖19是信息存儲裝置的示例性實施例的波形圖； 圖20和圖21是信息存儲裝置的其他示例性實施例的電路圖。
具體實施例方式
通過結(jié)合附圖進行的詳細(xì)描述，將更清楚地理解示例性實施例。 現(xiàn)在將參照示出部分示例性實施例的附圖更全面地描述各種示例性實施例。在圖
中，為了清晰，可能夸大層和區(qū)域的厚度。 這里公開了詳細(xì)的說明性實施例。然而，這里公開的特定結(jié)構(gòu)或功能細(xì)節(jié)僅是為 了描述示例性實施例的代表。可以以許多替換形式實現(xiàn)示例性實施例，并且不應(yīng)將示例性 實施例解釋為僅限于這里闡述的實施例。 因此，盡管示例性實施例具有各種修改和替換形式，但是在附圖中作為示例示出 其實施例，并在這里進行詳細(xì)描述。然而，應(yīng)該理解，并非意圖將示例性實施例限于公開的 特定形式，相反，示例性實施例覆蓋落入示例性實施例的范圍內(nèi)的所有修改、等同物和替換 物。在附圖的全部描述中，相同的標(biāo)號指示相同的元件。 應(yīng)該理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二等來描述不同的元件，但是這些 元件不應(yīng)該受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個元件與另一個元件區(qū)分開來。例 如，在不脫離示例性實施例的范圍的情況下，第一元件可被稱為第二元件，類似地，第二元 件可被稱為第一元件。如在這里使用的，術(shù)語"和/或"包括一個或多個相關(guān)所列項的任意 組合和所有組合。 應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件被稱為"連接到"或"結(jié)合到"另一元件時，該元件可以直接 連接或結(jié)合到另一元件，或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為"直接連接到"或"直 接結(jié)合到"另一元件時，不存在中間元件。應(yīng)該以相同的方式來解釋用于描述元件之間的關(guān) 系的其他詞語(例如，"在…之間"和"直接在…之間"，"與…相鄰"和"直接與…相鄰"等)。
這里使用的術(shù)語僅為了描述特定實施例的目的，并非意圖限制示例性實施例。如 這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)理解的 是，當(dāng)在這里使用術(shù)語"包含"和/或"包括"時，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件 和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或 它們的組。 還應(yīng)該注意，在一些替換的實施方式中，提到的功能/動作可能不按圖中的次序 發(fā)生。例如，根據(jù)涉及的功能/動作，連續(xù)顯示的兩張圖實際上可能基本同時執(zhí)行，或者有時以相反側(cè)次序執(zhí)行。 此外，詞語"化合物"的使用表示單個化合物或多個化合物。這些詞語用于表示一 種或多種化合物，但也可僅表示單個化合物。 現(xiàn)在，為了更具體地描述示例性實施例，將參照附圖詳細(xì)地描述各種實施例。然 而，其范圍不應(yīng)限于示例性實施例，而是可以以各種形式實現(xiàn)。在圖中，如果層形成在另一 層或基底上，表示該層直接形成在另一層或基底上，或者在它們之間插入第三層。在下面的 描述中，相同的標(biāo)號表示相同的元件。 雖然已經(jīng)為了說明性目的公開了示例性實施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，在
不脫離權(quán)利要求公開的范圍和精神的情況下，可進行各種修改、添加和替換。 圖1示出根據(jù)示例性實施例的單元存儲區(qū)域。在圖1中，第一方向指示符ID1指
示第一字線WL1和第二字線WL2以及第一位線BL1至第四位線BL4的方向，第二方向指示
符ID2指示磁軌100和第一單元200(例如，寫入/讀取單元)的方向。 參照圖l，磁軌100可沿例如X軸方向延伸。磁軌100可包括多個磁疇區(qū)域D以及
相鄰磁疇區(qū)域D之間的磁疇壁區(qū)域DW。磁軌100可由包含鈷(Co)、鎳(Ni)和鐵(Fe)中的
至少一種的鐵磁材料形成。鐵磁材料還可包含除了 Co、 Ni和Fe之外的材料。 第一單元200可設(shè)置在磁軌100的區(qū)域上，例如，設(shè)置在磁軌100的中心部分
R1(以下稱為"第一區(qū)域R1")上。第一區(qū)域R1可對應(yīng)于多個磁疇區(qū)域D中的一個。第一單
元200可以是用于寫入/讀取信息的裝置。例如，第一單元200可以是使用穿隧磁阻(TMR)
效應(yīng)的裝置或巨磁阻(GMR)裝置。更具體地講，第一單元200可包括形成在第一區(qū)域R1的
上表面或下表面(例如，下表面)上的第一固定層20a。第一單元200還可包括第一區(qū)域
Rl和第一固定層20a之間的第一分離層10a。此外，第一單元200可包括形成在第一區(qū)域
Rl的上表面和下表面中的剩余一個(例如，上表面)上的第二固定層20b，并且還可包括第
一區(qū)域Rl和第二固定層20b之間的第二分離層10b。 第一固定層20a和第二固定層20b的磁化方向可以彼此相反。第一分離層10a和 第二分離層10b可以是絕緣層或?qū)щ妼?。如果第一分離層10a和第二分離層10b是絕緣層， 則第一單元200是TMR裝置。如果第一分離層10a和第二分離層10b是導(dǎo)電層，則第一單 元200是GMR裝置。如果第一分離層10a和第二分離層10b是導(dǎo)電層，則可在第一分離層 10a和第二分離層10b與第一區(qū)域R1之間形成具有比第一區(qū)域R1高的電阻的電阻層(未 示出)。第一電極30a可形成在第一固定層20a的下表面上，第二電極20b可形成在第二固 定層20b的上表面上。 此外，可在第一固定層20a與第一分離層10a之間和/或在第二固定層20b與第 二分離層10b之間形成自由層(未示出)。當(dāng)形成自由層時，可在自由層與相應(yīng)的第一固定 層20a和/或第二固定層20b之間包括另一分離層(未示出)?？梢砸远喾N方式構(gòu)造第一 單元200。位于第一單元200 —側(cè)(例如，左側(cè))的磁軌100的區(qū)域可以是有效存儲區(qū)域。 位于第一單元200另一側(cè)(例如，右側(cè))的磁軌100的其他區(qū)域可以是臨時存儲區(qū)域，即， 緩沖區(qū)域。 第一開關(guān)裝置Tl和第二開關(guān)裝置T2可分別連接到磁軌100的兩端。第三開關(guān)裝 置T3可連接到第一單元200的一端(例如，下表面)。第一開關(guān)裝置T1至第三開關(guān)裝置T3 可以是晶體管。在這種情況下，第一字線WL1可共連到第一開關(guān)裝置T1和第二開關(guān)裝置T2的柵極，第二字線WL2可與第一字線WL1分離，并且可連接到第三開關(guān)裝置T3的柵極。第 一字線WL1和第二字線WL2可以與磁軌100平行。 第一位線BL1至第四位線BL4可以沿例如垂直方向與第一字線WL1和第二字線 WL2交叉。第一位線BL1可連接到第一開關(guān)裝置Tl，第二位線BL2可連接到第三開關(guān)裝置 T3。第三位線BL3可通過第二導(dǎo)線C2連接到第一單元200的另一端(例如，上表面)。第 四位線BL4可連接到第二開關(guān)裝置T2。換句話說，第一開關(guān)裝置Tl可設(shè)置在第一字線WL1 與第一位線BL1彼此交叉的位置，第二開關(guān)裝置T2可設(shè)置在第一字線WL1與第四位線BL4 彼此交叉的位置，第三開關(guān)裝置T3可設(shè)置為第二字線WL2與第二位線BL2彼此交叉的位 置。第一單元200的一端，即第一電極30a與第三開關(guān)裝置T3可通過第一導(dǎo)線Cl連接，第 一單元200的另一端，即第二電極30b與第三位線BL3可通過第二導(dǎo)線C2連接。第一電極 30a可以被認(rèn)為是第一單元200的一部分或第一導(dǎo)線Cl的一部分。相似地，第二電極30b 可以被認(rèn)為是第一單元200的一部分或第二導(dǎo)線C2的一部分。 在圖1中，第一開關(guān)裝置T1至第三開關(guān)裝置T3可以是除了晶體管之外的開關(guān)裝 置，例如，二極管。此外，可省略第一開關(guān)裝置T1和第二開關(guān)裝置T2中的至少一個，并且可 改變第三開關(guān)裝置T3的位置。例如，第三開關(guān)裝置T3可設(shè)置在第二字線WL2和第三位線 BL3彼此交叉的位置。 雖然圖l示出了包括第一固定層20a和第二固定層20b的第一單元200，但是如圖 2所示，第一單元200可只包括一個固定層。 參照圖2，第一單元200'可包括第一固定層20a，形成在第一區(qū)域Rl的上表面和 下表面之一 (例如，下表面)上；第一分離層10a，形成在第一固定層20a和第一區(qū)域Rl之 間。第一電極30a可形成在第一固定層20a的下表面上，第二電極30b可形成在第一區(qū)域 Rl的上表面上?？稍诘谝粎^(qū)域R1和第二電極30b之間形成具有比磁軌100高的電阻的電 阻層(未示出)。如果第一分離層10a是導(dǎo)電層，則該電阻層可形成在第一區(qū)域Rl和第一 分離層10a之間。 現(xiàn)在將參照圖3A和圖3B詳細(xì)地描述使用圖1的第一單元200寫入信息的示例性 方法。圖3A和圖3B是圖1的單元存儲區(qū)域的部分剖視圖。在圖3A和圖3B中，第一固定 層20a和第二固定層20b與磁軌100具有垂直磁各向異性，第一固定層20a和第二固定層 20b可沿例如第一方向Ml和第二方向M2被分別磁化，反之亦然。此外，第一固定層20a和 第二固定層20b與磁軌100具有水平磁各向異性。 參照圖3A，當(dāng)電子通過從第二電極30b向第一電極30a提供第一寫入電流而從第 一電極30a向第二電極30b移動時，沿與第一固定層20a的磁化方向(第一方向M1)相同 的方向磁化的電子El從第一電極30a移動到第一區(qū)域Rl。電子E1的移動使得第一區(qū)域 Rl沿第一方向M1磁化。在第二固定層20b中，沿與第二固定層20b的磁化方向(第二方向 M2)相同的方向磁化的電子通過第二固定層20b被釋放到第二電極30b。然而，沿與第二固 定層20b的磁化方向相反的方向磁化的電子E2不能通過第二固定層20b被釋放到第二電 極30b，而是返回并積聚在第一區(qū)域Rl中。電子E2的移動使得第一區(qū)域Rl沿第一方向Ml 磁化。 如上所述，第一區(qū)域Rl可由從第一固定層20a和第二固定層20b施加到第一區(qū)域 Rl的自旋轉(zhuǎn)移力矩沿第一方向M1磁化。如果在施加第一寫入電流之前第一區(qū)域R1已經(jīng)沿第二方向M2磁化，則第一區(qū)域Rl的磁化方向可通過施加第一寫入電流從第二方向M2改變 為第一方向M1。 參照圖3B，如果電子通過從第一電極30a向第二電極30b施加第二寫入電流而從 第二電極30b向第一電極30a移動，則沿與第二固定層20b的磁化方向(第二方向M2)相 同的方向磁化的電子E3從第二電極30b向第一區(qū)域Rl移動。電子E3的移動使得第一區(qū) 域R1沿第二方向M2磁化。在第一固定層20a中，沿與第一固定層20a的磁化方向(第一 方向M1)相同的方向磁化的電子通過第一固定層20a被釋放到第一電極30a。然而，沿與第 一固定層20a的磁化方向(第一方向M1)相反的方向磁化的電子E4沒有通過第一固定層 20a被釋放到第一電極30a，而是積聚在第一區(qū)域Rl中。電子E4的移動使得第一區(qū)域Rl 沿第二方向M2磁化。如果在施加第二寫入電流之前第一區(qū)域R1已經(jīng)沿第一方向R1磁化， 則第一區(qū)域R1的磁化方向可通過施加第二寫入電流從第一方向Ml改變?yōu)榈诙较騇2。
在圖3A的操作之前，或者在圖3B的操作之后，通過向磁軌100施加電流，磁疇和 磁疇壁可沿一定方向在磁軌100內(nèi)移動1比特。通過在以比特為單位在磁軌100內(nèi)移動磁 疇和磁疇壁的同時，沿如上參照圖3A和圖3B描述的方向磁化位于第一區(qū)域R1的磁疇，可 將大量信息寫入到磁軌100。 如上所述，磁化方向彼此相反的第一固定層20a和第二固定層20b分別形成在磁 軌100的上表面和下表面上。因此，可通過由第一固定層20a和第二固定層20b引起的自 旋轉(zhuǎn)移力矩寫入信息。 由圖2的單元存儲區(qū)域執(zhí)行的寫入方法與由圖1的單元存儲區(qū)域執(zhí)行的寫入方法 基本相似。然而，圖2的單元存儲區(qū)域使用包括一個固定層(第一固定層20a)的第一單元 200'，因此，僅通過從第一固定層20a施加到第一區(qū)域Rl的自旋轉(zhuǎn)移力矩寫入信息。
還可使用圖1的第一單元200(或圖2的第一單元200')執(zhí)行讀取?？赏ㄟ^向第 一單元200或200'提供讀取電流來確定寫入第一區(qū)域R1的信息的類型?？稍诘谝浑姌O 30a和第二電極30b之一 (或圖2的第一單元200'的第一電極30a)與磁軌100的一端之 間提供讀取電流。讀取電流的量可根據(jù)寫入第一區(qū)域R1的信息而改變。讀取電流不會受 除了第一區(qū)域R1之外的其他磁疇區(qū)域D的磁化狀態(tài)的很大影響。S卩，第一區(qū)域R1的磁化 狀態(tài)可以是確定讀取電流的量的因素。因此，可通過提供讀取電流來確定寫入第一區(qū)域R1 的信息的類型?？赏ㄟ^在按1比特移動磁疇和磁疇壁的同時讀取位于第一區(qū)域R1的信息 來再現(xiàn)寫入磁軌100的大量信息。 現(xiàn)在將參照圖4至圖6更詳細(xì)地描述操作諸如圖1所示的單元存儲區(qū)域的方法。
〈寫操作> 參照圖4，在通過將電壓V2施加到第二字線WL2而導(dǎo)通第三開關(guān)裝置T3的同時， 可通過第二位線BL2和第三位線BL3將寫入電流提供給第一單元200?？筛鶕?jù)寫入電流的 方向來確定將被寫入第一區(qū)域R1的信息的類型。 參照圖5，在通過將電壓V1施加到第一字線WL1而導(dǎo)通第一開關(guān)裝置T1和第二開 關(guān)裝置T2的同時，可通過第一位線BL1和第四位線BL4將移動電流(例如，脈沖電流)提 供給磁軌IOO。磁疇和磁疇壁在磁軌100內(nèi)移動的方向可根據(jù)移動電流的方向而改變。因 為通常認(rèn)為電流沿與電子移動的方向相反的方向流動，所以磁疇和磁疇壁可沿與移動電流 流動的方向相反的方向移動。
通過重復(fù)地和/或交替地執(zhí)行如上參照圖4和圖5所述的操作，可在沿相反方向 (例如，向右方向)移動第一單元200的同時，將信息記錄在位于第一單元200的一側(cè)(例 如，左方)的磁疇區(qū)域D中。
〈讀操作> 參照圖6，在通過將電壓VI和V2施加到第一字線WL1和第二字線WL2而導(dǎo)通第 一開關(guān)裝置Tl至第三開關(guān)裝置T3的同時，可在第一位線BL1和第二位線BL2之間提供讀 取電流。讀取電流可通過第一單元200的一部分(第一區(qū)域Rl的下部)和第一區(qū)域Rl流 動。讀取電流的量可受第一區(qū)域R1的磁化方向影響。即，第一位線BL1和第二位線BL2之 間的電阻可根據(jù)第一區(qū)域R1的磁化方向改變。因此，可通過施加讀取電流來確定寫入第一 區(qū)域R1的信息的類型。讀取電流的量小于上述寫入電流的量，因此不改變第一區(qū)域R1的 磁化方向。 可通過在第二位線BL2和第四位線BL4之間提供讀取電流，而不是通過將讀取電 流提供給第一位線BL1和第二位線BL2，來執(zhí)行讀取。此外，如果第三開關(guān)裝置T3設(shè)置在 第二字線WL2與第三位線BL3交叉的位置，而非第二字線WL2與第二位線BL2交叉的位置， 則可通過在第三位線BL3和第一位線BL1之間或者在第三位線BL3和第四位線BL4之間提 供讀取電流來執(zhí)行讀取。因此，可通過在第一單元200的一端和磁軌100的一端之間提供 讀取電流來從第一區(qū)域R1讀取信息。如上所述，第一單元200可用作讀取信息的裝置。因 此，第一單元200可稱為能夠執(zhí)行寫操作和讀操作的寫入/讀取單元。然而，應(yīng)該理解，可 分別安裝僅用作寫入單元或讀取單元的第一單元200。 可重復(fù)并交替執(zhí)行圖6的讀操作和圖5的以比特為單元移動磁疇和磁疇壁的方 法。以這種方式，可通過沿相反方向(例如，向右方向)移動第一單元200來從位于第一單 元200的一側(cè)(例如，左方)的磁疇區(qū)域D讀取信息。 通過圖2的單元存儲區(qū)域執(zhí)行的寫操作和讀操作與如上參照圖4至圖6描述的寫 操作和讀操作相似。 信息存儲裝置的示例性實施例可包括圖1或圖2的多個單元存儲區(qū)域。
圖7是信息存儲裝置的示例性實施例的布置圖。參照圖7，信息存儲裝置可包括第 一字線WL1至第四字線WL4以及與第一字線WL1至第四字線WL4交叉的第一位線BL1至第 四位線BL4。第一開關(guān)裝置Tl可設(shè)置在第一字線WL1與第一位線BL1交叉的位置，第二開 關(guān)裝置T2可設(shè)置在第一字線WL1與第四位線BL4交叉的位置。第一開關(guān)裝置Tl可包括設(shè) 置在第一字線WL1兩側(cè)的第一源極S 1和第一漏極D1。第二開關(guān)裝置T2可包括設(shè)置在第 一字線WL1兩側(cè)的第二源極S2和第二漏極D2。 第一端和第二端分別連接到第一開關(guān)裝置Tl和第二開關(guān)裝置T2的磁軌100可設(shè) 置在第一字線WL1和第二字線WL2之間。第一開關(guān)裝置T1的第一源極S1和第一漏極D1 可分別連接到第一位線BL1和磁軌100的第一端。第二開關(guān)裝置T2的第二源極S2和第二 漏極D2可分別連接到第四位線BL4和磁軌100的第二端。 第一單元200可設(shè)置在磁軌100的特定區(qū)域(例如，中心區(qū)域)。第二位線BL2可 設(shè)置在第一單元200上方。第三位線BL3可與第二位線BL2分開一定距離。第一單元200 的上表面可通過第二導(dǎo)線C2電連接到第三位線BL3。稍后將參照圖8描述第一單元200的 上表面和第三位線BL3之間的連接以及第一單元200的下表面與第三源極S3的連接。
第三開關(guān)裝置T3可設(shè)置在第二字線WL2與第二位線BL2交叉的位置。第三開關(guān) 裝置T3可包括設(shè)置在第二字線WL2兩側(cè)的第三源極S3和第三漏極D3。第三源極S3可電 連接到第一單元200的下表面，第三漏極D3可電連接到第二位線BL2。在第一開關(guān)裝置Tl 至第三開關(guān)裝置T3中，應(yīng)該理解，第一源極S1至第三源極S3的功能可以與第一漏極D1至 第三漏極D3的功能互換。 圖7的單元存儲區(qū)域MR1可對應(yīng)于圖1的單元存儲區(qū)域。雖然圖7示出沿Y軸方 向布置的多個單元存儲區(qū)域MR1 ，但是多個單元存儲區(qū)域MR1可沿X軸或者沿X軸和Y軸方 向以矩陣布置。 圖8是沿圖7的線I-I'截取的剖視圖。參照圖8，第一單元200的下表面可通過 第一導(dǎo)線Cl連接到第三源極S3，第一單元200的上表面可通過第二導(dǎo)線C2連接到第三位 線BL3。 然而，圖7和圖8示出的信息存儲裝置的結(jié)構(gòu)僅是說明性的示例。SP，圖7中的信 息存儲裝置的布置可以以各種方式改變，并且圖8中示出的結(jié)構(gòu)也可以改變。
圖9示出根據(jù)示例性實施例的信息存儲裝置。參照圖9，信息存儲裝置500包括多 個以n行m列的矩陣布置的單元存儲區(qū)域MR。雖然圖9以簡化方式示出單元存儲區(qū)域MR， 但是單元存儲區(qū)域MR被構(gòu)造為圖l或圖2中示出的存儲區(qū)域。這里，標(biāo)號WLli和WL2i分 別表示共連到第i行(i是自然數(shù)，且1《i《n)的單元存儲區(qū)域MR的第一字線和第二字 線。標(biāo)號BLlj、BL2j、BL3j和BL4」分別表示連接到第j列(j是自然數(shù)，且1《j《m)的單 元存儲區(qū)域MR的第一位線至第四位線。第一字線WLli和第二字線WL2i可分別對應(yīng)于圖1 或圖2的第一字線WL1和第二字線WL2，第一位線BLlj至第四位線BL4j可分別對應(yīng)于圖1 或圖2的第一位線BL1至第四位線BL4。 行解碼器DCR1可連接到第一字線WLh至WLln和第二字線Wl^至WL2n，列解碼器 DCR2可連接到第一位線BLh至BLlm、第二位線Bl^至BL2m、第三位線B1A至BL3m和第四 位線BL^至BL4m?？墒褂眯薪獯a器DCR1和列解碼器DCR2從單元存儲區(qū)域MR中選擇將要 操作的一個單元存儲區(qū)域MR。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，行解碼器DCR1和列解碼器 DCR2可包括具有MUX(復(fù)用器)或匿UX(解復(fù)用器)結(jié)構(gòu)的邏輯選擇裝置，因此，將不提供 行解碼器DCR1和列解碼器DCR2的詳細(xì)描述。 第一外圍電路IOOO可安裝為與行解碼器DCRI的一側(cè)相鄰，并連接到行解碼器 DCR1。第一外圍電路1000可包括至少兩個邏輯單元，例如，第一邏輯元件LC1和第二邏輯 元件LC2。例如，第一邏輯元件LC1和第二邏輯元件LC2可以是0R門(或門)。連接到第 一邏輯元件LC 1的輸出端0UT1的第一行線Wl和連接到第二邏輯元件LC2的輸出端0UT2 的第二行線W2可連接到行解碼器DCR1 。第一行線Wl和第二行線W2可通過行解碼器DCR1 分別連接到第一字線WLli和第二字線WL2i。這里，標(biāo)號IN11和IN12分別表示第一邏輯元 件LC1的第一輸入端和第二輸入端，標(biāo)號IN21和IN22分別表示第二邏輯元件LC2的第一 輸入端和第二輸入端。第一外圍電路1000還可包括連接到行解碼器DCR1的行地址線AD1。 雖然圖9中沒有示出，但是電壓源可分別連接到第一邏輯元件LC1和第二邏輯元件LC2。
第二外圍電路2000可安裝為與列解碼器DCR2的一側(cè)相鄰，并連接到列解碼器 DCR2。第二外圍電路2000可包括連接到列解碼器DCR2的多個信號發(fā)生器(第一信號發(fā)生 器SG1至第四信號發(fā)生器SG4)。第一信號發(fā)生器SG1至第四信號發(fā)生器SG4可以是用于將信號提供給選擇的單元存儲區(qū)域MR的第一位線BLlj至第四位線BL4j的裝置。稍后將詳細(xì) 描述第一信號發(fā)生器SGI至第四信號發(fā)生器SG4。第一信號發(fā)生器SGI至第四信號發(fā)生器 SG4可通過第一列線Bl至第四列線B4分別連接到列解碼器DCR2。第一列線Bl至第四列 線B4可通過列解碼器DCR2分別連接到第一位線BLlj至第四位線BL4」。感測電路S/A可 連接到第二信號發(fā)生器SG2。感測電路S/A可以是感測并放大通過單元存儲區(qū)域MR讀取的 信息的信號的感測放大器。感測電路S/A為本領(lǐng)域公知，因此這里不提供其詳細(xì)描述。應(yīng) 該理解，感測電路S/A可連接到任意的信號發(fā)生器SG1至SG4。第二外圍電路2000還可包 括連接到列解碼器DCR2的列地址線AD2。 行解碼器DCR1和列解碼器DCR2的邏輯運算分別響應(yīng)于從行地址線AD1和列地址 線AD2接收的信號而被控制。例如，行解碼器DCR1和列解碼器DCR2基于從行地址線AD1 和列地址線AD2接收的信號選擇單元存儲區(qū)域MR來操作。在選擇單元存儲區(qū)域MR之后， 可通過使用第一邏輯元件LC1和第二邏輯元件LC2中的一個以及第一信號發(fā)生器SG1至第 四信號發(fā)生器SG4中的任意兩個信號發(fā)生器，將信息寫入選擇的單元存儲區(qū)域MR或從選擇 的單元存儲區(qū)域MR讀取信息，或者移動磁疇壁。 現(xiàn)在將參照圖10至圖13詳細(xì)地描述圖9的第一信號發(fā)生器SG1至第四信號發(fā)生 器SG4的結(jié)構(gòu)及其操作方法。 圖10是圖9的第一信號發(fā)生器SG1的示例性實施例的電路圖。參照圖IO，移動電 流源MCS1可連接到第一列線Bl (例如，第一互連線)。第一晶體管Trl可連接在第一移動 電流源MCS1和第一列線B1之間。第二晶體管Tr2可以串聯(lián)連接到第一列線Bl的下部，并 且第二晶體管Tr2的一端可接地。彼此連接的第一邏輯元件Ll和第二邏輯元件L2可包括 在第一信號發(fā)生器SG1中。例如，第一邏輯元件L1和第二邏輯元件L2可以是AND門(與 門)。 第一邏輯元件Ll的輸出端Outl可連接到第二晶體管Tr2的柵極，第二邏輯元件 L2的輸出端Out2可連接到第一晶體管Trl的柵極。第二邏輯元件L2的第一輸入端In21 和第二輸入端In22可分別連接到第一邏輯元件Ll的第一輸入端Inll和第二輸入端Inl2。 用于反轉(zhuǎn)信號的第一反相器IVT1可以安裝在第二邏輯元件L2的第二輸入端In22和第一 邏輯元件Ll的第二輸入端Inl2之間。 第一移動信號SM1和第二移動信號SM2可以分別提供給第一邏輯元件Ll的第一輸 入端Inll和第二輸入端Inl2。第一晶體管Trl和第二晶體管Tr2中的一個可以響應(yīng)于第 一移動信號SM1和第二移動信號SM2而導(dǎo)通。如果第一移動信號SM1和第二移動信號SM2都 具有值1，則因為從第一邏輯元件L1輸出信息"1"，所以第二晶體管Tr2可導(dǎo)通，而因為從 第二邏輯元件L2輸入信息"O"，所以第一晶體管Trl不會導(dǎo)通。 移動電流可從單元存儲區(qū)域流到第一列線Bl和第二晶體管Tr2，最后流到地。因 此，圖1或圖2的磁軌100的磁疇壁可沿第一方向移動。如果第一移動信號SM1和第二移 動信號SM2分別具有值1和值O，則因為從第一邏輯元件Ll輸出信息"O"，所以第二晶體管 Tr2不會導(dǎo)通，并且因為從第二邏輯元件L2輸出信息"l"，所以第一晶體管Trl可導(dǎo)通。
移動電流可從移動電流源MCS 1流到第一晶體管Trl和第一列線Bl，最后流到單 元存儲區(qū)域。因此，磁軌100的磁疇壁可沿與第一方向相反的第二方向移動。磁疇壁的移 動可與第四信號發(fā)生器SG4的操作相關(guān)聯(lián)地發(fā)生，稍后將對此進行描述。
第一信號發(fā)生器SGI可包括與第二晶體管Tr2并聯(lián)連接到第一列線Bl的第三晶 體管Tr3。第三晶體管Tr3可與第二晶體管Tr2共享源極和漏極。讀取信號SK1可提供給 第三晶體管Tr3的柵極。與第三晶體管Tr3相關(guān)的讀操作可與第二信號發(fā)生器SG2的操作 相關(guān)地執(zhí)行，稍后將對此進行描述。 圖11是圖9的第二信號發(fā)生器SG2和感測電路S/A的實施例的電路圖。參照圖 11，讀取電流源RCS1可連接到第二列線B2 (例如，第二互連線)。第四晶體管Tr4可連接在 讀取電流源RCS1和第二列線B2之間。感測電路S/A可連接到連接讀取電流源RCS1和第 四晶體管Tr4的導(dǎo)線(還參見圖9)。讀取信號SK1可通過第四晶體管Tr4的柵極端G4來 提供。如果第四晶體管Tr4響應(yīng)于讀取信號SK1導(dǎo)通，則讀取電流可通過第二列線B2從讀 取電流源RCS1流到單元存儲區(qū)域。從單元存儲區(qū)域讀取的信息的信號可提供給感測電路 S/A。這種讀操作可與上述第一信號發(fā)生器SG1的操作相關(guān)聯(lián)地執(zhí)行。S卩，當(dāng)讀取信號SJ 提供給第四晶體管Tr4的柵極端G4時，讀取信號SK1可同時提供給圖10的第三晶體管Tr3 的柵極端G3。以這種方式，通過圖11的第二列線B2提供給單元存儲區(qū)域的讀取電流可通 過圖10的第一列線B1流到地。因此，可對選擇的單元存儲區(qū)域執(zhí)行讀操作。在讀操作期 間，稍后將描述的圖11的第六晶體管Tr6可截止，從而讀取電流不會流到地。
第二信號發(fā)生器SG2可包括與讀取電流源RCS1并聯(lián)連接到第二列線B2的第一寫 入電流源WCS1。第五晶體管Tr5可連接在第一寫入電流源WCSl和第二列線B2之間。第六 晶體管Tr6可串聯(lián)連接到第二列線B2的下部，并且第六晶體管Tr6的一端可接地。彼此連 接的第三邏輯元件L3和第四邏輯元件L4可包括在第二信號發(fā)生器SG2中。第三邏輯元件 L3和第四邏輯元件L4以及第五晶體管Tr5和第六晶體管Tr6的構(gòu)造和連接可以與圖10的 第一邏輯元件Ll和第二邏輯元件L2以及第一晶體管Trl和第二晶體管Tr2的構(gòu)造和連接 相似。標(biāo)號In31、 In32和0ut3分別表示第三邏輯元件L3的第一輸入端、第二輸入端和輸 出端。標(biāo)號In41、 In42和0ut4分別表示第四邏輯元件L4的第一輸入端、第二輸入端和輸 出端。標(biāo)號ITV2表示連接在第二輸入端In32和第二輸入端In42之間的第二反相器。
第一寫入信號Swl和第二寫入信號Sw2可被提供給第三邏輯元件L3的第一輸入端 In31和第二輸入端In32。第五晶體管Tr5和第六晶體管Tr6中的一個可響應(yīng)于第一寫入 信號Swl和第二寫入信號Sw2而導(dǎo)通。如果第一寫入信號Swl和第二寫入信號Sw2都具有 值l，則因為從第三邏輯元件L3輸出信息"l"，所以第六晶體管Tr6可導(dǎo)通，而因為從第四 邏輯元件L4輸出信息"0"，所以第五晶體管Tr5不會導(dǎo)通。在這種情況下，寫入電流可從單 元存儲區(qū)域流到第二列線B2、第六晶體管Tr6，最終流到地。因此，第一信息可被寫入單元 存儲區(qū)域的如圖1或圖2所示的第一區(qū)域Rl。如果第一寫入信號Swl和第二寫入信號Sw2 分別具有值1和值0，則因為從第三邏輯元件L3輸出信息"0"，所以第六晶體管Tr6不會導(dǎo) 通，而因為從第四邏輯元件L4輸出信息"l"，所以第五晶體管Tr5可導(dǎo)通。在這種情況下， 寫入電流可從第一寫入電流源WCSl流到第五晶體管Tr5、第二列線B2，最終流到單元存儲 區(qū)域。因此，第二信息可被寫入單元存儲區(qū)域的第一區(qū)域R1。這種寫操作可與第三信號發(fā) 生器的操作相關(guān)聯(lián)地執(zhí)行，以下對此進行描述。 圖12是圖9的第三信號發(fā)生器SG3的實施例的電路圖。參照圖12，第二寫入電 流源WCS2可連接到第三列線B3 (例如，第三互連線)。第七晶體管Tr7可連接在第二寫入 電流源WCS2和第三列線B3之間。第八晶體管Tr8可串聯(lián)連接到第三列線B3的下部。第八晶體管Tr8的一端可接地。第五邏輯元件L5和第六邏輯元件L6可彼此連接。例如，第 五邏輯元件L5和第六邏輯元件L6可以是AND門。第五邏輯元件L5的輸出端0ut5可連接 到第七晶體管Tr7的柵極，第六邏輯元件L6的輸出端0ut6可連接到第八晶體管Tr8的柵 極。第六邏輯元件L6的第一輸入端In61可連接到第五邏輯元件L5的第一輸入端In51，第 六邏輯元件L6的第二輸入端In62可連接到第五邏輯元件L5的第二輸入端In52。第三反 相器IVT3可連接在第五邏輯元件L5的第一輸入端In51和第六邏輯元件L6的第一輸入端 In61之間。第一寫入信號Swl和第二寫入信號Sw2可被提供給第五邏輯元件L5的第二輸入 端ln52和第一輸入端In51。參照圖12，如果第一寫入信號Swl和第二寫入信號Sw2都具有 值l，則第七晶體管Tr7可導(dǎo)通，第八晶體管Tr8不會導(dǎo)通，然后，寫入電流可從第二寫入電 流源WCS2流到第七晶體管Tr7和第三列線B3，最后流到單元存儲區(qū)域。如果第一寫入信號 Swl具有值1并且第二寫入信號Sw2具有值O，則第七晶體管Tr7不會導(dǎo)通，第八晶體管Tr8 可導(dǎo)通，然后，寫入電流可從單元存儲區(qū)域流到第三列線B3、第八晶體管Tr8，最終流到地。
在寫操作期間，第一寫入信號Swl和第二寫入信號Sw2可在被提供給圖11的第二 信號發(fā)生器SG2的同時，被提供給圖12的第三信號發(fā)生器SG3。在這種情況下，如果第一寫 入信號Swl和第二寫入信號Sw2都具有值l，則圖12的第七晶體管Tr7可導(dǎo)通，圖11的第 六晶體管Tr6可導(dǎo)通，然后，寫入電流可從第二寫入電流源WCS2流到第七晶體管Tr7、第三 列線B3、選擇的單元存儲區(qū)域、圖11的第二列線B2和第六晶體管Tr6，最后流到地。因此， 第一信息可被寫入選擇的存儲區(qū)域的第一區(qū)域，如圖1和圖2的第一區(qū)域R1。如果第一寫 入信號Swl具有值1并且第二寫入信號Sw2具有值0，則圖12的第八晶體管Tr8可導(dǎo)通，圖 11的第五晶體管Tr5可導(dǎo)通，然后寫入電流可從圖11的第一寫入電流源WCS1流到第五晶 體管Tr5、第二列線B2、選擇的單元存儲區(qū)域、第三列線B3和第八晶體管Tr8，最后流到地。 因此，第二信息可被寫入選擇的單元存儲區(qū)域的第一區(qū)域。 圖13是圖9的第四信號發(fā)生器SG4的實施例的電路圖。參照圖13，第二移動電流 源MCS2可連接到第四列線B4(例如，第四互連線)。第九晶體管Tr9可連接在第二移動電 流源MCS2和第四列線B4之間。第十晶體管TrlO可串聯(lián)連接到第四列線B4的下部。第十 晶體管TrlO的一端可接地。第七邏輯元件L7和第八邏輯元件L8可彼此連接。第七邏輯 元件L7和第八邏輯元件L8以及第九晶體管Tr9和第十晶體管TrlO的構(gòu)造和連接可以與 圖12中的第五邏輯元件L5和第六邏輯元件L6以及第七晶體管Tr7和第八晶體管Tr8的 構(gòu)造和連接相似。標(biāo)號In71、 In72和0ut7分別表示第七邏輯元件L7的第一輸入端、第二 輸入端和輸出端。標(biāo)號In81、 In82和0ut8分別表示第八邏輯元件L8的第一輸入端、第二 輸入端和輸出端。標(biāo)號IVT4表示連接在第一輸入端In71和第一輸入端In81之間的第四 反相器。 第一移動信號SM1和第二移動信號SM2可分別被提供給第七邏輯元件L7的第二輸 入端In72和第一輸入端In71。如果第一移動信號SM1和第二移動信號SM2都具有值1，則第 九晶體管Tr9可導(dǎo)通，并且移動電流可從第二移動電流源MCS2流到第九晶體管Tr9、第四列 線B4，最終流到單元存儲區(qū)域。因此，圖1或圖2的磁軌100的磁疇壁可沿第一方向移動。 如果第一移動信號SM1和第二移動信號SM2分別具有值1和值O，則第十晶體管TR10可導(dǎo) 通，然后，移動電流可從單元存儲區(qū)域流到第四列線B4、第十晶體管TrlO，最終流到地。因 此，磁軌100的磁疇壁可沿與第一方向相反的第二方向移動。
在磁疇壁移動期間，圖13的信號發(fā)生器SG4可以與圖10的第一信號發(fā)生器SG1 相關(guān)聯(lián)地操作。當(dāng)?shù)诰啪w管Tr9導(dǎo)通時，圖10的第三晶體管Tr3也導(dǎo)通，因此，移動電流 從第二移動電流源MCS2流到第四列線B4、選擇的單元存儲區(qū)域、圖10的第一列線Bl和第 三晶體管Tr3，最終流到地。因此，磁疇壁可沿第一方向移動。此外，當(dāng)?shù)谑w管TrlO導(dǎo) 通時，圖10的第一晶體管Trl導(dǎo)通，因此，移動電流可從圖10的第一移動電流源MCS1流到 第一列線Bl、選擇的單元存儲區(qū)域、第四列線B4、第十晶體管TrlO，最終流到地。因此，磁疇 壁可沿第二方向移動。 因此，在使用圖9的行解碼器DCR1和列解碼器DCR2選擇一個單元存儲區(qū)域MR之 后，通過使用第一信號發(fā)生器SG1至第四信號發(fā)生器SG4，可對選擇的單元存儲區(qū)域MR執(zhí) 行寫/讀操作，或者磁疇壁可移動。寫/讀操作或磁疇壁的移動可與圖9的第一外圍電路 1000的操作相關(guān)地執(zhí)行。更具體地講，在寫/讀操作或磁疇壁的移動期間，第一移動信號 SM1和第一讀取信號SK1可分別被提供給圖9的第一邏輯元件LC1的第一輸入端IN11和第 二輸入端IN12，第一寫入信號Swl和第一讀取信號SK1可分別被提供給第二邏輯元件LC2的 第一輸入端IN21和第二輸入端IN22。如果第一邏輯元件LCI是OR門，則當(dāng)提供給第一邏 輯元件LC1的第一移動信號SM1和讀取信號SK1中的至少一個具有值1時，操作信號可通過 第一行線Wl提供給連接到選擇的單元存儲區(qū)域的第一字線WLli。因此，連接到選擇的單元 存儲區(qū)域的第一字線WL"的圖1或圖2的第一開關(guān)裝置Tl和第二開關(guān)裝置T2可導(dǎo)通。
相似地，如果第二邏輯元件LC2是OR門，則當(dāng)提供給第二邏輯元件LC2的第一寫 入信號Swl和讀取信號SK1中的至少一個具有值1時，操作信號可通過第二行線W2提供給 連接到選擇的單元存儲區(qū)域的第二字線WIA。 連接到選擇的單元存儲區(qū)域的第二字線WL2i的第三開關(guān)裝置T3可導(dǎo)通。第三開 關(guān)裝置T3導(dǎo)通以寫入信息(例如，參見圖4)。第一開關(guān)裝置T1和第二開關(guān)裝置T2導(dǎo)通以 移動磁疇壁(例如，參見圖5)。第一開關(guān)裝置T1和第三開關(guān)裝置T3導(dǎo)通以讀取信息(例 如，參見圖6)。 構(gòu)造圖9的信息存儲裝置以執(zhí)行上述操作。例如，當(dāng)為了寫入信息，提供給第二信 號發(fā)生器SG2的第一寫入信號Swl和提供給第三信號發(fā)生器SG3的第二寫入信號Sw2具有 值1時，提供給第二邏輯元件LC2的第一輸入端IN21的第一寫入信號Swl具有值1。因此， 連接到第二字線WL2i的第三開關(guān)裝置T3可通過第二行線W2來導(dǎo)通，所述第二字線WL2i連 接到選擇的單元存儲區(qū)域。 當(dāng)為了寫入信息，提供給信號發(fā)生器SG2的第一寫入信號Swl和提供給第三信號 發(fā)生器SG3的第二寫入信號Sw2分別具有值1和值0時，提供給第二邏輯元件LC2的第一 輸入端IN21的第一寫入信號Swl也具有值1。然后，連接到第二字線W1A的第三開關(guān)裝置 T3可導(dǎo)通，所述第二字線W1A連接到選擇的單元存儲區(qū)域。 如果為了讀取信息，提供給第一信號發(fā)生器SG1和第二信號發(fā)生器SG2的讀取信 號SK1具有值l，則提供給第一邏輯元件LC1的第二輸入端IN12和第二邏輯元件LC2的第 二輸入端IN22的讀取信號SK1具有值1。因此，連接到第一字線WL"和第二字線W1A的第 一開關(guān)裝置Tl至第三開關(guān)裝置T3可通過第一行線Wl和第二行線W2來導(dǎo)通，所述第一字 線WL"和第二字線WL2i連接到選擇的單元存儲區(qū)域。此外，為了沿第一方向移動磁疇壁，當(dāng)提供給第一信號發(fā)生器SG1的第一移動信號SM1和提供給第四信號發(fā)生器SG4的第二移動信號SM2都具有值1時，提供給第一邏輯元 件LC1的第一輸入端IN11的第一移動信號SM1具有值1。因此，連接到第一字線WLli的第 一開關(guān)裝置Tl和第二開關(guān)裝置T2可通過第一行線Wl來導(dǎo)通，所述第一字線WLli連接到 選擇的單元存儲區(qū)域。為了沿與第一方向相反的第二方向移動磁疇壁，當(dāng)提供給第一信號 發(fā)生器SGI的第一移動信號SM1和提供給第四信號發(fā)生器SG4的第二移動信號SM2分別具 有值1和值0時，提供給第一邏輯元件LCI的第一輸入端IN11的第一移動信號SM1具有值 1 。因此，連接到第一字線WL"的第一開關(guān)裝置Tl和第二開關(guān)裝置T2可導(dǎo)通，所述第一字 線WLli連接到選擇的單元存儲區(qū)域。如上所述，可對根據(jù)第一外圍電路1000和第二外圍 電路2000的彼此相關(guān)聯(lián)的操作選擇的單元存儲區(qū)域執(zhí)行寫/讀操作。
圖14至圖18示出了寫操作和讀操作的上述實施例。圖14和圖15示出寫操作。 圖16和圖17示出磁疇壁的移動。圖18示出讀操作。 參照圖14，提供給第二信號發(fā)生器SG2和第三信號發(fā)生器SG3的第一寫入信號Swl 和第二寫入信號Sw2可具有值1，提供給第二邏輯元件LC2的第一輸入端IN21的第一寫入 信號Swl可具有值1。在這種情況下，第三信號發(fā)生器SG3的第七晶體管Tr7、第二信號發(fā) 生器SG2的第六晶體管Tr6和選擇的單元存儲區(qū)域的第三開關(guān)裝置T3可導(dǎo)通。因此，第一 寫入電流可從第二寫入電流源WCS2流到第七晶體管Tr7、第三列線B3、選擇的單元存儲區(qū) 域、第二列線B2、第六晶體管Tr6，最終流到地。因此，第一信息可被寫入選擇的單元存儲區(qū) 域的第一區(qū)域R1。也可參照圖3A的描述來描述寫入第一信息。 參照圖15，提供給第二信號發(fā)生器SG2和第三信號發(fā)生器SG3的第一寫入信號Swl 和第二寫入信號Sw2可分別具有值1和值0。提供給第二邏輯元件LC2的第一輸入端IN21 的第一寫入信號Swl可具有值1。在這種情況下，根據(jù)第一寫入信號Swl和第二寫入信號 Sw2的值，第二信號發(fā)生器SG2的第五晶體管Tr5、第三信號發(fā)生器SG3的第八晶體管Tr8 和選擇的單元存儲區(qū)域的第三開關(guān)裝置T3可導(dǎo)通。因此，第二寫入電流可從第一寫入電流 源WCS1流到第五晶體管Tr5、第二列線B2、選擇的單元存儲區(qū)域、第三列線B3、第八晶體管 Tr8，最終流到地。因此，第二信息可被寫入選擇的單元存儲區(qū)域的第一區(qū)域R1。也可參照 圖3B的描述來描述寫入第二信息。 參照圖16，輸入到第一信號發(fā)生器SGl和第四信號發(fā)生器SG4的第一移動信號SMl 和第二移動信號SM2可具有值1。具有值1的第一移動信號SM1可被提供給第一邏輯元件 LC1的第一輸入端INll。在這種情況下，第四信號發(fā)生器SG4的第九晶體管Tr9、第一信號 發(fā)生器SG1的第二晶體管Tr2以及選擇的單元存儲區(qū)域的第一開關(guān)裝置Tl和第二開關(guān)裝 置T2可導(dǎo)通。因此，第一移動電流可從第二移動電流源MCS2流到第九晶體管Tr9、第四列 線B4、選擇的單元存儲區(qū)域的磁軌100、第一列線Bl、第二晶體管Tr2，最終流到地。因此， 磁軌100的磁疇壁可沿第一方向(即，向右方向)移動。 參照圖17，提供給第四信號發(fā)生器SG4的第一移動信號SMl和第二移動信號SM2可 分別具有值1和值0。提供給第一邏輯元件LC1的第一輸入端IN11的第一移動信號SM1可 具有值l。在這種情況下，第一信號發(fā)生器SG1的第一晶體管Trl、第四信號發(fā)生器SG4的 第十晶體管TrlO以及選擇的單元存儲區(qū)域的第一開關(guān)裝置Tl和第二開關(guān)裝置T2可導(dǎo)通。 因此，第二移動電流可從第一移動電流源MCSl流到第一晶體管Trl、第一列線Bl、選擇的單 元存儲區(qū)域的磁軌100、第四列線B4、第十晶體管TrlO，最終流到地。因此，磁軌100的磁疇
19壁可沿與第一方向相反的第二方向(即，向左方向)移動。 參照圖18，提供給第一信號發(fā)生器SG1和第二信號發(fā)生器SG2的讀取信號SK1可 具有值l，提供給第一邏輯元件LC1和第二邏輯元件LC2的讀取信號SK1可具有值1。在這 種情況下，第二信號發(fā)生器SG2的第四晶體管Tr4、第一信號發(fā)生器SG1的第三晶體管Tr3 以及選擇的單元存儲區(qū)域的第一開關(guān)裝置Tl至第三開關(guān)裝置T3可導(dǎo)通。因此，讀取電流 可從讀取電流源RCS1流到第二列線B2、選擇的單元存儲區(qū)域的第一單元200、第一列線B1、 第三晶體管Tr3，最終流到地。 圖19是當(dāng)操作信息存儲裝置的實施例時可使用的各種輸入信號SK1、 Swl、 Sw2、 SM1 和SM2的波形圖。圖19也是分別流過圖9的第一列線Bl至第四列線B4的第一電流信號 B1'至第四電流信號B4'的波形圖。在圖19中，斜紋圖案表示忽略的信號，點圖案表示浮動 電平信號?，F(xiàn)在將參照圖14至圖18描述圖19的這些信號。 參照圖19，在第一讀操作中，提供給信息存儲裝置的讀取信號SK1可具有值1，因 此，與"1"對應(yīng)的電流信號B2'和與"0"對應(yīng)的電流信號B1'可分別被提供給第二列線B2 和第一列線Bl。這表示讀取電流可如圖18所示從第二列線B2流動到第一列線Bl。
在磁疇壁的第一移動中，具有值1的第一移動信號SM1和第二移動信號SM2可被提 供給信息存儲裝置，因此，與"0"對應(yīng)的電流信號B1'和與"l"對應(yīng)的電流信號B4'可分別 被提供給第一列線B 1和第四列線B4。這表示第一移動電流可如圖16所示從第四列線B4 流到第一列線B1。 在第一寫操作中，具有值1的第一寫入信號Swl和第二寫入信號Sw2可被提供給信 息存儲裝置，因此，與"0"對應(yīng)的電流信號B2'和與"l"對應(yīng)的電流信號B3'可分別被提供 給可分別提供給第二列線B2和第三列線B3。這表示第一寫入電流可如圖14所示從第三列 線B3流到第二列線B2。 第二讀操作可與第一讀操作相似地執(zhí)行。 在磁疇壁的第二移動中，分別具有值1和值O的第一移動信號SM1和第二移動信號 SM2可被提供給信息存儲裝置，因此，與"1"對應(yīng)的電流信號Bl'和與"0"對應(yīng)的電流信號 B4'可分別被提供給第一列線Bl和第四列線B4。這表示第二移動電流可如圖17所示從第 一列線B1流到第四列線B4。 在第二寫操作中，具有值1和值O的第一寫入信號Swl和第二寫入信號Sw2可被提 供給信息存儲裝置，因此，與"1"對應(yīng)的電流信號B2'和與"O"對應(yīng)的電流信號B3'可分別 被提供給第二列線B2和第三列線B3。這表示第二寫入電流可如圖15所示從第二列線B2 流到第三列線B3。應(yīng)該理解，圖19的信號僅是說明性示例，并且可以以各種方式改變。
可以以各種方式構(gòu)造信息存儲裝置的上述實施例。例如，雖然圖1和圖2示出第 一開關(guān)裝置Tl和第二開關(guān)裝置T2共連到第一字線WL1 ，但是在如圖20和圖21所示的信息 存儲裝置的另一實施例中，第一開關(guān)裝置Tl和第二開關(guān)裝置T2可連接到另一字線。如圖 20和圖21所示的信息存儲裝置分別是圖1和圖2所示的信息存儲裝置的修改示例。
參照圖20和圖21，第一開關(guān)裝置Tl可連接到第一字線WL1，第二開關(guān)裝置T2可 連接到第三字線WL3。因為圖20和圖21的單元存儲區(qū)域的構(gòu)造與圖1和圖2所示的單元 存儲區(qū)域的構(gòu)造不同，所以圖9和圖10至圖13中示出的第一外圍電路1000和第二外圍電 路2000的構(gòu)造也可相應(yīng)地進行不同的修改和操作。
如果如圖1、圖2、圖20和圖21所示，第一開關(guān)裝置Tl和第二開關(guān)裝置T2安裝在 磁軌100的兩端，則除了將要操作的磁軌IOO之外的所有磁軌不會受到操作電流影響，從而 在不引起電流干擾的情況下穩(wěn)定地操作信息存儲裝置。特別地，與第一開關(guān)裝置Tl和第二 開關(guān)裝置T2如圖20和圖21所示分別連接到第一字線WL1和第三字線WL3相比，當(dāng)?shù)谝婚_ 關(guān)裝置Tl和第二開關(guān)裝置T2如圖1和圖2所示共連到第一字線WL1時的集成度得到極大 的改善。 應(yīng)該理解，這里描述的示例性實施例應(yīng)該僅理解為描述性意義，而非限制性目的。 例如，在圖9和圖13中，第一外圍電路1000和第二外圍電路2000可以以各種方式構(gòu)造，這 對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說是顯然的。因此，本公開的精神和范圍應(yīng)該由權(quán)利要求來限定。
權(quán)利要求
一種信息存儲裝置，包括磁軌，包括多個磁疇區(qū)域和磁疇壁區(qū)域，所述磁疇壁區(qū)域位于相鄰的磁疇區(qū)域之間；寫入/讀取單元，位于磁軌的第一區(qū)域，其中，第一電極和第二電極分別設(shè)置在寫入/讀取單元的第一端和第二端；第一開關(guān)裝置和第二開關(guān)裝置，分別連接到磁軌的第一端和第二端；第三開關(guān)裝置，連接到寫入/讀取單元的第一電極；電路，配置為控制第一開關(guān)裝置、第二開關(guān)裝置和第三開關(guān)裝置，并向磁軌和寫入/讀取單元中的至少一個提供電流。
2. 如權(quán)利要求1所述的信息存儲裝置，其中，第一開關(guān)裝置、第二開關(guān)裝置和第三開關(guān) 裝置是晶體管。
3. 如權(quán)利要求2所述的信息存儲裝置，其中，第一開關(guān)裝置和第二開關(guān)裝置的柵極連 接到第一字線，第三開關(guān)裝置的柵極連接到第二字線。
4. 如權(quán)利要求l所述的信息存儲裝置，還包括 第一位線至第四位線，與第一字線和第二字線交叉， 其中，第一開關(guān)裝置連接到第一位線和第一字線， 第二開關(guān)裝置連接到第一字線和第四位線， 第三開關(guān)裝置連接到第二位線和第二字線， 第三位線連接到寫入/讀取單元的第二電極。
5. 如權(quán)利要求4所述的信息存儲裝置，其中，所述電路包括 第一電路，連接到第一字線和第二字線； 第二電路，連接到第一位線至第四位線。
6. 如權(quán)利要求5所述的信息存儲裝置，其中，第二電路包括分別連接到第一位線至第 四位線的第一信號發(fā)生器至第四信號發(fā)生器，寫入/讀取單元對第一區(qū)域執(zhí)行的讀操作由第一信號發(fā)生器和第二信號發(fā)生器控制， 寫入/讀取單元對第一區(qū)域執(zhí)行的寫操作由第二信號發(fā)生器和第三信號發(fā)生器控制， 磁疇壁在磁軌內(nèi)的移動由第一信號發(fā)生器和第四信號發(fā)生器控制。
7. 如權(quán)利要求6所述的信息存儲裝置，其中，第一電路在讀操作期間導(dǎo)通第一開關(guān)裝 置至第三開關(guān)裝置，在寫操作期間導(dǎo)通第三開關(guān)裝置，在磁疇壁移動期間導(dǎo)通第一開關(guān)裝 置和第二開關(guān)裝置。
8. 如權(quán)利要求6所述的信息存儲裝置，其中，第一信號發(fā)生器包括 第一移動電流源，連接到與第一位線連接的第一互連線； 第一晶體管，設(shè)置在第一移動電流源和第一互連線之間；第二晶體管和第三晶體管，并聯(lián)連接到第一互連線，第二晶體管和第三晶體管中的每 一個的一端接地；第一與門，具有第一輸入端、第二輸入端和連接到第二晶體管的輸出端； 第二與門，具有連接到第一晶體管的輸出端，第二與門的第一輸入端和第二輸入端分別連接到第一與門的第一輸入端和第二輸入端；第一反相器，設(shè)置在第一與門的第二輸入端和第二與門的第二輸入端之間，其中，用于移動磁疇壁的移動信號被提供給第一與門的第一輸入端和第二輸入端，讀 取信號被提供給第三晶體管柵極端。
9. 如權(quán)利要求6所述的信息存儲裝置，其中，第二信號發(fā)生器包括讀取電流源和第一寫入電流源，并聯(lián)連接到與第二位線連接的第二互連線； 第四晶體管，設(shè)置在讀取電流源和第二互連線之間； 第五晶體管，設(shè)置在第一寫入電流源和第二互連線之間； 第六晶體管，連接到第二互連線，第六晶體管的一端接地； 第三與門，具有第一輸入端、第二輸入端和連接到第六晶體管的輸出端； 第四與門，具有連接到第五晶體管的輸出端、分別連接到第三與門的第一輸入端和第二輸入端的第一輸入端和第二輸入端；第二反相器，設(shè)置在第三與門的第二輸入端和第四與門的第二輸入端之間，其中，寫入信號被提供給第三與門的第一輸入端和第二輸入端，讀取信號被提供給第四晶體管的柵極端。
10. 如權(quán)利要求6所述的信息存儲裝置，其中，第三信號發(fā)生器包括 第二寫入電流源，連接到與第三位線連接的第三互連線； 第七晶體管，設(shè)置在第二寫入電流源和第三互連線之間； 第八晶體管，連接到第三互連線，第八晶體管的一端接地； 第五與門，具有第一輸入端、第二輸入端和連接到第七晶體管的輸出端； 第六與門，具有連接到第八晶體管的輸出端、分別連接到第五與門的第一輸入端和第二輸入端的第一輸入端和第二輸入端；第三反相器，設(shè)置在第五與門的第一輸入端和第六與門的第一輸入端之間， 其中，寫入信號被提供給第五與門的第一輸入端和第二輸入端。
11. 如權(quán)利要求6所述的信息存儲裝置，其中，第四信號發(fā)生器包括 第二移動電流源，連接到與第四位線連接的第四互連線； 第九晶體管，設(shè)置在第二移動電流源和第四互連線之間； 第十晶體管，連接到第四互連線，第十晶體管的一端接地； 第七與門，具有第一輸入端、第二輸入端和連接到第九晶體管的輸出端； 第八與門，具有連接到第十晶體管的輸出端、分別連接到第七與門的第一輸入端和第二輸入端的第一輸入端和第二輸入端；第四反相器，設(shè)置在第七與門的第一輸入端和第八與門的第一輸入端之間， 其中，用于移動磁疇壁的移動信號被提供給第七與門的第一輸入端和第二輸入端。
12. 如權(quán)利要求7所述的信息存儲裝置，其中，第一電路包括 第一或門，包括連接到第一字線的輸出端； 第二或門，包括連接到第二字線的輸出端，其中，移動信號和讀取信號分別被提供給第一或門的第一輸入端和第二輸入端，寫入 信號和讀取信號分別被提供給第二或門的第一輸入端和第二輸入端。
13. 如權(quán)利要求5所述的信息存儲裝置，其中，磁軌、第一字線和第二字線、第一位線至第四位線、第一開關(guān)裝置、第二開關(guān)裝置和第三開關(guān)裝置一起組成一個單元存儲區(qū)域， 存儲矩陣包括多個單元存儲區(qū)域。
14. 如權(quán)利要求13所述的信息存儲裝置，其中，第一解碼器設(shè)置在第一電路和存儲矩 陣之間，第二解碼器設(shè)置在第二電路和存儲矩陣之間。
15. 如權(quán)利要求1所述的信息存儲裝置，其中，寫入/讀取單元是穿隧磁阻裝置或巨磁 阻裝置。
16. 如權(quán)利要求l所述的信息存儲裝置，其中，寫入/讀取單元設(shè)置在磁軌的中心部分。
17. 如權(quán)利要求2所述的信息存儲裝置，其中，第一開關(guān)裝置、第二開關(guān)裝置和第三開 關(guān)裝置的柵極分別連接到不同的字線。
18. —種操作如權(quán)利要求1所述的信息存儲裝置的方法，包括 導(dǎo)通第一開關(guān)裝置、第二開關(guān)裝置和第三開關(guān)裝置中的至少一個； 將電流提供給磁軌和寫入/讀取單元中的至少一個。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述電流是讀取電流、寫入電流或用于移動磁軌 的磁疇壁的移動電流。
20. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，第一開關(guān)裝置、第二開關(guān)裝置和第三開關(guān)裝置是 晶體管。
21. 如權(quán)利要求20所述的方法，其中，第一開關(guān)裝置和第二開關(guān)裝置的柵極連接到第 一字線，第三開關(guān)裝置的柵極連接到第二字線。
22. 如權(quán)利要求21所述的方法，其中，第一位線至第四位線與第一字線和第二字線交叉，其中，第一位線連接到第一開關(guān)裝置， 第二位線連接到第三開關(guān)裝置， 第三位線連接到寫入/讀取單元的第二電極， 第四位線連接到第二開關(guān)裝置。
23. 如權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述電路包括 第一電路，連接到第一字線和第二字線； 第二電路，連接到第一位線至第四位線。
24. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中，第二電路包括分別連接到第一位線至第四位線 第一信號發(fā)生器至第四信號發(fā)生器，寫入/讀取單元對第一區(qū)域執(zhí)行的讀操作由第一信號發(fā)生器和第二信號發(fā)生器控制， 寫入/讀取單元對第一區(qū)域執(zhí)行的寫操作由第二信號發(fā)生器和第三信號發(fā)生器控制， 磁疇壁在磁軌內(nèi)的移動由第一信號發(fā)生器和第四信號發(fā)生器控制。
25. 如權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述導(dǎo)通包括導(dǎo)通第一開關(guān)裝置、第二開關(guān)裝置 和第三開關(guān)裝置，通過寫入/讀取單元將讀取電流從第二信號發(fā)生器提供給第一信號發(fā)生器。
26. 如權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述導(dǎo)通包括導(dǎo)通第三開關(guān)裝置，通過寫入/讀取單元將寫入電流從第二信號發(fā)生器和第三信號發(fā)生器中的一個提供 給第二信號發(fā)生器和第三信號發(fā)生器中的另一個。
27. 如權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述導(dǎo)通包括導(dǎo)通第一開關(guān)裝置和第二開關(guān)裝通過磁軌將移動電流從第一信號發(fā)生器和第四信號發(fā)生器中的一個提供給第一信號 發(fā)生器和第四信號發(fā)生器中的另一個。
全文摘要
公開了一種信息存儲裝置及其操作方法。所述信息存儲裝置包括存儲區(qū)域，具有磁軌和寫入/讀取單元；控制電路，連接到所述存儲區(qū)域。第一開關(guān)裝置和第二開關(guān)裝置連接到磁軌的兩端，第三開關(guān)裝置連接到寫入/讀取單元?？刂齐娐房刂频谝婚_關(guān)裝置至第三開關(guān)裝置，將操作電流提供給磁軌和寫入/讀取單元中的至少一個。
文檔編號G11C11/15GK101763889SQ20091024668
公開日2010年6月30日 申請日期2009年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月24日
發(fā)明者徐順愛, 曹永真, 李丞晙, 李成喆, 申炯淳, 皮雄煥, 裴智瑩 申請人:三星電子株式會社