專利名稱：光記錄方法、光記錄裝置、原盤曝光裝置、光學(xué)信息記錄介質(zhì)及再現(xiàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用PRML等最大似然譯碼的光記錄方法、光記錄裝置、原盤曝光裝置、光信息記錄介質(zhì)及再現(xiàn)方法。更加具體而言，本發(fā)明涉及的技術(shù)是，為了降低在記錄或再現(xiàn)比光束點(diǎn)徑充分小的標(biāo)記或凹坑(pit)時(shí)產(chǎn)生的光學(xué)符號(hào)間干擾或者熱干擾，至少根據(jù)所關(guān)注標(biāo)記的前面及后面的間隔的間隔長度進(jìn)行適應(yīng)記錄補(bǔ)償，以最合適的記錄條件進(jìn)行寫入。本發(fā)明還涉及如下技術(shù)，除了所關(guān)注標(biāo)記的前面及后面標(biāo)記的間隔的間隔長度以外，還根據(jù)該間隔的更前面及更后面的標(biāo)記的標(biāo)記長度來進(jìn)行適應(yīng)記錄補(bǔ)償，從而以最合適的記錄條件進(jìn)行寫入。
在本說明書中，以某位置為起點(diǎn)，將由于光信息記錄介質(zhì)(光盤介質(zhì))的旋轉(zhuǎn)光束點(diǎn)在光盤介質(zhì)上行進(jìn)的方向稱為該位置的“后面”，以該位置為起點(diǎn)將其相反方向稱為“前
背景技術(shù)：
以往，作為光盤介質(zhì)存在BD-R、BD-RE, DVD-RAM、DVD-R、DVD-RW、CD-Rff 規(guī)格等，存在對(duì)基于這些規(guī)格的光盤介質(zhì)照射激光從而進(jìn)行改寫或補(bǔ)寫的技術(shù)。
作為光盤介質(zhì)的一例，存在相變化型光盤介質(zhì)。對(duì)相變化型光盤介質(zhì)的信息記錄通過如下方式進(jìn)行，對(duì)光盤介質(zhì)照射激光，由該注入能量使形成于記錄膜面上的薄膜物質(zhì)原子結(jié)合狀態(tài)局部性地變化。通過照射激光，所照射的部分與其周邊部的物理狀態(tài)發(fā)生變化。具體而言，產(chǎn)生結(jié)晶或非結(jié)晶(amorphous)狀態(tài)的反射率的差異。由于因物理狀態(tài)的不同反射率發(fā)生變化，因此若照射其功率遠(yuǎn)低于記錄時(shí)功率的激光來檢測反射率的變化量， 就能夠進(jìn)行信息的讀取。
這樣，在相變化型光盤介質(zhì)中，除了在記錄層中將GeSbTe材料用作記錄材料的改寫型介質(zhì)之外，還存在一次寫入型(補(bǔ)寫型)光盤介質(zhì)。作為一次寫入型光盤介質(zhì)的記錄材料的一例，專利文獻(xiàn)1所公開的技術(shù)中，采用了含有Te_0-M(其中，M是從金屬元素、半金屬元素以及半導(dǎo)體元素中選擇的至少一個(gè)元素)。所謂Te-O-M是指含有Te、0以及M的復(fù)合材料。成膜之后，在Te02的矩陣中，同樣地隨機(jī)分散Te、Te-M以及M微粒子。當(dāng)對(duì)這種記錄材料形成的薄膜照射聚光的激光時(shí)，將引起膜的熔化，析出粒徑較大的Te或Te-M的結(jié)晶。能夠?qū)⒋藭r(shí)的光學(xué)狀態(tài)的不同作為信號(hào)進(jìn)行檢測，由此能進(jìn)行只一次的寫入，即所謂的一次寫入型記錄。
此外，在由無機(jī)系材料形成的合金系的一次寫入型光盤中，重疊了 2個(gè)材料不同的薄膜。由激光對(duì)這些材料進(jìn)行加熱熔化，通過使二者混合而形成合金，從而形成記錄標(biāo)記。另外，周知一種一次寫入型光盤介質(zhì)，因激光照射導(dǎo)致的升溫，有機(jī)色素系材料的有機(jī)色素進(jìn)行熱分解，通過降低熱分解部分的折射率來記錄信息。在該一次寫入型光盤介質(zhì)中， 與未記錄部分相比，視為光透過層的路線長度變短，以此為結(jié)果對(duì)于入射光而言，可視為再現(xiàn)專用CD等的凹凸的凹坑，從而進(jìn)行信息記錄。
在對(duì)這種一次寫入型光盤介質(zhì)進(jìn)行標(biāo)記邊沿記錄的情況下，照射由被稱為多脈沖的多個(gè)脈沖列構(gòu)成的激光，使標(biāo)記的物理狀態(tài)發(fā)生變化，從而來記錄信息。然后，通過檢測反射率變化來讀取信息。
為了提高記錄密度，一般考慮縮短所記錄的標(biāo)記、間隔的長度。但是，特別在記錄標(biāo)記之前的間隔長度變短時(shí)，會(huì)產(chǎn)生熱干擾。該熱干擾是指記錄標(biāo)記的終端的熱量在間隔部分傳導(dǎo)，從而對(duì)下一個(gè)標(biāo)記始端的溫度上升帶來影響；相反，記錄的標(biāo)記始端的熱量將對(duì)前面標(biāo)記的終端的冷卻過程帶來影響。此外，即便在軌道上形成正確長度的標(biāo)記以及間隔， 由于光點(diǎn)尺寸所決定的再現(xiàn)光學(xué)系統(tǒng)的頻率特性的原因，存在再現(xiàn)時(shí)檢測出的短的標(biāo)記及間隔的邊沿位置與理想值不同。一般將這種檢測邊沿與理想值之間的偏差稱為符號(hào)間干擾。當(dāng)標(biāo)記及間隔的尺寸比光點(diǎn)小時(shí)，存在符號(hào)間干擾變得顯著、再現(xiàn)時(shí)的抖動(dòng)增大從而凹坑差錯(cuò)率增加的課題。
在DVD以及BD這種的記錄密度下，所記錄的標(biāo)記尺寸及標(biāo)記間的間距的距離較小。其結(jié)果，為了形成標(biāo)記而施加的激光的熱量，不僅傳達(dá)至自身標(biāo)記還在間隔傳遞而到達(dá)前后的標(biāo)記，自身標(biāo)記及前后的標(biāo)記將發(fā)生變形。為了避免該情況，周知如下的技術(shù)因自身標(biāo)記長度與之前的間隔長度的關(guān)系，來改變用于形成標(biāo)記的多脈沖的開頭脈沖位置；或， 因自身標(biāo)記長度與之后的間隔長度的關(guān)系，來改變用于形成標(biāo)記的多脈沖的最終脈沖位置。該技術(shù)是預(yù)先對(duì)記錄標(biāo)記的熱干涉部分進(jìn)行修正然后進(jìn)行記錄的技術(shù)。該記錄脈沖位置的控制一般被稱為適應(yīng)型記錄補(bǔ)償。專利文獻(xiàn)2公開了適應(yīng)型記錄補(bǔ)償?shù)姆椒ā?br> 根據(jù)專利文獻(xiàn)2公開的記錄方法，首先在可寫入的光盤介質(zhì)中，針對(duì)標(biāo)記長度與之前的間隔長度、或者標(biāo)記長度與之后的間隔長度的多種可能組合，對(duì)它們分別確定記錄脈沖的位置信息，記錄脈沖標(biāo)準(zhǔn)條件被預(yù)先記錄。記錄裝置從光盤介質(zhì)讀出該記錄脈沖標(biāo)準(zhǔn)條件，對(duì)至此所設(shè)定的記錄脈沖標(biāo)準(zhǔn)條件進(jìn)行修正，求出最合適的記錄脈沖條件。
具體而言，利用處于該記錄脈沖標(biāo)準(zhǔn)條件中的所有的標(biāo)記長度和之前的間隔長度、或者標(biāo)記長度和之后的間隔長度的組合所對(duì)應(yīng)的位置信息，對(duì)光盤介質(zhì)上的規(guī)定軌道進(jìn)行第1次試寫。然后，對(duì)第1次試寫所記錄的信息進(jìn)行再現(xiàn)，根據(jù)再現(xiàn)信號(hào)檢測第1抖動(dòng)， 對(duì)處于該記錄脈沖標(biāo)準(zhǔn)條件中的所有的標(biāo)記長度和間隔長度的組合所對(duì)應(yīng)的位置信息，一律加上第1規(guī)定量的變化。之后，利用同樣變化的位置信息，對(duì)光盤介質(zhì)上的規(guī)定軌道進(jìn)行第2次試寫。然后，對(duì)第2次試寫所記錄的信息進(jìn)行再現(xiàn)，根據(jù)再現(xiàn)信號(hào)檢測第2抖動(dòng)。最后，比較第1抖動(dòng)與第2抖動(dòng)，選擇抖動(dòng)較少一方的試寫中采用的位置信息，求出記錄脈沖條件。
此外，在專利文獻(xiàn)3、專利文獻(xiàn)4以及專利文獻(xiàn)5所公開的記錄控制方法中，利用最大似然譯碼法而不是再現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)，預(yù)先根據(jù)再現(xiàn)信號(hào)波形估計(jì)信號(hào)圖案(pattern)。 然后，比較再現(xiàn)信號(hào)波形與估計(jì)信號(hào)波形，同時(shí)根據(jù)再現(xiàn)信號(hào)譯碼出具有最可靠的信號(hào)路徑的解調(diào)數(shù)據(jù)。利用該方法，使信息的記錄時(shí)的記錄參數(shù)最佳，以便使進(jìn)行最大似然譯碼時(shí)的差錯(cuò)發(fā)生概率最小。
此外，由于近年來光盤介質(zhì)的高密度化，記錄標(biāo)記長度接近于光學(xué)分辨率的界限， 符號(hào)間干擾的增大以及SNR(Signal to Noise Ratio)的劣化變得更加顯著。
為了維持系統(tǒng)余量，通過將PRML設(shè)為高次，從而能夠應(yīng)對(duì)。例如非專利文獻(xiàn)1公開了如下內(nèi)容在激光波長為405nm、物鏡NA(Numerical Aperture)為0. 85的光學(xué)系統(tǒng)中，在直徑為12cm的藍(lán)光光盤(BD)每一面的記錄密度為25GB(Giga Byte)的情況下，通過采用PR(1、2、2、1)ML方式，能夠確保系統(tǒng)余量。該文獻(xiàn)公開中，若為了確保每一面超過25GB 的記錄容量(例如，30GB或33. 4GB)，縮短標(biāo)記長度而提高線密度，則在使用同一光學(xué)系統(tǒng)的情況下，需要采用PR(1、2、2、2、1)ML方式。
此外，專利文獻(xiàn)6、專利文獻(xiàn)7以及專利文獻(xiàn)8公開了如下的方法，對(duì)于每一面的記錄密度為30GB至33. 4GB的高記錄密度光盤介質(zhì)，根據(jù)基于冊(cè)(1、2、2、2、1)ML方式的復(fù)合化數(shù)據(jù)的質(zhì)量，來調(diào)整記錄脈沖波形，使各種記錄參數(shù)最佳。
專利文獻(xiàn)1 特開2004-362748號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2 特開2000-200418號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)3 特開2004-335079號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)4 特開2004-630 號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)5 特開2008-159231號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)6 特開2007-317334號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)7 特開2008-33981號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)8 美國專利申請(qǐng)公開第2008/0159104號(hào)說明書 非專利文獻(xiàn)1 圖解藍(lán)光光盤讀本歐姆公司 但是，上述文獻(xiàn)記載的技術(shù)中存在以下所示的各種問題。
第1，如專利文獻(xiàn)2記載那樣的、在以限幅電平為基準(zhǔn)判定再現(xiàn)信號(hào)的“0”以及“1” 的電平判定方式中，再現(xiàn)比光點(diǎn)直徑足夠小的標(biāo)記或凹坑時(shí)，再現(xiàn)信號(hào)的振幅變得極其小。 這樣，因?yàn)槎虡?biāo)記和短間隔的再現(xiàn)信號(hào)集中在限幅電平附近，容易受到噪聲和符號(hào)間干擾等的影響，在電平判定時(shí)頻發(fā)判定錯(cuò)誤。
第2，若采用如專利文獻(xiàn)3、4以及5記載那樣的、采用再現(xiàn)性能高的高次PRML方式進(jìn)行記錄標(biāo)記的邊沿位置調(diào)整方法時(shí)，在記錄密度為每面30GB至33. 4GB這種高密度的記錄中，無法以最大的SN比(SNR)的記錄條件進(jìn)行記錄，將使光盤系統(tǒng)整體的記錄再現(xiàn)余量減少。
第3，在專利文獻(xiàn)6、7以及8記載的記錄補(bǔ)償方法中，僅對(duì)所關(guān)注標(biāo)記的標(biāo)記長度和該標(biāo)記之前的間隔的間隔長度的組合、或者所關(guān)注標(biāo)記的標(biāo)記長度和該標(biāo)記之后的間隔的間隔長度的組合所對(duì)應(yīng)的位置信息，進(jìn)行記錄脈沖調(diào)整，無法對(duì)應(yīng)超過了根據(jù)標(biāo)記尺寸和光電尺寸所決定的光學(xué)分辨率的標(biāo)記長度。
通過以上所說明，在以上各現(xiàn)有技術(shù)中，在超過光學(xué)分辨率的高密度記錄時(shí)，都無法以足夠的精度形成或讀出標(biāo)記，其結(jié)果將無法實(shí)現(xiàn)充分的記錄面密度和可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種光記錄方法以及光記錄再現(xiàn)裝置，能夠?qū)獗P介質(zhì)進(jìn)行記錄和再現(xiàn)時(shí)，精密地補(bǔ)償熱干擾和光學(xué)符號(hào)間干擾。
此外，本發(fā)明的目的特別在于在以波長405nm、物鏡的數(shù)值孔徑NA(Numerical Aperture)為0. 85的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行直徑12cm的藍(lán)光光盤(BD)每一面為30GB或33. 4G這種的最短標(biāo)記長度大概為0. IM μ m 0. 111 μ m的高線密度記錄的情況下，基于以I3R (1， 2，2，2，1)ML方式進(jìn)行最大似然譯碼的再現(xiàn)信息，為了減少高密度記錄時(shí)成為問題的光學(xué)符號(hào)間干擾或熱干擾，通過根據(jù)前面或者/以及后面間隔長度和前面或者/以及后面標(biāo)記長度，對(duì)所關(guān)注標(biāo)記的記錄脈沖條件進(jìn)行適應(yīng)補(bǔ)償，從而形成高質(zhì)量的記錄標(biāo)記，提高光盤介質(zhì)的系統(tǒng)余量。
根據(jù)本發(fā)明的光記錄方法，通過以多個(gè)等級(jí)的功率切換激光，將調(diào)制之后的記錄脈沖列照射于光盤介質(zhì)，從而在所述光盤介質(zhì)上形成多個(gè)標(biāo)記，利用各標(biāo)記以及相鄰的2 個(gè)標(biāo)記之間的間隔的邊沿位置記錄信息，所述光記錄方法包括對(duì)記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼，制作作為標(biāo)記以及間隔的組合的編碼數(shù)據(jù)的步驟；根據(jù)所述標(biāo)記的標(biāo)記長度、所述標(biāo)記前面的第1間隔的間隔長度以及所述標(biāo)記后面的第2間隔的間隔長度的組合，對(duì)編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類的步驟；根據(jù)所述分類結(jié)果，生成使記錄脈沖列的始端邊沿位置、終端邊沿位置以及脈沖寬度之中的至少一個(gè)改變的所述記錄脈沖列的步驟，所述記錄脈沖列用于形成所述標(biāo)記； 和將所生成的所述記錄脈沖列照射于光盤介質(zhì)，從而在所述光盤介質(zhì)上形成多個(gè)所述標(biāo)記的步驟。
在進(jìn)行分類的所述步驟中，可以根據(jù)最短標(biāo)記的標(biāo)記長度、所述第1間隔的間隔長度以及所述第2間隔的間隔長度的組合，對(duì)所述編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類。
將最短間隔長度設(shè)為η時(shí)，在進(jìn)行分類的所述步驟中，可以根據(jù)所述標(biāo)記的標(biāo)記長度、所述第1間隔的間隔長度是η還是η+1以上、或者所述第2間隔的間隔長度是η還是 η+1以上的組合，來對(duì)所述編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類。
在對(duì)所述標(biāo)記的標(biāo)記長度、所述第1間隔的間隔長度以及所述第2間隔的間隔長度進(jìn)行組合時(shí)，在進(jìn)行分類的所述步驟中，可以將所述第1間隔分類至根據(jù)間隔長度預(yù)先規(guī)定的M個(gè)種類的其中一個(gè)，其中的M為1以上的整數(shù)，將所述第2間隔分類至根據(jù)間隔長度預(yù)先規(guī)定的N個(gè)種類的其中一個(gè)，其中的N為1以上的整數(shù)且M興N。
在將最短間隔長度設(shè)為η時(shí)，在進(jìn)行分類的所述步驟中，可以根據(jù)間隔長度，將所述第1間隔分類為η、η+1、η+2、η+3以上的4個(gè)種類，將所述第2間隔分類為η以及η+1以上的2個(gè)種類，從而對(duì)所述編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類，在進(jìn)行生成的所述步驟中，根據(jù)所述分類結(jié)果，改變所述記錄脈沖列的始端邊沿位置。
在將最短間隔長度設(shè)為η時(shí)，在進(jìn)行分類的所述步驟中，可以根據(jù)間隔長度，將所述第1間隔分類為η以及η+1以上的2個(gè)種類，將所述第2間隔分類為η、η+1、η+2、η+3以上的4個(gè)種類，從而對(duì)所述編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類，在進(jìn)行生成的所述步驟中，根據(jù)所述分類結(jié)果，改變所述記錄脈沖列的終端邊沿位置。
在將最短間隔長度設(shè)為η時(shí)，在進(jìn)行分類的所述步驟中，可以根據(jù)間隔長度，將所述第1間隔分類為η、η+1、η+2、η+3以上的4個(gè)種類，將所述第2間隔分類為η以及η+1以上的2個(gè)種類，從而對(duì)所述編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類，在進(jìn)行生成的所述步驟中，根據(jù)所述分類結(jié)果，改變所述記錄脈沖列的脈沖寬度。
在所述標(biāo)記的標(biāo)記長度比最短標(biāo)記長度長時(shí)，在進(jìn)行分類的所述步驟中，可以根據(jù)所述標(biāo)記長度和所述第1間隔長度的組合、以及所述標(biāo)記長度與所述第2間隔長度的組合之中的至少其中一方，來對(duì)所述編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類。
所述光記錄方法還可以包括從所述光盤介質(zhì)生成模擬信號(hào)，從所述模擬信號(hào)生成數(shù)字信號(hào)的步驟；對(duì)所述數(shù)字信號(hào)的波形進(jìn)行整形的步驟；通過PRML方式對(duì)整形之后的所述數(shù)字信號(hào)進(jìn)行最大似然譯碼的步驟，其中的PRML方式是Partial Response MaximumLikelihood(部分響應(yīng)最大似然)方式；生成表示最大似然譯碼結(jié)果的二值化信號(hào)的步驟； 和基于整形之后的所述數(shù)字信號(hào)和所述二值化信號(hào)，檢測整形之后的所述數(shù)字信號(hào)波形的偏移量的步驟。在生成記錄脈沖列的所述步驟中，根據(jù)所述偏移量的檢測結(jié)果，改變用于形成多個(gè)所述標(biāo)記的記錄脈沖列的所述始端邊沿位置、所述終端邊沿位置以及脈沖寬度之中的至少一個(gè)。
在進(jìn)行檢測的所述步驟中，可以比較所述編碼數(shù)據(jù)和所述二值化信號(hào)，從而檢測所述數(shù)字信號(hào)波形的偏移量；在生成記錄脈沖列的所述步驟中，改變所述記錄脈沖列的所述始端邊沿位置、所述終端邊沿位置、以及脈沖寬度之中的至少一個(gè)。
在生成記錄脈沖列的所述步驟中，可以根據(jù)所述分類結(jié)果，改變所述記錄脈沖列的、從始端起第1個(gè)至第3個(gè)以及從終端起第1個(gè)至第3個(gè)的脈沖邊沿之中的至少一個(gè)脈沖邊沿的位置，來生成所述記錄脈沖列。
在將所述激光的波長設(shè)為λ，將物鏡的數(shù)值孔徑設(shè)為ΝΑ，將最短標(biāo)記長度設(shè)為ML 時(shí)，優(yōu)選滿足ML < λ /NA Χ0. 26。
優(yōu)選所述最短標(biāo)記長度ML為0. 1 μ m以下。
優(yōu)選所述激光的波長λ在400nm至410nm的范圍內(nèi)，所述NA在0. 84至0. 86的范圍內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的光記錄裝置，通過以多個(gè)等級(jí)的功率切換激光，將調(diào)制之后的記錄脈沖列照射于光盤介質(zhì)，從而在所述光盤介質(zhì)上形成多個(gè)標(biāo)記，利用各標(biāo)記以及相鄰的2 個(gè)標(biāo)記之間的間隔的邊沿位置記錄信息，所述光記錄裝置具備編碼部，對(duì)記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼，制作作為標(biāo)記以及間隔的組合的編碼數(shù)據(jù)；分類部，根據(jù)所述標(biāo)記的標(biāo)記長度、所述標(biāo)記前面的第1間隔的間隔長度以及所述標(biāo)記后面的第2間隔的間隔長度的組合，對(duì)編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類；記錄波形發(fā)生部，根據(jù)所述分類結(jié)果，生成使記錄脈沖列的始端邊沿位置、終端邊沿位置以及脈沖寬度之中的至少一個(gè)改變的所述記錄脈沖列，所述記錄脈沖列用于形成所述標(biāo)記；和激光驅(qū)動(dòng)部，將所生成的所述記錄脈沖列照射于光盤介質(zhì)，從而在所述光盤介質(zhì)上形成多個(gè)所述標(biāo)記。
所述光記錄裝置還可以具有PRML處理部，接受根據(jù)從光盤介質(zhì)再現(xiàn)得到的模擬信號(hào)所生成的數(shù)字信號(hào)，對(duì)所述數(shù)字信號(hào)波形進(jìn)行整形，通過PRML方式對(duì)所述整形之后的數(shù)字信號(hào)進(jìn)行最大似然譯碼，其中PRML方式是Partial Response Maximum Likelihood方式；偏移檢測部，基于整形之后的所述數(shù)字信號(hào)和所述二值化信號(hào)，檢測整形之后的所述數(shù)字信號(hào)波形的偏移量，記錄補(bǔ)償部，根據(jù)所述偏移量的檢測結(jié)果，改變用于形成多個(gè)所述標(biāo)記的記錄脈沖列的所述始端邊沿位置、所述終端邊沿位置以及脈沖寬度之中的至少一個(gè)。
根據(jù)本發(fā)明的原盤曝光裝置，在涂布了光刻膠的原盤上，通過以多個(gè)等級(jí)的功率切換激光，將調(diào)制之后的記錄脈沖列照射于光盤介質(zhì)，從而在所述光盤介質(zhì)上形成多個(gè)標(biāo)記，利用各標(biāo)記以及相鄰的2個(gè)標(biāo)記之間的間隔的邊沿位置記錄信息，所述原盤曝光裝置具備編碼部，對(duì)記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼，制作作為標(biāo)記以及間隔的組合的編碼數(shù)據(jù)；分類部， 根據(jù)所述標(biāo)記的標(biāo)記長度、所述標(biāo)記前面的第1間隔的間隔長度以及所述標(biāo)記后面的第2 間隔的間隔長度的組合，對(duì)編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類；記錄波形發(fā)生部，根據(jù)所述分類結(jié)果，生成使記錄脈沖列的始端邊沿位置、終端邊沿位置以及脈沖寬度之中的至少一個(gè)改變的所述記錄脈沖列，所述記錄脈沖列用于形成所述標(biāo)記；和激光驅(qū)動(dòng)部，將所生成的所述記錄脈沖列照射于光盤介質(zhì)，從而在所述光盤介質(zhì)上形成多個(gè)所述標(biāo)記。
本發(fā)明的光盤介質(zhì)，通過上述光記錄方法來記錄信息，在所述光盤介質(zhì)中，與所述分類相關(guān)的信息記錄在規(guī)定區(qū)域。
本發(fā)明的光盤介質(zhì)制造方法，該光盤介質(zhì)通過上述光記錄方法來記錄信息，該光盤介質(zhì)制造方法包括形成記錄與所述分類相關(guān)的信息的規(guī)定區(qū)域的步驟。
本發(fā)明的再現(xiàn)方法從通過上述記錄方法記錄所述標(biāo)記的光盤介質(zhì)再現(xiàn)信息，所述再現(xiàn)方法包括對(duì)所述光盤介質(zhì)照射激光來再現(xiàn)所述信息的步驟。
如上所說明的那樣，根據(jù)本發(fā)明的光記錄方法，對(duì)于所記錄的各標(biāo)記，預(yù)先依據(jù)其標(biāo)記長度和其前后的間隔長度或者/以及更加前后的標(biāo)記長度來進(jìn)行分類，按照上述分類結(jié)果，改變記錄各標(biāo)記的記錄脈沖列的脈沖邊沿位置，從而來控制記錄脈沖信號(hào)。這樣，能夠精密控制在光盤介質(zhì)的軌道上形成的標(biāo)記的始端位置或后端位置。特別地，考慮了在線密度超過了由最短標(biāo)記長度和光點(diǎn)直徑?jīng)Q定的OTF (Optical Transfer Function)的邊界的高密度記錄時(shí)成為問題的光學(xué)符號(hào)間干擾或熱干擾，從而能夠嚴(yán)密地控制標(biāo)記的始端位置和后端位置。由此，可實(shí)現(xiàn)記錄/再現(xiàn)動(dòng)作的高可靠性，能夠?qū)崿F(xiàn)高密度大容量的記錄介質(zhì)的同時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)信息記錄裝置以及記錄介質(zhì)的小型化。
更加具體而言，在使用激光波長405nm、物鏡NA為0.85的光學(xué)系統(tǒng)，進(jìn)行直徑 12cm的藍(lán)光光盤(BD)每一面為30GB或33. 4GB這種的最短標(biāo)記長度大致為0. ΙΜμ m 0. 111 μ m的高線密度記錄的情況下，基于以冊(cè)(1，2，2，2，1)ML方式再現(xiàn)得到的再現(xiàn)信息， 設(shè)定記錄再現(xiàn)裝置的記錄脈沖條件，通過補(bǔ)償高密度記錄時(shí)成為問題的符號(hào)間干擾或熱干擾，從而形成高質(zhì)量的記錄標(biāo)記，可提高光盤介質(zhì)的系統(tǒng)余量。
在考慮到對(duì)前后間隔的熱影響的情況下，激光照射脈沖dTFl、dTF2等的前側(cè)脈沖邊沿，容易受到來自更靠近脈沖邊沿側(cè)的間隔即前面間隔的熱影響。也就是說，根據(jù)前面間隔長度記錄標(biāo)記容易受到熱干擾。在本發(fā)明的擴(kuò)張型記錄補(bǔ)償方式中，在記錄最短標(biāo)記 (2T)的情況下，根據(jù)前后間隔長度進(jìn)行記錄補(bǔ)償。在改變dTFl、dTF2等的前側(cè)脈沖邊沿、 或dTFl、dTF2之間的脈沖寬度TF2、或者dTE2、dTE3之間的脈沖寬度TE2的情況下，通過使前面間隔長度所對(duì)應(yīng)的記錄補(bǔ)償分類數(shù)比后面間隔長度所對(duì)應(yīng)的記錄補(bǔ)償分類數(shù)多，能夠更有效地減少熱干擾。此外，通過減少后面間隔長度的分類數(shù)，能夠減少記錄補(bǔ)償表的分類總數(shù)，可簡化LSI，此外可減少記錄學(xué)習(xí)時(shí)的學(xué)習(xí)工序。
同樣，在考慮到對(duì)前后間隔的熱影響的情況下，激光照射脈沖dTEl、dTE2等的后側(cè)脈沖邊沿，容易受到來自更靠近于脈沖邊沿的間隔即后面間隔的熱影響。也就是說，根據(jù)后面間隔長度記錄標(biāo)記容易受到熱干擾。在本發(fā)明的擴(kuò)張型記錄補(bǔ)償方式中，在記錄最短標(biāo)記OT)的情況下，根據(jù)前后間隔長度進(jìn)行記錄補(bǔ)償。在改變dTEl、dTE2等的前側(cè)脈沖邊沿的情況下，通過使后面間隔長度所對(duì)應(yīng)的記錄補(bǔ)償分類數(shù)比前面間隔長度所對(duì)應(yīng)的記錄補(bǔ)償分類數(shù)多，能夠更有效地減少熱干擾。此外，通過減少前面間隔長度的分類數(shù)，能夠減少記錄補(bǔ)償表的分類總數(shù)，可簡化LSI，此外可減少記錄學(xué)習(xí)時(shí)的學(xué)習(xí)工序。
此外，通過將(緊挨著)所關(guān)注標(biāo)記的前面間隔的間隔長度、以及(緊挨著)所關(guān)注標(biāo)記的后面間隔的間隔長度分類為最短間隔長度(η)和比最短間隔長度長的間隔長度 (η+1以上)的2種組合，能夠更有效地減少熱干擾。所關(guān)注標(biāo)記的前面或后面的間隔為最短間隔長度(η)的間隔的情況下，由于所關(guān)注標(biāo)記的前面或后面標(biāo)記變得更近，因此容易受到來自前面或后面標(biāo)記的熱影響。因此，通過分類為最短間隔長度(η)和比最短間隔長度長的間隔長度(η+1以上)的2種組合，在最短間隔長度(η)的情況下和比最短間隔長度長的間隔長度(η+1以上)的情況下，使調(diào)整量不同，可在最短間隔長度(η)時(shí)進(jìn)行更精密的調(diào)整，從而更有效地減少熱干擾。


圖1是說明本發(fā)明的實(shí)施方式中的光學(xué)信息記錄再現(xiàn)裝置的整體結(jié)構(gòu)圖。
圖2是說明本發(fā)明的實(shí)施方式中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)圖。
圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的與記錄方法相關(guān)的時(shí)序圖。
圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的標(biāo)記長度與記錄脈沖列波形之間的關(guān)系的時(shí)序圖。
圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的標(biāo)記長度與記錄脈沖列波形之間的關(guān)系的其他時(shí)序圖。
圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的光學(xué)系統(tǒng)的OTF與空間頻率的關(guān)系的圖。
圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的光點(diǎn)直徑與記錄標(biāo)記的物理尺寸的關(guān)系的示意圖。
圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中光記錄方法的流程圖。
圖9表示本發(fā)明的實(shí)施方式中記錄脈沖列的控制例。
圖10表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的記錄脈沖條件的設(shè)定值的例子。
圖11表示本發(fā)明的實(shí)施方式中記錄脈沖列的其他控制例。
圖12表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的記錄脈沖條件的設(shè)定值的例子。
圖13表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的記錄脈沖條件的設(shè)定值的例子。
圖14表示本發(fā)明的實(shí)施方式中由RLL(1，7)記錄符號(hào)和等效方式PR(1，2，2，2，1) 所決定的狀態(tài)轉(zhuǎn)移規(guī)則。
圖15表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的狀態(tài)轉(zhuǎn)移規(guī)則所對(duì)應(yīng)的格狀圖。
圖16表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的表1所示的ra等效理想波形的一例。
圖17表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的表2所示的冊(cè)等效理想波形的一例。
圖18表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的表3所示的冊(cè)等效理想波形的一例。
圖19表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的記錄脈沖條件設(shè)定值的其他例。
圖20表示本發(fā)明的實(shí)施方式中表1所示的I3R均衡理想波形的一例與記錄標(biāo)記的關(guān)系。
圖21表示本發(fā)明的實(shí)施方式中表2所示的I3R均衡理想波形的一例與記錄標(biāo)記的關(guān)系。
圖22表示本發(fā)明的實(shí)施方式中表3所示的I3R均衡理想波形的一例與記錄標(biāo)記的關(guān)系。
圖23表示本發(fā)明的實(shí)施方式中將差錯(cuò)位置與正解圖形比較之后的一例結(jié)果。
圖M是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中使光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄脈沖條件最佳化的步驟的流程圖。
圖25是說明本發(fā)明的實(shí)施方式中的原盤曝光裝置的整體結(jié)構(gòu)圖。
11 圖沈表示3層光盤介質(zhì)的疊層結(jié)構(gòu)。
圖中 101-光盤介質(zhì) 102-光照射部 103-前置放大器部 105-波形均衡部 108-PRML 處理部 109-邊沿偏移檢測部 110-記錄脈沖條件運(yùn)算部 111-記錄圖形發(fā)生部 112-記錄補(bǔ)償部 113-激光驅(qū)動(dòng)部
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，作為記錄介質(zhì)以一次寫入式相變化型光盤介質(zhì)(特別是BD-R(—次寫入型藍(lán)光光盤))為例進(jìn)行說明。但是，這并不限定記錄介質(zhì)的種類。無論何種記錄介質(zhì)，只要是通過對(duì)記錄介質(zhì)注入能量從而形成與未記錄部在物理性質(zhì)上不同的標(biāo)記或凹坑來記錄信息的記錄介質(zhì)都可以。例如， 該技術(shù)對(duì)于可改寫型光盤介質(zhì)(例如，BD-RE (可改寫型藍(lán)光光盤))也同樣適用。此外，如制作在具有凹凸的凹坑的基板上形成反射膜的再現(xiàn)專用光盤時(shí)所使用的被稱為PTM(Phase Transition Mastering)的原盤曝光裝置，在對(duì)無機(jī)光刻膠(inorganic resist)進(jìn)行熱模式記錄的情況下該技術(shù)也同樣適用。
本發(fā)明的記錄方法中使用的主要光學(xué)條件以及光盤結(jié)構(gòu)如下。
激光波長400nm至410nm范圍內(nèi)，例如波長405nm 物鏡NA為0. 84至0. 86的范圍內(nèi)，例如NA = 0. 85 軌道間距0. 32 μ m,激光入射側(cè)的封面層厚度為50 μ m至110 μ m，光盤介質(zhì)的最短標(biāo)記長OT)為0. ΙΙΙμ 至0. IM μ m，例如為0. lllym。最短間隔也同樣。
被記錄的調(diào)制數(shù)據(jù)的調(diào)制方法17ΡΡ調(diào)制 以上述的最短標(biāo)記長度為0. 111 μ m的線密度進(jìn)行記錄的情況下，直徑12cm的光盤介質(zhì)的每面上的記錄容量大致為33. 4GB。將此以3層進(jìn)行疊層的情況下大致為100GB， 疊層4層的情況下大致為134GB。以下，對(duì)最短標(biāo)記長度為0.111 μ m的情況進(jìn)行說明。嚴(yán)謹(jǐn)?shù)卣f該數(shù)值為0. 11175 μ m，相對(duì)于作為BD最短標(biāo)記長度的0. 1490 μ m是其3/4。但是， 本發(fā)明的內(nèi)容并不限定于該數(shù)值。
此外，以最短標(biāo)記長度為0. 116 μ m的線密度進(jìn)行記錄的情況下，直徑為12cm的光盤介質(zhì)每面的記錄容量大致是32GB。將此疊層3層的話大致為96GB，疊層4層的話大致為 128GB0 在相同條件下，最短標(biāo)記長度為0. 1對(duì)11!11時(shí)的記錄容量是3068。將此疊層3層的話大致是90GB，疊層4層的話大致是120GB。
記錄時(shí)的速度例如設(shè)定為相對(duì)于信道速率132MHz (Tw = 7. 58ns)的BD的2倍速 圖1是是對(duì)一例根據(jù)本發(fā)明的光記錄再現(xiàn)裝置的整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明的圖。光記錄再現(xiàn)裝置具有光照射部102、前置放大器部103、波形均衡部105、PRML處理部108、邊沿偏移檢測部109、記錄脈沖條件運(yùn)算部110、記錄圖案發(fā)生部111、記錄補(bǔ)償部112、激光驅(qū)動(dòng)部 113。各結(jié)構(gòu)部分所具有的功能，與后述的光記錄再現(xiàn)裝置的再現(xiàn)處理以及記錄處理相關(guān)地進(jìn)行說明。
此外，盡管圖1中記載了作為光信息記錄介質(zhì)的光盤介質(zhì)101，但光盤介質(zhì)101也可以不是光記錄再現(xiàn)裝置的構(gòu)成要素。
圖2表示光盤介質(zhì)101的數(shù)據(jù)構(gòu)造。光盤介質(zhì)101中從外周向內(nèi)周設(shè)有數(shù)據(jù)區(qū) 1001、用于學(xué)習(xí)記錄條件的記錄條件學(xué)習(xí)區(qū)1002、處于記錄條件學(xué)習(xí)區(qū)內(nèi)周側(cè)的初始值記錄區(qū)1003。
數(shù)據(jù)區(qū)1001是為了實(shí)際上用戶對(duì)光盤介質(zhì)保存數(shù)據(jù)而使用的區(qū)域。記錄條件學(xué)習(xí)區(qū)1002是對(duì)用戶區(qū)記錄數(shù)據(jù)之前，為了在起動(dòng)時(shí)或產(chǎn)生溫度變動(dòng)時(shí)調(diào)整記錄功率和記錄脈沖條件的變動(dòng)部分，從而進(jìn)行測試記錄而使用的區(qū)域。初始值記錄區(qū)1003是再現(xiàn)專用區(qū)域，記錄著對(duì)每個(gè)盤片預(yù)先規(guī)定的記錄功率的推薦值和記錄脈沖條件的推薦值、記錄線速度、盤片ID等信息。這些信息，被在以將軌道的蜿蜒走向等作為信息的記錄單位而形成在盤片基體上的狀態(tài)下。
以下，對(duì)從光盤介質(zhì)101的數(shù)據(jù)再現(xiàn)處理進(jìn)行說明。
光照射部102是搭載了對(duì)光盤介質(zhì)101照射激光的激光二極管(LD)的光拾取器。
光拾取器將從激光二極管射出的光束照射在光盤介質(zhì)面上，對(duì)反射回來的光進(jìn)行接受。所接受的光被光探測器轉(zhuǎn)換為電信號(hào)并成為模擬再現(xiàn)信號(hào)。模擬再現(xiàn)信號(hào)由前置放大器部103、AGC部104、波形均衡部105、A/D轉(zhuǎn)換部106從模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。數(shù)字信號(hào)由PLLO^hase Locked Loop)部107以時(shí)鐘間隔進(jìn)行采樣。數(shù)字信號(hào)輸入至 PRML(Partial Response Maximum Likelihood)處理部 108。在 PRML 處理部 108 的內(nèi)部作為最大似然譯碼部例如存在Viterbi譯碼部，其對(duì)數(shù)字信號(hào)進(jìn)行最大似然譯碼，生成表示最大似然譯碼結(jié)果的二值化信號(hào)。二值化信號(hào)輸入至偏移檢測部109。
接下來，說明對(duì)光盤介質(zhì)的數(shù)據(jù)記錄處理。在記錄(改寫)動(dòng)作時(shí)，圖案發(fā)生部 111將任意的符號(hào)序列作為NRZI (Non Return to Zero hversion)信號(hào)輸出。記錄脈沖條件運(yùn)算部110根據(jù)運(yùn)算結(jié)果對(duì)記錄補(bǔ)償部112設(shè)定記錄脈沖條件。激光驅(qū)動(dòng)部113根據(jù) NRZI信號(hào)，通過轉(zhuǎn)換為記錄脈沖列的信號(hào)驅(qū)動(dòng)光照射部102內(nèi)的激光二極管，由激光的記錄功率強(qiáng)弱在光盤介質(zhì)的所希望位置記錄數(shù)據(jù)。
圖3(a) (f)是一例說明該光記錄再現(xiàn)裝置中的記錄符號(hào)列的標(biāo)記、間隔、以及記錄這些的記錄脈沖列發(fā)生動(dòng)作的圖。圖3(a)表示作為記錄動(dòng)作的時(shí)間基準(zhǔn)的基準(zhǔn)時(shí)間信號(hào)1201的波形。基準(zhǔn)時(shí)間信號(hào)1201是周期Tw的脈沖時(shí)鐘。圖3(b)表示由記錄圖案發(fā)生部111產(chǎn)生的記錄符號(hào)列的NRZI (Non Return to Zero Inverted)信號(hào)。在此，Tw是檢測窗寬度，是NRZI1202中的標(biāo)記長度以及間隔長度變化量的最小單位。
圖3(c)表示實(shí)際在光盤介質(zhì)上記錄的標(biāo)記和間隔的圖。激光的點(diǎn)從左向右對(duì)圖 3(c)所示的標(biāo)記和間隔進(jìn)行掃描。例如，標(biāo)記1207與NRZI信號(hào)1202中的“1”電平一一對(duì)應(yīng)，以與該期間成比例的長度形成。
圖3(d)表示計(jì)數(shù)信號(hào)1204。計(jì)數(shù)信號(hào)1204以Tw為單位對(duì)從標(biāo)記1207以及間隔 1208的開頭起的時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)。
圖3(e)是脈沖條件運(yùn)算部110內(nèi)的分類信號(hào)1205的示意圖。在本例中，由各標(biāo)記的標(biāo)記長度的值與各標(biāo)記的前后間隔長度以及更加前后的標(biāo)記長度的5個(gè)組合對(duì)編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類。此外，作為編碼數(shù)據(jù)是指由標(biāo)記以及間隔的組合進(jìn)行編碼之后的記錄數(shù)據(jù)。 關(guān)于分類，例如在圖3(e)中，“3-4-5-2-6”表示對(duì)于標(biāo)記長度為5Tw的標(biāo)記，其之前的間隔長度為4Tw，進(jìn)一步靠前的標(biāo)記長度為3Tw，此外標(biāo)記長度5Tw之后的間隔長度為2Tw，進(jìn)一步靠后的標(biāo)記長度為6Tw。此外，也存在省略Tw而分別作為2T、3T的情況。再有，還存在對(duì)于間隔長度由4Ts和s表示，對(duì)于標(biāo)記長度由2Tm和m表示的情況。
圖3(f)表示與圖3(b)的NRZI信號(hào)1202相對(duì)應(yīng)的記錄脈沖信號(hào)的波形。該波形是實(shí)際記錄的光波形的一例。記錄脈沖信號(hào)1206是參照計(jì)數(shù)信號(hào)1204、NRZI信號(hào)1202、 分類信號(hào)1205以及從記錄脈沖條件運(yùn)算部110輸出的記錄補(bǔ)償表數(shù)據(jù)而生成的。
此外，在本實(shí)施方式中，對(duì)于圖3(e)的分類信號(hào)，由各標(biāo)記的標(biāo)記長度值與各標(biāo)記前后的間隔長度以及更加前后的標(biāo)記長度的5個(gè)值的組合進(jìn)行分類。但是，也可以如后述的例子那樣，由各標(biāo)記的標(biāo)記長度值和各標(biāo)記的前后的間距長度或者更前或更后的標(biāo)記長度的組合的3個(gè)值或者4個(gè)值的組合進(jìn)行分類。
接下來，對(duì)本光記錄再現(xiàn)裝置中的記錄補(bǔ)償方法進(jìn)行說明。圖4(a) (f)表示標(biāo)記長度和記錄脈沖信號(hào)1206的波形之間的關(guān)系的概略圖。圖4(a)表示作為記錄動(dòng)作的時(shí)間基準(zhǔn)的基準(zhǔn)時(shí)間信號(hào)1201的波形。如上所述，基準(zhǔn)時(shí)間信號(hào)1201的周期是Tw。圖4(b) 表示由計(jì)數(shù)器發(fā)生的計(jì)數(shù)信號(hào)1204。計(jì)數(shù)信號(hào)1204是以基準(zhǔn)時(shí)間信號(hào)1201的基準(zhǔn)時(shí)間 Tw為單位對(duì)從標(biāo)記開頭起的時(shí)間進(jìn)行計(jì)數(shù)。計(jì)數(shù)信號(hào)轉(zhuǎn)移至0的時(shí)刻對(duì)應(yīng)標(biāo)記或間隔的開頭。
圖4(c) (f)表示記錄標(biāo)記形成時(shí)的記錄脈沖信號(hào)1206的波形例。記錄脈沖信號(hào)1206進(jìn)行電平調(diào)制，以作為最高電平的峰值功率(Pw)、作為照射間隔區(qū)間的電平的間隔功率( )、作為最低電平的基礎(chǔ)功率電平(Pb)的3個(gè)值進(jìn)行調(diào)制。此外，在最后一個(gè)脈沖之后，由基礎(chǔ)功率電平形成冷卻脈沖。
圖4(c) (f)的縱軸表示激光器發(fā)光時(shí)的功率大小，另外橫軸表示時(shí)間。
此外，盡管在此對(duì)功率電平進(jìn)行3值調(diào)制，但也可以使最后一個(gè)脈沖之后的冷卻脈沖的冷卻功率電平(Pc)和中間脈沖之間的基礎(chǔ)功率電平(Pb)為彼此不同的電平，從而進(jìn)行共計(jì)4值的功率調(diào)制。此外，盡管圖4中將基礎(chǔ)功率電平設(shè)定為比間隔功率電平低的功率電平，但也可以是間隔功率電平和峰值功率電平之間的功率電平。此外，在一次寫入型光盤介質(zhì)的情況下，將間隔區(qū)間照射時(shí)的功率電平稱為間隔功率，但在以間隔消去可改寫型光盤介質(zhì)中預(yù)先記錄的記錄標(biāo)記的情況下，因?yàn)橐蚤g隔區(qū)間的功率消去記錄標(biāo)記，所以有時(shí)也稱為擦除功率(Pe)。
此外，在圖4(c) (f)中，對(duì)于4Tw標(biāo)記的記錄脈沖信號(hào)其中間脈沖為1個(gè)，而如 5Tw、6Tw標(biāo)記長度(符號(hào)長度)每增長lTw，則與此相應(yīng)中間脈沖的個(gè)數(shù)一個(gè)一個(gè)增加。
此外，圖4例示的峰值功率電平的脈沖數(shù)為N-I個(gè)的脈沖，是為了記錄標(biāo)記長度為 N的標(biāo)記而利用的。這種脈沖被稱為所謂N-I型記錄脈沖。但是，也可以利用N-2型、N/2 型、在2個(gè)峰值功率電平之間具有中間功率電平的所謂的城堡(castle)型記錄脈沖、或使城堡型的第2個(gè)峰值功率電平與中間功率電平相等的所謂L型記錄脈沖。當(dāng)然，后述的說明也同樣適用于這些情況。
對(duì)L型的記錄脈沖的例子進(jìn)行說明。圖5(a) (f)是表示標(biāo)記長度與記錄脈沖信號(hào)1206的波形之間的關(guān)系的概略圖。圖5(a)表示作為記錄動(dòng)作的時(shí)間基準(zhǔn)的基準(zhǔn)時(shí)間信號(hào)1201的波形。基準(zhǔn)時(shí)間信號(hào)1201的周期為Tw。圖5(b)表示由計(jì)數(shù)器產(chǎn)生的計(jì)數(shù)信號(hào)1204。計(jì)數(shù)信號(hào)1204，以基準(zhǔn)時(shí)間信號(hào)1201的基準(zhǔn)時(shí)間Tw為單位對(duì)從標(biāo)記開頭起的時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)。計(jì)數(shù)信號(hào)轉(zhuǎn)移至0的時(shí)刻對(duì)應(yīng)標(biāo)記或間隔的開頭。
圖5(c) (f)表示記錄標(biāo)記形成時(shí)的記錄脈沖信號(hào)1206的波形例。記錄脈沖信號(hào)1206進(jìn)行電平調(diào)制，由作為最高電平的峰值功率(Pw)、作為中間功率電平的中間功率 (Pm)、作為照射間隔區(qū)間的電平的間隔功率O3S)、作為最低電平的冷卻功率電平(pc)的4 個(gè)值進(jìn)行調(diào)制。
此外，盡管圖5中將中間功率電平設(shè)定為比間隔功率電平高的功率電平，但也可以是比間隔功率電平低的功率電平。此外，在一次寫入型光盤介質(zhì)的情況下，將間隔區(qū)間照射時(shí)的功率電平稱為間隔功率，但以間隔消去可改寫型光盤介質(zhì)中預(yù)先記錄的記錄標(biāo)記的情況下，因?yàn)橐蚤g隔區(qū)間的功率消去記錄標(biāo)記，因此有時(shí)也稱為擦除功率(Pe)。
對(duì)于本發(fā)明的適應(yīng)型記錄補(bǔ)償，針對(duì)各標(biāo)記由發(fā)生記錄脈沖列的所關(guān)注的標(biāo)記長度和其前后的間隔長度的組合、以及/或者進(jìn)一步前面或后面的標(biāo)記長度對(duì)記錄補(bǔ)償表進(jìn)行分類。然后，從記錄各標(biāo)記的記錄脈沖列的端部起根據(jù)上述分類結(jié)果使第1個(gè)或第2個(gè)脈沖邊沿的位置改變，改變的量為邊沿變化量dTFl、dTF2或者/以及dTEl、dTE2，從而產(chǎn)生記錄脈沖信號(hào)。由此，精密地控制標(biāo)記的始端位置或者后端位置，從而在光盤介質(zhì)上形成標(biāo)記來記錄信息。如現(xiàn)有技術(shù)所述，與對(duì)于各標(biāo)記由其標(biāo)記長度和前面的間隔長度對(duì)始端邊沿進(jìn)行分類、對(duì)于各標(biāo)記僅由其標(biāo)記長度和后面的間隔長度對(duì)終端邊沿進(jìn)行分類的情況相比，考慮了光學(xué)上的符號(hào)間干擾和熱干擾，從而能夠更加精密地控制標(biāo)記的始端位置和后端位置。
特別地，所關(guān)注的標(biāo)記為2T(最短標(biāo)記)，并且前面的間隔長度為2T(最短間隔) 時(shí)，根據(jù)更加前面的標(biāo)記長度對(duì)記錄補(bǔ)償表進(jìn)行分類。然后，從記錄各標(biāo)記的記錄脈沖列的端部起，根據(jù)上述分類結(jié)果使第1個(gè)或第2個(gè)或第3個(gè)脈沖邊沿的位置改變，改變的量為邊沿變化量dTFl、dTF2、dTF3或者/以及dTEl、dTE2、dTE3，從而產(chǎn)生記錄脈沖信號(hào)。由此，精密地控制標(biāo)記的始端位置或后端位置，從而在光盤介質(zhì)上形成標(biāo)記來更有效地記錄信息。
同樣，在所關(guān)注的標(biāo)記為2T(最短標(biāo)記)，并且緊接其后的間隔長度為2T(最短間隔)時(shí)，根據(jù)更加后面的標(biāo)記長度對(duì)記錄補(bǔ)償表進(jìn)行分類。然后，從記錄各標(biāo)記的記錄脈沖列的端部起，根據(jù)上述分類結(jié)果使第1個(gè)或第2個(gè)或第3個(gè)脈沖邊沿的位置改變，改變的量為邊沿變化量dTFl、dTF2、dTF3或者/以及dTEl、dTE2、dTE3,從而產(chǎn)生記錄脈沖信號(hào)。由此，精密地控制形成于光盤介質(zhì)上的標(biāo)記的始端位置或后端位置，從而在光盤介質(zhì)上形成標(biāo)記來有效地記錄信息。
如上所述，在最短標(biāo)記QT)以及最短間隔QT)連續(xù)的情況下，通過將前后的標(biāo)記長度分類為最短標(biāo)記長度OT)和在此以上的標(biāo)記長度，從而進(jìn)行記錄補(bǔ)償，能夠降低記錄補(bǔ)償?shù)姆诸悢?shù)。此外，LSI的結(jié)構(gòu)并不復(fù)雜，可有效地除去光學(xué)上的符號(hào)間干擾或熱干擾。 此外，在最短的2T標(biāo)記以及2T間隔連續(xù)出現(xiàn)的情況下，也可以考慮其更加前面的標(biāo)記的標(biāo)記長度以及其更加后面的標(biāo)記的標(biāo)記長度的至少一方來進(jìn)行記錄補(bǔ)償。
在本發(fā)明的記錄再現(xiàn)裝置中，利用激光波長為405nm的半導(dǎo)體激光器、物鏡的NA 為0. 85的光拾取器，再現(xiàn)時(shí)的激光功率被設(shè)定為lmW。此外，對(duì)于光盤結(jié)構(gòu)，采用能夠從激光入射側(cè)對(duì)3層的信息面進(jìn)行記錄再現(xiàn)的3層光盤介質(zhì)。因此，對(duì)于再現(xiàn)時(shí)激光的實(shí)際點(diǎn)徑，將高斯光束的峰值強(qiáng)度的l/e~2的范圍中的直徑設(shè)為實(shí)際點(diǎn)徑的情況下，實(shí)際點(diǎn)徑由 0. 82X (λ/ΝΑ)標(biāo)示，大致為0. 39 μ m。在這種光學(xué)系統(tǒng)中，最短標(biāo)記為0. Illym的記錄標(biāo)記超過了光點(diǎn)能夠識(shí)別標(biāo)記的界限即光學(xué)上的分辨率界限。
由光束對(duì)記錄標(biāo)記進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號(hào)振幅，隨著記錄標(biāo)記變短而下降，在光學(xué)分辨率的界限處變?yōu)?。該記錄標(biāo)記的倒數(shù)為空間頻率。
將空間頻率與信號(hào)振幅的關(guān)系稱為OTF (Optical Transfer Function)。信號(hào)振幅隨著空間頻率的變高而線性下降，將變?yōu)榱愕倪吔绶Q為OTF截止頻率。圖6中表示上述光學(xué)系統(tǒng)中的OTF空間頻率的關(guān)系。在上述光學(xué)系統(tǒng)的情況下，根據(jù)波長λ和物鏡的NA求得 OTF的截止頻率，艮卩λ/ΝΑΧΟ. 5。也就是說，在λ = 405nm、NA = 0.85的情況下，截止周期為0. 237 μ m。最短標(biāo)記長度為截止周期的一半即0. 1185 μ m。在最短標(biāo)記長度為0. 111 μ m 或0. 116 μ m的情況下，由于要對(duì)比光學(xué)再現(xiàn)的截止頻率更高的空間頻率的記錄標(biāo)記進(jìn)行處理，因此再現(xiàn)以及記錄都較困難。此外，截止頻率的界限因光拾取器等的偏差、或記錄標(biāo)記的變形、標(biāo)記形狀等發(fā)生偏差。除了本實(shí)施方式的具體數(shù)值U = 405nm、NA = 0. 85)以外，作為點(diǎn)尺寸最大的條件，例如將激光波長為410nm、物鏡NA = 0. 84、因所述偏差等引起的誤差為5%考慮在內(nèi)，OTF截止頻率的為λ/ΝΑΧΟ.沈=0. 1 μ m。因此，在對(duì)最短標(biāo)記長度為0. USym以下的標(biāo)記進(jìn)行記錄或再現(xiàn)的情況下，可忽略光學(xué)上的符號(hào)間干擾。
圖7(a)以及(b)表示光束的實(shí)際點(diǎn)徑和記錄標(biāo)記的物理尺寸的關(guān)系的示意圖。在圖7(a)以及(b)中，光點(diǎn)501表示聚光于光盤介質(zhì)盤面上的光點(diǎn)。以點(diǎn)徑為0.39μπι的高斯光束形狀照射。在圖7(a)以及(b)中分別表示長度不同的記錄標(biāo)記502、503、504、505、 506、507。圖7(a)表示最短標(biāo)記長度(2T)為0. 111 μ m的記錄標(biāo)記和間隔的關(guān)系。07(b) 表示最短標(biāo)記長度OT)為0. 149 μ m的記錄標(biāo)記和間隔的關(guān)系。若分別換算為直徑為12cm 的BD，則圖7(a)相當(dāng)于33. 4GB的記錄容量，圖7 (b)相當(dāng)于25GB的記錄容量。
在光點(diǎn)通過2T標(biāo)記時(shí)，圖7 (a)的記錄密度(相當(dāng)于33. 4GB)中，實(shí)際光束點(diǎn)徑大致相當(dāng)于7T。在對(duì)2T標(biāo)記之前的2T間隔進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)、和更加前面的標(biāo)記長度為2T或3T 以上時(shí)，由于光束點(diǎn)的左側(cè)落在前面的標(biāo)記上，因此再現(xiàn)信號(hào)受到前面標(biāo)記的影響產(chǎn)生光學(xué)的符號(hào)間干擾。另一方面，在相同的2T標(biāo)記的再現(xiàn)時(shí)，前面的間隔為2T的情況下，在圖 7(b)的記錄密度(相當(dāng)于25GB)中，僅產(chǎn)生與前后的間隔長度相應(yīng)的光學(xué)的符號(hào)間干擾。 其原因?yàn)橛捎谇懊娴臉?biāo)記處于光點(diǎn)的實(shí)際光束點(diǎn)徑的外側(cè)，因此沒有受到前面標(biāo)記的影響。此外，在2T標(biāo)記再現(xiàn)時(shí)，后面的間隔為2T間隔的情況下，也產(chǎn)生同樣的現(xiàn)象。
根據(jù)上述原因，記錄標(biāo)記的線密度成為由光束點(diǎn)徑和最短標(biāo)記長度之間的關(guān)系所決定的一定值以上的高密度記錄的情況下，相對(duì)于根據(jù)各標(biāo)記長度以及間隔長度對(duì)記錄脈沖的脈沖邊沿進(jìn)行適應(yīng)補(bǔ)償?shù)默F(xiàn)有適應(yīng)型記錄補(bǔ)償，通過進(jìn)行不僅根據(jù)所關(guān)注的標(biāo)記的前后的間隔長度還根據(jù)更加前后的標(biāo)記長度進(jìn)行記錄補(bǔ)償?shù)臄U(kuò)張型的適應(yīng)型記錄補(bǔ)償，從而不僅能補(bǔ)償作為高密度記錄時(shí)的問題的熱干擾，還能補(bǔ)償光學(xué)上的符號(hào)間干擾。其中，不僅根據(jù)前后的間隔長度，還根據(jù)前后的標(biāo)記組合來進(jìn)行擴(kuò)張型的適應(yīng)型型記錄補(bǔ)償?shù)那闆r下，記錄補(bǔ)償?shù)姆诸悢?shù)目龐大，進(jìn)行求出記錄補(bǔ)償條件的操作的時(shí)間變長。此外，還存在LSI 的結(jié)構(gòu)復(fù)雜等的缺點(diǎn)。
因此，在本發(fā)明的光盤介質(zhì)的擴(kuò)張型記錄補(bǔ)償方式中，只有在由光點(diǎn)直徑和最短標(biāo)記長度的關(guān)系決定的標(biāo)記間隔為一定值以上的情況下，才根據(jù)前面(緊挨靠前)或者/ 以及后面(緊挨靠后)的標(biāo)記長度進(jìn)行擴(kuò)張型的記錄補(bǔ)償。更加具體而言構(gòu)成為在最短標(biāo)記長度為0. Illym的情況下，進(jìn)行所關(guān)注標(biāo)記的記錄補(bǔ)償時(shí)，只有在所關(guān)注的標(biāo)記的前面或者/以及后面的標(biāo)記長度為2T的情況下，才根據(jù)更加前面或者/以及更加后面的標(biāo)記長度為2T的情況、和標(biāo)記長度為3T以上的情況，改變記錄補(bǔ)償值。這樣一來，能夠減少記錄補(bǔ)償?shù)姆诸悢?shù)量，可有效地除去光學(xué)上的符號(hào)間干擾。
此外，根據(jù)光盤介質(zhì)，還存在由來自前面的標(biāo)記的熱擴(kuò)散而引起的熱干擾影響較大的光盤。對(duì)這種前面標(biāo)記的熱干擾顯著的光盤介質(zhì)應(yīng)用擴(kuò)張型記錄補(bǔ)償?shù)那闆r下，可根據(jù)前后的間隔長度和更加前面的標(biāo)記長度來對(duì)記錄補(bǔ)償表進(jìn)行分類。也就是說，通過與后面標(biāo)記的標(biāo)記長度無關(guān)地進(jìn)行分類，能夠減少記錄補(bǔ)償?shù)姆诸悢?shù)量，能夠簡化LSI，可有效地除去熱干擾。
此外，由前面或者后面的標(biāo)記引起的熱干擾較小的情況下，除了根據(jù)前面或者后面的標(biāo)記長度進(jìn)行記錄補(bǔ)償表的分類之外，還可以根據(jù)所關(guān)注的標(biāo)記的前后間隔長度進(jìn)行記錄補(bǔ)償表的分類。例如，可以根據(jù)所關(guān)注標(biāo)記和前后的間隔長度對(duì)記錄脈沖列的始端邊沿進(jìn)行分類；可以根據(jù)所關(guān)注的標(biāo)記和前后的間隔長度對(duì)記錄脈沖列的終端邊沿進(jìn)行分類。
此時(shí)，通過將所關(guān)注標(biāo)記的前面間隔的間隔長度、以及所關(guān)注標(biāo)記的后面間隔的間隔長度至少分類為最短間隔長度(η)和比最短間隔長度更長的間隔長度(η+1以上)的2 種組合，能夠更有效地減少熱干擾。當(dāng)所關(guān)注標(biāo)記的前面或者后面間隔的間隔長度為最短長度(η)時(shí)，所關(guān)注標(biāo)記和隔著該間隔相鄰的前面或后面的標(biāo)記之間的間距變得更近。因此，所關(guān)注標(biāo)記特別容易受到該相鄰的前后標(biāo)記形成時(shí)的熱影響。因此，至少分出最短間隔長度(η)和比最短間隔長度長的間隔長度(η+1以上)的2種組合，使最短間隔長度(η)情況下的調(diào)整量和比最短間隔長度長的間隔長度(η+1)情況下的調(diào)整量不同。使得在最短間隔長度(η)的情況下能進(jìn)行更精密的調(diào)整，從而能夠更有效地降低熱干擾。無論哪種分類方法，都能減少記錄補(bǔ)償?shù)姆诸悢?shù)，能簡化LSI，可有效地除去熱干擾。
接下來，參照?qǐng)D8的流程圖，對(duì)本光記錄方法中的擴(kuò)張型記錄補(bǔ)償方法進(jìn)行說明。
(a)首先，對(duì)記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼從而生成作為標(biāo)記和間隔的組合的編碼數(shù)據(jù) (SOl)。圖3(b)的NRZI信號(hào)1202對(duì)應(yīng)該編碼數(shù)據(jù)。
(b)針對(duì)標(biāo)記，將其分類為其標(biāo)記長度和前后的間隔長度、更加前后的標(biāo)記長度的組合(S02)。在圖3(e)中，對(duì)于2T標(biāo)記為“X-2-2-3-3”，對(duì)于3T標(biāo)記為“2-3-3-4-5”，對(duì)于 5T標(biāo)記為“3-4-5-2-6”，對(duì)于6T標(biāo)記為“5-2-6-2-X”。在此，X表示沒有圖示出的符號(hào)，實(shí)際上要根據(jù)符號(hào)序列輸入分類之后的數(shù)字。此外，分別按照“前面標(biāo)記長度”、“前面間隔長度”、“對(duì)于進(jìn)行記錄補(bǔ)償所關(guān)注標(biāo)記的標(biāo)記長度”、“后面間隔長度”、“后面標(biāo)記長度”的順序并排表示。
(c)根據(jù)分類結(jié)果，改變從用于形成標(biāo)記的記錄脈沖列的端部起第1個(gè)或者/以及第2個(gè)的脈沖邊沿的位置，來控制記錄脈沖列(S03)。例如，在圖4(c) (f)中，從始端使第1個(gè)或者/以及第2個(gè)脈沖邊沿的位置改變，變化的量為邊沿變化量dTFl或者/以及 dTF2。還從后端使第1個(gè)或者/以及第2個(gè)脈沖邊沿的位置改變，變化的量為邊沿變化量 dTEl或者/以及dTE2。
(d)對(duì)光盤介質(zhì)照射記錄脈沖列從而形成標(biāo)記(S04)。
圖9 (a) (d)表示在記錄標(biāo)記長度為2T的標(biāo)記601時(shí)、分別從記錄脈沖列的始端使第1個(gè)和第2個(gè)脈沖邊沿位置改變了邊沿變化量dTFl以及dTF2的概略圖。圖9(a)表示作為記錄動(dòng)作的時(shí)間基準(zhǔn)的基準(zhǔn)時(shí)間信號(hào)1201的波形。圖9(b)是由計(jì)數(shù)器產(chǎn)生的計(jì)數(shù)信號(hào)1204。圖9(c)表示記錄脈沖信號(hào)1206的波形。對(duì)于記錄脈沖信號(hào)1206，從始端使第 1個(gè)和第2個(gè)脈沖邊沿的位置改變了邊沿變化量dTFl以及dTF2。圖9(d)表示由圖9(c) 的記錄脈沖列記錄的標(biāo)記長度2T的標(biāo)記601的圖形。能夠由記錄脈沖列精密地控制標(biāo)記 601的始端位置。
如圖10(a)以及圖11(c)所示的分類表，根據(jù)記錄的標(biāo)記的標(biāo)記長度、前后間隔長度、該前后間隔長度的更加前后的標(biāo)記長度，分類為預(yù)先規(guī)定的多個(gè)種類的任意一種，基于分類的結(jié)果來規(guī)定上述邊沿變化量dTFl以及dTF2。圖11 (a)表示記錄脈沖列的dTFl、 dTF2、dTF3的移動(dòng)量。例如，圖中的M32M規(guī)定了邊沿移動(dòng)，表示在后面的間隔長度為4T 間隔、前面的間隔長度為2T間隔、更加前面的標(biāo)記長度為3T以上的標(biāo)記的情況下，記錄2T 標(biāo)記時(shí)的記錄脈沖的邊沿移動(dòng)量。在此，作為與圖示的表中的值不同的例子，可以使dTFl、 dTF2、dTF3分別取各自的值。圖11 (b)表示記錄脈沖列的dTEl、dTE2、dTE3的移動(dòng)量，例如圖中的S4223規(guī)定了邊沿移動(dòng)，表示在前面的間隔長度為4T間隔、后面的間隔長度為2T間隔、更加后面的標(biāo)記長度為3T以上的標(biāo)記的情況下，記錄2T標(biāo)記時(shí)的記錄脈沖的邊沿移動(dòng)量。在此，作為與圖示的表中的值不同的例子，可以使dTEl、dTE2、dTE3分別取各自的值。11(c)表示記錄脈沖列的dTFl、dTF2、dTF3的移動(dòng)量。例如，圖中的M32222規(guī)定了邊沿移動(dòng)，也就是說，表示在后面的間隔長度為2T間隔、后面的標(biāo)記長度為2T標(biāo)記、前面的間隔長度為2T間隔、更前面的標(biāo)記長度為3T以上的標(biāo)記的情況下，記錄2T標(biāo)記時(shí)的記錄脈沖邊沿移動(dòng)量。在此，作為與圖示的表中的值不同的例子，可以使dTFl、dTF2、dTF3 分別取各自的值。
圖11 (d)表示記錄脈沖列的dTEl、dTE2、dTE3的移動(dòng)量。例如圖中的S22223規(guī)定了邊沿移動(dòng)。表示在前面的間隔長度為2T間隔，更加前面的標(biāo)記長度為2T標(biāo)記、后面的間隔長度為2T間隔、更加后面的標(biāo)記長度為3T以上的標(biāo)記的情況下，記錄2T標(biāo)記時(shí)的記錄脈沖的邊沿移動(dòng)量。在此，作為與圖示的表中的值不同的例子，可以使dTEl、dTE2、dTE3分別取各自的值。
在圖11(c)以及圖11(d)中，特別在所關(guān)注的標(biāo)記為2T(最短標(biāo)記)時(shí)，前面或者后面的間隔長度為2T (最短間隔)時(shí)，根據(jù)更加前面或后面的標(biāo)記長度是2T標(biāo)記還是2T 標(biāo)記以上的標(biāo)記長度，對(duì)記錄補(bǔ)償表進(jìn)行分類。根據(jù)上述分類結(jié)果，從記錄各標(biāo)記的記錄脈沖列的端部起使第1個(gè)或者第2個(gè)或者第3個(gè)脈沖邊沿位置改變，改變的量為邊沿變化量為dTFl、dTF2、dTF3或者/以及dTEl、dTE2、dTE3，從而產(chǎn)生記錄脈沖信號(hào)。這樣一來，可有效地精密控制并記錄在光盤介質(zhì)上形成的標(biāo)記的始端位置或后端位置。
此外，在所關(guān)注標(biāo)記為3T以上(最短標(biāo)記以外)時(shí)，根據(jù)前面的間隔長度是2T間隔(最短間隔)、3T間隔、4Τ間隔、以及5Τ間隔以上，來對(duì)記錄補(bǔ)償表進(jìn)行分類。根據(jù)分類
18結(jié)果，從記錄各標(biāo)記的記錄脈沖列的始端位置起使第1個(gè)或者第2個(gè)或者第3個(gè)脈沖邊沿位置改變，改變的量為邊沿變化量dTFl、dTF2、dTF3，從而產(chǎn)生記錄脈沖信號(hào)。這樣一來，可有效地精密控制在光盤介質(zhì)上形成的標(biāo)記的始端位置并進(jìn)行記錄。
此外，在所關(guān)注的標(biāo)記為3T以上(最短標(biāo)記以外)時(shí)，根據(jù)后面的間隔長度是2T 間隔(最短間隔)、3T間隔、4Τ間隔、以及5Τ間隔以上，來對(duì)記錄補(bǔ)償表進(jìn)行分類。根據(jù)分類結(jié)果，從記錄各標(biāo)記的記錄脈沖列的終端部起使第1個(gè)或者第2個(gè)或者第3個(gè)脈沖邊沿位置改變，改變的量為邊沿變化量dTEl、dTE2、dTE3，從而產(chǎn)生記錄脈沖信號(hào)。這樣一來，可有效地精密控制在光盤介質(zhì)上形成的標(biāo)記的始端位置并進(jìn)行記錄。
如上所述，在最短標(biāo)記QT)和前后的間隔長度為最短間隔OT)出現(xiàn)連續(xù)的情況下，將前后的標(biāo)記長度分類為最短標(biāo)記長度OT)和在此之上的標(biāo)記長度，從而進(jìn)行記錄補(bǔ)償。由此，能夠減少記錄補(bǔ)償?shù)姆诸悢?shù)，簡化LSI的結(jié)構(gòu)，能有效地消除光學(xué)上的符號(hào)間干擾或熱干擾。
該邊沿變化量dTFl以及dTF2被規(guī)定分類為總計(jì)35種。具體而言，對(duì)于所記錄標(biāo)記的標(biāo)記長度規(guī)定了 2T、3T、4T、5T以上的4種，對(duì)于前面間隔長度規(guī)定了 2Τ、3Τ、4Τ、5Τ以上的4種，對(duì)于前面間隔為2Τ間隔時(shí)的更前面的標(biāo)記長度規(guī)定了 2Τ、3Τ以上的2種，在2Τ 標(biāo)記中對(duì)于后面的間隔長度規(guī)定了 2Τ、3Τ、4Τ、5Τ以上的4種。
另外，在此針對(duì)邊沿變化量dTFl、dTF2、dTF3，對(duì)標(biāo)記長度分為4種，對(duì)前面間隔長度分為4種，對(duì)前面標(biāo)記長度分為2種，但并不限定于該情況。例如，可以使標(biāo)記長度為3 種、5種、或者更多，可以使前面間隔長度為2種、3種、5種、或者更多，可以使前面標(biāo)記長度為3種。
此外，在同一分類的標(biāo)記 間隔長度的組合中，可以使邊沿變化量dTFl和dTF2為相同值。該情況下，開頭脈沖的峰值功率區(qū)域的脈沖長度被固定。特別在以峰值功率電平的脈沖個(gè)數(shù)為1個(gè)的記錄脈沖信號(hào)進(jìn)行記錄的情況下，能夠不改變記錄標(biāo)記的大小，而使記錄標(biāo)記的記錄位置偏移。這樣，能更加精密地調(diào)整邊沿位置。此外，在以峰值功率電平的脈沖個(gè)數(shù)為1個(gè)的記錄脈沖信號(hào)進(jìn)行記錄的情況下，從記錄脈沖列的始端起使第3個(gè)脈沖邊沿位置為dTF3，在同一分類的標(biāo)記·間隔長度的組合中，可以將邊沿變化量dTFl、dTF2、 dTF3設(shè)定為相同值。該情況下，在保持記錄脈沖列自身的形狀的情況下，向前方或后方移動(dòng)來進(jìn)行記錄。此外，由于能夠固定冷卻脈沖的脈沖時(shí)間寬度，因此，特別像改寫型記錄介質(zhì)那樣的記錄介質(zhì)，能夠防止根據(jù)冷卻脈沖時(shí)間寬度的不同記錄脈沖的大小或位置發(fā)生移動(dòng)。這樣，能更加精密地調(diào)整邊沿位置。該邊沿變化量dTFl以及dTF2例如可以像圖11(a) 的M2222 = 0. 5nsec那樣以絕對(duì)時(shí)間來規(guī)定，或者像Tw/16的整數(shù)倍的值那樣根據(jù)基準(zhǔn)時(shí)間信號(hào)來規(guī)定。此外，也可以像Tw/32的整數(shù)倍的值那樣規(guī)定。
此外，可以針對(duì)2T、3T、4T、5T以上標(biāo)記，預(yù)先保持一個(gè)作為dTFl、dTF2、dTF3、 dTEl、dTE2、dTE3的基準(zhǔn)的值，將與前后的間隔長度或前后標(biāo)記長度相應(yīng)的記錄補(bǔ)償值規(guī)定為相對(duì)于上述各標(biāo)記長度的基準(zhǔn)值的差值信息。這樣一來，特別在不進(jìn)行與前后間隔相應(yīng)的記錄補(bǔ)償或與前后標(biāo)記長度相應(yīng)的記錄補(bǔ)償?shù)那闆r下，僅讀出各標(biāo)記長度的基準(zhǔn)值而不讀出差值信息，就能高速地從盤片讀出記錄補(bǔ)償值。此外，能節(jié)約記錄裝置的存儲(chǔ)器，并簡化LSI的結(jié)構(gòu)。此外，通過記錄差值信息，能削減盤片內(nèi)記錄的記錄補(bǔ)償值的位數(shù)。
如上所述，通過從記錄脈沖信號(hào)始端起使第1個(gè)或者第2個(gè)或者第3個(gè)脈沖邊沿位置改變邊沿變化量dTFl、dTF2、dTF3，從而能更加精密地控制標(biāo)記的始端位置。再有，不僅根據(jù)記錄標(biāo)記的標(biāo)記長度，還根據(jù)前后間隔長度來控制脈沖邊沿。此外，在記錄2T標(biāo)記時(shí)，前面間隔長度為2T的情況下，由于根據(jù)前面標(biāo)記長度來控制脈沖邊沿，因此在進(jìn)行超過OTF邊界的高密度記錄時(shí)，能夠考慮到熱干擾或光學(xué)上的符號(hào)間干擾，從而精密地控制標(biāo)記601的始端位置。
圖11 (a) (d)表示在記錄標(biāo)記長度為2T的標(biāo)記1401時(shí)、從記錄脈沖列的后端起分別使第1個(gè)和第2個(gè)以及第3個(gè)脈沖邊沿的位置改變邊沿變化量dTEl和dTE2以及 dTE3的概略圖。圖11(a)表示作為記錄動(dòng)作的時(shí)間基準(zhǔn)的基準(zhǔn)時(shí)間信號(hào)1201的波形。圖 1Kb)是由計(jì)數(shù)器產(chǎn)生的計(jì)數(shù)信號(hào)1204。圖11 (c)表示記錄脈沖信號(hào)1206的波形。在計(jì)數(shù)信號(hào)1204中，從后端使第1個(gè)、第2個(gè)、第3個(gè)脈沖邊沿的位置改變邊沿變化量dTEl、dTE2、 dTE3。圖11(d)表示由圖11(c)的記錄脈沖列記錄的標(biāo)記長度為2T的標(biāo)記1401的圖形。 表示能夠由記錄脈沖列精密地控制標(biāo)記1401的終端位置。
如圖11(b)以及圖11(d)所示的分類表那樣，根據(jù)記錄的標(biāo)記的標(biāo)記長度、前后的間隔長度、該前后的間隔長度的更加前后的標(biāo)記長度來進(jìn)行分類，基于分類的結(jié)果規(guī)定上述邊沿變化量dTEl、dTE2、dTE3。
按照之前圖3中所說明，在所關(guān)注的標(biāo)記為2T(最短標(biāo)記)時(shí)，如果前面的間隔長度為2Τ (最短間隔)，則根據(jù)更前面標(biāo)記的標(biāo)記長度來對(duì)記錄補(bǔ)償表進(jìn)行分類。此外，所關(guān)注的標(biāo)記為2Τ (最短標(biāo)記)時(shí)，如果后面的間隔長度為2Τ (最短間隔)，則再根據(jù)后面標(biāo)記的標(biāo)記長度對(duì)記錄補(bǔ)償表進(jìn)行分類。根據(jù)上述分類結(jié)果，使記錄各標(biāo)記的記錄脈沖列的邊沿位置改變邊沿變化量dTFl、dTF2、dTF3或者/以及dTEl、dTE2、dTE3,從而產(chǎn)生記錄脈沖信號(hào)。然后，能夠精密地控制在光盤介質(zhì)上形成的標(biāo)記的始端位置或后端位置，從而記錄數(shù)據(jù)。
此外，進(jìn)一步具體而言是按照?qǐng)D12的分類。dTFl、dTF2在記錄2T標(biāo)記時(shí)，將前后的間隔長度分類為2T、3T、4T、5T以上的4種。然后，在該2Τ標(biāo)記的前面或后面的間隔長度為2Τ間隔時(shí)，將更加前面或者后面的標(biāo)記長度分類為2Τ、3Τ以上的2種的合計(jì)25種(1 25)。然后，分別以1字節(jié)的信息進(jìn)行定義。此外，在記錄3Τ、4Τ、5Τ以上的標(biāo)記時(shí)，將前面的間隔長度分類為2Τ、3Τ、4Τ、5Τ以上的4種的合計(jì)12種(26 37)，分別以1字節(jié)的信息進(jìn)行定義。
同樣，在記錄2Τ標(biāo)記時(shí)，將后面的間隔長度分類為2Τ、3Τ、4Τ、5Τ以上的4種從而來規(guī)定dTEl。在后面的間隔長度為2T間隔時(shí)，將更后面的標(biāo)記長度分類為2T、3T以上的2 種的合計(jì)10種(1 10)，各自以1字節(jié)的信息定義。此外，在記錄3Τ、4Τ、5Τ以上的標(biāo)記時(shí)，將后面的間隔長度分類為2Τ、3Τ、4Τ、5Τ以上的4種的合計(jì)12種(11 22)。然后，各自以1字節(jié)的信息定義。
在此，圖12的dTFl、dTF2、dTEl、dTE2在圖4所示的N_1型的寫入策略的情況下， dTFl表示開頭脈沖的上升位置，dTF2表示開頭脈沖的下降位置，dTEl表示冷卻脈沖的上升位置，dTE2表示3T以上標(biāo)記的最后一個(gè)脈沖的下降位置的信息。同樣，在圖5的L型的寫入策略的情況下，dTFl表示開頭脈沖的上升位置，dTF2表示開頭脈沖的下降位置，dTEl表示冷卻脈沖的上升位置，dTE2表示3T以上標(biāo)記的中間功率的下降位置。在此，盡管定義了 dTF2，但例如也可以代替dTF2定義dTFl和dTF2之間的脈沖寬度TF2。同樣，盡管定義了dTE2，但例如也可以代替dTE2定義dTE2和dTE3之間的脈沖寬度TE2。
此外，如圖13所示，可以在由前后標(biāo)記引起的干擾較少的情況下簡化分類。也就是說，dTF 1、dTF2在記錄2T標(biāo)記時(shí)，將前后的間隔長度分類為2T、3T、4T、5T以上的4 X 4的 16種(1 16)，各自以1字節(jié)的信息定義。此外，在記錄3T、4T、5T以上的標(biāo)記時(shí)，將前面的間隔長度分類為2Τ、3Τ、4Τ、5Τ以上的4種的總計(jì)12種(17 觀)，各自以1字節(jié)的信息定義。
同樣，dTEl在記錄2Τ標(biāo)記時(shí)，將后面的間隔長度分類為2Τ、3Τ、4Τ、5Τ以上的4種， 將前面間隔分類為2Τ、3Τ以上的2種的總計(jì)8種(1 8)，各自以1字節(jié)信息定義。此外， 在記錄3Τ、4Τ、5Τ以上的標(biāo)記時(shí)，將前面的間隔長度分類為2Τ、3Τ、4Τ、5Τ以上的4種的合計(jì) 12種(9 20)，各自以1字節(jié)信息定義。dTE2在記錄3Τ、4Τ、5Τ以上的標(biāo)記時(shí)，將前面的間隔長度分類為2Τ、3Τ、4Τ、5Τ以上的4種的合計(jì)12種(1 12)，各自以1字節(jié)的信息定義。
對(duì)于該邊沿變化量dTEl以及dTE2以及dTE3，針對(duì)記錄標(biāo)記的標(biāo)記長度規(guī)定了 2T、3T、4T、5T以上的4種，針對(duì)后面間隔長度規(guī)定了 2Τ、3Τ、4Τ、5Τ以上的4種，針對(duì)后面間隔為2Τ間隔時(shí)的更后面標(biāo)記長度規(guī)定了 2Τ、3Τ以上的2種，此外，對(duì)于2Τ標(biāo)記，針對(duì)前面間隔長度規(guī)定分類為2Τ、3Τ、4Τ、5Τ以上的4種的、總計(jì)35種。另外，在此對(duì)于邊沿變化量 dTEl以及dTE2以及dTE3，針對(duì)標(biāo)記長度分類為4種，針對(duì)后面間隔長度分類為4種，針對(duì)后面標(biāo)記長度分類為2種，但并不限定于該情況。例如，可以使標(biāo)記長度為3種、5種或者更多，使后面間隔長度為2種、3種、5種、或者更多，使后面標(biāo)記長度為3種。優(yōu)選將前面間隔長度分為2T和3T以上的2種，同時(shí)將后面間隔長度分為2T或3T以上的2種。
當(dāng)以后面間隔長度是2種為例進(jìn)行說明時(shí)，將這些大致分為是“2T”還是“3T以上” 即可。此情況通過圖13的“后面標(biāo)記”(后mark)被劃分為“2T”還是“3T以上”已明確地表示出。作為“后面標(biāo)記”是“2T”還是“3T以上”時(shí)的“3T以上”的值，可利用例如圖13的 3T間隔(3TspaCe)欄的記載。此外，在圖13的記載中，2T標(biāo)記的后面的標(biāo)記中記載表示對(duì)于是“2T”還是“3T以上”都為“沒有規(guī)定”(無需考慮)的“X”標(biāo)記。但是，在此只不過是作為一例附于了 “X”。附于該“X”的欄，只要視為2T標(biāo)記的后面的間隔被劃分為“2T”或 "3T以上”來把握即可。
此外，在同一分類的標(biāo)記·間隔長度的組合中，也可以使邊沿變化量dTEl、dTE2、 dTE3為相同的值。該情況下，開頭脈沖的峰值功率區(qū)間的脈沖長度被固定，特別在以峰值功率電平的脈沖個(gè)數(shù)是1個(gè)的記錄脈沖信號(hào)進(jìn)行記錄的情況下，由于能夠在不改變記錄標(biāo)記大小的情況下，移動(dòng)記錄標(biāo)記的位置，因此可更加精密地調(diào)整邊沿的位置。
此外，在以峰值功率電平的脈沖個(gè)數(shù)是1個(gè)的記錄脈沖信號(hào)進(jìn)行記錄的情況下， 也可以從記錄脈沖列的后端使第1個(gè)脈沖邊沿位置為dTEl，從而同一分類的標(biāo)記·間隔長度的組合中，使邊沿變化量dTE2、dTE3以及dTEl為相同值。該情況下，保存記錄脈沖列自身的形狀的情況下，向前方或后方移動(dòng)從而進(jìn)行記錄。此外，由于能夠固定冷卻脈沖的脈沖時(shí)間寬度，因此能夠防止特別像改寫型記錄介質(zhì)那樣，隨著冷卻脈沖時(shí)間寬度不同記錄標(biāo)記的大小和位置發(fā)生移動(dòng)，這樣可更精密地調(diào)整邊沿位置。
該邊沿變化量dTE2以及dTE3可以像圖11 (b)的S2222 = 0. 5nsec那樣以絕對(duì)時(shí)間規(guī)定，或者像Tw/16的整數(shù)倍的值那樣根據(jù)基準(zhǔn)時(shí)間信號(hào)來規(guī)定。
如上所述，通過從記錄脈沖信號(hào)的后端使第2個(gè)或第3個(gè)或第1個(gè)脈沖邊沿的位置改變邊沿變化量dTE2、dTE3、dTEl，從而能夠更精密地控制標(biāo)記的后端位置。再有，不僅根據(jù)記錄的標(biāo)記的標(biāo)記長度，還根據(jù)前后間隔長度來控制脈沖邊沿。此外，在記錄2T標(biāo)記的情況下，后面的間隔長度為2T時(shí)，由于根據(jù)更后面的標(biāo)記長度來控制脈沖邊沿，因此在進(jìn)行超過OTF邊界的高密度記錄時(shí)，能夠考慮熱干擾或光學(xué)上的符號(hào)間干擾來精密地控制標(biāo)記1401的后端位置。
此外，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，根據(jù)前后2T間隔的更加前后大的標(biāo)記長度來控制記錄2T標(biāo)記時(shí)的記錄脈沖邊沿，但對(duì)于記錄3T或在此之上的標(biāo)記時(shí)的記錄脈沖邊沿，也可以根據(jù)前后2T間隔的前后標(biāo)記長度來調(diào)整記錄脈沖邊沿。此外，也可以與2T標(biāo)記同時(shí)、與 3T或3T以上的記錄標(biāo)記同時(shí)進(jìn)行記錄脈沖邊沿的調(diào)整。這樣一來，在進(jìn)行超過OTF邊界的高密度記錄時(shí)，能夠考慮熱干擾或光學(xué)上的符號(hào)間干擾來精密地控制記錄標(biāo)記的始端或后端位置。
接下來，對(duì)偏移檢測部109中為了進(jìn)行擴(kuò)張型記錄補(bǔ)償而從再現(xiàn)信號(hào)檢測偏移的方法進(jìn)行說明。首先，說明PRML處理部108中PR(1、2、2、2、1)ML方式的Viterbi譯碼的動(dòng)作。
在本發(fā)明的高密度光盤介質(zhì)再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)系統(tǒng)的信號(hào)處理中采用PR(1，2，2，2，1) ML方式，記錄符號(hào)中采用RLL(1，7)符號(hào)等的(Run Length Limited)符號(hào)。利用圖14以及圖15說明PR(1，2，2，2，1)ML。對(duì)于PR(1，2，2，2，1)ML，由于與RLL(1,7)的組合，譯碼部的狀態(tài)數(shù)被限制為10，其狀態(tài)轉(zhuǎn)移的路徑數(shù)為16，再現(xiàn)電平為9電平。圖14表示PRML說明時(shí)一般采用的狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖，表示PR(1，2，2，2，1)ML的狀態(tài)轉(zhuǎn)移規(guī)則。將某時(shí)刻下的狀態(tài) S(0,0,0,0)記為S0，將狀態(tài)S(0，0，0，1)記為Si、將狀態(tài)S(0，0，1，1)記為S2，將狀態(tài)S(0， 1,1,1)記為S3，將狀態(tài)S(l，l，l，l)記為S4，將狀態(tài)S(1，1，1，0)記為S5，將狀態(tài)S(1，1，0， 0)記為S6，將狀態(tài)S(1，0，0，0)記為S7，將狀態(tài)S(1，0，0，1)記為S8，將狀態(tài)S (0，1，1，0)記為S9，表現(xiàn)出10個(gè)狀態(tài)。在此，括號(hào)中記載的“0”或“1”表示時(shí)間軸上的信號(hào)序列，表示從各狀態(tài)到下一個(gè)時(shí)刻的狀態(tài)轉(zhuǎn)移的可能性處于哪種狀態(tài)。此外，若將該狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖相對(duì)于時(shí)間軸展開，則得到圖15所示的格狀圖。
在圖15所示的冊(cè)(1，2，2，2，1)ML的狀態(tài)轉(zhuǎn)移中，從某時(shí)刻的規(guī)定狀態(tài)轉(zhuǎn)移至其他時(shí)刻的規(guī)定狀態(tài)時(shí)可獲得2個(gè)狀態(tài)轉(zhuǎn)移的這種狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖案(狀態(tài)的組合)有無數(shù)個(gè)。當(dāng)限定于某時(shí)刻的范圍，并且關(guān)注于特別容易發(fā)生差錯(cuò)的圖案時(shí)，對(duì)于冊(cè)(1，2，2，2，1)ML的情況，能夠按照表1、2、3所示進(jìn)行分類。
[表1]
22
權(quán)利要求
1.一種光記錄方法，通過以多個(gè)等級(jí)的功率切換激光，將調(diào)制之后的記錄脈沖列照射于光盤介質(zhì)，從而在所述光盤介質(zhì)上形成多個(gè)標(biāo)記，利用各標(biāo)記以及相鄰的2個(gè)標(biāo)記之間的間隔的邊沿位置記錄信息，所述光記錄方法特征在于包括對(duì)記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼，生成作為標(biāo)記以及間隔的組合的編碼數(shù)據(jù)的步驟； 根據(jù)所述標(biāo)記的標(biāo)記長度、所述標(biāo)記前面的第1間隔的間隔長度以及所述標(biāo)記后面的第2間隔的間隔長度的組合，對(duì)編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類的步驟；根據(jù)所述分類結(jié)果，生成使用于形成所述標(biāo)記的記錄脈沖列的始端邊沿位置、終端邊沿位置以及脈沖寬度之中的至少一個(gè)改變的所述記錄脈沖列的步驟；和將所生成的所述記錄脈沖列照射于光盤介質(zhì)，從而在所述光盤介質(zhì)上形成多個(gè)所述標(biāo)記的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄方法，其特征在于，在進(jìn)行分類的所述步驟中，根據(jù)最短標(biāo)記的標(biāo)記長度、所述第1間隔的間隔長度以及所述第2間隔的間隔長度的組合，對(duì)所述編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄方法，其特征在于， 將最短間隔長度設(shè)為η時(shí)，在進(jìn)行分類的所述步驟中，根據(jù)所述標(biāo)記的標(biāo)記長度、所述第1間隔的間隔長度是η還是η+1以上、或者所述第2間隔的間隔長度是η還是η+1以上的組合，來對(duì)所述編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄方法，其特征在于，在對(duì)所述標(biāo)記的標(biāo)記長度、所述第1間隔的間隔長度以及所述第2間隔的間隔長度進(jìn)行組合時(shí)，進(jìn)行分類的所述步驟中，將所述第1間隔分類至根據(jù)間隔長度預(yù)先規(guī)定的M個(gè)種類的其中一個(gè)，其中的M為1 以上的整數(shù)，將所述第2間隔分類至根據(jù)間隔長度預(yù)先規(guī)定的N個(gè)種類的其中一個(gè)，其中的N為1 以上的整數(shù)且M乒N。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光記錄方法，其特征在于， 在將最短間隔長度設(shè)為η時(shí)，在進(jìn)行分類的所述步驟中，根據(jù)間隔長度，將所述第1間隔分類為η、η+1、η+2、η+3以上的4個(gè)種類，將所述第2間隔分類為η以及η+1以上的2個(gè)種類，從而對(duì)所述編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類，在進(jìn)行生成的所述步驟中，根據(jù)所述分類結(jié)果，改變所述記錄脈沖列的始端邊沿位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光記錄方法，其特征在于， 在將最短間隔長度設(shè)為η時(shí)，在進(jìn)行分類的所述步驟中，根據(jù)間隔長度，將所述第1間隔分類為η以及η+1以上的2 個(gè)種類，將所述第2間隔分類為η、η+1、η+2、η+3以上的4個(gè)種類，從而對(duì)所述編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類，在進(jìn)行生成的所述步驟中，根據(jù)所述分類結(jié)果，改變所述記錄脈沖列的終端邊沿位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光記錄方法，其特征在于， 在將最短間隔長度設(shè)為η時(shí)，在進(jìn)行分類的所述步驟中，根據(jù)間隔長度，將所述第1間隔分類為η、η+1、η+2、η+3以上的4個(gè)種類，將所述第2間隔分類為η以及η+1以上的2個(gè)種類，從而對(duì)所述編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類，在進(jìn)行生成的所述步驟中，根據(jù)所述分類結(jié)果，改變所述記錄脈沖列的脈沖寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄方法，其特征在于，在所述標(biāo)記的標(biāo)記長度比最短標(biāo)記長度長時(shí)，在進(jìn)行分類的所述步驟中，根據(jù)所述標(biāo)記長度和所述第1間隔長度的組合、以及所述標(biāo)記長度與所述第2間隔長度的組合之中的至少其中一方，來對(duì)所述編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄方法，其特征在于，還包括從所述光盤介質(zhì)生成模擬信號(hào)，從所述模擬信號(hào)生成數(shù)字信號(hào)的步驟；對(duì)所述數(shù)字信號(hào)的波形進(jìn)行整形的步驟；通過PRML(Partial Response Maximum Likelihood)方式對(duì)整形之后的所述數(shù)字信號(hào)進(jìn)行最大似然譯碼的步驟；生成表示最大似然譯碼結(jié)果的二值化信號(hào)的步驟；和基于整形之后的所述數(shù)字信號(hào)和所述二值化信號(hào)，檢測整形之后的所述數(shù)字信號(hào)波形的偏移量的步驟，在生成記錄脈沖列的所述步驟中，根據(jù)所述偏移量的檢測結(jié)果，改變用于形成多個(gè)所述標(biāo)記的記錄脈沖列的所述始端邊沿位置、所述終端邊沿位置以及脈沖寬度之中的至少一個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光記錄方法，其特征在于，在進(jìn)行檢測的所述步驟中，比較所述編碼數(shù)據(jù)和所述二值化信號(hào)，從而檢測所述數(shù)字信號(hào)波形的偏移量，在生成記錄脈沖列的所述步驟中，改變所述記錄脈沖列的所述始端邊沿位置、所述終端邊沿位置、以及脈沖寬度之中的至少一個(gè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄方法，其特征在于，在生成記錄脈沖列的所述步驟中，根據(jù)所述分類結(jié)果，改變所述記錄脈沖列的、從始端起第1個(gè)至第3個(gè)以及從終端起第1個(gè)至第3個(gè)的脈沖邊沿之中的至少一個(gè)脈沖邊沿的位置，來生成所述記錄脈沖列。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄方法，其特征在于，在將所述激光的波長設(shè)為λ，將物鏡的數(shù)值孔徑設(shè)為ΝΑ，將最短標(biāo)記長度設(shè)為ML時(shí)，滿足=ML < λ /NA Χ0. 26。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光記錄方法，其特征在于，所述最短標(biāo)記長度ML為0. 1 μ m以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光記錄方法，其特征在于，所述激光的波長λ在400nm至410nm的范圍內(nèi)，所述NA在0. 84至0. 86的范圍內(nèi)。
15.一種光記錄裝置，通過以多個(gè)等級(jí)的功率切換激光，將調(diào)制之后的記錄脈沖列照射于光盤介質(zhì)，從而在所述光盤介質(zhì)上形成多個(gè)標(biāo)記，利用各標(biāo)記以及相鄰的2個(gè)標(biāo)記之間的間隔的邊沿位置記錄信息，所述光記錄裝置特征在于具備編碼部，對(duì)記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼，生成作為標(biāo)記以及間隔的組合的編碼數(shù)據(jù)；分類部，根據(jù)所述標(biāo)記的標(biāo)記長度、所述標(biāo)記前面的第1間隔的間隔長度以及所述標(biāo)記后面的第2間隔的間隔長度的組合，對(duì)編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類；記錄波形發(fā)生部，根據(jù)所述分類結(jié)果，生成使用于形成所述標(biāo)記的記錄脈沖列的始端邊沿位置、終端邊沿位置以及脈沖寬度之中的至少一個(gè)改變的所述記錄脈沖列；和激光驅(qū)動(dòng)部，將所生成的所述記錄脈沖列照射于光盤介質(zhì)，從而在所述光盤介質(zhì)上形成多個(gè)所述標(biāo)記。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光記錄裝置，其特征在于具有PRML處理部，接受根據(jù)從光盤介質(zhì)再現(xiàn)得到的模擬信號(hào)所生成的數(shù)字信號(hào)，對(duì)所述數(shù)字信號(hào)波形進(jìn)行整形，通過PRMUPartial Response Maximum Likelihood)方式對(duì)所述整形之后的數(shù)字信號(hào)進(jìn)行最大似然譯碼；偏移檢測部，基于標(biāo)示最大似然譯碼的結(jié)果的二值化信號(hào)和整形之后的所述數(shù)字信號(hào)，檢測所述數(shù)字信號(hào)波形的偏移量，記錄補(bǔ)償部，根據(jù)所述偏移量的檢測結(jié)果，改變用于形成多個(gè)所述標(biāo)記的記錄脈沖列的所述始端邊沿位置、所述終端邊沿位置以及脈沖寬度之中的至少一個(gè)。
17.—種原盤曝光裝置，在涂布了光刻膠的原盤上，通過以多個(gè)等級(jí)的功率切換激光， 將調(diào)制之后的記錄脈沖列照射于光盤介質(zhì)，從而在所述光盤介質(zhì)上形成多個(gè)標(biāo)記，利用各標(biāo)記以及相鄰的2個(gè)標(biāo)記之間的間隔的邊沿位置記錄信息，所述原盤曝光裝置特征在于具備編碼部，對(duì)記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼，生成作為標(biāo)記以及間隔的組合的編碼數(shù)據(jù)； 分類部，根據(jù)所述標(biāo)記的標(biāo)記長度、所述標(biāo)記前面的第1間隔的間隔長度以及所述標(biāo)記后面的第2間隔的間隔長度的組合，對(duì)編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類；記錄波形發(fā)生部，根據(jù)所述分類結(jié)果，生成使用于形成所述標(biāo)記的記錄脈沖列的始端邊沿位置、終端邊沿位置以及脈沖寬度之中的至少一個(gè)改變的所述記錄脈沖列；和激光驅(qū)動(dòng)部，將所生成的所述記錄脈沖列照射于光盤介質(zhì)，從而在所述光盤介質(zhì)上形成多個(gè)所述標(biāo)記。
18.—種光盤介質(zhì)，通過權(quán)利要求1所述的光記錄方法來記錄信息，其特征在于， 與所述分類相關(guān)的信息記錄在規(guī)定區(qū)域。
19.一種光盤介質(zhì)的制造方法，通過權(quán)利要求1所述的光記錄方法來記錄信息，其特征在于，包括形成記錄與所述分類相關(guān)的信息的規(guī)定區(qū)域的步驟。
20.一種再現(xiàn)方法，從通過權(quán)利要求1所述的記錄方法記錄所述標(biāo)記的光盤介質(zhì)再現(xiàn)信息，其特征在于，包括對(duì)所述光盤介質(zhì)照射激光來再現(xiàn)所述信息的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光盤記錄方法等，能精密地補(bǔ)償對(duì)光盤介質(zhì)進(jìn)行記錄或再現(xiàn)時(shí)的熱干擾和光學(xué)符號(hào)間干擾。在光記錄方法中，通過以多個(gè)等級(jí)的功率切換激光，將調(diào)制之后的記錄脈沖列照射在光盤介質(zhì)上，從而在光盤介質(zhì)上形成多個(gè)標(biāo)記，利用各標(biāo)記以及相鄰2個(gè)標(biāo)記之間的間隔的邊沿位置來記錄信息。光記錄方法包括對(duì)記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼從而制作標(biāo)記以及間隔的組合即編碼數(shù)據(jù)的步驟；根據(jù)標(biāo)記的標(biāo)記長度、標(biāo)記前面的第1間隔的間隔長度以及標(biāo)記后面的第2間隔的間隔長度的組合，來對(duì)編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行分類的步驟；根據(jù)分類結(jié)果，生成使記錄脈沖列的始端邊沿位置、終端邊沿位置以及脈沖寬度之中的至少一個(gè)改變的記錄脈沖列的步驟，該記錄脈沖列用于形成標(biāo)記；以及對(duì)光盤介質(zhì)照射所生成的記錄脈沖列，在光盤介質(zhì)上形成多個(gè)標(biāo)記的步驟。
文檔編號(hào)G11B7/0045GK102203857SQ20098011527
公開日2011年9月28日 申請(qǐng)日期2009年10月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月9日
發(fā)明者中村敦史, 小林勛, 古宮成 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社