專(zhuān)利名稱(chēng)：光記錄介質(zhì)及光記錄介質(zhì)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過(guò)照射光而記錄或再生信息的光記錄介質(zhì)及該光記錄介質(zhì)的 制造方法，尤其涉及具備三層或四層信息記錄面的光記錄介質(zhì)的層間隔的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
作為高密度及大容量的光信息記錄介質(zhì)，市場(chǎng)銷(xiāo)售的有被稱(chēng)作DVD或BD(藍(lán)光 (Blu-ray)盤(pán))的光盤(pán)。近年來(lái)，此類(lèi)光盤(pán)作為記錄圖像、音樂(lè)及電腦數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)正在 急速地普及。而且，為了進(jìn)一步增加記錄容量，還提出有專(zhuān)利文獻(xiàn)1所示的具有多層記錄層 的光盤(pán)。圖13是表示以往的光記錄介質(zhì)及拾光器的結(jié)構(gòu)的圖。光記錄介質(zhì)401包括最 接近光記錄介質(zhì)401的表面401z的第一信息記錄面401a、第二接近光記錄介質(zhì)401的表 面401z的第二信息記錄面401b、第三接近光記錄介質(zhì)401的表面401z的第三信息記錄面 401c、以及距離光記錄介質(zhì)401的表面401z最遠(yuǎn)的第四信息記錄面401d。從光源1射出的發(fā)散的光束70透過(guò)焦距Π為15mm的準(zhǔn)直透鏡53后，射入偏振分 束器(polarized beam splitter) 52。射入偏振分束器52的光束70透過(guò)偏振分束器52， 并透過(guò)1/4波長(zhǎng)板M而轉(zhuǎn)換成圓偏振光。隨后，光束70通過(guò)焦距f2為2mm的物鏡56被 轉(zhuǎn)換成會(huì)聚光束，透過(guò)光記錄介質(zhì)401的透明基板后，被聚光在光記錄介質(zhì)401內(nèi)部形成的 第一信息記錄面401a、第二信息記錄面401b、第三信息記錄面401c及第四信息記錄面401d 的其中之一記錄面上。物鏡56被設(shè)計(jì)成使球面像差在第一信息記錄面401a與第四信息記錄面401d的 中間深度位置為0。球面像差修正部93使準(zhǔn)直透鏡53的位置沿光軸方向移動(dòng)。由此，在第 一至第四信息記錄面401a至401d聚光時(shí)產(chǎn)生的球面像差可被消除。光圈55 (aperture)限制物鏡56的開(kāi)口，使物鏡56的數(shù)值孔徑NA為0. 85。被第 四信息記錄面401d反射的光束70透過(guò)物鏡56及1/4波長(zhǎng)板M而轉(zhuǎn)換成與去路相差90 度的直線偏振光之后，被偏振分束器52反射。由偏振分束器52反射的光束70透過(guò)焦距f3 為30mm的聚光透鏡59被轉(zhuǎn)換成會(huì)聚光，經(jīng)由柱面透鏡(cylindrical lens) 57射入光檢測(cè) 器320。光束70在透過(guò)柱面透鏡57時(shí)被賦予像散(astigmatism)。光檢測(cè)器320具有未圖示的四個(gè)受光部，各受光部輸出與所接收到的光量相應(yīng)的 電流信號(hào)。根據(jù)這些電流信號(hào)，生成基于像散法(astigmatism method)的聚焦誤差(以下 稱(chēng)作FE)信號(hào)、基于推挽法(push-pull method)的追蹤誤差(以下稱(chēng)作TE)信號(hào)，以及記 錄在光記錄介質(zhì)401上的信息(以下稱(chēng)作RF)信號(hào)。FE信號(hào)及TE信號(hào)被放大到所希望的 電平并且被進(jìn)行相位補(bǔ)償后，被提供給致動(dòng)器91及92，以進(jìn)行聚焦控制及追蹤控制。在此，假如在光記錄介質(zhì)401的表面401z與第一信息記錄面401a之間的厚度tl、 第一信息記錄面401a與第二信息記錄面401b之間的厚度t2、第二信息記錄面401b與第三 信息記錄面401c之間的厚度t3、及第三信息記錄面401c與第四信息記錄面401d之間的厚 度t4全部彼此相同的情況下，會(huì)產(chǎn)生如下所述的問(wèn)題。
例如，當(dāng)為了對(duì)第四信息記錄面401d記錄或再生信息而使光束70在第四信息記 錄面401d上聚光時(shí)，光束70的一部分被第三信息記錄面401c反射。從第三信息記錄面 401c到第四信息記錄面401d的距離與從第三信息記錄面401c到第二信息記錄面401b的 距離相同。因此，被第三信息記錄面401c反射的光束70的一部分在第二信息記錄面401b 的背側(cè)成像，來(lái)自第二信息記錄面401b的背側(cè)的反射光再次被第三信息記錄面401c反射。 其結(jié)果，被第三信息記錄面401c、第二信息記錄面401b的背側(cè)及第三信息記錄面401c反射 的反射光會(huì)與來(lái)自原本應(yīng)讀取的第四信息記錄面401d的反射光相混。此外，從第二信息記錄面401b到第四信息記錄面401d的距離與從第二信息記錄 面401b到光記錄介質(zhì)401的表面401z的距離也相同。因此，被第二信息記錄面401b反射 的光束70的一部分在光記錄介質(zhì)401的表面401z的背側(cè)成像，來(lái)自表面401z的背側(cè)的反 射光再次被第二信息記錄面401b反射。其結(jié)果，被第二信息記錄面401b、表面401z的背側(cè) 及第二信息記錄面401b反射的反射光會(huì)與來(lái)自原本應(yīng)讀取的第四信息記錄面401d的反射 光相混。這樣，存在下述問(wèn)題，即在其它層的背側(cè)成像的反射光重疊混入來(lái)自原本應(yīng)讀取 的第四信息記錄面401d的反射光中，從而影響信息的記錄或再生。這樣的光其干涉性高， 會(huì)在受光元件上形成干涉所造成的明暗分布。此外，由于該明暗分布根據(jù)光盤(pán)面內(nèi)的中間 層的微小的厚度偏差引起的其它層反射光的相位差變化而發(fā)生變動(dòng)，因此導(dǎo)致伺服信號(hào)及 再生信號(hào)的質(zhì)量顯著下降。下面，在本說(shuō)明書(shū)中，將上述的問(wèn)題稱(chēng)作背面焦點(diǎn)(back focus) 問(wèn)題。為了防止此現(xiàn)象，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種方法，將各信息記錄面之間的層間 距離設(shè)定成從光記錄介質(zhì)401的表面401z起依次逐漸增大，使得當(dāng)使光束70在原本應(yīng)讀 取的第四信息記錄面401d上聚光時(shí)，光束70的一部分不會(huì)同時(shí)在第二信息記錄面401b的 背側(cè)及表面401z的背側(cè)成像。在此，厚度tl至t4分別有士 10 μ m的制造偏差。厚度tl 至t4必須被設(shè)定成在分別有所偏差也為不同的距離。因此，將厚度tl至t4的距離差例如 設(shè)定為20 μ m。此時(shí)，厚度tl至t4分別為40 μ m、60 μ m、80 μ m及100 μ m,從第一信息記錄 面401a到第四信息記錄面401d的總層間厚度t( = t2+t3+t4)為240 μ m。而且，當(dāng)從表面401z到第一信息記錄面401a的覆蓋層的厚度與從第四信息記錄 面401d到第一信息記錄面401a的厚度相等時(shí)，被第四信息記錄面401d反射的光在表面 40 Iz聚焦，并被表面40 Iz反射。被表面40 Iz反射的光再次被第四信息記錄面40 Id反射后 被導(dǎo)向光檢測(cè)器320。這樣在表面401z的背側(cè)成像的光束不像在其它信息記錄面的背側(cè)成 像的光束那樣具有與坑(Pit)或標(biāo)記(mark)相關(guān)的信息。但是，當(dāng)記錄層實(shí)現(xiàn)了多層化時(shí)， 被表面401z的背側(cè)反射的光束的光量具有與被其它信息記錄面的背側(cè)反射的光束的光量 同程度的大小。因此，與被其它信息記錄面的背側(cè)反射的光束相同，被表面401z的背側(cè)反 射的光束與被作為記錄或再生對(duì)象的信息記錄面反射的光束的干涉產(chǎn)生，有導(dǎo)致伺服信號(hào) 及再生信號(hào)的質(zhì)量顯著下降的危險(xiǎn)?？紤]到這樣的問(wèn)題，專(zhuān)利文獻(xiàn)2中提出了光盤(pán)的信息記錄層(信息記錄面)的間 隔。該專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了下述的結(jié)構(gòu)。光記錄介質(zhì)具有四層信息記錄面，從接近光記錄介質(zhì)的表面的一側(cè)起設(shè)為第一信 息記錄面至第四信息記錄面。從表面到第一信息記錄面的距離為47 μ m以下。從第一信息記錄面到第四信息記錄面的各信息記錄面之間的中間層的厚度為11至15μπι、16至21μπι 及22 μ m以上的組合。從表面到第四信息記錄面的距離為100 μ m。從表面到第一信息記錄 面的距離為47 μ m以下，并且，從表面到第四信息記錄面的距離為100 μ m。但是，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中作為最佳而示出的光盤(pán)結(jié)構(gòu)中，從表面到第一信息記錄面 的距離( = tl)為47 μ m以下。通過(guò)將厚度tl設(shè)定得盡可能厚，期望將光盤(pán)表面存在劃痕 或污垢時(shí)的信息再生信號(hào)惡化量抑制得較低。在四層光盤(pán)中，從表面到第四信息記錄面的 標(biāo)準(zhǔn)距離是100 μ m，期望一種能夠?qū)⒑穸萾l設(shè)定得盡可能厚的結(jié)構(gòu)。而且，對(duì)于具有三層 信息記錄面的三層光盤(pán)，也期望提出一種最佳結(jié)構(gòu)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本專(zhuān)利公開(kāi)公報(bào)特開(kāi)2001-155380號(hào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本專(zhuān)利公開(kāi)公報(bào)特開(kāi)2008-117513號(hào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述的問(wèn)題，其目的在于提供一種能夠提高伺服信號(hào)及再生信 號(hào)的質(zhì)量的光記錄介質(zhì)及光記錄介質(zhì)的制造方法。本發(fā)明所提供的一種光記錄介質(zhì)是具有四層信息記錄面的光記錄介質(zhì)，當(dāng)定義所 述光記錄介質(zhì)的表面與最接近所述光記錄介質(zhì)表面的第一信息記錄面之間的厚度為tl、所 述第一信息記錄面與第二接近所述光記錄介質(zhì)表面的第二信息記錄面之間的厚度為t2、所 述第二信息記錄面與第三接近所述光記錄介質(zhì)表面的第三信息記錄面之間的厚度為t3、 所述第三信息記錄面與距離所述光記錄介質(zhì)表面最遠(yuǎn)的第四信息記錄面之間的厚度為t4 時(shí)，ii足 t3-t4 > 1 μ m、t4-t2 > 1 μ m、t2 > 10 μ m 及 tl- (t2+t3+t4) > 1 μ m。根據(jù)本發(fā)明，由于具有四層信息記錄面的光記錄介質(zhì)滿(mǎn)足t3_t4彡Ιμπκ t4-t2彡lym、t2彡10 μ m及tl_(t2+t3+t4)彡1 μ m，因此，通過(guò)防止在光記錄介質(zhì)的表面 的背側(cè)成像，且減少各信息記錄面的反射光之間的干涉，能夠提高伺服信號(hào)及再生信號(hào)的 質(zhì)量。而且，由于可將光記錄介質(zhì)的表面與最接近光記錄介質(zhì)表面的信息記錄面的間隔設(shè) 定得較大，因此能夠抑制在光記錄介質(zhì)的表面存在劃痕或污垢時(shí)的再生信號(hào)的惡化。通過(guò)以下詳細(xì)的說(shuō)明和附圖，使本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)更加明確。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的光記錄介質(zhì)及拾光器的概略結(jié)構(gòu)的圖。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的光記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的圖。圖3是表示使光束在第四信息記錄面上聚光時(shí)來(lái)自第四信息記錄面的反射光的 圖。圖4是表示使光束在第四信息記錄面上聚光時(shí)來(lái)自第三信息記錄面及第二信息 記錄面的反射光的圖。圖5是表示使光束在第四信息記錄面上聚光時(shí)來(lái)自第二信息記錄面及表面的反 射光的圖。圖6是表示使光束在第四信息記錄面上聚光時(shí)來(lái)自第三信息記錄面、第一信息記 錄面及第二信息記錄面的反射光的圖。圖7是表示層間厚度的差與FS信號(hào)振幅之間的關(guān)系的圖。
圖8是表示各信息記錄層的反射率大致相等的光記錄介質(zhì)的層間厚度與抖動(dòng)之 間的關(guān)系的圖。圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的光記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的圖。圖10是表示使光束在第三信息記錄面上聚光時(shí)來(lái)自第三信息記錄面的反射光的 圖。圖11是表示使光束在第三信息記錄面上聚光時(shí)來(lái)自第二信息記錄面及第一信息 記錄面的反射光的圖。圖12是表示使光束在第三信息記錄面上聚光時(shí)來(lái)自第一信息記錄面及表面的反 射光的圖。圖13是表示以往的光記錄介質(zhì)及拾光器的結(jié)構(gòu)的圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，以下的實(shí)施方式是將本發(fā)明 具體化的一例，其性質(zhì)并非為限定本發(fā)明的技術(shù)范圍。(實(shí)施方式1)以下，用圖1及圖2，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的光記錄介質(zhì)進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的光記錄介質(zhì)及拾光器(optical pickup) 的概略結(jié)構(gòu)的圖，圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的光記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的圖。拾 光器201將波長(zhǎng)λ為405nm的激光照射至光記錄介質(zhì)40，對(duì)記錄在光記錄介質(zhì)40上的信 號(hào)進(jìn)行再生。另外，圖1所示的拾光器201的結(jié)構(gòu)與圖13所示的拾光器的結(jié)構(gòu)大致相同， 因此省略詳細(xì)說(shuō)明。在光記錄介質(zhì)40中形成有四層信息記錄面。如圖2所示，光記錄介質(zhì)40從接近 光記錄介質(zhì)40的表面40z的一側(cè)起依次具有第一信息記錄面40a、第二信息記錄面40b、第 三信息記錄面40c及第四信息記錄面40d。光記錄介質(zhì)40還具有覆蓋層42、第一中間層43、第二中間層44及第三中間層45。 覆蓋層42的厚度tl表示從表面40z到第一信息記錄面40a之間的基材的厚度，第一中間 層43的厚度t2表示從第一信息記錄面40a到第二信息記錄面40b之間的基材的厚度，第 二中間層44的厚度t3表示從第二信息記錄面40b到第三信息記錄面40c之間的基材的厚 度，第三中間層45的厚度t4表示從第三信息記錄面40c到第四信息記錄面40d之間的基 材厚度。而且，距離dl ( tl)表示從表面40z到第一信息記錄面40a之間的距離，距離 d2( ^ tl+t2)表示從表面40z到第二信息記錄面40b之間的距離，距離d3 ( ^ tl+t2+t3) 表示從表面40z到第三信息記錄面40c之間的距離，距離d4( tl+t2+t3+t4)表示從表面 40z到第四信息記錄面40d之間的距離。在此，對(duì)信息記錄面為四面時(shí)的課題進(jìn)行說(shuō)明。首先，對(duì)作為第一個(gè)課題的多面反 射光引起的干涉，用圖3至圖7來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。圖3是表示使光束在第四信息記錄面40d上 聚光時(shí)來(lái)自第四信息記錄面40d的反射光的圖，圖4是表示使光束在第四信息記錄面40d 上聚光時(shí)來(lái)自第三信息記錄面40c及第二信息記錄面40b的反射光的圖，圖5是表示使光 束在第四信息記錄面40d上聚光時(shí)來(lái)自第二信息記錄面40b及表面40z的反射光的圖，圖6是表示使光束在第四信息記錄面40d上聚光時(shí)來(lái)自第三信息記錄面40c、第一信息記錄面 40a及第二信息記錄面40b的反射光的圖。如圖3所示，為了對(duì)信息進(jìn)行再生或記錄而在第四信息記錄面40d上聚光的光束 由于信息記錄層(信息記錄面)的半透射性而分支成以下的多束光束。即，為了對(duì)信息進(jìn)行再生或記錄而在第四信息記錄面40d上聚光的光束被分支 成如圖3所示被第四信息記錄面40d反射的光束70、如圖4所示被第三信息記錄面40c反 射，并在第二信息記錄面40b的背側(cè)聚焦后被反射，再次被第三信息記錄面40c反射的光束 71 (信息記錄層的背面焦點(diǎn)光)、如圖5所示被第二信息記錄面40b反射，并在表面40z的 背側(cè)聚焦后被反射，再次被第二信息記錄面40b反射的光束72 (表面的背面焦點(diǎn)光)，以及 如圖6所示未在表面及信息記錄面的背側(cè)聚焦，但被第三信息記錄面40c、第一信息記錄面 40a的背側(cè)及第二信息記錄面40b依次反射的光束73。例如，當(dāng)?shù)谒男畔⒂涗浢?0d與第三信息記錄面40c之間的距離(厚度t4)、與第 三信息記錄面40c與第二信息記錄面40b之間的距離(厚度t3)相同時(shí)，光束70和光束71 以相等的光路長(zhǎng)度和光束直徑射入光檢測(cè)器320。同樣，當(dāng)?shù)谒男畔⒂涗浢?0d與第二信息 記錄面40b之間的距離(厚度t4+厚度t3)、與第二信息記錄面40b與表面40z之間的距 離(厚度t2+厚度tl)相等時(shí)，光束70和光束72以相等的光路長(zhǎng)度和光束直徑射入光檢 測(cè)器320。而且，當(dāng)?shù)诙畔⒂涗浢?0b與第一信息記錄面40a之間的距離(厚度t2)、與 第四信息記錄面40d與第三信息記錄面40c之間的距離(厚度t4)相等時(shí)，光束70和光束 73以相等的光路長(zhǎng)度和光束直徑射入光檢測(cè)器320。雖然相對(duì)于光束70，作為多面反射光的光束71至73的光量小，但由于各光束以 相等的光路長(zhǎng)度和相等的光束直徑射入光檢測(cè)器320，因此各光束的干涉造成的影響增大。 而且，光檢測(cè)器320的受光量會(huì)因?yàn)槲⑿〉男畔⒂涗泴娱g的厚度變化而發(fā)生較大變動(dòng)，從 而難以檢測(cè)穩(wěn)定的信號(hào)。圖7是表示層間厚度的差與FS信號(hào)振幅之間的關(guān)系的圖。另外，圖7示出當(dāng)設(shè)光 束70與光束71、光束72或光束73的光量比為100 1，且覆蓋層42及第一中間層43的 折射率均為1. 57時(shí)相對(duì)于層間厚度的差的FS信號(hào)振幅。在圖7中，橫軸表示層間厚度的 差，縱軸表示FS信號(hào)振幅。FS信號(hào)振幅是以光檢測(cè)器320僅接收到光束70的反射光時(shí)的 DC光量進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)化所得的值。而且，層間厚度的差表示中間層彼此的厚度的差以及覆蓋 層與中間層的厚度的差。如圖7所示，可知，當(dāng)層間厚度的差為1 μ m以下時(shí)，F(xiàn)S信號(hào)會(huì)急 劇變動(dòng)。另外，與圖5的光束72同樣，在覆蓋層42的厚度tl與第一中間層43至第三中間 層45的厚度總和(t2+t3+t4)之差為Iym以下，也會(huì)發(fā)生FS信號(hào)的變動(dòng)等問(wèn)題。作為第二個(gè)課題，如果鄰接的信息記錄面之間的層間距離過(guò)小，由于會(huì)受到來(lái)自 鄰接的信息記錄面的串?dāng)_(crosstalk)的影響，因此需要指定值以上的層間距離。在此，對(duì) 層間厚度進(jìn)行研究，以確定最小的層間厚度。圖8是表示各信息記錄層的反射率大致相等 的光盤(pán)的層間厚度與抖動(dòng)(jitter)之間的關(guān)系的圖。在圖8中，橫軸表示層間厚度，縱軸 表示抖動(dòng)值。隨著層間厚度減小，抖動(dòng)惡化。轉(zhuǎn)折點(diǎn)(inflection point)大約為8μπι，當(dāng) 層間厚度為8 μ m以下時(shí)會(huì)引起抖動(dòng)急劇惡化。而且，一般而言，在光盤(pán)的制造上，各信息記錄層的反射率有時(shí)會(huì)相差1.5倍左右。例如，當(dāng)相對(duì)于作為再生或記錄對(duì)象的信息記錄層的反射率，其它信息記錄層的反射 率為1. 5倍時(shí)，由于干涉對(duì)信息記錄層造成的影響在光的振幅比上為VT 倍，因此相對(duì) 于層間厚度的抖動(dòng)如圖8的虛線所示。即，如果將層間厚度的最小值設(shè)定為從8μπι增大 了 2 μ m的10 μ m以上，則其它信息記錄層的雜散光在光檢測(cè)器中的光量密度為反射率 1.5X (8/10)2 = 0.96，能夠抵消其它信息記錄層的反射效率的增加量。作為結(jié)論，層間厚 度的最小值為10 μ m最佳。用圖2對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的光記錄介質(zhì)40的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí) 施方式1中，為了在考慮到制造上的厚度偏差的基礎(chǔ)上來(lái)解決來(lái)自其它信息記錄層或盤(pán)表 面的反射光的不良影響，設(shè)定四層盤(pán)(光記錄介質(zhì)40)的結(jié)構(gòu)以便能夠確保以下條件。條件(1):覆蓋層42的厚度tl大于50μπι，以厚于以往的光盤(pán)的覆蓋層(tl > 50 μ m)。條件(2)確保覆蓋層42的厚度tl與第一中間層43至第三中間層45的厚 度t2至t4的總和(t2+t3+t4)之差為Ιμπι以上。距離d4的標(biāo)準(zhǔn)值最好與市場(chǎng)上的 BD相同為ΙΟΟμπι。如果與tl > 50μπι這一條件(1)相組合，則光記錄介質(zhì)40滿(mǎn)足 tl-(t2+t3+t4)彡 1 μ m。條件(3)確保覆蓋層42的厚度tl和第一中間層43的厚度t2的和(tl+t2)、與 第二中間層44的厚度t3和第三中間層45的厚度t4的和(t3+t4)之差為Ιμπι以上?？?以明確的是，如果滿(mǎn)足條件(1)及0)，則該條件C3)將自動(dòng)滿(mǎn)足。條件⑷厚度tl、t2、t3、t4中的任意兩個(gè)值彼此的差均為1 μ m以上。條件(5)層間厚度(中間層的厚度)的最小值如上所述必須為ΙΟμπι以上。因 此，厚度t2、t3、t4均為10 μ m以上。條件(6)厚度t3大于厚度t4，厚度t4大于厚度t2。第二信息記錄面40b被夾 在第一信息記錄面40a與第三信息記錄面40c之間。第三信息記錄面40c被夾在第二信息 記錄面40b與第四信息記錄面40d之間。由于第二信息記錄面40b和第三信息記錄面40c 均會(huì)受到來(lái)自?xún)蓚?cè)鄰接的兩面的串?dāng)_信號(hào)的影響，因此必須設(shè)法減少串?dāng)_。對(duì)第二信息記 錄面40b及第三信息記錄面40c的信息進(jìn)行再生時(shí)來(lái)自其它信息記錄面的串?dāng)_均可通過(guò)加 厚第二中間層44(厚度而減少。因此，較為理想的是使厚度t3最厚。而且，各信息記 錄面與表面40z之間的距離越短，則傾斜充裕(tilt margin)越寬。就此點(diǎn)而言，較為理想 的是第一中間層43的厚度t2較薄，而第三中間層45的厚度t4較厚。基于以上的研究，厚 度 t2、t3、t4 滿(mǎn)足 t3 > t4 > t2。條件(7):從表面40z到距離表面40z最遠(yuǎn)的第四信息記錄面40d的距離d4大 致為100 μ m。由此，能夠具有下述優(yōu)點(diǎn)，即，能夠與當(dāng)前市場(chǎng)銷(xiāo)售的光盤(pán)中容量最大的 BD(Blu-ray Disc)具備兼容性，并且也能夠充分確保傾斜充裕等系統(tǒng)充裕。以下，考慮在上述的條件(1)至(7)下能夠使覆蓋層厚度及中間層厚度在制造上 所允許的誤差或偏差最大的結(jié)構(gòu)。覆蓋層42及第一中間層43至第三中間層45的制造偏差一律為士eym。此時(shí)，滿(mǎn) 足上述條件(1)至(7)的各層間厚度t2至t4的中心值，若考慮到上限值及下限值則如下 述的⑴至⑶式所示。t2 = 10+e(ym)......(1)
t4 = (t2+e) +1+e = 10+3e+l ( μ m)......(2)t3 = (t4+e) +1+e = 10+5e+2 ( μ m)......(3)為了滿(mǎn)足條件⑵，厚度tl的下限值必須比厚度t2至t4的上限值的和厚1 μ m， 因此根據(jù)下述的⑷式，tl = 34+i;3e。tl-e = (t2+t3+t4+3e)+1(μ m) = (10+e)+(10+5e+2)+(10+3e+l)+3e+l = 34+12e
……G)根據(jù)條件(7)，厚度tl至t4的和為100 μ m。因此，根據(jù)下述(5)式，偏差e為e =33/22 = 1. 5(μπι)。tl+t2+t3+t4 = (10+e) + (10+5e+2) + (10+3e+l) + (34+13e) = 67+22e = 100( μ m) ……⑶而且，厚度tl至t4及距離dl至d4的標(biāo)準(zhǔn)值分別為如下所示。tl = 53. 5(μ m)t2 = 11. 5(μ m)t3 = 19. 5(μ m)t4 = 15. 5(μ m)dl = tl = 53. 5 ( μ m)d2 = dl+t2 = 65. 0 ( μ m)d3 = d2+t3 = 84. 5 ( μ m)d4 = 100 (μ m)在此，當(dāng)使覆蓋層厚度tl及各層間厚度t2至t4在制造時(shí)的偏差上限一樣時(shí)，如 果各厚度處于該偏差內(nèi)，則必然滿(mǎn)足條件(1)至(7)?？梢哉f(shuō)，偏差e是充分條件。即使厚 度tl的誤差超過(guò)偏差e，只要其它中間層的厚度接近基準(zhǔn)值而滿(mǎn)足條件(1)至(7)，便能夠 確保信號(hào)質(zhì)量。而且，在引入聚焦動(dòng)作(focus pull-in operation)時(shí)，為了獲得良好的聚 焦錯(cuò)誤信號(hào)質(zhì)量，必須使從表面40z到各信息記錄層的距離處于規(guī)定的誤差內(nèi)。因而，具有四層信息記錄面的光記錄介質(zhì)40較為理想的是，當(dāng)定義從光記錄介質(zhì) 40的表面40z到最接近所述光記錄介質(zhì)表面的第一信息記錄面40a的距離為dl、從光記 錄介質(zhì)40的表面40z到第二接近光記錄介質(zhì)40的表面40z的第二信息記錄面40b的距 離為d2、從光記錄介質(zhì)40的表面40z到第三接近光記錄介質(zhì)40的表面40z的第三信息記 錄面40c的距離為d3、從光記錄介質(zhì)40的表面40z到距離光記錄介質(zhì)40的表面40z最遠(yuǎn) 的第四信息記錄面40d的距離為d4、光記錄介質(zhì)40的表面40z與第一信息記錄面40a之 間的厚度為tl ( = dl)、第一信息記錄面40a與第二信息記錄面40b之間的厚度為t2(= d2-dl)、第二信息記錄面40b與第三信息記錄面40c之間的厚度為t3( = d3-d2)、第三信 息記錄面40c與第四信息記錄面40d之間的厚度為t4( = d4-d3)、距離dl、d2、d3、d4的公 差(tolerance)分別為 El、E2、E3、E4 時(shí)，滿(mǎn)足 t3_t4 彡 1 μ m、t4_t2 彡 1 μ m、t2 彡 10 μ m、 tl-(t2+t3+t4)彡 1 μ m、53. 5 μ m_El ^ dl ^ 53. 5 μ m+El、65. 0 μ m_E2 彡 d2 彡 65. 0 μ m+E2、 84. 5 μ m-E3 彡 d3 彡 84. 5 μ m+E3 及 100. 0 μ m_E4 彡 d4 彡 100. 0 μ m+E4。此時(shí)，通過(guò)防止在光記錄介質(zhì)40的表面40z的背側(cè)成像，且減少各信息記錄面40a 至40d的反射光之間的干涉，能夠提高伺服信號(hào)及再生信號(hào)的質(zhì)量。而且，由于能夠?qū)⒐庥?錄介質(zhì)40的表面40z與最接近光記錄介質(zhì)40的表面40z的第一信息記錄面40a的間隔設(shè)定得較大，因此能夠抑制光記錄介質(zhì)40的表面40z存在劃痕或污垢時(shí)的再生信號(hào)的惡化。如果考慮聚焦錯(cuò)誤信號(hào)的惡化程度，公差El必須為6 μ m。并且，如果公差El為5 μ m，則能夠?qū)ψ罱咏砻?0z的第一信息記錄面40a進(jìn)行 更穩(wěn)定的聚焦引入。進(jìn)一步，公差El僅由覆蓋層42的厚度tl的誤差所決定，而不受其它中間層的厚 度的影響。因此，如果考慮能夠高精度地制作光記錄介質(zhì)40，使公差El為3μπι，也能夠?qū)?最接近表面40ζ的第一信息記錄面40a進(jìn)行更穩(wěn)定的聚焦引入。而且，如果考慮聚焦錯(cuò)誤信號(hào)的惡化程度，公差E2也必須為6 μ m。并且，如果公差E2為5 μ m，則能夠?qū)Φ诙咏砻?0z的第二信息記錄面40b進(jìn) 行更穩(wěn)定的聚焦引入。如果使公差El為最低限的3 μ m,使厚度t2的誤差為預(yù)先研究的偏差e = 1. 5 μ m， 則公差E2可減小到4. 5 μ m左右。此時(shí)，能夠?qū)Φ诙咏砻?0z的第二信息記錄面40b 進(jìn)行更進(jìn)一步穩(wěn)定的聚焦弓I入。如果考慮聚焦錯(cuò)誤信號(hào)的惡化程度，公差E3及公差E4也必須為6 μ m。并且，如果 公差E3及公差E4為5 μ m，則能夠?qū)Φ谌咏砻?0z的第三信息記錄面40c及距離表面 40z最遠(yuǎn)的第四信息記錄面40d進(jìn)行更穩(wěn)定的聚焦引入。因而，最理想的光記錄介質(zhì)40的結(jié)構(gòu)為50. 5 μ m < dl < 56. 5 μ m、 60. 5 μ m 彡 d2 彡 69. 5 μ m、78. 5 μ m 彡 d3 彡 90. 5 μ m 及 94. 0 μ m 彡 d4 彡 106. 0 μ m。此外，由于t3_t4彡Ιμπι且t4_t2彡Ιμπι，因此厚度t2、t4存在比厚度t3薄Ιμπι 以上的限制。但是，厚度t3的上限在本條件中未出現(xiàn)。厚度t3的上限可從t3 = d3-d2讀取。 由于距離d3為84. 5 μ m-E3以上84. 5 μ m+E3以下，距離d2為65. 0 μ m_E2以上65. 0 μ m+E2 以下，因此厚度t3的最大值為E3+E2+19. 5 μ m。例如，當(dāng)使公差E3與公差E2均為6μπι時(shí)，厚度t3的最大值為31.5μπι。但是，在 從第二信息記錄面40b向第三信息記錄面40c的聚焦跳躍時(shí)，如果不預(yù)先使球面像差量適 應(yīng)跳躍目標(biāo)的第三信息記錄面40c，聚焦錯(cuò)誤信號(hào)的振幅及靈敏度將會(huì)惡化，從而無(wú)法穩(wěn)定 地重新開(kāi)始聚焦控制。因此，厚度t3的公差抑制在至多6μπι較為理想。因而，厚度t3較 為理想的是25. δμπ ο并且，通過(guò)將厚度t3的公差抑制為5 μ m,能夠更穩(wěn)定地進(jìn)行聚焦跳躍，因此厚度 t3更為理想的是Μ.5μπι。進(jìn)一步，即使考慮光記錄介質(zhì)(光盤(pán))的可制造范圍，厚 度t3的公差也能夠被抑制在2. 5 μ m左右，因此厚度t3更為理想的是t3 ^ 22. 0 μ m。通過(guò)與第二中間層44的厚度t3同樣，將第一中間層43的厚度t2及第三中間 層45的厚度t4的公差抑制在5 μ m，能夠更穩(wěn)定地進(jìn)行聚焦跳躍。因此，較為理想的是，厚 度 t2 為下限的 10. Ομ 以上 16. 5μ (11. 5μ +5μπι)以下，厚度 t3 為 19. 5μ 士5μπκ 即14. 5μπι以上24. 5μπι以下，厚度t4為11 μ m(=厚度t2的下限+1 μ m)以上 20. 5μπι(15. 5ym+5ym)以下。另外，因?yàn)閠l = dl，所以厚度tl較為理想的是50. 5 μ m以 上56. 5μπι以下。上述的條件是為了穩(wěn)定地再生良好的信息信號(hào)所需要的條件。覆蓋層及各中間層 的厚度tl至t4的各種組合中，滿(mǎn)足上述條件的組合將成為光記錄介質(zhì)40所允許的結(jié)構(gòu)。 但是，與判斷覆蓋層及各中間層的厚度tl至t4的組合是否符合條件相比，通過(guò)將覆蓋層及各中間層的厚度tl至t4的公差控制在較窄的范圍內(nèi)來(lái)進(jìn)行制造，不用考慮組合而制造符 合條件的光盤(pán)具有容易簡(jiǎn)單地設(shè)定制造上的目標(biāo)值、條件設(shè)定容易的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，如上 所述，通過(guò)明確性能上無(wú)問(wèn)題的范圍，即使是稍許偏離目標(biāo)值而制造的光記錄介質(zhì)，也能夠 判別為良品，從而可提高產(chǎn)品成品率，因此獲得能夠?qū)a(chǎn)品成本抑制得較低的效果。接下來(lái)，作為其它觀點(diǎn)，考慮制造上可實(shí)現(xiàn)的中間層厚度的公差、以及該公差作為 避免上述背面焦點(diǎn)問(wèn)題及避免層間串?dāng)_問(wèn)題的充分條件的層結(jié)構(gòu)是怎樣的。我們通過(guò)實(shí) 驗(yàn)對(duì)制造上可實(shí)現(xiàn)的中間層厚度的公差進(jìn)行了研究，結(jié)果明確，如果中間層的厚度公差為 +1. 5 μ m，便能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)。從避免層間串?dāng)_問(wèn)題的觀點(diǎn)出發(fā)，厚度t2的最小值為ΙΟμπι。 為了確保1.5μπι的制造公差，厚度t2的標(biāo)準(zhǔn)值必須為11.5μπι以上。最后，考慮到為了避 免背面焦點(diǎn)問(wèn)題必須考慮tl-(t2+t3+t4) ^ 1，將中間層的厚度的標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定為必要最小 限。因而，厚度t2的標(biāo)準(zhǔn)值為11.5 μ m。進(jìn)一步，如果在厚于標(biāo)準(zhǔn)值的一側(cè)確保1.5μπι的 制造公差，則厚度t2的上限為13 μ m。從避免背面焦點(diǎn)問(wèn)題的觀點(diǎn)出發(fā)，必須為t4_t2 > lym，因此厚度t4的最小值為 14 μ m。為了確保1. 5 μ m的制造公差，厚度t4的標(biāo)準(zhǔn)值必須為15. 5 μ m以上，因此將厚度 t4的標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)為15. 5 μ m。進(jìn)一步，如果在厚于標(biāo)準(zhǔn)值的一側(cè)確保1. 5 μ m的制造公差，則 厚度t4的上限為17 μ m。此外，從避免背面焦點(diǎn)問(wèn)題的觀點(diǎn)出發(fā)，必須為t3_t4 > 1 μ m，因此厚度t3的最小 值為18 μ m。為了確保1.5μπι的制造公差，厚度t3的標(biāo)準(zhǔn)值必須為19. 5μπι以上，因此將 厚度t3的標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)為19. 5 μ m。進(jìn)一步，如果在厚于標(biāo)準(zhǔn)值的一側(cè)確保1. 5 μ m的制造公 差，則厚度t3的上限為21 μ m。此外，從避免背面焦點(diǎn)問(wèn)題的觀點(diǎn)出發(fā)，必須為tl_(t2+t3+t4) ^ I0如果確 保1.5μπι的制造公差，則厚度t2、厚度t3及厚度t4的上限值分別為13μπι、17μπι及 21口111(應(yīng)為19“111及17“111，它們的禾日(t2+t3+t4)的上限值為51 μ m。因而，只要覆蓋層 42的厚度tl的下限值為52μπι，則tl-(t2+t3+t4)彡1的條件便可滿(mǎn)足。為了確保1.5μπι 的制造公差，厚度tl的標(biāo)準(zhǔn)值必須為53. 5 μ m以上。在此，考慮使距離d4的標(biāo)準(zhǔn)值為100 μ m。距離d4是厚度tl至t4的總和。即使 將厚度tl的標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)為53. 5 μ m,如果加上至此為此所考慮的厚度t2至t3的標(biāo)準(zhǔn)值，也是 達(dá)到100 μ m。因而，沒(méi)有將各標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定得更大的余地。因此，厚度tl、厚度t2、厚度t3及 厚度 t4 的標(biāo)準(zhǔn)值分別為 53. 5 μ m、11. 5 μ m、15. 5 μ m及 19. 5 μ m(應(yīng)為 19. 5 μ m及 15. 5ym0 根據(jù)如上所述的研究也可以明確，這些厚度的標(biāo)準(zhǔn)值是確保1. 5μπι的制造公差、且避免層 間串?dāng)_問(wèn)題和背面焦點(diǎn)問(wèn)題，并使距離d4的標(biāo)準(zhǔn)值為IOOym的唯一的解。因而，較為理想的是，厚度tl的標(biāo)準(zhǔn)范圍為52. Oym以上55. Oym以下，厚度t2 的標(biāo)準(zhǔn)范圍為10. 0 μ m以上13. 0 μ m以下，厚度t3的標(biāo)準(zhǔn)范圍為18. 0 μ m以上21. 0 μ m以 下，厚度t4的標(biāo)準(zhǔn)范圍為14. 0 μ m以上17. 0 μ m以下。換言之，較為理想的是，厚度tl的標(biāo)準(zhǔn)值為53. 5 μ m，厚度t2的標(biāo)準(zhǔn)值為 11. 5 μ m，厚度t3的標(biāo)準(zhǔn)值為19. 5 μ m，厚度t4的標(biāo)準(zhǔn)值為15. 5 μ m,各厚度tl至t4的誤 差分別被抑制在士 1.5μπι以?xún)?nèi)。在從上述的條件(1)至(7)導(dǎo)出的光記錄介質(zhì)應(yīng)該滿(mǎn)足的條件(以下，稱(chēng)作必須 條件)中，存在多個(gè)與多個(gè)參數(shù)相關(guān)的條件式。因此，為了滿(mǎn)足所有的條件，存在多個(gè)應(yīng)同時(shí)考慮的條件，因而確定各層的厚度非常困難。而且，即使各層的條件滿(mǎn)足必須條件時(shí)，有 時(shí)也會(huì)根據(jù)條件而不允許制造上的誤差，從而使實(shí)際制造非常困難。例如，當(dāng)將某個(gè)中間層的膜厚設(shè)定為指定值時(shí)，雖然其它中間層的膜厚條件滿(mǎn)足 各條件，但有時(shí)所允許的誤差會(huì)變得非常小。因此，即使明確了必須條件，要決定各層的條 件以使透光層及中間層全部滿(mǎn)足必須條件也非常困難，并且，即使?jié)M足必須條件時(shí)，要設(shè)定 各層的條件以便制造上的允許誤差不會(huì)在某層變得極小也非常困難。因此，本實(shí)施方式1中，不僅規(guī)定上述的必須條件，而且還規(guī)定了制造光記錄介質(zhì) 時(shí)應(yīng)考慮的條件來(lái)作為推薦條件。由此，能夠減少必須同時(shí)考慮的參數(shù)，以在制造光記錄介質(zhì)時(shí)容易設(shè)定各層的目 標(biāo)值。而且，能夠解決只有某層的允許誤差極小這一制造上的問(wèn)題。并且，由于能夠使各層 的允許誤差全部為1. 5 μ m以上，因此可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。另外，具有四層信息記錄面的光記錄介質(zhì)40的制造方法包括在基板上形成覆蓋 層(透光層)42、第一信息記錄面40a、第一中間層43、第二信息記錄面40b、第二中間層 44、第三信息記錄面40c、第三中間層45及第四信息記錄面40d的工序。并且，形成第一 至第四信息記錄面40a至40d、第一至第三中間層43至45及覆蓋層42，使覆蓋層42的 厚度tl及第一至第三中間層43至45的厚度丨2至丨4滿(mǎn)足52.(^111<丨1 ^ 55. 0 μ m, 10.0卩111；^2彡13.0卩111、18.0卩111；^3彡21.0卩111及14.0卩111；^4彡17.0卩111。而且，通過(guò)上述制造方法所制造的光記錄介質(zhì)40滿(mǎn)足t3_t4 > 1 μ m、 t4-t2彡Ιμπκ t2彡ΙΟμ 及tl-(t2+t3+t4)彡1 μ m。而且，通過(guò)上述制造方法所 制造的光記錄介質(zhì) 40 還滿(mǎn)足 60. 5 μ m < d2 < 69. 5 μ m、78. 5 μ m < d3 < 90. 5 μ m、 94. 0 μ m ^ d4 ^ 106. 0 μ m、50. 5 μ m ^ tl ^ 56. 5 μ m、10. 0 μ m 彡 t2 彡 16. 5 μ m、 14. 5 μ m 彡 t3 彡 24. 5 μ m 及 11. 0 μ m 彡 t4 彡 20. 5 μ m。并且，形成第一至第四信息記錄面40a至40d、第一至第三中間層43至45及覆蓋 層42，使厚度tl的標(biāo)準(zhǔn)值為53.5μm，厚度t2的標(biāo)準(zhǔn)值為11.5μm，厚度t3的標(biāo)準(zhǔn)值為 19. 5 μ m，厚度t4的標(biāo)準(zhǔn)值為15. 5 μ m，覆蓋層42的厚度tl及第一至第三中間層43至45 的厚度t2至t4的公差分別為1. 5 μ m以下。(實(shí)施方式2)在上述的實(shí)施方式1中，對(duì)具有四層信息記錄面的光記錄介質(zhì)進(jìn)行了說(shuō)明，而在 實(shí)施方式2中，對(duì)具有三層信息記錄面的光記錄介質(zhì)進(jìn)行說(shuō)明。圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施 方式2所涉及的光記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的圖。光記錄介質(zhì)30形成有三層信息記錄面。如圖9所示，光記錄介質(zhì)30從接近光記 錄介質(zhì)30的表面30z的一側(cè)起依次具有第一信息記錄面30a、第二信息記錄面30b及第三 信息記錄面30c。光記錄介質(zhì)30還具有覆蓋層32、第一中間層33及第二中間層34。覆蓋層32的厚度tl表示從表面30z到第一信息記錄面30a之間的基材的厚度， 第一中間層33的厚度t2表示從第一信息記錄面30a到第二信息記錄面30b之間的基材的 厚度，第二中間層34的厚度t3表示從第二信息記錄面30b到第三信息記錄面30c之間的 基材的厚度。而且，距離dl ( tl)表示從表面30z到第一信息記錄面30a之間的距離，距離 d2( ^ tl+t2)表示從表面30z到第二信息記錄面30b之間的距離，距離d3 ( ^ tl+t2+t3)表示從表面30z到第三信息記錄面30c之間的距離。在此，對(duì)信息記錄面為三面時(shí)的課題進(jìn)行說(shuō)明。首先，對(duì)作為第一個(gè)課題的多面反 射光引起的干涉，用圖10至圖12來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。圖10是表示使光束在第三信息記錄面30c 上聚光時(shí)來(lái)自第三信息記錄面30c的反射光的圖，圖11是表示使光束在第三信息記錄面 30c上聚光時(shí)來(lái)自第二信息記錄面30b及第一信息記錄面30a的反射光的圖，圖12是表示 使光束在第三信息記錄面30c上聚光時(shí)來(lái)自第一信息記錄面30a及表面30z的反射光的 圖。如圖10所示，為了對(duì)信息進(jìn)行再生或記錄而在第三信息記錄面30c上聚光的光束 由于信息記錄層(信息記錄面)的半透射性而被分支為以下的多束光束。即，為了對(duì)信息進(jìn)行再生或記錄而在第三信息記錄面30d上聚光的光束被分支 成如圖10所示被第三信息記錄面30c反射的光束75 ；如圖11所示被第二信息記錄面30b 反射、并在第一信息記錄面30a的背側(cè)聚焦后被反射，再次被第二信息記錄面30b反射的 光束76 (信息記錄層的背面焦點(diǎn)光)；以及如圖12所示被第一信息記錄面30a反射并在表 面30z的背側(cè)聚焦后被反射，再次被第一信息記錄面30a反射的光束77 (表面的背面焦點(diǎn) 光)。例如，當(dāng)?shù)诙畔⒂涗浢?0b與第一信息記錄面30a之間的距離(厚度t2)、與第 三信息記錄面30c與第二信息記錄面30b之間的距離(厚度相等時(shí)，光束75和光束76 以相等的光路長(zhǎng)度和光束直徑射入光檢測(cè)器320。同樣，當(dāng)?shù)谝恍畔⒂涗浢?0a與表面30z 之間的距離(厚度tl)、與第三信息記錄面30c與第一信息記錄面30a之間的距離(厚度 t2+厚度相等時(shí)，光束75和光束77分別以相等的光路長(zhǎng)度和光束直徑射入光檢測(cè)器 320。雖然相對(duì)于光束75，作為多面反射光的光束76、77的光量小，但由于各光束以相 等的光路長(zhǎng)度和相等的光束直徑射入光檢測(cè)器320，因此各光束的干涉造成的影響增大。而 且，光檢測(cè)器320的受光量會(huì)因?yàn)槲⑿〉男畔⒂涗泴娱g的厚度變化而發(fā)生較大變動(dòng)，從而 難以檢測(cè)穩(wěn)定的信號(hào)。當(dāng)層間厚度差為1 μ m以下時(shí)，F(xiàn)S信號(hào)會(huì)急劇變動(dòng)，因此光記錄介質(zhì)30的層間厚 度的差與四光盤(pán)同樣必須為1μ m以上。作為第二個(gè)課題，如果鄰接的信息記錄面之間的層間距離過(guò)小，則會(huì)受到來(lái)自鄰 接的信息記錄面的串?dāng)_的影響，因此與四層盤(pán)同樣，層間距離必須為ΙΟμπι以上。用圖9對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的光記錄介質(zhì)30的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施 方式2中，為了在考慮到制造上的厚度偏差的基礎(chǔ)上來(lái)解決來(lái)自其它信息記錄層或光盤(pán)表 面的反射光的不良影響，設(shè)定三層盤(pán)(光記錄介質(zhì)30)的結(jié)構(gòu)以便能夠確保以下條件。條件(1):覆蓋層32的厚度tl大于50μπι，以厚于以往的光盤(pán)的覆蓋層(tl > 50 μ m)。條件O)確保覆蓋層32的厚度tl與第一中間層33及第二中間層34的厚度t2、 t3的總和(t2+t3)之差為1 μ m以上。距離d2的標(biāo)準(zhǔn)值最好與市場(chǎng)上的BD相同為100 μ m。 如果與tl > 50 μ m這一條件(1)相組合，則光記錄介質(zhì)30滿(mǎn)足tl-(t2+t3) ^lum0條件(3)厚度tl、t2、t3中的任意兩個(gè)值彼此的差均為Ιμπι以上。條件(4)層間厚度(中間層的厚度)的最小值如上所述必須為ΙΟμπι以上。因此，厚度t2、t3均為10 μ m以上。條件(5)信息記錄面與表面30z的距離越短，傾斜充裕越寬。就此點(diǎn)而言，較為 理想的是第一中間層33的厚度t2較薄，第二中間層34的厚度t3較厚?；谝陨系难芯?， 厚度t2、t3滿(mǎn)足t3 > t2。條件(6)從表面30z到距離表面30z最遠(yuǎn)的第三信息記錄面30c的距離d3大 致為100 μ m。由此，能夠具有下述優(yōu)點(diǎn)，即，能夠與當(dāng)前市場(chǎng)銷(xiāo)售的光盤(pán)中容量最大的 BD(Blu-ray Disc)具備兼容性，并且也能夠充分確保傾斜充裕等系統(tǒng)充裕。以下，考慮在上述的條件(1)至(6)下能夠使覆蓋層厚度及中間層厚度在制造上 所允許的誤差或偏差最大的結(jié)構(gòu)。覆蓋層32、第一中間層33及第二中間層34的制造偏差一律為士 eym。此時(shí)，滿(mǎn) 足上述條件(1)至(6)的各層間厚度t2至t3的中心值，若考慮到上限值及下限值則如下 述的(6)及(7)式所示。t2 = 10+e(ym) ......(6)t3 = (t2+e)+l+e = 10+3e+l(ym) ......(7)為了滿(mǎn)足條件(2)，厚度tl的下限值必須比厚度t2、t3的上限值的和厚1 μ m，因 此基于下述的⑶式，tl = 22+7e。tl-e = (t2+t3+2e)+l(ym) = (10+e) + (10+3e+l)+2e+l = 22+6e...... (8)根據(jù)條件(6)，厚度tl至t3的和為100 μ m。因此，基于下述的(9)式，偏差e為 e = 57/11 5· 2(μπι)。tl+t2+t3 = (10+e) + (10+3e+l) + (22+7e) = 43+lle = 100 ( μ m)...... (9)而且，厚度tl至t3的標(biāo)準(zhǔn)值分別為如下所示。tl = 58. 3(μ m)t2 = 15. 2(μ m)t3 = 26. 5(ym)由于市場(chǎng)上已普及的雙層BD的兩層信息記錄層之間的中間層的厚度為25μπι左 右，因此，如果三層光盤(pán)的厚度t3也將與雙層BD相同的厚度作為標(biāo)準(zhǔn)值，則容易應(yīng)對(duì)再生 機(jī)及記錄機(jī)。而且，如果中間層的厚度的制造偏差即公差也是士 3μπι，便能夠容易地制造 盤(pán)。因此，厚度t3為25士3 μ m。如果為了在考慮到條件(3)及(5)的基礎(chǔ)上抑制層間串 擾獲得良好的再生信號(hào)，而盡可能地加厚第一中間層33的厚度t2，則厚度t2為18士3 μ m。 覆蓋層 32 的厚度 tl 為 100- (t2+t3) = 57 ( μ m)。因而，距離dl( = tl)為 57. 0(μπι)，距離 d2( = dl+t2)為 75. 0 ( μ m)，距離 d3 為 100 ( μ m)。因而，具有三層信息記錄面的光記錄介質(zhì)30較為理想的是，當(dāng)定義從光記錄介 質(zhì)30的表面30z到最接近光記錄介質(zhì)30的表面30z的第一信息記錄面30a的距離為 dl、從光記錄介質(zhì)30的表面30z到第二接近光記錄介質(zhì)30的表面30z的第二信息記錄 面30b的距離為d2、從光記錄介質(zhì)30的表面30z到距離光記錄介質(zhì)30的表面30z最遠(yuǎn) 的第三信息記錄面30c的距離為d3、光記錄介質(zhì)30的表面30z與第一信息記錄面30a之間的厚度為tl ( = dl)、第一信息記錄面30a與第二信息記錄面30b之間的厚度為t2(= d2-dl)、第二信息記錄面30b與第三信息記錄面30c之間的厚度為t3( = d3-d2)時(shí)， 滿(mǎn)足 52. 0 μ m 彡 tl 彡 62. 0 μ m、15. 0 μ m 彡 t2 彡 21. 0 μ m、22. 0 μ m 彡 t3 彡 28. 0 μ m、 69. 0 μ m 彡 d2 彡 81. 0 μ m 及 94. 0 μ m 彡 d3 彡 106. 0 μ m。在此，較為理想的是，覆蓋層32厚于第一及第二中間層33、34，公差也取得較大。 因此，距離dl(覆蓋層32的厚度tl)的公差為士 5μπι。而且，考慮到聚焦錯(cuò)誤信號(hào)的惡化 程度，距離d2、d3的公差必須為士6 μ m?？紤]此情況來(lái)決定距離d2、d3的范圍。此外，如果距離d2、d3的公差為士5 μ m，則能夠?qū)τ涗泴?duì)象或再生對(duì)象的信息記 錄面進(jìn)行更穩(wěn)定的聚焦引入。另外，即使將第一及第二中間層33、34的厚度t2、t3的公差擴(kuò)大到5 μ m，也能夠 穩(wěn)定地進(jìn)行聚焦跳躍，從而也能夠擴(kuò)大光記錄介質(zhì)的制造范圍。因此，光記錄介質(zhì)30較為 理想的是滿(mǎn)足 t3-t2 彡 lym、t2 彡 10 μ m、tl_(t2+t3)彡 lym>52. Oym^ tl 彡 62. 0 μ m、 13. 0μ m ^ t2 ^ 23. 0μπι、20· Ομπι 彡 t3 彡 30. 0 μ m、52. 0 μ m ^ dl ^ 62. 0 μ m、 69. 0 μ m < d2 < 81. 0 μ m及94. 0 μ m < d3 < 106. Oym0此條件能夠期望使光記錄介質(zhì)的 制造成品率更大。此時(shí)，通過(guò)防止在光記錄介質(zhì)30的表面30z的背側(cè)成像，且減少各信息記錄面30a 至30c的反射光之間的干涉，能夠提高伺服信號(hào)及再生信號(hào)的質(zhì)量。而且，由于能夠?qū)⒐庥?錄介質(zhì)30的表面30z與最接近光記錄介質(zhì)30的表面30z的第一信息記錄面30a的間隔設(shè) 定得較大，因此能夠抑制光記錄介質(zhì)30的表面30z上存在劃痕或污垢時(shí)的再生信號(hào)的惡 化。此外，如果距離d2、d3的公差為士5 μ m，則能夠?qū)ψ罱咏砻?0z的第一信息記 錄面30a進(jìn)行更穩(wěn)定的聚焦引入。而且，與判斷覆蓋層32及各中間層33、34的厚度tl至t3的組合是否符合條件相 比，通過(guò)將覆蓋層32及各中間層33、34的厚度tl至t3的公差控制在較窄的范圍內(nèi)來(lái)進(jìn)行 制造，不用考慮組合而制造符合條件的光盤(pán)具有容易簡(jiǎn)單地設(shè)定制造上的目標(biāo)值、條件設(shè) 定變得容易的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，如上所述，通過(guò)明確性能上無(wú)問(wèn)題的范圍，即使是稍許偏離 目標(biāo)值而制造的光記錄介質(zhì)，也能夠判別為良品，從而可提高產(chǎn)品成品率，因此獲得能夠?qū)?產(chǎn)品成本抑制得較低的效果。因此，較為理想的是，制造光記錄介質(zhì)30，使光記錄介質(zhì)30的制造公差為四層光 記錄介質(zhì)的制造公差的兩倍的士3μπι，厚度tl的標(biāo)準(zhǔn)范圍為54以上60 μ m以下，厚度t2 的標(biāo)準(zhǔn)范圍為15 μ m以上21 μ m以下，厚度t3的標(biāo)準(zhǔn)范圍為22 μ m以上28 μ m以下。如果制造光記錄介質(zhì)30使厚度tl至t3處于此種范圍內(nèi)，則必要的條件可大致滿(mǎn)足。但是，當(dāng)所有的厚度tl至t3較厚時(shí)或者相反地當(dāng)所有的厚度tl至t3較薄時(shí)，距 離d3的誤差將擴(kuò)大到士9μπι( = 士3 μ mX 3)，距離d3會(huì)偏離94. 0 μ m彡d3彡106. 0 μ m 這一條件。因此，如果考慮到此點(diǎn)，最為理想的是，厚度tl為55 μ m以上59 μ m以下，厚度 t2為16 μ m以上20 μ m以下，厚度t3為23 μ m以上27 μ m以下。換言之，最為理想的是，制 造光記錄介質(zhì)30，使厚度tl為57士2 μ m，厚度t2為18士2 μ m，厚度t3為25士2 μ m。另外，具有三層信息記錄面的光記錄介質(zhì)30的制造方法包括在基板上形成覆蓋層(透光層)32、第一信息記錄面30a、第一中間層33、第二信息記錄面30b、第二中間層34 及第三信息記錄面30c的工序。并且，形成第一至第三信息記錄面30a至30c、第一及第二 中間層33、34及覆蓋層32，使覆蓋層32的厚度tl及第一及第二中間層33、34的厚度t2、 t3 滿(mǎn)足 55. 0 μ m 彡 tl 彡 59. 0 μ m、16. 0 μ m 彡 t2 彡 20. 0 μ m 及 23. 0 μ m 彡 t3 彡 27. 0 μ m。而且，通過(guò)上述制造方法所制造的光記錄介質(zhì)30滿(mǎn)足t2_t3 ^ Iym 及tl-(t2+t3) > 1 μ m。而且，通過(guò)上述制造方法所制造的光記錄介質(zhì)30滿(mǎn)足 52. Oym ( tl ( 62. 0μπι、13· Ομπι ( t2 ( 23. 0 μ m 及 20. 0 μ m ( t3 ( 30. 0 μ m、 69. 0 μ m 彡 d2 彡 81. 0 μ m、94. 0 μ m 彡 d3 彡 106. 0 μ m。并且，形成第一至第三信息記錄面30a至30c、第一及第二中間層33、34及覆蓋 層32，使厚度tl的標(biāo)準(zhǔn)值為57. 0 μ m，厚度t2的標(biāo)準(zhǔn)值為18. 0 μ m，厚度t3的標(biāo)準(zhǔn)值為 25. Oym,覆蓋層32的厚度tl及第一及第二中間層33、34的厚度t2、t3的公差分別為 2. Oym以下。(實(shí)施方式3)在實(shí)施方式3中，對(duì)具有三層信息記錄面的光記錄介質(zhì)的其它實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。 如果優(yōu)先允許所有在能夠穩(wěn)定地進(jìn)行聚焦跳躍的范圍內(nèi)的中間層的厚度，并允許厚度t2 減小，則能夠更簡(jiǎn)單、更廉價(jià)地制造光記錄介質(zhì)。根據(jù)實(shí)施方式2的研究，通過(guò)使厚度t3的 標(biāo)準(zhǔn)值為25 μ m，厚度t3的公差為士 5 μ m，厚度t3能夠?yàn)?0 μ m以上30 μ m以下。而且，厚度t2的上限能夠通過(guò)比厚度t3的最小厚度小Iym以上而為19 μπι。由 于厚度t2小于厚度t3，因此厚度公差也可以減小。因而，通過(guò)使厚度t2的公差為士4μπι， 厚度t2為11 μ m以上19 μ m以下。厚度t2的標(biāo)準(zhǔn)值只要是厚度t2的允許范圍的中間值 的15 μ m即可。根據(jù)tl = 100μπι- 2- 3，厚度tl的標(biāo)準(zhǔn)值為60μπι。通過(guò)使厚度tl的公差為 士5 μ m，厚度tl為55 μ m以上65 μ m以下。根據(jù)上述的各中間層的設(shè)定條件，具有三層信息記錄面的光記錄介質(zhì)30較為理 想的是，當(dāng)定義從光記錄介質(zhì)30的表面30z到最接近光記錄介質(zhì)30的表面30z的第一信息 記錄面30a的距離為dl、從光記錄介質(zhì)30的表面30z到第二接近光記錄介質(zhì)30的表面30z 的第二信息記錄面30b的距離為d2、從光記錄介質(zhì)30的表面30z到距離光記錄介質(zhì)30的 表面30z最遠(yuǎn)的第三信息記錄面30c的距離為d3、光記錄介質(zhì)30的表面30z與第一信息記 錄面30a之間的厚度為tl ( = dl)、第一信息記錄面30a與第二信息記錄面30b之間的厚度 為t2 ( = d2-dl)、第二信息記錄面30b與第三信息記錄面30c之間的厚度為t3 ( = d3_d2) 時(shí)，滿(mǎn)足 55·0μπι 彡 tl ( 65. Ομπκ . Oym 彡 t2 ( 19. 0 μ m、20. 0 μ m 彡 t3 ( 30. 0 μ m、 69. 0 μ m 彡 d2 彡 81. 0 μ m 及 94. 0 μ m 彡 d3 彡 106. 0 μ m。此外，當(dāng)考慮到聚焦引入時(shí)的球面像差設(shè)定的容易性時(shí)，如果距離d2、d3的公差 為士5 μ m，則能夠?qū)ψ罱咏砻?0z的第一信息記錄面30a進(jìn)行更穩(wěn)定的聚焦引入。因此， 較為理想的是，距離d2為70. 0 μ m以上80. 0 μ m以下，且距離d3為95. 0 μ m以上105. Oym 以下。以上，由于通過(guò)利用這些組合而制造的具有四層或三層信息記錄面的光記錄介 質(zhì)，能夠抑制對(duì)來(lái)自原本應(yīng)讀取的指定信息記錄層的信號(hào)面的反射光的影響，因此能夠提 供一種可獲得穩(wěn)定的伺服信號(hào)及再生信號(hào)的大容量光記錄介質(zhì)。
在上述具體的實(shí)施方式中主要包括具有以下結(jié)構(gòu)的發(fā)明。本發(fā)明所提供的一種光記錄介質(zhì)是具有四層信息記錄面的光記錄介質(zhì)，當(dāng)定義所 述光記錄介質(zhì)的表面與最接近所述光記錄介質(zhì)表面的第一信息記錄面之間的厚度為tl、所 述第一信息記錄面與第二接近所述光記錄介質(zhì)表面的第二信息記錄面之間的厚度為t2、所 述第二信息記錄面與第三接近所述光記錄介質(zhì)表面的第三信息記錄面之間的厚度為t3、 所述第三信息記錄面與距離所述光記錄介質(zhì)表面最遠(yuǎn)的第四信息記錄面之間的厚度為t4 時(shí)，ii足 t3-t4 > 1 μ m、t4-t2 > 1 μ m、t2 > 10 μ m 及 tl- (t2+t3+t4) > 1 μ m。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，由于具有四層信息記錄面的光記錄介質(zhì)滿(mǎn)足t3_t4彡Ιμπκ t4-t2彡lym、t2彡10 μ m及tl_(t2+t3+t4)彡1 μ m，因此，能夠防止在光記錄介質(zhì)的表面 的背側(cè)成像，且減少各信息記錄面的反射光之間的干涉，從而能夠提高伺服信號(hào)及再生信 號(hào)的質(zhì)量。而且，由于可將光記錄介質(zhì)的表面與最接近光記錄介質(zhì)表面的信息記錄面的間 隔設(shè)定得較大，因此能夠抑制在光記錄介質(zhì)的表面存在劃痕或污垢時(shí)的再生信號(hào)的惡化。而且，在上述光記錄介質(zhì)中，較為理想的是，當(dāng)定義從所述光記錄介質(zhì)的表面到 所述第一信息記錄面的距離為dl、從所述光記錄介質(zhì)的表面到所述第二信息記錄面的距 離為d2、從所述光記錄介質(zhì)的表面到所述第三信息記錄面的距離為d3、從所述光記錄介 質(zhì)的表面到所述第四信息記錄面的距離為d4、所述距離dl、d2、d3、d4的公差分別為El、 E2、E3、E4 時(shí)，滿(mǎn)足 53. 5 μ m_El ^ dl ^ 53. 5 μ m+El、65. 0 μ m_E2 彡 d2 彡 65. 0 μ m+E2、 84. 5 μ m-E3 彡 d3 彡 84. 5 μ m+E3、及 100. 0 μ m_E4 彡 d4 彡 100. 0 μ m+E4，其中，所述公差 El、 E2、E3、E4分別為6μπι以下。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，光記錄介質(zhì)滿(mǎn)足53. 5μπι-Ε1 ^ dl ^ 53. 5ym+EU 65. 0 μ m-E2 彡 d2 彡 6 5 · 0 μ m + E 2、8 4 · 5 μ m_E 3 彡 d3 彡 84. 5 μ m + E3 及 100.0 μ m-E4 彡 d4 彡 100. 0 μ m+E4，公差 El、E2、E3、E4 分別為 6ym 以下。因此，通過(guò)使公差E1、E2、E3、E4分別為6μπι以下，能夠抑制聚焦錯(cuò)誤信號(hào)的惡化， 從而能夠穩(wěn)定地進(jìn)行聚焦控制。而且，在上述光記錄介質(zhì)中，較為理想的是，所述公差El為3μπι。公差El僅由厚 度tl的誤差所決定，而不受其它中間層的厚度的影響。因此，通過(guò)使公差El為3 μ m，能夠 對(duì)最接近光記錄介質(zhì)表面的第一信息記錄面更穩(wěn)定地進(jìn)行聚焦弓I入。而且，在上述光記錄介質(zhì)中，較為理想的是，所述公差E2為4. 5μπι。根據(jù)此結(jié)構(gòu)， 通過(guò)使公差Ε2為4. 5 μ m，能夠?qū)Φ诙咏庥涗浗橘|(zhì)表面的第二信息記錄面更穩(wěn)定地進(jìn) 行聚焦引入。而且，在上述光記錄介質(zhì)中，較為理想的是，所述厚度t3為25. 5μπι以下。在從第二信息記錄面向第三信息記錄面的聚焦跳躍時(shí)，如果不預(yù)先使球面像差量 適應(yīng)跳躍目的地的第三信息記錄面，聚焦錯(cuò)誤信號(hào)的振幅及靈敏度將會(huì)惡化，從而無(wú)法穩(wěn) 定地重新開(kāi)始聚焦控制。因此，較為理想的是將厚度t3的公差抑制為6 μ m，通過(guò)使厚度t3 為25. 5μπι以下，能夠抑制聚焦錯(cuò)誤信號(hào)的惡化，從而能夠穩(wěn)定地進(jìn)行聚焦控制。而且，在上述光記錄介質(zhì)中，較為理想的是，所述厚度t3為24. 5μπι以下。根據(jù)此 結(jié)構(gòu)，通過(guò)使厚度t3為24. 5 μ m以下，能夠更穩(wěn)定地進(jìn)行聚焦跳躍。而且，在上述光記錄介質(zhì)中，較為理想的是，所述厚度t2為10. Oym以上16. 5 μ m 以下，所述厚度t3為14. 5 μ m以上24. 5 μ m以下，所述厚度t4為11. 0 μ m以上20. 5 μ m以下。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，通過(guò)將各厚度t2、t3、t4的公差抑制為5μπι，S卩，使厚度t2為 10. 0 μ m以上16. 5 μ m以下，厚度t3為14. 5 μ m以上24. 5 μ m以下，厚度t4為11. 0 μ m以 上20. 5 μ m以下，能夠更穩(wěn)定地進(jìn)行聚焦跳躍。而且，在上述光記錄介質(zhì)中，較為理想的是，所述距離dl大于50 μ m。根據(jù)此結(jié)構(gòu)， 通過(guò)使距離dl大于50 μ m,能夠使從光記錄介質(zhì)的表面到最接近光記錄介質(zhì)表面的信息記 錄面的厚度厚于以往的光記錄介質(zhì)的覆蓋層的厚度。本發(fā)明所提供的一種光記錄介質(zhì)的制造方法是制造具有四層信息記錄面的光記 錄介質(zhì)的制造方法，包括在基板上形成透光層、第一信息記錄面、第一中間層、第二信息記 錄面、第二中間層、第三信息記錄面、第三中間層及第四信息記錄面的工序，當(dāng)定義所述透 光層的厚度為tl、所述第一中間層的厚度為t2、所述第二中間層的厚度為t3、所述第三中 間層的厚度為t4時(shí)，形成所述第一至第四信息記錄面、所述第一至第三中間層及所述透光 層，使所述透光層的厚度及所述第一至第三中間層的厚度滿(mǎn)足52. 0 μ m < tl < 55. 0 μ m、
10.Ομ 彡 t2 彡 13. 0μ m、18. Ομ 彡 t3 彡 21. Ομ 及 14. Ομ 彡 t4 彡 17. Ομ 。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，在基板上形成透光層、第一信息記錄面、第一中間層、第二信息記錄 面、第二中間層、第三信息記錄面、第三中間層及第四信息記錄面。并且，形成第一至第四 信息記錄面、第一至第三中間層及透光層，使透光層的厚度及第一至第三中間層的厚度 滿(mǎn)足 52. 0 μ m 彡 tl 彡 55. 0 μ m、10. 0 μ m 彡 t2 彡 13. 0 μ m、18. 0 μ m 彡 t3 彡 21. 0 μ m 及 14. Oym^ t4 ^ 17·0μπι。此時(shí)，能夠防止在光記錄介質(zhì)的表面的背側(cè)成像，并減少各信息記錄面的反射光 之間的干涉，且將光記錄介質(zhì)的表面與最接近光記錄介質(zhì)表面的信息記錄面的間隔設(shè)定得 較大。而且，在上述光記錄介質(zhì)的制造方法中，較為理想的是，當(dāng)定義從所述光記錄介質(zhì) 的表面到所述第二信息記錄面的距離為d2、從所述光記錄介質(zhì)的表面到所述第三信息記錄 面的距離為d3、從所述光記錄介質(zhì)的表面到所述第四信息記錄面的距離為d4時(shí)，所制造的 光i己錄介質(zhì)ii足 t3-t4 > 1 μ m、t4-t2 ^ 1 μ m> t2 ^ 10 μ m 及 tl- (t2+t3+t4) > 1 μ m。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，由于制造光記錄介質(zhì)以滿(mǎn)足t3_t4 > 1 μ m、t4_t2彡1 μ m、 t2彡IOym及tl-(t2+t3+t4) > 1 μ m，因此，通過(guò)防止在光記錄介質(zhì)的表面的背側(cè)成像，且 減少各信息記錄面的反射光之間的干涉，能夠提高伺服信號(hào)及再生信號(hào)的質(zhì)量。而且，由于 可將光記錄介質(zhì)的表面與最接近光記錄介質(zhì)表面的信息記錄面的間隔設(shè)定得較大，因此能 夠抑制在光記錄介質(zhì)的表面存在劃痕或污垢時(shí)的再生信號(hào)的惡化。而且，在上述光記錄介質(zhì)的制造方法中，較為理想的是，所制造的光記錄介質(zhì) 滿(mǎn)足 60. 5 μ m 彡 d2 彡 69. 5 μ m、78. 5 μ m 彡 d3 彡 90. 5 μ m、94. 0 μ m 彡 d4 彡 106. 0 μ m、 50. 5ym ^ tl 彡 56. 5μπι、10· Ομπι 彡 t2 彡 16. 5 μ m、14. 5 μ m 彡 t3 彡 24. 5 μ m 及
11.Ομπι 彡 t4 彡 20. 5μπι。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，由于制造光記錄介質(zhì)以滿(mǎn)足60. 5 μ m < d2彡69. 5 μ m、 78. 5ym ( d3 ( 90. 5ym>94. Oym ^ d4 ^ 106. 0 μ m、50. 5 μ m ^ tl ^ 56. 5 μ m> 10. Ομπι 彡 t2 彡 16. 5μπι、14· 5μπι 彡 t3 彡 24. 5μπι及 11. Ομπι 彡 t4 彡 20. 5μπι，因此,通 過(guò)將厚度t2、t3、t4的公差抑制為5 μ m，能夠更穩(wěn)定地進(jìn)行聚焦跳躍。
而且，在上述光記錄介質(zhì)的制造方法中，較為理想的是，所述厚度tl的標(biāo)準(zhǔn)值為 53. 5 μ m,所述厚度t2的標(biāo)準(zhǔn)值為11. 5 μ m，所述厚度t3的標(biāo)準(zhǔn)值為19. 5 μ m,形成所述 第一至第四信息記錄面、所述第一至第三中間層及所述透光層，使所述厚度t4的標(biāo)準(zhǔn)值為
15.5 μ m，所述透光層的厚度及所述第一至第三中間層的厚度的公差分別為1. 5μπι以下。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，厚度tl的標(biāo)準(zhǔn)值為53. 5 μ m，厚度t2的標(biāo)準(zhǔn)值為11. 5 μ m，厚度t3的 標(biāo)準(zhǔn)值為19. 5 μ m，厚度t4的標(biāo)準(zhǔn)值為15. 5 μ m,形成第一至第四信息記錄面、第一至第三 中間層及透光層，使透光層的厚度及第一至第三中間層的厚度的公差分別為1. 5μπι以下。此時(shí)，通過(guò)防止在光記錄介質(zhì)的表面的背側(cè)成像，且減少各信息記錄面的反射光 之間的干涉，能夠提高伺服信號(hào)及再生信號(hào)的質(zhì)量。而且，由于可將光記錄介質(zhì)的表面與最 接近光記錄介質(zhì)表面的信息記錄面的間隔設(shè)定得較大，因此能夠抑制在光記錄介質(zhì)的表面 存在劃痕或污垢時(shí)的再生信號(hào)的惡化。本發(fā)明所提供的另一種光記錄介質(zhì)是具有三層信息記錄面的光記錄介質(zhì)，當(dāng)定義 所述光記錄介質(zhì)的表面與最接近所述光記錄介質(zhì)表面的第一信息記錄面之間的厚度為tl、 所述第一信息記錄面與第二接近所述光記錄介質(zhì)表面的第二信息記錄面之間的厚度為t2、 所述第二信息記錄面與距離所述光記錄介質(zhì)表面最遠(yuǎn)的第三信息記錄面之間的厚度為t3 時(shí)，ii足 t3-t2 > 1 μ m、t2 > 10 μ m 及 tl- (t2+t3) > 1 μ m。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，由于具有三層信息記錄面的光記錄介質(zhì)滿(mǎn)足t3_t2彡Ιμπκ t2彡ΙΟμπι及tl-(t2+t3) ^ 1 μ m，因此，通過(guò)防止在光記錄介質(zhì)的表面的背側(cè)成像，且減 少各信息記錄面的反射光之間的干涉，能夠提高伺服信號(hào)及再生信號(hào)的質(zhì)量。而且，由于可 將光記錄介質(zhì)的表面與最接近光記錄介質(zhì)表面的信息記錄面的間隔設(shè)定得較大，因此能夠 抑制在光記錄介質(zhì)的表面存在劃痕或污垢時(shí)的再生信號(hào)的惡化。而且，在上述光記錄介質(zhì)中，較為理想的是，當(dāng)定義從所述光記錄介質(zhì)的表面到所 述第二信息記錄面的距離為d2、從所述光記錄介質(zhì)的表面到所述第三信息記錄面的距離為 d3 時(shí),滿(mǎn)足 52. 0 μ m 彡 tl 彡 62. 0 μ m、13. 0 μ m 彡 t2 彡 23. 0 μ m、20. 0 μ m 彡 t3 彡 30. 0 μ m、 69. 0 μ m 彡 d2 彡 81. 0 μ m 及 94. 0 μ m 彡 d3 彡 106. 0 μ m。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，由于光記錄介質(zhì)滿(mǎn)足52. Ομπι彡tl彡62. Ομπκ 13. Oym ^ t2 ^ 23. 0ym>20. Oym 彡 t3 彡 30. 0 μ m、69. 0 μ m ( d2 ( 81. 0μ m R 94. 0 μ m ^ d3 ^ 106. 0 μ m,因此，通過(guò)將厚度t2、t3的公差抑制為5 μ m，能夠更穩(wěn)定地進(jìn)
行聚焦跳躍。本發(fā)明所提供的另一種光記錄介質(zhì)的制造方法是制造具有三層信息記錄面的光 記錄介質(zhì)的制造方法，包括在基板上形成透光層、第一信息記錄面、第一中間層、第二信息 記錄面、第二中間層及第三信息記錄面的工序，當(dāng)定義所述透光層的厚度為tl、所述第一中 間層的厚度為t2、所述第二中間層的厚度為t3時(shí)，形成所述第一至第三信息記錄面、所述 第一及第二中間層及所述透光層，使所述透光層的厚度及所述第一及第二中間層的厚度滿(mǎn) 足 55. 0 μ m 彡 tl 彡 59. 0 μ m、16. 0 μ m 彡 t2 彡 20. 0 μ m 及 23. 0 μ m 彡 t3 彡 27. 0 μ m。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，在基板上形成透光層、第一信息記錄面、第一中間層、第二信息記錄 面、第二中間層及第三信息記錄面。而且，形成第一至第三信息記錄面、第一及第二中間 層及透光層，使透光層的厚度及第一及第二中間層的厚度滿(mǎn)足55.0ym< tl ( 59.0μπκ
16.0 μ m 彡 t2 彡 20. 0 μ m 及 23. 0 μ m 彡 t3 彡 27. 0 μ m。
此時(shí)，通過(guò)防止在光記錄介質(zhì)的表面的背側(cè)成像，且減少各信息記錄面的反射光 之間的干涉，能夠提高伺服信號(hào)及再生信號(hào)的質(zhì)量。而且，由于可將光記錄介質(zhì)的表面與最 接近光記錄介質(zhì)表面的信息記錄面的間隔設(shè)定得較大，因此能夠抑制在光記錄介質(zhì)的表面 存在劃痕或污垢時(shí)的再生信號(hào)的惡化。而且，在上述光記錄介質(zhì)中，較為理想的是，所制造的光記錄介質(zhì)滿(mǎn)足 t2-t3 彡 1 μ m 及 tl- (t2+t3) Slym0根據(jù)此結(jié)構(gòu)，由于制造光記錄介質(zhì)滿(mǎn)足t2_t3彡Iym及tl_(t2+t3)彡1 μ m，因此 能夠防止在光記錄介質(zhì)的表面的背側(cè)成像，且減少各信息記錄面的反射光之間的干涉，并 且能夠?qū)⒐庥涗浗橘|(zhì)的表面與最接近光記錄介質(zhì)表面的信息記錄面的間隔設(shè)定得較大。而且，在上述光記錄介質(zhì)中，較為理想的是，當(dāng)定義從所述光記錄介質(zhì)的表面到所 述第二信息記錄面的距離為d2、從所述光記錄介質(zhì)的表面到所述第三信息記錄面的距離為 d3時(shí)，所制造的光記錄介質(zhì)滿(mǎn)足52. 0μπι< tl ^ 62. 0ymU3. Oym ^ t2 < 23. 0 μ m及 20. 0 μ m 彡 t3 彡 30. 0 μ m、69. 0 μ m 彡 d2 彡 81. 0 μ m、94. 0 μ m 彡 d3 彡 106. 0 μ m。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，由于制造光記錄介質(zhì)滿(mǎn)足52. 0 μ m < tl < 62. 0 μ m、 13. Oym ^ t2 ( 23. Ομπι 及 20. Ομπι 彡 t3 ( 30. 0 μ m、69. 0 μ m 彡 d2 彡 81·0μπκ 94. 0 μ m ^ d3 ^ 106. 0 μ m,因此通過(guò)將厚度t2、t3的公差抑制為5 μ m，能夠更穩(wěn)定地進(jìn)行 聚焦跳躍。而且，在上述光記錄介質(zhì)中，較為理想的是，所述厚度tl的標(biāo)準(zhǔn)值為57.0μπι，所 述厚度t2的標(biāo)準(zhǔn)值為18. 0 μ m,所述厚度t3的標(biāo)準(zhǔn)值為25. 0 μ m,形成所述第一至第三信 息記錄面、所述第一及第二中間層及所述透光層，使所述透光層的厚度及所述第一及第二 中間層的厚度的公差分別為2. Ομπι以下。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，厚度tl的標(biāo)準(zhǔn)值為57. 0 μ m，厚度t2的標(biāo)準(zhǔn)值為18. 0 μ m，厚度t3 的標(biāo)準(zhǔn)值為25.0 μ m，形成第一至第三信息記錄面、第一及第二中間層及透光層，使透光層 的厚度及第一及第二中間層的厚度的公差分別為2. 0 μ m以下。此時(shí)，通過(guò)防止在光記錄介質(zhì)的表面的背側(cè)成像，且減少各信息記錄面的反射光 之間的干涉，能夠提高伺服信號(hào)及再生信號(hào)的質(zhì)量。而且，由于可將光記錄介質(zhì)的表面與最 接近光記錄介質(zhì)表面的信息記錄面的間隔設(shè)定得較大，因此能夠抑制在光記錄介質(zhì)的表面 存在劃痕或污垢時(shí)的再生信號(hào)的惡化。另外，發(fā)明的實(shí)施方式各項(xiàng)中的具體實(shí)施方式
或?qū)嵤├皇敲鞔_了本發(fā)明的技術(shù) 內(nèi)容，不應(yīng)只被具體例限定而狹義地解釋?zhuān)诒景l(fā)明的精神和權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)可進(jìn)行 各種變更而加以實(shí)施。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明所涉及的光記錄介質(zhì)及光記錄介質(zhì)的制造方法，在對(duì)任意信息記錄面進(jìn)行 信息的記錄或再生時(shí)將來(lái)自其它信息記錄面的反射光的影響抑制在最小限度，從而能夠降 低對(duì)伺服信號(hào)及再生信號(hào)的影響。由此，能夠提供一種可獲得質(zhì)量良好的再生信號(hào)且易確 保與現(xiàn)有光盤(pán)的兼容性的大容量光記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，具有四層信息記錄面，其特征在于當(dāng)定義所述光記錄介質(zhì)的表面與最接近所述光記錄介質(zhì)表面的第一信息記錄面之間 的厚度為tl、所述第一信息記錄面與第二接近所述光記錄介質(zhì)表面的第二信息記錄面之間 的厚度為t2、所述第二信息記錄面與第三接近所述光記錄介質(zhì)表面的第三信息記錄面之間 的厚度為t3、所述第三信息記錄面與距離所述光記錄介質(zhì)表面最遠(yuǎn)的第四信息記錄面之間 的厚度為t4時(shí)，滿(mǎn)足 t3-t4 彡 1 μ m、 t4-t2 彡 1 μ m、 t2 彡 ΙΟμπι及 tl-(t2+t3+t4)彡 1 μ m。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于當(dāng)定義從所述光記錄介質(zhì)的表面到所述第一信息記錄面的距離為dl、從所述光記錄介 質(zhì)的表面到所述第二信息記錄面的距離為d2、從所述光記錄介質(zhì)的表面到所述第三信息記 錄面的距離為d3、從所述光記錄介質(zhì)的表面到所述第四信息記錄面的距離為d4，以及所述 距離dl、d2、d3、d4的公差分別為E1、E2、E3、E4時(shí)，滿(mǎn)足 53. 5 μ m-El ^ dl ^ 53. 5 μ m+El、 65. 0 μ m-E2 ^ d2 ^ 65. 0 μ m+E2、 84. 5 μ m-E3 ^ d3 ^ 84. 5 μ m+E3、及 100. 0 μ m-E4 彡 d4 彡 100. 0 μ m+E4, 其中，所述公差E1、E2、E3、E4分別為6μπι以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于所述公差El為3μπι。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于所述公差Ε2為4.5 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于所述厚度t3為 25. 5ym 以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于所述厚度t3為 24. 5 μ m 以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于 所述厚度t2為10. 0 μ m以上16. 5 μ m以下，所述厚度t3為14. 5 μ m以上24. 5 μ m以下， 所述厚度t4為11. 0 μ m以上20. 5 μ m以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于所述距離dl大于 50 μ m0
9.一種光記錄介質(zhì)的制造方法，用于制造具有四層信息記錄面的光記錄介質(zhì)，其特征 在于包括在基板上形成透光層、第一信息記錄面、第一中間層、第二信息記錄面、第二中間 層、第三信息記錄面、第三中間層及第四信息記錄面的工序，當(dāng)定義所述透光層的厚度為tl、所述第一中間層的厚度為t2、所述第二中間層的厚度 為t3、所述第三中間層的厚度為t4時(shí)，形成所述第一至第四信息記錄面、所述第一至第三中間層及所述透光層，使得所述透 光層的厚度及所述第一至第三中間層的厚度滿(mǎn)足(52. Oym ^ tl ^ 55. 0 μ m> 10. Ομπι 彡 t2 彡 13. Ομπκ 18. Ομπι 彡 t3 彡 21. Ομπι及 14. Ομπι 彡 t4 彡 17. Ομ 。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于當(dāng)定義從所述光記錄介質(zhì)的表面到所述第二信息記錄面的距離為d2、從所述光記錄介 質(zhì)的表面到所述第三信息記錄面的距離為d3、從所述光記錄介質(zhì)的表面到所述第四信息記 錄面的距離為d4時(shí)，所制造的光記錄介質(zhì)滿(mǎn)足 t3-t4 彡 1 μ m、 t4-t2 彡 1 μ m、 t2 彡 ΙΟμπι及 tl-(t2+t3+t4)彡 1 μ m。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所制造的光記錄介 質(zhì)滿(mǎn)足(60. 5 μ m ^ d2 ^ 69. 5 μ m、 78. 5 μ m ^ d3 ^ 90. 5 μ m、 94. 0 μ m ^ d4 ^ 106. 0 μ m、 50. 5 μ m tl 56. 5 μ m、 ΙΟ.Ομπι 彡 t2 彡 16·5μπκ 14. 5μπι 彡 t3 彡 24. 5μπι及(11.Ομ 彡 t4 彡 20. 5μπι。
12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于 所述厚度tl的標(biāo)準(zhǔn)值為53. 5 μ m，所述厚度t2的標(biāo)準(zhǔn)值為11. 5 μ m， 所述厚度t3的標(biāo)準(zhǔn)值為19. 5 μ m， 所述厚度t4的標(biāo)準(zhǔn)值為15. 5 μ m，形成所述第一至第四信息記錄面、所述第一至第三中間層及所述透光層，使所述透光 層的厚度及所述第一至第三中間層的厚度的公差分別為1. 5μπι以下。
13.—種光記錄介質(zhì)，具有三層信息記錄面，其特征在于當(dāng)定義所述光記錄介質(zhì)的表面與最接近所述光記錄介質(zhì)表面的第一信息記錄面之間 的厚度為tl、所述第一信息記錄面與第二接近所述光記錄介質(zhì)表面的第二信息記錄面之間 的厚度為t2、所述第二信息記錄面與距離所述光記錄介質(zhì)表面最遠(yuǎn)的第三信息記錄面之間 的厚度為t3時(shí)，滿(mǎn)足 t3-t2 彡 1 μ m、 t2 彡 ΙΟμπι及 tl-(t2+t3)彡 1 μ m0
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于當(dāng)定義從所述光記錄介質(zhì)的表面到所述第二信息記錄面的距離為d2、從所述光記錄介 質(zhì)的表面到所述第三信息記錄面的距離為d3時(shí)，滿(mǎn)足.52. Ομm ≤ tl ≤ 62. Ομm、 13. Ομm ≤ t2 ≤ 23. Ομm、 20. Ομm ≤ t3 ≤ 30. Ομm、 69. Ομm ≤ d2 ≤ 81. Ομm及 94. O μ m ≤ d3 ≤ 106. O μ m。
15.一種光記錄介質(zhì)的制造方法，用于制造具有三層信息記錄面的光記錄介質(zhì)，其特征 在于包括在基板上形成透光層、第一信息記錄面、第一中間層、第二信息記錄面、第二中間 層及第三信息記錄面的工序，當(dāng)定義所述透光層的厚度為tl、所述第一中間層的厚度為t2、所述第二中間層的厚度 為t3時(shí)，形成所述第一至第四信息記錄面、所述第一至第三中間層及所述透光層，使所述透光 層的厚度及所述第一及第二中間層的厚度滿(mǎn)足 55. Oμm≤ tl ≤ 59. 0 μ m、.16·0μm ≤ t2 ≤ 20·0μm 及 23. Oμm≤ t3 ≤ 27·0μm。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所制造的光記錄介 質(zhì)滿(mǎn)足t2-t3 ≤ 1μm及 tl-(t2+t3)≤ 1 μ m。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于當(dāng)定義從所述光記錄介質(zhì)的表面到所述第二信息記錄面的距離為d2、從所述光記錄介 質(zhì)的表面到所述第三信息記錄面的距離為d3時(shí)，所制造的光記錄介質(zhì)滿(mǎn)足 52. Oym ≤ tl ≤ 62. Ομm、 13. Ομm ≤ t2 ≤ 23. Ομm及 20. Ομm ≤ t3 ≤ 30. Ομm、 69. 0 μ m ≤ d2 ≤ 81. Ομm、 94. 0 μ m ≤ d3 ≤ 106. 0 μ m。
18.根據(jù)權(quán)利要求15至17中任一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于 所述厚度tl的標(biāo)準(zhǔn)值為57. 0 μ m，所述厚度t2的標(biāo)準(zhǔn)值為18. 0 μ m， 所述厚度t3的標(biāo)準(zhǔn)值為25. 0 μ m，形成所述第一至第三信息記錄面、所述第一及第二中間層及所述透光層，使所述透光 層的厚度及所述第一及第二中間層的厚度的公差分別為2. 0 μ m以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可提高伺服信號(hào)及再生信號(hào)的質(zhì)量的光記錄介質(zhì)及光記錄介質(zhì)的制造方法。對(duì)于光記錄介質(zhì)(40)，當(dāng)定義光記錄介質(zhì)(40)的表面(40z)與第一信息記錄面(40a)之間的厚度為t1、第一信息記錄面(40a)與第二信息記錄面(40b)之間的厚度為t2、第二信息記錄面(40b)與第三信息記錄面(40c)之間的厚度為t3、第三信息記錄面(40c)與第四信息記錄面(40d)之間的厚度為t4時(shí)，滿(mǎn)足t3-t4≥1μm、t4-t2≥1μm、t2≥10μm及t1-(t2+t3+t4)≥1μm。
文檔編號(hào)G11B7/24GK102077283SQ20098012537
公開(kāi)日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2009年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月16日
發(fā)明者三島康兒, 中野淳, 井上弘康, 安西穰兒, 宮脅真奈美, 菊川隆, 金馬慶明, 高川繁樹(shù) 申請(qǐng)人:Tdk股份有限公司, 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社, 索尼株式會(huì)社