專利名稱：用于多電平單元存儲器的數(shù)據(jù)路徑,用于存儲的方法及用于利用存儲器陣列的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例大體來說涉及半導(dǎo)體存儲器，且具體來說，在所圖解說明實(shí)施例中的一者或一者以上中，涉及具有用于每存儲器單元存儲多于一個(gè)二進(jìn)制數(shù)字的數(shù)字信息的數(shù)據(jù)路徑的半導(dǎo)體存儲器。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上使用半導(dǎo)體存儲器系統(tǒng)(例如，存儲器裝置)的每一存儲器單元來存儲一個(gè)二進(jìn)制數(shù)字(“位”)的數(shù)字信息。為存儲大量數(shù)字信息而使用大存儲器單元陣列。每單元一個(gè)位的傳統(tǒng)方法呈現(xiàn)的一個(gè)挑戰(zhàn)為不斷縮小存儲器陣列的大小以在不顯著地增加存儲器系統(tǒng)的整體大小的情況下增加所述存儲器的容量。減小陣列大小的實(shí)例性方法曾為設(shè)計(jì)占用較小面積的存儲器單元及減小所述存儲器單元之間的距離以增加存儲器單元密度及容量。然而，隨著存儲器單元的特征大小變得越來越小，制作存儲器的復(fù)雜性增加，從而導(dǎo)致增加的制造成本。增加存儲器容量的相對新近方法曾為設(shè)計(jì)用于在每一存儲器單元中存儲多個(gè)數(shù)字信息位的存儲器單元及支持電路。舉例來說，不是存儲一個(gè)數(shù)字信息位(其曾為傳統(tǒng)方法)而是由一存儲器單元存儲兩個(gè)數(shù)字信息位。通過具有可準(zhǔn)確地存儲、讀取及寫入四個(gè)不同存儲器狀態(tài)的存儲器單元及讀取/寫入電路實(shí)現(xiàn)對兩個(gè)數(shù)字信息位的存儲。所述四個(gè)存儲器狀態(tài)中的每一者表示兩個(gè)信息位(即，00、01、10及11)的不同組合。相比之下，傳統(tǒng)每單元一個(gè)位的方法需要可準(zhǔn)確地存儲、讀取及寫入兩個(gè)不同存儲器狀態(tài)的存儲器單元及讀取/寫入電路，每一不同存儲器狀態(tài)表示0或1。對用于存儲多于兩個(gè)存儲器狀態(tài)的存儲器單元的使用可適用于不同類型的存儲器，舉例來說，可適用于易失性存儲器(例如， DRAM)及非易失性存儲器(例如，快閃存儲器)兩者。沿使用存儲器單元來存儲多于兩個(gè)存儲器狀態(tài)的當(dāng)前軌跡推算，以使用兩個(gè)不同存儲器狀態(tài)存儲一個(gè)數(shù)字信息位開始且演進(jìn)為使用四個(gè)不同存儲器狀態(tài)存儲兩個(gè)數(shù)字信息位，可通過使用八個(gè)不同存儲器狀態(tài)存儲三個(gè)數(shù)字信息位且可使用十六個(gè)不同存儲器狀態(tài)存儲四個(gè)數(shù)字信息位。如此實(shí)例所圖解說明，每存儲器單元存儲器狀態(tài)的數(shù)目為2的冪， 且所得的每單元所存儲的位數(shù)目為存儲器狀態(tài)數(shù)目的二進(jìn)制算法。沿此軌跡設(shè)計(jì)存儲器系統(tǒng)的挑戰(zhàn)為可靠地且準(zhǔn)確地存儲、讀取及寫入(舉例來說)先前迭代兩倍的存儲器狀態(tài)的困難。從存儲、讀取及寫入兩個(gè)存儲器狀態(tài)演進(jìn)為存儲、 讀取及寫入四個(gè)存儲器狀態(tài)呈現(xiàn)各種困難，所述困難最終得以克服。然而，從使用四個(gè)存儲器狀態(tài)演進(jìn)為使用八個(gè)狀態(tài)在當(dāng)前技術(shù)水平的情況下呈現(xiàn)比在先前兩個(gè)存儲器狀態(tài)演進(jìn)為四個(gè)存儲器狀態(tài)中呈現(xiàn)的困難更加困難的挑戰(zhàn)。雖然所述困難并非難以克服且最終將被克服，但期望具有(舉例來說)利用用于存儲多個(gè)存儲器狀態(tài)的存儲器單元的存儲器系統(tǒng)以提供比每單元一個(gè)位更大的存儲密度，所述存儲器單元并不限制于存儲2的冪數(shù)目的存儲器狀態(tài)。


圖1為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的數(shù)據(jù)路徑的框圖。圖2A為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130的數(shù)據(jù)路徑的框圖。圖2B為與使用具有非2的冪數(shù)目的存儲器狀態(tài)的存儲器陣列的多電平存儲器單元對相關(guān)的所得位/單元存儲密度的表。圖3為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于使用具有六個(gè)存儲器狀態(tài)的多電平存儲器單元對存儲二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)的真值表。圖4為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于使用具有三個(gè)存儲器狀態(tài)的多電平存儲器單元對存儲二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)的真值表。圖5為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于使用具有六個(gè)存儲器狀態(tài)的多電平存儲器單元對存儲數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)路徑的框圖。圖6為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的用于使用具有三個(gè)狀態(tài)的多電平存儲器單元對存儲數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)路徑的框圖。圖7為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的用于使用具有四個(gè)存儲器狀態(tài)的多電平存儲器單元對存儲數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)路徑的框圖。圖8為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有數(shù)據(jù)路徑的存儲器系統(tǒng)的框圖。
具體實(shí)施例方式以下將陳述某些細(xì)節(jié)以提供對本發(fā)明的實(shí)施例的充分理解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了，可在沒有這些特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本發(fā)明的實(shí)施例。此外，本文中所述的本發(fā)明的特定實(shí)施例為以實(shí)例方式提供且不應(yīng)用于將本發(fā)明的范圍限制于這些特定實(shí)施例。在其它情況下，未詳細(xì)顯示眾所周知的電路、控制信號、定時(shí)協(xié)議及軟件操作以避免不必要地使本發(fā)明含糊不清。圖1圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的數(shù)據(jù)路徑100。數(shù)據(jù)路徑100將施加到輸入 /輸出(I/O)節(jié)點(diǎn)(例如端子106)的數(shù)據(jù)耦合到快閃存儲器陣列120以寫入數(shù)據(jù)且將來自快閃存儲器陣列120的數(shù)據(jù)耦合到I/O端子106以提供讀取數(shù)據(jù)。存儲器陣列120包含存儲P個(gè)不同存儲器單元狀態(tài)的多電平存儲器單元，其中P可為非2的冪的數(shù)目。數(shù)據(jù)路徑 100包含I/O鎖存器110，其耦合到I/O端子106以鎖存二進(jìn)制數(shù)字(即，“位”)的信息。在圖1中所圖解說明的實(shí)施例中，I/O鎖存器106為8個(gè)位寬，且I/O端子106表示八個(gè)I/O 端子。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130耦合到鎖存器110。位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130(以下將更加詳細(xì)地對其進(jìn)行描述)經(jīng)配置以使存儲器陣列120能夠存儲 N個(gè)位/單元，其中N可為非整數(shù)數(shù)目。位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130通過數(shù)據(jù)總線136 (圖 1中顯示為8個(gè)位寬)耦合到頁緩沖器134，所述頁緩沖器又耦合到感測放大器138及快閃存儲器陣列120。數(shù)據(jù)路徑100除包含耦合在I/O鎖存器110與緩沖器134之間的位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路以外類似于常規(guī)數(shù)據(jù)路徑。在圖1中所圖解說明的實(shí)施例中，頁緩沖器可存儲4kB(4，096個(gè)位)且感測放大器138包含4k感測放大器。向數(shù)據(jù)路徑100提供的特定位尺寸為以實(shí)例方式提供，且本發(fā)明的其它實(shí)施例包含具有不同位尺寸的組件。圖2A圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例具有位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130的數(shù)據(jù)路徑100。位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130包含位映射電路210，其通過總線214耦合到寄存器220 以用于將來自I/O鎖存器110的數(shù)據(jù)位映射到寄存器220，且反的亦然。通過總線2M耦合到寄存器220的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器230將數(shù)據(jù)位轉(zhuǎn)換成中間二進(jìn)制數(shù)據(jù)(IBD)，所述中間二進(jìn)制數(shù)據(jù)為通過總線234提供以通過多路復(fù)用器240被寫入到頁緩沖器134。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器230進(jìn)一步將從頁緩沖器134讀取的IBD轉(zhuǎn)換成待存儲于寄存器220中然后通過位映射電路210 被提供到鎖存器110的數(shù)據(jù)。多路復(fù)用器240在總線234與總線136之間路由IBD，所述兩個(gè)總線可具有不同位寬度。在圖2A中所圖解說明的本發(fā)明的實(shí)施例中，I/O鎖存器為8個(gè)位寬，且總線136也為8個(gè)位寬。然而，在其它實(shí)施例中，所述總線的位寬度可是不同的。在操作中，位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130可經(jīng)配置以將二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBD， 且反的亦然。所述IBD為可作為存儲器單元狀態(tài)而存儲于存儲器陣列120的存儲器單元中的中間二進(jìn)制數(shù)據(jù)。如先前所提及，可使用位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130以便能夠使用可存儲非2的冪的存儲器狀態(tài)的多電平存儲器單元的群組來存儲二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)以有效地存儲非整數(shù)數(shù)目的每單元位(bits-per-cell)。使用具有非2的冪的狀態(tài)的存儲器單元的群組存儲二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)以提供非整數(shù)數(shù)目的每單元位對用戶顯而易見，所述用戶可以常規(guī)字節(jié)及字長度寫入及讀取二進(jìn)制數(shù)據(jù)。圖2B的表250中顯示位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130的不同配置的各個(gè)實(shí)例，所述實(shí)例是作為非限制性實(shí)例而提供。表250中所示的實(shí)例性配置由利用兩個(gè)存儲器單元的群組產(chǎn)生且針對可由陣列中存儲器單元存儲的對應(yīng)數(shù)目的存儲器狀態(tài)提供相應(yīng)的每單元位存儲密度。舉例來說，假設(shè)兩個(gè)存儲器單元的群組，當(dāng)位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130與具有六個(gè)可存儲存儲器狀態(tài)的存儲器單元一起使用時(shí)可經(jīng)配置以提供2. 5個(gè)位/單元的存儲密度。 在另一配置中，當(dāng)位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130與具有四個(gè)可存儲存儲器狀態(tài)的存儲器單元一起使用時(shí)可提供2個(gè)位/單元的存儲密度。如后一實(shí)例所圖解說明，位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130還可與具有典型的2的冪的可存儲存儲器狀態(tài)的存儲器單元一起使用以提供典型的每單元位存儲密度。圖3圖解說明用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)與由各自具有六個(gè)存儲器狀態(tài)的兩個(gè)存儲器單元的群組存儲的IBD之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換的表310及表320。如先前參考圖2及表250所討論，在利用具有六個(gè)可存儲存儲器狀態(tài)(L0到L5)的存儲器單元及使用兩個(gè)存儲器單元(單元0及單元1)的群組的實(shí)施例中，實(shí)現(xiàn)2. 5個(gè)位/單元的存儲密度。表310圖解說明兩個(gè)存儲器單元的六個(gè)存儲器狀態(tài)仏0到1^)的組合到二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)的5位值的指派。如以下將更加詳細(xì)地描述，將用戶的8位數(shù)據(jù)(即，1個(gè)字節(jié))劃分成 5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)，所述5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)由數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器230轉(zhuǎn)換成IBD。然后，所述IBD存儲于一對存儲器單元中。表320圖解說明針對所述對的個(gè)別單元在IBD與存儲器狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換。舉例來說，在8位二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)為01011101 (B7:B0)且待被寫入到存儲器的情況下，用戶數(shù)據(jù)分裂成第一 5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)，其中剩余的3個(gè)位將為另一 5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)的部分。在特定實(shí)例中，第一 5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)(B4:B0)為11101且剩余的3個(gè)位010出7:85) 將與來自其它8位二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)的五個(gè)其它位結(jié)合。查閱5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)11101(B4:B0) 及表310，所述二進(jìn)制數(shù)據(jù)對應(yīng)于分別由一對多電平存儲器單元(單元0及單元1)存儲的存儲器單元狀態(tài)LO與L2的組合。如以下將更加詳細(xì)地描述，在確定待由相應(yīng)存儲器單元
7存儲的存儲器狀態(tài)時(shí)，將所述5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成兩個(gè)3位IBD，所述兩個(gè)3位IBD各自又根據(jù)表320作為對應(yīng)存儲器狀態(tài)存儲于相應(yīng)存儲器單元中。在從存儲器讀取數(shù)據(jù)時(shí)，存取一對單元且習(xí)慣上針對具有六個(gè)存儲器狀態(tài)的存儲器單元感測相應(yīng)存儲器狀態(tài)以向每一存儲器單元提供對應(yīng)的3位IBD。舉例來說，在讀取分別由存儲器單元(單元0及單元1)存儲的存儲器單元狀態(tài)LO及L2時(shí)，存取所述兩個(gè)存儲器單元且存儲器狀態(tài)LO及L2產(chǎn)生111及101的兩個(gè)3位IBD。將3位IBD轉(zhuǎn)換回5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)。根據(jù)表310，所得的5位數(shù)據(jù)為11101，其為來自先前將數(shù)據(jù)寫入到存儲器的實(shí)例的原始5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)。然后，將所述5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)并置到從所述存儲器讀取的其它 5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)且將其分裂成原始8位二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)。圖4圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于在二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)與由各自具有三個(gè)存儲器狀態(tài)的兩個(gè)存儲器單元的群組存儲的IBD之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換的表330及表340。如先前參考圖2及表250所討論，在利用具有三個(gè)可存儲存儲器狀態(tài)(L0到L2)的存儲器單元及使用兩個(gè)存儲器單元(單元0及單元1)的群組的實(shí)施例中，實(shí)現(xiàn)1.5個(gè)位/單元的存儲密度。表330圖解說明兩個(gè)存儲器單元的三個(gè)存儲器狀態(tài)仏0到1^)的組合到二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)的3位值的指派。如以下將更加詳細(xì)地描述，將用戶的8位數(shù)據(jù)劃分成3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)， 所述3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)由數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器230轉(zhuǎn)換成IBD。然后，將所述IBD存儲于一對存儲器單元中。表340圖解說明針對所述對的個(gè)別單元在IBD與存儲器狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換。舉例來說，在8位二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)為01011101 (B7:B0)且待被寫入到存儲器的情況下，將所述用戶數(shù)據(jù)分裂成第一 3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)(B2:B0)及第二 3位二進(jìn)制數(shù)據(jù) (B5:B3)，其中剩余的2個(gè)位(B7:B6)將為另一 3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)的部分。在特定實(shí)例中，所述第一 3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)為101，所述第二 3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)為011，且剩余的2個(gè)位01將與來自其它8位二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)的一個(gè)其它位結(jié)合。查閱所述兩個(gè)3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)101及011 以及表330，所述第一二進(jìn)制數(shù)據(jù)101對應(yīng)于分別由第一對多電平存儲器單元(單元0及單元1)存儲的存儲器單元狀態(tài)Ll與LO的組合。所述第二二進(jìn)制數(shù)據(jù)011對應(yīng)于分別由第二對多電平存儲器單元(單元0及單元1)存儲的存儲器單元狀態(tài)Ll與L2的組合。如以下將更加詳細(xì)地描述，在確定待由相應(yīng)存儲器單元存儲的存儲器狀態(tài)時(shí)，將3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成兩個(gè)2位IBD，所述兩個(gè)2位IBD各自又作為對應(yīng)存儲器狀態(tài)存儲于相應(yīng)存儲器單元中。在從存儲器讀取數(shù)據(jù)時(shí)，存取一對單元且習(xí)慣上針對具有三個(gè)存儲器狀態(tài)的存儲器單元感測相應(yīng)存儲器狀態(tài)以向每一存儲器單元提供對應(yīng)的2位IBD。舉例來說，以分別由第一對存儲器單元(單元0及單元1)存儲的存儲器單元狀態(tài)Ll及LO為例，存取所述兩個(gè)存儲器單元且存儲器狀態(tài)Ll及LO產(chǎn)生兩個(gè)IBD(10及11)。對于分別由第二對多電平存儲器單元(單元0及單元1)存儲的存儲器單元狀態(tài)Ll及L2，存取所述兩個(gè)存儲器單元且存儲器狀態(tài)Ll及L2產(chǎn)生兩個(gè)IBD(10及01)。將所述2位IBD轉(zhuǎn)換回成3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)。 在當(dāng)前實(shí)例中，根據(jù)表330，針對第一對存儲器單元的所得3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)為101且針對第二對存儲器單元的所得3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)為011，所述兩個(gè)3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)為來自先前將數(shù)據(jù)寫入到存儲器的實(shí)例的原始3位數(shù)據(jù)。然后，將所述3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)并置到從所述存儲器讀取的其它3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)且將其分裂成原始8位二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)。圖5圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130的數(shù)據(jù)路徑100。圖5的數(shù)據(jù)路徑100可用于實(shí)施先前參考圖3所討論的六個(gè)存儲器狀態(tài)、兩個(gè)單元的實(shí)例。圖5中所示的本發(fā)明的實(shí)施例包含8位輸入/輸出鎖存器，其通過位映射電路210耦合到48位寄存器220。48位寄存器220將二進(jìn)制數(shù)據(jù)提供到八個(gè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230A 到230H，所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路將所述二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成IBD，所述IBD通過多路復(fù)用器M0、數(shù)據(jù)總線136及緩沖器134被寫入到多電平存儲器單元陣列。感測放大器138在由所述多電平存儲器單元所存儲的存儲器狀態(tài)與存儲于頁緩沖器134中的IBD之間轉(zhuǎn)換。在操作中，依序?qū)⑤d入于鎖存器110中的8位用戶數(shù)據(jù)提供到位映射電路210以使所述用戶數(shù)據(jù)的位映射到寄存器220的對應(yīng)位置。在圖5中所示的實(shí)施例中，通過位映射電路210映射所述8位用戶數(shù)據(jù)直到將適當(dāng)數(shù)目的用戶數(shù)據(jù)位載入到寄存器220中為止。在當(dāng)前六個(gè)存儲器狀態(tài)及兩個(gè)單元的實(shí)例中，如先前所討論，8位用戶數(shù)據(jù)被分裂成5 位二進(jìn)制數(shù)據(jù)。將存儲于寄存器220中的5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)提供到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230A 到230H以將其轉(zhuǎn)換成3位IBD對，所述3位IBD對又被轉(zhuǎn)換成存儲于相應(yīng)存儲器單元中的存儲器狀態(tài)。舉例來說，使用先前參考圖3所述的實(shí)例，將8位二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù) 01011101 (B7:B0)載入到鎖存器110中以通過位映射電路210將其映射到寄存器220中。 在圖5中所示的實(shí)施例中，將位11101 (B4:B0)映射到耦合到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230A的寄存器220的六個(gè)位寄存器位置中的五個(gè)且將位010(B7:BO映射到耦合到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230Β的寄存器220的六個(gè)位寄存器位置中的三個(gè)。繼續(xù)通過位映射電路210載入8位二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)直到寄存器220被載滿為止。在將8位用戶數(shù)據(jù)分裂成5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)的實(shí)例中，可將五個(gè)8位字節(jié)的用戶數(shù)據(jù)載入于48位寄存器220中直到達(dá)到所述寄存器的容量為止。如先前所討論，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230Α到230Η將所述5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成3 位IBD。參考圖3的表310，通過數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230Α將特定實(shí)例的5位數(shù)據(jù)11101轉(zhuǎn)換成3位IBD(111及101)，所述3位IBD為通過總線234提供以通過多路復(fù)用器240及數(shù)據(jù)總線136逐位被載入到頁緩沖器134中的位置134Α及134Β。類似地，通過數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230Β到230Η將存儲于寄存器220中的其它5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的3位IBD對且通過總線234、多路復(fù)用器240及數(shù)據(jù)總線136將其載入到頁緩沖器134中。在頁緩沖器134載入有所述IBD之后，感測放大器138將相應(yīng)的3位IBD轉(zhuǎn)換成待存儲于相應(yīng)多電平存儲器單元中的對應(yīng)存儲器狀態(tài)。用于將IBD轉(zhuǎn)換成對應(yīng)存儲器狀態(tài)的感測放大器為在此項(xiàng)技術(shù)所熟知，且常規(guī)設(shè)計(jì)的感測放大器可用于感測放大器138。在當(dāng)前實(shí)例中，3位IBD 111對應(yīng)于存儲器狀態(tài)LO (參考圖3的表320)且存儲于用于存儲5 位二進(jìn)制數(shù)據(jù)的一對存儲器單元(單元0、單元1)(未顯示)的第一存儲器單元(單元0) 中。3位IBD 101對應(yīng)于L2且存儲于第二存儲器單元(單元1)中。當(dāng)從多電平存儲器單元讀取數(shù)據(jù)時(shí)，通常反轉(zhuǎn)將數(shù)據(jù)寫入到多電平存儲器單元的過程。即，由感測放大器138感測由多電平存儲器單元存儲的存儲器狀態(tài)且將其轉(zhuǎn)換成存儲于頁緩沖器134中的相應(yīng)位置中的3位IBD。來自存儲器單元對的IBD耦合到相應(yīng)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路，舉例來說，由位置134Α、134Β存儲的IBD通過數(shù)據(jù)總線136、多路復(fù)用器MO 及總線234耦合到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230Α。由數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器230將兩個(gè)3位IBD轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)，所述5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲于寄存器220中的適當(dāng)位位置中。位映射電路210將所述5位二進(jìn)制數(shù)據(jù)映射到8位數(shù)據(jù)中以重構(gòu)原始8位二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)。
圖6圖解說明先前參考圖5所述的具有位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130的數(shù)據(jù)路徑 100，其經(jīng)配置以實(shí)施先前參考圖4所討論的三個(gè)存儲器狀態(tài)、兩個(gè)單元的實(shí)例。S卩，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，數(shù)據(jù)路徑100可經(jīng)配置以在具有多電平存儲器單元的存儲器中實(shí)施不同位/單元存儲密度，包含可存儲非2的冪的存儲器狀態(tài)的多電平存儲器單元及非整數(shù)數(shù)目的位/單元存儲密度。在操作中，依序?qū)⑤d入于鎖存器110中的8位二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)提供到位映射電路 210以使所述用戶數(shù)據(jù)位映射到寄存器220的對應(yīng)位置。在圖6中所示的實(shí)施例中，如先前參考圖4所討論，通過位映射電路210將8位用戶數(shù)據(jù)映射到3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)中，所述3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲于寄存器220中。將存儲于寄存器220中的3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)提供到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230A到230H以將其轉(zhuǎn)換成2位IBD對，所述2位IBD對又被轉(zhuǎn)換成存儲于相應(yīng)存儲器單元中的存儲器狀態(tài)。舉例來說，使用先前參考圖4所述的實(shí)例，將8位二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù) 01011101 (B7:B0)載入到鎖存器110中以通過位映射電路210將其映射到寄存器220中。 在圖6中所示的實(shí)施例中，將位101(第一三個(gè)位B2:B0)映射到耦合到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路 230A的六個(gè)位寄存器位置中的三個(gè)且將位011(第二三個(gè)位B5 B3)映射到耦合到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230B的六個(gè)位寄存器位置中的三個(gè)。將剩余位01(B7:B6)映射到耦合到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230C的六個(gè)位寄存器位置中的兩個(gè)，所述剩余位將并置到載入到鎖存器110中的下一 8位用戶數(shù)據(jù)中的1位。繼續(xù)通過位映射電路210載入8位二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)直到寄存器220被載滿為止。在將8位用戶數(shù)據(jù)分裂成3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)的實(shí)例中，可將三個(gè)8位字節(jié)的用戶數(shù)據(jù)載入于48位寄存器220中直到達(dá)到所述寄存器的容量為止。如先前參考圖4的表340所討論，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230A到230H將3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成2位IBD。 通過數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230A將第一 3位數(shù)據(jù)101轉(zhuǎn)換成2位IBD (10及11)，所述2位IBD 為通過總線234提供以通過多路復(fù)用器240及數(shù)據(jù)總線136逐位被載入到頁緩沖器134中的位置134A及134B。通過數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230B將第二 3位數(shù)據(jù)011轉(zhuǎn)換成2位IBD (10 及01)，所述2位IBD為通過總線234提供以通過多路復(fù)用器240及數(shù)據(jù)總線136逐位被載入到頁緩沖器134中的位置134C及134D。當(dāng)從多電平存儲器單元讀取數(shù)據(jù)時(shí)，由感測放大器138感測由多電平存儲器單元存儲的存儲器狀態(tài)且將其轉(zhuǎn)換成存儲于頁緩沖器134中的相應(yīng)位置中的2位IBD。來自存儲器單元對的IBD耦合到相應(yīng)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路，舉例來說，由位置134A、134B存儲的IBD 及由位置134C、134D存儲的IBD通過數(shù)據(jù)總線136、多路復(fù)用器240及總線234分別耦合到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230A及230B。將所述2位IBD對轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)，所述3 位二進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲于寄存器220中的適當(dāng)位位置中。位映射電路210將3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)映射到8位數(shù)據(jù)中以重構(gòu)原始8位用戶數(shù)據(jù)。圖7圖解說明先前參考圖5所述的具有位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130的數(shù)據(jù)路徑 100，其經(jīng)配置以實(shí)施四存儲器狀態(tài)、兩單元的實(shí)例以提供2位/單元的位/單元存儲密度。 如先前參考圖5及圖6所述，數(shù)據(jù)路徑100可用于具有可存儲非2的冪的存儲器狀態(tài)的多電平存儲器單元的存儲器以提供非整數(shù)數(shù)目的位/單元存儲密度。如圖7的實(shí)施例中所示， 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130還可經(jīng)配置以與可存儲2的冪的存儲器狀態(tài)的多電平存儲器單元一起工作以提供整數(shù)數(shù)目的位/單元存儲密度。圖7中所圖解說明的實(shí)施例的操作類似于先前參考圖5及圖6所述的操作?？偟膩碚f，8位用戶數(shù)據(jù)被分裂成4位二進(jìn)制數(shù)據(jù)，所述4位二進(jìn)制數(shù)據(jù)映射到耦合到相應(yīng)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路230的六個(gè)位寄存器位置中的四個(gè)。通過相應(yīng)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路將所述4位二進(jìn)制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成兩個(gè)2位IBD。將所述2位IBD中的每一者提供到頁緩沖器134且由感測放大器138將其轉(zhuǎn)換成待存儲于存儲器陣列中的對應(yīng)存儲器狀態(tài)。讀取數(shù)據(jù)本質(zhì)上是將數(shù)據(jù)寫入到存儲器陣列的相反過程。為了簡明起見，本文中未提供針對圖7的四存儲器狀態(tài)、兩存儲器單元實(shí)例的二進(jìn)制用戶數(shù)據(jù)與到IBD及然后到對應(yīng)的存儲器狀態(tài)轉(zhuǎn)換的映射的真值表，因?yàn)榇祟愓嬷当砜墒浅Ｒ?guī)的。舉例來說，四個(gè)存儲器狀態(tài)中的每一者可對應(yīng)于不同2位IBD(00、01、10、11)。 使用一對存儲器單元時(shí)，可使每一存儲器單元具有四個(gè)存儲器狀態(tài)、十六個(gè)不同4位組合。 不同16位組合中的每一者可由兩個(gè)2位IBD的不同組合表示。如先前所討論，所得的存儲密度為2位/單元。本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例還可具有位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130，所述位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路可經(jīng)配置以用于與存儲器狀態(tài)的不同組合一起使用以提供不同位/單元存儲密度。在一個(gè)實(shí)施例中，此位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路的配置可由用戶重新配置。舉例來說，參考圖2A及圖2B，在給定N個(gè)位/單元的存儲密度時(shí)，用戶可在存儲器陣列的塊邊界上選擇N且配置耦合于位映射電路210與寄存器220之間的總線214、耦合于寄存器220 與數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器230之間的總線2M及耦合于數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器230與多路復(fù)用器240之間的總線 234的位寬度以提供所期望的N個(gè)位/單元。在本發(fā)明的再一些實(shí)施例中，位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路不必是可配置的。先前所述的具體實(shí)施例已以實(shí)例方式提供，且并非意欲限制本發(fā)明的范圍。可對先前實(shí)施例做出修改且所述修改保持在本發(fā)明的范圍內(nèi)。舉例來說，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130可包含具有比參考圖5所述的大或小的位容量的寄存器。 另外，在其它實(shí)施例中，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器到位寄存器位置的耦合及總線的位寬度也可不同。因此，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解先前所述的實(shí)施例并非意欲限制本發(fā)明的范圍。圖8圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包含數(shù)據(jù)路徑的存儲器系統(tǒng)400。存儲器系統(tǒng)400包含存儲器單元陣列430，其布置成若干行與若干列的組。在一個(gè)實(shí)施例中，陣列430 中的存儲器單元為非易失性存儲器。在一些實(shí)施例中，所述非易失性存儲器單元可存儲多個(gè)存儲器狀態(tài)，包含可存儲非2的冪數(shù)目的存儲器狀態(tài)的非易失性存儲器單元。將大多數(shù)命令信號、地址信號及寫入數(shù)據(jù)信號作為通過I/O總線434傳輸?shù)捻樞蜉斎?輸出(“I/O”)信號集施加到存儲器系統(tǒng)400。圖8中所圖解說明的I/O總線134 可包含I/O端子106及I/O鎖存器110 (圖8中未顯示)。類似地，讀取數(shù)據(jù)信號是通過I/ 0總線434從存儲器系統(tǒng)400輸出。I/O總線連接到I/O控制單元440，所述I/O控制單元在I/O總線434與內(nèi)部數(shù)據(jù)總線442、內(nèi)部地址總線444及內(nèi)部命令總線446之間路由信號。內(nèi)部數(shù)據(jù)總線442可包含根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的數(shù)據(jù)路徑。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130耦合到內(nèi)部數(shù)據(jù)總線442。如先前所討論，位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路 130可用于讀取存儲非2的冪數(shù)目的存儲器狀態(tài)的多電平存儲器單元中的數(shù)據(jù)及將數(shù)據(jù)寫入于所述多電平存儲器單元中。存儲器系統(tǒng)400還包含控制邏輯單元450，所述控制邏輯單元在外部或通過命令總線446接收若干控制信號以控制存儲器系統(tǒng)400的操作。地址總線 444將行地址信號施加到行解碼器460且將列地址信號施加到列解碼器464。類似地，列解碼器464使得能夠?qū)懭霐?shù)據(jù)信號施加到對應(yīng)于所述列地址信號的列的位線，且允許從對應(yīng)于所述列地址信號的列的位線耦合讀取數(shù)據(jù)信號。響應(yīng)于由控制邏輯單元450所解碼的存儲器命令，擦除、編程或讀取陣列430中的存儲器單元。在逐列或逐頁的基礎(chǔ)上編程存儲器陣列430。在已將列地址信號施加到地址總線444之后，I/O控制單元440通過位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130將寫入數(shù)據(jù)路由到高速緩沖存儲器寄存器470。中間二進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲于高速緩沖存儲器寄存器470中準(zhǔn)備編程。 高速緩沖存儲器寄存器470針對陣列430中整行或整頁存儲器單元依序存儲中間二進(jìn)制數(shù)據(jù)集。如先前所描述，頁緩沖器(未顯示)可包含于圖8中所圖解說明的高速緩沖存儲器寄存器470中或由所述高速緩沖存儲器寄存器表示。圖8中未顯示先前所討論的感測放大器，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員理解，存儲器系統(tǒng)400包含耦合到陣列430的存儲器單元的感測放大器。然后，所有所存儲的中間二進(jìn)制數(shù)據(jù)都用于編程陣列430中由通過地址總線444 耦合的行地址選定的行或頁存儲器單元。在讀取操作期間，以類似方式將來自由通過地址總線444耦合的行地址選定的行或頁存儲器單元的中間二進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲于數(shù)據(jù)寄存器480 中。然后，將中間二進(jìn)制數(shù)據(jù)集傳送到位映射及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路130以將讀取數(shù)據(jù)提供到I/ 0控制單元440且然后將其提供到I/O總線434。根據(jù)上文將了解，雖然本文出圖解說明的目的已描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但可在不背離本發(fā)明的精神及范圍的情況下對其做出各種修改。因此，本發(fā)明不受除所附權(quán)利要求書以外的任何限制。
權(quán)利要求
1.一種存儲器，其包括存儲器單元陣列，所述單元中的每一者經(jīng)配置以存儲多個(gè)存儲器狀態(tài)；及位轉(zhuǎn)換電路，其耦合到所述存儲器單元陣列，所述位轉(zhuǎn)換電路經(jīng)配置以將原始數(shù)據(jù)的位轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于相應(yīng)存儲器狀態(tài)的中間數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器，其中所述存儲器單元陣列包括非易失性存儲器單元陣列。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器，其中所述非易失性存儲器單元陣列包括每一存儲器單元經(jīng)配置以存儲非2的冪的數(shù)目的存儲器狀態(tài)的非易失性存儲器單元陣列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器，其中所述位轉(zhuǎn)換電路經(jīng)配置以可與不同數(shù)目的存儲器狀態(tài)的存儲器單元一起操作。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器，其中所述位轉(zhuǎn)換電路可由用戶配置以用于與不同數(shù)目的存儲器狀態(tài)的存儲器單元一起操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器，其中所述位轉(zhuǎn)換電路經(jīng)配置以將所述原始數(shù)據(jù)的位轉(zhuǎn)換成所述中間數(shù)據(jù)的位。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器，其進(jìn)一步包括感測電路，所述感測電路耦合到所述存儲器單元陣列，所述感測電路經(jīng)配置以感測由存儲器單元存儲的存儲器狀態(tài)且產(chǎn)生對應(yīng)的中間數(shù)據(jù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器，其進(jìn)一步包括緩沖器電路，所述緩沖器電路耦合到所述位轉(zhuǎn)換電路且進(jìn)一步耦合到所述存儲器單元陣列，所述緩沖器電路經(jīng)配置以存儲所述中間數(shù)據(jù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器，其進(jìn)一步包括輸入/輸出(I/O)節(jié)點(diǎn)；及I/O鎖存器，其耦合到所述I/O節(jié)點(diǎn)及所述位轉(zhuǎn)換電路，所述I/O鎖存器經(jīng)配置以鎖存來自所述I/O節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)及去往所述I/O節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)。
10.一種用于具有存儲器單元陣列的存儲器的數(shù)據(jù)路徑，所述數(shù)據(jù)路徑包括位映射電路，其經(jīng)配置以將原始數(shù)據(jù)的位映射到中間位布置；及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路，其耦合到所述位映射電路且經(jīng)配置以接收所述中間位布置并將所述中間位布置轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于待由所述陣列的存儲器單元存儲的存儲器狀態(tài)的中間數(shù)據(jù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)路徑，其進(jìn)一步包括寄存器，所述寄存器耦合到所述位映射電路且經(jīng)配置以存儲所述中間位布置并將所述中間位布置提供到所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)路徑，其進(jìn)一步包括多路復(fù)用器，所述多路復(fù)用器耦合到所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路且經(jīng)配置以將所述中間數(shù)據(jù)選擇性地耦合到所述存儲器單元陣列。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)路徑，其中所述位映射電路經(jīng)配置以將所述原始數(shù)據(jù)的位映射到位子群組，所述子群組具有比所述原始數(shù)據(jù)的字節(jié)少的位。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的數(shù)據(jù)路徑，其中所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路包括多個(gè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路，所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器子電路中的每一者經(jīng)耦合以接收相應(yīng)位子群組的位。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)路徑，其中所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路進(jìn)一步經(jīng)配置以將所述中間位布置中的每一者轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于待由多個(gè)存儲器單元中的相應(yīng)一者存儲的多個(gè)存儲器狀態(tài)的中間數(shù)據(jù)。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)路徑，其中所述位映射電路及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路可經(jīng)配置以可與存儲器狀態(tài)的不同組合一起操作。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)路徑，其中所述位映射電路及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路可由用戶配置以可與存儲器狀態(tài)的不同組合一起操作。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)路徑，其進(jìn)一步包括 輸入/輸出(I/O)節(jié)點(diǎn)；及I/O鎖存器，其耦合到所述I/O節(jié)點(diǎn)及所述位映射電路，所述I/O鎖存器經(jīng)配置以鎖存來自所述I/O節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)及去往所述I/O節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)。
19.一種用于將數(shù)據(jù)存儲于存儲器陣列的存儲器單元中的方法，所述方法包括 基于原始數(shù)據(jù)的位產(chǎn)生中間數(shù)據(jù)；及將對應(yīng)于所述中間數(shù)據(jù)的存儲器狀態(tài)存儲于存儲器單元中。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中產(chǎn)生中間數(shù)據(jù)包括 將所述原始數(shù)據(jù)劃分成至少一個(gè)位子群組；及將所述位子群組轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的中間數(shù)據(jù)。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中將所述位子群組轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的中間數(shù)據(jù)包括將所述位子群組轉(zhuǎn)換成多個(gè)中間數(shù)據(jù)，且其中將對應(yīng)于所述中間數(shù)據(jù)的存儲器狀態(tài)存儲于存儲器單元中包括將對應(yīng)于所述相應(yīng)中間數(shù)據(jù)的存儲器狀態(tài)存儲于相應(yīng)的多個(gè)存儲器單元中。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中將所述原始數(shù)據(jù)劃分成至少一個(gè)位子群組包括將所述原始數(shù)據(jù)的位映射到所述子群組的位以提供中間位布置。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中將存儲器狀態(tài)存儲于存儲器單元中包括將非2 的冪的數(shù)目的存儲器狀態(tài)中的一者存儲于所述存儲器單元中，每一存儲器狀態(tài)對應(yīng)于不同的中間數(shù)據(jù)。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其進(jìn)一步包括從所述存儲器陣列的所述存儲器單元讀取數(shù)據(jù)，所述數(shù)據(jù)是通過以下方式而讀取感測由存儲器單元存儲的存儲器狀態(tài)且根據(jù)其確定相應(yīng)的對應(yīng)中間數(shù)據(jù)； 將所述中間數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成對應(yīng)位子群組； 將所述位子群組映射到原始數(shù)據(jù)；及提供所述原始數(shù)據(jù)作為讀取數(shù)據(jù)。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其進(jìn)一步包括接收待存儲于所述存儲器陣列中的原始數(shù)據(jù)。
26.一種用于利用存儲非2的冪的數(shù)目的存儲器狀態(tài)的存儲器單元陣列的方法，所述方法包括當(dāng)將原始數(shù)據(jù)寫入到所述存儲器單元陣列時(shí)，將所述原始數(shù)據(jù)的位映射到位群組，將所述原始數(shù)據(jù)的位群組轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的中間數(shù)據(jù)并將對應(yīng)于所述中間數(shù)據(jù)的存儲器狀態(tài)存儲于至少一個(gè)存儲器單元中；及當(dāng)從所述存儲器單元陣列讀取所述原始數(shù)據(jù)時(shí)，感測存儲于所述至少一個(gè)存儲器單元中的所述存儲器狀態(tài)并產(chǎn)生所述中間數(shù)據(jù)，將所述中間數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為對應(yīng)位群組，且將所述位群組映射到所述原始數(shù)據(jù)的位。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的方法，其中將所述原始數(shù)據(jù)的位群組轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的中間數(shù)據(jù)包括將所述原始數(shù)據(jù)的每一位群組轉(zhuǎn)換成多個(gè)中間數(shù)據(jù)，且其中將對應(yīng)于所述中間數(shù)據(jù)的存儲器狀態(tài)存儲于至少一個(gè)存儲器單元中包括將每一群組的所述多個(gè)中間數(shù)據(jù)中的每一者作為對應(yīng)存儲器狀態(tài)存儲于相應(yīng)存儲器單元中。
28.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的方法，其中感測存儲于所述至少一個(gè)存儲器單元中的所述存儲器狀態(tài)包括感測存儲于多個(gè)存儲器單元中的所述存儲器狀態(tài)，且其中將所述中間數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為所述對應(yīng)位群組包括針對每一位群組轉(zhuǎn)換多個(gè)中間數(shù)據(jù)。
29.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的方法，其中將所述原始數(shù)據(jù)的位映射到位群組包括將多個(gè)原始數(shù)據(jù)分裂成多個(gè)位子群組，每一子群組具有比所述原始數(shù)據(jù)的字節(jié)少的位。
30.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的方法，其中將所述位群組映射到所述原始數(shù)據(jù)的位包括并置多個(gè)所述位群組且將所述經(jīng)并置的位分裂成具有與所述原始數(shù)據(jù)相同的位數(shù)目的字。
全文摘要
本發(fā)明揭示存儲器、數(shù)據(jù)路徑、用于存儲的方法及用于利用的方法，其包含用于存儲器的數(shù)據(jù)路徑，所述存儲器使用多電平存儲器單元以提供每存儲器單元多個(gè)位的存儲。一個(gè)此數(shù)據(jù)路徑包含位映射電路及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路。此位映射電路可經(jīng)配置以將原始數(shù)據(jù)的位映射到中間位布置，且此數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路可經(jīng)配置以接收所述中間位布置并將所述中間位布置轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于待由存儲器單元陣列的存儲器單元存儲的存儲器狀態(tài)的中間數(shù)據(jù)。
文檔編號G11C16/06GK102197436SQ200980143011
公開日2011年9月21日 申請日期2009年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月30日
發(fā)明者馬克·鮑爾 申請人:美光科技公司