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      一種存儲器及存儲器讀寫控制方法及系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號:6768593閱讀:223來源:國知局
      專利名稱:一種存儲器及存儲器讀寫控制方法及系統(tǒng)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于存儲技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種存儲器及存儲器讀寫控制方法及系統(tǒng)。
      背景技術(shù)
      存儲器按照其具體的組成構(gòu)架可以分為單層單元(Single-Level Cell, SLC)閃存 存儲器和多層單元(Multi-Level Cell, MLC)閃存存儲器,其中,單純的SLC閃存存儲器具 有讀/寫速度快、壽命長的優(yōu)點(diǎn),但也存在價(jià)格貴,存儲容量較低的缺點(diǎn);單純的MLC閃存存 儲器容量可以做得很大,且價(jià)格便宜,但是MLC閃存存儲器讀/寫速度較慢并且壽命較短。申請?zhí)枮?00680051435. 2的專利申請公開了一種整合有多個(gè)閃存單元的便攜式 數(shù)據(jù)存儲裝置,該便攜式數(shù)據(jù)存儲裝置包括至少一個(gè)SLC閃存和至少一個(gè)MLC閃存,以整合 SLC閃存和MLC閃存的優(yōu)點(diǎn),但是卻沒有公開該整合有多個(gè)閃存單元的便攜式數(shù)據(jù)存儲裝 置是如何提高數(shù)據(jù)的讀寫速度,僅僅是SLC閃存和MLC閃存的整合。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種存儲器,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中的混合型存儲器 僅僅是SLC閃存和MLC閃存的整合,沒有充分利用SLC閃存和MLC閃存的各自優(yōu)點(diǎn)來提高 數(shù)據(jù)的讀寫速度的問題。本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種存儲器,所述存儲器包括至少一個(gè)單層單元SLC 閃存和至少一個(gè)多層單元MLC閃存,所述SLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)置為所述存儲器的邏輯地 址靠前的存儲區(qū)域,所述MLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)置為所述存儲器的邏輯地址靠后的存儲區(qū) 域。本發(fā)明實(shí)施例的另一目的在于提供一種存儲器讀寫控制方法,所述方法包括下述 步驟獲取所述存儲器的單層單元SLC閃存的存儲區(qū)域的可用扇區(qū)總數(shù),所述存儲器包 括至少一個(gè)設(shè)置在所述存儲器的邏輯地址靠前的存儲區(qū)域的單層單元SLC閃存和至少一 個(gè)設(shè)置在所述存儲器的邏輯地址靠后的存儲區(qū)域的多層單元MLC閃存;判斷當(dāng)前讀寫地址是否小于所述可用扇區(qū)總數(shù);當(dāng)當(dāng)前讀寫地址小于所述可用扇區(qū)總數(shù)大小時(shí),對所述存儲器的SLC閃存的存儲 區(qū)域進(jìn)行讀寫操作;判斷當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)是否超過所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域;當(dāng)當(dāng)前讀寫地址大于所述可用扇區(qū)總數(shù),或當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)超過所述存儲器的 SLC閃存的存儲區(qū)域,對所述存儲器的MLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作;當(dāng)當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)沒有超過所述存儲器的SLC閃存的可用存儲區(qū)域時(shí),繼續(xù)對所 述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作。本發(fā)明實(shí)施例的另一目的在于提供一種存儲器讀寫控制系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括可用扇區(qū)總數(shù)獲取模塊,用于獲取所述存儲器的單層單元SLC閃存的存儲區(qū)域的可用扇區(qū)總數(shù),所述存儲器包括至少一個(gè)設(shè)置在所述存儲器的邏輯地址靠前的存儲區(qū)域的 單層單元SLC閃存和至少一個(gè)設(shè)置在所述存儲器的邏輯地址靠后的存儲區(qū)域的多層單元 MLC閃存;第一判斷模塊,用于判斷當(dāng)前讀寫地址是否小于所述可用扇區(qū)總數(shù);SLC閃存讀寫操作模塊,用于當(dāng)所述第一判斷模塊判斷當(dāng)前讀寫地址小于所述可 用扇區(qū)總數(shù)大小時(shí),對所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作;MLC閃存讀寫操作模塊,用于當(dāng)所述第一判斷模塊判斷當(dāng)前讀寫地址大于所述可 用扇區(qū)總數(shù),對所述存儲器的MLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作;以及第二判斷模塊,用于判斷當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)是否超過所述存儲器的SLC閃存的存儲 區(qū)域;當(dāng)所述第二判斷模塊判斷當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)超過所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū) 域,所述MLC閃存讀寫操作模塊對所述存儲器的MLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作;當(dāng)所述第二判斷模塊判斷當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)沒有超過所述存儲器的SLC閃存的可 用存儲區(qū)域時(shí),所述SLC閃存讀寫操作模塊繼續(xù)對所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行
      讀寫操作。本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲器包括至少一個(gè)單層單元SLC閃存和至少一個(gè)多層單 元MLC閃存,所述SLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)置為所述存儲器的邏輯地址靠前的存儲區(qū)域,所述 MLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)置為所述存儲器的邏輯地址靠后的存儲區(qū)域,實(shí)現(xiàn)SLC閃存和MLC閃 存的各自優(yōu)點(diǎn)的完美結(jié)合,充分利用SLC閃存和MLC閃存的各自優(yōu)點(diǎn)來提高存儲器數(shù)據(jù)的 讀寫速度,方便用戶使用。


      圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的提高存儲器讀寫速度的實(shí)現(xiàn)方法的實(shí)現(xiàn)流程圖;圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲器讀寫控制方法的實(shí)現(xiàn)流程圖;圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的寫次數(shù)頻繁的數(shù)據(jù)存儲在SLC閃存的存儲區(qū)域的實(shí)現(xiàn) 流程圖;圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲器讀寫控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。
      具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對 本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并 不用于限定本發(fā)明。本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲器包括至少一個(gè)單層單元SLC閃存和至少一個(gè)多層單 元MLC閃存,所述SLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)置為所述存儲器的邏輯地址靠前的存儲區(qū)域,所述 MLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)置為所述存儲器的邏輯地址靠后的存儲區(qū)域,其中,MLC閃存包括但 不限于2bit/cell、;3bit/cell、4bit/cell等更多位元的閃存,在此不用以限制本發(fā)明。在本發(fā)明實(shí)施例中,文件系統(tǒng)數(shù)據(jù)和私有數(shù)據(jù)存儲在所述SLC閃存的存儲區(qū)域;進(jìn)一步的,本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲器可以在所述SLC閃存的存儲區(qū)域中劃分出 一塊用于存放讀寫次數(shù)頻繁的數(shù)據(jù)的存儲區(qū)域;所述SLC閃存的存儲區(qū)域減去文件系統(tǒng)數(shù)
      5據(jù)所占存儲區(qū)域、所述私有數(shù)據(jù)所占存儲區(qū)域以及所述用于存放讀寫次數(shù)頻繁的數(shù)據(jù)而劃 分出來的存儲區(qū)域,剩余的SLC閃存的存儲區(qū)域作為普通存儲區(qū)域,用于存儲普通數(shù)據(jù)。其中,由于文件系統(tǒng)數(shù)據(jù)所在的邏輯區(qū)域一般是在邏輯上靠前的存儲區(qū)域,會被 頻繁更改,而且SLC閃存比MLC閃存的讀寫速度快,因此將文件系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲在SLC閃存 中,提升存儲器的讀寫速度;同時(shí),由于SLC閃存比MLC閃存性能穩(wěn)定,存儲的文件不容易 在讀寫過程中丟失,因此,將私有數(shù)據(jù)存儲在所述SLC閃存的存儲區(qū)域,保證存儲器的穩(wěn)定 性。私有數(shù)據(jù)包括以下信息的一種或多種固態(tài)存儲器固件程序、閃存芯片的壞塊表以及固 件程序的內(nèi)部相關(guān)信息,其中,根據(jù)固件程序?qū)崿F(xiàn)方式的不同,也可能在某個(gè)實(shí)際的存儲器 設(shè)備中沒有私有數(shù)據(jù)。在該實(shí)施例中,寫次數(shù)頻繁的數(shù)據(jù)存儲在所述SLC閃存的存儲區(qū)域,下述有具體 的方法實(shí)施例描述,在此不用以限制本發(fā)明圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的提高存儲器讀寫速度的實(shí)現(xiàn)方法的實(shí)現(xiàn)流程,其 具體的步驟如下所述在步驟SlOl中,將SLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)置為所述存儲器的邏輯地址靠前的存儲 區(qū)域,將MLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)置為所述存儲器的邏輯地址靠后的存儲區(qū)域,所述存儲器 包括至少一個(gè)SLC閃存和至少一個(gè)MLC閃存。在步驟S102中,將文件系統(tǒng)數(shù)據(jù)和私有數(shù)據(jù)存儲在所述SLC閃存的存儲區(qū)域。在本發(fā)明實(shí)施例中,存儲器包括至少一個(gè)SLC閃存和至少一個(gè)MLC閃存,SLC閃存 和MLC閃存都是以塊為單位進(jìn)行擦除、以頁為單位進(jìn)行編程,保證了 SLC閃存和MLC閃存可 以整合在一起共用,增加存儲器的容量。其中,將SLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)為存儲器的存儲區(qū)域中邏輯靠前的位置,將MLC的 存儲區(qū)域設(shè)置為存儲器的存儲區(qū)域中邏輯靠后的位置,即將數(shù)據(jù)的寫入的地址優(yōu)先從SLC 閃存的存儲區(qū)域開始,充分利用SLC閃存的特性;當(dāng)SLC閃存的存儲區(qū)域?qū)懭胍褲M或?qū)懭霐?shù) 據(jù)較大時(shí),才將寫入數(shù)據(jù)寫入到存儲器的存儲區(qū)域的MLC閃存的存儲區(qū)域。圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲器讀寫控制方法的實(shí)現(xiàn)流程,其具體的步驟 如下所述在步驟S201中,獲取所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域的可用扇區(qū)總數(shù)。在本發(fā)明實(shí)施例中,存儲器包括至少一個(gè)設(shè)置在所述存儲器的邏輯地址靠前的存 儲區(qū)域的SLC閃存和至少一個(gè)設(shè)置在所述存儲器的邏輯地址靠后的存儲區(qū)域的MLC閃存。在步驟S202中,判斷當(dāng)前讀寫地址是否小于所述可用扇區(qū)總數(shù),是則執(zhí)行步驟 S203,否則執(zhí)行步驟S205。在步驟S203中,當(dāng)當(dāng)前讀寫地址小于所述可用扇區(qū)總數(shù)大小時(shí),對所述存儲器的 SLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作。在本發(fā)明實(shí)施例中,當(dāng)前讀寫地址是指當(dāng)前讀寫的扇區(qū)地址,在此不用以限制本 發(fā)明。在步驟S204中,判斷當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)是否超過所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū) 域,是則執(zhí)行步驟S205,否則執(zhí)行步驟S203。在本發(fā)明實(shí)施例中,所述當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)是指數(shù)據(jù)的長度大小與存儲器的SLC閃 存的存儲區(qū)域的大小進(jìn)行比較判斷,該SLC閃存的存儲區(qū)域是指可用存儲區(qū)域,在此不用
      6以限制本發(fā)明。在步驟S205中,當(dāng)當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)超過所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域,對所 述存儲器的MLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作。圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的寫次數(shù)頻繁的數(shù)據(jù)存儲在SLC閃存的存儲區(qū)域的 實(shí)現(xiàn)流程,其具體的步驟如下所述在步驟S301中,預(yù)先設(shè)置一寫次數(shù)閾值,并預(yù)先在所述SLC閃存的存儲區(qū)域劃分 一存儲區(qū)域。在本發(fā)明實(shí)施例中,該預(yù)先配置的寫次數(shù)閾值可以隨機(jī)設(shè)置或者根據(jù)用戶的實(shí)際 情況進(jìn)行優(yōu)選設(shè)置,在此不用以限制本發(fā)明;該在所述SLC閃存的存儲區(qū)域劃分一存儲區(qū) 域的大小也可以隨機(jī)劃分,也可以是固定大小,該預(yù)先在所述SLC閃存的存儲區(qū)域劃分一 存儲區(qū)域用以存儲寫次數(shù)較為頻繁的數(shù)據(jù)。在步驟S302中,判斷對所述存儲器的寫入地址的寫次數(shù)是否超過所述閾值,是則 執(zhí)行步驟S303,否則結(jié)束。在本發(fā)明實(shí)施例中,在判斷過程是對寫次數(shù)累加過程的判斷,每寫入一次,該寫次 數(shù)累加1,當(dāng)累加到所述閾值時(shí),進(jìn)行轉(zhuǎn)存操作。當(dāng)對所述存儲器的某個(gè)地址的寫次數(shù)超過所述閾值時(shí),需要將保存到該地址的數(shù) 據(jù)轉(zhuǎn)存到的SLC閃存的存儲區(qū)域中,如果本身數(shù)據(jù)就存儲在SLC閃存的存儲區(qū)域中,則不會 執(zhí)行上述實(shí)施例提供的技術(shù)方案;若不超過所述閾值,則繼續(xù)判斷。在步驟S303中,當(dāng)對所述存儲器的所述寫入地址的寫次數(shù)超過所述閾值時(shí),將所 述寫入地址的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到在所述SLC閃存的存儲區(qū)域預(yù)先劃分的存儲區(qū)域上。在本發(fā)明實(shí)施例中,當(dāng)對所述存儲器的所述寫入地址的寫次數(shù)超過所述閾值時(shí), 將所述寫入地址的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到在所述SLC閃存的存儲區(qū)域預(yù)先劃分的存儲區(qū)域上,由于 SLC閃存的讀寫速度較快,將寫次數(shù)較為頻繁的數(shù)據(jù)寫入到SLC閃存的存儲區(qū)域,則提高存 儲器的整體讀寫速度,方便用戶使用存儲器。當(dāng)寫次數(shù)超過所述預(yù)設(shè)的所述閾值時(shí),則將寫 次數(shù)恢復(fù)至該閾值,不再進(jìn)行累加,直至該次寫操作結(jié)束。在本發(fā)明實(shí)施例中,上述存儲器讀寫控制流程是基于上述圖1和圖2所示的混合 存儲器來描述的,因此,該實(shí)施例的技術(shù)方案也能大大提高存儲器的讀寫速度,方便用戶使用。圖4示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲器讀寫控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖,為了便于說 明,圖中僅給出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分??捎蒙葏^(qū)總數(shù)獲取模塊11獲取所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域的可用扇區(qū)總 數(shù),所述存儲器包括至少一個(gè)設(shè)置在所述存儲器的邏輯地址靠前的存儲區(qū)域的SLC閃存和 至少一個(gè)設(shè)置在所述存儲器的邏輯地址靠后的存儲區(qū)域的MLC閃存;第一判斷模塊12判斷 當(dāng)前讀寫地址是否小于所述可用扇區(qū)總數(shù);當(dāng)所述第一判斷模塊12判斷當(dāng)前讀寫地址小 于所述可用扇區(qū)總數(shù)大小時(shí),SLC閃存讀寫操作模塊13對所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū) 域進(jìn)行讀寫操作;當(dāng)所述第一判斷模塊12判斷當(dāng)前讀寫地址大于所述可用扇區(qū)總數(shù),MLC 閃存讀寫操作模塊14對所述存儲器的MLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作;第二判斷模塊 15判斷當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)是否超過所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域;當(dāng)所述第二判斷模塊 15判斷當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)超過所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域,所述MLC閃存讀寫操作模塊14對所述存儲器的MLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作;當(dāng)所述第二判斷模塊15判斷當(dāng) 前讀寫的數(shù)據(jù)沒有超過所述存儲器的SLC閃存的可用存儲區(qū)域時(shí),所述SLC閃存讀寫操作 模塊13繼續(xù)對所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作。在本發(fā)明實(shí)施例中,閾值設(shè)置模塊16預(yù)先設(shè)置一寫次數(shù)閾值;第三判斷模塊17判 斷對所述存儲器的一寫入地址的寫次數(shù)是否超過所述閾值設(shè)置模塊設(shè)置的閾值;當(dāng)?shù)谌?斷模塊17判斷對所述存儲器的一寫入地址的寫次數(shù)超過所述閾值時(shí),轉(zhuǎn)存模塊18將所述 寫入地址的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到在所述SLC閃存的存儲區(qū)域預(yù)先劃分的存儲區(qū)域上,其中,當(dāng)寫次 數(shù)超過所述預(yù)設(shè)的所述閾值時(shí),則將寫次數(shù)恢復(fù)至該閾值,不再進(jìn)行累加,直至該次寫操作 結(jié)束。其中,將寫次數(shù)較為頻繁的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到SLC閃存的存儲區(qū)域,由于SLC閃存具有讀 寫速度快的特點(diǎn),因此可以提高存儲器的整體讀寫速度。上述僅為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,在此不用以限制本發(fā)明。本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲器包括至少一個(gè)單層單元SLC閃存和至少一個(gè)多層單 元MLC閃存,所述SLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)置為所述存儲器的邏輯地址靠前的存儲區(qū)域,所述 MLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)置為所述存儲器的邏輯地址靠后的存儲區(qū)域。實(shí)現(xiàn)SLC閃存和MLC 閃存的各自優(yōu)點(diǎn)的完美結(jié)合,充分利用SLC閃存和MLC閃存的各自優(yōu)點(diǎn)來提高存儲器數(shù)據(jù) 的讀寫速度,方便用戶使用。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精 神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      權(quán)利要求
      1.一種存儲器,所述存儲器包括至少一個(gè)單層單元SLC閃存和至少一個(gè)多層單元MLC 閃存,其特征在于,所述SLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)置為所述存儲器的邏輯地址靠前的存儲區(qū) 域,所述MLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)置為所述存儲器的邏輯地址靠后的存儲區(qū)域。
      2.如權(quán)利要求1所述的存儲器,其特征在于,文件系統(tǒng)數(shù)據(jù)和私有數(shù)據(jù)存儲在所述SLC 閃存的存儲區(qū)域。
      3.如權(quán)利要求1至2任一項(xiàng)所述的存儲器,其特征在于,在所述SLC閃存的存儲區(qū)域中 劃分出一塊用于存放讀寫次數(shù)頻繁的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域。
      4.如權(quán)利要求1所述的存儲器,其特征在于,所述SLC閃存的存儲區(qū)域減去文件系統(tǒng)數(shù) 據(jù)所占存儲區(qū)域、所述私有數(shù)據(jù)所占存儲區(qū)域以及所述用于存放讀寫次數(shù)頻繁的數(shù)據(jù)而劃 分出來的存儲區(qū)域,剩余的SLC閃存的存儲區(qū)域作為普通存儲區(qū)域,用于存儲普通數(shù)據(jù)。
      5.一種存儲器讀寫控制方法,其特征在于,所述方法包括下述步驟獲取所述存儲器的單層單元SLC閃存的存儲區(qū)域的可用扇區(qū)總數(shù),所述存儲器包括至 少一個(gè)設(shè)置在所述存儲器的邏輯地址靠前的存儲區(qū)域的單層單元SLC閃存和至少一個(gè)設(shè) 置在所述存儲器的邏輯地址靠后的存儲區(qū)域的多層單元MLC閃存; 判斷當(dāng)前讀寫地址是否小于所述可用扇區(qū)總數(shù);當(dāng)當(dāng)前讀寫地址小于所述可用扇區(qū)總數(shù)大小時(shí),對所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域 進(jìn)行讀寫操作;判斷當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)是否超過所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域; 當(dāng)當(dāng)前讀寫地址大于所述可用扇區(qū)總數(shù),或當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)超過所述存儲器的SLC閃 存的存儲區(qū)域,對所述存儲器的MLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作;當(dāng)當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)沒有超過所述存儲器的SLC閃存的可用存儲區(qū)域時(shí),繼續(xù)對所述存 儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作。
      6.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法還包括以下步驟 預(yù)先設(shè)置一寫次數(shù)閾值;判斷對所述存儲器的寫入地址的寫次數(shù)是否超過所述閾值;當(dāng)對所述存儲器的所述寫入地址的寫次數(shù)超過所述閾值時(shí),將所述寫入地址的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn) 存到在所述SLC閃存的存儲區(qū)域預(yù)先劃分的存儲區(qū)域上。
      7.一種存儲器讀寫控制系統(tǒng),其特征在于,所述系統(tǒng)包括可用扇區(qū)總數(shù)獲取模塊,用于獲取所述存儲器的單層單元SLC閃存的存儲區(qū)域的可用 扇區(qū)總數(shù),所述存儲器包括至少一個(gè)設(shè)置在所述存儲器的邏輯地址靠前的存儲區(qū)域的單層 單元SLC閃存和至少一個(gè)設(shè)置在所述存儲器的邏輯地址靠后的存儲區(qū)域的多層單元MLC閃 存;第一判斷模塊,用于判斷當(dāng)前讀寫地址是否小于所述可用扇區(qū)總數(shù); SLC閃存讀寫操作模塊,用于當(dāng)所述第一判斷模塊判斷當(dāng)前讀寫地址小于所述可用扇 區(qū)總數(shù)大小時(shí),對所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作;MLC閃存讀寫操作模塊,用于當(dāng)所述第一判斷模塊判斷當(dāng)前讀寫地址大于所述可用扇 區(qū)總數(shù),對所述存儲器的MLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作;以及第二判斷模塊,用于判斷當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)是否超過所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)當(dāng)所述第二判斷模塊判斷當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)超過所述存儲器的SLC閃存的可用存儲區(qū) 域時(shí),所述MLC閃存讀寫操作模塊對所述存儲器的MLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫操作;當(dāng)所述第二判斷模塊判斷當(dāng)前讀寫的數(shù)據(jù)沒有超過所述存儲器的SLC閃存的可用存 儲區(qū)域時(shí),所述SLC閃存讀寫操作模塊繼續(xù)對所述存儲器的SLC閃存的存儲區(qū)域進(jìn)行讀寫 操作。
      8.如權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法還包括以下步驟 閾值設(shè)置模塊,用于預(yù)先設(shè)置一寫次數(shù)閾值;第三判斷模塊,用于判斷對所述存儲器的一寫入地址的寫次數(shù)是否超過所述閾值;以及轉(zhuǎn)存模塊,用于當(dāng)所述第三判斷模塊判斷對所述存儲器的所述寫入地址的寫次數(shù)超過 所述閾值時(shí),將所述寫入地址的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到在所述SLC閃存的存儲區(qū)域預(yù)先劃分的存儲區(qū) 域上。
      全文摘要
      本發(fā)明適用于存儲技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種存儲器及存儲器讀寫控制方法及系統(tǒng),所述存儲器包括至少一個(gè)單層單元SLC閃存和至少一個(gè)多層單元MLC閃存,所述SLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)置為所述存儲器的邏輯地址靠前的存儲區(qū)域,所述MLC閃存的存儲區(qū)域設(shè)置為所述存儲器的邏輯地址靠后的存儲區(qū)域。本發(fā)明實(shí)施例實(shí)現(xiàn)SLC閃存和MLC閃存的各自優(yōu)點(diǎn)的完美結(jié)合,充分利用SLC閃存和MLC閃存的各自優(yōu)點(diǎn)來提高存儲器數(shù)據(jù)的讀寫速度,方便用戶使用。
      文檔編號G11C11/56GK102142277SQ20101010443
      公開日2011年8月3日 申請日期2010年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月28日
      發(fā)明者李中政, 李志雄, 蔣云南 申請人:深圳市江波龍電子有限公司
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