專利名稱：電流檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測方法，尤指一種用于一次可編程只讀存儲器的電流檢測方法。
背景技術(shù)：
只讀存儲器(Read-Only Memory, ROM)是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導體存儲器。其內(nèi)所存數(shù)據(jù)，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。只讀存儲器所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會改變，其結(jié)構(gòu)較簡單，讀出較方便，因而常用于存儲各種固定程序和數(shù)據(jù)。一次可編程只讀存儲器(One Time Progarmming ROM, 0TP-R0M)為只讀存儲器中的一種，其只能寫入一次。為了了解存儲器中存儲數(shù)據(jù)的情況，有必要提供一種可以檢測出存儲器中是否存儲數(shù)據(jù)的電流檢測方法，而傳統(tǒng)的電流檢測方法往往較復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種用于一次可編程只讀存儲器的電流檢測方法。一種電流檢測方法，用于檢測一存儲單元中的數(shù)據(jù)存儲情況，其包括以下步驟一檢測電流輸入端與一基準電流端分別輸入一電流；—第一開關(guān)元件讀取所述檢測電流輸入端的電流，一第二開關(guān)元件讀取所述基準電流端的電流；所述第一開關(guān)元件與所述第二開關(guān)元件將讀取的電流轉(zhuǎn)換為電壓，并傳送至一比較器；及所述比較器輸出一用于判斷所述存儲單元中是否存儲數(shù)據(jù)的電壓信號。相對現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明電流檢測方法根據(jù)輸出的電平高低來判斷存儲器中是否存儲數(shù)據(jù)，簡單方便。


圖1為本發(fā)明電流檢測方法較佳實施方式所使用的電流檢測電路的電路圖。圖2為本發(fā)明電流檢測方法較佳實施方式的流程圖。
具體實施例方式請參閱圖1，本發(fā)明電流檢測方法較佳實施方式所使用的一電流檢測電路包括一檢測電流輸入端Idet、一基準電流端IKEF、一與該檢測電流輸入端Idet相連的第一開關(guān)元件、 一與該基準電流端Ikef相連的第二開關(guān)元件、一運算放大器0ΡΑ、一比較器CMP、一基準電壓端Vkef、一輸出端Vott及一接地端GND。其中，該檢測電流輸入端Idet與一存儲器的一存儲單元相連接。在本實施方式中，該第一開關(guān)元件為一第一場效應(yīng)管Μ1，該第二開關(guān)元件為一第二場效應(yīng)管M2，且第一場效應(yīng)管Ml及第二場效應(yīng)管M2均為N型場效應(yīng)管(NMOQ。在其他實施方式中，開關(guān)元件可根據(jù)需要變更為能夠?qū)崿F(xiàn)同樣功能的其它開關(guān)元件或電路。該電流檢測電路的具體連接關(guān)系如下該檢測電流輸入端Idet與該第一場效應(yīng)管 Ml的漏極、該運算放大器OPA的一正相輸入端及該比較器CMP的一反相輸入端相連，該基準電流端Ikef與該第二場效應(yīng)管M2的漏極及該比較器CMP的一正相輸入端相連。該第一場效應(yīng)管Ml與該第二場效應(yīng)管M2的源級共同連接該接地端GND。該運算放大器OPA的一反相輸入端連接該基準電壓端Vkef，該運算放大器OPA的一輸出端連接該第一場效應(yīng)管Ml與該第二場效應(yīng)管M2的柵極。該比較器CMP的一輸出端連接該輸出端VQUT。該運算放大器OPA使得該第一場效應(yīng)管Ml的漏極電壓與該基準電壓端Vkef的電壓相等，為存儲單元提供了一個合適的電壓偏置，同時該運算放大器OPA的輸出端連接該第一場效應(yīng)管Ml與該第二場效應(yīng)管M2的柵極，使得第一場效應(yīng)管Ml與第二場效應(yīng)管M2成為鏡像關(guān)系，為第一場效應(yīng)管Ml與第二場效應(yīng)管M2提供了合適的電壓偏置。該第一場效應(yīng)管Ml用于讀取該檢測電流輸入端Idet的電流大小，該第二場效應(yīng)管M2用于讀取該基準電流端Ikef的電流大小。當存儲單元中存儲有數(shù)據(jù)時，則該檢測電流輸入端Idet的電流大小將大于該基準電流端Ikef的電流大??；當存儲單元中沒有存儲數(shù)據(jù)時，則該檢測電流輸入端Idet 將無電流流過或該檢測電流輸入端Idet的電流大小小于該基準電流端Ikef的電流大小。請參閱圖2，本發(fā)明電流檢測方法較佳實施方式包括以下步驟步驟一該檢測電流輸入端Idet與該基準電流端Ikef分別輸入一電流。步驟二 該第一場效應(yīng)管Ml讀取該檢測電流輸入端Idet的電流大小，且該第二場效應(yīng)管M2讀取該基準電流端Ikef的電流大小。步驟三該第一場效應(yīng)管Ml將讀取到的電流值轉(zhuǎn)換為對應(yīng)的電壓值傳送至該比較器CMP的反相輸入端，該第二場效應(yīng)管M2將讀取到的電流值轉(zhuǎn)換為對應(yīng)的電壓值傳送至該比較器CMP的正相輸入端。步驟四該比較器CMP輸出一用于判斷存儲器的存儲單元中是否存儲數(shù)據(jù)的電壓信號；當該第一場效應(yīng)管Ml與該第二場效應(yīng)管M2讀取到該檢測電流輸入端Idet的電流大小大于該基準電流端Ikef的電流大小時，則該比較器CMP的反相輸入端的電壓大于正相輸入端的電壓，從而使得該比較器CMP的輸出端輸出一低電平電壓至該輸出端Vott，從而證明存儲器的存儲單元中存儲有數(shù)據(jù)；當該第一場效應(yīng)管Ml與該第二場效應(yīng)管M2讀取到該檢測電流輸入端Idet的電流大小小于該基準電流端Ikef的電流大小時，則該比較器CMP的反相輸入端的電壓小于正相輸入端的電壓，從而使得該比較器CMP的輸出端輸出一高電平電壓至該輸出端VOT，從而證明存儲器的存儲單元中沒有存儲數(shù)據(jù)。該電流檢測方法根據(jù)輸出端Vot輸出的電平高低來檢測存儲器中是否存儲數(shù)據(jù)， 檢測速度較快、功耗較低，且簡單方便。
權(quán)利要求
1.一種電流檢測方法，用于檢測一存儲單元中的數(shù)據(jù)存儲情況，其包括以下步驟一檢測電流輸入端與一基準電流端分別輸入一電流；一第一開關(guān)元件讀取所述檢測電流輸入端的電流，一第二開關(guān)元件讀取所述基準電流端的電流；所述第一開關(guān)元件與所述第二開關(guān)元件將讀取的電流轉(zhuǎn)換為電壓，并傳送至一比較器；及所述比較器輸出一用于判斷所述存儲單元中是否存儲數(shù)據(jù)的電壓信號。
2.如權(quán)利要求1所述的電流檢測方法，其特征在于所述第一開關(guān)元件為一第一場效應(yīng)管，所述第二開關(guān)元件為一第二場效應(yīng)管。
3.如權(quán)利要求2所述的電流檢測方法，其特征在于所述第一場效應(yīng)管的漏極連接所述檢測電流輸入端，所述第二場效應(yīng)管的漏極連接所述基準電流端，所述第一場效應(yīng)管與所述第二場效應(yīng)管的柵極共同連接一運算放大器，所述第一場效應(yīng)管與所述第二場效應(yīng)管的源極共同連接一接地端。
4.如權(quán)利要求3所述的電流檢測方法，其特征在于所述運算放大器的一反相輸入端連接一基準電壓端，所述運算放大器的一正相輸入端及所述第一場效應(yīng)管的漏極共同連接所述檢測電流輸入端，所述運算放大器的一輸出端連接所述第一場效應(yīng)管與所述第二場效應(yīng)管的柵極。
5.如權(quán)利要求4所述的電流檢測方法，其特征在于所述比較器的一反相輸入端、所述第一場效應(yīng)管的漏極及所述運算放大器的正相輸入端共同連接所述檢測電流輸入端，所述比較器的一正相輸入端及所述第二場效應(yīng)管的漏極共同連接所述基準電流端。
6.如權(quán)利要求5所述的電流檢測方法，其特征在于所述第一場效應(yīng)管將讀取到的電流轉(zhuǎn)換為對應(yīng)的電壓值傳送至所述比較器的反相輸入端，所述第二場效應(yīng)管將讀取到的電流轉(zhuǎn)換為對應(yīng)的電壓值傳送至所述比較器的正相輸入端。
7.如權(quán)利要求6所述的電流檢測方法，其特征在于當所述第一場效應(yīng)管與所述第二場效應(yīng)管讀取到所述檢測電流輸入端的電流大小大于所述基準電流端的電流大小時，所述比較器的反相輸入端的電壓大于正相輸入端的電壓，所述比較器的輸出端輸出一低電平電壓信號，則所述存儲單元中存儲有數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求6所述的電流檢測方法，其特征在于當所述第一場效應(yīng)管與所述第二場效應(yīng)管讀取到所述檢測電流輸入端的電流大小小于所述基準電流端的電流大小時，所述比較器的反相輸入端的電壓小于正相輸入端的電壓，所述比較器的輸出端輸出一高電平電壓信號，則所述存儲單元中沒有存儲數(shù)據(jù)。
全文摘要
一種電流檢測方法，用于檢測一存儲單元中的數(shù)據(jù)存儲情況，其包括以下步驟一檢測電流輸入端與一基準電流端分別輸入一電流；一第一開關(guān)元件讀取所述檢測電流輸入端的電流，一第二開關(guān)元件讀取所述基準電流端的電流；所述第一開關(guān)元件與所述第二開關(guān)元件將讀取的電流轉(zhuǎn)換為電壓，并傳送至一比較器；及所述比較器輸出一用于判斷所述存儲單元中是否存儲數(shù)據(jù)的電壓信號。該電流檢測方法檢測速度較快、功耗較低，且簡單方便。
文檔編號G11C29/50GK102314951SQ201010213788
公開日2012年1月11日 申請日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者何忠波 申請人:四川和芯微電子股份有限公司