專利名稱：完全平衡雙溝道內存單元的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種內存，特別是涉及一種靜態(tài)隨機存取內存單元。
背景技術：
在深次微米集成電路技術中，內嵌式靜態(tài)隨機存取內存裝置已成為高速通訊、影像處理以及單芯片系統(tǒng)產品中的主要儲存單元。舉例而言，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置可允許平行操作，例如在一循環(huán)中可同時讀取與寫入或者同時進行兩個讀取動作，因此雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置較單溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置具有更高的頻寬。在內嵌內存與單芯片系統(tǒng)產品的進階技術中，靜態(tài)隨機存取內存單元結構所具有的低載入與高速度特性為其重要特性。具有短位線的薄型靜態(tài)隨機存取內存單元結構在位線的RC延遲方面有更佳的表現(xiàn)。然而，薄型靜態(tài)隨機存取內存單元結構依舊遭遇到某些難題，包含多個據節(jié)點漏電流現(xiàn)象、下拉裝置與溝道柵裝置間的裝置匹配問題以及電流擁擠效應…等。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存的特殊操作模式(并行運轉)需要更強的下拉驅動能力足以應付開啟運作模式的靜態(tài)隨機存取內存的雙溝道，所以更需要為靜態(tài)雜信邊限設定雙β比，如此，下拉裝置的寬度會變成單溝道靜態(tài)隨機存取內存單元的約兩倍?？紤]到合理的靜態(tài)雜信邊限，在雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元中下拉裝置與溝道柵裝置間的寬度比例約為2-4。如上所述，導致了下拉裝置漏極節(jié)點的布局為L型或T型，也因此會遭遇到上述難題。其它與上述結構相關的問題為半節(jié)點的其中之一使用柵極層作為單元內局部內連線， 以操作位于溝道柵晶體管的源極節(jié)點至下拉晶體管的漏極節(jié)點間的電流路徑。當柵極層電阻持續(xù)一代代地增加時，如此的高電阻將大幅地影響靜態(tài)隨機存取內存單元的性能(例如靜態(tài)隨機存取內存單元的電流平衡、讀取速度以及寫入能力)。由此可見，上述現(xiàn)有的內嵌式靜態(tài)隨機存取內存裝置在結構與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。因此如何能創(chuàng)設一種新型結構的完全平衡雙溝道內存單元，實屬當前重要研發(fā)課題之一，亦成為當前業(yè)界極需改進的目標。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的內嵌式靜態(tài)隨機存取內存裝置存在的缺陷，而提供一種新型結構的完全平衡雙溝道內存單元，所要解決的技術問題是使其提供一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元既可提供單溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置所具有的單元成效與性能的追蹤功能，并可降低雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元的開發(fā)投入、成本、周期與風險。本發(fā)明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現(xiàn)的。依據本發(fā)明提出的一種靜態(tài)隨機存取內存單元，包含四組串聯(lián)的金氧半場效應晶體管，每一該些組串聯(lián)金氧半場效應晶體管具有一下拉裝置以及一溝道柵裝置；以及一第一上拉裝置以及一第二上拉裝置，配置以使該四個下拉裝置形成兩個交叉耦接反相器；其中該四個溝道柵裝置的其中兩者配置以形成一第一溝道，而該四個溝道柵裝置的另外兩者則配置以形成一第二溝道。本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現(xiàn)。前述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其中所述的該些組串聯(lián)金氧半場效應晶體管包含一第一組串聯(lián)N型金氧半場效應晶體管，具有一第一溝道柵裝置以及一第一下拉裝置皆配置于一第一連續(xù)主動區(qū)內；一第二組串聯(lián)N型金氧半場效應晶體管，具有一第二溝道柵裝置以及一第二下拉裝置皆配置于一第二連續(xù)主動區(qū)內；一第三組串聯(lián)N型金氧半場效應晶體管，具有一第三溝道柵裝置以及一第三下拉裝置皆配置于一第三連續(xù)主動區(qū)內；以及一第四組串聯(lián)N型金氧半場效應晶體管，具有一第四溝道柵裝置以及一第四下拉裝置皆配置于一第四連續(xù)主動區(qū)內。前述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其中所述的該第一上拉裝置以及該第二上拉裝置配置于一連續(xù)N型井內，其中該連續(xù)N型井是與該第一、第二、第三以及第四連續(xù)主動區(qū)隔
1 ο前述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其中所述的該些組串聯(lián)金氧半場效應晶體管包含該第一溝道柵裝置的一漏極節(jié)點，電性連接于一第一位線；該第一溝道柵裝置的一源極節(jié)點，電性連接于該第一下拉裝置的一漏極節(jié)點；該第一溝道柵裝置的一柵極節(jié)點，電性連接于一第一字線；該第一下拉裝置的一源極節(jié)點，電性連接于一第一低位準電源線；該第二溝道柵裝置的一漏極節(jié)點，電性連接于一第二位線；該第二溝道柵裝置的一源極節(jié)點， 電性連接于該第二下拉裝置的一漏極節(jié)點；該第二溝道柵裝置的一柵極節(jié)點，電性連接于一第二字線；該第二下拉裝置的一源極節(jié)點，電性連接于該第一低位準電源線；該第三溝道柵裝置的一漏極節(jié)點，電性連接于一第一反位線；該第三溝道柵裝置的一源極節(jié)點，電性連接于該第三下拉裝置的一漏極節(jié)點；該第三溝道柵裝置的一柵極節(jié)點，電性連接于該第一字線；該第三下拉裝置的一源極節(jié)點，電性連接于一第二低位準電源線；該第四溝道柵裝置的一漏極節(jié)點，電性連接于一第二反位線；該第四溝道柵裝置的一源極節(jié)點，電性連接于該第四下拉裝置的一漏極節(jié)點；該第四溝道柵裝置的一柵極節(jié)點，電性連接于該第二字線；以及該第四下拉裝置的一源極節(jié)點，電性連接于該第二低位準電源線。前述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其中所述的該些組串聯(lián)金氧半場效應晶體管包含該第一上拉裝置的一漏極節(jié)點，與該第一下拉裝置的該漏極節(jié)點和該第二下拉裝置的該漏極節(jié)點電性相連，以形成一數據節(jié)點；該第一下拉裝置的一柵極節(jié)點、該第二下拉裝置的一柵極節(jié)點以及該第一上拉裝置的一柵極節(jié)點，彼此電性相連并耦接于一反數據節(jié)點； 該第二上拉裝置的一漏極節(jié)點，與該第三下拉裝置的該漏極節(jié)點和該第四下拉裝置的該漏極節(jié)點電性相連至該反數據節(jié)點；該第三下拉裝置的一柵極節(jié)點、第四下拉裝置的一柵極節(jié)點以及該第二上拉裝置的一柵極節(jié)點，彼此電性相連并耦接于該數據節(jié)點；以及該第一上拉裝置的一源極節(jié)點以及該第二上拉裝置的一源極節(jié)點，電性連接于一高位準電源線。前述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其中所述的更包含一硅化物層，配置以使該第一溝道柵的該源極節(jié)點連接于該第一下拉裝置的該漏極節(jié)點；以使該第二溝道柵的該源極節(jié)點連接于該第二下拉裝置的該漏極節(jié)點；以使該第三溝道柵的該源極節(jié)點連接于該第三下拉裝置的該漏極節(jié)點；并使該第四溝道柵的該源極節(jié)點連接于該第四下拉裝置的該漏極節(jié)點ο前述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其中所述的該第一溝道包含一第一字線，電性連接于該第一溝道柵裝置的該柵極節(jié)點與該第三溝道柵裝置的該柵極節(jié)點；一第一位線， 電性連接于該第一柵極溝道裝置的該漏極節(jié)點；以及一第一反位元傳導線，電性連接于該第三柵極溝道裝置的該漏極節(jié)點；以及該第二溝道包含一第二字線，電性連接于該第二溝道柵裝置的該柵極節(jié)點以及該第四溝道柵裝置的該柵極節(jié)點；一第二位線，電性連接于該第二柵極溝道裝置的該漏極節(jié)點；以及一第二反位元傳導線，電性連接于該第四柵極溝道裝置的該漏極節(jié)點。前述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其中所述的更包含一第五主動區(qū)，該第一上拉裝置配置于該第五主動區(qū)上；以及一第六主動區(qū)，該第二上拉裝置配置于該第六主動區(qū)上； 其中該第一主動區(qū)至該第六主動區(qū)借由一隔離結構以使彼此實體隔離；其中該第一主動區(qū)至該第六主動區(qū)依照一第一方向排列，并沿著該第一方向延伸到至少另外三個靜態(tài)隨機存取內存單元。前述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其中所述的更包含一電源線，耦接于該些上拉裝置；一第一互補電源線，耦接于該些下拉裝置；以及一第二互補電源線，耦接于該些下拉裝置；其中該電源線、該第一互補電源線以及該第二互補電源線配置于同一金屬層內。前述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其中所述的更包含一第一金屬層，提供一漏極節(jié)點連結于該些下拉裝置和該些上拉裝置；一第二金屬層，配置于該第一金屬層上，該第二金屬層包含一第一字線接著墊、一第一字線、一第二字線接著墊、一第一低位準電源線、一第二位線、一高位準電源線、一第二反位線、一第二低位準電源線、一第三字線接著墊、一第一反位線以及一第四字線接著墊；以及一第三金屬層，配置于該第二金屬層上，該第三金屬層包含一第一字線與一第二字線。本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上可知，為達到上述目的，本發(fā)明提供了一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元。其中包含四組串聯(lián)金氧半場效應晶體管、第一上拉裝置以及第二上拉裝置。每一前述組串聯(lián)金氧半場效應晶體管具有下拉裝置以及溝道柵裝置。前述第一上拉裝置以及第二上拉裝置是配置以使前述四個下拉裝置形成兩個交叉耦接反相器。此外，前述四個溝道柵裝置的其中兩者是配置以形成一第一溝道， 而前述四個溝道柵裝置的另外兩者則配置以形成一第二溝道。根據本發(fā)明另一實施方式，提供一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元。包含第一反相器、第二反相器、第一溝道柵晶體管組以及第二溝道柵晶體管組。前述第一反相器具有第一上拉晶體管以及第一下拉晶體管組，且第一下拉晶體管組至少由兩個下拉晶體管所組成。前述第二反相器具有第二上拉晶體管以及第二下拉晶體管組，且第二下拉晶體管組至少由兩個下拉晶體管所組成，另外，第二反相器交叉耦接于第一反相器。前述第一溝道柵晶體管組由至少兩個溝道柵晶體管所組成并耦接于第一反相器以及第二反相器，以形成第一溝道。前述第二溝道柵晶體管組由至少兩個溝道柵晶體管所組成并耦接于第一反相器以及第二反相器，以形成第二溝道。此外，每一前述下拉晶體管以及前述溝道柵晶體管包含N型金氧半場效應晶體管，且每一前述上拉晶體管包含P型金氧半場效應晶體管。根據本發(fā)明再一實施方式，提供一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元。包含第一主動區(qū)、第二主動區(qū)、第三主動區(qū)、第四主動區(qū)、第一下拉晶體管、第二下拉晶體管、第三下拉晶體管、第四下拉晶體管、第一溝道柵晶體管、第二溝道柵晶體管、第三溝道柵晶體管、第四溝道柵晶體管、第一上拉晶體管、第二上拉晶體管。
如上所述，前述第一主動區(qū)、第二主動區(qū)、第三主動區(qū)以及第四主動區(qū)形成于基板內。前述第一下拉晶體管以及第一溝道柵晶體管形成于第一主動區(qū)內。前述第二下拉晶體管以及第二溝道柵晶體管形成于第二主動區(qū)內。前述第三下拉晶體管以及第三溝道柵晶體管形成于第三主動區(qū)內。前述第四下拉晶體管以及第四溝道柵晶體管形成于第四主動區(qū)內。前述第一上拉晶體管、第一下拉晶體管以及第二下拉晶體管配置以形成第一反相器。前述第二上拉晶體管、第三下拉晶體管以及第四下拉晶體管配置以形成第二反相器。此外，前述第二反相器交叉耦接于前述第一反相器，前述第一溝道柵晶體管與第三溝道柵晶體管耦接于前述第一反相器與第二反相器以形成第一溝道，且前述第二溝道柵晶體管與第四溝道柵晶體管耦接于前述第一反相器與第二反相器以形成第二溝道。借由上述技術方案，本發(fā)明完全平衡雙溝道內存單元至少具有下列優(yōu)點及有益效果雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置解決了先前技術中所提及的不同問題。在一實施例中，在每一新世代的工藝開發(fā)中，單溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置通常作為制造/生產/高位準電壓的最小電壓/可靠度結果的測試載體，而本發(fā)明實施例的雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置達成與單溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置相似的配置與布線，如此，既可提供單溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置所具有的單元成效與性能的追蹤功能，并可降低雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元的開發(fā)投入、成本、周期與風險。本發(fā)明實施例前述結構與布局較先前技術而言增加了至少20%的雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元，且達到了與單溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置同樣的β比與靜態(tài)雜信邊限 (static noise margin，SNM)表現(xiàn)。在另一實施例中，本發(fā)明實施例雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置提供直線型主動區(qū)，而排除了會導致N型節(jié)點接面漏電問題的L型或T型主動區(qū)，因此可以改進雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元的穩(wěn)定性。在又一實施例中，每一半溝道下拉裝置與溝道柵裝置形成于相同主動區(qū)上。一個雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元共具有至少四個主動區(qū)，且每一主動區(qū)具有串聯(lián)的溝道柵/下拉裝置，并可將溝道柵裝置與下拉裝置間的裝置不對稱減至最小。 本發(fā)明實施例的雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置亦將每一下拉裝置分開以提供雙下拉裝置 (例如第一下拉裝置PD-Il與第二下拉裝置PD-12)來減少電流擁擠效應。上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段， 而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。
圖1是本發(fā)明一實施方式的一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置的示意圖。圖2至圖4是本發(fā)明一實施例的一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置的俯視圖。圖5至圖6是本發(fā)明另一實施方式的一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置的局部俯視圖。圖7至圖13是本發(fā)明再一實施方式的一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置的全部或局部俯視圖。100 雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110 雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元112 116 120 124 128 132 136 140 144 148 152 154 156 158 160 162 164 166 168 170 172 174
240 250 252 254 260 262
單位單元區(qū)第一跨度 N型井區(qū)第一主動區(qū)第三主動區(qū)第五主動區(qū)第一柵極結構柵極結柵極結構內連線結構第一低位準電源線連接件第二低位準電源線連接件第一高位準電源線接著墊第二高位準電源線接著墊第一溝道的第一字線接著墊第一溝道的第二字線接著墊第二溝道的第一字線接著墊第二溝道的第二字線接著墊第一溝道的位線接著墊第二溝道的位線接著墊第一溝道的反位線接著墊第二溝道的反位線接著墊
114:單位單元邊界 118 第二跨度 122 :P型井區(qū) 126 第二主動區(qū) 130 第四主動區(qū) 134 第六主動區(qū) 138 第二柵極結構 142 柵極結構 146 柵極結構 150 內連線結構180內連線結構182高位準電源線
184第--低位準電源186A-Ap — 弟—二低位準電源線
188第--字線190第--字線
192第--位線194第--反位線
196第二二位線198A-Ap — 弟—二反位線
200第二二字線202A-Ap — 弟—二字線
204第--字線206A-Ap — 弟—二字線
208第--穿孔210A-Ap — 弟—二穿孔
212第三三穿孔214第四穿孔
220第二二金屬層或第三Ξ金屬層
230第二二金屬層或第三Ξ金屬層
雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置第一雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元第二雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置第一鰭狀結構 264 第二鰭狀結構
9
沈6:第三鰭狀結構沈8:第四鰭狀結構270 第五鰭狀結構 272 第六鰭狀結構觀0 雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置282 第一短鰭狀結構 284 第二短鰭狀結構觀6:第三短鰭狀結構觀8:第四短鰭狀結構四0 雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置
具體實施例方式為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發(fā)明提出的完全平衡雙溝道內存單元其具體實施方式
、結構、 特征及其功效，詳細說明如后。圖1是本發(fā)明一實施方式繪示一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元100的示意圖。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元100包含第一反相器以及第二反相器，且第一反相器與第二反相器彼此交叉耦接。第一反相器包含第一上拉裝置PU-1、第一下拉裝置PD-Il 以及第二下拉裝置PD-12。第一上拉裝置PU-I由P型金氧半場效應晶體管(p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，PM0SFET)所形成，而第一下拉裝置PD-Il為N型金氧半場效應晶體管，且第二下拉裝置PD-12亦為N型金氧半場效應晶體管。第二反相器具有第二上拉裝置PU-2、第三下拉裝置PD-21以及第四下拉裝置PD-22。第二上拉裝置PU-2由P型金氧半場效應晶體管所形成，而第三下拉裝置PD-21為N型金氧半場效應晶體管，且第四下拉裝置PD-22亦為N型金氧半場效應晶體管。此外，第一上拉裝置PU-I漏極節(jié)點(或漏極)、第一下拉裝置PD-Il漏極節(jié)點(或漏極)以及第二下拉裝置PD-12漏極節(jié)點(或漏極)電性相連，以形成第一數據節(jié)點(或第一節(jié)點Node-I)。第二上拉裝置PU-2漏極節(jié)點(或漏極)、第三下拉裝置PD-21漏極節(jié)點(或漏極)以及第四下拉裝置PD-22漏極節(jié)點(或漏極)電性相連，以形成第二數據節(jié)點(或第二節(jié)點Node-2，或者反數據節(jié)點)。第一上拉裝置PU-I柵極節(jié)點(或柵極)、第一下拉裝置PD-Il柵極節(jié)點(或柵極)以及第二下拉裝置PD-12柵極節(jié)點(或柵極)彼此電性相連并耦接于第二節(jié)點Node-2。第二上拉裝置PU-2柵極節(jié)點(或柵極)、第三下拉裝置 PD-21柵極節(jié)點(或柵極)以及第四下拉裝置PD-22柵極節(jié)點(或柵極)彼此電性相連并耦接于第一節(jié)點Node-I。第一上拉裝置PU-I源極節(jié)點(或源極)以及第二上拉裝置PU-2 源極節(jié)點(或源極)電性連接于電源線(Vcc)。第一下拉裝置PD-Il源極節(jié)點(或源極)、 第二下拉裝置PD-12源極節(jié)點(或源極)、第三下拉裝置PD-21源極節(jié)點(或源極)以及第四下拉裝置PD-22源極節(jié)點(或源極)電性連接于互補電源線(Vss)。在雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元布局一實施例中，第一下拉裝置PD-Il的源極與第二下拉裝置PD-12的源極電性連接于第一互補電源線(例如VSS)，而第三下拉裝置 PD-21的源極與第四下拉裝置PD-22的源極電性連接于第二互補電源線(例如VSS)。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元100更包含第一溝道port-A與第二溝道port-B。 在一實施例中，第一溝道port-A與第二溝道port-B包含至少多個溝道柵裝置，其配置如圖 1中的PG-l，PG-2，PG-3以及PG-4，且每一溝道柵裝置包含N型金氧半場效應晶體管。第一溝道port-A包含第一溝道柵裝置PG-I與第三溝道柵裝置PG-3，而第二溝道port-B包含第二溝道柵裝置PG-2與第四溝道柵裝置PG-4。第一溝道柵裝置PG-I漏極節(jié)點(或漏極)電性連接于第一位線A_BL。第一溝道柵裝置PG-I源極節(jié)點(或源極)電性連接于第一節(jié)點 Nodel0第一溝道柵裝置PG-I柵極節(jié)點(或柵極)電性連接于第一字線port-Α WL。第二溝道柵裝置PG-2漏極節(jié)點電性連接于第二位線B_BL。第二溝道柵裝置PG-2源極節(jié)點電性連接于第一節(jié)點Node-I。第二溝道柵裝置PG-2柵極節(jié)點電性連接于第二字線port-B WL0 第三溝道柵裝置PG-3漏極節(jié)點電性連接于第一反位線(A_BLB)。第三溝道柵裝置PG-3源極節(jié)點電性連接于第二節(jié)點Node-2。第三溝道柵裝置PG-3柵極節(jié)點電性連接于第一字線 port-AWL。第四溝道柵裝置PG-4漏極節(jié)點電性連接于第二反位線B_BLB。第四溝道柵裝置PG-4源極節(jié)點電性連接于第二節(jié)點Node-2。第四溝道柵裝置PG-4柵極節(jié)點電性連接于第二字線 port-B WL。不同的N型金氧半場效應晶體管與P型金氧半場效應晶體管可以任何適當的技術形成。在一實施例中，不同的N型金氧半場效應晶體管與P型金氧半場效應晶體管可由現(xiàn)有習知的金氧半場效應晶體管所形成。在另一實施例中，不同的N型金氧半場效應晶體管與 P型金氧半場效應晶體管可由鰭狀場效應晶體管(Fin-like field effect transistors, FinFETs)所形成。在又一實施例中，不同的N型金氧半場效應晶體管與P型金氧半場效應晶體管可利用高K/金屬柵極技術所形成。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元100可包含其它裝置(例如下拉裝置與溝道柵裝置)。在一實施例中，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元100 所包含的下拉裝置較其所包含的溝道柵裝置為多。圖2是本發(fā)明一實施例繪示一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110的俯視圖。在一特殊結構的實施例中，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110為雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元100的一部分。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110包含雙溝道靜態(tài)隨機存取內存的一個單元，且形成于半導體基板上。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110形成于半導體基板的單位單元區(qū)112內，單位單元區(qū)112是由單位單元邊界114所界定。在一實施例中，單位單元區(qū)112界定于一長方形范圍內，其跨越第一方向上的第一跨度116以及第二方向上的第二跨度118，前述第二方向垂直第一方向，且第一跨度116較第二跨度118長。因此，第一跨度與第二跨度(116與118)可各自被視為一長節(jié)距與一短節(jié)距。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110包含配置于其中央部分的N型井區(qū)120。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110更包含配置于N型井區(qū)120雙側的P型井區(qū)122。在一實施例中，N型井區(qū)120與P型井區(qū)122延伸至單位單元邊界114以外的多個雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元。在另一實施例中，N型井區(qū)120與P型井區(qū)122延伸至位于第二方向上的四個或更多雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元。借由隔離結構于基板內界定出不同的主動區(qū)，且借由隔離結構以使不同的主動區(qū)彼此隔離。隔離結構使用適當的技術形成于基板內。在一實施例中，隔離結構利用淺溝槽隔離工藝(shallow trench isolation，STI)。在另一實施例中，隔離結構利用局部硅氧化工藝(local oxidation of silicon，L0C0S)。在一實施例中，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110包含第一主動區(qū)124、第二主動區(qū)126、第三主動區(qū)128以及第四主動區(qū)130，且第一主動區(qū)124、第二主動區(qū)126、第三主動區(qū)128以及第四主動區(qū)130形成于P型井區(qū)122內。 雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110更包含第五主動區(qū)132與第六主動區(qū)134，且第五主動區(qū) 132與第六主動區(qū)134形成于N型井區(qū)120內。
再者，第一主動區(qū)至第六主動區(qū)沿著第二跨度118配置，且可延伸至多個雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元。在一實施例中，第一主動區(qū)至第六主動區(qū)延伸至位于第二方向上的四個或者更多雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元。在一實施例中，位于P型井區(qū)122內的每一主動區(qū)包含下拉裝置與溝道柵裝置，且下拉裝置與溝道柵裝置形成于其上。在另一實施例中，位于P型井區(qū)122內的每一主動區(qū)具有不同的寬度，例如前述下拉裝置的一部分較溝道柵裝置的一部分具有更長的寬度。舉例而言，前述下拉裝置的一部分的寬度較溝道柵裝置的一部分的寬度至少長約10%。在一實施例中，第一主動區(qū)IM包含第一下拉裝置PD-11與第一溝道柵裝置PG-I， 且第一下拉裝置PD-Il與第一溝道柵裝置PG-I串聯(lián)。第一溝道柵裝置PG-I的源極電性連接于第一下拉裝置PD-11的漏極，具體而言，第一下拉裝置PD-11配置于第一主動區(qū)124內的部分較第一溝道柵裝置PG-I配置于第一主動區(qū)124內的部分為大。同樣地，第二主動區(qū) 126包含第二下拉裝置PD-12與第二溝道柵裝置PG-2，且第二下拉裝置PD-12與第二溝道柵裝置PG-2串聯(lián)。第二溝道柵裝置PG-2的源極電性連接于第二下拉裝置PD-12的漏極， 具體而言，第二下拉裝置PD-12配置于第二主動區(qū)126內的部分較第二溝道柵裝置PG-2配置于第二主動區(qū)126內的部分為大。此外，第三主動區(qū)1 包含第三下拉裝置PD-21與第三溝道柵裝置PG-3，且第三下拉裝置PD-21與第三溝道柵裝置PG-3串聯(lián)。第三溝道柵裝置PG-3源極電性連接于第三下拉裝置PD-21的漏極，具體而言，第三下拉裝置PD-21配置于第三主動區(qū)128內的部分較第三溝道柵裝置PG-3配置于第三主動區(qū)128內的部分為大。第四主動區(qū)130包含第四下拉裝置PD-22與第四溝道柵裝置PG-4，且第四下拉裝置PD-22與第四溝道柵裝置PG-4串聯(lián)。 第四溝道柵裝置PG-4源極電性連接于第四下拉裝置PD-22漏極，具體而言，第四下拉裝置 PD-22配置于第四主動區(qū)130內的部分較第四溝道柵裝置PG-4配置于第四主動區(qū)130內的部分為大。第五主動區(qū)132包含第一上拉裝置PU-1，而第六主動區(qū)134包含第二上拉裝置 PU-2。于雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110內可形成不同的柵極結構，以形成不同的N 型金氧半場效應晶體管與P型金氧半場效應晶體管。柵極結構包含柵極介電層(例如氧化硅)與柵極電極(例如摻雜多晶硅)，且柵極電極配置于柵極介電層上。在另一實施例中，柵極結構選擇性地或附加地包含其余適當的材料以達成電路效能與制作集成化。舉例而言，柵極介電層包含高K介電材料層，而柵極電極包含金屬，例如鋁、銅、鎢或其余適當的導電材料。在一實施例中，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110包含第一柵極結構136，第一柵極結構136配置于單位單元區(qū)112且沿著第一方向延伸跨至第一主動區(qū)124、第二主動區(qū) 126以及第五主動區(qū)132上，以形成第一下拉裝置PD-11、第二下拉裝置PD-12以及第一上拉裝置PU-I的柵極。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110包含第二柵極結構138，第二柵極結構138配置于單位單元區(qū)112且沿著第一方向延伸跨至第三主動區(qū)128、第四主動區(qū)130 以及第六主動區(qū)134上，以形成第三下拉裝置PD-21、第四下拉裝置PD-22以及第二上拉裝置PU-2的柵極。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110包含不同的柵極結構以形成柵溝道裝置。在一實施例中，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110包含柵極結構140，柵極結構 140配置于第一主動區(qū)IM上，以形成第一溝道柵裝置PG-I的柵極。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110包含柵極結構142，柵極結構142配置于第二主動區(qū)1 上，以形成第二溝道柵裝置PG-2的柵極。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110包含柵極結構144，柵極結構144 配置于第三主動區(qū)1 上，以形成第三溝道柵裝置PG-3的柵極。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110包含柵極結構146，柵極結構146配置于第四主動區(qū)130上，以形成第四溝道柵裝置PG-4的柵極。如圖2所示，位于P型井區(qū)122內的第一主動區(qū)124至第四主動區(qū)130，其與相關的下拉裝置和溝道柵裝置對稱地配置于具有對稱內連線布線的N型井區(qū)120的兩側。圖3 是本發(fā)明一實施例繪示一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110的俯視圖，且雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110包含內連線布線。不同的內連線結構可用以耦接N型金氧半場效應晶體管與P型金氧半場效應晶體管，以形成雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元。在一實施例中，第一下拉裝置PD-Il的漏極借由與第一溝道柵裝置PG-I的源極共享一相同摻柵區(qū)而彼此電性相連，前述相同摻柵區(qū)界定于第一主動區(qū)124內，且位于第一下拉裝置PD-Il與第一溝道柵裝置PG-I之間。在另一實施例中，第一下拉裝置PD-Il的漏極借由硅化物結構(圖中未示)與第一溝道柵裝置PG-I的源極電性相連，且硅化物結構形成于位于第一主動區(qū)IM的共同摻柵區(qū)上。硅化物結構是由現(xiàn)有習知的工藝所形成(例如自動對準金屬硅化物工藝)，且可與其它接觸硅化物于同一工藝中形成。同樣地，第二下拉裝置PD-12的漏極與第二溝道柵裝置 PG-2的源極以相同于第一下拉裝置PD-Il的漏極與第一溝道柵裝置PG-I的源極間的電性相連方法來電性相連，例如借由硅化物結構來連接。相似地，介于第三下拉裝置PD-21的漏極與第三溝道柵裝置PG-3漏極間的連結，以及介于第四下拉裝置PD-22漏極與第四溝道柵裝置PG-4漏極間的連結，均是以同樣的配置與同樣的結構來形成。在一實施例中，第一下拉裝置PD-Il漏極(或漏極節(jié)點)、第二下拉裝置PD-12漏極(或漏極節(jié)點)以及第一上拉裝置PU-I漏極(或漏極節(jié)點)借由內連線結構148來電性相連，以界定出第一數據節(jié)點(節(jié)點1或數據節(jié)點)。同樣地，第三下拉裝置PD-21漏極 (或漏極節(jié)點)、第四下拉裝置PD-22漏極(或漏極節(jié)點)以及第二上拉裝置PU-2漏極(或漏極節(jié)點)借由內連線結構150來電性相連，以界定出第二數據節(jié)點(節(jié)點2或反數據節(jié)點)。第一內連線結構148與第二內連線結構150借由相同的工藝以形成于同一內連線層 (亦可表示為第一內連線層或Ml)內。在另一實施例中，第一低位準電源線連接件152與第二低位準電源線連接件IM 形成于第一內連線層內。在另一實施例中，不同的接著墊形成于第一內連線層內，前述接著墊包含如圖3所示的第一高位準電源線接著墊156、第二高位準電源線接著墊158、第一溝道的第一字線接著墊160、第一溝道的第二字線接著墊162、第二溝道的第一字線接著墊 164、第二溝道的第二字線接著墊166、第一溝道位線接著墊168、第二溝道位線接著墊170、 第一溝道反位線接著墊172以及第二溝道反位線接著墊174。每一接著墊設計或配置以通過一個或多個接觸點來耦接裝置結構于個別電路線。具體而言，第一高位準電源線接著墊156配置以耦接第一上拉裝置PU-I漏極至高位準電源線。第二高位準電源線接著墊158配置以耦接第二上拉裝置PU-2漏極至高位準電源線。第一溝道第一字線接著墊160配置以耦接第一溝道柵裝置PG-I柵極至第一字線 port-A WL。第一溝道第二字線接著墊162配置以耦接第三溝道柵裝置PG-3柵極至第一字線port-Α WL。第二溝道第一字線接著墊164配置以耦接第二溝道柵裝置PG-2柵極至第二字線port-B WL。第二溝道第二字線接著墊166配置以耦接第四溝道柵裝置PG-4柵極至第二字線port-B WL。第一溝道位線接著墊168配置以耦接第一溝道柵的漏極至第一位線八_81^。第二溝道位線接著墊170配置以耦接第二溝道柵的漏極至第二位線B_BL。第一溝道反位線接著墊172配置以耦接第三溝道柵的漏極至第一反位線々_81^。第二溝道的反位線接著墊174配置以耦接第四溝道柵的漏極至第二反位線8_81^。在一實施例中，第一內連線層形成于第一內連線金屬層(Ml)內。上述所有內連線結構均位于雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110內，因此被稱為單元內內連線。對于兩個反相器間的交叉耦合，第二柵極138更電性連接于內連線結構148(由于第一下拉裝置PD-11、第二下拉裝置PD-12以及第一上拉裝置PU-I的漏極均連接于內連線結構148，因此內連線結構148又可作為漏極節(jié)點或第一數據節(jié)點)，而第一柵極136 更電性連接于內連線結構150(由于第三下拉裝置PD-21、第四下拉裝置PD-22以及第二上拉裝置PU-2的漏極均連接于內連線結構150，因此內連線結構150又可作為漏極節(jié)點或第二數據節(jié)點)。在一實施例中，前述布線可借由單元內布線通過第一內連線層來形成。在另一實施例中，上述介于漏極節(jié)點至柵極間的內連線結構可借由局部內連線(local interconnect,Li)技術來形成。在一實施例中，局部內連線結構可使用柵極電極材料(例如多晶硅)來形成，在此情況下，多晶硅不只可用以形成柵極電極，亦可用以形成內連線結構。詳細而言，柵極電極延伸至目標漏極區(qū)且直接接著于目標漏極區(qū)內的硅基板上。此外，若柵極電極為金屬柵極，則金屬柵極延伸以形成局部內連線結構，局部內連線結構與柵極在同一工藝中形成。在另一實施例中，第一內連線層選擇性地使用局部內連線技術來形成以提升制造效率與封裝效率。在此情況下，第一內連線結構148與第二內連線結構150皆使用局部內連線技術來形成。于再一實施例中，第一柵極136延伸且直接接著于漏極節(jié)點150(例如第二上拉裝置PU-2的漏極)上。同樣地，第二柵極138延伸且直接接著于漏極節(jié)點148(例如第一上拉裝置PU-I漏極)上。在另一實施例中，低位準電源線連接件(152與154)與不同的接著墊(156、158、…、172以及174)亦由局部內連線技術所形成。其余適當的局部內連線技術亦可用以形成上述布線。圖4是本發(fā)明一實施例繪示一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110的俯視圖，且
雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110更包含不同的接觸點(為簡化圖示，僅以0符號標示
而未各自標號)，前述接觸點位于柵極、漏極節(jié)點、第一低位準電源線連接件以及不同的接著墊。前述接著墊包含第一高位準電源線接著墊156、第二高位準電源線接著墊158、第一溝道的第一字線接著墊160、第一溝道的第二字線接著墊162、第二溝道的第一字線接著墊 164、第二溝道的第二字線接著墊166、第一溝道的位線接著墊168、第二溝道的位線接著墊 170、第一溝道的反位線接著墊172以及第二溝道的反位線接著墊174。圖5與圖6是本發(fā)明另一實施方式繪示一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110的俯視圖。詳細而言，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110內不同的內連線結構180于圖5與圖6中示意其建構。在一實施例中，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110包含至少三層內連線層(例如多層內連線金屬層)，第一層內連線層請參考圖3中的敘述，而其接觸點請參考圖4中的敘述。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110的內連線結構180包含第二內連線層(亦可表示為第二金屬層或似)與第三內連線層(亦可表示為第三金屬層或M3)，第二內連線層配置于第一金屬層上，而第三內連線層配置于第二金屬層上。為簡化起見，前述雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110的元件并未在圖5與圖6中繪示。請參照圖5，第二金屬層包含不同的金屬線，前述金屬線實質上排列在雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110的第二方向上。在一實施例中，第二金屬層包含電源線(高位準電源線)182，高位準電源線182通過個別接觸點電性連接于多個高位準電源線接著墊，高位準電源線182配置在單位單元區(qū)112中央部分，且單位單元區(qū)112中央部分位于雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元第一跨度上。第二金屬層亦包含多條互補電源線，如第一低位準電源線184與第二低位準電源線186，且第一低位準電源線184與第二低位準電源線186位于高位準電源線182的兩側。此外，第一低位準電源線與第二低位準電源線(184與186)各自電性連接于第一低位準電源線連接件與第二低二低位準電源線連接件(即為圖4中的第一低位準電源線連接件152與第二低位準電源線連接件154)。第二金屬層包含第一字線(WL-A) 188與190，且第一字線188與190各自配置于雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元的邊緣。此外，第一字線188與190借由使用個別接觸點以電性連接于圖4中的第一溝道第一字線接著墊160與第一溝道第二字線接著墊162。第二金屬層包含第一位線(A-BL) 192與第一反位線(A-BL-bar)194，且第一位線192與第一反位線194借由使用個別接觸點各自電性連接于圖4中第一溝道的位線接著墊168與第一溝道的反位線接著墊172。第二金屬層包含第二位線(B-BL) 196與第二反位線(B-BL-bar) 198， 且第二位線196與第二反位線198借由使用個別接觸點各自電性連接于圖4中的第二溝道位線接著墊170與第二溝道反位線接著墊174。第二金屬層更包含第二字線(WL-B) 200與 202，且第二字線200與202借由使用個別接觸點各自電性連接于圖4中的第二溝道的第一字線接著墊164與第二溝道的第二字線接著墊166。在不同的實施例中，位于第二金屬層內的金屬線具有不同的配置。在另一實施例中，第一反位線194與第二反位線198互換位置。在本實施例中，第三主動區(qū)1 與第四主動區(qū)130亦需互換位置以達成更適當的布線與配置。在第三主動區(qū)中的N型金氧半場效應晶體管(例如第三下拉裝置PD-21與第三溝道柵裝置PG-3)與在第四主動區(qū)中的N型金氧半場效應晶體管(例如第四下拉裝置PD-22與第四溝道柵裝置PG-4)會配合相關主動區(qū)以改變其位置，然而第三主動區(qū)依然包含第三下拉裝置PD-21與第三溝道柵裝置PG-3， 第四主動區(qū)依然包含第四下拉裝置PD-22與第四溝道柵裝置PG-4。請繼續(xù)參照圖5，用以耦接第二金屬層與第三金屬層的不同穿孔適當地配置與形成于第二金屬層上。在一實施例中，位于第二金屬層上的穿孔包含第一穿孔208、第二穿孔 210、第三穿孔212以及第四穿孔214。第一穿孔208位于第二金屬層的第一字線190上，第二穿孔210位于第二金屬層的第二字線200上，第三穿孔212位于第二金屬層的第一字線 188上，而第四穿孔214位于第二金屬層的第二字線202上。請參照圖6，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110內的內連線結構180包含不同的金屬線，且不同的金屬線位于第三金屬層內以作為字線布線。位于第三金屬層內的金屬線實質上沿著單位單元區(qū)112的第一方向排列。第三金屬層包含第一字線(WL-A) 204與第二字線(WL-B) 206，且第一字線204通過第一穿孔208以電性連接于第一溝道柵的柵極且通過第三穿孔212以電性連接于第三溝道柵的柵極。第二字線206通過第二穿孔210以電性連接于第二溝道柵的柵極且通過第四穿孔214以電性連接于第四溝道柵的柵極。圖7是本發(fā)明再一實施方式繪示一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110第二金屬層或第三金屬層220，其配置相似于圖6中的金屬層180。圖8是本發(fā)明一實施例繪示一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110的第二金屬層或第三金屬層230，其配置相似于圖6中的金屬層180，但第二金屬層中的第一反位線A_BLB的位置與第二反位線B_BLB的位置互換。圖9是本發(fā)明另一實施例繪示一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置MO的俯視圖。 雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置240包含雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元100，且雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元100的配置相似于圖4中的雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元110。圖10是本發(fā)明再一實施例繪示一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置250的俯視圖。 雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置250包含兩個雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元，且每一前述雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元相似于圖9中的雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置240。具體而言， 雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置250包含第一雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元252與第二雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元254。第一、第二、第三與第四主動區(qū)(1 、口6、1觀與130)是配置于第一雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元252與第二雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元邪4上的連續(xù)主動區(qū)。此外，多個(多于兩個)雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元可相似地配置，使得前述雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元共用連續(xù)主動區(qū)124、126、1觀與130。舉例而言，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置250的兩個雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元會重復配置于由第一至第四主動區(qū)所形成的連續(xù)主動區(qū)上。圖11是本發(fā)明又一實施例繪示一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置260的俯視圖。 雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置260利用鰭狀場效應晶體管結構，且場效應晶體管形成三維幾何形狀。在鰭狀場效應晶體管結構中，場效應晶體管形成一突出的半導體(例如硅)脊狀物，以作為鰭狀結構或鰭狀主動結構。柵極形成于鰭狀結構上的不同表面，鰭狀結構上的不同表面包含頂端面與兩側面。溝道界定于鰭狀結構內并與位于其下的柵極匹配。源極與漏極形成于鰭狀結構內且柵極位于源極與漏極之間。前述相應的晶體管因而作為鰭狀場效應晶體管。雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置260包含靜態(tài)隨機存取內存單元，且雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置260除其不同的主動區(qū)由鰭狀結構所取代，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置沈0實質上與圖4中的雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置110相似。為簡化起見，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置沈0的某些結構并未在圖11中繪示。在本實施例中，第一主動區(qū)124由第一鰭狀結構262所取代，且第一下拉裝置 PD-Il與第一溝道柵裝置PG-I形成于第一鰭狀結構沈2內。第二主動區(qū)126由第二鰭狀結構264所取代，且第二下拉裝置PD-12與第二溝道柵裝置PG-2形成于第二鰭狀結構264 內。第三主動區(qū)128由第三鰭狀結構266所取代，且第三下拉裝置PD-21與第三溝道柵裝置PG-3形成于第三鰭狀結構沈6內。第四主動區(qū)130由第四鰭狀結構268所取代，且第四下拉裝置PD-22與第四溝道柵裝置PG-4形成于第四鰭狀結構沈8內。此外，第一鰭狀結構 262至第四鰭狀結構268形成于P型井區(qū)內。第五主動區(qū)132由第五鰭狀結構270所取代， 且第一上拉裝置PU-I形成于第五鰭狀結構270內。第六主動區(qū)134由第六鰭狀結構272 所取代，且第二上拉裝置PU-2形成于第六鰭狀結構272內。此外，第五鰭狀結構270至第六鰭狀結構272形成于N型井區(qū)內。不同的鰭狀結構排列于第二方向上。在一實施例中， 第一鰭狀結構262至第四鰭狀結構268包含不同的寬度，使得相應下拉晶體管的第一部分較相應溝道柵晶體管的第二部分為寬。在一實施例中，第一部分的寬度較第二部分的寬度大約1. 25倍。同樣地，多個雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元可形成于連續(xù)的第一鰭狀結構至第四鰭狀結構上。圖12是本發(fā)明再一實施例繪示一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置280的俯視圖。 雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置280利用鰭狀場效應晶體管結構且包含一個靜態(tài)隨機存取內存單元，另外，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置觀0除其第一主動區(qū)至第四主動區(qū)的每一個主動區(qū)皆由一個以上鰭狀結構所取代，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置280實質上與圖11 中的雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置260相似。為簡化起見，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置 280的某些結構并未于圖12中繪示。在另一實施例中，下拉晶體管的數目可能不同于或多于柵溝道晶體管的數目。在一實施例中，每一主動區(qū)包含兩個鰭狀結構，其中一者用以形成一個下拉晶體管與一個溝道柵晶體管，而另一者用以單獨形成一個下拉晶體管。在本實施例中，第一主動區(qū)124由第一鰭狀結構262與第一短鰭狀結構282所取代。第一下拉晶體管形成于第一鰭狀結構262 與第一短鰭狀結構282上，而第一溝道柵晶體管形成于第一短鰭狀結構282上。具體而言，第一下拉晶體管的柵極形成于第一鰭狀結構沈2與第一短鰭狀結構 282上。如此，第一下拉晶體管的有效寬度較第一溝道柵晶體管的有效寬度為長。同樣地， 第二主動區(qū)126由第二鰭狀結構264與第二短鰭狀結構284所取代。第二下拉晶體管形成于第二鰭狀結構沈4與第二短鰭狀結構284上，而第二溝道柵晶體管僅形成于第二短鰭狀結構284上。相同地，第三主動區(qū)128由第三鰭狀結構266與第三短鰭狀結構286所取代。 第三下拉晶體管形成于第三鰭狀結構沈6與第三短鰭狀結構286上，而第三溝道柵晶體管僅形成于第三短鰭狀結構286上。同樣地，第四主動區(qū)130由第四鰭狀結構沈8與第四短鰭狀結構288所取代。第四下拉晶體管形成于第四鰭狀結構268與第四短鰭狀結構288上， 而第四溝道柵晶體管僅形成于第四短鰭狀結構288上。第一鰭狀結構至第四鰭狀結構形成于P型井區(qū)內。此外，第五主動區(qū)132由第五鰭狀結構270所取代，且第一上拉晶體管形成于第五鰭狀結構270上。同樣地，第六主動區(qū)134由第六鰭狀結構272所取代，且第二上拉晶體管形成于第六鰭狀結構272上。此外，第五鰭狀結構270與第六鰭狀結構272形成于N型井區(qū)內。不同的鰭狀結構排列于第二方向上。圖13是本發(fā)明又一實施例繪示一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置290的俯視圖。 雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置290利用鰭狀場效應晶體管結構且包含一個靜態(tài)隨機存取內存單元，另外，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置四0除其第一主動區(qū)至第四主動區(qū)的每一個主動區(qū)皆包含額外的長鰭狀結構之外，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置290實質上與圖12 中的雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置280相似。為簡化起見，雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置 290的某些結構并未于圖13中繪示。在另一實施例中，每一主動區(qū)包含兩個長鰭狀結構與一個短鰭狀結構。下拉晶體管形成于兩個長鰭狀結構與一個短鰭狀結構上，而溝道柵晶體管僅形成于兩個長鰭狀結構上。在又一實施例中，本發(fā)明實施例的雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置解決了先前技術中所提及的不同問題。在一實施例中，在每一新世代的工藝開發(fā)中，單溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置通常作為制造/生產/高位準電壓的最小電壓/可靠度結果的測試載體，而本發(fā)明實施例的雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置達成與單溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置相似的配置與布線，如此，既可提供單溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置所具有的單元成效與性能的追蹤功能，并可降低雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元的開發(fā)投入、成本、周期與風險。本發(fā)明實施例揭露一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元結構與具有雙金氧半場效應晶體管(物理隔絕兩晶體管)的布局，以供下拉裝置解決上述問題。主動區(qū)的布局是位于下拉裝置與溝道柵裝置上的直線狀圖樣，且前述結構與布局亦可在不同情形下用于高K/ 金屬柵極與鰭狀場效應晶體管結構，其優(yōu)點將在不同實施例中說明。在一實施例中，本發(fā)明實施例前述結構與布局較先前技術而言增加了至少20%的雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元，且達到了與單溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置同樣的β比與靜態(tài)雜信邊限(static noise margin, SNM)表現(xiàn)。在另一實施例中，本發(fā)明實施例雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置提供直線型主動區(qū)，而排除了會導致N型節(jié)點接面漏電問題的L型或T型主動區(qū)，因此可以改進雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元的穩(wěn)定性。在又一實施例中，每一半溝道下拉裝置與溝道柵裝置形成于相同主動區(qū)上。一個雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元共具有至少四個主動區(qū)，且每一主動區(qū)具有串聯(lián)的溝道柵/下拉裝置，并可將溝道柵裝置與下拉裝置間的裝置不對稱減至最小。 本發(fā)明實施例的雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置亦將每一下拉裝置分開以提供雙下拉裝置 (例如第一下拉裝置PD-Il與第二下拉裝置PD-12)來減少電流擁擠效應。于再一實施例中，本發(fā)明實施例之雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置提供連續(xù)主動區(qū)，前述連續(xù)主動區(qū)延伸至多個雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元(四個或更多)，使得下拉裝置與溝道柵裝置形成于其上，以解決擴散長度效應(length of diffusion, LOD)。如前所述，本發(fā)明實施例提供了完全平衡的雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元，且?guī)椭嵘b置匹配效能。在又一實施例中，本發(fā)明實施例靜態(tài)隨機存取內存裝置提供相同的電阻予兩個溝道， 舉例而言，由于具有相同的通路，通過第一位的電流與通過第二位線B_BL的電流實質上相等。本發(fā)明實施例雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置的其它實施例將于此揭露。圖12與圖13提供了利用鰭狀場效應晶體管技術的雙溝道靜態(tài)隨機存取內存裝置的不同實施例， 且每一半溝道具有超過一個下拉裝置與至少一個溝道柵裝置。此外，在每一半溝道內，下拉裝置的數目相同于或超過溝道柵裝置的數目。相同的布局可應用于鰭狀N型金氧半場效應晶體管與現(xiàn)有習知的N型金氧半場效應晶體管。在一實施例中，每一雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元可具有4個至64個下拉裝置，而每一雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元可具有4個至 64個溝道柵裝置。此外，每一組串聯(lián)N型金氧半場效應晶體管具有至多32個晶體管。具體而言，每一組串聯(lián)N型金氧半場效應晶體管具有多個鰭狀主動區(qū)，且其至多可具有32個鰭狀主動區(qū)。因此，本發(fā)明實施例提供一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元。前述雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元包含四組串聯(lián)的N型金氧半場效應晶體管、第一上拉裝置PU-I以及第二上拉裝置PU-2。每一前述組串聯(lián)的N型金氧半場效應晶體管具有下拉裝置以及溝道柵裝置。 前述第一上拉裝置PU-I以及第二上拉裝置PU-2配置以使前述四個下拉裝置形成兩個交叉耦接反相器。此外，前述四個溝道柵裝置的其中兩者配置以形成第一溝道port-A，而前述四個溝道柵裝置的另外兩者則配置以形成第二溝道port-B。
根據本發(fā)明的另一實施方式。提供一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元。前述雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元包含第一反相器、第二反相器、第一溝道柵晶體管組以及第二溝道柵晶體管組。前述第一反相器具有第一上拉晶體管以及第一下拉晶體管組，且第一下拉晶體管組至少由兩個下拉晶體管所組成。前述第二反相器具有第二上拉晶體管以及第二下拉晶體管組，且第二下拉晶體管組至少由兩個下拉晶體管所組成，另外，第二反相器交叉耦接于第一反相器。前述第一溝道柵晶體管組由至少兩個溝道柵晶體管所組成并耦接于第一反相器以及第二反相器，以形成第一溝道port-A。前述第二溝道柵晶體管組由至少兩個溝道柵晶體管所組成并耦接于第一反相器以及第二反相器，以形成第二溝道port-B。此外，每一前述下拉晶體管以及前述溝道柵晶體管包含N型金氧半場效應晶體管，且每一前述些上拉晶體管包含P型金氧半場效應晶體管。根據本發(fā)明的再一實施方式，提供一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元。前述雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元包含第一主動區(qū)、第二主動區(qū)、第三主動區(qū)、第四主動區(qū)、第一下拉晶體管、第二下拉晶體管、第三下拉晶體管、第四下拉晶體管、第一溝道柵晶體管、第二溝道柵晶體管、第三溝道柵晶體管、第四溝道柵晶體管、第一上拉晶體管、第二上拉晶體管、第一下拉晶體管、第二下拉晶體管、第三下拉晶體管以及第四下拉晶體管。如上所述，前述第一主動區(qū)、第二主動區(qū)、第三主動區(qū)以及第四主動區(qū)形成于基板內。前述第一下拉晶體管以及第一溝道柵晶體管形成于第一主動區(qū)內。前述第二下拉晶體管以及第二溝道柵晶體管形成于第二主動區(qū)內。前述第三下拉晶體管以及第三溝道柵晶體管形成于第三主動區(qū)內。前述第四下拉晶體管以及第四溝道柵晶體管形成于第四主動區(qū)內。前述第一上拉晶體管、第一下拉晶體管以及第二下拉晶體管配置以形成第一反相器。前述第二上拉晶體管、第三下拉晶體管以及第四下拉晶體管配置以形成第二反相器。此外，前述第二反相器交叉耦接于前述第一反相器，前述第一溝道柵晶體管與第三溝道柵晶體管耦接于前述第一反相器與第二反相器以形成第一溝道port-A，且前述第二溝道柵晶體管與第四溝道柵晶體管耦接于前述第一反相器與第二反相器以形成第二溝道port-B。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內。
19
權利要求
1.一種靜態(tài)隨機存取內存單元，其特征在于包含四組串聯(lián)的金氧半場效應晶體管，每一該組串聯(lián)的金氧半場效應晶體管具有一下拉裝置以及一溝道柵裝置；以及一第一上拉裝置以及一第二上拉裝置，配置以使該四個下拉裝置形成兩個交叉耦接反相器；其中該四個溝道柵裝置的其中兩者配置以形成一第一溝道，而該四個溝道柵裝置的另外兩者則配置以形成一第二溝道。
2.如權利要求1所述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其特征在于該些組串聯(lián)金氧半場效應晶體管包含一第一組串聯(lián)N型金氧半場效應晶體管，具有一第一溝道柵裝置以及一第一下拉裝置皆配置于一第一連續(xù)主動區(qū)內；一第二組串聯(lián)N型金氧半場效應晶體管，具有一第二溝道柵裝置以及一第二下拉裝置皆配置于一第二連續(xù)主動區(qū)內；一第三組串聯(lián)N型金氧半場效應晶體管，具有一第三溝道柵裝置以及一第三下拉裝置皆配置于一第三連續(xù)主動區(qū)內；以及一第四組串聯(lián)N型金氧半場效應晶體管，具有一第四溝道柵裝置以及一第四下拉裝置皆配置于一第四連續(xù)主動區(qū)內。
3.如權利要求2所述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其特征在于該第一上拉裝置以及該第二上拉裝置配置于一連續(xù)N型井內，其中該連續(xù)N型井與該第一、第二、第三以及第四連續(xù)主動區(qū)隔離。
4.如權利要求2所述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其特征在于該些組串聯(lián)金氧半場效應晶體管包含該第一溝道柵裝置的一漏極節(jié)點，電性連接于一第一位線；該第一溝道柵裝置的一源極節(jié)點，電性連接于該第一下拉裝置的一漏極節(jié)點；該第一溝道柵裝置的一柵極節(jié)點，電性連接于一第一字線；該第一下拉裝置的一源極節(jié)點，電性連接于一第一低位準電源線；該第二溝道柵裝置的一漏極節(jié)點，電性連接于一第二位線；該第二溝道柵裝置的一源極節(jié)點，電性連接于該第二下拉裝置的一漏極節(jié)點；該第二溝道柵裝置的一柵極節(jié)點，電性連接于一第二字線；該第二下拉裝置的一源極節(jié)點，電性連接于該第一低位準電源線；該第三溝道柵裝置的一漏極節(jié)點，電性連接于一第一反位線；該第三溝道柵裝置的一源極節(jié)點，電性連接于該第三下拉裝置的一漏極節(jié)點；該第三溝道柵裝置的一柵極節(jié)點，電性連接于該第一字線；該第三下拉裝置的一源極節(jié)點，電性連接于一第二低位準電源線；該第四溝道柵裝置的一漏極節(jié)點，電性連接于一第二反位線；該第四溝道柵裝置的一源極節(jié)點，電性連接于該第四下拉裝置的一漏極節(jié)點；該第四溝道柵裝置的一柵極節(jié)點，電性連接于該第二字線；以及該第四下拉裝置的一源極節(jié)點，電性連接于該第二低位準電源線。
5.如權利要求4所述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其特征在于該些組串聯(lián)金氧半場效應晶體管包含該第一上拉裝置的一漏極節(jié)點，與該第一下拉裝置的該漏極節(jié)點和該第二下拉裝置該漏極節(jié)點電性相連，以形成一數據節(jié)點；該第一下拉裝置的一柵極節(jié)點、該第二下拉裝置的一柵極節(jié)點以及該第一上拉裝置的一柵極節(jié)點，彼此電性相連并耦接于一反數據節(jié)點；該第二上拉裝置的一漏極節(jié)點，與該第三下拉裝置的該漏極節(jié)點和該第四下拉裝置的該漏極節(jié)點電性相連至該反數據節(jié)點；該第三下拉裝置的一柵極節(jié)點、第四下拉裝置的一柵極節(jié)點以及該第二上拉裝置的一柵極節(jié)點，彼此電性相連并耦接于該數據節(jié)點；以及該第一上拉裝置的一源極節(jié)點以及該第二上拉裝置的一源極節(jié)點，電性連接于一高位準電源線。
6.如權利要求4所述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其特征在于更包含一硅化物層，配置以使該第一溝道柵的該源極節(jié)點連接于該第一下拉裝置的該漏極節(jié)點；以使該第二溝道柵的該源極節(jié)點連接于該第二下拉裝置的該漏極節(jié)點；以使該第三溝道柵的該源極節(jié)點連接于該第三下拉裝置的該漏極節(jié)點；并使該第四溝道柵的該源極節(jié)點連接于該第四下拉裝置的該漏極節(jié)點。
7.如權利要求6所述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其特征在于 該第一溝道包含一第一字線，電性連接于該第一溝道柵裝置的該柵極節(jié)點與該第三溝道柵裝置的該柵極節(jié)點；一第一位線，電性連接于該第一柵極溝道裝置的該漏極節(jié)點；以及一第一反位元傳導線，電性連接于該第三柵極溝道裝置的該漏極節(jié)點；以及該第二溝道包含一第二字線，電性連接于該第二溝道柵裝置的該柵極節(jié)點以及該第四溝道柵裝置的該柵極節(jié)點；一第二位線，電性連接于該第二柵極溝道裝置的該漏極節(jié)點；以及一第二反位元傳導線，電性連接于該第四柵極溝道裝置的該漏極節(jié)點。
8.如權利要求2所述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其特征在于更包含 一第五主動區(qū)，該第一上拉裝置配置于該第五主動區(qū)上；以及一第六主動區(qū)，該第二上拉裝置配置于該第六主動區(qū)上；其中該第一主動區(qū)至該第六主動區(qū)借由一隔離結構以使彼此實體隔離； 其中該第一主動區(qū)至該第六主動區(qū)依照一第一方向排列，并沿著該第一方向延伸到至少另外三個靜態(tài)隨機存取內存單元。
9.如權利要求1所述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其特征在于更包含 一電源線，耦接于該些上拉裝置；一第一互補電源線，耦接于該些下拉裝置；以及一第二互補電源線，耦接于該些下拉裝置；其中該電源線、該第一互補電源線以及該第二互補電源線配置于同一金屬層內。
10.如權利要求1所述的靜態(tài)隨機存取內存單元，其特征在于更包含一第一金屬層，提供一漏極節(jié)點連結于該些下拉裝置和該些上拉裝置； 一第二金屬層，配置于該第一金屬層上，該第二金屬層包含一第一字線接著墊、一第一字線、一第二字線接著墊、一第一低位準電源線、一第二位線、一高位準電源線、一第二反位線、一第二低位準電源線、一第三字線接著墊、一第一反位線以及一第四字線接著墊；以及一第三金屬層，配置于該第二金屬層上，該第三金屬層包含一第一字線與一第二字線。
全文摘要
本發(fā)明是有關于一種雙溝道靜態(tài)隨機存取內存單元，包含四組串聯(lián)的金氧半場效應晶體管、第一上拉裝置以及第二上拉裝置。每一前述組串聯(lián)的金氧半場效應晶體管具有下拉裝置以及溝道柵裝置。前述第一上拉裝置以及第二上拉裝置配置以使前述四個下拉裝置形成兩個交叉耦接反相器。此外，前述四個溝道柵裝置的其中兩者配置以形成第一溝道，而前述四個溝道柵裝置的另外兩者則配置以形成第二溝道。
文檔編號G11C11/412GK102194514SQ20101027489
公開日2011年9月21日 申請日期2010年9月6日 優(yōu)先權日2010年3月10日
發(fā)明者廖忠志, 謝志宏 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司