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      帶有靠近寫入極的傳感器的換能器設(shè)計的制作方法

      文檔序號:6770604閱讀:196來源:國知局
      專利名稱:帶有靠近寫入極的傳感器的換能器設(shè)計的制作方法
      帶有靠近寫入極的傳感器的換能器設(shè)計背景硬盤驅(qū)動器(HDD)通常包括一個或更多個磁介質(zhì)盤,每個盤具有用于存儲數(shù)據(jù)的同心數(shù)據(jù)磁道。在使用多個盤的場合,由具有大致相同直徑的各同軸盤形成堆疊。由滑塊承載的換能頭被用于從盤上的數(shù)據(jù)磁道讀取以及向盤上的數(shù)據(jù)磁道寫入。該滑塊由磁頭臂組裝件(HAA)承載,該磁頭臂組裝件(HAA)包括致動臂和懸架組裝件,它們可包括分開的萬向架結(jié)構(gòu)或者可集成地形成萬向架。在操作期間,當盤旋轉(zhuǎn)時,滑塊在盤表面上方在較小氣墊上滑動。致動臂進行樞軸轉(zhuǎn)動從而相對于盤可移動地定位滑塊??砂ㄎ⒅聞悠鹘M裝件以提供對懸架組裝件的更精確定位。電連接沿該懸架延伸以將換能頭電連接至位于致動臂上或致動臂附近的組件。這些電連接可形成在懸架自身上,或者可位于相對于懸架支撐的分開的互連結(jié)構(gòu)上,諸如懸架上柔性板(FOS)。換能頭通常包括單個寫入器和單個讀取器。讀取器包括用于磁性地檢索存儲在盤(或其他磁存儲介質(zhì))上的經(jīng)編碼信息的傳感器。來自盤表面的磁通導(dǎo)致傳感器的一個或 多個感測層的磁化矢量的旋轉(zhuǎn),這進而導(dǎo)致傳感器的電性質(zhì)的改變,該電性質(zhì)的改變可通過在該傳感器中傳遞電流并測量跨該傳感器的電壓來檢測。取決于傳感器的幾何形狀,感測電流可在傳感器各層的平面中傳遞(CIP)或垂直于傳感器各層的平面而傳遞(CPP)。外部電路系統(tǒng)隨后將該電壓信息轉(zhuǎn)化成適當?shù)母袷讲葱璨倏v該信息以恢復(fù)盤上所編碼的信息。對于垂直記錄換能頭,寫入器通常包括主極以及一個或更多個返回極,它們在換能頭的氣墊面(ABS)上通過間隙層彼此分開。在某些配置中,主極和返回極可在遠離ABS的區(qū)域中通過背面間隙閉合件或背面通孔彼此連接。一層或更多層導(dǎo)電線圈位于主極與返回極之間,并由絕緣層封裝。為了向盤(或其他磁介質(zhì))寫入數(shù)據(jù),向這些導(dǎo)電線圈施加電流以在主極的極尖下方的盤中感應(yīng)磁場。通過使流過線圈的電流的方向逆轉(zhuǎn),寫入磁介質(zhì)的數(shù)據(jù)的極性也被逆轉(zhuǎn),且在兩個毗鄰比特之間寫入磁轉(zhuǎn)換。主極的后沿被用于將數(shù)據(jù)寫入磁介質(zhì)。比特模式介質(zhì)(BPM)系統(tǒng)可用于將數(shù)據(jù)存儲到模式化磁存儲介質(zhì)(例如,盤)。在BPM系統(tǒng)中,數(shù)據(jù)作為彼此隔離的分離磁數(shù)據(jù)比特被存儲在盤上。BPM系統(tǒng)可允許相對高的記錄密度。然而,BPM系統(tǒng)要求寫入同步。當換能頭在旋轉(zhuǎn)盤的表面上方移動時,寫入器的主極必須與盤上的所選比特恰當?shù)貙什拍芮‘數(shù)貙懭虢橘|(zhì)。失準可能導(dǎo)致寫入誤差。因此,已提議了用于感測定時標記的傳感器,以便使激勵寫入器與所選比特抵達毗鄰寫入器主極的位置同步。定時變化會不利地影響寫入同步。已知的同步傳感器通常與主極間隔相對較大的距離。例如,與隨具有小于約20nm的比特長度的盤聯(lián)用的寫入器的主極間隔大約6μπι的同步傳感器在該空間內(nèi)的磁介質(zhì)中可涵蓋300個或更多磁轉(zhuǎn)換,這往往增加了同步誤差的風(fēng)險。此外,BPM系統(tǒng)中的每個組件在作出同步確定時都可能引入一些定時誤差。例如,傾斜角可能加劇同步傳感器與寫入器主極之間的間距問題。由于制造容限造成的變化可能在模式化存儲介質(zhì)上產(chǎn)生可變的比特間距。熱膨脹和其他環(huán)境因素也可能影響定時變化,諸如電跡線上的熱效應(yīng),其影響發(fā)送往來于換能頭以達成寫入同步的信號。若定時變化是確定性的,則影響寫入同步的因素可被容易地補償。然而,這些變化往往是隨機的,這使得精確的同步感測是重要的。本發(fā)明涉及用于BPM系統(tǒng)的寫入同步的替換裝置和方法。概述一種磁設(shè)備包括讀取傳感器、寫入器以及同步傳感器。該磁設(shè)備被配置成向包括多個分離的磁比特的磁介質(zhì)寫入信息以及從該磁介質(zhì)讀取信息。寫入器包括寫入元件、磁耦合至寫入元件的第一返回元件、以及磁耦合至寫入元件的第二返回元件。寫入元件位于第一和第二返回元件之間。同步傳感器定位成在緊密間隔安排中毗鄰寫入器的寫入元件,且被配置成根據(jù)所感測的磁比特生成信號。該信號被用于相對于所感測的磁比特定位寫入元件。
      附圖簡述圖I是根據(jù)本發(fā)明的換能頭的實施例的示意性側(cè)視圖。圖2是圖I的換能頭的實施例的氣墊面(ABS)視圖。圖3是換能頭的實施例的示意性側(cè)視圖。圖4是圖3的換能頭的實施例的ABS視圖。圖5是換能頭的實施例的示意性側(cè)視圖。圖6A是圖5的換能頭的實施例的一種配置的ABS視圖。圖6B是圖5和6A的換能頭的實施例的替換配置的ABS視圖。圖7是換能頭的實施例的示意性側(cè)視圖。圖8是圖7的換能頭的實施例的ABS視圖。圖9是換能頭的實施例的示意性側(cè)視圖。

      圖10是圖9的換能頭的實施例的ABS視圖。圖11是換能頭的實施例的示意性側(cè)視圖。圖12是換能頭的實施例的示意性側(cè)視圖。圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的向磁存儲介質(zhì)寫入的示例方法的流程圖。圖14是與換能頭聯(lián)用的示例同步傳感器的操作狀態(tài)的示意解說。詳細描述總體而言,本發(fā)明提供了與換能頭的寫入器的寫入極緊密間隔的同步傳感器,該換能頭被配置成向模式化磁存儲介質(zhì)(例如,硬盤驅(qū)動系統(tǒng)的盤)寫入。該同步傳感器準許確定寫入定時以便將寫入器操作與寫入器極尖抵達模式化磁存儲介質(zhì)上的所選比特位置同步。模式化磁存儲介質(zhì)可被配置成用在比特模式介質(zhì)(BPM)系統(tǒng)中,其中數(shù)據(jù)作為彼此隔離的分離磁數(shù)據(jù)比特被存儲在模式化磁存儲介質(zhì)上。此外,本發(fā)明提供了一種操作方法,其中寫入器可與同步傳感器同時操作,且可在確定恰當?shù)膶懭攵〞r的過程期間濾除由同步傳感器感測到的寫入器極尖的磁化。因此,根據(jù)本發(fā)明,用于BPM系統(tǒng)的寫入同步可補償該系統(tǒng)內(nèi)的隨機變化以幫助改善寫入性能。圖I是換能頭100的實施例的示意性側(cè)視圖,該換能頭100包括皆沿氣墊面(ABS) 106定位的寫入器102和讀取器104。圖2是換能頭100的ABS視圖。如圖I和2中所示,讀取器104包括一對屏蔽108以及在ABS 106上位于屏蔽108之間的讀取傳感器110。讀取器104可按用于從存儲介質(zhì)讀取信息的常規(guī)方式起作用。寫入器102包括磁化線圈112 JgSABS 106上的極尖116的主極114、磁軛層118、底部返回極120、頂部返回極122、前端屏蔽124、以及背面通孔(或背面閉合件)126。主極114位于底部返回極120與頂部返回極122之間,而磁軛層118定位成緊鄰面向頂部返回極122的主極114。背面通孔126連接底部返回極120和頂部返回極122、主極114以及磁軛層118。磁化線圈112圍繞主極114和磁軛層118定位,以使得在操作期間激勵磁化線圈112可在主極114中感應(yīng)磁場。前端屏蔽124從頂部返回極122沿ABS 106朝主極114延伸。同步傳感器128定位在寫入器102中的ABS 106上。同步傳感器位于底部返回極120與頂部返回極122之間,更具體地,位于底部返回極120與主極114之間。同步傳感器128與主極114緊密間隔。在所解說的實施例中,同步傳感器可與主極114間隔約30nm到約4μπι范圍中的距離。在替換實施例中,其他間距是可能的。如圖2中所示,同步傳感器128在跨磁道方向上與寫入器102的主極114基本對準。應(yīng)注意,同步傳感器128可通過圖 I和2中未示出的一條或更多條電引線連接至外部電路系統(tǒng)。同步傳感器128可以是任何類型的磁阻傳感器(例如,隧穿磁阻傳感器、巨磁阻傳感器、自旋閥傳感器)、霍爾效應(yīng)傳感器、反?;魻栃?yīng)傳感器等。圖I中示出模式化磁存儲介質(zhì)130(例如,模式化磁存儲盤),其定位成毗鄰換能頭100且大致平行于ABS 106。存儲介質(zhì)130具有用分離的用于存儲數(shù)據(jù)的隔離磁比特132模式化的數(shù)據(jù)磁道以用于比特模式介質(zhì)(BPM)記錄。存儲介質(zhì)130可在方向134上相對于換能頭100移動(例如,旋轉(zhuǎn))。同步傳感器128可用于感測所選比特132 (或相應(yīng)的定時標記)的位置并生成輸出信號,該輸出信號進而被用于確定寫入器102的寫入定時同步。該寫入定時同步幫助確保在所選比特抵達與主極114的極尖116對準的位置的精確時刻激勵磁化線圈112以寫入所選比特132。同步傳感器128藉此提供反饋以補償在操作期間該系統(tǒng)內(nèi)的隨機變化。該系統(tǒng)內(nèi)的變化的示例包括由于傾斜角、溫度、比特間距、換能頭制造容限等造成的變化。以下進一步解釋根據(jù)本發(fā)明的用于用換能頭向模式化磁存儲介質(zhì)寫入數(shù)據(jù)的操作方法。圖3是換能頭200的實施例的示意性側(cè)視圖,而圖4是換能頭200的ABS視圖。換能頭200中的組件大致類似于以上描述的換能頭100的那些組件,且用數(shù)值增加了 100的相似參考標號來指明。換能頭200的寫入器202還包括從底部返回極220朝主極214延伸的引導(dǎo)屏蔽240。引導(dǎo)屏蔽240包括第一部分242和第二部分244。同步傳感器228位于引導(dǎo)屏蔽240的第一部分242與第二部分244之間。在所解說的實施例中,引導(dǎo)屏蔽240的第一部分242和第二部分244是不連續(xù)的,且鄰接同步傳感器228的兩個相對側(cè)面,剩下同步傳感器228的四個側(cè)面未被引導(dǎo)屏蔽240的材料所覆蓋。引導(dǎo)屏蔽240可在操作期間向同步傳感器228提供屏蔽。同步傳感器228與寫入器202的主極214緊密間隔。圖5是換能頭300的實施例的示意性側(cè)視圖。換能頭300中的組件大致類似于以上描述的換能頭200的那些組件,且用數(shù)值增加了 100的相似參考標號來指明。然而,在換能頭300中,同步傳感器328位于寫入器302的引導(dǎo)屏蔽340中,其中引導(dǎo)屏蔽340的材料基本上覆蓋同步傳感器328除沿ABS 306以外的所有側(cè)面(例如,鄰接同步傳感器328的五個側(cè)面)。引導(dǎo)屏蔽340的第一部分342和第二部分344是連續(xù)的。一條或更多條電引線(未示出)可穿透引導(dǎo)屏蔽340以將同步傳感器328電連接至外部電路系統(tǒng)。同步傳感器328與寫入器302的主極314緊密間隔。讀取器304的讀取傳感器310相對于寫入器302的主極以及相對于同步傳感器的安排可按需變化。圖6A是換能頭300的一種配置的ABS視圖,其中同步傳感器328與寫入器302的主極314在跨磁道方向上基本對準,但讀取傳感器310與同步傳感器328在跨磁道方向上不對準。這種配置可通過減少在同步傳感器328與讀取傳感器310之間相對大的間隔距離上的對準需求來簡化制造。圖6B是換能頭300的替換配置的ABS視圖,其中同步傳感器328、寫入器302的主極314以及讀取傳感器310全部在跨磁道方向上基本對準。該替換配置可幫助減少在讀取與寫入操作之間重新定位換能頭300的需要。還應(yīng)注意,在具有幾乎任何寫入器和同步傳感器配置的任何換能頭中,讀取傳感器都可與同步傳感器對準。圖7是換能頭400的實施例的示意性側(cè)視圖,而圖8是換能頭400的ABS視圖。換能頭400中的組件大致類似于以上描述的換能頭300的那些組件,且用數(shù)值增加了 100的相似參考標號來指明。然而,在換能頭400中,同步傳感器428定位在前端屏蔽424的第一部分446與第二部分448之間,而磁軛層418定位成面向底部返回極420。在所解說的實 施例中,前端屏蔽424的第一部分446和第二部分448是不連續(xù)的,且鄰接同步傳感器428的兩個相對側(cè)面,剩下同步傳感器428的四個側(cè)面未被前端屏蔽424的材料所覆蓋。前端屏蔽424可在操作期間向同步傳感器428提供屏蔽。同步傳感器428與寫入器402的主極414緊密間隔。如圖8中所解說的,同步傳感器428、主極414和讀取傳感器410全部在跨磁道方向上基本對準。圖9是換能頭500的實施例的示意性側(cè)視圖,而圖10是換能頭500的ABS視圖。換能頭500中的組件大致類似于以上描述的換能頭400的那些組件,且用數(shù)值增加了 100的相似參考標號來指明。然而,在換能頭500中,同步傳感器528沿ABS 506定位在寫入器502的主極514與前端屏蔽524之間的寫入間隙中。同步傳感器528與寫入器502的主極514緊密間隔。如圖10中所解說的,同步傳感器528、主極514和讀取傳感器510全部在跨磁道方向上基本對準。圖11是換能頭600的實施例的示意性側(cè)視圖。換能頭600中的組件類似于以上描述的換能頭500的那些組件,且用數(shù)值增加了 100的相似參考標號來指明。然而,換能頭600缺少引導(dǎo)屏蔽且進一步包括第一屏蔽650和第二屏蔽652。同步傳感器628與寫入器602的主極614緊密間隔,且定位在前端屏蔽624與主極614之間的寫入間隙中。第一屏蔽650和第二屏蔽652定位成緊鄰?fù)絺鞲衅?28的相對側(cè)面,且在ABS 606上位于前端屏蔽624與主極614之間。第一屏蔽650和第二屏蔽652可沿ABS 606延伸,且第一屏蔽650和第二屏蔽652的跨磁道長度與寫入器602的整個跨磁道長度相當。圖12是換能頭700的實施例的示意性側(cè)視圖。換能頭700中的組件類似于以上描述的換能頭600的那些組件,且用數(shù)值增加了 100的相似參考標號來指明。然而,換能頭700包括第一屏蔽750和第二屏蔽752,它們定位成緊鄰?fù)絺鞲衅?28的相對側(cè)面,且在ABS 706上位于底部返回極720與寫入器702的主極714之間。同步傳感器728與寫入器702的主極714緊密間隔。圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的向磁存儲介質(zhì)寫入的示例性方法的流程圖。初始,相對于帶有寫入器的換能頭移動(例如,旋轉(zhuǎn))模式化磁介質(zhì)(步驟800),以及生成指定將被寫入該模式化磁存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)的寫入信號(步驟802)。步驟800和802可同時、或在不同時間執(zhí)行。已在步驟802處生成寫入信號之后,以及在該模式化磁存儲介質(zhì)繼續(xù)相對于換能頭旋轉(zhuǎn)的同時,同步傳感器可通過感測所選比特或相應(yīng)的定時標記來感測該模式化磁存儲介質(zhì)上的所選寫入位置(步驟804)。寫入器可在步驟804發(fā)生的同時進行操作,S卩,可與步驟804同時地在寫入器的主寫入極中產(chǎn)生磁場(步驟806)。步驟806處的寫入可與該模式化磁存儲介質(zhì)上與步驟804處由同步傳感器所感測的所選位置不同的位置相關(guān)聯(lián)。在替換實施例中,寫入器可在同步傳感器操作時不活動。同步傳感器隨后基于所感測的寫入位置信息生成輸出信號(步驟808)。該輸出信號隨后可被發(fā)送給外部電路系統(tǒng)以用于處理和分析。由于同步傳感器相對于寫入器的主寫入極大致定位成緊密間隔安排,因此由同步傳感器感測的信息可不僅包括與用于寫入定時同步的所選比特的位置有關(guān)的信息,且還包括與主寫入極的磁化相關(guān)的信息。因此,該輸出信號可被過濾以移除與主寫入極的磁化相關(guān)的不必要信息(步驟810)。以下詳述合適的過濾過程的一個示例。若寫入器不與同步傳感器同時操作,則該過濾步驟可能是不需要的。接下來,生成寫入定時信號(步驟812),其可根據(jù)經(jīng)過濾輸出信號來生成。寫入 定時信號允許主寫入極的抵達與所選比特(即,寫入位置)的精確定時,且可產(chǎn)生期望的寫入定時相位調(diào)整。通過以此方式創(chuàng)建反饋循環(huán),系統(tǒng)可考慮隨機變化的可能源,從而幫助改善寫入。寫入器隨后可根據(jù)寫入定時信號向模式化磁存儲介質(zhì)上的所選比特寫入(步驟814)。以上描述的過程可按需重復(fù),以關(guān)于步驟802描述的方式針對下一個寫入操作生成寫入信號。應(yīng)注意,用于下一個寫入操作的寫入信號可在步驟814之前生成,且同步傳感器可在步驟814期間感測用于該下一個寫入操作的寫入位置。圖14是與換能頭聯(lián)用的示例性同步傳感器的操作狀態(tài)的示意解說,其可用于理解用于寫入定時同步的過濾操作。圖14示出具有第一列900和第二列902以及多行的柵格。第一列900解說一對磁化矢量,左邊的一個磁化矢量代表模式化磁存儲介質(zhì)上的所選比特(或定時標記),而右邊的一個磁化矢量代表主寫入極的磁化。每個磁化矢量將大致為二元的,即,每個磁化矢量將指示僅兩個可能的磁化方向之一,它們在所解說的實施例中被示為彼此平行。第二列902解說在同步傳感器被定位成同時感測與第一列900相關(guān)聯(lián)的兩個磁化矢量時該同步傳感器的狀態(tài)。該柵格中的第一行904在第二列902中解說同步傳感器的第一可能狀態(tài),其與第一列900中的兩個磁化矢量皆朝向第一方向相關(guān)聯(lián)。該柵格中的第二行906和第三行908在第二列902中解說同步傳感器的第二可能狀態(tài),其與第一列900中的磁化矢量朝向基本相反方向相關(guān)聯(lián)。該柵格中的第四行910在第二列902中解說同步傳感器的第三可能狀態(tài),其與第一列900中的兩個磁化矢量皆朝向與第一行904中所示的第一方向相反的第二方向相關(guān)聯(lián)。第二列902中所示的同步傳感器的狀態(tài)由此傳達了模式化磁存儲介質(zhì)的所選比特(或定時標記)和主寫入極的磁化兩者對同步傳感器的組合效應(yīng)。第一列900中右邊的磁化矢量的取向代表主寫入極的磁化且將總是已知的,因為寫入器操作將是響應(yīng)于已知的命令信號(例如,圖13中的步驟802)。所選比特(或定時標記)的現(xiàn)有磁化也是已知的。第二列902中所示的表示同步傳感器的狀態(tài)的輸出信號因此可根據(jù)去往寫入器的已知命令信號而被過濾,以隔離與所選比特的位置相關(guān)的信息并移除由于寫入器操作對同步傳感器造成的任何影響。這允許針對寫入定時同步相對精確地確定所選比特的位置。
      雖然已參考優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明,但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到,可在形式和細節(jié)上作出改變而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。例如,根據(jù)本發(fā)明的換能頭可包括上文未具體示出或描述的附加組件。可提供一個或更多個附加同步傳感器,例如,各同步傳感器被定位在寫入器的主極的相同側(cè)或相對側(cè)。此外,在換能頭的替換實施例中,以上示出及描述的某些組件(諸如讀取器)可被省略。此外,盡管以上描述的讀取器實施例包括兩個返回極,但是應(yīng)認識到,根據(jù)本發(fā)明,其他寫入器配置是可能的,諸如僅有單個返回極的設(shè)計。此夕卜,各組件的相對定位可與所解說實施例中所示的那些不同。例如,根據(jù)特定實施例所需,讀取器、主寫入極和同步傳感器可彼此對準或不對準。此外,本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到,本 發(fā)明可用于除BPM記錄以外的應(yīng)用,諸如通過利用光或熱傳感器而非磁同步傳感器而用于接觸檢測。
      權(quán)利要求
      1.一種用于向磁介質(zhì)寫入信息以及從磁介質(zhì)讀取信息的磁設(shè)備,其中所述磁介質(zhì)包括多個分離的磁比特,所述磁設(shè)備包括 讀取傳感器; 寫入器,所述寫入器包括寫入元件、磁耦合至所述寫入元件的第一返回元件、以及磁耦合至所述寫入元件的第二返回元件,其中所述寫入元件位于所述第一和第二返回元件之間;以及 同步傳感器,其定位成在緊密間隔安排中毗鄰所述寫入器的所述寫入元件,所述同步傳感器被配置成根據(jù)所感測的磁比特來生成信號,其中所述信號用于相對于所感測的磁比特來定位所述寫入元件。
      2.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備,其特征在于,所述同步傳感器位于所述第一和第二返回元件之間。
      3.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備,其特征在于,進一步包括 從所述第一返回元件延伸出的屏蔽,其中所述同步傳感器位于所述屏蔽的第一部分與第二部分之間。
      4.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備,其特征在于,所述屏蔽基本上圍繞所述同步傳感器的五個側(cè)面。
      5.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備,其特征在于,進一步包括 從所述第二返回元件延伸出的屏蔽,其中所述同步傳感器位于所述屏蔽的第一部分與第二部分之間。
      6.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備,其特征在于,進一步包括 位于所述同步傳感器的任一側(cè)的一對同步傳感器屏蔽。
      7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其特征在于,進一步包括 從所述第一返回元件延伸出的第一屏蔽;以及 從所述第二返回元件延伸出的第二屏蔽。
      8.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備,其特征在于,所述同步傳感器包括磁阻傳感器。
      9.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備,其特征在于,所述同步傳感器包括霍爾效應(yīng)傳感器。
      10.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備,其特征在于,所述寫入元件在跨磁道方向上與所述同步傳感器基本對準。
      11.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備,其特征在于,所述讀取傳感器在跨磁道方向上與所述同步傳感器基本對準。
      12.一種用于向磁介質(zhì)寫入信息以及從磁介質(zhì)讀取信息的磁設(shè)備,其中所述磁介質(zhì)包括多個分離的磁比特,所述磁設(shè)備包括 讀取傳感器; 寫入器,所述寫入器包括寫入元件、磁耦合至所述寫入元件的返回元件、以及從所述返回元件朝所述寫入元件延伸的屏蔽;以及 同步傳感器,其設(shè)置在所述屏蔽中且被配置成根據(jù)所感測的磁比特來生成信號,其中所述信號用于相對于所感測的磁比特來定位所述寫入元件。
      13.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備,其特征在于,進一步包括 附加返回元件,其中所述寫入元件定位在各個所述返回元件之間。
      14.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備,其特征在于,進一步包括 從所述附加返回元件延伸出的附加屏蔽。
      15.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備,其特征在于,所述屏蔽基本上圍繞所述同步傳感器的五個側(cè)面。
      16.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備,其特征在于,所述同步傳感器的類型選自包括磁阻傳感器、霍爾效應(yīng)傳感器、以及反?;魻栃?yīng)傳感器的組。
      17.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備,其特征在于,所述寫入元件在跨磁道方向上與所述同步傳感器基本對準。
      18.如權(quán)利要求17所述的設(shè)備,其特征在于,所述讀取傳感器在跨磁道方向上與所述同步傳感器基本對準。
      19.一種向包括多個分離的磁比特的模式化磁介質(zhì)寫入數(shù)據(jù)的方法,所述方法包括 產(chǎn)生換能頭關(guān)于所述模式化磁介質(zhì)的相對移動; 用所述換能頭中的同步傳感器來感測所述多個分離的磁比特中的所選磁比特的位置; 在所述用同步傳感器來感測所述多個分離的磁比特中的所選磁比特的位置的步驟的同時,根據(jù)寫入信號在所述換能頭中的寫入器中感應(yīng)磁場,其中由所述寫入器感應(yīng)的所述磁場連同所述多個分離的磁比特中的所選磁比特的位置一起由所述同步傳感器感測到; 根據(jù)由所述同步傳感器感測到的信息生成輸出信號; 根據(jù)所述寫入信號來過濾所述輸出信號以隔離所述多個分離的磁比特中的所選磁比特的所感測位置;以及 根據(jù)經(jīng)過濾的輸出信號向所述多個分離的磁比特中的所選磁比特寫入。
      20.如權(quán)利要求19所述的方法,其特征在于,所述用所述換能頭中的同步傳感器來感測所述多個分離的磁比特中的所選磁比特的位置的步驟以及所述根據(jù)寫入定時信息向所述多個分離的磁比特中的所選磁比特寫入的步驟落在所述換能頭在所述模式化磁介質(zhì)的所述多個分離的磁比特中的所選磁比特上方的單次經(jīng)過內(nèi)。
      全文摘要
      一種磁設(shè)備包括讀取傳感器、寫入器以及同步傳感器。該磁設(shè)備被配置成向包括多個分離的磁比特的磁介質(zhì)寫入信息以及從該磁介質(zhì)讀取信息。寫入器包括寫入元件、磁耦合至寫入元件的第一返回元件、以及磁耦合至寫入元件的第二返回元件。寫入元件位于第一和第二返回元件之間。同步傳感器定位成在緊密間隔安排中毗鄰寫入器的寫入元件,且被配置成根據(jù)所感測的磁比特生成信號。該信號被用于相對于所感測的磁比特定位寫入元件。
      文檔編號G11B5/596GK102804265SQ201080031207
      公開日2012年11月28日 申請日期2010年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月28日
      發(fā)明者陳永華, 高凱中 申請人:希捷科技有限公司
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