專利名稱：一種閃存的編程/擦除方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種閃存，特別是涉及一種閃存的編程/擦除方法。
背景技術(shù)：
閃存(flash)是一種用于存儲數(shù)據(jù)的存儲裝置，其具有即使停止電源供應(yīng)也保持數(shù)據(jù)未受到擦除的特性(非易失性)。由于此原因，所以閃存已被用作諸如移動電話、PDA 以及MP3播放器之類的電子產(chǎn)品的數(shù)據(jù)存儲裝置，并且具有應(yīng)用越來越廣泛的趨勢。一般來說，F(xiàn)lash分為NOR型Flash及NAND型Flash。它們的共同之處在于數(shù)據(jù)通過編程操作存儲(寫入數(shù)據(jù))，且通過擦除操作擦除。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種對閃存的編程方法的步驟流程圖。參照圖1，現(xiàn)有技術(shù)對閃存編程的方法數(shù)據(jù)輸入步驟(110)、編程操作步驟(120)、編程驗證步驟(130)、編程操作再執(zhí)行步驟(140)以及編程驗證再執(zhí)行步驟 (150)。然而，上述現(xiàn)有技術(shù)的閃存方法一般都是采用固定的脈寬作為每次編程/擦除嘗試的時間，這就增加了編程/擦除驗證的次數(shù)和時間，從而最終增加了編程/擦除的總時間，嚴(yán)重影響編程速度。因此，目前需要本領(lǐng)域技術(shù)人員迫切解決的問題就是如何能夠提出一種改進型的編程/擦除操作方法，可以減少編程/擦除的次數(shù)和時間，進而提高現(xiàn)有的 Flash編程/擦除速度

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述現(xiàn)有技術(shù)閃存編程方法存在編程/擦除驗證次數(shù)和時間多而導(dǎo)致編程速度慢的問題，本發(fā)明的主要目的在于提供一種閃存的編程/擦除方法，其通過計算編程/擦除的誤比特率，并根據(jù)誤比特率調(diào)整編程/擦除時間以達到快速驗證的目的，提高閃存的編程/擦除速度。為達上述及其它目的，本發(fā)明一種閃存的編程/擦除方法，至少包括如下步驟步驟一數(shù)據(jù)輸入，將接收的數(shù)據(jù)存儲于該閃存的頁緩沖區(qū)，并進行初始參數(shù)設(shè)定；步驟二 對該數(shù)據(jù)進行編程/擦除；步驟三對編程/擦除結(jié)果進行驗證；步驟四計算誤比特率，該誤比特率為未成功編程/擦除的數(shù)據(jù)占所有編程/擦除數(shù)據(jù)的比例；步驟五根據(jù)該誤比特率調(diào)整編程/擦除脈寬；以及步驟六進入步驟二重復(fù)進行編程/擦除操作，直到該誤比特率達到規(guī)定的比例。進一步地，在步驟五之后還包括如下步驟根據(jù)該誤比特率和編程/擦除脈寬調(diào)整柵極電壓。進一步地，該誤比特率的計算是通過M個誤比特計算電路實現(xiàn)的，每個誤比特計算電路至少包括1個異或門以及N個D觸發(fā)器，讀出放大器將目的存儲器的數(shù)據(jù)讀出，每行數(shù)據(jù)與預(yù)先編程寫入的數(shù)據(jù)經(jīng)過該異或門進行異或比較，該異或門的輸出接至該N個D觸發(fā)器的第一個D觸發(fā)器的時鐘端，該第一個D觸發(fā)器的輸出端接至第二個D觸發(fā)器的時鐘端，以此類推，同時，每個D觸發(fā)器的數(shù)據(jù)端接“ 1 ”。進一步地，該根據(jù)誤比特率調(diào)整編程/擦除脈寬的步驟通過一脈沖間隔調(diào)制單元實現(xiàn)，當(dāng)誤比特率高的時候，根據(jù)事先測得的數(shù)據(jù)大幅度增加編程/擦除時間；當(dāng)該誤比特率小時，編程/擦除時間則較小。進一步地，該初始參數(shù)包括該柵極電壓的初始值與該編程/擦除電壓的初始值與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明一種閃存的編程/擦除方法通過計算編程/擦除過程中的誤比特率，并根據(jù)誤比特率調(diào)整編程/擦除的脈寬，以達到快速驗證的目的，提高了閃存編程/擦除的效率。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種對閃存的編程方法的步驟流程圖；圖2為本發(fā)明一種閃存的編程/擦除方法較佳實施例的步驟流程圖。圖3為本發(fā)明較佳實施例中誤比特計算電路的電路示意圖。
具體實施例方式以下通過特定的具體實例并結(jié)合

本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點與功效。本發(fā)明亦可通過其它不同的具體實例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)亦可基于不同觀點與應(yīng)用，在不背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾與變更。圖2為本發(fā)明一種閃存的編程/擦除方法較佳實施例的步驟流程圖。如圖2所示， 本發(fā)明一種閃存的編程/擦除方法，包括如下步驟步驟201 數(shù)據(jù)輸入步驟，更具體地講，所接收的數(shù)據(jù)(即所需寫入的數(shù)據(jù))可以被存儲于閃存的頁緩沖區(qū)中，以便后續(xù)編程/擦除步驟所獲取，并給存儲器輸入一些初始參數(shù)如柵極電壓Vth的初始值和編程/擦除時間初始值；步驟202 編程/擦除操作步驟，即根據(jù)閃存特點，在編程或?qū)懭霐?shù)據(jù)前先將目的單元存儲器信息擦除，然后再依次將存儲于頁緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)編程寫入目的存儲器單元， 如何基于頁執(zhí)行編程操作在本領(lǐng)域中已公知，此處省略其詳細描述；步驟203 編程/擦除驗證步驟。本發(fā)明較佳實施例以編程驗證步驟為例，在編程驗證步驟中，驗證數(shù)據(jù)是否通過編程操作正常寫入至目的存儲器單元中，一般可以通過比較存儲器單元的閾值電壓與一基準(zhǔn)電壓來進行驗證。具體地說，編程驗證操作比較經(jīng)編程的存儲器單元的閾值電壓與一預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)電壓(例如，IV)，如果經(jīng)編程的存儲器單元的閾值電壓高于該基準(zhǔn)電壓，則確定已成功執(zhí)行編程操作；相反，如果經(jīng)編程的存儲器單元的閾值電壓低于該基準(zhǔn)電壓，則確定未成功執(zhí)行編程操作。如果整個存儲器單元的編程操作正常執(zhí)行(或已成功)，則編程操作結(jié)束，擦除驗證步驟則類似，此處編程/擦除驗證方法均為已知技術(shù)，在此不予贅述；步驟204:計算誤比特率，即計算未成功編程/擦除的數(shù)據(jù)(以比特為單位) 占所有編程/擦除數(shù)據(jù)的比例。在本發(fā)明較佳實施例中，誤比特率的計算是通過M個誤比特計算電路來實現(xiàn)的。以下將參照圖2具體說明如何計算誤比特率。每個誤比特計算電路均包含一異或門及N個D觸發(fā)器，首先通過讀出放大器將目的存儲器的數(shù)據(jù)
SAout (0)......SAout (m)讀出，將每行數(shù)據(jù)(以第一行SAout (0)為例)和預(yù)先編程寫入的
數(shù)據(jù)PO通過該異或門進行異或比較，當(dāng)相異時異或門輸出為“ 1，，而形成一個上升沿，該異或門輸出接至第一個D觸發(fā)器的時鐘端，第一個D觸發(fā)器數(shù)據(jù)端接“ 1”，則該上升沿將導(dǎo)致第一 D個觸發(fā)器的輸出反相即開始二進制計數(shù)；同時該第一個D觸發(fā)器的輸出端接至第二個D觸發(fā)器的時鐘端；由此類推，第K個D觸發(fā)器的輸出端接至第(K+1)個D觸發(fā)器的時鐘端。根據(jù)編程/擦除的目的地址，可以建立多個這樣的誤比特計算電路，憑借這些誤比特計算電路就完成了錯誤比特的計數(shù)。步驟205 根據(jù)誤比特率調(diào)整編程/擦除的脈寬，并重新進入步驟202重復(fù)進行編程/擦除操作，直至誤比特率達到規(guī)定的比例。本步驟基于存儲器編程/擦除時注入的電子數(shù)量和執(zhí)行編程/擦除編程/擦除的時間正相關(guān)這一基本原理，由一個脈沖間隔調(diào)制單元來實現(xiàn)。當(dāng)誤比特率很高時，根據(jù)事先測得的數(shù)據(jù)大幅度增加編程/擦除時間，這樣下一次編程/擦除時注入存儲器的電子數(shù)量會大幅度增加，而驗證時是依賴這些存儲在存儲器內(nèi)的電子所形成的電壓/電流來判定先前編程寫入的數(shù)據(jù)的是邏輯“O”還是“1”，“1”或“O” 對應(yīng)的電子數(shù)量增加意味著“O”或“ 1，，的電子數(shù)量減少，兩個邏輯狀態(tài)的電子數(shù)量差會隨著編程時間增加而增加，電子數(shù)量差增加則導(dǎo)致驗證時更容易區(qū)分出來兩種邏輯狀態(tài)，亦即增加編程/擦除時間會使編程/擦除成功率增加；當(dāng)誤比特率較小時，所增加的編程/擦除時間也較小，這樣可以保證編程/擦除時間的精度。當(dāng)然，為了更好地實現(xiàn)本發(fā)明，在步驟205之后，還可增加如下步驟步驟206 根據(jù)誤比特率和編程/擦除時間(即編程/擦除脈寬)調(diào)整柵極電壓 Vth，在編程/擦除時間已經(jīng)達到一定標(biāo)準(zhǔn)后誤比特率仍不能有效降低時，改變柵極電壓 Vth的數(shù)值，重新確定編程/擦除時間初值，并返回步驟202執(zhí)行編程/擦除驗證操作。如有需要，可以多次重復(fù)上述步驟，當(dāng)柵極電壓Vth達到某標(biāo)準(zhǔn)后，誤比特率仍不能有效下降，還可以從步驟201重新開始編程/擦除驗證操作，直至達到規(guī)定嘗試次數(shù)。上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾與改變。因此， 本發(fā)明的權(quán)利保護范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
權(quán)利要求
1.一種閃存的編程/擦除方法，至少包括如下步驟步驟一數(shù)據(jù)輸入，將接收的數(shù)據(jù)存儲于該閃存的頁緩沖區(qū)，并進行初始參數(shù)設(shè)定；步驟二 對該數(shù)據(jù)進行編程/擦除；步驟三對編程/擦除結(jié)果進行驗證；步驟四計算誤比特率，該誤比特率為未成功編程/擦除的數(shù)據(jù)占所有編程/擦除數(shù)據(jù)的比例；步驟五根據(jù)該誤比特率調(diào)整編程/擦除脈寬；以及步驟六進入步驟二重復(fù)進行編程/擦除操作，直到該誤比特率達到規(guī)定的比例。
2.如權(quán)利要求1所述的閃存的編程/擦除方法，其特征在于在步驟五之后還包括如下步驟根據(jù)該誤比特率和編程/擦除脈寬調(diào)整柵極電壓。
3.如權(quán)利要求2所述的閃存的編程/擦除方法，其特征在于該誤比特率的計算是通過M個誤比特計算電路實現(xiàn)的，每個誤比特計算電路至少包括1個異或門以及N個D觸發(fā)器，讀出放大器將目的存儲器的數(shù)據(jù)讀出，每行數(shù)據(jù)與預(yù)先編程寫入的數(shù)據(jù)經(jīng)過該異或門進行異或比較，該異或門的輸出接至該N個D觸發(fā)器的第一個D觸發(fā)器的時鐘端，該第一個 D觸發(fā)器的輸出端接至第二個D觸發(fā)器的時鐘端，后續(xù)每個D觸發(fā)器的輸出端均接下一個D 觸發(fā)器的時鐘端，同時，每個D觸發(fā)器的數(shù)據(jù)端接“ 1 ”。
4.如權(quán)利要求3所述的閃存的編程/擦除方法，其特征在于該根據(jù)誤比特率調(diào)整編程/擦除脈寬的步驟通過一脈沖間隔調(diào)制單元實現(xiàn)，當(dāng)該誤比特率高的時候，根據(jù)事先測得的數(shù)據(jù)大幅度增加編程/擦除時間；當(dāng)該誤比特率小時，編程/擦除時間則較小。
5.如權(quán)利要求4所述的閃存的編程/擦除方法，其特征在于該初始參數(shù)包括該柵極電壓的初始值與該編程/擦除電壓的初始值。
全文摘要
本發(fā)明公開一種閃存的編程/擦除方法，包括數(shù)據(jù)輸入；對該數(shù)據(jù)進行編程/擦除；對編程/擦除結(jié)果進行驗證；計算誤比特率，該誤比特率為未成功編程/擦除的數(shù)據(jù)占所有編程/擦除數(shù)據(jù)的比例；根據(jù)該誤比特率調(diào)整編程/擦除脈寬并重復(fù)進行編程/擦除操作；通過本發(fā)明，可以使閃存達到快速驗證的目的，提高閃存編程/擦除的效率。
文檔編號G11C16/14GK102270506SQ20111017647
公開日2011年12月7日 申請日期2011年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月28日
發(fā)明者楊光軍 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司